TW202032689A - 側儲存倉、設備前端模組、和其操作方法 - Google Patents

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Abstract

描述了包括設備前端模組（EFEM）的電子裝置處理組件，該設備前端模組具有附接至其上的至少一個側儲存倉。側儲存倉具有側儲存容器。在一些實施例中，排氣管道在腔室和倉氣室之間延伸，倉氣室可包含與其相鄰的化學過濾器。輔助風扇可藉由化學過濾器從倉氣室抽出淨化氣體，並將該氣體藉由返回管道輸送到EFEM的上部氣室。還公開了根據這些和其他實施例的方法和側儲存倉。

Description

側儲存倉、設備前端模組、和其操作方法
本公開涉及電子裝置製造，並且更具體地涉及設備前端模組、側儲存倉、及其操作方法。
電子裝置製造系統可包括多個處理腔室，多個處理腔室佈置在具有轉移腔室和一或多個裝載鎖腔室的主機殼周圍，一或多個裝載鎖腔室配置以將基板傳遞到轉移腔室中。
半導體元件製造中的基板的處理可以在多個工具中進行，其中基板在基板載體中的工具之間行進，基板載體例如晶圓傳送盒（front end unified pods，FOUPs）。在處理期間將基板暴露於某些環境條件下可能會使基板降級（degrade）。例如，在基板的處理期間暴露於濕氣可能會降級在基板上製造的晶片元件。
因此，需要在處理期間用於控制基板的環境條件的改善的組件、設備、和方法。
本公開提供了一種側儲存倉，包括：一或多個內部腔室；位於一或多個內部腔室中的一或多個側儲存容器，一或多個側儲存容器中的每個側儲存容器經配置以容納一或多個基板，一或多個側儲存容器中的每個側儲存容器進一步包括：開口，開口經配置為位於與設備前端模組的主體的開口相鄰；和排氣口，排氣口經配置以排出進入開口的氣體；倉氣室；和排氣管道，排氣管道耦接在排氣口和倉氣室之間。
本公開也提供一種電子裝置處理組件，包括：設備前端模組，其包括具有一或多個接口開口的設備前端模組腔室；一或多個側儲存倉，一或多個側儲存倉附接到設備前端模組的主體，一或多個側儲存倉包括：一或多個內部腔室；位於一或多個內部腔室中的一或多個側儲存容器，一或多個側儲存容器中的每個側儲存容器經配置以從設備前端模組腔室接收一或多個基板，一或多個側儲存容器中的每個側儲存容器進一步包括：與設備前端模組的接口開口中之一接口開口相鄰的開口；和排氣口，排氣口經配置以排出進入開口的氣體；倉氣室；和排氣管道，排氣管道耦接在排氣口和倉氣室之間。
本公開也提供一種操作設備前端模組的方法，該方法包括以下步驟：將淨化氣體從上部氣室流至設備前端模組腔室，並流入側儲存倉的側儲存容器中；和將淨化氣體從側儲存容器流經耦接到設備前端模組的上部氣室的返回管道。
現在將詳細參照在隨附圖式中示出的本公開的範例實施例。在許多附圖中，將儘可能在所有附圖中使用相同的元件符號指示相同或相似的部分。除非另外特別說明，否則本文描述的各種實施例的特徵可彼此組合。
電子裝置製造可以涉及在複數個處理中將基板暴露於不同的化學物質。在應用至基板的不同處理之間，基板可能會發生脫氣。應用於基板的一些處理可能會使基板脫除腐蝕性化學物質，例如氟、溴、和/或氯。如果不從環境和基板除去這些化學成分，則氣體可能會在基板上造成缺陷。
根據本公開的一或多個實施例，提供了適於改善基板處理的電子裝置處理組件和方法。本文所述的設備、組件、和方法可透過控制對基板的環境暴露，且特別是，與設備前端模組（以下稱為「EFEM」）的主體相連的一或多個側儲存倉中的條件，來提供基板處理中的效率和/或處理改良。一或多個側儲存容器可以配置為是可容納於側儲存倉內的，並且可以包括基板把持器（例如，架子），基板把持器容納及支撐基板，例如在將處理應用於基板之前和/或之後的空閒期間。
淨化氣體可從EFEM腔室流入側儲存容器，在此淨化氣體流過位於其中的基板。在一些實施例中，淨化氣體可從側儲存容器的後部排出並通過化學過濾器。過濾後的氣體可以接著再循環到EFEM腔室中。在一些實施例中，氣體的再循環路徑可以穿過往EFEM的存取門，這可以減小和/或最小化由再循環路徑所佔據的空間。這樣的側儲存容器配置可以減少側儲存容器內的基板脫氣的有害影響，因為從側儲存容器再循環到EFEM腔室中的淨化氣體被化學過濾器過濾（例如，去除不想要的化學物質）。此外，基板暴露於EFEM內的受控氣體環境中，該環境可能相對乾燥和/或具有相對低的O2 等級。
參照本文第 1 圖 至第 7 圖 描述了側儲存倉、電子裝置處理組件、設備例如包括側儲存倉的EFEMs，及操作EFEMs的方法的範例實施例的進一步細節。
第 1 圖 圖示根據本公開的一或多個實施例的電子裝置處理組件100的範例實施例的示意圖。電子裝置處理組件100可包括主機殼體101，主機殼體101具有界定傳送腔室102的外殼壁。傳送機器人103（顯示為虛線圓圈）可以至少部分地容納在傳送腔室102內。傳送機器人103可被配置為經由傳送機器人103的臂（未示出）的操作來將基板放置到目的地和從目的地提取基板。如本文中所使用的，基板可意指用以製造電子裝置或電路元件，例如半導體晶圓、含矽晶圓、圖案化或非圖案化晶圓、玻璃板、掩模等，的製品。
