TW202029267A - 電子顯微鏡及三維構造之深度計算方法 - Google Patents

電子顯微鏡及三維構造之深度計算方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202029267A
TW202029267A TW109101907A TW109101907A TW202029267A TW 202029267 A TW202029267 A TW 202029267A TW 109101907 A TW109101907 A TW 109101907A TW 109101907 A TW109101907 A TW 109101907A TW 202029267 A TW202029267 A TW 202029267A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
dimensional structure
angle
electrons
detection
sample
Prior art date
Application number
TW109101907A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI765216B (zh
Inventor
安井健二
大崎真由香
鈴木誠
木附洋彦
横須賀俊之
備前大輔
安部悠介
Original Assignee
日商日立全球先端科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商日立全球先端科技股份有限公司 filed Critical 日商日立全球先端科技股份有限公司
Publication of TW202029267A publication Critical patent/TW202029267A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI765216B publication Critical patent/TWI765216B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
    • G01N23/2251—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident electron beams, e.g. scanning electron microscopy [SEM]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/20—Means for supporting or positioning the objects or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/261—Details
    • H01J37/265—Controlling the tube; circuit arrangements adapted to a particular application not otherwise provided, e.g. bright-field-dark-field illumination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/285—Emission microscopes, e.g. field-emission microscopes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/202—Movement
    • H01J2237/20221—Translation
    • H01J2237/20235—Z movement or adjustment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/22—Treatment of data
    • H01J2237/221—Image processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/2449—Detector devices with moving charges in electric or magnetic fields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
    • H01J2237/24571—Measurements of non-electric or non-magnetic variables
    • H01J2237/24578—Spatial variables, e.g. position, distance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26—Electron or ion microscopes
    • H01J2237/28—Scanning microscopes
    • H01J2237/2809—Scanning microscopes characterised by the imaging problems involved
    • H01J2237/281—Bottom of trenches or holes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26—Electron or ion microscopes
    • H01J2237/28—Scanning microscopes
    • H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
    • H01J2237/2814—Measurement of surface topography
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26—Electron or ion microscopes
