TW202139548A - 用於增強co2驅動雷射效能之氣體品質最佳化 - Google Patents

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Abstract

一種功率放大器包括一氣體雷射腔室、一氣體雷射電源、一催化劑腔室、一回饋設備及一處理器。該氣體雷射腔室經組態以收容一流動氣體混合物。該氣體雷射電源耦接至該氣體雷射腔室，且經組態以將能量供應至該流動氣體混合物以輸出一雷射光束。該催化劑腔室耦接至該氣體雷射腔室，且包括經組態以重新氧化該流動氣體混合物中的解離分子之一催化劑。該回饋設備耦接至該氣體雷射腔室及/或該雷射光束，且經組態以量測該功率放大器之一特性。該處理器耦接至該催化劑腔室及該回饋設備。該處理器經組態以基於該經量測特性來調整該流動氣體混合物至該催化劑腔室中的該催化劑之曝露。

Description

用於增強CO2驅動雷射效能之氣體品質最佳化
本發明係關於用於例如光微影設備及系統之功率放大器設備及系統。
微影設備係經建構以將所要圖案施加至基板上之機器。微影設備可用於(例如)積體電路(IC)製造中。微影設備可例如將圖案化裝置(例如遮罩、倍縮光罩)之圖案投影至設置於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)之層上。
為了將圖案投影至基板上，微影設備可使用電磁輻射。此輻射之波長判定可在基板上形成之特徵的最小大小。相比於使用例如具有193 nm之波長之輻射的微影設備，使用具有在4至20 nm之範圍內之波長(例如6.7 nm或13.5 nm)之極紫外(EUV)輻射的微影設備可用以在基板上形成較小特徵。
EUV輻射可藉由將材料轉換為發射EUV輻射之電漿狀態而產生。經放大光束可用來產生EUV電漿源。紅外雷射可產生驅動雷射輸入功率與輸出EUV功率之間的高轉換效率。
然而，在氣體雷射之高功率放電期間，雷射氣體混合物之分子可能解離且染污功率放大器。另外，雷射氣體混合物中之此污染可能不利地影響雷射效能且使功率放大器隨時間推移而劣化。
因此，需要減少雷射氣體混合物分子之解離及功率放大器隨時間推移之劣化，且監測及動態地控制功率放大器中的雷射氣體混合物之品質。
在一些實施例中，一種用於一雷射之功率放大器包括一氣體雷射腔室、一氣體雷射電源、一催化劑腔室、一回饋設備及一處理器。該氣體雷射腔室經組態以收容一流動氣體混合物。該氣體雷射電源耦接至該氣體雷射腔室，且經組態以將能量供應至該流動氣體混合物以輸出一雷射光束。該催化劑腔室耦接至該氣體雷射腔室，且包括經組態以重新氧化該流動氣體混合物中的解離分子之一催化劑。該回饋設備耦接至該氣體雷射腔室及/或該雷射光束，且經組態以量測該功率放大器之一特性。該處理器耦接至該催化劑腔室及該回饋設備。該處理器經組態以基於該經量測特性來調整該流動氣體混合物至該催化劑腔室中的該催化劑之曝露，及/或基於該經量測特性來調整該流動氣體混合物之一或多種組分經由該氣體雷射腔室之一流動，及/或基於該經量測特性來調整該催化劑腔室中的該催化劑之一溫度。
在一些實施例中，該處理器經組態以基於該經量測特性來調整該流動氣體混合物至該催化劑腔室中的該催化劑之曝露。在一些實施例中，該處理器經組態以基於該經量測特性來調整該流動氣體混合物之一或多種組分經由該氣體雷射腔室之一流動。在一些實施例中，該處理器經組態以基於該經量測特性來調整該催化劑腔室中的該催化劑之一溫度。
在一些實施例中，該特性包括該雷射光束之一輸出功率。在一些實施例中，特性包括該雷射光束之一增益。在一些實施例中，該特性包括該氣體雷射腔室中的該流動氣體混合物之一組分之一濃度。在一些實施例中，該特性包括一光譜圖徵。在一些實施例中，該特性包括一色譜圖徵及/或一質譜圖徵。
在一些實施例中，該回饋設備包括一光譜計。在一些實施例中，該回饋設備包括一氣體感測器。在一些實施例中，該氣體感測器包括一催化探針，其經組態以選擇性地量測該流動氣體混合物之一或多種組分之該濃度。在一些實施例中，該回饋設備包括一殘餘氣體分析器(RGA)。在一些實施例中，該回饋設備包括一氣相色譜儀及/或一質譜儀。在一些實施例中，該回饋設備包括一光學偵測器。
在一些實施例中，該催化劑包括霍佳劑(hopcalite)、Co3 O4 、鈀、鉑、銥、銅、金，及/或其一組合或子組合。在一些實施例中，該催化劑腔室包括經組態以調整該催化劑腔室中的一流動之一吹風機及經組態以調整該催化劑之該溫度以調整重締合之一速率的一溫度控制模組。
在一些實施例中，該處理器經組態以調變該流動氣體混合物之一流動速率，以使該雷射光束之一輸出功率穩定。在一些實施例中，該處理器經組態以即時地調整該流動氣體混合物至該催化劑腔室中的該催化劑之曝露。在一些實施例中，該處理器經組態以即時地調整該催化劑腔室中之一流動及/或該催化劑腔室中的該催化劑之該溫度。
在一些實施例中，該流動氣體混合物包括一或多種組分。在一些實施例中，該流動氣體混合物包括CO2 、He及N2 。
在一些實施例中，該功率放大器進一步包括一吹風機，其耦接至該氣體雷射腔室且經組態以推進該流動氣體混合物穿過該氣體雷射腔室。在一些實施例中，該功率放大器進一步包括一質量流量控制器，其耦接至該氣體雷射腔室且經組態以調整該流動氣體混合物之一流動速率。在一些實施例中，該質量流量控制器經組態以調整該流動氣體混合物之該一或多種組分中之每一者的一流動速率。在一些實施例中，該功率放大器進一步包括一熱交換器，其耦接至該氣體雷射腔室且經組態以減小該流動氣體混合物之一溫度。
在一些實施例中，一種最佳化及/或計算用於一雷射的一功率放大器中之一流動氣體混合物以輸出一雷射光束之方法包括利用耦接至該流動氣體混合物及/或該雷射光束之一回饋設備量測該功率放大器之一特性。在一些實施例中，該方法進一步包括基於該經量測特性來調整該流動氣體混合物至耦接至該流動氣體混合物之一催化劑腔室中的一催化劑之曝露及/或基於該經量測特性來調整該流動氣體混合物之一或多種組分的一流動及/或基於該經量測特性來調整該催化劑腔室中的該催化劑之一溫度。在一些實施例中，該方法進一步包括在達到該特性之一臨限值時繞過該催化劑腔室。
在一些實施例中，該方法包括基於該經量測特性來調整該流動氣體混合物至該催化劑腔室中的該催化劑之曝露。在一些實施例中，該方法包括基於該經量測特性來調整該流動氣體混合物之一或多種組分的一流動。在一些實施例中，該方法包括基於該經量測特性來調整該催化劑腔室中的該催化劑之一溫度。
在一些實施例中，該調整曝露包括調整耦接至該催化劑腔室之一或多個節流閥。在一些實施例中，調整一或多個節流閥包括調整一氣動致動器。在一些實施例中，該調整該流動包括調整耦接至該流動氣體混合物之一質量流量控制器及一吹風機。
在一些實施例中，該量測包括利用一光學偵測器量測該雷射光束之一輸出功率及/或一增益。在一些實施例中，該量測包括利用一氣體感測器量測一氣體雷射腔室及/或該催化劑腔室中的該流動氣體混合物的一或多種組分之一濃度。在一些實施例中，該量測包括利用一光譜計量測該流動氣體混合物之一光譜圖徵。在一些實施例中，該量測包括利用一殘餘氣體分析器(RGA)、一氣相色譜儀及/或一質譜儀量測一色譜圖徵及/或一質譜圖徵。
下文參考隨附圖式詳細地描述實施例之另外特徵及例示性態樣以及各種實施例之結構及操作。應注意，實施例不限於本文所描述之特定實施例。本文中僅出於說明性目的呈現此類實施例。基於本文中所含之教示，額外實施例對於熟習相關技術者將為顯而易見的。
