TW202136562A - 清洗方法，半導體裝置的製造方法，基板處理裝置及程式 - Google Patents

清洗方法，半導體裝置的製造方法，基板處理裝置及程式 Download PDF

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Abstract

本發明的課題是在於提供一種使處理室內的清洗效率提升的技術。 其解決手段是在於提供一種藉由實施預定次數循環來除去附著於處理室內的堆積物之技術，該循環是依序進行： (a)在停止處理室內的排氣之狀態下，將清洗氣體供給至處理室內，至處理室內的壓力上昇至第1壓力帶為止之工程； (b)並行實施處理室內的排氣與朝處理室內的清洗氣體的供給，將處理室內的壓力維持於第1壓力帶之工程；及 (c)在停止朝處理室內的清洗氣體的供給之狀態下，進行處理室內的排氣，至處理室內的壓力成為比第1壓力帶更低的第2壓力為止之工程。

Description

清洗方法，半導體裝置的製造方法，基板處理裝置及程式
本案是有關清洗方法，半導體裝置的製造方法，基板處理裝置及程式。
作為半導體裝置的製造工程之一工程，有進行清洗工程的情況，其係對處理基板的處理室內供給清洗氣體，除去附著於處理室內的堆積物等(例如參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2015-26660號公報
(發明所欲解決的課題)
依清洗氣體供給時的處理室內的壓力等，有無法有效率地清洗處理室內的情況。
本案是提供可使處理室內的清洗效率提升的技術。 (用以解決課題的手段)
若根據本案的一形態，則可提供一種藉由實施預定次數循環來除去附著於前述處理室內的堆積物之技術，該循環是依序進行： (a)在停止處理室內的排氣之狀態下，將清洗氣體供給至前述處理室內，至前述處理室內的壓力上昇至第1壓力帶為止之工程； (b)並行實施前述處理室內的排氣與朝前述處理室內的前述清洗氣體的供給，將前述處理室內的壓力維持於前述第1壓力帶之工程；及 (c)在停止朝前述處理室內的前述清洗氣體的供給之狀態下，進行前述處理室內的排氣，至前述處理室內的壓力成為比前述第1壓力帶更低的第2壓力為止之工程。 [發明的效果]
若根據本案，則可使處理室內的清洗效率提升。
＜一實施形態＞
以下，利用圖1～圖3來說明有關本案之一實施形態。
(1)基板處理裝置的構成 如圖1所示般，處理爐202是具有作為加熱手段(加熱機構)的加熱器207。加熱器207是圓筒形狀，藉由被支撐於保持板來垂直地安裝。加熱器207是亦作為以熱來使氣體活化(激發)的活化機構(激發部)機能。
在加熱器207的內側，與加熱器207同心圓狀地配設有反應管203。 反應管203是例如以石英(SiO2)或碳化矽(SiC)等的耐熱性材料所構成，被形成上端閉塞下端開口的圓筒形狀。在反應管203的下方，與反應管203同心圓狀地配設集流腔(manifold)209。集流腔209是例如以不鏽鋼(SUS)等的金屬所構成，被形成上端及下端開口的圓筒形狀。集流腔209的上端部是與反應管203的下端部卡合，被構成為支撐反應管203。在集流腔209與反應管203之間是設有作為密封構件的O型環220a。反應管203是與加熱器207同樣地垂直安裝。主要藉由反應管203及集流腔209來構成處理容器(反應容器)。在處理容器的筒中空部是形成有處理室201。另外，在處理室201是處理容器的內壁也包含。處理室201是被構成可收容作為複數片的基板的晶圓200。在集流腔209的內周是設有罩209a。罩209a是例如藉由石英或SiC所構成，被設為沿著集流腔209的內壁來覆蓋集流腔209的內壁。
在處理室201內，噴嘴249a，249b，249e會被設為貫通集流腔209。噴嘴249a，249b，249e是例如以石英或SiC等的耐熱性材料所構成。噴嘴249a，249b，249e是分別連接氣體供給管232a，232b，232e。
在氣體供給管232a，232b，232e，從上游方向依序分別設有流量控制器(流量控制部)的質量流控制器(MFC)241a，241b，241e及開閉閥的閥243a，243b，243e。在比氣體供給管232a，232b，232e的閥243a，243b，243e更下游側是分別連接供給惰性氣體的氣體供給管232c，232d，232f。在氣體供給管232c，232d，232f是從上游方向依序分別設有MFC241c，241d，241f及閥243c，243d，243f。
噴嘴249a，249b是如圖2所示般，在反應管203的內壁與晶圓200之間的圓環狀的空間，從反應管203的內壁的下部沿至上部，分別被設為朝向晶圓200的配列方向上方升起。亦即，噴嘴249a，249b是在配列有晶圓200的晶圓配列區域的側方的水平地包圍晶圓配列區域的區域，分別被設為沿著晶圓配列區域。在噴嘴249a，249b的側面是分別設有供給氣體的氣體供給孔250a，250b。氣體供給孔250a，250b是分別開口成朝向反應管203的中心，可朝向晶圓200供給氣體。氣體供給孔250a，250b是從反應管203的下部到上部設置複數個。
噴嘴249e是如圖1所示般，被構成為使氣體往集流腔209的內壁與罩209a之間的圓環狀的空間(以下亦稱為淨化空間)201a內噴出。在噴嘴249e的前端部，氣體供給孔會被設為朝向上方開口。此氣體供給孔是亦可被設在噴嘴249e的前端部的側面，此情況，此氣體供給孔是朝向水平方向開口。
從氣體供給管232a是處理氣體(原料氣體)例如含有作為預定元素(主元素)的矽(Si)及鹵族元素的氣體，亦即鹵矽烷原料氣體會經由MFC241a、閥243a、噴嘴249a來供給至處理室201內。
所謂原料氣體是氣體狀態的原料，例如在常溫常壓下將液體狀態的原料氣化而取得的氣體，或在常溫常壓下氣體狀態的原料等。所謂鹵矽烷原料是具有鹵基的原料。鹵基是包含氯基、氟基、溴基、碘基等。亦即，鹵基是包含氯(Cl)、氟(F)、溴(Br)、碘(I)等的鹵族元素。
作為原料氣體，例如可使用含Si及Cl的鹵矽烷原料氣體，亦即，可使用氯矽烷原料氣體。作為氯矽烷原料氣體，例如，可使用六氯矽乙烷(Si2Cl6、簡稱：HCDS)氣體。
從氣體供給管232b是處理氣體(反應氣體)例如含氧(O)的氣體會經由MFC241b、閥243b、噴嘴249b來供給至處理室201內。含O的氣體是在後述的成膜處理中，作為氧化氣體，亦即作為O來源用。氧化氣體是例如可使用氧(O2)氣體。
