TW202033667A - 樹脂組成物、膜、積層體、接合結構體、積層體的製造方法及接合結構體的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種樹脂組成物，其含有樹脂及內含芯材之膠囊，膠囊的最大直徑的算術平均為3μm以下，膠囊所內含之芯材包含選自分解樹脂之化合物及可塑劑中的至少1種。亦提供一種使用樹脂組成物之膜、積層體、接合結構體、積層體的製造方法及接合結構體的製造方法。

Description

樹脂組成物、膜、積層體、接合結構體、積層體的製造方法及接合結構體的製造方法
本發明有關一種含有樹脂及內含芯材之膠囊之樹脂組成物。更詳細而言，有關一種用於具有成為導電端子的突起部之構件彼此的接合等之樹脂組成物。又，本發明有關一種使用樹脂組成物之膜、積層體、接合結構體、積層體的製造方法及接合結構體的製造方法。
將金屬填充在設置於絕緣性基材之微細孔中而成之金屬填充微細結構體係近年來在奈米技術中亦受到矚目之領域之一，例如期待作為各向異性導電性構件的用途。該各向異性導電性構件只要插入半導體元件等電子元件與電路基板之間並施加電壓即可獲得電子元件與電路基板之間的電連接，因此廣泛用作半導體元件等電子元件等的電連接構件或進行功能檢查時的檢查用連接器等。尤其，半導體元件等電子元件的小型化顯著，在習知之線結合等將配線基板直接連接之類的方式或覆晶接合、熱壓（熱壓著）接合等中，無法充分確保連接穩定性，因此作為電子連接構件，各向異性導電性構件受到矚目。
在專利文獻1、2中記載有如下內容：利用各向異性導電性構件，接合具有複數個電極之配線基板，該各向異性導電性構件具有包括無機材料之絕緣性基材及沿絕緣性基材的厚度方向貫穿且包括以相互絕緣的狀態設置之導電性構件之複數個導通路，複數個導通路具有從絕緣性基材的表面突出之突起部。又，在專利文獻1、2中，接合各向異性導電性構件的突起部及配線基板的電極時，使用熱硬化性樹脂來接著。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2016/006660號 [專利文獻2]日本特開2018-037509號公報
將具有成為導電端子之突起部之第1構件與具有成為配線基板等的導電端子之突起部之第2構件接合時，藉由利用樹脂組成物等，能夠獲得優異之接合可靠性。
又，近年來，將該等構件彼此接合時，對以更低的溫度進行的情況進行了研究。然而，存在隨著接合溫度的下降，兩個構件之間產生空隙之情況。
因此，本發明的目的在於提供一種能夠在將具有突起部之構件彼此接合時，抑制在兩個構件之間產生空隙的樹脂組成物。又，本發明的目的在於提供一種使用樹脂組成物之膜、積層體、接合結構體、積層體的製造方法及接合結構體的製造方法。
依據本發明人的研究，發現藉由使用後述結構的樹脂組成物，能夠實現上述目的，以至完成本發明。因此，本發明提供以下內容。 ＜1＞一種樹脂組成物，其含有樹脂及內含芯材之膠囊，其中， 上述膠囊的最大直徑的算術平均為3μm以下， 芯材包含選自分解樹脂之化合物及可塑劑中的至少1種。 ＜2＞如＜1＞所述之樹脂組成物，其中，上述膠囊的最大直徑的算術平均為0.1μm以上。 ＜3＞如＜1＞或＜2＞所述之樹脂組成物，其中，在樹脂組成物的總固體成分中含有上述膠囊5～50質量%。 ＜4＞如＜1＞～＜3＞中任一項所述之樹脂組成物，其中，相對於樹脂的100質量份，含有上述膠囊10～50質量份。 ＜5＞如＜1＞～＜4＞中任一項所述之樹脂組成物，其中，上述膠囊係在施加10kPa～50MPa的壓力時被破壞者。 ＜6＞如＜1＞～＜5＞中任一項所述之樹脂組成物，其中，上述膠囊係在120～300℃被破壞者。 ＜7＞如＜1＞～＜6＞中任一項所述之樹脂組成物，其中，芯材在23℃的黏度為100mPa·s以下。 ＜8＞如＜1＞～＜7＞中任一項所述之樹脂組成物，其中，芯材包含選自氧化劑、還原劑及反應性可塑劑中的至少1種。 ＜9＞如＜1＞～＜8＞中任一項所述之樹脂組成物，其中，樹脂組成物還包含可塑劑。 ＜10＞如＜1＞～＜9＞中任一項所述之樹脂組成物，其中，樹脂係熱硬化性樹脂。 ＜11＞一種膜，其使用＜1＞～＜10＞中任一項所述之樹脂組成物形成。 ＜12＞如＜11＞所述之膜，其中，膜中膠囊的體積分率為5%以上。 ＜13＞一種積層體，其具有： 具有成為導電端子之突起部之構件、及設置於該構件的具有突起部一側的表面之使用＜1＞～＜10＞中任一項所述之樹脂組成物形成的膜。 ＜14＞如＜13＞所述之積層體，其中，上述構件在絕緣性基材的兩面具有突起部，上述膜設置於絕緣性基材的兩面。 ＜15＞如＜13＞或＜14＞所述之積層體，其中，上述構件具有複數個突起部，突起部彼此的間隔小於膠囊的最大直徑的算術平均。 ＜16＞如＜13＞～＜15＞中任一項所述之積層體，其中，上述構件係各向異性導電性構件，該各向異性導電性構件具有絕緣性基材及沿絕緣性基材的厚度方向貫穿且包括以相互絕緣的狀態設置之導電性構件之複數個導通路，複數個導通路具有從絕緣性基材的表面突出之突起部， 從絕緣性基材的表面突出之突起部被上述膜包覆。 ＜17＞如＜16＞所述之積層體，其中，膜中的膠囊偏在於和絕緣性基材與膜接觸的一面相反一側的表層部分。 ＜18＞一種接合結構體，其具有： 具有成為導電端子之突起部之第1構件、 具有成為導電端子之突起部之第2構件、及 設置於第1構件與第2構件之間，使用＜1＞～＜10＞中任一項所述之樹脂組成物形成之膜， 第1構件的突起部與第2構件的突起部電連接。 ＜19＞如＜18＞所述之接合結構體，其中，第1構件及第2構件中的一個為各向異性導電性構件，另一個為配線基板，該各向異性導電性構件具有絕緣性基材及沿絕緣性基材的厚度方向貫穿且以相互絕緣的狀態設置之包括導電性構件之複數個導通路，複數個導通路具有從絕緣性基材的表面突出之突起部。 ＜20＞一種積層體的製造方法，其包括樹脂組成物層形成步驟，在該步驟中對具有成為導電端子之突起部之構件適用＜1＞～＜10＞中任一項所述之樹脂組成物而形成與突起部接觸且具有大於突起部的高度的厚度之樹脂組成物層。 ＜21＞一種接合結構體的製造方法，其包括： 樹脂組成物層形成步驟，對具有成為導電端子之突起部之第1構件適用＜1＞～＜10＞中任一項所述之樹脂組成物而形成與突起部接觸且具有大於突起部的高度的厚度之樹脂組成物層、 接觸步驟，使具有成為導電端子之突起部之第2構件的突起部與形成於第1構件上之樹脂組成物層接觸、及 接合步驟，破壞樹脂組成物層中包含的膠囊之後或一邊破壞膠囊一邊將第1構件與第2構件壓接而將第1構件的突起部與第2構件的突起部電連接。 [發明效果]
依本發明，能夠提供一種能夠在將具有突起部之構件彼此接合時，抑制在兩個構件之間產生空隙的樹脂組成物。又，本發明能夠提供一種使用樹脂組成物之膜、積層體、接合結構體、積層體的製造方法及接合結構體的製造方法。
以下，對本發明的內容進行說明。此外，本說明書中，“～”係指將記載於其前後之數值作為下限值及上限值而包含之含義而使用。 以下所記載之本發明中的構成要件的說明有時基於本發明的代表性實施方式而進行，但本發明並不限定於該等實施方式。 關於本說明書中的基團（原子團）的標記，未記述經取代及未經取代之標記係同時包含不具有取代基者和具有取代基者。例如，“烷基”不僅包含不具有取代基之烷基（未經取代的烷基），還包含具有取代基之烷基（取代烷基）。 本說明書中，“（甲基）丙烯酸”表示“丙烯酸”及“甲基丙烯酸”兩者或任一個。 本說明書中，“步驟”這一術語，不僅為獨立的步驟，而且即使於無法與其他步驟明確區分之情況下，若可實現對該步驟所期待之作用，則亦包含於本術語中。 本發明中的物性值只要無特別說明，則設為溫度23℃、氣壓101325Pa的下的值。 本說明書中，只要沒有特別說明，則重量平均分子量（Mw）及數平均分子量（Mn）係藉由凝膠滲透層析法（GPC測定）進行測定者，並作為苯乙烯換算值而定義。本說明書中，重量平均分子量（Mw）及數平均分子量（Mn）例如能夠利用HLC-8220（TOSOH CORPORATION製），並作為柱而使用保護柱HZ-L、TSKgel Super HZM-M、TSKgel Super HZ4000、TSKgel Super HZ3000及TSKgel Super HZ2000（TOSOH CORPORATION製）而求出。在該測定中，只要無特別說明，洗提液使用THF（四氫呋喃）。又，只要沒有特別記載，則將檢測設為使用UV線（紫外線）的波長254nm檢測器者。
＜樹脂組成物＞ 本發明的樹脂組成物的特徵為含有樹脂及內含芯材之膠囊之樹脂組成物， 上述膠囊的最大直徑的算術平均為3μm以下， 上述芯材包含選自分解樹脂之化合物及可塑劑中的至少1種。
