TW202127807A - 低輸入阻抗式電流取樣保持電路模組及二加一階三角積分類比數位轉換器 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種低輸入阻抗式電流取樣保持電路模組,包括共模前饋電路、連接至該共模前饋電路第一差動輸入端的第一電流開關回授記憶電路、以及連接至該共模前饋電路第二差動輸入端的第二電流開關回授記憶電路。該第一電流開關回授記憶電路由第一時脈訊號切換連接至該第一差動輸入端的第一開關,該第二電流開關回授記憶電路由第二時脈訊號切換連接至該第二差動輸入端的第二開關。其中,該第一電流開關回授記憶電路及該第二電流開關回授記憶電路分別包括一參考電流電路、一對應於該參考電流電路的匹配電流電路、以及一設置於該參考電流電路以及匹配電流電路之間的運算放大器,藉由該運算放大器降低該參考電流電路的輸入阻抗。
Description
本發明係有關於一種類比數位轉換器的電流開關回授記憶模組,特別是指一種三角積分類比數位轉換器的電流開關回授記憶模組。
類比數位轉換器(Analog-to-digital converter, ADC)是用於將類比形式的連續訊號轉換為數位形式的離散訊號的一種元件,目前常見的類比數位轉換器包括積分型、逐次逼近型(SAR)、並行比較型/串並行型、電容陣列逐次比較型、及三角積分類比數位轉換器(Delta-Sigma Modulation, DSM)等。其中,三角積分類比數位轉換器(Delta-Sigma Modulation, DSM)是一種相當廣泛使用的過取樣類比數位轉換器,應用於各種消費類電子產品,如高解析度之數據轉換器、DC-DC轉換器、無線傳感器網絡和電機控制器等。
高階三角積分類比數位轉換器可以通過單環或級聯架構獲得,通常稱為MASH架構的級聯架構是採用低階架構來完成高階高效能且穩定性高的最佳架構。影響MASH架構效能最重要的因素之一是因為電路元件不匹配的問題,影響到其效能,因為它們對製程、電壓和溫度變化相當敏感。為了克服不匹配問題,仔細的設計和佈局對於模擬電路至關重要。
其中,資料取樣/保持(Sample & Hold)電路在類比數位轉換器中扮演著相當重要的角色,目前主要的取樣技術包括切換電容式(SC)以及切換電流式(SI)兩種。切換電容式(SC)主要是利用電容來記憶資料達到取樣功能,切換電流式(SI)則是利用MOSFET的閘-源極間之寄生電容(Cgs)記憶資料;與切換電容式相比,切換電流式由於其高速、低電源電壓和小晶片面積而更具有吸引力。然而,切換電流式具有傳輸誤差、脈衝穿透效應、非線性等缺失。基於上述的缺失,現有技術已經開發了不同的技術來改善開關電流電路的上述缺點,通過使用最小取樣取樣開關來最優化脈衝穿透效應,在回授記憶單元(FMC)的幫助下可以改善傳輸誤差,輸入阻抗減少了兩倍;共模電路(CMFF)的設計則消除了偏移電流,從而解決了非線性的問題。
上述切換電流式的回授記憶單元,儘管已經具有低輸入阻抗和較小的傳輸誤差,但仍受限於不匹配之製程參數變異、電路架構之傳輸誤差、以及MOS做為開關與記憶元件間之脈衝穿透效應、以及主動元件本身固有之雜訊等非理想效應的影響,而尚待有可改善的空間。
本發明的主要目的,在於提供一種低輸入阻抗式電流取樣保持電路模組,配合三角積分類比數位轉換器的積分器設置。該低輸入阻抗式電流取樣保持電路模組包括共模前饋電路、一連接至該共模前饋電路第一差動輸入端的第一電流開關回授記憶電路、以及一連接至該共模前饋電路第二差動輸入端的第二電流開關回授記憶電路。該第一電流開關回授記憶電路由第一時脈訊號切換連接至該第一差動輸入端的第一開關,該第二電流開關回授記憶電路由第二時脈訊號切換連接至該第二差動輸入端的第二開關。其中,該第一電流開關回授記憶電路及該第二電流開關回授記憶電路分別包括一參考電流電路、一對應於該參考電流電路的匹配電流電路、以及一設置於該參考電流電路以及匹配電流電路之間的運算放大器,藉由該運算放大器降低該參考電流電路的輸入阻抗。
