TW202115362A - 半導體晶圓的厚度測定方法及半導體晶圓的厚度測定系統 - Google Patents

Abstract

提供半導體晶圓的厚度測定方法，在面內複數點以光譜干擾方式短時間測量半導體晶圓的厚度之際，可以抑制面內溫度變動引起的厚度測量值變動。本揭示中，在面內複數點以光譜干擾方式測量半導體晶圓的厚度之際，預先求得關於半導體晶圓溫度影響半導體晶圓厚度測量值的資訊，測量各測量位置的半導體晶圓溫度，根據上述資訊與測量的半導體晶圓溫度，補正在各測量位置的半導體晶圓厚度測量值。

Description

半導體晶圓的厚度測定方法及半導體晶圓的厚度測定系統

本發明，係有關於利用光譜干擾方式的半導體晶圓的厚度測定方法及半導體晶圓的厚度測定系統。

例如，利用如專利文獻1中記載的光譜干擾方式的厚度測定裝置，測量矽晶圓等半導體晶圓的厚度的技術係一直以來眾所周知的。參照圖1，說明根據一般光譜干擾方式的厚度測定裝置10的矽晶圓厚度測量原理。厚度測定裝置10，具有光學單元12、檢出單元14以及演算部16。光學單元12，例如具有波長可變雷射，對矽晶圓表面上照射具有既定頻寬(圖1所示的例中，波長1260〜1360nm(毫微米))的紅外線。反射光，包含紅外線在矽晶圓表面反射形成的第1反射光以及紅外線透過矽晶圓在矽晶圓裏面反射形成的第2反射光。包含CCD等受光元件的檢出單元14，檢出此第1反射光與第2反射光的干擾光。又，以矽晶圓厚度為t時，第2反射光的光程為2nt(n：折射率)。演算部16，傅利葉轉換此干擾光的光譜(圖1左側的圖表)，得到橫軸是光程nd(n：折射率，d：距離)、縱軸是光強度的圖表。將此圖表的橫軸「光程nd」除以矽晶圓折射率n的設定值(例如，3.86223)得到的「距離d」作為橫軸，係圖1右側的圖表。此圖表中的鄰接峰值間的距離，為矽晶圓的厚度測量值。即，將相當於光譜干擾方式測量的矽晶圓厚度之光程nt，透過除以矽晶圓折射率n，可以得到矽晶圓的厚度測量值t。通常，演算部16，如上述使用一定值作為折射率n的設定值，算出矽晶圓的厚度測量值t。 [先行技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利第2004–294155號公開公報

[發明所欲解決的課題]

在此，折射率n中有溫度相依性。因此，相當於以光譜干擾方式測量的矽晶圓厚度之光程nt，依從測量時的矽晶圓溫度，成為不同的值。因此，使用一定值作為折射率n的設定值，算出矽晶圓的厚度測量值t時，上述厚度測量值t，也依從測量時的矽晶圓溫度成為不同的值。

這樣，起因於依從矽晶圓溫度的折射率不同，為了防止厚度測量值變動，維持測量環境的溫度一定，極力維持作為測量對象物的矽晶圓的溫度一定是一個方案。但是，本發明者們，根據厚度測量的精確度與厚度測量結束為止所需時間的觀點，看出存在這樣設法並非有效的狀況。

這是在矽晶圓面內的複數點依序進行光譜干擾方式的厚度測量的情況。保持某溫度的矽晶圓，放置在與其不同溫度的測量環境中時，因為矽晶圓溫度在面內各個位置經過時間複雜變化，矽晶圓的面內溫度分布不均等。直到此面內溫度變得均等，且各位置中的溫度穩定為止，需要相當的時間。

面內溫度變動殘留的階段開始厚度測量時，某時刻測量的某測量點的厚度測量值與其他時刻測量的其他測量點的厚度測量值之間，會存在起因於折射率差異的測量值變動。即，未充分得到複數測量點間的厚度測量值的相對精確度。另一方面，矽晶圓的溫度穩定後，開始測量厚度時，直到測量結束為止需要長時間，不能提高矽晶圓的生產性。這樣的課題，不限於矽晶圓，對折射率中有溫度相依性，而且可以以光譜干擾方式測量厚度的半導體晶圓全面適用。

