TW202119108A - 擴散構件、層積體、擴散構件之組件、發光二極體背光及顯示裝置 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種擴散構件，係依序具有第1層與第2層，前述第1層，具有透光性及光擴散性，前述第2層，隨著前述第2層之對於前述第1層側之面的光的入射角的絕對值變小而反射率變大，隨著前述第2層之對於前述第1層側之面的光的入射角的絕對值變大而透過率變大。

Description

擴散構件、層積體、擴散構件之組件、發光二極體背光及顯示裝置

本發明係關於例如用於直下型方式的發光二極體背光的擴散構件、層積體、及擴散構件之組件、以及使用彼之發光二極體背光及顯示裝置。

近年來，液晶顯示裝置等把發光二極體背光(以下簡稱LED背光)作為光源使用的顯示裝置迅速普及。

此處，LED背光大致可分為直下型方式與側光型方式。於智慧型手機等攜帶終端等中小型的顯示裝置，通常多使用側光方式的LED背光，由亮度等觀點來看檢討著使用直下型方式的LED背光。另一方面，大畫面液晶電視等大型的顯示裝置，多數場合使用直下型方式的LED背光。

直下型方式的LED背光，具有於基板配置複數LED元件的構成。在這樣的直下型方式的LED背光，藉由獨立控制複數LED元件，可以配合顯示影像的明暗調整LED背光各區域的亮度，實現所謂的區域調光(local dimming)。藉此，可以謀求顯示裝置的大幅提高對比以及低耗電化。

於直下型方式的LED背光，由抑制亮度參差不齊的觀點來看，在LED元件的上方配置擴散板。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2018-67441號公報 [專利文獻2]日本特開2017-92021號公報 [專利文獻3]日本特許第5062408號公報 [專利文獻4]日本特開2019-61954號公報

[發明所欲解決之課題]

然而，在直下型方式的LED背光，為了抑制亮度參差不齊，必須要隔開配置LED元件與擴散板。因此，薄型化是困難的。特別是為了減低成本及耗電量而減少LED元件數目的場合，擴大LED元件的配置間隔而變得容易產生亮度參差不齊。在此場合，LED元件與擴散板之距離有必要更長，所以薄型化變得更困難。亦即，在從前的直下型方式的LED背光，有著同時實現亮度的均勻化與薄型化很困難的問題。

此外，為了提高亮度的面內均勻性，在LED元件與擴散板之間進而配置透過反射板的方案被提出來(例如參照專利文獻1)。透過反射板，係具有圖案狀的反射部與透過部者，更具體地說，具有使LED元件的正上方為反射部，而由LED元件的正上方起朝向周圍透過部徐徐變大之圖案。藉此，可以使LED元件正上方的光反射而往周圍擴散，由周圍的透過部射出，可以提高亮度的面內均勻性。

然而，即使使用這樣的透過反射板的場合，為了抑制亮度參差不齊，必須要隔開配置LED元件與透過反射板，所以薄型化是困難的。此外，透過反射板，具有圖案狀的反射部及透過部，將反射部配置於LED元件的正上方，所以有必要對準LED元件與透過反射板之位置。

此外，為了亮度均勻化及薄型化，例如於專利文獻2，提出了在LED元件與擴散板之間，配置可反射入射光的一部分而使一部分透過之半反射鏡，作為半反射鏡使用斜向入射的反射率比垂直入射更低的半反射鏡。

進而，為了亮度的均勻化，例如於專利文獻3，提出了在LED元件與擴散板之間，係透過繞射來自光源的光，而與往光軸中心射出的比0還大的透過繞射光的強度比較，以往周邊部射出的透過繞射光強度比較強之環狀強度分布射出透過繞射光之背光用繞射光學元件。

本發明係有鑑於前述情形而完成之發明，主要目的在於提供提高亮度的面內均勻性，同時可以謀求薄型化的擴散構件、層積體、擴散構件之組件、LED背光及顯示裝置。 [供解決課題之手段]

本案發明人等，為了解決前述課題經過銳意檢討的結果，發現作為擴散構件藉由組合使用具有透光性及光擴散性之層，以及反射率及透過率具有入射角依存性之層，可以提高亮度的面內均勻性同時謀求薄型化，從而完成本發明。

亦即，本發明之一實施型態，提供一種擴散構件，係依序具有第1層與第2層，前述第1層，具有透光性及光擴散性，前述第2層，隨著前述第2層之對於前述第1層側之面的光的入射角的絕對值變小而反射率變大，隨著前述第2層之對於前述第1層側之面的光的入射角的絕對值變大而透過率變大。

本發明之其他實施型態，提供一種擴散構件，具有透過型繞射光柵或微透鏡陣列，與介電質多層膜。

本發明之其他實施型態，提供一種層積體，具備前述擴散構件，及被配置於前述擴散構件的第1層側的面側，用於密封LED元件之密封材薄板，前述密封材薄板係由含有熱塑性樹脂之密封材組成物構成。

本發明之其他實施型態，提供一種層積體，具備前述擴散構件，及被配置於前述擴散構件之透過型繞射光柵或微透鏡陣列側的面側，用於密封LED元件之密封材薄板，前述密封材薄板係由含有熱塑性樹脂之密封材組成物構成。

本發明之其他實施型態，提供一種擴散構件之組件，具有：具第1層與用於密封LED元件的密封材薄板之第1構件、以及具第2層而於前述第1構件之前述第1層側之面中介著空隙部配置使用的第2構件；前述第1層，具有透光性及光擴散性，前述第2層，隨著前述第2層之對於前述第1層側之面的光的入射角的絕對值變小而反射率變大，隨著前述第2層之對於前述第1層側之面的光的入射角的絕對值變大而透過率變大，前述密封材薄板係由含有熱塑性樹脂之密封材組成物構成。

本發明之其他實施型態，提供一種發光二極體(LED)背光，具備：於支撐基板之一方之面側被配置複數LED元件的LED基板，及被配置於前述LED基板之前述LED元件側之面側，而由前述LED基板側起依序具有第1層與第2層之擴散構件；前述第1層，具有透光性及光擴散性，前述第2層，隨著前述第2層之對於前述第1層側之面的光的入射角的絕對值變小而反射率變大，隨著前述第2層之對於前述第1層側之面的光的入射角的絕對值變大而透過率變大。

本發明之其他實施型態，提供一種LED背光，具備：於支撐基板之一方之面側被配置複數LED元件的LED基板，及被配置於前述LED基板之前述LED元件側之面側的擴散構件；前述擴散構件，由前述LED基板側起依序具有透過型繞射光柵或微透鏡陣列，與介電質多層膜。

本發明，提供一種顯示裝置，具備顯示面板，及被配置於前述顯示面板的背面之前述LED背光。 [發明之效果]

本發明發揮可以提供提高亮度的面內均勻性，同時可以謀求薄型化的擴散構件、LED背光及顯示裝置之效果。

以下，說明本發明之擴散構件、LED背光及顯示裝置。又，本發明能夠以多種不同的態樣來實施，解釋上並不限定於以下所例示的實施型態的記載內容。此外，圖式可使說明更為明確，與實施的態樣相比，各構件的寬幅、厚度、形狀等亦有模式表示的場合，其終究只是一例示而已，並非用於限定本發明之解釋。此外，於本說明書與各圖式，關於已經圖示而與先前所述相同的要素會被賦予同一符號而適當省略詳細說明。

於本說明書，表現在某構件之上或下配置另一構件之態樣時，簡單表示為「於面側」之場合，在沒有特別說明的情況下，係包含於正上方或正下方配置另一構件以使與某構件相接之場合，或於某構件的上方或下方，中介著另外的構件而配置另一構件之場合之兩方。

又，於本說明書，「LED」意味著發光二極體。 又，於本說明書，「薄片」，「薄膜」或「板」之用語，僅僅是基於稱呼的不同，並非刻意互相區別。例如，「薄片」也包含得以稱為薄膜或板的構件之概念。

A.擴散構件 本發明之擴散構件係具有2個實施態樣。以下，說明各實施態樣。

I.擴散構件之第1實施態樣 本發明之擴散構件之第1實施態樣，係依序具有第1層與第2層，前述第1層，具有透光性及光擴散性，前述第2層，隨著前述第2層之對於前述第1層側之面的光的入射角的絕對值變小而反射率變大，隨著前述第2層之對於前述第1層側之面的光的入射角的絕對值變大而透過率變大之構件。本發明之擴散構件，係於其使用時，以第1層側之面用作光的入射面。

以下，參照圖式並說明本發明之擴散構件之第1實施態樣。圖1係顯示本發明擴散構件之第1實施態樣之一例之概略剖面圖。如圖1所例示，擴散構件1係依序具有第1層2與第2層3。第1層2具有透光性及光擴散性，透過及擴散由第1層2之與第2層3側的面相反的面2A射入之光L1、L2。此外，第2層3，隨著第2層3之對於第1層2側之面3A的光的入射角的絕對值變小而反射率變大，隨著第2層3之對於第1層2側之面3A的光的入射角的絕對值變大而透過率變大。因此，第2層3，能使第2層3之對於第1層2側之面3A以低入射角θ₁ 射入的光L1反射，使第2層3之對於第1層2側之面3A以高入射角θ₂ 射入的光L2透過。又，低入射角係稱入射角的絕對值小者，高入射角係稱入射角的絕對值大者。

圖2係顯示具備本發明第1實施態樣之擴散構件之直下型方式LED背光之一例之概略剖面圖，具備圖1所示之擴散構件之例。如圖2例示，LED背光10，係具有於支撐基板12之一方之面被配置LED元件13之LED基板11，與於LED基板11的LED元件13側之面側被配置之擴散構件1。擴散構件1，以第1層2側之面1A對向於LED基板11之方式被配置。又，於圖2，LED基板11與擴散構件1被隔開配置。

本發明中，如圖1所示，使由擴散構件1的第1層2側的面1A射入的光在第1層2擴散，而且，透過第1層2而擴散的光之中，第2層3之對於第1層2側之面3A以低入射角θ₁ 射入的光L1，如圖2所示，可以在第2層3之第1層2側之面3A反射，再次射入第1層2並擴散。接著，透過第1層2而擴散的光之中，第2層3之對於第1層2側之面3A以高入射角θ₂ 射入的光L2、L2′，可以透過第2層3，且由擴散構件1的第2層3側之面1B射出。此外，藉由組合第1層及第2層，由擴散構件之第1層側之面射入之光，特別是由擴散構件之第1層側之面以低入射角射入之光，可以多次透過第1層並擴散，所以可由擴散構件之第2層側之面以高出射角射出。從而，將本發明之擴散構件用於直下型方式LED背光之場合，可以使LED元件發出的光於發光面全體擴散，且可提升亮度的面內均勻性。

此外，本發明中，如前述，藉由組合第1層及第2層，由擴散構件之第1層側之面以低入射角射入之光，可以多次透過第1層，因而可以增加光由擴散構件之第1層側之面射入起到由擴散構件之第2層側之面射出之光徑長。藉此，從LED元件發出後由擴散構件之第2層側之面射出之光的一部分，並不是在LED元件的正上方，而可以由面內方向上遠離LED元件的位置射出。從而，具備本發明之擴散構件之直下型方式LED背光，即使在縮短LED元件與擴散構件之距離之場合下，也能抑制亮度參差不齊。因而，可以提高亮度的面內均勻性，同時謀求薄型化。此外，即使減少LED元件數量之場合，也能抑制亮度參差不齊。因此，可以同時地實現亮度均勻化、薄型化、低成本化、以及低耗電化。

此外，本發明之擴散構件，係與從前的透過反射板不同，可以不必對準與LED元件之位置。因此，藉由使用本發明之擴散構件，可容易地製造LED背光。

以下，詳細說明本發明之擴散構件之第1實施態樣。

1.第1層 本發明之第1層，係被配置於後述的第2層之一方之面側，具有透光性及光擴散性之構件。

作為第1層具有的透光性，例如第1層的全光線透過率為50%以上較佳，其中在70%以上更佳，在90%以上特佳。藉由第1層的全光線透過率在前述範圍，在將本發明之擴散構件用於LED背光之場合，可以提高亮度。

又，第1層的全光線透過率，例如，可以藉由依據日本工業標準JIS K7361-1:1997之方法予以測定。作為光源，可以使用CIE標準光源D65。

作為第1層的光擴散性，例如，可以是隨機地擴散光的光擴散性，抑或主要在特定方向擴散光之光擴散性。主要在特定方向擴散光之光擴散性，係使光偏轉的性質，亦即改變光的行進方向之性質。其中，第1層的光擴散性為主要在特定方向擴散光之光擴散性較佳。藉由將光朝特定方向偏轉、亦即控制光的行進方向，可以將光整形成任意形狀或任意強度分布，可以進而提高亮度的面內均勻性。

作為第1層的光擴散性，隨機地擴散光之光擴散性之場合，例如，朝第1層射入的光的擴散角可以是10°以上，15°以上，抑或20°以上。此外，朝第1層射入的光的擴散角，例如可以是85°以下，60°以下，抑或50°以下。藉由前述擴散角在前述範圍內，在將本發明之擴散構件用於LED背光之場合，可以提高亮度的面內均勻性。

在此，說明擴散角。圖3係例示透光強度分布之圖，且說明擴散角之圖。本說明書中，光垂直地射入構成擴散構件之第1層之一方之面，並由第1層之另一方之面被射出之光的最大透光強度I_max 的2分之1，將2個角度的差即半值幅(FWHM)定義為擴散角α。

又，擴散角可以使用變角光度計或變角分光測色器予以測定。擴散角的測定上，例如，可以使用村上色彩技術研究所(股)公司製造的變角光度計 (GONIOPHOTOMETER)GP-200等。

此外，作為第1層之光擴散性，主要朝特定方向擴散光之光擴散性之場合，對於透過第1層的光的形狀或強度分布等並無特別限定，可因應光源的配光特性、或目的之光的形狀或強度分布等而適宜選擇。作為第1層之光擴散性，例如，可列舉射出具有非高斯分布(常態分布)狀的強度分布之光之性質，具體而言，可列舉射出具有環狀強度分布之光之性質，或射出具有高帽(top hat)狀強度分布之光之性質。圖4(a)、(b)係環狀強度分布之例，圖5係高帽狀強度分布之例。

其中，第1層之光擴散性，為射出具有環狀強度分布之光之性質較佳。特別是，第1層之光擴散性，為射出具有環狀強度分布之光之性質，例如圖4(a)所示般，被射出到光軸中心的透光強度大致為零較佳。由擴散構件的第1層側的面射入的光在第1層環狀地擴散，而且，第2層之對於第1層側之面以低入射角射入的光，可以在第2層之第1層側之面反射，再次射入第1層並環狀地擴散。藉由反覆進行此過程，由擴散構件的第1層側的面射入的光可以於橫方向上擴散。從而，將本發明之擴散構件用於直下型方式LED背光之場合，可以使LED元件發出的光於發光面全體擴散，可提升亮度的面內均勻性，而且可不必與LED元件對準位置。

在此，前述強度分布可以使用變角光度計或變角分光測色器予以測定。

作為第1層，只要具有前述的透光性及光擴散性者即可，並沒有特別限定，可以採用具有前述的透光性及光擴散性之各種構成。作為第1層，例如，可列舉透過型繞射光柵、微透鏡陣列、含有擴散劑及樹脂的含擴散劑樹脂膜等。具體而言，第1層為具有主要朝特定方向擴散光的光擴散性之場合，可列舉透過型繞射光柵、微透鏡陣列。另一方面，第1層為具有隨機地擴散光之光擴散性之場合，可列舉含擴散劑樹脂膜。其中，由光擴散性之觀點而言，透過型繞射光柵、微透鏡陣列為較佳。又，透過型繞射光柵也被稱為透過型繞射光學元件(DOE；Diffractive Optical Elements)。

