TW202117279A - 用於量測帶電粒子束系統中位準變化之自微分共焦傾斜感測器 - Google Patents

用於量測帶電粒子束系統中位準變化之自微分共焦傾斜感測器 Download PDF

Info

Publication number
TW202117279A
TW202117279A TW109128343A TW109128343A TW202117279A TW 202117279 A TW202117279 A TW 202117279A TW 109128343 A TW109128343 A TW 109128343A TW 109128343 A TW109128343 A TW 109128343A TW 202117279 A TW202117279 A TW 202117279A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
optical element
sensing element
aperture
wafer
Prior art date
Application number
TW109128343A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI768438B (zh
Inventor
楊巾梅
張劍
康志文
義向 王
Original Assignee
荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 filed Critical 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Publication of TW202117279A publication Critical patent/TW202117279A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI768438B publication Critical patent/TWI768438B/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C9/00—Measuring inclination, e.g. by clinometers, by levels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C9/00—Measuring inclination, e.g. by clinometers, by levels
    • G01C9/02—Details
    • G01C9/06—Electric or photoelectric indication or reading means
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/26—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C15/00—Surveying instruments or accessories not provided for in groups G01C1/00 - G01C13/00
    • G01C15/002—Active optical surveying means
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
    • G01N23/2251—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident electron beams, e.g. scanning electron microscopy [SEM]
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
    • G03F9/7034—Leveling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/20—Means for supporting or positioning the objects or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/261—Details
    • H01J37/265—Controlling the tube; circuit arrangements adapted to a particular application not otherwise provided, e.g. bright-field-dark-field illumination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C9/00—Measuring inclination, e.g. by clinometers, by levels
    • G01C9/02—Details
    • G01C9/06—Electric or photoelectric indication or reading means
    • G01C2009/066—Electric or photoelectric indication or reading means optical
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/07—Investigating materials by wave or particle radiation secondary emission
    • G01N2223/079—Investigating materials by wave or particle radiation secondary emission incident electron beam and measuring excited X-rays
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/30—Accessories, mechanical or electrical features
    • G01N2223/307—Accessories, mechanical or electrical features cuvettes-sample holders
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/202—Movement
    • H01J2237/20207—Tilt
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/202—Movement
    • H01J2237/20292—Means for position and/or orientation registration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/248—Components associated with the control of the tube
    • H01J2237/2482—Optical means

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

本發明係關於一種可用於量測一樣本之一傾斜程度的感測器。該感測器可包括具有一光源、第一光學元件、第二光學元件及第三光學元件、一透鏡及一孔徑之一裝置。該第一光學元件可朝向該樣本供應來自該光源之光，且可自該樣本朝向該第二光學元件供應輸入至該第一光學元件中之光。該第二光學元件可朝向第一感測元件及第二感測元件供應光。一孔徑可配置於該透鏡之一焦平面上。入射於該第一感測元件上之一光束可為一參考光束。

