TW202113055A - 清洗基板之方法 - Google Patents

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Abstract

本發明實施例係關於一種用於清洗一基板之方法，該方法包含：接納一光罩基板，其包括經安置於該光罩基板之一表面上方之一多層反射式結構、經安置於該多層反射式結構上之一覆蓋層，及一吸收器，其中該光罩基板具有經安置於該表面上方之複數個導電奈米顆粒；將包括一SC1溶液、一DI水及O3 之一第一混合物施覆至該光罩基板以移除該等導電奈米顆粒；及施覆一DI水以沖洗該光罩基板。該等導電奈米顆粒之一移除速率大於約90%。

Description

清洗基板之方法
本發明實施例係有關清洗基板之方法。
半導體積體電路行業已經在過去幾十年中經歷快速發展。半導體材料及設計中之技術進展已經產生不斷變小且更複雜之電路。由於與處理及製造相關之技術亦已經歷技術進展，故已經實現此等材料及設計進展。在半導體演進之進程中，由於可可靠地產生之最小組件之大小已減小，故每單位面積之互連裝置之數量已增加。
半導體製造主要依賴於光微影之製程，其中一給定頻率之光用於將一所要圖案轉印至經歷半導體處理之一晶圓上。為將圖案轉印至晶圓上，通常使用一光罩(亦稱為一遮罩或倍縮光罩)。光罩容許呈一所要圖案之光至晶圓上之一層(諸如一光阻(PR)層)上，其與曝光發生化學反應，從而移除PR層之一些部分且留下其他部分。接著，使用剩餘PR以圖案化一下伏層。隨著特徵大小減小，在光微影中用於圖案化層之光之波長亦已減小，從而產生額外困難且使技術進展(諸如使用極紫外線(EUV)作為一光源)以及相移遮罩成為必需。改良光罩對促進行業之持續進展係重要的，特定言之，因為在製造半導體裝置及積體電路中之後續處理步驟期間，可混合圖案化層中之缺陷。因此需要光罩改良，包含對污染物或顆粒移除之改良。
本發明的一實施例係關於一種用於清洗一基板之方法，其包括：接納一光罩基板，其具有安置於該光罩基板之一表面上方之一多層反射式結構、安置於該多層反射式結構上之一覆蓋層及一吸收器，其中該光罩基板具有安置於該光罩基板之該表面上方之複數個導電奈米顆粒；將包括一SC1溶液、去離子(DI)水及臭氧(O3 )之一第一混合物施覆至該光罩基板以移除該等導電奈米顆粒；及施覆DI水以沖洗該光罩基板，其中該等導電奈米顆粒之一移除速率大於約90%。
本發明的一實施例係關於一種用於清洗一基板之方法，其包括：接納一光罩基板，其具有安置於該光罩基板之一表面上方之一相移層及安置於該相移層上之一屏蔽層，其中該光罩基板具有安置於該光罩基板之該表面上方之複數個導電奈米顆粒；將包括一SC1溶液、去離子(DI)水及臭氧(O3 )之一第一混合物施覆至該基板以移除該等導電奈米顆粒；及施覆一DI水以沖洗該光罩基板，其中該等導電奈米顆粒之一移除速率大於約90%。
本發明的一實施例係關於一種用於清洗一基板之方法，其包括：接納一半導體基板，其具有一表面及安置於該表面上之複數個圖案，其中該半導體基板具有安置於該半導體基板之該表面上方之複數個導電奈米顆粒；將包括一SC1溶液、去離子(DI)水及臭氧(O3 )之一第一混合物施覆至該半導體基板以移除該等導電奈米顆粒；及施覆一DI水以沖洗該半導體基板，其中該等導電奈米顆粒之一移除速率大於約90%。
下列本發明實施例提供用於實施所提供標的物之不同構件之許多不同實施例或實例。在下文描述組件及配置之特定實例以簡化本發明實施例。當然，此等僅為實例且並不意欲為限制性的。例如，在下列描述中之將一第一構件形成在一第二構件上方或上可包含其中將第一構件及第二構件形成為直接接觸之實施例，且亦可包含其中可在第一構件與第二構件之間形成額外構件使得第一構件及第二構件可不直接接觸之實施例。另外，本發明實施例可在各種實例中重複元件符號及/或字母。此重複係出於簡單及清楚之目的，且本身並不指示各種實施例及/或所論述組態之間的一關係。
闡釋性實施例之此描述旨在與隨附圖式結合閱讀，隨附圖式應被視為整個書面描述之部分。在本文揭示之實施例之描述中，對方向或定向之任何參考僅旨在便於描述且不旨在以任何方式限制本發明實施例之範疇。相對術語(諸如「下」、「上」、「水平」、「垂直」、「在…上方」、「在…下方」、「向上」、「向下」、「頂部」及「底部」)以及其等派生詞(例如，「水平」、「向下」、「向上」等)應解釋為指示接著描述之定向或所論述之圖式中描述之定向。此等相對術語僅為便於描述且不需要以一特定定向構造或操作設備。術語(諸如「附接」、「貼附」、「連接」及「互連」)係指其中結構直接或透過中介結構間接彼此固定或附接之一關係以及可移動或剛性附接或關係兩者，除非另外明確描述。再者，本發明實施例之構件及益處藉由對實施例參考繪示。因此，本發明實施例明確不應限制於繪示可單獨存在或存在於其他構件組合中之一些可能的非限制性構形組合之此等實施例；本發明實施例之範疇由本發明隨附之發明申請專利範圍定義。
