TW202105631A - 藉由濺射／噴塗之吸收物材料及／或在模製化合物中混合之吸收物材料之低頻屏蔽解決方案 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種電子器件，其包含一電磁干擾屏蔽件，該電磁干擾屏蔽件具有覆蓋該電子器件之至少一部分且針對具有在一千赫範圍中之頻率之電磁信號具有小於2 µm之一集膚深度之一導電材料層。

Description

藉由濺射／噴塗之吸收物材料及／或在模製化合物中混合之吸收物材料之低頻屏蔽解決方案
本發明之實施例係關於多組件微電子器件及結構以及減輕多組件微電子器件及結構中之電磁串擾之方法。
現代電子器件可包含容置多個組件(例如，功率放大器、低雜訊放大器、電壓受控振盪器、開關、濾波器及利用交流電操作之其他組件)之模組或封裝。市場力繼續要求具有愈來愈小之外觀尺寸且更輕且更便宜，但具有更大功能性(例如，在電子通信器件中，支援多個頻帶之能力)之電子器件。因此，隨著各新產品迭代，許多電子器件中之電路密度繼續變得更大。一共同電子器件模組中之組件之間或一電子器件模組中之組件與外部源之間之電磁干擾(EMI)或串擾可使整體效能降級或引起一電子器件之失效。
根據一個態樣，提供一種電子器件。該電子器件包括一電磁干擾屏蔽件，該電磁干擾屏蔽件包含覆蓋該電子器件之至少一部分且針對具有在一千赫範圍中之頻率之電磁信號具有小於2 µm之一集膚深度之一導電材料層。
在一些實施例中，該電子器件經覆蓋於一模製材料中且該電磁干擾屏蔽件經安置於該模製材料上。該模製材料可包含延遲電磁信號之傳播之一填料材料。針對具有在該千赫範圍中之頻率之電磁信號，該填料材料可具有小於2 µm之一集膚深度。該填料材料可包含一磁性陶瓷鐵氧體。該填料材料可包含一含鐵合金。該填料材料可係不導電的。該填料材料可包含由不導電材料包圍之導電粒子。
在一些實施例中，該電子器件之一組件經組態以依在一赫茲範圍、一千赫範圍或一百萬赫範圍之一或多者內之一頻率發射一電磁信號。
在一些實施例中，該導電材料層包含一磁性陶瓷鐵氧體。
在一些實施例中，該導電材料層包含一含鐵合金。
在一些實施例中，該導電材料層具有小於30 µm之一厚度。該導電材料層可具有小於20 µm之一厚度。
在一些實施例中，該電子器件進一步包括一射頻濾波器。該電子器件可包含於一電子器件模組中。
根據另一態樣，提供一種電子器件。該電子器件包括覆蓋該電子器件之至少一部分且包含針對具有在一千赫範圍中之頻率之電磁信號具有小於2 µm之一集膚深度之一填料材料之一模製材料。
在一些實施例中，該填料材料包含一磁性陶瓷鐵氧體。
在一些實施例中，該填料材料包含一含鐵合金。
在一些實施例中，該填料材料係不導電的。
在一些實施例中，該填料材料包含由不導電材料覆蓋之導電粒子。
在一些實施例中，該電子器件之一組件經組態以依在一赫茲範圍、一千赫範圍或一百萬赫範圍之一或多者內之一頻率發射一電磁信號。
在一些實施例中，該電子器件進一步包括安置於該模製材料上之一電磁干擾屏蔽件，該電磁干擾屏蔽件包含針對具有在一千赫範圍中之頻率之電磁信號具有小於2 µm之一集膚深度之一導電材料層。該導電材料層可包含一磁性陶瓷鐵氧體。該導電材料層可包含一含鐵合金。該導電材料層可具有小於30 µm之一厚度。該導電材料層可具有小於20 µm之一厚度。
在一些實施例中，該電子器件進一步包括一射頻濾波器。該電子器件可包含於一電子器件模組中。
根據另一態樣，提供一種在一電子器件上形成一電磁干擾屏蔽件之方法。該方法包括在該電子器件之一表面上沈積一模製材料，該模製材料包含針對具有在一千赫範圍中之頻率之電磁信號具有小於2 µm之一集膚深度之一填料材料。
