TW202037443A - 金屬惰性氣體熔接方法以及金屬惰性氣體熔接裝置 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種金屬惰性氣體熔接方法，反覆進行以下動作：第一動作，將能個別地變更電流值的一對熔接線22、24沿著鋼板1、1的凹槽1a配置，且將大致相同的電流值的電流動於兩個熔接線22、24，且藉由熔接方向前進側的熔接線24的電弧在熔融池的前方產生陰極點，從而藉由電弧對鋼板1、1的表面進行清潔，以及第二動作，係在熔接線22流動比熔接線24更高的電流值的脈衝電流，藉此以兩個熔接線22、24的各電弧在熔融池產生陰極點而形成新的熔融池，並一邊使兩個熔接線22、24在熔接方向前進從而使陰極點移動至新的熔融池，一邊在鋼板1、1的表面的氧化物已被去除的範圍內進行熔接。

Description

金屬惰性氣體熔接方法以及金屬惰性氣體熔接裝置

[0001] 本發明係關於一種MIG熔接(metal inert gas welding；金屬惰性氣體熔接)方法以及MIG熔接裝置，尤關於一種謀求MIG熔接中提升熔接品質的技術。

[0002] 以往，已知有一種MIG熔接係用於作為鋼構造物等金屬構件彼此的熔接方法。 MIG熔接中，係透過由惰性氣體所構成的遮蔽氣體(shield gas)而以空氣已被阻隔的狀態下使用熔接炬所送出的熔接線且藉由電弧熔接來熔接金屬構件彼此的方式進行，如此一來能不受空氣中的氧氣的影響而進行熔接，從而使熱量集中於熔接部，進而實現變形少的熔接。 [0003] 作為惰性氣體雖可使用氬氣(Ar)或氦氣(He)，但以容易購買以及價格低廉來看一般大多使用氬氣。又，MIG熔接中，根據可確保較良好的熔接品質來判斷，一般係以將熔接線側設為正極(＋)且將金屬構件側設為負極(－)的方式來進行熔接。 [0004] 然而，將熔接線側設為正極(＋)且將金屬構件側設為負極(－)來進行熔接的情形下，由於金屬構件上的電弧的發生點，也就是由於陰極點的位置會隨著金屬構件上的氧化物的存在或放電子的密度而有所變化的緣故，陰極點不會固定在一點上，因而有電弧不穩定甚至是熔接品質不穩定的問題。此問題由作為遮蔽氣體只使用氬氣(也就是100%氬氣)的情形下非常明顯而可得知。 [0005] 因此，例如使熔接線側與金屬構件側的極性相反，也就是將熔接線側設為負極(－)且將金屬構件側設為正極(＋)，且藉由將容易形成氧化物的元素固定於熔接線的表面，且經由電弧使氧化物集中地形成在最接近熔接線的金屬構件的位置上，藉此開發出一種將陰極點的位置大致固定而使電弧穩定的技術(專利文獻1)。 [0006] 又，例如作為遮蔽氣體係將氦氣添加至氬氣中，或藉由進一步添加二氧化碳(CO₂ )或氧氣(O₂ )而開發出一種使電弧穩定的技術(專利文獻2)。 [0007] 在此，在揭示於專利文獻1的技術中，由必須要將容易形成氧化物的元素固定於熔接線的表面之點來看，因會牽涉到熔接線的成本上升因此較為不佳。又，將熔接線側設為負極(－)且將金屬構件側設為正極(＋)來進行熔接的情形下，會使熔接時的金屬的溶入不夠充足，此一現象由焊縫變淺即可得知。 [0008] 另一方面，在揭示於專利文獻2的技術中，作為遮蔽氣體雖可將氦氣添加至氬氣中，但氦氣比氬氣更不容易購買且氦氣的價格昂貴。而作為遮蔽氣體進一步添加二氧化碳(CO₂ )或氧氣(O₂ )後，已知會使熔接部分的機械性質產生劣質化。 [0009] 最近為了取代上述技術而開發出了一種使電弧穩定的技術(專利文獻3)。 此揭示於專利文獻3的技術係在相對於熔接方向先進行的TIG(tungsten inert gas；鎢極惰性氣體)電極側產生TIG電弧，且在後進行的MIG電極側產生MIG電弧而對主材進行熔接的複合式熔接方法，此方法中，係將流動在先進行側的TIG電極的電流設定為大於流動在後進行側的MIG電極的電流，且藉由將MIG電極的MIG電弧的陰極點區域停留在形成有TIG電極的TIG電弧的熔融池內，從而謀求電弧的穩定性提升。 [先前技術文獻] [專利文獻] [0010] 專利文獻1：日本特開2003-320479號公報。 專利文獻2：日本特開2007-083303號公報。 專利文獻3：日本特開2013-158826號公報。