雖然闡述本發明實施例之廣泛範疇之數值範圍及參數為近似值，但已儘可能精確地報告特定實例中所闡述之數值。然而，任何數值本就含有必然由各自測試量測中所得到之標準偏差引起之特定誤差。同樣地，如本文使用，術語「實質上」、「約」或「大約」通常意謂在一般技術者所預期之一值或範圍內。替代地，當由一般技術者考慮時，術語「實質上」、「約」或「大約」意謂在一可接受的平均值標準誤差內。一般技術者可理解，可接受的標準誤差可根據不同技術而變化。除了在操作/工作實例中之外，或除非另有明確指定，本文中揭示之全部數值範圍、數量、值及百分比(諸如材料量、持續時間、溫度、操作條件、數量比及類似者之數值範圍、數量、值及百分比)應理解為在全部例項中皆由術語「實質上」、「約」或「大約」修飾。因此，除非有相反指示，否則本發明實施例及隨附發明申請專利範圍中闡述之數值參數係可如所需般變化之近似值。最起碼，各數值參數應鑒於所報告之有效數字之數字且藉由應用普通捨位技術解釋。本文中可將範圍表達為自一個端點至另一端點或在兩個端點之間。本文揭示之所有範圍包含該等端點，除非另有指定。
術語「奈米顆粒」係指大小通常在約1至100奈米之標度之原子、分子或巨分子顆粒。通常，觀察或開發通常低於100 nm之一臨界長度物質標度之奈米顆粒之新穎且區分性質及功能。
EUV光罩及相移光罩用於更小及更複雜電路之先進半導體設計中。製造EUV光罩係具有挑戰性的，因為其需要滿足微影條件之需求。通常，自一遮罩廠房運輸之一遮罩上剩餘之材料包含一吸收層、一覆蓋層、一多層堆疊及一低熱膨脹材料(LTEM或基板)。吸收層充當一屏蔽層，因為EUV遮罩之概念係基於反射光。反射式多層堆疊具有經最佳化以提供最大相長干涉(Bragg反射)以在峰值輻射波長(針對EUV為13.5 nm)達成約60至75%反射率之厚度。覆蓋層定位於吸收層與多層之間。覆蓋層用於維持光學反射率，因為多層堆疊可在一EUV腔室內部之照明期間氧化。在一些比較性方法中，覆蓋層之一厚度可調整為小於約5 nm，使得EUV光不會被覆蓋層吸收，而仍需要覆蓋層來提供熱及化學穩定性。因此，雖然一薄覆蓋層對EUV微影係必要的，但此薄覆蓋層必須維持一高完整度位凖。
一有效清洗操作係光微影中之另一重要因素。為了在製造操作中達成長期穩定性，光罩及EUV光罩需要頻繁清洗以在光微影操作之前或之後移除污染物。例如，在一曝光操作期間，活性蝕刻劑、基團或化學氣體分佈於腔室內部，且因此當引發一不恰當反應時，形成非所要奈米顆粒。必須完全移除此等污染物及非所要奈米顆粒以維持光罩及EUV光罩之品質。在比較性方法中，奈米顆粒歸因於覆蓋層之高催化性質及導電性而被吸引至覆蓋層。此等奈米顆粒無法輕易由當前清洗操作移除。此外，亦需要薄覆蓋層能夠阻止藉由清洗操作造成之損害。
因此，本發明實施例提供一種用於自一基板移除污染物或奈米顆粒之方法。在一些實施例中，方法包含執行用於自一光罩基板或一半導體基板移除奈米顆粒之一清洗操作。在一些實施例中，方法包含用於自光罩基板或半導體基板移除導電奈米顆粒之一清洗操作。藉由清洗操作之導電奈米顆粒之一移除速率可改良為大於約90%，同時將一薄層維持於光罩基板或半導體基板上方。
圖1係表示根據本發明實施例之態樣之用於清洗一基板之一方法10之一流程圖。方法10包含數個操作(12、14、15及16)。將根據一或多項實施例進一步描述用於清洗基板之方法10。應注意，用於清洗基板之方法10之操作可經重新配置或以其他方式在各種態樣之範疇內修改。進一步應注意，可在方法10之前、期間及之後提供額外製程，且僅可在本文中簡略描述一些其他製程。因此，其他實施方案在本文描述之各種態樣之範疇內係可能的。
圖2A至圖2D係在一或多項實施例中根據本發明實施例之態樣之在各種階段之一光罩之示意圖，且圖3A至圖3D係在一或多項實施例中之根據本發明實施例之態樣之在各種階段之另一光罩之示意圖。在操作12，接納一光罩基板。
在一些實施例中，光罩基板可為如在圖2A中展示之一EUV光罩200之一基板。在其他實施例中，光罩基板可為一光罩基板(諸如，如圖3A中展示之一相移光罩300)之一基板。因此，EUV光罩200包含如在圖2A中展示之一光罩基板202，且相移光罩300包含如在圖3A中展示之一光罩基板302。光罩基板202及302分別可為適用於用作一光罩之任何大小。在一些實施例中，光罩基板202及302分別包含基於矽之材料，諸如石英(即，二氧化矽)、熔融石英及類似者。在一些實施例中，光罩基板202及302分別包含一低熱膨脹係數材料(LTEM)。在其他實施例中，光罩基板202及302分別包含適當光透射材料。