鑑於上述課題，本發明的目的在於提供半導體晶圓的厚度測定方法及半導體晶圓的厚度測定系統，在面內複數點以光譜干擾方式短時間測量半導體晶圓的厚度之際，可以抑制面內溫度變動引起的厚度測量值變動。 [用以解決課題的手段]

為了解決上述課題，本發明者們專心進行研究，得到以下的見解。即，構思預先求得關於半導體晶圓的溫度影響半導體晶圓厚度測量值的資訊。於是發現，在面內複數點以光譜干擾方式測量半導體晶圓的厚度之際，測量各測量位置中的半導體晶圓溫度，根據上述資訊與測量的半導體晶圓溫度，只要補正在各測量位置的半導體晶圓厚度測量值，就可以抑制面內溫度變動引起的厚度測量值變動。

根據上述見解完成的本發明主旨構成如下。 (1)半導體晶圓的厚度測定方法，其特徵在於： 在上述半導體晶圓面內的複數點實行： 第1步驟，對半導體晶圓表面的既定位置照射具有既定頻寬的紅外線； 第2步驟，檢出上述紅外線在上述半導體晶圓表面反射形成的第1反射光與上述紅外線透過上述半導體晶圓在上述半導體晶圓裏面反射形成的第2反射光的干擾光； 第3步驟，得到上述第2步驟檢出的上述干擾光的光譜； 第4步驟，波形解析上述光譜，求出在上述既定位置相當於上述半導體晶圓厚度的光程；以及 第5步驟，將相當於上述半導體晶圓厚度的光程，透過除以上述半導體晶圓的折射率，得到上述既定位置中的上述半導體晶圓厚度測量值； 預先求得關於上述半導體晶圓的溫度影響上述半導體晶圓厚度測量值的資訊； 測量在上述既定位置的上述半導體晶圓溫度； 根據上述資訊與測量的上述半導體晶圓溫度，補正上述第5步驟中得到的上述既定位置中的上述半導體晶圓厚度測量值。

(2) 上述(1)所記載的半導體晶圓的厚度測定方法，其中，上述補正，補償上述半導體晶圓面內的溫度差異引起的上述半導體晶圓的厚度測量值變動。

(3) 上述(1)或(2)所記載的半導體晶圓的厚度測定方法，其中，上述資訊，係設定測試半導體晶圓至各種溫度，透過實行上述第1步驟到上述第5步驟求出的上述測試半導體晶圓溫度與上述測試半導體晶圓厚度測量值的關係。

(4) 上述(3)所記載的半導體晶圓的厚度測定方法，其中，上述資訊，係根據上述測試半導體晶圓溫度與上述測試半導體晶圓厚度測量值的關係求出的每單位溫度的厚度測量值變動量。

(5)上述(3)或(4)所記載的半導體晶圓的厚度測定方法，其中，上述測試半導體晶圓，係與上述半導體晶圓相同，或具有與上述半導體晶圓相同的電阻率。

(6)半導體晶圓的厚度測定系統，其特徵在於： 具有： 基座，裝載半導體晶圓； 光學單元，實行第1步驟，對上述半導體晶圓的表面上既定位置照射具有既定頻寬的紅外線； 檢出單元，實行第2步驟，檢出上述紅外線在上述半導體晶圓表面反射形成的第1反射光與上述紅外線透過上述半導體晶圓在上述半導體晶圓裏面反射形成的第2反射光的干擾光； 演算部，實行： 第3步驟，得到以上述檢出單元檢出的上述干擾光的光譜； 第4步驟，波形解析上述光譜，求出相當於上述既定位置中上述半導體晶圓厚度的光程；以及 第5步驟，將相當於上述半導體晶圓厚度的光程，透過除以上述半導體晶圓的折射率，得到上述既定位置中的上述半導體晶圓厚度測量值；以及 上述光學單元與上述半導體晶圓的相對位置可動機構，可設定上述既定位置至上述半導體晶圓面內的複數點； 上述半導體晶圓的厚度測定系統，在上述半導體晶圓面內的複數點實行上述第1步驟到上述第5步驟； 更包括： 記憶體，記憶上述半導體晶圓溫度影響上述半導體晶圓厚度測量值的資訊；以及 溫度感應器，測量上述既定位置中的上述半導體晶圓溫度； 其中，上述演算部，根據上述記憶體內記憶的上述資訊以及上述溫度感應器測量的上述半導體晶圓溫度，補正上述第5步驟中得到的上述既定位置中的上述半導體晶圓厚度測量值。

