TW202044402A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

基板處理裝置及基板處理方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202044402A
TW202044402A TW109100819A TW109100819A TW202044402A TW 202044402 A TW202044402 A TW 202044402A TW 109100819 A TW109100819 A TW 109100819A TW 109100819 A TW109100819 A TW 109100819A TW 202044402 A TW202044402 A TW 202044402A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
processing
wafer
processing liquid
liquid supply
Prior art date
Application number
TW109100819A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI816968B (zh
Inventor
烏野崇
大川理
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TW202044402A publication Critical patent/TW202044402A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI816968B publication Critical patent/TWI816968B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02334—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment in-situ cleaning after layer formation, e.g. removing process residues
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto

Abstract

本發明之目的為在使基板的表面薄化後，一方面去除基板背面的金屬汙染，一方面妥善地蝕刻該基板的表面。 本發明提供一種基板處理裝置，對疊合基板進行處理，該疊合基板係將形成有元件層之第1基板、與第2基板接合而成；該基板處理裝置，具備：固持部，固持該第2基板的背面；處理部，對於由該固持部所固持之該第1基板進行處理；第1處理液供給部，對於該第1基板中之與該元件層為相反側的表面，供給第1處理液，以蝕刻該第1基板的表面；以及第2處理液供給部，對於該第2基板的背面，供給第2處理液，以去除在該第2基板之背面的金屬汙染。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係有關於基板處理裝置及基板處理方法。
於專利文獻1中揭露半導體裝置之製造方法。於此製造方法，藉由研磨半導體基板的第2主表面，而使該半導體基板的厚度，削薄到既定之厚度後，藉由對於經過研磨之半導體基板的第2主表面上噴出既定之化學藥液，而對該第2主表面施行蝕刻處理。 [習知技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2011-060893號公報
[發明所欲解決的問題]
本發明之技術，係使基板的表面薄化後，一方面去除基板背面的金屬汙染，一方面妥善地蝕刻該基板的表面。 [解決問題之技術手段]
本發明之一態樣，係一種基板處理裝置，對疊合基板進行處理，該疊合基板係將形成有元件層之第1基板、與第2基板接合而成；該基板處理裝置，具備：固持部，固持該第2基板的背面；處理部，對於由該固持部所固持之該第1基板進行處理；第1處理液供給部，對於該第1基板中之與該元件層為相反側的表面，供給第1處理液，以蝕刻該第1基板的表面；以及第2處理液供給部，對於該第2基板的背面，供給第2處理液，以去除在該第2基板之背面的金屬汙染。 [發明之效果]
若藉由本發明，在使基板的表面薄化後，一方面去除基板背面的金屬汙染，一方面妥善地蝕刻該基板的表面。
在半導體元件的製程中，例如專利文獻1所揭露的方法般，會對於在背面形成了複數之電路等元件的半導體晶圓(以下稱為「晶圓」)，進行該晶圓表面之研磨加工，而使晶圓薄化。
若研磨晶圓的表面，會在該晶圓的表面形成包含裂縫或傷痕等等的受損層。由於受損層會在晶圓產生殘留應力，導致例如切割晶圓而得的晶片之抗彎強度變弱，而有使晶片產生破裂或缺損之虞。有鑑於此，為了去除受損層，會進行應力消除處理。具體而言，應力消除處理，係例如像專利文獻1所揭露之方法般，藉由對於經過研磨之晶圓的表面噴出既定之化學藥液，以進行該表面之蝕刻處理。
可是，晶圓的表面之研磨加工，係例如以含有氧化鋁等等金屬成分的夾頭以固持晶圓的背面，並在使磨石抵接晶圓表面之狀態下，使晶圓(夾頭)與磨石各自旋轉而進行。在此情況下，由於係以含有金屬成分的夾頭來固持晶圓的背面，所以該背面會被金屬汙染。然後在此狀態下，於進行過上述蝕刻處理後，晶圓會被容納在例如被稱為FOUP(晶圓傳送盒)的卡匣中。如此一來，會有卡匣內部遭受金屬汙染，而影響續處理之虞。
有鑑於此，在將蝕刻處理後的晶圓容納於卡匣之前，需要去除金屬汙染；但於習知技術，例如像專利文獻1所揭露之方法，並未考量到去除該金屬汙染的事宜。
本發明之技術，係在使晶圓的表面薄化後，一方面去除晶圓背面的金屬汙染，一方面妥善地蝕刻該晶圓的表面。以下針對作為本實施形態之基板處理裝置的晶圓處理系統、以及作為基板處理方法的晶圓處理方法，參照圖式以進行說明。又，於本說明書及圖式中，對於實質具有相同功能結構的要素，會藉由標註相同符號，以省略重複說明。
首先，針對第1實施形態之晶圓處理系統的構成，進行說明。圖1係示意性顯示晶圓處理系統1的構成概略的俯視圖。
於晶圓處理系統1，會對於疊合晶圓T進行既定之處理；如圖2及圖3所示，作為疊合基板的疊合晶圓T，接合有作為第1基板的「被處理晶圓W」、以及作為第2基板的「支撐晶圓S」。而在晶圓處理系統1，會使被處理晶圓W薄化。以下，稱呼被處理晶圓W當中，接受加工的那一面(接合於支撐晶圓S的那一面的相反側那一面)為表面Wa，與表面Wa係相反側的那一面則稱為背面Wb。同樣地，稱呼支撐晶圓S當中，接合於被處理晶圓W的那一面為表面Sa，與表面Sa係相反側的那一面則稱為背面Sb。
被處理晶圓W，係例如矽晶圓等等的半導體晶圓，並且在背面Wb形成了包含複數之元件的元件層D。再者，於元件層D則更進一步地形成了氧化膜(未圖示)，例如SiO2 膜(TEOS膜)。又，被處理晶圓W的周緣部We有經過倒角加工，周緣部We的剖面，厚度會朝向其末端變小。再者，周緣部We係在邊緣修整(Edge trimming)被去除的部分，例如係從被處理晶圓W的外邊緣部，沿著直徑方向上的1mm~5mm之範圍。
又，於圖2，為了避免圖示之繁複，而省略了元件層D的圖示。再者，於以下說明所使用之其他圖式，亦同樣會有省略元件層D之圖示的情形。
支撐晶圓S，係支撐被處理晶圓W的晶圓，例如係矽晶圓。在支撐晶圓S的表面Sa，有形成氧化膜(未圖示)。再者，支撐晶圓S，發揮保護元件層D之保護材的功能。又，在支撐晶圓S的表面Sa有形成複數之元件的情況下，會與被處理晶圓W同樣地，在表面Sa形成元件層(未圖示)。
在此，於被處理晶圓W的周緣部We，若被處理晶圓W與支撐晶圓S受到接合，會有無法妥善去除周緣部We之虞。有鑑於此，在被處理晶圓W與支撐晶圓S的界面，形成了接合區域Aa與未接合區域Ab；於接合區域Aa，元件層D與支撐晶圓S之表面Sa有受到接合；未接合區域Ab則為接合區域Aa的直徑方向外側之區域。如此這般，藉由存在著未接合區域Ab，而可以妥善地去除周緣部We。