可以透過適當的命令至驅動組件（未示出）來控制傳送機器人103的各種臂元件的運動，該驅動組件包括從控制器106命令的傳送機器人103的複數個驅動馬達。來自控制器106的信號可以引起傳送機器人103的各種元件的運動。可以透過各種感測器（例如位置編碼器）等來為一或多個元件提供合適的反饋機構。
在第 1 圖 所示的實施例中，在所描繪的實施例中的傳送腔室102可以是正方形或稍微矩形的形狀。  但是，其他形狀也是可能的，例如六邊形、八邊形等。傳送腔室102可包括第一面102A、與第一面102A相對的第二面102B、第三面102C、和與第三面102C相對的第四面102D。在一些實施例中，傳送機器人103可以適於同時將雙基板傳送到處理腔室組及從處理腔室組傳送雙基板。第一面102A、第二面102B、第三面102C、和第四面102D可以是平坦的且是例如，可以沿著各個面佈置的進入腔室組的入口。然而，主機殼體101、傳送腔室102、和/或面102A-102D的其他合適形狀和/或面和/或處理腔室的其他數量也是可能的。
傳送機器人103的目的地可以是第一處理腔室組108A、108B，其耦接到第一面102A並且可被配置並可操作以對傳送到其上的基板實行處理。該處理可以是任何合適的處理，例如電漿氣相沉積（PVD）或化學氣相沉積（CVD）、蝕刻、退火、預清潔、金屬或金屬氧化物去除等。可以在其中的基板上實行其他處理。
傳送機器人103的目的地也可以是第二處理腔室組108C、108D，其可以與第一處理腔室組108A、108B相對。第二處理腔室組108C、108D可以耦接到第二面102B，並且可以配置成在基板上實行任何合適的處理，例如上述的任何處理。同樣地，傳送機器人103的目的地也可以是與第三面102C耦接的第三處理腔室組108E、108F，該第三處理腔室組108E、108F可以與裝載鎖設備112相對。第三處理腔室組108E、108F可以配置成在基板上實行任何合適的處理，例如上述的任何處理。
基板可以從EFEM 114接收到傳送腔室102中，並且還透過耦接到EFEM 114的主體114B的壁（例如，後壁）的裝載鎖設備112離開傳送腔室102，到達EFEM 114。裝載鎖設備112可包括一或多個裝載鎖腔室（例如，裝載鎖腔室112A、112B，舉例而言）。包括在裝載鎖設備112中的裝載鎖腔室112A、112B可以是，例如，單晶片裝載鎖（single wafer load locks, SWLL）腔室、多晶片腔室、或其組合。
在一些實施例中，EFEM 114可包括EFEM主體114B，其包括具有形成EFEM腔室114C的壁（例如，前壁、後壁、和側壁、頂壁、和底壁）的外殼。可以在EFEM主體114B的壁（例如，前壁）中提供一或多個裝載埠，並且可以將其配置為在其接收和對接一或多個基板載體116（例如，FOUPs）。示出了三個基板載體116，但可以是更多或更少數量的基板載體116與EFEM 114對接。
EFEM 114可包括在其EFEM腔室114C內的傳統結構的合適的裝載/卸載機器人117（示出為虛線）。一旦打開基板載體116的門，裝載/卸載機器人117可以被配置和操作以從基板載體116提取基板並將基板供給通過EFEM腔室114C並進入裝載鎖設備112的一或多個裝載鎖腔室112A、112B。
一旦打開基板載體116的門，裝載/卸載機器人117亦可被配置和操作以從基板載體116提取基板並在基板處於空閒狀態等待處理時將基板供給到側儲存倉120中。在一些實施例中，側儲存倉120可以耦接至EFEM主體114B的側壁114S。裝載/卸載機器人117可進一步配置成在處理腔室108A-108F中的一或多個之中進行處理之前和/或之後，從側儲存倉120提取基板和將基板裝載到側儲存倉120中。在一些實施例中，裝載/卸載機器人117可以是高Z機器人（high-Z robot），其經配置以存取在側儲存倉120中堆疊大於26高，或甚至52高或更高的基板。
在所描繪的實施例中，EFEM腔室114C可以設置有環境控制，該環境控制在其中提供環境控制的空氣。特別是，環境控制設備118可耦接到EFEM 114並且可操作以監控和/或控制EFEM腔室114C內的環境條件。在一些實施例中，且在某些時候，EFEM腔室114C可以從淨化氣體供應118A接收淨化氣體（例如，惰性和/或非反應性氣體）於其中，例如氬氣（Ar）、氮氣（N2 ）、或氦氣（He）。在其他實施例中，或在其他時間，可以從空氣供應118B提供空氣（例如，乾燥的過濾空氣）。在一些實施例中，EFEM腔室114C內的環境條件可存在於位於側儲存倉120內和部分側儲存倉120中的側儲存容器124和224（第 2 圖 ）的內部。側儲存容器124、224容納諸如基板435的基板（第 4 圖 ）。在一些實施例中，側儲存倉120可具有位於其中的基板把持器，以在不使用側儲存容器的情況下容納基板435。