參考圖2A，在一些實施例中，EUV光罩200包含安置於光罩基板202之一表面上方之一多層反射式結構210。在一些實施例中，多層反射式結構210包含一Ru/Si多層反射式結構、一Mo/Be多層反射式結構、一Mo化合物/Si化合物多層反射式結構、一Si/Mo/Ru多層反射式結構、一Si/Mo/Ru/Mo多層反射式結構或一Si/Ru/Mo/Ru多層反射式結構。例如，當多層反射式結構210包含Mo化合物/Si化合物多層反射式結構時，Mo層及Si層可在約40對與50對之間交替配置。各對Mo層與Si層可包含具有約3 nm之一厚度之一Mo層及具有約4 nm之一厚度之一Si層，但本發明實施例不限於此。在一些實施例中，調整Mo/Si對之數量、Mo層之厚度及Si層之厚度使得多層反射式結構210可在13.5nm之一波長具有約67%之一EUV光反射率，但本發明實施例不限於此。
EUV光罩200之覆蓋層220可包含一含Ru層。例如，覆蓋層220可為氧化釕層。在一些實施例中，覆蓋層220之一厚度在約1 nm與約5 nm之間。因為覆蓋層220充當多層反射式結構210與一硬遮罩層(未展示)之間的一緩衝器，覆蓋層220之厚度應小於約5 nm，使得覆蓋層220不干擾EUV曝光。
吸收器230係一不透明、光屏蔽層。在一項實施例中，吸收器230具有不小於約50 nm之一厚度以在晶圓微影製程期間防止光洩漏或不良對比度。在一替代性實施例中，吸收器230具有小於約150 nm之一厚度以便避免執行用於形成遮罩之光學近接校正(OPC)之需要。在另一實施例中，吸收器230具有與多層反射式結構210及覆蓋層220之總厚度相同之一厚度。在另一實施例中，吸收器230具有與多層反射式結構210、覆蓋層220及硬遮罩層(未展示)之總厚度相同之一厚度。在一項實施例中，吸收器230包含實質上不含氧之鉭基材料，諸如基於矽化鉭之材料(TaSi)、基於氮化硼化鉭之材料(TaBN)及基於氮化鉭之材料(TaN)。在另一實施例中，吸收器230包含基於鉭及氧之材料，諸如基於經氧化及經氮化鉭及矽之材料(TaSiON)、基於氧化鉭硼之材料(TaBO)及基於經氧化及經氮化鉭之材料(TaON)。
另外，EUV光罩200可包含其他層，諸如一背側塗層及/或一抗反射塗層(ARC)，但未展示。此外，其他光罩組態亦可經提供為EUV光罩200。
參考圖3A，在一些實施例中，相移光罩300包含經形成於光罩基板302之一表面上方之一相移層(PSL) 320及一屏蔽層310。相移層320經形成以透射少於約20%之入射光，且相對於透射光(即，透過光透明基板透射之光)產生約180度之一相移。在一些實施例中，相移層320包含矽化鉬(MoSi)、矽化鉬氮化物(MoSiN)、矽化鉬氮氧化物(MoSiON)、氮化鈦、矽化鉭氮化物，或氮化矽，但本發明實施例不限於此。屏蔽層310可包含鉻(Cr)，且可包含其他層，諸如氧化鉻、氮化鉻及氮氧化鉻。雖然一些實例具備可用於基板302、相移層320及屏蔽層310之各者的材料，但應理解，可在不脫離本發明實施例之範疇的情況下同樣地使用此項技術中已知的其他適當材料。另外，相移光罩300可包含其他層，諸如一背側塗層及/或一抗反射塗層(ARC)，但未展示。此外，其他光罩組態亦可被提供為相移光罩300。
在一些實施例中，EUV光罩200及相移光罩300可包含一表膜(未展示)，其用於充當一保護蓋。表膜可保護EUV光罩200及相移光罩300上方之圖案以防損害及/或污染顆粒。表膜可為覆蓋EUV光罩200及相移光罩300之一圖案化表面之一框架上之一薄膜。
參考圖2A及圖3A，在一曝光操作中，不同氣體可被引入至曝光設備中。例如，可引入在操作中非常常見之Cl、H及N。Cl用於蝕刻一特定材料(諸如Al、Si、Cr等)，而H及N用作腔室清洗氣體或鈍化氣體以支援主蝕刻氣體。在此情況中，無法避免的是，可混合殘餘氣體，可發生反應，且因此可形成一非所要產物。例如，基於Cl之氣體可根據以下化學方程式來產生HCl：
3Cl2 + 3H2 O ➔ 5HCl + HClO3
CCl4 + H2 O ➔ COCl2 + 2HCl
NOCl + H2 O ➔ HNO2 + HCl
COCl2 + H2 O ➔ 2HCl + CO2
基於N之氣體可根據以下化學方程式產生HNO3 ：
N2 + 2O2 ➔ 2NO2
4NO2 + 2H2 O + O2 ➔ 4HNO3
2NO2 + H2 O ➔ HNO3 + HNO2