如圖1所示，晶圓處理系統1，具有將搬入搬出站2與處理站3連接成一體之構成。搬入搬出站2，例如係在與外部之間，搬入或搬出可容納複數之疊合晶圓T的卡匣Ct。處理站3，具備對疊合晶圓T施行既定處理的各種處理裝置。
於搬入搬出站2，設有卡匣載置台10。於圖示之例，在卡匣載置台10，可以將例如3個的複數個卡匣Ct，在Y軸方向排成一列而載置自如。又，卡匣Ct係例如FOUP。再者，載置於卡匣載置台10的卡匣Ct之個數，並不限定於本實施形態，可以任意決定。
於搬入搬出站2，在卡匣載置台10的X軸負方向側，係鄰接著該卡匣載置台10而設置有晶圓搬送裝置20。晶圓搬送裝置20，構成為可在Y軸方向上延伸之搬送路21上移動自如。再者，晶圓搬送裝置20，具有例如2個搬送臂22、22，以固持著疊合晶圓T而加以搬送。各搬送臂22，構成為可在水平方向、鉛直方向、以及繞著水平軸及鉛直軸移動自如。又，搬送臂22的構成並不限定於本實施形態，可採任意構成。然後，晶圓搬送裝置20，構成為可對卡匣載置台10的卡匣Ct、及後述之過渡裝置30，搬送疊合晶圓T。
於搬入搬出站2，係在晶圓搬送裝置20的X軸負方向側，設置著鄰接該晶圓搬送裝置20、而用以傳遞疊合晶圓T的過渡裝置30。
於處理站3，設有例如3個處理區塊G1~G3。第1處理區塊G1、第2處理區塊G2、以及第3處理區塊G3，係依序由X軸正方向側(搬入搬出站2側)排列配置至負方向側。
於第1處理區塊G1，設有：蝕刻裝置40、清洗裝置41、及晶圓搬送裝置50。蝕刻裝置40與清洗裝置41，係疊層而配置。又，蝕刻裝置40與清洗裝置41的數量或配置，並不限定於此。例如，蝕刻裝置40與清洗裝置41，亦可係各自在X軸方向上延伸，而於俯視觀察下係並排載置。更進一步地，這些蝕刻裝置40與清洗裝置41，亦可各自疊層。
蝕刻裝置40，對於經過後述之加工裝置80研磨之被處理晶圓W的表面Wa，進行蝕刻處理。蝕刻裝置40的具體構成，留待後述。
清洗裝置41，對於經過後述之加工裝置80研磨之被處理晶圓W的表面Wa，進行清洗。例如將刷具抵接於表面Wa，以刷洗該表面Wa。又，於表面Wa之清洗，亦可使用經過加壓的清洗液。再者，清洗裝置41，亦可具有與被處理晶圓W的表面Wa一併清洗支撐晶圓S之背面Sb的構成。
晶圓搬送裝置50，例如係相對於蝕刻裝置40與清洗裝置41而配置於Y軸負方向側。晶圓搬送裝置50，具有例如2個搬送臂51、51，以固持著疊合晶圓T而加以搬送。各搬送臂51，構成為可在水平方向、鉛直方向、以及繞著水平軸及鉛直軸移動自如。又，搬送臂51的構成並不限定於本實施形態，可採任意構成。然後，晶圓搬送裝置50，構成為可對過渡裝置30、蝕刻裝置40、清洗裝置41、及後述之改質裝置60，搬送疊合晶圓T。
於第2處理區塊G2，設有：改質裝置60、周緣去除裝置61、及晶圓搬送裝置70。改質裝置60與周緣去除裝置61，係疊層配置。又，改質裝置60與周緣去除裝置61的數量或配置，並不限定於此。
改質裝置60，對於被處理晶圓W的內部照射雷射光，以形成周緣改質層、分割改質層、及內部面改質層。改質裝置60的具體構成，留待後述。
周緣去除裝置61，係以改質裝置60所形成之周緣改質層為基點，而去除被處理晶圓W的周緣部We。周緣去除裝置61的具體構成，留待後述。
晶圓搬送裝置70，例如係相對於改質裝置60與周緣去除裝置61，而配置於Y軸正方向側。晶圓搬送裝置70，具有例如2個搬送臂71、71，以固持著疊合晶圓T而加以搬送。各搬送臂71，受到多關節的臂體構件72支撐，而構成為可在水平方向、鉛直方向、以及繞著水平軸及鉛直軸移動自如。搬送臂71的具體構成，留待後述。然後，晶圓搬送裝置70，構成為可對清洗裝置41、改質裝置60、周緣去除裝置61、及後述之加工裝置80，搬送疊合晶圓T。
於第3處理區塊G3，設有：作為加工部的加工裝置80。又，加工裝置80的數量或配置，並不限定於本實施形態，亦可任意地配置複數之加工裝置80。
加工裝置80，研磨被處理晶圓W的表面Wa。然後，在有形成內部面改質層的表面Wa，去除該內部面改質層，並更進一步地去除周緣改質層。
加工裝置80，具有旋轉台81。旋轉台81，構成為藉由旋轉機構(未圖示)，而以鉛直之旋轉中心線82為中心，旋轉自如。於旋轉台81上，設有作為固持部的2個夾頭83，以吸附固持疊合晶圓T。夾頭83，係在與旋轉台81相同之圓周上均等地配置。2個夾頭83，藉由旋轉台81之旋轉，而可移動至傳遞位置A0及加工位置A1。再者，2個夾頭83係構成為各自可藉由旋轉機構(未圖示)而繞鉛直軸旋轉。又，夾頭83係例如含有氧化鋁等等的金屬成分。
於傳遞位置A0，會進行疊合晶圓T的傳遞。於加工位置A1，配置有研磨單元84。於研磨單元84，對被處理晶圓W的表面Wa進行研磨。研磨單元84具有研磨部85，其具備環形且可旋轉自如的磨石(未圖示)。磨石係例如含有金屬成分。再者，研磨部85，係構成為可沿著支柱86而在鉛直方向上移動。然後，在使夾頭83所固持之被處理晶圓W的表面Wa抵接著磨石的狀態下，使夾頭83與磨石各自旋轉，而對表面Wa進行研磨。
於以上之晶圓處理系統1，設有作為控制部的控制裝置90。控制裝置90，係例如電腦，其具有程式儲存部(未圖示)。於程式儲存部，儲存著控制在晶圓處理系統1中之疊合晶圓T之處理的程式。再者，於程式儲存部，亦儲存著用以控制上述各種處理裝置或搬送裝置等等驅動系統之動作，以實現在晶圓處理系統1之後述基板處理的程式。又，上述程式，亦可係記錄在電腦可讀取之記錄媒體H，而從該記錄媒體H安裝至控制裝置90。
接著，針對上述蝕刻裝置40，進行說明。圖4係顯示蝕刻裝置40的構成概略的縱剖面圖。
蝕刻裝置40，具有固持疊合晶圓T的固持機構100。固持機構100，具有：直徑大於疊合晶圓T之大致圓板狀的基座101、以及設在基座101之外周部的複數之固持構件102。於圖5所示之固持構件102的側面，有形成供支撐晶圓S之外緣部嵌入的凹陷部102a。然後，藉由圖4所示之複數之固持構件102，以固持疊合晶圓T的支撐晶圓S。又，各固持構件102，構成為藉由移動機構(未圖示)而在水平方向移動自如。
於基座101的中央部，設有旋轉機構103。旋轉機構103係連接至旋轉驅動部(未圖示)，而構成為藉由該旋轉機構103，以使基座101、及基座101所固持之疊合晶圓T旋轉自如。又，旋轉機構103係構成為中空。
在基座101之上方，設有作為第1處理液供給部的第1噴嘴110。第1噴嘴110，受到噴嘴臂111支撐；而在噴嘴臂111則設有移動機構112。第1噴嘴110，藉由移動機構112而構成為可旋轉自如，又構成為可在鉛直方向上移動自如。
於第1噴嘴110，連接著對被處理晶圓W的表面Wa供給作為第1處理液之蝕刻液、以及沖洗液的供給管113。供給管113，在與第1噴嘴110係相反側之處，分枝成蝕刻液供給管114與沖洗液供給管115。
於蝕刻液供給管114，連接著在內部貯藏有蝕刻液的蝕刻液供給源116。作為蝕刻液，例如使用HF(氫氟酸)、HNO3 (硝酸)等等的硝酸氫氟酸類的液體。再者，於蝕刻液供給管114，設有控制蝕刻液之供給的閥117。藉由此蝕刻液，以蝕刻被處理晶圓W的表面Wa。再者，藉由此蝕刻液，以去除被處理晶圓W的表面Wa之金屬汙染。
於沖洗液供給管115，連接著在內部貯藏有沖洗液(例如純水)的沖洗液供給源118。再者，於沖洗液供給管115，設有控制沖洗液之供給的閥119。又，供給沖洗液之噴嘴，亦可係在第1噴嘴110之外另行設置。
於基座101的下方，設有作為第2處理液供給部的第2噴嘴120。第2噴嘴120，設置成從構成中空之旋轉機構103突出。
於第2噴嘴120，連接著對支撐晶圓S的背面Sb供給作為第2處理液之清洗液及沖洗液的供給管121。供給管121，插穿在旋轉機構103的內部，並在與第2噴嘴120係相反側之處，分枝成清洗液供給管122與沖洗液供給管123。
於清洗液供給管122，連接著在內部貯藏有清洗液的清洗液供給源124。作為清洗液，例如使用FPM(氫氟酸/過氧化氫/水溶液)、SC2(鹽酸/過氧化氫/水溶液)等等。再者，於清洗液供給管122，設有控制清洗液之供給的閥125。藉由此清洗液，以去除支撐晶圓S的背面Sb之金屬汙染。
