TW202105453A - 用於高頻天線的熱保護器 - Google Patents

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Abstract

此處所揭露的實施例包括高頻發射模組。在一實施例中，高頻發射模組包含固態高頻功率源，用於從功率源傳播高頻電磁輻射的施加器，及耦合於功率源及施加器之間的熱保護器。在一實施例中，熱保護器包含基板，在基板上的跡線，及接地平面。

Description

用於高頻天線的熱保護器
實施例係關於半導體製造的領域，且更具體而言，係關於用於高頻電漿源的熱解決方案。
高頻電漿系統的電子部件對熱量為敏感的。舉例而言，高頻電漿源及電纜（例如，同軸電纜或類似者）可能藉由系統所產生的熱量而損傷或降級。具體而言，藉由電漿產生的熱量或來自加熱的腔室的熱量可從天線傳送回向驅動電漿的電子部件。在某些情況中，藉由系統產生的熱量足以熔化高頻功率源及天線之間的連接。
此處所揭露的實施例包括高頻發射模組。在一實施例中，高頻發射模組包含固態高頻功率源，用於從功率源傳播高頻電磁輻射的施加器，及耦合於功率源及施加器之間的熱保護器。在一實施例中，熱保護器包含基板，在基板上的跡線，及接地平面。
實施例亦可包括處理工具。在一實施例中，處理工具包含處理腔室及模組化高頻發射源。在一實施例中，模組化高頻發射源包含複數個高頻發射模組。在一實施例中，各個高頻發射模組包含振盪器模組，耦合至振盪器模組的放大器模組，耦合至放大器模組的熱保護器，及施加器。在一實施例中，施加器藉由熱保護器耦合至放大器模組，且施加器相對於在處理腔室中於其上處理一或更多基板的夾盤而定位。
實施例亦可包括用於高頻電漿源的熱保護器。在一實施例中，熱保護器包含基板，具有第一表面及相對於第一表面的第二表面，其中基板包含一或更多介電層。在一實施例中，熱保護器進一步包含耦合至基板的連接器，其中連接器配置成容納同軸電纜，及與連接器對接的導電跡線，且其中導電跡線從連接器延伸朝向與連接器相對的基板的邊緣。在一實施例中，熱保護器進一步包含安裝在基板中的接地平面，其中接地平面並未電氣耦合至導電跡線，及熱耦合至基板的熱解決方案。
此處所述的系統及方法包括用於高頻電漿源的熱解決方案。在以下說明中，闡述數個特定細節以便提供實施例的透徹理解。對本領域中技藝人士而言可無須此等特定細節來執行實施例為顯而易見的。在其他情況中，已知態樣並未詳細說明，以便不會非必要地模糊實施例。再者，應理解隨附圖式中顯示的各種實施例為說明性表示，且並非必須按照比例繪製。
如以上所述，利用高頻電漿源的電漿處理工具由於從電漿傳送的熱量及/或腔室至功率源及功率源及天線之間的電纜的熱量而易遭受降級或損傷。在某些情況中，已觀察到熱負載造成電纜熔化。此外，此處所揭露的實施例包括熱保護器，將電纜及功率源的固態電子隔絕遠離藉由電漿及/或腔室供應的熱負載。
在某些實施例中，熱保護器定位於施加器（例如，天線）及處理工具的固態電子之間。舉例而言，固態電子可藉由同軸電纜電氣耦合至熱保護器，且熱保護器可直接耦合至天線。除了提供處理工具的部件之間的熱隔絕之外，熱保護器亦提供從同軸電纜至天線的電氣耦合。在某些實施例中，熱保護器亦可充當阻抗匹配元件，以便允許功率有效傳送至電漿。因此，可在單一部件（即，熱保護器）中實施阻抗匹配及熱調節。此舉降低複雜度且提供緊湊構造。
現參照第1圖，根據一實施例，顯示高頻發射模組103的剖面圖。在一實施例中，高頻發射模組103可包含固態功率源105，熱保護器150及施加器142。