從氣體供給管232a是處理氣體(反應氣體)例如含氫(H)的氣體會經由MFC241a、閥243a、噴嘴249a來供給至處理室201內。含H的氣體是單體無法取得氧化作用，但在後述的成膜處理中，藉由在特定的條件下與含O的氣體反應，產生原子狀氧(atomic oxygen、O)等的氧化種，作用為使氧化處理的效率提升。因此，含H的氣體是可思考與含O的氣體同樣含在氧化氣體中。含H的氣體是例如可使用氫(H2)氣體。
進一步，從氣體供給管232a，232b是清洗氣體例如含H及F的氣體(含H的氟系氣體)會分別經由MFC241a，241b、閥243a，243b、噴嘴249a，249b來供給至處理室201內。從氣體供給管232e是清洗氣體例如含H及F的氣體會經由MFC241e、閥243e、噴嘴249e來供給至比罩209a更靠內側的淨化空間201a內。含H及F的氣體是例如可使用氟化氫(HF)氣體。
從氣體供給管232c，232d，232f是惰性氣體例如氮(N2)氣體會分別經由MFC241c，241d，241f、閥243c，243d，243f、氣體供給管232a，232b，232e、噴嘴249a，249b，249e來供給至處理室201內。
主要藉由氣體供給管232a、MFC241a、閥243a來構成供給原料氣體的原料氣體供給系。又，主要藉由氣體供給管232b、MFC241b、閥243b來構成氧化氣體供給系。又，主要藉由氣體供給管232a、MFC241a、閥243a來構成含H氣體供給系。亦可思考將含H氣體供給系含在上述的氧化氣體供給系中。又，主要藉由氣體供給管232a，232b，232e、MFC241a，241b，241e、閥243a，243b，243e來構成含H及F氣體供給系。又，主要藉由氣體供給管232c，232d，232f、MFC241c，241d，241f、閥243c，243d，243f來構成惰性氣體供給系。
上述的各種供給系之中，任一或全部的供給系是亦可被構成為聚集閥243a～243f或MFC241a～241f等而組成的集聚型氣體供給系統248。集聚型氣體供給系統248是被構成為對於氣體供給管232a～232f的各者連接，朝氣體供給管232a～232f內的各種氣體的供給動作，亦即閥243a～243f的開閉動作或利用MFC241a～241f的調整流量動作等會藉由後述的控制器121來控制。集聚型氣體供給系統248是被構成為一體型或分割型的集聚單元，被構成為對於氣體供給管232a～232f等，能以集聚單元單位來進行裝卸，能以集聚單元單位來進行氣體供給系統的維修、更換、增設等。
在反應管203是設有將處理室201內的氣氛排氣的排氣管231。排氣管231是經由作為檢測出處理室201內的壓力的壓力檢測器(壓力檢測部)的壓力感測器245及作為壓力調整器(壓力調整部)的APC(Auto Pressure Controller)閥244來連接作為真空排氣裝置的真空泵246。APC閥244是在使真空泵246作動的狀態下開閉閥，藉此可進行處理室201內的真空排氣及真空排氣停止，且在使真空泵246作動的狀態下，根據藉由壓力感測器245所檢測出的壓力資訊來調節閥開度，藉此被構成為可調整處理室201內的壓力。主要藉由排氣管231、APC閥244、壓力感測器245來構成排氣系。亦可思考將真空泵246含在排氣系中。
在集流腔209的下方是設有可氣密地閉塞集流腔209的下端開口的作為爐口蓋體的密封蓋219。密封蓋219是例如以SUS等的金屬所構成，被形成圓盤狀。在密封蓋219的上面是設有與集流腔209的下端抵接的作為密封構件的O型環220b。在密封蓋219的下方是設置有使後述的晶舟217旋轉的旋轉機構267。旋轉機構267的旋轉軸255是貫通密封蓋219而連接至晶舟217。旋轉機構267是被構成為藉由使晶舟217旋轉來使晶圓200旋轉。密封蓋219是被構成為藉由被設置在反應管203的外部的作為昇降機構的晶舟昇降機115來昇降於垂直方向。晶舟昇降機115是被構成為藉由使密封蓋219昇降，可將晶舟217搬入及搬出於處理室201內外。晶舟昇降機115是被構成為將晶舟217亦即晶圓200搬送至處理室201內外的搬送裝置(搬送機構)。
作為基板支持具的晶舟217是被構成為使複數片例如25～200片的晶圓200以水平姿勢且在彼此中心一致的狀態下排列於垂直方向而多段地支撐，亦即使取間隔配列。晶舟217是例如藉由石英或SiC等的耐熱性材料來構成。在晶舟217的下部，例如以石英或SiC等的耐熱性材料所構成的隔熱板218會以水平姿勢來被多段地支撐。藉由此構成，來自加熱器207的熱會不易傳至密封蓋219側。亦可不設隔熱板218，而設置由石英或SiC等的耐熱性材料所組成的構成為筒狀的構件的隔熱筒。
在反應管203內是設置有作為溫度檢測器的溫度感測器263。根據藉由溫度感測器263所檢測出的溫度資訊，調整往加熱器207的通電情況，藉此處理室201內的溫度成為所望的溫度分佈。溫度感測器263是沿著反應管203的內壁而設。
如圖3所示般，控制部(控制手段)的控制器121是被構成為具備CPU(Central Processing Unit)121a、RAM(Random Access Memory)121b、記憶裝置121c、I/O埠121d的電腦。RAM121b、記憶裝置121c、I/O埠121d是被構成為經由內部匯流排121e來可與CPU121a進行資料交換。控制器121是連接被構成為觸控面板等的輸出入裝置122。
記憶裝置121c是以快閃記憶體、HDD(Hard Disk Drive)等所構成。在記憶裝置121c內是可讀出地儲存有：控制基板處理裝置的動作的控制程式、或記載有後述的基板處理的程序或條件等的製程處方、或記載有後述的清洗處理的程序或條件等的清洗處方等。製程處方是組合成可使後述的成膜處理的各程序實行於控制器121，取得預定的結果者，作為程式機能。又，清洗處方是被組合成可使後述的清洗處理的各程序實行於控制器121，取得預定的結果者，作為程式機能。以下，亦將製程處方或清洗處方或控制程式等總簡稱為程式。又，亦將製程處方或清洗處方總簡稱為處方。在本說明書中稱程式時，有只含處方單體時，只含控制程式單體時，或包含製程處方、清洗處方及控制程式之中任意的組合時。RAM121b是被構成為暫時性地保持藉由CPU121a所讀出的程式或資料等的記憶區域(工作區域)。