(發明所欲解決之課題) [0011] 然而，在揭示於專利文獻3的技術中，雖能使電弧穩定，但由於必須將位於後進行側的MIG電極的MIG電弧的陰極點區域停留在形成有流動高電流的先進行側的TIG電極的熔融池內，因而有經常需要高電流的問題，解決這個問題是一直以來的課題。 [0012] 本發明係為了解決此種之課題而成，本發明之目的在於提供一種金屬惰性氣體熔接方法以及金屬惰性氣體熔接裝置，於實現低成本化以及提升熔接品質之基礎上，能不需要高電流就可使電弧穩定。 (用以解決課題之手段) [0013] 本發明的第一態樣係構成為一種MIG熔接方法，係用以在被熔接金屬構件形成熔融池；配置一對MIG電極，前述MIG電極係能個別地變更電流值且至少於其中一個MIG電極流動脈衝電流；前述MIG熔接方法係反覆進行以下動作：第一動作，係經由一邊使前述一對MIG電極於熔接方向移動一邊使前述一對MIG電極流動大致相同的電流值，且藉由前述一對MIG電極之中的一個MIG電極的電弧在前述熔融池的移動方向的前方產生陰極點，從而藉由前述電弧去除前述被熔接金屬構件的表面的氧化物；以及第二動作，係在前述一對MIG電極的另一個MIG電極流動比前述一個MIG電極更高的電流值的脈衝電流，藉此在前述熔融池分別產生陰極點而形成新的熔融池，並一邊使陰極點移動至新形成的前述熔融池，一邊在前述被熔接金屬構件的表面的前述氧化物已被去除的範圍內進行熔接。 [0014] 本發明的第二態樣係構成為沿著前述被熔接金屬構件的熔接線配置前述一對MIG電極，前述第一動作中係經由使前述一對MIG電極流動大致相同的電流值的電流，且藉由前述一對MIG電極之中位於熔接方向的前進側的一個MIG電極的電弧在前述熔融池的前方產生陰極點，從而藉由前述電弧的清潔作用去除前述被熔接金屬構件的表面的氧化物，前述第二動作中係經由在前述一對MIG電極的另一個MIG電極流動比前述一個MIG電極更高的電流值的脈衝電流，且藉由前述一對MIG電極的各電弧在前述熔融池分別產生陰極點而形成新的熔融池，並一邊使前述一對MIG電極於前述熔接方向前進且使陰極點移動至新形成的前述熔融池，一邊在前述被熔接金屬構件的表面的前述氧化物已被去除的範圍內進行熔接。 [0015] 本發明的第三態樣係構成為流動於前述一對MIG電極的一個MIG電極的脈衝電流的脈衝寬度係可改變。 [0016] 本發明的第四態樣係構成為於前述一對MIG電極分別流動的電流皆為脈衝電流，本發明的第五態樣係構成為分別使流動於前述一對MIG電極的脈衝電流彼此同步，且使流動於前述一對MIG電極之中任一個MIG電極的脈衝電流的峰值電流值與流動於另一個MIG電極的脈衝電流的基底電流值大致相等。 [0017] 本發明的第六態樣係構成為一種MIG熔接裝置，係用以在被熔接金屬構件形成熔融池，且具備：一對MIG電極，係能個別地變更電流值且至少於其中一個MIG電極流動脈衝電流；移動單元，係使前述一對MIG電極於熔接方向移動；氣體供給部，係將遮蔽氣體供給至前述一對MIG電極以及前述被熔接金屬構件間；以及控制部，係控制前述一對MIG電極所為之熔接及前述移動單元所為之前述一對MIG電極的移動；前述控制部係反覆執行以下控制：第一控制，係經由使前述一對MIG電極流動大致相同的電流值的電流，且藉由前述一對MIG電極之中的一個MIG電極的電弧在前述熔融池的移動方向的前方產生陰極點，從而藉由前述電弧去除前述被熔接金屬構件的表面的氧化物；以及第二控制，係在前述一對MIG電極的另一個MIG電極流動比前述一個MIG電極更高的電流值的脈衝電流，藉此在前述熔融池分別產生陰極點而形成新的熔融池，並藉由前述移動單元一邊使前述一對MIG電極於前述熔接方向移動且使陰極點移動至新形成的前述熔融池，一邊在前述被熔接金屬構件的表面的前述氧化物已被去除的範圍內進行熔接。 [0018] 本發明的MIG熔接方法以及MIG熔接裝置係一種利用電弧發生的陰極點容易形成具有氧化物的位置的性質，亦即，乃是利用依(1)氧化物＞(2)熔融池＞(3)清潔面的順序難以發生陰極點的性質的發明。被熔接金屬構件的表面中係以電弧預先去除(進行清潔)接下來進行熔接範圍的氧化物，且意圖使陰極點比熔融池更難產生。之後，在對已清潔的範圍進行熔接時，以確實集中於熔融池產生陰極點的方式對陰極點的產生位置進行控制。 [0019] 前述陰極點的產生位置的控制係於一對MIG電極同時流動電流時，利用雙方的MIG電極分別出現的電弧的周圍中各個磁場的變化。 [0020] 具體而言，例如在沿著被熔接金屬構件的熔接線配置而成的一對MIG電極彼此同時流動電流時，於雙方的MIG電極的各者產生電弧，而在被熔接金屬構件的表面形成熔融池。此時，根據各個電弧的周圍遵照「右手螺旋法則」所產生的磁場可知，相互的磁場將作為吸力而變成一起作用在電弧上。 [0021] 一對MIG電極之中例如在熔接方向後退側的MIG電極流動脈衝電流，當將前述脈衝電流作為基底電流時，將會使在熔接方向後退側的MIG電極的電弧所產生的磁場強度變小。因此，將熔接方向前進側的MIG電極的電弧往後退側吸引的力量(電弧吸力)小。由於前述電弧吸力小的情形下電弧會擴散，因此被熔接金屬構件的表面中在接下來進行熔接的範圍(熔融池的前方)產生陰極點，且以此充當為清潔作用。 [0022] 另一方面，例如一對MIG電極之中在熔接方向後退側的MIG電極流動脈衝電流，當將前述脈衝電流作為峰值電流時，將會使在熔接方向後退側的MIG電極的電弧所產生的磁場強度變大。因此，將熔接方向前進側的MIG電極的電弧往後退側吸引的力量(電弧吸力)變大。由於前述電弧吸力大的情形下電弧會緊縮，因此產生於熔接方向前進側的一個MIG電極的電弧被吸引至後退側的另一個MIG電極所產生的電弧，從而使陰極點集中地產生於熔融池，結果能實現穩定的高濕潤性熔接。 [0023] 此時，流動於熔接方向後退側的另一個MIG電極的脈衝電流的增加量只需有助於熔接的量即可，因此不需要高電流。又，由於一對MIG電極皆為消耗電極的緣故，因此能藉由雙方的MIG電極的熔滴遷移來實現高效率的熔接。 (發明功效) [0024] 依據本發明的MIG熔接方法以及MIG熔接裝置，能不需要高電流就可使電弧穩定，且能以低成本且高效率來進行品質好且穩定的高濕潤性熔接。