Description

用於量測帶電粒子束系統中位準變化之自微分共焦傾斜感測器
本文中之描述係關於可用於帶電粒子束系統之感測器，且更特定言之，係關於一種可用於量測諸如協作目標之樣本之位準變化的自微分共焦傾斜感測器。
帶電粒子束可用於半導體晶圓處理之場。帶電粒子束裝置可用於處理樣本，諸如晶圓。處理可包括在晶圓上形成圖案或檢測晶圓。在一些情形下，在處理晶圓之前，應確保晶圓為水平的。
檢測晶圓可涉及研究晶圓之表面構形。可包括污染物之表面構形可影響自晶圓之表面散射之光的分佈。光學散射分析可用於評估經研磨光學表面、塊狀光學材料、表面殘餘物或漫散射材料。另外，一些檢測工具可量測晶圓之表面粗糙度。
檢測晶圓亦可涉及偵測晶圓上之缺陷。舉例而言，為增強諸如積體電路(IC)及記憶體器件之半導體器件的良率及可靠性，晶圓可藉由用帶電粒子束輻照晶圓而經受缺陷檢測。缺陷(諸如外來粒子、刮痕、殘餘物、橋接缺陷及類似者)可存在於晶圓上，且可使得器件發生電故障。此類缺陷可藉由分析來自已由帶電粒子束輻照之晶圓的次級或背散射粒子偵測。帶電粒子束裝置之一實例包括掃描電子顯微鏡(SEM)。
隨著半導體器件持續小型化，使用帶電粒子束裝置之檢測系統可能需要較高的效能。舉例而言，檢測系統可能需要較高的敏感度、準確度及類似者。
在帶電粒子束系統中，可在處理之前將樣本置放於平台上。舉例而言，可將待檢測之晶圓裝載至SEM之裝載/鎖定系統中。晶圓可安置於腔室內之晶圓固持器上。晶圓可配置於特定位置中，使得可進行檢測或其他處理。舉例而言，晶圓可安置成使得其主表面垂直於入射帶電粒子束。
本發明之實施例提供用於感測光束之系統及方法。在一些實施例中，可提供一種裝置，其包括：一光源，其經組態以輻照一樣本；一第一光學元件，其經組態以在一第一方向上將來自該光源之光供應至該樣本，且在一第二方向上將輸入至該第一光學元件之光供應至一第三方向上之另一組件；及一第二光學元件，其經組態以在一第四方向上將光供應至一第一感測元件，且在一第五方向上將光供應至一第三光學元件。該裝置可包括該第三光學元件，且該第三光學元件可經組態以將光供應至一第二感測元件。該裝置可包括一透鏡，其經組態以聚焦來自該光源之光，且該透鏡可配置於該第二光學元件與一孔徑之間。該裝置亦可包括該孔徑，且該孔徑配置於該第三光學元件與該第二感測元件之間，且該孔徑可配置於該透鏡之一焦平面處。
亦可提供一種包括第一光束分光器之裝置，該光束分光器經組態以朝向樣本透射光，且朝向第二光束分光器反射光。該裝置可包括第二光束分光器，且第二光束分光器可經組態以沿著第一光束路徑及第二光束路徑透射光。該裝置可包括配置於第二光束路徑上之孔徑。
亦可提供一種感測一光束之方法。該方法可包括：將光輸入至一第一光學元件中；將來自該第一光學元件之光輸入至一第二光學元件中；沿著一第一光束路徑朝向一第一感測元件引導來自該第二光學元件之光；沿著一第二光束路徑聚焦光以及使光透射通過一孔徑。
應理解，前文一般描述及以下詳細描述兩者皆僅為例示性及解釋性的，且並不限定如可主張之所揭示實施例。
現將詳細參考例示性實施例，在圖式中說明該等例示性實施例之實例。以下描述參考隨附圖式，其中除非另外表示，否則不同圖式中之相同編號表示相同或類似元件。闡述於例示性實施例之以下描述中之實施並不表示符合本發明的所有實施。實情為，其僅為符合與所附申請專利範圍中可列舉之主題相關之態樣的裝置、系統及方法之實例。
電子器件由形成於稱作基板之矽塊上的電路構成。許多電路可一起形成於同一矽塊上且稱作積體電路或IC。隨著技術進步，此等電路之大小已顯著地減小，使得該等電路中之更多電路可安裝於基板上。舉例而言，智慧型手機中之IC晶片可與縮略圖一樣小且仍可包括超過20億個電晶體，每一電晶體之大小小於人類毛髮之大小的1/1,000。
製造此等極小IC為往往涉及數百個個別步驟之複雜、耗時且昂貴的製程。甚至一個步驟中之誤差會潛在地引起成品IC中之缺陷，從而使得成品IC無用。因此，製造製程之一個目標為避免此類缺陷以使在製程中製造之功能性IC的數目最大化，亦即改良製程之總良率。
改良良率之一個組分為監測晶片製造製程，以確保其正生產足夠數目之功能性積體電路。監視該製程之一種方式為在晶片電路結構形成之各個階段處檢測晶片電路結構。可使用掃描電子顯微鏡(SEM)進行檢測。SEM可用於實際上使此等極小結構成像，從而獲取結構之「圖像」。影像可用於判定結構是否適當地形成，且亦判定該結構是否形成於適當位置中。若結構為有缺陷的，則可調整製程，使得缺陷不大可能再現。
在使樣本成像之前，偵測樣本是否傾斜可能有用，因為傾斜可能會對所得影像產生影響。舉例而言，傾斜可使得自樣本反射或產生之電子被引導至非預期位置。電子可引導至除偵測器外之位置，而非行進至偵測器，且可能未被偵測到。又，傾斜可使得投射於樣本上之帶電粒子束的聚焦降低(例如，使得焦點在一些點處形成於樣本之表面上方或在其他點處形成於樣本之表面下方。降低聚焦可引起較低之成像解析度。
可提供傾斜感測器使得可在樣本成像之前判定傾斜。舉例而言，SEM可具有量測樣本位準變化之傾斜感測器，且若樣本傾斜角度大於所指定臨限值，則SEM可發出警報。然而，當前系統之一個問題為傾斜感測器之敏感度可能不足，且當樣本僅稍微傾斜時或若樣本具有較高表面粗糙度，其可能難以足夠準確地判定傾斜角度，此係由於例如粗糙的表面可使得自樣本反射之電子朝向非預期位置行進。粗糙的表面可含有許多不規則性，且電子可能會在不可預測之方向上反射此等不規則性。
表面粗糙度可指樣本之表面之紋理。其可藉由表面與理想的完全平坦的平面之偏差來量化。量測之表面粗糙度越高，表面可更有紋理且更不規則。隨著表面粗糙度增加，樣本與傾斜感測器之相容性可能降低。舉例而言，傾斜感測器可能難以準確地且可靠地偵測具有非常粗糙的表面之樣本之傾斜角度。在一些情形下，可提供具有相對光滑的表面之協作目標(例如，分離的平板或其他結構)。協作目標可安裝於樣本上，該協作目標可具有相對粗糙的表面，或可與樣本分離且平行於樣本置放。因此，協作目標可形成可充當目標之光滑位置。協作目標之傾斜可用於量測樣本之傾斜而非直接地量測樣本表面。由於平板附接至樣本或平行於樣本，因此該平板之傾斜對應於樣本之傾斜，且因此可稱平板與樣本「協作」。可使用協作目標代替樣本自身作為用於投射光束以判定樣本之傾斜程度的目標。在一些情況下，可藉由選擇性地研磨樣本之一部分而在樣本上形成協作目標。
此外，在一些情況下，協作目標可包括用於幫助形成樣本之遮罩。樣本可包括形成有IC組件之基板(亦稱作「晶圓」)。形成圖案以在晶圓上建構IC組件可經由微影進行，其可涉及經由遮罩照射光。遮罩可與晶圓分離置放且可平行於晶圓。在一些情況下，可直接在晶圓上形成遮罩(例如，可在晶圓上形成遮罩層，其隨後在晶圓顯影時溶解)。晶圓上之光敏材料可歸因於穿過遮罩之光的曝光而發生反應，且可在晶圓上形成結構。在曝光之前，應將遮罩及樣本對準。可添加偵測晶圓之傾斜之步驟，其中遮罩可用作協作目標。使用遮罩可為間接地量測樣本之傾斜之另一實例。
若無法準確地量測樣本傾斜，則可能對成像品質造成不利影響。隨著IC結構變得愈來愈小，提供更準確且更敏感的傾斜感測器變得愈來愈重要。
提供協作目標可為處理具有粗糙表面之樣本的一種方式。然而，提供協作目標所涉及之步驟(例如分別準備協作目標且將其安裝於樣本上(或將其平行於樣本置放))可能引起工作量及費用增加。舉例而言，可能需要校準，以使得協作目標之傾斜角度與樣本一致。此外，必須注意將協作目標安置於不干涉樣本成像之位置處。隨著IC結構愈來愈緊密地組合在一起，可用於置放協作目標之空間可能愈來愈小。另外，若需要分離的步驟將協作目標貼附至待檢測之每一樣本上，則產出量(例如，每小時處理之樣本數目)可能受影響。在一些情形下，合乎需要地為將傾斜感測器經組態以在不需要協作目標之情況下量測多種樣本之傾斜。
可能已開發出處理傾斜感測中之挑戰的一些技術，但此等技術可能面臨其自身之某些問題。舉例而言，具有單個感測元件之傾斜感測器當偵測傾斜之量時可能在敏感度及準確度上具有限制，因為單個感測元件可能對電源功率變化及樣本目標反射率變化敏感。
又，傾斜感測器可包括作為感測器結構之部分的孔徑，但孔徑可相對較大。較大孔徑可引起較低敏感度且可將環境光洩漏至感測元件，如本文中將詳細論述。此可能具有降低信雜比(SNR)之影響。
此外，傾斜感測器可包括用於將光束投射至樣本之雷射源。雷射源可具有有限壽命。因此，隨著時間推移，雷射源可能減弱且變暗。雷射源之輸出亦可任意地波動。由於傾斜感測器可藉由偵測經反射之雷射光束之強度來量測傾斜，因此其準確度可能受雷射源歸因於年齡或其他波動之改變的影響。舉例而言，傾斜感測器可基於減小之偵測信號錯誤地報告晶圓傾斜，但此減小可能歸因於雷射源之減弱而不係由於晶圓實際上傾斜。
本發明之實施例可解決單個感測元件感測器之一些問題，諸如單個頻道信號變化或其他問題。舉例而言，可使用可抵消源模組功率變化之自微分方法。可添加共模光束作為參考光束。可使用與源共焦之孔徑。此外，可採用調變。
使用共模作為參考光束可補償雷射源之減弱。舉例而言，即使雷射源之輸出歸因於年齡或其他原因而隨著時間推移改變，此類改變仍將存在於參考光束及信號光束兩者中，且因此可抵消改變。相應地，傾斜感測器之使用壽命可延長。此外，由於可補償源輸出中之任意波動，因此可提高準確度。
孔徑及共焦透鏡之使用可允許使用小得多的大小(例如直徑)之孔徑。舉例而言，聚焦光束可穿過較小孔，而環境光實質上被阻擋且不會洩漏。另一方面，為了保證足夠的敏感度而在比較實例中可能需要之較大孔的使用可能允許環境光洩漏，且此可能導致雜訊。
為了增強成像效能，可能需要在帶電粒子束系統之裝載/鎖定系統中使樣本(例如晶圓)維持水平狀態(例如，不傾斜)。舉例而言，帶電粒子束系統可包括經組態以收集來自已由帶電粒子束輻照之晶圓之粒子的偵測器。自晶圓待偵測之粒子之發射可能受晶圓之定向的影響。若晶圓傾斜，則粒子之發射角可根據晶圓之傾斜程度改變。因此，可能需要將晶圓維持在位準狀態。此外，可能需要量測晶圓自身之表面位準變化。
在一些組態中，晶圓可經組態以具有相對於參考平面之傾斜之預定程度。舉例而言，晶圓可經組態以接收斜入射輻照。在多種情形下，將合乎需要地提供可準確地偵測晶圓之傾斜的感測器。
本發明之目標及優勢可藉由如本文中所論述之實施例中所闡述之元件及組合實現。然而，未必需要本發明之實施例來實現此類例示性目標或優勢，且一些實施例可能不會實現所陳述之目標或優勢中之任一者。
在不限制本發明之範疇的情況下，一些實施例可在提供利用電子束之系統中的偵測器及偵測方法之上下文中進行描述。然而，本發明不限於此。可類似地施加其他類型之帶電粒子束。此外，用於偵測傾斜之系統及方法可用於其他成像系統中，諸如光學成像、光子偵測、x射線偵測、離子偵測等。
如本文中所使用，除非另外特定陳述，否則術語「或」涵蓋除了不可行之組合外的所有可能組合。舉例而言，若陳述組件包括A或B，則除非另外特定陳述或不可行，否則組件可包括A、或B、或A及B。作為第二實例，若陳述組件包括A、B或C，則除非另外特定陳述或不可行，否則組件可包括A、或B、或C、或A及B、或A及C、或B及C、或A及B及C。
如本文中所使用，術語「傾斜」可指樣本相對於參考之側傾。樣本可為具有主平面之晶圓。舉例而言，晶圓可具有類似於實質上平坦的薄板之形狀。晶圓之「傾斜」可指晶圓之主平面與參考平面形成之角度或垂直於主平面之線與參考線(諸如由SEM之光軸限定的線(例如，圖8之軸線105))在兩條線相交之點處形成的角度。術語「位準變化」可指樣本在樣本上之不同位置處之傾斜。舉例而言，樣本之表面可具有第一位置處之第一傾斜及第二位置處之第二傾斜。
現參考圖1，圖1說明符合本發明之實施例的包括傾斜感測器之例示性電子束檢測(EBI)系統10。EBI系統10可用於成像。如圖1中所展示，EBI系統10包括主腔室11、裝載/鎖定腔室20、電子束工具100及設備前端模組(EFEM) 30。電子束工具100位於主腔室11內。EFEM 30包括第一裝載埠30a及第二裝載埠30b。EFEM 30可包括額外裝載埠。第一裝載埠30a及第二裝載埠30b接收含有待檢測之晶圓(例如，半導體晶圓或由其他材料製成之晶圓)或樣本的晶圓前開式單元匣(FOUP) (晶圓及樣本在本文中可統稱為「晶圓」)。