藉由利用本發明的樹脂組成物將具有突起部之構件彼此接合，能夠抑制在兩個構件之間產生空隙。作為可獲得此類效果的理由，推測如下。推測由於該樹脂組成物中包含的上述膠囊的最大直徑的算術平均為3μm以下，因此能夠減少將兩個構件的突起部彼此接合時的高度不均。因此，推測在將兩個構件的突起部彼此接合時，容易破壞膠囊，能夠使芯材有效地從膠囊的內部滲出。又，推測樹脂藉由從膠囊內部滲出之芯材可塑化，或者樹脂被分解而黏度降低，流動性提高。因此，推測藉由利用本發明的樹脂組成物將具有突起部之構件彼此接合，能夠抑制在兩個構件之間產生空隙。又，將構件彼此在低溫（例如，250℃以下等）下接合時，亦能夠有效抑制空隙的產生，因此在低溫下接合時尤其有效。又，藉由上述膠囊的最大直徑的算術平均為3μm以下，樹脂組成物中的膠囊的分散性亦良好。 又，依本發明，能夠在接合時提高樹脂的流動性，因此亦能夠使各構件的突起部彼此牢固地接合。因此，各構件的突起部成為導電端子時，不僅能夠使各構件的突起部彼此牢固地電連接，亦能夠減少構件之間的接合電阻或提高接合性（接合概率）。
本發明的樹脂組成物能夠較佳地用作具有突起部之構件彼此的接合用的組成物。又，本發明中使用的樹脂組成物係絕緣性的樹脂組成物亦較佳。此類樹脂組成物可較佳地用作具有成為導電端子之突起部之構件彼此的接合用的組成物。以下，對本發明的樹脂組成物進行更詳細的說明。
＜＜樹脂＞＞ 本發明的樹脂組成物含有樹脂。作為樹脂，可以為熱塑性樹脂，亦可以為熱硬化性樹脂。其中，從維持器件彼此的接著強度、容易確保高濕下的可靠性的理由考慮，係熱硬化性樹脂為較佳。此外，本說明書中，熱塑性樹脂係指藉由加熱軟化以至熔融的樹脂，熱硬化性樹脂係指藉由加熱硬化的樹脂。
本發明的樹脂組成物中使用的樹脂係非導電性樹脂為較佳，體積電阻率成為1010 Ω·cm以上之非導電性樹脂為更佳。又，熱硬化性樹脂為較佳。樹脂的重量平均分子量（Mw）為1000～2000000為較佳。上限為1000000以下為較佳，500000以下為更佳。下限為2000以上為較佳，3000以上為更佳。
作為樹脂的種類，可舉出（甲基）丙烯酸樹脂、環氧樹脂、聚氨酯樹脂、聚脲樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醚樹脂、聚酯樹脂、苯乙烯樹脂、酚樹脂、順丁烯二醯亞胺樹脂、脲-甲醛樹脂、三聚氰胺樹脂、環狀烯烴樹脂、矽氧烷樹脂等，從耐熱性、可靠性的觀點考慮，環氧樹脂及聚醯亞胺樹脂為較佳，環氧樹脂為更佳。
作為環氧樹脂，可舉出雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆環氧樹脂、脂肪族環氧樹脂等。
作為環氧樹脂的市售品，例如作為雙酚A型環氧樹脂，可舉出jER825、jER827、jER828、jER834、jER1001、jER1002、jER1003、jER1055、jER1007、jER1009、jER1010（以上，Mitsubishi Chemical Corporation製）、EPICLON860、EPICLON1050、EPICLON1051、EPICLON1055（以上，DIC Corporation製）等。作為雙酚F型環氧樹脂，可舉出jER806、jER807、jER4004、jER4005、jER4007、jER4010（以上，Mitsubishi Chemical Corporation製）、EPICLON830、EPICLON835（以上，DIC Corporation製）、LCE-21、RE-602S（以上，Nippon Kayaku Co.,Ltd.製）等。作為苯酚酚醛清漆型環氧樹脂，可舉出jER152、jER154、jER157S70、jER157S65（以上，Mitsubishi Chemical Corporation製）、EPICLON N-740、EPICLON N-770、EPICLON N-775（以上，DIC Corporation製）等。作為甲酚酚醛清漆環氧樹脂，可舉出EPICLON N-660、EPICLON N-665、EPICLON N-670、EPICLON N-673、EPICLON N-680、EPICLON N-690、EPICLON N-695（以上，DIC Corporation製）、EOCN-1020（Nippon Kayaku Co.,Ltd.製）等。作為脂肪族環氧樹脂，可舉出ADEKA RESIN EP-4080S、ADEKA RESIN EP-4085S、ADEKA RESIN EP-4088S（以上，ADEKA CORPORATION製）、CELLOXIDE 2021P、CELLOXIDE 2081、CELLOXIDE 2083、CELLOXIDE 2085、EHPE3150、EPOLEAD PB 3600、EPOLEAD PB 4700（以上，DAICEL-ALLNEX LTD.製）、Denacol EX-212L、EX-214L、EX-216L、EX-321L、EX-850L（以上，Nagase ChemteX Corporation製）等。除此以外，亦可舉出ADEKA RESIN EP-4000S、ADEKA RESIN EP-4003S、ADEKA RESIN EP-4010S、ADEKA RESIN EP-4011S（以上，ADEKA CORPORATION製）、NC-2000、NC-3000、NC-7300、XD-1000、EPPN-501、EPPN-502（以上，ADEKA CORPORATION製）、jER1031S（Mitsubishi Chemical Corporation製）等。
本發明中使用的樹脂的熱膨脹係數為50×10-6 K-1 以下為較佳，5×10-6 K-1 ～50×10-6 K-1 為更佳，5×10-6 K-1 ～30×10-6 K-1 為進一步較佳。又，本發明的樹脂組成物包含2種以上的樹脂his，2種以上樹脂的混合物的熱膨脹係數為50×10-6 K-1 以下為較佳，5×10-6 K-1 ～50×10-6 K-1 為更佳，5×10-6 K-1 ～30×10-6 K-1 為進一步較佳。
樹脂的含量為樹脂組成物的總固體成分中20～80質量%為較佳。下限為25質量%以上為較佳，50質量%以上為更佳。上限為75質量%以下為較佳。樹脂可以僅含有一種，亦可以含有兩種以上。含有2種以上的樹脂時，該等的合計在上述範圍為較佳。
＜＜膠囊＞＞ 本發明的樹脂組成物含有內含芯材之膠囊。本發明的樹脂組成物中使用的膠囊的芯材包含選自分解樹脂之化合物及可塑劑中的至少1種。
作為用於芯材的分解樹脂之化合物，可使用分解本發明的樹脂組成物中包含的樹脂且對膠囊壁材的分解性或溶解性低的化合物。例如，可舉出氧化劑、還原劑等，依據樹脂組成物中包含的樹脂的種類及構成膠囊的壁材之材料的種類，適當選擇使用為較佳。
作為氧化劑，羧酸化合物、磺酸化合物為較佳。作為羧酸化合物，例如可舉出乙酸、草酸、丙酸、1,10-十二烷二羧酸、1,11-十一烷二羧酸、癸二酸、苯甲酸、鄰苯二甲酸、對苯二甲酸、1,3-二羧基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷等。 作為磺酸化合物，例如可舉出甲苯磺酸、苯磺酸、甲磺酸等。
作為還原劑，可舉出烷氧化金屬化合物。烷氧化金屬化合物係由M（OR）n 表示之化合物。其中，M表示金屬元素，R表示烷基，n表示金屬元素M的氧化數。作為由M表示之金屬元素，例如可舉出鈉（Na）、鉀（K）、鈣（Ca）。R所表示之烷基的碳數為1～30為較佳，1～10為更佳，1～5為進一步較佳。作為烷氧化金屬化合物的較佳具體例，可舉出甲氧基鈉（CH3 ONa）、甲氧基鉀（CH3 OK）等。
例如，作為樹脂使用環氧樹脂時，可舉出草酸、苯磺酸、甲氧基鉀等。
作為可塑劑，可較佳地使用降低樹脂的黏度之化合物。例如，可舉出聚酯系可塑劑、甘油系可塑劑、多元羧酸酯系可塑劑、聚伸烷基二醇系可塑劑、鄰苯二甲酸二丁酯、鄰苯二甲酸二（2-乙基己基）等鄰苯二甲酸二酯系可塑劑、己二酸二（2-乙基己基）等脂肪族二質子酸酯系可塑劑、磷酸三甲苯酯等磷酸三酯系可塑劑、聚乙二醇酯等二醇酯系可塑劑等。又，反應性可塑劑為更佳。反應性可塑劑係指具有反應性基之可塑劑，作為反應性基，可舉出環氧基、酚基等，環氧基為較佳。亦即，反應性可塑劑係具有環氧基之可塑劑為較佳。例如，可舉出鏈狀二聚體或其酯化合物的環氧化物亦即縮水甘油酯化合物等。
