TW202417986A - 結構部件缺陷的分析方法 - Google Patents
結構部件缺陷的分析方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202417986A TW202417986A TW112136104A TW112136104A TW202417986A TW 202417986 A TW202417986 A TW 202417986A TW 112136104 A TW112136104 A TW 112136104A TW 112136104 A TW112136104 A TW 112136104A TW 202417986 A TW202417986 A TW 202417986A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- test path
- deviation
- test
- illumination
- local
- Prior art date
Links
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims abstract description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 113
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims abstract description 35
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 45
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 38
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 30
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 23
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 11
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 6
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 25
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 3
- 101000827703 Homo sapiens Polyphosphoinositide phosphatase Proteins 0.000 description 2
- 102100023591 Polyphosphoinositide phosphatase Human genes 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 101001121408 Homo sapiens L-amino-acid oxidase Proteins 0.000 description 1
- 102100026388 L-amino-acid oxidase Human genes 0.000 description 1
- 101100012902 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) FIG2 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100233916 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) KAR5 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/7065—Defects, e.g. optical inspection of patterned layer for defects
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
結構部件的缺陷分析包括檢查部件的實際結構尺寸(24)和部件的目標結構尺寸(21)之間的局部偏差(25
i)。在這種情況下,沿著延伸穿過測試路徑(26)的偏差座標(y)在測試路徑(26)的位置(x
i)處檢查局部偏差(25
i)。在測試路徑(26)的測試區域(27)中的多個不同測試路徑位置(x
i)處重複此測試。判定出測試區域(27)上的實際結構尺寸(24)和目標結構尺寸(21)之間的總局部偏差。比較局部偏差(25i)與局部偏差公差值。比較總和局部偏差與總和偏差公差值。這達成了具有增強意義的缺陷分析,特別可使用計量系統來據以實施。
Description
[交互參照]
本專利申請要求德國專利申請案DE 10 2022 210 225.8的優先權,其內容經引用併入本文。
本發明涉及一種用於分析結構部件的缺陷的方法。 發明另涉及用於執行這種缺陷分析的電腦程式產品和計量系統。
US 2017/0131 528 A1(平行文獻WO 2016/0124 425 A2)、WO 2016/012 426 A1、US 2017/0132782 A1和DE 10 2009 016中已知計量系統,其特別用於分析遮罩或微影光罩形式的結構部件的缺陷。US 2022/0229374 A1揭示了一種用於判定結構形成過程的特性的方法。
本發明的一個目的是增強缺陷分析的重要性,特別可使用計量系統來實施缺陷分析。
根據本發明,該目的透過具有請求項1中指定特徵的方法來實施。結構部件可以是微影光罩或遮罩。
缺陷分析的更重要的意義在於將局部偏差和局部偏差總和與對應的公差值進行比較。然而在測試區域內進行求和時局部偏差具有無法容忍的大小,可將個別的局部偏差公差範圍內的小局部偏差定性為無法容忍的缺陷,因為總和局部偏差超出了總和偏差公差值。
可基於計算模型或基於經驗值來指定局部偏差公差值和總和偏差公差值。可透過感興趣區域(ROI)來指定測試區域,特別是計量系統的物場尺寸。
可在特定的測試區域內掃描測試路徑。
在判定總和偏差時,可實施為將所執行的求和作為積分,並利用適當的軟體演算法據以實施。
用於檢查部件的實際結構尺寸與目標結構尺寸之間的局部偏差的偏差座標是沿著整個測試路徑的同一個偏差座標。因此,在所有測試路徑位置中的偏差測量方向都相同。
根據請求項2的測試路徑使得能夠對部件的直線結構或部件的兩個結構元件之間的直線間隙進行缺陷分析。然後特別可對部件的水平及/或垂直結構進行缺陷分析。
根據請求項3的測試路徑特別可分析部件的相應彎曲結構。測試路徑的曲率角可為90°。這能夠分析結構部件的角結構。
根據請求項4的測試路徑能夠分析結構部件上的相應封閉結構。測試路徑可以是圓形或橢圓形。特別是可使用閉合測試路徑對於接觸孔進行分析。
根據請求項5的延伸比率已被證明特別適合用於局部偏差的精確檢查。
根據請求項6的單獨求和避免了在判定總和偏差的過程中對正偏差和負偏差的非期望補償。
根據請求項7判定出「最大強度」、「最小強度」及/或「平均強度」的測量變數中的至少一個,使得能夠判定出用於缺陷分析的測量變數,其獨立於判定測試路徑位置相關偏差。根據請求項7進行判定測量變數可與在測試路徑的測試路徑位置處的偏差檢查並行或依序地實施。
測量變數的判定使得可進行缺陷分析,特別是將判定出的強度與指定的強度值進行比較。然後,如果超過或低於相應的指定值,則可以推斷為有缺陷。
根據請求項8的位置判定也使得可透過判定測量變數來判定出缺陷位置。
根據請求項9的實際測量變數的判定具有上述已解釋過的優點。
根據請求項10的目標測量變數的判定可用於參考或校準目的。
根據請求項11的差異判定是獨立於目標結構相關基板而實施的,造成實際上僅可判定出與缺陷相關的測量變數。
根據請求項12的電腦程式產品的優點,其對應於上述已參考缺陷分析方法所解釋的優點。
相應敘述適用於根據請求項13的計量系統的優點。計量系統的測量光波長可在EUV範圍內,特別是在5 nm和30 nm之間,例如13.5 nm。或者,還可以使用波長在DUV範圍內的測量光來操作計量系統,例如測量光波長為193 nm或248 nm。
計量系統的組成部分可包括用於照明和成像光的光源、用於照明物場的照明光學單元、用於將物場成像為像場的成像光學單元;以及用於偵測像場內的照明強度分佈的空間分辨偵測裝置。計量系統還可包括控制測試路徑進程的開環/閉環控制裝置、沿著測試路徑分佈的測試路徑位置,以及在物場內可指定要測量的限定或預定場部。