I/O埠121d是被連接至上述的MFC241a～241f、閥243a～243f、壓力感測器245、APC閥244、真空泵246、加熱器207、溫度感測器263、旋轉機構267、晶舟昇降機115等。
CPU121a是被構成為從記憶裝置121c讀出控制程式而實行，且按照來自輸出入裝置122的操作指令的輸入等，從記憶裝置121c讀出處方。CPU121a是被構成為可按照讀出後的處方的內容，控制MFC241a～241f之各種氣體的調整流量動作、閥243a～243f的開閉動作、APC閥244的開閉動作及根據壓力感測器245之APC閥244的壓力調整動作、真空泵246的起動及停止、根據溫度感測器263之加熱器207的溫度調整動作、旋轉機構267之晶舟217的旋轉及旋轉速度調節動作、晶舟昇降機115之晶舟217的昇降動作等。
控制器121是可藉由將被儲存於外部記憶裝置(例如硬碟等的磁碟、CD或DVD等的光碟、MO等的光磁碟、USB記憶體等的半導體記憶體)123的上述程式安裝於電腦而構成。記憶裝置121c或外部記憶裝置123是被構成為電腦可讀取的記錄媒體。以下，亦將該等總簡稱為記錄媒體。在本說明書中稱記錄媒體時，有只含記憶裝置121c單體時，只含外部記憶裝置123單體時，或包含該等的雙方時。另外，對電腦的程式的提供是亦可不使用外部記憶裝置123，利用網際網路或專線等的通訊手段來進行。
(2)成膜處理 利用圖4來說明使用上述的基板處理裝置，在基板上形成膜的順序例，作為半導體裝置的製造工程之一工程。在以下的說明中，構成基板處理裝置的各部的動作是藉由控制器121來控制。
圖4所示的成膜順序是藉由進行預定次數(n次以上)使下述的步驟1，2非同時亦即不同步進行的循環，在晶圓200上形成矽氧化膜(SiO2膜，以下亦簡稱SiO膜)作為含O的膜， 該步驟1是對於處理容器內(處理室201內)所收容的晶圓200供給HCDS氣體作為原料氣體； 該步驟2是朝被加熱的處於未滿大氣壓的壓力下的處理容器內供給作為含O的氣體的O2氣體及作為含H的氣體的H2氣體。
在本說明書中，基於方便起見，也有將上述的成膜處理表示成以下般的情形。另外，在以下的其他的實施形態的說明中也使用同樣的記載。
(HCDS→O2+H2)×n ⇒ SiO
在本說明書中使用「基板」的名詞時，也與使用、「晶圓」的名詞時同義。
(晶圓裝填及晶舟裝載) 一旦複數片的晶圓200被裝填於晶舟217(晶圓裝填)，則如圖1所示般，支撐複數片的晶圓200的晶舟217是藉由晶舟昇降機115來舉起而往處理室201內搬入(晶舟裝載)。在此狀態下，密封蓋219是成為隔著O型環220b來密封集流腔209的下端的狀態。
(壓力・溫度調整步驟) 藉由真空泵246來真空排氣(減壓排氣)，使處理室201內，亦即存在晶圓200的空間成為所望的壓力(真空度)。此時，處理室201內的壓力是以壓力感測器245來測定，根據此被測定的壓力資訊，反饋控制APC閥244。真空泵246是至少至對於晶圓200的處理結束為止的期間維持使常時作動的狀態。並且，藉由加熱器207來加熱，使處理室201內的晶圓200成為所望的成膜溫度。根據溫度感測器263所檢測出的溫度資訊，反饋控制往加熱器207的通電情況，使此時處理室201內成為所望的溫度分佈。加熱器207之處理室201內的加熱是至少至對於晶圓200的處理結束為止的期間繼續進行。並且，開始旋轉機構267之晶舟217及晶圓200的旋轉。旋轉機構267之晶舟217及晶圓200的旋轉是至少至對於晶圓200的處理結束為止的期間繼續進行。
(成膜步驟) 接著，依序實行以下的步驟1，2。
[步驟1] 在此步驟中，對於處理室201內的晶圓200供給HCDS氣體。
開啟閥243a，在氣體供給管232a內流動HCDS氣體。HCDS氣體是藉由MFC241a來調整流量，經由噴嘴249a來朝處理室201內供給，從排氣管231排氣。此時，成為對於晶圓200供給HCDS氣體的情形。此時同時開啟閥243c，朝氣體供給管232c內流動N2氣體。N2氣體是藉由MFC241c來調整流量，經由氣體供給管232a、噴嘴249a來朝處理室201內供給，從排氣管231排氣。又，為了防止HCDS氣體侵入至噴嘴249b，249e內，而開啟閥243d，243f，朝氣體供給管232d，232f內流動N2氣體。N2氣體是經由氣體供給管232b，232e、噴嘴249b，249e、淨化空間201a來朝處理室201內供給，從排氣管231排氣。
此時，處理室201內的壓力是例如0.0075～30Torr(1～4000Pa)，理想是0.5025～19.995Torr(67～2666Pa)，更理想是0.9975～9.9975Torr(133～1333Pa)的範圍內的壓力。HCDS氣體的供給流量是例如0.001～2slm(1～2000sccm)，理想是0.01～1slm(10～1000sccm)的範圍內的流量。由各氣體供給管供給的N2氣體的供給流量是分別例如設為0.1～10slm(100～10000sccm)的範圍內的流量。HCDS氣體的供給時間是例如1～120秒，理想是1～60秒的範圍內的時間。加熱器207的溫度是設定成晶圓200的溫度會成為例如250～700℃，理想是300～650℃，更理想是350～600℃的範圍內的溫度之類的溫度。
藉由在上述的條件下對於晶圓200供給HCDS氣體，可在晶圓200的最表面上，形成例如未滿1原子層到數原子層(從未滿1分子層到數分子層)程度的厚度的含Cl的含Si層，作為第1層(初期層)。含Cl的含Si層是亦可為含Cl的Si層，或亦可為HCDS的吸附層，或亦可為包含該等的雙方。
形成第1層之後，關閉閥243a，停止HCDS氣體的供給。此時，APC閥244是維持開啟，藉由真空泵246來將處理室201內真空排氣，從處理室201內排除殘留在處理室201內的未反應或貢獻於形成第1層之後的HCDS氣體。此時，閥243c，243d、243f是維持開啟。維持N2氣體往處理室201內的供給。N2氣體是作為淨化氣體作用。
原料氣體，除了HCDS氣體以外，例如可使用二氯矽烷(SiH2Cl2、簡稱：DCS)氣體、一氯矽烷(SiH3Cl、簡稱：MCS)氣體、四氯化矽(SiCl4、簡稱：STC)氣體、三氯氫矽(SiHCl3、簡稱：TCS)氣體、丙矽烷(Si3H8、簡稱：TS)氣體、乙矽烷(Si2H6、簡稱：DS)氣體、矽烷(SiH4、簡稱：MS)氣體等的無機原料氣體或、基胺基矽烷(Si[N(CH3)2]4、簡稱：4DMAS)氣體、二甲基胺基矽烷(Si[N(CH3)2]3H、簡稱：3DMAS)氣體、雙(二乙基氨基)硅烷(Si[N(C2H5)2]2H2、簡稱：BDEAS)氣體、雙(叔丁基氨基)矽烷(SiH2[NH(C4H9)]2、簡稱：BTBAS)氣體、二異丙基氨基矽烷(SiH3N[CH(CH3)2]2、簡稱：DIPAS)氣體等的有機原料氣體。
