TW202033803A - 成膜裝置以及成膜方法 - Google Patents

Abstract

本發明之課題係在於以高量產性且更均勻的膜厚分佈將膜形成於基板。在成膜裝置中，基板保持具係構成為：能夠至少支持一個與第一靶對向的基板且以第一中心軸作為中心而旋轉，基板係能夠以偏離上述第一中心軸的第二中心軸作為中心而旋轉。真空容器係將上述第一靶與基板保持具予以收容。電力源係對第一靶供給放電電力。氣體供給機構係對真空容器供給放電氣體。在將第一中心軸與第二中心軸之間的正交於第一中心軸的方向上的距離設為Ds、將第一中心軸與第一靶的中心之間的正交於第一中心軸的方向上的距離設為Dt、將第一靶的半徑設為R、將第一靶與基板之間的第一中心軸的方向上的距離設為H、將Ds與Dt之差的絕對值設為A的情形下，滿足Ds+Dt≧H、A≧R、H≧R的關係式。

Description

成膜裝置以及成膜方法

本發明係關於一種成膜裝置以及成膜方法。

近年，在成膜裝置中，為了改善形成於基板之膜的膜厚分佈，提供有一種以下的裝置：將與濺鍍靶(sputtering target)對向的基板保持具(substrate holder)予以旋轉，並且一邊將由基板保持具所支持的基板予以旋轉一邊成膜於基板(例如參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2013-147677號公報。

[發明所欲解決之課題]

在此種裝置中本來就要求著高量產性，關於膜厚分佈的部分也有被要求更加嚴格之規格的情形。

有鑑於以上般的事情，本發明之目的係在於提供一種能夠以高量產性且更均勻的膜厚分佈將膜形成於基板之成膜裝置以及成膜方法。 [用以解決課題之手段]

為了達成上述目的，本發明的一形態之成膜裝置係具備：第一靶、基板保持具、真空容器、電力源以及氣體供給機構。 上述基板保持具係構成為：能夠至少支持一個與上述第一靶對向的基板且以第一中心軸作為中心而旋轉，上述基板係能夠以偏離上述第一中心軸的第二中心軸作為中心而旋轉。 上述真空容器係將上述第一靶與上述基板保持具予以收容。 上述電力源係對上述第一靶供給放電電力。 上述氣體供給機構係對上述真空容器供給放電氣體。 在將上述第一中心軸與上述第二中心軸之間的正交於上述第一中心軸的方向上的距離設為Ds、將上述第一中心軸與上述第一靶的中心之間的正交於上述第一中心軸的方向上的距離設為Dt、將上述第一靶的半徑設為R、將上述第一靶與上述基板之間的上述第一中心軸的方向上的距離設為H、將Ds與Dt之差的絕對值設為A的情形下，滿足Ds+Dt≧H、A≧R、H≧R的關係式。

根據此種成膜裝置，由於成膜係在第一靶、基板保持具及基板滿足上述關係的條件下進行，故量產性高且能以更均勻的膜厚分佈將膜形成於基板。

在成膜裝置中，可以更具備：第二靶，係在正交於上述第一中心軸的方向上與上述第一靶並排設置。 在將上述第一中心軸與上述第二靶的中心之間的正交於上述第一中心軸的方向上的距離設為Dt’、將上述第二靶的半徑設為R’、將上述第二靶與上述基板之間的上述第一中心軸的方向上的距離設為H’、將Ds與Dt’之差的絕對值設為A’的情形下，滿足Ds+Dt’≧H’、A’≧R’、H’≧R’的關係式。

根據此種成膜裝置，由於成膜係在除了第一靶以外的第二靶、基板保持具及基板滿足上述關係的條件下進行，故量產性高且能以更均勻的膜厚分佈將膜形成於基板。

在成膜裝置中，Ds與Dt之差的符號可以跟Ds與Dt’之差的符號相反。

根據此種成膜裝置，由於除了第一靶以外也使用第二靶，故量產性高且能以更均勻的膜厚分佈將膜形成於基板。

成膜裝置中，上述電力源可以對上述第一靶供給不同於上述第二靶的電力。

根據此種成膜裝置，由於在各個第一靶及第二靶中將供電電力予以調整，故以更均勻的膜厚分佈將膜形成於基板。

在成膜裝置中，對於上述基板的表面的法線、對於上述第一靶的表面的法線及對於上述第二靶之表面的法線中的任一者也可以與上述第一中心軸交叉。

根據此種成膜裝置，由於調整成對於基板的表面的法線、對於第一靶的表面的法線及對於第二靶之表面的法線中的任一者與第一中心軸交叉，故能以更均勻的膜厚分佈將膜形成於基板。