本發明的另一目的,在於提供一種二加一階三角積分類比數位轉換器,包括一數位訊號調變器、以及一數位雜訊消除電路。該數位訊號調變器包括一接收外部輸入訊號的第一級調變器、以及一輸入端連接至該第一級調變器的第二級調變器,該第一級調變器包括積分器、數位類比轉換器以及第一量化器以輸出一第一量化取樣訊號,該第二級調變器包括積分器、數位類比轉換器以及第二量化器用以輸出一第二量化取樣訊號,其中該積分器包括一低輸入阻抗式電流取樣保持電路模組,該低輸入阻抗式電流取樣保持電路模組包括共模前饋電路、一連接至該共模前饋電路第一差動輸入端的第一電流開關回授記憶電路、以及一連接至該共模前饋電路第二差動輸入端的第二電流開關回授記憶電路,該第一電流開關回授記憶電路由第一時脈訊號切換連接至該第一差動輸入端的第一開關,該第二電流開關回授記憶電路由第二時脈訊號切換連接至該第二差動輸入端的第二開關,其中,該第一電流開關回授記憶電路及該第二電流開關回授記憶電路分別包括一參考電流電路、一對應於該參考電流電路的匹配電流電路、以及一設置於該參考電流電路以及匹配電流電路之間的運算放大器,藉由該運算放大器降低該參考電流電路的輸入阻抗。該數位雜訊消除電路包括一第一輸入端、一第二輸入端、以及一輸出端,該第一輸入端用以接收該第一量化取樣訊號,該第二輸入端用以接收該第二量化取樣訊號,該輸出端的輸出訊號與該第一量化取樣訊號及該第二量化取樣訊號之間符合以下的關係式:;其中,為輸出端的輸出訊號,為該第一輸入端的第一量化取樣訊號,為該第二輸入端的第二量化取樣訊號。
是以,本發明相較於已知技術具有以下的優勢功效:
1. 本發明與傳統的回授記憶單元(Feedback Memory Cell)相比,可以更大幅地降低輸入阻抗,藉此減少傳輸誤差。
2. 本發明通過改進的回授記憶電路(FMC)配合差分交錯連接的共模電路,修正並加速了響應電路並帶來穩定的輸出電流。
有關本發明之詳細說明及技術內容,現就配合圖式說明如下。再者,本發明中之圖式,為說明方便,其比例未必照實際比例繪製,該等圖式及其比例並非用以限制本發明之範圍,在此先行敘明。
本發明主要是揭示一種用於三階(二加一階)多級雜訊頻移(Multi-Stage Noise Shaping, MASH)三角積分調變器的取樣保持電路模組100。在本發明所舉出的具體實施態樣中,最終使用的回授記憶電路可以將輸入阻抗減小(1+A)倍,大大優於傳統回授記憶電路僅能將輸入阻抗減少2倍的效果,藉此本發明所採用的回授記憶電路相較於習知回授記憶電路可以提高傳輸速度及精確度達到降低傳輸誤差的效果。此外,透過交錯連接的共模前饋電路(CMFF)則可以更進一步提高共模電位的穩定性,藉此快速回應電路位準並帶來穩定的輸出電流。最終所提出的數位雜訊消除電路可以降低最後一級的高階量化雜訊,同時消除了來自調變器早期階段的低階量化雜訊。
有關於本發明的具體實施方式,以下請配合參閱「圖1」及「圖2」,係揭示本發明中三角積分類比數位轉換器的方塊示意圖、以及積分器的方塊示意圖,如圖所示:
「圖1」所示為具有數位雜訊消除電路(Digital Noise Cancellation Circuit, DNCC)的三角積分類比數位轉換器100的方塊圖,所提出的三角積分類比數位轉換器100包括數位訊號調變器10(Digital Signal Modulator, DSM)以及後端的數位雜訊消除電路20(Digital Noise Cancellation Circuit, DNCC)。該數位訊號調變器10包括第一級調變器11和第二級調變器12。如圖1所示,三角積分類比數位轉換器100的模擬係數列於下表1中。
表1、四階多級雜訊頻移三角積分調變器的模擬係數
代號 | a1 | b1 | a2 | b2 | a3 | b3 | a4 | b4 |
模擬係數 | 0.5 | 1 | 0.5 | 1 | 0.5 | 1 | 2 | 1 |
數位訊號調變器10的主要組成包括積分器、1位元量化器、數位-類比轉換器(Digital-Analog Converter, DAC)和非重疊時脈產生器。整體數位訊號調變器10的性能是由兩個級聯積分器(第一級調變器11和第二級調變器12)決定。每一級調變器由兩個積分器D1、D2(積分器D3、D4)組成,並由第一取樣保持電路SH1和第二取樣保持電路SH2建立一個積分器,又稱為延遲單元(Z-1
)。非重疊時脈產生器係用於控制取樣保持電路中開關(、)的操作,如「圖2」所示。
具體而言,該數位訊號調變器10主要包括四個積分器(第一積分器D1、第二積分器D2、第三積分器D3、第四積分器D4)、四個數位類比轉換器(第一數位類比轉換器b1
、第二數位類比轉換器b2
、第三數位類比轉換器b3
、第四數位類比轉換器b4)
、兩個1位元量化器(第一量化器Q1、第二量化器Q2)、四個係數調整器(第一係數調整器a1
、第二係數調整器a2
、第三係數調整器a3
、第四係數調整器a4)
、一重疊時脈產生器(圖略)、以及一偏壓電流產生器(圖略)。於數位訊號調變器10中,第一積分器D1用以接收一外部輸入訊號IN與第一數位類比轉換器b1
之輸出訊號的相減值,經由第一係數調整器a1
產生第一輸出訊號;該第一輸出訊號會與第二數位類比轉換器b2