作為聚酯系可塑劑，可舉出包括己二酸、癸二酸、對苯二甲酸、間苯二甲酸、萘二羧酸、二苯二羧酸、鬆香等酸成分和丙二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、1,6-己二醇、乙二醇、二乙二醇等二醇成分的聚酯或聚己內酯等包括羥基羧酸的聚酯等。該等聚酯可以用單官能羧酸或單官能醇進行末端封端，又可以用環氧化合物等進行末端封端。
作為甘油系可塑劑，可舉出單乙醯單月桂酸甘油酯、二乙醯單月桂酸甘油酯、單乙醯單硬脂酸甘油酯、二乙醯單油酸甘油酯及單乙醯單二十八酸甘油酯、三苯甲酸甘油酯等。
作為多元羧酸酯系可塑劑，鄰苯二甲酸二甲酯、鄰苯二甲酸二乙酯、鄰苯二甲酸二丁酯、鄰苯二甲酸二辛酯、鄰苯二甲酸二庚酯、鄰苯二甲酸二苄酯、鄰苯二甲酸丁基苄酯等鄰苯二甲酸酯、偏苯三甲酸三丁酯、偏苯三甲酸三辛酯、偏苯三甲酸三己酯、偏苯三甲酸三（2-乙基己酯）等偏苯三甲酸酯、己二酸二異癸酯、己二酸正辛基正癸酯、己二酸甲基二甘醇丁基二甘醇、己二酸苄基甲基二甘醇、己二酸苄基丁基二甘醇等己二酸酯、乙醯檸檬酸三乙酯、乙醯檸檬酸三丁酯等檸檬酸酯、二-2-乙基己基壬二酸等壬二酸酯、癸二酸二丁酯及二-2-乙基己基癸二酸酯等。
作為聚伸烷基二醇系可塑劑，可舉出聚乙二醇、聚丙二醇、聚（環氧乙烷/環氧丙烷）嵌段和/或無規共聚物、聚四氫呋喃、雙酚類的環氧乙烷加成聚合物、雙酚類的環氧丙烷加成聚合物、雙酚類的四氫呋喃加成聚合物等聚伸烷基二醇或其末端改質化合物等。
作為反應性可塑劑，可舉出鏈狀二聚體或其酯化合物的環氧化物亦即縮水甘油酯化合物等。
作為其他可塑劑的具體例，可舉出乙二醇、新戊二醇二苯甲酸酯、二乙二醇二苯甲酸酯、三乙二醇二-2-乙基丁酸酯等脂肪族多元醇的苯甲酸酯、硬脂酸醯胺等脂肪酸醯胺、油酸丁酯等脂肪族羧酸酯、乙醯蓖麻油酸甲酯、乙醯蓖麻油酸丁酯等含氧酸酯、新戊四醇、各種山梨醇等。
膠囊所內含的芯材可以僅包含分解樹脂之化合物及可塑劑中的任一種，亦可以包含兩種。芯材包含分解樹脂之化合物時，容易抑制樹脂的硬化反應等。又，芯材包含可塑劑時，容易提高樹脂的流動性。又，芯材包含分解樹脂之化合物及可塑劑時，藉由兩者的協同效果更容易提高樹脂的移動性（流動性）。芯材包含分解樹脂之化合物及可塑劑時，芯材相對於分解樹脂之化合物的100質量份，包含可塑劑10～90質量份為較佳，包含20～70質量份為更佳，包含40～60質量份為進一步較佳。
又，從接合構件彼此時不易使樹脂的硬化反應降低的觀點考慮，芯材實質上不包含分解樹脂之化合物亦較佳。此外，芯材實質上不包含分解樹脂之化合物的情況表示芯材中的分解樹脂之化合物的含量為1質量%以下，0.5質量%以下為較佳，0.1質量%以下為更佳，不含有為特佳。
又，從容易抑制接合構件彼此之後的經時變化的觀點考慮，芯材實質上不包含可塑劑亦較佳。此外，芯材實質上不包含可塑劑的情況表示芯材中的可塑劑的含量為1質量%以下，0.5質量%以下為較佳，0.1質量%以下為更佳，不含有為特佳。
本發明的樹脂組成物中使用的膠囊所內含的芯材將分解樹脂之化合物及可塑劑合計含有50質量%以上為較佳，含有70質量%以上為更佳，含有80質量%以上為進一步較佳。上限能夠設為100質量%以下，亦能夠設為90質量%以下。
膠囊所內含的芯材可進一步包含除了上述之分解樹脂之化合物及可塑劑以外的成分（其他成分）。作為其他成分，可舉出金屬的抗氧化劑（例如，咪唑）、交聯劑、界面活性劑等。其他成分的含量在芯材中為5質量%以下為較佳，2質量%以下為更佳，1質量%以下為進一步較佳。
膠囊所內含的芯材在23℃的黏度為1000mPa·s以下為較佳，200mPa·s以下為更佳，100mPa·s以下為進一步較佳。下限例如能夠設為10mPa·s以上。若芯材的黏度在上述範圍，則對樹脂的滲透性良好。
本發明的樹脂組成物中所使用的膠囊係藉由熱或壓力施加而被破壞者為較佳。更具體而言，係膠囊的壁材藉由熱或壓力施加而被破壞者為較佳。
作為膠囊的較佳之一實施形態，膠囊係藉由10kPa～50MPa（較佳為1MPa～5MPa，更佳為1MPa～3MPa）的壓力施加而被破壞者為較佳，更具體而言，膠囊的壁材藉由上述壓力施加而被破壞者為較佳。此時，膠囊可以進一步為在120～300℃（較佳為150～250℃，更佳為180～200℃）的溫度被破壞者，亦可以為在前述溫度不被破壞者。從在接合時顯現樹脂的流動性的觀點考慮，在上述溫度被破壞者為較佳。又，從成為塗佈膜之後的保存穩定性的觀點考慮，係在上述溫度不被破壞者為較佳。
作為膠囊的較佳之其他實施形態，係在120～300℃（較佳為150～250℃，更佳為180～200℃）的溫度被破壞者為較佳，更具體而言，係膠囊的壁材在上述溫度範圍被破壞者為較佳。此時，膠囊進一步係藉由10kPa～50MPa（較佳為1MPa～5MPa，更佳為1MPa～3MPa）的壓力施加被破壞者亦較佳，更具體而言，係膠囊的壁材被破壞者亦較佳。
作為構成膠囊的壁材之材料，並無特別限定。例如，可舉出聚氨酯樹脂、聚脲樹脂、聚醯胺樹脂、聚酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、脲-甲醛樹脂、三聚氰胺樹脂、聚苯乙烯樹脂、（甲基）丙烯酸樹脂、明膠、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇等，聚氨酯樹脂、聚脲樹脂、聚醯胺樹脂、聚酯樹脂及聚碳酸酯樹脂為較佳，聚氨酯樹脂及聚脲樹脂為更佳。
關於本發明中使用的膠囊，在對包含選自分解樹脂之化合物及可塑劑中的至少1種之芯材進行乳化之後，在其油滴的周圍形成高分子物質的壁而膠囊化為較佳。此時，將形成高分子物質之反應物添加到油滴的內部和/或油滴的外部。膠囊的較佳製造方法等關於能夠在本發明中較佳地使用的膠囊的詳細內容，記載於美國專利第3726804號、美國專利3796696號的說明書，該等內容編入本說明書中。 又，例如，將聚氨酯樹脂或聚脲樹脂用作膠囊的壁材時，將多元異氰酸酯及與其反應而形成壁材之第二物質（例如多元醇）混合於水相或待膠囊化的油性液體中，在水中乳化分散而使溫度上升，藉此使高分子形成反應在油滴界面發生來形成壁材。若將第二物質例如設為聚胺，或不添加任何物質，則生成聚脲樹脂。
關於多元異氰酸酯及與其反應的多元醇、聚胺（第二物質），記載於美國專利3281383號、美國專利3773695號、美國專利3793268號的各說明書、日本特公昭48-040347號公報、日本特公昭49-024159號公報、日本特開昭48-080191號公報、日本特公昭48-084086號公報，該等內容亦編入本說明書中。
作為多元異氰酸酯，例如可舉出間伸苯基二異氰酸酯、對伸苯基二異氰酸酯、2,6-甲伸苯基二異氰酸酯、2,4-甲伸苯基二異氰酸酯、萘-1,4-二異氰酸酯、二苯甲烷-4,4-二異氰酸酯、3,3’-二甲氧基-4,4’-聯苯-二異氰酸酯、3,3’-二甲基二苯甲烷-4,4’-二異氰酸酯、伸茬基-1,4-二異氰酸酯、4,4’-二苯基丙烷二異氰酸酯、三亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、伸丙基-1,2-二異氰酸酯、丁烯-1,2-二異氰酸酯、伸環己基-1,2-二異氰酸酯、伸環己基-1,4-二異氰酸酯等二異氰酸酯、4,4’,4’-三苯甲烷三異氰酸酯、甲苯-2,4,6-三異氰酸酯等三異氰酸酯、4,4’-二甲基二苯甲烷-2,2’,5,5’-四異氰酸酯等四異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯與三羥甲基丙烷的加成物、2,4-甲伸苯基二異氰酸酯與三羥甲基丙烷的加成物、伸茬基二異氰酸酯與三羥甲基丙烷的加成物、甲伸苯基二異氰酸酯與己三醇的加成物等異氰酸酯預聚物等。作為市售品，可舉出TAKENATE D-110N等TAKENATE系列等（Mitsui Chemicals, Inc.製）。
作為多元醇，可舉出脂肪族、芳香族的多元醇、羥基聚酯、羥基聚伸烷基醚等。作為具體例，可舉出乙二醇、1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、1,6-己二醇、1,7-庚二醇、1,8-辛二醇、丙二醇、2,3-二羥基丁烷、1,2-二羥基丁烷、1,3-二羥基丁烷、2,2-二甲基-1,3-丙二醇、2,4-戊二醇、2,5-己二醇、3-甲基-1,5-戊二醇、1,4-環己烷二甲醇、二羥基環己烷、二乙二醇、1,2,6-三羥基己烷、2-苯基丙二醇、1,1,1-三羥甲基丙烷、己三醇、新戊四醇、新戊四醇環氧乙烷加成物、甘油環氧乙烷加成物、甘油、1,4-二（2-羥基乙氧基）苯、間苯二酚二羥基乙基醚等芳香族多元醇與環氧烷的縮合生成物、對伸茬基二醇、間伸茬基二醇、α,α’-二羥基-對二丙苯、4,4’-二羥基-二苯甲烷、2-（p,p’-二羥基二苯基甲基）苯甲醇、雙酚A與環氧乙烷的加成物、雙酚A與環氧丙烷的加成物等。關於多元醇，以羥基相對於異氰酸酯基1莫耳的比例為0.02～2莫耳使用為較佳。