為了達成上述目的，本發明的一形態之成膜裝置係具備：複數個靶、基板保持具、真空容器、電力源及氣體供給機構。 上述基板保持具係構成為：能夠至少支持一個與複數個上述靶對向的基板且以第一中心軸作為中心而旋轉，上述基板係能夠以偏離上述第一中心軸的第二中心軸作為中心而旋轉。 上述真空容器係將複數個上述靶與上述基板保持具予以收容。 上述電力源係對複數個上述靶供給放電電力。 上述氣體供給機構係對上述真空容器供給放電氣體。 複數個上述靶係在正交於上述第一中心軸的方向上並排設置。 在將上述第一中心軸與上述第二中心軸之間的正交於上述第一中心軸的方向上的距離設為Ds、將上述第一中心軸與複數個上述靶之任意靶的中心之間的正交於上述第一中心軸的方向上的距離設為Dt、將上述靶的半徑設為R、將複數個上述靶與上述基板之間的上述第一中心軸的方向上的距離設為H、將Ds與Dt之差的絕對值設為A的情形下，滿足Ds+Dt≧H、A≧R、H≧R的關係式。

根據此種成膜裝置，由於成膜係在第一靶、基板保持具及複數個基板滿足上述關係的條件下進行，故量產性高且能以更均勻的膜厚分佈將膜形成於基板。

為了達成上述目的，在本發明的一形態之成膜方法中，在基板保持具至少支持一個基板，上述基板保持具係被收容於真空容器，且上述基板保持具係以第一中心軸作為中心而旋轉並使被支持在上述基板保持具的上述基板以偏離上述第一中心軸的第二中心軸作為中心而旋轉。 對上述真空容器供給放電氣體。 對與上述基板保持具對向且被收容於上述真空容器的第一靶供給放電電力。 在將上述第一中心軸與上述第二中心軸之間的正交於上述第一中心軸的方向上的距離設為Ds、將上述第一中心軸與上述第一靶的中心之間的正交於上述第一中心軸的方向上的距離設為Dt、將上述第一靶的半徑設為R、將上述第一靶與上述基板之間的上述第一中心軸的方向上的距離設為H、將Ds與Dt之差的絕對值設為A的情形下，於滿足Ds+Dt≧H、A≧R、H≧R之關係式的條件下，對上述基板進行成膜。

根據此種成膜方法，由於成膜係在第一靶、基板保持具及基板滿足上述關係的條件下進行，故量產性高且能以更均勻的膜厚分佈將膜形成於基板。

在成膜方法中，可以於上述真空容器內在正交於上述第一中心軸的方向上將第二靶與上述第一靶並排設置，且對上述第二靶供給放電電力。 在將上述第一中心軸與上述第二靶的中心之間的正交於上述第一中心軸的方向上的距離設為Dt’、將上述第二靶的半徑設為R’、將上述第二靶與上述基板之間的上述第一中心軸的方向上的距離設為H’、將Ds與Dt’之差的絕對值設為A’的情形下，以滿足Ds+Dt’≧H’、A’≧R’、H’≧R’之關係式的條件下，對上述基板進行成膜。

根據此種成膜方法，由於成膜係在除了第一靶以外的第二靶、基板保持具及基板滿足上述關係的條件下進行，故量產性高且能以更均勻的膜厚分佈將膜形成於基板。 [發明功效]

如以上所述般，根據本發明，提供一種能夠以高量產性且更均勻的膜厚分佈將膜形成於基板的成膜裝置以及成膜方法。

以下，一邊參照圖式一邊說明本發明的實施形態。有在各圖式導入XYZ軸座標的情形。又，有對相同構件或者是具有相同功能的構件附加相同符號的情形，且有在說明該構件後適當省略說明的情形。

圖1中的(a)是本實施形態之成膜裝置的概略性俯視圖。圖1中的(b)是本實施形態之成膜裝置的概略性剖視圖。於圖1中的(a)係表示有沿著圖1中的(b)之B1-B2線的剖面。於圖1中的(b)係表示有沿著圖1中的(a)之A1-A2線的剖面。