於沖洗液供給管123，連接著在內部貯藏有沖洗液(例如純水)的沖洗液供給源126。再者，於沖洗液供給管123，設有控制沖洗液之供給的閥127。又，供給沖洗液之噴嘴，亦可係在第2噴嘴120之外另行設置。
於固持機構100的周圍，設有杯體130，以承接從疊合晶圓T飛散或落下之液體而加以回收。於杯體130的底面，連接著將所回收之液體加以排出的排出管131、以及將杯體130內的氣雰氣體抽真空而加以排出的排氣管132。
接著，針對上述改質裝置60，進行說明。圖6係顯示改質裝置60的構成概略的俯視圖。圖7係顯示改質裝置60的構成概略的側視圖。
改質裝置60，具有作為固持部的夾頭140，其以頂面固持疊合晶圓T。夾頭140，係以被處理晶圓W為上側、以支撐晶圓S為下側而配置之狀態，吸附固持該支撐晶圓S。夾頭140含有例如氧化鋁等等的金屬成分。夾頭140，隔著氣體軸承141，而受到滑動台142支撐。在滑動台142的底面側，設有旋轉機構143。旋轉機構143，內建有例如馬達以作為驅動源。夾頭140，構成為隔著氣體軸承141而可藉由旋轉機構143，繞鉛直軸旋轉自如。滑動台142，構成為藉由設在其底面側的移動機構144，而可沿著設於基台146並在Y軸方向上延伸的軌道145移動。又，移動機構144的驅動源並無特別限定，例如可使用線性馬達。
在夾頭140上方，設有作為改質部的雷射頭150。雷射頭150，具有透鏡151。透鏡151，係設在雷射頭150底面的筒狀構件，對於夾頭140所固持之被處理晶圓W照射雷射光。
雷射頭150，將雷射光振盪器(未圖示)所產生之高頻的脈衝狀雷射光、且係對被處理晶圓W具有穿透性之波長的雷射光，集光並照射至被處理晶圓W之內部的既定位置。藉此，在被處理晶圓W之內部而為雷射光所集光之部分會改質，而形成周緣改質層、分割改質層、以及內部面改質層。
雷射頭150，受到支撐構件152支撐。雷射頭150，構成為沿著在鉛直方向上延伸之軌道153，而可藉由升降機構154升降自如。再者，雷射頭150，構成為可藉由移動機構155而在Y軸方向上移動自如。又，升降機構154及移動機構155，各自受到支撐柱156支撐。
在夾頭140上方、且係雷射頭150的Y軸正方向側，設有巨觀照相機160與微觀照相機161。例如，巨觀照相機160與微觀照相機161係構成為一體，而巨觀照相機160係配置於微觀照相機161的Y軸正方向側。巨觀照相機160與微觀照相機161，係構成為藉由升降機構162而可升降自如，更進一步地藉由移動機構163而可在Y軸方向上移動自如。
巨觀照相機160，拍攝被處理晶圓W(疊合晶圓T)的外側邊緣部。巨觀照相機160，例如具備同軸透鏡，照射例如係紅色光的可視光，再接收來自對象物的反射光。又，例如，巨觀照相機160的拍攝倍率係2倍。
微觀照相機161，拍攝被處理晶圓W的周緣部，並拍攝接合區域Aa與未接合區域Ab的境界。微觀照相機161，例如具備同軸透鏡，照射紅外線(IR光)，再接收來自對象物的反射光。又，例如，微觀照相機161的拍攝倍率係10倍，視野則為巨觀照相機160的約1/5，畫素尺寸是巨觀照相機160的約1/5。
接著，針對上述周緣去除裝置61，進行說明。圖8係顯示周緣去除裝置61的構成概略的俯視圖。圖9係顯示周緣去除裝置61的構成概略的側視圖。
周緣去除裝置61，具有夾頭170，其以頂面固持疊合晶圓T。夾頭170，係以被處理晶圓W為上側、以支撐晶圓S為下側而配置之狀態，吸附固持該支撐晶圓S。再者，夾頭170，構成為藉由旋轉機構171而可繞鉛直軸旋轉。
在夾頭170上方，設有固持被處理晶圓W之周緣部We而加以移送的吸附墊180。於吸附墊180，連接著例如真空泵等等的吸引機構(未圖示)，吸附墊180係以其底面吸附固持周緣部We。於吸附墊180設有：使吸附墊180在鉛直方向上升降的升降機構181、以及使吸附墊180在水平方向(X軸方向及Y軸方向)上移動的移動機構182。
於夾頭170上方，設有偵測部190，用以確認是否已從被處理晶圓W去除了周緣部We。偵測部190，由夾頭170所固持，並且在已去除了周緣部We的被處理晶圓W，偵測有無周緣部We。作為偵測部190，例如係使用感測器。感測器，例如係線型的雷射位移計，藉由對疊合晶圓T(被處理晶圓W)的周緣部照射雷射以測定該疊合晶圓T之厚度，而偵測有無周緣部We。又，偵測部190偵測有無周緣部We的方法並不限定於此。例如作為偵測部190，亦可藉由使用例如線陣相機來拍攝疊合晶圓T(被處理晶圓W)，以偵測有無周緣部We。
又，於夾頭170下方，設有將吸附墊180所移送之周緣部We加以回收的回收部(未圖示)。回收部，容納吸附墊180所吸附固持之周緣部We而加以回收。
接著，針對作為上述晶圓搬送裝置70之分離部的搬送臂71，進行說明。圖10係顯示搬送臂71的構成概略的縱剖面圖。
搬送臂71，具有圓板狀的吸附板200，其所具有的直徑，大於疊合晶圓T。於吸附板200的底面，設有固持住被處理晶圓W之中央部Wc的固持部210。
於固持部210，連接著吸引中央部Wc的吸引管211，吸引管211則連通至例如真空泵等等的吸引機構212。於吸引管211，設有測定吸引壓力的壓力感測器213。壓力感測器213的構成雖係任意，但例如可使用隔膜式的壓力計。
於吸附板200的頂面，設有使該吸附板200繞鉛直軸旋轉的旋轉機構220。旋轉機構220，受到支撐構件221支撐。再者，支撐構件221(旋轉機構220)，受到臂體構件72支撐。
接著，針對使用如上構成之晶圓處理系統1所進行的晶圓處理，進行說明。圖11係顯示晶圓處理的主要步驟的流程圖。圖12係晶圓處理的主要步驟的說明圖。又，於本實施形態，係在晶圓處理系統1外部的接合裝置(未圖示)，將被處理晶圓W與支撐晶圓S加以接合，而預先形成疊合晶圓T。
首先，將收納著複數片如圖12(a)所示之疊合晶圓T的卡匣Ct，載置於搬入搬出站2的卡匣載置台10。
接著，以晶圓搬送裝置20取出卡匣Ct內的疊合晶圓T，再搬送至過渡裝置30。接下來，以晶圓搬送裝置50取出過渡裝置30的疊合晶圓T，再搬送至改質裝置60。於改質裝置60，如圖12(b)所示，會於被處理晶圓W內部依序形成周緣改質層M1與分割改質層M2(圖11的步驟程序A1、A2)，更進一步地如圖12(c)所示，形成內部面改質層M3(圖11的步驟程序A3)。周緣改質層M1，係於邊緣修整時，作為去除周緣部We之際的基點。分割改質層M2，係為了使所去除之周緣部We碎片化的基點。內部面改質層M3，係為了使被處理晶圓W薄化的基點。
首先，從晶圓搬送裝置50搬入疊合晶圓T，並以夾頭140固持。接著，將夾頭140移動至巨觀對位位置。巨觀對位位置，係巨觀照相機160可以拍攝被處理晶圓W之外側邊緣部的位置。
接著，藉由巨觀照相機160，拍攝在被處理晶圓W之圓周方向360度上的外側邊緣部的影像。所拍攝之影像，會從巨觀照相機160輸出至控制裝置90。
於控制裝置90，會由巨觀照相機160的影像，計算夾頭140之中心Cc與被處理晶圓W之中心Cw的第1偏心量。更進一步地，於控制裝置90，會根據第1偏心量，計算夾頭140的移動量，以校正該第1偏心量之Y軸成分。夾頭140，根據此算出之移動量而在Y軸方向移動，以使夾頭140移動至微觀對位位置。微觀對位位置，係微觀照相機161可以拍攝被處理晶圓W之周緣部的位置。在此，如上所述，由於微觀照相機161之視野，小至巨觀照相機160的約1/5，所以若不校正第1偏心量的Y軸成分，則被處理晶圓W的周緣部會有無法進入微觀照相機161的視界角，而使微觀照相機161無法拍攝到的情形。因此，根據第1偏心量以校正Y軸成分，也可說是為了使夾頭140移動至微觀對位位置。
接著，以微觀照相機161，拍攝在被處理晶圓W之圓周方向360度上的接合區域Aa與未接合區域Ab的境界。所拍攝之影像，會從微觀照相機161輸出至控制裝置90。
於控制裝置90，會由微觀照相機161的影像，計算夾頭140之中心Cc與接合區域Aa之中心Ca的第2偏心量。更進一步地，於控制裝置90，會根據第2偏心量，決定夾頭140相對於周緣改質層M1的位置，以使接合區域Aa之中心與夾頭140之中心一致。
接著，如圖13及圖14所示，從雷射頭150照射雷射光L1(周緣用雷射光L1)，以在被處理晶圓W的周緣部We與中央部Wc的境界，形成周緣改質層M1(圖11的步驟程序A1)。又，周緣改質層M1，係形成在比起接合區域Aa的外側邊緣部更為偏向直徑方向內側處。