EFEM 30中之一或多個機器人臂(未展示)可將晶圓傳輸至裝載/鎖定腔室20。裝載/鎖定腔室20連接至裝載/鎖定真空泵系統(未展示)，該裝載/鎖定真空泵系統移除裝載/鎖定腔室20中之氣體分子以達到低於大氣壓力之第一壓力。在達到第一壓力之後，一或多個機器人臂(未展示)可將晶圓自裝載/鎖定腔室20傳輸至主腔室11。主腔室11連接至主腔室真空泵系統(未展示)，該主腔室真空泵系統移除主腔室11中之氣體分子以達到低於第一壓力之第二壓力。在達到第二壓力之後，晶圓經受電子束工具100之檢測。電子束工具100可為單光束系統或多光束系統。控制器109電連接至電子束工具100，且亦可電連接至其他組件。控制器109可為經組態以執行EBI系統10之各種控制之電腦。雖然控制器109在圖1中展示為在包括主腔室11、裝載/鎖定腔室20及EFEM 30之結構外部，但應瞭解，控制器109可為該結構之部分。
圖2A說明可包括於裝載/鎖定腔室20中之裝載/鎖定裝置200之例示性配置。裝載/鎖定裝置200可提供用於固持晶圓201。裝載/鎖定裝置200可包括平台。裝載/鎖定裝置200之組件可構成晶圓固持器。舉例而言，如圖2A中所展示，裝載/鎖定裝置200可包括提供於載物台210上之底板220及提供用於固持晶圓201之晶圓支座230。載物台210可為可移動的。可提供複數個晶圓支座230。在一些實施例中，可提供三個晶圓支座，使得可存在三個固持點，由此限定一個平面。
亦可提供感測器250。感測器250可包括傾斜感測器。感測器250可與底板220間隔開。感測器250可包括用於將光束245朝向晶圓201投射之發射器。感測器250可包括用於接收來自晶圓201之信號(諸如光束245之反射)的接收器。感測器250可經組態以將光束245朝向晶圓201直接地(例如，垂直地)投射或成一定角度(參見例如圖4)投射。
感測器250可經組態以量測目標之屬性。舉例而言，如圖2A中所展示，目標可包括晶圓201。感測器250可經組態以量測晶圓201之傾斜。晶圓201之傾斜可相對於參考平面。參考平面可包括藉由晶圓支座230之固持點所形成之平面。參考平面可平行於載物台210可在平面上移動之該平面。舉例而言，如圖2B之平面圖中所展示，載物台210可在X-Y平面中移動。參考平面可平行於X-Y平面。載物台210可在X-Y平面中旋轉。量測晶圓201之屬性可涉及繞軸線旋轉晶圓201。晶圓201之表面上的不同位置可藉由移動晶圓201來感測。
圖3說明裝載/鎖定系統300，裝載/鎖定裝置200可為其一部分。裝載/鎖定系統300可用於將晶圓201轉移至真空環境或自真空環境轉移以用於檢測。裝載/裝載裝置200 (如由括號指示)可由外殼(未展示)密封，使得可抽取真空。裝載/鎖定系統300自身可配置於密封腔室中。如圖3中所展示，裝載/鎖定系統300可包括泵301。泵301可用於抽空腔室，直至達到預定的真空位準為止。舉例而言，泵301可經組態以運行，直至達到至少10-5 torr為止。隨後，晶圓201可轉移至另一位置以用於檢測。可提供阻尼器302。阻尼器302可用於減輕來自泵301之振動對晶圓201之影響。可提供泵閘閥303。泵閘閥303可用於打開或關閉泵301。
感測器250可安裝於裝載/鎖定系統300之組件上。感測器250可附接至安裝台305。感測器250可經組態以將光束投射至晶圓201上。可提供開口(諸如通道、檢視埠或孔等)以允許光束自感測器250行進至晶圓201之表面。舉例而言，頂板260可包括開口，自感測器250投射之光束可穿過該開口到達晶圓201。
感測器250可安裝於帶電粒子束裝置之組件上。舉例而言，如上文所論述，感測器250可安裝於裝載/鎖定系統300上。在一些實施例中，感測器250可配置於SEM柱上。當晶圓安置於處理位置中時，感測器250可安置在晶圓上方。感測器250可安裝於帶電粒子束裝置中，諸如在以全文引用之方式併入本文中之美國申請案第62/787,128號中所展示之帶電粒子束裝置。感測器250可用於在對晶圓201執行處理之前量測晶圓201之屬性。舉例而言，感測器250可量測晶圓201之傾斜，且可用於在進行檢測之前確保晶圓201為水平的。
圖4為感測器250之例示性結構之放大示意圖，其展示與晶圓201之相互作用。感測器250可包括發射器251及接收器252。發射器251可經組態以發出光束245。光束245可為雷射光束。光束246可由光束245自晶圓201之表面反射形成。接收器252可經組態以接收光束246。接收器252可經組態以回應接收光束之能量而產生輸出。接收器252可包括光電二極體。感測器250可經組態以偵測晶圓201之傾斜。感測器250可經組態以基於由光束在接收器252上之入射所產生之輸出信號來判定晶圓之傾斜。若晶圓201傾斜，則光束246可引導至除接收器252之位置之外的位置，且感測器250之輸出可改變。儘管圖4展示成傾斜角投射至晶圓201上之光束245，但將理解，光束245可垂直地引導至晶圓201上。此外，將理解，協作目標可分別提供於晶圓201上，且光束可引導至協作目標上而非直接引導至晶圓201上。
圖5A展示可為感測器250之一個實例的感測器250a之詳細結構。感測器250a可包括電路板271。電路板271可為印刷電路板(PCB)。電路板271可為實質上平坦的部件。電路板之使用可用於實現經濟且緊湊的感測器建構。感測器250a可包括光源272。光源272可安裝於電路板271上。光源272可經組態以輻照目標。光源272可經組態以產生雷射光束。光源272可包括雷射二極體、LED或燈絲等。感測器250a可包括感測元件273。感測元件273可包括光電二極體。感測元件273可安裝於電路板271上。光源272及感測元件273可實質上配置於同一平面上。
感測器250a可包括光學元件，諸如透鏡、偏轉器、鏡面、濾光器、光束分光器、光學器件等。如圖5A中所展示，感測器250a可包括準直儀274。準直儀274可經組態以準直來自光源272之光。準直儀274可包括準直透鏡。除透鏡之外，可採用其他結構，諸如偏轉器。射出準直儀274之光可形成實質上準直之光束。準直儀274可經組態以在特定方向上形成準直光束。準直儀274可經組態以沿著特定方向供應來自光源272之光。準直儀274可經組態以濾出在除特定方向外之方向上行進通過準直儀274之光線，使得實質上僅在特定方向上行進之光線穿過。來自準直儀274之光可朝向晶圓201引導。一或多個其他光學元件可配置於光源272與晶圓201之間。
感測器250a可包括光束分光器275。光束分光器275可經組態以選擇性地供應光。舉例而言，光束分光器275可經組態以使在第一方向上輸入至光束分光器275之光穿過，且反射在第二方向上輸入至光束分光器275之光。在圖5A中所展示之組態中，第一方向可為自光源272至光束分光器275之方向。第二方向可為自晶圓201至光束分光器275之方向。第一方向與第二方向可彼此相反。第一方向及第二方向之一實例展示於圖6A中。
圖6A說明通過光束分光器275之光傳播行為。光可由光源輸入至光束分光器275中。自樣本反射之光亦可輸入至光束分光器275中。如圖6A中所展示，第一光束411可朝向光束分光器275引導。第一光束411可來自光源272，該第一光束411已穿過準直儀274 (參看圖5A)。光束分光器275可具有複數個主要方向。如圖6A中所展示，可存在第一方向410、第二方向420、第三方向430及第四方向440。第一至第四方向410、420、430、440可限定座標軸。第一方向410與第二方向420可彼此相反。第一方向410與第二方向420可為平行的。如圖6A中所展示，第一方向410及第二方向420皆可在由實線箭頭所指示之位置處朝向光束分光器275。
類似地，第三方向430與第四方向440可彼此相反。第三方向430及第四方向440可為平行的。如圖6A中所展示，第三方向430及第四方向440皆可在由實線箭頭所指示之位置處遠離光束分光器275。
第一光束411可輸入至光束分光器275。來自第一光束411之一些光可在第四方向440上反射。第二光束412可自光束分光器275發出。第二光束412可在第四方向440上自光束分光器275輸出。第二光束412可朝向另一光學元件引導。第二光束412可由光吸收元件吸收，使得第二光束412並不干涉其他感測器組件。
來自輸入至光束分光器275之第一光束411的一些光可透射通過光束分光器275。第三光束413可自光束分光器275之一側行進至光可射出之光束分光器275之相對側。光束分光器275可輸出第四光束414。第四光束414可朝向樣本引導。來自光束分光器275之第四光束414的發射方向可為第一方向410。第四光束414可以偏移d自光束分光器275輸出。舉例而言，光束分光器275可具有厚度t，且光可在其行進通過光束分光器275時被折射。在一些實施例中，可提供可經組態以抵消偏移d之補償器板。
在第二光束412與第四光束414當中劃分之光的比例可藉由光束分光器275之屬性判定。光束分光器275之屬性可基於其建構或材料構成等判定。光束分光器275可為板式光束分光器。光束分光器275可具有透射率及反射率之屬性。光束分光器275可經組態成使得在第一方向上輸入至光束分光器275中之光的第一比例穿過光束分光器275，且在第二方向上輸入至光束分光器275中之光的第二比例朝向另一方向反射。
如圖6A中所展示，第五光束415可朝向光束分光器275引導。第五光束415可來自晶圓201，該第五光束415已自晶圓201之表面反射且穿過孔徑276 (參看圖5A)或尚未穿過孔徑276 (參看圖5B)。第五光束415可在第二方向420上朝向光束分光器275引導。第五光束415可輸入至光束分光器275。來自第五光束415之一些光可在第三方向430上反射。第六光束416可自光束分光器275發出。第六光束416可在第三方向430上自光束分光器275輸出。第六光束416可朝向另一光學元件引導。
來自輸入至光束分光器275之第四光束414的一些光可透射通過光束分光器275。類似於第三光束413，第七光束417可自光束分光器275之一側行進至光可射出之光束分光器275之相對側。光束分光器275可輸出第八光束418。來自光束分光器275之第八光束418的發射方向可為第二方向420。第八光束418可朝向另一光學元件引導。第八光束418可由光吸收元件吸收，使得第八光束418並不干涉其他感測器組件。第八光束418可以偏移自光束分光器275輸出，且第八光束418可朝向與光源272或準直儀274 (參看圖5A)間隔開之光吸收元件(未展示)引導。在第六光束416與第八光束417當中劃分之光的比例可藉由光束分光器275之屬性判定。
如圖6B中所展示，朝向光束分光器275往回行進之光可相對於自光束分光器275發出之光的投射方向側傾。舉例而言，第四光束414可朝向樣本垂直地引導。樣本可例如傾斜或為不規則的，且因此第五光束415可成一角度朝向光束分光器275往回行進。因此，第六光束416可自光束分光器275傾斜地輸出。
如圖5A中所展示，感測器250a可包括孔徑276。孔徑276可指在材料中所形成之開口。舉例而言，孔徑276可由具有孔之板形成。投射於孔徑276上之一些光可能穿過，而一些光可能由孔徑276切斷。孔徑276可具有經組態以允許預定量之光投射至晶圓201上的大小。孔徑276可組態為光束限制孔徑。在一些實施例中，孔徑276可經組態以允許預定直徑之光束穿過。
感測器250a可包括焦點透鏡277。焦點透鏡277可經組態以形成光源272之影像。影像可在焦平面處形成。穿過焦點透鏡277之光線可聚焦至焦平面上之點。焦點透鏡277可配置於孔徑276與感測元件273之間。更特定言之，焦點透鏡277可配置於光束分光器275與鏡面278之間。焦點透鏡277可經組態以在配置感測元件273之平面處形成焦平面。自焦點透鏡277供應之光可聚焦至感測元件273上。
感測器250a可包括鏡面278。鏡面278可經組態以朝向感測元件273引導光。穿過焦點透鏡277之光可自鏡面278反射且引導至感測元件273。
在感測器250a之操作中，準直光束可穿過孔徑且最終撞擊在諸如光電二極體之光偵測器上。舉例而言，由光源272及準直儀274所形成之準直光束可供應為通過光束分光器275，穿過孔徑276，且撞擊在晶圓201上。反射光束可往回行進通過孔徑276，自光束分離器275反射，且輸入至焦點透鏡277中。反射光束之準直光線可由焦點透鏡277聚焦，使得焦點在感測元件273上形成。入射於感測元件273上之光可用於偵測。舉例而言，當感測器250a用作傾斜感測器時，晶圓201之傾斜可影響入射於感測元件273上之光的量或強度。當晶圓201傾斜時，自晶圓201之表面反射之光可由孔徑276切割。隨後透射通過焦點透鏡277且最終引導至感測元件273之光的量可能減少。因此，來自可形成感測元件273之光電二極體的輸出可能較低，且可判定傾斜之程度。