固態功率源105可包含複數個子部件，例如振盪器、放大器及其他電路方塊。以下關於第5圖提供固態功率源105的更詳細說明。在一實施例中，功率源105對施加器142提供高頻電磁輻射。如此處所使用，「高頻」電磁輻射包括射頻輻射、非常高頻輻射、超高頻輻射及微波服飾。「高頻」可代表介於0.1MHz及300GHz之間的頻率。
在一實施例中，施加器142可包含介電主體144，具有在其中佈置天線143的腔體。舉例而言，天線143可包含延伸至介電主體144中的導線（例如，單極）。在某些實施例中，天線143直接與介電主體144接觸。在其他實施例中，腔體比天線143更大，且天線143與介電主體144的表面間隔開來。
在一實施例中，施加器142可電氣耦合至熱保護器150。熱保護器150可包含基板152及導電跡線151。在一實施例中，基板152可為印刷電路板（PCB）或類似者。亦即，基板152可包含一或更多介電層。在圖示的實施例中，將跡線151顯示為在基板152上方。在具體實施例中，導電跡線151可為微條帶。然而，應理解在某些實施例中跡線151可嵌入在基板152之中。在具體實施例中，導電跡線151可為條帶線。亦即，接地平面（在第1圖中未顯示）可在導電跡線151上方、在導電跡線151下方、或在導電跡線上方及下方。在某些實施例中，接地平面嵌入於基板152中。在其他實施例中，接地平面可在基板152下方或上方。仍在另一實施例中，基板152可包含接合在一起的兩個不同基板（即，第一基板及第二基板）。在此等實施例中，導電跡線151可在第一基板及第二基板之間。
在一實施例中，熱保護器150亦可包含熱解決方案。熱解決方案可對高頻發射模組103提供熱調節。因為熱保護器150定位於施加器142及固態功率源105之間，所以熱能（例如，來自電漿或加熱的腔室）在到達固態功率源105之前逸散。
再者，介於熱保護器150及固態功率源105之間的電纜及連接器（例如，同軸電纜155及連接器153）受保護不受系統逸散的熱能的影響。在一實施例中，如本領域中已知，同軸電纜155可以連接器153電氣耦合於固態功率源105及熱保護器150之間。舉例而言，連接器153可將同軸電纜155電氣耦合至導電跡線151。
現參照第2A-2C圖，根據不同實施例，顯示具有各種熱解決方案的熱保護器250之一連串立體視圖。應理解在第2A-2C圖中顯示的熱解決方案自然為範例，且根據一實施例，任何適合的熱解決方案可與熱保護器結合使用。再者，儘管各種熱解決方案顯示為隔絕的，應理解可結合熱解決方案以便提供甚至更有效率的熱能逸散。
現參照第2A圖，根據一實施例，顯示具有流體冷卻熱解決方案的熱保護器250的立體視圖。在一實施例中，跡線251顯示為在基板252的頂部表面上，且接地平面254在基板252的下方。在一實施例中，熱方塊256可附接至接地平面254。熱方塊256可包含具有高熱傳導性的材料。舉例而言，熱方塊256可包含金屬材料。
在一實施例中，一或更多通道257可嵌入在熱方塊256中。通道256可適合用於流動冷卻劑通過熱方塊256，以便從系統移除熱量。如圖所示，顯示單一入口（IN）及單一出口（OUT）。然而，應理解熱方塊256可包含任何數量的入口及出口。
在一實施例中，冷卻劑可包含任何適合的冷卻劑流體。舉例而言，冷卻劑流體可包含液體（例如，水-乙二醇混合物）或氣體（例如，空氣、氦氣等等）。冷卻劑流體可儲存於儲藏室中。儲藏室可主動冷卻，以便強化從熱保護器250的熱量吸取。
現參照第2B圖，根據一實施例，顯示具有空氣冷卻熱解決方案的熱保護器250的立體視圖。如圖所示，熱方塊256亦可包含延伸離開熱保護器250的複數個鰭片256。在一實施例中，鰭片258增加熱方塊256的表面積，以便幫助藉由對流移除熱量。舉例而言，空氣（藉由箭頭表示）可流動通過鰭片258，以增加熱保護器250的熱逸散。在一實施例中，空氣流動可藉由風扇或類似者產生。在其他實施例中，可不具有主動冷卻，且鰭片258可逸散熱能至周遭空氣。