以上述雷射光L1形成之周緣改質層M1，具有在厚度方向上延伸的縱長之高寬比。周緣改質層M1的下端，位在比起薄化後之被處理晶圓W的目標表面(圖13中的虛線)更為上方處。亦即，周緣改質層M1的下端與被處理晶圓W的背面Wb之間的距離H1，大於薄化後之被處理晶圓W的目標厚度H2。在此情況下，於薄化後之被處理晶圓W，不會有周緣改質層M1殘留。又，於被處理晶圓W的內部，會有裂縫C1從周緣改質層M1推進，而到達表面Wa與背面Wb。
於步驟程序A1，會藉由旋轉機構143旋轉夾頭140，同時藉由移動機構144使夾頭140在Y軸方向移動，以配合控制裝置90所決定之夾頭140的位置，而使接合區域Aa的中心與夾頭140的中心一致。此時，會使夾頭140的旋轉與Y軸方向的移動同步。
然後，如此這般，一邊使夾頭140(被處理晶圓W)旋轉及移動，一邊從雷射頭150對被處理晶圓W的內部照射雷射光L1。亦即，係一邊校正第2偏心量，一邊形成周緣改質層M1。如此一來，周緣改質層M1，就會與接合區域Aa呈同心圓狀地形成為環狀。亦即，可以使得圖13所示之周緣改質層M1與接合區域Aa的外側邊緣部間之距離D維持固定。因此，之後在周緣去除裝置61，能以周緣改質層M1為基點，妥善地去除周緣部We。
又，於本例中，在第2偏心量具備X軸成分的情況下，會使夾頭140在Y軸方向移動，同時使夾頭140旋轉，以校正該X軸成分。另一方面，在第2偏心量不具備X軸成分的情況下，亦可不旋轉夾頭140，而僅使其在Y軸方向移動。
接著，使雷射頭150在Y軸方向移動，如圖13及圖14所示，從雷射頭150照射雷射光L2(分割用雷射光L2)，而在周緣改質層M1的直徑方向外側，形成分割改質層M2(圖11的步驟程序A2)。
分割改質層M2亦與周緣改質層M1同樣地，具有在厚度方向上延伸的縱長之高寬比。又，於本實施形態，分割改質層M2係形成為與周緣改質層M1高度相同。再者，會有裂縫C2從分割改質層M2推進，而到達表面Wa與背面Wb。
再者，藉由使分割改質層M2及裂縫C2在直徑方向上以數μm的間距形成複數個，如圖14所示，會形成從周緣改質層M1朝向直徑方向外側延伸之1條線的分割改質層M2。又，於圖示的例子，雖然朝向直徑方向延伸之線條狀的分割改質層M2形成於八處，但此分割改質層M2的數量為任意。只要至少形成兩處分割改質層M2，就可以去除周緣部We。在此情況下，於邊緣修整以去除周緣部We之際，該周緣部We，會以環狀之周緣改質層M1為基點分離，同時藉由分割改質層M2而分割成複數個。如此一來，要去除之周緣部We就會碎片化，而可以更容易地去除。又，此周緣部We之去除(所謂的邊緣修整)，係為了避免研磨後之被處理晶圓W的周緣部We變成尖銳的形狀(所謂的刀刃狀)而進行。
又，於本實施形態，在形成分割改質層M2之際，係使雷射頭150在Y軸方向移動，但亦可係使夾頭140在Y軸方向移動。
接著，如圖15及圖16所示，從雷射頭150照射雷射光L3(內部面用雷射光L3)，沿著平面方向而形成內部面改質層M3(圖11的步驟程序A3)。又，圖16所示之實心箭頭代表夾頭140的旋轉方向，於以下說明中亦同。
內部面改質層M3的下端，位在薄化後之被處理晶圓W的目標表面(圖15中的虛線)的稍微上方。亦即，內部面改質層M3的下端與被處理晶圓W的背面Wb之間的距離H3，稍微大於薄化後之被處理晶圓W的目標厚度H2。又，於被處理晶圓W的內部，會有裂縫C3，從內部面改質層M3在平面方向上推進。
於步驟程序A3，會使夾頭140(被處理晶圓W)旋轉，同時一邊使雷射頭150從被處理晶圓W的外周部朝向中心部在Y軸方向上移動，一邊從雷射頭150對被處理晶圓W的內部照射雷射光L3。如此一來，內部面改質層M3，會在被處理晶圓W的平面內，從外側朝向內側螺旋狀地形成。
又，於本實施形態，在形成內部面改質層M3之際，係使雷射頭150在Y軸方向移動，但亦可係使夾頭140在Y軸方向移動。再者，在形成內部面改質層M3之際，係使夾頭140旋轉，但亦可使雷射頭150移動，而使雷射頭150相對於夾頭140旋轉。
接著，一旦在被處理晶圓W形成了內部面改質層M3，就以晶圓搬送裝置70將疊合晶圓T搬出。
接著，以晶圓搬送裝置70將疊合晶圓T搬送至周緣去除裝置61。於周緣去除裝置61，係如圖12(d)所示，以周緣改質層M1為基點，去除被處理晶圓W的周緣部We(圖11的步驟程序A4)。於步驟程序A4，在藉由升降機構181使吸附墊180下降以吸附固持周緣部We後，再使吸附墊180上升。如此一來，吸附墊180所固持之周緣部We，就會以周緣改質層M1為基點，而從被處理晶圓W分離。此時，會以分割改質層M2為基點，而使周緣部We碎片化並分離。又，被去除掉的周緣部We，會從吸附墊180而被回收至回收部(未圖示)。
接著，以晶圓搬送裝置70將疊合晶圓T搬送至加工裝置80。於加工裝置80，首先，將疊合晶圓T從搬送臂71傳遞至傳遞位置A0的夾頭83。此時，以圖12(e)所示之內部面改質層M3為基點，而使得被處理晶圓W的表面Wa側(以下稱為「表面晶圓Wa1」)分離(圖11的步驟程序A5)。
於步驟程序A5，以搬送臂71的吸附板200吸附固持被處理晶圓W，同時以夾頭83吸附固持支撐晶圓S。然後，使吸附板200旋轉，並以內部面改質層M3為境界，使表面晶圓Wa1脫離。之後，在吸附板200吸附固持表面晶圓Wa1之狀態下，使該吸附板200上升，而將表面晶圓Wa1從被處理晶圓W分離。此時，藉由以壓力感測器213測定對表面晶圓Wa1進行吸引之壓力，以偵測有無表面晶圓Wa1，而可以確認表面晶圓Wa1是否已從被處理晶圓W分離。又，已分離之表面晶圓Wa1，會被回收到晶圓處理系統1的外部。
接下來，使夾頭83移動至加工位置A1。然後，藉由研磨單元84，如圖12(f)所示，對夾頭83所固持之被處理晶圓W的表面Wa進行研磨，以去除殘留在該表面Wa的內部面改質層M3與周緣改質層M1(圖11的步驟程序A6)。於步驟程序A6，在以磨石抵接表面Wa的狀態下，使被處理晶圓W與磨石各自旋轉，以研磨表面Wa。又，之後，亦可使用清洗液噴嘴(未圖示)，而以清洗液清洗被處理晶圓W的表面Wa。
接著，以晶圓搬送裝置70將疊合晶圓T搬送至清洗裝置41。於清洗裝置41，刷洗作為被處理晶圓W之研磨面的表面Wa(圖11的步驟程序A7)。又，於清洗裝置41，亦可使支撐晶圓S的背面Sb，與被處理晶圓W的表面Wa一併被清洗。
接著，以晶圓搬送裝置50將疊合晶圓T搬送至蝕刻裝置40。於蝕刻裝置40，蝕刻被處理晶圓W的表面Wa之同時，去除支撐晶圓S的背面Sb之金屬汙染(圖11的步驟程序A8)。於步驟程序A8，首先，將疊合晶圓T從晶圓搬送裝置50傳遞至固持機構100，而加以固持。
接著，在藉由旋轉機構103以使固持機構100所固持之疊合晶圓T旋轉的狀態下，從第1噴嘴110對被處理晶圓W的表面Wa供給蝕刻液E1。在此情況下，會以蝕刻液E1來蝕刻被處理晶圓W的表面Wa。在藉由上述加工裝置80研磨過的表面Wa，會形成受損層。針對此點，藉由對表面Wa進行濕蝕刻，去除受損層，而可去除應力(stress)，可使表面Wa平滑化。在此，於藉由上述加工裝置80研磨表面Wa之際，由於係以含有金屬成分之夾頭83固持支撐晶圓S的背面Sb，所以有時會有金屬之汙染物產生，而蔓延到表面Wa的情形。再者，由於係以含有金屬成分之磨石進行研磨，所以還是會有金屬附著在表面Wa的情形。更進一步地，於改質裝置60亦同，由於係以含有金屬成分之夾頭140固持支撐晶圓S的背面Sb，所以有時會有金屬之汙染物產生，而蔓延到表面Wa的情形。針對此點，被處理晶圓W的表面Wa之金屬汙染，亦可藉由蝕刻液E1去除。
再者，從第1噴嘴110對被處理晶圓W的表面Wa供給蝕刻液E1之同時，會從第2噴嘴120對支撐晶圓S的背面Sb供給清洗液E2。如上所述，以加工裝置80研磨表面Wa之際，係以含有金屬成分之夾頭83固持背面Sb，所以該背面Sb會被金屬汙染。再者，於改質裝置60亦同，由於係以含有金屬成分之夾頭140固持支撐晶圓S的背面Sb，所以該背面Sb會被金屬汙染。相對於此，支撐晶圓S的背面Sb之金屬汙染，可藉由清洗液E2去除。