(7) 上述(6)所記載的半導體晶圓的厚度測定系統，其中，上述補正，補償上述半導體晶圓面內的溫度差異引起的上述半導體晶圓的厚度測量值變動。

(8) 上述(6)或(7)所記載的半導體晶圓的厚度測定系統，其中，上述資訊，係設定測試半導體晶圓至各種溫度，透過實行上述第1步驟到上述第5步驟求出的上述測試半導體晶圓溫度與上述測試半導體晶圓厚度測量值的關係。

(9) 上述(8)所記載的半導體晶圓的厚度測定系統，其中，上述資訊，係根據上述測試半導體晶圓溫度與上述測試半導體晶圓厚度測量值的關係求出的每單位溫度的厚度測量值變動量。

(10) 上述(8)或(9)所記載的半導體晶圓的厚度測定系統，其中，上述測試半導體晶圓，係與上述半導體晶圓相同，或具有與上述半導體晶圓相同的電阻率。 [發明效果]

根據本發明的半導體晶圓的厚度測定方法及半導體晶圓的厚度測定系統，在面內複數點以光譜干擾方式短時間測量半導體晶圓的厚度之際，可以抑制面內溫度變動引起的厚度測量值變動。

以下，說明根據本發明一實施形態的矽晶圓的厚度測定方法及矽晶圓的厚度測定系統。

本實施形態的矽晶圓的厚度測定方法，係使用光譜干擾方式，具有以下的步驟。 (第1步驟) 對矽晶圓表面的既定位置(測量點)照射具有既定頻寬的紅外線。 (第2步驟) 檢出紅外線在矽晶圓表面反射形成的第1反射光與紅外線透過矽晶圓在矽晶圓裏面反射形成的第2反射光的干擾光。 (第3步驟) 得到第2步驟檢出的干擾光的光譜。 (第4步驟) 波形解析光譜，求出在上述既定位置相當於矽晶圓厚度的光程。 (第5步驟) 將相當於矽晶圓厚度的光程，透過除以矽晶圓的折射率，得到上述既定位置中的矽晶圓厚度測量值。

在矽晶圓面內的複數點實行以上第1步驟到第5步驟。

參照圖1，說明本實施形態的矽晶圓的厚度測定方法及矽晶圓的厚度測定系統中使用的光譜干擾方式的厚度測定裝置10構成。厚度測定裝置10，具有光學單元12、檢出單元14以及演算部16。

光學單元12，實行上述第1步驟，對矽晶圓W表面的既定位置(測量點)照射具有既定頻寬的紅外線。圖1中，例示照射波長1260〜1360nm範圍內的頻寬100nm的紅外線，但不限於此，例如波長1200〜1600nm範圍內，只要照射頻寬在50〜200nm範圍內的紅外線即可。作為這樣的光學單元12，可以舉出適當波長可變雷射，但不限定於此，可暫時照射寬波長頻帶紅外線的SLD(高度發光二極體)也可以。

檢出單元14，包含CCD等受光元件，實行上述第2步驟，檢出上述第1反射光與第2反射光的干擾光。

演算部16，根據檢出的干擾光中的第1反射光與第2反射光的光程差(矽晶圓的厚度為t時，上述光程差是2nt(n：折射率))，算出測量點中的矽晶圓W厚度測量值。首先，演算部16，得到圖1左側圖表所例示以檢出單元14檢出的干擾光的光譜(第3步驟)。其次，演算部16，波形解析光譜，求出相當於上述測量點中矽晶圓厚度的光程nt(第4步驟)。於是，將相當於矽晶圓厚度的光程nt，透過除以矽晶圓的折射率n，得到上述既定點中的矽晶圓厚度測量值t(第5步驟)。