本說明書揭示併有本發明之特徵之一或多個實施例。所揭示實施例僅例示本發明。本發明之範疇並不限於所揭示之實施例。本發明由在此隨附之申請專利範圍界定。
所描述之實施例及本說明書中對「一個實施例」、「一實施例」、「一實例實施例」、「例示性實施例」等之參考指示所描述之實施例可包括一特定特徵、結構或特性，但每一實施例可未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，此類短語未必係指相同實施例。另外，當結合一實施例描述一特定特徵、結構或特性時，應瞭解，無論是否作明確描述，結合一或多個其他實施例實現該特徵、結構或特性為熟習此項技術者所瞭解。
諸如「在...下方」、「下方」、「下部」、「上方」、「上」、「上部」及類似者之空間相對術語可在本文中為易於描述而用以描述如圖式中所說明的一個元件或特徵與另一(些)元件或特徵的關係。除圖式中所描繪之定向以外，該空間相對術語意欲涵蓋裝置在使用或操作中之不同定向。設備可以其他方式定向(旋轉90度或處於其他定向)，且本文中所使用的空間相對描述詞可同樣相應地進行解釋。
如本文中所使用之術語「約」或「實質上」或「大致」指示可基於特定技術變化之給定量之值。基於特定技術，術語「約」或「實質上」或「大致」可指示給定量之值在該值之例如1-15% (例如，該值之±1%、±2%、±5%、±10%、或±15%)內改變，但應理解，此等僅為實例。
本發明之實施例可以硬體、韌體、軟體或其任何組合予以實施。本發明之實施例亦可被實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸以可由機器(例如計算裝置)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括：唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁碟儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體裝置；電氣、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外線信號、數位信號，等)，及其他。另外，韌體、軟體、常式及/或指令可在本文中被描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此類描述僅僅出於方便起見，且此類動作事實上係由計算裝置、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等之其他裝置引起。
然而，在更詳細地描述此等實施例之前，有指導性的為呈現可供實施本發明之實施例的實例環境。例示性微影系統
圖1展示包含輻射源SO及微影設備LA之微影系統。輻射源SO經組態以產生EUV輻射光束B，且將EUV輻射光束B供應至微影設備LA。微影設備LA包含照明系統IL、經組態以支撐圖案化裝置MA (例如，遮罩)之支撐結構MT、投影系統PS及經組態以支撐基板W之基板台WT。
照明系統IL經組態以在EUV輻射光束B入射於該圖案化裝置MA上之前調節EUV輻射光束B。另外，照明系統IL可包括琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11。琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11一起向EUV輻射光束B提供所要橫截面形狀及所要強度分佈。作為琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11之補充或替代，照明系統IL亦可包括其他鏡面或裝置。
在由此調節之後，EUV輻射光束B與圖案化裝置MA相互作用。由於此相互作用，產生經圖案化EUV輻射光束B'。投影系統PS經組態以將經圖案化EUV輻射光束B'投影至基板W上。出於彼目的，投影系統PS可包含經組態以將經圖案化EUV輻射光束B'投影至由基板台WT固持之基板W上的複數個鏡面13、14。投影系統PS可將縮減因數應用於經圖案化EUV輻射光束B'，因此形成具有小於圖案化裝置MA上之對應特徵之特徵的影像。舉例而言，可應用縮減因數4或8。儘管在圖1中將投影系統PS說明為僅具有兩個鏡面13、14，但該投影系統PS可包括不同數目之鏡面(例如，六個或八個鏡面)。
基板W可包括先前形成之圖案。在此情況下，微影設備LA使由經圖案化EUV輻射光束B'形成之影像與先前形成於基板W上之圖案對準。
可在輻射源SO中、在照明系統IL中及/或在投影系統PS中提供相對真空，亦即，處於充分地低於大氣壓力之壓力下之少量氣體(例如氫氣)。 輻射源SO可係雷射產生電漿(laser produced plasma，LPP)源、放電產生電漿(discharge produced plasma，DPP)源、自由電子雷射(free electron laser，FEL)或能夠產生EUV輻射之任何其他輻射源。例示性輻射系統
如上文所論述，EUV輻射可藉由將材料(例如，氙、鋰、錫等)轉換為發射EUV輻射的電漿狀態而產生。EUV電漿源可例如藉由雷射輻照(例如，雷射產生電漿(LLP))例如液滴、流及/或叢集之目標材料而產生。經放大光束(例如，驅動雷射)可用來例如藉由LLP產生EUV電漿源。
圖2說明根據各種例示性實施例之輻射系統200。輻射系統200可組態為EUV輻射之照明源。儘管輻射系統200在圖2中展示為獨立設備及/或系統，但本發明之實施例可配合其他光學系統使用，諸如但不限於微影設備LA及/或其他光學系統。在一些實施例中，輻射系統200可為微影設備LA中之輻射源SO。在一些實施例中，輻射系統200可藉由LLP產生EUV光束。
如圖2中所示，輻射系統200可包括功率放大器300、雷射光束210、目標材料遞送系統215、雷射遞送系統225、收集器255及EUV光束260。在一些實施例中，如圖2中所示，EUV 光束260可自由LLP產生的所發射輻射250形成。在一些實施例中，EUV 光束260可為EUV輻射光束B。在一些實施例中，如圖2中所示，收集器255可經組態以收集所發射輻射250，且將EUV 光束260經由中間焦點261朝向光學設備265聚焦。
功率放大器300可經組態以產生雷射光束210，例如經放大紅外雷射光束。功率放大器300可光學耦接至雷射遞送系統225。雷射遞送系統225可經組態以自功率放大器300接收雷射光束210，且將雷射光束210沿著雷射路徑212朝向例如用於LLP的目標位置230引導。雷射遞送系統225可包括聚焦總成(未展示)，其將雷射光束210聚焦在目標位置230處的雷射焦點245處。目標位置230可為鄰近目標材料遞送系統215，且可接收例如用於LLP的經聚焦雷射光束245。
目標材料遞送系統215可經組態以產生目標材料220，例如液滴。舉例而言，目標材料220可包括氙、鋰、錫，及/或能夠具有發射EUV輻射的電漿狀態之任何其他材料。如圖2中所示，目標位置230處的雷射光束210及目標材料220與雷射焦點245之間的相互作用可產生所發射輻射250的目標電漿221。收集器255可經組態以收集所發射輻射250，且使EUV 光束260朝向光學設備265聚焦。在一些實施例中，光學設備265可為微影設備LA中之照明系統IL。 例示性功率放大器