在一些實施例中，該方法進一步包括在該模製材料上沈積一導電材料層，該導電材料層針對具有在該千赫範圍中之頻率之電磁信號具有小於2 µm之一集膚深度。
根據另一態樣，提供一種在一電子器件上形成一電磁干擾屏蔽件之方法。該方法包括：在該電子器件之一表面上沈積一模製材料；及在該模製材料上沈積一導電材料層，該導電材料層針對具有在一千赫範圍中之頻率之電磁信號具有小於2 µm之一集膚深度。
某些實施例之以下描述呈現特定實施例之各種描述。然而，可以(例如)如由發明申請專利範圍定義且涵蓋之大量不同方式體現本文中描述之創新。在此描述中，參考圖式，其中相同元件符號可指示相同或功能上類似元件。將理解，圖中繪示之元件不一定按比例繪製。再者，將理解，某些實施例可包含多於一圖式中所繪示之元件及/或一圖式中所繪示之元件之一子集。此外，一些實施例可併入來自兩個或兩個以上圖式之特徵之任何適合組合。
現代電子器件(例如，通信器件，諸如蜂巢式電話)可包含依在GHz範圍中之頻率操作之多個組件。對於依在GHz範圍中之頻率操作之器件之電磁屏蔽可使用安置於吾等希望彼此電磁隔離以防止串擾之器件之間之導電材料之膜或層完成。在此等高頻率下，電磁信號不深入地穿透至導電材料層中，因此依在GHz範圍中之頻率操作之器件之間之電磁屏蔽可使用導電材料之薄膜(例如，具有3 µm或更小之厚度之金屬膜)完成。在(例如)在MHz、kHz或Hz範圍中之較低頻率下，相較於在GHz範圍中之頻率下之信號，電磁信號傳播更深入至導電材料層中。因此，可用於隔離在GHz範圍中操作之器件之屏蔽可能不足以電磁隔離依較低頻率操作之器件-由依低頻率操作之組件產生之電磁信號可穿過經設計以抑制依在GHz範圍中之頻率操作之器件之間之串擾之屏蔽且可引起其他附近器件之間之干擾或串擾。電磁信號穿透至一導體中之程度可被稱為電磁「集膚深度」。集膚深度係一導體中之電磁輻射之強度下降至其在導體之表面附近之值之1/e所依之深度之一量度且係相依於電磁信號之頻率及導電材料之材料性質。集膚深度δ之一個公式係：
Figure 02_image001
其中ρ 係導電材料之電阻率(μΩ∙cm)，f 係頻率(MHz)，且μ 係導電材料之滲透性。
在下文之表1中繪示銅、銀及鎳在各種頻率下之集膚深度： 表1：選定材料集膚深度(µm)
頻率 銅 銀 鎳
100 kHz 206.2 200.5 17.0
5 MHz 29.1 28.3 2.4
100 MHz 6.52 6.34 0.53
500 MHz 2.93 2.87 0.42
1 GHz 2.07 2.03 0.30
2 GHz 1.46 1.44 0.21
5 GHz 0.93 0.91 0.13
10 GHz 0.65 0.64 0.09
100 GHz 0.21 0.20 0.03
如上文之表1中可見，僅數微米厚之一銅膜可能足以屏蔽一電子組件以防在GHz範圍中之頻率下之電磁干擾，但為了屏蔽組件以防在kHz範圍中之頻率下之電磁干擾，銅膜應係數百微米厚。在典型電子器件製造程序中，此厚屏蔽將通常係不實用或不具成本效益。
為EMI敏感器件提供薄屏蔽以防電磁干擾之一個選項係利用具有一較高滲透性且係比銅、銀或鎳更佳之電磁能之一吸收物之一EMI吸收物材料。此等材料可包含磁性陶瓷鐵氧體或含鐵合金，例如，NiFe、CuNiFe/CZT (CZT =碲鋅鎘。針對在GHz範圍中之高頻實施方案，Cu可佔材料之大多數。針對在kHz範圍中之低頻實施方案或若干低頻實施方案，NiFe可佔材料之大多數)或MCF5磁性屏蔽膜，其可獲自EMR屏蔽解決方案且具有一化學式Co69 Fe4 Mo4 NbSi16 B7 。在將一封裝器件或模組安裝至一載體(例如，一印刷電路板)上之前或之後，可(例如)藉由濺射、噴塗或列印將此等材料之一或多者之一膜沈積於封裝器件或模組上。經沈積膜厚度可在約5 µm與約30 µm之間之範圍中或在一些實施例中，在0 µm與約20 µm之間之範圍中。EMI吸收物材料可針對在GHz範圍(1 GHz至1,000 GHz)、MHz範圍(1 MHz至1 GHz)、kHz範圍(1 kHz至1 MHz)或Hz範圍(1 Hz至1 kHz)中之電磁信號具有小於3 µm、小於2 µm、小於1 µm、小於0.5 µm或小於0.1 µm之一集膚深度或小於在表1中繪示之各自頻率下之銅、銀或鎳之集膚深度。
