TW202111788A - 切割晶圓方法 - Google Patents
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Abstract
一種切割晶圓方法，特別是指一種能改善DAG(Dice After Gind)或DBG(Dice Before Gind)製程，透過本發明的技術可提升產品精度及產出效率高等多重優點。
Description
本發明關於一種切割晶圓方法，特別是指一種能改善DAG(Dice After Gind)或DBG(Dice Before Gind)製程，透過本發明的技術可提升產品精度及產出效率高等多重優點。
在物聯網的應用中，如可穿戴設備朝「更小、更薄、更快速及更高效能」的需求，常見的穿戴設備如智能手環、智慧型行動裝置等已經成為日常生活常見的設備。
積體電路的製造，乃從矽晶圓經過習知的製程後如黃光製程、蝕刻製程、薄膜製程及擴散製程等技術，最後積體電路的功能將晶圓切割、封裝、測試提供相關產品需求功能。
附圖1為等離子體的研磨後切割(以下簡稱DAG製程，Dice After Gind)，簡單來說將晶圓先貼上研磨膠帶後進行晶圓研磨減少其厚度達到表面平坦化，最後進行切割。
附圖2為等離子體的研磨前切割(以下簡稱DBG製程，Dice Before Gind)，其目的是改善DAG製程的缺點，降低背面崩裂進而提高晶片抗折強度，另外因為是在研磨結束後分割形成晶粒，所以有望在加工薄型晶片時減小晶片破損的風險，目前在DBG製程中大多會採用DAF(Die Attach Film)的話，也有可能在SiP(System in Package)等薄型晶片積層的封裝製造方面全面採用DBG製
程。而DBG製程加上DAF雷射切割的製程主要先半切穿切割晶圓，貼附研磨膠帶進行背面研磨進行晶片研磨平坦。
如表1所示即是DAG製程與DBG製程製造所需要的站點與對應的設備：
利用DAG製程可以獲得產品的優點在於：1.價格便宜、2.普及性高、3.站點少與、4.產出效率高；但是DAG製程缺失在：1.無法有效改善崩裂問題、2.切割時Z軸精準度較差。
利用DBG製程可以獲得產品的優點在於：1.下切Z軸工作準度精確、2.有效改善正面崩裂與背面崩裂；但是DBG製程缺失在：1.產出效率低、2.普及性不高、3.設備價格昂貴、4.與DAG製程相較下站點較多增加額外的維修保養費用、5.消耗性材料昂貴(例如：雷射頭)。
從上述可以得知DAG製程或DBG製程技術仍然有有改善空間。本案的發明人經過多年研究後終於開發出本案之切割晶圓方法。
本發明的主要目的在於提供一種切割晶圓方法，乃改善上述DAG製程與DBG製程的缺點，並兼具Z軸精度高與改善正面崩裂及背面崩裂的效果者。
可達成上述目的的製造方式包含有：
步驟1：將晶圓半切穿切割；步驟2：將研磨膠帶貼裝於晶圓；步驟3：進行晶圓背面研磨；步驟4：切割DAF膠帶貼裝；步驟5：表面保護膠帶剝離；步驟6：將晶圓透過切割設備全面切割。
在本發明的步驟1係利用迪斯科(DISCO)公司之切割設備(型號DFD6361)進行晶圓半切穿切割。
在本發明的步驟2係採用琳得科(LINTEC)先進科技公司之全自動研磨用膠帶貼合機(型號RAD-3510F/12)將研磨膠帶貼裝於晶圓。
在本發明的步驟3採用迪斯科公司之研磨設備(型號DGP8761)進行晶圓背面研磨。
在本發明的步驟4、5採用迪斯科公司之研磨設備(型號DFM2800)進行DAF貼裝、切割框架黏貼裝置、表面保護膠膜剥離裝置一體化之裝置。
在本發明的步驟6係利用迪斯科公司之切割設備(型號DFD6361)進行晶圓全面切割。
在本發明的實施方式中，所述之半穿切割厚度為晶圓二分之一至三分之一厚度。
據此，透過本發明的製程具有下列的優點：
1.本發明所使用的設備與DAG製程或DBG製程幾乎相同，因此替代性與共用性高。
2.如表2所示，以本發明所製造的晶元價格具有競爭力。
3.具備DBG製程下切Z軸精準度高，有效改善正面崩裂與背面崩裂。
4.產出效率高增加業者獲利。
附圖1為DAG製程示意圖。
附圖2為DBG製程示意圖。
附圖3為本發明製程示意圖。
附圖4為本發明與習用技術相比較下的良率分析。