更詳細地，環境控制設備118可以控制以下至少之一：EFEM腔室114C內的1）相對濕度（RH）、2）溫度（T）、3）O2 的量和/或4）淨化氣體的量。可以監控和/或控制EFEM 114的其他環境條件，例如進入EFEM腔室114C的氣體流速或EFEM腔室114C中的壓力，或兩者，或側儲存倉120或與其互連的管道中的流速或壓力。
在一些實施例中，環境控制設備118包括控制器106。控制器106可包括合適的處理器、記憶體、和電子元件，其用於接收來自各種感測器的輸入並控制一或多個閥或風扇以控制EFEM腔室114C和側儲存倉120內的環境條件。在一或多個實施例中，環境控制設備118可以透過以環境監控器130感測EFEM腔室114C中的相對濕度（RH）來監控RH。可以使用測量相對濕度的任何合適類型的環境監控器130，例如電容式感測器。可以透過使適量的淨化氣體從環境控制設備118的淨化氣體供應118A流入EFEM腔室114C來降低RH。如本文所述，來自淨化氣體供應118A的惰性和/或非反應性氣體可以是氬氣、N2 、氦氣、另一種非反應性氣體或其混合物。在一些實施例中，例如，具有低H2 O等級（例如，純度 ≥  99.9995％，H2 O ≤ 5ppm）的壓縮大宗惰性氣體（compressed bulk inert gasses）可用作為環境控制設備118中的淨化氣體供應118A。可以使用其他H2 O等級。
在另一態樣中，環境監控器130可以測量複數個環境條件。例如，在一些實施例中，環境監控器130可以如上所述測量相對濕度值。在一或多個實施例中，預定義的參考相對濕度值可以是小於1000 ppm水分（moisture）、小於500 ppm水分、或甚至小於100 ppm水分，這取決於對於在電子裝置處理組件100中實行的特定處理或暴露於EFEM腔室114C的環境的特定基板所可以容忍的水分含量。
環境監控器130還可測量EFEM 114內的氧氣（O2 ）等級。在一些實施例中，可以發生從控制器106到環境控制設備118的控制信號，該控制信號發起將適當量的淨化氣體從淨化氣體供應118A流入EFEM腔室114C的流動，以控制氧氣（O2 ）到低於O2 的閾值。在一或多個實施例中，O2 的閾值可以是小於50 ppm、小於10 ppm、或甚至小於5 ppm，這取決於對於在電子裝置處理組件100中實行的特定處理或暴露於EFEM 114的環境的特定基板所可以容忍（不影響品質）的O2 等級。在一些實施例中，環境監控器130可以感測EFEM腔室114C中的氧氣等級以確保其高於安全閾值等級以允許進入EFEM腔室114C中。
環境監控器130還可測量EFEM 114內的絕對或相對壓力。在一些實施例中，控制器106可以控制從淨化氣體供應118A進入EFEM腔室114C的淨化氣體的流量，以控制EFEM腔室114C內的壓力。
在一些實施例中，電子裝置處理組件100的環境控制設備118可以包括耦接到EFEM 114的空氣供應118B。空氣供應118B可透過合適的管道和一或多個閥耦接到EFEM腔室114C。空氣供應118B可用於在服務EFEM 114之前淨化淨化氣體的EFEM。
在本文所描繪的實施例中，控制器106可包括處理器、記憶體、和周邊元件，其適於從環境監控器130接收控制輸入（例如，相對濕度和/或氧氣等）並執行閉合迴路或其他合適的控制方案。在一個實施例中，控制方案可以改變被引入到EFEM 114中的淨化氣體的流量，以在其中實現預定的環境條件。在另一實施例中，控制方案可以判定何時將基板傳送到EFEM腔室114C中。
附接到EFEM主體114B的側儲存倉120可以在特定的環境條件下儲存基板。例如，除了流速之外，側儲存倉120可以在與EFEM腔室114C中存在的相同環境條件下儲存基板。在一些實施例中，側儲存倉120可以流體地耦接到EFEM腔室114C，並且可以從EFEM腔室114C接收氣體（例如，淨化氣體）。側儲存倉120可以包括從側儲存倉120排出氣體的排氣管道134A、134B，這進一步使得儲存在側儲存倉120中的基板能夠持續地暴露於所期望的環境條件。
第一側儲存容器124可以被容納在側儲存倉120中。實質上與第一側儲存容器124相同的第二側儲存容器224也可包括在側儲存倉120中。第一側儲存容器124的描述可適用於第二側儲存倉容器224。在一些實施例中，側儲存倉120可容納一或多個垂直對齊和/或堆疊的側儲存容器124、224。
更詳細地，第一側儲存容器124可包括面向EFEM腔室114C並與EFEM腔室114C接合的開口126和位於與開口126相對的排氣氣室128。排氣氣室128可以耦接至第一排氣管道132，第一排氣管道132可耦接至側儲存倉120外部的排氣管道128。可以防止第一側儲存容器124內部的淨化氣體經由適當的密封而進入側儲存倉120的內部130。
