TW202127408A - 可撓性透明電子裝置之製造方法及物品 - Google Patents

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川上玲美
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日商Ａｇｃ股份有限公司
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Abstract

本發明之一形態係準備於具有絕緣性之支持基板(1)上形成有可撓性透明電子裝置之物品，並自物品中之支持基板(1)將可撓性透明電子裝置(100)剝離之可撓性透明電子裝置之製造方法，上述可撓性透明電子裝置具備可撓性透明基材(10)、形成於可撓性透明基材(10)上之電子元件(20)及覆蓋電子元件(20)之透明樹脂製之保護層(50)。準備物品時，支持基板(1)與可撓性透明基材(10)之間形成有以樹脂為主成分且具有104 ～1013 Ω/□之表面電阻率之剝離層(2)。或可撓性透明基材(10)具有104 ～1013 Ω/□之表面電阻率。

Description

可撓性透明電子裝置之製造方法及物品
本發明係關於一種可撓性透明電子裝置之製造方法及物品。
專利文獻1中揭示有一種將形成於透明基材上之發光二極體(LED：Light Emitting Diode)元件用於像素之透明顯示裝置。關於此種透明顯示裝置，經由該透明顯示裝置可視認背面側，故例如可用於汽車之前窗玻璃等。作為相關技術，已知有透明基材上設置有微感測器之透明感測裝置。
本說明書中，將如透明顯示裝置或透明感測裝置等透明基材上形成有電子元件之可視認背面側之電子裝置稱為「透明電子裝置」。於透明電子裝置中，若透明基材為可撓性，則獲得「可撓性透明電子裝置」。
作為可撓性電子裝置之製造方法，已知有於支持基板上依序形成可撓性基材及電子元件之後，將包含可撓性基材及電子元件之可撓性電子裝置自支持基板剝離之方法。例如專利文獻2、3中揭示有一種使用雷射光將形成於支持基板上之可撓性顯示裝置與支持基板剝離之方法。
且論，專利文獻4中揭示有一種使保護貼附於電子元件之阻氣膜並且在將阻氣膜貼附於電子元件時剝離之保護膜具有抗靜電功能之技術。抑制自阻氣膜剝離保護膜時阻氣膜帶電。  [先前技術文獻]  [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2006-301650號公報  [專利文獻2]國際公開第2018/029766號  [專利文獻3]國際公開第2012/042822號  [專利文獻4]日本專利特開2011-046107號公報
[發明所欲解決之問題]
於將專利文獻2、3中揭示之方法應用於可撓性透明電子裝置之製造方法之情形時，會將形成於支持基板上之可撓性透明電子裝置自支持基板剝離。對於此種方法，本發明人等發現以下問題。  再者，專利文獻4中，未對包含可撓性透明電子裝置之可撓性電子裝置之製造方法作任何揭示、暗示。
可撓性透明電子裝置中與支持基板接觸之可撓性透明基材及支持基板均具有絕緣性。因此，將可撓性透明電子裝置自支持基板剝離時，可撓性透明基材帶電，有因靜電放電而導致可撓性透明電子裝置中包含之電子元件等受到損害之虞。
本發明係鑒於此種情況而完成者，提供一種可撓性透明電子裝置之製造方法，其可抑制將形成於支持基板上之可撓性透明電子裝置自支持基板剝離時之可撓性透明基材之帶電。  [解決問題之技術手段]
本發明提供一種具有以下[1]之構成之可撓性透明電子裝置之製造方法。  [1]  一種可撓性透明電子裝置之製造方法，  其係準備於具有絕緣性之支持基板上形成有可撓性透明電子裝置之物品，並自上述物品中之上述支持基板將上述可撓性透明電子裝置剝離之方法，  上述可撓性透明電子裝置具備可撓性透明基材、形成於上述可撓性透明基材上之電子元件及覆蓋上述電子元件之透明樹脂製之保護層，  上述支持基板與上述可撓性透明基材之間形成有以樹脂為主成分且具有104 ～1013 Ω/□之表面電阻率之剝離層，或  上述可撓性透明基材具有104 ～1013 Ω/□之表面電阻率。
於本發明之一態樣中，  [2]如[1]記載之可撓性透明電子裝置之製造方法，其中具有上述表面電阻率之上述剝離層或上述可撓性透明基材含有導電性填料。
[3]如[2]記載之可撓性透明電子裝置之製造方法，其中具有上述表面電阻率之上述剝離層或上述可撓性透明基材將整體設為100質量份時，含有1～90質量份之上述導電性填料。
[4]如[1]記載之可撓性透明電子裝置之製造方法，其中具有上述表面電阻率之上述剝離層或上述可撓性透明基材含有離子性化合物。
[5]如[4]記載之可撓性透明電子裝置之製造方法，其中具有上述表面電阻率之上述剝離層或上述可撓性透明基材將整體設為100質量份時，含有0.01～50質量份之上述離子性化合物。
[6]如[1]至[5]中任一項記載之可撓性透明電子裝置之製造方法，其中具有上述表面電阻率之上述剝離層或上述可撓性透明基材包含導電性聚合物及親水性聚合物之至少任一者。
[7]如[1]至[6]中任一項記載之可撓性透明電子裝置之製造方法，其中上述樹脂之玻璃轉移溫度Tg為60℃以上。
[8]如[1]至[7]中任一項記載之可撓性透明電子裝置之製造方法，其中上述剝離層之表面粗糙度Ra為0.5 μm以下。
[9]如[1]至[8]中任一項記載之可撓性透明電子裝置之製造方法，其中上述電子元件包含發光二極體元件，且上述發光二極體元件於上述可撓性透明基材上就每個像素至少配置1個，並且分別具有10,000 μm2 以下之面積，且該可撓性透明電子裝置具有作為顯示裝置之功能。
本發明提供一種具有以下[10]之構成之物品。  [10]  一種物品，  其係於具有絕緣性之支持基板上形成有可撓性透明電子裝置者，  上述可撓性透明電子裝置具備可撓性透明基材、  形成於上述可撓性透明基材上之電子元件及  覆蓋上述電子元件之透明樹脂製之保護層，  上述支持基板與上述可撓性透明基材之間形成有以樹脂為主成分且具有104 ～1013 Ω/□之表面電阻率之剝離層，或  上述可撓性透明基材具有104 ～1013 Ω/□之表面電阻率。
於本發明之一態樣中，  [11]如[10]記載之物品，其中具有上述表面電阻率之上述剝離層或上述可撓性透明基材含有導電性填料。
[12]如[11]記載之物品，其中具有上述表面電阻率之上述剝離層或上述可撓性透明基材將整體設為100質量份時，含有1～90質量份之上述導電性填料。
[13]如[10]記載之物品，其中具有上述表面電阻率之上述剝離層或上述可撓性透明基材含有離子性化合物。
[14]如[13]記載之物品，其中具有上述表面電阻率之上述剝離層或上述可撓性透明基材將整體設為100質量份時，含有0.01～50質量份之上述離子性化合物。
[15]如[10]至[14]中任一項記載之物品，其中具有上述表面電阻率之上述剝離層或上述可撓性透明基材包含導電性聚合物及親水性聚合物之至少任一者。
[16]如[10]至[15]中任一項記載之物品，其中上述樹脂之玻璃轉移溫度Tg為60℃以上。
[17]如[10]至[16]中任一項記載之物品，其中上述剝離層之表面粗糙度Ra為0.5 μm以下。