第1層為透過型繞射光柵之場合，作為透過型繞射光柵，只要是具有前述的透光性及光擴散性者即可並未特別限定。

透過型繞射光柵，例如，相位型繞射光柵及振幅型繞射光柵之任一皆可。此外，相位型繞射光柵，例如，凹凸(relief)型繞射光柵及體積(volume)型繞射光柵之任一皆可。其中，透過型繞射光柵為凹凸型繞射光柵較佳。再者，透過型繞射光柵為凹凸型繞射光柵之場合，其中，以溝的剖面形狀具有台階形狀之多級(multilevel)繞射光柵為較佳。一般上由於多級繞射光柵的繞射光柵間距小，所以可不必對準擴散構件與LED元件之位置之本發明特別有效。於多級繞射光柵，階數可以為例如2階、4階、8階、16階等。圖6係階數為4階之多級繞射光柵2a之例。

此外，作為透過型繞射光柵，例如，可列舉透過繞射光、且射出具有非高斯分布狀的強度分布之光之透過型繞射光柵，具體而言，可列舉透過繞射光、且射出具有環狀強度分布之光之透過型繞射光柵，或透過繞射光、且射出具有高帽狀強度分布之光之透過型繞射光柵。其中，透過型繞射光柵較佳為透過繞射光、且射出具有環狀強度分布之光之透過型繞射光柵，亦即，與透過繞射光、且被射出到光軸中心的透過繞射光的強度相比較，以被射出到周邊部的透過繞射光的強度較強的環狀強度分布並且射出透過繞射光之透過型繞射光柵。特別是，以環狀強度分布射出透過繞射光，例如圖4(a)所示般，被射出到光軸中心的透過繞射光強度大致為零之透過型繞射光柵為較佳。於這樣的透過型繞射光柵之場合，且將本發明之擴散構件用於LED背光之場合，可以減少被射出到光軸中心的光的強度，同時增加被射出到周邊部的光的強度，可以更加提升亮度的面內均勻性。

透過繞射光，且射出具有環狀強度分布的光之透過型繞射光柵之場合，於環狀強度分布，透過繞射光的強度最大的方向、與透過型繞射光柵的法線方向形成之角度，例如，可以為30°以上、75°以下。前述角度太小時，無法得到足夠的沿橫方向擴散光的效果，有亮度均勻化變得困難之虞。此外，前述角度過大時，會發生全反射，有亮度均勻化變得困難之虞。此外，前述角度，例如，也可以在30°以上、45°以下。前述角度在前述範圍內之場合，容易製作透過型繞射光柵。

在此，前述強度分布及前述角度，可以使用變角光度計或變角分光測色器予以測定。前述角度的測定上，例如，可以使用村上色彩技術研究所(股)公司製造的變角光度計(GONIOPHOTOMETER)GP-200、變角分光測色器GCMS-11等。

作為透過型繞射光柵的間距等，只要可以得到前述的透光性及光擴散性即可，可適宜調整。具體而言，LED元件所輸出的波長為紅色、綠色、藍色等單色之場合，可以藉由因應各波長設定間距，而有效地彎曲來自LED元件的光。

具體而言，透過型繞射光柵的間距可以設為50μm以上、200μm以下。如前述方式，本發明的擴散構件可以不必與LED元件對準，因而對於透過型繞射光柵的間距小成前述範圍之場合特別有效。

此外，透過型繞射光柵為凹凸型繞射光柵之場合，透過型繞射光柵的溝的深度，例如，可以為1μm以上、5μm以下。

又，透過型繞射光柵的間距，例如多級繞射光柵之場合，係稱像圖6所示的、相鄰的溝的距離P。此外，透過型繞射光柵的溝的深度，例如多級繞射光柵之場合，係稱像圖6所示的溝的最大深度d1。

在此，透過型繞射光柵的間距及溝的深度，可以由利用透過型電子顯微鏡(TEM)、掃描型電子顯微鏡(SEM)或掃描透過型電子顯微鏡(STEM)觀察之透過型繞射光柵的平面俯視顯微鏡照片或透過型繞射光柵的厚度方向的剖面顯微鏡照片而求出。

作為構成透過型繞射光柵的材料，只要是可以得到具有前述的透光性及光擴散性的透過型繞射光柵之材料即可，可以採用一般上被用於透過型繞射光柵的材料。例如，可列舉石英玻璃等的玻璃、或樹脂等。

此外，作為透過型繞射光柵的形成方法，可以與一般的透過型繞射光柵的形成方法相同。透過型繞射光柵為多級繞射光柵之場合，作為透過型繞射光柵的形成方法，例如，可以列舉藉由使用電子線或雷射的直接描畫方式之微影技術或者使用光罩之微影技術來加工石英基板等的玻璃基板之方法，可以藉由反覆進行微影步驟及蝕刻步驟，而於玻璃基板形成具有台階形狀的溝。此外，作為其他透過型繞射光柵的形成方法，可以列舉利用金屬模具的樹脂賦形。此場合，例如，可以藉由於基材層的一方的面形成樹脂層，利用金屬模具將樹脂層賦形，而於樹脂層形成具有台階形狀的溝；抑或藉由於第2層的一方的面形成樹脂層，利用金屬模具將樹脂層賦形，而於樹脂層形成具有台階形狀的溝。作為金屬模具的製造方法，可以列舉，首先，藉由使用前述的電子線或雷射的直接描畫方式之微影技術或者使用光罩之微影技術來加工石英基板等的玻璃基板之方法來製作成形模具，其次，使用該成形模具來製作反轉模具之方法，可以使用該反轉模具作為金屬模具。此外，作為透過型繞射光柵的設計方法，例如，可以採用反覆傅立葉轉換演算法(Iterative Fourier Transform Algorithm；IFTA)。

第1層為微透鏡陣列之場合，作為微透鏡陣列，只要是具有前述的透光性及光擴散性者即可並未特別限定。

此外，作為微透鏡陣列，例如，可列舉透過折射光、且射出具有非高斯分布狀的強度分布之光之微透鏡陣列，具體而言，可列舉透過折射光、且射出具有環狀強度分布之光之微透鏡陣列，或透過折射光、且射出具有高帽狀強度分布之光之微透鏡陣列。其中，微透鏡較佳為透過折射光、且射出具有環狀強度分布之光之微透鏡陣列，亦即，與透過折射光、且被射出到光軸中心的透過折射光的強度相比較，以被射出到周邊部的透過折射光的強度較強的環狀強度分布並且射出透過折射光之微透鏡陣列。於這樣的微透鏡陣列之場合，且將本發明之擴散構件用於LED背光之場合，可以減少被射出到光軸中心的光的強度，同時增加被射出到周邊部的光的強度，可以更加提升亮度的面內均勻性。

作為微透鏡的形狀、間距、大小等，只要可以得到前述的透光性及光擴散性即可，可適宜調整。

具體而言，微透鏡陣列的微透鏡的間距可以為1mm以下，在0.6mm以下亦可。如前述方式，本發明的擴散構件可以不必與LED元件對準，因而對於微透鏡的間距小成前述範圍之場合特別有效。此外，微透鏡的間距，例如，可以作成0.001mm以上。

在此，微透鏡的間距，可以由利用透過型電子顯微鏡(TEM)、掃描型電子顯微鏡(SEM)或掃描透過型電子顯微鏡(STEM)觀察之微透鏡陣列的平面俯視顯微鏡照片或微透鏡陣列的厚度方向的剖面顯微鏡照片而求出。

作為構成微透鏡的材料，只要是可以得到具有前述的透光性及光擴散性的微透鏡之材料即可，可以採用一般上被用於微透鏡的材料。此外，作為微透鏡的形成方法，可以與一般的微透鏡的形成方法相同。

第1層為含擴散劑樹脂膜之場合，作為含擴散劑樹脂膜，只要是具有前述的透光性及光擴散性者即可並未特別限定。

作為含擴散劑樹脂膜含有的擴散劑，只要可以使來自LED元件的光擴散即可並未特別限定，可以採用一般上於LED背光被使用的擴散板所用的擴散劑。作為含擴散劑樹脂膜中的擴散劑含量，只要可以使來自LED元件的光擴散即可並未特別限定，可以與一般上於LED背光被使用的擴散板之擴散劑含量相同。

此外，作為含擴散劑樹脂膜含有的樹脂，只要可以使擴散劑分散即可並未特別限定，可以採用一般上於LED背光被使用的擴散板所用的樹脂。

第1層為具有可以發現光擴散性的構造者即可，例如，可以是在層全體發現光擴散性者，抑或在面發現光擴散性者。作為在面發現光擴散性者，例如，可列舉凹凸型繞射光柵或微透鏡陣列。另一方面，作為在層全體發現光擴散性者，例如，可列舉體積型繞射光柵或含擴散劑樹脂膜。

作為第1層及第2層之配置，例如，可以是於第2層的一方的面直接配置著第1層，抑或於第2層的一方的面中介著接著層或黏接層而配置第1層，如圖7(a)所示方式於第2層3的一方的面中介著空隙部配置第1層2亦可。例如，第1層為在面發現光擴散性者之場合，第1層具有可以於與第2層對向的面發現光擴散性之構造之場合，第1層及第2層中介著空隙部被配置較佳。此外，於第2層的一方的面直接配置著第1層之場合，例如以圖7(b)所示方式於第2層3的一方的面配置圖案狀的第1層2亦可。例如，第1層為在面發現光擴散性者之場合，即使第1層為圖案狀地被配置之場合，也可以發現光擴散性。

第1層及第2層中介著空隙部被配置之場合，第1層及第2層可以相接著，抑或不相接。第1層及第2層不相接之場合，可以例如於第1層及第2層之間配置間隔件。此外，空隙部可以為空氣層。

作為層積第1層及第2層之方法，例如，可列舉使第1層及第2層中介著接著層或黏接層而貼合之方法，或於第2層的一方的面直接形成第1層之方法等。作為於第2層的一方的面直接形成第1層之方法，例如，可列舉印刷法、利用金屬模具的樹脂賦形等。印刷法或利用金屬模具的樹脂賦形之場合，可以於第2層的一方的面直接形成圖案狀的第1層。

2.第2層 本發明之第2層，被配置於前述第1層之一方之面側，是具有隨著前述第2層之對於前述第1層側之面的光的入射角的絕對值變小而反射率變大這樣的反射率的入射角依存性，與隨著前述第2層之對於前述第1層側之面的光的入射角的絕對值變大而透過率變大這樣的透過率的入射角依存性之構件。

第2層，係具有隨著第2層之對於第1層側之面的光的入射角的絕對值變小而反射率變大這樣的反射率的入射角依存性。亦即，第2層之對於第1層側之面以低入射角射入的光的反射率，係比第2層之對於第1層側之面以高入射角射入的光的反射率還要大。其中，第2層之對於第1層側之面以低入射角射入的光的反射率大較佳。

具體而言，第2層之對於第1層側之面以入射角±60°以內射入的可見光的正反射率，為50%以上未滿100%較佳，其中在80%以上未滿100%更佳，在90%以上未滿100%特佳。又，於入射角±60°以內的所有入射角，可見光的正反射率滿足前述範圍較佳。藉由前述正反射率在前述範圍，在將本發明之擴散構件用於LED背光之場合，可以提高亮度的面內均勻性。

此外，第2層之對於第1層側之面以入射角±60°以內射入的可見光的正反射率的平均值，例如，為80%以上99%以下較佳，其中在90%以上97%以下更佳。又，前述正反射率的平均值，係稱在各入射角下可見光的正反射率的平均值。藉由前述正反射率的平均值在前述範圍，在將本發明之擴散構件用於LED背光之場合，可以提高亮度的面內均勻性。

此外，第2層之對於第1層側之面以入射角0°射入的(垂直地射入的)可見光的正反射率，例如，為80%以上未滿100%較佳，其中在90%以上未滿100%更佳，在95%以上未滿100%特佳。藉由前述正反射率在前述範圍，在將本發明之擴散構件用於LED背光之場合，可以提高亮度的面內均勻性。

又，「可見光」，本說明書中意味波長380nm以上波長780nm以下的光。此外，正反射率可以使用變角光度計或變角分光測色器予以測定。正反射率的測定上，例如，可以使用村上色彩技術研究所(股)公司製造的變角光度計(GONIOPHOTOMETER)GP-200、變角分光測色器GCMS-11等。

此外，第2層之對於第1層側之面以入射角±60°以內射入的光的全光線透過率，例如，為10%以下較佳，其中在5%以下更佳，在3%以下特佳。又，於入射角±60°以內的所有入射角，全光線透過率滿足前述範圍較佳。前述全光線透過率在前述範圍的話，前述正反射率可以在特定的範圍內，在將本發明之擴散構件用於LED背光之場合，可以提高亮度的面內均勻性。

第2層，係具有隨著第2層之對於第1層側之面的光的入射角的絕對值變大而透過率變大這樣的透過率的入射角依存性。亦即，第2層之對於第1層側之面以高入射角射入的光的透過率，係比第2層之對於第1層側之面以低入射角射入的光的透過率還要大。其中，第2層之對於第1層側之面以高入射角射入的光的透過率大較佳。具體而言，第2層之對於第1層側之面以入射角70°以上未滿90°射入的光的全光線透過率，為30%以上較佳，其中在40%以上更佳，在50%以上特佳。又，於入射角70°以上未滿90°的所有入射角，全光線透過率滿足前述範圍較佳。又，於入射角的絕對值為70°以上未滿90°之場合，全光線透過率滿足前述範圍較佳。藉由前述全光線透過率在前述範圍，在將本發明之擴散構件用於LED背光之場合，可以提高亮度的面內均勻性。

又，第2層的全光線透過率，例如，可以利用變角光度計或變角分光測色器，藉由依據日本工業標準JIS K7361-1:1997之方法予以測定。全光線透過率的測定，例如，可以使用日本分光(股)公司製造的紫外光-可見光-近紅外光(UV/Visible/NIR)分光光譜儀 V-7200等。作為光源，可以使用CIE標準光源D65。

此外，第2層之對於第1層側之面以入射角70°以上未滿90°射入的可見光的正反射率，例如，為70%以下較佳，其中在60%以下更佳，在50%以下特佳。又，於入射角70°以上未滿90°的所有入射角，可見光的正反射率滿足前述範圍較佳。又，於入射角的絕對值為70°以上未滿90°之場合，可見光的正反射率滿足前述範圍較佳。前述正反射率在前述範圍的話，前述全光線透過率可以在特定的範圍內，在將本發明之擴散構件用於LED背光之場合，可以提高亮度的面內均勻性。

此外，第2層之對於第1層側之面以入射角70°以上未滿90°射入的可見光的正反射率的平均值，例如，為70%以下較佳，其中在50%以下更佳，在30%以下特佳。又，前述正反射率的平均值，係稱在各入射角下可見光的正反射率的平均值。前述正反射率的平均值在前述範圍的話，前述全光線透過率可以在特定的範圍內，在將本發明之擴散構件用於LED背光之場合，可以提高亮度的面內均勻性。

作為第2層，只要是具有前述的反射率及透過率的入射角依存性者即可，並沒有特別限定，可以採用具有前述的反射率及透過率的入射角依存性之各種構成。作為第2層，例如，可列舉介電質多層膜，或由前述第1層側起依序具有圖案狀的第1反射膜與圖案狀的第2反射膜、使第1反射膜的開口部及第2反射膜的開口部定位成平面俯視上不重疊、第1反射膜及第2反射膜於厚度方向上分開配置之反射構造體，或反射型繞射光柵等。