在一些實施例中，第一排氣管道132可包括第一外部排氣管道134A。第二管道134（第 1 圖 中僅示出外部134A）可以耦接在第二側儲存容器（第 2 圖 中的224）和返回管道129之間。第一外部排氣管道132A和第二外部排氣管道134B兩者都可以部分或全部位於蓋136內。在一些實施例中，蓋136而不是第一外部排氣管道132A和第二外部排氣管道134A可以從側儲存容器124、224中排出廢氣。在其他實施例中，第一外部排氣管道131A和第二外部排氣管道134A可穿過側儲存倉120的內部130、230。
進一步參照至第 2 圖 ，其示出了EFEM 114的側截面正視圖，其包括耦接至EFEM主體114B的側儲存倉120。側儲存倉120可包括容納第一側儲存容器124的第一腔室130和容納第二側儲存容器224的第二腔室230。
第一外部排氣管道134A和第二外部排氣管道134A兩者都可以連接到倉氣室240，該倉氣室240從第一側儲存容器124和第二側儲存容器224接收排出的淨化氣體。氣室240可以例如是附接到側儲存倉120或是側儲存倉120的一部分。在一些實施例中，側儲存倉120可移除地附接到EFEM主體114B。在一或多個實施例中，可以透過位於與EFEM 114的上部氣室262相鄰的風扇264而從氣室240抽取淨化氣體。例如，位於氣室排氣口（plenum exhaust port）241中的輔助風扇141可以輔助通過側儲存倉120的淨化氣流。例如，位於輔助風扇141和倉氣室240之間的漏斗（funnel）142可將淨化氣體引導至返回管道129。返回管道129和倉氣室240的其他配置是可能的。在一些實施例中，流過側儲存倉120的每個側儲存容器124、224的氣流大於約100 cfm，或從約150 cfm至約200 cfm（4.25 cmm至5.0 cmm），或進一步是從約150 cfm到約175 cfm（4.25 cmm至5.67 cmm），但也可以使用其他流量。高流率被認為有助於將不想要的化學成分（例如，含鹵素的成分）從側儲存容器124、224中儲存的基板中解離。
過濾器248可以設置在由風扇264、140產生的淨化氣流路徑中。例如，過濾器248可被定位成與倉氣室240相鄰，使得被抽入倉氣室240中的所有淨化氣體都穿過過濾器248。可以使用側儲存倉120中的其他過濾器位置。選擇性地，輔助風扇141可以設置在返回管道129的一部分中。在一些實施例中，過濾器248可以是化學過濾器，其在施加製造處理於側儲存倉120和/或EFEM腔室114C中的基板後，過濾由基板脫氣的淨化氣體中所攜帶的一或多種化學成分。在一些實施例中，過濾器248可操作地過濾氯、溴、和/或氟。在一些實施例中，過濾器248可過濾基礎氣體，例如氨（NH3 ）（例如，小於或等於約5.0 ppb或另一目標過濾器等級）。在一些實施例中，過濾器248可以過濾酸性氣體，例如氟（F）、氯（Cl）、溴（Br）、乙酸鹽（OAc）、二氧化氮（NO2 ）、硝酸鹽（NO3 ）、磷酸鹽（PO4 ）、氟化氫（HF）、和鹽酸（HCl）（例如，等於或小於約1.0 ppb或其他目標過濾等級）。在一些實施例中，過濾器248可以是活性炭過濾器。在其他實施例中，過濾器248可以是顆粒過濾器或包括化學過濾器和顆粒過濾器。顆粒過濾器足夠精細，並且可操作以去除可能在基板上造成缺陷的顆粒。
在一些實施例中，加熱器250可以位於風扇140產生的氣流中。隨著廢氣再循環到EFEM 114中，加熱器250可以將排出的淨化氣體加熱到預定溫度。在一些實施例中，由加熱器250的加熱元件250e（例如，電阻式或紅外線加熱元件）產生的熱可以用作反應物和/或改變EFEM 114和/或側儲存倉120中的相對濕度。此外，增加的熱可以幫助改善化學成分從側儲存倉120中儲存的基板的分離。在一些實施例中，加熱器250可將淨化氣體加熱到高於或等於EFEM 114外部的環境溫度5℃的溫度，或進一步高於或等於上述環境溫度10℃的溫度，或在某些實施例中高於上述環境溫度5℃到25℃的溫度。
輔助風扇140可被操作以幫助使淨化氣體（例如，過濾後的氣體）流經返回管道流到EFEM 114的頂部，在該處淨化氣體被再循環回到EFEM 114，並且輔助風扇可以是變速風扇，其使得能夠達到通過側儲存容器124、224的期望的流量。