如上文所論述，經放大光束(例如，驅動雷射)可用來例如藉由LLP產生EUV電漿源。紅外雷射(例如，CO2 )可產生驅動雷射輸入功率與輸出EUV功率之間的高轉換效率。另外，紅外雷射(例如，CO2 )具有長波長(例如，10.6 μm)，其可自靠近所產生電漿之粗糙表面(例如，反射性鏡面)反射。
然而，在氣體雷射(例如，流通氣體雷射)之高功率放電期間，流動雷射氣體混合物之分子可解離(例如，CO2 →CO及O2 )，且染污功率放大器，例如功率放大器300 (或圖4中所示的300')。另外，流動雷射氣體混合物的此解離及污染(例如，雜質)可不利地影響雷射效能，且使功率放大器隨時間推移而劣化。在功率放大器(例如，功率放大器300、300')被電激升(例如，使用氣體放電)時，能量轉移至流動雷射氣體混合物(例如，CO2 )，且隨著功率放大器之作用時間循環增大及/或射頻(RF)激升功率增大，更多分子解離。除非解離分子可轉換回為流動雷射氣體混合物之原始分子，否則功率放大器之輸出功率將減小至不可接受的低位準，尤其是在作用時間循環增大時。
解離可導致流動雷射氣體混合物中的較多分子不參與光放大(例如，光激升)，且因此，可導致輸出功率較低的雷射光束(例如，雷射光束210)。舉例而言，解離可歸因於目標材料(例如，目標材料220)與低功率雷射光束之間的弱相互作用而產生較不熱(例如，低溫)的電漿(例如，目標電漿221)，該低功率雷射光束減少所發射輻射(例如，所發射輻射250)及所收集EUV輻射(例如，EUV 光束260)。
催化劑(例如，催化劑腔室)可用來重新解離(例如，重新氧化)功率放大器之氣體混合物中的解離分子。另外，回饋設備(例如，光譜儀、氣體分析器、功率偵測器、氣體感測器，等)可監測功率放大器之一特性，且基於經量測特性(例如，回饋迴路)動態地調整氣體混合物之濃度。如下文所論述的功率放大器設備及系統可緩解由雷射(例如，流通雷射)中的氣體混合物中的分子之解離造成的問題，減少功率放大器隨時間推移之劣化，並監測且動態地控制功率放大器中的氣體混合物之品質(例如，在微影設備中)。
圖3及圖4說明根據各種例示性實施例之功率放大器300及300'。圖5說明根據各種例示性實施例之功率放大器系統500。
圖3說明根據各種例示性實施例之功率放大器300。功率放大器300可經組態以控制雷射氣體混合物之品質，且減少雷射功率隨時間推移之劣化(例如，在輻射系統200中)。儘管功率放大器300在圖3中展示為獨立設備及/或系統，但本發明之實施例可配合其他光學系統使用，諸如但不限於輻射系統200、功率放大器系統500、輻射源SO、微影設備LA及/或其他光學系統。
功率放大器300可包括氣體雷射腔室310、流動氣體混合物312、雷射光束316、泵320、催化劑腔室330、熱交換器340、吹風機350、氣體混合腔室360及氣體雷射電源370。在一些實施例中，如圖3中所示，功率放大器300可用於流通雷射。在一些實施例中，如圖3中所示，功率放大器300中的流動氣體混合物312可恆定地曝露於催化劑腔室330中的催化劑331，以便減少氣體雷射腔室310中的流動氣體混合物312之解離。舉例而言，催化劑331可促進流動氣體混合物312中的解離分子(例如，CO2 →CO及O2 )之再氧化(例如，CO→CO2 ，O2 →CO2 )。
氣體雷射腔室310可經組態以收容流動氣體混合物312且輸出雷射光束316。氣體雷射腔室310可耦接至泵320、催化劑腔室330、熱交換器340、吹風機350、氣體混合腔室360，及氣體雷射電源370。在一些實施例中，氣體雷射腔室310可為管及/或能夠利用氣體雷射電源370激發流動氣體混合物312之任何其他合適容器。在一些實施例中，氣體雷射腔室310可為例如陶瓷或玻璃(例如，石英)。
流動氣體混合物312可經組態以產生雷射光束316。流動氣體混合物312 (例如，CO2 、He，及N2 )可經激升(例如，電激升)以產生特定波長(例如，10.6 μm)之受激發射。電激升可將CO2 分子自較低能量位準升高至較高能量位準，以達成在介質中之居量反轉(例如，比去激發狀態激發度高之狀態)。能量(例如，射頻(RF))可由介質吸收，且產生激發狀態。在居量反轉期間，可能發生受激發射，且介質(例如，流動氣體混合物312)可充當雷射(例如，CO2 紅外雷射)及/或光學放大器(例如，功率放大器300或300')。如圖3中所示，流動氣體混合物312可沿著功率放大器300中的氣流314流動。在一些實施例中，流動氣體混合物312可包括一或多種組分及/或氣體介質。舉例而言，流動氣體混合物312可包括CO2 、He及N2 。在一些實施例中，雷射光束316可為例如波長約10.6 μm之經放大CO2 紅外雷射光束。
氣體雷射電源370可經組態以將能量供應至流動氣體混合物312，以便輸出雷射光束316。如圖3中所示，氣體雷射電源370可包括第一電極372及第二電極374，其耦接至及/或靠近氣體雷射腔室310之外表面且經組態以將脈衝式或連續能量(例如，RF)供應至流動氣體混合物312且產生流動氣體混合物312之激升(例如，電激升)。在一些實施例中，氣體雷射電源370可將約100 W至約15 kW之RF功率提供至氣體雷射腔室310中之流動氣體混合物312。
泵320可經組態以維持流動氣體混合物312在整個功率放大器300中的穩定壓力及流動。在一些實施例中，如圖3中所示，泵320可安置於氣體雷射腔室310之出口埠與催化劑腔室330之間。在一些實施例中，泵320可包括乾式泵、滾動泵、隔膜泵、活塞泵、機械泵、渦輪泵、渦輪-分子泵、真空泵、吸附泵等。在一些實施例中，泵320可為功率放大器300中之流動氣體混合物312提供約0巴至約1巴之壓力。舉例而言，泵320可提供約100毫巴之壓力。
熱交換器340可經組態以減小流動氣體混合物312之溫度。在一些實施例中，如圖3中所示，熱交換器340可安置於催化劑腔室330與吹風機350之間。在一些實施例中，熱交換器340可包括雙管熱交換器、殼管式熱交換器、板式熱交換器、板殼式熱交換器、絕熱熱交換器、微通道熱交換器、帕爾貼冷卻器(Peltier cooler)、熱電冷卻器，等。在一些實施例中，熱交換器340可為整個功率放大器300中之流動氣體混合物312提供約5℃至約40℃之溫度。舉例而言，熱交換器340可提供約15℃之溫度。
吹風機350可經組態以推進流動氣體混合物312穿過氣體雷射腔室310。在一些實施例中，吹風機350可包括機械吹風機、渦輪、交叉流風扇、軸流式風扇、切向吹風機，等。在一些實施例中，吹風機350可為整個功率放大器300中的流動氣體混合物312提供約1 sccm至約100,000 sccm之流動速率。舉例而言，吹風機350可提供約40,000 sccm之流動速率。舉例而言，吹風機350可提供約20,000 sccm之流動速率。
氣體混合腔室360可經組態以使一或多種組分(未展示)流動以形成流動氣體混合物312。舉例而言，氣體混合腔室360可使CO2 、He及N2 流動。在一些實施例中，如圖3中所示，氣體混合腔室360可安置於吹風機350與氣體雷射腔室310之入口埠之間。在一些實施例中，氣體混合腔室360可包括質量流量控制器，其經組態以調整流動氣體混合物312 (例如，一或多種組分)之流動速率。舉例而言，如圖4中所示，質量流量控制器368可調整流動氣體混合物312之一或多種組分(例如，包括CO2 、He及N2 )中之每一者的流動速率。