作為惰性氣體，除了N2氣體以外，例如，可使用Ar氣體、He氣體、Ne氣體、Xe氣體等的稀有氣體。
[步驟2] 步驟1結束後，往處理室201內分別供給O2氣體及H2氣體，使該等的氣體在處理室201內混合而反應。
在此步驟中，以和步驟1的閥243a，243c，243d，243f的開閉控制同樣的程序來進行閥243b～243d，243f的開閉控制。O2氣體是藉由MFC241b來調整流量，經由噴嘴249b來供給至處理室201內。此時同時開啟閥243a，朝氣體供給管232a內流動H2氣體。H2氣體是藉由MFC241a來調整流量，經由噴嘴249a來供給至處理室201內。O2氣體與H2氣體是在處理室201內首先混合而反應，然後從排氣管231排氣。
此時，處理室201內的壓力是未滿大氣壓，例如設為0.0075～9.9975Torr(1～1333Pa)的範圍內的壓力。O2氣體的供給流量是例如設為1～10slm(1000～10000sccm)的範圍內的流量。H2氣體的供給流量是例如設為1～10slm(1000～10000sccm)的範圍內的流量。O2氣體及H2氣體的供給時間是例如設為1～120秒的範圍內的時間。其他的處理條件是例如設為與步驟1同樣的處理條件。
藉由在上述的條件下將O2氣體及H2氣體供給至處理室201內，O2氣體及H2氣體會在被加熱的減壓氣氛下以無電漿被熱活化(激發)而反應，藉此產生含原子狀氧(O)等的氧的非含有水分(H2O)的氧化種。然後，主要藉由此氧化種，對於在步驟1被形成於晶圓200上的第1層進行氧化處理。此氧化種所持有的能量是比在第1層中所含的Si-Cl、Si-H等的結合能量更高，因此藉由將此氧化種的能量給予第1層，在第1層中所含的Si-Cl結合、Si-H結合等會被切離。將與Si的結合切離的H、Cl等是從膜中被除去，作為Cl2、HCl等排出。又，與H、Cl等的結合被切離而殘餘的Si的結合鍵是與氧化種中所含的O連結，形成Si-O結合。如此，第1層是被變化(被改質)成第2層，亦即Cl等的雜質的含量少的SiO層。
(殘留氣體除去) 使第1層朝第2層(SiO層)變化之後，關閉閥243b，243a，分別停止O2氣體及H2氣體的供給。然後，藉由與步驟1同樣的處理程序、處理條件，從處理室201內排除殘留在處理室201內的O2氣體或H2氣體或反應副生成物。
作為含O的氣體是除了O2氣體以外，可使用臭氧(O3)氣體等。含H的氣體是除了H2氣體以外，可使用重氫(D2)氣體等。另外，原料氣體使用4DMAS氣體或3DMAS氣體等的胺基矽烷原料氣體時，只要使用O3氣體作為含O的氣體，便亦可不用含H的氣體，以充分的(同樣的)成膜速率來成膜。惰性氣體是除了N2氣體以外，例如可使用在步驟1所舉例說明的各種稀有氣體。
[實施預定次數] 藉由進行預定次數(n次)使上述的步驟1，2非同時亦即不同步進行的循環，可在晶圓200上形成預定膜厚的SiO膜。上述的循環是重複複數次為理想。亦即，將每1循環所形成的第2層的厚度形成比所望的膜厚更小，至藉由層疊第2層而形成的膜的膜厚形成所望的膜厚為止，重複複數次上述的循環為理想。
(後淨化步驟・大氣壓恢復步驟) 一旦成膜步驟結束，形成預定膜厚的SiO膜，則從氣體供給管232c，232d，232f的各者供給N2氣體至處理室201內，從排氣管231排氣。N2氣體是作為淨化氣體作用。藉此，處理室201內會被淨化，殘留在處理室201內的氣體或反應副生成物會從處理室201內除去(後淨化)。然後，處理室201內的氣氛會被置換成惰性氣體(惰性氣體置換)，處理室201內的壓力會被恢復成常壓(大氣壓恢復)。
(晶舟卸載及晶圓卸裝) 然後，藉由晶舟昇降機115來下降密封蓋219，集流腔209的下端會被開口，且處理完了的晶圓200會在被支撐於晶舟217的狀態下從集流腔209的下端搬出至反應管203的外部(晶舟卸載)。處理完了的晶圓200是被搬出至反應管203的外部之後，從晶舟217取出(晶圓卸裝)。
(3)清洗處理 一旦進行上述的成膜處理，則在處理室201內的構件的表面，例如反應管203的內壁、噴嘴249a，249b的內壁及表面、罩209a的表面、晶舟217的表面、集流腔209的內壁等，累積有含Si物的SiO膜等的薄膜或含反應副生成物的堆積物。亦即，該等的堆積物會附著於被加熱的處理室201內的構件的表面而累積。於是，該等的堆積物的量，亦即累積膜厚到達在堆積物發生剝離或落下之前的預定的量(厚度)時，進行清洗處理。
圖5所示的清洗處理是藉由實施預定次數循環來除去附著於處理室201內的堆積物，該循環是依序進行： 清洗步驟(a)，其係在停止處理室201內的排氣的狀態下，將HF氣體作為清洗氣體供給至處理室201內，至處理室201內的壓力上昇至第1壓力帶為止； 清洗步驟(b)，其係並行實施處理室201內的排氣與朝處理室201內的HF氣體的供給，而將處理室201內的壓力維持於第1壓力帶；及 排氣步驟(c)，其係在停止朝處理室201內的HF氣體的供給的狀態下，進行處理室201內的排氣，至處理室201內的壓力成為比第1壓力帶更低的第2壓力為止。
以下，邊參照圖5邊說明本實施形態的清洗處理之一例。在以下的說明中，構成基板處理裝置的各部的動作是藉由控制器121來控制。
(晶舟搬入步驟) 空的晶舟217，亦即未裝填晶圓200的晶舟217會藉由晶舟昇降機115來舉起而搬入至處理室201內。在此狀態下，密封蓋219是成為隔著O型環220b來密封集流腔209的下端的狀態。
(壓力・溫度調整步驟) 藉由真空泵246來真空排氣，使處理室201內成為預定的壓力，例如成為0Torr(0Pa)。又，藉由加熱器207來加熱，使處理室201內成為預定的溫度。又，藉由旋轉機構267開始晶舟217的旋轉。加熱器207之處理室201內的加熱、晶舟217的旋轉是至清洗步驟(c)完了的期間，繼續進行為理想。但，晶舟217是亦可不使旋轉。
(清洗步驟(a)) 首先，停止處理室201內的排氣。然後，連續性地供給HF氣體至進行在晶圓200上形成SiO膜的處理(成膜處理)之後的處理室201內，亦即SiO膜等的堆積物附著的處理室201內。
