TW202028438A

TW202028438A - 包含可聚合化合物之液晶介質

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Publication number: TW202028438A
Application number: TW108140237A
Authority: TW
Inventors: 哈莫德函梭; 克莉絲汀穆勒; 茱莉亞史普瑞
Original assignee: 德商馬克專利公司
Priority date: 2018-11-07
Filing date: 2019-11-06
Publication date: 2020-08-01
Also published as: EP3877485B1; US20230029961A1; WO2020094540A1; EP3877485A1; CN112969772A

Abstract

本發明係關於液晶(LC)介質，其包含一或多種如說明或申請專利範圍中所進一步指定之可聚合化合物及用於垂直配向之自配向添加劑。該介質適用於LC顯示器，尤其聚合物穩定配向型之LC顯示器。

Description

包含可聚合化合物之液晶介質

本發明係關於液晶(LC)介質，其包含一或多種如描述或申請專利範圍中所進一步指定之可聚合化合物及用於垂直配向之自配向添加劑。該介質適用於LC顯示器，尤其聚合物穩定配向型之LC顯示器。

目前所使用之液晶顯示器(LCD)模式中之一者為TN (「扭轉向列」)模式。然而，TN LCD具有強的對比度視角依賴性之缺點。

此外，所謂之VA (「垂直配向」)顯示器係已知，其具有更寬視角。VA顯示器之LC單元在兩個透明電極之間含有LC介質層，其中該LC介質通常具有負介電各向異性。在關閉狀態下，該LC層之分子與電極表面垂直(垂直(homeotropically))配向或具有傾斜之垂直配向。在向兩個電極施加電壓時，會發生平行於電極表面之LC分子之重新配向。

此外，OCB (「光補償彎曲」)顯示器係已知，其係基於雙折射效應且具有LC層，該LC層具有所謂之「彎曲」配向且通常正介電各向異性。在施加電壓時，會發生垂直於電極表面之LC分子之重新配向。此外，OCB顯示器正常含有一或多個雙折射光學阻滯膜以防止彎曲單元在黑暗狀態下之非所需透光。OCB顯示器與TN顯示器相比具有更寬視角及更短回應時間。

亦已知所謂之IPS (「平面內切換」)顯示器，其在兩個基板之間含有LC層，其中該等兩個電極在該等兩個基板中之僅一者上配置且較佳地具有互相嚙合之梳狀結構。在向該等電極施加電壓時，從而在其之間形成具有平行於LC層之有效分量之電場。此造成該層平面內之LC分子之重新配向。

此外，已報導所謂之FFS (「邊緣場切換」)顯示器(尤其參見，S.H. Jung等人，Jpn. J. Appl. Phys.，第43 卷，第3期，2004, 1028)，其在相同基板上含有兩個電極，其中之一者以梳狀方式結構化且另一者未經結構化。從而產生強的所謂「邊緣場」，即，接近於電極邊緣之強電場，及遍及單元之具有強垂直分量及亦強水平分量二者之電場。FFS顯示器具有低的對比度視角依賴性。FFS顯示器通常含有具有正介電各向異性之LC介質，及通常為聚醯亞胺之配向層，其提供與LC介質之分子平面配向。

FFS顯示器可作為主動矩陣或被動矩陣顯示器操作。於主動矩陣顯示器之情況下，個別像素通常藉由積體非線性主動元件(諸如，例如，電晶體(例如薄膜電晶體(「TFT」)))來定址，而於被動矩陣顯示器之情況下，個別像素通常藉由如先前技術中所知之多工方法來定址。

此外，已揭示FFS顯示器(參見S.H. Lee等人，Appl. Phys. Lett. 73(20), 1998, 2882-2883及S.H. Lee等人，Liquid Crystals 39(9), 2012, 1141-1148)，其具有與FFS顯示器相似之電極設計及層厚度，但是包含具有負介電各向異性之LC介質之層而非具有正介電各向異性之LC介質之層。相較於具有正介電各向異性之LC介質，具有負介電各向異性之LC介質顯示更有利指向矢定向，其具有更少傾斜及更扭轉定向，因此此等顯示器具有更高透射率。該等顯示器進一步包含較佳為聚醯亞胺的配向層，該配向層提供在與LC介質接觸並誘導LC介質之LC分子之平面配向的基板中之至少一者上。此等顯示器亦被稱作「超亮度FFS (UB-FFS)」模式顯示器。此等顯示器需要具有高可靠性之LC介質。

如下文中所用，術語「可靠性」意指在期限內及在不同應力負荷(諸如光負荷、溫度、濕度、電壓)下顯示器之性能品質，且包括熟習LC顯示器領域者已知的顯示效應，諸如圖像殘留(image sticking)(區域及線圖像殘留)、亮度不均勻(mura)、污垢(yogore)等。通常使用電壓保持率(VHR)值作為可靠性分類之標準參數，其為用於維持測試顯示器之恆定電壓之量度。除其他因素外，高VHR為LC介質之高可靠性之先決條件。

於最近類型之VA顯示器中，LC分子之均勻配向受限於LC單元內之複數個相對小的域。在此等域(亦稱作傾斜域)之間可存在向錯。具有傾斜域之VA顯示器與習知VA顯示器相比具有更大對比度視角獨立性及灰階。此外，此類型之顯示器更容易製備，因為不再需要諸如(例如)藉由摩擦對電極表面進行另外處理以使分子在接通狀態下均勻配向。相反地，傾斜角或預傾角之偏好方向藉由電極之特定設計來控制。

於所謂之MVA (「多域垂直配向」)顯示器中，此通常藉由具有突起之電極達成，該等突起造成局部預傾斜。因此，LC分子在施加電壓後在單元之不同限定區域中沿不同方向與電極表面平行配向。從而達成「可控」切換，及防止干擾向錯線之形成。雖然此配置改良顯示器之視角，然而，其導致其透光之減少。MVA之進一步開發在於僅在一個電極側使用突起，而相對電極具有狹縫，其改良透光。開槽電極在施加電壓後會在LC單元中產生不均勻電場，此意指仍達成可控切換。爲了進一步改善透光，可增加狹縫與突起之間之間距，但是此繼而導致回應時間之延長。於所謂之PVA (「圖案化VA」)顯示器中，突起完全多餘，因兩個電極為藉助相對側上之狹縫結構化，其導致增加之對比度及改良之透光，但是技術上很困難且使顯示器對機械影響(「點擊」等)更敏感。然而，針對許多應用，諸如例如，監視器及尤其TV螢幕，要求縮短回應時間並改良顯示器之對比度及亮度(透射)。

進一步開發所謂之PS (「聚合物穩定」)或PSA (「聚合物穩定配向」)型顯示器，針對其亦偶爾使用術語「聚合物穩定化」。於此等顯示器中，將少量(例如0.3重量%，通常＜1重量%)一或多種可聚合化合物，較佳地可聚合單體化合物添加至LC介質中，並且於將該LC介質填充至顯示器後，通常藉由UV光聚合聚合或原位交聯，視情況同時向顯示器之電極施加電壓。在LC介質展示液晶相之溫度下，通常在室溫下進行聚合。已證明添加可聚合液晶原性或液晶化合物(亦稱作反應性液晶原或「RM」)至LC混合物特別適宜。

除非另有指明，否則一般而言，下文中當提及聚合物穩定配向型顯示器時，使用術語「PSA」，及當提及特定顯示器模式，如PS-VA、PS-TN及類似者時，使用術語「PS」。

再者，除非另有指明，否則當提及可聚合液晶原性或液晶化合物時，下文中使用術語「RM」。

同時，PS(A)原理係用於各種習知LC顯示器模式。因此，例如，PS-VA、PS-OCB、PS-IPS、PS-FFS、PS-UB-FFS及PS-TN顯示器係已知。於PS-VA及PS-OCB顯示器之情況下，RM之聚合較佳以施加電壓發生，及於PS-IPS顯示器之情況下，利用或不利用施加電壓，較佳地不利用施加電壓發生。如可於測試單元中證實，PS(A)方法導致該單元之預傾斜。於PS-OCB顯示器之情況下，例如，可使彎曲結構穩定使得偏移電壓不必要或可降低。於PS-VA顯示器之情況下，預傾斜具有對回應時間之正效應。針對PS-VA顯示器，可使用標準MVA或PVA像素及電極佈局。此外，然而，亦可例如僅用一個結構化電極側及無突起，其顯著簡化產生及同時導致極佳對比度及極佳透光。

PS-VA顯示器述於例如EP 1 170 626 A2、US 6,861,107、US 7,169,449、US 2004/0191428 A1、US 2006/0066793 A1及US 2006/0103804 A1中。

在由會誘導上述預傾角的經相分離及聚合之RM形成之層下方，PSA顯示器通常含有配向層，例如，聚醯亞胺配向層，其提供LC分子在聚合物穩定化步驟之前之初始配向。

很長時間以來一直使用經摩擦之聚醯亞胺層作為配向層。然而，摩擦製程引起許多問題，如亮度不均勻、污染、靜電放電問題、碎屑等。一般而言，生產此聚醯亞胺層之努力及成本係相對大的。因此，代替經摩擦之聚醯亞胺層，提議使用藉由光配向或藉由添加適宜添加劑至LC介質自配向製備之聚醯亞胺層。

此外，觀察到聚醯亞胺配向層與LC介質之某些化合物之不利相互作用經常會導致顯示器之電阻降低。因此，顯著減少適宜且可用LC化合物之數目，但以犧牲顯示器參數，如視角依賴性、對比度及回應時間為代價，該等參數旨在藉由使用此等LC化合物加以改善。因此，期望省略聚醯亞胺配向層。

針對一些顯示器模式，此係藉由添加自配向劑或添加劑至LC介質中從而藉由自組裝機制原位引起所需配向(例如：垂直配向)來達成。從而可在基板中之一者或二者上省略配向層。此等顯示器模式亦被稱作「自配向(self-aligned/self-aligning/self-alignment)」(SA)模式。

於SA顯示器中，添加少量(通常0.1至2.5%)之自配向添加劑至LC介質中。適宜自配向添加劑為例如具有有機核心基團及其上連接之一或多個極性錨定基團之化合物，該等錨定基團能與基板表面相互作用，引起該基板表面上之添加劑配向且亦誘導LC分子中之所需配向。較佳自配向添加劑包含例如液晶原性基團及以一或多個極性錨定基團(例如選自羥基、羧基、胺基或硫醇基)封端之直鏈或分支鏈烷基側鏈。自配向添加劑亦可含有一或多個可聚合基團，該等基團可在與用於PSA製程之RM相似條件下聚合。

迄今已揭示SA-VA (自配向VA)顯示器。尤其用於VA模式顯示器中之誘導垂直配向的適宜自配向添加劑揭示於例如US 2013/0182202 A1、US 2014/0838581 A1、US 2015/0166890 A1及 US 2015/0252265 A1中。

SA模式亦可與PSA模式組合使用。因此，用於此種組合模式之顯示器中之LC介質含有一或多種RM及一或多種自配向添加劑二者。

如上所述之習知LC顯示器，PSA顯示器可用作主動矩陣或被動矩陣顯示器。於主動矩陣顯示器之情況下，個別像素通常藉由積體非線性主動元件(諸如，例如，電晶體(例如薄膜電晶體(「TFT」)))來定址，而於被動矩陣顯示器之情況下，個別像素通常藉由如自先前技術已知之多工方法來定址。

特定言之，針對監視器及尤其TV應用，繼續需要優化回應時間，而且優化LC顯示器之對比度及亮度(因此亦為透射率)。此處PSA方法可提供顯著優點。特定言之於PS-VA、PS-IPS、PS-FFS及PS-posi-VA顯示器之情況下，可達成回應時間之縮短而對其他參數無顯著不利影響，該等回應時間與測試單元之可量測預傾斜相關。

先前技術已建議將視情況經氟化之聯苯基二丙烯酸酯或二甲基丙烯酸酯用作用於PSA顯示器中之RM。

然而，出現的問題是，並非由LC混合物及一或多種RM組成之所有組合適用於PSA顯示器中，因為，例如，傾斜不適當或根本沒有建立傾斜，或因為例如VHR不足以用於TFT顯示器應用。若希望藉助UV光而不添加光引發劑進行聚合(其可能對某些應用有利)，則適宜RM之選擇甚至變得更少。

此外，LC主體混合物/RM之選定組合應具有最低可能旋轉黏度及最佳可能電性質。特定言之，其應具有最高可能VHR。於PSA顯示器中，於用UV光照射後之高VHR係特別需要的，因為UV暴露不僅為顯示器生產製程之必要部分，而且在成品顯示器之操作期間亦已正常暴露發生。

特定言之，期望具有產生適當小的傾斜角之用於PSA顯示器之可用新穎材料。此處較佳材料為相比迄今已知之材料在持續相同暴露時間之聚合期間產生更低傾斜角，及/或藉由使用其，可於更短暴露時間後容易達成所需結果之彼等。因此，可縮短顯示器之生產時間(「單件生產時間(tact time)」)及降低生產製程之成本。然而，與其他可聚合組分(如用於垂直配向之自配向添加劑)組合時，傾斜角亦可變得過低。於此情況下，需要甚至更多調整LC介質之傾斜產生行為。

生產PSA顯示器之另外問題為殘餘量之未聚合RM之存在或移除，特定言之於用於產生顯示器之預傾角之聚合步驟後。例如，此類型之未反應之RM可藉由例如在完成顯示器後之操作期間以不可控方式聚合來不利影響顯示器之性質。

因此，自先前技術已知之PSA顯示器經常展現所謂之「圖像殘留」或「圖像燒毀」之非所需效應，即，於LC顯示器中藉由個別像素之臨時定址產生之圖像甚至於此等像素中之電場已經關閉後或於其他像素已經定址後仍保持可見。

若使用具有低VHR之LC主體混合物，則一方面可發生此「圖像殘留」。日光之UV分量或背光可引起其中的LC分子發生非所需分解反應並因此開始產生離子或自由基雜質。此等可特別累積在電極或配向層，在該等電極或配向層處其可降低有效施加電壓。此效應亦可於無聚合物組分之習知LC顯示器中觀察到。

此外，由未聚合RM之存在引起之額外「圖像殘留」效應經常於PSA顯示器中觀察到。此處殘餘RM之不可控聚合藉由來自環境之UV光或藉由背光引發。於切換的顯示器區域，此於許多定址週期後改變傾斜角。因此，切換區域中可發生透射率之變化，而在未切換區域中保持不變。

因此，希望在生產PSA顯示器期間RM之聚合儘可能完全進行及儘可能排除顯示器中之未聚合RM之效應或降低至最小值。因此，需要使能或支持RM之高效且完全聚合之RM及LC混合物。此外，將希望殘餘RM量之可控反應。

於操作PSA顯示器中已觀察到之另一問題為預傾角之穩定性。因此，觀察到在顯示器製造期間藉由如上所述使RM聚合產生之預傾角不能保持恆定，但是可於顯示器在其操作期間經受電壓應力後會劣化。此可負面影響顯示器性能，例如，藉由增加黑暗狀態透射率及因此降低對比度。

待解決之另一問題為先前技術之RM經常具有高熔點，且於許多目前常見LC混合物中確實僅顯示有限溶解度，及因此頻繁傾向於自該混合物自發結晶出來。此外，自發聚合之風險會防止LC主體混合物升溫以溶解可聚合組分，意指甚至在室溫下之最佳可能溶解度係必要的。此外，例如將LC介質引入LC顯示器中時，存在分離之風險(層析效應)，其可極大損害顯示器之均勻性。此因以下事實進一步增加：通常在低溫下引入LC介質以降低自發聚合之風險(見上)，其繼而對溶解度具有不利影響。

於先前技術中觀察到之另一問題為於LC顯示器(包括但不限於PSA型之顯示器)中使用習知LC介質經常導致顯示器中產生亮度不均勻，尤其當將該LC介質填充於使用一滴填充(ODF)方法製造之顯示器單元中時。此現象亦被稱作「ODF亮度不均勻」。因此，期望提供導致很少ODF亮度不均勻之LC介質。

於先前技術中觀察到之另一問題為用於PSA顯示器(包括但不限於PSA型之顯示器)之LC介質經常展示高黏度，並因此展現長切換時間。為降低LC介質之黏度及切換時間，於先前技術中已建議添加具有烯基之LC化合物。然而，觀察到含有烯基化合物之LC介質經常顯示可靠性及穩定性降低，及尤其於暴露於UV輻射後VHR降低。尤其用於PSA顯示器，此為相當大缺點，因為PSA顯示器中之RM之光聚合通常藉由暴露於UV輻射中進行，其可引起LC介質中之VHR下降。

因此，極大需求PSA顯示器及用於此等顯示器之LC介質及可聚合化合物，其不顯示如上所述之缺點，或有的話僅有小程度，且具有改善之性質。

特定言之，極大需求PAS顯示器，及用於此等PSA顯示器之LC介質及可聚合化合物，其實現大工作溫度範圍之同時的高比電阻，甚至在低溫下之短回應時間及低臨限電壓、低預傾角、灰階多重性、高對比及寬視角、於UV暴露後具有高可靠性及高VHR值，及於可聚合化合物之情況下，具有低熔點及於LC主體混合物中之高溶解度。於用於行動應用之PSA顯示器中，尤其期望具有顯示低臨限電壓及高雙折射率之可用LC介質。

於先前技術中，已報導若干類型之RM可用於PSA顯示器，例如具有聯苯或三聯苯液晶原性核心及其上連接之兩個或三個可聚合丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯基團之RM。顯示聯苯RM展示有限聚合速度但是良好可靠性參數，如高VHR或傾斜穩定性，而顯示三聯苯RM展示快速聚合速度但是有限可靠性參數。於兩種類型中，芳族核心提供UV-A範圍之充分吸收以引發光聚合。期望具有展示快速聚合速度及良好可靠性參數二者的可用RM。

本發明係基於提供用於PSA顯示器之新穎適宜材料，特定言之RM及包含其之LC介質之目標，該等材料不具有以上所指示之缺點或有的話至減小程度。

特定言之，本發明係基於提供用於PSA顯示器之RM及包含其之LC介質之目標，其實現極高比電阻值、高VHR值、高可靠性、低臨限電壓、短回應時間、高雙折射率，尤其在較長波長下顯示良好UV吸收，使RM能快速且完全聚合，允許較佳地儘可能快地產生適宜傾斜角，甚至於較長時間後及/或於UV暴露後預傾斜之高穩定性，減少或防止顯示器產生「圖像殘留」及「ODF亮度不均勻」，及於RM之情況下儘可能快速且完全聚合並在通常用作PSA顯示器中之主體混合物中之LC介質中顯示高溶解度。

本發明之另一目標為提供用於PSA顯示器之RM，其展示快速聚合速度及良好可靠性參數(如高VHR或傾斜穩定性)二者。

已根據本發明藉由如本申請案中所述之材料及製程達成此等目標。特定言之，已出人意料地發現使用如下文中所述之式I之RM與式II之自配向添加劑組合允許達成如上所述之有利效果。式I化合物特徵在於其含有具有一或多個非芳族環及未共軛芳族環之液晶原性核心，及其上連接之一或多個可聚合反應性基團。將式I化合物進一步稱作非芳族化合物，儘管可含有單個苯環。