    • H01J2237/28—Scanning microscopes
    • H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
    • H01J2237/2817—Pattern inspection

Abstract

本發明之課題在於無需每個圖案之先驗資訊、或校正便能夠測量形成於試樣之三維構造，例如孔或槽之深度。 本發明之電子顯微鏡係具有檢測部者，該檢測部對藉由向試樣照射一次電子束而自試樣產生之釋出電子中之一次電子束之光軸方向與釋出電子自試樣釋出之方向所成之角即釋出角為規定範圍內之釋出電子進行檢測，並根據檢測出之釋出電子數輸出檢測信號；上述電子顯微鏡藉由向三維構造之底部照射一次電子束，而檢測部檢測所設定之複數個釋出角之各範圍的釋出電子，基於所輸出之複數個檢測信號求出檢測信號之釋出角度分佈，根據釋出角度分佈之變化點，求出一次電子束之光軸方向與三維構造之底部中之自一次電子束之照射位置通過三維構造之側壁之上端之直線所成之角即開口角。

Description

電子顯微鏡及三維構造之深度計算方法
本發明係關於一種電子顯微鏡及形成於試樣之三維構造之深度計算方法。
作為基於電子顯微鏡之圖像之亮度測量深度、高度之先前技術，有專利文獻1。專利文獻1中揭示有「一種電子顯微鏡裝置，其特徵在於具備：放射源，其照射一次電子束；檢測部，其檢測因向測定對象照射上述一次電子束而自上述測定對象產生之二次電子；及處理部，其對上述檢測部中檢測出之信號進行處理；且上述檢測部具備：第1檢測部，其檢測照射至上述測定對象之一次電子束之光軸方向與上述二次電子自上述測定對象釋出之方向所成之角係規定值以下之二次電子；及第2檢測部，其檢測照射至上述測定對象之一次電子束之光軸方向與上述二次電子自上述測定對象釋出之方向所成之角大於規定值之二次電子；且上述處理部求出上述第1檢測部與上述第2檢測部所輸出之信號之比，使用與上述所求得之比有關之資訊，獲取形成於上述測定對象之圖案之階差之資訊」。 先前技術文獻 專利文獻
[專利文獻1]日本專利特開2017-191758號公報
[發明所欲解決之問題]
專利文獻1中記載有一種電子顯微鏡裝置，其基於事先記憶之由2個檢測器而獲得之信號之比與圖案之階差之槽部之開口角之關係，求出圖案之階差之槽之深度。即，專利文獻1之處理方法中，需要事先對每個拍攝對象準備信號之比與圖案之階差之槽部之開口角的關係。
較理想為可於不需要每個圖案之先驗資訊、或校正之情況下測量形成於試樣之三維構造、例如孔或槽之深度。 [解決問題之技術手段]
作為本發明之一實施態樣之電子顯微鏡具有：電子槍，其向形成三維構造之試樣照射一次電子束；檢測部，其對藉由向試樣照射一次電子束而自試樣產生之釋出電子中之一次電子束之光軸方向與釋出電子自試樣釋出之方向所成之角即釋出角為規定範圍內之釋出電子進行檢測，輸出與檢測出之釋出電子數相應之檢測信號；控制部，其控制檢測部檢測之釋出電子之釋出角之範圍；及信號處理部；且控制部係將檢測部檢測之釋出電子之釋出角之範圍設定複數個，信號處理部係藉由電子槍向三維構造之底部照射一次電子束，而檢測部檢測出由控制部設定之複數個釋出角之各範圍的釋出電子，基於所輸出之複數個檢測信號求出檢測信號之釋出角度分佈，根據釋出角度分佈之變化點，求出一次電子束之光軸方向與三維構造之底部中之自一次電子束之照射位置通過三維構造之側壁之上端之直線所成之角即開口角。 [發明之效果]
無需測定對象之先驗資訊或校正便能夠計算形成於試樣之三維構造之深度。
根據本說明書之記述及隨附圖式可知其他問題與新特徵。
以下，基於圖式對本發明之實施之形態詳細地進行說明。用以對本實施之形態進行說明之所有圖中，將具有同一功能者附上同一符號，原則上省略其重複之說明。但，本發明並非受以下所示之實施之形態之記載內容限定性地解釋。對於本領域技術人員而言，可容易地理解為於不脫離本發明之思想以及主旨之範圍內，能夠對其具體之構成進行變更。 [實施例1]
圖1中表示本實施例之掃描電子顯微鏡100之構成例。掃描電子顯微鏡100具備拍攝部101、整體控制部102、信號處理部103、輸入輸出部104及記憶部105。
掃描電子顯微鏡100之拍攝部101之詳情將於後述，其特徵在於：具有檢測部，該檢測部對藉由向試樣照射一次電子束而自試樣產生之釋出電子中之一次電子束之光軸方向與釋出電子自試樣釋出之方向所成之角即釋出角為規定範圍內之釋出電子進行檢測，輸出與檢測出之釋出電子數相應之檢測信號。具體而言，拍攝部101具備：電子槍106；加速電極108，其使自電子槍106照射之電子束(一次電子束)107加速；聚焦透鏡109，其使電子束107聚焦；掃描偏向器110，其使電子束107之軌道偏向；物鏡111，其控制電子束107之聚焦高度；載台113，其載置有作為拍攝對象之試樣112；控制透鏡115，其控制因照射電子束107而自試樣112產生之釋出電子114之軌道；檢測光圈116，其用於根據釋出角鑑別釋出電子114中之要檢測之電子；分隔件117，其以釋出電子114中之通過檢測光圈116之釋出電子之軌道朝向檢測器118之方式進行控制；及檢測器118，其檢測軌道被分隔件117控制之釋出電子114，並將其轉換為信號。檢測器118根據檢測出之釋出電子114之數量，所輸出之信號強度發生變化。又，分隔件117需產生選擇性地使釋出電子114偏向而不使電子束107偏向之維恩條件。因此，可將產生正交電磁場之偏向器(維恩濾波器)用作分隔件117。
本實施例之掃描電子顯微鏡100可選擇性地僅檢測釋出電子114中之中釋出角為某天頂角(係指於將試樣之表面看作平面時，自垂直於試樣表面之方向之角度，相當於照射至試樣112之電子束107之光軸方向與釋出電子114自試樣表面釋出之方向所成之角度)AZ 以下者。再者，將該天頂角AZ 表述為檢測交界角。該例中，藉由控制透鏡115與檢測光圈116控制被檢測器118檢測之釋出電子114之檢測交界角AZ 。例如，控制透鏡115係靜電透鏡，藉由使其靜電強度變化而使通過控制透鏡115之釋出電子114之軌道收斂或者發散，以此控制通過檢測光圈116之釋出電子之釋出角之範圍。