圖1A及圖1B比較分別為利用一3 µm厚之經保形沈積之銅膜對具有放置於器件上方之MCF5之一額外20 µm厚膜之相同覆蓋銅膜之器件抑制來自以127.7 kHz操作之一功率放大器模組(Skyworks Solutions, Inc.之型號SKY78140-22)之EMI之效應。在圖1A及圖1B中，器件在各自膜下方之位置由輪廓100指示。Cu膜抑制來自器件之EMI達63.6 dBm，而具有額外MCF5膜之Cu膜抑制來自器件之EMI達90.1 dBm (26.5 dBm之改良)。
圖2示意性地繪示一電子器件，例如，安置於一電路板205上之一多晶片模組200，其由一模製材料210覆蓋且由已藉由(例如)濺射或噴塗沈積之一高度吸收EMI屏蔽材料層215進一步覆蓋。模製材料210可係或可包含任何典型電子器件模製材料，例如，環氧樹脂或環氧樹脂基材料。
上文描述且在圖2中繪示之EMI屏蔽方法之一個缺點係雖然可抑制或消除鄰近封裝器件或模組之間之EMI干擾，但仍存在在封裝模組內之不同離散組件之間發生電磁干擾或串擾之概率。可至少部分解決此問題之一進一步實施例包含將一EMI吸收物材料併入沈積於一器件或模組上之模製化合物中。模製化合物可係通常用於密封且保護一封裝器件或模組之相同或類似類型之模製化合物，例如，環氧樹脂或環氧樹脂基材料，但其中添加EMI吸收物材料。可作為或可包含上文論述之磁性陶瓷鐵氧體或含鐵合金之一或多者之EMI吸收物材料之粒子或一粉末可經混合或摻合至一典型封裝模組模製材料中。粒子可具有特性尺寸，例如，至少與在一所關注頻率下(例如，在器件預期產生或器件可對其敏感之電磁干擾之一頻率下)之粒子之材料之集膚深度一樣大之半徑。粒子可具有在約10 µm與約100 µm之間之特性尺寸。包含EMI吸收物材料之模製材料可接著使用習知方法沈積於器件或模組上，或直接沈積於包含待屏蔽之組件之一晶粒上。EMI吸收物材料填料或粒子可係不導電的或導電的(具有不導電塗層)以幫助避免器件或模組之曝露導線之間之短路。包含EMI吸收物材料之模製材料可以在產業中使用之模製材料之一典型厚度(例如，在350 µm與1000 µm之間)沈積。相較於一經濺射膜(例如，3 µm至20 µm厚)，包含EMI吸收物材料之模製材料之更大厚度可提供比EMI吸收材料之一經濺射膜更大之EMI屏蔽。相較於一經濺射膜，模製材料之更大厚度亦可提供一更少吸收且更便宜EMI吸收材料之使用以達成與具有一更高吸收但更昂貴EMI吸收材料之一更薄經濺射或噴塗層等效之EMI抑制效能。將EMI吸收材料併入模製材料中亦可消除對於待執行以沈積EMI吸收材料之任何特殊步驟之需要。
圖3示意性地繪示一電子器件，例如，安置於一電路板305上之一多晶片模組300，其由包含EMI吸收材料之一模製材料310覆蓋。
應瞭解，圖2中繪示之實施例可與圖3中繪示之實施例組合。例如，圖2之模製材料210可包含EMI屏蔽材料，從而導致圖4中繪示之結構。
可在各種封裝模組中實施本文中論述之器件。現將論述其中可實施本文中論述之器件之任何適合原理及優點之一些例示性封裝模組。圖5、圖6及圖7係根據某些實施例之闡釋性封裝模組及器件之示意性方塊圖。