該計量系統可用於測量用於投影曝光的微影光罩,用於產生具有非常高結構解析度的半導體元件,例如,解析度優於500 nm,或優於100 nm,且可特別優於30 nm,且特別優於10 nm。
圖1在對應於經向剖面的平面中示出包含成像光學單元3的計量系統2中的EUV照明光或EUV成像光1的光束路徑,其由圖1中的方框示意性再現。在投影曝光設備2的照明系統4中產生照明光1。
以下使用EUV計量系統的示例來描述計量系統2。根據計量要求,計量系統也可作為測量光波長為例如193 nm或248 nm的DUV計量系統。
為了方便表示位置關聯性,下文將使用笛卡爾xyz座標系。圖1中的x軸垂直於圖面延伸並離開圖面。圖1中的y軸向右延伸。圖1中的z軸向上延伸。
在每種情況下示意性示出,照明系統4包含EUV或DUV光源5和照明光學單元6。光源可以是雷射電漿源(LPP;雷射產生電漿)或放電電源(DPP;放電產生電漿)。原則上,也可以使用基於同步加速器的光源,例如自由電子雷射(FEL)。照明光1的使用波長範圍可在5 nm至30 nm之間。原則上,在計量系統2的變體情況下,還可使用具有另一光波長的光源,例如使用光波長為193 nm或248 nm的光源。
在照明系統4的照明光學單元6中調整照明光1,以提供照明的特定照明設置,也就是特定的照明角度分佈。所述照明設定對應於照明系統4的照明光學單元的照明光瞳中的照明光1的特定強度分佈。設置在照明光學單元6的光瞳平面8中的光瞳光闌7是用於提供相應的照明設定。
光瞳光闌7保持在光闌支架7a中。光闌支架7a可以是一種快速更換光闌支架並且能夠用至少一個改變光瞳光闌來替換目前在照明中使用的光瞳光闌7。這種快速更換固定器可包括匣,其具有多個光瞳光闌7、特別是不同的光瞳光闌,並且用於指定各種照明設定。
成像光學單元3的像側數值孔徑為0.7。根據成像光學單元3的實施例,像側數值孔徑大於0.5,也可以是0.55、0.6、0.65、0.75、0.8或甚至更大。成像光學單元3的像側數值孔徑適合透過計量系統的成像來模擬的產生投影曝光設備的像側數值孔徑。因此,由偶極光瞳光闌7所設定的照明設定也適合於此產生投影曝光設備的產生照明設定。
計量系統2的使用如下:首先,一方面設置成像光學單元3,另一方面透過對應的光瞳光闌7設置像側數值孔徑和照明設置。後者對應於待測量的產生投射曝光設備的照明和成像條件的最佳可能程度。
透過分別設定的照明設置,照明光1照明計量系統2的物件平面10的物場9。因此,將也稱為遮罩的微影光罩11設置在物件平面10中,作為在產生期間將要被照明的物件。微影光罩11代表應使用計量系統2進行測量的結構部件形式的物件。計量系統2用於對微影光罩11進行缺陷分析。藉由計量系統2的航空影像測量實施缺陷分析。
在圖1中,微影光罩11的結構部示意性示出位於物件平面10上方,且所述物件平面10平行於xy平面延伸。將所述結構部描繪成位於圖1的影像平面之中。微影光罩11實際設置在物件平面10中垂直於圖1的繪圖平面。
如圖1示意所示,照明光1從微影遮罩11反射,並在入射光瞳平面13中進入成像光學單元3的入射光瞳12。成像光學單元3所使用的入射光瞳12是圓形的,或者如圖1所示意的,具有橢圓形邊緣。
在成像光學單元3內,在入射光瞳平面13和出射光瞳平面14之間傳播照明或成像光1。成像光學單元3的圓形出射光瞳15位於出射光瞳平面14內。成像光學單元3可以是變像的並且從圓形或橢圓形入射光瞳12產生圓形出射光瞳15。
成像光學單元3將物場9成像到投影曝光設備2的影像平面17中的測量場或像場16中。在影像平面17下方,圖1示意性示出成像光強度分佈I,在z方向上與影像平面17間隔值z
w的平面中測量成像光強度分佈I,也就是在散焦值z
w處的成像光強度。
影像平面17周圍的各個z值處的成像光強度I(x, y, z
w)也被稱為投影曝光設備2的3D航空影像。
空間分辨偵測裝置18可以是CCD攝影機或CMOS攝影機,將其安排在影像平面17中,影像平面17表示計量系統2的測量平面。偵測裝置18用於記錄成像光強度I(x, y, z
w)。
將物場9成像至像場16時,成像光學單元3的放大成像比例可大於100。此成像比例可大於200、可大於250、可大於300、可大於400、並且可大於500。成像光學單元3的成像比例通常小於2000。
圖2示意性示出微影光罩11的結構20的變型的放大平面圖,其透過計量系統2進行缺陷分析。結構20是沿著圖2的座標系x方向延伸的水平結構。或者,結構20還可以是沿著y方向延伸的垂直結構或沿著物件平面10中的另一方向延伸的線結構。