現參照第2C圖，根據一實施例，顯示具有熱電冷卻熱解決方案的熱保護器250的立體視圖。在此實施例中，熱方塊可以主動冷卻裝置取代，例如熱電冷卻器（TEC）259。在此實施例中，施加至TEC 259的電壓可驅動從熱保護器250移除熱量。
除了提供從系統熱逸散之外，實施例亦可包括具有雙功能的熱保護器。具體而言，熱保護器亦可對系統提供阻抗匹配。藉由控制導電跡線的形狀，可調變系統的阻抗匹配。可使用以提供阻抗匹配的各種形狀的跡線351之範例顯示於第3A-3C圖中。
現參照第3A圖，根據一實施例，顯示熱保護器350的平面視圖。在一實施例中，熱保護器350可包含基板352及在基板352上的跡線351。跡線351可從基板352的第一邊緣361延伸至基板352的第二邊緣362。儘管顯示為一路延伸至基板352的邊緣361/362，應理解連接器的併入（在第3A圖中未顯示）可導致跡線351並非一路延伸至基板352的邊緣。
在一實施例中，跡線351可具有實質上均勻的寬度W，且直線延伸橫跨基板352。亦即，跡線351可具有實質上矩形的形狀。在其他實施例中，跡線351可具有橫跨基板352的非直線路徑。舉例而言，跡線351可包括蛇形圖案，以便增加跡線351的長度。在其他實施例中，跡線351在第一邊緣361可具有第一寬度，且在第二邊緣362可具有第二寬度。在一實施例中，跡線351的寬度W可為實質上均勻的（例如，第一寬度及第二寬度實質上相同），或跡線351的寬度橫跨跡線的長度可為實質上非均勻的寬度W（例如，靠近第一邊緣361的跡線351的寬度可不同於靠近第二邊緣362的跡線351的寬度）。在一實施例中，跡線351可具有矩形的剖面（即，在X-Z平面中的剖面可為矩形）。在其他實施例中，跡線351在X-Z平面中可具有非矩形的剖面。舉例而言，在X-Z平面中跡線351的剖面可為梯形的。在其他實施例中，跡線351可包含第一跡線及直接在第一跡線上的第二跡線。第一跡線及第二跡線可具有不同的寬度。舉例而言，第一跡線可具有比第二跡線的寬度更大之寬度，或第一跡線可具有比第二跡線的寬度更小之寬度。
現參照第3B圖，根據一實施例，顯示具有包含一或更多短柱363的跡線351之熱保護器350的平面視圖。在一實施例中，短柱363可為從跡線351的主體延伸出的導電延伸物。在某些實施例中，短柱363可與跡線351成一整體。亦即，跡線351及短柱363可在相同時間製成。在此等實施例中，短柱363可包含與跡線351實質上相同的材料，且具有與跡線351的厚度實質上相等之厚度（在離開第3B圖的平面的Z方向中）。在其他實施例中，短柱363可在形成跡線之後附加至跡線351。舉例而言，焊料可施加至跡線351的邊緣，以便修改熱保護器350的阻抗。在此等實施例中，短柱363可包含與跡線351不同的材料，且可包含與跡線351不同的厚度（在Z方向中）。在一實施例中，一或更多短柱363可為開放式短柱（即，並未耦合至接地平面）。在額外實施例中，一或更多短柱363可為短路短柱（即，短柱363可短路連接接地平面）。
現參照第3C圖，根據額外實施例，顯示熱保護器350的平面視圖。在一實施例中，熱保護器350可包含藉由開關368選擇性地可附接至跡線351的複數個短柱367。在一實施例中，當開關閉合（例如，開關368C ）時，短柱367電氣耦合至跡線351，且當開關斷開（例如，開關368O ）時，短柱367未電氣耦合至跡線351。在一實施例中，開關368可手動操作。在其他實施例中，開關368可藉由電腦系統控制，且用以隨著處理條件改變而動態改變阻抗。在一實施例中，開關368可為機械開關。在其他實施例中，開關368可為固態開關。