以下，說明第2層為介電質多層膜、反射構造體、或者反射型繞射光柵之場合。

(1)介電質多層膜 第2層為介電質多層膜之場合，作為介電質多層膜，例如，可列舉折射率不同的無機層交互地層積之無機化合物多層膜、或折射率不同的樹脂層交互地層積之樹脂多層膜。

(無機化合物多層膜) 介電質多層膜為折射率不同的無機層交互地層積之無機化合物多層膜之場合，作為無機化合物多層膜，只要是具有前述的反射率及透過率的入射角依存性者即可並未特別限定。

折射率不同的無機層之中，作為折射率高的高折射率無機層含有的無機化合物，例如，折射率可以為1.7以上，在1.7以上2.5以下亦可。作為這樣的無機化合物，例如，可列舉以氧化鈦、氧化鋯、五氧化鉭、五氧化鈮、氧化鑭、氧化釔、氧化鋅、硫化鋅、氧化銦為主成分，且含有少量氧化鈦、氧化錫、氧化鈰之無機化合物等。

此外，折射率不同的無機層之中，作為折射率低的低折射率無機層含有的無機化合物，例如，折射率可以為1.6以下，在1.2以上1.6以下亦可。作為這樣的無機化合物，例如，可列舉二氧化矽、氧化鋁、氟化鑭、氟化鎂、六氟化鋁鈉等。

高折射率無機層及低折射率無機層的層積數，只要可以得到前述的反射率及透過率的入射角依存性即可，可適宜調整。具體而言，高折射率無機層及低折射率無機層之總層積數可以為4層以上。此外，前述總層積數的上限並未特別限定，但是製程會隨層積數增加而增加，所以可以為例如24層以下。

無機化合物多層膜的厚度，只要可以得到前述的反射率及透過率的入射角依存性即可，例如，可以是0.5μm以上10μm以下。

作為無機化合物多層膜的形成方法，例如，可列舉藉由CVD法、濺鍍法、真空蒸鍍法、或者濕式塗敷法等，交互地層積高折射率無機層與低折射率無機層之方法。

(樹脂多層膜) 介電質多層膜為折射率不同的樹脂層交互地層積之樹脂多層膜之場合，作為樹脂多層膜，只要是具有前述的反射率及透過率的入射角依存性者即可並未特別限定。

作為構成樹脂層的樹脂，例如，可以列舉熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂。其中，由於成形性良好，所以熱可塑性樹脂較佳。

於樹脂層，也可以添加各種添加劑，例如，抗氧化劑、防帶電劑、結晶核劑、無機粒子、有機粒子、減黏劑、熱安定劑、滑劑、紅外線吸收劑、紫外線吸收劑、供調整折射率用之摻雜劑等。

作為熱可塑性樹脂，例如，可以使用聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚甲基戊烯等的聚烯烴樹脂、脂環族聚烯烴樹脂、尼龍6、尼龍66等的聚醯胺樹脂、芳香族聚醯胺樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚丙烯對苯二甲酸酯、聚丁二酸丁二醇酯、聚乙烯-2,6-萘二甲酸酯等的聚酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚芳香酯樹脂、聚乙縮醛樹脂、聚苯硫醚樹脂、4氟化乙烯樹脂、3氟化乙烯樹脂、3氟氯化乙烯樹脂、4氟化乙烯-6氟化伸丙基共聚合物、偏二氟乙烯樹脂等的氟樹脂、丙烯酸樹脂、甲基丙烯酸樹脂、聚乙縮醛樹脂、聚乙醇酸樹脂、聚乳酸樹脂等。其中，由強度、耐熱性、透明性之觀點而言，以聚酯為更佳。

本說明書中，聚酯係稱二羧酸成分骨架與二醇成分骨架之聚縮合物即均聚酯或共聚合聚酯。在此，作為均聚酯，例如，可列舉聚乙烯對苯二甲酸酯、聚丙烯對苯二甲酸酯、聚伸丁基對苯二甲酸酯、聚乙烯-2,6-萘二甲酸酯、聚-1,4-環己烷二亞甲基對苯二甲酸酯、聚乙烯二苯甲酸酯等。其中，聚對苯二甲酸乙二酯，由於便宜，可用於非常廣泛的用途而較佳。

此外，本說明書中，共聚合聚酯定義為由選自以下列舉的具有二羧酸骨架的成分與具有二醇骨架的成分之至少3種以上成分所構成之聚縮合物。作為具有二羧酸骨架之成分，例如，可列舉對苯二甲酸、間苯二甲酸、鄰苯二甲酸、1,4-萘二羧酸、1,5-萘二羧酸、2,6-萘二羧酸、4,4-二苯基二羧酸、4,4-二苯基磺基二羧酸、己二酸、癸二酸、二體酸、環己烷二羧酸與該等之酯衍生物等。作為具有甘醇骨架之成分，例如，可列舉乙二醇、1,2-丙烷二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、二甘醇、聚烯烴二醇、2,2-雙(4-β-羥乙氧基苯基)丙烷、異己二烯酸酯、1,4-環己烷二甲醇、螺甘油等。

折射率不同的樹脂層之中，折射率高的高折射率樹脂層與折射率低的低折射率樹脂層之面內平均折射率之差，為0.03以上較佳，在0.05以上更佳，在0.1以上又更佳。前述面內平均折射率之差太小的話，有無法得到足夠的反射率之場合。

此外，高折射率樹脂層的面內平均折射率與厚度方向折射率之差為0.03以上較佳；低折射率樹脂層之面內平均折射率與厚度方向折射率之差為0.03以下較佳。此場合，即使入射角變大，也不易發生反射峰的反射率降低。

被用於高折射率樹脂層之高折射率樹脂與被用於低折射率樹脂層之低折射率樹脂之較佳組合，首先，高折射率樹脂及低折射率樹脂的SP值之差之絕對值為1.0以下較佳。SP值之差之絕對值在前述範圍的話，不易發生層間剝離。此場合，高折射率樹脂及低折射率樹脂包含相同的基本骨架更佳。在此，基本骨架，係構成樹脂的重複單元。例如，一方的樹脂為聚對苯二甲酸乙二酯之場合，對苯二甲酸乙二酯為基本骨架。此外，例如，一方的樹脂為聚乙烯之場合，乙烯為基本骨架。高折射率樹脂及低折射率樹脂為包含相同的基本骨架之樹脂的話，更不易發生層間的剝離。

作為被用於高折射率樹脂層之高折射率樹脂與被用於低折射率樹脂層之低折射率樹脂之較佳組合，第二是高折射率樹脂及低折射率樹脂的玻璃轉移溫度之差為20℃以下較佳。玻璃轉移溫度之差過大的話，有高折射率樹脂層及低折射率樹脂層之製作層積膜時的厚度均勻性不良之場合。此外，在形成前述層積膜時，也會有發生過延伸之場合。

此外，高折射率樹脂為聚對苯二甲酸乙二酯或者聚萘二甲酸乙二醇酯，低折射率樹脂為包含螺甘油之聚酯較佳。在此，包含螺甘油之聚酯，係稱將螺甘油共聚合了的共聚酯、或者均聚酯、或者摻合了該等之聚酯。包含螺甘油之聚酯，與聚對苯二甲酸乙二酯或聚萘二甲酸乙二醇酯之玻璃轉移溫度之差小，因而不易在成形時變得過延伸，並且不易發生層間剝離，因此較佳。更好是高折射率樹脂為聚對苯二甲酸乙二酯或者聚萘二甲酸乙二醇酯，低折射率樹脂為包含螺甘油及環己烷二羧酸之聚酯較佳。低折射率樹脂為包含螺甘油及環己烷二羧酸之聚酯的話，與聚對苯二甲酸乙二酯或聚萘二甲酸乙二醇酯之面內折射率之差會增加，因而容易得到高的反射率。此外，與聚對苯二甲酸乙二酯或聚萘二甲酸乙二醇酯之玻璃轉移溫度之差減少，對接著性優異，因而成形時不易變得過延伸，並且不易發生層間剝離。

此外，高折射率樹脂為聚對苯二甲酸乙二酯或者聚萘二甲酸乙二醇酯，低折射率樹脂為包含環己烷二甲醇之聚酯也較佳。在此，包含環己烷二甲醇之聚酯，係稱將環己烷二甲醇共聚合了的共聚酯、或者均聚酯、或者摻合了該等之聚酯。包含環己烷二甲醇之聚酯，與聚對苯二甲酸乙二酯或聚萘二甲酸乙二醇酯之玻璃轉移溫度之差小，因而不易在成形時變得過延伸，並且不易發生層間剝離，因此較佳。此場合，低折射率樹脂，以環己烷二甲醇的共聚合量為15mol%以上60mol%以下之對苯二甲酸乙二酯聚縮合物更佳。藉由這作法，具有高的反射性能，同時特別減少因加熱或經時造成的光學特性變化，且也不易發生層間的剝離。環己烷二甲醇的共聚合量在前述範圍內之對苯二甲酸乙二酯聚縮合物，係與聚對苯二甲酸乙二酯非常強地接著。此外，該環己烷二甲醇基作為幾何異構物有順式或反式，此外作為構形異構物也有椅型或船型，因而即使與聚對苯二甲酸乙二酯共延伸也不易進行配向結晶化，且具有高反射率，因熱履歷導致的光學特性變化也更少，製膜時也不易發生破裂。

於前述之樹脂多層膜，只要具有高折射率樹脂層與低折射率樹脂層在厚度方向上交互地被層積之構造之部分存在即可。亦即，高折射率樹脂層及低折射率樹脂層之厚度方向的配置順序不是隨機的狀態較佳，高折射率樹脂層及低折射率樹脂層以外之樹脂層的配置順序則沒有特別限定。此外，前述的樹脂多層膜，具有高折射率樹脂層與低折射率樹脂層與其他樹脂層之場合，作為這些的配置順序，在設定高折射率樹脂層為A、低折射率樹脂層為B、其他樹脂層為C時，依照A(BCA)n、A(BCBA)n、 A(BABCBA)n等的規則順序層積各層更佳。在此，n為重複單元數，例如A(BCA)n中n=3之場合，表示沿厚度方向上依照ABCABCABCA的順序被層積。

此外，高折射率樹脂層及低折射率樹脂層的層積數，只要可以得到前述的反射率及透過率的入射角依存性即可，可適宜調整。具體而言，高折射率樹脂層及低折射率樹脂層可以交互地各層積30層以上，各層積200層以上亦可。此外，高折射率樹脂層及低折射率樹脂層之總層積數，例如可以為600層以上。層積數太少的話，有無法得到足夠的反射率之場合。此外，藉由層積數在前述範圍，可以容易地得到所期待的反射率。此外，前述總層積數的上限並未特別限定，但是考慮到裝置大型化或由於層數太多導致的層積精度降度，可以為例如1500層以下。

再者，前述的樹脂多層膜，至少於單面具有含有厚度3μm以上的聚對苯二甲酸乙二酯或者聚萘二甲酸乙二醇酯之表面層較佳，其中，於雙面具有前述表面層較佳。此外，表面層的厚度5μm以上為更佳。藉由具有前述表面層，可以保護前述的樹脂多層膜的表面。

作為前述的樹脂多層膜之製造方法，例如，可列舉共擠押出(Co-Extrusion)法等。具體而言，可以參照日本專利特開2008-200861號公報記載之層積膜之製造方法。

此外，作為前述的樹脂多層膜，可以使用市售的層積膜，具體而言，可列舉TORAY(股)公司製造的PICASUS(註冊商標)、3M(股)公司製造的ESR等。

(2)反射構造體 反射構造體，係由前述第1層側起依序具有圖案狀的第1反射膜與圖案狀的第2反射膜、使第1反射膜的開口部及第2反射膜的開口部定位成平面俯視上不重疊、第1反射膜及第2反射膜於厚度方向上分開配置之反射構造體。

反射構造體係有2個態樣。反射構造體之第1態樣，係具有透明基材、被配置於透明基材的一方的面之圖案狀的第1反射膜、與被配置於透明基材的另一方的面之圖案狀的第2反射膜；使第1反射膜的開口部及第2反射膜的開口部定位成平面俯視上不重疊，第1反射膜及第2反射膜於厚度方向上分開配置之態樣。此外，反射構造體之第2態樣，係具有透明基材、被配置於透明基材的一方的面且具有透光性的圖案狀的凸部、被配置於與凸部的透明基材側的面相反的面側之圖案狀的第1反射膜、與被配置於透明基材的一方的面的凸部的開口部之圖案狀的第2反射膜；使第1反射膜的開口部及第2反射膜的開口部定位成平面俯視上不重疊，第1反射膜及第2反射膜於厚度方向上分開配置之態樣。以下，分別說明各態樣。

(反射構造體之第1態樣) 本發明之反射構造體之第1態樣，係具有透明基材、被配置於透明基材的一方的面之圖案狀的第1反射膜、與被配置於透明基材的另一方的面之圖案狀的第2反射膜；使第1反射膜的開口部及第2反射膜的開口部定位成平面俯視上不重疊，第1反射膜及第2反射膜於厚度方向上分開配置之態樣。本態樣的反射構造體之場合，於本發明之擴散構件，於反射構造體的第1反射膜側的面側配置第1層。

圖8(a)、(b)係顯示本態樣之反射構造體之一例之概略平面圖及剖面圖；圖8(a)係反射構造體之由第1反射膜側之面來看之平面圖；圖8(b)係圖8(a)之A-A線剖面圖。如圖8(a)、(b)所示，反射構造體20，係具有透明基材21、被配置於透明基材21的一方的面之圖案狀的第1反射膜22、與被配置於透明基材21的另一方的面之第2反射膜24。使第1反射膜22的開口部23及第2反射膜24的開口部25定位成平面俯視上不重疊。此外，第1反射膜22及第2反射膜24，於透明基材21的雙面分別被配置著，且於厚度方向上分開配置。又，於圖8(a)，第2反射膜的開口部係以虛線顯示。此外，圖8(c)係顯示具備具有本態樣的反射構造體之擴散構件之LED背光之一例之概略剖面圖。

這樣的反射構造體中，層積著圖案狀的第1反射膜及第2反射膜、使第1反射膜的開口部及第2反射膜的開口部定位成平面俯視上不重疊，所以，將具有本態樣的反射構造體之擴散構件用於LED背光之場合，例如圖8(c)所示，第1反射膜22及第2反射膜24之至少任一方必須存在於LED元件13的正上方。因此，例如圖8(b)所示，反射構造體20的第1反射膜22側的面，亦即反射構造體20(第2層)之對於被配置第1層(未圖示)之側之面3A以低入射角射入之光L11，可以在第1反射膜22及第2反射膜24反射。此外，使第1反射膜的開口部及第2反射膜的開口部定位成平面俯視上不重疊，且第1反射膜及第2反射膜於厚度方向上分開配置，所以，反射構造體20的第1反射膜22側的面，亦即反射構造體20(第2層)之對於被配置第1層(未圖示)之側之面3A以高入射角射入之光L12、L13，可以由第1反射膜22的開口部23及第2反射膜24的開口部25射出。藉此，從LED元件發出後由擴散構件之第2層側之面射出之光的一部分，並不是在LED元件的正上方，而可以由面內方向上遠離LED元件的位置射出。因而，可以提高亮度的面內均勻性。