拍攝部101之各機構係藉由經由輸入輸出部104之使用者界面接受操作者之指示之整體控制部102控制。自檢測器118輸出之信號係根據來自整體控制部102之指示，利用信號處理部103轉換為圖像格式並保存於記憶部105。再者，利用信號處理部103轉換之圖像之圖像信號亦具有與當電子束107照射至圖像之該位置時所釋出之釋出電子114之數量對應的值。又，圖1之拍攝部101僅表示代表性之構成，並不限定於圖示之構成。例如，掃描偏向器110配置於較試樣112更接近電子槍106之位置即可，圖示之配置僅為一例。
圖2A係表示伴隨向形成有槽之試樣照射電子束之電子釋出之情況之模式圖。又，圖2B表示向形成有槽之試樣照射電子束時所產生之釋出電子中之被檢測器檢測出之電子(以後，稱為檢測電子)的釋出角度分佈之曲線圖(模式圖)。作為一例，試樣中，於下層202上形成有於與X方向垂直之Y方向上延伸之線空間圖案201，且圖2A中表示有XZ平面處之剖面。藉由照射至圖案201上表面之平坦區域之電子束203而釋出之釋出電子205相關的檢測電子之釋出角度分佈208係如圖2B所示般成為以釋出角45度附近為中心之對稱之形狀。與此相對，藉由照射至槽之中心位置之電子束204而自下層202釋出之釋出電子206相關的檢測電子之釋出角度分佈209係如圖2B所示般於開口角A處為最大，且釋出角越大於開口角A則檢測電子數減少。再者，此處，開口角A係於XZ平面上自被照射電子束204之槽之中心通過面向該槽之圖案201側壁之上端之直線與電子束204之光軸方向(相當於與槽之底面垂直之線)所成之角。
形成此種釋出角度分佈之理由在於因圖案201之側壁使得自電子束204之照射點(該例中係槽之中心位置)釋出之釋出電子206中釋出角為開口角A以上之釋出電子被側壁遮蔽，未到達至檢測器。本實施例中，根據該釋出角度分佈求出形成於試樣之槽或孔等三維構造之深度。即，如圖2B所示，可將開口角A作為檢測電子之釋出角度分佈因遮蔽效應而變化之變化點210之釋出角求出。根據開口角A與另行求得之槽寬，可幾何學性地求出形成於試樣之三維構造之深度。
再者，自試樣釋出之釋出電子之數量亦根據試樣之材料等變化。然而，不受構成試樣之材料或試樣之尺寸影響，均會發生以開口角以上之釋出角被釋出之電子被圖案之側壁遮蔽之現象。因此，圖2A中雖表示有圖案201與下層202由電子釋出率不同之材料所形成之例，但本實施例之檢測原理不受限於試樣由何種材料、或者何種材料之組合所構成，均能夠應用。
圖3中表示有基於上述原理計算槽之深度之流程圖之例。首先，最初，為了獲取圖2B所示之檢測電子之釋出角度分佈，一面掃描檢測交界角AZ 一面獲取複數個圖像(S301)。具體而言，由整體控制部102對控制透鏡115進行控制，將以複數(N)個檢測交界角AZ ＝{A0 ，A1 ，A2 ，・・・，AN-1 }拍攝之N張圖像IZ 保存於記憶部105。Ak (k＝0～N－1)無特別限定，設為0≦Ak ≦90之範圍內之任意之單調遞增之數列。
繼而，由信號處理部103基於(數1)獲取圖像Ik 間之差量之絕對值，藉此獲取N張檢測電子之釋出角為Ak 至Ak+1 之範圍內之角度掃描圖像Dk (S302)。
[數1]
Figure 02_image001
…(數1)
圖4中表示有於使檢測交界角Ak 之值以5度為單位進行掃描之情形時之獲取圖像D0 、D1 、D17 (模式圖)。該模式圖中，著重表示試樣之槽(底部)中之圖像之信號值，又，為了容易理解，將本模式圖中之槽中之圖像之信號值以利用×記號表示之槽(底部)之中心部分之圖像之信號值為代表。掃描圖像Dk 之信號值相當於圖2B中所示之釋出角度分佈之積分值。因此，圖像D0 之槽圖像401之信號值表示與釋出角度分佈209之釋出角0～5度之積分值(區域401A之面積)對應之大小，圖像D1 之槽圖像402之信號值表示與釋出角度分佈209之釋出角5～10度之積分值(區域402A之面積)對應之大小，圖像D17 之槽圖像403之信號值表示與釋出角度分佈209之釋出角85～90度之積分值(區域403A之面積)對應之大小。因此，掃描圖像Dk 中之槽圖像之信號值最大之掃描圖像Dk 之釋出角可謂相當於圖2A中所示之開口角A。
再者，實際之掃描圖像Dk 中，關於圖案201之上表面之平坦區域亦以相當於釋出角度分佈208之積分值之形狀發生變化，但圖4之掃描圖像之模式圖中省略表示。
其次，求出槽之中心位置(圖4之圖像Dk 中之×記號)之座標(槽之中心座標)(S303)。為了獲取將電子束照射至槽之中心位置時之檢測電子之釋出角度分佈，求出試樣之槽之中心座標。圖5中，模式性地表示有具有槽之試樣之剖面形狀、檢測交界角AZ ＝90度之圖像I及沿著圖像I所示之a-b線之圖像信號值之大小(此處稱為信號波形)。根據信號波形之解析，檢測2點圖像信號之極大峰值501。由於圖像信號之極大峰值501出現於槽之側壁，故藉由計算其中間位置，可求出槽之中心座標502。關於槽之中心座標之計算所使用之圖像I之檢測交界角AZ ，由於AZ ＝90度之圖像I之S/N最高，故用於槽之中心座標之導出。
繼而，求出槽之中心位置處之檢測電子之釋出角度分佈(S304)。具體而言，針對步驟S302中所獲取之角度掃描圖像Dk 之各者，求出槽之中心座標502中之圖像信號值，以角度掃描圖像之釋出角度範圍之中央值為橫軸、圖像信號值為縱軸進行繪圖。將所獲得之槽之中心位置處之檢測電子之釋出角度分佈之曲線圖601(模式圖)示於圖6。根據曲線圖601求出變化點602，將變化點602之釋出角作為開口角A(S305)。變化點602係由於被試樣之三維構造之側壁遮蔽而使得信號強度急遽開始衰減之點。另一方面，即便不存在此種遮蔽，亦如圖2B所示般，釋出角度分佈表示為以釋出角45度為界，自增加向減少轉變之分佈。因此，開口角A若為0至45度之範圍內，則可將開口角A作為圖像信號值最大之釋出角求出，若為45度至90度之範圍內，可將開口角A作為對曲線圖601進行微分而成之二次導函數為最小之釋出角求出。
為了根據開口角A幾何學性地求出試樣之三維構造之深度H，計算槽寬L(S306)。與求出槽中心座標時同樣地，根據信號波形之解析檢測2點出現於槽之側壁之圖像信號之極大峰值501，將其之間之距離作為槽寬L。
於為開口角A、槽寬L之情形時，槽之深度能夠以H＝L/(2tanA)求出(S307)。
圖7係關於試樣之三維構造之深度計算，係顯示於輸入輸出部104之顯示器之輸入輸出畫面701之例。藉由輸入釋出角度掃描範圍702、與釋出角度掃描間隔703，從而決定為了獲取檢測電子之釋出角度分佈進行拍攝之圖像之檢測交界角Ak (k＝0～N－1)。顯示有拍攝後所獲得之檢測電子之釋出角度分佈之曲線圖704、根據曲線圖獲得之開口角705、測得之槽寬706、最終計算出之深度707。