具體而言，首先，關閉APC閥244，停止處理室201內的排氣。然後，開啟閥243e，在氣體供給管232e內流動HF氣體。HF氣體是藉由MFC241e來調整流量，經由噴嘴249e、淨化空間201a來供給至處理室201內。如此，HF氣體是從被設在爐口部(密封蓋219附近、隔熱板218附近、入口附近等)的作為氣體吐出部的噴嘴249e對於爐口部附近供給。此時同時開啟閥243f，朝氣體供給管232f內流動N2氣體。N2氣體是藉由MFC241f來調整流量，經由氣體供給管232e、噴嘴249e來供給至處理室201內。又，為了防止HF氣體侵入至噴嘴249a，249b內，開啟閥243c，243d，朝氣體供給管232c，232d內流動N2氣體。N2氣體是經由氣體供給管232a，232b、噴嘴249a，249b來供給至處理室201內。但，亦可此時同時開啟閥243a，243b，朝氣體供給管232a，232b內流動HF氣體，經由噴嘴249a，249b來將HF氣體供給至處理室201內，作為其他的實施形態。另外，惰性氣體是除了N2氣體以外，例如可使用在上述的成膜處理所舉例說明的各種稀有氣體。
至處理室201內的壓力上昇至第1壓力帶為止供給HF氣體。第1壓力帶是可藉由HF氣體來取得所望的實用性的蝕刻速率的壓力範圍。在此，所謂可取得實用性的蝕刻速率的壓力範圍是可取得在預定時間內進行清洗處理時也能取得充分的清洗效果的程度之高的蝕刻速率的壓力範圍。第1壓力帶是例如可舉150～400Torr(19998.4～53328.8Pa)，理想是150～250Torr(19998.4～33330.6Pa)的壓力範圍。在圖5中，圖示150～250Torr的壓力範圍，作為第1壓力帶。
此時，HF氣體的供給流量是例如設為2～5slm(2000～5000sccm)的範圍內的流量，理想是3slm (3000sccm)。加熱器207的溫度是被設定為構成被形成於處理室201內的下部的爐口部的構件會成為0～100℃，理想是室溫(例如20℃)～100℃，更理想是60～90℃的範圍內的溫度。作為合適的例子，將構成爐口部的構件的溫度設為75℃時，考慮往周圍散熱等，加熱器207的溫度是例如設定成100℃程度。HF氣體的供給時間是例如設為10～230秒，理想是100～140秒的範圍內的時間。
若將構成爐口部的構件的溫度設為未滿0℃或超過100℃，則有無法取得利用HF氣體的實用性的蝕刻速率的情形。又，為了將此構件的溫度設為未滿室溫，需要冷卻手段，因此此構件的溫度是室溫以上為理想。又，藉由將此構件的溫度設為60～90℃的範圍內的溫度，可取得最高的蝕刻速率。
若將HF氣體的供給時間設為未滿10秒，則難以使處理室201內的壓力上昇至第1壓力帶，有無法以實用性的蝕刻速率來蝕刻堆積物的情形。藉由將HF氣體的供給時間設為10秒以上，可解除此情形。藉由將HF氣體的供給時間設為100秒以上，可更確實地使處理室201內的壓力上昇至第1壓力帶。
若HF氣體的供給時間超過230秒，則容易在處理室201內產生粒子。藉由將HF氣體的供給時間設為230秒以下，可抑制粒子的發生。藉由將HF氣體的供給時間設為140秒以下，可更確實地抑制粒子的產生。
朝處理室201內供給的HF氣體是在通過處理室201內時，接觸於處理室201內的構件的表面、例如反應管203的內壁、噴嘴249a，249b的外側表面、罩209a的表面、晶舟217的表面、集流腔209的內壁、密封蓋219的上面等。此時，藉由熱化學反應來除去附著於處理室201內的構件之SiO膜等的堆積物。亦即，藉由HF氣體與堆積物的蝕刻反應，除去堆積物。
如此，本步驟是在停止處理室201內的排氣之狀態，亦即密閉狀態下供給HF氣體，因此可使HF氣體擴散至處理室201內的各個角落。結果，可不依處理室201內的位置，均一地蝕刻堆積物。又，由於在密閉狀態下供給HF氣體，因此與同時進行HF氣體的供給與處理室201內的排氣的情況作比較，可取得高的蝕刻速率。
又，HF氣體是與F2氣體等的其他的清洗氣體作比較，可在比較低溫的溫度帶蝕刻SiO膜等的堆積物。因此，藉由在上述的條件下，朝處理室201內供給HF氣體，可有效率地蝕刻附著於不易藉由加熱器207加熱的區域，亦即被配置於爐口部附近的密封蓋219、隔熱板218等的堆積物。
又，HF氣體對於以SiC所形成的構件是不顯示蝕刻特性。藉此，例如晶舟217即使以SiC所形成，也不會有對晶舟217造成損傷的情形，可除去附著於晶舟217的表面的堆積物。
一旦處理室201內的壓力上昇至第1壓力帶，則結束本步驟。
(清洗步驟(b)) 一旦清洗步驟(a)結束，則開始清洗步驟(b)。本步驟是在繼續朝處理室201內的HF氣體的供給的狀態下，開始處理室201內的排氣。具體而言，一面繼續HF氣體的供給，一面在使真空泵246作動的狀態下開啟APC閥244的閥，進行處理室201內的真空排氣。亦即，並行實施處理室201的排氣與朝處理室201內的清洗氣體的供給。另外，一旦清洗步驟(a)結束，則不進行其他的步驟，連續實行本步驟為理想。
若如上述般進行清洗步驟(a)，則附著於處理室201內的SiO膜等的堆積物會被除去。又，若進行清洗步驟(a)，則藉由在堆積物中所含的Si與在HF氣體中所含的F結合，在處理室201內產生四氟化矽(SiF4)氣體等。如上述般，清洗步驟(a)是在密閉狀態下進行，因此無法使藉由蝕刻所剝離後的SiO膜等或產生的SiF4氣體朝處理室201外排出。其結果，該等的SiO膜等或來自SiF4氣體的氟化物會作為粒子浮游於處理室201內，有再附著於處理室201內的可能性。在本步驟中藉由進行處理室201內的排氣，可從處理室201內除去(排出)該等的SiO膜或氟化物等，而迴避再附著於處理室201內。
又，本步驟是將處理室201內的壓力維持於第1壓力帶。具體而言，在進行處理室201內的真空排氣時，在使真空泵246作動的狀態下，根據藉由壓力感測器245所檢測出的壓力資訊，調整APC閥244的閥開度，使處理室201內的壓力能維持第1壓力帶。
在本步驟中，若不調整APC閥244的閥開度，進行處理室201內的排氣，則會有處理室201內的壓力偏離第1壓力帶(下降)的可能性。如上述般，第1壓力帶是可取得高的蝕刻速率的壓力範圍，因此若處理室201內的壓力從第1壓力帶下降，則無法有效率地清洗處理室201內。在本步驟中，為了實現附著於處理室201內的堆積物的有效率的蝕刻，將處理室201內的壓力維持於第1壓力帶。藉由如此將處理室201內的壓力維持於第1壓力帶，可兼顧被剝離的SiO膜等的排出與堆積物的蝕刻雙方。