現參照第4圖，根據一實施例，顯示具有模組化高頻發射源404的處理系統400之剖面概要圖。在一實施例中，模組化高頻發射源404可包含複數個高頻發射模組403。高頻發射模組403可實質上類似於以上所述的高頻發射模組103。舉例而言，高頻發射模組403之各者可包含固態功率源405、熱保護器450及施加器442。在一實施例中，可藉由固態功率源405產生高頻電磁輻射，且沿著電纜445及熱保護器450上的跡線451傳送至施加器的天線443。在一實施例中，熱保護器450可包含如以上所述的一或更多冷卻解決方案。
在一實施例中，模組化高頻發射源404可透過介電窗475將高頻電磁輻射注入腔室478中。高頻電磁輻射在腔室478中可包括電漿490。電漿490可用以處理定位在支撐件476（例如，靜電夾盤（ESC）或類似者）上的基板474。
現參照第5圖，根據一實施例，顯示固態功率源505的概要圖。在一實施例中，固態功率源505包含振盪器模組506。振盪器模組506可包括電壓控制電路510，用於提供輸入電壓至電壓控制的振盪器520，以便以所欲的頻率提供高頻電磁輻射。實施例可包括介於大約1V及10V之間DC的輸入電壓。電壓控制的振盪器520為電子振盪器，其振盪頻率藉由輸入電壓控制。根據一實施例，來自電壓控制電路510的輸入電壓導致電壓控制的振盪器520以所欲的頻率振盪。在一實施例中，高頻電磁輻射可具有介於大約0.1MHz及30MHz之間的頻率。在一實施例中，高頻電磁輻射可具有介於大約30MHz及300MHz之間的頻率。在一實施例中，高頻電磁輻射可具有介於大約300MHz及1GHz之間的頻率。在一實施例中，高頻電磁輻射可具有介於大約1GHz及300GHz之間的頻率。
根據一實施例，電磁輻射從電壓控制的振盪器520傳送至放大器模組530。放大器模組530可包括分別耦合至電源供應器539的驅動器/預放大器534，及主功率放大器536。根據一實施例，放大器模組530可以脈衝模式操作。舉例而言，放大器模組530可具有介於1%及99%之間的工作循環。在更具體的實施例中，放大器模組530可具有介於大約15%及50%之間的工作循環。
在一實施例中，電磁輻射可在藉由放大器模組530處理之後傳送至熱保護器550及施加器542。然而，歸因於輸出阻抗的失配，傳送至熱保護器550的部分功率可反射回來。因此，某些實施例包括偵測器模組581，而允許感測前進功率583及反射的功率582的位準，且回饋至控制電路模組521。應理解偵測器模組581可定位於系統中一或更多不同地點處。在一實施例中，控制電路模組521解譯前進功率583及反射的功率582，且決定用於通訊耦合至振盪器模組506的控制訊號585的位準，及用於通訊耦合至放大器模組530的控制訊號586的位準。在一實施例中，控制訊號585調整振盪器模組506，以最佳化耦合至放大器模組530的高頻輻射。在一實施例中，控制訊號586調整放大器模組530，以最佳化通過熱保護器550耦合至施加器542的輸出功率。在一實施例中，除了量制熱保護器550中的阻抗匹配之外，振盪器模組506及放大器模組530的回饋控制可允許反射的功率的位準小於大約5%的前進功率。在某些實施例中，振盪器模組506及放大器模組530的回饋控制可允許反射的功率的位準小於大約2%的前進功率。
因此，實施例允許增加待耦合至處理腔室578中前進功率的百分比，且增加能夠耦合至電漿的功率。再者，使用回饋控制的阻抗調節在通常縫板天線中對阻抗調節為優越的。在縫板天線中，阻抗調節牽涉移動在施加器中形成的兩個介電嵌條。此舉牽涉在施加器中兩個分開部件的機械運動，而增加施加器的複雜度。再者，機械運動精確度不如可由電壓控制的振盪器520提供的頻率改變。