圖6C及圖6D說明晶圓201之傾斜效果。如圖6C中所展示，當晶圓201為水平的時，第四光束414可自晶圓201反射，從而形成第五光束415，且第五光束415可輸入至光束分光器275中。第五光束415可自光束分光器275反射，從而形成第六光束416，且第六光束416可隨後穿過孔徑276。此光最終可到達感測元件273 (參看圖5B)。
然而，如圖6D中所展示，當晶圓201傾斜時，自光束分光器275輸出之光可由孔徑276切斷。將理解，儘管光束說明為單線，但該等光束可包括具有寬度以及角度及能量之分佈之光柱。穿過準直儀之光可包括具有實質上相等之角度分佈的光線(例如，所有光線實質上彼此平行)。當晶圓201為水平的時，實質上第六光束416之光之所有者皆可穿過孔徑276。當晶圓201傾斜時，一些光可穿過孔徑276，而一些光未穿過孔徑276。在感測元件273處所偵測之光的強度可歸因於自感測元件275輸出之光的角度而改變，且因此，阻止一些光行進至感測元件273。
感測器可包括經組態以隨著晶圓201之傾斜增加而改變穿過感測器之反射光之量的組件。組件可經組態以隨著晶圓201之傾斜增加而減小穿過組件之光的量。組件可包括孔徑276。隨著晶圓201傾斜，自晶圓201反射之光的發射角度可改變。自晶圓201反射之光之角度的改變可使得穿過組件之光的量或強度發生改變。
感測器250a可經組態以基於入射於感測元件273上之光之屬性的改變來判定晶圓201之傾斜。該等屬性可包括例如光之量或強度。感測元件273上之光之量的改變可對應於晶圓201之傾斜。舉例而言，歸因於由孔徑276所切斷之光，到達感測元件273之反射光可基於晶圓201之傾斜而改變。然而，光源272亦可展現功率變化。此外，晶圓201可具有反射率變化。舉例而言，即使當晶圓201未傾斜時，自晶圓201反射之光之量仍可隨位置而變化。因此，在所有情形下，感測元件273之輸出之改變可能不總是準確地反映晶圓201之傾斜。
另外，感測器250a可僅包括單個感測元件273。孔徑276可相對較大以允許足夠量之光到達感測元件273。舉例而言，孔徑276之直徑大小可為約2 mm。較大孔徑大小可使得環境光洩漏至感測器250a中，且到達感測元件273。環境光可能導致雜訊。因此，信雜比(SNR)可能降低。
圖5B展示可為感測器250之另一實例的感測器250b之詳細結構。除了修改孔徑276之位置外，感測器250b可類似於感測器250a。舉例而言，在圖5B中，孔徑276配置於光束分光器275與焦點透鏡277之間。在一些實施例中(未展示)，孔徑276配置於焦點透鏡277與鏡面278之間或鏡面278與感測元件273之間。在一些實施例中，鏡面278不包括為感測器205a或感測器250b之一部分。在不包括鏡面278之一些實施例中，孔徑276可配置於焦點透鏡277與感測元件273之間。在圖5B之配置中，光僅穿過孔徑276一次。感測器250b可允許較大量之準直光到達晶圓201。因此，較大量之光可反射回光束分光器275中。相對較大量之反射光可穿過孔徑276，而孔徑276仍起切斷一些光之作用。感測器250b可允許在感測器273中產生更大的信號。
在一些實施例中，光源272可藉由來自另一源之光穿過的孔徑形成。舉例而言，儘管本文中之圖式可展示光源之結構，諸如安裝於電路板上之發光二極體，但光源272可藉由來自另一源之光透射通過之電路板中的開口(或另一結構)形成。光源272之開口可構成光束限制孔徑。
如所展示，例如關於圖5A及圖5B中之感測器250a及感測器250b，感測器可僅使用單個感測元件。此感測器可對單個頻道信號變化敏感。此可歸因於光源模組中之功率變化。為了抵消電源變化，可使用自微分方法。
自微分方法可採用複數個感測元件。可提供共模以充當參考。舉例而言，感測器可經組態成使得參考光束引導至第一感測元件。第二感測元件可用於基於與參考射束之比較來判定樣本之屬性。
圖7A展示感測器600 (由虛線矩形所指示之感測器600)之詳細結構。感測器600可包括基底601。基底601可為電路板，諸如PCB。基底601可為其他組件可提供於其上之實質上平坦的部件。感測器600可包括與上文所論述之光源類似的光源272。光源272可安裝於基底601上。光源272可經組態以輻照樣本，諸如晶圓201。感測器600可包括第一感測元件640。第一感測元件640可包括光電二極體。第一感測元件640可安裝於基底601上。感測器600亦可包括第二感測元件670。第二感測元件670可包括光電二極體。光源272、第一感測元件640及第二感測元件670可實質上配置在同一平面上。入射於第一感測元件640上之光束可用作參考，如下文將論述。
感測器600可包括光學元件。如圖7A中所展示，感測器600可包括與上文所論述之準直儀類似的準直儀274。準直儀274可經組態以沿著第一方向供應來自光源272之光。第一方向可為自基底601至準直儀274。第一方向可朝向晶圓201。來自準直儀274之光可朝向晶圓201引導。如圖7A之視圖中所見，第一方向可朝向晶圓201向下。
感測器600可包括第一光學元件610。第一光學元件610可包括光束分光器，諸如上文所論述之光束分光器275。第一光學元件610可經組態以供應在複數個方向上輸入於其中之光。第一光學元件610可定向於感測器600中，使得第一光學元件610之光供應方向中之一者可與光源272之發射方向對準。第一光學元件610可經組態以使在第一方向上輸入於其中之光穿過，且反射在第二方向上輸入於其中之光。如圖7A中所見，第一方向可朝下。第二方向可與第一方向相反。如圖7A中所見，第二方向可朝上。
來自準直儀274之光可輸入至第一光學元件610中。此光可在第一方向上輸入至第一光學元件610中。第一光學元件610可輸出此光，使得該光繼續朝向晶圓201行進。光可藉由在第一方向上穿過第一光學元件610供應至晶圓201。自晶圓201反射回之光亦可輸入至第一光學元件610中。自晶圓201反射回之光可在第二方向上輸入至第一光學元件610中。第一光學元件610可在第三方向上輸出此光。第三方向可垂直於第一方向或第二方向。如圖7A中所展示，光在第三方向上(向左)自第一光學元件610朝向第二光學元件620輸出。在圖7A中所展示之狀態中，第三方向垂直於第一方向及第二方向。將理解，自晶圓201反射回之光可能不總是朝向第一光學元件610直接往回行進。舉例而言，在圖7A中所展示之狀態中，當晶圓201傾斜時，自晶圓201輸入至第一光學元件610中之光可相對於在第二方向上輸入至第一光學元件610中之光側傾。相應地，自第一光學元件朝向第二光學元件620輸出之光可傾斜地引導。通常在第三方向上輸出之光可相對於第一方向側傾。第三方向可保持為垂直於第二方向。第一光學元件610可經組態以相對於光輸入方向垂直地引導光。第二光學元件620可類似地經組態。
第二光學元件620可包括光束分光器，諸如光束分光器275。第二光學元件620可經組態以供應在複數個方向上輸入於其中之光，此類似於第一光學元件610。第二光學元件620可定向於感測器600中，使得第二光學元件620之光供應方向中之一者可與第一光學元件610之輸出方向對準。
第二光學元件620可經組態以改變穿過第二光學元件620之光束的屬性。輸入至第二感測元件620之光束可透射通過第二光學元件620。透射光束之屬性可根據晶圓201之傾斜改變。該屬性可包括光束之量。該屬性可包括光束之強度。該屬性可包括由感測元件上之光束所形成之光點的亮度。
第二光學元件620可經組態以在複數個方向中之第三方向上劃分且透射輸入於其中之光。在第三方向上輸入至第二光學元件620之光可在第四方向及第五方向上輸出。第四方向可類似於第二方向(例如，圖7A中朝上)。第四方向可平行於第二方向。此處，「第四方向」可不同於上文關於圖6A所論述之「第四方向」。第四方向及第五方向可與第二光學元件620相關聯。第五方向可類似於第三方向(例如，圖7A中向左)。第五方向可平行於第三方向。第二光學元件620可經組態以在光輸出當中劃分預定比例之光，例如，在第四方向及第五方向上發射之光。舉例而言，第四方向與第五方向之間的光之劃分可基於第二光學元件620之建構或材料構成來設定。類似於上文第一光學元件610之描述，在圖7A中所展示之狀態中，當晶圓201傾斜時，自第二光學元件620輸出之光可相對於在第四方向及第五方向上自第二光學元件620輸出之光側傾。
第一光學元件610與第二光學元件620之屬性可不同。舉例而言，在一些實施例中，第一光學元件610可經組態以具有高反射率，而第二光學元件620經組態以具有高透射率。第一光學元件610可經組態以在第二方向上(例如，朝向晶圓201)輸出儘可能多的光，且在第三方向上(例如，朝向第二光學元件620左側)反射儘可能多的光。在一些實施例中，第一光學元件610可經組態以減小損耗。
第二光學元件620可經組態以沿著複數個光束路徑分離且輸出光。自第二光學元件620輸出之光束的路徑可自第二光學元件620行進至第一感測元件640。自第二光學元件620輸出之另一光束的路徑可自第二光學元件620行進至第二感測元件670。「光束路徑」可定義為光束自將輸入光束劃分為複數個輸出光束之光學元件(諸如光束分光器)輸出之後所採用的路徑。光束路徑可與光學元件相關聯。
感測器600可包括第一透鏡630。第一透鏡630可包括聚光透鏡。第一透鏡630可經組態以聚焦輸入於其中之光。第一透鏡630可使光聚焦至第一感測元件640上。第一透鏡630可配置於第二光學元件620與第一感測元件640之間。第一透鏡630可配置於自第二光學元件620行進之第一光束路徑上。
感測器600可包括第二透鏡635。第二透鏡635可配置於自第二光學元件620行進之第二光束路徑上。第二透鏡635可包括聚焦透鏡，諸如圖5A及圖5B之焦點透鏡277。第二透鏡635可經組態以聚焦輸入於其中之光。第二透鏡635可在焦平面處形成影像。穿過第二透鏡635之光線可聚焦至焦平面上之點。第二透鏡635可配置於第二光學元件620與第二感測元件670之間。第二透鏡635可配置於第二光學元件620與孔徑660之間。在一些實施例中，第二透鏡635可配置於第二光學元件620與第三光學元件650之間。第二透鏡635可經組態以在配置孔徑660之平面處形成焦平面。自第二透鏡635供應之光可聚焦至孔徑660之開口之中心處的點上。
孔徑660可提供於感測器600中。孔徑660可指在材料中形成之開口。舉例而言，類似於孔徑276，孔徑660可由具有孔之板形成。孔徑660可包括針孔。與孔徑276相比，孔徑660可具有明顯更小的開口。光可經組態以由第二透鏡635聚焦於孔徑660之中心處。第二透鏡635可經組態以使光聚焦至針尖。因此，孔徑660可經組態以在第二透鏡625經組態以聚焦光束之針尖位置處具有開口。孔徑660的大小可基於第二透鏡635之聚焦功率。在一些實施例中，孔徑660可具有小於或等於500 µm之開口。在一些實施例中，孔徑660可具有小於或等於100 µm之開口。
孔徑660可配置於接近感測元件670。感測元件670可直接地處於孔徑660之下游。第二透鏡635可經組態以使光聚焦於配置孔徑660之焦平面處。隨著與焦平面之距離增加，光可能分散得愈大。因此，可能有利的為，位置感測元件670儘可能接近第二透鏡635之焦平面。此可使感測元件670之大小能夠最小化。
感測器600可包括第三光學元件650。第三光學元件650可配置於自第二光學元件620行進之第二光束路徑上。第三光學元件650可經組態以改變自第二光學元件650輸出之光的傳播方向。第三光學元件650可經組態以在與輸入光束之方向垂直的方向上輸出光束，且可在幾乎無損耗之情況下輸出光束。第三光學元件650可為鏡面。第三光學元件650可在第二光學元件620之第二光束路徑上配置於感測器600中之第二透鏡635之下游。
孔徑660及第二感測元件670亦可配置於第二光束路徑上。因此，第二光學元件620可經組態以沿著第一光束路徑朝向第一感測元件透射光，且沿著第二光束路徑朝向第二感測元件透射光。