本文中揭示之器件之實施例可包含(例如)濾波器。繼而，使用本文中揭示之器件之一或多者之一濾波器可被併入至一模組中且被封裝為一模組，該模組可最終用於一電子器件(諸如(例如)一無電通信器件)中。圖5係繪示包含一濾波器410之一模組400之一個實例之一方塊圖。濾波器410可實施於包含一或多個連接墊422之一或多個晶粒420上。例如，濾波器410可包含對應於濾波器之一輸入接觸件之一連接墊422及對應於濾波器之一輸出接觸件之另一連接墊422。封裝模組400包含經組態以接納複數個組件(包含晶粒420)之一封裝基板430。複數個連接墊432可安置於封裝基板430上，且濾波器晶粒420之各種連接墊422可經由電連接器434 (其等可係(例如)焊料凸塊或線接合)連接至封裝基板430上之連接墊432以容許各種信號往返於濾波器410之傳遞。模組400可視情況進一步包含其他電路晶粒440，諸如(例如)一或多個額外濾波器、放大器、預濾波器、調變器、解調變器、降頻轉換器及類似者，如鑑於本文中之揭示內容熟習半導體製造技術者將已知。在一些實施例中，模組400亦可包含用於(例如)提供模組400之保護且促進更容易處置之一或多個封裝結構。此一封裝結構可包含形成於封裝基板430上方且經定尺寸以實質上囊封其上之各種電路及組件之一包覆模製件。包覆模製件可包含一濾波器，該濾波器包含本文中揭示之EMI吸收材料之實例。
濾波器410之各種實例及實施例可用於廣泛多種電子器件中。例如，濾波器410可用於一天線雙工器中，該天線雙工器自身可被併入至各種電子器件(諸如RF前端模組及通信器件)中。
參考圖6，繪示一前端模組500之一個實例之一方塊圖，其可用於一電子器件(諸如(例如)一無線通信器件(例如，一行動電話))中。前端模組500包含具有一共同節點502、一輸入節點504及一輸出節點506之一天線雙工器510。一天線610連接至共同節點502。
天線雙工器510可包含連接於輸入節點504與共同節點502之間之一或多個傳輸濾波器512，及連接於共同節點502與輸出節點506之間之一或多個接收濾波器514。(若干)傳輸濾波器之(若干)通帶不同於接收濾波器之(若干)通帶。濾波器410之實例可用於形成(若干)傳輸濾波器512及/或(若干)接收濾波器514。一電感器或其他匹配組件520可連接於共同節點502處。
前端模組500進一步包含連接至雙工器510之輸入節點504之一傳輸器電路532及連接至雙工器510之輸出節點506之一接收器電路534。傳輸器電路532可產生用於經由天線610傳輸之信號，且接收器電路534可接收並處理經由天線610接收之信號。在一些實施例中，接收器電路及傳輸器電路被實施為單獨組件，如圖6中展示，然而，在其他實施例中，此等組件可整合成一共同收發器電路或模組。如熟習此項技術者將瞭解，前端模組500可包含在圖6中未繪示之其他組件，包含(但不限於)開關、電磁耦合器、放大器、處理器及類似者。
圖7係包含圖6中展示之天線雙工器510之一無線器件600之一個實例之一方塊圖。無線器件600可係一蜂巢式電話、智慧型電話、平板電腦、數據機、通信網路或經組態用於語音或資料通信之任何其他攜帶型或非攜帶型器件。無線器件600可自天線610接收信號及傳輸信號。無線器件包含類似於上文參考圖6論述之前端模組之一前端模組500之一實施例。前端模組500包含雙工器510，如上文論述。在圖7中展示之實例中，前端模組500進一步包含一天線開關540，該天線開關540可經組態以在不同頻帶或模式(諸如(例如)傳輸及接收模式)之間切換。在圖7中繪示之實例中，天線開關540定位於雙工器510與天線610之間；然而，在其他實例中，雙工器510可定位於天線開關540與天線610之間。在其他實例中，天線開關540及雙工器510可整合成一單一組件。