現參照第6A圖，根據一實施例，顯示安排成匹配圓形基板674的圖案之施加器642的陣列640的平面視圖。藉由以粗略匹配基板674的形狀的圖案形成複數個施加器642，可調節在基板674的整個表面上的輻射場及/或電漿。舉例而言，可控制各個施加器642，使得形成橫跨基板674的整個表面具有均勻電漿密度的電漿，及/或形成橫跨基板674的整個表面均勻的輻射場。或者，可獨立控制一或更多施加器642，以提供橫跨基板674的表面可變化的電漿密度。如此，可修正在基板上存在的外來非均勻性。舉例而言，靠近基板674的外部周圍的施加器642可控制成與靠近基板674的中心的施加器具有不同的功率密度。再者，應理解使用高頻發射模組505允許以不同頻率發射電磁輻射，且不具有受控制的相位關係，以便消除駐波及/或非所欲干擾圖案的存在。
在第6A圖中，在陣列640中的施加器642以一系列同心環從基板674的中心向外延伸而封裝在一起。然而，實施例並非限於此等配置，且取決於處理工具的需求可使用任何適合的間隔及/或圖案。再者，實施例允許具有任何對稱剖面的施加器642。因此，選擇用於施加器的剖面形狀可選擇成用以提供增強的封裝效率。
現參照第6B圖，根據一實施例，顯示具有非圓形剖面的施加器642的陣列640的平面視圖。圖示的實施例包括具有六角形剖面的施加器642。使用此施加器可允許強化封裝效率，因為各個施加器642的周圍可與鄰近施加器642近乎完美配合。因此，可甚至進一步增強電漿的均勻性，因為最小化介於各個施加器642之間的間隔。儘管第6B圖圖示鄰近施加器642共享側壁表面，應理解實施例亦可包括非圓形對稱形狀的施加器而在鄰近施加器642之間包括間隔。
現參照第6C圖，根據一實施例，顯示施加器642的陣列640的額外平面視圖。在第6C圖中的陣列640實質上類似於關於第6A圖以上所述的陣列640，不同之處在於亦包括複數個感測器690。複數個感測器提供強化的處理監控能力，而可用以提供各個模組化高頻功率源505額外的回饋控制。在一實施例中，感測器690可包括一或更多不同的感測器類型690，例如電漿密度感測器、電漿發射感測器、輻射場密度感測器、輻射發射感測器或類似者。橫跨基板674的表面定位感測器允許在處理腔室的給定地點處監控輻射場及/或電漿特性。
根據一實施例，每個施加器642可與不同感測器690配對。在此等實施例中，來自各個感測器690的輸出可用以對感測器690已配對的分別的施加器642提供回饋控制。額外的實施例可包括將各個感測器690與複數個施加器642配對。舉例而言，各個感測器690可對感測器690靠近定位的多個施加器642提供回饋控制。仍在另一實施例中，來自複數個感測器690的回饋可用作為多輸入多輸出（MIMO）控制系統的一部分。在此等實施例中，各個施加器642可基於來自多個感測器690的回饋調整。舉例而言，直接鄰近第一施加器642的第一感測器690可經加權以對第一施加器642提供控制嘗試，此控制嘗試大於藉由從第一施加器642比第一感測器690定位更遠的第二感測器690在第一施加器642上輸出的控制嘗試。
現參照第6D圖，根據一實施例，顯示定位於多區處理工具600中的施加器642的陣列640的額外平面視圖。在一實施例中，多區處理工具600可包括任何數量的區。舉例而言，圖示的實施例包括區6751 -675n 。各個區675可配置成在旋轉通過不同區675的基板674上實行不同的處理操作。如圖所示，第一陣列6402 定位於區6752 中，且第二陣列640n 定位於區675n 中。然而，取決於裝置的需求，實施例可包括多區處理工具600，具有施加器642的陣列640在一或更多不同的區675中。藉由實施例提供的電漿及/或輻射場的空間可調密度隨著基板674通過不同區675允許容納旋轉基板674的非均勻徑向速度。