[18]如[10]至[17]中任一項記載之物品，其中上述電子元件包含發光二極體元件，且上述發光二極體元件於上述可撓性透明基材上就每個像素至少配置1個，並且分別具有10,000 μm2 以下之面積，且該可撓性透明電子裝置具有作為顯示裝置之功能。  [發明之效果]
根據本發明，可提供一種可撓性透明電子裝置之製造方法，其可抑制將形成於支持基板上之可撓性透明電子裝置自支持基板剝離時之可撓性透明基材之帶電。
以下參照圖式對應用本發明之具體實施方式進行詳細說明。但本發明並不限定於以下實施方式。又，為了使說明明確，以下記載及圖式適當簡化。
於本說明書中，「透明電子裝置」係指透明基材上形成有電子元件，且於所需之使用環境下可視認位於該電子裝置之背面側之人物或背景等視覺資訊之電子裝置。  於本說明書中，「透明顯示裝置」係指於所需之使用環境下可視認位於顯示裝置之背面側之人物或背景等視覺資訊之顯示裝置。再者，至少於顯示裝置為非顯示狀態、即未通電之狀態下判定能否視認。「透明顯示裝置」為「透明電子裝置」之一形態。  同樣，於本說明書中，「透明感測裝置」係指於所需之使用環境下可視認位於感測裝置之背面側之人物或背景等視覺資訊之感測裝置。「感測裝置」係指可利用感測器獲取各種資訊之裝置。「透明感測裝置」為「透明電子裝置」之一形態。
於本說明書中，「透明」係指可見光之透過率為40%以上，較佳為60%以上，更佳為70%以上。又，亦可指透過率為5%以上且霧度值為10以下。若透過率為5%以上，則自室內觀察晝間之室外時，可以與室內相同程度以上之明度觀察室外，可確保充分之視認性。
又，若透過率為40%以上，則即使透明顯示裝置之前面側與背面側之明度為相同程度，亦可實質上無問題地視認透明顯示裝置之背面側。又，若霧度值為10以下，則可充分地確保背景之對比度。  「透明」係指與是否賦予色調無關，即，可為無色透明，亦可為有色透明。  再者，透過率係指藉由依據ISO9050之方法所測得之值(%)。霧度值係指藉由依據ISO14782之方法所測得之值。
(第1實施方式)  ＜可撓性透明顯示裝置之構成＞  首先，參照圖1及圖2對使用第1實施方式之可撓性透明顯示裝置之製造方法而製造之可撓性透明顯示裝置之構成進行說明。圖1係表示可撓性透明顯示裝置之一例之模式性局部俯視圖。圖2係圖1中之II-II切斷線之剖視圖。  再者，理所當然，圖1及圖2所示之右手系xyz正交座標係為了方便說明構成要素之位置關係而設置者。通常，z軸正方向為鉛直向上方向，xy平面為水平面。
圖1及圖2所示之可撓性透明顯示裝置100係具備可撓性透明基材10、發光部20、IC晶片30、配線40、保護層50之可撓性透明電子裝置。圖1所示之可撓性透明顯示裝置100中之顯示區域101包含複數個像素，為顯示圖像之區域。再者，圖像包含文字。如圖1所示，顯示區域101包含排列於列方向(x軸方向)及行方向(y軸方向)上之複數個像素。圖1中展示顯示區域101之一部分，展示列方向及行方向上各2個像素共計4個像素。此處，1個像素PIX以單點鏈線包圍來表示。又，圖1中，省略圖2所示之可撓性透明基材10及保護層50。進而，圖1雖為俯視圖，但為了容易理解，而以點表示發光部20及IC晶片30。
＜發光部20、IC晶片30及配線40之平面配置＞  首先，參照圖1對發光部20、IC(Integrated Circuit，集成電路)晶片30及配線40之平面配置進行說明。  如圖1所示，由單點鏈線包圍之像素PIX於列方向(x軸方向)上以像素間距Px，且於行方向(y軸方向)上以像素間距Py呈矩陣狀配置。此處，如圖1所示，各像素PIX具備發光部20及IC晶片30。即，發光部20及IC晶片30於列方向(x軸方向)上以像素間距Px，且於行方向(y軸方向)上以像素間距Py呈矩陣狀配置。  再者，只要於特定之方向上以特定之像素間距配置，則像素PIX即發光部20之配置形式不侷限於矩陣狀。
如圖1所示，各像素PIX中之發光部20包含至少1個發光二極體元件(以下稱為LED元件)。即，可撓性透明顯示裝置係於各像素PIX中使用LED元件之顯示裝置，稱為LED顯示器等。
圖1之例中，各發光部20包含紅色系之LED元件21、綠色系之LED元件22及藍色系之LED元件23作為電子元件。LED元件21～23與構成1個像素之副像素(子像素)對應。如此，由於各發光部20具有發出光之三原色即紅、綠、藍之光之LED元件21～23，故該可撓性透明顯示裝置可顯示全彩圖像。  再者，各發光部20可包含2個以上同系色之LED元件。藉此，可擴大圖像之動態範圍。
LED元件21～23具有微小尺寸，為所謂微LED元件。具體而言，可撓性透明基材10上之LED元件21之寬度(x軸方向之長度)及長度(y軸方向之長度)例如分別為100 μm以下，較佳為50 μm以下，更佳為20 μm以下。LED元件22、23亦同樣如此。就製造上之諸條件等而言，LED元件之寬度及長度之下限例如為3 μm以上。  再者，圖1中之LED元件21～23之尺寸即寬度及長度相同，但亦可互不相同。
又，各LED元件21～23於可撓性透明基材10上之佔有面積例如為10,000 μm2 以下，較佳為1,000 μm2 以下，更佳為100 μm2 以下。再者，就製造上之諸條件等而言，各LED元件之佔有面積之下限例如為10 μm2 以上。此處，於本說明書中，LED元件或配線等構成構件之佔有面積係指圖1中之xy俯視視野中之面積。  再者，圖1所示之LED元件21～23之形狀為矩形狀，但並無特別限制。例如可為正方形、六邊形、錐構造、柱形狀等。
此處，例如，LED元件21～23具有用以高效地將光提取至視認側之鏡構造。因此，LED元件21～23之透過率例如低至10%以下左右。然而，該可撓性透明顯示裝置中，如上所述，例如使用面積10,000 μm2 以下之微小尺寸之LED元件21～23。因此，例如於自數10 cm～2 m左右之近距離觀察可撓性透明顯示裝置之情形時，亦幾乎無法視認LED元件21～23。又，於顯示區域101中，透過率低之區域窄，背面側之視認性優異。而且，配線40等之配置之自由度亦大。  再者，「於顯示區域101中透過率低之區域」例如係指透過率為20%以下之區域。以下相同。
又，由於使用微小尺寸之LED元件21～23，故即使使可撓性透明顯示裝置彎曲，亦不易損傷LED元件。因此，該可撓性透明顯示裝置可安裝於如汽車用窗玻璃之彎曲之透明板，或封入至彎曲之2片透明板之間而使用。此處，可撓性透明基材10為可撓性(具有可撓性)，故可使可撓性透明顯示裝置彎曲。
圖示之LED元件21～23為晶片型，但並無特別限制。LED元件21～23可不用樹脂封裝，亦可整體或一部分被封裝。封裝樹脂亦可具備透鏡功能，從而提高光之利用率或向外部提取之效率。又，於該情形時，LED元件21～23可分別被單獨封裝，亦可將3個LED元件21～23一起封裝而形成3in1晶片。或者，各LED元件以相同之波長發光，但亦可藉由封裝樹脂中包含之螢光體等而提取不同波長之光。
再者，於LED元件21～23被封裝之情形時，上述LED元件之尺寸及面積分別為封裝狀態下之尺寸及面積。於3個LED元件21～23一起被封裝之情形時，各LED元件之面積設為整體面積之三分之一。