在圖2中,結構20的目標結構尺寸21以具有結構寬度B的矩形形式再現。結構寬度B的範圍可在20 nm至200 nm之間。結構20可以是凸起於相鄰結構區域上方的正結構,或是由微影光罩11的某種第一材料所製成的結構。
結構20利用間隙結構22鄰接至相鄰結構23,間隙結構22同樣沿x方向延伸並具有間隙寬度G。可將間隙結構22設計為與正結構20相比為凹陷的負結構,或設計成結構製成材料不同於結構20的製成材料。間隙結構22的間隙寬度G的範圍可在20 nm和200 nm之間,並且例如範圍在60 nm和100 nm之間。
在圖2中以誇大的放大倍率示出在水平結構20與間隙結構22之間的邊界區域中的水平結構20的實際結構尺寸24。
圖2中以範例示出的實際結構尺寸24,其作為過量缺陷結構,是由目標結構尺寸21突出到間隙結構22的間隙區域中。
可利用計量系統2來檢查部件11的實際結構尺寸24和目標結構尺寸21之間的局部偏差25。在測試路徑26的位置x
i檢查該偏差25
i。測試路徑26是直線的並沿著座標x延伸,座標x在圖2中是水平的。沿著y座標測量和測試局部偏差25
i,也就是說,沿著橫跨測試路徑26並具體垂直於測試路徑26延伸的偏差座標y對局部偏差25
i進行測量和測試。偏差座標y在對應的測試路徑位置x
i處垂直於測試路徑26延伸。這些測試路徑位置x
i也稱為切片。
圖2示出總共四個不同的測試路徑位置x
1、x
2、x
3和x
4,在這些位置處以示例性方式測量相應的局部偏差25
1至25
4。總體來說,在缺陷分析的範圍內,沿著部件11的x座標並且特別是沿著整個測試區域27在多個測試路徑位置x
i處對於該局部偏差25
i進行測量和測試。
當對多個不同的測試路徑位置x
i重複測試時,可掃描測試路徑26。
在缺陷分析過程中,判定實際結構尺寸24與目標結構尺寸21之間的總和偏差
,是遵循在多個局部測試位置x
i處沿著整個測試區域27所進行的局部偏差25
i的測量和測試。
作為缺陷分析方法的軟體實施中的整合,其可執行求和。
在缺陷分析期間,比較進行測量和測試的局部偏差25
i與局部偏差公差值25
T。
此外,在缺陷分析中,對應於整個區域的總和偏差,在其中將測試區域27上的實際結構尺寸24與目標結構尺寸21的偏差與總和偏差公差值25
S進行比較。
基於與公差值25
T、25
S進行比較的兩個步驟,以執行關於實際結構尺寸24是否總體上為微影光罩11的可容許結構尺寸的檢查。
在判定總和偏差時,首先,正偏差可以單獨求和,其中實際結構尺寸24大於相應測試位置x
i處的目標結構尺寸21,其次,負偏差可以單獨求和,其中在相應的測試位置x
i處實際結構尺寸24小於目標結構尺寸,因此,實際結構尺寸24偏離目標結構尺寸21遠離間隙結構22,增加了間隙寬度G。
圖3示出可透過計量系統2利用缺陷分析來檢查的結構的另一個變體,使用微影光罩11的變體中的接觸孔28、29、30的示例。圖3也示出與計量系統2的物場9重合的感興趣區域(ROI)31。此ROI 31包含全部兩個接觸孔28和29以及一半的接觸孔30。
圖3在每種情況下示出對應的接觸孔28至30的目標結構尺寸32,在每種情況下根據圖3所示的變型,目標結構尺寸32都是圓形。此外,在圖3中示出相應接觸孔28至30的相應實際結構尺寸33,其在每種情況下在所示實施例中被設計為在y方向上具有較長半軸的橢圓變形接觸孔。在圖3中再次以非常誇大的形式示出實際結構尺寸33和目標結構尺寸32之間的偏差。
在EUV計量系統的應用中,接觸孔28至30的標準直徑為80 nm量級。在DUV計量系統的應用中,接觸孔28至30的標準直徑範圍在180 nm至400 nm之間。
由於圓形目標結構尺寸32與橢圓形實際結構尺寸33之間的偏差,沿著圍繞相應目標結構尺寸32的圓周的測試路徑34會出現被稱為侵入區域的兩個區域35,其中,實際結構尺寸33的邊緣與目標結構尺寸32的中心之間的距離大於目標結構尺寸32的半徑。這兩個侵入區域35在正y方向和負y方向上與相應的目標結構尺寸32的中心隔開。
此外,由於橢圓形實際結構尺寸33偏離圓形目標結構尺寸32,會出現兩個擠壓區域36,其中目標結構尺寸32的半徑大於實際結構尺寸33的邊緣與目標結構尺寸32的中心之間的距離。這兩個擠壓區域36在正x方向和負x方向上與相應的目標結構尺寸32的中心隔開。