[0026] 以下，使用圖式說明本發明之實施例。 [0027] 圖1係顯示實施本發明之一實施例的MIG熔接方法的MIG熔接裝置10與被實施MIG熔接的一對鋼板(被熔接金屬構件)1、1的整體構成圖。 鋼板1、1例如係被設置為在該些鋼板1、1的側邊緣間以形成具有預定的凹槽間隙之I型凹槽1a的方式將側邊緣彼此對接。 [0028] MIG熔接裝置10具備：熔接線供給部20，係用以供給作為消耗電極的一對熔接線(MIG電極)22、24；以及遮蔽氣體供給部30，係用以供給遮蔽氣體G。又，MIG熔接裝置10具備：熔接炬40，係連接於熔接線供給部20以及遮蔽氣體供給部30且在噴射遮蔽氣體G的同時送出熔接線22、24以及移動單元50，係使熔接炬40沿著鋼板1、1的I型凹槽1a移動。而且，MIG熔接裝置10係構成為具備控制部60，前述控制部60除了用於對通電於熔接線22、24的電流或熔接線22、24的供給速度等的電弧熔接進行各種控制之外也控制移動單元50的動作。 [0029] 作為從遮蔽氣體供給部30所供給出的遮蔽氣體G係使用100%惰性氣體。在此為了容易獲得比其他的惰性氣體更為廉價的氣體，例如希望是使用氬氣，更希望是使用100%氬氣。 [0030] 熔接線供給部20具備捲繞有熔接線22、24的熔接線線圈21(僅顯示熔接線22部分的熔接線線圈21)，且構成為可從熔接線線圈21連續供給熔接線22、24。 [0031] 熔接炬40係構成為可使從熔接線供給部20供給出的熔接線22、24保持在沿著鋼板1、1的I型凹槽1a，且構成為可經常從熔接炬40使熔接線22、24各個的前端伸出。熔接線22、24的各個前端從熔接炬40的伸出量係因應熔接線22、24的各個前端中的電壓或電流而由控制部60進行適當適量的控制。 再者，此實施例中，雖以使一對熔接線22、24沿著鋼板1、1的I型凹槽1a(熔接線)的方式配置，但一對熔接線22、24也可相對於熔接方向互相地前進後退，並不需要一定使一對熔接線22、24沿著I型凹槽1a配置。 [0032] 又，在此實施例中，雖舉使熔接線22、24相對於鋼板1、1垂直地設置的情形為例進行了說明，但亦可使熔接線22、24獨立相對於鋼板1、1傾斜。 在使熔接線22、24相對於鋼板1、1傾斜的情形下，例如當熔接線22、24的前端朝向熔接方向後方往前進側傾斜時則難以進行清除，相反地，當熔接線22、24的前端朝向熔接方向前方往後退側傾斜時雖容易進行清除，但另一方面卻容易使滲透量變少。 因此，使熔接線22、24傾斜的情形的方向與角度可由被熔接金屬構件的材質等的熔接規格來適當決定。 [0033] 移動單元50中係能使熔接炬40設置為沿著鋼板1、1的I型凹槽1a前進以及後退，且亦能設置為藉由來自控制部60的指令來變更熔接炬40的移動速度。此時，移動單元50亦可構成為以使熔接線22、24進行織動(weaving)的方式或以使熔接線22、24接近、離開鋼板1、1的方式來使熔接炬動作。 [0034] 如上所述，控制部60係個別對一對熔接線22、24各者進行通電控制，並且具有對移動單元50發出使熔接炬40沿著I型凹槽1a前進的指令的功能。 [0035] 又，前述MIG熔接裝置10中係將熔接線22、24側皆設為正極(＋)且將鋼板1、1設為負極(－)來進行熔接。如此，與相反的將熔接線22、24側設為負極(－)且將鋼板1、1設為正極(＋)的情形相比，將熔接線22、24側設為正極(＋)且將鋼板1、1設為負極(－)時可確保較佳的熔接品質。 [0036] 以下對藉由上述方式所構成的MIG熔接裝置10所為之MIG熔接方法進行說明。 [0037] 參照圖2A以及圖2B後，藉由本發明的一實施例的MIG熔接方法所為之電弧熔接的熔接順序係按時間順序分別顯示於(1)至(3)。圖2A係從橫向觀察鋼板1、1以及熔接炬40的圖，另一方面，圖2B係從上方觀察鋼板1、1以及熔接炬40的圖。 又，參照圖2C後，分別對熔接線22、24進行通電的電流值的經時變化係按時間順序對應地顯示於圖2A以及圖2B的(1)至(3)，以下基於圖2A至圖2C進行說明。 [0038] 首先，使位於熔接方向後退側的熔接線22(另一個MIG電極)的前端位於鋼板1、1的I型凹槽1a的熔接開始位置，接下來只在熔接線22流動脈衝電流而使熔接開始。熔接開始後，藉由熔接線22的前端的熔滴遷移而開始在I型凹槽1a形成熔融池。 [0039] 於鋼板1、1的I型凹槽1a的熔接開始位置形成熔融池後，如圖2A以及圖2B的各(1)中所示，藉由來自控制部60的指令使熔接線22流動脈衝電流並且使熔接線24(一個MIG電極)流動穩定的電流(第一動作以及第一控制)。此時，如圖2C的(1)所示，將流動於熔接線22的脈衝電流1的基底電流與流動於熔接線24的電流2雙方共同地設為相同或大致相同(實質上相同)地的電流值。 [0040] 再者，流動於熔接線24的電流2雖會產生電弧但乃是不輕易在鋼板1、1形成熔融池程度的電流值的電流，在圖2C的(1)所顯示的階段中，流動於熔接線22的電流1也同樣是不輕易形成熔融池程度的電流值的電流。 [0041] 以此方式同時在熔接線22、24流動電流時，於熔接線22與熔接線24的各者產生電弧，根據各個電弧的周圍遵照「右手螺旋法則」所產生的磁場可知，變成彼此的磁場將作為吸力而一起作用在電弧上。然而，位於熔接方向後退側的熔接線22的脈衝電流為基底電流，當熔接線22、24的一點鍊線上的各電流值相同或大致相同時，由熔接線22的電弧所產生的磁場強度變小。因此，將熔接方向前進側的熔接線24的電弧往後退側吸引的力量小。 [0042] 藉此，發生在熔接線22的電弧會容易在鋼板1、1的表面的熔接線上中存在於熔融池的側邊的氧化物上產生陰極點，且發生在熔接線24的電弧會容易在鋼板1、1的表面的熔接線上中存在於熔融池的熔接方向前進側的氧化物上產生陰極點。在此，在圖2A以及圖2B中，係以網格線舉例顯示電弧的發生範圍，且以白色圓圈標記為代表舉例顯示陰極點。如圖2A以及圖2B的各(1)中所示，陰極點散發在鋼板1、1的表面的熔接線上中熔融池的熔接方向前進側以及側邊中，以上述網格線所顯示的電弧的發生範圍內中的氧化物被去除，從而進行鋼板1、1的表面的清潔。 [0043] 進行了鋼板1、1的表面的清潔之後，如圖2A以及圖2B的各(2)中所示，藉由來自控制部60的指令而將在作為一個MIG電極的熔接線24中所流動的電流2設為固定。而後直接將在作為另一個MIG電極的熔接線22中所流動的脈衝電流1的峰值電流增加至有助於熔接的電流值為止(第二動作以及第二控制)。 [0044] 如此將熔接線22中所流動的脈衝電流1的峰值電流增加至有助於熔接的電流值之後(使熔接線22、24的圖2C的(2)中一點鍊線上的各電流值具有差距)，將會使在熔接方向後退側的熔接線22的電弧所產生的磁場強度變大。因此，將熔接方向前進側的熔接線24的電弧往後退側吸引的力量變大，產生於熔接線24的電弧被產生於熔接線22的電弧吸引，從而使產生於熔接線24的電弧逐漸接近熔融池。 [0045] 如此一來，由於陰極點在熔融池中與陰極點在鋼板1、1的表面已被清潔的部分相比陰極點具有容易產生於熔融池的傾向，結果使得熔接線22以及熔接線24皆成為陰極點與電弧的產生點集中於熔融池從而開始形成新的熔融池，並再次使熔接開始。亦即，藉由熔接線22、24的前端的熔滴遷移而開始在I型凹槽1a形成熔融池。 [0046] 而後，如圖2A以及圖2B的各(3)中所示，使流動於熔接線22中的脈衝電流1直接維持在增加至有助於熔接的電流值為止，且根據來自控制部60的指令且藉由移動單元50使熔接炬40以正常的前進速度在熔接方向定速前進而進行熔接(第二動作以及第二控制)。在熔接線24的前端到達鋼板1、1的表面已清潔的範圍的終端後，再次返回圖2A以及圖2B的各(1)。此後，基於圖2C的(1)以及圖2C的(2)、(3)所顯示的脈衝電流波形，重複圖2A以及圖2B的各(1)至(3)的動作。藉此，熔融池移動至熔接方向前方，後方中的熔融池被冷卻從而形成焊縫。 [0047] 此時，亦可藉由來自控制部60的指令使其成為變更流動於熔接線22的脈衝電流1的脈衝寬度的構成，於採用此構成的情形下，可適當控制用於清潔的時間以及用於熔接的時間的比例。 [0048] 又，亦可只在熔接線24流動脈衝電流或是使熔接線22與熔接線24一起流動脈衝電流。在熔接線22、24的任一個中皆流動脈衝電流的情形下，藉由使兩個脈衝電流設定為同步且使相位或脈衝寬度設定為彼此相異的值，而能進一步控制熔接線22、24的各電弧彼此間的吸力。 [0049] 例如，在熔接線22、24的任一個中皆流動脈衝電流的情形中，使兩個脈衝電流同步，從而使流動於熔接線24的脈衝電流的峰值電流值與流動於熔接線22脈衝電流的基底電流值設定為大致相同。亦即，藉由使流動於熔接線22的脈衝電流的峰值電流值與流動於熔接線24的脈衝電流的基底電流值之間的差設定為大，就能使熔接線22、24的各電弧彼此間的吸力更大。 [0050] 如上所述，本實施例的MIG熔接方法中，係使用與以往相同的為消耗電極的熔接線22、24，且預先藉由電弧將熔接線上的熔融池的熔接方向前方的鋼板1、1的表面進行清潔，藉此在熔接時經常地使熔接線22、24的各電弧集中於熔融池。亦即藉由熔接線22、24的各電弧而使熱量集中於熔融池以及熔融池的周圍，從而能確實地加熱鋼板1、1的熔融池周圍的部分。 [0051] 結果能以低成本實現穩定的高濕潤性熔接，熔接時中流動於熔接方向後退側的熔接線22的脈衝電流1的增加量只需有助於熔接的量即可，因此不需要高電流。而且，由於一對熔接線22、24皆為消耗電極的緣故，因此能藉由雙方的熔接線22、24的熔滴遷移來實現高效率的熔接。 [0052] 又，本實施例的MIG熔接方法中，由於作為從遮蔽氣體供給部30供給出的遮蔽氣體G係使用100%惰性氣體(100%氬氣)的緣故，因此能對作為被熔接金屬構件的鋼板1進行完全不會氧化的熔接。 [0053] 如此，在本實施例的MIG熔接方法中，由於作為熔接對象的被熔接金屬構件完全不會氧化的緣故，故也能對應對於無法容忍氧化的Ni合金或Ti合金或Al合金等的高級被熔接金屬構件等所進行的熔接方式。 [0054] 以上結束對本發明之實施形態之說明，但實施形態不限定於上述內容，於不脫離本發明之主旨之範圍內可進行各種變更。例如，上述實施形態中雖以將作為對接熔接的鋼板1、1的I型凹槽1a適用於本發明的情形為例進行了說明，但本發明也能適用於角焊。