作為具體例，演算部16，傅利葉轉換干擾光的光譜(圖1左側的圖表)，得到橫軸是光程nd(n：折射率，d：距離)、縱軸是光強度的圖表。將此圖表的橫軸「光程nd」除以矽晶圓折射率n的設定值(例如，3.86223)得到的「距離d」作為橫軸，係圖1右側的圖表。此圖表中的鄰接峰值間距離，為矽晶圓的厚度測量值。即，將相當於以光譜干擾方式測量的矽晶圓厚度之光程nt，透過除以矽晶圓折射率n，可以得到矽晶圓的厚度測量值t。通常，演算部16，如上述使用一定值作為折射率n的設定值，算出矽晶圓的厚度測量值t。

本發明者們，成功掌握矽晶圓溫度給予矽晶圓厚度測量值的影響。以下，顯示實驗例。兩面研磨的矽晶圓(目標厚度：775μm(微米)、直徑300mm(毫米)、摻雜物：硼、電阻率：p-)面內中心點厚度，使用光譜干擾方式的厚度測定裝置，利用以下條件經過時間測量。在當時，透過對矽晶圓吹熱風，不企圖變動溫度。又，透過表面上黏貼的熱電對，測量矽晶圓的溫度。又，折射率的設定值設為3.86223。

圖2中，顯示矽晶圓的溫度及厚度測量值的變動。根據圖2，很清楚地，與矽晶圓的溫度變動同步，厚度測量值也變動。圖3顯示根據圖2的圖表作成之矽晶圓的溫度與厚度測量值的關係圖表。根據圖3，明白矽晶圓的溫度與厚度測量值有強烈正相關。以橫軸x：晶圓溫度、縱軸y：晶圓厚度測量值，成為y=0.0695x+757.53，根據此實驗例，明白矽晶圓的每溫度1℃的變動，厚度測量值只變動0.0695μm(69.5nm)。矽晶圓的熱膨脹引起的厚度增加部分，因為每溫度1℃10 nm左右，此厚度測量值的變動，不是只反映實際厚度的變動，認為是起因於溫度變動的測量誤差。即，此厚度測量值的變動，認為是起因於折射率的溫度相依性。

於是，本實施形態的矽晶圓的厚度測定方法中，其特徵在於：在矽晶圓面內複數測量點得到厚度測量值之際，測量各測量點的矽晶圓溫度，根據圖3所示的資訊與測量的矽晶圓溫度，補正各測量點的厚度測量值。具體地，舉出如下的補正方法。

首先，設定某基準溫度(例如25℃)的測量點中的厚度測量值，作為基準值。其次，如下補正與此基準溫度的溫度差ΔT＝A(℃)在測量點中的厚度測量值。 補正厚度測量值(μm)= 厚度測量值(μm)＋0.0695(μm/℃)×A (℃) 即，ΔT＝1℃(例如26℃)的測量點中，厚度測量值加上0.0695μm，作為補正厚度測量值，ΔT＝－1℃(例如24℃)的測量點中，厚度測量值減去0.0695μm(微米)，作為補正厚度測量值。這樣的補正，可以補償矽晶圓面內溫度差異引起的矽晶圓厚度測量值變動。即，以這樣的方式，透過在面內複數點測量矽晶圓厚度，可以抑制面內溫度變動引起的厚度測量值變動。

即，本發明，其特徵在於：預先求出關於矽晶圓溫度影響矽晶圓厚度測量值的資訊，測量在各測量點的矽晶圓溫度，根據上述資訊與測量的矽晶圓溫度，補正第5步驟中得到的各測量點的矽晶圓厚度測量值。這樣的補正，可補償矽晶圓面內的溫度差異引起的矽晶圓厚度測量值變動。即，以這樣的方式，透過在面內複數點測量矽晶圓厚度，可以抑制面內的溫度變動引起的厚度測量值變動。