感測器600可經組態以抵抗樣本之高度改變。舉例而言，在操作中，感測器600可偵測晶圓201之傾斜。感測器600可偵測與樣本高度無關之傾斜。如圖7A中所展示，自準直儀274輸出之準直光入射於晶圓201上。準直光束可實質上由彼此平行之光線組成。相比而言，會聚或發散光束可包括相對於彼此成一定角度之光線。對於會聚或發散光束，光束路徑愈長，光束可經歷愈多會聚(或發散)。因此，由於光束點可能擴大，因此感測元件上所接收之光的最終量可能根據光束行進之距離而有所不同。可能需要提供對SEM中之樣本高度不敏感之感測器，以增強樣本裝載之可撓性。此外，在一些實施例中，可能需要延長樣本與系統之其他組件之間的距離(例如，降低樣本高度)。舉例而言，在SEM系統中，增加樣本與SEM之電極之間的距離可有助於減小高電壓電弧風險。使用允許樣本置放於較大距離之傾斜感測器可增強可撓性。
感測器600可基於第一感測元件640及第二感測元件670之輸出來偵測樣本之傾斜。可入射於第一感測元件640及第二感測元件670上之光束之屬性可根據樣本之傾斜改變。參考圖7A，當晶圓201傾斜時，第一感測器640上之光束點強度可相對於未傾斜狀態保持實質上相同，而第二感測元件670之光束點強度可相對於未傾斜狀態顯著減小。孔徑660可切割朝向第二感測元件670引導之聚焦光束，使得第二感測元件670上之光束點強度突然大幅度減弱。同時，第一感測元件640上之光束點可能歸因於晶圓201之傾斜已稍微偏移，但由於來自晶圓201之反射光未穿過孔徑到達第一感測元件640，因此光束點之強度應保持實質上不變。當第二感測元件670之輸出顯著改變而第一感測元件640之輸出保持實質上相同時，可判定晶圓201傾斜。
傾斜之程度可基於感測元件輸出之相對量測判定。如本文中所使用，術語「輸出」、「輸出信號」、「感測元件輸出」或「感測元件之輸出」等可指感測元件或其相關聯電路之輸出。舉例而言，信號調節電路、前端電子裝置、類比轉數位轉換器(ADC)等可附接至感測元件。輸出可指例如由感測元件產生之原始信號或來自電路之經處理信號。
第一感測元件640或第二感測元件670之輸出可對應於其上所接收之光束之強度。在一些實施例中，感測元件之輸出可經組態為當前信號。舉例而言，感測器600可經組態成使得即使當與未傾斜狀態相比晶圓201傾斜時，第一感測器640上之輸出電流I1仍保持實質上不變。同時，感測器600可經組態成使得第二感測器670上之輸出電流I2隨著傾斜程度減小。傾斜程度可基於I1與I2之間的關係判定。關係可預先判定，且可基於包括於感測器600中之光學元件的屬性，諸如第二光學元件620之透射率屬性。
圖7B說明感測器600b。除了第三光學元件650可省略且不包括第三光學元件650作為感測器600b之部分外，感測器600b可類似於感測器600。孔徑660及第二感測元件670之位置可更改。第二感測元件670可提供於其自身電路板上。
來自第一感測元件640之輸出可用於抵消變化之影響。光源272可歸因於例如電源變化或樣本表面反射率變化而展現變化。因此，由光源272所產生之光束之強度可改變，且第一感測元件640或第二感測元件670上之光束點之強度可改變，此無關於晶圓201之傾斜狀態。來自第一感測元件640之輸出可用作共同參考信號，因為即使當晶圓201傾斜時，來自第一感測元件640之輸出仍可保持實質上不變。可將來自第二感測元件670之輸出與來自第一感測元件640之輸出進行比較，以判定晶圓201是否傾斜或信號之改變是否可歸因於諸如變化效果之其他現象。偵測傾斜之方法可包括抵消電源變化。該方法可包括使用參考信號及比較來自多個感測元件之輸出。
感測器600可用於採用共焦偵測方法。在感測器250a或感測器250b之比較實例中，如上文參考圖5A及圖5B所論述，孔徑276可經組態以切割準直光束。舉例而言，準直光可自準直儀274產生，且自晶圓201反射之準直光可朝向孔徑276引導。然而，如圖7A及圖7B中所展示，可提供經組態以切割聚焦光束之孔徑660。孔徑660可包括與光源272共焦之針孔。舉例而言，第二透鏡635可經組態以在焦平面處形成光源272之影像，且孔徑660可配置於焦平面處。切割聚焦光束可比切割準直光束更敏感。舉例而言，準直光束可具有相對較寬之光束寬度，且因此，當樣本傾斜時，孔徑可僅切割準直光束之一部分。在圖5B中所展示之實例中，當晶圓201傾斜時，自晶圓201反射之準直光束的僅一部分可由孔徑276切割。此可引起相對較小之感測元件中的對應信號改變。尤其，當孔徑276經組態以具有較大開口大小時，可能難以判定感測元件中之信號波動係歸因於晶圓201之傾斜或歸因於諸如光源功率變化之變化效果。相比而言，具有針孔之孔徑可能更敏感，因為孔徑可切割強度更集中之光束。此外，使用具有較小開口之孔徑可更有效地抑制環境光之影響。偵測傾斜之方法可包括隨著樣本之傾斜增加而改變通過組件之透射光的量。該方法可包括藉由增加透射光之量隨著樣本之傾斜增加而改變的程度來增強感測之敏感度。組件可包括具有針孔之孔徑。
如上文所論述，諸如光源功率變化或樣本表面反射率變化之變化效果可存在於感測系統中。舉例而言，光源可產生強度可隨著時間推移而衰減之光束。在本發明之一些實施例中，變化效果可藉由使用自微分方法解決。舉例而言，在一些實施例中，複數個感測元件可提供於感測器中，且感測器可經組態以基於關係來判定參數。可提供經組態以使用來自感測器之輸出來判定參數的控制器。控制器可程式化以執行符合本發明之方法。在一個組態中，第一感測元件640之輸出電流I1與第二感測元件670之輸出電流I2之間的關係可預先判定且可用於判定參數。關係可基於感測器600之組件之屬性。諸如傾斜程度之參數可基於諸如I1-I2之關係判定。在一些實施例中，參數可基於諸如log(I1)-log(I2)之關係判定，該關係可等於log(I1/I2)。關係可包括演算法。使用此關係可幫助消除可存在於I1及I2兩者中之共同波動。
樣本之表面粗糙度可影響與用於偵測傾斜之感測器的相容性。樣本可具有可根據ISO (國際標準化組織)級別量測之表面粗糙度。舉例而言，樣本可根據其粗糙度值(Ra)藉由ISO等級數(諸如表1中所給出之等級數)分類，該粗糙度值可基於表面輪廓之算術平均值。平均值可基於與輪廓之給定中心線的偏差判定。
表 1
粗糙度(N) 粗糙度值(Ra) [µm]
N12 50
N11 25
N10 12.5
N9 6.3
N8 3.2
N7 1.6
N6 0.8
N5 0.4
N4 0.2
N3 0.1
N2 0.05
N1 0.025
具有低表面粗糙度之樣本可與多種感測器相容，該等感測器包括不必具有高敏感度之感測器。舉例而言，在一些情況下，具有小於或等於N9之表面粗糙度的樣本可用作具有高敏感度之感測器的協作目標。具有相對較低表面粗糙度(例如，小於或等於N9)之樣本可意謂自樣本反射之光將可預測地表現，且感測器可能夠偵測到甚至系統輸出中之小改變亦對應於樣本傾斜。另一方面，具有N10至N12之表面粗糙度的樣本可用作僅處於低敏感度之感測器之協作目標。粗糙表面可引起不可預測之系統輸出，且因此，感測器可僅能夠偵測對應於樣本傾斜時之根本偏差，且此樣本傾斜必須相對極端。隨著樣本之表面粗糙度增加，偵測樣本之傾斜可能變得愈加困難，且可能需要安裝分離的協作目標。使用自微分方法可有助於減小粗糙表面之影響。
在一些實施例中，調變可用於進一步增強感測器之敏感度及準確度。光源272可經組態以以調變圖案發出光束。舉例而言，光源272可經組態以迅速地打開或關閉光束(例如，在發射之接通狀態與斷開狀態之間切換)。調變頻率可基於KHz之尺度。第二感測元件670可經組態以解調變光束。在一些實施例中，可提供調變器及解調變器。調變器可經組態以產生程式碼，諸如隨機數(或偽隨機雜訊，「PN」)程式碼。諸如圖1中所展示之控制器109的控制器可包括調變器及解調變器。可提供偏轉器以調變由光源272所產生之光束。在以全文引用之方式併入本文中之美國申請案第15/826,600號中論述調變。調變可用於抑制環境光之影響且提高SNR。舉例而言，感測器可經組態以抵消在光源272之發射之斷開狀態期間偵測到的環境光對光源272之發射之接通狀態(例如，正占空比)的影響。調變可增強感測器之實用性且增加其對複雜照明環境之適用性。
根據本發明之實施例的感測器尤其可包括自微分方法及共焦孔徑之態樣。感測器可應用於用於例如晶圓遮罩或金屬表面調平之SEM系統中。圖8展示應用於SEM之感測器600的一實例。感測器600可經組態以發出平行於SEM之光軸105的光束245。SEM可包括與軸線105對準之物鏡132及偵測器144以及其他組件。感測器可類似地應用於位置感測器系統。舉例而言，感測器可經組態以偵測晶圓之豎直位置，諸如在以全文引用之方式併入本文中之美國專利第10,176,967號中所展示的實例中。
在一些實施例中，可提供一種感測光束之方法。該方法可包括將來自源之光引導至樣本上，接收來自感測元件之輸出及基於輸出判定數值。該數值可為樣本之傾斜程度。該方法可進一步包括將光聚焦至焦平面上，使光透射通過配置於焦平面處之孔徑及將光投射至感測元件上。該感測元件可包括多個感測元件。
圖9展示根據本發明之實施例之方法的一實例。圖9之方法可由諸如控制器109之控制器執行。控制器109可對例如帶電粒子束系統或其他系統之組件發出指令以完成某些功能。在圖9之常式開始之後，方法可行進至步驟S101。步驟S101可包括形成光束。光束可由光源產生。舉例而言，光源272可產生光束，諸如光束245。步驟S101可包括準直光束。舉例而言，可使得光束穿過準直儀274以形成光束。
圖9之方法亦可包括步驟S102至S111。步驟S102可包括將光輸入至第一光學元件。舉例而言，步驟S102可包括將光輸入至上文關於圖7A或圖7B所論述之第一光學元件610。步驟S103可包括朝向樣本輸出光。步驟S103可包括朝向晶圓201引導來自第一光學元件610之光。
隨後，光可自樣本反射，且可朝向第一光學元件往回引導。步驟S104可包括將光輸入至第二光學元件。步驟S104可包括輸出來自第一光學元件610之光及將光輸入至第二光學元件620中。隨後，步驟S105及S106可在一起發生。步驟S105可包括朝向第一感測元件輸出光。步驟S106可包括朝向第二感測元件輸出光。舉例而言，輸入至第二光學元件620之光可沿著第一光束路徑朝向第一感測元件640輸出，且光可沿著第二光束路徑朝向第二感測元件670輸出。光可在第一光束路徑與第二光束路徑當中分離。
在步驟S107中，可聚焦光。步驟S107可包括沿著第一光束路徑或第二光束路徑聚焦光。舉例而言，自第二感測元件620輸出之光可穿過第一透鏡630。另外，自第二感測元件620輸出之光可穿過第二透鏡635。穿過第一透鏡630之光可聚焦於第一感測元件640上。穿過第二透鏡635之光可聚焦於配置孔徑660之焦平面上。在步驟S108中，光可朝向第二感測元件670引導。步驟S108可包括改變自第二光學元件620或自第二透鏡635輸出之光的傳播方向。步驟S108可包括自第三光學元件650反射光。步驟S109可包括使光透射通過開口。開口可為針孔。步驟S109可包括使光傳輸通過孔徑660。步驟S110可包括在第二感測元件上接收光。步驟S110可包括使入射於第二感測元件670上之光產生輸出。
步驟S111可包括判定數值。步驟S111可包括判定樣本之參數。步驟S111之判定可基於第一感測元件或第二感測元件之輸出。舉例而言，步驟S111之判定可包括基於第一感測元件640及第二感測元件670之輸出判定晶圓201之傾斜程度。判定可基於關係。判定可包括使用演算法計算數值。演算法可反映第一感測元件之輸出與第二感測元件之輸出之間的關係。在一些實施例中，演算法可反映感測系統之組件之屬性之間的關係。舉例而言，演算法可反映第一感測元件610及第二感測元件620之屬性之間的關係。此類屬性可包括透射率及反射率。
在一些實施例中，可提供一種偵測樣本中之傾斜之方法。樣本可為晶圓。該方法可包括將雷射光束引導至樣本處以產生反射光束。該方法可進一步包括使反射光束穿過光學元件以產生第一光束及第二光束。該方法可進一步包括偵測第一光束之第一屬性及偵測第二光束之第二屬性。第一屬性可為光束之亮度，且第一屬性可由光電二極體偵測。第二屬性可為可由光電二極體偵測之第二光束之一部分的亮度。可存在偵測第一光束之第一光電二極體及偵測第二光束之第二光電二極體。在第二光束之部分穿過組件之後，可偵測第二光束之第二屬性。該組件可包括孔徑。該方法可進一步包括基於第一屬性及第二屬性判定樣本之傾斜。
圖10展示根據本發明之實施例之方法的一實例。圖10之方法可由諸如控制器109之控制器執行。圖10之方法可自步驟S201開始。步驟S201可包括形成雷射光束。雷射光束可由諸如光電二極體之源產生。源可包括光源272。步驟S201可包括準直光束。雷射光束可朝向諸如晶圓201之樣本引導。步驟S201可包括使雷射光束穿過其他光學元件。步驟S201可包括使雷射光束穿過光束分光器。