成膜裝置1是所謂上沉積(deposition-up)型的濺鍍裝置。成膜裝置1係具備：真空容器10、靶20(第一靶)、基板保持具30、支持台40、電力源60、氣體供給源70及排氣機構71。基板保持具30係能夠設置複數個基板90而不限於設置一個基板。基板90例如是半導體晶圓(semiconductor wafer)、玻璃基板、石英基板等。

真空容器10是能夠將減壓狀態予以維持的容器。真空容器10係具有容器本體101與蓋部102。蓋部102係覆蓋容器本體101且將容器本體101緊密地堵住。在從Z軸方向俯視觀看真空容器10的情形下，真空容器10的外形例如為矩形。真空容器10係將靶20、基板保持具30、支持台40等予以收容。

於真空容器10係安裝有氣體供給源70。氣體供給源70係對真空容器10內供給電漿(plasma)放電用的氣體。氣體例如是惰性氣體(Ar、Ne、He等)、氧(O)、氮(N)等。於氣體供給源70可以設有將氣體流量予以調整的氣體流量計。又，於真空容器10也可以設有將內部壓力予以測量的壓力計。

又，於真空容器10係連接有真空泵等的排氣機構71。真空容器10的大氣係藉由該排氣機構71而被排氣，真空狀態得以維持。又，被導入至真空容器10內的氣體係藉由排氣機構71而被排氣，真空容器10內被維持為預定的壓力。

靶20(濺鍍靶)係與金屬製的底板(backing plate)21接合。靶20及底板21各自的平面形狀例如是圓形。靶20係被固定於配置在真空容器10之下部的支持台40。又，也可以在靶20的背面配置磁鐵(未圖示)。藉此，磁控濺鍍(magnetron sputtering)得以實現。靶20的表面(被濺鍍面)係與基板保持具30對向。

靶的材料係因應在基板90所形成的層之組成而適當選擇。靶的材料不特別限定，例如是矽(Si)、鈮(Nb)、鉭(Ta)等。

基板保持具30係具有：旋轉板301、旋轉機構302、基板支持具311及旋轉機構312。基板保持具30係與靶20對向。

旋轉板301的平面形狀為圓形。旋轉板301係藉由旋轉機構302而以旋轉板301之中心軸300作為中心旋轉(自轉)。又，於旋轉板301係設有複數個基板支持具311。複數個基板支持具311係與靶20對向。

例如，在圖1中的(a)之例子裡，以基板保持具30的中心軸300(第一中心軸)作為中心而配置有12個基板支持具311。基板支持具311的平面形狀係配合基板90的平面形狀來設計，例如為圓形。又，複數個基板支持具311從各自的中心軸300起算的距離為相同。

又，於旋轉板301係設有：旋轉機構312，係使基板支持具311旋轉(自轉)。藉由該旋轉機構312，基板支持具311係以從中心軸300偏離的中心軸310作為中心而旋轉。

基板保持具30具備複數個基板支持具311，藉此基板保持具30係能夠支持一個或者是複數個基板90。由基板支持具311所支持的基板90係與靶20對向。又，在基板90被支持於基板支持具311的情形下，中心軸310也是基板90進行旋轉的中心軸。亦即，基板90係藉由旋轉機構312以中心軸310作為中心而自轉。

又，在複數個基板90被支持於基板保持具30時，複數個基板90的各個係位於從基板保持具30之中心軸300起算的相同距離。藉此，在基板保持具30以中心軸300作為中心而旋轉時，複數個基板90的各個係以中心軸300作為中心而公轉。此時，複數個基板90的各個係在靶20上通過相同路徑。

電力源60係隔著底板21對靶20供給電力。電力是DC(direct current；直流)電力、脈衝(pulse)DC電力、RF(radio frequency；射頻)電力等。例如，當在靶20供給有DC電力的情形下，靶20為陰極，真空容器10等為陽極(或者是接地(earth))。又，在電力源60為RF電源時，也可以在電力源60與靶20之間設置匹配電路(未圖示)。