催化劑腔室330可包括經組態以重新氧化流動氣體混合物312中的解離分子之催化劑331。在一些實施例中，催化劑331可包括霍佳劑、Co3 O4 、鈀、鉑、銥、銅、金，及/或其一組合或子組合。舉例而言，催化劑331可為霍佳劑(例如，MnO、MnO2 、CuO、Co2 O3 、Ag2 O、(MnO2 )3 Cux O及/或Cu與Mn氧化物之某一混合物)，其再次氧化(例如，CO+O2 →CO2 )流動氣體混合物312中的解離分子(例如，CO2 →CO及O2 )。在一些實施例中，催化劑331可沿著催化劑腔室330之內表面安置。舉例而言，催化劑331可為內表面上之塗層。在一些實施例中，催化劑腔室330可包括經組態以調整催化劑腔室330中的流動之吹風機及經組態以調整催化劑331之溫度(例如，以調整重締合之速率)的溫度控制模組。舉例而言，如圖4中所示，催化劑腔室330'可包括催化劑吹風機352及溫度控制模組342。在一些實施例中，催化劑腔室330可將流動氣體混合物312曝露於催化劑331，且即時地減少流動氣體混合物312之解離。在一些實施例中，催化劑腔室330可減少流動氣體混合物312之解離及功率放大器300隨時間推移之劣化。舉例而言，流動氣體混合物312可恆定地曝露於催化劑腔室330中之催化劑331。
圖4說明根據一例示性實施例之功率放大器300'。圖3中所示的功率放大器300之實施例與圖4中所示的功率放大器300'之實施例可為類似的。類似參考標號用來指示圖3中所示的功率放大器300之實施例之類似特徵及圖4中所示的功率放大器300'之實施例之類似特徵。圖3中所示的功率放大器300之實施例與圖4中所示的功率放大器300'之實施例之間的主要差異為功率放大器300'包括：回饋設備380，其耦接至流動氣體混合物312及/或雷射光束316以量測功率放大器300'之特性(例如，雷射光束316之輸出功率、雷射光束316之增益、氣體雷射腔室310中的流動氣體混合物312之組分之濃度、流動氣體混合物312之圖徵，等)；處理器390，其耦接至回饋設備380以基於經量測特性調整功率放大器300'；及催化劑腔室330'及吹風機350'，而非圖3中所示的催化劑腔室330、吹風機350及氣體混合腔室360。
儘管功率放大器300'在圖4中展示為獨立設備及/或系統，但本發明之實施例可配合其他光學系統使用，諸如但不限於輻射系統200、功率放大器系統500、輻射源SO、微影設備LA及/或其他光學系統。
如圖4中所示，功率放大器300'之例示性態樣為耦接至流動氣體混合物312及/或雷射光束316以量測功率放大器300'之一特性的回饋設備380。在一些實施例中，回饋設備380可經組態以量測功率放大器300'之一特性，例如雷射光束316之輸出功率、雷射光束316之增益、氣體雷射腔室310中的流動氣體混合物312之組分之濃度，及/或流動氣體混合物312之圖徵(例如，光學光譜圖徵、色譜圖徵、質譜，等)。
回饋設備380可包括光譜儀382、殘餘氣體分析器(RGA) 384、氣體感測器386，及/或光學偵測器388。在一些實施例中，如圖4中所示，回饋設備380可包括具有氣動致動器之節流閥(例如，第四節流閥338)以在量測期間將回饋設備380曝露於流動氣體混合物312。在一些實施例中，回饋設備380可耦接(例如，實體耦接及/或電耦接及/或光學耦接)至處理器390、氣體雷射腔室310、流動氣體混合物312及/或雷射光束316。在一些實施例中，RGA 384可包括氣相色譜儀及/或質譜儀。在一些實施例中，RGA 384可包括差分激升系統(未展示)，其經組態以將取樣氣壓減小至適合於正常RGA操作之範圍。在一些實施例中，RGA 384可包括經組態以冷卻來自流動氣體混合物312之一部分的熱樣本(例如，由於激升)之冷卻裝置(未展示)。
在一些實施例中，回饋設備380可經組態以量測雷射光束316之輸出功率。舉例而言，光學偵測器388可包括功率偵測器(例如，光-電-磁(PEM)感測器、光電二極體、熱電堆感測器、光導碲化鎘汞(MCT)偵測器、熱電相機、光偵測器、CCD等)。在一些實施例中，回饋設備380可經組態以量測雷射光束316之增益。舉例而言，光學偵測器388可包括一對偵測器(例如，一個偵測器量測輸出功率，且另一偵測器量測輸入功率，增益為輸出功率除以輸入功率)。在一些實施例中，回饋設備380可經組態以量測氣體雷射腔室310中的流動氣體混合物312之組分之濃度。舉例而言，RGA 384可量測組分之濃度(例如，8% CO2 、76% He及16%N2 ，或5% CO2 、80% He及15%N2 )。
在一些實施例中，回饋設備380可經組態以量測功率放大器300'之光譜圖徵。舉例而言，光譜儀382可量測光譜圖徵，例如光學光譜圖徵(例如，拉曼(Raman)、傅立葉變換紅外(Fourier transform infrared，FTIR)、康普頓(Compton)、螢光、時間解析、分光光度，等)。在一些實施例中，回饋設備380可經組態以量測流動氣體混合物312之色譜圖徵及/或質譜圖徵。舉例而言，RGA 384可例如利用氣相色譜儀-質譜儀組合偵測來量測色譜及/或質譜圖徵。在一些實施例中，回饋設備380可經組態以量測催化劑腔室330'及/或氣體雷射腔室310中的流動氣體混合物312之一或多種組分之濃度。舉例而言，氣體感測器386 (例如，催化探針、表面電化學探針、表面官能化石英晶體微天平(QCM)，等)可量測流動氣體混合物312之組分之濃度，例如CO之濃度(例如，0.1%)。
如圖4中所示，功率放大器300'之例示性態樣為處理器390，其耦接至回饋設備380以基於回饋設備380之經量測特性調整功率放大器300'。在一些實施例中，處理器390可經組態以基於回饋設備380之經量測特性來調整流動氣體混合物312至催化劑腔室330'中的催化劑331之曝露。在一些實施例中，處理器390可經組態以基於回饋設備380之經量測特性來調整流動氣體混合物312之一或多種組分(例如，CO2 、He及N2 )經由氣體雷射腔室310之流動。在一些實施例中，處理器390可經組態以基於回饋設備380之經量測特性調整催化劑腔室330'中的催化劑331之溫度。在一些實施例中，處理器390可經組態以基於經量測特性來調整流動氣體混合物312至催化劑腔室330'中的催化劑331之曝露，及/或基於經量測特性來調整流動氣體混合物312之一或多種組分(例如，CO2 、He及N2 )經由氣體雷射腔室310之流動，及/或基於經量測特性來調整催化劑腔室330'中的催化劑331之溫度。
處理器390可耦接至催化劑腔室330'、第一節流閥332、第二節流閥334、第三節流閥336、第四節流閥338、吹風機350'、氣體雷射電源370，及/或回饋設備380。在一些實施例中，如圖4中所示，處理器390可耦接至第一節流閥332、第二節流閥334及第三節流閥336以控制流動氣體混合物312在催化劑腔室330'中及/或經由該催化劑腔室之流動(例如，曝露)。在一些實施例中，如圖4中所示，處理器390可耦接至第一氣體供應362、第二氣體供應364、第三氣體供應366及/或質量流量控制器368，以控制流動氣體混合物312之組分的流動速率及/或濃度。在一些實施例中，吹風機350'可包括第一氣體供應362、第二氣體供應364、第三氣體供應366，及/或質量流量控制器368。在一些實施例中，如圖4中所示，處理器390可耦接至催化劑腔室330'中之溫度控制模組342以控制催化劑331之溫度。在一些實施例中，如圖4中所示，處理器390可耦接至催化劑腔室330'中之催化劑吹風機352以控制流動氣體混合物312經由催化劑腔室330'之流動速率。在一些實施例中，如圖4中所示，處理器390可耦接至回饋設備380以接收經量測特性(例如，雷射光束316之輸出功率、雷射光束316之增益、氣體雷射腔室310中的流動氣體混合物312之組分之濃度，及/或流動氣體混合物312之圖徵)。