作為聚胺，例如可舉出乙二胺、三亞甲基二胺、四亞甲基二胺、五亞甲基二胺、六亞甲基二胺、對伸苯基二胺、間苯二胺、哌𠯤、2-甲基哌𠯤、2,5-二甲基哌𠯤、2-羥基三亞甲基二胺、二伸乙三胺、三伸乙三胺、三伸乙四胺、二乙基氨基丙胺、四伸乙五胺、環氧化合物的胺加成物等。
可在與油相混合的水相中含有界面活性劑。作為界面活性劑，可舉出公知的界面活性劑。例如，能夠從陰離子性界面活性劑、非離子性界面活性劑中適當選擇使用。作為界面活性劑的具體例，可舉出烷基苯磺酸鈉（例如，月桂基硫酸鈉）、磺琥珀酸鈉二辛酯、聚伸烷基二醇（例如，聚氧乙烯壬基苯基醚）等。
本發明的樹脂組成物中包含的膠囊的最大直徑的算術平均為3μm以下，2.5μm以下為較佳，2μm以下為更佳，1.5μm以下為進一步較佳。下限為0.1μm以上為較佳。
膠囊的最大直徑能夠利用控制均質機的轉速、膠囊形成時的相分離狀態等方法進行調整。例如，能夠藉由將均質機的轉速設小來使膠囊的最大直徑變大，並能夠藉由將均質機的轉速設大來使膠囊的最大直徑變小。
此外，本說明書中，關於膠囊的最大直徑，在為膠囊具有長軸和短軸之形態時，長軸的粒徑（長度）相當於膠囊的最大直徑。其中，將長軸確定為能夠將膠囊的長度取最長的軸（直線）。另一方面，將短軸確定為在與長軸正交的直線中取粒子長度時長度最長的軸。又，本說明書中，關於平均粒徑，能夠使用HORIBA, Ltd.的LA-910（HORIBA, Ltd.製），藉由常規方法，藉由雷射衍射/散射法，作為體積平均粒徑求出。又，確認完成度之後，隨機抽取50個膠囊並用電子顯微鏡觀察形狀，藉此能夠求出膠囊的最大直徑的算術平均。
膠囊的含量在樹脂組成物的總固體成分中為5～50質量%為較佳。下限為6質量%以上為較佳，10質量%以上為更佳。上限為40質量%以下為較佳，30質量%以下為更佳。 又，本發明的樹脂組成物相對於樹脂的100質量份，含有膠囊10～50質量份為較佳。下限為15質量份以上為較佳，20質量份以上為更佳。上限為45質量份以下為較佳，30質量份以下為更佳。若樹脂與膠囊的比例為上述範圍，則可更顯著獲得本發明的效果。 又，膠囊的含量係使用樹脂組成物形成之膜中的膠囊的體積分率成為5%以上的量為較佳，成為10%以上的量為更佳，成為15%以上的量為更佳，成為20%以上的量為特佳。上限為成為80%的量為較佳，成為50%的量為更佳，成為30%以下的量為進一步較佳。
本發明的樹脂組成物可以僅含有1種膠囊，亦可以含有2種以上。含有2種以上的膠囊時，該等的合計為上述範圍為較佳。又，本發明的樹脂組成物包含2種以上的膠囊時，可以併用1種以上的作為芯材包含分解樹脂之化合物之膠囊和1種以上的作為芯材包含可塑劑之膠囊。在該態樣的情況下，能夠期待基於功能分離之可靠性提高的效果。又，亦可以包含2種以上的包含相同芯材且僅膠囊的壁材不同的膠囊。在該態樣的情況下，藉由控制功能顯現時機而容易緩和接合條件。
＜＜溶劑＞＞ 本發明的樹脂組成物進而含有溶劑為較佳。溶劑能夠任意使用公知的溶劑。溶劑較佳為有機溶劑。作為有機溶劑，可舉出酯類、醚類、酮類、芳香族烴類、亞碸類、醯胺類等化合物。作為酯類，例如作為較佳者，可舉出乙酸乙酯、乙酸正丁酯、乙酸異丁酯、甲酸戊酯、乙酸異戊酯、丙酸丁酯、丁酸異丙酯、丁酸乙酯、丁酸丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、γ-丁內酯、ε-己內酯、δ-戊內酯、烷氧基乙酸烷基酯（例如，烷氧基乙酸甲酯、烷氧基乙酸乙酯、烷氧基乙酸丁酯（例如，甲氧基乙酸甲酯、甲氧基乙酸乙酯、甲氧基乙酸丁酯、乙氧基乙酸甲酯、乙氧基乙酸乙酯等））、3-烷氧基丙酸烷基酯類（例如，3-烷氧基丙酸甲酯、3-烷氧基丙酸乙酯等（例如,3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯等））、2-烷氧基丙酸烷基酯類（例如，2-烷氧基丙酸甲酯、2-烷氧基丙酸乙酯、2-烷氧基丙酸丙酯等（例如，2-甲氧基丙酸甲酯、2-甲氧基丙酸乙酯、2-甲氧基丙酸丙酯、2-乙氧基丙酸甲酯、2-乙氧基丙酸乙酯））、2-烷氧基-2-甲基丙酸甲酯及2-烷氧基-2-甲基丙酸乙酯（例如，2-甲氧基-2-甲基丙酸甲酯、2-乙氧基-2-甲基丙酸乙酯等）、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、丙酮酸丙酯、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、2-氧代丁酸甲酯、2-氧代丁酸乙酯等。作為醚類，例如作為較佳者，可舉出二乙二醇二甲醚、四氫呋喃、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、甲基溶纖劑乙酸酯、乙基溶纖劑乙酸酯、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單丙醚乙酸酯等。作為酮類，例如作為較佳者，可舉出甲基乙基酮、環己酮、環戊酮、2-庚酮、3-庚酮等。作為芳香族烴類，例如作為較佳者，可舉出甲苯、二甲苯、苯甲醚、檸檬烯等。作為亞碸類，例如作為較佳者，可舉出二甲基亞碸。作為醯胺類，作為較佳者，可舉出N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺等。關於溶劑，從塗佈面狀的改良等的觀點考慮，混合兩種以上之形態亦為較佳。
從塗佈性的觀點考慮，將溶劑的含量設為本發明的樹脂組成物的總固體成分濃度成為1～70質量%的量為較佳，設為成為5～50質量%的量為更佳，設為成為10～30質量%的量為進一步較佳。溶劑可以僅含有一種，亦可以含有兩種以上。含有兩種以上溶劑時，該等的合計為上述範圍為較佳。
＜＜可塑劑＞＞ 本發明的樹脂組成物能夠進而含有可塑劑。尤其，使用內含包含可塑劑之芯材之膠囊時，本發明的樹脂組成物進而含有可塑劑為較佳。依該態樣，藉由除膠囊以外亦含有可塑劑，從膠囊滲出之可塑劑與存在於膠囊外之可塑劑混合而能夠進一步提高樹脂的流動性。作為可塑劑，可舉出在上述膠囊的芯材一項中說明的材料。
本發明的樹脂組成物包含可塑劑時，其含量在樹脂組成物中為1～50質量%為較佳。下限為2質量%以上為較佳，5質量%以上為更佳。上限為40質量%以下為較佳，20質量%以下為更佳。可塑劑可以僅含有一種，亦可以含有兩種以上。含有2種以上的可塑劑時，該等的合計為上述範圍為較佳。
＜＜硬化劑＞＞ 本發明的樹脂組成物可以包含硬化劑。尤其，使用包含環氧樹脂者作為樹脂時，包含硬化劑為較佳。作為硬化劑，例如，可舉出二伸乙三胺、三伸乙四胺、間二甲苯二胺、二胺基二苯甲烷、二胺基二苯碸、間苯二胺、二氰二醯胺等胺化合物；鄰苯二甲酸酐、四氫鄰苯二甲酸酐、六氫鄰苯二甲酸酐、甲基四氫鄰苯二甲酸酐、甲基六氫鄰苯二甲酸酐、甲基納迪克酸酐、均苯四甲酸酐、偏苯三甲酸酐等酸酐；咪唑、2-乙基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-十一基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、2-十七基咪唑、4,5-二苯基咪唑、2-甲基咪唑啉、2-苯基咪唑啉、2-十一基咪唑啉、2-十七基咪唑啉、2-異丙基咪唑、2,4-二甲基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-乙基咪唑啉、2-異丙基咪唑啉、2,4-二甲基咪唑啉、2-苯基-4-甲基咪唑啉等咪唑化合物及該等化合物的亞胺基被丙烯腈、伸苯基二異氰酸酯、甲苯胺異氰酸酯、萘二異氰酸酯、亞甲基雙苯基異氰酸酯、三聚氰胺丙烯酸酯等遮蔽之化合物；雙酚F、雙酚A、雙酚S、聚乙烯酚等酚化合物以及該等化合物與甲醛或柳醛等醛類的縮合物及該等的鹵化物等。
本發明的樹脂組成物包含硬化劑時，其含量在樹脂組成物的總固體成分中為0.1～10質量%為較佳。下限為0.5質量%以上為較佳，1質量%以上為更佳。上限為5質量%以下為較佳，3質量%以下為更佳。 又，硬化劑的含量相對於樹脂100質量份為0.1～20質量份為較佳。下限為0.5質量份以上為較佳，1質量份以上為更佳。上限為5質量份以下為較佳，2質量份以下為更佳。硬化劑可以僅含有一種，亦可以含有兩種以上。含有2種以上的硬化劑時，該等的合計為上述範圍為較佳。
＜＜其他添加劑＞＞ 依據需要，本發明的樹脂組成物能夠進一步含有硬化促進劑、金屬的抗氧化材料等其他添加劑。其他添加劑的合計含量在樹脂組成物的總固體成分中為5質量%以下為較佳，3質量%以下為更佳，1質量%以下為進一步較佳。