然後此時，如圖17所示，於疊合晶圓T的側邊，較佳係使蝕刻液E1不會到達元件層D，而清洗液E2會到達元件層D。具體而言，從第2噴嘴120所供給之清洗液E2的供給量，亦可比從第1噴嘴110所供給之蝕刻液E1的供給量更多。在此情況下，可以抑制元件層D被蝕刻液E1蝕刻的情形，而可以保護元件層D。
又，於本實施形態，係使蝕刻液E1進行表面Wa之蝕刻的時間、與清洗液E2進行背面Sb之金屬汙染去除的時間相同。具體而言，例如藉由調節蝕刻液E1與清洗液E2的各自之濃度或溫度，以調節上述時間。然後，使得表面Wa之蝕刻與背面Sb之金屬汙染去除的開始時間點與結束時間點相同。
接著，一旦表面Wa之蝕刻與背面Sb之金屬汙染去除結束，就在以旋轉機構103維持疊合晶圓T之旋轉的狀態下，從第1噴嘴110對表面Wa供給沖洗液，同時從第2噴嘴120對背面Sb供給沖洗液。然後，使得表面Wa之沖洗與背面Sb之沖洗同時進行。之後，更進一步地以旋轉機構103維持疊合晶圓T之旋轉，以甩掉沖洗液而加以乾燥。
之後，施行過所有處理的疊合晶圓T，就以晶圓搬送裝置50搬送至過渡裝置30，更進一步地以晶圓搬送裝置20搬送至卡匣載置台10的卡匣Ct。如此一來，在晶圓處理系統1的一連串晶圓處理就結束了。
若藉由以上實施形態，於步驟程序A8，會以蝕刻液E1進行被處理晶圓W的表面Wa之蝕刻，以及以清洗液E2進行支撐晶圓S的背面Sb之金屬汙染去除。故而，可以使得進行過步驟程序A8後的疊合晶圓T成為清淨的狀態，再回到卡匣Ct。其結果，可以抑制卡匣Ct內受到金屬汙染的情形，而可以妥善地進行後續的處理。再者，也不再需要更換卡匣Ct等等這麼費工了。
在此，由於在習知技術，係進行表面Wa之蝕刻再回到卡匣Ct，然後再到晶圓處理系統1的外部進行清洗，而導致晶圓處理的的產出量低落。關於此點，由於在本實施形態，於蝕刻裝置40，除了表面Wa之蝕刻以外，還會進行到背面Sb之金屬汙染之去除，所以可以提升晶圓處理的產出量。
再者，於步驟程序A8，由於以蝕刻液E1進行之蝕刻、以及以清洗液E2進行之金屬汙染去除，係同時進行，所以可以更進一步地提升晶圓處理的產出量。又，蝕刻與金屬汙染去除之同時進行並非必要，亦可係例如連續進行。
更進一步地，於步驟程序A8，由於係使得以蝕刻液E1進行蝕刻的結束時間點、以及以清洗液E2進行金屬汙染去除的結束時間點相同，所以使得之後的沖洗處理可以同時進行。其結果，可以更進一步地提升晶圓處理的產出量。
又，於以上實施形態，係使得以蝕刻液E1進行蝕刻的時間、以及以清洗液E2進行金屬汙染去除的時間相同，並使得各自的結束時間點相同；但這些蝕刻時間與金屬汙染去除時間亦可不同。在此情況下，藉由錯開蝕刻與金屬汙染去除的開始時間點，而可以使得結束時間點相同。具體而言，係配合蝕刻時間，以控制從第2噴嘴120供給清洗液E2的開始時間點。如此這般，藉由使得蝕刻時間固定，而可以防止表面Wa的過度蝕刻。
於以上實施形態，作為蝕刻液E1，係使用例如HF、HNO3 等等的硝酸氫氟酸類液體，亦即使用酸性蝕刻液；但亦可使用例如TMAH(四甲基氫氧化銨)、Choline(膽鹼)、KOH(氫氧化鉀)等等的鹼性蝕刻液。要使用酸性或鹼性蝕刻液的哪一種，可視要將被處理晶圓W的表面Wa蝕刻至何種程度來選擇。
例如，在表面Wa的目標蝕刻高度，比起元件層D之頂面高得夠多的情況下，如上述實施形態般，僅使用酸性蝕刻液為佳。由於酸性蝕刻液的蝕刻速度快，所以可以縮短蝕刻所需時間。
另一方面，例如在表面Wa的目標蝕刻高度，接近元件層D之頂面的情況下，亦可在使用酸性蝕刻液後，再切換成鹼性蝕刻液。假如僅以酸性蝕刻液來蝕刻表面Wa，則由於蝕刻速度很快，所以會有過度蝕刻、而連元件層D都被蝕刻之虞。有鑑於此，藉由以酸性蝕刻液將表面Wa蝕刻到一定程度後，就切換成鹼性蝕刻再進行蝕刻，而可以防止該過度蝕刻。
又，在如此這般使用鹼性蝕刻液的情況下，如圖18(a)所示，亦可在被處理晶圓W的背面Wb與元件層D之間，形成保護元件層D的保護膜P。作為保護膜P，例如使用氧化膜，鹼性蝕刻液就不會蝕刻掉保護膜P。在此情況下，如圖18(b)所示，即使將表面Wa蝕刻到逼近元件層D之頂面的地步，也能藉由保護膜P而防止蝕刻液到達元件層D的情形。
又，不論表面Wa的目標蝕刻高度係在上述之哪一種情形，亦可僅使用鹼性蝕刻液來蝕刻表面Wa。
於以上實施形態，亦可在步驟程序A6研磨表面Wa後、以及在步驟程序A8進行表面Wa之蝕刻與背面Sb之金屬汙染去除前，清洗支撐晶圓S的周緣部。支撐晶圓S的周緣部之清洗，例如係使用圖19所示之周緣清洗裝置230來進行。周緣清洗裝置230，係在例如第1處理區塊G1，疊層於蝕刻裝置40與清洗裝置41而設置。
周緣清洗裝置230，具有作為周緣去除部的上方噴嘴231與下方噴嘴232。上方噴嘴231，係由上方對支撐晶圓S的周緣部供給清洗液。下方噴嘴232，係由下方對支撐晶圓S的周緣部供給清洗液。上方噴嘴231與下方噴嘴232，各自連通至在內部貯藏有清洗液的清洗液供給源(未圖示)。
再者，周緣清洗裝置230，具有使疊合晶圓T旋轉並加以固持的旋轉夾頭(未圖示)。然後，在疊合晶圓T被固持於旋轉夾頭而旋轉的狀態下，從上方噴嘴231與下方噴嘴232對支撐晶圓S的周緣部供給清洗液，以清洗該周緣部。又，使用完畢的清洗液，會以設在旋轉夾頭之周圍的杯體(未圖示)而加以回收。
例如，在步驟程序A8使用清洗液E2而對背面Sb進行金屬汙染去除之際，清洗液E2會有不蔓延到支撐晶圓S的周緣部，而未能充分去除該周緣部之金屬汙染的情形。即使在此情況下，於周緣清洗裝置230，亦能妥善地去除支撐晶圓S的周緣部之金屬汙染。
接著，針對第2實施形態之晶圓處理系統的構成，進行說明。圖20係示意性顯示晶圓處理系統300的構成概略的俯視圖。圖21係顯示晶圓處理的主要步驟的流程圖。
圖20所示之晶圓處理系統300，係由第1實施形態之晶圓處理系統1的構成，省略了加工裝置80。
於圖21所示之晶圓處理系統300，係依序進行：周緣改質層M1之形成(圖21的步驟程序B1)、分割改質層M2之形成(圖21的步驟程序B2)、內部面改質層M3之形成(圖21的步驟程序B3)、周緣部We之去除(圖21的步驟程序B4)、表面晶圓Wa1之分離(圖21的步驟程序B5)、以及表面Wa之清洗(圖21的步驟程序B6)。這些步驟程序B1~B6，各自與第1實施形態的步驟程序A1~A5、A7相同。
接著，於蝕刻裝置40，以蝕刻液E1進行表面Wa之蝕刻、以及以清洗液E2進行背面Sb之金屬汙染去除(圖21的步驟程序B7)。在此，於晶圓處理系統300，省略了第1實施形態之中在步驟程序A6的被處理晶圓W的表面Wa之研磨；而在步驟程序B7，該研磨分量的表面Wa之薄化，亦係以蝕刻液E1之蝕刻來進行。
於本第2實施形態，亦可獲得與上述第1實施形態同樣的效果。
接著，針對第3實施形態之晶圓處理系統的構成，進行說明。圖22係示意性顯示晶圓處理系統400的構成概略的俯視圖。
於晶圓處理系統400，在薄化被處理晶圓W的表面Wa之際，係取代如第1實施形態般形成內部面改質層M3再分離表面晶圓Wa1的情形，而研磨表面Wa。具體而言，晶圓處理系統400之構成，具備加工裝置410，以取代第1實施形態之晶圓處理系統1的加工裝置80。
加工裝置410，研磨被處理晶圓W的表面Wa。加工裝置410，具有：旋轉台420、粗研磨單元430、中磨單元440、以及精研磨單元450。
旋轉台420，係構成為藉由旋轉機構(未圖示)，而以鉛直之旋轉中心線421為中心，旋轉自如。於旋轉台420上，設有作為固持部的4個夾頭422，以吸附固持疊合晶圓T。夾頭422，係在與旋轉台420相同之圓周上均等地配置，亦即每90度設置一個。4個夾頭422，藉由旋轉台420之旋轉，而可移動至傳遞位置A0及加工位置A1~A3。再者，4個夾頭422係構成為各自可藉由旋轉機構(未圖示)而繞鉛直軸旋轉。又，夾頭422係例如含有氧化鋁等等的金屬成分。
於本實施形態，傳遞位置A0，係位在旋轉台420之X軸正方向側、並且係在Y軸正方向側，而進行疊合晶圓T之傳遞。第1加工位置A1，係位在旋轉台420之X軸負方向側、並且係在Y軸正方向側，而配置有粗研磨單元430。第2加工位置A2，係位在旋轉台420之X軸負方向側、並且係在Y軸負方向側，而配置有中磨單元440。第3加工位置A3，係位在旋轉台420之X軸正方向側、並且係在Y軸負方向側，而配置有精研磨單元450。