在一些實施例中，處理器390可經組態以調變流動氣體混合物312之流動速率，以使雷射光束316之輸出功率穩定。舉例而言，處理器390可控制吹風機350'、第一氣體供應362、第二氣體供應364、第三氣體供應366及/或質量流量控制器368以基於例如來自光學偵測器388的雷射光束316之經量測輸出功率來增大及/或減小流動速率。在一些實施例中，處理器390可經組態以例如即時地調整流動氣體混合物312至催化劑腔室330'中的催化劑331之曝露。舉例而言，處理器390可控制第一節流閥332、第二節流閥334、第三節流閥336、催化劑吹風機352及/或質量流量控制器368以增大及/或減小至催化劑331之曝露(例如，在小於0.2秒內)。在一些實施例中，處理器390可經組態以調整催化劑腔室330'中的催化劑331之溫度。舉例而言，處理器390可控制溫度控制模組342以增大及/或減小催化劑331之溫度(例如，在小於30秒內)。
如圖4中所示，功率放大器300'之例示性態樣為催化劑腔室330'，其耦接至流動氣體混合物312以重新氧化流動氣體混合物312中的解離分子且控制催化劑331之溫度。在一些實施例中，催化劑腔室330'可流體耦接至流動氣體混合物312。在一些實施例中，催化劑腔室330'可經組態以藉由耦接至催化劑331之溫度控制模組342來控制催化劑331之溫度。舉例而言，溫度控制模組342可包括溫度感測器(例如，熱電偶、熱敏電阻器、電阻測溫計，等)(未展示)及加熱及/或冷卻裝置(例如，電阻、帕爾貼冷卻器，等)(未展示)。
在一些實施例中，如圖4中所示，催化劑腔室330'可安置於泵320與熱交換器340之間。在一些實施例中，如圖4中所示，催化劑腔室330'可包括用於節流的具有氣動致動器的一或多個節流閥，其經組態以將流動氣體混合物312曝露於催化劑331。舉例而言，可打開及/或關閉第一節流閥332、第二節流閥334及/或第三節流閥336以允許及/或防止在催化劑腔室330'中流動及/或流過該催化劑腔室。在一些實施例中，如圖4中所示，催化劑腔室330'可經組態以增大及/或減小流動氣體混合物312在催化劑腔室330'中及/或經由該催化劑腔室之流動速率。舉例而言，催化劑吹風機352 (例如，機械吹風機、渦輪、交叉流風扇、軸流式風扇、切向吹風機，等)可推進流動氣體混合物312進入及/或經過催化劑腔室330'，且增大及/或減小流動氣體混合物312至催化劑331之曝露。
如圖4中所示，功率放大器300'之例示性態樣為吹風機350'，其耦接至流動氣體混合物312及質量流量控制器368以控制流動氣體混合物312中的一或多種組分(例如，CO2 、He及N2 )之流動。在一些實施例中，吹風機350'可經組態以補償由催化劑腔室330' (例如，節流流動氣體混合物312(例如，關閉第二節流值334及第三節流值336)及/或流動氣體混合物312至催化劑331之曝露)造成的流動氣體混合物312的壓力改變。在一些實施例中，如圖4中所示，吹風機350'可安置於氣體雷射腔室310、質量流量控制器368與熱交換器340之間。在一些實施例中，吹風機350'可包括第一氣體供應362、第二氣體供應364、第三氣體供應366及/或質量流量控制器368。
在一些實施例中，如圖4中所示，吹風機350'可經組態以推進流動氣體混合物312穿過氣體雷射腔室310。舉例而言，吹風機350'可包括質量流量控制器368以調整流動氣體混合物312之流動速率及/或包括一或多個方向性吹風機(未展示)以引導流動氣體混合物312。在一些實施例中，功率放大器300'可包括質量流量控制器368，其耦接至氣體雷射腔室310且經組態以調整流動氣體混合物312之流動速率。舉例而言，質量流量控制器368 (例如，類比、數位，等)可經組態以調整流動氣體混合物312之一或多種組分(例如，CO2 、He及N2 )中之每一者的流動速率。
如圖5中所示，功率放大器系統500可包括複數個功率放大器(例如，功率放大器300、300')。在一些實施例中，功率放大器系統500可經組態以形成高功率放大鏈(HPAC)。舉例而言，複數個功率放大器300、300'可串聯(例如，依序)配置以放大輸出光束(例如，雷射光束316)。儘管功率放大器系統500在圖5中展示為獨立設備及/或系統，但本發明之實施例可配合其他光學系統使用，諸如但不限於輻射系統200、輻射源SO、微影設備LA及/或其他光學系統。
在一些實施例中，功率放大器系統500可包括複數個功率放大器300。舉例而言，複數個功率放大器300可各自經組態以恆定地將流動氣體混合物312曝露於催化劑331。在一些實施例中，功率放大器系統500可包括複數個功率放大器300'。舉例而言，複數個功率放大器300'可各自經組態以量測各別功率放大器300'之一特性，且基於經量測特性來調整各別功率放大器300'，例如調整流動氣體混合物312至催化劑331之曝露及/或調整一或多種組分(例如，CO2 、He及N2 )之流動及/或調整催化劑331之溫度。例示性流程圖
圖6說明根據一實施例之用於最佳化及/或計算用於流通雷射(例如，氣體雷射腔室310)的功率放大器300'中的流動氣體混合物312以輸出雷射光束316之流程圖600。應瞭解，未必需要圖6中之所有步驟來執行本文所提供之揭示內容。另外，可同時、依次及/或以與圖6中所示不同的次序執行該等步驟中之一些。應參考圖4描述流程圖600。然而，流程圖600不限於彼等實例實施例。
在步驟602中，如圖4的實例中所示，可量測功率放大器300'之一特性。舉例而言，回饋設備380可耦接至流動氣體混合物312及/或雷射光束316以便量測一特性，例如雷射光束316之輸出功率、雷射光束316之增益、氣體雷射腔室310中的流動氣體混合物312之組分之濃度，及/或流動氣體混合物312之圖徵(例如，光學光譜圖徵、色譜圖徵、質譜，等)。在一些實施例中，可藉由處理器390自回饋設備380接收經量測特性。
在步驟604中，如圖4的實例中所示，可基於經量測特性來調整功率放大器300'，該經量測特性例如雷射光束316之輸出功率、雷射光束316之增益、氣體雷射腔室310中的流動氣體混合物312之組分之濃度，及/或流動氣體混合物312之圖徵(例如，光學光譜圖徵、色譜圖徵、質譜，等)。
在一些實施例中，如步驟604a中所示，可基於經量測特性來調整流動氣體混合物312至催化劑腔室330'中的催化劑331之曝露。舉例而言，如圖4中所示，處理器390可基於經量測特性而打開或節流第二節流閥334及第三節流閥336。在一些實施例中，如步驟604b中所示，可基於經量測特性來調整流動氣體混合物312之一或多種組分(例如，CO2 、He及N2 )之流動。舉例而言，如圖4中所示，處理器390可基於經量測特性而增大及/或減小第一氣體供應362 (例如，CO2 )、第二氣體供應364 (例如，He)、第三氣體供應366 (例如，N2 )、質量流量控制器368及/或吹風機350'之流動速率。在一些實施例中，如步驟604c中所示，可基於經量測特性來調整催化劑腔室330'中的催化劑331之溫度。舉例而言，如圖4中所示，處理器390可控制溫度控制模組342 (例如，溫度感測器及加熱及/或冷卻裝置)，且基於經量測特性而增大及/或減小催化劑331之溫度。