＜樹脂組成物的製備方法＞ 本發明的樹脂組成物能夠藉由混合上述各成分來製備。混合方法並無特別限定，能夠藉由以往公知的方法來進行。又，以去除組成物中的垃圾或微粒等異物為目的，進行使用過濾器之過濾為較佳。過濾器使用具有設為目標之膠囊徑的2倍左右的孔徑之過濾器為較佳。 過濾器的材質係聚四氟乙烯、聚乙烯或尼龍為較佳。過濾器可以使用預先用有機溶劑清洗者。過濾器的過濾步驟中，可以並聯或串聯複數種過濾器而使用。使用複數種過濾器時，可以組合使用孔徑或材質不同之過濾器。又，可以將各種材料過濾多次。過濾多次時，可以為循環過濾。又，可以在施加電壓之後進行過濾。在施加電壓之後進行過濾時，施加電壓壓力為0.05MPa以上且0.3MPa以下為較佳。除了使用過濾器之過濾以外，亦可以進行使用吸附材料之雜質去除處理。還可以組合過濾器過濾和使用吸附材料之雜質去除處理。作為吸附材料，能夠使用公知的吸附材料。例如，可舉出矽膠、沸石等無機系吸附材料、活性碳等有機系吸附材料。
＜收容容器＞ 作為本發明的樹脂組成物的收容容器，能夠使用以往公知的收容容器。又，作為收容容器，以抑制雜質混入原材料或組成物中為目的，使用由6種6層樹脂構成容器內壁之多層瓶、將6種樹脂形成為7層結構之瓶亦為較佳。作為該等容器，例如可舉出日本特開2015-123351號公報中所記載之容器。
＜膜＞ 接著，對本發明的膜進行說明。本發明的膜係使用上述本發明的樹脂組成物來形成之膜。本發明的膜的膜厚能夠依據用途或適用部位而適當選擇使用。例如，能夠設為0.1μm以上，並能夠設為0.5μm以上。又，作為上限值，能夠設為10μm以下，亦能夠設為2μm以下，還能夠設為1μm以下。
膜中的上述膠囊的體積分率為5%以上為較佳，10%以上為更佳，15%以上為更佳，20%以上為特佳。上限為80%以下為較佳，50%以下為更佳，30%以下為進一步較佳。
＜積層體＞ 接著，對本發明的積層體進行說明。本發明的積層體包含具有成為導電端子之突起部之構件和設置於具有該構件的突起部一側的表面之使用本發明的樹脂組成物形成之膜。作為構件，若為具有成為導電端子之突起部者，則並無特別限定。又，關於突起的形狀及高度亦無特別限定。能夠依據用途適當選擇。又，可以在構件中設置複數個突起。作為具有成為導電端子之突起部之構件，可舉出配線基板、各向異性導電性構件、半導體器件（處理器（CPU（Central Processing Unit：中央處理單元）、MPU（Microprocessor Unit：微處理器單元））、記憶體、發電元件、MEMS（Micro Electro Mechanical Systems：微機電系統）、GPU（Graphics Processing Unit：圖形處理單元）、通信元件等）等。
本發明的積層體中，構件的突起部被使用本發明的樹脂組成物形成之膜覆蓋為較佳，突起部被超過突起部的高度之厚度的膜覆蓋為更佳。
又，構件係在絕緣性基材的兩面具有突起部者亦較佳。在該情況下，在絕緣性基材的兩面具有上述膜為較佳，在絕緣性基材的兩面具有的突起部被上述膜覆蓋為更佳，在絕緣性基材的兩面具有的突起部被超過突起部的高度之厚度的膜覆蓋為進一步較佳。
本發明的積層體中，可較佳地使用作為上述構件具有複數個突起部者。例如，作為具有複數個突起部之構件，使用各向異性導電性構件時，各向異性導電性構件的突起部彼此的間隔為5nm～800nm為較佳，10nm～200nm為更佳，20nm～60nm為進一步較佳。又，突起部彼此的間隔小於膜中包含的膠囊的最大直徑的算術平均為較佳，膠囊的最大直徑的算術平均的95%以下為更佳，膠囊的最大直徑的算術平均的90%以下為更佳，膠囊的最大直徑的算術平均的80%以下為更進一步較佳，50%以下為特佳。又，從維持絕緣性的觀點考慮，突起部彼此的間隔的下限為膜中包含的膠囊的最大直徑的10%以上為較佳。
若突起部彼此的間隔小於膜中包含的膠囊的最大直徑的算術平均，則例如，如圖1所示，能夠使膜20中包含的膠囊21偏在於突起部11的上方。亦即，能夠使膜20中的膠囊21偏在於和絕緣性基材12與膜20接觸的面的相反一側的表層部分。藉由膜中的膠囊以此方式偏在，在將配線基板等其他構件的突起部與該構件的突起部11接合時，膜20中包含的膠囊21容易被破壞，其結果，提高接合時膜的流動性，藉此能夠更加有效地抑制兩個構件之間的空隙的產生。
本發明的積層體中，作為上述構件，可較佳地使用具有絕緣性基材及沿絕緣性基材的厚度方向貫穿且包括以相互絕緣的狀態設置之導電性構件之複數個導通路，複數個導通路具有從絕緣性基材的表面突出之突起部之各向異性導電性構件。以下，對各向異性導電性構件進行說明。
構成各向異性導電性構件之絕緣性基材係用具有絕緣性之材料構成者即可。例如，金屬氧化物、金屬氮化物、玻璃、陶瓷（例如，碳化矽、氮化矽等）、碳（例如，類鑽碳等）、聚醯亞胺及由該等的複合材料構成者。又，亦可以為用包含50質量%以上的陶瓷材料或碳材料之無機材料在有機材料上形成膜之材料。
從具有所需平均開口直徑之微孔形成為貫通孔，容易形成導通路的理由考慮，絕緣性基材係金屬氧化物基材為較佳，閥金屬的陽極氧化膜為更佳。其中，作為上述閥金屬，具體而言，例如可舉出鋁、鉭、鈮、鈦、鉿、鋯、鋅、鎢、鉍、銻等。其中，由於尺寸穩定性良好，相對廉價，因此鋁的陽極氧化膜（基材）為較佳。
絕緣性基材的厚度為1μm～1000μm為較佳，1μm～500μm為更佳，1μm～100μm為進一步較佳。若絕緣性基材的厚度在該範圍，絕緣性基材的操作性變良好。其中，絕緣性基材的厚度表示藉由場發射型掃描式電子顯微鏡觀察各向異性導電性構件的剖面，在10處測定的厚度的平均值。
又，本發明中，上述絕緣性基材中上述各導通路的間隔為5nm～800nm為較佳，10nm～200nm為更佳，20nm～60nm為進一步較佳。若絕緣性基材中各導通路的間隔在該範圍，則絕緣性基材作為絕緣性的隔壁而充分發揮功能。其中，各導通路的間隔表示相鄰導通路之間的寬度，係藉由場發射型掃描式電子顯微鏡，以20万倍的倍率觀察各向異性導電性構件的剖面，在10處測定的相鄰導通路之間的寬度的平均值。
構成各向異性導電性構件之複數個導通路係沿上述絕緣性基材的厚度方向貫穿且包括以相互絕緣的狀態設置之導電性構件之導通路。又，上述導通路具有從絕緣性基材的表面突出之突起部。
構成上述導通路之導電性構件只要為電阻率為103 Ω·cm以下的材料，則並無特別限定，作為其具體例，可較佳地例示金（Au）、銀（Ag）、銅（Cu）、鋁（Al）、鎂（Mg）、鎳（Ni）、摻銦錫氧化物（ITO）等。其中，從導電性的觀點考慮，銅、金、鋁、鎳為較佳，銅、金為更佳。
上述導通路的突起部係導通路從絕緣性基材的表面突出之部分。
從能夠充分確保突起部崩壞時的面方向的絕緣性的理由考慮，將各向異性導電性構件的導通路與成為配線基板的電極等被接合構件（第2構件）的導電端子之突起部接合時，上述導通路的突起部的縱橫比（突起部的高度/突起部的直徑）為0.5以上且小於50為較佳，0.8～20為更佳，1～10為進一步較佳。
又，本發明中，從對配線基板等被接合構件的表面形狀的追隨性的觀點考慮，上述導通路的突起部的高度為50nm～3000nm為較佳，100～2000nm為更佳，200～1000nm為進一步較佳。同樣地，上述導通路的突起部的直徑大於5nm且10μm以下為較佳，20nm～1000nm為更佳。其中，導通路的突起部的高度表示藉由場發射型掃描式電子顯微鏡，以2万倍的倍率觀察各向異性導電性構件的剖面，在10處測定的導通路的突起部的高度的平均值。同樣地，導通路的突起部的直徑表示藉由場發射型掃描式電子顯微鏡觀察各向異性導電性構件的剖面，在10處測定的導通路的突起部的直徑的平均值。
各向異性導電性構件的製作方法並無特別限定，例如，可舉出具有在設置於上述絕緣性基材之貫通孔配置上述導電性材料而形成上述導通路之導通路形成步驟及在導通路形成步驟之後僅部分去除上述絕緣性基材的表面，使上述導通路突出之修邊步驟之製造方法等。各向異性導電性構件的製作方法的詳細內容能夠利用日本特開2018-037509號公報的段落號0031～0050中記載之方法，該內容編入本說明書中。
圖1所示之積層體為本發明的積層體的較佳之一實施形態。 圖1的符號10為各向異性導電性構件。該各向異性導電性構件10呈如下結構：具有絕緣性基材12及沿絕緣性基材12的厚度方向貫通且包括以相互絕緣的狀態設置之導電性構件之複數個導通路15，複數個導通路15具有從絕緣性基材12的表面突出之突起部11。
圖1中，從絕緣性基材12突出之突起部11被由本發明的樹脂組成物構成之膜20包覆。更詳細而言，突起部11被超過突起部11的高度之厚度的膜包覆。從容易確保絕緣性的理由考慮，突起部11的高度H1與膜20的厚度H2之比（H1/H2）為1～5為較佳，1～1.5為進一步較佳。