以下，說明本態樣之反射構造體。

作為第1反射膜及第2反射膜，可以使用一般的反射膜，例如，可以使用金屬膜、介電質多層膜等。作為金屬膜的材料，可以採用被使用於一般的反射膜之金屬材料，例如，可列舉鋁、金、銀、及該等的合金等。此外，作為介電質多層膜，可以採用被使用於一般的反射膜之多層膜，例如，可列舉氧化鋯與氧化矽交互地被層積的多層膜等之無機化合物多層膜。第1反射膜及第2反射膜所含的材料，可以是相同的，抑或互為不同。

作為第1反射膜及第2反射膜的開口部之間距，只要可以得到前述之反射率及透過率之入射角依存性即可，可以因應使用本發明的擴散構件之LED背光中LED元件的配光特性、尺寸、間距及形狀，或LED基板與擴散構件之距離等而適宜設定。第1反射膜及第2反射膜的開口部之間距，可以是相同，抑或互為不同。

第1反射膜的開口部之間距，例如，也可以比LED元件的尺寸還要大。具體而言，第1反射膜的開口部之間距可以設為0.1mm以上20mm以下。

此外，第2反射膜的開口部之間距，只要能抑制亮度參差不齊即可並未特別限定，但是，其中以前述第1反射膜的開口部之間距以下為佳，比前述第1反射膜的開口部之間距要小較佳。具體而言，第2反射膜的開口部之間距可以設為0.1mm以上2mm以下。藉由如前述使第2反射膜的開口部的間距微細化，能不易辨識出第2反射膜的部分與第2反射膜的開口部的部分之圖案，可形成沒有參差不齊的面發光。

又，第1反射膜的開口部的間距，係稱例如圖8(a)所示般，相鄰接的第1反射膜22的開口部23之中心間的距離P1。此外，第2反射膜的開口部的間距，係稱例如圖8(a)所示般，相鄰接的第2反射膜24的開口部25之中心間的距離P2。

作為第1反射膜及第2反射膜的開口部之大小，只要可以得到前述之反射率及透過率之入射角依存性即可，可以因應使用本發明的擴散構件之LED背光中LED元件的配光特性、尺寸、間距及形狀，或LED基板與擴散構件之距離等而適宜設定。第1反射膜及第2反射膜的開口部之大小，可以是相同，抑或互為不同。

作為第1反射膜的開口部之大小，具體而言，於第1反射膜的開口部之形狀為矩形狀之場合，第1反射膜的開口部之長度可以為0.1mm以上5mm以下。

此外，第2反射膜的開口部之大小，只要能抑制亮度參差不齊即可並未特別限定，但是，其中以前述第1反射膜的開口部之大小以下為佳，比前述第1反射膜的開口部之大小要小較佳。具體而言，於第2反射膜的開口部之形狀為矩形狀之場合，第2反射膜的開口部之長度可以為0.05mm以上2mm以下。藉由如前述使第2反射膜的開口部的大小微細化，能不易辨識出第2反射膜的部分與第2反射膜的開口部的部分之圖案，可形成沒有參差不齊的面發光。

又，第1反射膜的開口部的大小，係稱例如第1反射膜的開口部之形狀為矩形狀之場合，如圖8(a)所示般，第1反射膜22的開口部23之長度x1。此外，第2反射膜的開口部的大小，係稱例如圖8(a)所示般，第2反射膜24的開口部25之長度x2。

作為第1反射膜及第2反射膜的開口部之形狀，例如，可以為矩形狀、圓形狀等，任意形狀。

作為第1反射膜及第2反射膜之厚度，只要可以得到前述的反射率及透過率的入射角依存性即可，可適宜調整。具體而言，第1反射膜及第2反射膜之厚度可以設為0.05μm以上100μm以下。

第1反射膜及第2反射膜，可以是於透明基材之面被形成，抑或薄板狀的反射膜。作為第1反射膜及第2反射膜之形成方法，只要可以於透明基材之面圖案狀地形成反射膜之方法即可並未特別限定，例如，可列舉濺鍍法、真空蒸鍍法等。此外，第1反射膜及第2反射膜為薄板狀的反射膜之場合，作為開口部之形成方法，例如，可列舉利用沖壓加工等來形成複數貫通孔之方法等。此場合，作為透明基材及薄板狀的反射膜之層積方法，例如，可以採用於透明基材中介著接著層或黏接層貼合薄板狀的反射膜之方法。

本態樣的反射構造體之透明基材，係支撐前述之第1反射膜及第2反射膜等之構件，此外，用以使第1反射膜及第2反射膜於厚度方向上分開配置之構件。

透明基材係具有透光性。作為透明基材的透光性，透明基材的全光線透過率在例如80%以上為佳，其中在90%以上較佳。又，透明基材的全光線透過率，例如，可以藉由依據日本工業標準JIS K7361-1:1997之方法予以測定。作為光源，可以使用CIE標準光源D65。

作為構成透明基材之材料，只要是具有前述之全光線透過率之材料即可，例如，可列舉聚對苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、丙烯酸、環烯烴、聚酯、聚苯乙烯、丙烯酸苯乙烯等之樹脂、或石英玻璃、pyrex(註冊商標)、合成石英等之玻璃。

作為透明基材之厚度，例如圖8(b)所示，使反射構造體20的第1反射膜22側的面，亦即反射構造體20(第2層)之對於被配置第1層(未圖示)之側之面3A以高入射角射入之光L12，可以由第1反射膜22的開口部23及第2反射膜24的開口部25射出之厚度較佳，且可因應第1反射膜及第2反射膜的開口部之間距及大小、或第1反射膜及第2反射膜之厚度等而適宜設定。具體而言，透明基材之厚度可以為0.05mm以上2mm以下，其中在0.1mm以上0.5mm以下較佳。

(反射構造體之第2態樣) 本發明之反射構造體之第2態樣，係具有透明基材、被配置於透明基材的一方的面且具有透光性的圖案狀的凸部、被配置於與凸部的透明基材側的面相反的面側之圖案狀的第1反射膜、與被配置於透明基材的一方的面的凸部的開口部之圖案狀的第2反射膜；使第1反射膜的開口部及第2反射膜的開口部定位成平面俯視上不重疊，第1反射膜及第2反射膜於厚度方向上分開配置之態樣。本態樣的反射構造體之場合，於本發明之擴散構件，於反射構造體的第1反射膜側的面側配置第1層。

圖9(a)、(b)係顯示本發明之反射構造體之第2態樣之一例之概略平面圖及剖面圖；圖9(a)係反射構造體之由第1反射膜側之面來看之平面圖；圖9(b)係圖9(a)之A-A線剖面圖。如圖9(a)、(b)所示，反射構造體20，係具有透明基材21、被配置於透明基材21的一方的面、具有透光性之圖案狀的凸部26，被配置於與凸部26的透明基材21側的面相反的面之圖案狀的第1反射膜22、與被配置於透明基材21的一方的面的凸部26的開口部之圖案狀的第2反射膜24。使第1反射膜22的開口部23及第2反射膜24的開口部25定位成平面俯視上不重疊。此外，第1反射膜22及第2反射膜24，藉由凸部26而被隔開，且於厚度方向上分開配置。

這樣的反射構造體中，層積著圖案狀的第1反射膜及第2反射膜、使第1反射膜的開口部及第2反射膜的開口部定位成平面俯視上不重疊，所以，將具有本態樣的反射構造體之擴散構件用於LED背光之場合，第1反射膜及第2反射膜之至少任一方必須存在於LED元件的正上方。因此，與前述第1態樣同樣地，例如圖9(b)所示，反射構造體20的第1反射膜22側的面，亦即反射構造體20(第2層)之對於被配置第1層(未圖示)之側之面3A以低入射角射入之光L11，可以在第1反射膜22及第2反射膜24反射。此外，使第1反射膜的開口部及第2反射膜的開口部定位成平面俯視上不重疊，且第1反射膜及第2反射膜於厚度方向上分開配置，所以，反射構造體20的第1反射膜22側的面，亦即反射構造體20(第2層)之對於被配置第1層(未圖示)之側之面3A以高入射角射入之光L12，可以由凸部26的側面及第2反射膜24的開口部25射出。藉此，從LED元件發出後由擴散構件之第2層側之面射出之光的一部分，並不是在LED元件的正上方，而可以由面內方向上遠離LED元件的位置射出。因而，可以提高亮度的面內均勻性。

此外，本態樣中具有凸部，所以第1反射膜及第2反射膜之開口部可自動對準，能削減製造成本。

又，針對第1反射膜及第2反射膜之材料、第1反射膜及第2反射膜之開口部的間距、第1反射膜及第2反射膜之開口部的大小、第1反射膜及第2反射膜之開口部的形狀、第1反射膜及第2反射膜之厚度、以及第1反射膜及第2反射膜之形成方法等，可以與前述第1態樣相同。

此外，針對透明基材，可以與前述第1態樣相同。

本態樣的反射構造體之凸部，係用以使前述的第1反射膜及第2反射膜於厚度方向上分開配置之構件。

凸部係具有透光性。作為凸部的透光性，凸部的全光線透過率在例如80%以上為佳，其中在90%以上較佳。又，凸部的全光線透過率，例如，可以藉由依據日本工業標準JIS K7361-1:1997之方法予以測定。作為光源，可以使用CIE標準光源D65。

作為構成凸部之材料，只要可形成圖案狀的凸部、且具有前述的全光線透過率之材料即可，例如，可列舉熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂等。

作為凸部之高度，例如圖9(b)所示，使反射構造體20的第1反射膜22側的面，亦即反射構造體20(第2層)之對於被配置第1層(未圖示)之側之面3A以高入射角射入之光L12，可以由凸部26的側面及第2反射膜24的開口部25射出那樣的高度較佳，且因應第1反射膜及第2反射膜的開口部之間距及大小、或第1反射膜及第2反射膜之厚度等而可適宜設定。具體而言，凸部之高度可以為0.05mm以上2mm以下，其中在0.1mm以上0.5mm以下較佳。

針對凸部的間距、大小及平面俯視形狀，可以與前述第2反射膜之開口部的間距、大小及形狀相同。

凸部之表面，例如可以如圖9(b)所示為平滑面，抑或如圖10(a)所示為粗糙面。凸部的表面為粗糙面之場合，可以對凸部賦予光擴散性。

此外，作為凸部之表面形狀，可以例如圖9(b)所示為平面，抑或如圖10(b)所示為曲面。凸面的表面為曲面之場合，可以對凸部賦予光擴散性。

作為凸部之形成方法，只要可以形成圖案狀的凸部之方法即可並未特別限定，例如，可列舉印刷法、利用金屬模具的樹脂賦形等。

(3)反射型繞射光柵 第2層為反射型繞射光柵之場合，作為反射型繞射光柵，只要是具有前述的反射率及透過率之入射角依存性者即可並未特別限定。

作為反射型繞射光柵之間距等，只要可以得到前述的反射率及透過率之入射角依存性即可，可適宜調整。具體而言，LED元件所輸出的波長為紅色、綠色、藍色等單色之場合，可以藉由因應各波長設定間距，而有效地使LED元件的光反射。

作為構成反射型繞射光柵的材料，只要是可以得到具有前述的反射率及透過率的入射角依存性之反射型繞射光柵之材料即可，可以採用一般上被用於反射型繞射光柵的材料。此外，作為反射型繞射光柵的形成方法，可以與一般的反射型繞射光柵的形成方法相同。

3.擴散構件 於本實施態樣，作為擴散構件全體之厚度，例如可以為30μm以上200μm以下。

4.波長變換構件 本發明之擴散構件中，可以例如圖11(a)所示，於與第2層3的第1層2側的面相反的面側配置波長變換構件4，抑或如圖11(b)所示，於與第1層2的第2層3側的面相反的面側配置波長變換構件4。LED背光中，有為了廣色域化等而使用波長變換構件之場合，將本發明之擴散構件用於LED背光之場合，波長變換構件亦可與擴散構件組合。

波長變換構件，係吸收由LED元件被射出的光，含有發出激發光的螢光體之構件。波長變換構件，係藉由與LED基板組合，而具有生成白色光之機能。

波長變換構件，通常至少具有包含螢光體及樹脂之波長變換層。波長變換構件，例如，可以是波長變換層單體，抑或是於透明基材的一方的面側具有波長變換層之層積體。其中，由薄型化之點而言，波長變換層單體為較佳。更佳為使用薄板狀的波長變換構件。

作為前述螢光體，可以因應來自LED元件的發光色而適宜選擇，例如，可以列舉藍色螢光體、綠色螢光體、紅色螢光體、黃色螢光體等。例如，LED元件為藍色LED元件之場合，作為螢光體，可以使用綠色螢光體與紅色螢光體，抑或使用黃色螢光體。此外，例如，LED元件為紫外線LED元件之場合，作為螢光體，可以使用紅色螢光體與綠色螢光體與藍色螢光體。

作為螢光體，可以採用一般上被用於LED背光的波長變換構件之螢光體。此外，也可以將量子點用作螢光體。

波長變換構件層中的螢光體含量，在將本發明之擴散構件用於LED背光之場合，只要是能生成所要的白色光之程度即可並未特別限定，可以與一般的LED背光的波長變換構件之螢光體含量相同。

此外，作為波長變換構件所含的樹脂，只要能使螢光體分散即可並無特別限定。作為前述樹脂，可以是與被用於一般的LED背光的波長變換構件之樹脂相同，例如，可以列舉聚矽氧系樹脂或環氧系樹脂等的熱硬化性樹脂。

作為波長變換構件之厚度，在將本發明之擴散構件用於LED背光之場合，只要是能生成所要的白色光之厚度即可並未特別限定，例如可以為10μm以上1000μm以下。

作為於第1層或第2層層積波長變換構件之方法，例如，可列舉使波長變換構件中介著接著層或黏接層而貼合到第1層或第2層之方法，或於第1層或第2層之面直接形成波長變換構件之方法等。作為於第1層或第2層之面直接形成波長變換構件之方法，例如，可列舉印刷法。

5.光學構件 本發明之擴散構件中，也可以例如圖11(b)所示，於與第2層3的第1層2側的面相反的面側進而配置光學構件5。LED背光中，有除了擴散構件之外還可以使用光學構件之場合，將本發明之擴散構件用於LED背光之場合，光學構件亦可與擴散構件組合。作為光學構件，例如，可列舉稜鏡片、反射型偏光片等。

(1)稜鏡片 本發明之稜鏡片，係具有將射入的光聚光，集中地提升正面方向的亮度之機能。稜鏡片，例如，係於透明樹脂基材的一方的面側，配置包含丙烯酸樹脂等的稜鏡圖案。

作為稜鏡片，例如，可以使用3M(股)公司製造的增亮膜BEF系列。

(2)反射型偏光片 本發明之反射型偏光片，係具有僅使第1直線偏光成分(例如P偏光)透過，並且反射而不吸收與第1直線偏光成分直交的第2直線偏光成分(例如S偏光)之機能。在反射型偏光片被反射的第2直線偏光成分會再度被反射，在偏光被解除的狀態(包含第1直線偏光成分與第2直線偏光成分雙方之狀態)下，再度，朝反射型偏光片射入。因而，反射型偏光片使再度射入的光的第1直線偏光成分透過，與第1直線偏光成分直交的第2直線偏光成分再度被反射。以下，藉由反覆進行同上列的過程，70%～80%程度的由前述第2層射出的光會作為第1直線偏光成分的光被發出。從而，將具備本發明的擴散構件之LED背光用於顯示裝置之場合，藉由使反射型偏光片的第1直線偏光成分(透過軸成分)的偏光方向與顯示面板的偏光板的透過軸方向一致，所有來自LED背光的出射光都可利用於顯示面板上的影像形成。因此，即使由LED元件被投入的光能相同，與未配置反射型偏光片之場合相比，也可形成更高亮度的影像。