2HNO2 ➔ NO + NO2 + H2 O
在一些實施例中，金屬(諸如貴金屬)能夠抵抗多數酸及鹼，但在經受硝酸鹽酸鹽處理時反應。當混合基於Cl之氣體及基於N之氣體時，可形成HCl及HNO3 。此外，硝酸鹽酸鹽可在處理設備中形成，且導致硝酸鹽酸鹽蝕刻，但本發明實施例不限於此等材料。
在一些實施例中，在藉由硝酸鹽酸鹽蝕刻金屬(諸如貴金屬)時，經蝕刻金屬奈米顆粒可落在光罩200及300上。因此，參考圖2A及圖3A，光罩基板202可具有安置於光罩基板202之表面上方之複數個導電奈米顆粒P，且光罩基板302可具有安置於光罩基板302之表面上方之複數個導電奈米顆粒P。導電奈米顆粒P可包含金屬。在一些實施例中，導電奈米顆粒P可包含貴金屬，諸如金(Au)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鋨(Os)、銥(Ir)或鉑(Pt)。
在操作14，將一第一混合物MIX1施覆至光罩基板202或302。在一些實施例中，施覆第一混合物MIX1以移除導電奈米顆粒P，如在圖2B及圖3B中展示。第一混合物MIX 1包含一SC1溶液、去離子(DI)水及臭氧(O3 )。Sc1溶液包含按一選定比之NH4 OH、H2 O2 及H2 O。在一些實施例中，DI水與SC1溶液之一比為1:1。在一些實施例中，第一混合物MIX1之一溫度在約20°C與40°C之間。應注意，若第一混合物MIX1之溫度低於20°C，則導電奈米顆粒之一移除速率降低，且若第一混合物MIX1之溫度高於40°C，則第一混合物MIX1可非所要地損害其他層(諸如覆蓋層220或屏蔽層310)。在一些實施例中，第一混合物MIX1之一流速可在約1000 ml/min與約5000 ml/min之間。在一些實施例中，施覆第一混合物MIX1之一持續時間在約8分鐘與約15分鐘之間。
在一些實施例中，施覆第一混合物MIX1進一步包含一超音速攪動，且超音速攪動之一頻率在約1 MHz與約10 MHz之間，但本發明實施例不限於此。
在一些實施例中，方法10進一步包含在施覆第一混合物MIX1之後執行一自旋，使得第一混合物MIX1及溶解於第一混合物MIX1中之導電奈米顆粒P可自光罩基板202及302之表面移除。
在一些實施例中，方法10可包含一操作15，其可在操作14之後或在執行自旋之後執行。參考圖2C及圖3C，在操作15，將一第二混合物MIX2施覆至光罩基板202或302。第二混合物MIX2包含DI水及H2 。在一些實施例中，第二混合物MIX2之一溫度在約20°C與40°C之間。在一些實施例中，第二混合物MIX2之一流速可在約1000 ml/min與約3000 ml/min之間。在一些實施例中，施覆第二混合物MIX2之一持續時間在約5分鐘與約15分鐘之間。
在一些實施例中，施覆第二混合物MIX2進一步包含一超音速攪動，且超音速攪動之一頻率在約1 MHz與約10 MHz之間，但本發明實施例不限於此。
在一些實施例中，方法10進一步包含在施覆第二混合物MIX2之後執行一自旋，使得第二混合物MIX2及任何殘餘物可自光罩基板202及302之表面移除。
在操作16，施覆DI水。如在圖2D及圖3D中展示，將DI水DIW施覆至光罩基板202或302。在一些實施例中，DI水DIW之一溫度在約20°C與40°C之間。在一些實施例中，DI水DIW之一流速可在約1000 ml/min與約1500 ml/min之間。在一些實施例中，施覆DI水DIW之一持續時間在約1分鐘與約5分鐘之間。
在一些實施例中，方法10進一步包含在施覆DI水DIW之後執行一自旋，使得任何殘餘物可自光罩基板202及302之表面移除。
在一些實施例中，導電奈米顆粒P可藉由第一混合物MIX1移除，且留下之任何殘餘物可藉由DI水沖洗移除。在其他實施例中，導電奈米顆粒P可藉由第一混合物MIX1移除，且留下之任何殘餘物可藉由一第二混合物MIX2及DI水沖洗移除。在一些實施例中，操作14、15及16之執行之一總持續時間在約5分鐘與約30分鐘之間，但本發明實施例不限於此。在一些實施例中，導電奈米顆粒之一移除速率大於約90%。在一些實施例中，當操作14、15及16之執行之總持續時間約為8分鐘時，導電奈米顆粒之移除速率大於約94%。在一些實施例中，當操作14、15及16之執行之總持續時間約為10分鐘時，導電奈米顆粒之移除速率約為100%。