圖1中，膜中包含的膠囊21偏在於突起部11的上方。亦即，膠囊21偏在於和絕緣性基材12與膜接觸的面相反一側的表層部分。
此外，圖1的構件10中，僅在絕緣性基材12的單面設置突起部11，但亦可以在絕緣性基材12的兩面設置突起部11。又，在兩面設置有突起部11時，如圖2所示，從絕緣性基材12的兩面突出之突起部11b、11c被由本發明的樹脂組成物構成之膜20包覆為較佳。
＜接合結構體＞ 接著，對本發明的接合結構體進行說明。本發明的接合結構體包含具有成為導電端子之突起部之第1構件、具有成為導電端子之突起部之第2構件及設置於第1構件與第2構件之間的用本發明的樹脂組成物形成之膜，第1構件的突起部與第2構件的突起部電連接。
本發明的接合結構體中，第1構件及第2構件中的一個為各向異性導電性構件，另一個為配線基板為較佳，該各向異性導電性構件具有絕緣性基材及沿絕緣性基材的厚度方向貫穿且以相互絕緣的狀態設置之包括導電性構件之複數個導通路，複數個導通路具有從絕緣性基材的表面突出之突起部。
作為配線基板，可舉出具有基板和高度為10μm以下的複數個電極，進而依據需要具有其他構件者等。其中，電極的高度表示藉由場發射型掃描式電子顯微鏡，以10000倍的倍率觀察配線基板的剖面，在10處測定的電極的高度的平均值。又，本發明中使用的配線基板可以為在基板（例如，矽基板）上安裝有積體電路之半導體晶片。作為半導體晶片，可舉出記憶體、影像感測器、邏輯、功率半導體等。
作為配線基板中的基板，並無特別限制，能夠依據目的適當選擇，例如可舉出塑膠基板、玻璃基板等。又，作為基板的形狀、大小、結構，並無特別限制，能夠依據目的適當選擇。
作為配線基板中的電極的材料，可舉出金、銀、銅、鋁等。關於電極的形狀，若高度為10μm以下，則並無特別限定，可以為配線形狀，能夠依據目的適當選擇。又，電極的高度為0.05μm以上為較佳，0.1～5μm為更佳。
圖3係本發明的接合結構體的一實施形態。該接合結構體係將各向異性導電性構件10與成為配線基板30的電極之突起部31接合之接合結構體，該各向異性導電性構件10具有絕緣性基材12及沿絕緣性基材12的厚度方向貫通且包括以相互絕緣的狀態設置之導電性構件之複數個導通路15，複數個導通路15具有從絕緣性基材12的表面（單面）突出之突起部11。
圖4係本發明的接合結構體的另一實施形態。該接合結構體係將各向異性導電性構件10a與成為配線基板30、40的電極之突起部31、41接合之接合結構體，該各向異性導電性構件10a具有絕緣性基材12及沿絕緣性基材12的厚度方向貫通且包括以相互絕緣的狀態設置之導電性構件之複數個導通路15，複數個導通路15具有從絕緣性基材12的表面（兩面）突出之突起部11b、11c。
＜積層體的製造方法、接合結構體的製造方法＞ 接著，對本發明的積層體的製造方法及接合結構體的製造方法進行說明。 本發明的積層體的製造方法包括對具有成為導電端子之突起部之構件適用本發明的樹脂組成物來形成與突起部接觸且具有大於突起部的高度的厚度之樹脂組成物層之樹脂組成物層形成步驟。
又，本發明的接合結構體的製造方法包括：樹脂組成物層形成步驟，對具有成為導電端子之突起部之第1構件適用本發明的樹脂組成物來形成與突起部接觸且具有大於突起部的高度的厚度之樹脂組成物層、 接觸步驟，使具有成為導電端子之突起部之第2構件的突起部與形成於第1構件上之樹脂組成物層接觸、及 接合步驟，破壞樹脂組成物層中包含的膠囊之後或一邊破壞膠囊一邊將第1構件與第2構件壓接而將第1構件的突起部與第2構件的突起部電連接。
以下，對各步驟進行說明。 ＜＜樹脂組成物層形成步驟＞＞ 樹脂組成物層形成步驟中，對具有成為導電端子之突起部之構件適用本發明的樹脂組成物。作為樹脂組成物的適用方法，並無限定，例如能夠使用凹版塗佈法、反轉塗佈法、模塗法、刮刀塗佈、輥塗、氣刀塗佈、網版塗佈、棒塗佈、簾式塗佈等以往公知的塗佈方法。
適用樹脂組成物之後，進行乾燥為較佳。乾燥方法並無特別限定，例如，可舉出在大氣壓下，以0～100℃的溫度加熱數秒～數十分鐘的處理或在減壓下，以0～80℃的溫度加熱數十分鐘～數小時的處理等。又，可以進行乾燥後的加熱處理。
＜＜接觸步驟＞＞ 接著，使具有成為導電端子之突起部之第2構件的突起部與形成於第1構件上之樹脂組成物層接觸（臨時接合）（接觸步驟）。 接觸步驟的溫度條件並無特別限定，40～100℃為較佳。又，接觸步驟的施加電壓條件並無特別限定，10MPa以下為較佳，5MPa以下為更佳，1MPa以下為特佳。
又，本發明中，在該接觸步驟時，可以破壞樹脂組成物層中包含的膠囊，但在下一步驟的接合步驟時破壞為較佳。
又，本發明中，利用CoW（Chip On Wafer：晶圓上晶片）製程進行接觸步驟亦較佳。檢查半導體晶圓和半導體晶片晶圓以預先獲知良品晶片和不良晶片（KGD：Known Good Die；已知良好晶片），僅將半導體晶片晶圓的良品晶片與半導體晶圓內的良品部分接合，藉此能夠減少損耗。
＜＜接合步驟＞＞ 接著，破壞樹脂組成物層中包含的膠囊之後或一邊破壞膠囊一邊將第1構件與第2構件壓接而將第1構件的突起部與第2構件的突起部電連接（接合步驟）。本發明中，接合步驟時一邊破壞樹脂組成物層中包含的膠囊一邊將第1構件與第2構件壓接而將第1構件的突起部與第2構件的突起部電連接為較佳。
接合步驟的溫度條件為180～300℃為較佳，200～250℃為更佳。接合步驟的施加電壓條件並無特別限定，10kPa～50MPa為較佳，2～20MPa為更佳。又，接合步驟的時間並無特別限定，1秒～60分鐘為較佳，5秒～10分鐘為更佳。此外，接合步驟可以按每一晶片進行，但從縮短節拍時間（tact time）的觀點考慮，對晶圓一次性進行為較佳。
本發明的接合結構體的製造方法亦能夠適用於多層配線基板的製造等。
利用圖5、圖6，對圖4所示之接合結構體的製造方法的一系列步驟進行說明。首先，在各向異性導電性構件10a的絕緣性基材12的兩面適用本發明的樹脂組成物來形成樹脂組成物層（膜）20，用樹脂組成物層（膜）20包覆從絕緣性基材12的兩面突出的突起部11b、11c，藉此形成圖2所示之結構的積層體。接著，如圖5所示，使設置於各向異性導電性構件10a的一面側之樹脂組成物層（膜）20與成為配線基板40的電極之突起部41接觸（臨時接合）。接著，如圖6所示，使設置於各向異性導電性構件10a的另一面側之樹脂組成物層（膜）20與成為配線基板30的電極之突起部31接觸（臨時接合）。又，從箭頭方向壓接而將配線基板30、各向異性導電性構件10a及配線基板40電連接。如此，能夠製造圖4所示之接合結構體。 [實施例]
以下，舉出實施例對本發明進行進一步詳細的說明。以下的實施例中所示出之材料、使用量、比例、處理內容、處理步驟等於不脫離本發明的宗旨之範圍內，能夠適當進行變更。因此，本發明的範圍並不限定於以下所示之具體例。
＜膠囊的最大直徑的算術平均的計算＞ 隨機抽取50個膠囊，用電子顯微鏡觀察形狀，求出了膠囊的最大直徑的算術平均。
＜膠囊的製造＞ [膠囊1～3（將乙醇鉀作為芯材包含的膠囊）的製造] （膠囊1的製造） 作為溶液A1，準備了30%乙醇鉀甲醇溶液（FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation製）。 添加15質量份的乙烯基順丁烯二酸酐共聚物（Scripcet-520，Monsanto Company製）和水85質量份，在60℃混合，將pH調整為4，藉此獲得了乳化劑B1。 又，對三聚氰胺-甲醛樹脂（商品名Sumirez Resin 615K，Sumitomo Chemical Co., Ltd.製）15質量份添加水85質量份，在60℃混合，藉此獲得了壁材C1。 在60℃，用均質混合機對乳化劑B1的100質量份和溶液A1的100質量份進行了乳化。接著，將壁材C1的50質量份添加至該乳化物，以1000rpm的轉速攪拌2小時，藉此獲得了膠囊1（最大直徑的算術平均2μm）的分散液（固體成分40%）。
（膠囊2的製造） 將膠囊1的分散液進而以轉速2000rpm攪拌4小時來獲得了膠囊2（最大直徑的算術平均1μm）的分散液（固體成分40%）。
（膠囊3的製造） 在60℃，用均質混合機對乳化劑B1的100質量份和溶液A1的100質量份進行了乳化。接著，將壁材C1的20質量份添加至該乳化物，以2000rpm的轉速攪拌10小時，藉此獲得了膠囊3（最大直徑的算術平均0.2μm）的分散液（固體成分40%）。