隨後，在步驟S202中，雷射光束可撞擊在樣本上，且可自樣本反射。反射光束之發射可取決於樣本之傾斜。舉例而言，反射光束之角度可取決於樣本之傾斜程度。反射光束可朝向諸如光束分光器之光學元件引導。反射光束可穿過光束分光器且可朝向其他光學元件引導。
在步驟S203中，來自反射光束之光的至少一部分可朝向另一光學元件引導。步驟S203可包括朝向另一光束分光器輸出來自光束分光器之光束。
在步驟S204中，可產生可用於感測之複數個光束。步驟S204可包括產生第一光束及第二光束。第一光束及第二光束可藉由使光束穿過光束分光器產生。第一光束可在一個方向上引導以便到達第一感測元件，且第二光束可在另一方向上引導以便到達第二感測元件。
在步驟S205，第一光束可朝向第一感測元件引導。可處理第一光束，如在步驟S206中。舉例而言，第一光束可穿過聚光透鏡，且隨後可撞擊在第一感測元件上，由此在第一感測元件中產生信號。可判定第一光束之屬性。舉例而言，可判定由第一光束在第一感測元件上所形成之光束點的亮度。
同時，在步驟S210中，第二光束可朝向第二感測元件引導。可處理第二感測元件，如在步驟S211中。步驟S211可包括使第二光束穿過另一光學元件。光學元件可經組態以根據樣本之傾斜改變穿過該光學元件之光束的屬性。光學元件可包括孔徑。第二光束可撞擊在第二感測元件上，由此在第二感測元件中產生信號。可判定第二光束之屬性。舉例而言，可判定由第二光束在第二感測元件上所形成之光束點的亮度。
在步驟S220中，數值可基於來自第一感測元件及第二感測元件之輸出判定。數值可包括樣本之傾斜。數值可為相對於參考平面或參考線之角度。
圖10之方法可包括抵消環境光之影響。該方法可包括使用調變。
該方法可包括抵消電源變化之影響。舉例而言，該方法可包括改變第二光束之屬性，該屬性可基於樣本之傾斜而非基於電源變化或環境光。
可使用以下條項進一步描述實施例： 1. 一種裝置，其包含： 一光源，其經組態以輻照一樣本； 一第一光學元件，其經組態以在一第一方向上將來自該光源之光供應至該樣本，且在一第二方向上將輸入至該第一光學元件之光供應至一第三方向上之另一組件； 一第二光學元件，其經組態以在一第四方向上將光供應至一第一感測元件，且在一第五方向上將光供應至一第三光學元件； 該第三光學元件，其中該第三光學元件經組態以將光供應至一第二感測元件； 一透鏡，其經組態以聚焦來自該光源之光，其中該透鏡配置於該第二光學元件與一孔徑之間；及 該孔徑，其中該孔徑配置於該第三光學元件與該第二感測元件之間，且該孔徑配置於該透鏡之一焦平面處。 2. 如條項1之裝置，其進一步包含： 一準直儀，其配置於該光源與該第一光學元件之間。 3. 如條項1或條項2之裝置，其進一步包含： 一控制器，其經組態以基於該第一感測元件之輸出與該第二感測元件之輸出之間的一關係判定一數值。 4. 如條項1至3中任一項之裝置，其中該光源包括一雷射二極體。 5. 如條項1至4中任一項之裝置，其中該光源包括光經組態以穿過之另一孔徑。 6. 如條項1至5中任一項之裝置，其中該光源經組態以調變自該光源發出之光。 7. 如條項3之裝置，其中該控制器經組態以： 使得該光源模組化自該光源發出之光；且 解調變來自該第一感測元件之一信號。 8. 如條項1至7中任一項之裝置，其進一步包含： 一電路板，其中該光源、該第一感測元件及該第二感測元件配置於該電路板上。 9. 如條項1至8中任一項之裝置，其中該孔徑包括一針孔。 10.   一種裝置，其包含： 一第一光束分光器，其經組態以朝向一樣本透射光，且朝向一第二光束分光器反射光； 該第二光束分光器，其中該第二光束分光器經組態以沿著一第一光束路徑及一第二光束路徑透射光；及 一孔徑，其配置於該第二光束路徑上。 11.    如條項10之裝置，其進一步包含： 一光源，其經組態以將光輸入至該第一光束分光器中。 12.   如條項10或條項11之裝置，其進一步包含： 一鏡面，其配置於該第二光束路徑上，且經組態以朝向該孔徑反射光。 13.   如條項10至12中任一項之裝置，其進一步包含： 一準直儀，其配置於該光源與該第一光束分光器之間。 14.   如條項10至13中任一項之裝置，其進一步包含： 一第一透鏡，其經組態以沿著該第一光束路徑聚焦一光束。 15.   如條項10至14中任一項之裝置，其進一步包含： 一第二透鏡，其經組態以沿著該第二光束路徑聚焦一光束，其中該孔徑配置於該第二透鏡之一焦平面處。 16.   一種感測一光束之方法，其包含： 將光輸入至一第一光學元件中； 將來自該第一光學元件之光輸入至一第二光學元件中； 沿著一第一光束路徑朝向一第一感測元件引導來自該第二光學元件之光； 沿著一第二光束路徑聚焦光；以及 使光透射通過一孔徑。 17.   如條項16之方法，其進一步包含： 使輸入至該第一光學元件之光準直。 18.   如條項16或條項17之方法，其進一步包含： 朝向一第二感測元件引導來自配置於該第二光束路徑上之一第三光學元件的光， 其中沿著該第二光束路徑聚焦光包括將光聚焦至該孔徑之一中心處的一點，其中該孔徑包括一針孔，且該孔徑處於該第二光學元件與該第二感測元件之間。 19.   如條項18之方法，其進一步包含： 基於該第一感測元件之輸出與該第二感測元件之輸出之間的一關係判定一數值。 20.   如條項19之方法，其中判定該數值包括使用一演算法計算該數值。 21.   如條項1至9中任一項之裝置，其中該第四方向平行於該第二方向，且該第五方向平行於該第三方向。 22.   一種判定一樣本之傾斜的方法，該方法包含： 將一雷射光束引導至該樣本處以產生一反射光束； 使該反射光束穿過一第一光學元件以產生一第一光束及一第二光束； 判定該第一光束之一第一屬性； 判定該第二光束之一第二屬性；以及 基於該第一屬性及該第二屬性判定該樣本之傾斜。 23.   如條項22之方法，其中 該第一屬性包括該第一光束之光的量，且 該第二屬性包括該第二光束之光的量。 24.   如條項22之方法，其中 該第一屬性包括該第一光束之強度，且 該第二屬性包括該第二光束之強度。 25.   如條項22之方法，其中 該第一屬性包括由該第一光束在一第一感測元件上所形成之一光點之亮度，且 該第二屬性包括由該第二光束在一第二感測元件上所形成之一光點之亮度。 26.   如條項22至25中任一項之方法，其進一步包含： 使該第二光束穿過一第二光學元件，其中該第二光學元件經組態以基於該樣本之傾斜改變該第二屬性。 27.   如條項26之方法，其中 該第二光學元件包括一孔徑，該孔徑經組態以隨著該傾斜增加而減小透射通過該孔徑之光的量。 28.   如條項22至27中任一項之方法，其進一步包含： 使該反射光束穿過一第三光學元件，該第三光學元件配置於該樣本與該第一光學元件之間，其中該反射光束朝向該第一光學元件引導。 29.   如條項22至28中任一項之方法，其進一步包含： 抵消環境光之一影響。 30.   如條項22至29中任一項之方法，其進一步包含： 抵消電源變化之一影響。 31.   如條項22至30中任一項之方法，其進一步包含： 調變該雷射光束。 32.   如條項25之方法，其進一步包含： 隨著該傾斜增加而減小由該第二光束在該第二感測元件上所形成之該光點的亮度。 33.      一種儲存一指令集之非暫時性電腦可讀媒體，該指令集可由一計算器件之至少一個處理器執行以執行用於增強一影像之一方法，該方法包含： 如條項16至32中任一項之方法。
在一些實施例中，諸如傾斜感測器之感測器可與控制帶電粒子束系統之控制器連通。控制器可指示帶電粒子束系統之組件執行各種功能，諸如控制帶電粒子源以產生帶電粒子束及控制偏轉器以掃描帶電粒子束。控制器亦可執行各種其他功能，諸如調整樣本之位置。控制器可包含為儲存媒體之儲存器，諸如硬碟、隨機存取記憶體(RAM)、其他類型之電腦可讀記憶體及類似者。儲存器可用於將經掃描原始影像資料保存為原始影像及後處理影像。可提供儲存指令之非暫時性電腦可讀媒體，該等指令用於控制器109之處理器以進行帶電粒子束偵測、取樣週期判定、影像處理或符合本發明之其他功能及方法。非暫時性媒體之常見形式包括例如：軟碟、可撓性磁碟、硬碟、固態磁碟機、磁帶或任何其他磁性資料儲存媒體；CD-ROM；任何其他光學資料儲存媒體；具有孔圖案之任何實體媒體；ROM、PROM及EPROM、FLASH-EPROM或任何其他快閃記憶體；NVRAM；快取記憶體；暫存器；任何其他記憶體晶片或卡匣及其網路化版本。
圖式中之方塊圖可說明根據本發明之各種例示性實施例之系統、方法及電腦硬體/軟體產品之可能實施的架構、功能性及操作。就此而言，示意圖中之每一區塊可表示可使用硬體(諸如電子電路)實施的某一算術或邏輯運算處理。區塊亦可表示包含用於實施指定邏輯功能之一或多個可執行指令的程式碼之模組、區段或部分。應理解，在一些替代實施中，區塊中所指示之功能可不按圖式中所提及之次序出現。舉例而言，取決於所涉及之功能性，連續展示之兩個區塊可實質上同時執行或實施，或兩個區塊有時可以相反次序執行。一些區塊亦可省略。亦應理解，方塊圖之每一區塊及該等區塊之組合可由執行指定功能或動作的基於專用硬體之系統或由專用硬體及電腦指令之組合來實施。
將瞭解，本發明不限於上文已描述及在隨附圖式中已說明之確切建構，且可在不脫離本發明之範疇的情況下作出各種修改及改變。
10:電子束檢測系統 11:主腔室 20:裝載/鎖定腔室 30:裝置前端模組 30a:第一裝載埠 30b:第二裝載埠 100:電子束工具 105:光軸 109:控制器 132:物鏡 144:偵測器 200:裝載/鎖定裝置 201:晶圓 210:載物台 220:底板 230:晶圓支座 245:光束 246:光束 250:感測器 250a:感測器 250b:感測器 251:發射器 252:接收器 260:頂板 271:電路板 272:光源 273:感測元件 274:準直儀 275:光束分光器 276:孔徑 277:焦點透鏡 278:鏡面 300:裝載/鎖定系統 301:泵 302:阻尼器 303:泵閘閥 305:安裝台 410:第一方向 411:第一光束 412:第二光束 413:第三光束 414:第四光束 415:第五光束 416:第六光束 417:第七光束 418:第八光束 420:第二方向 430:第三方向 440:第四方向 600:感測器 600b:感測器 601:基底 610:第一光學元件 620:第二光學元件 630:第一透鏡 635:第二透鏡 640:第一感測元件 650:第三光學元件 660:孔徑 670:第二感測元件 d:偏移 S101:步驟 S102:步驟 S103:步驟 S104:步驟 S105:步驟 S106:步驟 S107:步驟 S108:步驟 S109:步驟 S110:步驟 S111:步驟 S201:步驟 S202:步驟 S203:步驟 S204:步驟 S205:步驟 S206:步驟 S210:步驟 S211:步驟 S220:步驟 t:厚度
本發明之上述及其他態樣自結合隨附圖式進行的例示性實施例之描述將變得更顯而易見。
圖1為說明符合本發明之實施例的例示性電子束檢測(EBI)系統之示意圖。
圖2A為符合可為圖1之例示性電子束檢測系統之一部分的本發明之實施例的例示性裝載/鎖定裝置之示意圖。
圖2B為符合本發明之實施例的圖2B中所展示之裝載/鎖定裝置之一部分的平面圖。
圖3為說明符合本發明之實施例的例示性裝載/鎖定系統的視圖。
圖4為符合本發明之實施例的感測器之例示性結構及相互作用的放大示意圖。
圖5A及圖5B為說明符合本發明之實施例的感測器之例示性詳細結構的圖式。
圖6A至圖6D為說明符合本發明之實施例的光束分光器之例示性詳細結構的圖式。
圖7A及圖7B為說明符合本發明之實施例的感測器之例示性詳細結構的圖式。
圖8為說明符合本發明之實施例的包括感測器之例示性SEM系統的視圖。
圖9為展示符合本發明之實施例的可用於感測樣本之例示性方法的流程圖。
圖10為展示符合本發明之實施例的可用於判定樣本之傾斜之例示性方法的流程圖。
201:晶圓
272:光源
274:準直儀
600:感測器
601:基底
610:第一光學元件
620:第二光學元件
630:第一透鏡
635:第二透鏡
640:第一感測元件
650:第三光學元件
660:孔徑
670:第二感測元件