在接觸孔28至30的缺陷分析的範圍內,在測試路徑34的相應圓周位置處並沿著徑向偏差座標測量和檢查實際結構尺寸33和目標結構尺寸32之間的局部偏差,徑向偏差座標在計量系統2的幫助下相應地延伸穿過測試路徑34。針對在相應接觸孔28至30周圍的測試路徑34的整個圓周內的多個圓周測試路徑位置重複此過程。接觸孔30的情況下,將測試路徑34設計為ROI 31內的半圓形。
測試路徑34是彎曲的,特別為圓形或部分圓形。在接觸孔28和29處,測試路徑34沿著閉合曲線延伸。在對應的測試路徑位置處,徑向偏差座標垂直於測試路徑34延伸。
根據上面在圖2的背景下已討論過的內容,然後在測試路徑34的整個圓周區域上(也就是在測試區域上)依序判定出實際結構尺寸33與目標結構尺寸32之間的總和偏差(
),然後,將局部偏差再次與局部公差容差值25
T進行比較,並將求和偏差(
)與求和偏差容差值25
S進行比較。
圖4示出了微影光罩11的結構範例,對微影光罩11進行缺陷分析,其中將該結構設計為角結構,其目標結構尺寸38具體為球型角,而實際結構尺寸39稍微小於圖4所示的示例。角結構37包圍例如微影光罩11的正結構區域或由第一材料製成的區域,並且鄰接另一區域,例如實施為負結構區域或由另一種材料製成的區域,並且將該區域設計成互補於角結構37。
在角結構37的缺陷分析的範圍內,測試路徑40沿著角結構37的目標結構尺寸38的邊緣區域延伸。總體來說,測試路徑40以彎曲方式延伸,而在角區域37上的總曲率角為90°。
在角結構37的缺陷分析的範圍內,再次測量和檢查實際結構尺寸39和目標結構尺寸38之間的局部偏差。再次在垂直於測試路徑40上的相應測試路徑位置對該偏差進行測量和檢查。因此,當測試路徑40沿著x座標延伸時,偏差座標沿著y方向延伸。當測試路徑40沿著y座標延伸時,偏差座標沿著x方向延伸。在測試路徑40的水平和垂直路線之間的球形過渡區域中,偏差座標垂直延伸於測試路徑40上的切線,也就是說,如果目標結構尺寸38在角結構37的區域中是球形的,則徑向地與相關聯的球體中心相對。
圖4中示出了沿測試路徑40的測試位置x
i、y
i的局部偏差25
i。
沿著測試路徑40的測試區域內(也就是在圖4中的ROI 31內所示的整個角落區域37內)的相應偏差座標,對多個不同的測試路徑位置x
i、y
i進行重複測試。然後在測試路徑40的整個測試區域上判定實際結構尺寸39和目標結構尺寸38之間的總和偏差(
)。隨後,將局部偏差與局部偏差容許值25
T再次進行比較,並將總和偏差(
)與總和偏差容許值25
S進行比較。
圖5示出計量系統2的物場9內的待測量物件的結構20的變體,即微影光罩11。將結構20示出為具有結構寬度B的曲線結構,結構寬度B的範圍例如再次為20 nm和200 nm之間,並且實施為相對於相鄰物件而部分凸起的形式。
相對應於上述已參考圖1至圖4所解釋的部件和功能具有相同的附圖標號的部件和功能,將不再進行詳細的討論。
圖5也示出感興趣區域(ROI)31,其表示計量系統2的物場9內的限定場部。此外,圖5示出測試路徑40的路線,測試路徑40在這種情況下也是彎曲的,以及在每種情況下穿過該測試路徑40的測試路徑位置x
i的路線。
如上述已解釋過的,醒目示出在缺陷分析期間被掃描並檢查局部偏差的兩個測試路徑位置x
i、x
i+1以作為示例。
利用缺陷分析範圍內的空間分辨檢測裝置18,在ROI 31中另外判定出附加測量變量,獨立於測試路徑位置x
i的設置。這至少是以下測量變數的其中之一:
ROI 31中照明光1的最大強度,也就是在ROI 31的影像位置處的像場16中測量到的最大強度;
ROI 31中照明光1的最小強度,也就是在ROI 31的影像位置處的像場16中測量到的最小強度;及/或
在ROI 31求得的照明光3的平均強度,也就是對像場16中的ROI 31的影像進行平均,並且透過空間分辨照明裝置18進行測量。
圖5透過範例闡明會出現ROI 31中照明光1的最大強度的兩個可能位置41
1、41
2,透過偵測裝置18偵測到照明光3的最小強度,或透過偵測裝置18依序偵測到ROI 31中的照明光3的最小強度。位置41
1在部件11的結構20的外部。位置41
2在物場的結構20的內部。
結構20可具有缺陷或不具有缺陷(也就是無缺陷的結構)。缺陷D,也就是實際結構尺寸24和目標結構尺寸21之間的偏差(參見關於圖2的描述),在圖5中,以虛線將缺陷D表示為結構20的邊緣輪廓的凸起。