出人意料地發現LC介質及PSA顯示器中之RM與配向添加劑之組合促進快速且完全UV光聚合反應，特定言之在300至380 nm之範圍內及尤其在320 nm以上之較長UV波長下，甚至在不添加光引發劑下，導致快速產生適宜且穩定預傾角，減少顯示器之圖像殘留及ODF亮度不均勻，導致於UV光聚合後之高可靠性及高VHR值，甚至於含有具有烯基之LC化合物之LC主體混合物的情況下，且使能達成快速回應時間、低臨限電壓及高雙折射率。

此外，根據本發明之RM具有低熔點，於寬範圍之LC介質中，尤其於用於PSA用途之市售LC主體混合物中之良好溶解度，及低結晶傾向。此外，其顯示在較長UV波長下，特定言之在300至380 nm範圍內之良好吸收，且使能與單元中少量殘餘未反應之RM快速且完全聚合。

出人意料地發現上述目標可藉由使用LC混合物達成，該LC混合物含有在UV-A光下不具反應性之非芳族RM及進一步含有同時用作支持非芳族RM之聚合之UV光吸收劑的自配向添加劑。RM與自配向添加劑之組合高度適用於產生所需範圍之傾斜角。

同樣，出人意料地發現根據本發明之LC介質組合快速聚合速度與類似於聯苯基RM之良好可靠性參數。可靠性參數非常適合高性能VA顯示器。殘餘RM具有很少光誘導之聚合傾向，其可降低圖像燒毀之風險。此導致與申請專利當時之技術水平之RM相比之優越的整體性能。

於JP 09143125 A中報導可聚合二環己烷之合成。於先前技術中尚未測試此等可聚合化合物於VA顯示器中之應用。

本發明係關於LC介質，其包含 -可聚合組分A)，該組分A)包括一或多種可聚合化合物，較佳地由其組成，其中之至少一者為式I化合物， -液晶組分B)，下文中亦稱作「LC主體混合物」，該組分B)包括一或多種不可聚合液晶原性或液晶化合物，較佳地由其組成，及 -一或多種式II之用於垂直配向之自配向添加劑其中式I及II經定義為： P-Sp-(A¹ -Z¹ )_a -(A² -Z² )_b -(A³ -Z³ )_c -(A⁴ -Z⁴ )_d -R I 其中該等個別基團彼此獨立地及每次出現時相同或不同地具有下列含義 P為可聚合基團， Sp為間隔基團或單鍵， A¹ 、A³ 為具有1至20個，較佳地1至12個C原子之環狀伸烷基，其中一或多個非相鄰CH₂ -基團視情況經-CR⁰ =CR⁰⁰ -、-C≡C-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-置換，置換方式為O原子及/或S原子彼此不直接連接，且其中一或多個H原子各視情況經F或Cl置換，且其視情況經一或多個基團L或P-Sp-取代， A² 、A⁴ 為具有5至20個環原子之伸芳基或伸雜芳基，其視情況含有稠環，且其視情況經一或多個基團L或P-Sp-取代， Z^1-4 為-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-OCH₂ -、-CH₂ O-、-SCH₂ -、-CH₂ S-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CF₂ S-、-SCF₂ -、-(CH₂ )_n1 -、-CF₂ CH₂ -、-CH₂ CF₂ -、-(CF₂ )_n1 -、-CH=CH-、-CF=CF-、-CH=CF-、-CF=CH-、-C≡C-、-CH=CH-CO-O-、-O-CO-CH=CH-、-CH₂ -CH₂ -CO-O-、-O-CO-CH₂ -CH₂ -、-CR⁰ R⁰⁰ -或單鍵， R⁰ 、R⁰⁰ 為H或具有1至12個C原子之烷基， R為P、P-Sp-、H、F、Cl、Br、I、-CN、-NO₂ 、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、SF₅ 或具有1至25個C原子之直鏈或分支鏈烷基，此外，其中，一或多個非相鄰CH₂ 基團可各彼此獨立地經-C(R⁰ )=C(R⁰⁰ )-、-C≡C-、-N(R⁰⁰ )-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-置換，置換方式為O及/或S原子彼此不直接連接，且此外，其中，一或多個H原子可經F、Cl、Br、I、CN、P或P-Sp-置換， L為F、Cl、-CN、P-Sp-或具有1至25個C原子之直鏈、分支鏈或環狀烷基，其中一或多個非相鄰CH₂ -基團視情況經-CR⁰ =CR⁰⁰ -、-C≡C-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-置換，置換方式為O原子及/或S原子彼此不直接連接，且其中一或多個H原子各視情況經P-Sp-、F或Cl置換， a、b、c、d為0、1、2或3，其中a+c ≥1， b、d為0或1，及較佳地a+b+c+d≤4，且 n1為1、2、3或4； MES-R^a II 其中 MES為包含兩個或更多個環之棒狀液晶原性基團，該等環直接或間接彼此連接或其彼此縮合，其視情況經取代，其較佳地均係芳族且彼此電子共軛，且該液晶原性基團視情況另外經一或多個可聚合基團取代，該一或多個可聚合基團直接或經由間隔基團連接至MES，且 R^a 為位於棒狀液晶原性基團MES之末端位置中之極性錨定基團，其包含至少一個碳原子及選自-OH、-SH、-COOH、-CHO或一級或二級胺官能之至少一個基團，較佳地一或兩個OH基團，且其視情況含有一或兩個可聚合基團P。

根據本發明之LC介質之液晶組分B)於下文中亦被稱作「LC主體混合物」，及較佳地包括一或多種，較佳地至少兩種選自係不可聚合且非聚合物(本文中亦稱作不可聚合低分子化合物)之化合物之液晶原性或LC化合物。

此外，本發明係關於如上所述之LC介質或LC顯示器，其中該等式I化合物或組分A)之可聚合化合物經聚合。

此外，本發明係關於一種製備如上文及下文中所述之LC介質之方法，其包括將如上文及下文中所述之一或多種液晶原性或LC化合物，或LC主體混合物或LC組分B)與一或多種式I化合物及式II中之一或多者，及視情況與另外LC化合物及/或添加劑混合的步驟。

此外，本發明係關於根據本發明之LC介質於PSA顯示器中之用途，特定言之，於含有LC介質之PSA顯示器中之用途，其用於藉由PSA顯示器中之式I化合物之原位聚合(較佳地於電場或磁場中)產生LC介質的傾斜角。

此外，本發明係關於包含式I及II各者之一或多種化合物或根據本發明之LC介質的LC顯示器，特定言之PSA顯示器，特別佳地PS-VA、PS-UB-FFS或PS-posi-VA顯示器。

此外，本發明係關於式I化合物及根據本發明之LC介質於聚合物穩定之SA-VA顯示器中之用途，及關於聚合物穩定之SA-VA顯示器，其包含一或多種式I化合物或根據本發明之LC介質。

此外，本發明係關於LC顯示器，其包含可藉由根據本發明之LC介質之聚合獲得的聚合物，其較佳地為PSA顯示器，極佳地為聚合物穩定之SA-VA顯示器。

此外，本發明係關於PSA型之LC顯示器，其包含兩個基板(其中至少一者係透光)，在各基板上提供之電極或在該等基板之僅一者上提供之兩個電極，及位於該等基板之間之LC介質層，該LC介質層包含如上文及下文中所述之LC介質，其中該等可聚合化合物在顯示器之基板之間聚合。

此外，本發明係關於一種製造如上文及下文中所述之LC顯示器之方法，其包括在顯示器之基板之間填充或以其他方式提供如上文及下文中所述之根據本發明之LC介質及使該等可聚合化合物聚合的步驟。

根據本發明之PSA顯示器具有兩個電極，較佳地以透明層之形式，其經施覆於基板中之一者或兩者。於一些顯示器中，例如於PS-VA或聚合物穩定之SA-VA顯示器中，一個電極經施覆於兩個基板各者。於其他顯示器中，例如於PS-posi-VA或PS-IPS中，兩個電極均經施覆於兩個基板之僅一者上。

於較佳實施例中，在施加電壓至顯示器之電極的同時可聚合組分於LC顯示器中聚合。

可聚合組分之可聚合化合物較佳地藉由光聚合，極佳地藉由UV光聚合聚合。

當用於垂直自配向之PSA顯示器中時，包含式I及II化合物之LC介質顯示下列有利性質： -在某一製程窗口內部產生適宜傾斜， -快速聚合，其導致於UV製程後RM之最小殘留， -於UV製程後之高電壓保持率， -良好傾斜穩定性， -足夠抗熱穩定性， -於通常於顯示器製造中使用之有機溶劑中之足夠溶解度。

式I化合物具有很少UV光中自身的自發反應傾向。因此，於生產後顯示器中之殘餘量之物質將不引起圖片之光誘導之燒毀。

除非另有指定，否則式I及II化合物較佳地係選自非對掌性化合物。

如本文中所用，術語「活性層」及「可切換層」意指電光顯示器(例如LC顯示器)中之層，該層包含具有結構及光學各向異性之一或多個分子，如例如LC分子，該等分子在外部刺激(如電場或磁場)後改變其取向，導致該層對偏振光或非偏振光之透射率之改變。

如本文中所用，應瞭解術語「傾斜」及「傾斜角」意指LC介質之LC分子相對於LC顯示器(本文中較佳地PSA顯示器)之單元表面之傾斜配向。本文中傾斜角表示LC分子之縱向分子軸(LC指向矢)與形成LC單元之平面平行外板之表面之間的平均角度(＜ 90°)。本文中傾斜角之低值(即，與90°角度大的偏離)對應於大的傾斜。於實例中提供量測傾斜角之適宜方法。除非另有指明，否則上文及下文中所揭示之傾斜角值與此量測方法相關。

如本文中所用，應瞭解，術語「反應性液晶原」及「RM」意指含有液晶原性或液晶骨架及其上連接之一或多個官能基之化合物，該一或多個官能基適用於聚合及亦被稱作「可聚合基團」或「P」。

除非另有指定，否則如本文中所用，術語「可聚合化合物」應瞭解為意指可聚合單體化合物。

根據本發明之SA-VA顯示器將為聚合物穩定化模式，在於其含有含式I之RM之LC介質或藉由使用含式I之RM之LC介質製造。因此，如本文中所用，當提及根據本發明之顯示器時，術語「SA-VA顯示器」應理解係指聚合物穩定之SA-VA顯示器，即使未明確提及。

如本文中所用，應瞭解術語「低分子量化合物」意指係單體及/或非藉由聚合反應製備之化合物，如與「聚合化合物」或「聚合物」相反。

如本文中所用，應瞭解術語「不可聚合化合物」意指不含有在通常應用於RM之聚合的條件下適於聚合之官能團之化合物。

如本文中所用，術語「液晶原性基團」為熟習此項技術者已知及述於文獻中，且意指基團，由於其吸引及排斥相互作用之各向異性而基本上有助於在低分子量或聚合物質中引起液晶(LC)相。含有液晶原性基團之化合物(液晶原性化合物)本身不一定必須具有LC相。液晶原性化合物亦可僅於與其他化合物混合後及/或於聚合後展示LC相行為。典型液晶原性基團為例如剛性棒狀或盤狀單元。結合液晶原或LC化合物使用之術語及定義之概觀提供於Pure Appl. Chem. 2001, 73(5), 888及C. Tschierske、G. Pelzl、S. Diele,Angew. Chem. 2004 , 116, 6340-6368中。

如本文中所用，「棒狀」液晶原性基團為與盤狀(盤狀基團)相反之棒狀液晶原性基團。其可在棒狀核心上具有側面及末端取代基。末端取代基為位於棒狀形狀頂端之彼等。該棒狀核心通常由有機基團組成，通常及較佳地由兩個或更多個環系組合組成。於三個或更多個環系之情況下，此等以引起棒狀之實質上線性方式連接(例如，三聯苯)。環可藉由單鍵、藉由小有機基團(橋)連接或可為稠環，其中單鍵係較佳。

如本文中所用，術語「間隔基團」，下文中亦稱作「Sp」為熟習此項技術者已知及述於文獻中，參見，例如，Pure Appl. Chem. 2001, 73(5), 888及C. Tschierske、G. Pelzl、S. Diele,Angew. Chem. 2004 , 116, 6340-6368。如本文中所用，術語「間隔基團」或「間隔子」意指撓性基團，例如，伸烷基，其連接可聚合液晶原性化合物中之液晶原性基團及可聚合基團。

上文及下文中，

表示反式-1,4-伸環己基環，及

表示1,4-伸苯基環。

於經取代之苯基

中，兩個環原子之間所示之單鍵可連接至苯環之任何自由位置。

上文及下文中，「有機基團」表示碳基或烴基。

「碳基」表示含有至少一個碳原子之單價或多價有機基團，其中此不含有其他原子(諸如，例如，-C≡C-)或視情況含有一或多個其他原子，諸如，例如，N、O、S、B、P、Si、Se、As、Te或Ge (例如羰基等)。術語「烴基」表示額外含有一或多個H原子及視情況可選之一或多個雜原子，諸如，例如，N、O、S、B、P、Si、Se、As、Te或Ge之碳基。

「鹵素」表示F、Cl、Br或I，較佳地F或Cl。

式-CO-、-C(=O)-及-C(O)-表示羰基，即，

。

碳基或烴基可為飽和或不飽和基團。不飽和基團為例如芳基、烯基或炔基。具有超過3個C原子之碳基或烴基可係直鏈、分支鏈及/或環狀且亦可含有螺連接或縮合環。

術語「烷基」、「芳基」、「雜芳基」等亦涵蓋多價基團，例如伸烷基、伸芳基、伸雜芳基等。

術語「芳基」表示芳族碳基或自其衍生之基團。術語「雜芳基」表示含有較佳地選自N、O、S、Se、Te、Si及Ge之一或多個雜原子之如上所定義的「芳基」。

較佳碳基及烴基為具有1至40個，較佳地1至20個，極佳地1至12個C原子之視情況經取代之直鏈、分支鏈或環狀烷基、烯基、炔基、烷氧基、烷基羰基、烷氧羰基、烷基羰基氧基及烷氧羰基氧基，具有5至30個，較佳地6至25個C原子之視情況經取代之芳基或芳氧基，或具有5至30個，較佳地6至25個C原子之視情況經取代之烷基芳基、芳基烷基、烷基芳氧基、芳基烷氧基、芳基羰基、芳氧羰基、芳基羰基氧基及芳氧羰基氧基，其中一或多個C原子亦可經較佳地選自N、O、S、Se、Te、Si及Ge之雜原子置換。

另外較佳碳基及烴基為C₁ -C₂₀ 烷基、C₂ -C₂₀ 烯基、C₂ -C₂₀ 炔基、C₃ -C₂₀ 烯丙基、C₄ -C₂₀ 烷基二烯基、C₄ -C₂₀ 多烯基、C₆ -C₂₀ 環烷基、C₄ -C₁₅ 環烯基、C₆ -C₃₀ 芳基、C₆ -C₃₀ 烷基芳基、C₆ -C₃₀ 芳基烷基、C₆ -C₃₀ 烷基芳氧基、C₆ -C₃₀ 芳基烷氧基、C₂ -C₃₀ 雜芳基、C₂ -C₃₀ 雜芳氧基。

特別佳為C₁ -C₁₂ 烷基、C₂ -C₁₂ 烯基、C₂ -C₁₂ 炔基、C₆ -C₂₅ 芳基及C₂ -C₂₅ 雜芳基。

另外較佳碳基及烴基為具有1至20個，較佳地1至12個C原子之直鏈、分支鏈或環狀烷基，其未經取代或經F、Cl、Br、I或CN單取代或多取代且其中一或多個非相鄰CH₂ 基團可各彼此獨立地經-C(R^x )=C(R^x )-、-C≡C-、-N(R^x )-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-置換，置換方式為O及/或S原子彼此不直接連接。

R^x 較佳地表示H、F、Cl、CN、具有1至25個C原子之直鏈、分支鏈或環狀烷基鏈，此外，其中一或多個非相鄰C原子可經-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-置換且其中一或多個H原子可經F或Cl置換，或表示具有6至30個C原子之視情況經取代之芳基或芳氧基，或具有2至30個C原子之視情況經取代之雜芳基或雜芳氧基。

較佳烷基為例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、2-甲基丁基、正戊基、第二戊基、環戊基、正己基、環己基、2-乙基己基、正庚基、環庚基、正辛基、環辛基、正壬基、正癸基、正十一基、正十二基、十二烷基、三氟甲基、全氟正丁基、2,2,2-三氟乙基、全氟辛基、全氟己基等。

較佳烯基為例如乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環戊烯基、己烯基、環己烯基、庚烯基、環庚烯基、辛烯基、環辛烯基等。

較佳炔基為例如乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、辛炔基等。

較佳烷氧基為例如甲氧基、乙氧基、2-甲氧乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基、2-甲基丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基、正十一氧基、正十二氧基等。

較佳胺基為例如二甲胺基、甲胺基、甲基苯基胺基、苯基胺基等。

芳基及雜芳基可係單環或多環，即，其可含有一個環(諸如，例如，苯基)或兩個或更多個環，其亦可經稠合(諸如，例如，萘基)或共價鍵結(諸如，例如，聯苯)，或含有稠環及連接環之組合。雜芳基含有較佳地選自O、N、S及Se之一或多個雜原子。

特別佳為具有6至25個C原子之單環、雙環或三環芳基及具有5至25個環原子之單環、雙環或三環雜芳基，其視情況含有稠環且視情況經取代。此外較佳為5-、6-或7-員芳基及雜芳基，此外，其中一或多個CH基團可經N、S或O置換，置換方式為O原子及/或S原子彼此不直接連接。

較佳芳基為例如苯基、聯苯、三聯苯、[1,1':3',1'']三聯苯-2'-基、萘基、蒽、聯萘、菲、9,10-二氫-菲、芘、二氫芘、䓛、苝、并四苯、并五苯、苯并芘、茀、茚、茚并茀、螺二茀等。

較佳雜芳基為例如5員環，諸如吡咯、吡唑、咪唑、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、四唑、呋喃、噻吩、硒吩、噁唑、異噁唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、1,2,3-噁二唑、1,2,4-噁二唑、1,2,5-噁二唑、1,3,4-噁二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑，6員環，諸如吡啶、嗒嗪、嘧啶、吡嗪、1,3,5-三嗪、1,2,4-三嗪、1,2,3-三嗪、1,2,4,5-四嗪、1,2,3,4-四嗪、1,2,3,5-四嗪，或縮合基團，諸如吲哚、異吲哚、吲嗪、吲唑、苯并咪唑、苯并三唑、嘌呤、萘并咪唑、菲并咪唑、吡啶并咪唑、吡嗪并咪唑、喹噁啉并咪唑、苯并噁唑、萘并噁唑、蒽并噁唑、菲并噁唑、異噁唑、苯并噻唑、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、喹啉、異喹啉、喋啶、苯并-5,6喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、苯并異喹啉、吖啶、吩噻嗪、吩噁嗪、苯并嗒嗪、苯并嘧啶、喹噁啉、吩嗪、萘啶、氮雜咔唑、苯并咔啉、菲啶、菲咯啉、噻吩并[2,3b]噻吩、噻吩并[3,2b]噻吩、二噻吩并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、苯并噻吩、苯并噻二唑噻吩，或此等基團之組合。