現參照第7圖，根據一實施例圖示處理工具的範例電腦系統760之方塊圖。在一實施例中，電腦系統760耦合至處理工具且控制處理工具中的處理。電腦系統760可連接至（例如，網路連接）區域網路（LAN）、內部網路、外部網路或網際網路中的其他機器。電腦系統760可在伺服器的容量中操作，或在客戶伺服器網路環境中的客戶機器中操作，或為同級間（或分散式）網路環境中的同級點機器。電腦系統760可為個人電腦（PC）、平板PC、機上盒（STB）、個人數位助理（PDA）、手機、網頁設備、伺服器、網路路由器、開關或橋接、或能夠執行指定機器採取的動作的一組指令（或者序號）的任何機器。再者，儘管對電腦系統760僅圖示單一機器，「機器」一詞亦應包括任何機器的集合（例如，多個電腦），而個別或共同執行一組（或多組）指令，以實行此處所述的任何一或更多方法。
電腦系統760可包括電腦程式產品或軟體722，具有非暫態機器可讀取媒體，具有指令儲存於其上，可用以程式化電腦系統760（或其他電子裝置），以實行根據實施例的處理。機器可讀取媒體包括任何機制，用於以藉由機器（例如，電腦）可讀取的形式儲存或傳送資訊。舉例而言，機器可讀取（例如，電腦可讀取）媒體包括機器（例如，電腦）可讀取儲存媒體（例如，唯讀記憶體「ROM」、隨機存取記憶體「RAM」、磁碟儲存媒體、光學儲存媒體、快閃記憶體裝置等等），機器（例如，電腦）可讀取傳送媒體（電子、光學、聲音或其他形式的傳播訊號（例如，紅外線訊號、數位訊號等等））等等。
在一實施例中，電腦系統760包括系統處理器702，主記憶體704（例如，唯讀記憶體（ROM）、快閃記憶體、動態隨機存取記憶體（DRAM），例如同步DRAM（SDRAM）或Rambus DRAM（RDRAM）等等），靜態記憶體706（例如，快閃記憶體、靜態隨機存取記憶體（SRAM）等等），及次記憶體718（例如，資料儲存裝置），而透過匯流排730與彼此通訊。
系統處理器702代表一或更多通用處理裝置，例如微系統處理器、中央處理單元或類似者。更具體而言，系統處理器可為複雜指令集計算（CISC）微系統處理器、精簡指令集計算（RISC）微系統處理器、非常長指令字（VLIW）微系統處理器、實施其他指令集的系統處理器或實施指令集之結合的系統處理器。系統處理器702亦可為以下一或更多者：專用處理裝置，例如特定應用積體電路（ASIC）、現場可程式化閘陣列（FPGA）、數位訊號系統處理器（DSP）、網路系統處理器或類似者。系統處理器702配置成執行處理邏輯726，用於實行此處所述之操作。
電腦系統760可進一步包括系統網路界面裝置708，用於與其他裝置或機器通訊。電腦系統亦可包括視訊顯示器單元710（例如，液晶顯示器（LCD）、發光二極體顯示器（LED）或陰極射線管（CRT））、字母數字輸入裝置712（例如，鍵盤）、游標控制裝置714（例如，滑鼠）及訊號產生裝置716（例如，喇叭）。
次記憶體718可包括機器可存取儲存媒體731（或更特定而言，電腦可讀取儲存媒體），其上儲存一或更多指令集（例如，軟體722），實施此處所述的一或更多方法或功能。在藉由電腦系統760執行期間，軟體722亦可完全或至少部分地座落於主記憶體704之中及/或系統處理器702之中，主記憶體704及系統處理器702亦構成機器可讀取儲存媒體。軟體722可進一步透過系統網路界面裝置708在網路720上傳送或接收。在一實施例中，網路界面裝置708可使用RF耦合、光學耦合、聲音耦合或感應耦合來操作。