[膠囊4～6（將反應性可塑劑作為芯材包含的膠囊）的製造] （膠囊4的製造） 準備EPIOL ES-F（椰子脂肪酸-縮水甘油酯：NOF CORPORATION製，25℃的黏度6.2mPa·s，環氧當量400g/eq以下），用甲醇稀釋成50%來獲得了溶液A2。在60℃，用均質混合機對乳化劑B1的100質量份和溶液A2的100質量份進行了乳化。接著，將壁材C1的50質量份添加至該乳化物，以1000rpm的轉速攪拌2小時，藉此獲得了膠囊4（最大直徑的算術平均2μm）的分散液（固體成分40%）。
（膠囊5的製造） 將膠囊4的分散液進而以轉速2000rpm攪拌4小時來獲得了膠囊5（最大直徑的算術平均1μm）的分散液（固體成分40%）。
（膠囊6的製造） 在60℃，用均質混合機對乳化劑B1的100質量份和溶液A2的100質量份進行了乳化。接著，將壁材C1的20質量份添加至該乳化物，以2000rpm的轉速攪拌10小時，藉此獲得了膠囊6（最大直徑的算術平均0.2μm）的分散液（固體成分40%）。
[膠囊7～9（將草酸作為芯材包含的膠囊）的製造] （膠囊7的製造） 作為溶液A3，準備了草酸的5mol/L水溶液。 在60℃，用均質混合機對乳化劑B1的100質量份和溶液A3的100質量份進行了乳化。接著，將壁材C1的50質量份添加至該乳化物，以1000rpm的轉速攪拌2小時，藉此獲得了膠囊7（最大直徑的算術平均2μm）的分散液（固體成分40%）。
（膠囊8的製造） 將膠囊7的分散液進而以轉速2000rpm攪拌4小時來獲得了膠囊7（最大直徑的算術平均1μm）的分散液（固體成分40%）。
（膠囊9的製造） 在60℃，用均質混合機對乳化劑B1的100質量份和溶液A3的100質量份進行了乳化。接著，將壁材C1的20質量份添加至該乳化物，以2000rpm的轉速攪拌10小時，藉此獲得了膠囊9（最大直徑的算術平均0.2μm）的分散液（固體成分40%）。
[膠囊10～12（將苯磺酸作為芯材包含的膠囊）的製造] （膠囊10的製造） 作為溶液A4，準備了苯磺酸的1mol/L溶液。 在60℃，用均質混合機對乳化劑B1的100質量份和溶液A4的100質量份進行了乳化。接著，將壁材C1的50質量份添加至該乳化物，以1000rpm的轉速攪拌2小時，藉此獲得了膠囊10（最大直徑的算術平均2μm）的分散液（固體成分40%）。
（膠囊11的製造） 將膠囊10的分散液進而以轉速2000rpm攪拌4小時來獲得了膠囊10（最大直徑的算術平均1μm）的分散液（固體成分40%）。
（膠囊12的製造） 在60℃，用均質混合機對乳化劑B1的100質量份和溶液A4的100質量份進行了乳化。接著，將壁材C1的20質量份添加至該乳化物，以2000rpm的轉速攪拌10小時，藉此獲得了膠囊12（最大直徑的算術平均0.2μm）的分散液（固體成分40%）。
[膠囊13～15（將甘油系可塑劑作為芯材包含的膠囊）的製造] （膠囊13的製造） 將聚乙烯吡咯烷酮（Wako Pure Chemical Industries, Ltd.製，聚乙烯吡咯烷酮K25）4g溶解於二乙醯單月桂酸甘油酯（RIKEMAL PL-012：RIKEN VITAMIN CO., LTD.製）36g，藉此獲得了均勻的保護膠體溶液D1。另外對KMC113（KUREHA CORPORATION製，烷基萘）6g混合多元異氰酸酯的SUMIDUR N3200（Covestro AG製）2.2g、COSMONATE LK（Mitsui Chemicals, Inc.製）2.2g來獲得了溶液E1。 將溶液E1的10g緩慢添加至保護膠體溶液D1的60g中，用均質混合機乳化之後，一邊以500rpm的轉速攪拌一邊以75℃使多元異氰酸酯反應2小時，藉此獲得了膠囊13（最大直徑的算術平均1.8μm）的分散液（固體成分40%）。
（膠囊14的製造） 將溶液E1的10g緩慢添加至保護膠體溶液D1的60g中，用均質混合機乳化之後，一邊以1000rpm攪拌一邊以75℃使多元異氰酸酯反應4小時，藉此獲得了膠囊14（最大直徑的算術平均1μm）的分散液（固體成分40%）。
（膠囊15的製造） 將溶液E1的5g緩慢添加至保護膠體溶液D1的60g中，用均質混合機乳化之後，一邊以2000rpm攪拌一邊以75℃使多元異氰酸酯反應4小時，藉此獲得了膠囊15（最大直徑的算術平均0.3μm）的分散液（固體成分20%）。
[表1]
最大直徑的算術平均 芯材
膠囊1 2.0μm 乙醇鉀
膠囊2 1.0μm 乙醇鉀
膠囊3 0.2μm 乙醇鉀
膠囊4 2.0μm 椰子脂肪酸-縮水甘油酯
膠囊5 1.0μm 椰子脂肪酸-縮水甘油酯
膠囊6 0.2μm 椰子脂肪酸-縮水甘油酯
膠囊7 2.0μm 草酸
膠囊8 1.0μm 草酸
膠囊9 0.2μm 草酸
膠囊10 2.0μm 苯磺酸
膠囊11 1.0μm 苯磺酸
膠囊12 0.2μm 苯磺酸
膠囊13 1.8μm 二乙醯單月桂酸甘油酯
膠囊14 1.0μm 二乙醯單月桂酸甘油酯
膠囊15 0.3μm 二乙醯單月桂酸甘油酯
＜樹脂組成物的製備＞ （實施例1～45） 用均質分散機（PRIMIX Corporation製），在300～500rpm的條件下，對雙酚A型環氧樹脂（Mitsubishi Chemical Corporation製，EPIKOTE 1001，環氧當量470）的14.7g、雙酚F型環氧樹脂（TOHTO Chemical Industry Co.,Ltd.製，YDF8170，環氧當量160）的44.5g、作為硬化劑的酚樹脂型硬化劑（MEIWA PLASTIC INDUSTRIES,LTD.製，MEH800H，羥基當量141）的39.8g及胺系微膠囊型潛在性硬化促進劑（Asahi Kasei Corporation.製，NOVACURE HX3722）的1.0g進行了分散/混合。分取所獲得之混合物的10g，過濾後進行了乾燥。對該混合物添加下述表中記載的膠囊，以使所獲得之膜中的膠囊的體積分率成為下述表中的記載，進而利用均質分散機在500rpm的條件下，將溫度維持在15℃的同時分散混合6小時，藉此製備了實施例的樹脂組成物。
（比較例1） 未摻合膠囊，除此以外，以與實施例1相同的方式製備了樹脂組成物。
＜評價用試體的製造方法＞ 如下製作了樹脂組成物的評價用的TEG（test-element-group：測試元素組）。首先，在矽晶圓上形成銅膜，用抗蝕劑形成圖案，並蝕刻去除非必要部的銅，藉此在矽晶圓的表面製作了被稱為菊鍊之能夠上下交替接合的電極。關於電極尺寸，寬度為20μm，長度為60μm，上下的接合部分為20μm見方。將上側的晶片晶圓稱為“CHIP”，將下側稱為“IP”而進行區分，在下側的IP上為了測定導電而在菊鍊的兩端及兩端之間設置10處引線，以能夠判斷中途是否被接合，並將CHIP的尺寸設為比IP大。 進行各種評價時，將在IP上將夾著具有用各種樹脂組成物形成之膜之各向異性導電性構件使CHIP在上表面對位（對準）而積層者配置於接合裝置來接合，並分別評價了空隙、接合電阻及接合性。 各向異性導電構件使用了複數個的銅電極（直徑60nm）從絕緣性基材（厚度20um，材質為陽極氧化鋁）的上下突出之構件。銅電極彼此的間隔為20nm，從絕緣性基材突出的銅電極的突出量在單面為300nm，銅電極的密度為約1億個/mm2 。又，在該各向異性導電性構件的兩面旋塗各樹脂組成物來形成了厚度400nm的膜。
＜空隙的評價＞ 將在250℃、50MPa、30分、真空下加熱施加電壓接合之後的積層體沿厚度方向切斷，藉由剖面觀察確認形成於矽晶片與各向異性導電構件之間的膜（樹脂層）中是否產生空隙，按照以下基準評價了空隙。 5：膜（樹脂層）中殘留的空隙的大小小於10μm，且所有殘留空隙的合計面積相對於CHIP的面積小於1%。 4：膜（樹脂層）中殘留的空隙的大小小於10μm，且所有殘留空隙的合計面積相對於CHIP的面積大於1%且小於10%。 3：膜（樹脂層）中殘留的空隙的大小大於10μm且小於30μm，且所有殘留空隙的合計面積相對於CHIP的面積小於1%。 2：膜（樹脂層）中殘留的空隙的大小大於10μm且小於30μm，且所有殘留空隙的合計面積相對於CHIP的面積大於1%且小於10%。 1：無關於膜（樹脂層）中殘留的空隙的大小，所有殘留空隙的合計面積相對於半導體元件的面積為10%以上。
＜接合電阻的評價＞ 用四端子法測定在250℃、50MPa、30分鐘、真空下加熱施加電壓接合之後的菊鍊的電阻，藉由除以總鏈數來算出了每一接合點的電阻。
＜接合性的評價＞ 在200℃、20MPa、30分鐘、還原性氣氛下加熱施加電壓接合，求出了實現菊鍊的內部導通的部分的比例。測定用抽墊（drawer pad）設置於菊鍊的中途，因此可算出部分連接的接合鏈數，因此以概率表示相對於整體的鏈數有多少實現了接合，概率高者為良好。（單位=%）