LED元件21～23例如為無機材料，但並無特別限制。紅色系之LED元件21例如為AlGaAs、GaAsP、GaP等。綠色系之LED元件22例如為InGaN、GaN、AlGaN、GaP、AlGaInP、ZnSe等。藍色系之LED元件23例如為InGaN、GaN、AlGaN、ZnSe等。
LED元件21～23之發光效率即能量轉換效率例如為1%以上，較佳為5%以上，更佳為15%以上。若LED元件21～23之發光效率為1%以上，則即使為如上所述之微小尺寸之LED元件21～23，亦獲得充分之亮度，晝間亦可用作顯示裝置。又，若LED元件之發光效率為15%以上，則發熱得以抑制，而容易封入至使用樹脂接著層之層合玻璃內部。
LED元件21～23係藉由將利用例如液相沈積法、HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy，氫化物氣相磊晶)法、MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，金屬有機化學氣相沈積)法等而生長之結晶切斷來獲得。獲得之LED元件21～23安裝於可撓性透明基材10上。  或，可藉由微轉印等自半導體晶圓剝離，並轉印至可撓性透明基材10上，藉此，形成LED元件21～23。
像素間距Px、Py分別例如為100～3000 μm，較佳為180～1000 μm，更佳為250～400 μm。藉由將像素間距Px、Py設為上述範圍，而可確保充分之顯示能力，並且可實現高透明性。又，可抑制可能因來自可撓性透明顯示裝置之背面側之光而產生之繞射現象。  又，該可撓性透明顯示裝置之顯示區域101中之像素密度例如為10 ppi以上，較佳為30 ppi以上，更佳為60 ppi以上。
又，1像素PIX之面積可由Px×Py表示。1像素之面積例如為1×104 μm2 ～9×106 μm2 ，較佳為3×104 ～1×106 μm2 ，更佳為6×104 ～2×106 μm2 。藉由將1像素之面積設為1×104 μm2 ～9×106 μm2 ，而確保適當之顯示能力，並且可提昇顯示裝置之透明性。1像素之面積只要根據顯示區域101之尺寸、用途、視認距離等適當選擇即可。
LED元件21～23之佔有面積相對於1像素之面積之比率例如為30%以下，較佳為10%以下，更佳為5%以下，進而較佳為1%以下。藉由將LED元件21～23之佔有面積相對於1像素之面積之比率設為30%以下，而透明性及背面側之視認性提昇。
圖1中，於各像素中，3個LED元件21～23依序於x軸正方向上排成一排而配置，但並不限定於此。例如，可改變3個LED元件21～23之配置順序。又，亦可將3個LED元件21～23於y軸方向上排列。或亦可將3個LED元件21～23配置於三角形之頂點。
又，如圖1所示，於各發光部20具備複數個LED元件21～23之情形時，發光部20中之LED元件21～23彼此之間隔例如為100 μm以下，較佳為10 μm以下。又，LED元件21～23彼此亦可以互相相接之方式配置。藉此，易使第1電源分支線41a共通化，可提昇開口率。
再者，圖1之例中，各發光部20中之複數個LED元件之配置順序、配置方向等可互相相同，亦可不同。又，於各發光部20包含發出波長不同之光之3個LED元件之情形時，可於一部分發光部20中，將LED元件於x軸方向或y軸方向上排列配置，於其他發光部20中，將各色之LED元件配置於三角形之頂點。
圖1之例中，IC晶片30為配置於各像素PIX，且驅動發光部20之電子元件。具體而言，IC晶片30經由驅動線45而與LED元件21～23各者連接，可個別驅動LED元件21～23。  再者，亦可就複數個像素配置一個IC晶片30，而驅動連接有各IC晶片30之複數個像素。例如，若每4個像素配置1個IC晶片30，則將IC晶片30之個數縮減至圖1之例之1/4，可縮減IC晶片30之佔有面積。
IC晶片30之面積例如為100,000 μm2 以下，較佳為10,000 μm2 以下，更佳為5,000 μm2 以下。IC晶片30之透過率低至20%以下左右，藉由使用上述尺寸之IC晶片30，而顯示區域101中透過率低之區域變窄，從而背面側之視認性提昇。
作為IC晶片30，例如為具備類比區域及邏輯區域之併合IC。類比區域例如包含電流控制電路及變壓電路等。  再者，可使用LED元件21～23與IC晶片30一起經樹脂封裝而成之附IC晶片之LED元件。又，亦可使用包含薄膜電晶體(TFT：Thin Film Transistor)之電路代替IC晶片30。進而，IC晶片30並非必需。  另一方面，亦可於IC晶片30搭載微感測器。即，該可撓性透明顯示裝置可同時為可撓性透明感測裝置。關於微感測器之詳情，將於後文之第4實施方式中敍述。
本實施方式之配線40為顯示用配線，如圖1所示，具備複數個電源線41、接地線42、列資料線43、行資料線44及驅動線45。  圖1之例中，電源線41、接地線42及行資料線44於y軸方向上延伸設置。另一方面，列資料線43於x軸方向上延伸設置。
又，於各像素PIX中，電源線41及行資料線44設置於較發光部20及IC晶片30靠x軸負方向側，接地線42設置於較發光部20及IC晶片30靠x軸正方向側。此處，電源線41設置於較行資料線44靠x軸負方向側。又，於各像素PIX中，列資料線43設置於較發光部20及IC晶片30靠y軸負方向側。
進而，詳情於後文中敍述，如圖1所示，電源線41具備第1電源分支線41a及第2電源分支線41b。接地線42具備接地分支線42a。列資料線43具備列資料分支線43a。行資料線44具備行資料分支線44a。該等各分支線包含於配線40中。
如圖1所示，於y軸方向上延伸設置之各電源線41與於y軸方向上並列設置之各像素PIX之發光部20及IC晶片30連接。更詳細而言，於各像素PIX中，於較電源線41靠x軸正方向側，LED元件21～23依序於x軸正方向上並列設置。因此，自電源線41於x軸正方向上分支之第1電源分支線41a與LED元件21～23之y軸正方向側端部連接。
又，於各像素PIX中，IC晶片30配置於LED元件21～23之y軸負方向側。因此，於LED元件21與行資料線44之間，自第1電源分支線41a於y軸負方向上分支之第2電源分支線41b以直線狀延伸設置，且與IC晶片30之y軸正方向側端部之x軸負方向側連接。
如圖1所示，於y軸方向上延伸設置之各接地線42與於y軸方向上並列設置之各像素PIX之IC晶片30連接。具體而言，自接地線42於x軸負方向上分支之接地分支線42a以直線狀延伸設置，且與IC晶片30之x軸正方向側端部連接。  此處，接地線42經由接地分支線42a、IC晶片30及驅動線45與LED元件21～23連接。
如圖1所示，於x軸方向上延伸設置之各列資料線43與於x軸方向(列方向)上並列設置之各像素PIX之IC晶片30連接。具體而言，自列資料線43於y軸正方向上分支之列資料分支線43a以直線狀延伸設置，且與IC晶片30之y軸負方向側端部連接。  此處，列資料線43經由列資料分支線43a、IC晶片30及驅動線45與LED元件21～23連接。
如圖1所示，於y軸方向上延伸設置之各行資料線44與於y軸方向(行方向)上並列設置之各像素PIX之IC晶片30連接。具體而言，自行資料線44於x軸正方向上分支之行資料分支線44a以直線狀延伸設置，且與IC晶片30之x軸負方向側端部連接。  此處，行資料線44經由行資料分支線44a、IC晶片30及驅動線45與LED元件21～23連接。