儘管機器可存取儲存媒體731在範例實施例中顯示為單一媒體，「機器可讀取儲存媒體」一詞應包括儲存一或更多指令集的單一媒體或多個媒體（例如，集中或分散式資料庫，及/或相關聯的快取記憶體及伺服器）。「機器可讀取儲存媒體」一詞亦包括能夠儲存或編碼指令集用於藉由機器執行且造成機器實行任何一或更多方法的任何媒體。「機器可讀取儲存媒體」一詞因此應包括但非限於固態記憶體，及光學及磁性媒體。
在以上說明書中，已說明特定範例實施例。應理解可作成各種修改而不會悖離以下申請專利範圍之範疇。因此，說明書及圖式視為說明性意義而非限制意義。
103:高頻發射模組 105:功率源 142:施加器 143:天線 144:介電主體 150:熱保護器 151:跡線 152:基板 153:連接器 155:同軸電纜 250:熱保護器 251:跡線 252:基板 254:接地平面 256:熱方塊 257:通道 258:鰭片 259:熱電冷卻器 350:熱保護器 351:跡線 352:基板 361:第一邊緣 362:第二邊緣 363:短柱 367:短柱 368:開關 400:處理系統 403:高頻發射模組 404:模組化高頻發射源 405:固態功率源 442:施加器 443:天線 450:熱保護器 451:跡線 474:基板 475:介電窗 476:支撐件 478:腔室 490:電漿 505:固態功率源 506:振盪器模組 510:電壓控制電路 520:振盪器 521:控制電路模組 530:放大器模組 534:預放大器 536:主功率放大器 539:電源供應器 542:施加器 550:熱保護器 578:處理腔室 581:偵測器模組 582:反射的功率 583:前進功率 585:控制訊號 586:控制訊號 640:陣列 642:施加器 674:基板 675:區 690:感測器 702:系統處理器 704:主記憶體 706:靜態記憶體 708:系統網路界面裝置 710:視訊顯示器單元 712:字母數字輸入裝置 714:光標控制裝置 716:訊號產生裝置 718:次記憶體 722:軟體 726:處理邏輯 730:匯流排 731:機器可存取儲存媒體 760:電腦系統
第1圖根據一實施例，為高頻發射模組的剖面圖，具有熱保護器在功率源及施加器之間。
第2A圖根據一實施例，為熱保護器的立體視圖，具有流體通道通過熱方塊。
第2B圖根據一實施例，為熱保護器的立體視圖，具有複數個鰭片用於熱量逸散。
第2C圖根據一實施例，為熱保護器的立體視圖，具有熱電冷卻方塊以提供熱量逸散。
第3A圖根據一實施例，為導電跡線的平面視圖，具有橫跨熱保護器延伸的均勻的寬度。
第3B圖根據一實施例，為熱保護器的平面視圖，具有包含複數個短柱從跡線的主長度延伸離開的導電跡線。
第3C圖根據一實施例，為熱保護器的平面視圖，包含跡線及藉由一或更多機械開關選擇性地附接至跡線的複數個短柱。
第4圖根據一實施例，為包含模組化高頻發射源的處理工具的剖面圖，模組化高頻發射源具有複數個高頻發射模組，各個高頻發射模組包括熱保護器。
第5圖根據一實施例，為模組化高頻發射模組的方塊圖。
第6A圖根據一實施例，為施加器的陣列的平面視圖，該施加器陣列可用以將高頻輻射耦合至處理腔室。
第6B圖根據額外實施例，為施加器的陣列的平面視圖，可用以將高頻輻射耦合至處理腔室。
第6C圖根據一實施例，為施加器的陣列及用於偵測輻射場及/或電漿的條件的複數個感測器的平面視圖。
第6D圖根據一實施例，為施加器的陣列的平面視圖，其形成於多區處理工具的兩區中。