於粗研磨單元430，對被處理晶圓W的表面Wa進行粗研磨。粗研磨單元430具有粗研磨部431，其具備環形且可旋轉自如的粗研磨石(未圖示)。粗研磨石係例如含有金屬成分。再者，粗研磨部431，係構成為可沿著支柱432而在鉛直方向上移動。然後，在使夾頭422所固持之被處理晶圓W的表面Wa抵接著粗研磨石的狀態下，使夾頭422與粗研磨石各自旋轉，而對表面Wa進行粗研磨。
於中磨單元440，對被處理晶圓W的表面Wa進行中磨。中磨單元440具有中磨部441，其具備環形且可旋轉自如的中磨石(未圖示)。中磨石係例如含有金屬成分。再者，中磨部441，係構成為可沿著支柱442而在鉛直方向上移動。又，中磨石之磨粒的粒度，小於粗研磨石之磨粒的粒度。然後，在使夾頭422所固持之被處理晶圓W的表面Wa抵接著中磨石的狀態下，使夾頭422與中磨石各自旋轉，而對表面Wa進行中磨。
於精研磨單元450，對被處理晶圓W的表面Wa進行精研磨。精研磨單元450具有精研磨部451，其具備環形且可旋轉自如的精研磨石(未圖示)。精研磨石係例如含有金屬成分。再者，精研磨部451，係構成為可沿著支柱452而在鉛直方向上移動。又，精研磨石之磨粒的粒度，小於中磨石之磨粒的粒度。然後，在使夾頭422所固持之被處理晶圓W的表面Wa抵接著精研磨石的狀態下，使夾頭422與精研磨石各自旋轉，而對表面Wa進行精研磨。
接著，針對使用如上構成之晶圓處理系統400所進行的晶圓處理，進行說明。圖23係顯示晶圓處理的主要步驟的流程圖。圖24係晶圓處理的主要步驟的說明圖。
在晶圓處理系統400，首先，於改質裝置60，如圖24(a)及(b)所示，會於被處理晶圓W內部形成周緣改質層M1(圖23的步驟程序C1)，更進一步地形成分割改質層M2(圖23的步驟程序C2)。這些步驟程序C1~C2，各自與第1實施形態的步驟程序A1~A2相同。
接著，於周緣去除裝置61，係如圖24(c)所示，以周緣改質層M1為基點，去除被處理晶圓W的周緣部We(圖23的步驟程序C3)。此步驟程序C3，係與第1實施形態的步驟程序A4相同。
接著，於加工裝置410，研磨被處理晶圓W的表面Wa。搬送至加工裝置410的疊合晶圓T，會被傳遞至傳遞位置A0的夾頭422。接下來，使夾頭422移動至第1加工位置A1。然後，藉由粗研磨單元430，如圖24(d)所示，對被處理晶圓W的表面Wa進行粗研磨(圖23的步驟程序C4)。
接著，使夾頭422移動至第2加工位置A2。然後，藉由中磨單元440，對被處理晶圓W的表面Wa進行中磨(圖23的步驟程序C5)。
接著，使夾頭422移動至第3加工位置A3。然後，藉由精研磨單元450，對被處理晶圓W的表面Wa進行精研磨(圖23的步驟程序C6)。
接著，使夾頭422移動至傳遞位置A0。又，於傳遞位置A0，亦可使用清洗液噴嘴(未圖示)，以清洗液清洗被處理晶圓W的表面Wa。
接著，於清洗裝置41，刷洗被處理晶圓W的表面Wa(圖23的步驟程序C7)。此步驟程序C7，係與第1實施形態的步驟程序A7相同。
接著，於蝕刻裝置40，以蝕刻液E1進行表面Wa之蝕刻、以及以清洗液E2進行背面Sb之金屬汙染去除(圖23的步驟程序C8)。此步驟程序C8，係與第1實施形態的步驟程序A8相同。
如上所述，於晶圓處理系統400進行一連串的晶圓處理。於本第3實施形態，亦可獲得與上述第1實施形態同樣的效果。
又，於以上實施形態，周緣部We之去除，係於周緣去除裝置61，以吸附墊180固持著周緣部We而去除，但去除方法並不限定於此。例如，亦可對於周緣部We，施加物理性衝撃或超音波等等而加以去除。
再者，於以上實施形態，表面晶圓Wa1從被處理晶圓W之分離，係於從晶圓搬送裝置70的搬送臂71將疊合晶圓T傳遞至加工裝置80的夾頭83之際進行，但分離方法並不限定於此。例如，亦可將分離裝置(未圖示)設在與周緣去除裝置61相同之裝置內，亦可係另行設置分離裝置(未圖示)。
應視本次揭露之實施形態在所有各點上皆為例示，而非用以限制。上述實施形態，可在不脫離隨附之申請專利範圍及其主旨的情況下，以各種形態加以省略、置換、變更。
1:晶圓處理系統 10:卡匣載置台 2:搬入搬出站 20:晶圓搬送裝置 21:搬送路 22:搬送臂 3:處理站 30:過渡裝置 40:蝕刻裝置 41:清洗裝置 50:晶圓搬送裝置 51:搬送臂 60:改質裝置 61:周緣去除裝置 70:晶圓搬送裝置 71:搬送臂 72:臂體構件 80:加工裝置 81:旋轉台 82:旋轉中心線 83:夾頭 84:研磨單元 85:研磨部 86:支柱 90:控制裝置 A0:傳遞位置 A1:加工位置 Ct:卡匣 G1:第1處理區塊 G2:第2處理區塊 G3:第3處理區塊 H:記錄媒體 T:疊合晶圓 S:支撐晶圓 Sa:表面 Sb:背面 W:被處理晶圓 Wa:表面 Wb:背面 Aa:接合區域 Ab:未接合區域 D:元件層 We:周緣部 100:固持機構 101:基座 102:固持構件 103:旋轉機構 110:第1噴嘴 111:噴嘴臂 112:移動機構 113:供給管 114:蝕刻液供給管 115:沖洗液供給管 116:蝕刻液供給源 117:閥 118:沖洗液供給源 119:閥 120:第2噴嘴 121:供給管 122:清洗液供給管 123:沖洗液供給管 124:清洗液供給源 125:閥 126:沖洗液供給源 127:閥 130:杯體 131:排出管 132:排氣管 102a:凹陷部 140:夾頭 142:滑動台 145:軌道 146:基台 150:雷射頭 151:透鏡 152:支撐構件 153:軌道 154:升降機構 155:移動機構 156:支撐柱 160:巨觀照相機 161:微觀照相機 162:升降機構 163:移動機構 141:氣體軸承 143:旋轉機構 144:移動機構 180:吸附墊 181:升降機構 182:移動機構 190:偵測部 M1:周緣改質層 M2:分割改質層 170:夾頭 171:旋轉機構 200:吸附板 210:固持部 211:吸引管 212:吸引機構 213:壓力感測器 220:旋轉機構 221:支撐構件 Wc:中央部 A1~A8:步驟程序 C1~C3:裂縫 M3:內部面改質層 Wa1:表面晶圓 H1:距離 H2:目標厚度 L1:雷射光(周緣用雷射光L1) L2:雷射光(分割用雷射光) L3:雷射光(內部面用雷射光) H3:距離 E1:蝕刻液 E2:清洗液 P:保護膜 230:周緣清洗裝置 231:上方噴嘴 232:下方噴嘴 300:晶圓處理系統 B1~B7:步驟程序 400:晶圓處理系統 410:加工裝置 420:旋轉台 421:旋轉中心線 422:夾頭 430:粗研磨單元 431:粗研磨部 432:支柱 440:中磨單元 441:中磨部 442:支柱 450:精研磨單元 451:精研磨部 452:支柱 A2:第2加工位置 A3:第3加工位置 C1~C8:步驟程序
【圖1】為示意性顯示第1實施形態之晶圓處理系統的構成概略的俯視圖。 【圖2】為顯示疊合晶圓的構成概略的側視圖。 【圖3】為顯示疊合晶圓之局部構成概略的側視圖。 【圖4】為顯示蝕刻裝置的構成概略的縱剖面圖。 【圖5】為顯示固持機構的構成概略的側視圖。 【圖6】為顯示改質裝置的構成概略的俯視圖。 【圖7】為顯示改質裝置的構成概略的側視圖。 【圖8】為顯示周緣去除裝置的構成概略的俯視圖。 【圖9】為顯示周緣去除裝置的構成概略的側視圖。 【圖10】為顯示搬送臂的構成概略的縱剖面圖。 【圖11】為顯示第1實施形態之晶圓處理的主要步驟的流程圖。 【圖12】(a)~(f)為第1實施形態之晶圓處理的主要步驟的說明圖。 【圖13】為顯示在被處理晶圓形成周緣改質層與分割改質層的情景的說明圖。 【圖14】為顯示在被處理晶圓形成周緣改質層與分割改質層的情景的說明圖。 【圖15】為顯示在被處理晶圓形成內部面改質層的情景的說明圖。 【圖16】為顯示在被處理晶圓形成內部面改質層的情景的說明圖。 【圖17】為顯示蝕刻液與清洗液在蝕刻裝置之流動的說明圖。 【圖18】(a)、(b)為顯示另一實施形態之疊合晶圓之局部構成概略的側視圖。 【圖19】為顯示周緣清洗裝置的構成概略的縱剖面圖。 【圖20】為示意性顯示第2實施形態之晶圓處理系統的構成概略的俯視圖。 【圖21】為顯示第2實施形態之晶圓處理的主要步驟的流程圖。 【圖22】為示意性顯示第3實施形態之晶圓處理系統的構成概略的俯視圖。 【圖23】為顯示第3實施形態之晶圓處理的主要步驟的流程圖。 【圖24】(a)~(d)為第3實施形態之晶圓處理的主要步驟的說明圖。