的輸出訊號相減,並將相減後的結果送給第二積分器D2,再由第二積分器D2經由第二係數調整器a2
後產生第二輸出訊號;接著,該第二輸出訊號輸出至第一量化器Q1;另,由第一量化器Q1的輸出端所產生的第三輸出訊號會被連接到第一數位類比轉換器b1
與第二數位類比轉換器b2
的輸入端,以及數位消除電路20的第一接收端21,並分別由第一數位類比轉換器b1
將輸出訊號回授至第一積分器D1、第二數位類比轉換器b2
會將輸出訊號回授至第二積分器D2;以上為第一級調變器11的架構。
同時,該第二輸出訊號也會與第三數位類比轉換器b3
的輸出訊號相減,並將相減結果送給該第三積分器D3,再由第三積分器D3經由第三係數調整器a3
產生第四輸出訊號;該第四輸出訊號會與第四數位類比轉換器b4
的輸出訊號相減,並將相減後的結果送給第四積分器D4,再由第四積分器D4經由第四係數調整器a4
後產生第五輸出訊號;再者,由該第四積分器D4所產生的第五輸出訊號被連接到第二量化器Q2的輸入端,經由第二量化器Q2來產生第六輸出訊號;該第六輸出訊號同時被連接至第三數位類比轉換器b3
與第四數位類比轉換器b4
的輸入端與數位消除電路20的第二接收端22,且由該第三數位類比轉換器b3
及該第四數位類比轉換器b4
將輸出訊號回授至第三積分器D3以及第四積分器D4。
有關於電流取樣保持電路模組(SH1、SH2)的架構,以下請一併配合參閱「圖3」、「圖4」及「圖5」,係揭示本發明電流取樣保持電路模組的電路示意圖(一)、電路示意圖(二)、以及等效電路示意圖,如圖所示:
於本實施態樣中,該電流取樣保持電路模組SH主要包括共模前饋電路CMF、一連接至該共模前饋電路CMF第一差動輸入端的第一電流開關回授記憶電路FMC1、以及一連接至該共模前饋電路CMF第二差動輸入端的第二電流開關回授記憶電路FMC2,該第一電流開關回授記憶電路FMC1由第一時脈訊號切換連接至該第一差動輸入端的第一開關SW1,該第二電流開關回授記憶電路FMC2由第二時脈訊號切換連接至該第二差動輸入端的第二開關SW2,其中,該第一電流開關回授記憶電路FMC1及該第二電流開關回授記憶電路FMC2分別包括一參考電流電路IRF1(參考電流電路IRF2)、一對應於該參考電流電路IRF1(參考電流電路IRF2)的匹配電流電路IMA1(匹配電流電路IMA2)、以及一設置於該參考電流電路IRF1(參考電流電路IRF2)以及匹配電流電路IMA1(匹配電流電路IMA2)之間的運算放大器AP1(運算放大器AP2),藉由該運算放大器AP1(運算放大器AP2)降低該參考電流電路IRF1(參考電流電路IRF2)的輸入阻抗。
該參考電流電路IRF1包括一第一P型場效電晶體M1、以及一第一N型場效電晶體M2,該第一P型場效電晶體M1的源極係連接至電源電壓VCC
,該第一P型場效電晶體M1的汲極係連接至該第一N型場效電晶體M2的汲極,該第一N型場效電晶體M2的源極係連接至接地端G,電流訊號輸入端ISS係饋入至該第一P型場效電晶體M1的汲極以及一第一N型場效電晶體M2的汲極之間,該第一N型場效電晶體M2的汲極係連接至該第一N型場效電晶體M2的閘極;該匹配電流電路IMA1包括一第二P型場效電晶體M3、以及一第二N型場效電晶體M4,該第二P型場效電晶體M3的源極係連接至該電源電壓VCC
,該第二P型場效電晶體M3的汲極係連接至該第二N型場效電晶體M4的汲極,該第二N型場效電晶體M4的源極係連接至接地端G,該第二P型場效電晶體M3的汲極係連接至該第二P型場效電晶體M3的閘極,其中,該第一P型場效電晶體M1的閘極係連接至該第二P型場效電晶體M3的閘極,該運算放大器AP1的輸入端係連接至該第一N型場效電晶體M2的閘極,該運算放大器AP1的輸出端係連接至該第二N型場效電晶體M4的閘極。其中,參考電流電路IRF2的第一P型場效電晶體M11、第二P型場效電晶體M9、第一N型場效電晶體M12、第二N型場效電晶體M10與該參考電流電路IRF1為對稱式的設計。
該第一電流開關回授記憶電路FMC1於其匹配電流電路IMA1的後端連接一第一共模回授電路CF1,該第二電流開關回授記憶電路FMC2於其匹配電流電路IMA2的後端連接一第二共模回授電路CF2,該第一共模回授電路CF1係連接至該第二共模回授電路CF2以平衡該第一電流開關回授記憶電路FMC1以及該第二電流開關回授記憶電路FMC2的共模點準位。
該第一共模回授電路CF1包括一第三P型場效電晶體M5、以及一第三N型場效電晶體M6,該第三P型場效電晶體M5的源極係連接至該電源電壓VCC