另外，也可以在靶20上設置：擋門(shutter)機構，係將靶20與基板90之間堵住。

又，成膜裝置1也可以具備：氧電漿源，係將氧電漿暴露至形成於基板90的膜，將膜氧化而形成氧化膜。

在成膜裝置1中，在將中心軸300與中心軸310之間的正交於中心軸300的方向上的距離設為Ds、將中心軸300與靶20的中心之間的正交於中心軸300的方向上的距離設為Dt、將靶20的半徑設為R、將靶20與基板90之間的中心軸300的方向上的距離設為H、將Ds與Dt之差(Ds-Dt)的絕對值設為A的情形下，以滿足下面的關係式的方式配置基板保持具30、靶20及基板90。 Ds+Dt≧H…式(1)。 A≧R　　…式(2)。 H≧R　　…式(3)。

例如，在真空容器10內，至少一個基板90由基板保持具30所支持，且一邊以中心軸310作為中心自轉一邊以中心軸300作為中心公轉。此時，基板90以中心軸310作為中心而自轉的角速度係被設定得比以中心軸300作為中心而公轉的角速度更快。

又，於真空容器10係自氣體供給源70供給有Ar等放電氣體，於靶20係自電力源60供給有放電電力。藉此，靶20藉由電漿所濺鍍，在滿足式(1)至式(3)的條件下，於基板90形成有膜。

此處，從靶20飄飛的濺鍍粒子之量係取決於濺鍍粒子從靶20飛出的放出角度。例如，濺鍍粒子之量在靶20的法線方向為最多，隨著自法線偏離而量逐漸地減少。

即使濺鍍粒子以此種放出角度分佈從靶20飛出，順著滿足式(1)至式(3)的條件下對基板90進行濺鍍成膜，藉此形成於基板90之膜的厚度變得更均勻。又，由於基板保持具30係能夠保持複數個基板90，因此1批次(batch)能夠對複數個基板90濺鍍成膜，濺鍍成膜的量產性提高。

(變形例1)

又，以靶20來說，也可以不限於一個地使用複數個靶(多元靶)。

圖2中的(a)是本實施形態的變形例1之成膜裝置的概略性俯視圖。圖2中的(b)是本實施形態之成膜裝置的概略性剖視圖。於圖2中的(a)係表示有沿著圖2中的(b)之B1-B2線的剖面。於圖2中的(b)係表示有沿著圖2中的(a)之A1-A2線的剖面。

在將上述靶20當成靶20A的情形下，成膜裝置2係具備：靶20B(第二靶)，係在正交於中心軸300的方向上與靶20A並排設置。

靶20B係與金屬製的底板21B接合。靶20B及底板21B各自的平面形狀例如是圓形。靶20B係被固定於支持台40。又，也可以在靶20B的背面配置磁鐵(未圖示)。靶20B的表面(被濺鍍面)係與基板保持具30對向。

電力源60B係隔著底板21B對靶20B供給電力。另外，上述底板21係對應於底板21A，上述電力源60係對應於電力源60A。

在圖2中的(a)、圖2中的(b)之例子裡，靶20A、20B並排的方向係與真空容器10之內壁的一部分呈平行。例如，在從中心軸300將線拉出到靶20B之表面的任意位置的情形下，靶20A、20B係以該拉出線的一部分與靶20A之表面重疊的方式所配置。

靶20A係比通過基板90的線條(line)更位於中心軸300之側，靶20B係比該線條更位於真空容器10之側。在從Z軸方向俯視觀看成膜裝置2的情形下，基板90係一邊與靶20A、20B雙方重疊一邊以中心軸300作為中心而移動(公轉)。另外，靶20A、20B並排的方向不限於Y軸方向，也可以在與Y軸方向交叉之方向並排。

又，在成膜裝置2中，在將中心軸300與靶20B的中心之間的正交於中心軸300的方向上的距離設為Dt’、將靶20B的半徑設為R’、將靶20B與基板90之間的中心軸300的方向上的距離設為H’、將Ds與Dt’之差(Ds-Dt’)的絕對值設為A’的情形下，除了式(1)至式(3)以外，以滿足下面的關係式的方式配置基板保持具30、靶20A、20B及基板90。 Ds+Dt’≧H’…式(4)。 A’≧R’　　…式(5)。 H’≧R’　　…式(6)。 H’係與H實質相同。又，Ds與Dt之差的符號係跟Ds與Dt’之差的符號相反。例如，在Ds-Dt’的符號為負的情形下，Ds-Dt的符號為正。