上文及下文中所提及之芳基及雜芳基亦可經烷基、烷氧基、硫烷基、氟、氟烷基或其他芳基或雜芳基取代。

(非芳族)脂環及雜環基團涵蓋飽和環(即，僅含有單鍵之彼等)，及亦部分不飽和環(即，亦可含有多鍵之彼等)二者。雜環含有較佳地選自Si、O、N、S及Se之一或多個雜原子。

(非芳族)脂環族及雜環基團可係單環，即，僅含有一個環(諸如，例如，環己烷)，或多環，即，含有複數個環(諸如，例如，十氫化萘或二環辛烷)。特別佳為飽和基團。此外較佳為具有5至25個環原子之單環、雙環或三環基團，其視情況含有稠環及視情況經取代。此外較佳為5-、6-、7-或8-員碳環基團，此外，其中，一或多個C原子可經Si置換及/或一或多個CH基團可經N置換及/或一或多個非相鄰CH₂ 基團可經-O-及/或-S-置換。

較佳脂環族及雜環基團為例如5員基團，諸如環戊烷、四氫呋喃、四氫噻吩、吡咯啶，6員基團，諸如環己烷、矽雜環己烷、環己烯、四氫哌喃、四氫噻喃、1,3-二噁烷、1,3-二噻烷、哌啶，7員基團，諸如環庚烷，及稠合基團，諸如四氫萘、十氫萘、二氫茚、二環[1.1.1]戊烷-1,3-二基、二環[2.2.2]辛烷-1,4-二基、螺[3.3]庚烷-2,6-二基、八氫-4,7-甲橋二氫茚-2,5-二基。

上述環狀基團之較佳取代基為例如溶解度促進基團(諸如烷基或烷氧基)，吸電子基團(諸如氟、硝基或腈)，或增加聚合物之玻璃化轉變溫度(Tg)之取代基，特定言之龐大基團，諸如，例如，第三丁基或視情況經取代之芳基。

上述環狀基團之較佳取代基，下文中亦稱作「L^S 」為例如F、Cl、Br、I、-CN、-NO₂ 、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)N(R^x )₂ 、-C(=O)Y¹ 、-C(=O)R^x 、-N(R^x )₂ 、各具有1至25個C原子之直鏈或分支鏈烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧羰基、烷基羰基氧基或烷氧羰基氧基，其中一或多個H原子可視情況經F或Cl、具有1至20個Si原子之視情況經取代之甲矽烷基、或具有6至25個，較佳地6至15個C原子之視情況經取代之芳基置換，其中R^x 表示H、F、Cl、CN或具有1至25個C原子之直鏈、分支鏈或環狀烷基，其中一或多個非相鄰CH₂ -基團視情況經-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-置換，置換方式為O原子及/或S原子彼此不直接連接，且其中一或多個H原子各視情況經F、Cl、P-或P-Sp-置換，且 Y¹ 表示鹵素。

「經取代之甲矽烷基或芳基」較佳地意指經鹵素、-CN、R⁰ 、-OR⁰ 、-CO-R⁰ 、-CO-O-R⁰ 、-O-CO-R⁰ 或-O-CO-O-R⁰ 取代，其中R⁰ 表示H或具有1至20個C原子之烷基。

特別佳取代基L^S 為例如，F、Cl、CN、NO₂ 、CH₃ 、C₂ H₅ 、OCH₃ 、OC₂ H₅ 、COCH₃ 、COC₂ H₅ 、COOCH₃ 、COOC₂ H₅ 、CF₃ 、OCF₃ 、OCHF₂ 、OC₂ F₅ ，此外苯基。

較佳地為

、

、

或

，其中L具有以上所指示之含義中之一者。

可聚合基團P為適用於聚合反應，諸如，例如，自由基或離子鏈聚合、加聚或縮聚，或適用於聚合物類似反應，例如至主聚合物鏈之加成或縮合的基團。特別佳為用於鏈聚合之基團，特定言之含有C=C雙鍵或-C≡C-三鍵之彼等，及適用於開環聚合之基團，諸如，例如，氧雜環丁烷或環氧基團。

較佳基團P係選自由以下組成之群 CH₂ =CW¹ -CO-O-、CH₂ =CW¹ -CO-、

、

、

、

、CH₂ =CW² -(O)_k3 -、CW¹ =CH-CO-(O)_k3 -、CW¹ =CH-CO-NH-、CH₂ =CW¹ -CO-NH-、CH₃ -CH=CH-O-、(CH₂ =CH)₂ CH-OCO-、(CH₂ =CH-CH₂ )₂ CH-OCO-、(CH₂ =CH)₂ CH-O-、(CH₂ =CH-CH₂ )₂ N-、(CH₂ =CH-CH₂ )₂ N-CO-、HO-CW² W³ -、HS-CW² W³ -、HW² N-、CH₂ =CW¹ -CO-NH-、CH₂ =CH-(COO)_k1 -Phe-(O)_k2 -、CH₂ =CH-(CO)_k1 -Phe-(O)_k2 -、Phe-CH=CH-、OCN-及W⁴ W⁵ W⁶ Si-，其中W¹ 表示H、F、Cl、CN、CF₃ 、苯基或具有1至5個C原子之烷基，特定言之H、F、Cl或CH₃ ，W² 及W³ 各彼此獨立地表示H或具有1至5個C原子之烷基，特定言之H、甲基、乙基或正丙基，W⁴ 、W⁵ 及W⁶ 各彼此獨立地表示Cl、具有1至5個C原子之氧雜烷基或氧雜羰基烷基，W⁷ 及W⁸ 各彼此獨立地表示H、Cl或具有1至5個C原子之烷基，Phe表示1,4-伸苯基，其視情況經非P-Sp-之如上所定義之一或多個基團L取代，k₁ 、k₂ 及k₃ 各彼此獨立地表示0或1，k₃ 較佳地表示1，且k₄ 表示1至10之整數。

極佳基團P係選自由以下組成之群 CH₂ =CW¹ -CO-O-、CH₂ =CW¹ -CO-、

、

、CH₂ =CW² -O-、CH₂ =CW² -、CW¹ =CH-CO-(O)_k3 -、CW¹ =CH-CO-NH-、CH₂ =CW¹ -CO-NH-、(CH₂ =CH)₂ CH-OCO-、(CH₂ =CH-CH₂ )₂ CH-OCO-、(CH₂ =CH)₂ CH-O-、(CH₂ =CH-CH₂ )₂ N-、(CH₂ =CH-CH₂ )₂ N-CO-、CH₂ =CW¹ -CO-NH-、CH₂ =CH-(COO)_k1 -Phe-(O)_k2 -、CH₂ =CH-(CO)_k1 -Phe-(O)_k2 -、Phe-CH=CH-及W⁴ W⁵ W⁶ Si-，其中W¹ 表示H、F、Cl、CN、CF₃ 、苯基或具有1至5個C原子之烷基，特定言之H、F、Cl或CH₃ ，W² 及W³ 各彼此獨立地表示H或具有1至5個C原子之烷基，特定言之H、甲基、乙基或正丙基，W⁴ 、W⁵ 及W⁶ 各彼此獨立地表示Cl、具有1至5個C原子之氧雜烷基或氧雜羰基烷基，W⁷ 及W⁸ 各彼此獨立地表示H、Cl或具有1至5個C原子之烷基，Phe表示1,4-伸苯基，k₁ 、k₂ 及k₃ 各彼此獨立地表示0或1，k₃ 較佳地表示1，且k₄ 表示1至10之整數。

極特別佳基團P係選自由以下組成之群：CH₂ =CW¹ -CO-O-，特定言之CH₂ =CH-CO-O-、CH₂ =C(CH₃ )-CO-O-及CH₂ =CF-CO-O-，此外CH₂ =CH-O-、(CH₂ =CH)₂ CH-O-CO-、(CH₂ =CH)₂ CH-O-、

及

。

另外較佳可聚合基團P係選自由以下組成之群：乙烯基氧基、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、氟丙烯酸酯、氯丙烯酸酯、氧雜環丁烷及環氧化物，最佳地選自丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯。

若間隔基團Sp不同於單鍵，則其較佳地為式Sp"-X"，使得相應基團P-Sp-符合式P-Sp"-X"-，其中 Sp"表示具有1至20個，較佳地1至12個C原子之直鏈或分支鏈伸烷基，其視情況經F、Cl、Br、I或CN單取代或多取代且此外，其中，一或多個非相鄰CH₂ 基團可各彼此獨立地經-O-、-S-、-NH-、-N(R⁰ )-、-Si(R⁰ R⁰⁰ )-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-S-CO-、-CO-S-、-N(R⁰⁰ )-CO-O-、-O-CO-N(R⁰ )-、-N(R⁰ )-CO-N(R⁰⁰ )-、-CH=CH-或-C≡C-置換，置換方式為O及/或S原子彼此不直接連接， X"表示-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-CO-N(R⁰ )-、-N(R⁰ )-CO-、-N(R⁰ )-CO-N(R⁰⁰ )-、-OCH₂ -、-CH₂ O-、-SCH₂ -、-CH₂ S-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CF₂ S-、-SCF₂ -、-CF₂ CH₂ -、-CH₂ CF₂ -、-CF₂ CF₂ -、-CH=N-、-N=CH-、-N=N-、-CH=CR⁰ -、-CY² =CY³ -、-C≡C-、-CH=CH-CO-O-、-O-CO-CH=CH-或單鍵， R⁰ 及R⁰⁰ 各彼此獨立地表示H或具有1至20個C原子之烷基，且 Y² 及Y³ 各彼此獨立地表示H、F、Cl或CN。

X"較佳地為-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-COO-、-CO-NR⁰ -、-NR⁰ -CO-、-NR⁰ -CO-NR⁰⁰ -或單鍵。

典型間隔基團Sp及-Sp"-X"-為例如-(CH₂ )_p1 -、-(CH₂ )_p1 -O-、-(CH₂ )_p1 -O-CO-、-(CH₂ )_p1 -CO-O-、-(CH₂ )_p1 -O-CO-O-、-(CH₂ CH₂ O)_q1 -CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH₂ -S-CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH₂ -NH-CH₂ CH₂ -或-(SiR⁰ R⁰⁰ -O)_p1 -，其中p1為1至12之整數，q1為1至3之整數，且R⁰ 及R⁰⁰ 具有以上所指示之含義。

特別佳基團Sp及-Sp"-X"-為-(CH₂ )_p1 -、-(CH₂ )_p1 -O-、-(CH₂ )_p1 -O-CO-、-(CH₂ )_p1 -CO-O-、-(CH₂ )_p1 -O-CO-O-，其中p1具有以上所指示之含義。

於各情況下，特別佳基團Sp"為直鏈伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸戊基、伸己基、伸庚基、伸辛基、伸壬基、伸癸基、伸十一基、伸十二基、伸十八基、伸乙氧基伸乙基、伸甲氧基伸丁基、伸乙硫基伸乙基、伸乙基-N-甲基亞胺基伸乙基、1-甲基伸烷基、伸乙烯基、伸丙烯基及伸丁烯基。

於本發明之較佳實施例中，式I及其子式化合物含有基團R = Sp(P)₂ 。根據此較佳實施例之極佳式I化合物含有選自下列式之基團R： -X-alkyl-CHPP S1 -X-alkyl-CH((CH₂ )_aa P)((CH₂ )_bb P) S2 -X-N((CH₂ )_aa P)((CH₂ )_bb P) S3 -X-alkyl-CHP-CH₂ -CH₂ P S4 -X-alkyl-C(CH₂ P)(CH₂ P)-C_aa H_2aa+1 S5 -X-alkyl-CHP-CH₂ P S6 -X-alkyl-CPP-C_aa H_2aa+1 S7 -X-alkyl-CHPCHP-C_aa H_2aa+1 S8 其中P係如式I中所定義， alkyl表示單鍵或具有1至12個C原子之直鏈或分支鏈伸烷基，其未經取代或經F、Cl或CN單取代或多取代且其中一或多個非相鄰CH₂ 基團可各彼此獨立地經-C(R⁰ )=C(R⁰ )-、-C≡C-、-N(R⁰ )-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-置換，置換方式為O及/或S原子彼此不直接連接，其中R⁰ 具有以上所指示之含義， aa及bb各彼此獨立表示0、1、2、3、4、5或6， X具有針對X"所指示之含義中之一者，且較佳地為O、CO、SO₂ 、O-CO-、CO-O或單鍵。

較佳間隔基團Sp(P)₂ 係選自式S1、S2及S3。

極佳間隔基團Sp(P)₂ 係選自下列子式： -CHPP S1a -O-CHPP S1b -CH₂ -CHPP S1c -OCH₂ -CHPP S1d -CH(CH₂ -P)(CH₂ -P) S2a -OCH(CH₂ -P)(CH₂ -P) S2b -CH₂ -CH(CH₂ -P)(CH₂ -P) S2c -OCH₂ -CH(CH₂ -P)(CH₂ -P) S2d -CO-NH((CH₂ )₂ P)((CH₂ )₂ P) S3a

於如上文及下文中所述之式I及II及其子式化合物中，P係較佳地選自由乙烯基氧基、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、氟丙烯酸酯、氯丙烯酸酯、氧雜環丁烷及環氧化物組成之群，最佳地選自丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯。

另外較佳為如上文及下文中所述之式I及其子式化合物，其中存在於該化合物中之所有可聚合基團P具有相同含義，且極佳地表示丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯，最佳地甲基丙烯酸酯。於如上文及下文中所述之式I及其子式化合物中，R較佳地表示P-Sp-或-Sp(P)₂ ，最佳地-Sp-P。

另外較佳為如上文及下文中所述之式I及其子式化合物，其中Sp表示單鍵或-(CH₂ )_p1 -、-O-(CH₂ )_p1 -、-O-CO-(CH₂ )_p1 或-CO-O-(CH₂ )_p1 ，其中p1為2、3、4、5或6，且若Sp為-O-(CH₂ )_p1 -、-O-CO-(CH₂ )_p1 或-CO-O-(CH₂ )_p1 ，則O-原子或CO-基團係各自連接至苯環。

另外較佳為如上文及下文中所述之式I及其子式化合物，其中至少一個基團Sp不同於單鍵，且係較佳地選自-(CH₂ )_p1 -、-O-(CH₂ )_p1 -、-O-CO-(CH₂ )_p1 或-CO-O-(CH₂ )_p1 ，其中p1為2、3、4、5或6，且若Sp為-O-(CH₂ )_p1 -、-O-CO-(CH₂ )_p1 或-CO-O-(CH₂ )_p1 ，則O-原子或CO-基團係各自連接至苯環。

式I化合物較佳地為式IA化合物 P-Sp-(A¹ -Z¹ )_a -(A² -Z² )_b -(A³ -Z³ )_c -Sp-P IA 其中該等變數係如式I中所定義。

式I及其子式中之環基團A¹ 及A³ 係較佳地獨立地選自由反式-1,4-伸環己基及1,4-伸環己烯基組成之群，此外，其中一或多個非相鄰CH₂ 基團可經-O-及/或-S-置換且此外，其中，一或多個H原子可經L或-Sp-P置換。

式I及其子式中之環基團A² 及A⁴ 係較佳地獨立地選自由1,4-伸苯基及1,3-伸苯基組成之群，此外，其中，一或多個H原子可經L或-Sp-P置換。

式I中之極佳基團-(A¹ -Z¹ )_a -(A² -Z² )_b -(A³ -Z³ )_c -(A⁴ -Z⁴ )_d -係選自下式

其中該等苯環視情況進一步經一或多個基團L或P-Sp-取代。

較佳式I化合物係選自下列子式

其中P、Sp及L彼此獨立地且每次出現時相同或不同地具有式I中所給定之含義中之一者或如上文及下文中所給定之較佳含義中之一者，r為0、1、2、3或4，較佳地0、1或2，且s為0、1、2或3，較佳地0或1。

極佳為式I1化合物。

極佳式I及I1-I5化合物係選自下列子式：

特別佳式I化合物係選自以下：

。

具有可聚合基團之自配向添加劑可於LC介質中在與適用於PSA製程中之RM相同或類似條件下聚合。較佳地其可同時聚合。

於式II中，基團MES較佳地含有環，該等環係選自芳族、脂環族及雜環基團，如上所定義，包括其較佳含義。最佳環為1,4-伸苯基，其可經如下所定義之L¹ 及-Sp-P取代，或為1,4-伸環己基。

於式II中，基團MES較佳地為選自下列結構之基團，其可經取代基L¹ 及-Sp-P中之任一者單取代或多取代：

其中 L¹ 於各情況下彼此獨立地表示F、Cl、Br、I、-CN、-NO₂ 、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)N(R⁰ )₂ 、-C(=O)R⁰ 、視情況經取代之甲矽烷基、視情況經取代之芳基或具有3至20個C原子之環烷基、或具有至多25個C原子之直鏈或分支鏈烷基、烯基、烷氧基、烷基羰基、烷氧羰基、烷基羰基氧基或烷氧羰基氧基，此外，其中一或多個H原子可各經F或Cl置換， P表示可聚合基團，且 Sp表示間隔基團或單鍵， R⁰ 於各情況下彼此獨立地表示具有1至12個C原子之烷基，且虛線指示極性錨定基團R^a 之連接點。

較佳地，式II之用於垂直配向之自配向添加劑係選自式IIa R¹ -[A² -Z² ]_m -A¹ -R^a IIa 其中 A¹ 、A² 各彼此獨立地表示芳族、雜芳族、脂環族或雜環基團，其亦可含有稠環，且其亦可經基團L¹ 或-Sp-P單取代或多取代，較佳地芳族基團， L¹ 於各情況下彼此獨立地表示F、Cl、Br、I、-CN、-NO₂ 、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)N(R⁰ )₂ 、-C(=O)R⁰ 、視情況經取代之甲矽烷基、視情況經取代之芳基或具有3至20個C原子之環烷基、或具有至多25個C原子之直鏈或分支鏈烷基、烯基、烷氧基、烷基羰基、烷氧羰基、烷基羰基氧基或烷氧羰基氧基，此外，其中，一或多個H原子可各經F或Cl置換， P表示可聚合基團， Sp表示間隔基團或單鍵， Z² 於各情況下彼此獨立地表示單鍵、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-OCO-、-O-CO-O-、-OCH₂ -、-CH₂ O-、-SCH₂ -、-CH₂ S-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CF₂ S-、-SCF₂ -、-(CH₂ )_n1 -、-CF₂ CH₂ -、-CH₂ CF₂ -、-(CF₂ )_n1 -、-CH=CH-、-CF=CF-、-C≡C-、-CH=CH-COO-、-OCO-CH=CH-、-(CR⁰ R⁰⁰ )_n1 -、-CH(-Sp-P)-、-CH₂ CH-(-Sp-P)-或-CH(-Sp-P)CH(-Sp-P)-，較佳地單鍵、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-， n1表示1、2、3或4， m表示1、2、3、4、5或6，較佳地1、2、3或4， R⁰ 於各情況下彼此獨立地表示具有1至12個C原子之烷基， R⁰⁰ 於各情況下彼此獨立地表示H或具有1至12個C原子之烷基， R¹ 彼此獨立地表示H、鹵素、具有1至25個C原子之直鏈、分支鏈或環狀烷基，此外，其中，一或多個非相鄰CH₂ 基團可各經-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-置換，置換方式為O及/或S原子彼此不直接連接且此外，其中，一或多個H原子可各經F或Cl置換，或為基團-Sp-P，且 R^a 係如上所定義，較佳地表示極性錨定基團，其進一步藉由具有選自-OH、-NH₂ 、NHR¹¹ 、C(O)OH及-CHO之至少一個基團定義，其中R¹¹ 表示具有1至12個C原子之烷基。