在一些比較性方法中，可使用包含H2 SO4 、H2 O2 及H2 O之一SPM溶液來移除導電奈米顆粒。在一些比較性方法中，可使用包含SPM溶液及DI水之一混合物來移除導電奈米顆粒。在一些比較性方法中，可使用一SC1溶液來移除導電奈米顆粒。在一些比較性方法中，可使用一經臭氧化去離子水(DIO3 )來移除導電奈米顆粒。在一些比較性方法中，可使用O3 及H2 O以及UV照明來移除導電奈米顆粒。發現，上述比較性方法可執行達在5分鐘至40分鐘之一範圍中之一持續時間，其大於執行方法之操作14、15及16之持續時間。導電奈米顆粒之移除速率在此等比較性方法中為約0%。
根據用於清洗基板之方法10，自具有導電材料之一表面(諸如相移層及覆蓋層)移除導電奈米顆粒。使用小於比較性方法之持續時間之一持續時間，導電奈米顆粒之移除速率大於約90%。此外，發現，覆蓋層及相移層之一厚度及表面完整度未藉由清洗光罩之方法減小。
在一些實施例中，清洗基板之方法10可用於半導體基板製造操作中。圖4A至圖4D係在一或多項實施例中之根據本發明實施例之態樣之各種階段之一半導體結構之示意圖。
在操作12，接納一半導體基板。
如在圖4A中展示，在一些實施例中，接納一半導體基板402。在一些實施例中，半導體基板402可具有安置於其上之一導電層。在一些實施例中，半導體基板402可具有安置於其上之一半導體層。在此等實施例中，可執行用於清洗基板之方法10以自半導體基板402移除奈米顆粒。在此等實施例中，操作14、15及16之執行之一總持續時間可在約5分鐘與約30分鐘之間，但本發明實施例不限於此。
在一些實施例中，半導體基板402可具有安置於其上之一絕緣層410，如在圖4A中展示。在一些實施例中，半導體基板402可包含絕緣層410下方之一塊體材料。在其他實施例中，半導體基板402可包含形成於其中之導電及/或半導電構件且藉由絕緣層410覆蓋。在此等實施例中，導電及/或半導電構件可形成用於建構一積體電路之裝置，但本發明實施例不限於此。絕緣層410可包含氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、碳化矽、低介電係數材料或類似者。
在一些實施例中，導電奈米顆粒P可在製造操作期間形成且可落於半導體基板402上，如在圖4A中展示。導電奈米顆粒P之形成類似於上文描述之導電奈米顆粒之形成，且因此，為簡潔起見省略重複描述。
在操作14，將一第一混合物MIX1施覆至半導體基板402。在一些實施例中，施覆第一混合物MIX1以移除導電奈米顆粒P，如在圖4B中展示。第一混合物MIX 1包含一SC1溶液、DI水及O3 。SC1溶液包含按一選定比之NH4 OH、H2 O2 及H2 O。在一些實施例中，DI水與SC1溶液之一比為1:1。在一些實施例中，第一混合物MIX1之一溫度在約20°C與40°C之間。應注意，若第一混合物MIX1之溫度低於20°C，則導電奈米顆粒之一移除速率降低，且若第一混合物MIX1之溫度高於40°C，則第一混合物MIX1可非所要地損害下伏層。在一些實施例中，第一混合物MIX1之一流速可在約1000 ml/min與約5000 ml/min之間。在一些實施例中，施覆第一混合物MIX1之一持續時間可少於10分鐘。在一些實施例中，施覆第一混合物MIX1之週期在約6分鐘與約10分鐘之間。
在一些實施例中，施覆第一混合物MIX1進一步包含一超音速攪動，且超音速攪動之一頻率在約1 MHz與約10 MHz之間，但本發明實施例不限於此。
在一些實施例中，方法10進一步包含在施覆第一混合物MIX1之後執行一自旋，使得第一混合物MIX1及溶解於第一混合物MIX1中之導電奈米顆粒P可自半導體基板402之表面移除。
在操作15(其可在操作14或在執行自旋之後執行)，將一第二混合物MIX2施覆至半導體基板402。第二混合物MIX2包含DI水及H2 。在一些實施例中，第二混合物MIX2之一溫度在約20°C與40°C之間。在一些實施例中，第二混合物MIX2之一流速可在約1000 ml/min與約3000 ml/min之間。在一些實施例中，施覆第二混合物MIX2之一持續時間在約5分鐘與約15分鐘之間。
在一些實施例中，施覆第二混合物MIX2進一步包含一超音速攪動，且超音速攪動之一頻率在約1 MHz與約10 MHz之間，但本發明實施例不限於此。
在一些實施例中，方法10進一步包含在施覆第二混合物MIX2之後執行一自旋，使得第二混合物MIX2及任何殘餘物可自半導體基板402之表面移除，如在圖4C中展示。
在操作16，施覆DI水。如在圖4D中展示，將DI水DIW施覆至半導體基板402。在一些實施例中，DI水DIW之一溫度在約20°C與40°C之間。在一些實施例中，DI水DIW之一流速可在約1000 ml/min與約1500 ml/min之間。在一些實施例中，施覆DI水DIW之一持續時間在約1分鐘與約5分鐘之間。