例如，如第 2 圖 和第 3 圖 所示，排氣管道132、134中的一個或兩個可沿其長度包括合適的感測器139A、139B。感測器139A、139B可以是流動感測器（例如皮托（pitot）或其他管感測器、測溫電阻器（thermister）等），以使得標記為A和B的線中的信號能夠發送到控制器106。然後，控制器106可以處理來自A、B的信號，並在標記為C的控制線中發送控制信號，以控制輔助風扇141的轉速，以實現通過側儲存容器124、224的所需流量。可以使用任何合適的控制方案，例如比例-積分-微分（PID）控制。在一些實施例中，感測器139A、139B可以是壓力感測器，其讀數可以與通過側儲存容器124、224的流率相關。可以使用感測器的其他合適位置，例如在氣室240中或在返回管道129中。特別地，一或多個感測器139A、139B可沿著來自一或多個側儲存容器124、224的排氣流路徑位於任何合適的位置，在該位置可以獲得來自一或多個側儲存容器124、224的流動的良好估計。
更詳細地，淨化氣體的再循環可以流經返回管道129，返回管道可以在漏斗142和存取門156之間延伸至EFEM腔室114C。在一些實施例中，返回管道129可以彎曲以配合通過EFEM 114內的緊密限制。例如，返回管道129可繞著裝載/卸載機器人117行進，以便不干擾裝載/卸載機器人117的操作。返回管道129還可以以不阻礙與基板載體116相關聯的操作，例如基板載體開門器（未示出），的方式穿過EFEM 114。返回管道129可具有第一部分129A，其從漏斗142朝EFEM 114的相對側延伸。第一部分129A可以，例如，將淨化氣體從氣室240引向機器人117。藉由圍繞機器人117分叉的轉向部分129D與第一部分129A相連的返回管道129的第二部分129B可以朝向存取門156延伸。例如，各個部分可以在與基板載體116相關聯的裝載口115下方延伸。
返回管道129可包括可延伸穿過存取門156的管道部分260。透過使返回管道129延伸穿過存取門156，管道129所佔據的空間減小和/或保持最小。存取門156中的管道部分260可以耦接至位於EFEM 114的頂部上的上部氣室262。風扇264可以幫助強制將淨化氣體從返回管道129驅入上部氣室262。在一些實施例中，上部氣室262可包括出口或耦合至出口，出口導致層氣流流過EFEM腔室114C並返回到側儲存倉120中。額外的化學和/或顆粒過濾器可以位於與氣室262相鄰。
在一些實施例中，EFEM腔室11C內的淨化氣體的一部分可藉由排氣口114P從EFEM 114排出。示出了一個排氣口114P，但是可以有許多排氣口用於使淨化氣體進入返回管道129。在一些實施例中，EFEM腔室114C內的一小部分淨化氣體可從EFEM 114排出。例如，可以在合適的位置設置排氣閥266以從EFEM腔室114C排出一部分氣體。在一些實施例中，可以從EFEM 114排出約150 L/min的氣體。可以排出其他量的氣體。
在這些或其他實施例中，可以利用輔助氣體源，例如來自淨化氣體供應118A，以向EFEM 114提供額外的淨化氣體，以替代藉由排氣閥266排出的氣體。例如，可以使用氣流閥270將由排氣閥266排出的相同量的氣體引入上部氣室262。可以引入其他量的氣體。在一些實施例中，排氣閥266和/或氣流閥270可以由控制器106或另一控制器控制。淨化氣體供應118A可以包括，例如，惰性和/或非反應性氣體，例如Ar、N2 、He等。
第 3 圖 示出了EFEM 114的前正視圖和側儲存倉120的實施例的側視圖。第 3 圖 中所示的側儲存倉120可包括第一門350和第二門352。第一門350和第二門352可自側儲存倉120的端部形成密封。例如，第一門350和第二門352可以是鉸鏈型門，其包括鉸鏈（未示出）或可移除的面板門（例如，擰緊的密封面板門），使得能夠存取側儲存倉120的內部130、230，但在關閉時密封他們。在一些實施例中，可以使用單個門來代替第一門350和第二門352。在第一門350和第二門352上或在端部上的合適的O形環、墊圈、或其他密封件可以形成側儲存倉120的氣密密封。在一些實施例中，第一門350可以形成第一密封隔室，第一密封隔室與由第二門352密封的第二密封隔室分開並且可分別與之密封。第一側儲存容器124可被容納在第一密封隔室的內部130中，且第二側儲存容器224可被容納在第二密封隔室230的內部230中。其他類型的門可用於存取側儲存倉120的內部130、230。
現在進一步參照第 4 圖 ，其示出了側儲存倉120的局部剖視圖。側儲存倉120可具有與第一門350和第二門352相對的接口側415。具有第一側417和第二側418的面板416可以附接到側儲存倉120的接口側415。具體而言，面板416的第一側417可以被附接到側儲存倉120的接口側415。面板416的第二側418可以附接到位於EFEM 114的外部上的EFEM主體114B的側壁的表面420。面板416可在EFEM腔室114C的內部與側儲存倉120的內部之間形成氣密密封的界面，如下所述。在一些實施例中，面板416可以與側儲存倉120或EFEM 114一體地形成。可以使用向EFEM主體114B的其他合適的連接。