在本步驟中，HF氣體的供給時間是例如10～230秒，理想是100～140秒的範圍內的時間。若將HF氣體的供給時間設為未滿10秒，則有無法充分地蝕刻處理室201內的堆積物的情形。藉由將HF氣體的供給時間設為10秒以上，可解除此情形。藉由將HF氣體的供給時間設為100秒以上，可更確實地蝕刻處理室201內的堆積物。又，由於本步驟是HF氣體相較於清洗步驟(a)不易擴散於處理室201內，因此若HF氣體的供給時間超過230秒，則會有蝕刻產生不均，無法均一地蝕刻處理室201內的堆積物的情形。藉由將HF氣體的供給時間設為230秒以下，可抑制蝕刻的不均。藉由將HF氣體的供給時間設為140秒以下，可進一步抑制蝕刻的不均。
HF氣體的供給流量、加熱器207的設定溫度是與清洗步驟(a)的處理條件同樣。
本步驟的開始後，一旦預定時間經過，則結束本步驟。
(排氣步驟(c)) 一旦清洗步驟(b)結束，則開始排氣步驟(c)。本步驟是在繼續處理室201內的排氣之狀態下，停止HF氣體的供給。以和清洗步驟(a)相反的程序，停止HF氣體的供給。
藉由如此停止HF氣體的供給，繼續排氣，可使在清洗步驟(a)，(b)產生的SiF4氣體等的氣體或粒子的殘渣排出至處理室201外。並且，在繼續排氣時，將APC閥244的閥開度設為最大。如此，可縮短本步驟所要的時間。
又，藉由停止HF氣體的供給，繼續排氣，可使處理室201內的壓力降低。在本步驟中，進行處理室201內的排氣至處理室201內的壓力成為比第1壓力帶更低的第2壓力為止。
如上述般，在清洗步驟(b)中，處理室201內的壓力會被維持於第1壓力帶。如此，維持第1壓力帶般的高壓力狀態不同，開始其次的循環的清洗步驟(a)時，有HF氣體不易擴散至處理室201內，在蝕刻產生不均的情況。亦即，無法取得使HF氣體擴散於處理室201內的清洗步驟(a)的效果之一。結果，恐有無法均一地蝕刻處理室201內的堆積物之虞。在本步驟中，將處理室201內的壓力從第1壓力帶下降至第2壓力，在其次的循環的清洗步驟(a)中，再度使上昇至第1壓力帶，使產生壓力變動，藉此可使HF氣體擴散於處理室201內。結果，可均一地蝕刻堆積物。
特別是為了對於爐口部之類具有複雜的構造的區域的構件均等地供給HF氣體，在本步驟中一旦使處理室201內的壓力降低，使產生上述的壓力變動為有效。
第2壓力是藉由HF氣體來產生實質的蝕刻反應的下限壓力值。在此，所謂產生實質的蝕刻反應的下限壓力值是未必可使產生有效率的蝕刻反應，但為可實際以有意義的蝕刻速率來使產生蝕刻反應之壓力的下限值。第2壓力是例如可舉100Torr(13332.2Pa)以上，未滿150Torr (19998.3Pa)的範圍內的壓力。在圖5是圖示100Torr作為第2壓力。
處理室201內的排氣時間是例如設為5～15秒的範圍內的時間。如上述般，本步驟是將APC閥244的閥開度設為最大，因此可短時間使處理室201內的壓力降低。
加熱器207的設定溫度是與清洗步驟(a)的處理條件同樣。
並且，在本步驟中，不是將處理室201內的壓力下降至例如可藉由真空泵246的排氣能力來將處理室201內的氣體降下的壓力的下限值(理想是0Torr)，而是只下降至第2壓力(例如100Torr(133332.2Pa))。藉此，在其次的循環的清洗步驟(a)中，可縮短將處理室201內的壓力上昇至第1壓力帶的時間。如此，可縮短密閉狀態的HF氣體的供給時間，因此在其次的循環的清洗步驟(a)中，可抑制在處理室201內產生粒子。並且，其次的循環的清洗步驟(a)的HF氣體的供給量也可抑制。
又，如上述般，在本步驟中，只將處理室201內的壓力下降至第2壓力，因此HF氣體是不完全從處理室201內排出而殘留。藉由使HF氣體殘留，在本步驟中也可使處理室201內的堆積物蝕刻。
一旦處理室201內的壓力形成第2壓力，則結束本步驟。另外，上述的實施形態是說明有關本步驟的期間，將APC閥244的閥開度設為最大的例子。但，為了在其次的循環的清洗步驟(a)開始之前使處理室201內的壓力安定於第2壓力，亦可將APC閥244的閥開度設為最大之後，慢慢地縮小閥開度，與本步驟結束一起停止處理室201內的排氣(亦即關閉APC閥244)。
(預定次數實施) 藉由進行預定次數(N次：自然數)非同時亦即不使同步依序進行上述的清洗步驟(a)、清洗步驟(b)及排氣步驟(c)的循環，可清洗處理室201內。上述的循環是進行2次以上為理想。
另外，如上述般，在清洗步驟(a)是將HF氣體供給至處理室201內，至處理室201內的壓力上昇至第1壓力帶為止(參照圖5)。然而，第1循環的清洗步驟(a)開始之前的循環(未圖示，以下稱為「0循環」)的清洗步驟(a)是有在處理室201內的壓力上昇至第1壓力帶之前停止HF氣體的供給的情況。這是因為1循環以後的清洗步驟(a)是處理室201內的壓力會從第2壓力(例如100Torr(13332.2Pa))開始，相對的，第0循環的清洗步驟(a)是處理室201內的壓力會從0Torr(0Pa)開始所致。亦即，第0循環的清洗步驟(a)是與1循環以後的清洗步驟(a)作比較，處理室201內的壓力上昇至第1壓力帶為止花費時間。為此，第0循環的清洗步驟(a)是必須長時間供給HF氣體，有在處理室201內產生粒子的可能性。為了迴避此情形，本實施形態是針對第0循環的清洗步驟(a)控制為開始後一旦預定時間，則即使是處理室201內的壓力上昇至第1壓力帶之前也停止HF氣體的供給。並且，被控制為第0循環的清洗步驟(a)的結束後，夾著其他的步驟，將處理室201內的壓力形成第2壓力之後，開始第1循環的清洗步驟(a)。
以下，利用圖6，7來說明有關本實施形態的清洗方法之SiO膜等的堆積物的除去的優越性。
本案者是在處理室201內的爐口部附近的任意的3個區域(區域10，20，30)的各者，配置在表面形成SiO膜的晶片，分別測定藉由3個不同的清洗方法(樣品A，B，C)所被蝕刻的各晶片上的SiO膜的除去量(被除去的厚度)。然後，以該等的各晶片上的SiO膜的除去量作為藉由各清洗方法來除去SiO膜等的堆積物時的堆積物的除去量而進行評價。圖6(a)是表示處理室201內的區域10，20，30的圖。圖6(b)是表示藉由3個不同的清洗方法的樣品A，B，C所被除去的區域10～30的該等的晶片上的SiO膜的量(被除去的厚度)的圖。圖6(b)的橫軸是表示依樣品A～C清洗的區域，區域10被表示於左側，區域20被表示其正中，區域30被表示於右側。圖6(b)的縱軸是表示被形成於各晶片上的SiO膜的除去量(蝕刻量)。