再者，雖表示有使檢測交界角Az 之值以5度為單位整體地進行掃描之例，但藉由將掃描範圍限定於基於第1次之掃描而求得之變化點附近，且設定掃描間隔小於第1次之掃描間隔，以此進行第2次之掃描，並根據以此所拍攝出之圖像更新變化點，從而能夠實現更高精度之測量。
又，雖對藉由根據所求得之釋出角度分佈之曲線圖進行峰值檢測或微分處理等解析，而提取變化點602之例進行了說明(參照圖6)，但亦能夠藉由對於根據測量結果所獲得之檢測電子之釋出角度分佈之曲線圖601，使用事先計算出之擬合函數進行回歸分析，從而求出開口角A。藉由應用擬合函數，從而使得即便於圖像中所含有之雜訊較大之情形時，亦可精度較好地提取變化點。因此，可減少掃描釋出角度而獲取圖像之點數，可縮短測量時間。擬合函數能夠根據模擬結果準備。
再者，本實施例中雖表示有測量試樣之槽之深度之例，但亦能夠應用於孔或形成於其他試樣之三維構造(支柱構造、葉片構造等)之深度之測量。以下之實施例中亦同樣。 [實施例2]
作為實施例1，對將孔或槽之中心位置中之圖像信號用於深度測量之例進行了說明，但本實施例中，對藉由利用孔或槽、或者其它三維構造之底部中之複數個位置中之圖像信號，從而提高深度測量之精度之例進行說明。本實施例中之掃描電子顯微鏡之構成係與實施例1之圖1中所示之構成相同者，因此省略其說明。
圖8中表示有實施例2之計算槽之深度之流程圖之例。首先，以與實施例1同樣之順序(S301、S302)獲取角度掃描圖像(S801、S802)。其次，為了獲取向槽之複數個位置照射電子束時之檢測電子之釋出角度分佈，於試樣之槽之內部求出數點之信號解析位置xi (S803)。如圖5中所示，藉由圖像信號波形之解析，檢測2點出現於槽之側壁之信號之極大峰值501，於其之間特定出獲取釋出角度分佈之複數個位置xi 。xi 亦可為槽之中之任意位置。亦於該情形時，較理想為使用AZ ＝90度之圖像I特定出槽之位置xi 。
圖9中表示有信號解析位置xi 之例與此時之開口角。該例之信號解析位置xj 較槽之中心座標而言更靠近左側之側壁，且距左右側壁之距離不同。因此，相對於左側之側壁之開口角係A1 ，相對於右側之側壁之開口角係A2 ，左右不同。
繼而，求出每個信號解析位置xi 之檢測電子之釋出角度分佈(S804)。具體而言，針對步驟S802中所獲取之角度掃描圖像Dk 之各者，求出信號解析位置xi 中之圖像信號值，以角度掃描圖像之釋出角度範圍之中央值為橫軸、圖像信號值為縱軸進行繪圖。將圖9中所示之信號解析位置xj 中之釋出角度分佈之曲線圖1001(模式圖)示於圖10。
於該情形時，曲線圖1001之變化點1002、1003與左側開口角A1 、右側開口角A2 對應地出現。因此，求出圖像信號值之2個變化點1002、1003，將與變化點對應之釋出角之和作為總開口角Aj (＝A1 ＋A2 )(S805)。再者，左側(右側)開口角與實施例1同樣地，若為0至45度之範圍內，則可將其作為圖像信號值最大之釋出角求出，若為45度至90度之範圍內，則可將其作為對曲線圖1001進行微分而成之二次導函數為最小之釋出角求出。
根據槽內之信號解析位置xj 與此時之總開口角Aj 之關係，求出槽之深度H。圖11A中表示有對相對於信號解析位置xj 求出之總開口角Aj 進行繪圖而成之曲線圖1101。藉由使用基於試樣之幾何構造之擬合函數1102，對該曲線圖進行回歸分析，從而求出深度H。擬合函數1102表示為(數2)。
[數2]
Figure 02_image003
…(數2)
再者，該擬合函數係根據圖11B中所示之三角形OPQ中成立之餘弦定理而導出者。三角形OPQ係XZ平面中之由信號解析位置xj 與線之側壁之上端所形成之三角形。將三角形OPQ中成立之餘弦定理示於(數3)。
[數3]
Figure 02_image005
…(數3) 此處，
Figure 02_image007
。
由於本實施例中使用複數個信號解析位置中之總開口角計算槽之深度H，故可減小各開口角之測量誤差之影響。
本實施例與實施例1同樣地，亦能夠對孔進行深度測量。但，如圖12A所示，於向孔照射電子束之情形時，開口角根據方位角發生變化。圖12A中表示有自上表面觀察作為三維構造之代表例之孔1210與槽1211之狀態。若設為信號解析位置xj ，則於槽1211之情形時，於包含α2 β2 或者α3 β3 之平面中無側壁，不會發生釋出電子之遮蔽。與之相對，於孔1210之情形時，因橫切包含α2 β2 或者α3 β3 之平面之側壁而發生釋出電子之遮蔽。因此，檢測器所檢測之信號中包括於與XY平面垂直之無數個平面切割孔時所獲得之無數個大小不同之開口角之資訊。因此，於測定孔1210之深度之情形時，藉由將所檢測之釋出電子之方位限定為1個方向，從而能夠利用與槽相同之處理進行測量。具體而言，如圖12B所示，使來自試樣112之孔1210之底部之釋出電子114通過設置有狹縫1202之電子通過限制構件1201，其後利用檢測器118進行檢測。釋出電子之方位角於通過狹縫1202之前係如方位角1203所示般向四方擴散。藉由通過狹縫1202，釋出電子114之方位角被限定於狹縫1202之長邊方向之1個方向之方位角1204。藉由事先使狹縫1202之長邊方向與信號解析位置xj 所設定之直線之延伸方向一致，從而能夠對於通過電子通過限制構件1201之狹縫1202後之釋出電子進行與槽之情形同樣之處理，求出孔之深度H。
以上實施例1、2中，對形成於試樣之三維構造之深度進行計算之掃描電子顯微鏡之構成並非限定於圖1所示者。圖1之掃描電子顯微鏡100雖具有選擇地檢測釋出角為某天頂角AZ 以下之釋出電子之構成(稱為「釋出角低通構成」)，但與之相對，即便係選擇性地檢測釋出角為某天頂角AZ 以上之釋出電子之構成(稱為「釋出角高通構成」)，亦能夠同樣地測量三維構造之深度。以下，對於掃描電子顯微鏡之另一構成例進行說明。
圖13所示之掃描電子顯微鏡100A具有釋出角高通構成。利用控制透鏡115控制釋出電子114之軌道，利用檢測器118檢測由中央具有開口部之反射板119反射而產生之三次電子120。該構成中，藉由選擇性地檢測無法通過反射板119之開口部之釋出角之釋出電子，從而可求出檢測電子之釋出角度分佈。