於靶20B係自電力源60B供給有放電電力。藉此，除了靶20A以外，靶20B由電漿所濺鍍，在滿足式(1)至式(6)的條件下，於基板90形成有膜。另外，電力源60A對靶20A供給的電力也可以跟電力源60B對靶20B供給的電力不同。例如，由電力源60B所進行的供給電力係被設定得比由電力源60A所進行的供給電力更高。例如，由電力源60B所進行的供給電力係被設定成由電力源60A所進行的供給電力之2倍左右。

圖3是在使用多元靶之情形下形成於基板的膜之膜厚分佈的概略圖。橫軸是從基板90的中心起算之距離r，縱軸是膜厚(標準值)。

使用成膜裝置2的話，在僅使用靶20A之情形下產生的膜厚分佈會藉由在使用靶20B之情形下產生的膜厚分佈而被補正，形成於基板90的膜之厚度會變得更加均勻。

例如，在使用靶20A之情形下的膜厚分佈會成為：從基板90的中心朝向基板端而右降的膜厚分佈。在該情形下，在使用比靶20A更遠離中心軸300的靶20B之情形下，在使用靶20B之情形下的膜厚分佈會成為：從基板90的中心朝向基板端而右升的膜厚分佈。

因此，使用靶20A與靶20B的話，在僅使用靶20A之情形下產生的膜厚分佈會藉由在使用靶20B之情形下產生的膜厚分佈而被補正，形成於基板90的膜之厚度會變得更加均勻。在圖3中，該厚度係作為20A+20B而表示。

(變形例2)

圖4是本實施形態的變形例2之成膜裝置的概略性俯視圖。圖4係對應於沿著圖1中的(b)之B1-B2線的剖面。

被固定於支持台40之靶20A、20B的組數並不限於一組。例如，成膜裝置3係具備2組靶20A、20B。例如，在正交於一組靶20A、20B並排的方向上配置有別組靶20A、20B，各組的靶20A、20B並排的方向是互相平行的。

根據此種成膜裝置3，在使用一組靶20A、20B之情形下產生的膜厚分佈會藉由在使用別組靶20A、20B之情形下產生的膜厚分佈而被補正，形成於基板90的膜之厚度會變得更加均勻。進一步地，藉由對每組改變靶材，能夠將材料已混合的膜、或者是材料不同的膜交互地積層。

(變形例3)

圖5是本實施形態的變形例3之成膜裝置的概略性剖視圖。

在成膜裝置4中，基板90的表面的法線及對於靶20之表面的法線中的任一者係與中心軸300交叉。例如，各法線係朝向中心軸300傾斜。對於靶20A、20B各自之表面的法線中的任一者也可以與中心軸300交叉。

根據此種成膜裝置4，由於對於基板90的表面的法線、對於靶20的表面的法線及對於靶20A、20B各自之表面的法線中的任一者以與中心軸300交叉的方式所調整，故以更均勻的膜厚分佈將膜形成於基板90。 [實施例]

藉由以下的實施例具體地說明本實施形態。本實施形態的範圍並不限於以下所示的實施例。

將實施例1至實施例3、比較例1、2各自的條件與結果表示在表1。

在實施例1至實施例3、比較例1、2中，使用大約300 mm徑的Si晶圓基板來作為基板90。在將形成於Si晶圓基板之膜的最大膜厚設為Dmax、最小膜厚設為Dmin時，將算式±(Dmax-Dmin)／(Dmax+Dmin)以百分率表示的值用來定義膜厚分佈(%)。膜厚分佈的目的值設為例如-1%以上至1%以下。靶的直徑皆設為290 mm。放電壓力係設為1.5 Pa。放電電力係使用了DC電力。

又，在多元靶的情形下，使用了靶20A與靶20B兩個靶。在將對靶20A投入之電力設為P_20A 、將對靶20B投入之電力設為P_20B 之情形下，對各個靶投入之電力的比(功率(power)比)係以算式P_20B ／(P_20A +P_20B )定義。

各實施例、各比較例的條件之詳細係如以下。

(實施例1)

靶20A的材料：Si。 放電氣體：Ar／O₂ 。 膜：SiO₂ 膜。

(實施例2)

靶20A的材料：Si。 放電氣體：Ar／O₂ 。 靶20B的材料：Nb。 放電氣體：Ar／O₂ 。 膜：SiO₂ 膜與NbO₂ 膜之積層膜。 功率比：0.67。 (實施例3)