第7圖根據一實施例，圖示範例電腦系統的方塊圖，可與高頻電漿工具結合使用。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
103:高頻發射模組
105:功率源
142:施加器
143:天線
144:介電主體
150:熱保護器
151:跡線
152:基板
153:連接器
155:同軸電纜

Claims (20)

  1. 一種高頻發射模組，包含： 一固態高頻功率源； 一施加器，用於從該功率源傳播高頻電磁輻射；及 一熱保護器，耦合於該功率源及該施加器之間，其中該熱保護器包含： 一基板； 一跡線，在該基板上；及 一接地平面。
  2. 如請求項1所述之高頻發射模組，其中該熱保護器進一步包含一熱解決方案。
  3. 如請求項2所述之高頻發射模組，其中該熱解決方案包含一熱方塊，該熱方塊包含用於流動一液體或氣體冷卻劑的通道。
  4. 如請求項2所述之高頻發射模組，其中該熱解決方案包含一或更多鰭片。
  5. 如請求項2所述之高頻發射模組，其中該熱解決方案包含一熱電冷卻器。
  6. 如請求項2所述之高頻發射模組，其中該熱解決方案直接附加至該接地平面。
  7. 如請求項1所述之高頻發射模組，其中該跡線從該基板的一第一端延伸至該基板的一第二端。
  8. 如請求項7所述之高頻發射模組，其中該跡線在該基板的該第一端上的一部分藉由一同軸電纜耦合至一功率源。
  9. 如請求項7所述之高頻發射模組，其中該跡線包含在該基板的該第一端處的一第一寬度及在該基板的該第二端處的一第二寬度。
  10. 如請求項7所述之高頻發射模組，其中該跡線包含從該跡線的一主長度向外延伸的一或更多短柱。
  11. 如請求項7所述之高頻發射模組，進一步包含在該基板上的複數個導電墊，其中該等導電墊藉由一或更多開關選擇性地耦合至該跡線。
  12. 如請求項1所述之高頻發射模組，其中該熱保護器配置成在該功率源及該施加器之間提供阻抗匹配。
  13. 一種處理工具，包含： 一處理腔室；及 一模組化高頻發射源，包含： 複數個高頻發射模組，其中各個高頻發射模組包含： 一振盪器模組； 一放大器模組，耦合至該振盪器模組； 一熱保護器，耦合至該放大器模組；及 一施加器，其中該施加器藉由該熱保護器耦合至該放大器模組，且其中該施加器相對於在該處理腔室中於其上處理一或更多基板的一夾盤而定位。
  14. 如請求項13所述之處理工具，其中該熱保護器包含： 一基板； 一跡線，橫跨該基板； 一接地平面；及 一熱解決方案。
  15. 如請求項14所述之處理工具，其中該熱解決方案包含一熱方塊，該熱方塊包含用於流動一液體或氣體冷卻劑的通道。
  16. 如請求項14所述之處理工具，其中該熱解決方案包含一或更多鰭片。
  17. 如請求項14所述之處理工具，其中該熱解決方案包含一熱電冷卻器。
  18. 如請求項14所述之處理工具，其中該熱解決方案直接附加至該接地平面。
  19. 一種用於一高頻電漿源的熱保護器，包含： 一基板，具有一第一表面及相對於該第一表面的一第二表面，其中該基板包含一或更多介電層； 一連接器，耦合至該基板，其中該連接器配置成容納一同軸電纜； 一導電跡線，與該連接器對接，且其中該導電跡線從該連接器延伸朝向與該連接器相對的該基板的一邊緣； 一接地平面，安裝在該基板中，其中該接地平面並未電氣耦合至該導電跡線；及 一熱解決方案，熱耦合至該基板。
  20. 如請求項19所述之熱保護器，其中該熱解決方案包含以下一或更多者：在一熱方塊中的流體通道、鰭片或一熱電冷卻器。
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