只要缺陷不存在,透過偵測裝置18的ROI 31的影像表示就是參考影像。如果存在缺陷D,則影像表示為缺陷影像。缺陷分析的範圍還可包括判定參考影像和缺陷影像之間的差異影像。
可在缺陷影像、參考影像或差異影像中判定出相應的測量變數「最大強度」、「最小強度」及/或「平均強度」。
除了上述主要結合圖2至圖4所解釋的局部缺陷分析之外,還可透過該獨立的測量變數判定,以獲得關於ROI 31的進一步的測量資訊。此測量資訊例如可用於執行特定強度測量變數與指定的目標最大強度值和目標最小強度值的比較。以這種方式,可獨立於測試路徑掃描,而做出ROI 31內缺陷是否存在的判定。
可將用於執行缺陷分析的軟體演算法設計為電腦程式並且是電腦程式產品的一部分,該電腦程式產品儲存在適合電腦的媒體上並包括電腦可讀程式裝置,其使得電腦可執行缺陷分析的各個步驟。
1:EUV成像光
2:計量系統;投影曝光設備
3:成像光學單元
4:照明系統
5:EUV或DUV光源
6:照明光學單元
7:光瞳光闌
7a:光闌支架
8:光瞳平面
9:物場
10:物件平面
11:部件
12:入射光瞳
13:入射光瞳平面
14:出射光瞳平面
15:圓形出射光瞳
16:測量場或像場
17:影像平面
18:偵測裝置
20:結構
21:目標結構尺寸
22:間隙結構
23:相鄰結構
24:實際結構尺寸
25
1:局部偏差
25
2:局部偏差
25
3:局部偏差
25
4:局部偏差
25
i:局部偏差
25
T:局部偏差公差值
25
S總和偏差公差值
26:測試路徑
27:測試區域
28:接觸孔
29:接觸孔
30:接觸孔
31:感興趣區域
32:目標結構尺寸
33:實際結構尺寸
34:測試路徑
35:區域
36:擠壓區域
37:角結構;角區域
38:目標結構尺寸
39:實際結構尺寸
40:測試路徑
41
1:位置
41
2:位置
B:結構寬度
D:缺陷
G:間隙寬度
I(x, y, z
w):成像光強度
r:偏差座標
x
1:測試路徑位置
x
2:測試路徑位置
x
3:測試路徑位置
x
4:測試路徑位置
x
i:測試路徑位置
x
i、y
i:測試位置
x
i+1:測試路徑位置
z
w:值
以下參考附圖更詳細地解釋本發明的示例性實施例,其中:
圖1示意性示出藉由判定來進行缺陷分析的計量系統,作為在與光學產生系統的照明和成像條件相對應的照明和成像條件下的照明和成像的結果,待測量物件的產生航空圖像另外也示出了當前z位置處的物場的平面圖和測量場的平面圖;
圖2示出了結構部件形式的待測物件的線路結構的放大平面圖,附加示出沿著測試路徑的四個位置,以及在這些位置上測試部件的實際結構尺寸和目標結構尺寸之間的局部偏差,測試沿著橫跨測試路徑的偏差座標而進行;
圖3再次示出具有接觸孔形式結構的結構部件的結構的另一個示例平面圖,測試該結構並進行缺陷分析,其中再次示出照明元件的實際結構尺寸和目標結構尺寸之間的局部偏差,並且在該狀況下沿著該結構中的接觸孔的圓周延伸的閉合測試路徑;
圖4再次示出具有圓角結構形式結構的結構部件的結構的另一個示例平面圖,測試該結構並進行缺陷分析,再次顯示實際結構尺寸與目標結構尺寸的偏差,並且曲線測試路徑是沿著目標結構的圓角線而延伸;以及
圖5示意性示出具有待測量物件的結構部變體的物場的平面圖。
20:結構
21:目標結構尺寸
22:間隙結構
23:相鄰結構
24:實際結構尺寸
251:局部偏差
252:局部偏差
253:局部偏差
254:局部偏差
26:測試路徑
27:測試區域
x1:測試路徑位置
x2:測試路徑位置
x3:測試路徑位置
x4:測試路徑位置
Claims (13)
- 一種結構部件(11)的缺陷分析方法,包括以下步驟: 測試該部件(11)的實際結構尺寸(24;33;39)與該部件(11)的目標結構尺寸(21;32;38)之間的局部偏差(25 i),其中沿著延伸穿過測試路徑(26;34;40)的偏差座標(y;r;x、r、y)在該測試路徑(26;34;40)的位置(x i)處檢查該局部偏差(25 i), 在該測試路徑(26;34;40)的測試區域(27;31)中的多個不同測試路徑位置(x i)處重複測試, 判定出該測試區域(27;31)上該實際結構尺寸(24;33;39)與該目標結構尺寸(21;32;38)之間的總局部偏差( ), 比較該局部偏差(25 i)與局部偏差公差值(25 T), 比較該總和局部偏差( )與總和偏差公差值(25 S)。
- 如請求項1所述之方法,其特徵在於,該測試路徑(34)沿測試座標(x)直線延伸。