,該第三P型場效電晶體M5的閘極係連接至該第一電流開關回授記憶電路FMC1的第二P型場效電晶體M3的閘極,該第三N型場效電晶體M6的源極係連接至該接地端G,該第三N型場效電晶體M6的閘極係連接至該第一電流開關回授記憶電路FMC1的該第二N型場效電晶體M4的汲極;該第二共模回授電路CF2包括一第四P型場效電晶體M7、以及一第四N型場效電晶體M8,該第四P型場效電晶體M7的源極係連接至該電源電壓,該第四P型場效電晶體M7的閘極係連接至該第二電流開關回授記憶電路FMC2的第二P型場效電晶體M9的閘極,該第四N型場效電晶體M8的源極係連接至該接地端G,該第四N型場效電晶體M8的閘極係連接至該第二電流開關回授記憶電路FMC2的該第二N型場效電晶體M10的汲極;其中,該第三P型場效電晶體M5的汲極(A)係連接至該第四N型場效電晶體M8的汲極(A),該第四P型場效電晶體M7的汲極(B)係連接至該第三N型場效電晶體M6的汲極(B)。
其中是第一N型場效電晶體M2的轉導、是第五N型場效電晶體M13的轉導、是第六N型場效電晶體M14的轉導、是第二N型場效電晶體M4的轉導、是第七N型場效電晶體M15的轉導、是第一P型場效電晶體M1的轉導、是第二P型場效電晶體M3的轉導。等於[]是電子控制的回授電阻,其中是第五N型場效電晶體M13的輸出阻抗、其中是第六N型場效電晶體M14的輸出阻抗。是節點電壓相對於節點電壓的轉移函數(Transfer Function)。其中,輸出電流等於,輸入阻抗可由下式給出:;
如上面的式子所示可知,本發明的架構與傳統回授記憶單元相比(1/2倍),輸入阻抗更進一步降低了()/2倍,由於輸入阻抗的下降使得傳輸誤差大幅地降低。改良後的切換電流式回授記憶電路後端係配合設置耦合差動複製(Coupled Differential Replicate, CDR)的共模前饋電路CMF,透過該共模前饋電路CMF改善製程變異所導致的共模輸出準位漂移,使得共模位準的輸出穩定,當輸出至下一級電路時不影響其信號位準。如圖3所示,所述的共模前饋電路CMF利用場效電晶體M16、M17、M18所產生的補償電流吸引差動對場效電晶體M24、M20的誤差電流,使得共模輸出可維持固定;同樣的,所述的共模前饋電路CMF利用場效電晶體M21、M22、M23所產生的補償電流吸引差動對場效電晶體M25、M19的誤差電流,使得共模輸出可維持固定,透過上述的配置可大量改善傳輸誤差。
以下請配合參閱「圖6」以及「圖7」,係揭示本發明中數位雜訊消除電路的方塊示意圖以及D型正反器的方塊示意圖,如圖所示:
所述的數位雜訊消除電路20包括第一輸入端P1、第二輸入端P2、輸出端P3、延遲器21、第一一階差分運算器22、第二一階差分運算器23、第一係數調整器d1、以及第二係數調整器d2。
該第一輸入端P1所輸入的第一量化取樣訊號,係經由第一係數調整器d1後傳送至該延遲器21,該延遲器21於接收該第一量化取樣訊號後,依據該第一量化取樣訊號產生一第一輸出訊號。
該第二輸入端P2所輸入的第二量化取樣訊號,係經由第二係數調整器d2後,與該第一輸出訊號相減後輸入至該第一一階差分運算器22並輸出一第二輸出訊號;該第二輸出訊號輸入至該第二一階差分運算器23並輸出一第三輸出訊號,該第三輸出訊號加上該第一輸出訊號以輸出一第四輸出訊號至該輸出端P3。
其中,,,,。輸出數字介於-19和+19之間,分別作為A,B,C,D和E的輸入函數。6位元數字,從S1到S6,以2補數形式,用於表示輸出數字。其中S6是輸出數字的最高有效位元(Most Significant Bit, MSB),S1是輸出數字的最低有效位元(Least Significant Bit, LSB)。 如上面的式子所示,實現數位雜訊消除電路20需要五個延遲單元(分別對應A、B、C、D、E),可以使用一對D型正反器FF1、FF2(如圖7所示)產生一個延遲單元(),如圖7所示,非重疊時脈信號、分別輸出至該D型正反器FF1、及FF2,使用一對D型正反器FF1、FF2產生一個單位延遲()。該輸出數字可寫為:
S6=Ʃm(0,2,3,6,7,8,10,11,14,15,18,19,22,26,27,30);
S5=Ʃm(0,3,6,7,8,11,14,15,18,19,21,22,26,27,29,30);
S4=Ʃm(0,2,5,7,8,10,13,15,17,19,20,22,25,27,28,30);
S3=Ʃm(0,1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11,12,13,14,15);
S2=Ʃm(0,1,2,3,4,5,6,7,16,17,18,19,20,21,22,23);
S1=1。