前端模組500包含經組態以產生用於傳輸之信號或處理經接收信號之一收發器530。收發器530可包含可連接至雙工器510之輸入節點504之傳輸器電路532及可連接至雙工器510之輸出節點506之接收器電路534，如圖6之實例中展示。
經產生以藉由傳輸器電路532傳輸之信號由一功率放大器(PA)模組550接收，該功率放大器(PA)模組550放大來自收發器530之經產生信號。功率放大器模組550可包含一或多個功率放大器。功率放大器模組550可用於放大廣泛各種RF或其他頻帶傳輸信號。例如，功率放大器模組550可接收可用於脈波發送功率放大器之輸出以輔助傳輸一無線區域網路(WLAN)信號或任何其他適合脈衝信號之一啟用信號。功率放大器模組550可經組態以放大多種類型之信號之任何者，包含(例如)一全球行動系統(GSM)信號、一分碼多重存取(CDMA)信號、一W-CDMA信號、一長期演進(LTE)信號或一EDGE信號。在某些實施例中，功率放大器模組550及相關聯組件(包含開關及類似者)可使用(例如)高電子遷移率電晶體(pHEMT)或絕緣閘極雙極性電晶體(BiFET)在砷化鎵(GaAs)基板上製造，或使用互補金屬氧化物半導體(CMOS)場效電晶體在一矽基板上製造。
仍參考圖7，前端模組500可進一步包含放大來自天線610之經接收信號且將經放大信號提供至收發器530之接收器電路534之一低雜訊放大器模組560。
圖7之無線器件600進一步包含連接至收發器530且管理用於無線器件600之操作之功率之一功率管理子系統620。功率管理系統620亦可控制一基頻帶子系統630及無線器件600之各種其他組件之操作。功率管理系統620可包含或可連接至一電池(未展示)，該電池供應用於無線器件600之各種組件之電力。例如，功率管理系統620可進一步包含可控制信號之傳輸之一或多個處理器或控制器。在一項實施例中，基頻帶子系統630連接至一使用者介面640以促進提供給使用者及自使用者接收之語音及/或資料之各種輸入及輸出。基頻帶子系統630亦可連接至記憶體650，該記憶體650經組態以儲存資料及/或指令以促進無線器件之操作及/或為使用者提供資訊之儲存。可相關聯於行動器件(諸如蜂巢式手機)實施上文描述之任何實施例。實施例之原理及優點可用於可獲益於本文中描述之任何實施例之任何系統或裝置(諸如任何上行鏈路無線通信器件)。本文中之教示適用於各種系統。雖然本發明包含一些例示性實施例，但本文中描述之教示可應用至各種結構。可相關聯於經組態以處理在自約30 kHz至300 GHz之一範圍中(諸如在自約450 MHz至6 GHz之一範圍中)之信號之RF電路實施本文中論述之任何原理及優點。
可在各種電子器件中實施本發明之態樣。電子器件之實例可包含(但不限於)消費型電子產品、消費型電子產品之部分，諸如經封裝射頻模組、上行鏈路無線通信器件、無線通信基礎設施、電子測試設備等。電子器件之實例可包含(但不限於)：諸如一智慧型電話之一行動電話、諸如一智慧型手錶或一耳機之一穿戴式運算器件、一電話、一電視、一電腦監視器、一電腦、一數據機、一手持式電腦、一膝上型電腦、一平板電腦、一微波爐、一冰箱、諸如一汽車電子系統之一車輛電子系統、一立體聲系統、一數位音樂播放器、一無線電、諸如一數位相機之一相機、一攜帶型記憶體晶片、一洗衣器、一乾衣器、一洗衣/乾衣器、一影印機、一傳真機、一掃描器、一多功能周邊器件、一手錶、一時鐘等。此外，電子器件可包含未完成產品。