[0055] 1:鋼板(被熔接金屬構件) 1a:I型凹槽 10:MIG熔接裝置(金屬惰性氣體熔接裝置) 20:熔接線供給部 21:熔接線線圈 22:熔接線(另一個金屬惰性氣體電極) 24:熔接線(一個金屬惰性氣體電極) 30:遮蔽氣體供給部 40:熔接炬 50:移動單元 60:控制部 G:遮蔽氣體

[0025] 圖1係顯示實施本發明的MIG熔接方法的MIG熔接裝置與被實施MIG熔接的一對鋼板的整體構成圖。 圖2A係按時間順序顯示從橫向觀察鋼板以及熔接炬藉由本發明的一實施例的MIG熔接方法所為之電弧熔接的熔接順序(1)至(3)為止之示意圖。 圖2B係按時間順序顯示對應圖2A的(1)至(3)從上方觀察鋼板以及熔接炬藉由本發明的一實施例的MIG熔接方法所為之電弧熔接的熔接順序之示意圖。 圖2C係按時間順序顯示對應圖2A的(1)至(3)藉由本發明的一實施例的MIG熔接方法所為之電弧熔接時中通電於熔接線的電流值的經時變化之示意圖。

1:鋼板(被熔接金屬構件)

22:熔接線(一個金屬惰性氣體電極)

24:熔接線(另一個金屬惰性氣體電極)

40:熔接炬

Claims (10)