在一些實施例中，方法10進一步包含在施覆DI水DIW之後執行一自旋，使得任何殘餘物可自半導體基板402之表面移除。
在一些實施例中，導電奈米顆粒P可藉由第一混合物MIX1移除，且留下之任何殘餘物可藉由DI水沖洗移除。在其他實施例中，導電奈米顆粒P可藉由第一混合物MIX1移除，且留下之任何殘餘物可藉由第二混合物MIX2及DI水沖洗移除。在一些實施例中，操作14之持續時間可降低至小於約10分鐘，因為自一絕緣表面移除導電奈米顆粒P。在一些實施例中，當操作14之持續時間約為6分鐘時，導電奈米顆粒之移除速率大於約99%。在一些實施例中，當操作14之持續時間約為10分鐘時，導電奈米顆粒之移除速率約為100%。
在比較性方法(其等可使用包含H2 SO4 、H2 O2 及H2 O之一SPM溶液、包含SPM溶液及DI水之一混合物、一SC1溶液、DIO3 或O3 及H2 O以及UV照明作為一清洗溶液達5分鐘至40分鐘之一持續時間)中，發現，導電奈米顆粒之移除速率約為0%。
根據用於清洗基板之方法10，自一絕緣表面移除導電奈米顆粒。當應用該方法達小於比較性方法之持續時間之一持續時間時，導電奈米顆粒之移除速率大於約90%。此外，發現絕緣層之一厚度及表面完整度未藉由清洗基板之方法10減小。
因此，本發明實施例提供一種用於自一基板移除污染物或奈米顆粒之方法。在一些實施例中，用於移除奈米顆粒之方法提供用於自光罩基板或一半導體基板移除奈米顆粒之一清洗操作。在一些實施例中，用於移除污染物之方法提供用於自光罩基板或一半導體基板移除導電奈米顆粒之一清洗操作。導電奈米顆粒之移除速率可藉由清洗操作被改良至大約約90%，而光罩基板或一半導體基板上方之一薄層可在清洗操作期間保持完整。如上文提及，當基板具有經形成於其上之一導電材料層時，相較於提供約0%之導電奈米顆粒移除速率之比較性方法，導電奈米顆粒移除速率可被改良至大於約90%，而導電材料層之厚度及表面完整度未降低。如上文提及，當基板具有經形成於其上之一絕緣材料層時，甚至在施覆達小於被施覆至導電材料層之持續時間時，導電奈米顆粒移除速率可被改良至大於約90%。
根據本發明之一些實施例，提供一種用於清洗一基板之方法。該方法包含下列操作。提供一光罩基板。在一些實施例中，光罩基板包含經安置於光罩基板之一表面上方之一多層反射式結構、經安置於該多層反射式結構上之一覆蓋層，及一吸收器。在一些實施例中，光罩基板具有經安置於光罩基板之表面上方之複數個導電奈米顆粒。將一第一混合物施覆至光罩基板以移除導電奈米顆粒。在一些實施例中，第一混合物包含一SC1溶液、DI水，及臭氧(O3 )。此外，施覆DI水以沖洗光罩基板。在一些實施例中，導電奈米顆粒之一移除速率大於約90%。
根據本發明之一些實施例，提供另一種用於清洗一基板之方法。該方法包含下列操作。接納一光罩基板。在一些實施例中，光罩基板具有安置於光罩基板之一表面上方之一相移層及安置於相移層上之一屏蔽層。在一些實施例中，光罩基板進一步具有安置於光罩基板之表面上方之複數個導電奈米顆粒。將一第一混合物施覆至光罩基板以移除導電奈米顆粒。在一些實施例中，第一混合物包含一SC1溶液、DI水及O3 。此外，施覆DI水以沖洗光罩基板。在一些實施例中，導電奈米顆粒之一移除速率大於約90%。
根據本發明之一些實施例，提供另一種用於清洗一基板之方法。該方法包含下列操作。接納一半導體基板。在一些實施例中，半導體基板具有一表面及安置於該表面上之複數個圖案。在一些實施例中，半導體基板進一步具有安置於表面上方之複數個導電奈米顆粒。將一第一混合物施覆至半導體基板以移除導電奈米顆粒。在一些實施例中，第一混合物包含一SC1溶液、DI水及O3 。此外，施覆DI水以沖洗半導體基板。在一些實施例中，導電奈米顆粒之一移除速率大於約90%。
前文概述若干實施例之構件，使得熟習此項技術者可更佳理解本發明實施例之態樣。熟習此項技術者應瞭解，其等可容易地使用本發明實施例作為設計或修改用於實行本文中介紹之實施例之相同目的及/或達成相同優點之其他製程及結構之一基礎。熟習此項技術者亦應認識到，此等等效架構並不脫離本發明實施例之精神及範疇，且其等可在不脫離本發明實施例之精神及範疇之情況下在本文中作出各種改變、替代及更改。
10:方法 12:操作 14:操作 15:操作 16:操作 200:EUV光罩 202:光罩基板 210:多層反射式結構 220:覆蓋層 230:吸收器 300:相移光罩 302:光罩基板 310:屏蔽層 320:相移層(PSL) 402:半導體基板 410:絕緣層 DIW:DI水 MIX1:第一混合物 MIX2:第二混合物 P:導電奈米顆粒