樣品A是重複進行工程的清洗方法，該工程是連續進行： 在密閉狀態下供給HF氣體至處理室201內的壓力上昇至100Torr(13332.2Pa)為止的步驟； 並行實施HF氣體的供給與處理室201內的排氣而將處理室201內的壓力維持於100Torr的步驟；及 在停止HF氣體的供給的狀態下進行排氣至處理室201內的壓力成為0Torr為止的步驟。 樣品B是重複進行工程的清洗方法，該工程是連續進行： 在密閉狀態下供給HF氣體至處理室201內的壓力上昇至200Torr(26664.4Pa)為止的步驟； 在停止HF氣體的供給的狀態下進行排氣至處理室201內的壓力成為0Torr為止的步驟。 樣品C是上述的本實施形態的清洗方法。
如圖6(b)所示般，以晶片上的SiO膜的除去量來表示的堆積物的除去量是在區域10～30的所有的區域中，與樣品A，B作比較，樣品C顯著多。亦即，以本實施形態的方法來清洗處理室201內時，可不依處理室201內的位置，除去堆積物，進一步與樣品A，B作比較可知，可顯著地除去多的堆積物。
藉由本實施形態的清洗方法，可不依處理室201內的位置，除去堆積物，是因為在清洗步驟(a)中，從對於第1壓力帶被相對地減壓的第2壓力來供給HF氣體於密閉狀態。亦即，可使HF氣體擴散至處理室201內的各個角落，結果，可不依處理室201內的位置，均一地蝕刻堆積物。
又，以本實施形態的方法來清洗處理室201內時，與樣品A，B作比較，可顯著地除去更多的堆積物的第1個理由，可舉在清洗步驟(b)中，並行實施處理室201內的排氣與HF氣體的供給。藉此，可一面從處理室201內排出在清洗步驟(a)中被剝離的SiO膜等，迴避再附著於處理室201內，一面重新蝕刻堆積物。相對於此，就樣品B而言，由於不進行對應於清洗步驟(b)的工程，因此進行蝕刻反應的時間短，堆測堆積物的除去量變少。進一步，第2個理由，可舉在清洗步驟(b)中，將處理室201內的壓力維持於可取得有效率的蝕刻反應的壓力範圍的第1壓力帶(例如200Torr(26664.4Pa))而進行。相對於此，就樣品A而言，由於維持比第1壓力帶更低的壓力(例如100Torr(13332.2Pa))，並行處理室201內的排氣與HF氣體的供給，因此推測比本實施形態的清洗方法更無法蝕刻堆積物。
又，圖7是以本實施形態的方法來清洗處理室201內時，與樣品A，B作比較，將可不依處理室201內的位置，均一地除去堆積物的情形設為數值表示的圖。圖7的橫軸是樣品C會被表示於左側，樣品A會被表示於正中，樣品B會被表示於右側。圖7的縱軸是表示蝕刻的位置依存性的高度。位置依存性的高度是有關樣品A～C各者，藉由(Delta/區域10～30的蝕刻量的平均值)×100的計算式，以百分率來表示。樣品A～C的Delta是在各個的樣品A～C中，從區域10～30之中晶片上的SiO膜的除去量的最大值減算最小值後的值。
如圖7所示般，以本實施形態的方法來清洗處理室201內時(樣品C)的位置依存性為未滿40%，最低，其次是樣品A的位置依存性超過40%，樣品B的位置依存性約50百分比，最高。
(4)本實施形態的效果 若根據本實施形態，則可取得以下所示的一個或複數的效果。
(a)在本實施形態中，是在清洗步驟(a)，停止處理室201內的排氣的狀態下，亦即密閉狀態下供給HF氣體，因此可使HF氣體擴散至處理室201內的各個角落。結果，可不依處理室201內的位置，均一地蝕刻堆積物。又，由於在密閉狀態下供給HF氣體，因此相較於同時進行HF氣體的供給與處理室201內的排氣的情況，可取得高的蝕刻速率。
又，在本實施形態中，是在清洗步驟(b)進行處理室201內的排氣，藉此從處理室201內排出在清洗步驟(a)剝離的SiO膜或產生的氟化物等，而可迴避再附著於處理室201內。又，清洗步驟(b)是藉由將處理室201內的壓力維持於第1壓力帶，可以高的蝕刻速率來蝕刻附著於處理室201內的堆積物。亦即，可兼顧剝離的SiO膜或產生的氟化物等的排出與堆積物的蝕刻雙方。
在本實施形態中，是在清洗步驟(c)停止HF氣體的供給，繼續排氣，因此可使在清洗步驟(a)，(b)產生的粒子的殘渣朝處理室201外排出。藉此，可迴避在清洗步驟(a)，(b)中剝離的SiO膜或產生的氟化物等再附著。
並且，在清洗步驟(c)中，將處理室201內的壓力從第1壓力帶下降至第2壓力，在其次的循環的清洗步驟(a)中，再度使上昇至第1壓力帶，使產生壓力變動，藉此可使HF氣體擴散。結果，可均一地有效率地蝕刻堆積物。
而且，在清洗步驟(c)是例如只將處理室201內的壓力下降至第2壓力(例如100Torr(13332.2Pa))，不是下降至0Torr。藉此，在其次的循環的清洗步驟(a)中，可縮短將處理室201內的壓力上昇至第1壓力帶的時間。如此，可縮短密閉狀態的HF氣體的供給時間，因此在其次的循環的清洗步驟(a)中，可抑制在處理室201內產生粒子。並且，其次的循環的清洗步驟(a)的HF氣體的供給量也可抑制。
(b)在本實施形態中，是進行2次以上依序進行清洗步驟(a)、清洗步驟(b)及排氣步驟(c)的循環，因此可使壓力變動確實地產生於處理室201內，可更有效率地清洗處理室201內。
(c)在本實施形態中，是供給含氟化氫的HF氣體，作為清洗氣體。HF氣體是與F2氣體等的其他的清洗氣體作比較，可在比較低溫的溫度帶蝕刻SiO膜等的堆積物。因此，可有效率地蝕刻附著於不易藉由加熱器207加熱的區域，亦即被配置於爐口部附近的密封蓋219、隔熱板218等的堆積物。
＜其他的實施形態＞ 以上，具體地說明本案之一實施形態，但本案不被限定於上述的實施形態，可在不脫離其要旨的範圍實施各種變更。
清洗氣體是舉HF氣體為例進行說明，但本案是不被限定於此。例如，亦可供給F2氣體與一氧化氮(NO)氣體的混合氣體。另外，此情況，加熱器207的溫度是設定為構成被形成於處理室201內的下部的爐口部的構件會成為300～500℃的範圍內的溫度為理想。
又，上述的實施形態是舉在內周設有罩209a的集流腔209為例進行說明，但本案是不被限定於此，在內周未設罩209a的集流腔209也可適用。
又，上述的實施形態是舉氧化物的SiO膜作為處理室201內的堆積物為例進行說明，但本案是不被限定於此。例如，對於堆積物為氮化物的SiN膜或SiON膜的情況也可適用。