在此，「關於矽晶圓溫度影響矽晶圓厚度測量值的資訊」，理想是如圖3所示，設定測試矽晶圓至各種溫度，透過實行第1步驟到第5步驟求出的測試矽晶圓溫度與測試矽晶圓厚度測量值間的關係，還有，理想是根據此關係求出的每單位溫度的厚度測量值變動量(上述例的話，0.0695μm/℃)。

又，圖3的關係中，傾斜度「0.0695μm/℃」依從使用的測試矽晶圓電阻率。因此，根據充分得到補正精確度的觀點，測試矽晶圓，與要在複數點進行厚度測量的矽晶圓(以下，稱作「測量對象矽晶圓」)是否相同，理想是具有與上述測量對象矽晶圓相同的電阻率。即，使用測量對象矽晶圓，預先求出圖3所示的關係也可以，使用具有與上述測量對象矽晶圓相同的電阻率之測試矽晶圓求出圖3所示的關係也可以。

又，測試矽晶圓的電阻率，不限定於與測量對象矽晶圓相同的電阻率。但是，測量對象矽晶圓的電阻率是p–(1Ωcm以上)時，測試矽晶圓的電阻率理想也在p–的範圍。又，p＋(0.01Ωcm以上，未達0.1Ωcm)、p＋＋(0.001Ωcm以上，未達0.01Ωcm)時，每5mΩcm區分電阻率的範圍後，測試矽晶圓的電阻率與測量對象矽晶圓的電阻率，理想是屬於相同區分。又，測試矽晶圓與測量對象矽晶圓，理想是相同的傳導型(p型或n型)。

其次，說明可測量矽晶圓的面內厚度分布之半導體晶圓的厚度測定系統構成。首先，參照圖4，說明比較例的厚度測定系統100的構成。厚度測定系統100，具有厚度測量裝置10、旋轉基座20、夾盤22、感應器支撐部24以及導軌26。

旋轉基座20，在基座的上面中心部具有轉盤，此轉盤上可裝載矽晶圓W。轉盤上至少設置3個夾盤22，轉盤上裝載的矽晶圓W以夾盤22固定。

感應器支撐部24，由與旋轉基座20連結往鉛直方向延伸的一對腳部24A以及連結上述腳部間往水平方向延伸的腕部24B構成。腕部24B，對延伸方向垂直的剖面是矩形的柱狀構造體，其側面設置導軌26。

厚度測定裝置10，如已述，係具有圖1所示的構成之光譜干擾方式的厚度測定裝置，厚度測定裝置10，感應器頭朝下，安裝至導軌26，從感應器頭射出的紅外線對矽晶圓W表面垂直照射。結果，上述第1反射光與第2反射光的干擾光，入射至感應器頭，被引導至厚度測定裝置10內的檢出單元14。沿著導軌26，透過在一軸平行移動厚度測定裝置10，從厚度測定裝置10往矽晶圓W的紅外線照射位置(測量點)，可以掃描通過矽晶圓W面內中心的直徑上。

於是，透過組合沿著導軌26的厚度測定裝置10的一軸移動以及伴隨旋轉基座20的轉盤旋轉的矽晶圓W旋轉，可以設定測量點至矽晶圓W面內的任意位置。即，光學單元12(厚度測定裝置10)與矽晶圓W的相對位置可動機構，以旋轉基座20及導軌26構成。

根據這樣的相對位置可動機構，例如圖5所示，以矽晶圓W的面內中心為起點，螺旋狀依序設定複數測量點，可以進行厚度測量。圖5中，也顯示取得的面內厚度分布例。圖5左側的圖表，係從面內中心往4個半徑方向(090180270)描繪厚度測量值的圖表，可以取得這樣的面內厚度分布。還有，圖5右側的圖表，係平均圖5左側圖表的4水準之圖表，也可以取得這樣的面內厚度分布。根據這樣的面內厚度分布(在複數點的厚度測量結果)，也可以求出GBIR(總體背面理想範圍)等的晶圓面內厚度相對變化量。又，厚度測定系統100，不限於直徑300mm的矽晶圓，可以測量任意直徑的矽晶圓在複數點的厚度。