當結合附圖閱讀時，自以下實施方式最佳理解本發明實施例之態樣。應注意，根據行業中之標準實踐，各種構件不按比例繪製。實際上，為清晰論述，各種構件之尺寸可任意增大或減小。
圖1係表示根據本發明實施例之態樣之用於清洗一光罩之一方法之一流程圖。
圖2A至圖2D係在一或多項實施例中之根據本發明實施例之態樣之各種製造階段之光罩之示意圖。
圖3A至圖3D係在一或多項實施例中之根據本發明實施例之態樣之各種製造階段之光罩之示意圖。
圖4A至圖4D係在一或多項實施例中繪示根據本發明實施例之態樣之各種製造階段之一半導體結構之示意圖。
10:方法
12:操作
14:操作
15:操作
16:操作

Claims (20)

  1. 一種用於清洗一基板之方法，其包括： 接納一光罩基板，其具有經安置於該光罩基板之一表面上方之一多層反射式結構、經安置於該多層反射式結構上之一覆蓋層，及一吸收器，其中該光罩基板具有經安置於該光罩基板之該表面上方之複數個導電奈米顆粒； 將包括一SC1溶液、去離子(DI)水及臭氧(O3 )之一第一混合物施覆至該光罩基板，以移除該等導電奈米顆粒；及 施覆DI水以沖洗該光罩基板， 其中該等導電奈米顆粒之一移除速率大於約90%。
  2. 如請求項1之方法，其中該多層反射式結構包括一Ru/Si多層反射式結構、一Mo/Be多層反射式結構、一Mo化合物/Si化合物多層反射式結構、一Si/Mo/Ru多層反射式結構、一Si/Mo/Ru/Mo多層反射式結構，或一Si/Ru/Mo/Ru多層反射式結構。
  3. 如請求項1之方法，其中該覆蓋層包括一含Ru層。
  4. 如請求項1之方法，其中該等導電奈米顆粒包括貴金屬。
  5. 如請求項1之方法，其中該DI水與該SC1溶液之一比為1:1。
  6. 如請求項1之方法，其中該第一混合物之一溫度係在約20°C與40°C之間。
  7. 如請求項1之方法，進一步包括在該施覆該第一混合物與該施覆該DI水之間施覆一第二混合物至該光罩基板，其中該第二混合物包括DI水及H2 。
  8. 如請求項1之方法，其中該施覆該第一混合物進一步包括一超音速攪動，且該超音速攪動之一頻率係在約1 MHz與約10 MHz之間。
  9. 如請求項1之方法，進一步包括分別在該施覆該第一混合物及該施覆該DI水之後執行一自旋。
  10. 一種用於清洗一基板之方法，其包括： 接納一光罩基板，其具有經安置於該光罩基板之一表面上方之一相移層及經安置於該相移層上之一屏蔽層，其中該光罩基板具有經安置於該光罩基板之該表面上方之複數個導電奈米顆粒； 將包括一SC1溶液、去離子(DI)水及臭氧(O3 )之一第一混合物施覆至該基板，以移除該等導電奈米顆粒；及 施覆一DI水以沖洗該光罩基板， 其中該等導電奈米顆粒之一移除速率大於約90%。
  11. 如請求項10之方法，其中該相移層包括矽化鉬(MoSi)、矽化鉬氮化物(MoSiN)、矽化鉬氮氧化物(MoSiON)、氮化鈦、矽化鉭氮化物，或氮化矽。
  12. 如請求項10之方法，其中該屏蔽層包括鉻(Cr)、氧化鉻、氮化鉻，及氮氧化鉻。
  13. 如請求項10之方法，其中該DI水與該SC1溶液之一比為1:1。
  14. 如請求項10之方法，進一步包括在該施覆該第一混合物與該施覆該DI水之間施覆一第二混合物至該光罩基板，其中該第二混合物包括DI水及H2 。
  15. 如請求項10之方法，其中該施覆該第一混合物進一步包括一超音速攪動，且該超音速攪動之一頻率係在約1 MHz與約10 MHz之間。
  16. 如請求項10之方法，其中該第一混合物之一溫度係在約20°C與40°C之間。
  17. 一種用於清洗一基板之方法，其包括： 接納一半導體基板，其具有一表面及經安置於該表面上之複數個圖案，其中該半導體基板具有經安置於該半導體基板之該表面上方之複數個導電奈米顆粒； 將包括一SC1溶液、去離子(DI)水及臭氧(O3 )之一第一混合物施覆至該半導體基板，以移除該等導電奈米顆粒；及 施覆一DI水以沖洗該半導體基板， 其中該等導電奈米顆粒之一移除速率大於約90%。
  18. 如請求項17之方法，其中該等圖案包括絕緣材料。
  19. 如請求項18之方法，其中該施覆該第一混合物之一持續時間小於約10分鐘。
  20. 如請求項17之方法，其中該DI水與該SC1溶液之一比為1:1。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI806584B (zh) * 2021-04-30 2023-06-21 南韓商Ｓｋ恩普士股份有限公司 空白光罩、使用其的光罩以及半導體器件的製造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5942356A (en) * 1996-03-30 1999-08-24 Hoya Corporation Phase shift mask and phase shift mask blank