40:蝕刻裝置
100:固持機構
101:基座
102:固持構件
103:旋轉機構
110:第1噴嘴
111:噴嘴臂
112:移動機構
113:供給管
114:蝕刻液供給管
115:沖洗液供給管
116:蝕刻液供給源
117:閥
118:沖洗液供給源
119:閥
120:第2噴嘴
121:供給管
122:清洗液供給管
123:沖洗液供給管
124:清洗液供給源
125:閥
126:沖洗液供給源
127:閥
130:杯體
131:排出管
132:排氣管
S:支撐晶圓
Sb:背面
T:疊合晶圓
W:被處理晶圓
Wa:表面

Claims (20)

  1. 一種基板處理裝置，用來對於由形成有元件層之第1基板、與第2基板接合而成的疊合基板進行處理； 該基板處理裝置包括： 固持部，固持該第2基板的背面； 處理部，對於由該固持部所固持之該第1基板進行處理； 第1處理液供給部，對於該第1基板中之與該元件層為相反側的表面，供給第1處理液，以蝕刻該第1基板的表面；以及 第2處理液供給部，對於該第2基板的背面供給第2處理液，以去除在該第2基板之背面的金屬汙染。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，更包括： 控制部，控制該第1處理液供給部與該第2處理液供給部； 該控制部，控制該第1處理液供給部與該第2處理液供給部，以由該第1處理液所進行之蝕刻、與該第2處理液所進行之金屬汙染去除，兩者同時進行。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其中， 該控制部，控制該第1處理液供給部與該第2處理液供給部，以使該第1處理液所進行之蝕刻的結束時間點、與該第2處理液所進行之金屬汙染去除的結束時間點，兩者係相同。
  4. 如請求項1至3項中任一項之基板處理裝置，更包括： 控制部，控制該第1處理液供給部與該第2處理液供給部； 該控制部，控制該第1處理液供給部與該第2處理液供給部，以使得在該疊合基板的側邊，該第1處理液不會到達該元件層，而該第2處理液會到達該元件層。
  5. 如請求項1至3項中任一項之基板處理裝置，其中， 該第1處理液，包含酸性處理液與鹼性處理液。
  6. 如請求項5之基板處理裝置，更包括： 控制部，控制該第1處理液供給部； 在該第1基板的背面與該元件層之間，形成保護該元件層以抵抗該鹼性處理液的保護膜； 該控制部，控制該第1處理液供給部，以在對該第1基板的表面供給該酸性處理液之後，供給該鹼性處理液。
  7. 如請求項1至3項中任一項之基板處理裝置，更包括： 改質部，亦即為對於該第1基板的內部，沿著平面方向照射雷射光，以形成內部面改質層的該處理部； 分離部，以該改質部所形成之內部面改質層作為基點，將該第1基板分離；以及 加工部，亦即為在該第1基板由該分離部加以分離之後，對原本接合於該第2基板之該第1基板的表面進行研磨加工的該處理部； 該第1處理液供給部，對於經過該加工部之研磨加工之該第1基板的表面，供給該第1處理液。
  8. 如請求項1至3項中任一項之基板處理裝置，更包括： 改質部，亦即為對於該第1基板的內部，沿著平面方向照射雷射光，以形成內部面改質層的該處理部；以及 分離部，以該改質部所形成之內部面改質層作為基點，將該第1基板分離； 該第1處理液供給部，在該第1基板由該分離部加以分離之後，對原本接合於該第2基板之該第1基板的表面供給該第1處理液。
  9. 如請求項1至3項中任一項之基板處理裝置，更包括： 加工部，係對於該第1基板的表面進行研磨加工的該處理部； 該第1處理液供給部，對於經該加工部進行過研磨加工之該第1基板的表面，供給該第1處理液。
  10. 如請求項1至3項中任一項之基板處理裝置，更包括： 周緣清洗部，在該第2處理液供給部對該第2基板的背面供給該第2處理液之前，清洗該第2基板的周緣部。
  11. 一種基板處理方法，對於由形成有元件層之第1基板與第2基板接合而成的疊合基板進行處理； 該基板處理方法包括以下步驟： 在以固持部固持該第2基板的背面之狀態下，處理該第1基板的步驟； 對於在該第1基板中之與該元件層為相反側的表面，從第1處理液供給部供給第1處理液，以蝕刻該第1基板的表面的步驟；以及 對於該第2基板的背面，從第2處理液供給部供給第2處理液，以去除在該第2基板之背面的金屬汙染的步驟。
  12. 如請求項11之基板處理方法，其中， 由該第1處理液所進行之蝕刻、與由該第2處理液所進行之金屬汙染去除，係同時進行。
  13. 如請求項12之基板處理方法，其中， 由該第1處理液所進行之蝕刻的結束時間點、與由該第2處理液所進行之金屬汙染去除的結束時間點，係相同。
  14. 如請求項11至13項中任一項之基板處理方法，其中， 在該疊合基板的側邊，該第1處理液不會到達該元件層，而該第2處理液會到達該元件層。
  15. 如請求項11至13項中任一項之基板處理方法，其中， 該第1處理液，包含酸性處理液與鹼性處理液。
  16. 如請求項15之基板處理方法，其中， 在該第1基板的背面與該元件層之間，形成保護該元件層以抵抗該鹼性處理液的保護膜； 在對該第1基板的表面供給該酸性處理液之後，供給該鹼性處理液。
  17. 如請求項11至13項中任一項之基板處理方法，更包括以下步驟： 從改質部對於該第1基板的內部，沿著平面方向照射雷射光，以形成內部面改質層的步驟； 藉由分離部，以該改質部所形成之內部面改質層作為基點，將該第1基板分離的步驟；以及 在由該分離部將該第1基板分離之後，藉由加工部，對接合於該第2基板之該第1基板的表面進行研磨加工的步驟； 該第1處理液供給部，對於由該加工部研磨加工過之該第1基板的表面，供給該第1處理液。
  18. 如請求項11至13項中任一項之基板處理方法，更包括以下步驟： 從改質部對於該第1基板的內部，沿著平面方向照射雷射光，以形成內部面改質層的步驟；以及 藉由分離部，以該改質部所形成之內部面改質層作為基點，將該第1基板分離的步驟； 該第1處理液供給部，在該第1基板由該分離部加以分離之後，對接合於該第2基板之該第1基板的表面，供給該第1處理液。
  19. 如請求項11至13項中任一項之基板處理方法，更包括以下步驟： 藉由加工部，對於該第1基板的表面進行研磨加工的步驟； 該第1處理液供給部，對於經該加工部進行過研磨加工之該第1基板的表面，供給該第1處理液。
  20. 如請求項11至13項中任一項之基板處理方法，其中， 在該第2處理液供給部對該第2基板的背面供給該第2處理液之前，藉由周緣清洗部清洗該第2基板的周緣部。
TW109100819A 2019-01-23 2020-01-10 基板處理裝置及基板處理方法 TWI816968B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019009257 2019-01-23
JP2019-009257 2019-01-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202044402A true TW202044402A (zh) 2020-12-01
TWI816968B TWI816968B (zh) 2023-10-01

Family

ID=71735962

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109100819A TWI816968B (zh) 2019-01-23 2020-01-10 基板處理裝置及基板處理方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20220130689A1 (zh)