請參閱附圖3、4與表2，本發明切割晶圓方法其運用在積體電路(晶粒)切割時使用，其步驟包含有：
步驟1：將晶圓半切穿切割；步驟1係利用迪斯科(DISCO)公司之切割設備(型號DFD6361)進行晶圓半切穿切割、又所述之半穿切割厚度為晶圓二分之一或三分之一的厚度。
步驟2：將研磨膠帶貼裝於晶圓；步驟2係採用琳得科(LINTEC)先進科技公司之全自動研磨用膠帶貼合機(型號RAD-3510F/12)將研磨膠帶貼裝於晶圓。
步驟3：進行晶圓背面研磨；步驟3採用迪斯科公司之研磨設備(型號DGP8761)進行晶圓背面研磨。
步驟4：切割DAF膠帶貼裝。
步驟5：表面保護膠帶剝離；步驟4、5採用迪斯科公司之研磨設備(型號DFM2800)進行DAF貼裝、切割框架黏貼裝置、表面保護膠膜剥離裝置一體化之裝置，其將步驟4、5合併於一站即可完成。
步驟6：將晶圓透過切割設備全面切割；利用迪斯科公司之切割設備(型號DFD6361)進行晶圓全面切割。
據此，透過本發明的製程具有下列的優點：
1.本發明所使用的設備與DAG製程或DBG製程幾乎相同，因此替代性與共用性高。
2.如表2所示，以本發明所製造的晶元價格具有競爭力。
3.本發明的製程具備DBG製程下切Z軸精準度高，有效改善正面崩裂與背面崩裂。
4.產出效率高增加業者獲利。
5.如附圖4所示，以DAG製程的產品良率約20%；以DBG製程的產品良率約99%；而透過本發明的製造步驟則有97.9%的產品良率，可以理解到建構生產線的價格可以降低，但是又能維持產品良率降低成本，讓業者獲利大幅提升。
綜上所述，本發明構成結構均未曾見於諸書刊或公開使用，誠符合發明專利申請要件，懇請 鈞局明鑑，早日准予專利，至為感禱。
Claims (2)
- 一種切割晶圓方法，包含有：步驟1：將晶圓半切穿切割；步驟2：將研磨膠帶貼裝於晶圓；步驟3：進行晶圓背面研磨；步驟4：切割DAF膠帶貼裝；步驟5：表面保護膠帶剝離；步驟6：將晶圓透過切割設備全面切割。
- 如申請專利範圍第1項所述之切割晶圓方法，其中，前述之半穿切割厚度為晶圓二分之一至三分之一厚度。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW108131774A TWI710014B (zh) | 2019-09-02 | 2019-09-02 | 切割晶圓方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| TW108131774A TWI710014B (zh) | 2019-09-02 | 2019-09-02 | 切割晶圓方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI710014B TWI710014B (zh) | 2020-11-11 |
| TW202111788A true TW202111788A (zh) | 2021-03-16 |
Family
ID=74202632
Family Applications (1)
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| TW108131774A TWI710014B (zh) | 2019-09-02 | 2019-09-02 | 切割晶圓方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWI710014B (zh) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2019
- 2019-09-02 TW TW108131774A patent/TWI710014B/zh active
Also Published As
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|---|---|
| TWI710014B (zh) | 2020-11-11 |
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