「圖8」示出了利用所提出的算法實現的所提出的DNCC的模擬輸入,輸入將被延遲3個單位和4個單位以分別產生和;此外,輸入以產生,並且延遲1個單位和2個單位以分別產生和。其中,DNCC於六位元2的補數表格對應如下:
物件 | 輸入 | 輸出 | 2的補數值 | |||||||||
A | B | C | D | E | Y = F+G | S6 | S5 | S4 | S3 | S2 | S1 | |
0 | -1 | -1 | -1 | -1 | -1 | -1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
1 | -1 | -1 | -1 | -1 | 1 | 7 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 | 1 |
2 | -1 | -1 | -1 | 1 | -1 | -17 | 1 | 0 | 1 | 1 | 1 | 1 |
3 | -1 | -1 | -1 | 1 | 1 | -9 | 1 | 1 | 0 | 1 | 1 | 1 |
4 | -1 | -1 | 1 | -1 | -1 | 7 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 | 1 |
5 | -1 | -1 | 1 | -1 | 1 | 15 | 0 | 0 | 1 | 1 | 1 | 1 |
6 | -1 | -1 | 1 | 1 | -1 | -9 | 1 | 1 | 0 | 1 | 1 | 1 |
7 | -1 | -1 | 1 | 1 | 1 | -1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
8 | -1 | 1 | -1 | -1 | -1 | -3 | 1 | 1 | 1 | 1 | 0 | 1 |
9 | -1 | 1 | -1 | -1 | 1 | 5 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 1 |
10 | -1 | 1 | -1 | 1 | -1 | -19 | 1 | 0 | 1 | 1 | 0 | 1 |
11 | -1 | 1 | -1 | 1 | 1 | -11 | 1 | 1 | 0 | 1 | 0 | 1 |
12 | -1 | 1 | 1 | -1 | -1 | 5 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 1 |
13 | -1 | 1 | 1 | -1 | 1 | 13 | 0 | 0 | 1 | 1 | 0 | 1 |
14 | -1 | 1 | 1 | 1 | -1 | -11 | 1 | 1 | 0 | 1 | 0 | 1 |
15 | -1 | 1 | 1 | 1 | 1 | -3 | 1 | 1 | 1 | 1 | 0 | 1 |
16 | 1 | -1 | -1 | -1 | -1 | 3 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 |
17 | 1 | -1 | -1 | -1 | 1 | 11 | 0 | 0 | 1 | 0 | 1 | 1 |
18 | 1 | -1 | -1 | 1 | -1 | -13 | 1 | 1 | 0 | 0 | 1 | 1 |
19 | 1 | -1 | -1 | 1 | 1 | -5 | 1 | 1 | 1 | 0 | 1 | 1 |
20 | 1 | -1 | 1 | -1 | -1 | 11 | 0 | 0 | 1 | 0 | 1 | 1 |
21 | 1 | -1 | 1 | -1 | 1 | 19 | 0 | 1 | 0 | 0 | 1 | 1 |
22 | 1 | -1 | 1 | 1 | -1 | -5 | 1 | 1 | 1 | 0 | 1 | 1 |
23 | 1 | -1 | 1 | 1 | 1 | 3 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 |
24 | 1 | 1 | -1 | -1 | -1 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 |
25 | 1 | 1 | -1 | -1 | 1 | 9 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 | 1 |