又，上述的實施形態是說明有關依序進行清洗步驟(a)、清洗步驟(b)及排氣步驟(c)的循環的預定次數為2次以上的情況，但本案是不被限定於此。亦即，所謂預定次數是可為1次，上述的循環只進行1次的情況也可適用。
201:處理室 232a,232b,232e:氣體供給管 231:排氣管 244:APC閥
[圖1]是在本案之一實施形態所適用的基板處理裝置的縱型處理爐的概略構成圖，以縱剖面圖來表示處理爐部分的圖。 [圖2]是在本案之一實施形態所適用的基板處理裝置的縱型處理爐的概略構成圖，以圖1的A-A線剖面圖來表示處理爐部分的圖。 [圖3]是在本案之一實施形態所適用的基板處理裝置的控制器的概略構成圖，以方塊圖來表示控制器的控制系的圖。 [圖4]是表示本案之一實施形態的成膜處理的氣體供給的時機的圖。 [圖5]是表示本案之一實施形態的清洗氣體的流量與閥的開閉的關係的處理室內的壓力變化的圖。 [圖6]是(a)是表示測定處理室201內的堆積物的除去量之爐口部附近的任意的3個區域(區域10，20，30)的圖，(b)是藉由3個不同的清洗方法(樣品A，B，C)來除去的區域10～30的堆積物的量的圖。 [圖7]是表示以本實施形態的方法來清洗處理室201內時的優越性的圖。
115:晶舟昇降機
121:控制器
200:基板的晶圓
201:處理室
201a:淨化空間
202:處理爐
203:反應管
207:加熱器
209:集流腔
209a:罩
217:晶舟
218:隔熱板
219:密封蓋
220a,220b:密封構件的O型環
231:排氣管
232a,232b,232c,232d,232e,232f:氣體供給管
241a,241b,241c,241d,241e,241f:質量流控制器(MFC)
243a,243b,243c,243d,243e,243f:閥
244:APC閥
245:壓力感測器
246:真空泵
249a,249b,249e:噴嘴
250a,250b:氣體供給孔
255:旋轉軸
263:溫度感測器
267:旋轉機構

Claims (18)

  1. 一種清洗方法，其特徵係藉由實施預定次數循環來除去附著於處理室內的堆積物，該循環係依序進行： (a)在停止處理室內的排氣之狀態下，將清洗氣體供給至前述處理室內，至前述處理室內的壓力上昇至第1壓力帶為止之工程； (b)並行實施前述處理室內的排氣與朝前述處理室內的前述清洗氣體的供給，將前述處理室內的壓力維持於前述第1壓力帶之工程；及 (c)在停止朝前述處理室內的前述清洗氣體的供給之狀態下，進行前述處理室內的排氣，至前述處理室內的壓力成為比前述第1壓力帶更低的第2壓力為止之工程。
  2. 如請求項1記載的清洗方法，其中，前述第1壓力帶，係可藉由前述清洗氣體來取得所望的蝕刻速率的壓力範圍。
  3. 如請求項1記載的清洗方法，其中，前述第2壓力，係藉由前述清洗氣體來產生蝕刻反應的下限壓力值。
  4. 如請求項2記載的清洗方法，其中，前述第2壓力，係藉由前述清洗氣體來產生蝕刻反應的下限壓力值。
  5. 如請求項1～4的任一項所記載的清洗方法，其中，前述清洗氣體為含氟化氫的氣體。
  6. 如請求項5記載的清洗方法，其中，前述第1壓力帶為150Torr以上400Torr以下。
  7. 如請求項5記載的清洗方法，其中，前述第2壓力為100Torr以上。
  8. 如請求項6記載的清洗方法，其中，前述第2壓力為100Torr以上。
  9. 如請求項5記載的清洗方法，其中，在前述(a)～(c)工程中，構成被形成於前述處理室內的下部的爐口部的構件，係被加熱成為0℃以上100℃以下的溫度。
  10. 如請求項9記載的清洗方法，其中，前述清洗氣體，係從被設在前述爐口部的氣體吐出部，對於前述爐口部附近供給。
  11. 如請求項1記載的清洗方法，其中，前述循環係進行2次以上。
  12. 如請求項11記載的清洗方法，其中，至少第2次的前述循環的前述(a)工程，係在前述處理室內的壓力維持前述第2壓力的狀態下開始。
  13. 如請求項1記載的清洗方法，其中，在前述(a)工程的實行後不進行其他的工程，連續實行前述(b)工程。
  14. 如請求項5記載的清洗方法，其中，前述堆積物為含矽物。
  15. 如請求項14記載的清洗方法，其中，前述含矽物為含矽氧化物者。
  16. 一種半導體裝置的製造方法，其特徵係具有： 藉由實施預定次數循環來清洗處理室內之工程，及(d)在前述處理室內收容基板的狀態下，處理前述基板之工程， 上述循環係依序進行： (a)在停止處理室內的排氣之狀態下，將清洗氣體供給至前述處理室內，至前述處理室內的壓力上昇至第1壓力帶為止之工程； (b)並行實施前述處理室內的排氣與朝前述處理室內的前述清洗氣體的供給，將前述處理室內的壓力維持於前述第1壓力帶之工程；及 (c)在停止朝前述處理室內的前述清洗氣體的供給之狀態下，進行前述處理室內的排氣，至前述處理室內的壓力成為比前述第1壓力帶更低的第2壓力為止之工程。
  17. 一種基板處理裝置，其特徵係具有： 收容基板的處理室； 將前述處理室內排氣的排氣系； 將清洗氣體供給至前述處理室內的清洗氣體供給系；及 被構成為可控制前述排氣系與前述清洗氣體供給系的控制部， 前述控制部，係被構成為實施預定次數循環來清洗前述處理室內，該循環係依序進行： (a)在停止處理室內的排氣之狀態下，將前述清洗氣體供給至前述處理室內，至前述處理室內的壓力上昇至第1壓力帶為止之處理； (b)並行實施前述處理室內的排氣與朝前述處理室內的前述清洗氣體的供給，將前述處理室內的壓力維持於前述第1壓力帶之處理；及 (c)在停止朝前述處理室內的前述清洗氣體的供給之狀態下，進行前述處理室內的排氣，至前述處理室內的壓力成為比前述第1壓力帶更低的第2壓力為止之處理。
  18. 一種程式，其特徵係藉由電腦來使實施預定次數循環而清洗處理室內的程序實行於基板處理裝置，該循環係依序進行： (a)在停止基板處理裝置的處理室內的排氣之狀態下，將清洗氣體供給至前述處理室內，至前述處理室內的壓力上昇至第1壓力帶為止之程序； (b)並行實施前述處理室內的排氣與朝前述處理室內的前述清洗氣體的供給，將前述處理室內的壓力維持於前述第1壓力帶之程序；及 (c)在停止朝前述處理室內的前述清洗氣體的供給之狀態下，停止前述處理室內的排氣，至前述處理室內的壓力成為比前述第1壓力帶更低的第2壓力為止之程序。
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