於另一較佳實施例中，根據本發明之LC介質或聚合物穩定之SA-VA顯示器含有一或多種選自下表G之自配向添加劑。

更佳地，自配向添加劑之錨定基團R^a 經定義為 R^a 為下式之錨定基團

或

其中 p表示1或2， q表示2或3， B表示經取代或未經取代之環系或稠環系，較佳地選自苯、吡啶、環己烷、二噁烷或四氫哌喃之環系， Y彼此獨立地表示-O-、-S-、-C(O)-、-C(O)O-、-OC(O)-、-NR¹¹ -或單鍵， o表示0或1， X¹ 彼此獨立地表示H、烷基、氟烷基、OH、NH₂ 、NHR¹¹ 、NR¹¹ ₂ 、OR¹¹ 、C(O)OH或-CHO，其中至少一個基團X¹ 表示選自-OH、-NH₂ 、NHR¹¹ 、C(O)OH及-CHO之基團， R¹¹ 表示具有1至12個C原子之烷基， Sp^a 、Sp^c 、Sp^d 各彼此獨立地表示間隔基團或單鍵，且 Sp^b 表示三價或四價基團，較佳地CH、N或C，更佳地為式

。

式II及IIa視情況包括可聚合化合物。於本發明中，「包含式II/IIa化合物之介質」係指包含式II/IIa化合物之介質及或者，係指包含呈其聚合形式之化合物之介質二者。

針對一或多種式II化合物經一或多個可聚合基團(-Sp-P)取代之情況，根據本發明之LC介質包含 -可聚合組分A)，其包含可聚合化合物，較佳地由可聚合化合物組成，其中之至少一者為式I化合物及其中之至少一者為式II化合物， -液晶組分B)，下文中亦稱作「LC主體混合物」，其包含一或多種液晶原性或液晶化合物，較佳地由其組成。

於式IIa及其子式化合物中，Z¹ 及Z² 較佳地表示單鍵、-C₂ H₄ -、-CF₂ O-或-CH₂ O-。於特別佳實施例中，Z¹ 及Z² 各獨立地表示單鍵。

於式IIa化合物中，基團L於各情況下獨立地較佳地表示F或烷基，較佳地CH₃ 、C₂ H₅ 或C₃ H₇ 。

較佳式IIa化合物由下列子式II-A至II-D說明

其中R¹ 、R^a 、A² 、Z² 、Sp、P及L¹ 具有如上針對式IIa所定義之含義， m獨立地為1、2或3，且 r1獨立地為0、1、2、3或4，較佳地0、1或2，最佳地0。

於式II及II-A至II-D化合物中，L¹ 較佳地表示F或烷基，較佳地CH₃ 、C₂ H₅ 或C₃ H₇ 。

式II、IIa、II-A至II-D之可聚合基團P較佳地為甲基丙烯酸酯、丙烯酸酯或另一經取代之丙烯酸酯，最佳地甲基丙烯酸酯。

於上文及下文式IIa或II-A至II-D及其子式中，Z¹ 較佳地獨立地表示單鍵或-CH₂ CH₂ -，及極佳地單鍵。

式II或其子式中之基團R^a 較佳地表示

或

其中p = 1、2、3、4、5或6， x = 1或0，較佳地1，且 R²² 為H、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、正戊基、或-CH₂ CH₂ -第三丁基特定言之 -O(CH₂ )₂ -OH、-O(CH₂ )₃ -OH、

、

、

或

。

於式IIa及II-A至II-D中，R¹ 較佳地表示具有1至8個C原子之直鏈烷基或分支鏈烷基基團，較佳地直鏈烷基基團。於式IIa或II-A至II-D化合物中，R¹ 更佳地表示CH₃ 、C₂ H₅ 、n-C₃ H₇ 、n-C₄ H₉ 、n-C₅ H₁₁ 、n-C₆ H₁₃ 或CH₂ CH(C₂ H₅ )C₄ H₉ 。此外R¹ 可表示烯基氧基，特定言之OCH₂ CH=CH₂ 、OCH₂ CH=CHCH₃ 、OCH₂ CH=CHC₂ H₅ ，或烷氧基，特定言之OC₂ H₅ 、OC₃ H₇ 、OC₄ H₉ 、OC₅ H₁₁ 及OC₆ H₁₃ 。特別佳R¹ 表示直鏈烷基基團，較佳地C₅ H₁₁ 。

式IIa及II-A至II-D中之環A¹ 及A² 較佳地獨立地表示1,4-伸苯基、1,3-伸苯基、萘-1,4-二基或萘-2,6-二基，此外，其中，此等基團中之一或多個CH基團可經N置換，環己烷-1,4-二基，此外，其中，一或多個非相鄰CH₂ 基團可經O及/或S置換，3,3'-雙伸環丁基、1,4-伸環己烯基、二環[1.1.1]戊烷-1,3-二基、二環[2.2.2]辛烷-1,4-二基、螺[3.3]庚烷-2,6-二基、哌啶-1,4-二基、十氫萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基、二氫茚-2,5-二基或八氫-4,7-甲橋二氫茚-2,5-二基、全氫環戊[a]菲-3,17-二基(特定言之甾烷-3,17-二基)，其中所有此等基團可未經取代或經基團L或-Sp-P單取代或多取代，更佳地1,4-伸苯基、萘-1,4-二基或萘-2,6-二基，其可獨立地未經取代或經基團L或-Sp-P單取代或多取代。

較佳地，基團A¹ 及A² 中之至少一者經至少一個基團-Sp-P取代。

於式IIa及其子式中，基團Sp較佳地表示-(CH₂ )_p1 -、-O-(CH₂ )_p1 -、-O-CO-(CH₂ )_p1 或-CO-O-(CH₂ )_p1 ，其中p1為2、3、4、5或6且O或CO連接至下個環A^1/2 ，更佳地Sp為-(CH₂ )_p1 -，其中p1為2、3、4、5或6，及較佳地3。

另外較佳為如上文及下文中所述之式I或II及其子式化合物，其中存在於該化合物中之所有可聚合基團P具有相同含義，及極佳地表示丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯，最佳地甲基丙烯酸酯。

於本發明之較佳實施例中，該LC介質包含式II化合物，其係可聚合。式I及II之可聚合添加劑之下列組合係較佳： - 該LC介質包含一或多種式I1至I9化合物及一或多種式II化合物； - 該LC介質包含一或多種式I1a至I9c化合物及一或多種式II-A或II-B化合物； - 該LC介質包含一或多種式I1化合物及一或多種式II-B化合物；或 - 該LC介質包含一或多種下式化合物

及一或多種式II-A或II-B化合物。

可類似於熟習此項技術者已知且述於有機化學之標準著作，諸如，例如，Houben-Weyl, Methoden der organischen Chemie [有機化學之方法(Methods of Organic Chemistry)], Thieme-Verlag, Stuttgart中之方法製備式I及II及其子式化合物及中間體。

例如，式I化合物可藉由使用含有可聚合基團P之對應酸、酸衍生物或鹵化化合物使中間體酯化或醚化合成，其中兩端之基團Sp-P表示OH。

例如，丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯可藉由對應醇與如例如，(甲基)丙烯醯氯或(甲基)丙烯酸酐之酸衍生物在如吡啶或三乙胺及4-(N,N -二甲胺基)吡啶(DMAP)之鹼之存在下酯化來製備。或者，酯可藉由醇與(甲基)丙烯酸在脫水試劑之存在下，例如根據Steglich利用二環己基碳二亞胺(DCC)、N -(3-二甲胺基丙基)-N’ -乙基碳二亞胺(EDC)或N -(3-二甲胺基丙基)-N’ -乙基碳二亞胺鹽酸鹽及DMAP酯化來製備。

實例中進一步顯示適宜方法。

為生產PSA顯示器，含於LC介質中之可聚合化合物於LC顯示器之基板之間之LC介質中藉由原位聚合來聚合或交聯(若一種化合物含有兩個或更多個可聚合基團)，視情況同時施加電壓至電極。

如在開始時引用之先前技術中所述，根據本發明之PSA顯示器之結構對應於PSA顯示器之通常幾何結構。無突起之幾何結構係較佳，特定言之此外，其中，濾色器側之電極未經結構化且僅TFT側之電極具有狹槽的彼等。PS-VA顯示器之特別適宜及較佳電極結構述於例如US 2006/0066793 A1中。

本發明之較佳PSA型LC顯示器包括： - 第一基板，其包括限定像素區之像素電極，該像素電極經連接至於各像素區中設置之切換元件及視情況包含微狹縫圖案，及視情況在該像素電極上設置之第一配向層， - 第二基板，其包括共同電極層，該電極層可在第二基板之面向第一基板之整個部分上設置，及視情況第二配向層， - 在該第一基板及第二基板之間設置且包括如上文及下文中所述之根據本發明之LC介質之LC層，其中該可聚合組分(A)亦可經聚合。

含於介質中之自配向添加劑會引發LC層之垂直配向(垂直於表面)或傾斜垂直配向。

具有LC介質之LC層可藉由顯示器製造商習知上使用之方法，例如所謂一滴填充(ODF)方法沉積在顯示器之基板之間。然後LC介質之可聚合組分例如藉由UV光聚合聚合。可以一步或兩步或更多步驟進行該聚合。

PSA顯示器可包含其他元件，如濾色器、黑色矩陣、鈍化層、光學阻滯層、用於定址個別像素之電晶體元件等，其所有為熟習此項技術者熟知。

電極結構可由熟習者根據個別顯示器類型來設計。例如針對PS-VA顯示器，LC分子之多域定向可藉由提供具有狹縫及/或凸起或突起之電極以創建兩個、四個或更多個不同傾斜配向方向來誘導。

在聚合後，可聚合化合物形成交聯聚合物，其引起LC介質中之LC分子之一定的預傾斜。不希望局限於特定理論，據信藉由可聚合化合物形成之交聯聚合物之至少一部分將自LC介質相分離或沉澱並在基板或電極上形成聚合物層。顯微鏡量測數據(如SEM及AFM)已證實，形成之聚合物之至少一部分在LC/基板介面處累積。

可以一步進行聚合。亦可首先進行聚合，視情況在第一步驟中同時施加電壓以產生預傾角，及隨後，於第二聚合步驟中不施加電壓以使第一步驟中未反應之化合物聚合或交聯(「最終固化」)。

適宜及較佳聚合方法為例如熱聚合或光聚合，較佳地光聚合，特定言之UV誘導之光聚合，其可藉由將LC介質暴露於UV輻射來達成。

視情況將一或多種聚合引發劑添加至LC介質中。用於聚合之適宜條件及引發劑之適宜類型及用量為熟習此項技術者已知且述於文獻中。適用於自由基聚合為例如苯基酮類型之市售光引發劑，如Irgacure651®、Irgacure184®、Irgacure907®、Irgacure369®或Darocure1173® (Ciba AG)。若採用聚合引發劑，則其比例較佳地為0.001至5重量%，特別佳地0.001至1重量%。

根據本發明之可聚合LC介質亦適用於無引發劑之聚合，其具有相當大優點，諸如例如，較低材料成本及特定言之可能殘留量之引發劑或其降解產物對LC介質之污染較少。於本發明之較佳實施例中，式II之自配向添加劑包含至少兩個共軛芳族環及因此聚合亦可在不添加引發劑下進行。另外針對此較佳實施例，該自配向添加劑較佳地為可聚合者，因此其較佳地包含一或多個如針對式IIa所定義之取代基-Sp-P。於較佳實施例中，該LC介質因此不含有聚合引發劑，除了自配向添加劑外。

該LC介質亦可包含一或多種穩定劑以防止RM例如在儲存或運輸期間之非所需自發聚合。穩定劑之適宜類型及用量為熟習此項技術者已知且述於文獻中。特別適宜為例如來自Irganox®系列 (Ciba AG)之市售穩定劑，諸如，例如，Irganox® 1076。若採用穩定劑，則基於RM或可聚合組分(組分A)之總量，其比例較佳地為10至500,000 ppm，特別佳地50至50,000 ppm (1000 ppm = 0.1重量%)。

使用較低強度及至較長波長之UV遷移均保護有機層免於可由UV光造成之損傷。

本發明之較佳實施例係關於一種製備如上文及下文中所述之PSA顯示器之方法，其包括下列特徵中之一或多者： -於2步方法中將可聚合LC介質暴露於UV光中，包括第一UV暴露步驟 (「UV-1步驟」)以產生傾斜角，及第二UV暴露步驟(「UV-2 步驟」)以完成聚合， -將可聚合LC介質暴露於由具有300至380 nm波長範圍之0.5 mW/cm² 至10 mW/cm² 之強度之UV燈產生之UV光中，該等UV燈較佳地用於UV2步驟中，及視情況亦用於UV1步驟中。此等燈特徵在於其300至380 nm之吸收光譜中之相對低強度(習知UV1燈之1/100至1/10)，且較佳地用於UV2步驟，但是當避免高強度對該方法係必需時，視情況亦用於UV1步驟。 -將可聚合LC介質暴露於具有340 nm或更多，及較佳地400 nm或更少之波長之UV光中。將可聚合介質暴露於由具有輻射光譜之UV燈產生之顯示器之UV光中，該輻射光譜遷移至較長波長。 -僅單個UV步驟將可聚合LC介質暴露於顯示器I之UV光中。

此較佳方法可例如藉由使用所需UV燈或藉由使用帶通濾波器及/或截止濾波器進行，其實質上透射具有各自所需波長之UV光且實質上阻斷具有各自非所需波長之光。例如，當期望用波長λ為300至400 nm之UV光照射時，可使用實質上透射波長300 nm ＜ λ ＜ 400 nm之寬帶通濾波器進行UV暴露。當期望用波長λ超過340 nm之UV光照射時，可使用實質上透射波長λ ＞ 340 nm之截止濾波器進行UV暴露。

「實質上透射」意指濾波器傳輸所需波長之入射光之實質部分，較佳地至少50%強度。「實質上阻斷」意指濾波器不傳播非所需波長之入射光之實質部分，較佳地至少50%強度。「所需(非所需)波長」例如於帶通濾波器之情況下意指λ之給定範圍內部(外部)之波長，及於截止濾波器之情況下意指λ之給定值以上(以下)之波長。

此較佳方法使能藉由使用較長UV波長來製造顯示器，從而減少或甚至避免短UV光分量之危險及損傷效應。

UV輻射能量一般為6至100 J/cm² ，取決於生產製程條件。

較佳地根據本發明之LC介質基本上由以下組成：可聚合組分A)，及一或多種式II之可聚合化合物，及LC組分B)或LC主體混合物，如上文及下文中所述。然而，該LC介質可額外包含一或多種其他組分或添加劑，其較佳地選自包括但不限於以下之清單：共聚單體、對掌性摻雜劑、聚合引發劑、抑制劑、穩定劑、表面活性劑、潤濕劑、潤滑劑、分散劑、疏水劑、黏合劑、鋪展劑、流動性增進劑、消泡劑、脫氣劑、稀釋劑、反應性稀釋劑、助劑、著色劑、染料、顏料及奈米粒子。

特別佳為包含一種、兩種或三種式I之可聚合化合物之LC介質。

此外，較佳為LC介質，其中該可聚合組分A)僅包含式I及式II之可聚合化合物。

此外，較佳為LC介質，其中該液晶組分B)或該LC主體混合物具有向列型LC相，且較佳地不具有對掌性液晶相。

該LC組分B)或LC主體混合物較佳為向列型LC混合物。

此外，較佳為式I之非對掌性化合物，及LC介質，其中該等組分A及/或B之化合物係僅選自由非對掌性化合物組成之群。

較佳地，LC介質中之可聚合組分A)之比例為＞ 0.3至＜ 5%，極佳地＞ 0.4至＜ 3%，最佳地0.5至2.5%。

較佳地，LC介質中之式I化合物之比例為＞0至＜5%，極佳地＞0至＜1%，最佳地0.01至0.5%。

較佳地，LC介質中之式II化合物之比例為＞0.1至＜5%，極佳地＞0.2至＜3%，最佳地0.2至2%。

較佳地，LC介質中之LC組分B)之比例為95至＜ 100%，極佳地98至＜100%，其中整個LC介質等於100%。

於另一較佳實施例中，該可聚合組分B)包含(除了式I或II化合物外)一或多種其他可聚合化合物(「共聚單體」)，較佳地選自RM。

適宜及較佳液晶原共聚單體係選自下式：

其中該等個別基團具有下列含義： P¹ 、P² 及P³ 各彼此獨立地表示丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯基團， Sp¹ 、Sp² 及Sp³ 各彼此獨立地表示單鍵或具有下文及下文針對Sp所指示之含義中之一者的間隔基團，及特別佳地表示-(CH₂ )_p1 -、-(CH₂ )_p1 -O-、-(CH₂ )_p1 -CO-O-、-(CH₂ )_p1 -O-CO-或-(CH₂ )_p1 -O-CO-O-，其中p1為1至12之整數，此外，其中，基團P¹ -Sp¹ -、P¹ -Sp² -及P³ -Sp³ -中之一或多者可表示R^aa ，限制條件為存在之基團P¹ -Sp¹ -、P² -Sp² 及P³ -Sp³ -中之至少一者係不同於R^aa ， R^aa 表示H、F、Cl、CN或具有1至25個C原子之直鏈或分支鏈烷基，此外，其中，一或多個非相鄰CH₂ 基團可各彼此獨立地經C(R⁰ )=C(R⁰⁰ )-、-C≡C-、-N(R⁰ )-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-置換，置換方式為O及/或S原子彼此不直接連接，且此外，其中，一或多個H原子可經F、Cl、CN或P¹ -Sp¹ -置換，特別佳為具有1至12個C原子之直鏈或分支鏈之視情況經單氟化或多氟化之烷基、烷氧基、烯基、炔基、烷基羰基、烷氧羰基、烷基羰基氧基或烷氧羰基氧基(其中該等烯基及炔基基團具有至少兩個C原子及該等分支鏈基團具有至少三個C原子)， R⁰ 、R⁰⁰ 各彼此獨立地且每次出現時相同或不同地表示H或具有1至12個C原子之烷基， R^y 及R^z 各彼此獨立地表示H、F、CH₃ 或CF₃ ， X¹ 、X² 及X³ 各彼此獨立地表示-CO-O-、-O-CO-或單鍵， Z¹ 表示-O-、-CO-、-C(R^y R^z )-或-CF₂ CF₂ -， Z² 及Z³ 各彼此獨立地表示-CO-O-、-O-CO-、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-CF₂ O-、-OCF₂ -或-(CH₂ )_n -，其中n為2、3或4， L在每次出現時相同或不同地表示F、Cl、CN或具有1至12個C原子之直鏈或分支鏈之視情況經單氟化或多氟化之烷基、烷氧基、烯基、炔基、烷基羰基、烷氧羰基、烷基羰基氧基或烷氧羰基氧基，較佳地F或CH₃ ， L'及L"各彼此獨立地表示H、F或Cl， r表示0、1、2、3或4， s表示0、1、2或3， t表示0、1或2， x表示0或1。