作為反射型偏光片，例如，可以使用3M(股)公司製造的增亮膜DBEF系列。此外，作為反射型偏光片，例如，也可以使用Shinwha Intertek(股)公司製造的高亮度偏光片WRPS、金屬線柵偏光片(Wire-grid Polarizer)等。

6.用途 本發明之擴散構件適合被用於直下型方式LED背光。

II.擴散構件之第2實施態樣 本發明之擴散構件的第2實施態樣，係具有透過型繞射光柵或微透鏡陣列，與介電質多層膜之構件。本發明之第2實施態樣的擴散構件，係於其使用時，以透過型繞射光柵或微透鏡陣列側之面用作光的入射面。

本發明之擴散構件的第2實施態樣，係藉由透過型繞射光柵或微透鏡陣列、與介電質多層膜組合，可以發揮與前述之擴散構件的第1實施態樣同樣的效果。

作為本實施態樣之透過型繞射光柵及微透鏡陣列，可以與前述之擴散構件的第1實施態樣之被用於第1層的透過型繞射光柵及微透鏡陣列相同。

此外，作為本實施態樣之介電質多層膜，可以與前述之擴散構件的第1實施態樣之被用於第2層的介電質多層膜相同。

透過型繞射光柵及微透鏡陣列只要是具有可以發現光擴散性的構造者即可，例如，可以是在層全體發現光擴散性者，抑或在面發現光擴散性者。

作為透過型繞射光柵或微透鏡陣列與介電質多層膜之配置，例如，可以於介電質多層膜的一方的面中介著接著層或黏接層配置透過型繞射光柵或微透鏡陣列，抑或於介電質多層膜的一方的面中介著空隙部配置透過型繞射光柵或微透鏡陣列，抑或於介電質多層膜的一方的面直接配置透過型繞射光柵或微透鏡陣列。

透過型繞射光柵或微透鏡陣列與介電質多層膜中介著空隙部配置之場合，透過型繞射光柵或微透鏡陣列與介電質多層膜可以相接，抑或不相接。透過型繞射光柵或微透鏡陣列與介電質多層膜不相接之場合，例如可以於透過型繞射光柵或微透鏡陣列與介電質多層膜之間配置間隔件。此外，空隙部可以為空氣層。

此外，於介電質多層膜的一方的面直接配置透過型繞射光柵或微透鏡陣列之場合，例如，可以藉由印刷法或利用金屬模具的樹脂賦形等，於介電質多層膜的一方的面直接形成透過型繞射光柵或微透鏡陣列。

作為本實施態樣的擴散構件全體之厚度，可以與前述之第1實施態樣的擴散構件全體之厚度相同。

本實施態樣之擴散構件中，可以於介電質多層膜之與透過型繞射光柵或微透鏡陣列側的面相反的面側配置波長變換構件，抑或於透過型繞射光柵或微透鏡陣列之與介電質多層膜側的面相反的面側配置波長變換構件。又，針對波長變換構件，可以與前述之擴散構件的第1實施態樣之項記載之波長變換構件相同。

本實施態樣之擴散構件中，也可以於介電質多層膜之與透過型繞射光柵或微透鏡陣列側的面相反的面側配置光學構件。又，針對光學構件，可以與前述之擴散構件的第1實施態樣之項記載之光學構件相同。

本實施態樣之擴散構件適合被用於直下型方式LED背光。

B.層積體 本發明之層積體係具有2個實施態樣。以下，說明各實施態樣。

I.層積體之第1實施態樣 本發明之層積體之第1實施態樣，係一種構件，具備：依序具有第1層及第2層之擴散構件，與被配置於前述擴散構件的前述第1層側的面側、用以密封LED元件之密封材薄板；前述第1層，具有透光性及光擴散性；前述第2層，隨著前述第2層之對於前述第1層側之面的光的入射角的絕對值變小而反射率變大，隨著前述第2層之對於前述第1層側之面的光的入射角的絕對值變大而透過率變大；前述密封材薄板係由含有熱可塑性樹脂之密封材組成物構成。本發明之層積體，係於其使用時，以密封材薄板側之面用作LED元件的光的入射面。

圖12係顯示本發明層積體之第1實施態樣之一例之概略剖面圖。如圖12例示，層積體40係具備：依序具有第1層2及第2層3之擴散構件1，被配置於擴散構件1的第1層2側的面側、用以密封LED元件之密封材薄板21a。擴散構件1的第1層2係具有透光性及光擴散性。擴散構件1的第2層3，隨著第2層3之對於第1層2側之面的光的入射角的絕對值變小而反射率變大，隨著第2層3之對於第1層2側之面的光的入射角的絕對值變大而透過率變大。密封材薄板21a係由含有熱可塑性樹脂之密封材組成物構成。

在此，特別是在薄型化或輕量化之點，與側光方式相比，直下型方式LED背光是不利的。然而，如前述，對於直下型方式LED背光，薄型化困難。

可是，近年，針對LED元件的微細化及高密度化之研究開發正在進展，晶片尺寸小的LED，即所謂的迷你LED或微型LED受到關注。於是，正在檢討將LED元件的微細化及高密度化之技術作為LED背光而實用化。(例如參照專利文獻4)

於直下型方式LED背光，亮度參差不齊係依存於LED元件與擴散板之距離以及LED元件間之距離(以下，有稱為間距之場合)。因此，即使縮短LED元件間之距離，也能抑制亮度參差不齊。亦即，藉由以高密度配置微細的LED元件，可以提高亮度的面內均勻性。此場合，可實現薄型化。

在此，於LED背光，為了將LED元件與擴散板之間維持在特定間隔而配置間隔件。然而，藉由由LED元件被射出的光被間隔件或遮擋或被反射，而有發生亮度參差不齊之場合。此外，間隔件有設置多數個之必要，但是在例如迷你LED或微型LED般間距細窄之場合，配置多數個間隔件是困難的。

於是，在LED背光，於LED元件與擴散板之間配置密封LED元件的密封構件之構成也被提出(例如參照專利文獻4)。但是，與LED元件及擴散板之間為空間之構成相比，於LED元件及擴散板之間配置密封構件之構成，重量會增加。

近年，對於顯示裝置要求薄型化及輕量化，對於被組入顯示裝置之背光也要求更加薄型化及輕量化。如前述，與側光型方式相比較，直下型方式LED背光在薄型化及輕量化之點是不利的，所以被要求進一步改良。

根據本發明，藉由具有前述的擴散構件，可提高亮度的面內均勻性，同時謀求薄型化。此外，能縮短LED元件與擴散構件之距離，因而可以薄化密封材薄板的厚度，也可謀求輕量化。

此外，於本發明，密封材薄板係由含有熱可塑性樹脂之密封材組成物構成。以下，說明熱可塑性樹脂較佳之理由。

於LED背光中密封構件含有熱可塑性樹脂之場合，可以使用由含有熱可塑性樹脂的密封材組成物構成之薄板狀密封材(以下，有稱為密封材薄板之場合)。圖13(a)～(b)係顯示本發明之LED背光的製造方法之一例之步驟圖，為使用本發明之層積體之例。例如，如圖13(a)所示，準備LED基板11、與擴散構件1及密封材薄板21a之層積體40；藉由於LED基板11的LED元件13側的面側層積密封材薄板21a之後，藉由例如採用真空層疊法，將密封材薄板21a壓接在LED基板11，如圖13(b)所示，而可以用密封構件21密封LED元件13。又，圖13(a)、(b)，係顯示於LED基板11上，反射層15被配置於除了支撐基板12之LED元件13被配置之面、即於被實裝LED元件13的LED元件實裝區域以外之區域之例。

另一方面，LED背光中密封構件含有熱硬化性樹脂或光硬化性樹脂等的硬化性樹脂之場合，通常使用液狀的密封材。此場合，例如，如圖14(a)所示，可以藉由於LED基板11的周圍配置模具101，於LED基板11的LED元件13側的面側塗布含有硬化性樹脂的液狀密封材21b並形成塗膜之後，利用熱處理使塗膜硬化，如圖14(b)所示，用密封構件21’密封LED元件13。

硬化性樹脂之場合，由於使用液狀密封材，因表面張力等的關係，可能發生與中央部相比，端部的厚度變得較厚或者較薄的現象之場合(參照圖14(a))。

此外，硬化性樹脂之場合，容易發生硬化時體積的收縮等，結果，如圖14(b)所示，可能有硬化後密封構件的中央部與端部之厚度變得不均勻之場合。又，圖14(b)係顯示密封構件21’之端部的厚度比中央部的厚度還要厚之例，但厚度之分布並不以此為限，例如，也可能有端部的厚度比中央部的厚度還要薄之場合。

如此方式在密封構件的中央部與端部之厚度不同之場合，例如，在拼接複數個LED背光而大型化之場合，各個LED背光的邊界的厚度將不同，結果將被辨識為接縫。因此，在將被拼接的LED背光用於顯示裝置之場合，可能有作為顯示裝置的顯示的美觀被破壞之場合。

對此，使用薄板狀的密封材之場合，可以迴避使用液狀密封材之場合會發生之密封構件表面凹凸情形，由於表面張力導致出現塗膜厚度分布、或由於熱收縮或光收縮導致厚度分布發生。因而，可以得到平坦性良好的密封構件，可以提供高品質的顯示裝置。從而，根據本發明，藉由具有前述的密封材薄板，可以得到平坦性良好的密封構件。特別是，在使用被稱作迷你LED或微型LED的尺寸之LED基板並加以拼接之場合是有用的。

以下，說明本發明之層積體之第1實施態樣。

1.擴散構件 針對本發明之擴散構件，可以與前述「A.擴散構件 I.第1實施態樣」之項記載之擴散構件相同。

作為擴散構件及密封材薄板之配置，可因應擴散構件的第1層之種類等而適宜選擇，例如，如圖12所示，可以於擴散構件1的第2層3的一方的面直接或者中介未圖示的接著層或黏接層來配置第1層2，且於擴散構件1的第1層2側的面側直接配置密封材薄板21a；抑或如圖15(a)所示，於擴散構件1的第2層3的一方的面直接或者中介未圖示的接著層或黏接層來配置第1層2，且於擴散構件1的第1層2側的面側中介低折射率層43來配置密封材薄板21a；抑或如圖15(b)所示，於密封材薄板21a的一方的面直接配置擴散構件1的第1層2，且於擴散構件1的第1層2及第2層3之間配置空隙部；抑或如圖15(c)所示，於擴散構件1的第2層3的一方的面直接配置第1層2，且於擴散構件1及密封材薄板21a之間配置空隙部。在擴散構件的第1層為例如含擴散劑樹脂膜之場合，前述的擴散構件及密封材薄板之配置之中，任一種配置皆可。另一方面，在擴散構件的第1層為例如透過型繞射光柵或微透鏡陣列之場合，則必須於擴散構件的第1層及第2層之間配置空隙部，或者於擴散構件的第1層及密封材薄板之間配置空隙部，或者於擴散構件的第1層及密封材薄板之間配置低折射率層。

此外，於密封材薄板的一方的面直接配置著擴散構件的第1層之場合，例如以圖15(b)所示方式，於密封材薄板21a的一方的面配置圖案狀的第1層2亦可。例如，第1層為在面發現光擴散性者之場合，即使第1層為圖案狀地被配置之場合，也可以發現光擴散性。

於擴散構件的第1層及第2層之間配置著空隙部之場合，例如以圖15(b)所示方式，第1層2及第2層3可以相接著，雖未圖示，第1層及第2層不相接亦可。第1層及第2層不相接之場合，可以例如於第1層及第2層之間配置間隔件。此外，於擴散構件及密封材薄板之間配置著空隙部之場合，例如擴散構件的第1層及密封材薄板可以相接著，如圖15(c)所示般擴散構件的第1層及密封材薄板不相接亦可。於擴散構件的第1層及密封材薄板不相接之場合，可以例如於擴散構件及密封材薄板之間配置間隔件。此外，空隙部可以為空氣層。

於密封材薄板的一方的面直接配置著擴散構件的第1層之場合，可以例如藉由印刷法或利用金屬模具的樹脂賦形，於密封材薄板的一方的面直接形成擴散構件的第1層。

2.密封材薄板 本發明之密封材薄板係用於密封LED元件，由含有熱可塑性樹脂之密封材組成物構成之構件。

密封材薄板係具有透光性。又，密封材薄板之「透光性」、「透明」，只要是不阻害來自LED元件的光的辨識性之程度即可。

(1)密封材薄板之材料 本發明之密封材薄板係由含有熱可塑性樹脂之密封材組成物構成。

作為被用於本發明之密封材薄板之熱可塑性樹脂，通常使用實質上不產生使LED基板劣化的成分(劣化成分)之樹脂。在此，「實質上不產生劣化成分之樹脂」，係指不含有劣化成分本身、或者即使含有也不會對LED基板影響其劣化的程度之樹脂，或於製造及使用LED背光時，不會產生劣化成分、或者即使產生不會對LED基板影響其劣化的程度之樹脂。

作為這樣的產生劣化成分之樹脂，可以列舉產生酸成分作為劣化成分之乙烯-乙酸乙烯酯共聚合物(EVA)等。

此外，作為本發明之熱可塑性樹脂，適宜使用具有熔融黏度的樹脂，可以藉由加熱，追隨被配置於LED基板的一方的面側之LED元件及其他構件的凹凸且進入間隙。

具體而言，使用的熱可塑性樹脂之熔體質量流率(MFR)係在0.5g/10分鐘以上40g/10分鐘以下較佳，在2.0g/10分鐘以上40g/10分鐘以下更佳。藉由MFR在前述的範圍，可以進入LED元件的間隙，能發揮充分的密封性能，進而能成為與LED基板的密接性優異之密封構件。

又，本說明書之MFR係稱依照日本工業標準JIS K7210測定之190℃、荷重2.16kg之數值。但是，針對聚丙烯樹脂之MFR，係同樣依照日本工業標準JIS K7210之、230℃、荷重2.16kg之MFR數值。

針對如後述般密封材薄板為多層構件之場合之MFR，在所有層一體被層積的多層狀態下，利用前述測定方法進行測定，以得到的測定值為該多層的密封構件的MFR值。

作為被用於本發明的熱可塑性樹脂之熔點，只要可以在不使LED基板劣化的溫度區域將LED元件進行密封即可並未特別限定，例如，在55℃以上135℃以下較佳。又，熱可塑性樹脂之熔點，例如，可以依據塑料的轉移溫度測定方法(JISK7121)，利用微差掃描熱量法(DSC)予以測定。

本發明中，作為前述熱可塑性樹脂，例如，可以使用烯烴系樹脂、離子聚合物(ionomer)系樹脂、聚乙烯丁縮醛系樹脂等。

其中，前述熱可塑性樹脂為烯烴系樹脂較佳。烯烴系樹脂，由於特別不易產生使LED基板劣化之成分、且熔融黏度也低所以可以良好地密封前述之LED元件之緣故。此外，烯烴系樹脂之中，以聚乙烯系樹脂或者聚丙烯系樹脂為較佳。

在此，本說明書中聚乙烯系樹脂，不僅包含聚合乙烯而得到的通常的聚乙烯，也包含聚合具有α-烯烴等之類的乙烯性不飽和鍵的化合物而得到之樹脂、使具有乙烯性不飽和鍵的複數不同的化合物共聚合之樹脂、以及於這些樹脂接枝別的化學種而得到的變性樹脂等。