26 | 1 | 1 | -1 | 1 | -1 | -15 | 1 | 1 | 0 | 0 | 0 | 1 |
27 | 1 | 1 | -1 | 1 | 1 | -7 | 1 | 1 | 1 | 0 | 0 | 1 |
28 | 1 | 1 | 1 | -1 | -1 | 9 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 | 1 |
29 | 1 | 1 | 1 | -1 | 1 | 17 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 1 |
30 | 1 | 1 | 1 | 1 | -1 | -7 | 1 | 1 | 1 | 0 | 0 | 1 |
31 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 |
於一實施例中,例如A=-1,B=+1,C=-1,D=-1和E=+1,Y(z)=(2A-B)+(4C-8D+4E)=5,於2的補碼值(S6至S1)輸出為000101(如上表所示)。
以下請配合參閱「圖9」、「圖10」及「圖11」,係揭示傳統回授記憶電路與改良回授記憶電路的傳輸錯誤模擬示意圖、輸入電流和輸出電流的線性關係示意圖,如圖所示:
在「圖9」中,示出了傳統回授記憶電路和本發明改良後的回授記憶電路的傳輸誤差百分比模擬示意圖,如圖中所表示,本發明改良後的回授記憶電路於±35μA提供大約0.1%的傳輸誤差。此外,當回授記憶電路提供振盪時,該傳輸誤差實際上是線性的。因此,改良後的回授記憶電路提供更好的穩定性。
在「圖10」中,示出了輸入電流和輸出電流的線性關係;「圖11」示出了於正弦輸入信號時電流模式取樣保持電路的模擬示意圖,當頻率為500 kHz,振幅為25μA時,取樣頻率為10.24 MHz,過取樣率為256,依據上述的模擬示意圖表示本發明的保持電路的準確度和可行度均能夠達到相當不錯的表現。
綜上所述,本發明與傳統的回授記憶電路(Feedback Memory Cell)相比,可以更大幅地降低輸入阻抗,藉此減少傳輸誤差。此外,本發明通過改進的回授記憶電路配合差分交錯連接的共模電路,修正並加速了響應電路並帶來穩定的輸出電流。
以上已將本發明做一詳細說明,惟以上所述者,僅惟本發明之一較佳實施例而已,當不能以此限定本發明實施之範圍,即凡依本發明申請專利範圍所作之均等變化與修飾,皆應仍屬本發明之專利涵蓋範圍內。
100:三角積分類比數位轉換器
10:數位訊號調變器
11:第一級調變器
12:第二級調變器
20:數位雜訊消除電路
SH1:第一取樣保持電路
SH2:第二取樣保持電路
D:切換電流式延遲單元
D1:第一積分器
D2:第二積分器
D3:第三積分器
D4:第四積分器
a1
:第一係數調整器
a2
:第二係數調整器
a3
:第三係數調整器
a4
:第四係數調整器
b1
:第一數位類比轉換器
b2
:第二數位類比轉換器
b3
:第三數位類比轉換器
b4
:第四數位類比轉換器
Q1:第一量化器
Q2:第二量化器
IN:外部輸入訊號
SH:電流取樣保持電路模組
FMC1:第一電流開關回授記憶電路
SW1:第一開關
IRF1:參考電流電路
M1:第一P型場效電晶體
M2:第一N型場效電晶體
IMA1:匹配電流電路
M3:第二P型場效電晶體
M4:第二N型場效電晶體
AP1:運算放大器
FMC2:第二電流開關回授記憶電路
SW2:第二開關
IRF2:參考電流電路
M11:第一P型場效電晶體
M12:第一N型場效電晶體
IMA2:匹配電流電路
M9:第二P型場效電晶體
M10:第二N型場效電晶體
AP2:運算放大器
M13:第五N型場效電晶體
M14:第六N型場效電晶體
M15:第七N型場效電晶體
VCC
:電源電壓
G:接地端
ISS:電流訊號輸入端
CF1:第一共模回授電路
M5:第三P型場效電晶體
M6:第三N型場效電晶體
CF2:第二共模回授電路
M7:第四P型場效電晶體
M8:第四N型場效電晶體
CMF:共模前饋電路
M16:場效電晶體
M17:場效電晶體
M18:場效電晶體
M19:場效電晶體
M20:場效電晶體
M21:場效電晶體
M22:場效電晶體
M23:場效電晶體
M24:場效電晶體
M25:場效電晶體
FF1:D型正反器
FF2:D型正反器:非重疊時鐘信號:非重疊時鐘信號
P1:第一輸入端
P2:第二輸入端
P3:輸出端
圖1為本發明中三角積分類比數位轉換器的方塊示意圖。
圖2為本發明中積分器的方塊示意圖。
圖3為本發明電流取樣保持電路模組的電路示意圖(一)。