- 如請求項1所述之方法,其特徵在於,該測試路徑(34;40)是彎曲的。
- 如請求項3所述之方法,其特徵在於,該測試路徑(34)是封閉曲線。
- 如請求項1至4中任一項所述之方法,其特徵在於,該偏差座標(y;r;x、r、y)在對應的該測試路徑位置(x i)處與該測試路徑(26;34;40)成直角延伸。
- 如請求項1至5中任一項所述之方法,其特徵在於,將正偏差和負偏差分別計算總和。
- 如請求項1至6中任一項所述之方法,其特徵在於,在用於執行該方法的計量系統(2)的成像光學單元(3)的物場(9)中的限定場部(31)中,該計量系統(2)的空間分辨偵測裝置(18)設置在該成像光學單元(3)的像場(16)中,該空間分辨偵測裝置(18)用於判定出下列測量變數中的至少一個: 在該限定場部(31)中該計量系統(2)的光源(5)的照明和成像光(1)的最大強度,及/或 在該限定場部(31)中該計量系統(2)的該光源(5)的該照明和成像光(1)的最小強度,及/或 在該限定場部(31)上求得的該計量系統(2)的該光源(5)的該照明和成像光(1)的平均強度。
- 如請求項7所述之方法,其特徵在於,判定出在該限定場部(31)中出現該最大強度及/或該最小強度的位置(41 1、41 2)。
- 如請求項7或8所述之方法,其特徵在於,基於在該限定場部(31)中具有缺陷(D)的該部件(11)的結構(20)的影像,將該測量變數判定為實際測量變數。
- 如請求項7至9中任一項所述之方法,其特徵在於,基於在該限定場部(31)中沒有缺陷的該部件(11)的結構(20)的影像,將該測量變數判定為目標測量變數。
- 如請求項9和10所述之方法,其特徵在於,將該測量變數判定為該實際測量變數與該目標測量變數之間的差異。
- 一種儲存在電腦相容媒體上的電腦程式產品,該電腦程式產品包括以下內容:電腦可讀程式設備,其使得電腦執行根據請求項1至11中任一所述之該缺陷分析的各個步驟。
- 一種計量系統,用於執行根據請求項1至11中任一項所述之方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102022210225 | 2022-09-27 | ||
DE102022210225.8 | 2022-09-27 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202417986A true TW202417986A (zh) | 2024-05-01 |
Family
ID=90140271
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW112136104A TW202417986A (zh) | 2022-09-27 | 2023-09-21 | 結構部件缺陷的分析方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240103384A1 (zh) |
DE (1) | DE102023208871A1 (zh) |
TW (1) | TW202417986A (zh) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102009016858B4 (de) | 2009-03-18 | 2017-11-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Kalibrieren eines Probentisches eines Metrologiesystems sowie Metrologiesystem mit einem Probentisch |
WO2016012426A1 (de) | 2014-07-22 | 2016-01-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum dreidimensionalen vermessen eines 3d-luftbildes einer lithografiemaske |
EP3050773A1 (de) | 2015-02-02 | 2016-08-03 | Siemens Schweiz AG | Weichenverstellmechanismus mit einem zwischen den beiden Stockschienen angeordneten Verschluss |