第一內部腔室130可包括耦接至第一側儲存容器124的第一排氣管道132，且第二腔室230可包括耦接至第二側儲存容器224的第二排氣管道134。第一排氣管道132可耦接至外部排氣管道部分132A（第 1 圖 和第 3 圖 ）。第二排氣管道134可耦接至第二外部排氣管道部分134A（第 1 圖 和第 3 圖 ）。
側儲存倉的其他實施例可包括大量的腔室，例如三個或更多個垂直堆疊的腔室或並排腔室，或兩者。在一些實施例中，側儲存倉120可包括單個腔室。如圖所示，複數個基板435可在第一側儲存容器124和EFEM腔室114C之間與第二側儲存容器224與EFEM 114之間轉移。例如，裝載/卸載機器人117可以在一或多個處理腔室108A-108F中進行處理之前和/或之後在EFEM腔室114C與第一側儲存容器124和/或第二側儲存容器224之間轉移基板435（第 1 圖 ）。在一些實施例中，第一側儲存容器124和第二側儲存容器224可各自容納二十六個基板435。每個側儲存容器中可提供更多或更少的基板儲存位置。第一側儲存容器124和第二側儲存容器224可在其儲存期間將基板435保持在特定的環境條件下。例如，如上所述，基板435可以暴露於EFEM腔室114C內的淨化氣體。可以控制環境條件提供暴露於小於水和/或O2 的預先選擇的閾值，或上述其他條件，以及氣體流速和/或溫度。
現在進一步參照第 5 圖 ，其示出了第一側儲存容器124的側視截面圖。第二側儲存容器224（第 2 圖 ）可以與第一側儲存容器124基本相似或相同，並且被配置成密封面板416的接口部分500。第一側儲存容器124可具有倉開口516，其位於與面板416的面板開口502相鄰，面板416位於與EFEM 114的介面開口504相鄰，以形成進入第一側儲存容器124的內部的單個開口。例如，面板開口502可以是與倉開口516相同的近似尺寸。倉凹部518可以形成在側儲存容器124的上凸緣524中，並且可以圍繞倉開口516的周邊延伸。倉密封件520可以被容納於倉凹部518內。倉密封件520防止氣體漏過面板416的接口部分500。在一些實施例中，倉密封件520可以是與倉凹部518和接口部分500接觸的柔韌材料，例如基於彈性體的材料。在一些實施例中，倉密封件520是可變形的撓性管，以在倉凹部518和接口部分500之間形成密封。可以使用其他類型的密封件來密封第一側儲存容器124和接口部分500。
面板416的第二側418可具有形成在其中的面板凹部525，面板凹部525圍繞面板開口502的周邊延伸。面板密封件526可容納在面板凹部525內，以防止面板416與EFEM 114的主體114B的側壁的表面420之間的氣體交換。在一些實施例中，面板密封件526可以是平坦密封件，並且可以由三元乙丙（ethylene propylene diene monomer，EPDM）橡膠或另一種合適的密封材料製成。在一些實施例中，面板密封件526可為約10-12mm深並且具有約4-6mm的壓縮。可以使用其他類型的密封機構和材料來在表面420和面板416之間形成密封。
第一側儲存容器124的內部可包括複數個基板把持器530，其被配置為在其上支撐基板435。基板把持器530可以是形成在第一側儲存容器124的側面上的垂直堆疊的架子，並且可以包括頂基板把持器532和底基板把持器534。基板把持器530可以彼此間隔開一定距離，以使得氣體能夠在由基板把持器530接收並支撐在基板把持器530上的基板435周圍（例如，在上方和下方）流動，並允許機器人117的端效器存取。具體而言，透過面板開口502、接口開口126、和倉開口516而從EFEM腔室114C（第 1 圖 ）進入第一側儲存容器124的內部的淨化氣體可圍繞和/或跨基板把持器530容納的基板435流動。因此，基板435被維持在期望的環境條件下，例如存在於EFEM腔室114C中的那些，但也被維持在第一側儲存容器124中的期望的目標淨化氣體流速下。
第一側儲存容器124的後部540可包括開口543，開口543將第一側儲存容器124的內部與排氣氣室128流體地耦接。排氣氣室128可配置以在容納於基板把持器530上的基板435周圍提供上述氣流。在一些實施例中，排氣氣室128可具有在頂基板把持器532和底基板把持器534之間垂直延伸的高度。在一或多個實施例中，排氣管道128可具有寬度大約是基板435的寬度。例如，對於300 mm的晶圓，排氣管道128的寬度可以是大約250 mm至350 mm。排氣管道128可以包括排氣口544，排氣口544被配置以耦接至第一排氣管道132（第 4 圖 ）。
在一些實施例中，開口543可以在排氣擋板564中，排氣擋板可以在基板435和排氣氣室128之間的淨化氣體流動路徑中。參照至第 6 圖 ，其示出了排氣擋板564的範例實施例的正視圖。可以使用其他排氣擋板配置。排氣擋板564可包括複數個圓孔，圓孔包括開口543（標記出一些），以幫助平衡通過第一側儲存容器124的淨化氣流。在一些實施例中，孔543可在排氣擋板564的底部具有小直徑D61，而在排氣擋板564的頂部具有大直徑D62。具有較小直徑D61的孔543可以靠近排氣口544以平衡氣流。例如，在一些實施例中，較大的直徑D62可以在大約15 mm至17 mm之間。在一些實施例中，較小直徑的孔的直徑D61的範圍可以從大約7 mm到大約9 mm。可以使用其他孔直徑和/或孔佈置和圖案。