於各像素PIX中，驅動線45將LED元件21～23與IC晶片30連接。具體而言，於各像素PIX中，3根驅動線45於y軸方向上延伸設置，且分別將LED元件21～23之y軸負方向側端部與IC晶片30之y軸正方向側端部連接。
再者，圖1所示之電源線41、接地線42、列資料線43、行資料線44及該等之分支線以及驅動線45之配置終究為一例，可適當改變。例如，電源線41及接地線42之至少一者可不於y軸方向上而於x軸方向上延伸設置。又，亦可為交換電源線41與行資料線44之構成。
又，亦可為使圖1所示之構成整體上下反轉而成之構成或左右反轉而成之構成等。進而，亦可為使圖1所示之構成整體上下反轉而成之構成或左右反轉而成之構成等。  進而，列資料線43、行資料線44及該等之分支線以及驅動線45並非必需。
配線40例如為銅(Cu)、鋁(Al)、銀(Ag)、金(Au)等金屬。其中，就低電阻率或成本之觀點而言，較佳為以銅或鋁為主成分之金屬。又，為了降低反射率，配線40可由鈦(Ti)、鉬(Mo)、氧化銅、碳等材料被覆。又，被覆之材料之表面上可形成凹凸。
圖1所示之顯示區域101中之配線40之寬度例如均為1～100 μm，較佳為3～20 μm。由於配線40之寬度為100 μm以下，故例如即使於自數10 cm～2 m左右之近距離觀察可撓性透明顯示裝置之情形時，亦幾乎無法視認配線40，背面側之視認性優異。另一方面，於後文中敍述之厚度之範圍之情形時，若將配線40之寬度設為1 μm以上，則可抑制配線40之電阻之過度上升，可抑制電壓降或信號強度之降低。又，亦可抑制由配線40導致之熱導之降低。
此處，如圖1所示，於配線40主要於x軸方向及y軸方向上延伸之情形時，存在因自可撓性透明顯示裝置之外部照射之光，而產生於x軸方向及y軸方向上延伸之十字繞射像，從而導致可撓性透明顯示裝置之背面側之視認性降低之情形。藉由減小各配線之寬度，而可抑制該繞射，可進一步提昇背面側之視認性。就抑制繞射之觀點而言，可將配線40之寬度設為50 μm以下，較佳設為10 μm以下，更佳設為5 μm以下。
配線40之電阻率例如為1.0×10-6 Ωm以下，較佳為2.0×10-8 Ωm以下。又，配線40之熱導率例如為150～5,500 W/(m・K)，較佳為350～450 W/(m・K)。
圖1所示之顯示區域101中之相鄰之配線40彼此之間隔例如為3～100 μm，較佳為5～30 μm。若有配線40變密之區域，則有妨礙背面側之視認之情形。藉由將相鄰之配線40彼此之間隔設為3 μm以上，而可抑制此種視認之妨礙。另一方面，藉由將相鄰之配線40彼此之間隔設為100 μm以下，而可確保充分之顯示能力。  再者，於由於配線40彎曲等而配線40彼此之間隔並非固定之情形時，上述相鄰之配線40彼此之間隔係指其最小值。
配線40之佔有面積相對於1像素之面積之比率例如為30%以下，較佳為10%以下，更佳為5%以下，進而較佳為3%以下。配線40之透過率例如低至20%以下或10%以下。然而，藉由於1像素中將配線40之佔有面積之比率設為30%以下，而於顯示區域101中，透過率低之區域變窄，從而背面側之視認性提昇。  進而，發光部20、IC晶片30及配線40之佔有面積之總計相對於1像素之面積例如為30%以下，較佳為20%以下，更佳為10%以下。
＜可撓性透明顯示裝置之剖面構成＞  其次，參照圖2對可撓性透明顯示裝置之剖面構成進行說明。  可撓性透明基材10包含具有絕緣性之透明材料。圖2之例中，可撓性透明基材10具有主基板11及接著劑層12之2層構造。  主基板11之詳情如後文中敍述般，例如為透明樹脂製。  作為構成接著劑層12之接著劑，例如可列舉：環氧系、丙烯酸系、烯烴系、聚醯亞胺、酚醛清漆系等透明樹脂接著劑。  再者，主基板11可為厚度例如為200 μm以下、較佳為100 μm以下等之薄玻璃板。又，接著劑層12並非必需。
作為構成主基板11之透明樹脂，可例示：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)等聚酯系樹脂；環烯烴聚合物(COP)、環烯烴共聚物(COC)等烯烴系樹脂；纖維素、乙醯纖維素、三乙醯纖維素(TAC)等纖維素系樹脂；聚醯亞胺(PI)等醯亞胺系樹脂；聚醯胺(PA)等醯胺系樹脂；聚醯胺醯亞胺(PAI)等醯胺醯亞胺系樹脂；聚碳酸酯(PC)等碳酸酯系樹脂；聚醚碸(PES)等碸系樹脂；聚對二甲苯等對二甲苯系樹脂；聚乙烯(PE)、聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS)、聚乙酸乙烯酯(PVAc)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯醇縮丁醛(PVB)等乙烯系樹脂；聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等丙烯酸系樹脂；乙烯-乙酸乙烯酯共聚合樹脂(EVA)；熱塑性聚胺基甲酸酯(TPU)等胺基甲酸酯系樹脂；環氧系樹脂等。
上述主基板11中使用之材料之中，就提昇耐熱性之觀點而言，較佳為聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚醯亞胺(PI)。又，就雙折射率低，且可減少透過透明基材觀察到之圖像之變形或模糊之方面而言，較佳為環烯烴聚合物(COP)、環烯烴共聚物(COC)、聚乙烯醇縮丁醛(PVB)等。  可使用上述材料之單獨一種，亦可將2種以上材料混合而使用。進而，亦可使不同材料之平板積層而構成主基板11。
可撓性透明基材10整體之厚度例如為3～1000 μm，較佳為5～200 μm。可撓性透明基材10之可見光之內部透過率例如為50%以上，較佳為70%以上，更佳為90%以上。  又，可撓性透明基材10為可撓性，故例如可安裝於使可撓性透明顯示裝置彎曲後之透明板，或夾於彎曲之2片透明板之間而使用。
如圖2所示，LED元件21～23及IC晶片30設置於可撓性透明基材10即接著劑層12上，並與配置於可撓性透明基材10上之配線40連接。圖2之例中，配線40包含形成於主基板11上之第1金屬層M1及形成於接著劑層12上之第2金屬層M2。
配線40之厚度即第1金屬層M1之厚度與第2金屬層M2之厚度之總計例如為0.1～10 μm，較佳為0.5～5 μm。第1金屬層M1之厚度例如為0.5 μm左右，第2金屬層M2之厚度例如為3 μm左右。
詳細而言，如圖2所示，於y軸方向上延伸設置之接地線42由於電流量多，故具有包含第1金屬層M1及第2金屬層M2之2層構造。即，設置有接地線42之部位中，接著劑層12被去除，第1金屬層M1上形成有第2金屬層M2。圖2中雖未展示，但圖1所示之電源線41、列資料線43及行資料線44亦同樣具有包含第1金屬層M1及第2金屬層M2之2層構造。
此處，如圖1所示，於y軸方向上延伸設置之電源線41、接地線42及行資料線44與於x軸方向上延伸設置之列資料線43交叉。圖2中雖未圖示，但該交叉部中，列資料線43僅由第1金屬層M1構成，電源線41、接地線42及行資料線44僅由第2金屬層M2構成。並且，該交叉部中，第1金屬層M1與第2金屬層M2之間設置有接著劑層12，第1金屬層M1與第2金屬層M2得以絕緣。  同樣地，圖1所示之行資料線44與第1電源分支線41a之交叉部中，第1電源分支線41a僅由第1金屬層M1構成，行資料線44僅由第2金屬層M2構成。