除非背景內容明確另外要求，否則貫穿描述及發明申請專利範圍，字詞「包括(comprise、comprising)」、「包含(include、including)」及類似者應被解釋為一包含性意義而非一排他性或詳盡性意義；即「包含，但不限於」之意義。如本文中大體上使用之字詞「耦合」係指可直接連接或經由一或多個中間元件連接之兩個或兩個以上元件。同樣地，如本文中通常使用之字詞「連接」係指可直接連接或經由一或多個中間元件連接之兩個或兩個以上元件。另外，字詞「本文」、「上文」、「下文」及具有類似意思之字詞當用於本申請案中時應係指本申請案整體且非本申請案之任何特定部分。在背景內容允許之情況下，使用單數或複數之上文實施方式中之字詞亦可分別包含複數或單數。字詞「或」涉及兩個或兩個以上品項之一清單，該字詞涵蓋字詞之全部以下解譯：清單中之任何品項、清單中之全部品項及清單中之品項之任何組合。
再者，除非另外具體陳述或除非在如所使用之本背景內容內理解，否則本文中所使用之條件語言，尤其諸如「可」、「可以」、「可能」、「能夠」、「例如」、「舉例而言」、「諸如」及類似者通常旨在傳達某些實施例包含(而其他實施例不包含)某些特徵、元件及/或狀態。因此，此條件用語通常不旨在暗示一或多項實施例無論如何需要特徵、元件及/或狀態或一或多項實施例一定包含用於在具有或不具有作者輸入或提示之情況下決定在任何特定實施例中是否包含或執行此等特徵、元件及/或狀態之邏輯。
雖然已描述某些實施例，但此等實施例已僅藉由實例呈現，且不旨在限制本發明之範疇。實際上，可以各種其他形式體現本文中描述之新穎裝置、方法及系統；此外，可對本文中描述之方法及系統之形式做出各種省略、置換及改變而不脫離本發明之精神。例如，雖然區塊以一給定配置呈現，但替代實施例可執行具有不同組件及/或電路拓樸之類似功能性，且可刪除、移動、添加、細分、組合及/或修改一些區塊。可以各種不同方式實施此等區塊之各者。可組合上文描述之各項實施例之元件及動作之任何適合組合以提供進一步實施例。隨附發明申請專利範圍及其等等效物旨在涵蓋如將落在本發明之範疇及精神內之此等形式或修改。
100:輪廓 200:多晶片模組 205:電路板 210:模製材料 215:高度吸收電磁干擾(EMI)屏蔽材料層 300:多晶片模組 305:電路板 310:模製材料 400:封裝模組 410:濾波器 420:晶粒 422:連接墊 430:封裝基板 432:連接墊 434:電連接器 440:電路晶粒 500:前端模組 502:共同節點 504:輸入節點 506:輸出節點 510:天線雙工器 512:傳輸濾波器 514:接收濾波器 520:匹配組件 530:收發器 532:傳輸器電路 534:接收器電路 540:天線開關 550:功率放大器(PA)模組 560:低雜訊放大器模組 600:無線器件 610:天線 620:功率管理子系統 630:基頻帶子系統 640:使用者介面 650:記憶體
現將參考隨附圖式藉由非限制性實例描述本發明之實施例。
圖1A係使用一第一類型之屏蔽抑制來自一功率放大器模組之電磁干擾(EMI)之一圖解；
圖1B係使用一第二類型之屏蔽抑制來自一功率放大器模組之EMI之一圖解；
圖2繪示包含一第一類型之EMI屏蔽之一電子器件模組；
圖3繪示包含一第二類型之EMI屏蔽之一電子器件模組；
圖4繪示包含第一類型之EMI屏蔽及第二類型之EMI屏蔽之一組合之一電子器件模組；
圖5係根據本發明之態樣之可包含一或多個器件之一濾波器模組之一個實例之一方塊圖；
圖6係根據本發明之態樣之可包含一或多個器件之一前端模組之一個實例之一方塊圖；及
圖7係包含圖6之前端模組之一無線器件之一個實例之一方塊圖。
200:多晶片模組
205:電路板
210:模製材料
215:高度吸收電磁干擾(EMI)屏蔽材料層

Claims (31)

  1. 一種電子器件，其包括一電磁干擾屏蔽件，該電磁干擾屏蔽件包含覆蓋該電子器件之至少一部分且針對具有在一千赫範圍中之頻率之電磁信號具有小於2 µm之一集膚深度之一導電材料層。