其次，參照圖6，說明關於本發明的一實施形態的厚度測定系統200的構成。厚度測定系統200，除了具有上述比較例的厚度測定系統100的構成，還有以下的構成。

首先，厚度測定系統200，具有測量在測量點的矽晶圓W溫度的溫度感應器30。作為溫度感應器30，例如可以舉出放射溫度計，只要可以測量在測量點的矽晶圓W溫度的話，不特別限定，例如也可以採用根據半導體的吸收端溫度相依性測量溫度的方法。本實施形態中，為了可以測量測量點即紅外線的照射位置溫度，溫度感應器30，與厚度測定裝置10鄰接安裝至導軌26。但是，本發明不限定於這樣的形態，例如厚度測定裝置10的感應器頭內內建溫度感應器的構成也可以。

還有，厚度測定系統200，具有記憶預先求出的圖3的關係式、每單位溫度的厚度測量值變動量等關於矽晶圓溫度影響矽晶圓厚度測量值的資訊之記憶體(未圖示)。

於是，厚度測定裝置10的演算部16，根據記憶體內記憶的資訊以及溫度感應器30測量的矽晶圓W溫度，補正第5步驟中得到的測量點中的矽晶圓厚度測量值。本實施形態中，透過以這樣的方式在面內複數點測量矽晶圓厚度，可以抑制面內溫度變動引起的厚度測量值變動。

上述中，說明以厚度測量對象為矽晶圓的實施形態，但本發明不限於此，也包含折射率中有溫度相依性，而且以可以利用光譜干擾方式測量厚度的SiC、GaAs等的半導體晶圓作為測量對象的情況。

本實施形態的半導體晶圓的厚度測定方法及半導體晶圓的厚度測定系統，可以適當應用於半導體晶圓的兩面研磨步驟之後的步驟。例如，進行兩面研磨晶圓最後完成單面研磨之前，根據本實施例在面內複數點測量晶圓厚度，求出GBIR等的晶圓面內厚度相對變化量，根據上述晶圓面內厚度相對變化量，可以設定單面研磨的條件。又，半導體晶圓上形成磊晶層之前，根據本實施形態在面內複數點測量晶圓厚度，求出GBIR等的晶圓面內厚度相對變化量，根據上述晶圓面內厚度相對變化量，可以設定磊晶成長條件。 [產業上的利用可能性]

根據本發明的半導體晶圓的厚度測定方法及半導體晶圓的厚度測定系統，在面內複數點以光譜干擾方式短時間測量半導體晶圓的厚度之際，可以抑制面內溫度變動引起的厚度測量值變動。

10:厚度測定裝置 12:光學單元 14:檢出單元 16:演算部 20:旋轉基座 22:夾盤 24:感應器支撐部 24A:腳部 24B:腕部 26:導軌 30:溫度感應器 100:厚度測定系統 200:厚度測定系統 W:矽晶圓

[圖1]係顯示光譜干擾方式的厚度測定裝置10的構成模式圖； [圖2]係顯示使矽晶圓溫度經過時間變動時，光譜干擾方式的厚度測定裝置10的矽晶圓厚度測量值變動圖表； [圖3]係顯示根據圖2的圖表作成的矽晶圓溫度與厚度測量值的關係圖表； [圖4]係顯示比較例的厚度測定系統100構成的模式圖； [圖5]係顯示矽晶圓面內厚度分布的一測定方法例圖；以及 [圖6]係顯示本發明的一實施形態的厚度測定系統200的構成模式圖。

Claims (12)