又，圖2之例中，接地分支線42a、驅動線45及第1電源分支線41a僅由第2金屬層M2構成，且以覆蓋LED元件21～23及IC晶片30之端部之方式形成。圖2中雖未展示，但第2電源分支線41b、列資料分支線43a及行資料分支線44a亦同樣僅由第2金屬層M2構成。
再者，如上所述，第1電源分支線41a之與行資料線44之交叉部僅由第1金屬層M1構成，除此以外之部位僅由第2金屬層M2構成。又，可於形成於可撓性透明基材10上之配線40上配置銅、銀、金製等之金屬墊，並於其上配置LED元件21～23及IC晶片30之至少一者。
保護層50係為了覆蓋發光部20、IC晶片30及配線40對其進行保護而形成於可撓性透明基材10上之大致整面之透明樹脂。  保護層50之厚度例如為3～1000 μm，較佳為5～200 μm。  保護層50之彈性模數例如為10 GPa以下。彈性模數低者可吸收剝離時之衝擊，可抑制保護層50之破損。  保護層50之可見光之內部透過率例如為50%以上，較佳為70%以上，更佳為90%以上。
作為構成保護層50之透明樹脂，可例示：聚乙烯(PE)、聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS)、聚乙酸乙烯酯(PVAc)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯醇縮丁醛(PVB)等乙烯系樹脂；環烯烴聚合物(COP)、環烯烴共聚物(COC)等烯烴系樹脂；熱塑性聚胺基甲酸酯(TPU)等胺基甲酸酯系樹脂；聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)等聚酯系樹脂；聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等丙烯酸系樹脂；乙烯-乙酸乙烯酯共聚合樹脂(EVA)等熱塑性樹脂。
＜可撓性透明顯示裝置之製造方法＞  其次，參照圖3～圖13對第1實施方式之可撓性透明顯示裝置之製造方法之一例進行說明。圖3～圖13係表示第1實施方式之可撓性透明顯示裝置之製造方法之一例之剖視圖。圖3～圖13係與圖2對應之剖視圖。
首先，如圖3所示，於支持基板1上之大致整面上依序形成剝離層2及主基板11。此處，對支持基板1及剝離層2進行說明。  支持基板1係用以支持形成於支持基板1之可撓性透明顯示裝置100並進行搬送之基板。支持基板1具有絕緣性，例如為玻璃板、陶瓷板、高強度樹脂板等。
如後文中所敍述，剝離層2係為了將可撓性透明顯示裝置100自支持基板1剝離而設置。剝離層2以樹脂為主成分，具有104 ～1013 Ω/□之表面電阻率(薄片電阻)。於該表面電阻率之範圍中，可有效果地抑制帶電。表面電阻率較佳為107 ～1012 Ω/□。進而較佳為108 ～1011 Ω/□。  再者，關於表面電阻率之測定方法將於後文中進行敍述。
剝離層2之厚度例如為1～20 μm，較佳為2～10 μm。  又，剝離層2之表面粗糙度Ra例如為0.5 μm以下，較佳為0.01 μm以下。剝離層2之表面粗糙度Ra對形成於剝離層2上之主基板11之表面粗糙度有影響。並且，剝離層2之表面粗糙度Ra越小，越可精度良好地使形成於主基板11之第1金屬層M1圖案化(參照圖4)。  剝離層2之表面粗糙度Ra例如使用東京精密公司製造之SURFCOM1400D，並依據JIS B0601進行測定。
構成剝離層2之材料例如為將整體設為100質量份時含有1～90質量份之導電性填料之樹脂。導電性填料之含量較佳為30～80質量份。或亦可為將整體設為100質量份時含有0.01～50質量份之離子性化合物之樹脂。離子性化合物之含量較佳為0.1～10質量份。或樹脂本身可為導電性聚合物及親水性聚合物之至少任一者。為了於將剝離層2自支持基板1剝離時表現出抗靜電功能，添加物較佳為存在於支持基板1側。
構成剝離層2之樹脂並無特別限制，可為不透明。另一方面，構成剝離層2之樹脂例如亦可為與主基板11、接著劑層12或保護層50相同之透明樹脂。  構成剝離層2之樹脂之玻璃轉移溫度Tg例如為60℃以上。較佳為100℃以上。藉由將玻璃轉移溫度Tg設為60℃以上，而降低樹脂對支持基板1之表面之黏著性，可抑制剝離後剝離層2再附著於支持基板1。又，於較剝離層2之玻璃轉移溫度Tg低之溫度下，於剝離層2上形成有可撓性透明基材10之狀態下，不易因剝離層2之膨脹收縮而產生褶皺或龜裂。因此，以剝離層2之玻璃轉移溫度Tg較高為佳。
作為剝離層2中包含之導電性填料，可例示：銅、鋁、銀、金、鎳(Ni)等之粉末；纖維、箔片等金屬系填料；碳黑、石墨粉末、奈米碳管、碳纖維等碳系填料；氧化錫(SnO2 )、氧化銦(In2 O3 )、氧化鋅(ZnO)之粉末等金屬氧化物系填料。進而，導電性填料可為半導體或高分子錯合物之粉末等。
剝離層2中包含之離子性化合物例如為離子導電劑、離子液體、界面活性劑等。具體而言，作為離子性化合物，可例示：四級銨鹽；吡啶鎓鹽；具有一～三級胺基等陽離子性官能基之陽離子性導電劑；具有磺酸鹽基、硫酸酯鹽基、磷酸酯鹽基、膦酸鹽基等陰離子性官能基之陰離子系導電劑；胺基酸系、胺基硫酸酯系等兩性導電劑；多元醇系、聚甘油系、聚乙二醇系等具有非離子性官能基之有機系抗靜電化合物。
作為構成剝離層2之導電性聚合物，可例示：聚乙炔、聚對苯、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺等π共軛系導電性聚合物。  作為構成剝離層2之親水性聚合物，可例示：含有特定之聚醚酯醯胺及羧基之改性乙烯共聚物；利用甲基丙烯酸縮水甘油酯將末端為羧基之聚甲基丙烯酸甲酯之末端之羧基轉化為甲基丙烯醯基而得之高分子單體與丙烯酸胺基烷基酯或丙烯醯胺之梳狀共聚物及其四級化陽離子改性體；包含乙烯結構單元、丙烯酸酯結構單元及丙烯醯胺結構單元之丙烯醯胺系共聚物及添加有該丙烯醯胺系共聚物之聚烯烴樹脂組合物。
其次，如圖4所示，於主基板11上之大致整面上成膜第1金屬層M1之後，藉由光微影法使第1金屬層M1圖案化，而形成下層配線。具體而言，藉由第1金屬層M1於圖1所示之形成有電源線41、接地線42、列資料線43及行資料線44等之位置上形成下層配線。  再者，於電源線41、接地線42及行資料線44之與列資料線43之交叉部不形成下層配線。
其次，如圖5所示，於主基板11上之大致整面成膜接著劑層12之後，於具有黏性之接著劑層12上安裝LED元件21～23及IC晶片30。  其次，如圖6所示，於包含主基板11及接著劑層12之可撓性透明基材10上之大致整面上成膜光阻FR1之後，藉由圖案化將第1金屬層M1上之光阻FR1去除。此處，圖1所示之列資料線43之與電源線41、接地線42及行資料線44之交叉部之光阻FR1未被去除。
其次，如圖7所示，藉由乾式蝕刻將光阻FR1被去除之部位之接著劑層12去除，而使第1金屬層M1即下層配線露出。  其次，如圖8所示，將可撓性透明基材10上之光阻FR1全部去除。其後，於可撓性透明基材10上之大致整面上形成未圖示之鍍覆用晶種層。