靶20A的材料：Si。 放電氣體：Ar／O₂ 。 靶20B的材料：Nb。 放電氣體：Ar／O₂ 。 膜：SiO₂ 膜與NbO₂ 膜之積層膜。 功率比：0.75。

(比較例1)

靶20A的材料：Si。 放電氣體：Ar／O₂ 。 膜：SiO₂ 膜。

(比較例2)

靶20A的材料：Si。 放電氣體：Ar／O₂ 。 膜：SiO₂ 膜。

在比較例1中，雖然滿足式(1)，不過成為A：100 mm、R：145 mm，沒有滿足式(2)。此時，膜厚分佈係成為±6.9%。又，在比較例2中，雖然滿足式(1)，不過成為H：100 mm、R：145 mm，沒有滿足式(3)。此時，膜厚分佈係成為±3.1%。因此了解到，除了式(1)以外，有必要滿足式(2)、式(3)。

另一方面，實施例1至實施例3係滿足式(1)至式(6)。例如，在僅用了靶20A的實施例1中，膜厚分佈收斂於-1%以上至1%以下，成為±0.5%。進一步地，在使用了靶20A、20B的實施例2中，膜厚分佈成為±0.27%，得到了比實施例1更良好的膜厚分佈。又，在實施例3中，對靶20B投入的電力比實施例2更增加了。在該情形下，膜厚分佈成為±0.18%，膜厚分佈變得比實施例2更加良好。

[表1]

單位：mm	%	±0.5	±0.27	±0.18	±6.9	±3.1
R’	-	145	145	-	-
A’ |Ds-Dt’|	-	200	200	-	-
H’	-	250	250	-	-
Ds+Dt’	-	1400	1400	-	-
Dt’	-	800	800	-	-
R	145	145	145	145	145
A |Ds-Dt|	150	150	150	100	150
H	150	250	250	150	100
Ds+Dt	1050	1050	1050	1000	1050
Dt	450	450	450	450	450
Ds	600	600	600	550	600
	實施例1	實施例2	實施例3	比較例1	比較例2

如此，在比較例中雖成為膜厚分佈超過1%的結果，不過在實施例1至實施例3中，膜厚分佈皆變得比1%更低，根據實施例可知得到良好的膜厚分佈。

以上，對本發明的實施形態進行了說明，不過本發明並非僅限於上述的實施形態，當然可以施加各種變更。各實施形態係不限定於獨立的形態，只要技術上允許則能夠複合。

1,2,3,4:成膜裝置 10:真空容器 20,20A,20B:靶 21,21A,21B:底板 30:基板保持具 40:支持台 60,60A,60B:電力源 70:氣體供給源 71:排氣機構 90:基板 101:容器本體 102:蓋部 300,310:中心軸 301:旋轉板 302,312:旋轉機構 311:基板支持具 Ds:中心軸300與中心軸310之間的距離 Dt:中心軸300與靶20的中心之間的距離 Dt’:中心軸300與靶20B的中心之間的距離 H:靶20與基板之間的距離 H’:靶20B與基板之間的距離 R:靶20的半徑 R’:靶20B的半徑

[圖1]中，(a)是本實施形態之成膜裝置的概略性俯視圖，(b)是本實施形態之成膜裝置的概略性剖視圖。 [圖2]中，(a)是本實施形態的變形例1之成膜裝置的概略性俯視圖，(b)是本實施形態之成膜裝置的概略性剖視圖。 [圖3]是在使用多元靶之情形下形成於基板的膜之膜厚分佈的概略圖。 [圖4]是本實施形態的變形例2之成膜裝置的概略性俯視圖。 [圖5]是本實施形態的變形例3之成膜裝置的概略性剖視圖。

1:成膜裝置

10:真空容器

20:靶

21:底板

30:基板保持具

40:支持台

60:電力源

70:氣體供給源

71:排氣機構

90:基板

101:容器本體

102:蓋部

300,310:中心軸

301:旋轉板

302,312:旋轉機構

311:基板支持具

Ds:中心軸300與中心軸310之間的距離

Dt:中心軸300與靶20的中心之間的距離

H:靶20與基板90之間的距離

R:靶20的半徑

Claims (8)