  2. 如請求項1之電子器件，其中該電子器件經覆蓋於一模製材料中且該電磁干擾屏蔽件經安置於該模製材料上。
  3. 如請求項2之電子器件，其中該模製材料包含延遲電磁信號之傳播之一填料材料。
  4. 如請求項3之電子器件，其中針對具有在該千赫範圍中之頻率之電磁信號，該填料材料具有小於2 µm之一集膚深度。
  5. 如請求項3之電子器件，其中該填料材料包含一磁性陶瓷鐵氧體。
  6. 如請求項3之電子器件，其中該填料材料包含一含鐵合金。
  7. 如請求項3之電子器件，其中該填料材料係不導電的。
  8. 如請求項3之電子器件，其中該填料材料包含由不導電材料包圍之導電粒子。
  9. 如請求項1之電子器件，其中該電子器件之一組件經組態以依在一赫茲範圍、一千赫範圍或一百萬赫範圍之一或多者內之一頻率發射一電磁信號。
  10. 如請求項1之電子器件，其中該導電材料層包含一磁性陶瓷鐵氧體。
  11. 如請求項1之電子器件，其中該導電材料層包含一含鐵合金。
  12. 如請求項1之電子器件，其中該導電材料層具有小於30 µm之一厚度。
  13. 如請求項12之電子器件，其中該導電材料層具有小於20 µm之一厚度。
  14. 如請求項1之電子器件，其進一步包括一射頻濾波器。
  15. 一種電子器件模組，其包含如請求項14之電子器件。
  16. 一種電子器件，其包括覆蓋該電子器件之至少一部分且包含針對具有在一千赫範圍中之頻率之電磁信號具有小於2 µm之一集膚深度之一填料材料之一模製材料。
  17. 如請求項16之電子器件，其中該填料材料包含一磁性陶瓷鐵氧體。
  18. 如請求項16之電子器件，其中該填料材料包含一含鐵合金。
  19. 如請求項16之電子器件，其中該填料材料係不導電的。
  20. 如請求項16之電子器件，其中該填料材料包含由不導電材料覆蓋之導電粒子。
  21. 如請求項16之電子器件，其中該電子器件之一組件經組態以依在一赫茲範圍、一千赫範圍或一百萬赫範圍之一或多者內之一頻率發射一電磁信號。
  22. 如請求項16之電子器件，其進一步包括安置於該模製材料上之一電磁干擾屏蔽件，該電磁干擾屏蔽件包含針對具有在一千赫範圍中之頻率之電磁信號具有小於2 µm之一集膚深度之一導電材料層。
  23. 如請求項22之電子器件，其中該導電材料層包含一磁性陶瓷鐵氧體。
  24. 如請求項22之電子器件，其中該導電材料層包含一含鐵合金。
  25. 如請求項22之電子器件，其中該導電材料層具有小於30 µm之一厚度。
  26. 如請求項25之電子器件，其中該導電材料層具有小於20 µm之一厚度。
  27. 如請求項16之電子器件，其進一步包括一射頻濾波器。
  28. 一種電子器件模組，其包含如請求項27之電子器件。
  29. 一種在一電子器件上形成一電磁干擾屏蔽件之方法，該方法包括在該電子器件之一表面上沈積一模製材料，該模製材料包含針對具有在一千赫範圍中之頻率之電磁信號具有小於2 µm之一集膚深度之一填料材料。
  30. 如請求項29之方法，其進一步包括在該模製材料上沈積一導電材料層，該導電材料層針對具有在該千赫範圍中之頻率之電磁信號具有小於2 µm之一集膚深度。
  31. 一種在一電子器件上形成一電磁干擾屏蔽件之方法，該方法包括： 在該電子器件之一表面上沈積一模製材料；及 在該模製材料上沈積一導電材料層，該導電材料層針對具有在一千赫範圍中之頻率之電磁信號具有小於2 µm之一集膚深度。
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