其次，如圖9所示，於可撓性透明基材10上之大致整面上成膜光阻FR2之後，藉由圖案化將形成上層配線之部位之光阻FR2去除，使晶種層露出。  其次，如圖10所示，於光阻FR2被去除之部位即晶種層上藉由鍍覆而形成第2金屬層M2。藉此，藉由第2金屬層M2而形成上層配線。  其次，如圖11所示，將光阻FR2去除。進而，藉由蝕刻將因光阻FR2之去除而露出之晶種層去除。
其次，如圖12所示，於可撓性透明基材10上之大致整面上形成保護層50。藉此，於支持基板1上經由剝離層2形成可撓性透明顯示裝置100。圖12展示本實施方式之物品。如圖12所示，本實施方式之物品中，支持基板1與可撓性透明顯示裝置100之間形成有剝離層2。
最後，如圖13所示，將形成於支持基板1上之可撓性透明顯示裝置100自支持基板1剝離。例如，如圖13所示，自支持基板1之圖式下側照射準分子雷射等紫外線雷射光LB，將可撓性透明顯示裝置100自支持基板1剝離。藉由透過支持基板1之紫外線雷射光LB而使剝離層2分解，從而可將可撓性透明顯示裝置100自支持基板1剝離。於該情形時，支持基板1為可使紫外線雷射光透過之玻璃板等。
例如，藉由使紫外線雷射光LB之線束進行掃描，而可將紫外線雷射光LB照射至支持基板1整體。紫外線之波長例如為400 nm以下。又，雷射剝離時使用之準分子雷射光之波長例如為308 nm、248 nm等。  剝離後殘留於可撓性透明顯示裝置100之剝離層2可藉由洗淨等而去除。  可藉由以上步驟而製造可撓性透明顯示裝置100。
再者，將可撓性透明顯示裝置100自支持基板1剝離時，可單純機械地施加用於將可撓性透明顯示裝置100自支持基板1剝離之力以代替照射紫外線雷射光LB。又，圖13中，雖然支持基板1與剝離層2之界面處產生剝離，但例如於機械性地剝離之情形等時，可撓性透明基材10與剝離層2之界面處亦可產生剝離。
本實施方式之可撓性透明顯示裝置之製造方法中，剝離之前之支持基板1與可撓性透明基材10之間形成有具有104 ～1013 Ω/□之表面電阻率之剝離層2。即，共同具有絕緣性之支持基板1及可撓性透明基材10不直接接觸，兩者之間形成有具有導電性之剝離層2。因此，將形成於支持基板1上之可撓性透明顯示裝置100自支持基板1剝離時，可抑制可撓性透明顯示裝置100帶電。  再者，代替形成剝離層2，可撓性透明基材10具有104 ～1013 Ω/□之表面電阻率亦可獲得相同之效果。於該情形時，可撓性透明基材10具有與上述剝離層2相同之構成。
＜表面電阻率之測定方法之詳情＞  此處，參照圖14，對表面電阻率之測定方法之詳情進行說明。  圖14係用於測定表面電阻率之梳狀電極之概略俯視圖。如圖14所示，梳狀電極具有第1梳狀電極之5根梳齒與第2梳狀電極之4根梳齒交錯地對向配置之形狀。於第1梳狀電極與第2梳狀電極中，梳齒之寬度、梳齒之長度、梳齒彼此之間隔互相相等。因此，第1梳狀電極之5根梳齒彼此之間之中央插入有第2梳狀電極之4根梳齒。
表面電阻率ρ係使用電阻值R及電極係數r，藉由ρ＝R×r而算出。此處，電阻值R係利用使用梳狀電極而測得之電流值I及電壓V，藉由R＝V/I而算出。又，電極係數r根據相鄰之梳齒之長度與其間隔之比而算出。例如，圖14之梳狀電極中，於8個部位中長度W3之梳齒以間隔W2相鄰，並且於7個部位中，長度W4之梳齒以間隔W1相鄰。因此，電極係數r藉由r＝(W3/W2)×8＋(W1/W4)×7而算出。梳狀電極之電極係數r例如為100～130左右。
又，作為構成梳狀電極之金屬，例如使用鉑、鋁、金等電阻小之材料。例如，較佳為鉑。例如，藉由濺鍍、真空蒸鍍、鍍覆等方法於具有電絕緣性之基板上形成構成梳狀電極之金屬膜。
例如，使用磁控濺鍍塗佈機(Quorum Techbiologies公司製造之Q300TT)於氬氣氛圍下於剝離層2(60 mm×60 mm)之表面上成膜20 nm厚之Pt膜，而製作圖14所示之梳狀之電極圖案。圖15係表示圖14所示之梳狀電極中之各尺寸之具體例之圖。圖15中之數值之單位均為mm。具有圖15所示之尺寸之梳狀電極中，電極係數r＝112.75。
測定例如使用數位超高電阻/微小電流計(ADVANTEST R830A ULTRA HIGH RESISTANCE METER)。例如，於獲得之梳狀電極上連結銅線之後，施加10 V電壓並放置3分鐘直至電壓穩定，開始進行電流測定。並且，讀取3分鐘後之電流值，並根據上述關係式算出表面電阻率ρ。
(第2實施方式)  ＜具備可撓性透明顯示裝置之層合玻璃之構成＞  其次，參照圖16、圖17，對第2實施方式之層合玻璃之構成進行說明。圖16係表示第2實施方式之層合玻璃之一例之模式性俯視圖。圖17係表示第2實施方式之層合玻璃之一例之模式性剖視圖。圖16、圖17所示之層合玻璃200可用於汽車之窗玻璃中之前窗玻璃，但並無特別限制。
首先，參照圖16對層合玻璃200之平面構成進行說明。  如圖16所示，於層合玻璃200之周緣整體設置有例如黑色之遮蔽部201。遮蔽部201遮蔽日光，並保護用於將層合玻璃200組裝於汽車之接著劑免遭紫外線侵害。又，藉由遮蔽部201，而無法自外部視認該接著劑。
如圖16所示，可撓性透明顯示裝置100除圖1所示之顯示區域101以外，亦具備設置於顯示區域之周圍之非顯示區域102。此處，顯示區域101如於第1實施方式中所說明，包含較多像素，由於為顯示圖像之區域，故省略詳細之說明。  再者，圖16為俯視圖，但為了容易理解，以點表示非顯示區域102及遮蔽部201。
非顯示區域102係不具備像素而未顯示圖像之區域。非顯示區域102中密集地設置有與圖1所示之電源線41、接地線42、列資料線43及行資料線44連接之較寬之配線。非顯示區域102中之配線之寬度例如為100～10,000 μm，較佳為100～5,000 μm。配線彼此之間隔例如為3～5,000 μm，較佳為50～1,500 μm。
因此，相對於顯示區域101透明，非顯示區域102不透明，可自車內視認。此處，若可視認非顯示區域102，則層合玻璃200之設計性降低。因此，第2實施方式之層合玻璃200中，可撓性透明顯示裝置100之非顯示區域102之至少一部分設置於遮蔽部201。設置於遮蔽部201之非顯示區域102隱藏於遮蔽部201，無法視認。因此，與可視認非顯示區域102之整體之情形相比，層合玻璃200之設計性提昇。
其次，參照圖17，對層合玻璃200之剖面構成進行說明。圖17係可撓性透明顯示裝置100之顯示區域101之剖視圖。  如圖17所示，第2實施方式之層合玻璃200係經由中間膜將一對玻璃板220a、220b貼合者。並且，層合玻璃200係於該一對玻璃板220a、220b之間隔著中間膜210a、210b而具備第1實施方式之可撓性透明顯示裝置100。中間膜210a、210b例如包含聚乙烯醇縮丁醛(PVB)。
此處，圖18係表示第2實施方式之層合玻璃之另一例之模式性剖視圖。圖18所示之層合玻璃200中，可撓性透明顯示裝置100中之保護層50例如包含聚乙烯醇縮丁醛(PVB)，亦具有作為中間膜之功能。因此，圖18所示之層合玻璃200中，可省略圖17中形成於保護層50上之中間膜210a。
(第3實施方式)  ＜可撓性透明顯示裝置之構成＞  其次，參照圖19對第3實施方式之可撓性透明顯示裝置之構成進行說明。圖19係表示第3實施方式之可撓性透明顯示裝置之一例之模式性局部俯視圖。如圖19所示，本實施方式之可撓性透明顯示裝置除圖1所示之第1實施方式之可撓性透明顯示裝置之構成以外，還於顯示區域101中具備感測器70。