在步驟606中，如圖4的實例中所示，可量測(例如，在後續時間量測)功率放大器300'之特性。舉例而言，回饋設備380可耦接至流動氣體混合物312及/或雷射光束316以便再次量測該特性，例如雷射光束316之輸出功率、雷射光束316之增益、氣體雷射腔室310中的流動氣體混合物312之組分之濃度，及/或流動氣體混合物312之圖徵(例如，光學光譜圖徵、色譜圖徵、質譜，等)。在一些實施例中，可藉由處理器390自回饋設備380接收經量測特性。
在步驟608中，如圖4的實例中所示，在達到特性之臨限值時，流動氣體混合物312可繞過催化劑331 (例如，避免曝露)。舉例而言，如圖4中所示，處理器390可基於臨限值關閉第二節流閥334及第三節流閥336，該臨限值例如雷射光束316之臨限輸出功率(例如，偏差小於1 mW)、雷射光束316之增益(例如，為5之增益)、氣體雷射腔室310中的流動氣體混合物312之組分之濃度(例如，0.1%之CO)，及/或流動氣體混合物312之圖徵，例如光學光譜圖徵(例如，拉曼光譜、FTIR譜、分光光度譜，等)、色譜圖徵(例如，CO2 )、質譜圖徵(例如，CO2 )等。
在一些實施例中，如步驟604中所示，處理器390可經組態以基於來自回饋設備380之一或多個經量測特性來調整功率放大器300'之一或多個態樣。舉例而言，處理器390可基於經量測特性來調整流動氣體混合物312至催化劑腔室330'中的催化劑331之曝露，及/或基於經量測特性來調整流動氣體混合物312之一或多種組分(例如，CO2 、He及N2 )之流動，及/或基於經量測特性來調整催化劑腔室330'中的催化劑331之溫度。
在一些實施例中，如步驟604a中所示，調整曝露可包括調整耦接至催化劑腔室330'之一或多個節流閥(例如，第一節流閥332、第二節流閥334、第三節流閥336)。在一些實施例中，如步驟604b中所示，調整該流動可包括調整耦接至流動氣體混合物312之質量流量控制器368及/或吹風機350'。在一些實施例中，如步驟602及606中所示，量測可包括利用光學偵測器388量測雷射光束316之輸出功率及/或增益。在一些實施例中，如步驟602及606中所示，量測可包括利用光譜儀382 (例如，光譜計)量測流動氣體混合物312之光譜圖徵。在一些實施例中，如步驟602及606中所示，量測可包括利用RGA 384 (例如，氣相色譜儀及/或質譜儀)量測流動氣體混合物312之色譜圖徵及/或質譜圖徵。
儘管在本文中可特定地參考微影設備在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影設備可具有其他應用，諸如製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、LCD、薄膜磁頭等。熟習此項技術者應瞭解，在此類替代性應用之上下文中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在例如顯影系統單元(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光之抗蝕劑之工具)、度量衡單元及/或檢測單元中處理本文中所提及之基板。在適用情況下，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。此外，可將基板處理多於一次，(例如)以便產生多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指已經含有多個經處理層之基板。
儘管上文可特定地參看在光學微影之內容背景中對實施例之使用，但應瞭解，實施例可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化裝置中之構形(topography)界定產生於基板上之圖案。可將圖案化裝置之構形壓入至經供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後將圖案化裝置移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
應理解，本文中之措詞或術語係出於描述而非限制之目的，以使得本說明書之術語或措詞應由在所屬領域具通常知識者鑒於本文中之教示予以解譯。
如本文中所使用之術語「基板」描述材料層經添加至之材料。在一些實施例中，基板自身可經圖案化，且添加於基板之頂部上之材料亦可經圖案化，或可保持不圖案化。
可以硬體、韌體、軟體或其任何組合來實施實施例。實施例亦可被實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸以可由機器(例如計算裝置)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁碟儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體裝置；電、光學、聲學或其他形式之傳播信號，及其他者。另外，韌體、軟體、常式及/或指令可在本文中被描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此類描述僅出於方便起見，且此類動作事實上係由計算裝置、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式及/或指令之其他裝置引起。
以下實例說明而非限制本發明之實施例。對熟習相關技術者將顯而易見的通常在該領域中遇到之多種條件及參數的其他合適修改及改編在本發明之精神及範疇內。
儘管可在本文中特定地參考設備及/或系統在IC製造中的使用，但應明確理解，此類設備及/或系統具有許多其他可能的應用。舉例而言，其可用於製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及檢測圖案、LCD面板、薄膜磁頭等中。熟習此項技術者將瞭解，在此類替代應用之內容背景中，本文中之術語「倍縮光罩」、「晶圓」或「晶粒」之任何使用應被認為分別由更一般術語「遮罩」、「基板」及「目標部分」替代。
儘管上文已描述特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐實施例。該描述不意欲限制申請專利範圍之範疇。
應瞭解，[實施方式]章節而非[發明內容]及[中文發明摘要]章節意欲用以解釋申請專利範圍。[發明內容]及[中文發明摘要]章節可闡述如由本發明者所設想之一或多個但並非所有例示性實施例，且因此並不意欲以任何方式限制實施例及所附申請專利範圍。
上文已藉助於功能建置區塊描述實施例，該等功能建置區塊說明指定功能及其關係之實施。為便於描述，本文中已任意地限定此等功能建置區塊的邊界。只要適當地執行指定功能及該等功能之關係，便可限定替代邊界。
對特定實施例之前述描述將因此完全地揭露實施例之一般性質：在不脫離實施例之一般概念的情況下，其他人可藉由應用熟習此項技術者所瞭解之知識針對各種應用而容易地修改及/或調適此等特定實施例，而無需進行過度實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及導引，此等調適及修改意欲在所揭示之實施例之等效者的涵義及範圍內。