Claims (15)

  1. 一種裝置，其包含： 一光源，其經組態以輻照一樣本； 一第一光學元件，其經組態以在一第一方向上將來自該光源之光供應至該樣本，且在一第二方向上將輸入至該第一光學元件之光供應至一第三方向上之另一組件； 一第二光學元件，其經組態以在一第四方向上將光供應至一第一感測元件，且在一第五方向上將光供應至一第三光學元件； 該第三光學元件，其中該第三光學元件經組態以將光供應至一第二感測元件； 一透鏡，其經組態以聚焦來自該光源之光，其中該透鏡配置於該第二光學元件與一孔徑之間；及 該孔徑，其中該孔徑配置於該第三光學元件與該第二感測元件之間，且該孔徑配置於該透鏡之一焦平面處。
  2. 如請求項1之裝置，其進一步包含： 一準直儀，其配置於該光源與該第一光學元件之間。
  3. 如請求項1之裝置，其進一步包含： 一控制器，其經組態以基於該第一感測元件之輸出與該第二感測元件之輸出之間的一關係判定一數值。
  4. 如請求項1之裝置，其中該光源包括一雷射二極體。
  5. 如請求項1之裝置，其中該光源包括光經組態以穿過之另一孔徑。
  6. 如請求項1之裝置，其中該光源經組態以調變自該光源發出之光。
  7. 如請求項3之裝置，其中該控制器經組態以： 使得該光源模組化自該光源發出之光；且 解調變來自該第一感測元件之一信號。
  8. 如請求項1之裝置，其進一步包含： 一電路板，其中該光源、該第一感測元件及該第二感測元件配置於該電路板上。
  9. 如請求項1之裝置，其中該孔徑包括一針孔。
  10. 一種感測一光束之方法，其包含： 將光輸入至一第一光學元件中； 將來自該第一光學元件之光輸入至一第二光學元件中； 沿著一第一光束路徑朝向一第一感測元件引導來自該第二光學元件之光； 沿著一第二光束路徑聚焦光；以及 使光透射通過一孔徑。
  11. 如請求項10之方法，其進一步包含： 使輸入至該第一光學元件之光準直。
  12. 如請求項10之方法，其進一步包含： 朝向一第二感測元件引導來自配置於該第二光束路徑上之一第三光學元件的光， 其中沿著該第二光束路徑聚焦光包括將光聚焦至該孔徑之一中心處的一點，其中該孔徑包括一針孔，且該孔徑處於該第二光學元件與該第二感測元件之間。
  13. 如請求項12之方法，其進一步包含： 基於該第一感測元件之輸出與該第二感測元件之輸出之間的一關係判定一數值。
  14. 如請求項13之方法，其中判定該數值包括使用一演算法計算該數值。
  15. 一種儲存一指令集之非暫時性電腦可讀媒體，該指令集可由一計算器件之至少一個處理器執行以執行用於增強一影像之一方法，該方法包含： 將光輸入至一第一光學元件中； 將來自該第一光學元件之光輸入至一第二光學元件中； 沿著一第一光束路徑朝向一第一感測元件引導來自該第二光學元件之光； 沿著一第二光束路徑聚焦光；以及 使光透射通過一孔徑。
TW109128343A 2019-08-30 2020-08-20 檢測裝置及感測光束之方法 TWI768438B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2019103819 2019-08-30
WOPCT/CN2019/103819 2019-08-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202117279A true TW202117279A (zh) 2021-05-01
TWI768438B TWI768438B (zh) 2022-06-21