尤佳為式M2、M13、M17、M22、M23、M24及M30化合物。

另外較佳為三反應性化合物M17至M31，特定言之M17、M18、M19、M22、M24、M25、M26、M30及M31。

於式M1至M31化合物中，基團

較佳地為

、

、

、

、

、

或

，其中L每次出現時相同或不同地具有上文或下文中所給定之含義中之一者，且較佳地為F、Cl、CN、NO₂ 、CH₃ 、C₂ H₅ 、C(CH₃ )₃ 、CH(CH₃ )₂ 、CH₂ CH(CH₃ )C₂ H₅ 、OCH₃ 、OC₂ H₅ 、COCH₃ 、COC₂ H₅ 、COOCH₃ 、COOC₂ H₅ 、CF₃ 、OCF₃ 、OCHF₂ 、OC₂ F₅ 或P-Sp-，極佳地F、Cl、CN、CH₃ 、C₂ H₅ 、OCH₃ 、COCH₃ 、OCF₃ 或P-Sp-，更佳地F、Cl、CH₃ 、OCH₃ 、COCH₃ 或OCF₃ ，及尤其F或CH₃ 。

除了上述可聚合化合物外，用於根據本發明之LC顯示器之LC介質包含LC混合物(「主體混合物」)，該LC混合物包含一或多種，較佳地兩種或更多種選自係不可聚合之低分子量化合物之LC化合物。選擇此等LC化合物使得其在適用於可聚合化合物之聚合之條件下對聚合反應穩定及/或不反應。

原則上，適用於習知顯示器之任何LC混合物適合用作主體混合物。適宜LC混合物為熟習此項技術者已知且述於文獻中，例如EP 1 378 557 A1中之VA顯示器中之混合物。

於較佳實施例中，該LC介質含有LC組分B)或LC主體混合物，其基於具有負介電各向異性之化合物。此LC介質尤其適用於PS-VA及PS-UB-FFS顯示器。此LC介質之特別佳實施例為以下a)至z)部分之彼等： a) LC介質，其中該組分B)或LC主體混合物包含一或多種選自式CY及PY之化合物：

其中 a表示1或2， b表示0或1，

表示

或

， R¹ 及R² 各彼此獨立地表示具有1至12個C原子之烷基，此外，其中，一或兩個非相鄰CH₂ 基團可經-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-或-COO-置換，置換方式為O原子彼此不直接連接，較佳地具有1至6個C原子之烷基或烷氧基， Z^x 及Z^y 各彼此獨立地表示-CH₂ CH₂ -、-CH=CH-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-CO-O-、-O-CO-、-C₂ F₄ -、-CF=CF-、-CH=CH-CH₂ O或單鍵，較佳地單鍵， L^1-4 各彼此獨立地表示F、Cl、OCF₃ 、CF₃ 、CH₃ 、CH₂ F、CHF₂ 。

較佳地，L¹ 及L² 均表示F或L¹ 及L² 中之一者表示F且另一者表示Cl，或L³ 及L⁴ 均表示F或L³ 及L⁴ 中之一者表示F且另一者表示Cl。

式CY化合物較佳地選自由下列子式組成之群：

其中a表示1或2，alkyl及alkyl*各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，及alkenyl表示具有2至6個C原子之直鏈烯基，且(O)表示氧原子或單鍵。alkenyl較佳地表示CH₂ =CH-、CH₂ =CHCH₂ CH₂ -、CH₃ -CH=CH-、CH₃ -CH₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₃ -CH=CH-或CH₃ -CH=CH-(CH₂ )₂ -。

式PY化合物較佳地選自由下列子式組成之群：

其中alkyl及alkyl*各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，及alkenyl表示具有2至6個C原子之直鏈烯基，且(O)表示氧原子或單鍵。alkenyl較佳地表示CH₂ =CH-、CH₂ =CHCH₂ CH₂ -、CH₃ -CH=CH-、CH₃ -CH₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₃ -CH=CH-或CH₃ -CH=CH-(CH₂ )₂ -。

b) LC介質，其中該組分B)或LC主體混合物包含一或多種下式之化合物：

其中該等個別基團具有下列含義：

表示

、

、

、

或

，

表示

或

， R³ 及R⁴ 各彼此獨立地表示具有1至12個C原子之烷基，此外，其中，一或兩個非相鄰CH₂ 基團可經-O-、-CH=CH-、-CO-、-O-CO-或-CO-O-置換，置換方式為O原子彼此不直接連接， Z^y 表示-CH₂ CH₂ -、-CH=CH-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-CO-O-、-O-CO-、-C₂ F₄ -、-CF=CF-、-CH=CH-CH₂ O-或單鍵，較佳地單鍵。

式ZK化合物較佳地選自由下列子式組成之群：

其中alkyl及alkyl*各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，且alkenyl表示具有2至6個C原子之直鏈烯基。alkenyl及alkenyl*較佳地表示CH₂ =CH-、CH₂ =CHCH₂ CH₂ -、CH₃ -CH=CH-、CH₃ -CH₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₃ -CH=CH-或CH₃ -CH=CH-(CH₂ )₂ -。

尤佳為式ZK1化合物。

特別佳式ZK化合物係選自下列子式：

其中該等丙基、丁基及戊基基團為直鏈基團。

最佳為式ZK1a及ZK3b化合物。

c) LC介質，其中組分B)或該LC主體混合物額外包含一或多種下式之化合物：

其中該等個別基團每次出現時相同或不同地具有下列含義： R⁵ 及R⁶ 各彼此獨立地表示具有1至12個C原子之烷基，此外，其中，一或兩個非相鄰CH₂ 基團可經-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-或-COO-置換，置換方式為O原子彼此不直接連接，較佳地具有1至6個C原子之烷基或烷氧基，

表示

或

，

表示

、

或

，且 e表示1或2。

式DK化合物較佳地選自由下列子式組成之群：

其中alkyl及alkyl*各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，且alkenyl表示具有2至6個C原子之直鏈烯基。alkenyl較佳地表示CH₂ =CH-、CH₂ =CHCH₂ CH₂ -、CH₃ -CH=CH-、CH₃ -CH₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₃ -CH=CH-或CH₃ -CH=CH-(CH₂ )₂ -。

d) LC介質，其中組分B)或該LC主體混合物額外包含一或多種下式之化合物：

其中該等個別基團具有下列含義：

表示

、

、

、

或

，其中至少一個環F不同於伸環己基， f表示1或2， R¹ 及R² 各彼此獨立地表示具有1至12個C原子之烷基，此外，其中，一或兩個非相鄰CH₂ 基團可經-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-或-COO-置換，置換方式為O原子彼此不直接連接， Z^x 表示-CH₂ CH₂ -、-CH=CH-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-CO-O-、-O-CO-、-C₂ F₄ -、-CF=CF-、-CH=CH-CH₂ O-或單鍵，較佳地單鍵， L¹ 及L² 各彼此獨立地表示F、Cl、OCF₃ 、CF₃ 、CH₃ 、CH₂ F、CHF₂ 。

較佳地，基團L¹ 及L² 均表示F或基團L¹ 及L² 中之一者表示F且另一者表示Cl。

式LY化合物較佳地選自由下列子式組成之群：

其中R¹ 具有以上所指示之含義，alkyl表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，(O)表示氧原子或單鍵，且v表示1至6之整數。R¹ 較佳地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基或具有2至6個C原子之直鏈烯基，特定言之CH₃ 、C₂ H₅ 、n-C₃ H₇ 、n-C₄ H₉ 、n-C₅ H₁₁ 、CH₂ =CH-、CH₂ =CHCH₂ CH₂ -、CH₃ -CH=CH-、CH₃ -CH₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₃ -CH=CH-或CH₃ -CH=CH-(CH₂ )₂ -。

e) LC介質，其中組分B)或該LC主體混合物額外包含一或多種選自由下式組成之群之化合物：

其中alkyl表示C_1-6 -烷基，L^x 表示H或F，且X表示F、Cl、OCF₃ 、OCHF₂ 或OCH=CF₂ 。特別佳為式G1化合物，其中X表示F。

f) LC介質，其中組分B)或該LC主體混合物額外包含一或多種選自由下式組成之群之化合物：

其中R⁵ 具有以上針對R¹ 所指示之含義中之一者，alkyl表示C_1-6 -烷基，d表示0或1，且z及m各彼此獨立地表示1至6之整數。此等化合物中之R⁵ 特別佳為C_1-6 -烷基或-烷氧基或C_2-6 -烯基，d較佳地為1。根據本發明之LC介質較佳地包含≥5重量%之量之一或多種上述式之化合物。

g) LC介質，其中組分B)或該LC主體混合物額外包含一或多種選自由下式組成之群之聯苯化合物：

其中alkyl及alkyl*各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，且alkenyl及alkenyl*各彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基。alkenyl及alkenyl*較佳地表示CH₂ =CH-、CH₂ =CHCH₂ CH₂ -、CH₃ -CH=CH-、CH₃ -CH₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₃ -CH=CH-或CH₃ -CH=CH-(CH₂ )₂ -。

LC主體混合物中之式B1至B3之聯苯之比例較佳地為至少3重量%，特定言之≥5重量%。

式B2化合物係特別佳。

式B1至B3化合物較佳地選自由下列子式組成之群：

其中alkyl*表示具有1至6個C原子之烷基。根據本發明之介質特別佳地包含一或多種式B1a及/或B2c之化合物。

h) LC介質，其中組分B)或該LC主體混合物額外包含一或多種下式之三聯苯化合物：

其中R⁵ 及R⁶ 各彼此獨立地具有以上所指示之含義中之一者，且

、

及

各彼此獨立地表示

其中L⁵ 表示F或Cl，較佳地F，且L⁶ 表示F、Cl、OCF₃ 、CF₃ 、CH₃ 、CH₂ F或CHF₂ ，較佳地F。

式T化合物較佳地選自由下列子式組成之群：

其中R表示具有1至7個C原子之直鏈烷基或烷氧基，R*表示具有2至7個C原子之直鏈烯基，(O)表示氧原子或單鍵，且m表示1至6之整數。R*較佳地表示CH₂ =CH-、CH₂ =CHCH₂ CH₂ -、CH₃ -CH=CH-、CH₃ -CH₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₃ -CH=CH-或CH₃ -CH=CH-(CH₂ )₂ -。

R較佳地表示甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基或戊氧基。

根據本發明之LC主體混合物較佳地包含0.5至30重量%，特定言之1至20重量%之量之式T及其較佳子式之三聯苯。

特別佳為式T1、T2、T3及T21化合物。於此等化合物中，R較佳地表示烷基，此外烷氧基，其各具有1至5個C原子。

若混合物之Δn值≥ 0.1，則於根據本發明之LC介質中較佳地採用三聯苯。較佳LC介質包含2至20重量%之一或多種式T之三聯苯化合物，較佳地選自化合物T1至T22之群。

i) LC介質，其中組分B)或該LC主體混合物額外包含一或多種選自由下式組成之群之四聯苯化合物：

其中 R^Q 為具有1至9個C原子之烷基、烷氧基、氧雜烷基或烷氧基烷基或具有2至9個C原子之烯基或烯基氧基，其全部視情況經氟化， X^Q 為F、Cl、具有1至6個C原子之經鹵化之烷基或烷氧基或具有2至6個C原子之經鹵化之烯基或烯基氧基， L^Q1 至L^Q6 彼此獨立地為H或F，其中L^Q1 至L^Q6 中之至少一者為F。

較佳式Q化合物為彼等，其中R^Q 表示具有2至6個C原子之直鏈烷基，極佳地乙基、正丙基或正丁基。

較佳式Q化合物為彼等，其中L^Q3 及L^Q4 為F。另外較佳式Q化合物為彼等，其中L^Q3 、L^Q4 及L^Q1 及L^Q2 中之一者或二者為F。

較佳式Q化合物為彼等，其中X^Q 表示F或OCF₃ ，極佳地F。

式Q化合物較佳地選自下列子式

其中R^Q 具有式Q之含義中之一者或上文及下文中給定之其較佳含義中之一者，且較佳地為乙基、正丙基或正丁基。

尤佳為式Q1化合物，特定言之其中R^Q 為正丙基之彼等。

較佳地，LC主體混合物中之式Q化合物之比例為＞0至≤5重量%，極佳地0.1至2重量%，最佳地0.2至1.5重量%。

較佳地，該LC主體混合物含有1至5種，較佳地1或2種式Q化合物。

添加式Q之四聯苯化合物至LC主體混合物使能減少ODF 亮度不均勻，同時維持高UV吸收，使能快速且完全聚合，使能產生強且快速傾斜角，且增加LC介質之UV穩定性。

此外，添加具有正介電各向異性之式Q化合物至具有負介電各向異性之LC介質允許更好控制介電常數ε_|| 及ε_┴ 之值，及特定言之使能達成介電常數ε_|| 之高值，同時保持介電各向異性Δε恆定，從而降低反沖電壓及減少圖像殘留。

k) LC介質，其中組分B)或該LC主體混合物額外包含一或多種式C化合物：

其中 R^C 表示具有1至9個C原子之烷基、烷氧基、氧雜烷基或烷氧基烷基或具有具有2至9個C原子之烯基或烯基氧基，其全部視情況經氟化， X^C 表示F、Cl、具有1至6個C原子之經鹵化之烷基或烷氧基或具有2至6個C原子之經鹵化之烯基或烯基氧基， L^C1 、L^C2 彼此獨立地表示H或F，其中L^C1 及L^C2 中之至少一者為F。

較佳式C化合物為彼等，其中R^C 表示具有2至6個C原子之直鏈烷基，極佳地乙基、正丙基或正丁基。

較佳式C化合物為彼等，其中L^C1 及L^C2 為F。

較佳式C化合物為彼等，其中X^C 表示F或OCF₃ ，極佳地F。

較佳式C化合物係選自下式

其中R^C 具有式C之含義中之一者或上文及下文中給定之其較佳含義中之一者，且較佳地為乙基、正丙基或正丁基，極佳地正丙基。

較佳地，LC主體混合物中之式C化合物之比例為＞0至≤10重量%，極佳地0.1至8重量%，最佳地0.2至5重量%。

較佳地，該LC主體混合物含有1至5種，較佳地1、2或3種式C化合物。

添加具有正介電各向異性之式C化合物至具有負介電各向異性之LC介質允許更好控制介電常數ε_|| 及ε_┴ 之值，及特定言之使能達成介電常數ε_|| 之高值，同時保持介電各向異性Δε恆定，從而降低反沖電壓及減少圖像殘留。此外，式C化合物之添加使能降低LC介質之黏度及縮短回應時間。

l) LC介質，其中組分B)或該LC主體混合物額外包含一或多種選自由下式組成之群之化合物：

其中R¹ 及R² 具有以上所指示之含義且較佳地各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基或具有2至6個C原子之直鏈烯基。

較佳介質包含一或多種選自式O1、O3及O4之化合物。

m) LC介質，其中組分B)或該LC主體混合物額外包含一或多種下式之化合物：

其中

表示

R⁹ 表示H、CH₃ 、C₂ H₅ 或n-C₃ H₇ ，(F)表示視情況可選的氟取代基，且q表示1、2或3，且R⁷ 具有針對R¹ 所指示之含義中之一者，較佳地以＞3重量%，特定言之≥5重量%及極特別佳5至30重量%之量。

特別佳式FI化合物係選自由下列子式組成之群：

其中R⁷ 較佳地表示直鏈烷基，且R⁹ 表示CH₃ 、C₂ H₅ 或n-C₃ H₇ 。特別佳為式FI1、FI2及FI3化合物。

n) LC介質，其中組分B)或該LC主體混合物額外包含一或多種選自由下式組成之群之化合物：

其中R⁸ 具有針對R¹ 所指示之含義，且alkyl表示具有1至6個C原子之直鏈烷基。

o) LC介質，其中組分B)或該LC主體混合物額外包含一或多種含有四氫萘基或萘基單元之化合物，諸如，例如，選自由下式組成之群之化合物：

其中 R¹⁰ 及R¹¹ 各彼此獨立地表示具有1至12個C原子之烷基，此外，其中，一或兩個非相鄰CH₂ 基團可經-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-或-COO-置換，置換方式為O原子彼此不直接連接，較佳地具有1至6個C原子之烷基或烷氧基，且R¹⁰ 及R¹¹ 較佳地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基或烷氧基或具有2至6個C原子之直鏈烯基，且 Z¹ 及Z² 各彼此獨立地表示-C₂ H₄ -、-CH=CH-、-(CH₂ )₄ -、-(CH₂ )₃ O-、-O(CH₂ )₃ -、-CH=CH-CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH₂ CH=CH-、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-CO-O-、-O-CO-、-C₂ F₄ -、-CF=CF-、-CF=CH-、-CH=CF-、-CH₂ -或單鍵。

p) LC介質，其中組分B)或該LC主體混合物額外包含一或多種下式之二氟二苯并𠳭唍及/或𠳭唍：

其中 R¹¹ 及R¹² 各彼此獨立地具有以上針對R¹¹ 所指示之含義中之一者，環M為反式-1,4-伸環己基或1,4-伸苯基， Z^m 為-C₂ H₄ -、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-CO-O-或-O-CO-， c為0、1或2，較佳地以3至20重量%之量，特定言之以3至15重量%之量。

特別佳式BC、CR及RC化合物係選自由下列子式組成之群：

其中alkyl及alkyl*各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，(O)表示氧原子或單鍵，c為1或2，且alkenyl及alkenyl*各彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基。alkenyl及alkenyl*較佳地表示CH₂ =CH-、CH₂ =CHCH₂ CH₂ -、CH₃ -CH=CH-、CH₃ -CH₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₃ -CH=CH-或CH₃ -CH=CH-(CH₂ )₂ -。

極特別佳為包含一種、兩種或三種式BC-2化合物之LC主體混合物。

q) LC介質，其中組分B)或該LC主體混合物額外包含一或多種下式之氟化菲及/或二苯并呋喃：

其中R¹¹ 及R¹² 各彼此獨立地具有以上針對R¹¹ 所指示之含義中之一者，b表示0或1，L表示F，且r表示1、2或3。

特別佳式PH及BF化合物係選自由下列子式組成之群：

其中R及R'各彼此獨立地表示具有1至7個C原子之直鏈烷基或烷氧基。

r) LC介質，其中組分B)或該LC主體混合物額外包含一或多種下式之單環化合物：

其中 R¹ 及R² 各彼此獨立地表示具有1至12個C原子之烷基，此外，其中，一或兩個非相鄰CH₂ 基團可經-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-或-COO-置換，置換方式為O原子彼此不直接連接，較佳地具有1至6個C原子之烷基或烷氧基， L¹ 及L² 各彼此獨立地表示F、Cl、OCF₃ 、CF₃ 、CH₃ 、CH₂ F、CHF₂ 。