其中，可以使用以α-烯烴與乙烯性不飽和矽烷化合物作為共聚單體共聚合而成之矽烷共聚合物(以下，亦稱「矽烷共聚合物」)較佳。藉由使用這樣的樹脂，可以得到LED基板與密封構件更高的密接性之緣故。前述矽烷共聚合物，可以使用日本專利特開2018-50027號公報所記載者。

(2)密封材薄板之構造 本發明之密封材薄板，例如圖12所示，密封材薄板21a可以是由單一的樹脂層構成之單層構件，或者如圖16所示，密封材薄板21a可以是層積複數層的樹脂層(圖16為3層)之多層構件。

前述多層構件之場合，於前述多層構件中位於與擴散構件側相反側之層、亦即位於LED基板側之層，可以使用通常價格昂貴之密接性或進入LED元件等的間隙的成型性良好之材料。前述多層構件，可以是2層構造，但是於兩面配置密接性良好的層之3層構造為較佳。

於前述多層構件，作為構成位於與擴散構件側相反側之層、亦即被配置於LED基板側的層之材料，只要密接性高、且成型性高者即可並無特別限定，但是於前述熱可塑性樹脂之場合，例如，使用前述之矽烷共聚合物等較佳。此外，前述熱可塑性樹脂之場合，前述材料含有前述烯烴系樹脂與矽烷耦合劑較佳。

密封材薄板的厚度係可以因應LED基板的層構成等而適宜選擇，並未特別限定。密封材薄板的厚度，例如，可以是100μm以上，抑或250μm以上，抑或300μm以上。此外，密封材薄板的厚度，例如，可以是600μm以下，抑或550μm以下。前述厚度太薄的話，可能無法充分發揮作為密封構件的機能，或發生亮度參差不齊。另一方面，前述厚度過厚的話，有可能薄型化及輕量化變得困難，或對透光性帶來不良影響。

此外，密封材薄板為3層的多層構件之場合，位於3層中的中心之層的厚度，例如，可以是60μm以上，抑或100μm以上，抑或250μm以上，此外，可以是400μm以下，抑或350μm以下。此外，於此場合，位於3層中的外側之各層的厚度，例如，可以是15μm以上200μm以下。

又，本說明書之「厚度」，係可以採用可測定μ等級的大小之公知的測定方法來測定，作為一例可以使用藉由光學顯微鏡或掃描型電子顯微鏡(SEM)之觀察影像而予以測定。針對「大小」等尺寸的測定也是同樣的。

(3)其他 被用於密封材薄板之密封材組成物，只要含有熱可塑性樹脂即可，也可以因應需要而含有架橋劑、矽烷耦合劑、抗氧化劑、光安定化劑等，其他添加劑。此外，作為密封材薄板之成型方法，可以與一般的樹脂薄板的成型方法相同。作為一例可以列舉T字模法，但並不限定於此。

(4)密封材薄板之具體態樣 如前述，密封材薄板係含有熱可塑性樹脂，含有烯烴系樹脂更佳，含有聚乙烯系樹脂又更佳。密封材薄板，以密度0.870g/cm³ 以上0.930g/cm³ 以下的聚乙烯系樹脂為基礎樹脂特佳。這樣的密封材薄板，係由於與LED基板的密接性良好，且對配置於LED基板的構件之追隨性良好的緣故。

以下，說明適宜的密封材薄板之詳細內容。

前述密封材薄板，係以0.870g/cm³ 以上0.930 g/cm³ 以下的聚乙烯系樹脂為基礎樹脂之樹脂膜。亦即，前述密封材薄板，係以前述的聚乙烯系樹脂為基礎樹脂之密封材薄板。

前述密封材薄板，係由包含芯層、與被配置於兩最表面的皮層之複數層構成的多層膜較佳。於是，此場合，芯層係以密度0.910g/cm³ 以上0.930g/cm³ 以下的聚乙烯系樹脂為基礎樹脂較佳，針對皮層，則以密度0.890g/cm³ 以上0.910g/cm³ 以下、即密度比芯層用的基礎樹脂還要低的聚乙烯系樹脂為基礎樹脂較佳。

前述多層膜之場合，該總厚度，例如為100μm以上較佳，250μm以上更佳，300μm以上又更佳。此外，總厚度，例如為600μm以下較佳，550μm以下更佳。總厚度太薄的話，無法充分地緩和衝擊，而總厚度在前述範圍內的話，可以同時兼具足夠好的水準的成型性與耐熱性。又，總厚度過厚的話，難以得到進一步改善衝擊緩和效果，且無法對應於薄型化的要求，並且不經濟。

前述多層膜之芯層的厚度，例如為60μm以上較佳，更佳為100μm以上，又更佳為250μm以上。此外，芯層的厚度，例如為400μm以下較佳，更佳為350μm以下。此外，此場合之每個皮層的厚度，例如可以為15μm以上，抑或30μm以上，此外，可以為200μm以下。藉由各層的厚度在這樣的範圍內，可以將密封材薄板的耐熱性與成型特性保持在良好的範圍內。

前述密封材薄板，係將於後說明詳細內容的密封材組成物、以從前公知的方法成型加工而形成薄板狀之物。

將前述密封材薄板形成作為密封構件之場合，用於製造各層之密封材組成物，係每個層以密度範圍等不同的組成物作成基礎樹脂。

此場合，前述密封材組成物，係將芯層用密封材組成物與皮層用密封材組成物區分使用於每一層的形成。接著，藉由該等芯層用、皮層用的各密封材組成物，以特定的厚度，並藉由將在兩最表面配置著皮層的3層構造之多層膜成形，例如圖16所示，可以製造皮層22a、芯層23、以及皮層22b之3層構造的密封材薄板21a。

作為前述密封材薄板的芯層用密封材組成物之基礎樹脂，最好使用低密度聚乙烯系樹脂(LDPE)、直鏈低密度聚乙烯系樹脂(LLDPE)、或有機茂金屬 (metallocene)系直鏈低密度聚乙烯系樹脂(M-LLDPE)。其中，由長期信賴性之觀點而言，特好使用低密度聚乙烯系樹脂(LDPE)作為芯層用組成物。

作為前述芯層用密封材組成物的基礎樹脂來使用之聚乙烯系樹脂的密度，在0.910g/cm³ 以上0.930 g/cm³ 以下，更好是在0.920g/cm³ 以下。藉由芯層用密封材組成物的基礎樹脂的密度在前述範圍，不必經過架橋處理，可以使密封材薄板具備必要足夠的耐熱性。

針對前述芯層用密封材組成物之熔點，熔點90℃以上135℃以下較佳，熔點100℃以上115℃以下更佳。藉由芯層的熔點在前述熔點範圍，可以將該等密封材組成物的耐熱性與成型特性保持在良好的範圍內。又，藉由於芯層用密封材組成物添加聚丙烯等的高熔點樹脂，可以將密封材組成物的熔點提高到135℃程度。此場合，聚丙烯對於芯層的全樹脂成分，含有5質量%以上40質量%以下較佳。

前述芯層含有的聚丙烯，為均聚聚丙烯(均聚PP)樹脂較佳。均聚PP，係僅由聚丙烯單體所組成的聚合物且結晶性高，所以與嵌段(Block)PP或隨機(Random) PP相比較，具有更高的剛性。藉由用此作為往芯層用密封材組成物的添加樹脂，可以提高密封構件的尺寸安定性。此外，用作往芯層用密封材組成物的添加樹脂之均聚PP，依據日本工業標準JIS K7210而測定的230℃、荷重2.16kg之MFR在5g/10分鐘以上125g/10分鐘以下較佳。前述MFR太小的話，分子量變大且剛性變得過高，而難以擔保密封材組成物最佳的足夠的柔軟性。此外，前述MFR過大的話，無法充分抑制加熱時的流動性，而不能對密封材薄板充分地賦予耐熱性及尺寸安定性。

用作前述芯層用密封材組成物的基礎樹脂之聚乙烯系樹脂的熔體質量流率(MFR)，於190℃、荷重2.16kg，在2.0g/10分鐘以上7.5g/10分鐘以下較佳，在3.0g/10分鐘以上6.0g/10分鐘以下更佳。藉由芯層用密封材組成物的基礎樹脂之MFR在前述範圍，可以將密封構件的耐熱性與成型特性保持在良好的範圍內。此外，可以充分提高製膜時的加工適性並有助於改善密封構件的生產性。

前述的基礎樹脂對前述芯層用密封材組成物中全樹脂成分之含有量為70質量%以上99質量%以下，在90質量%以上99質量%以下較佳。只要含有基礎樹脂在前述範圍內，就可以含有其他樹脂。

作為前述密封材薄板的皮層用密封材組成物之基礎樹脂，與芯層用密封材組成物同樣地，最好使用低密度聚乙烯系樹脂(LDPE)、直鏈低密度聚乙烯系樹脂(LLDPE)、或有機茂金屬系直鏈低密度聚乙烯系樹脂(M-LLDPE)。其中，由成型特性之觀點而言，特好使用有機茂金屬系直鏈低密度聚乙烯系樹脂(M-LLDPE)作為皮層用密封材組成物。

用作前述皮層用密封材組成物的基礎樹脂之前述聚乙烯系樹脂的密度，在0.890g/cm³ 以上0.910g/cm³ 以下，更好是在0.899g/cm³ 以下。藉由皮層用密封材組成物的基礎樹脂之密度在前述範圍內，可以將密封構件的密接性保持在良好的範圍。

針對前述皮層用密封材組成物之熔點，熔點55℃以上100℃以下較佳，熔點80℃以上95℃以下更佳。藉由皮層用密封材組成物之熔點在前述範圍內，可以使密封構件的密接性更確實地提升。

用作前述皮層用密封材組成物的基礎樹脂之聚乙烯系樹脂的熔體質量流率(MFR)，於190℃、荷重2.16kg，在2.0g/10分鐘以上7.0g/10分鐘以下較佳，在2.5g/10分鐘以上6.0g/10分鐘以下更佳。藉由皮層用密封材組成物的基礎樹脂之MFR在前述範圍內，可以將密封材薄板的密接性更確實地保持在良好的範圍內。此外，可以充分提高製膜時的加工適性並有助於改善密封材薄板的生產性。

前述的基礎樹脂對前述皮層用密封材組成物中全樹脂成分之含有量為60質量%以上99質量%以下，在90質量%以上99質量%以下較佳。只要含有基礎樹脂在前述範圍內，就可以含有其他樹脂。

於以上已說明的所有密封材組成物，因應需要，於各密封材組成物含有一定量以α-烯烴與乙烯性不飽和矽烷化合物作為共聚單體共聚合而成之矽烷共聚合物為更佳。這樣的接枝共聚合物，使有助於接著力之矽烷醇基的自由度變高，所以能改善密封材薄板往其他構件之接著性。

矽烷共聚合物，例如，可列舉日本專利特開2003-46105號公報所記載之矽烷共聚合物。藉由使用前述矽烷共聚合物作為密封材組成物的成分，可以安定地、以低成本得到密封材薄板，於強度、耐久性等優異、且於耐天候性、耐熱性、耐水性、耐光性、其他諸特性優異，再者，配置密封材薄板時不受加熱壓接等製造條件影響且具有極優異的熱熔接性。

作為矽烷共聚合物，可使用隨機共聚合物、交替共聚合物、嵌段共聚合物、及接枝共聚合物之任一種較佳，但以接枝共聚合物更佳，以聚合用聚乙烯為主鏈、且以乙烯性不飽和矽烷化合物為側鏈而聚合之接枝共聚合物又更佳。這樣的接枝共聚合物，使有助於接著力之矽烷醇基的自由度變高，所以能改善密封材薄板之接著性。

作為構成α-烯烴與乙烯性不飽和矽烷化合物的共聚合物時之乙烯性不飽和矽烷化合物之含有量，對於全共聚合物質量，例如為0.001質量%以上15質量%以下較佳，在0.01質量%以上5質量%以下特佳，最好是在0.05質量%以上2質量%以下。在構成α-烯烴與乙烯性不飽和矽烷化合物的共聚合物之乙烯性不飽和矽烷化合物之含量多之場合，於機械性強度、及耐熱性等優異，但含量過多的話，可能有拉伸伸長度、及熱熔接性等變差之傾向。

前述矽烷共聚合物的密封材組成物對全樹脂成分之含有量，於前述芯層用密封材組成物為2質量%以上20質量%以下，於前述皮層用密封材組成物為5質量%以上40質量%以下較佳。特別是於皮層用密封材組成物，含有10質量%以上的矽烷共聚合物更佳。又，前述的矽烷共聚合物之矽烷變性量，在1.0質量%以上3.0質量%以下程度較佳。前述的密封材組成物中較佳的矽烷共聚合物的含有量範圍，係以前述矽烷變性量在該範圍內為前提，最好是因應該變性量的變動而予以適宜微調整。

此外，於所有密封材組成物，可以適宜地添加密接性提升劑。藉由密接性提升劑的添加，可以更加改善與其他構件之密接耐久性。作為密接性提升劑，可以使用公知的矽烷耦合劑，但使用具有環氧基的矽烷耦合劑、或者具有巰基的矽烷耦合劑特佳。

3.波長變換構件 本發明之層積體中，可以例如圖17(a)所示，於擴散構件1的第2層3側的面側配置波長變換構件41，抑或如圖17(b)所示，於擴散構件1與密封材薄板21a之間配置波長變換構件41。針對波長變換構件，可以與前述「A.擴散構件」之項記載之波長變換構件相同。

4.光學構件 此外，本發明之層積體中，也可以例如圖17(b)所示，於擴散構件1的第2層3側的面側配置光學構件42。針對光學構件，可以與前述「A.擴散構件」之項記載之光學構件相同。

5.其他構成 本發明之層積體中，例如圖15(a)所示，於擴散構件1的第1層2與密封材薄板21a之間配置低折射率層43之場合，低折射率層，係具有比擴散構件的第1層的折射率還要低的折射率之層。藉由低折射率層的折射率比擴散構件的第1層的折射率還要低，可以抑制全反射。此外，本實施態樣的層積體，如前述，係用密封材薄板側的面作為LED元件的光的入射面，於擴散構件的第1層為例如透過型繞射光柵或微透鏡陣列之場合，可以藉由於擴散構件的第1層的光入射側配置具有折射率與第1層不同之低折射率層，利用透過型繞射光柵使光繞射，或者利用微透鏡陣列使光繞射。

低折射率層的折射率，只要比擴散構件的第1層的折射率還要低即可，可以例如1.0以上1.5以下。此外，低折射率層與擴散構件的第1層之折射率差愈大愈好，可以例如0.3以上1.0以下。藉由低折射率層與擴散構件的第1層之折射率差大，於第1層為例如微透鏡陣列或者含擴散劑樹脂膜之場合可以增加折射角，於第1層為例如透過型繞射光柵之場合可以增加繞射角。

低折射率層，例如，可以是含有樹脂及低折射率粒子者，抑或含氟樹脂者。低折射率層含有樹脂及低折射率粒子之場合，作為低折射率粒子，例如，可以是無機粒子或有機粒子。此外，低折射率粒子也可以是中空粒子。此外，作為樹脂，例如，可以使用硬化性樹脂。

II.層積體之第2實施態樣 本發明之層積體之第2實施態樣，係一種具備擴散構件，具有透過型繞射光柵或微透鏡陣列、及介電質多層膜，與被配置於前述擴散構件之前述透過型繞射光柵或前述微透鏡陣列側的面側、用於密封LED元件之密封材薄板，前述密封材薄板係由含有熱可塑性樹脂之密封材組成物構成之構件。本實施態樣之層積體，係於其使用時，以密封材薄板側之面用作LED元件的光的入射面。