1. 一種成膜裝置，係具備： 第一靶； 基板保持具，係構成為：能夠至少支持一個與前述第一靶對向的基板且以第一中心軸作為中心而旋轉，前述基板係能夠以偏離前述第一中心軸的第二中心軸作為中心而旋轉； 真空容器，係將前述第一靶與前述基板保持具予以收容； 電力源，係對前述第一靶供給放電電力；以及 氣體供給機構，係對前述真空容器供給放電氣體； 在將前述第一中心軸與前述第二中心軸之間的正交於前述第一中心軸的方向上的距離設為Ds、將前述第一中心軸與前述第一靶的中心之間的正交於前述第一中心軸的方向上的距離設為Dt、將前述第一靶的半徑設為R、將前述第一靶與前述基板之間的前述第一中心軸的方向上的距離設為H、將Ds與Dt之差的絕對值設為A的情形下，滿足Ds+Dt≧H、A≧R、H≧R的關係式。
2. 如請求項1所記載之成膜裝置，其中更具備： 第二靶，係在正交於前述第一中心軸的方向上與前述第一靶並排設置； 在將前述第一中心軸與前述第二靶的中心之間的正交於前述第一中心軸的方向上的距離設為Dt’、將前述第二靶的半徑設為R’、將前述第二靶與前述基板之間的前述第一中心軸的方向上的距離設為H’、將Ds與Dt’之差的絕對值設為A’的情形下，滿足Ds+Dt’≧H’、A’≧R’、H’≧R’的關係式。
3. 如請求項2所記載之成膜裝置，其中Ds與Dt之差的符號係跟Ds與Dt’之差的符號相反。
4. 如請求項2或3所記載之成膜裝置，其中前述電力源係對前述第一靶供給不同於前述第二靶的電力。
5. 如請求項2或3所記載之成膜裝置，其中對於前述基板的表面的法線、對於前述第一靶的表面的法線及對於前述第二靶之表面的法線中的任一者係與前述第一中心軸交叉。
6. 一種成膜裝置，係具備： 複數個靶； 基板保持具，係構成為：能夠至少支持一個與複數個前述靶對向的基板且以第一中心軸作為中心而旋轉，前述基板係能夠以偏離前述第一中心軸的第二中心軸作為中心而旋轉； 真空容器，係將複數個前述靶與前述基板保持具予以收容； 電力源，係對複數個前述靶供給放電電力；以及 氣體供給機構，係對前述真空容器供給放電氣體； 複數個前述靶係在正交於前述第一中心軸的方向上並排設置； 在將前述第一中心軸與前述第二中心軸之間的正交於前述第一中心軸的方向上的距離設為Ds、將前述第一中心軸與複數個前述靶之任意靶的中心之間的正交於前述第一中心軸的方向上的距離設為Dt、將前述靶的半徑設為R、將複數個前述靶與前述基板之間的前述第一中心軸的方向上的距離設為H、將Ds與Dt之差的絕對值設為A的情形下，滿足Ds+Dt≧H、A≧R、H≧R的關係式。
7. 一種成膜方法，係具備以下步驟： 在基板保持具至少支持一個基板，前述基板保持具係被收容於真空容器，且前述基板保持具係以第一中心軸作為中心而旋轉並使被支持在前述基板保持具的前述基板以偏離前述第一中心軸的第二中心軸作為中心而旋轉； 對前述真空容器供給放電氣體； 對與前述基板保持具對向且被收容於前述真空容器的第一靶供給放電電力； 在將前述第一中心軸與前述第二中心軸之間的正交於前述第一中心軸的方向上的距離設為Ds、將前述第一中心軸與前述第一靶的中心之間的正交於前述第一中心軸的方向上的距離設為Dt、將前述第一靶的半徑設為R、將前述第一靶與前述基板之間的前述第一中心軸的方向上的距離設為H、將Ds與Dt之差的絕對值設為A的情形下，於滿足Ds+Dt≧H、A≧R、H≧R之關係式的條件下，對前述基板進行成膜。
8. 如請求項7所記載之成膜方法，其中於前述真空容器內在正交於前述第一中心軸的方向上將第二靶與前述第一靶並排設置； 對前述第二靶供給放電電力； 在將前述第一中心軸與前述第二靶的中心之間的正交於前述第一中心軸的方向上的距離設為Dt’、將前述第二靶的半徑設為R’、將前述第二靶與前述基板之間的前述第一中心軸的方向上的距離設為H’、將Ds與Dt’之差的絕對值設為A’的情形下，於滿足Ds+Dt’≧H’、A’≧R’、H’≧R’之關係式的條件下，對前述基板進行成膜。

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