圖14所示之掃描電子顯微鏡100B亦具有釋出角高通構成。利用控制透鏡115控制釋出電子114之軌道，利用中央具有開口部之甜甜圈狀圓環型檢測器121檢測釋出電子114。該構成中，藉由選擇性地檢測無法通過圓環型檢測器121之開口部之釋出角之釋出電子，可求出檢測電子之釋出角度分佈。
圖15所示之掃描電子顯微鏡100C具有釋出角低通構成。利用分隔件117以自一次電子束107之光軸上偏離之方式控制釋出電子114之軌道，於光軸外藉由控制透鏡115與檢測光圈116，控制檢測器118中之檢測交界角AZ 。藉此，降低控制透鏡115之磁場對於釋出電子114之釋出角所產生之影響，且利用控制透鏡115控制釋出電子軌道，選擇性地檢測通過檢測光圈116之開口部之釋出角之釋出電子，藉此可求出檢測電子之釋出角度分佈。
圖16所示之掃描電子顯微鏡100D具有釋出角低通構成。藉由能夠控制開口部之直徑之直徑可變檢測光圈122，控制檢測交界角AZ 。整體控制部102藉由控制直徑可變檢測光圈122之開口部之直徑，選擇性地檢測通過開口部之釋出角之釋出電子，從而可求出檢測電子之釋出角度分佈。
圖17所示之掃描電子顯微鏡100E具有釋出角高通構成。設置位置能夠藉由整體控制部102控制於一次電子束107之光軸方向上，且藉由中央具有開口部之甜甜圈狀之位置可變圓環型檢測器123，控制檢測交界天頂角AZ 。再者，亦可不限於鉛直方向(光軸方向)之位置之控制，藉由於水平方向(與光軸方向垂直之方向)上增大圓環型檢測器之開口部之直徑之控制，實現檢測交界天頂角AZ 之控制。該構成中，由於使釋出電子114之軌道於不彎曲而保持直線性之情況下到達至檢測器123，故藉由使物鏡111設置於較檢測器123更上方，從而防止釋出電子114之軌道因物鏡111之磁場而發生彎曲。藉由控制檢測器123之位置，選擇性地檢測無法通過開口部之釋出角之釋出電子，從而可求出檢測電子之釋出角度分佈。
圖18所示之掃描電子顯微鏡100F亦具有釋出角高通構成。藉由能夠利用整體控制部102控制高度(一次電子束107之光軸方向)之高度可變載台124與中央具有開口部之甜甜圈狀之圓環型檢測器121，控制檢測交界角AZ 。亦於本構成中，為了使釋出電子114之軌道於不彎曲而保持直線性之情況下到達至檢測器123，使物鏡111配置於較檢測器123而言更上方。藉由控制載台高度，選擇性地檢測無法通過圓環型檢測器121之開口部之釋出角之釋出電子，從而可求出檢測電子之釋出角度分佈。
圖19所示之掃描電子顯微鏡100G具有釋出角低通構成。藉由控制釋出電子114之軌道之分隔件125與具有僅使一方向之方位角之釋出電子通過之狹縫127之電子通過限制構件126，控制檢測交界角AZ 。圖20中表示有自試樣112釋出之釋出電子114藉由分隔件125向電子通過限制構件126之狹縫127偏向，僅與狹縫127之長邊方向相等之方位角之釋出電子114通過之情況。利用被整體控制部102控制之分隔件125控制朝向電子通過限制構件126之電子之軌道，選擇性地檢測通過狹縫127之釋出角之釋出電子，藉此可求出檢測電子之釋出角度分佈。適用於開口角根據方位角發生變化之三維構造之深度之測量。
圖21A所示之掃描電子顯微鏡100H具有能夠同時地獲取檢測交界角AZ 不同之圖像之檢測器。圖21B中表示有掃描電子顯微鏡100H所使用之多道檢測器128之檢測面。該例中，多道檢測器128具有能夠分別獨立地檢測釋出電子之檢測部131～134。藉由將所檢測之釋出電子例如設為根據檢測部131之檢測信號之圖像、根據檢測部131～132之檢測信號之圖像、根據檢測部131～133之檢測信號之圖像、根據檢測部131～134之檢測信號之圖像，從而不實施掃描便可同時地獲取檢測交界角AZ 不同之圖像。藉此，變得能夠高速地獲取檢測電子之釋出角度分佈。
再者，以上實施例中，舉例對具有計算形成於試樣之三維構造之深度之功能之電子顯微鏡進行了說明，但亦可為基於具有下述般之檢測部之電子顯微鏡所拍攝之圖像，計算三維構造之深度之深度計算裝置或者深度計算系統：對藉由向試樣照射一次電子束而自試樣產生之釋出電子中之一次電子束之光軸方向與釋出電子自試樣釋出之方向所成之角即釋出角為規定範圍內之釋出電子進行檢測，根據所檢測出之釋出電子數，輸出檢測信號。圖22中表示有深度計算裝置之硬體構成例。深度計算裝置1300包括處理器1301、主記憶1302、輔助記憶1303、輸入輸出界面1304、顯示界面1305、及網路界面1306，該等藉由匯流1307結合。輸入輸出界面1304連接於鍵盤或滑鼠等輸入裝置1309，顯示界面1305連接於顯示器1308，實現GUI(Graphical User Interface，圖形用戶界面)。又，根據如圖7中所示般之示意圖，表示評價結果。網路界面1306係用以與網路連接之界面。例如，藉由利用網路與掃描電子顯微鏡100連接，從而變得能夠使儲存於電子顯微鏡100之記憶部105之圖像經由網路儲存於輔助記憶1303。輔助記憶1303通常包括HDD(Hard Disk Drive，硬盤驅動器)或ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)、快閃記憶體等非揮發性記憶體，記憶深度計算裝置1300所執行之程式或被程式作為處理對象之資料等。主記憶1302包括RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)，根據處理器1301之命令，暫時記憶程式或程式之執行所需之資料等。處理器1301執行自輔助記憶1303載入至主記憶1302之程式。深度計算裝置1300可藉由PC(Personal Computer，個人電腦)或伺服器實現。
輔助記憶1303中記憶有對相同試樣以不同之檢測交界角AZ 獲得之複數個圖像IZ 1310或進行試樣之三維構造之深度計算之深度計算程式1311、及其他程式。深度計算程式1311係上述實施例1、2中用以信號處理部103進行三維構造之深度之計算之處理之程式。具體而言，使用圖像IZ 1310，執行圖3中所示之S302～S307、或者圖8中所示之S802～S806之處理。