可使用以下條項進一步描述本發明之實施： 1.     一種用於一雷射之功率放大器，該功率放大器包含： 一氣體雷射腔室，其經組態以收容一流動氣體混合物； 一氣體雷射電源，其耦接至該氣體雷射腔室，且經組態以將能量供應至該流動氣體混合物以輸出一雷射光束； 一催化劑腔室，其耦接至該氣體雷射腔室，且包含經組態以重新氧化該流動氣體混合物中的解離分子之一催化劑； 一回饋設備，其耦接至該氣體雷射腔室及/或該雷射光束，且經組態以量測該功率放大器之一特性；以及 一處理器，其耦接至該催化劑腔室及該回饋設備， 其中該處理器經組態以： (a)基於該經量測特性來調整該流動氣體混合物至該催化劑腔室中的該催化劑之曝露；及/或 (b)基於該經量測特性來調整該流動氣體混合物之一或多種組分經由該氣體雷射腔室之一流動；及/或 (c)基於該經量測特性來調整該催化劑腔室中的該催化劑之一溫度。 2.     如條項1之功率放大器，其中該特性包含該雷射光束之一輸出功率。 3.     如條項1之功率放大器，其中該特性包含該雷射光束之一增益。 4.     如條項1之功率放大器，其中該特性包含該氣體雷射腔室中的該流動氣體混合物之一組分之一濃度。 5.     如條項1之功率放大器，其中該特性包含一光譜圖徵。 6.     如條項1之功率放大器，其中該特性包含一色譜圖徵及/或一質譜圖徵。 7.     如條項1之功率放大器，其中該回饋設備包含一光譜計。 8.     如條項1之功率放大器，其中該回饋設備包含一氣體感測器。 9.     如條項8之功率放大器，其中該氣體感測器包含一催化探針，其經組態以選擇性地量測該流動氣體混合物之一或多種組分之該濃度。 10.   如條項1之功率放大器，其中該回饋設備包含一殘餘氣體分析器(RGA)。 11.    如條項1之功率放大器，其中該回饋設備包含一氣相色譜儀及/或一質譜儀。 12.   如條項1之功率放大器，其中該回饋設備包含一光學偵測器。 13.   如條項1之功率放大器，其中該催化劑包含霍佳劑、Co3 O4 、鈀、鉑、銥、銅、金，及/或其一組合或子組合。 14.   如條項1之功率放大器，其中該催化劑腔室包含經組態以調整該催化劑腔室中的一流動之一吹風機及經組態以調整該催化劑之該溫度以調整重締合之一速率的一溫度控制模組。 15.   如條項1之功率放大器，其中該處理器經組態以調變該流動氣體混合物之一流動速率以使該雷射光束之一輸出功率穩定。 16.   如條項1之功率放大器，其中該處理器經組態以即時地調整該流動氣體混合物至該催化劑腔室中的該催化劑之曝露。 17.   如條項1之功率放大器，其中該處理器經組態以即時地調整該催化劑腔室中的一流動及/或該催化劑腔室中的該催化劑之該溫度。 18.   如條項1之功率放大器，其中該流動氣體混合物包含一或多種組分。 19.   如條項18之功率放大器，其中該流動氣體混合物包含CO2 、He及N2 。 20.   如條項1之功率放大器，其進一步包含一吹風機，該吹風機耦接至該氣體雷射腔室且經組態以推進該流動氣體混合物穿過該氣體雷射腔室。 21.   如條項1之功率放大器，其進一步包含一質量流量控制器，該質量流量控制器耦接至該氣體雷射腔室且經組態以調整該流動氣體混合物之一流動速率。 22.   如條項21之功率放大器，其中該質量流量控制器經組態以調整該流動氣體混合物的該一或多種組分中之每一者之一流動速率。 23.   如條項1之功率放大器，其進一步包含一熱交換器，該熱交換器耦接至該氣體雷射腔室且經組態以減小該流動氣體混合物之一溫度。 24.   一種最佳化及/或計算用於一雷射的一功率放大器中之一流動氣體混合物以輸出一雷射光束之方法，該方法包含： 利用耦接至該流動氣體混合物及/或該雷射光束之一回饋設備量測該功率放大器之一特性； 進行以下調整： (a)基於該經量測特性來調整該流動氣體混合物至耦接至該流動氣體混合物之一催化劑腔室中的一催化劑之曝露；及/或 (b)基於該經量測特性來調整該流動氣體混合物之一或多種組分的一流動；及/或 (c)調整該催化劑腔室中的該催化劑之一溫度；以及 在達到該特性之一臨限值時繞過該催化劑腔室。 25.   如條項24之方法，其中該調整曝露包含調整耦接至該催化劑腔室之一或多個節流閥。 26.   如條項25之方法，其中該調整一或多個節流閥包含調整一氣動致動器。 27.   如條項24之方法，其中該調整該流動包含調整耦接至該流動氣體混合物之一質量流量控制器及一吹風機。 28.   如條項24之方法，其中該量測包含利用一光學偵測器量測該雷射光束之一輸出功率及/或一增益。 29.   如條項24之方法，其中該量測包含利用一氣體感測器量測一氣體雷射腔室及/或該催化劑腔室中的該流動氣體混合物之一或多種組分之一濃度。 30.   如條項24之方法，其中該量測包含利用一光譜計量測該流動氣體混合物之一光譜圖徵。 31.   如條項24之方法，其中該量測包含利用一殘餘氣體分析器(RGA)、一氣相色譜儀及/或一質譜儀量測一色譜圖徵及/或一質譜圖徵。 32.   一種用於一雷射之功率放大器，其包含： 一催化劑腔室，其包含經組態以重新氧化一流動氣體混合物中的解離分子之一催化劑； 一回饋設備，其耦接至容納該流動氣體混合物之一腔室及/或自該腔室輸出的一雷射光束且經組態以量測該功率放大器之一特性；以及 一處理器，其耦接至該催化劑腔室及該回饋設備， 其中該處理器經組態以： (a)基於該經量測特性來調整該流動氣體混合物至該催化劑腔室中的該催化劑之曝露；及/或 (b)基於該經量測特性來調整該流動氣體混合物之一或多種組分經由該腔室之一流動；及/或 (c)基於該經量測特性來調整該催化劑腔室中的該催化劑之一溫度。 實施例之廣度及範疇不應由上述例示性實施例中任一者限制，而應僅根據所附申請專利範圍及其等效物進行界定。
實施例之廣度及範疇不應由上述例示性實施例中任一者限制，而應僅根據所附申請專利範圍及其等效物進行界定。
10:琢面化場鏡面裝置 11:琢面化光瞳鏡面裝置 13:鏡面 14:鏡面 200:輻射系統 210:雷射光束 212:雷射路徑 215:目標材料遞送系統 220:目標材料 221:目標電漿 225:雷射遞送系統 230:目標位置 245:經聚焦雷射光束 250:所發射輻射 255:收集器 260:EUV光束 261:中間焦點 265:光學設備 300:功率放大器 300':功率放大器 310:氣體雷射腔室 312:流動氣體混合物 314:氣流 316:雷射光束 320:泵 330:催化劑腔室 330':催化劑腔室 331:催化劑 332:第一節流閥 334:第二節流閥 336:第三節流閥 338:第四節流閥 340:熱交換器 342:溫度控制模組 350:吹風機 350':吹風機 352:催化劑吹風機 360:氣體混合腔室 362:第一氣體供應 364:第二氣體供應 366:第三氣體供應 368:質量流量控制器 370:氣體雷射電源 372:第一電極 374:第二電極 380:回饋設備 382:光譜儀 384:殘餘氣體分析器(RGA) 386:氣體感測器 388:光學偵測器 390:處理器 500:功率放大器系統 600:流程圖 602:步驟 604:步驟 604a:步驟 604b:步驟 604c:步驟 606:步驟 608:步驟 B:EUV輻射光束 B':經圖案化EUV輻射光束 IL:照明系統 LA:微影設備 MA:圖案化裝置 MT:支撐結構 PS:投影系統 SO:輻射源 W:基板 WT:基板台