本發明之層積體之第2實施態樣，係可以發揮與前述之層積體之第1實施態樣同樣的效果。

針對本實施態樣之擴散構件，可以與前述「A.擴散構件 II.第2實施態樣」之項記載之擴散構件相同。

作為擴散構件及密封材薄板之配置，例如，可以於擴散構件的介電質多層膜的一方的面直接或者中介著接著層或黏接層配置透過型繞射光柵或微透鏡陣列，且於擴散構件的透過型繞射光柵或微透鏡陣列側的面側中介著低折射率層配置密封材薄板；抑或於密封材薄板的一方的面直接配置擴散構件之透過型繞射光柵或微透鏡陣列，且於擴散構件的介電質多層膜與透過型繞射光柵或微透鏡陣列之間配置空隙部；抑或於擴散構件的介電質多層膜的一方的面直接配置透過型繞射光柵或微透鏡陣列，且於擴散構件及密封材薄板之間配置空隙部。

針對於擴散構件的透過型繞射光柵或微透鏡陣列與介電質多層膜之間配置空隙部之場合之構成，係可以與前述的層積體的第1實施態樣中於擴散構件的第1層及第2層之間配置空隙部之場合相同。此外，針對於擴散構件及密封材薄板之間配置空隙部之場合之構成，可以與前述的層積體的第1實施態樣中於擴散構件及密封材薄板之間配置空隙部之場合相同。

於密封材薄板的一方的面直接配置擴散構件的透過型繞射光柵或微透鏡陣列之場合，可以藉由例如印刷法或利用金屬模具的樹脂賦形，於密封材薄板的一方的面直接形成擴散構件的透過型繞射光柵或微透鏡陣列。

此外，本實施態樣之密封材薄板，可以與前述之層積體的第1實施態樣之密封材薄板相同。

此外，本實施態樣之低折射率層，可以與前述之層積體的第1實施態樣之低折射率層相同。

本實施態樣之層積體中，可以於擴散構件的介電質多層膜側的面側配置波長變換構件，抑或於擴散構件與密封材薄板之間配置波長變換構件。針對波長變換構件，可以與前述「A.擴散構件」之項記載之波長變換構件相同。

此外，本實施態樣之層積體中，也可以於擴散構件的介電質多層膜側的面側配置光學構件。針對光學構件，可以與前述「A.擴散構件」之項記載之光學構件相同。

C.擴散構件之組件 本發明之擴散構件之組件，具備：具第1層與用於密封LED元件的密封材薄板之第1構件、以及具第2層而於前述第1構件之前述第1層側之面中介著空隙部配置使用的第2構件；前述第1層，具有透光性及光擴散性，前述第2層，隨著前述第2層之對於前述第1層側之面的光的入射角的絕對值變小而反射率變大，隨著前述第2層之對於前述第1層側之面的光的入射角的絕對值變大而透過率變大，前述密封材薄板係由含有熱可塑性樹脂之密封材組成物構成。

如圖18所示，擴散構件之組件60係具備：具第1層2與用於密封LED元件的密封材薄板21a之第1構件61、以及具第2層3之第2構件62。第2構件62，係於第1構件61的第1層2側的面中介著空隙部配置使用。第1層2係具有透光性及光擴散性。此外，第2層3係具有反射率的入射角依存性及透過率的入射角依存性。

本發明之擴散構件之組件，係可以發揮與前述之層積體同樣的效果。

第1構件及第2構件係各別構件，藉由中介著空隙部配置第1構件及第2構件，可以用作擴散構件。

針對本發明之第1層及第2層，可以與前述「A.擴散構件」之項記載之第1層及第2層相同。

此外，作為本發明之密封材薄板，可以與前述「B.層積體」之項記載之密封材薄板相同。

第1構件中，於第1層與密封材薄板之間配置波長變換構件亦可。另一方面，第2構件中，於第2層的一方的面配置波長變換構件亦可。此外，第2構件中，於第2層的一方的面配置光學構件亦可。針對波長變換構件及光學構件，可以與前述「A.擴散構件」之項記載之波長變換構件及光學構件相同。

D.LED背光 本發明之LED背光係具有2個實施態樣。以下，說明各實施態樣。

I.LED背光之第1實施態樣 本發明之發光二極體(LED)背光之第1實施態樣，一種裝置具備：於支撐基板之一方之面側被配置複數LED元件的LED基板，及被配置於前述LED基板之前述LED元件側之面側，而由前述LED基板側起依序具有第1層與第2層之擴散構件；前述第1層，具有透光性及光擴散性，前述第2層，隨著前述第2層之對於前述第1層側之面的光的入射角的絕對值變小而反射率變大，隨著前述第2層之對於前述第1層側之面的光的入射角的絕對值變大而透過率變大。本發明之LED背光係直下型方式LED背光。

圖2係顯示本發明之LED背光之一例之概略剖面圖。又，針對圖2，前述「A.擴散構件」之項已記載，所以在此省略說明。

圖19係顯示本發明之LED背光之另一例之概略剖面圖。如圖19例示，LED背光10，係具有於支撐基板12之一方之面側被配置複數LED元件13之LED基板11，於LED基板11的LED元件13側之面側被配置且密封LED元件13之密封構件21，及於與密封構件21的LED基板11側之面相反之面側被配置且由密封構件21側起依序具有第1層2及第2層3之擴散構件1。擴散構件1之第1層2具有透光性及光擴散性，透過及擴散由第1層2之與第2層3側的面相反的面2A射入之光L1、L2、L2’。此外，擴散構件1之第2層3，隨著第2層3之對於第1層2側之面3A的光的入射角的絕對值變小而反射率變大，隨著第2層3之對於第1層2側之面3A的光的入射角的絕對值變大而透過率變大。因此，第2層3，能使第2層3之對於第1層2側之面3A以低入射角θ₁ 射入的光L1反射，使第2層3之對於第1層2側之面3A以高入射角θ₂ 、θ_2’ 射入的光L2、L2’透過。又，圖19，係顯示於LED基板11上，反射層15被配置於除了支撐基板12之LED元件13被配置之面、即於被實裝LED元件13的LED元件實裝區域以外之區域之例。

圖19中，使由LED元件13發出且於擴散構件1的第1層2側的面1A射入的光在第1層2擴散，而且，透過第1層2而擴散的光之中，第2層3之對於第1層2側之面3A以低入射角θ₁ 射入的光L1，可以在第2層3之第1層2側之面3A反射，再次射入第1層2並擴散。接著，透過第1層2而擴散的光之中，第2層3之對於第1層2側之面3A以高入射角θ₂ 、θ_2’ 射入的光L2、L2′，可以透過第2層3，且由擴散構件1的第2層3側之面1B射出。

本發明，藉由具有前述的擴散構件，可提高亮度的面內均勻性，同時謀求薄型化。此外，也可減低成本及消耗電力。此外，能縮短LED元件與擴散構件之距離，因而可以薄化密封構件的厚度，也可謀求輕量化。此外，藉由使用前述之擴散構件，可容易地製造本發明之LED背光。

以下，說明本發明之LED背光之第1實施態樣。

1.擴散構件 本發明之擴散構件，係一種構件，被配置於前述LED基板之前述LED元件側之面側，而由前述LED基板側起依序具有第1層與第2層；前述第1層，具有透光性及光擴散性，前述第2層，隨著前述第2層之對於前述第1層側之面的光的入射角的絕對值變小而反射率變大，隨著前述第2層之對於前述第1層側之面的光的入射角的絕對值變大而透過率變大。

針對本發明之擴散構件，可以與前述「A.擴散構件」之項記載之構件相同。針對構成擴散構件之各構件，可以與前述「A.擴散構件」之項記載之內容相同，所以在此的記載省略。

擴散構件，被配置從LED基板的LED元件的發光面分開特定距離。擴散構件與LED基板的LED元件的發光面之間之距離，例如，為5mm以下較佳，其中，為2mm以下更佳，1mm以下特佳。只要前述距離在前述範圍，就可以薄型化。前述距離之下限值並未特別限定。

在此，擴散構件與LED基板的LED元件的發光面之間之距離，例如，係如圖2所示之擴散構件1的第1層2側的面1A與LED基板11的LED元件13的發光面之間之距離d。

2.LED基板 本發明之LED基板，係於支撐基板的一方的面側被配置複數LED元件之構件。

以下，說明LED基板。

(1)發光二極體(LED)元件 於本發明之LED背光，LED元件係用作光源。

本發明之LED背光，可以為白色LED。作為LED元件，只要用作LED背光之場合可以發出白光即可並未特別限定，例如，可以列舉能發出白光、藍光、紫外線或者紅外線等之LED元件。

LED元件可以做成晶片狀的LED元件。作為LED元件之型態，例如，可以是發光部(亦稱LED晶片)本身，抑或表面實裝型或晶片板(COB)型等之封裝LED(亦稱晶片LED)。封裝LED，例如，可以具有發光部、與含有覆蓋發光部的樹脂之保護部。具體而言，LED元件為發光部本身之場合，作為LED元件，可以使用例如藍色LED元件、紫外線LED元件或紅外線LED元件。此外，LED元件為封裝LED之場合，作為LED元件，可以使用例如白色LED元件。

本發明之LED背光，為組合LED元件與波長變換構件並發出白光之場合，作為LED元件，為藍色LED元件、紫外線LED元件、或紅外線LED元件較佳。藍色LED元件，係藉由例如與黃色螢光體組合、或者組合紅色螢光體及綠色螢光體，可以生成白光。此外，紫外LED元件，係藉由例如與紅色螢光體、綠色螢光體及藍色螢光體，可以生成白光。其中，LED元件為藍色LED元件較佳。於本發明之LED背光，可以發出亮度高的白光之緣故。

此外，LED元件為白色LED元件之場合，作為白色LED元件，可依白色LED元件的發光方式等而適宜選擇。作為白色LED元件之發光方式，例如，可以列舉紅色LED與綠色LED與藍色LED之組合、藍色LED與紅色螢光體與綠色螢光體之組合、藍色LED與黃色螢光體之組合、紫外線LED與紅色螢光體與綠色螢光體與藍色螢光體之組合等。因此，作為白色LED元件，例如，可以具有紅色LED發光部與綠色LED發光部與藍色LED發光部，抑或具有藍色LED發光部與含有紅色螢光體及綠色螢光體的保護部，抑或具有藍色LED發光部與含有黃色螢光體的保護部，抑或具有紫外LED發光部與含有紅色螢光體、綠色螢光體及藍色螢光體的保護部。其中，白色LED元件，具有藍色LED發光部與含有紅色螢光體及綠色螢光體的保護部，具有藍色LED發光部與含有黃色螢光體的保護部，或者，具有紫外LED發光部與含有紅色螢光體、綠色螢光體及藍色螢光體的保護部較佳。該等之中，白色LED元件，具有藍色LED發光部與含有紅色螢光體及綠色螢光體的保護部，或者，具有藍色LED發光部與含有黃色螢光體的保護部更佳。於本發明之LED背光，可以發出亮度高的白光之緣故。

作為LED元件之構造，可以做成與一般的LED元件相同。

LED元件，通常上於支撐基板的一方的面側以等間隔被配置。作為LED元件之配置，可因應本發明之LED背光之用途及大小、或LED元件的尺寸等而適宜選擇。此外，LED元件之配置密度，亦可因應本發明之LED背光之用途及大小、或LED元件的尺寸等而適宜選擇。

LED元件之尺寸(晶片尺寸)，並沒有特別限定，可以做成一般的晶片尺寸。此外，LED元件之尺寸，也可以是被稱作迷你LED或微型LED之晶片尺寸。其中，於配置著密封構件之場合，為被稱作迷你LED之晶片尺寸較佳。具體而言，LED元件之尺寸，可以是數百微米見方，抑或數十微米見方。更具體而言，LED元件之尺寸，可以為100μm見方以上300μm見方以下。在LED元件之尺寸小之場合，能以高密度配置LED元件、亦即縮小LED元件間的間隔(間距)。因此，即使縮短LED基板與擴散構件之距離，也能抑制亮度參差不齊。因而，可以更加薄型化。此外，能縮短LED基板及擴散構件之距離，換言之可以薄化密封構件的厚度，且可謀求輕量化。

(2)支撐基板 本發明之支撐基板，係支撐前述的LED元件等之構件。

支撐基板可以是透明的，抑或不透明的。此外，支撐基板可以具有可撓性，抑或具有剛性。支撐基板之材質，可以是有機材料，抑或無機材料，抑或複合有機材料及無機材料之雙方之複合材料。

支撐基板之材質為有機材料之場合，作為支撐基板，可以使用樹脂基板。另一方面，支撐基板之材質為無機材料之場合，作為支撐基板，可以使用陶瓷基板、玻璃基板。此外，支撐基板之材質為複合材料之場合，作為支撐基板，可以使用玻璃環氧基板。此外，作為支撐基板，亦可使用例如金屬芯基板。作為支撐基板，亦可使用利用印刷形成電路之印刷電路基板。

支撐基板的厚度，並無特別限定，可因應可撓性或剛性之有無、或本發明之LED背光之用途或大小等而適宜選擇。

(3)其他 本發明之LED基板，只要具有前述之支撐基板及LED元件即可並未特別限定，可適宜具有必要的構成。作為這樣的構成，例如，可以列舉配線部、端子部、絕緣層、反射層、散熱構件等。針對各構成，可以與被用於公知的LED基板者相同。

配線部係與LED元件導電連接。配線部，通常為圖案狀地被配置。此外，配線部可以於支撐基板中介著接著層而配置。作為配線部之材料，例如，可以使用金屬材料或導電性高分子材料等。

配線部係與前述LED元件藉由接合部而導電連接。作為接合部之材料，例如，可以使用具有金屬或導電性高分子等導電性材料之接合劑或焊料。

可以於支撐基板之被配置LED元件之面，即LED元件實裝區域以外的區域，配置反射層。在前述擴散構件的第2層被反射的光，可以在LED基板的反射層反射，並再度射入擴散構件的第1層，可以提高光的利用效率。

反射層，可以與一般上被用於LED基板的反射層相同。具體而言，作為反射層，可列舉含有金屬粒子、無機粒子或顏料與樹脂之白色樹脂膜、或金屬膜、多孔質膜等。反射層之厚度，只要可以得到所要的反射率之厚度即可並無特別限定，可適宜設定。

針對LED基板之形成方法，可以與公知的形成方法相同。

3.其他構件 於本發明之LED背光，前述的LED基板與擴散構件之間，可以例如圖2所示為空間，抑或如圖19及圖20所示般配置密封LED元件之密封構件21、14。

在LED基板與擴散構件之間為空間之場合，可以於LED基板與擴散構件之間配置間隔件。作為間隔件，可以做成與被用於一般的LED背光的間隔件相同。

此外，如前述，在LED元件之尺寸小之場合，能以高密度配置LED元件、亦即縮小LED元件間的間隔(間距)，因而即使縮短LED基板及擴散構件之距離，也能抑制亮度參差不齊。在如此LED基板與擴散構件之距離短的場合，可以於LED基板與擴散構件之間配置密封構件。

(1)密封構件 本發明之密封構件，係一種被配置於LED基板的LED元件側的面側，而密封LED元件之構件。密封構件具有透光性，且被配置於LED基板的發光面側。

又，密封構件之「透光性」、「透明」，只要是不阻害來自LED元件的光的辨識性之程度上透明即可。

作為本發明之密封構件所包含之材料，只要是可以密封LED元件之材料即可並無特別限定，例如，可列舉熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等。