100:掃描電子顯微鏡 100A:掃描電子顯微鏡 100B:掃描電子顯微鏡 100C:掃描電子顯微鏡 100D:掃描電子顯微鏡 100E:掃描電子顯微鏡 100F:掃描電子顯微鏡 100G:掃描電子顯微鏡 100H:掃描電子顯微鏡 101:拍攝部 102:整體控制部 103:信號處理部 104:輸入輸出部 105:記憶部 106:電子槍 107:電子束 108:加速電極 109:聚焦透鏡 110:掃描偏向器 111:物鏡 112:試樣 113:載台 114:釋出電子 115:控制透鏡 116:檢測光圈 117:分隔件 118:檢測器 119:反射板 120:三次電子 121:圓環型檢測器 122:直徑可變檢測光圈 123:位置可變圓環型檢測器 124:高度可變載台 125:分隔件 126:電子通過限制構件 127:狹縫 128:多道檢測器 131、132、133、134:檢測部 201:線空間圖案 202:下層 203:電子束 204:電子束 205:釋出電子 206:釋出電子 208:釋出角度分佈 209:釋出角度分佈 210:變化點 401:槽圖像 401A:區域 402:槽圖像 402A:區域 403:槽圖像 403A:區域 501:極大峰值 502:槽之中心座標 601:曲線圖 602:變化點 701:輸入輸出畫面 702:掃描範圍 703:掃描間隔 704:曲線圖 705:開口角 706:槽寬 707:深度 1001:曲線圖 1002:變化點 1003:變化點 1101:曲線圖 1102:擬合函數 1210:孔 1211:槽 1201:電子通過限制構件 1202:狹縫 1203:方位角 1204:方位角 1210:孔 1211:槽 1300:深度計算裝置 1301:處理器 1302:主記憶 1303:輔助記憶 1304:輸入輸出界面 1305:顯示界面 1306:網路界面 1307:匯流 1308:顯示器 1309:輸入裝置 1310:圖像 1311:深度計算程式 A:開口角 L:槽寬 H:深度
圖1係掃描電子顯微鏡100之概略構成圖。 圖2A係表示伴隨向形成有槽之試樣照射電子束之電子釋出之情況之模式圖。 圖2B係檢測電子之釋出角度分佈之曲線圖(模式圖)。 圖3係實施例1中之計算槽之深度之流程圖。 圖4係掃描檢測交界角而獲得之獲取圖像例(模式圖)。 圖5係用以說明槽之中心位置之求出方法之圖。 圖6係槽之中心位置中之圖像信號之釋出角度分佈之曲線圖(模式圖)。 圖7係關於槽之深度測量之輸出畫面。 圖8係實施例2中之計算槽之深度之流程圖。 圖9係表示信號解析位置xi 之例與此時之開口角之圖。 圖10係信號解析位置xi 中之圖像信號之釋出角度分佈之曲線圖(模式圖)。 圖11A係將針對信號解析位置xj 求得之開口角Aj 繪圖而成之曲線圖(模式圖)。 圖11B係用以說明擬合函數之求出方法之圖。 圖12A係用以說明釋出電子之方位角對開口角之檢測所帶來之影響之圖。 圖12B係表示限制釋出電子之方位角之電子通過限制構件之圖。 圖13係掃描電子顯微鏡100A之概略構成圖。 圖14係掃描電子顯微鏡100B之概略構成圖。 圖15係掃描電子顯微鏡100C之概略構成圖。 圖16係掃描電子顯微鏡100D之概略構成圖。 圖17係掃描電子顯微鏡100E之概略構成圖。 圖18係掃描電子顯微鏡100F之概略構成圖。 圖19係掃描電子顯微鏡100G之概略構成圖。 圖20係表示掃描電子顯微鏡100G中檢測出之釋出電子之電子軌道之圖。 圖21A係掃描電子顯微鏡100H之概略構成圖。 圖21B係掃描電子顯微鏡100H之檢測器之檢測面。 圖22係深度計算裝置1300之硬體構成例。
100:掃描電子顯微鏡
101:拍攝部
102:整體控制部
103:信號處理部
104:輸入輸出部
105:記憶部
106:電子槍
107:電子束
108:加速電極
109:聚焦透鏡
110:掃描偏向器
111:物鏡
112:試樣
113:載台
114:釋出電子
115:控制透鏡
116:檢測光圈
117:分隔件
118:檢測器

Claims (15)

  1. 一種電子顯微鏡，其具有： 電子槍，其向形成有三維構造之試樣照射一次電子束； 檢測部，其對藉由向上述試樣照射上述一次電子束而自上述試樣產生之釋出電子中的上述一次電子束之光軸方向與上述釋出電子自上述試樣釋出之方向所成之角即釋出角為規定範圍內的釋出電子進行檢測，並輸出與檢測出之釋出電子數相應之檢測信號； 控制部，其控制上述檢測部檢測之上述釋出電子之釋出角之範圍；及 信號處理部；且 上述控制部係將上述檢測部檢測之上述釋出電子之釋出角之範圍設定複數個， 上述信號處理部藉由上述電子槍向上述三維構造之底部照射上述一次電子束，而使得上述檢測部檢測出由上述控制部設定之複數個釋出角之各範圍的釋出電子，基於所輸出之複數個檢測信號，求出上述檢測信號之釋出角度分佈，根據上述釋出角度分佈之變化點，求出上述一次電子束之光軸方向與上述三維構造之底部中之自上述一次電子束之照射位置通過上述三維構造之側壁之上端之直線所成的角即開口角。
  2. 如請求項1之電子顯微鏡，其中 上述信號處理部係基於來自上述檢測部之檢測信號求出上述三維構造之寬度，並基於上述三維構造之開口角及寬度求出上述三維構造之深度。
  3. 如請求項2之電子顯微鏡，其中 上述信號處理部中，上述檢測部檢測上述釋出電子之釋出角之範圍為90度以下之釋出電子，並基於所輸出之檢測信號求出上述三維構造之寬度。
  4. 如請求項1之電子顯微鏡，其中 上述檢測部具備：控制透鏡，其控制上述釋出電子之軌道；檢測光圈；及檢測器，其檢測因上述控制透鏡而軌道發生變化且通過上述檢測光圈之釋出電子；且 上述控制部根據上述檢測部所檢測之上述釋出電子之釋出角之範圍控制上述控制透鏡。
  5. 如請求項1之電子顯微鏡，其中 上述檢測部具備：控制透鏡，其控制上述釋出電子之軌道；反射板；及檢測器，其檢測因上述控制透鏡而軌道發生變化且由上述反射板反射而產生之三次電子；且 上述控制部根據上述檢測部所檢測之上述釋出電子之釋出角之範圍，控制上述控制透鏡。
  6. 如請求項1之電子顯微鏡，其中 上述檢測部具備：控制透鏡，其控制上述釋出電子之軌道；及圓環型檢測器，其檢測因上述控制透鏡而軌道發生變化之釋出電子；且 上述控制部基於上述檢測部所檢測之上述釋出電子之釋出角之範圍，控制上述控制透鏡。
  7. 如請求項1之電子顯微鏡，其中 上述檢測部具備：直徑可變檢測光圈，其能夠控制開口部之直徑；及檢測器，其檢測通過上述直徑可變檢測光圈之釋出電子；且 上述控制部根據上述檢測部所檢測之上述釋出電子之釋出角之範圍，控制上述直徑可變檢測光圈之開口部之直徑。