圖19所示之例中，感測器70設置於特定之像素PIX之間，與電源線41及接地線42連接。又，經由自感測器70向y軸方向延伸之資料輸出線46，輸出利用感測器70所獲得之檢測資料。另一方面，經由沿y軸方向延伸至感測器70之控制信號線47，將控制信號輸入至感測器70，從而控制感測器70。感測器70可為單數個，亦可為複數個。複數個感測器70可以特定之間隔配置於例如x軸方向或y軸方向上。
以下說明中，對本實施方式之可撓性透明顯示裝置搭載於汽車之窗玻璃中之前窗玻璃之情形進行說明。即，本實施方式之可撓性透明顯示裝置亦可應用於第2實施方式之層合玻璃。
感測器70例如為用於檢測車內及車外之照度之照度感測器(例如受光元件)。例如，根據感測器70所檢測到之照度而控制利用LED元件21～23所獲得之顯示區域101之亮度。例如，車外之照度相對於車內之照度越大，則利用LED元件21～23所獲得之顯示區域101之亮度亦越大。藉由此種構成，而使可撓性透明顯示裝置之視認性進一步提昇。
又，感測器70可為用於感知觀察者(例如駕駛員)之視線之紅外線感測器(例如受光元件)或影像感測器(例如CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，互補式金屬氧化物半導體)影像感測器)。例如僅於感測器70感知視線之情形時驅動可撓性透明顯示裝置。例如，於將可撓性透明顯示裝置用於圖16所示之層合玻璃之情形時，只要觀察者不將視線朝向可撓性透明顯示裝置，則可撓性透明顯示裝置不會遮擋觀察者之視野，故較佳。或亦可藉由作為影像感測器之感測器70而檢測觀察者之動作，並基於該動作，例如使可撓性透明顯示裝置打開/關閉，或切換顯示畫面。  其他構成與第1實施方式之可撓性透明顯示裝置相同。
(第4實施方式)  ＜可撓性透明感測裝置之構成＞  其次，參照圖20對第4實施方式之可撓性透明感測裝置之構成進行說明。圖20係表示第4實施方式之可撓性透明感測裝置之一例之模式性局部俯視圖。圖20所示之可撓性透明感測裝置係具有如下構成之可撓性透明電子裝置：於圖1所示之可撓性透明顯示裝置之構成中，於各像素PIX中具備感測器70以代替發光部20及IC晶片30。即，圖20所示之可撓性透明感測裝置不具備發光部20，不具有顯示功能。
感測器70並無特別限制，於圖20所示之可撓性透明感測裝置中，為CMOS影像感測器。即，圖20所示之可撓性透明感測裝置具備包含於列方向(x軸方向)及行方向(y軸方向)上排列之複數個像素PIX之攝像區域301，具有攝像功能。圖20中展示攝像區域301之一部分，展示列方向及行方向上各2個像素共計4個像素。此處，1個像素PIX以單點鏈線包圍來表示。又，圖20中，與圖1相同，省略可撓性透明基材10及保護層50。又，圖20雖為俯視圖，但為了容易理解，感測器70以點表示。
圖20所示之例中，於每一個像素PIX設置有1個感測器70，配置於在y軸方向上延伸之電源線41及接地線42之間，並與兩者連接。又，經由自感測器70向y軸方向延伸之資料輸出線46輸出利用感測器70所獲得之檢測資料。另一方面，經由沿y軸方向延伸至感測器70之控制信號線47將控制信號輸入至感測器70，而控制感測器70。控制信號例如為同步信號或重置信號等。  再者，電源線41可與未圖示之電池連接。
此處，圖21為感測器70之模式剖視圖。圖21所示之感測器70為背面照射型CMOS影像感測器。再者，作為影像感測器之感測器70亦並無特別限制，亦可為正面照射型CMOS影像感測器或CCD(Charge-Coupled Device，電荷耦合器件)影像感測器。
如圖21所示，各感測器70具備配線層、半導體基板、彩色濾光片CF1～CF3、微透鏡ML1～ML3。此處，配線層之內部形成有內部配線IW。又，半導體基板之內部形成有光電二極體PD1～PD3。
配線層上形成有半導體基板(例如矽基板)。形成於配線層之內部之內部配線IW使配線40(電源線41、接地線42、資料輸出線46及控制信號線47)與光電二極體PD1～PD3連接。若向光電二極體PD1～PD3照射光，則自光電二極體PD1～PD3輸出電流。自光電二極體PD1～PD3輸出之電流分別藉由未圖示之放大器電路而放大，並經由內部配線IW及資料輸出線46而輸出。
彩色濾光片CF1～CF3分別形成於光電二極體PD1～PD3上，上述光電二極體PD1～PD3形成於半導體基板之內部。彩色濾光片CF1～CF3例如分別為紅色濾波器、綠色濾波器、藍色濾波器。  微透鏡ML1～ML3分別載置於彩色濾光片CF1～CF3上。藉由作為凸透鏡之微透鏡ML1～ML3而得以聚光之光分別經由彩色濾光片CF1～CF3而入射至光電二極體PD1～PD3。
本實施方式之感測器70例如為具有於可撓性透明基材10上之佔有面積為250,000 μm2 以下之微小尺寸之微感測器。換言之，於本說明書中，微感測器係指具有俯視視野中之面積為250,000 μm2 以下之微小尺寸之感測器。感測器70之佔有面積例如較佳為25,000 μm2 以下，更佳為2,500 μm2 以下。再者，就製造上之諸條件等方面而言，感測器70之佔有面積之下限例如為10 μm2 以上。  再者，圖20所示之感測器70之形狀為矩形狀，但並無特別限制。
本實施方式之可撓性透明感測裝置亦可應用於第2實施方式之層合玻璃。於本實施方式之可撓性透明感測裝置搭載於車輛(例如汽車)之窗玻璃中之前窗玻璃之情形時，藉由感測器70，例如可獲取車內及車外之至少任一者之圖像。即，本實施方式之可撓性透明感測裝置具有作為行車記錄器之功能。
再者，第4實施方式之可撓性透明感測裝置中之感測器70可為單數個。又，第4實施方式之可撓性透明感測裝置中之感測器70亦不限定於影像感測器，亦可為於第3實施方式中例示之照度感測器、紅外線感測器等。進而，感測器70可為雷達感測器、雷射雷達(Lidar)感測器等。藉由搭載有使用該等感測器70之可撓性透明感測裝置之車輛用窗玻璃，例如可監控車內或車外。
即，第4實施方式之感測器70只要為具有於可撓性透明基材10上之佔有面積為250,000 μm2 以下之微小尺寸之微感測器，則並無特別限制。例如，感測器70可為溫度感測器、紫外線感測器、電波感測器、壓力感測器、聲音感測器、速度/加速度感測器等。  其他構成與第1實施方式之可撓性透明顯示裝置相同。
再者，本發明並不限定於上述實施方式，可於不脫離主旨之範圍內適當改變。
本申請主張以2019年12月26日提出申請之日本申請特願2019-235575為基礎之優先權，將其揭示之全部內容引入本文中。
1:支持基板2:剝離層10:可撓性透明基材11:主基板12:接著劑層20:發光部21~23:LED元件30:IC晶片40:配線41:電源線41a:第1電源分支線41b:第2電源分支線42:接地線42a:接地分支線43:列資料線43a:列資料分支線44:行資料線44a:行資料分支線45:驅動線46:資料輸出線47:控制信號線50:保護層70:感測器100:可撓性透明顯示裝置101:顯示區域102:非顯示區域200:層合玻璃(窗玻璃)201:遮蔽部210a、210b:中間膜220a、220b:玻璃板301:攝像區域CF1~CF3:彩色濾光片FR1,FR2:光阻IW:內部配線M1:第1金屬層M2:第2金屬層ML1~ML3:微透鏡PD1~PD3:光電二極體PIX:像素