KR102701622B1 (ko) | 2019-04-25 | 2024-09-04 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 핫스팟 감소를 위한 결함 기반 패터닝 공정 특성 결정 방법 |
-
2023
- 2023-09-12 DE DE102023208871.1A patent/DE102023208871A1/de active Pending
- 2023-09-21 TW TW112136104A patent/TW202417986A/zh unknown
- 2023-09-27 US US18/373,359 patent/US20240103384A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102023208871A1 (de) | 2024-03-28 |
US20240103384A1 (en) | 2024-03-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI781298B (zh) | 覆蓋和邊緣放置錯誤的計量和控制 | |
JP6386569B2 (ja) | プロセスウィンドウを最適化する方法 | |
KR102071942B1 (ko) | 검사 방법 및 검사 장치 | |
TWI616721B (zh) | 針對極紫外光光罩之臨界尺寸均勻性監測 | |
JP2022001965A (ja) | リソグラフィプロセスおよびリソグラフィ装置、ならびに検査プロセスおよび検査装置 | |
JPH0945609A (ja) | ベストフォーカス決定方法及びそれを用いた露光条件決定方法 | |
JP6431786B2 (ja) | 線幅誤差取得方法、線幅誤差取得装置および検査システム | |
US6023328A (en) | Photomask inspection method and apparatus | |
TWI692678B (zh) | 用於確定對線寬波動微影光罩之結構無關貢獻的方法 | |
KR20220017933A (ko) | 측정될 객체의 생산 에어리얼 이미지를 결정하기 위한 방법 | |
US10831107B2 (en) | Method for of measuring a parameter relating to a structure formed using a lithographic process | |
JP6853843B2 (ja) | リソグラフィマスクのフォーカス位置を決定する方法及びそのような方法を実行するための計測系 | |
US10346970B2 (en) | Inspection method for detecting a die defect | |
US8077290B2 (en) | Exposure apparatus, and device manufacturing method | |
TW202417986A (zh) | 結構部件缺陷的分析方法 | |
JP2019179237A5 (zh) | ||
KR20150092002A (ko) | 조명 장치 및 패턴 검사 장치 | |
US10267749B2 (en) | Inspection method | |
US20230046682A1 (en) | Mask defect detection | |
US11886125B2 (en) | Method for inferring a local uniformity metric | |
JP2004072114A (ja) | 露光装置において照明源を特性付けるための方法 | |
EP3879342A1 (en) | Method for inferring a local uniformity metric and associated appratuses | |
KR20220145282A (ko) | 계측 시스템의 조명 광학 장치용 동공 스탑 | |
KR20230117145A (ko) | 에칭된 트렌치를 측정하기 위한 계측 방법 및 연관된 계측 장치 |