其中，熱可塑性樹脂為較佳。又，針對熱可塑性樹脂較佳之理由，前述「B.層積體」之項已記載，所以在此省略說明。

作為被用於本發明之密封構件之熱可塑性樹脂，可以與前述「B.層積體 2.密封材薄板」之項記載之熱可塑性樹脂相同。

作為被用於本發明之密封構件之熱硬化性樹脂，可以採用一般上被用於LED背光的密封構件之熱硬化性樹脂，例如，可列舉聚矽氧系樹脂、環氧系樹脂等。

作為被用於本發明之密封構件之光硬化性樹脂，可以採用一般上被用於LED背光的密封構件之光硬化性樹脂。

本發明之密封構件，例如圖19所示，密封構件21可以是由單一的樹脂層構成之單層構件，或者如圖21所示，密封構件21可以是層積複數層的樹脂層(圖21為3層)之多層構件。例如圖21所示，可以形成皮層22a、芯層23、及皮層22b之3層構造的密封構件21。

又，針對密封構件的構造，可以與前述層積體之密封材薄板的構造相同。

本發明中，密封構件係使用由含有熱可塑性樹脂的密封材組成物構成之密封材薄板而形成的構件較佳。又，針對密封材組成物，可以與被用於前述層積體之密封材薄板的密封材組成物相同。

針對密封構件的詳細內容，可以與前述「B.層積體 2.密封材薄板」之項記載內容相同。

密封構件之厚度，可因應前述之擴散構件與LED基板的LED元件的發光面之間之距離而適宜設定。

(2)波長變換構件 波長變換構件，通常上被配置於LED基板的發光面側，且被配置於比LED元件還要靠近觀察者側。於本發明之LED背光，於擴散構件的第1層側的面側或者第2層側的面側配置波長變換構件亦可。此外，配置著密封構件之場合，作為波長變換構件之配置，可以例如圖22(a)所示，於擴散構件1的第2層3側的面側配置波長變換構件41，抑或如圖22(b)所示，於擴散構件1與密封構件21之間配置波長變換構件41。針對波長變換構件，可以與前述「A.擴散構件」之項記載之波長變換構件相同。

(3)光學構件 本發明之LED背光中，於擴散構件的第2層側的面側配置光學構件亦可。針對光學構件，可以與前述「A.擴散構件」之項記載之光學構件相同。

II.LED背光之第2實施態樣 本發明之LED背光之第2實施態樣，係一種裝置具備：於支撐基板之一方之面側被配置複數LED元件的LED基板，及被配置於前述LED基板之前述LED元件側之面側的擴散構件；前述擴散構件，由前述LED基板側起依序具有透過型繞射光柵或微透鏡陣列，與介電質多層膜。本實施態樣之LED背光係直下型方式LED背光。

本實施態樣之LED背光，係可以發揮與前述之LED背光之第1實施態樣同樣的效果。

本實施態樣之擴散構件，可以與前述「A.擴散構件 II.第2實施態樣」之項記載之構件相同。針對構成擴散構件之各構件，可以與前述「A.擴散構件 II.第2實施態樣」之項記載之內容相同，所以在此省略說明。

針對擴散構件與LED基板的LED元件的發光面之間之距離，係可以與前述之LED背光之第1實施態樣相同。

本實施態樣之LED基板，可以與前述之LED背光的第1實施態樣之LED基板相同。

本實施態樣之其他構件，可以與前述之LED背光的第1實施態樣之其他構件相同。

D.顯示裝置 本發明之顯示裝置，係一種裝置具備顯示面板，及被配置於前述顯示面板的背面之前述LED背光。

圖23及圖24係例示本發明的顯示裝置之一例之模式圖。如圖23及圖24所例示，顯示裝置30或50，係具備顯示面板31或51，及被配置於顯示面板31或51的背面之LED背光10。

根據本發明，藉由具有前述的LED背光，可提高亮度的面內均勻性，同時謀求薄型化。此外，也可減低成本及消耗電力。從而，可以得到高品質的顯示裝置。

以下，說明本發明之顯示裝置之各構成。

1.LED背光 針對本發明之LED背光，可以與前述「C.LED背光」之項記載之構件相同。針對構成LED背光之各構件，可以與前述「C.LED背光」之項記載之內容相同，所以在此的記載省略。

2.顯示面板 作為本發明之顯示面板，並沒有特別限定，例如，可列舉液晶面板。

又，本發明並不以前述實施型態為限。前述實施型態僅為例示，與本發明的申請專利範圍所記載的技術思想具有實質上相同的構成，可以發揮同樣的作用效果者，均被包含於本發明的技術範圍。 [實施例]

以下顯示實施例，進而詳細說明本發明。

為了評估亮度的面內均勻性而進行了光學模擬。模擬係實施利用Synopsys(股)公司製造的LightTools之光線追蹤模擬。

[試驗例1] (條件) ･構成:於LED基板的上方配置著擴散構件 ･擴散構件:層積具有透光性及光擴散性之第1層、與具有反射率及透過率的入射角依存性之第2層之擴散構件 ･擴散構件之厚度:0.2mm ･擴散構件之大小:4mm ･由LED基板的表面起到擴散構件之距離:0.5mm ･擴散構件的第1層之透光性:全光線透過率98% ･擴散構件的第1層之光擴散性:使入射光45°折射 ･擴散構件的第2層之反射率及透過率之入射角依存性:參照圖25 模擬結果顯示於圖26。

[試驗例2] (條件) ･構成:於LED基板的上方配置著擴散板 ･擴散構件:含有粒子之擴散板 ･擴散板之透光性及光擴散性:全光線透過率95%、霧度85% ･擴散構件之厚度:0.5mm ･擴散構件之大小:4mm ･由LED基板的表面起到擴散構件之距離:0.2mm 模擬結果顯示於圖27。

[試驗例3] (條件) ･構成:於LED基板的上方依序配置著透過反射板及擴散構件 ･擴散板:含有粒子之擴散板 ･擴散板之透光性及光擴散性:全光線透過率95%、霧度85% ･透過反射板:於FURUKAWA ELECTRIC(股)公司製造的超微細發泡光反射板「MCPET」(0.5mm厚)、利用鑽頭設置貫通孔，製作出透過反射板。貫通孔，係設計成位於LED元件的正上方之貫通孔的直徑為0.25mm，且隨著與LED元件於面方向上遠離而貫通孔的直徑增加。(參照圖28) ･透過反射板之厚度:0.5mm ･擴散板之厚度:2.4mm ･擴散板及透過反射板之大小:24mm ･由LED基板的表面起到透過反射板之距離:3.1mm 模擬結果顯示於圖29。

[試驗例4] (條件) ･構成:於LED基板的上方配置著光學構件 ･光學構件:僅具備具反射率及透過率的入射角依存性之第2層之光學構件 ･光學構件(第2層)之厚度:0.05mm ･光學構件(第2層)之大小:4mm ･由LED基板的表面起到光學構件之距離:0.5mm ･光學構件(第2層)之反射率及透過率之入射角依存性:參照圖25 模擬結果顯示於圖30。

[評估] 前述模擬的結果，在試驗例1，照度的面內均勻性提升。另一方面，在試驗例2，儘管LED基板與擴散構件之距離比試驗例1還要短，但照度不均勻。由此結果可確認，藉由作成本發明之擴散構件之構成，可提高亮度的面內均勻性，同時可薄型化。

此外，在試驗例3，於照度的面內均勻性優異，但是LED基板與透過反射板之距離比試驗例1還要長。由試驗例2、3可知，使用從前的擴散板或透過反射板之場合，為了謀求亮度的均勻化，必須增加LED基板與擴散板或透過反射板之距離。由此結果可確認，於LED基板與擴散構件或擴散板或透過反射板之間配置密封構件之場合，藉由作成本發明之擴散構件之構成，可提高亮度的面內均勻性，同時可薄型化及輕量化。

此外，與試驗例4相比較，試驗例1之照度分布之白色部分的直徑較大。由此結果可確認，藉由作成本發明之擴散構件之構成，亮度的面內均勻性提升。

1:擴散構件 2:第1層 3:第2層 10:LED背光 11:LED基板 12:支撐基板 13:LED元件 14,21:密封構件 21a:密封材薄板 15:反射層 30,50:顯示裝置 31,51:顯示面板 40:層積體 60:擴散構件之組件 61:第1構件 62:第2構件

[圖1]係例示本發明的擴散構件之概略剖面圖。 [圖2]係例示本發明之LED背光之概略剖面圖。 [圖3]係說明擴散角之圖。 [圖4]係說明本發明之光擴散性之圖。 [圖5]係說明本發明之光擴散性之圖。 [圖6]係例示本發明之透過型繞射光柵之概略剖面圖。 [圖7]係例示本發明之擴散構件之概略剖面圖。 [圖8]係例示本發明之反射構造體之概略平面圖及剖面圖。 [圖9]係例示本發明之反射構造體之概略平面圖及剖面圖。 [圖10]係例示本發明之反射構造體之概略剖面圖。 [圖11]係例示本發明之擴散構件之概略剖面圖。 [圖12]係例示本發明之層積體之概略剖面圖。 [圖13]係例示本發明之LED背光的製造方法之步驟圖。 [圖14]係例示本發明之LED背光的製造方法之步驟圖。 [圖15]係例示本發明之層積體之概略剖面圖。 [圖16]係例示本發明之層積體之概略剖面圖。 [圖17]係例示本發明之層積體之概略剖面圖。 [圖18]係例示本發明之擴散構件之組件之概略剖面圖。 [圖19]係例示本發明之LED背光之概略剖面圖。 [圖20]係例示本發明之LED背光之概略剖面圖。 [圖21]係例示本發明之LED背光之概略剖面圖。 [圖22]係例示本發明之LED背光之概略剖面圖。 [圖23]係例示本發明的顯示裝置之模式圖。 [圖24]係例示本發明的顯示裝置之模式圖。 [圖25]係顯示試驗例1之擴散構件的第2層的反射率及透過率之入射角依存性之圖。 [圖26]係試驗例1之光學模擬結果。 [圖27]係試驗例2之光學模擬結果。 [圖28]係顯示試驗例3之透過反射板的貫通孔位置及開口率的關係之圖。 [圖29]係試驗例3之光學模擬結果。 [圖30]係試驗例4之光學模擬結果。

1:擴散構件

2:第1層

3:第2層

1A,1B,2A,3A:面

L1,L2:光

θ₁:低入射角

θ₂:高入射角

Claims (27)

1. 一種擴散構件，係依序具有第1層與第2層， 前述第1層，具有透光性及光擴散性， 前述第2層，隨著前述第2層之對於前述第1層側之面的光的入射角的絕對值變小而反射率變大，隨著前述第2層之對於前述第1層側之面的光的入射角的絕對值變大而透過率變大。
2. 如請求項1之擴散構件，其中 前述第1層為透過型繞射光柵或微透鏡陣列。
3. 如請求項1或2之擴散構件，其中 於前述第2層之一方之面直接或者中介著接著層或黏接層配置前述第1層。
4. 如請求項1或2之擴散構件，其中 於前述第2層之一方之面被配置圖案狀的前述第1層。
5. 如請求項1或2之擴散構件，其中 於前述第2層之一方之面中介著空隙部配置前述第1層。
6. 一種擴散構件，具有透過型繞射光柵或微透鏡陣列，與介電質多層膜。
7. 如請求項6之擴散構件，其中 前述透過型繞射光柵，係與透過繞射來自光源的光，而往光軸中心射出的透過繞射光的強度比較，為以往周邊部射出的透過繞射光之強度比較強之環狀的強度分布射出透過繞射光之透過型繞射光柵。
8. 如請求項7之擴散構件，其中 於前述環狀強度分布，前述透過繞射光的強度成為最大的方向，與前述透過型繞射光柵的法線方向所夾角度為30°以上、75°以下。
9. 如請求項6至8之任一之擴散構件，其中 前述透過型繞射光柵，為浮雕(relief)型繞射光柵。
10. 如請求項9之擴散構件，其中 前述透過型繞射光柵為多級繞射光柵。
11. 如請求項6至8之任一之擴散構件，其中 前述透過型繞射光柵的間距為50μm以上、200μm以下。
12. 如請求項6之擴散構件，其中 前述微透鏡陣列之微透鏡的間距為1mm以下。
13. 如請求項6至8之任一或請求項12之擴散構件，其中 於前述介電質多層膜之一方之面中介著接著層或黏接層配置著前述透過型繞射光柵或前述微透鏡陣列。
14. 如請求項6至8之任一或請求項12之擴散構件，其中 於前述介電質多層膜之一方之面中介著空隙部配置著前述透過型繞射光柵或前述微透鏡陣列。
15. 如請求項6至8之任一或請求項12之擴散構件，其中 於前述介電質多層膜之一方之面直接配置前述透過型繞射光柵或前述微透鏡陣列。
16. 一種層積體，具備 請求項1或2之擴散構件，及 被配置於前述擴散構件的第1層側的面側，用於密封LED元件之密封材薄板， 前述密封材薄板係由含有熱塑性樹脂之密封材組成物構成。
17. 一種層積體，具備 請求項6至8之任一或請求項12之擴散構件，及 被配置於前述擴散構件之透過型繞射光柵或微透鏡陣列側的面側，用於密封LED元件之密封材薄板， 前述密封材薄板係由含有熱塑性樹脂之密封材組成物構成。
18. 如請求項16之層積體，其中 前述熱塑性樹脂為烯烴系樹脂。
19. 一種擴散構件之組件，具有： 具第1層與用於密封LED元件的密封材薄板之第1構件、以及 具第2層而於前述第1構件之前述第1層側之面中介著空隙部配置使用的第2構件； 前述第1層，具有透光性及光擴散性， 前述第2層，隨著前述第2層之對於前述第1層側之面的光的入射角的絕對值變小而反射率變大，隨著前述第2層之對於前述第1層側之面的光的入射角的絕對值變大而透過率變大，前述密封材薄板係由含有熱塑性樹脂之密封材組成物構成。
20. 如請求項19之擴散構件之組件，其中 前述第1層為透過型繞射光柵或微透鏡陣列。
21. 一種發光二極體(LED)背光，具備： 於支撐基板之一方之面側被配置複數LED元件的LED基板，及 被配置於前述LED基板之前述LED元件側之面側，而由前述LED基板側起依序具有第1層與第2層之擴散構件； 前述第1層，具有透光性及光擴散性， 前述第2層，隨著前述第2層之對於前述第1層側之面的光的入射角的絕對值變小而反射率變大，隨著前述第2層之對於前述第1層側之面的光的入射角的絕對值變大而透過率變大。
22. 如請求項21之LED背光，其中 前述第1層為透過型繞射光柵或微透鏡陣列。
23. 一種LED背光，具備： 於支撐基板之一方之面側被配置複數LED元件的LED基板，及 被配置於前述LED基板之前述LED元件側之面側的擴散構件； 前述擴散構件，由前述LED基板側起依序具有透過型繞射光柵或微透鏡陣列，與介電質多層膜。
24. 如請求項21至23之任一之LED背光，其中 於前述LED基板與前述擴散構件之間，被配置密封前述LED元件之密封構件。
25. 如請求項24之LED背光，其中 前述密封構件含有熱塑性樹脂。
26. 如請求項25之LED背光，其中 前述熱塑性樹脂為烯烴系樹脂。
27. 一種顯示裝置，具備 顯示面板，及 被配置於前述顯示面板的背面之請求項21至23之任一之請求項所記載的LED背光。

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