圖1係表示可撓性透明顯示裝置之一例之模式性局部俯視圖。  圖2係圖1中之II-II切斷線之剖視圖。  圖3係表示第1實施方式之可撓性透明顯示裝置之製造方法之一例之剖視圖。  圖4係表示第1實施方式之可撓性透明顯示裝置之製造方法之一例之剖視圖。  圖5係表示第1實施方式之可撓性透明顯示裝置之製造方法之一例之剖視圖。  圖6係表示第1實施方式之可撓性透明顯示裝置之製造方法之一例之剖視圖。  圖7係表示第1實施方式之可撓性透明顯示裝置之製造方法之一例之剖視圖。  圖8係表示第1實施方式之可撓性透明顯示裝置之製造方法之一例之剖視圖。  圖9係表示第1實施方式之可撓性透明顯示裝置之製造方法之一例之剖視圖。  圖10係表示第1實施方式之可撓性透明顯示裝置之製造方法之一例之剖視圖。  圖11係表示第1實施方式之可撓性透明顯示裝置之製造方法之一例之剖視圖。  圖12係表示第1實施方式之可撓性透明顯示裝置之製造方法之一例之剖視圖。  圖13係表示第1實施方式之可撓性透明顯示裝置之製造方法之一例之剖視圖。  圖14係用於測定表面電阻率之梳狀電極之概略俯視圖。  圖15係表示圖20所示之梳狀電極中之各尺寸之具體例之圖。  圖16係表示第2實施方式之層合玻璃之一例之模式性俯視圖。  圖17係表示第2實施方式之層合玻璃之一例之模式性剖視圖。  圖18係表示第2實施方式之層合玻璃之另一例之模式性剖視圖。  圖19係表示第3實施方式之可撓性透明顯示裝置之一例之模式性局部俯視圖。  圖20係表示第4實施方式之可撓性透明感測裝置之一例之模式性局部俯視圖。  圖21係感測器70之模式剖視圖。
1:支持基板
2:剝離層
10:可撓性透明基材
11:主基板
12:接著劑層
23:LED元件
30:IC晶片
50:保護層
100:可撓性透明顯示裝置
M1:第1金屬層
M2:第2金屬層

Claims (18)

  1. 一種可撓性透明電子裝置之製造方法， 其係準備於具有絕緣性之支持基板上形成有可撓性透明電子裝置之物品，並自上述物品中之上述支持基板將上述可撓性透明電子裝置剝離之方法，  上述可撓性透明電子裝置具備可撓性透明基材、形成於上述可撓性透明基材上之電子元件及覆蓋上述電子元件之透明樹脂製之保護層，  準備上述物品時，  上述支持基板與上述可撓性透明基材之間形成有以樹脂為主成分且具有104 ～1013 Ω/□之表面電阻率之剝離層，或  上述可撓性透明基材具有104 ～1013 Ω/□之表面電阻率。
  2. 如請求項1之可撓性透明電子裝置之製造方法，其中 具有上述表面電阻率之上述剝離層或上述可撓性透明基材含有導電性填料。
  3. 如請求項2之可撓性透明電子裝置之製造方法，其中 具有上述表面電阻率之上述剝離層或上述可撓性透明基材將整體設為100質量份時，含有1～90質量份之上述導電性填料。
  4. 如請求項1之可撓性透明電子裝置之製造方法，其中 具有上述表面電阻率之上述剝離層或上述可撓性透明基材含有離子性化合物。
  5. 如請求項4之可撓性透明電子裝置之製造方法，其中 具有上述表面電阻率之上述剝離層或上述可撓性透明基材將整體設為100質量份時，含有0.01～50質量份之上述離子性化合物。
  6. 如請求項1至5中任一項之可撓性透明電子裝置之製造方法，其中 具有上述表面電阻率之上述剝離層或上述可撓性透明基材包含導電性聚合物及親水性聚合物之至少任一者。
  7. 如請求項1至5中任一項之可撓性透明電子裝置之製造方法，其中 上述樹脂之玻璃轉移溫度Tg為60℃以上。
  8. 如請求項1至5中任一項之可撓性透明電子裝置之製造方法，其中 上述剝離層之表面粗糙度Ra為0.5 μm以下。
  9. 如請求項1至5中任一項之可撓性透明電子裝置之製造方法，其中 上述電子元件包含發光二極體元件，  上述發光二極體元件於上述可撓性透明基材上就每個像素至少配置1個，並且分別具有10,000 μm2 以下之面積，  該可撓性透明電子裝置具有作為顯示裝置之功能。
  10. 一種物品，  其係於具有絕緣性之支持基板上形成有可撓性透明電子裝置者，  上述可撓性透明電子裝置具備可撓性透明基材、  形成於上述可撓性透明基材上之電子元件及  覆蓋上述電子元件之透明樹脂製之保護層，且  上述支持基板與上述可撓性透明基材之間形成有以樹脂為主成分且具有104 ～1013 Ω/□之表面電阻率之剝離層，或  上述可撓性透明基材具有104 ～1013 Ω/□之表面電阻率。
  11. 如請求項10之物品，其中 具有上述表面電阻率之上述剝離層或上述可撓性透明基材含有導電性填料。
  12. 如請求項11之物品，其中 具有上述表面電阻率之上述剝離層或上述可撓性透明基材將整體設為100質量份時，含有1～90質量份之上述導電性填料。
  13. 如請求項10之物品，其中 具有上述表面電阻率之上述剝離層或上述可撓性透明基材含有離子性化合物。
  14. 如請求項13之物品，其中 具有上述表面電阻率之上述剝離層或上述可撓性透明基材將整體設為100質量份時，含有0.01～50質量份之上述離子性化合物。
  15. 如請求項10至14中任一項之物品，其中 具有上述表面電阻率之上述剝離層或上述可撓性透明基材包含導電性聚合物及親水性聚合物之至少任一者。
  16. 如請求項10至14中任一項之物品，其中 上述樹脂之玻璃轉移溫度Tg為60℃以上。
  17. 如請求項10至14中任一項之物品，其中 上述剝離層之表面粗糙度Ra為0.5 μm以下。
  18. 如請求項10至14中任一項之物品，其中 上述電子元件包含發光二極體元件，  上述發光二極體元件於上述可撓性透明基材上就每個像素至少配置1個，並且分別具有10,000 μm2 以下之面積，  該可撓性透明電子裝置具有作為顯示裝置之功能。
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KR100831562B1 (ko) * 2006-03-23 2008-05-21 주식회사 엘지화학 유연성 기판 반송용 점착제 조성물
WO2013021560A1 (ja) * 2011-08-05 2013-02-14 パナソニック株式会社 フレキシブルデバイスの製造方法
US9799829B2 (en) * 2014-07-25 2017-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Separation method, light-emitting device, module, and electronic device
JP7046504B2 (ja) * 2017-06-02 2022-04-04 リンテック株式会社 フレキシブルデバイス用キャリアシート
US10505079B2 (en) * 2018-05-09 2019-12-10 X-Celeprint Limited Flexible devices and methods using laser lift-off

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