  8. 如請求項1之電子顯微鏡，其中 上述檢測部具備配置於物鏡與上述試樣之間之圓環型檢測器， 上述控制部根據上述檢測部所檢測之上述釋出電子之釋出角之範圍，沿著上述一次電子束之光軸方向，控制上述圓環型檢測器之位置或載置有上述試樣之載台之位置。
  9. 如請求項1之電子顯微鏡，其中 上述檢測部具備電子通過限制構件，該電子通過限制構件具有限制上述釋出電子之方位角之狹縫。
  10. 一種三維構造之深度計算方法，其係根據檢測藉由向形成有三維構造之試樣照射一次電子束而自上述試樣產生之釋出電子而形成之圖像，計算上述三維構造之深度者， 將複數個圖像保存於記憶部，該複數個圖像係對於上述試樣，使所檢測之釋出電子之上述一次電子束之光軸方向與上述釋出電子自上述試樣釋出之方向所成之角即釋出角之範圍不同而獲得， 基於保存於上述記憶部之上述複數個圖像之上述三維構造之底部之規定位置中之圖像信號，求出上述圖像信號之釋出角度分佈， 根據上述釋出角度分佈之變化點，求出上述一次電子束之光軸方向與自上述規定位置通過上述三維構造之側壁之上端之直線所成之角即開口角， 基於保存於上述記憶部之上述複數個圖像中之1張圖像，求出上述三維構造之寬度， 基於上述三維構造之開口角及寬度，求出上述三維構造之深度。
  11. 如請求項10之三維構造之深度計算方法，其中 上述1張圖像係對所檢測之釋出電子之釋出角之範圍為90度以下之釋出電子進行檢測而形成之圖像。
  12. 如請求項10之三維構造之深度計算方法，其中 藉由預先保持上述釋出角度分佈之擬合函數，並將上述擬合函數應用於上述規定位置中之圖像信號，而求出上述圖像信號之釋出角度分佈。
  13. 如請求項12之三維構造之深度計算方法，其中 上述規定位置係上述三維構造之底部之中心位置、或上述三維構造之底部中之1條直線上之複數個位置。
  14. 如請求項10之三維構造之深度計算方法，其中 上述複數個圖像係將所檢測之釋出電子之方位角限制為1個方向而獲得之圖像。
  15. 如請求項10之三維構造之深度計算方法，其中 上述三維構造係形成於上述試樣之孔或槽。
TW109101907A 2019-01-22 2020-01-20 電子顯微鏡及三維構造之深度計算方法 TWI765216B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019-008299 2019-01-22
JP2019008299A JP7091263B2 (ja) 2019-01-22 2019-01-22 電子顕微鏡及び３次元構造の深さ算出方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202029267A true TW202029267A (zh) 2020-08-01
TWI765216B TWI765216B (zh) 2022-05-21

Family

ID=71609114

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109101907A TWI765216B (zh) 2019-01-22 2020-01-20 電子顯微鏡及三維構造之深度計算方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11164720B2 (zh)
JP (1) JP7091263B2 (zh)
KR (1) KR102359052B1 (zh)
TW (1) TWI765216B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022112137A (ja) * 2021-01-21 2022-08-02 株式会社日立ハイテク 荷電粒子ビーム装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6426501B1 (en) * 1998-05-27 2002-07-30 Jeol Ltd. Defect-review SEM, reference sample for adjustment thereof, method for adjustment thereof, and method of inspecting contact holes
JP3749107B2 (ja) * 1999-11-05 2006-02-22 ファブソリューション株式会社 半導体デバイス検査装置
US6930308B1 (en) 2002-07-11 2005-08-16 Kla-Tencor Technologies Corporation SEM profile and surface reconstruction using multiple data sets
JP2004347483A (ja) 2003-05-23 2004-12-09 Hitachi High-Technologies Corp 電子線を用いたパターン検査装置、及び、電子線を用いたパターン検査方法
US7067808B2 (en) * 2003-10-14 2006-06-27 Topcon Corporation Electron beam system and electron beam measuring and observing method
WO2007067296A2 (en) * 2005-12-02 2007-06-14 Alis Corporation Ion sources, systems and methods
JP2007187538A (ja) * 2006-01-13 2007-07-26 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線装置及びそれを用いた画像取得方法
JP5117764B2 (ja) * 2007-05-22 2013-01-16 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子ビーム加工装置
JP2009162494A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Nec Electronics Corp 計測方法