較佳地，L¹ 及L² 均表示F或L¹ 及L² 中之一者表示F且另一者表示Cl。

式Y化合物較佳地選自由下列子式組成之群：

，其中Alkyl及Alkyl*各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，Alkoxy及Alkoxy*表示具有1至6個C原子之直鏈烷氧基，Alkenyl及Alkenyl*各彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基，且O表示氧原子或單鍵。Alkenyl及Alkenyl*較佳地表示CH₂ =CH-、CH₂ =CHCH₂ CH₂ -、CH₃ -CH=CH-、CH₃ -H₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₃ -CH=CH-或CH₃ -CH=CH-(CH₂ )₂ -。

特別佳式Y化合物係選自由下列子式組成之群：

其中Alkoxy較佳地表示具有3、4或5個C原子之直鏈烷氧基。

s) LC介質，除了如上文及下文中所述之可聚合化合物外，其不含有含末端乙烯基氧基(-O-CH=CH₂ )之化合物。

t) LC介質，其中組分B)或該LC主體混合物包含1至8種，較佳地1至5種式CY1、CY2、PY1及/或PY2化合物。此等化合物於作為整體之LC主體混合物中之比例較佳地為5至60%，特別佳地10至35%。於各情況下，此等個別化合物之含量較佳地為2至20%。

u) LC介質，其中組分B)或該LC主體混合物包含1至8種，較佳地1至5種式CY9、CY10、PY9及/或PY10化合物。此等化合物於作為整體之LC主體混合物中之比例較佳地為5至60%，特別佳地10至35%。於各情況下，此等個別化合物之含量較佳地為2至20%。

v) LC介質，其中組分B)或該LC主體混合物包含1至10種，較佳地1至8種式ZK化合物，特定言之式ZK1、ZK2及/或ZK3化合物。此等化合物於作為整體之LC主體混合物中之比例較佳地為3至25%，特別佳地5至45%。於各情況下，此等個別化合物之含量較佳地為2至25%。

w) LC介質，其中式CY、PY及ZK化合物於作為整體之LC主體混合物中之比例係大於70%，較佳地大於80%。

x) LC介質，其中組分B)或該LC主體混合物含有一或多種，較佳地1至5種選自式PY1至PY8，極佳地選自式PY2之化合物。此等化合物於作為整體之LC主體混合物中之比例較佳地為1至30%，特別佳地2至20%。於各情況下，此等個別化合物之含量較佳地為1至20%。

y) LC介質，其中組分B)或該LC主體混合物含有一或多種，較佳地1、2或3種選自式T1、T2及T5，極佳地選自式T2之化合物。此等化合物於作為整體之LC主體混合物中之含量較佳地為1至20%。

z) LC介質，其中該LC主體混合物含有一或多種選自式CY及PY之化合物，一或多種選自式ZK之化合物，及一或多種選自式T及Q之化合物。

上述較佳實施例之化合物與上述聚合化合物之組合導致根據本發明之LC介質之低臨限電壓、低旋轉黏度及極佳低溫穩定性，同時恆定高的澄清點及高HR值，且允許快速建立PSA顯示器之適宜低預傾角。特定言之，該LC介質與來自先前技術之介質相比展示PSA顯示器之顯著縮短之回應時間，特定言之亦灰階回應時間。

本發明之LC介質及LC主體混合物較佳地具有至少80 K，特別佳地至少100 K之向列相範圍，及在20℃下≤ 250 mPa·s，較佳地≤ 200 mPa^. s之旋轉黏度。

於根據本發明之VA型顯示器中，處於關閉狀態之LC介質層中之分子與電極表面垂直配向(垂直)或具有傾斜垂直配向。施加電壓至電極時，LC分子發生重新配向，其中縱向分子軸平行於電極表面。

根據第一較佳實施例基於具有負介電各向異性之化合物，特定言之用於SA-VA型顯示器之根據本發明之LC介質具有負介電各向異性Δε，較佳地-0.5至-10，特定言之-2.5至-7.5 (在20℃及1 kHz下)。

用於PS-VA、PS-UB-FFS及SA-VA型顯示器之根據本發明之LC介質之雙折射率Δn較佳地係低於0.16，特別佳地0.06至0.14，極特別佳地0.07至0.12。

根據本發明之LC介質亦可包含為熟習此項技術者已知且述於文獻中之另外添加劑，諸如，例如，聚合引發劑、抑制劑、穩定劑、表面活性物質或對掌性摻雜劑。此等可係可聚合或不可聚合。因此將可聚合添加劑歸屬於可聚合組分或組分A)。因此將不可聚合添加劑歸屬於不可聚合組分或組分B)。

於較佳實施例中，該LC介質含有一或多種對掌性摻雜劑，較佳地以0.01至1%，極佳地0.05至0.5%之濃度。該等對掌性摻雜劑較佳地選自由下表B之化合物組成之群，極佳地選自由R-或S-1011、R-或S-2011、R-或S-3011、R-或S-4011及R-或S-5011組成之群。

於另一較佳實施例中，該LC介質含有一或多種對掌性摻雜劑之外消旋物，該一或多種摻雜劑較佳地選自上段中提及之對掌性摻雜劑。

此外，可將例如0至15重量%之多色染料，此外奈米粒子、用於改良導電性之導電鹽，較佳地4-己氧基苯甲酸乙基二甲基十二基銨、四苯基硼酸四丁基銨或冠醚之錯合鹽(參見，例如，Haller等人，Mol. Cryst. Liq. Cryst.24 , 249-258 (1973))或用於修改向列相之介電各向異性、黏度及/或配向之物質添加至LC介質。此類型之物質述於例如DE-A 22 09 127、22 40 864、23 21 632、23 38 281、24 50 088、26 37 430及28 53 728中。

根據本發明之LC介質之較佳實施例a)至z)的個別組分係已知或其製備方法可容易藉由熟習相關技術者自先前技術推導而來，因為其係基於文獻中國所述之標準方法。對應式CY化合物述於例如EP-A-0 364 538中。對應式ZK化合物述於例如DE-A-26 36 684及DE-A-33 21 373中。

可根據本發明使用之LC介質係以本身習知方式，例如，藉由將上述化合物中之一或多者與如上所定義之一或多種可聚合化合物，及視情況與另外的液晶化合物及/或添加劑混合來製備。一般而言，將以較少量使用之所需量之組分溶解於構成主要成分之組分中，有利地在升高之溫度下。亦可將含於有機溶劑中，例如含於丙酮、氯仿或甲醇中之組分之溶液混合，及於充分混合後例如藉由蒸餾再次移除溶劑。此外本發明係關於製備根據本發明之LC介質之方法。

對熟習此項技術者毋庸贅言，根據本發明之LC介質亦可包含其中例如H、N、O、Cl、F已經對應同位素(如氘等)置換的化合物。

下列實例解釋本發明但不限制本發明。然而，本發明向熟習此項技術者顯示偏愛的混合物概念，其中較佳地待採用之化合物及其各自濃度及其彼此組合。此外，該等實例說明哪些性質及性質組合係可達成的。

下表C中顯示較佳混合物組分。表C中所示之化合物尤其適用於具有負介電各向異性之LC混合物。

於本發明中及特定言之於下列實例中，液晶原性化合物之結構由縮寫指示，該等縮寫亦被稱作首字母縮略詞。於此等首字母縮略詞中，如下使用下表A至C縮寫化學式。所有基團C_n H_2n+1 、C_m H_2m+1 及C_l H_2l+1 或C_n H_2n-1 、C_m H_2m-1 及C_l H_2l-1 各自表示直鏈烷基或烯基，較佳地1-E -烯基，於各情況下各自具有n、m或l個C原子。表A顯示用於化合物之核結構之環元素的代碼，而表B顯示連接基團。表C指示用於左手或右手側之端基之代碼的含義。該等首字母縮略詞由用於環元素之代碼與視情況可選的連接基團，接著第一連字符與用於左手端基之代碼，及第二連字符與用於右手端基之代碼組成。表D顯示說明性化合物結構連同其各自縮略語。表 A ：環元素

C		P

D		DI

A		AI

G		GI

U		UI

M		MI

N		NI

Y

P(F, Cl)Y		P(Cl,F)Y

Np		dH

n3f		n3fI

tH		tHI

tH2f		tH2fI

o2f		o2fI

dh		B

K		KI

L		LI

F		FI

Nf		NfI

表 B ：橋接成員

E	-CH₂ -CH₂ -
V	-CH=CH-
T	-C≡C-
W	-CF₂ -CF₂ -
B	-CF=CF-
Z	-CO-O-	ZI	-O-CO-
X	-CF=CH-	XI	-CH=CF-
O	-CH₂ -O-	OI	-O-CH₂ -
Q	-CF₂ -O-	QI	-O-CF₂ -

表 C ：端基

單獨或組合，在左側	單獨或組合，在右側
-n-	C_n H_2n+1 -	-n	-C_n H_2n+1
-nO-	C_n H_2n+1 -O-	-On	-O- C_n H_2n+1
-V-	CH₂ =CH-	-V	-CH=CH₂
-nV-	C_n H_2n+1 -CH=CH-	-nV	-C_n H_2n -CH=CH₂
-Vn-	CH₂ =CH- C_n H_2n -	-Vn	-CH=CH-C_n H_2n+1
-nVm-	C_n H_2n+1 -CH=CH-C_m H_2m -	-nVm	- C_n H_2n -CH=CH-C_m H_2m+1
-N-	N≡C-	-N	-C≡N
-S-	S=C=N-	-S	-N=C=S
-F-	F-	-F	-F
-CL-	Cl-	-CL	-Cl
-M-	CFH₂ -	-M	-CFH₂
-D-	CF₂ H-	-D	-CF₂ H
-T-	CF₃ -	-T	-CF₃
-MO-	CFH₂ O -	-OM	-OCFH₂
-DO-	CF₂ HO -	-OD	-OCF₂ H
-TO-	CF₃ O -	-OT	-OCF₃
-A-	H-C≡C-	-A	-C≡C-H
-nA-	C_n H_2n+1 -C≡C-	-An	-C≡C-C_n H_2n+1
-NA-	N≡C-C≡C-	-AN	-C≡C-C≡N
		-OXF	-O-CH=CF2

僅組合在左手	僅組合在右手
-…n…-	-C_n H_2n -	-…n…	-C_n H_2n -
-…M…-	-CFH-	-…M…	-CFH-
-…D…-	-CF₂ -	-…D…	-CF₂ -
-…V…-	-CH=CH-	-…V…	-CH=CH-
-…Z…-	-CO-O-	-…Z…	-CO-O-
-…ZI…-	-O-CO-	-…ZI…	-O-CO-
-…K…-	-CO-	-…K…	-CO-
-…W…-	-CF=CF-	-…W…	-CF=CF-
		-…X…	-CH=CF-

其中，n及m各者為整數，且三個點「…」為來自此表之其他縮寫之預留位置。

下表顯示說明性結構連同其各自縮寫。顯示此等以證明縮寫規則之含義。除了式I化合物外，根據本發明之混合物較佳地包含下述化合物之一或多種化合物。

使用下列縮寫： (於各情況下，n、m及z彼此獨立地為整數，較佳地1至6)。表 D ：說明性結構

於本發明之較佳實施例中，根據本發明之LC介質，尤其具有負介電各向異性之彼等包含一或多種選自由表D化合物組成之群之化合物。

表 E 表E顯示可添加至根據本發明之LC介質之可能對掌性摻雜劑。

該LC介質較佳地包含0至10重量%，特定言之0.01至5重量%，特別佳地0.1至3重量%之摻雜劑。該LC介質較佳地包含一或多種選自由表E化合物組成之群之摻雜劑。

表 F 表F顯示可添加至根據本發明之LC介質之可能穩定劑。其中n表示1至12之整數，較佳地1、2、3、4、5、6、7或8，且不顯示末端甲基。

該LC介質較佳地包含0至10重量%，特定言之1 ppm至5重量%，特別佳地1 ppm至1重量%之穩定劑。該LC介質較佳地包含一或多種選自由表F化合物組成之群之穩定劑。

表 G 表G顯示用於垂直配向之自配向添加劑，其可用於根據本發明之LC介質中：

於較佳實施例中，根據本發明之LC介質及顯示器包含一或多種選自式SA-1至SA-34，較佳地選自式SA-14至SA-34，極佳地選自式SA-20至SA-28，最佳地式SA-20之SA添加劑，與一或多種式I之RM組合。極佳為以下實例1之可聚合物化合物1、2或3，極佳地實例1之可聚合化合物3，與式SA-20至SA-28，極佳地式SA-20之SA添加劑之組合。

實例下列實例解釋本發明但不限制本發明。然而，實例顯示熟習此項技術者偏愛的混合物概念，其中較佳地待採用之化合物及其各自濃度及其彼此組合。此外，該等實例說明哪些性質及性質組合係可達成的。

此外，使用下列縮寫及符號： V₀ 臨限電壓，電容[V]，在20℃下， n_e 在20℃及589 nm下之非尋常折射率， n_o 在20℃及589 nm下之尋常折射率， Δn 在20℃及589 nm下之光學各向異性， ε_┴ 在20℃及1 kHz下，垂直於指向矢之介電電容率， ε_|| 在20℃及1 kHz下，平行於指向矢之介電電容率， Δε 在20℃及1 kHz下之介電各向異性， cl.p.、T(N,I) 澄清點[℃]， γ₁ 在20℃下之旋轉黏度[mPa•s]， K₁ 彈性常數，在20℃下之「展開」變形[pN]， K₂ 彈性常數，在20℃下之「扭轉」變形[pN]， K₃ 彈性常數，在20℃下之「彎曲」變形[pN]。

除非另有明確指定，否則本申請案中之所有濃度以重量%引用且與作為整體之對應混合物(包含所有固體或液晶組分，不含溶劑)有關。

除非另有明確指定，否則本申請案中所指示之所有溫度值，諸如，例如，熔點T(C,N)，自層列(S)至向列(N)相之轉變T(S,N)及澄清點T(N,I)以攝氏度(℃)引用。M.p.表示熔點，cl.p. =澄清點。此外，C =結晶狀態，N =向列相，S =層列相及I =各向同性相。此等符號之間之數據表示轉變溫度。

於各情況下，除非另有明確指示，否則根據「Merck Liquid Crystals, Physical Properties of Liquid Crystals」, Status 1997年11月，Merck KgaA，德國測定所有物理性質且適用於20℃之溫度，及在589 nm下測定Δn及在1 kHz下測定Δε。

除非另有明確指示，否則本發明之術語「臨限電壓」係指電容臨限值(V₀ )，亦稱作弗雷德里克斯(Freedericks)臨限值。於實例中，與通常一樣，亦可將光學臨限值引用為10%相對對比度(V₁₀ )。

除非另有指定，否則如上文及下文中所述之PSA顯示器中之可聚合化合物的聚合方法係在LC介質展示液晶相，較佳地向列相之溫度下進行，及最佳地在室溫下進行。

除非另有指定，否則製備測試單元及量測其電光及其他性質之方法藉由如下文中所述或與之類似之方法進行。

用於量測電容臨限電壓之顯示器由間隔25 µm之兩個平面平行玻璃外板組成，其各者具有內部的電極層及在頂部之未經摩擦之聚醯亞胺配向層，該配向層實現液晶分子之垂直邊緣配向。

用於量測傾斜角之顯示器或測試單元由間隔4 µm之兩個平面平行玻璃外板組成，其各者具有內部電極層及頂部聚醯亞胺配向層，其中該等兩個聚醯亞胺層彼此反向平行摩擦及實現液晶分子之垂直邊緣配向。

可聚合化合物於顯示器或測試單元中藉由用限定強度之UV光照射一段預定時間，同時施加電壓至該顯示器(通常10 V至30 V交流電流，1 kHz)聚合。於實例中，除非另有指示，否則使用金屬鹵化物燈及100 mW/cm²之強度進行聚合。使用標準儀表(具有UV感測器之高端Hoenle UV-儀表)量測強度。

使用來自Axometrics之Mueller矩陣旋光儀「AxoScan」測定傾斜角。本文中低值(即，與90°角大的偏離)對應於大的傾斜。

除非另有指定，否則術語「傾斜角」意指LC指向矢與基板之間之角度，且「LC指向矢」於具有均勻定向之LC分子層中意指LC分子之光學主軸之較佳定向方向，於桿狀單軸正雙折射LC分子之情況下，該方向對應於其分子長軸。

實例 1 ：式 RM-1 之可聚合化合物 如下製備可聚合化合物RM1：

將甲基丙烯酸(9.98 g，116.0 mmol)及4-(二甲胺基)吡啶(0.616 g，5.04 mmol)添加至含於150 ml DCM中之雙環己基-4,4’-二醇(10.0 g，50.4 mmol)之懸浮液中。在0℃下，將反應混合物用含於50 ml DCM中之N-(3-二甲胺基丙基)-N’-乙基碳二亞胺(18.02 g，116.0 mmol)之溶液逐滴處理並在室溫下攪拌20小時。將反應混合物在真空下濃縮，及將油狀殘餘物藉由管柱層析法在矽膠上利用DCM作為溶離劑純化及進一步自乙腈再結晶，以得到呈白色晶體之RM-1 (m.p.114℃)。

類似地製備下列化合物：

M.p. 91℃

M.p. 55℃

。

混合物實例 使用下列液晶混合物製備根據本發明之LC介質，該等液晶混合物由所指示之重量百分比比率之低分子量組分組成(首字母縮略詞參見上表A至D)。H1 ：向列型主體混合物(Δε ＜ 0)

CC-3-V1	9.00%	澄清點[℃]： 74.7
CC-2-3	18.0%	Δn (589 nm，20℃)： 0.098
CC-3-4	3.00%	Δε (1 kHz，20℃)： -3.4
CC-3-5	7.00%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)： 3.5
CCP-3-1	5.50%	ε_┴ (1 kHz，20℃)： 6.9
CCY-3-O2	11.5%	K₁ (20℃) [pN]: 14.9
CPY-2-O2	8.00%	K₃ (20℃) [pN]: 15.9
CPY-3-O2	11.0%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]: 108
CY-3-O2	15.5%	V₀ (20℃) [V]: 2.28
PY-3-O2	11.5%

H2 ：向列型主體混合物(Δε ＜ 0)

CPP-3-2	6.50%	澄清點[℃]： 74.7
CC-3-V1	8.00%	Δn (589 nm，20℃)： 0.1039
CC-2-3	17.00%	Δε (1 kHz，20℃)： -3.0
CC-3-4	6.50%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)： 3.4
CCY-3-O1	3.50%
CCY-3-O2	12.50%	K₃ /K₁ 1.07
CPY-2-O2	5.50%
CPY-3-O2	10.00%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]： 106
CY-3-O2	15.50%	V₀ (20℃) [V]: 2.10
PCH-3O1	4.50%
PP-1-2V1	5.00%
PY-3-O2	5.50%

H3 ：向列型主體混合物(Δε ＜ 0)

CPP-3-2	6.0%	澄清點[℃]： 74.8
CC-3-V1	6.0%	Δn (589 nm，20℃)： 0.107
CC-3-4	9.0%	Δε (1 kHz，20℃)： -3.3
CC-3-5	7.0%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)： 3.6
CCP-3-1	8.0%	ε_┴ (1 kHz，20℃)： 6.9
CCP-3-3	3.0%	K₁ (20℃) [pN]： 14.2
CCY-3-1	2.0%	K₃ (20℃) [pN]： 16.5
CCY-3-O2	10.5%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]： 118
CCY-4-O2	5.0%	V₀ (20℃) [V]：
CPY-3-O2	3.5%
CY-3-O2	14%
CP-3-O1	5.5%
PY-1-O4	6.5%
PY-3-O2	14%