1. 一種金屬惰性氣體熔接方法，係用以在被熔接金屬構件形成熔融池； 配置一對金屬惰性氣體電極，前述金屬惰性氣體電極係能個別地變更電流值且至少於其中一個金屬惰性氣體電極流動脈衝電流； 前述金屬惰性氣體熔接方法係反覆進行以下動作： 第一動作，係經由一邊使前述一對金屬惰性氣體電極於熔接方向移動一邊使前述一對金屬惰性氣體電極流動大致相同的電流值，且藉由前述一對金屬惰性氣體電極之中的一個金屬惰性氣體電極的電弧在前述熔融池的移動方向的前方產生陰極點，從而藉由前述電弧去除前述被熔接金屬構件的表面的氧化物；以及 第二動作，係在前述一對金屬惰性氣體電極的另一個金屬惰性氣體電極流動比前述一個金屬惰性氣體電極更高的電流值的脈衝電流，藉此在前述熔融池分別產生陰極點而形成新的熔融池，並一邊使陰極點移動至新形成的前述熔融池，一邊在前述被熔接金屬構件的表面的前述氧化物已被去除的範圍內進行熔接。
2. 如請求項1所記載之金屬惰性氣體熔接方法，其中沿著前述被熔接金屬構件的熔接線配置前述一對金屬惰性氣體電極，前述第一動作中係經由使前述一對金屬惰性氣體電極流動大致相同的電流值的電流，且藉由前述一對金屬惰性氣體電極之中位於熔接方向的前進側的一個金屬惰性氣體電極的電弧在前述熔融池的前方產生陰極點，從而藉由前述電弧的清潔作用去除前述被熔接金屬構件的表面的氧化物，前述第二動作中係經由在前述一對金屬惰性氣體電極的另一個金屬惰性氣體電極流動比前述一個金屬惰性氣體電極更高的電流值的脈衝電流，且藉由前述一對金屬惰性氣體電極的各電弧在前述熔融池分別產生陰極點而形成新的熔融池，並一邊使前述一對金屬惰性氣體電極於前述熔接方向前進且使陰極點移動至新形成的前述熔融池，一邊在前述被熔接金屬構件的表面的前述氧化物已被去除的範圍內進行熔接。
3. 如請求項1所記載之金屬惰性氣體熔接方法，其中流動於前述一對金屬惰性氣體電極的一個金屬惰性氣體電極的脈衝電流的脈衝寬度係可改變。
4. 如請求項2所記載之金屬惰性氣體熔接方法，其中流動於前述一對金屬惰性氣體電極的一個金屬惰性氣體電極的脈衝電流的脈衝寬度係可改變。
5. 如請求項1所記載之金屬惰性氣體熔接方法，其中於前述一對金屬惰性氣體電極分別流動的電流皆為脈衝電流。
6. 如請求項2所記載之金屬惰性氣體熔接方法，其中於前述一對金屬惰性氣體電極分別流動的電流皆為脈衝電流。
7. 如請求項3所記載之金屬惰性氣體熔接方法，其中於前述一對金屬惰性氣體電極分別流動的電流皆為脈衝電流。
8. 如請求項4所記載之金屬惰性氣體熔接方法，其中於前述一對金屬惰性氣體電極分別流動的電流皆為脈衝電流。
9. 如請求項5至8中任一項所記載之金屬惰性氣體熔接方法，其中分別使流動於前述一對金屬惰性氣體電極的脈衝電流彼此同步，且使流動於前述一對金屬惰性氣體電極之中任一個金屬惰性氣體電極的脈衝電流的峰值電流值與流動於另一個金屬惰性氣體電極的脈衝電流的基底電流值大致相等。
10. 一種金屬惰性氣體熔接裝置，係用以在被熔接金屬構件形成熔融池，且具備： 一對金屬惰性氣體電極，係能個別地變更電流值且至少於其中一個金屬惰性氣體電極流動脈衝電流； 移動單元，係使前述一對金屬惰性氣體電極於熔接方向移動； 氣體供給部，係將遮蔽氣體供給至前述一對金屬惰性氣體電極以及前述被熔接金屬構件間；以及 控制部，係控制前述一對金屬惰性氣體電極所為之熔接及前述移動單元所為之前述一對金屬惰性氣體電極的移動； 前述控制部係反覆執行以下控制： 第一控制，係經由使前述一對金屬惰性氣體電極流動大致相同的電流值的電流，且藉由前述一對金屬惰性氣體電極之中的一個金屬惰性氣體電極的電弧在前述熔融池的移動方向的前方產生陰極點，從而藉由前述電弧去除前述被熔接金屬構件的表面的氧化物；以及 第二控制，係在前述一對金屬惰性氣體電極的另一個金屬惰性氣體電極流動比前述一個金屬惰性氣體電極更高的電流值的脈衝電流，藉此在前述熔融池分別產生陰極點而形成新的熔融池，並藉由前述移動單元一邊使前述一對金屬惰性氣體電極於前述熔接方向移動且使陰極點移動至新形成的前述熔融池，一邊在前述被熔接金屬構件的表面的前述氧化物已被去除的範圍內進行熔接。

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