圖4為本發明電流取樣保持電路模組的電路示意圖(二)。
圖5為本發明電流取樣保持電路模組的等效電路。
圖6為本發明中數位雜訊消除電路的方塊示意圖。
圖7為本發明中D型正反器的方塊示意圖。
圖8為數位雜訊消除電路(DNCC)的模擬輸入-輸出模擬波形圖。
圖9為傳統回授記憶電路和本發明改良後的回授記憶電路的傳輸誤差百分比模擬圖。
圖10為輸入電流和輸出電流的線性關係圖。
圖11為於正弦輸入信號時電流模式取樣保持電路的模擬圖。
SH:電流取樣保持電路模組
FMC1:第一電流開關回授記憶電路
SW1:第一開關
IRF1:參考電流電路
M1:第一P型場效電晶體
M2:第一N型場效電晶體
IMA1:匹配電流電路
M3:第二P型場效電晶體
M4:第二N型場效電晶體
AP1:運算放大器
FMC2:第二電流開關回授記憶電路
SW2:第二開關
IRF2:參考電流電路
M11:第一P型場效電晶體
M12:第一N型場效電晶體
IMA2:匹配電流電路
M9:第二P型場效電晶體
M10:第二N型場效電晶體
AP2:運算放大器
VCC
:電源電壓
G:接地端
ISS:電流訊號輸入端
CF1:第一共模回授電路
M5:第三P型場效電晶體
M6:第三N型場效電晶體
CF2:第二共模回授電路
M7:第四P型場效電晶體
M8:第四N型場效電晶體
CMF:共模前饋電路
M16:場效電晶體
M17:場效電晶體
M18:場效電晶體
M19:場效電晶體
M20:場效電晶體
M21:場效電晶體
M22:場效電晶體
M23:場效電晶體
M24:場效電晶體
M25:場效電晶體
Claims (6)
- 一種低輸入阻抗式電流取樣保持電路模組,配合三角積分類比數位轉換器的積分器設置,該低輸入阻抗式電流取樣保持電路模組包括共模前饋電路、一連接至該共模前饋電路第一差動輸入端的第一電流開關回授記憶電路、以及一連接至該共模前饋電路第二差動輸入端的第二電流開關回授記憶電路,該第一電流開關回授記憶電路由第一時脈訊號切換連接至該第一差動輸入端的第一開關,該第二電流開關回授記憶電路由第二時脈訊號切換連接至該第二差動輸入端的第二開關,其中,該第一電流開關回授記憶電路及該第二電流開關回授記憶電路分別包括一參考電流電路、一對應於該參考電流電路的匹配電流電路、以及一設置於該參考電流電路以及匹配電流電路之間的運算放大器,藉由該運算放大器降低該參考電流電路的輸入阻抗。
- 如申請專利範圍第1項所述的低輸入阻抗式電流取樣保持電路模組,其中,該參考電流電路包括一第一P型場效電晶體、以及一第一N型場效電晶體,該第一P型場效電晶體的源極係連接至電源電壓,該第一P型場效電晶體的汲極係連接至該第一N型場效電晶體的汲極,該第一N型場效電晶體的源極係連接至接地端,電流訊號輸入端係饋入至該第一P型場效電晶體的汲極以及一第一N型場效電晶體的汲極之間,該第一N型場效電晶體的汲極係連接至該第一N型場效電晶體的閘極;該匹配電流電路包括一第二P型場效電晶體、以及一第二N型場效電晶體,該第二P型場效電晶體的源極係連接至該電源電壓,該第二P型場效電晶體的汲極係連接至該第二P型場效電晶體的汲極,該第二N型場效電晶體的源極係連接至接地端,該第二P型場效電晶體的汲極係連接至該第一N型場效電晶體的閘極,其中,該第一P型場效電晶體的閘極係連接至該第二P型場效電晶體的閘極,該運算放大器的輸入端係連接至該第一N型場效電晶體的閘極,該運算放大器的輸出端係連接至該第二N型場效電晶體的閘極。
- 如申請專利範圍第2項所述的低輸入阻抗式電流取樣保持電路模組,其中,該第一電流開關回授記憶電路於其匹配電流電路的後端連接一第一共模回授電路,該第二電流開關回授記憶電路於其匹配電流電路的後端連接一第二共模回授電路,該第一共模回授電路係連接至該第二共模回授電路以平衡該第一電流開關回授記憶電路以及該第二電流開關回授記憶電路的共模準位。
- 如申請專利範圍第3項所述的低輸入阻抗式電流取樣保持電路模組,其中,該第一共模回授電路包括一第三P型場效電晶體、以及一第三N型場效電晶體,該第三P型場效電晶體的源極係連接至該電源電壓,該第三P型場效電晶體的閘極係連接至該第一電流開關回授記憶電路的第二P型場效電晶體的閘極,該第三N型場效電晶體的源極係連接至該接地端,該第三N型場效電晶體的閘極係連接至該第一電流開關回授記憶電路的該第二N型場效電晶體的汲極;該第二共模回授電路包括一第四P型場效電晶體、以及一第四N型場效電晶體,該第四P型場效電晶體的源極係連接至該電源電壓,該第四P型場效電晶體的閘極係連接至該第二電流開關回授記憶電路的第二P型場效電晶體的閘極,該第四N型場效電晶體的源極係連接至該接地端,該第四N型場效電晶體的閘極係連接至該第二電流開關回授記憶電路的該第二N型場效電晶體的汲極;其中,該第三P型場效電晶體的汲極係連接至該第四N型場效電晶體的汲極,該第四P型場效電晶體的汲極係連接至該第三N型場效電晶體的汲極。