[表2]
  所使用的膠囊的種類 膜中的膠囊的體積分率 空隙 接觸電阻（Ω） 接合性（%）
實施例1 膠囊3 5% 5 0.08 100
實施例2 膠囊2 5% 4 0.23 94
實施例3 膠囊1 5% 4 0.49 96
實施例4 膠囊5 5% 5 0.28 85
實施例5 膠囊4 5% 5 0.43 69
實施例6 膠囊9 5% 4 0.08 72
實施例7 膠囊8 5% 4 0.28 68
實施例8 膠囊11 5% 4 0.34 73
實施例9 膠囊10 5% 3 0.41 69
實施例10 膠囊3 15% 5 0.04 96
實施例11 膠囊2 15% 4 0.12 90
實施例12 膠囊1 15% 4 0.26 90
實施例13 膠囊5 15% 5 0.31 87
實施例14 膠囊4 15% 5 0.82 72
實施例15 膠囊9 15% 5 0.06 78
實施例16 膠囊8 15% 4 0.2 75
實施例17 膠囊11 15% 4 0.4 71
實施例18 膠囊10 15% 3 0.48 64
實施例19 膠囊3 25% 5 0.55 82
實施例20 膠囊2 25% 4 0.83 81
實施例21 膠囊1 25% 3 1 67
實施例22 膠囊5 25% 5 0.77 77
實施例23 膠囊4 25% 5 1.2 61
實施例24 膠囊9 25% 5 0.13 72
實施例25 膠囊8 25% 3 0.32 58
實施例26 膠囊11 25% 4 0.71 60
實施例27 膠囊10 25% 3 0.62 49
實施例28 膠囊3 40% 5 0.96 50
實施例29 膠囊2 40% 3 1.23 37
實施例30 膠囊1 40% 3 1.88 22
實施例31 膠囊5 40% 3 0.98 65
實施例32 膠囊4 40% 3 1.45 54
實施例33 膠囊9 40% 3 0.26 64
實施例34 膠囊8 40% 3 0.38 47
實施例35 膠囊11 40% 3 0.96 51
實施例36 膠囊10 40% 3 1.4 43
實施例37 膠囊13 5% 5 0.98 100
實施例38 膠囊13 15% 5 0.77 94
實施例39 膠囊13 40% 4 1.32 80
實施例40 膠囊14 5% 5 0.75 100
實施例41 膠囊14 15% 5 0.97 87
實施例42 膠囊14 40% 4 1.88 67
實施例43 膠囊15 5% 5 0.3 100
實施例44 膠囊15 15% 5 0.33 100
實施例45 膠囊15 40% 5 0.49 98
比較例1 - - 2 3.5 4
如上述表所示，實施例的樹脂組成物能夠抑制空隙的產生。進而，接合電阻低，接合性亦優異。
10、10a:各向異性導電性構件 11、11b、11c:突起部 12:絕緣性基材 15:導通路 20:膜（樹脂組成物層） 21:膠囊 30、40:配線基板 31、41:突起部 H1:高度 H2:厚度
圖1係本發明的積層體的一實施形態。 圖2係本發明的積層體的另一實施形態。 圖3係本發明的接合結構體的一實施形態。 圖4係本發明的接合結構體的另一實施形態。 圖5係表示圖4的接合結構體的製造步驟之圖。 圖6係表示圖4的接合結構體的製造步驟之圖。
無。

Claims (21)

  1. 一種樹脂組成物，其含有樹脂及內含芯材之膠囊，其中 該膠囊的最大直徑的算術平均為3μm以下， 該芯材包含選自分解該樹脂之化合物及可塑劑中的至少1種。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之樹脂組成物，其中 該膠囊的最大直徑的算術平均為0.1μm以上。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之樹脂組成物，其中 在該樹脂組成物的總固體成分中含有該膠囊5質量%～50質量%。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之樹脂組成物，其中 相對於該樹脂的100質量份，含有該膠囊10質量份～50質量份。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之樹脂組成物，其中 該膠囊係施加10kPa～50MPa的壓力時被破壞者。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之樹脂組成物，其中 該膠囊係在120℃～300℃被破壞者。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之樹脂組成物，其中 該芯材在23℃的黏度為100mPa·s以下。
  8. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之樹脂組成物，其中 該芯材包含選自氧化劑、還原劑及反應性可塑劑中的至少1種。
  9. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之樹脂組成物，其中 該樹脂組成物還包含可塑劑。
  10. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之樹脂組成物，其中 該樹脂係熱硬化性樹脂。
  11. 一種膜，其使用申請專利範圍第1項至第10項中任一項所述之樹脂組成物形成。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之膜，其中 該膜中的該膠囊的體積分率為5%以上。
  13. 一種積層體，其具有： 具有成為導電端子之突起部之構件、及設置於該構件的具有該突起部一側的表面之用申請專利範圍第1項至第10項中任一項所述之樹脂組成物形成的膜。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之積層體，其中 該構件在絕緣性基材的兩面具有該突起部，在該絕緣性基材的兩面具有該膜。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之積層體，其中 該構件具有複數個突起部，突起部彼此的間隔小於該膠囊的最大直徑的算術平均。
  16. 如申請專利範圍第13項所述之積層體，其中 該構件係各向異性導電性構件，該各向異性導電性構件具有絕緣性基材及沿該絕緣性基材的厚度方向貫穿且包括以相互絕緣的狀態設置之導電性構件之複數個導通路，該複數個導通路具有從該絕緣性基材的表面突出之突起部， 從該絕緣性基材的表面突出之該突起部被該膜包覆。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之積層體，其中 該膜中的膠囊偏在於和該絕緣性基材與該膜接觸的一面相反一側的表層部分。
  18. 一種接合結構體，其具有： 具有成為導電端子之突起部之第1構件、 具有成為導電端子之突起部之第2構件、及 設置於該第1構件與該第2構件之間的用申請專利範圍第1項至第10項中任一項所述之樹脂組成物形成的膜， 該第1構件的突起部與該第2構件的突起部電連接。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之接合結構體，其中 該第1構件及該第2構件中的一個為各向異性導電性構件，另一個為配線基板，該各向異性導電性構件具有絕緣性基材及沿該絕緣性基材的厚度方向貫穿且包括以相互絕緣的狀態設置之導電性構件之複數個導通路，該複數個導通路具有從該絕緣性基材的表面突出之突起部。
  20. 一種積層體的製造方法，其包括： 樹脂組成物層形成步驟，在該步驟中對具有成為導電端子之突起部之構件適用申請專利範圍第1項至第10項中任一項所述之樹脂組成物而形成與該突起部接觸且具有大於該突起部的高度的厚度之樹脂組成物層。
  21. 一種接合結構體的製造方法，其包括： 樹脂組成物層形成步驟，對具有成為導電端子之突起部之第1構件適用申請專利範圍第1項至第10項中任一項所述之樹脂組成物而形成與該突起部接觸且具有大於該突起部的高度的厚度之樹脂組成物層、 接觸步驟，使具有成為導電端子之該突起部之第2構件的突起部與形成於第1構件上之該樹脂組成物層接觸、及 接合步驟，破壞該樹脂組成物層中包含的該膠囊之後或一邊破壞該膠囊一邊將該第1構件與該第2構件壓接而將該第1構件的突起部與該第2構件的突起部電連接。
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