在第 6 圖 的實施例中，孔543可以佈置成二維陣列，其中孔543的直徑從排氣擋板564的頂部朝排氣擋板564的底部逐漸減小。在一些實施例中，孔543的列的相鄰的對具有相同的直徑。例如，列662的第一對可具有孔543，該等孔具有第一直徑，而列664的第二對可具有孔543，該等孔具有第二較大直徑。
第 7 圖 示出了排氣擋板764的另一實施例，該排氣擋板764可用於側儲存容器中，其中排氣口544位於側儲存倉120的排氣氣室128的垂直距離的大約一半的高度處。如第 7 圖 所示，具有較小直徑的孔位於排氣口544的位置附近，這平衡了通過側儲存倉的淨化氣流。
排氣擋板564可基本上平衡淨化氣流，使得基板把持器530上的所有基板暴露於大致相同的淨化氣流（例如，在彼此的流量的25％以內或更少，例如15％或更少差異）。
通過第一側儲存容器124的內部的氣流進入倉開口516，在支撐在基板把持器530上的基板435上方和/或周圍通過，流過排氣擋板564，進入排氣氣室128，並經由排氣口544排出。淨化氣流的配置使容納在基板把持器530中的基板435能夠處於與EFEM 114相同的環境條件下，但是具有更高的流速。
如第 1 圖 和第 2 圖 所示，從排氣管道132、134排出的淨化氣體進入倉氣室240（第 2 圖 ），在倉氣室240淨化氣體可以被加熱器250加熱。如上所述，廢氣可以進一步由過濾器248過濾以去除某些化學物質。如上所述，輔助風扇141與風扇264一起迫使廢棄進入管道129，以將淨化氣體再循環回到EFEM 114的上部氣室262中。
前文描述公開了本公開的範例實施例。對所屬技術領域具有通常知識者而言，落入本公開範圍內的上述設備、組件、和方法的修改將是顯而易見的。因此，儘管已結合範例實施例來揭露本公開，應理解，其他實施例可以落入由隨附申請專利範圍界定的本公開的範圍內。
100:電子裝置處理組件 101:主機殼體 102:傳送腔室 102A-102D:面 103:傳送機器人 106:控制器 108A:第一處理腔室組 108B:第一處理腔室組 108C:第二處理腔室組 108D:第二處理腔室組 108E:第三處理腔室組 108F:第三處理腔室組 112:裝載鎖設備 112A:裝載鎖腔室 112B:裝載鎖腔室 114:EFEM 114B:主體 114C:EFEM腔室 114P:排氣口 114S:側壁 115:裝載口 116:基板載體 117:裝載/卸載機器人 118:環境控制設備 118A:淨化氣體供應 118B:空氣供應 120:側儲存倉 124:側儲存容器 126:開口 128:排氣氣室 129:返回管道 129A:第一部分 129B:第二部分 129D:轉向部分 130:第一腔室 132:第一排氣管道 132A:外部排氣管道部分 134:第二管道 134A:排氣管道 134B:排氣管道 136:蓋 139A:感測器 139B:感測器 140:風扇 141:輔助風扇 142:漏斗 156:存取門 224:側儲存容器 230:第二腔室 240:倉氣室 241:氣室排氣口 248:過濾器 250:加熱器 250e:加熱元件 260:管道部分 262:上部氣室 264:風扇 266:排氣閥 270:氣流閥 350:第一門 352:第二門 415:接口側 416:面板 417:第一側 418:第二側 420:表面 435:基板 435:基板 500:接口部分 516:倉開口 518:倉凹部 520:倉密封件 524:上凸緣 525:面板凹部 526:面板密封件 530:基板把持件 532:頂基板把持器 534:底基板把持器 540:後部 543:孔 544:排氣口 564:排氣擋板 662:列 664:列 764:排氣擋板
以下面描述的圖式是出於說明性的目的，且不一定按比例繪製。圖式並不旨在以任何方式限制本文的範疇。
第 1 圖 示出根據本公開的一或多個實施例的包括側儲存倉的電子裝置處理組件的示意性頂視圖。
第 2 圖 示出根據本公開的一或多個實施例的設備前端模組（在下文中稱為「EFEM」）的側截面正視圖，設備前端模組包括耦接至EFEM主體的側儲存倉。
第 3 圖 示出根據本公開的一或多個實施例的包括側儲存倉的EFEM的側視圖。
第 4 圖 示出根據本公開的一或多個實施例的耦接至EFEM的主體的側儲存倉的局部等距視圖，其中側儲存倉的側壁、頂壁、和門被移除。
第 5 圖 示出根據本公開的一或多個實施例的在EFEM主體與側儲存倉之間的接口的橫截面側視圖，側儲存倉具有位於其中的側儲存容器。
第 6 圖 示出根據本公開的一或多個實施例的排氣擋板的示意圖。