- 一種二加一階三角積分類比數位轉換器,包括: 一數位訊號調變器,包括一接收外部輸入訊號的第一級調變器、以及一輸入端連接至該第一級調變器的第二級調變器,該第一級調變器包括積分器、數位類比轉換器以及第一量化器以輸出一第一量化取樣訊號,該第二級調變器包括積分器、數位類比轉換器以及第二量化器用以輸出一第二量化取樣訊號,其中該積分器包括一低輸入阻抗式電流取樣保持電路模組,該低輸入阻抗式電流取樣保持電路模組包括共模前饋電路、一連接至該共模前饋電路第一差動輸入端的第一電流開關回授記憶電路、以及一連接至該共模前饋電路第二差動輸入端的第二電流開關回授記憶電路,該第一電流開關回授記憶電路由第一時脈訊號切換連接至該第一差動輸入端的第一開關,該第二電流開關回授記憶電路由第二時脈訊號切換連接至該第二差動輸入端的第二開關,其中,該第一電流開關回授記憶電路及該第二電流開關回授記憶電路分別包括一參考電流電路、一對應於該參考電流電路的匹配電流電路、以及一設置於該參考電流電路以及匹配電流電路之間的運算放大器,藉由該運算放大器降低該參考電流電路的輸入阻抗;以及 一數位雜訊消除電路,包括一第一輸入端、一第二輸入端、以及一輸出端,該第一輸入端用以接收該第一量化取樣訊號,該第二輸入端用以接收該第二量化取樣訊號,該輸出端的輸出訊號與該第一量化取樣訊號及該第二量化取樣訊號之間符合以下的關係式:; 其中,為輸出端的輸出訊號,為該第一輸入端的第一量化取樣訊號,為該第二輸入端的第二量化取樣訊號。
- 如申請專利範圍第5項所述的二加一階三角積分類比數位轉換器,其中,該第一輸入端所輸入的第一量化取樣訊號,係經由第一係數調整器後傳送至該延遲器,該延遲器於接收該第一量化取樣訊號後,依據該第一量化取樣訊號產生一第一輸出訊號; 該第二輸出端所輸入的第二量化取樣訊號,係經由第二係數調整器後,經由一減法器與該第一輸出訊號相減後輸入至該第一一階差分運算器並輸出一第二輸出訊號,該第二輸出訊號輸入至該第二一階差分運算器並輸出一第三輸出訊號,該第三輸出訊號經由一加法器加上該第一輸出訊號以輸出一第四輸出訊號至該輸出端。
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TW109100627A TWI720773B (zh) | 2020-01-08 | 2020-01-08 | 低輸入阻抗式電流取樣保持電路模組及二加一階三角積分類比數位轉換器 |
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Family Cites Families (5)
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TW200629738A (en) * | 2004-10-12 | 2006-08-16 | Sony Corp | Sample hold circuit, and pipeline ad converter using the circuit |
TW201105048A (en) * | 2009-07-21 | 2011-02-01 | Univ Nat Taipei Technology | Fully differential high-order multi-stage noise shaping switched-current delta-sigma modulator |
EP2466745A1 (en) * | 2010-12-17 | 2012-06-20 | Dialog Semiconductor GmbH | Amplifier common-mode control methods |
EP2645565B1 (en) * | 2012-03-27 | 2019-03-06 | Dialog Semiconductor GmbH | A fully differential amplifier topology to drive dynamic speakers in class AB mode |
-
2020
- 2020-01-08 TW TW109100627A patent/TWI720773B/zh active
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