H4 ：向列型主體混合物(Δε ＜ 0)

CY-3-O2	15.5%	澄清點[℃]： 75.1
CCY-3-O3	8.00%	Δn (589 nm，20℃)： 0.098
CCY-4-O2	10.0%	Δε (1 kHz，20℃)： -3.0
CPY-2-O2	5.50%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)： 3.4
CPY-3-O2	11.5%	ε_┴ (1 kHz，20℃)： 6.4
CC-3-4	9.25%	K₁ (20℃) [pN]： 13.1
CC-2-3	24.5%	K₃ (20℃) [pN]： 13.3
PYP-2-3	8.75%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]： 113
CP-3-O1	7.00%	V₀ (20℃) [V]： 2.22

H5 ：向列型主體混合物(Δε ＜ 0)

CY-3-O4	14.0%	澄清點[℃]： 80.0
CCY-3-O2	9.00%	Δn (589 nm，20℃)： 0.090
CCY-3-O3	9.00%	Δε (1 kHz，20℃)： -3.3
CPY-2-O2	10.0%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)： 3.4
CPY-3-O2	10.0%	ε_┴ (1 kHz，20℃)： 6.7
CCY-3-1	8.00%	K₁ (20℃) [pN]： 15.1
CC-3-4	9.00%	K₃ (20℃) [pN]： 14.6
CC-3-5	6.00%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]： 140
CP-5-3	10.0%	V₀ (20℃) [V]： 2.23
CC-3-O1	6.00%
CC-3-O3	9.00%

H6 ：向列型主體混合物(Δε ＜ 0)

CC-3-V	37.5%	澄清點[℃]： 74.8
CC-3-V1	2.00%	Δn (589 nm，20℃)： 0.099
CCY-4-O2	14.5%	Δε (1 kHz，20℃)： -2.9
CPY-2-O2	10.5%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)： 3.7
CPY-3-O2	9.50%	ε_┴ (1 kHz，20℃)： 6.6
CY-3-O2	15.0%	K₁ (20℃) [pN]： 12.2
CY-3-O4	4.50%	K₃ (20℃) [pN]： 13.4
PYP-2-4	5.50%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]： 92
PPGU-3-F	1.00%	V₀ (20℃) [V]： 2.28

H7 ：向列型主體混合物(Δε ＜ 0)

CC-2-3	20.0%	澄清點[℃]： 74.8
CC-3-O1	6.00%	Δn (589 nm，20℃)： 0.105
CC-3-4	6.00%	Δε (1 kHz，20℃)： -3.2
CCP-3-1	3.00%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)： 3.5
CCY-3-O2	11.0%	ε_┴ (1 kHz，20℃)： 6.8
CPY-2-O2	12.0%	K₁ (20℃) [pN]： 12.7
CPY-3-O2	11.0%	K₃ (20℃) [pN]： 13.6
CY-3-O2	14.0%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]： 120
CY-3-O4	4.00%	V₀ (20℃) [V]： 2.16
CP-3-O1	4.00%
PYP-2-3	9.00%

H8 ：向列型主體混合物(Δε ＜ 0)

CC-4-V	17.0%	澄清點[℃]： 106.1
CCP-V-1	15.0%	Δn (589 nm，20℃)： 0.120
CCEPC-3-3	2.50%	Δε (1 kHz，20℃)： -3.6
CCY-3-O2	4.00%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)： 3.5
CCY-3-O3	5.00%	ε_┴ (1 kHz，20℃)： 7.0
CCY-4-O2	5.00%	K₁ (20℃) [pN]： 16.8
CLY-3-O2	3.50%	K₃ (20℃) [pN]： 17.3
CLY-3-O3	2.00%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]： 207
CPY-2-O2	8.00%	V₀ (20℃) [V]： 2.33
CPY-3-O2	10.0%
CY-3-O4	17.0%
PYP-2-3	11.0%

H9 ：向列型主體混合物(Δε ＜ 0)

CY-3-O2	15.0%	澄清點[℃]： 75.5
CCY-4-O2	9.50%	Δn (589 nm，20℃)： 0.108
CCY-5-O2	5.00%	Δε (1 kHz，20℃)： -3.0
CPY-2-O2	9.00%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)： 3.5
CPY-3-O2	9.00%	ε_┴ (1 kHz，20℃)： 6.5
CC-3-4	9.00%	K₁ (20℃) [pN]： 12.9
CC-2-3	22.0%	K₃ (20℃) [pN]： 13.0
PYP-2-3	7.00%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]： 115
PYP-2-4	7.50%	V₀ (20℃) [V]： 2.20
CP-3-O1	7.00%

H10 ：向列型主體混合物(Δε ＜ 0)

CY-3-O2	15.0%	澄清點[℃]： 74.7
CY-5-O2	6.50%	Δn (589 nm，20℃)： 0.108
CCY-3-O2	11.0%	Δε (1 kHz，20℃)： -3.0
CPY-2-O2	5.50%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)： 3.6
CPY-3-O2	10.5%	ε_┴ (1 kHz，20℃)： 6.6
CC-3-V	28.5%	K₁ (20℃) [pN]： 12.9
CC-3-V1	10.0%	K₃ (20℃) [pN]： 15.7
PYP-2-3	12.5%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]： 97
PPGU-3-F	0.50%	V₀ (20℃) [V]： 2.42

H11 ：向列型主體混合物(Δε ＜ 0)

CC-3-5	9.50%	澄清點[℃]： 79.1
CC-5-O1	5.00%	Δn (589 nm，20℃)： 0.091
CCY-2-1	9.50%	Δε (1 kHz，20℃)： -3.6
CCY-3-1	10.5%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)： 3.5
CCY-3-O2	10.5%	ε_┴ (1 kHz，20℃)： 7.1
CCY-5-O2	9.50%	K₁ (20℃) [pN]： 14.6
CPY-2-O2	12.0%	K₃ (20℃) [pN]： 14.5
CY-3-O4	9.00%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]： 178
CY-5-O4	11.0%	V₀ (20℃) [V]： 2.12
CP-5-3	13.5%

H12 ：向列型主體混合物(Δε ＜ 0)

CPP-3-2	4.00%	澄清點[℃]： 74.8
CC-3-V1	8.00%	Δn (589 nm，20℃)： 0.106
CC-2-3	13.0%	Δε (1 kHz，20℃)： -3.5
CC-3-4	7.00%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)： 3.6
CC-3-5	7.00%	ε_┴ (1 kHz，20℃)： 7.1
CCY-3-O2	13.0%	K₁ (20℃) [pN]： 14.8
CPY-2-O2	7.00%	K₃ (20℃) [pN]： 15.8
CPY-3-O2	12.0%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]： 115
CY-3-O2	12.0%	V₀ (20℃) [V]： 2.23
CP-3-O1	2.00%
PY-3-O2	15.0%

H13 ：向列型主體混合物(Δε ＜ 0)

CY-3-O4	22.0%	澄清點[℃]： 86.9
CY-5-O4	12.0%	Δn (589 nm，20℃)： 0.111
CCY-3-O2	6.00%	Δε (1 kHz，20℃)： -4.9
CCY-3-O3	6.00%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)： 3.8
CCY-4-O2	6.00%	ε_┴ (1 kHz，20℃)： 8.7
CPY-2-O2	10.0%	K₁ (20℃) [pN]： 14.9
CPY-3-O2	10.0%	K₃ (20℃) [pN]： 15.9
PYP-2-3	7.00%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]： 222
CC-3-V1	7.00%	V₀ (20℃) [V]： 1.91
CC-5-V	10.0%
CCEPC-3-3	2.00%
CCEPC-3-5	2.00%

H14 ：向列型主體混合物(Δε ＜ 0)

CY-3-O4	12.0%	澄清點[℃]： 86.0
CY-5-O2	10.0%	Δn (589 nm，20℃)： 0.110
CY-5-O4	8.00%	Δε (1 kHz，20℃)： -5.0
CCY-3-O2	8.00%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)： 3.8
CCY-4-O2	7.00%	ε_┴ (1 kHz，20℃)： 8.8
CCY-5-O2	6.00%	K₁ (20℃) [pN]： 14.7
CCY-2-1	8.00%	K₃ (20℃) [pN]： 16.0
CCY-3-1	7.00%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]： 250
CPY-3-O2	9.00%	V₀ (20℃) [V]： 1.90
CPY-3-O2	9.00%
CPP-3-2	6.00%
CP-5-3	10.0%

H15 ：向列型主體混合物(Δε ＜ 0)

CC-3-V1	10.25%	澄清點[℃]： 74.7
CC-2-3	18.5%	Δn (589 nm，20℃)： 0.103
CC-3-5	6.75%	Δε (1 kHz，20℃)： -3.1
CCP-3-1	6.00%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)： 3.4
CCY-3-1	2.50%	ε_┴ (1 kHz，20℃)： 6.4
CCY-3-O2	12.0%	K₁ (20℃) [pN]： 15.4
CPY-2-O2	6.00%	K₃ (20℃) [pN]： 16.8
CPY-3-O2	9.75%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]： 104
CY-3-O2	11.5%	V₀ (20℃) [V]： 2.46
PP-1-2V1	3.75%
PY-3-O2	13.0%

H16 ：向列型主體混合物(Δε ＜ 0)

CC-3-V	27.5%	澄清點[℃]： 74.7
CC-3-V1	10.0%	Δn (589 nm，20℃)： 0.104
CC-3-5	8.00%	Δε (1 kHz，20℃)： -3.0
CCY-3-O2	9.25%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)： 3.4
CLY-3-O2	10.0%	ε_┴ (1 kHz，20℃)： 6.4
CPY-3-O2	11.75%	K₁ (20℃) [pN]： 15.3
PY-3-O2	14.0%	K₃ (20℃) [pN]： 16.2
PY-4-O2	9.00%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]： 88
PYP-2-4	0.50%	V₀ (20℃) [V]： 2.44

H17 ：向列型主體混合物(Δε ＜ 0)

CPP-3-2	6.50%	澄清點[℃]： 74.7
CC-3-V1	8.00%	Δn (589 nm，20℃)： 0.104
CC-2-3	17.0%	Δε (1 kHz，20℃)： -3.0
CC-3-4	6.50%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)： 3.4
CCY-3-O1	3.50%	ε_┴ (1 kHz，20℃)： 6.3
CCY-3-O2	12.5%	K₁ (20℃) [pN]： 14.8
CPY-2-O2	5.50%	K₃ (20℃) [pN]： 15.8
CPY-3-O2	10.0%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]： 106
CY-3-O2	15.5%
CP-3-O1	4.50%
PP-1-2V1	5.00%
PY-3-O2	5.50%

H18 ：向列型主體混合物(Δε ＜ 0)

CPP-3-2	10.5%	澄清點[℃]： 74.5
CC-3-4	9.0%	Δn (589 nm，20℃)： 0.104
CC-3-5	9.0%	Δε (1 kHz，20℃)： -3.4
CCP-3-1	8.0%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)： 3.7
CCY-3-O2	9.5%	ε_┴ (1 kHz，20℃)： 7
CCY-4-O2	5.5%	K₁ (20℃) [pN]： 14
CPY-3-O2	5.5%	K₃ (20℃) [pN]： 15.7
CY-3-O2	15%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]： 128
CY-5-O2	5.0%
CP-3-O1	7.0%
PY-3-O2	16%

H19 ：向列型主體混合物(Δε ＞ 0)

CC-4-V	10.0%	澄清點[℃]： 77.0
CC-5-V	13.5%	Δn (589 nm，20℃)： 0.113
PGU-3-F	6.50%	Δε (1 kHz，20℃)： 19.2
ACQU-2-F	10.0%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)： 23.8
ACQU-3-F	12.0%	ε_┴ (1 kHz，20℃)： 4.6
PUQU-3-F	11.0%	K₁ (20℃) [pN]： 11.5
CCP-V-1	12.0%	K₃ (20℃) [pN]： 11.1
APUQU-2-F	6.00%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]： 122
APUQU-3-F	7.00%	V₀ (20℃) [V]： 0.81
PGUQU-3-F	8.00%
CPGU-3-OT	4.00%

H20 ：向列型主體混合物(Δε ＞ 0)

PGU-2-F	3.50%	澄清點[℃]： 77.0
PGU-3-F	7.00%	Δn (589 nm，20℃)： 0.105
CC-3-V1	15.0%	Δε (1 kHz，20℃)： 7.2
CC-4-V	18.0%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)： 10.3
CC-5-V	20.0%	ε_┴ (1 kHz，20℃)： 3.1
CCP-V-1	6.00%	K₁ (20℃) [pN]： 15.3
APUQU-3-F	15.0%	K₃ (20℃) [pN]： 13.5
PUQU-3-F	5.50%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]： 63
PGP-2-4	3.00%	V₀ (20℃) [V]： 1.53
CPP-3-2	7.00%

H21 ：向列型主體混合物(Δε ＞ 0)

APUQU-2-F	6.00%	澄清點[℃]： 74.0
APUQU-3-F	12.0%	Δn (589 nm，20℃)： 0.120
PUQU-3-F	18.0%	Δε (1 kHz，20℃)： 17.4
CPGU-3-OT	9.00%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)： 22.0
CCGU-3-F	3.00%	ε_┴ (1 kHz，20℃)： 4.5
CPU-3-F	14.0%	K₁ (20℃) [pN]： 10.1
CCQU-3-F	10.0%	K₃ (20℃) [pN]： 10.8
CC-3-V	25.0%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]： 111
PGP-2-2V	3.00%	V₀ (20℃) [V]： 0.80

H22 ：向列型主體混合物(Δε ＞ 0)

PUQU-3-F	15.0%	澄清點[℃]： 74.3
APUQU-2-F	5.00%	Δn (589 nm，20℃)： 0.120
APUQU-3-F	12.0%	Δε (1 kHz，20℃)： 14.9
CCQU-3-F	11.0%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)： 19.1
CCQU-5-F	1.50%	ε_┴ (1 kHz，20℃)： 4.3
CPGU-3-OT	5.00%	K₁ (20℃) [pN]： 11.2
CPP-3-OT	4.50%	K₃ (20℃) [pN]： 10.8
CGU-3-F	10.0%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]： 98
PGP-2-3	1.50%	V₀ (20℃) [V]： 0.91
PGP-2-2V	8.00%
CC-3-V	26.5%

H23 ：向列型主體混合物(Δε ＞ 0)

CCQU-3-F	9.00%	澄清點[℃]： 94.5
CCQU-5-F	9.00%	Δn (589 nm，20℃)： 0.121
PUQU-3-F	16.0%	Δε (1 kHz，20℃)： 20.4
APUQU-2-F	8.00%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)： 24.7
APUQU-3-F	9.00%	ε_┴ (1 kHz，20℃)： 4.3
PGUQU-3-F	8.00%	K₁ (20℃) [pN]： 12.1
CPGU-3-OT	7.00%	K₃ (20℃) [pN]： 13.9
CC-4-V	18.0%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]： 163
CC-5-V	5.00%	V₀ (20℃) [V]： 0.81
CCP-V-1	6.00%
CCEPC-3-3	3.00%
PPGU-3-F	2.00%

H24 ：向列型主體混合物(Δε ＞ 0)

CC-3-V	28.50%	澄清點[℃]： 85.6
CCP-V-1	3.00%	Δn (589 nm，20℃)： 0.121
CCEPC-3-3	2.00%	Δε (1 kHz，20℃)： 19.5
PGU-2-F	4.00%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)： 23.8
CCQU-3-F	8.00%	ε_┴ (1 kHz，20℃)： 4.3
CCQU-5-F	6.00%	K₁ (20℃) [pN]： 11.6
CCGU-3-F	3.00%	K₃ (20℃) [pN]： 12.7
PUQU-2-F	2.00%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]： 126
PUQU-3-F	10.0%	V₀ (20℃) [V]： 0.81
APUQU-2-F	6.00%
APUQU-3-F	9.00%
PGUQU-3-F	5.00%
PGUQU-4-F	5.00%
PGUQU-5-F	4.00%
CPGU-3-OT	4.00%
PPGU-3-F	0.50%

H25 ：向列型主體混合物(Δε＜ 0)

CC-3-V1	9.00%	澄清點[℃]：	74.6
CC-3-O1	3.50%	Δn (589 nm，20℃)：	0.0984
CC-3-4	8.00%	Δε (1 kHz，20℃)：	-3.6
CC-3-5	8.00%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)：	3.6
CCP-3-1	6.00%	ε_┴ (1 kHz，20℃)：	7.1
CCY-3-O1	6.50%	K₁ (20℃) [pN]：	14.1
CCY-3-O2	12.5%	K₃ (20℃) [pN]：	17
CPY-3-O2	10.0%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]：	119
CY-3-O2	15.5%	V₀ (20℃) [V]：	2.31
CP-3-O1	8.5%
PY-3-O2	12.5%

H26 ：向列型主體混合物(Δε＜ 0)

CC-3-5	9.50%	澄清點[℃]：	79.1
CC-5-O1	5.00%	Δn (589 nm，20℃)：	0.0911
CCY-2-1	9.50%	Δε (1 kHz，20℃)：	-3.6
CCY-3-1	10.5%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)：	3.5
CCY-3-O2	10.5%	ε_┴ (1 kHz，20℃)：	7.1
CCY-5-O2	9.50%	K₁ (20℃) [pN]：	14.6
CPY-2-O2	12.0%	K₃ (20℃) [pN]：	14.5
CY-3-O4	9.00%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]：	178
CY-5-O4	11.0%	V₀ (20℃) [V]：	2.12
CP-5-3	13.5%

H27 ：向列型主體混合物(Δε＜ 0)

CC-3-V	37.5%	澄清點[℃]：	74.8
CC-3-V1	2.00%	Δn (589 nm，20℃)：	0.0987
CCY-4-O2	14.5%	Δε (1 kHz，20℃)：	-2.9
CPY-2-O2	10.5%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)：	3.7
CPY-3-O2	9.5%	ε_┴ (1 kHz，20℃)：	6.6
CY-3-O2	15.0%	K₁ (20℃) [pN]：	12.2
CY-3-O4	4.50%	K₃ (20℃) [pN]：	13.4
PYP-2-4	5.50%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]：	92
PPGU-3-F	1.00%	V₀ (20℃) [V]：	2.28

H28 ：向列型主體混合物(Δε＜ 0)

CC-3-V	37.5%	澄清點[℃]：	75.4
CC-5-O1	2.00%	Δn (589 nm，20℃)：	0.1034
CCY-3-O2	12.0%	Δε (1 kHz，20℃)：	-3.3
CCY-3-O3	6.50%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)：	3.6
CPY-2-O2	12.0%	ε_┴ (1 kHz，20℃)：	6.9
CPY-3-O2	10.0%	K₁ (20℃) [pN]：	13.4
CY-3-O2	2.00%	K₃ (20℃) [pN]：	15
PY-3-O2	16.0%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]：	95
CP-3-O1	2.00%	V₀ (20℃) [V]：	2.24