第 7 圖 示出根據本公開的一或多個實施例的另一排氣擋板的示意圖。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100:電子裝置處理組件
106:控制器
112A:裝載鎖腔室
114:EFEM
114B:主體
114C:EFEM腔室
114P:排氣口
117:裝載/卸載機器人
118A:淨化氣體供應
120:側儲存倉
124:側儲存容器
126:開口
128:排氣氣室
129:返回管道
129A:第一部分
129B:第二部分
129D:轉向部分
130:第一腔室
132:第一排氣管道
134:第二管道
141:輔助風扇
142:漏斗
156:存取門
224:側儲存容器
230:第二腔室
240:倉氣室
241:氣室排氣口
248:過濾器
250:加熱器
250e:加熱元件
260:管道部分
262:上部氣室
264:風扇
266:排氣閥
270:氣流閥

Claims (20)

  1. 一種側儲存倉，包括： 一或多個內部腔室；一或多個側儲存容器，該一或多個側儲存容器位於該一或多個內部腔室中，該一或多個側儲存容器中的每個側儲存容器經配置以容納一或多個基板，該一或多個側儲存容器中的每個側儲存容器進一步包括：一開口，該開口經配置為位於與一設備前端模組的一主體的一開口相鄰；和一排氣口，該排氣口經配置以排出進入該開口的氣體；一倉氣室；和一排氣管道，該排氣管道耦接在該排氣口和該倉氣室之間。
  2. 如請求項1所述之側儲存倉，進一步包括位於與該倉氣室相鄰的一化學過濾器。
  3. 如請求項1所述之側儲存倉，進一步包括該倉氣室經配置以可耦接至一返回管道。
  4. 如請求項1所述之側儲存倉，進一步包括一加熱器，該加熱器與該氣室相鄰，該加熱器經配置以加熱穿過該倉氣室的淨化氣體。
  5. 如請求項1所述之側儲存倉，進一步包括一輔助風扇，該輔助風扇耦接至該倉氣室並且經配置以使廢氣流入返回管道。
  6. 如請求項5所述之側儲存倉，其中該風扇位於該側儲存倉中。
  7. 如請求項1所述之側儲存倉，進一步包括一排氣擋板，該排氣擋板位於該開口和該排氣口之間的該一或多個側儲存容器中。
  8. 如請求項7所述之側儲存倉，其中該排氣擋板位於該開口與包含該排氣口的一排氣氣室之間。
  9. 如請求項1所述之側儲存倉，進一步包括一或多個感測器，該一或多個感測器沿著自該一或多個側儲存容器的一排氣流路徑定位。
  10. 如請求項9所述之側儲存倉，其中該一或多個感測器包括一流動感測器或一壓力感測器。
  11. 如請求項1所述之側儲存倉，進一步包括一輔助風扇，該輔助風扇包括一可變速風扇，該可變速風扇經配置以達到通過該一或多個側儲存容器的一期望的流速。
  12. 一種電子裝置處理組件，包括： 一設備前端模組，其包括具有一或多個接口開口的一設備前端模組腔室；一或多個側儲存倉，該一或多個側儲存倉附接到該設備前端模組的一主體，該一或多個側儲存倉包括：一或多個內部腔室；一或多個側儲存容器，該一或多個側儲存容器位於該一或多個內部腔室中，該一或多個側儲存容器中的每個側儲存容器經配置以從該設備前端模組腔室接收一或多個基板，該一或多個側儲存容器中的每個側儲存容器進一步包括：一開口，該開口與該設備前端模組的該接口開口中之一接口開口相鄰；和一排氣口，該排氣口經配置以排出進入該開口的氣體；一倉氣室；和一排氣管道，該排氣管道耦接在該排氣口和該倉氣室之間。
  13. 如請求項12所述之電子裝置處理組件，進一步包括一化學過濾器，該化學過濾器位於與該倉氣室相鄰。
  14. 如請求項12所述之電子裝置處理組件，進一步包括一加熱器，該加熱器與該倉氣室相鄰，該加熱器經配置以加熱流過該倉氣室的淨化氣體。
  15. 如請求項12所述之電子裝置處理組件，進一步包括一輔助風扇，該輔助風扇耦接至該倉氣室，並且經配置以使廢氣流入延伸至該設備前端模組的一上部氣室的一返回管道。
  16. 如請求項15所述之電子裝置處理組件，其中該輔助風扇位於該側儲存倉中。
  17. 如請求項12所述之電子裝置處理組件，進一步包括一排氣擋板，該排氣擋板位於該開口和該排氣口之間的該一或多個側儲存容器中。
  18. 一種操作一設備前端模組的方法，該方法包括以下步驟： 將淨化氣體從一上部氣室流至一設備前端模組腔室，並流入一側儲存倉的一側儲存容器中；和將淨化氣體從該側儲存容器流經耦接到該設備前端模組的該上部氣室的一返回管道。
  19. 如請求項18所述之操作一設備前端模組的方法，進一步包括以下步驟：將淨化氣體藉由該返回管道從該設備前端模組腔室排出。
  20. 如請求項18所述之操作一設備前端模組的方法，進一步包括以下步驟：使從該側儲存容器排出的該淨化氣體流經一化學過濾器以產生經過濾的氣體。
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