Family

ID=72243092

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111118832A TW202234021A (zh) 2019-08-30 2020-08-20 檢測裝置及感測光束之方法
TW109128343A TWI768438B (zh) 2019-08-30 2020-08-20 檢測裝置及感測光束之方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111118832A TW202234021A (zh) 2019-08-30 2020-08-20 檢測裝置及感測光束之方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20220328283A1 (zh)
JP (2) JP7432707B2 (zh)
KR (1) KR20220041170A (zh)
CN (1) CN114450554A (zh)
IL (1) IL290616A (zh)
TW (2) TW202234021A (zh)
WO (1) WO2021037695A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11915908B2 (en) * 2021-10-14 2024-02-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Method for measuring a sample and microscope implementing the method

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1534762A (fr) * 1967-05-18 1968-08-02 Cilas Procédé et dispositif de palpage optique
US5218415A (en) * 1988-05-31 1993-06-08 Canon Kabushiki Kaisha Device for optically detecting inclination of a surface
JPH01303721A (ja) * 1988-05-31 1989-12-07 Canon Inc 面傾き検出装置
US4981354A (en) * 1989-03-13 1991-01-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Optical differential tilt sensor
US5392115A (en) * 1989-04-21 1995-02-21 Hitachi, Ltd. Method of detecting inclination of a specimen and a projection exposure device as well as method of detecting period of periodically varying signal
JPH07128035A (ja) * 1993-10-29 1995-05-19 Nikon Corp 水平位置検出装置
KR100607936B1 (ko) * 1999-09-29 2006-08-03 삼성전자주식회사 광픽업장치
JP2001304838A (ja) 2000-04-26 2001-10-31 Fujitsu Ltd 表面検査装置及び表面検査方法
JP2005315573A (ja) 2003-04-30 2005-11-10 Sunx Ltd 角度測定装置及び角度調整装置並びに光学測定装置
EP1992905A1 (en) * 2007-05-16 2008-11-19 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Optical sensor with tilt error correction
US8791414B2 (en) * 2010-04-21 2014-07-29 Hermes Microvision, Inc. Dynamic focus adjustment with optical height detection apparatus in electron beam system
NL2005080C2 (en) * 2010-07-14 2012-01-17 Univ Delft Tech Inspection apparatus and replaceable door for a vacuum chamber of such an inspection apparatus.
CN104296686A (zh) * 2014-11-05 2015-01-21 哈尔滨工业大学 基于荧光差动共焦技术的光滑大曲率样品测量装置与方法
WO2016101978A1 (en) * 2014-12-22 2016-06-30 Applied Materials, Inc. Apparatus for inspecting a substrate, method for inspecting a substrate, large area substrate inspection apparatus and method of operating thereof
JP6620170B2 (ja) * 2016-01-29 2019-12-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置およびその光軸調整方法
DE202017100793U1 (de) * 2017-02-14 2017-02-22 Sick Ag Winkelencoder
US10176967B2 (en) 2017-02-23 2019-01-08 Hermes Microvision, Inc. Load lock system for charged particle beam imaging

Also Published As

Publication number Publication date
WO2021037695A1 (en) 2021-03-04
JP2024059659A (ja) 2024-05-01
TW202234021A (zh) 2022-09-01
KR20220041170A (ko) 2022-03-31
CN114450554A (zh) 2022-05-06
IL290616A (en) 2022-04-01
JP7432707B2 (ja) 2024-02-16
TWI768438B (zh) 2022-06-21
US20220328283A1 (en) 2022-10-13
JP2022552933A (ja) 2022-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI781298B (zh) 覆蓋和邊緣放置錯誤的計量和控制
US10460998B2 (en) Method for inspecting substrate, substrate inspection apparatus, exposure system, and method for producing semiconductor device
KR101782336B1 (ko) 검사 장치 및 검사 방법
US9182357B2 (en) Semiconductor wafer inspection system and method
WO2012056601A1 (ja) 検査装置、検査方法、露光方法、および半導体デバイスの製造方法
US8451878B2 (en) Surface profile inspection device
US7064820B2 (en) Surface inspection method and surface inspection system
JP2024059659A (ja) 荷電粒子ビームシステムにおいてレベル変動を測定するための自己示差共焦点傾斜センサ
JP6036680B2 (ja) 検査装置および半導体装置の製造方法
US20060284115A1 (en) Ion beam apparatus and analysis method
TW202133292A (zh) 複合重疊計量目標
JP5434353B2 (ja) 表面検査装置および表面検査方法
TW202020921A (zh) 用於裸晶圓檢測之系統及方法
US7767982B2 (en) Optical auto focusing system and method for electron beam inspection tool
KR100395117B1 (ko) 다른 마스크 검사장치를 독립적으로 설치하지 않고 전자빔 노광장치를 사용하여 마스크를 검사할 수 있는 마스크 검사장치 및 마스크 검사방법
US8089637B2 (en) Apparatus for detecting a sample
KR100952522B1 (ko) 웨이퍼 결함 검출 장치 및 이의 방법
JPH04208515A (ja) 電子線描画装置及び方法、及びその試料面高さ測定装置
KR20170126992A (ko) 다중 빔 리소그래피에서의 개개의 빔 패턴 배치 검증
JP4128262B2 (ja) 試料ステージ及びそれを用いた粒径計測装置
US7394523B2 (en) Exposure apparatus and method of controlling exposure apparatus
JP2006071396A (ja) 基板表面の異物検査方法およびその装置
US7084966B2 (en) Optical measurement of device features using lenslet array illumination
TW202417986A (zh) 結構部件缺陷的分析方法
TW202104829A (zh) 將絕對z高度值用於工具之間的協同作用之技術