US6726848B2 (en) * 2001-12-07 2004-04-27 Scp Global Technologies, Inc. Apparatus and method for single substrate processing
TWI223342B (en) * 2003-06-03 2004-11-01 Macronix Int Co Ltd Method for clean residues on an upper surface of a substrate
US20070068558A1 (en) * 2005-09-06 2007-03-29 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for mask cleaning
US20070093406A1 (en) * 2005-10-24 2007-04-26 Omoregie Henryson Novel cleaning process for masks and mask blanks
JP5019370B2 (ja) * 2007-07-12 2012-09-05 ルネサスエレクトロニクス株式会社 基板の洗浄方法および洗浄装置
US20100258142A1 (en) * 2009-04-14 2010-10-14 Mark Naoshi Kawaguchi Apparatus and method for using a viscoelastic cleaning material to remove particles on a substrate
US10005990B2 (en) * 2013-02-01 2018-06-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Cleaning method for semiconductor device fabrication
US9739913B2 (en) 2014-07-11 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet capping layer and method of manufacturing and lithography thereof
WO2016183811A1 (en) * 2015-05-20 2016-11-24 Acm Research (Shanghai) Inc. Methods and apparatus for cleaning semiconductor wafers
US9885952B2 (en) * 2015-07-29 2018-02-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Systems and methods of EUV mask cleaning
US9740094B2 (en) * 2015-08-21 2017-08-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Damage prevention on EUV mask
WO2017164186A1 (ja) * 2016-03-25 2017-09-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6894264B2 (ja) * 2016-03-25 2021-06-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR101972212B1 (ko) 2017-04-27 2019-04-25 한양대학교 에리카산학협력단 Euv 마스크 세정 용액 및 그 세정 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI806584B (zh) * 2021-04-30 2023-06-21 南韓商Ｓｋ恩普士股份有限公司 空白光罩、使用其的光罩以及半導體器件的製造方法

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