JP5425601B2 (ja) * 2009-12-03 2014-02-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置およびその画質改善方法
JP5320418B2 (ja) * 2011-01-31 2013-10-23 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
JP5584159B2 (ja) * 2011-03-24 2014-09-03 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置及びパターン測定方法
JP5787746B2 (ja) * 2011-12-26 2015-09-30 株式会社東芝 信号処理方法および信号処理装置
JP6316578B2 (ja) 2013-12-02 2018-04-25 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査電子顕微鏡システム及びそれを用いたパターン計測方法並びに走査電子顕微鏡
JP6366127B2 (ja) 2013-12-12 2018-08-01 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 電子線装置、試料観察方法
US10262830B2 (en) * 2014-11-26 2019-04-16 Hitachi, Ltd. Scanning electron microscope and electron trajectory adjustment method therefor
JP2017016791A (ja) * 2015-06-29 2017-01-19 株式会社東芝 計測装置、計測方法および半導体装置の製造方法
JP6581940B2 (ja) 2016-04-15 2019-09-25 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子顕微鏡装置
JP6640057B2 (ja) * 2016-09-14 2020-02-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子顕微鏡装置及びそれを用いた傾斜ホールの測定方法
US10636140B2 (en) * 2017-05-18 2020-04-28 Applied Materials Israel Ltd. Technique for inspecting semiconductor wafers

Also Published As

Publication number Publication date
JP7091263B2 (ja) 2022-06-27
TWI765216B (zh) 2022-05-21
KR20200091335A (ko) 2020-07-30
US20200234916A1 (en) 2020-07-23
US11164720B2 (en) 2021-11-02
JP2020119686A (ja) 2020-08-06
KR102359052B1 (ko) 2022-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100776067B1 (ko) 분석 시스템과 대전 입자 빔 장치
US9202671B2 (en) Charged particle beam apparatus and sample processing method using charged particle beam apparatus
US8080790B2 (en) Scanning electron microscope
US11545336B2 (en) Scanning electron microscopy system and pattern depth measurement method
JP6581940B2 (ja) 電子顕微鏡装置
JP2021097039A (ja) 透過菊池回折パターンの改良方法
KR20200118756A (ko) 패턴 단면 형상 추정 시스템, 및 프로그램
TW202029267A (zh) 電子顯微鏡及三維構造之深度計算方法
KR20190138736A (ko) 패턴 측정 방법, 패턴 측정 툴, 및 컴퓨터 가독 매체
US10319560B2 (en) Method of determining crystallographic properties of a sample and electron beam microscope for performing the method
JP6440128B2 (ja) エネルギー弁別電子検出器及びそれを用いた走査電子顕微鏡
TWI809319B (zh) 圖像調整方法及帶電粒子束系統
US11791131B2 (en) Charged particle beam apparatus and method for controlling charged particle beam apparatus
US10957513B2 (en) Electron microscope and image processing method
US20220359151A1 (en) Pattern inspecting device
JP2006172919A (ja) 三次元形状解析機能を有する走査型電子顕微鏡
JP7323574B2 (ja) 荷電粒子線装置および画像取得方法
US20240144560A1 (en) Training Method for Learning Apparatus, and Image Generation System
JP7018365B2 (ja) 荷電粒子線装置および分析方法
JP7083629B2 (ja) 定量分析方法および電子顕微鏡
TW202403816A (zh) 帶電粒子線裝置
WO2012136993A1 (en) Methods, apparatuses and computer programs for crystallography
JP2023050960A (ja) 荷電粒子線画像処理装置とそれを備える荷電粒子線装置