1. 一種半導體晶圓的厚度測定方法，其特徵在於： 在半導體晶圓面內的複數點實行： 第1步驟，對上述半導體晶圓表面的既定位置照射具有既定頻寬的紅外線； 第2步驟，檢出上述紅外線在上述半導體晶圓表面反射形成的第1反射光與上述紅外線透過上述半導體晶圓在上述半導體晶圓裏面反射形成的第2反射光的干擾光； 第3步驟，得到上述第2步驟檢出的上述干擾光的光譜； 第4步驟，波形解析上述光譜，求出在上述既定位置相當於上述半導體晶圓厚度的光程；以及 第5步驟，將相當於上述半導體晶圓厚度的光程，透過除以上述半導體晶圓的折射率，得到上述既定位置中的上述半導體晶圓厚度測量值； 其中，預先求得關於上述半導體晶圓的溫度影響上述半導體晶圓厚度測量值的資訊； 測量在上述既定位置的上述半導體晶圓溫度； 根據上述資訊與測量的上述半導體晶圓溫度，補正上述第5步驟中得到的上述既定位置中的上述半導體晶圓厚度測量值。
2. 如請求項1之半導體晶圓的厚度測定方法，其中， 上述補正，補償上述半導體晶圓面內的溫度差異引起的上述半導體晶圓的厚度測量值變動。
3. 如請求項1或2之半導體晶圓的厚度測定方法，其中， 上述資訊，係設定測試半導體晶圓至各種溫度，透過實行上述第1步驟到上述第5步驟求出的上述測試半導體晶圓溫度與上述測試半導體晶圓厚度測量值的關係。
4. 如請求項3之半導體晶圓的厚度測定方法，其中， 上述資訊，係根據上述測試半導體晶圓溫度與上述測試半導體晶圓厚度測量值的關係求出的每單位溫度的厚度測量值變動量。
5. 如請求項3之半導體晶圓的厚度測定方法，其中， 上述測試半導體晶圓，係與上述半導體晶圓相同，或具有與上述半導體晶圓相同的電阻率。
6. 如請求項4之半導體晶圓的厚度測定方法，其中， 上述測試半導體晶圓，係與上述半導體晶圓相同，或具有與上述半導體晶圓相同的電阻率。
7. 一種半導體晶圓的厚度測定系統，其特徵在於： 包括： 基座，裝載半導體晶圓； 光學單元，實行第1步驟，對上述半導體晶圓的表面上既定位置照射具有既定頻寬的紅外線； 檢出單元，實行第2步驟，檢出上述紅外線在上述半導體晶圓表面反射形成的第1反射光與上述紅外線透過上述半導體晶圓在上述半導體晶圓裏面反射形成的第2反射光的干擾光； 演算部，實行： 第3步驟，得到以上述檢出單元檢出的上述干擾光的光譜； 第4步驟，波形解析上述光譜，求出相當於上述既定位置中上述半導體晶圓厚度的光程；以及 第5步驟，將相當於上述半導體晶圓厚度的光程，透過除以上述半導體晶圓的折射率，得到上述既定位置中的上述半導體晶圓厚度測量值；以及 上述光學單元與上述半導體晶圓的相對位置可動機構，可設定上述既定位置至上述半導體晶圓面內的複數點； 上述半導體晶圓的厚度測定系統，在上述半導體晶圓面內的複數點實行上述第1步驟到上述第5步驟； 更包括： 記憶體，記憶上述半導體晶圓溫度影響上述半導體晶圓厚度測量值的資訊；以及 溫度感應器，測量上述既定位置中的上述半導體晶圓溫度； 其中，上述演算部，根據上述記憶體內記憶的上述資訊以及上述溫度感應器測量的上述半導體晶圓溫度，補正上述第5步驟中得到的上述既定位置中的上述半導體晶圓厚度測量值。
8. 如請求項7之半導體晶圓的厚度測定系統，其中， 上述補正，補償上述半導體晶圓面內的溫度差異引起的上述半導體晶圓的厚度測量值變動。
9. 如請求項7或8之半導體晶圓的厚度測定系統，其中， 上述資訊，係設定測試半導體晶圓至各種溫度，透過實行上述第1步驟到上述第5步驟求出的上述測試半導體晶圓溫度與上述測試半導體晶圓厚度測量值的關係。
10. 如請求項9之半導體晶圓的厚度測定系統，其中， 上述資訊，係根據上述測試半導體晶圓溫度與上述測試半導體晶圓厚度測量值的關係求出的每單位溫度的厚度測量值變動量。
11. 如請求項9之半導體晶圓的厚度測定系統，其中， 上述測試半導體晶圓，係與上述半導體晶圓相同，或具有與上述半導體晶圓相同的電阻率。
12. 如請求項10之半導體晶圓的厚度測定系統，其中， 上述測試半導體晶圓，係與上述半導體晶圓相同，或具有與上述半導體晶圓相同的電阻率。

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