JP (1) JP7093855B2 (zh)
KR (1) KR20210114455A (zh)
CN (1) CN113348534B (zh)
TW (1) TWI816968B (zh)
WO (1) WO2020153189A1 (zh)

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09115869A (ja) * 1995-08-10 1997-05-02 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP3766193B2 (ja) * 1997-11-27 2006-04-12 芝浦メカトロニクス株式会社 エッチング装置
JP3709072B2 (ja) * 1998-04-28 2005-10-19 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄方法および基板洗浄装置
JP4584385B2 (ja) * 1999-08-10 2010-11-17 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2003007664A (ja) * 2001-06-22 2003-01-10 Ses Co Ltd 枚葉式基板洗浄方法および枚葉式基板洗浄装置
JP3944368B2 (ja) * 2001-09-05 2007-07-11 株式会社荏原製作所 基板処理装置及び基板処理方法
JP2004111606A (ja) * 2002-09-18 2004-04-08 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハの加工方法
JP2005117014A (ja) * 2003-09-16 2005-04-28 Komatsu Electronic Metals Co Ltd エッチング液の金属除去装置、エッチング液の金属除去方法、半導体基板のエッチング処理装置、半導体基板のエッチング方法及びエッチング液
JP2006216937A (ja) * 2005-01-06 2006-08-17 Ebara Corp 基板処理方法及び装置
JP2008109058A (ja) * 2006-10-27 2008-05-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP5134928B2 (ja) * 2007-11-30 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物研削方法
JP2010056208A (ja) * 2008-08-27 2010-03-11 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板洗浄装置
JP5320619B2 (ja) 2009-09-08 2013-10-23 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
TWI584370B (zh) * 2013-08-27 2017-05-21 Tokyo Electron Ltd A substrate processing method, a substrate processing apparatus, and a memory medium
JP6545539B2 (ja) * 2015-06-18 2019-07-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP2018147908A (ja) * 2015-07-27 2018-09-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP6742748B2 (ja) * 2016-02-17 2020-08-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 現像ユニット、基板処理装置、現像方法および基板処理方法
JP6670674B2 (ja) * 2016-05-18 2020-03-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6820736B2 (ja) * 2016-12-27 2021-01-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP7058320B2 (ja) * 2018-03-14 2022-04-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体
JP7327387B2 (ja) * 2018-04-27 2023-08-16 日本ゼオン株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP7093855B2 (ja) 2022-06-30
TWI816968B (zh) 2023-10-01
US20220130689A1 (en) 2022-04-28
WO2020153189A1 (ja) 2020-07-30
KR20210114455A (ko) 2021-09-23
CN113348534B (zh) 2024-03-26
CN113348534A (zh) 2021-09-03
JPWO2020153189A1 (ja) 2021-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7149393B2 (ja) 基板処理システム及び基板処理方法
JP7157816B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP7129558B2 (ja) 処理装置及び処理方法
TWI825241B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP2023054100A (ja) 分離装置及び分離方法
TWI814960B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
TW202044391A (zh) 處理裝置及處理方法
JP2020136448A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
TWI816968B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP7291470B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
TW202018794A (zh) 基板處理系統及基板處理方法
TWI824080B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
TWI832975B (zh) 處理裝置及處理方法
TWI820268B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
KR102656400B1 (ko) 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
CN113518686B (zh) 处理装置和处理方法
JP7161923B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
TW202040673A (zh) 處理裝置及處理方法
KR20240045348A (ko) 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법