併入本文中且形成本說明書之部分之隨附圖式說明實施例，且連同實施方式一起進一步用以解釋實施例之原理且使熟習相關技術者能夠進行及使用實施例。
圖1為根據一例示性實施例之微影設備的示意性說明。
圖2為根據一例示性實施例之輻射系統的示意性說明。
圖3為根據一例示性實施例之功率放大器的示意性說明。
圖4為根據一例示性實施例之功率放大器的示意性說明。
圖5為根據一例示性實施例之功率放大器系統的示意性說明。
圖6說明根據一例示性實施例的用於最佳化功率放大器之流程圖。
實施例之特徵及例示性態樣將自結合圖式在以下闡述之實施方式變得顯而易見，在圖式中，相同參考標號貫穿全文識別對應元件。在該等圖式中，相同參考標號通常指示相同、功能上類似及/或結構上類似之元件。另外，通常，參考標號之最左側數字識別首次出現該元件符號之圖式。除非另有指示，否則貫穿本發明提供之圖式不應解釋為按比例繪製。
300':功率放大器
310:氣體雷射腔室
312:流動氣體混合物
314:氣流
316:雷射光束
320:泵
330':催化劑腔室
331:催化劑
332:第一節流閥
334:第二節流閥
336:第三節流閥
338:第四節流閥
340:熱交換器
342:溫度控制模組
350':吹風機
352:催化劑吹風機
362:第一氣體供應
364:第二氣體供應
366:第三氣體供應
368:質量流量控制器
370:氣體雷射電源
372:第一電極
374:第二電極
380:回饋設備
382:光譜儀
384:殘餘氣體分析器(RGA)
386:氣體感測器
388:光學偵測器
390:處理器

Claims (32)

  1. 一種用於一雷射之功率放大器，該功率放大器包含： 一氣體雷射腔室，其經組態以收容一流動氣體混合物； 一氣體雷射電源，其耦接至該氣體雷射腔室，且經組態以將能量供應至該流動氣體混合物以輸出一雷射光束； 一催化劑腔室，其耦接至該氣體雷射腔室，且包含經組態以重新氧化該流動氣體混合物中的解離分子之一催化劑； 一回饋設備，其耦接至該氣體雷射腔室及/或該雷射光束，且經組態以量測該功率放大器之一特性；以及 一處理器，其耦接至該催化劑腔室及該回饋設備， 其中該處理器經組態以： (a)基於該經量測特性來調整該流動氣體混合物至該催化劑腔室中的該催化劑之曝露；及/或 (b)基於該經量測特性來調整該流動氣體混合物之一或多種組分經由該氣體雷射腔室之一流動；及/或 (c)基於該經量測特性來調整該催化劑腔室中的該催化劑之一溫度。
  2. 如請求項1之功率放大器，其中該特性包含該雷射光束之一輸出功率。
  3. 如請求項1之功率放大器，其中該特性包含該雷射光束之一增益。
  4. 如請求項1之功率放大器，其中該特性包含該氣體雷射腔室中的該流動氣體混合物之一組分之一濃度。
  5. 如請求項1之功率放大器，其中該特性包含一光譜圖徵。
  6. 如請求項1之功率放大器，其中該特性包含一色譜圖徵及/或一質譜圖徵。
  7. 如請求項1之功率放大器，其中該回饋設備包含一光譜計。
  8. 如請求項1之功率放大器，其中該回饋設備包含一氣體感測器。
  9. 如請求項8之功率放大器，其中該氣體感測器包含一催化探針，其經組態以選擇性地量測該流動氣體混合物之一或多種組分之該濃度。
  10. 如請求項1之功率放大器，其中該回饋設備包含一殘餘氣體分析器(RGA)。
  11. 如請求項1之功率放大器，其中該回饋設備包含一氣相色譜儀及/或一質譜儀。
  12. 如請求項1之功率放大器，其中該回饋設備包含一光學偵測器。
  13. 如請求項1之功率放大器，其中該催化劑包含霍佳劑、Co3 O4 、鈀、鉑、銥、銅、金，及/或其一組合或子組合。
  14. 如請求項1之功率放大器，其中該催化劑腔室包含經組態以調整該催化劑腔室中的一流動之一吹風機及經組態以調整該催化劑之該溫度以調整重締合之一速率的一溫度控制模組。
  15. 如請求項1之功率放大器，其中該處理器經組態以調變該流動氣體混合物之一流動速率以使該雷射光束之一輸出功率穩定。
  16. 如請求項1之功率放大器，其中該處理器經組態以即時地調整該流動氣體混合物至該催化劑腔室中的該催化劑之曝露。
  17. 如請求項1之功率放大器，其中該處理器經組態以即時地調整該催化劑腔室中的一流動及/或該催化劑腔室中的該催化劑之該溫度。
  18. 如請求項1之功率放大器，其中該流動氣體混合物包含一或多種組分。
  19. 如請求項18之功率放大器，其中該流動氣體混合物包含CO2 、He及N2 。
  20. 如請求項1之功率放大器，其進一步包含一吹風機，該吹風機耦接至該氣體雷射腔室且經組態以推進該流動氣體混合物穿過該氣體雷射腔室。
  21. 如請求項1之功率放大器，其進一步包含一質量流量控制器，該質量流量控制器耦接至該氣體雷射腔室且經組態以調整該流動氣體混合物之一流動速率。
  22. 如請求項21之功率放大器，其中該質量流量控制器經組態以調整該流動氣體混合物的該一或多種組分中之每一者之一流動速率。
  23. 如請求項1之功率放大器，其進一步包含一熱交換器，該熱交換器耦接至該氣體雷射腔室且經組態以減小該流動氣體混合物之一溫度。
  24. 一種最佳化及/或計算用於一雷射的一功率放大器中之一流動氣體混合物以輸出一雷射光束之方法，該方法包含： 利用耦接至該流動氣體混合物及/或該雷射光束之一回饋設備量測該功率放大器之一特性； 進行以下調整： (a)基於該經量測特性來調整該流動氣體混合物至耦接至該流動氣體混合物之一催化劑腔室中的一催化劑之曝露；及/或 (b)基於該經量測特性來調整該流動氣體混合物之一或多種組分的一流動；及/或 (c)調整該催化劑腔室中的該催化劑之一溫度；以及 在達到該特性之一臨限值時繞過該催化劑腔室。
  25. 如請求項24之方法，其中該調整曝露包含：調整耦接至該催化劑腔室之一或多個節流閥。
  26. 如請求項25之方法，其中該調整一或多個節流閥包含：調整一氣動致動器。
  27. 如請求項24之方法，其中該調整該流動包含：調整耦接至該流動氣體混合物之一質量流量控制器及一吹風機。
  28. 如請求項24之方法，其中該量測包含：利用一光學偵測器量測該雷射光束之一輸出功率及/或一增益。
  29. 如請求項24之方法，其中該量測包含：利用一氣體感測器量測一氣體雷射腔室及/或該催化劑腔室中的該流動氣體混合物之一或多種組分之一濃度。
  30. 如請求項24之方法，其中該量測包含：利用一光譜計量測該流動氣體混合物之一光譜圖徵。
  31. 如請求項24之方法，其中該量測包含：利用一殘餘氣體分析器(RGA)、一氣相色譜儀及/或一質譜儀量測一色譜圖徵及/或一質譜圖徵。
  32. 一種用於一雷射之功率放大器，其包含： 一催化劑腔室，其包含經組態以重新氧化一流動氣體混合物中的解離分子之一催化劑； 一回饋設備，其耦接至容納該流動氣體混合物之一腔室及/或自該腔室輸出的一雷射光束且經組態以量測該功率放大器之一特性；以及 一處理器，其耦接至該催化劑腔室及該回饋設備， 其中該處理器經組態以： (a)基於該經量測特性來調整該流動氣體混合物至該催化劑腔室中的該催化劑之曝露；及/或 (b)基於該經量測特性來調整該流動氣體混合物之一或多種組分經由該腔室之一流動；及/或(c)基於該經量測特性來調整該催化劑腔室中的該催化劑之一溫度。
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