H29 ：向列型主體混合物(Δε＜ 0)

CC-3-V	22.5%	澄清點[℃]：	74.8
CC-3-V1	9.75%	Δn (589 nm，20℃)：	0.1027
CC-1-3	0.75%	Δε (1 kHz，20℃)：	-3.2
CC-3-4	5.5%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)：	3.5
CC-3-5	4.00%	ε_┴ (1 kHz，20℃)：	6.8
CCY-3-O1	10%	K₁ (20℃) [pN]：	14.4
CCY-3-O2	12%	K₃ (20℃) [pN]：	15.2
CPY-2-O2	10%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]：
CPY-3-O2	2.0%	V₀ (20℃) [V]：	2.29
CY-3-O2	0.5%
PP-1-2V1	0.25%
PY-1-O4	4.25%
PY-3-O2	17%
PYP-2-3	1.5%

H30 ：向列型主體混合物(Δε＜ 0)

CPP-3-2	4.0%	澄清點[℃]：	74.6
CC-3-V	10%	Δn (589 nm，20℃)：	0.099
CC-3-V1	8.5%	Δε (1 kHz，20℃)：	-3.4
CC-3-4	4.5%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)：	3.6
CC-3-5	8.0%	ε_┴ (1 kHz，20℃)：	7
CCP-3-1	4.25%	K₁ (20℃) [pN]：	14.2
CCY-3-O1	6.5%	K₃ (20℃) [pN]：	15.9
CCY-3-O2	12.75%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]：	108
CCY-4-O2	6.0%	V₀ (20℃) [V]：	2.28
CY-3-O2	15.5%
CP-3-O1	2.0%
PY-3-O2	16%
PYP-2-3	2.0%

H31 ：向列型主體混合物(Δε＜ 0)

CC-3-V	15%	澄清點[℃]：	74.4
CC-3-V1	9.0%	Δn (589 nm，20℃)：	0.1086
CC-2-3	8.0%	Δε (1 kHz，20℃)：	-3.2
CC-3-4	7.5%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)：	3.5
CCY-3-O2	10%	ε_┴ (1 kHz，20℃)：	6.7
CCY-5-O2	8.0%	K₁ (20℃) [pN]：	14.3
CPY-2-O2	3.0%	K₃ (20℃) [pN]：	15.7
CPY-3-O2	8.5%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]：	102
CY-3-O2	7.0%	V₀ (20℃) [V]：	2.33
PY-3-O2	16%
PYP-2-3	8.0%

H32 ：向列型主體混合物(Δε＜ 0)

CPP-3-2	6.0%	澄清點[℃]：	75.2
CC-3-O1	4.0%	Δn (589 nm，20℃)：	0.1095
CC-3-4	9.0%	Δε (1 kHz，20℃)：	-3.1
CC-3-5	9.0%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)：	3.6
CCP-3-1	8.0%	ε_┴ (1 kHz，20℃)：	6.7
CCP-3-3	1.0%	K₁ (20℃) [pN]：	13.8
CCY-3-O2	12%	K₃ (20℃) [pN]：	16.5
CLY-3-O2	1.0%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]：	119
CPY-3-O2	11%	V₀ (20℃) [V]：	2.41
CY-3-O2	9.5%
CP-3-O1	11.5%
PY-3-O2	18%

H33 ：向列型主體混合物(Δε＜ 0)

CPP-3-2	3.0%	澄清點[℃]：	75.2
CC-3-V1	9.0%	Δn (589 nm，20℃)：	0.1098
CC-3-O1	2.5%	Δε (1 kHz，20℃)：	-3.1
CC-3-4	9.0%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)：	3.6
CC-3-5	9.0%	ε_┴ (1 kHz，20℃)：	6.7
CCP-3-1	7.5%	K₁ (20℃) [pN]：	14.6
CCP-V2-1	5.0%	K₃ (20℃) [pN]：	16.6
CCY-3-O2	4.0%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]：	114
CPY-2-O2	5.5%	V₀ (20℃) [V]：	2.43
CPY-3-O2	10.5%
CY-3-O2	15%
CP-3-O1	1.5%
PY-3-O2	18%
PPGU-3-F	0.5%

H34 ：向列型主體混合物(Δε＜ 0)

CPP-3-2	8.5%	澄清點[℃]：	74.7
CC-3-V1	9.0%	Δn (589 nm，20℃)：	0.1097
CC-3-O1	2.0%	Δε (1 kHz，20℃)：	-3.1
CC-3-4	9.0%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)：	3.5
CC-3-5	9.0%	ε_┴ (1 kHz，20℃)：	6.6
CCP-3-1	2.5%	K₁ (20℃) [pN]：	14.2
CCP-V2-1	5.0%	K₃ (20℃) [pN]：	16.6
CCY-3-O2	7.5%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]：	112
CLY-3-O2	1.0%	V₀ (20℃) [V]：	2.44
CPY-3-O2	10.5%
CY-3-O2	15%
CP-3-O1	3.0%
PY-3-O2	18%

H35 ：向列型主體混合物(Δε＜ 0)

B-2O-O5	4.0%	澄清點[℃]：	75
CPP-3-2	2.0%	Δn (589 nm，20℃)：	0.1094
CC-3-O1	5.0%	Δε (1 kHz，20℃)：	-3.1
CC-3-4	9.0%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)：	3.6
CC-3-5	9.0%	ε_┴ (1 kHz，20℃)：	6.7
CCP-3-1	8.0%	K₁ (20℃) [pN]：	13.9
CCP-3-3	5.0%	K₃ (20℃) [pN]：	16.4
CCY-3-O2	11.5%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]：	117
CLY-3-O2	1.0%	V₀ (20℃) [V]：	2.42
CPY-3-O2	10.5%
CY-3-O2	2.0%
CP-3-O1	15%
PY-3-O2	18%

H36 ：向列型主體混合物(Δε＜ 0)

CPP-3-2	7.5%	澄清點[℃]：	74.8
CC-3-V1	9.0%	Δn (589 nm，20℃)：	0.1098
CC-3-O1	1.5%	Δε (1 kHz，20℃)：	-3.1
CC-3-4	9.0%	ε_\|\|\|\| (1 kHz，20℃)：	3.5
CC-3-5	9.0%	ε_┴ (1 kHz，20℃)：	6.6
CCP-3-1	4.0%	K₁ (20℃) [pN]：	14.4
CCP-V2-1	5.0%	K₃ (20℃) [pN]：	16.6
CCY-3-O2	7.0%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]：	112
CPY-2-O2	2.0%	V₀ (20℃) [V]：	2.44
CPY-3-O2	10%
CY-3-O2	15%
CP-3-O1	3.0%
PY-3-O2	18%

H37 ：向列型主體混合物(Δε＜ 0)

CY-3-O2	10%	澄清點[℃]：	100
CY-3-O4	20%	Δn (589 nm，20℃)：	0.0865
CY-5-O4	20%	Δε (1 kHz，20℃)：	-5.4
CCY-3-O2	6.0%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)：	3.9
CCY-3-O3	6.0%	ε_┴ (1 kHz，20℃)：	9.3
CCY-4-O2	6.0%	K₁ (20℃) [pN]：	15.6
CCY-5-O2	6.0%	K₃ (20℃) [pN]：	16.6
CCZC-3-3	3.0%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]：	347
CCZC-3-5	3.5%	V₀ (20℃) [V]：	1.84
CCZC-4-3	3.5%
CCZC-4-5	3.5%
CCEPC-3-3	4.0%
CCEPC-3-4	4.5%
CCEPC-3-5	4.0%

H38 ：向列型主體混合物(Δε＜ 0)

Y-4O-O4	12.5%	澄清點[℃]：	105
CY-3-O4	5.0%	Δn (589 nm，20℃)：	0.0868
CY-5-O4	18%	Δε (1 kHz，20℃)：	-5.4
CCY-3-O1	4.0%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)：	4.2
CCY-3-O2	6.0%	ε_┴ (1 kHz，20℃)：	9.6
CCY-3-O3	6.0%	K₁ (20℃) [pN]：	16.7
CCY-4-O2	6.0%	K₃ (20℃) [pN]：	16.5
CCY-5-O2	6.0%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]：
CPY-3-O2	4.5%	V₀ (20℃) [V]：	1.85
CCZC-3-3	4.0%
CCZC-3-5	4.0%
CCZC-4-3	4.0%
CCZC-4-5	4.0%
CCOC-3-3	2.0%
CCOC-4-3	2.0%
CCEPC-3-3	4.0%
CCEPC-3-4	4.0%
CCEPC-3-5	4.0%

H39 ：向列型主體混合物(Δε＜ 0)

Y-4O-O4	3.0%	澄清點[℃]：	108
CY-3-O4	8.0%	Δn (589 nm，20℃)：	0.1096
CCY-3-O1	4.0%	Δε(1 kHz，20℃)：	-2.4
CCY-3-O2	6.0%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)：	3.2
CCY-3-O3	6.0%	ε_┴ (1 kHz，20℃)：	5.6
CPY-2-O2	8.0%	K₁ (20℃) [pN]：	16.3
CPY-3-O2	8.0%	K₃ (20℃) [pN]：	18.9
CP-3-O1	5.5%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]：
CC-4-V	15%	V₀ (20℃) [V]：	2.99
CC-3-V1	5.5%
CCP-V-1	13%
CCP-V2-1	13%
CPTP-3-O1	5.0%

H40 ：向列型主體混合物(Δε＜ 0)

CY-3-O4	16%	澄清點[℃]：	109
CCY-3-O1	4.0%	Δn (589 nm，20℃)：	0.0854
CCY-3-O2	6.0%	Δε (1 kHz，20℃)：	-2.3
CCY-3-O3	6.0%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)：	3.1
CCY-4-O2	6.0%	ε_┴ (1 kHz，20℃)：	5.4
CCY-5-O2	5.0%	K₁ (20℃) [pN]：	16.3
CC-3-O1	6.0%	K₃ (20℃) [pN]：	19.4
CC-4-V	15%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]：
CC-3-V1	6.0%	V₀ (20℃) [V]：	3.08
CCP-V-1	13%
CCP-V2-1	13%
CCEPC-3-3	4.0%

H41 ：向列型主體混合物(Δε＜ 0)

Y-4O-O4	10%	澄清點[℃]：	107
CY-3-O2	7.0%	Δn (589 nm，20℃)：	0.1104
CY-3-O4	15%	Δε (1 kHz，20℃)：	-6
CCY-3-O1	4.0%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)：	4.3
CCY-3-O2	6.0%	ε_┴ (1 kHz，20℃)：	10.3
CCY-3-O3	6.0%	K₁ (20℃) [pN]：	15.7
CCY-4-O2	6.0%	K₃ (20℃) [pN]：	19.1
CCY-5-O2	6.0%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]：
CPY-2-O2	9.0%	V₀ (20℃) [V]：	1.88
CPY-3-O2	9.0%
CCP-V-1	8.5%
CCEPC-3-3	4.0%
CCEPC-3-4	4.0%
CCEPC-3-5	3.5%
CGPC-3-3	2.0%

H42 ：向列型主體混合物(Δε＜ 0)

Y-4O-O4	10%	澄清點[℃]：	108
CY-3-O2	4.0%	Δn (589 nm，20℃)：	0.1403
CY-3-O4	15%	Δε (1 kHz，20℃)：	-6.4
CCY-3-O1	4.0%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)：	4.3
CCY-3-O2	6.0%	ε_┴ (1 kHz，20℃)：	10.7
CCY-3-O3	6.0%	K₁ (20℃) [pN]：	16.8
CCY-4-O2	6.0%	K₃ (20℃) [pN]：	20.5
CLY-3-O2	5.0%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]：
CPY-2-O2	5.0%	V₀ (20℃) [V]：	1.89
CPY-3-O2	5.0%
PTY-3-O2	10%
PTY-5-O2	10%
CCP-V-1	7.0%
CCP-V2-1	7.0%

H43 ：向列型主體混合物(Δε＜ 0)

Y-4O-O4	10%	澄清點[℃]：	109
CCY-3-O1	5.0%	Δn (589 nm，20℃)：	0.1405
PTY-3-O2	3.0%	Δε (1 kHz，20℃)：	-2
PTY-3-O2	10%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)：	3.4
PTY-5-O2	10%	ε_┴ (1 kHz，20℃)：	5.4
CP-3-O1	4.0%	K₁ (20℃) [pN]：	16.5
CC-4-V	15%	K₃ (20℃) [pN]：	19.9
CC-3-V1	8.0%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]：
CCP-V-1	13%	V₀ (20℃) [V]：	3.34
CCP-V2-1	13%
CPTP-3-1	4.5%
CPTP-3-2	4.5%

H44 ：向列型主體混合物(Δε＜ 0)

CY-3-O4	13%	澄清點[℃]：	107
CCY-3-O1	4.0%	Δn (589 nm，20℃)：	0.082
CCY-3-O2	5.0%	Δε (1 kHz，20℃)：	-2
CCY-3-O3	5.0%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)：	3
CCY-4-O2	5.0%	ε_┴ (1 kHz，20℃)：	5
CCY-5-O2	5.0%	K₁ (20℃) [pN]：	16.3
CC-3-O1	13%	K₃ (20℃) [pN]：	19.2
CC-4-V	12%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]：
CC-3-V1	6.0%	V₀ (20℃) [V]：	3.29
CCP-V-1	13%
CCP-V2-1	13%
CCZC-3-3	3.0%
CCEPC-3-3	3.0%

H45 ：向列型主體混合物(Δε＜ 0)

Y-4O-O4	5.0%	澄清點[℃]：	107
CY-3-O4	15%	Δn (589 nm，20℃)：	0.0821
CY-5-O4	14.5%	Δε (1 kHz，20℃)：	-4.5
CCY-3-O1	5.0%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)：	3.7
CCY-3-O2	6.0%	ε_┴ (1 kHz，20℃)：	8.2
CCY-3-O3	6.0%	K₁ (20℃) [pN]：	16
CCY-4-O2	6.0%	K₃ (20℃) [pN]：	17
CCY-5-O2	6.0%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]：
CC-4-V	8.5%	V₀ (20℃) [V]：	2.04
CCZC-3-3	3.0%
CCZC-3-5	3.0%
CCZC-4-3	3.0%
CCZC-4-5	3.0%
CCOC-3-3	4.0%
CCEPC-3-3	4.0%
CCEPC-3-4	4.0%
CCEPC-3-5	4.0%

H46 ：向列型主體混合物(Δε＜ 0)

B-2O-O5	4.0%	澄清點[℃]：	75
CPP-3-2	4.5%	Δn (589 nm，20℃)：	0.1095
CC-3-V1	9.0%	Δε (1 kHz，20℃)：	-3.1
CC-3-O1	3.0%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)：	3.6
CC-3-4	9.0%	ε_┴ (1 kHz，20℃)：	6.7
CC-3-5	9.0%	K₁ (20℃) [pN]：	14.5
CCP-3-1	8.0%	K₃ (20℃) [pN]：	16.7
CCP-V2-1	5.0%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]：	109
CCY-3-O2	6.0%	V₀ (20℃) [V]：	2.43
CPY-3-O2	10.5%
CY-3-O2	9.5%
CP-3-O1	4.5%
PY-3-O2	18%

H47 ：向列型主體混合物(Δε＜ 0)

B-2O-O5	4.0%	澄清點[℃]：	75.2
CPP-3-2	12%	Δn (589 nm，20℃)：	0.1101
CC-3-V1	9.0%	Δε (1 kHz，20℃)：	-3.1
CC-3-5	5.5%	ε_\|\| (1 kHz，20℃)：	3.6
CCP-3-1	5.5%	ε_┴ (1 kHz，20℃)：	6.7
CCP-V2-1	5.0%	K₁ (20℃) [pN]：	13
CCY-3-O2	4.0%	K₃ (20℃) [pN]：	16.3
CLY-3-O2	1.0%	γ₁ (20℃) [mPa∙s]：	121
CPY-2-O2	2.5%	V₀ (20℃) [V]：	2.39
CPY-3-O2	10.5%
CY-3-O2	15%
CY-3-O4	11%
CP-3-O1	15%

混合物實例之一般程序 藉由向上述向列型主體混合物H1至H47中之任一者中添加合成實例之可聚合化合物(例如，RM-1至RM-5，0.3%)及一或多種選自表D之用於垂直配向(SA)之自配向添加劑(例如，SA-20，1.0%)來製備可聚合混合物。出於比較目的，藉由添加0.3%之可聚合芳族單體RM-C1至向列型LC主體中之任一者中來製備可聚合混合物，其含有或不含有自配向添加劑。

下表中顯示個別可聚合混合物之組成。其中「P」表示根據本發明之可聚合混合物及「C」表示比較混合物。

混合物實例 1 ：可聚合混合物 P1 藉由添加可聚合化合物RM-1 (0.30 %)及自配向添加劑SA-20 至向列型LC主體混合物H1中來製備根據本發明之可聚合混合物P1。

比較混合物實例：可聚合混合物 C1 出於比較目的，藉由用比較單體RM-C1 替換可聚合化合物來製備可聚合混合物C1，該比較單體具有聯苯核心且無側取代基。

可聚合混合物中之RM之濃度各為0.3重量%。表1中顯示個別可聚合混合物之組成。表1.包含液晶LC組分B) (LC 主體 )、可聚合化合物(RM )及自配向添加劑(SA ，可聚合)之混合物：

混合物編號	C1	P1
LC 主體	H1	H1
RM	RM-C1	RM-1
重量 % RM	0.30	0.30
SA	SA-20	SA-20
重量 % SA	0.82	0.82

使用實例 將個別可聚合混合物填充至PSA測試單元中，該RM在施加電壓下聚合，及量測如殘餘RM含量、在背光應力下之VHR、傾斜角產生及傾斜角穩定性之若干性質。

電壓保持率 (VHR) 爲了量測VHR，將可聚合混合物填充至電光測試單元中，該等測試單元由兩個具有約20 nm厚之ITO層的無鹼玻璃基板組成。

在照明之前及之後，在60℃下，利用施加1 V/60 Hz之電壓量測VHR。在UV聚合製程之前及之後及視情況在6天之背光應力後測定VHR。用於VHR量測之UV製程：在40℃下，金屬鹵化物燈(100 mW/cm³ ，利用320 nm截止濾波器持續120分鐘)。背光應力：在40℃下在高功率背光下方儲存。

根據以下表示基於RM-C1 之不同RM之間之VHR的差異：ΔVHR = VHR _RM - VHR _RM-C1

正值對應於相對於參考RM-C1之VHR之提高，負值表示相對於參考之VHR之減少。

結果示於表3中。表 3. 樣品與含有參考 RM-C1 之混合物之間之 VHR 值的差異：

	ΔVHR (%)
混合物	在UV製程照明之前	在UV製程後	於2天背光後
P1	0.8	-0.2	0.1

自表3可看出根據本發明之RM-1能維持參考RM-C1之VHR水平。

傾斜角產生 爲了量測傾斜角產生，將可聚合混合物填充至電光測試單元中，該等測試單元由塗覆有約200 nm厚之ITO電極層而不含VA聚醯亞胺配向層之兩個鈉鈣玻璃基板製得。單元間隙係約4 µm。

在40℃下，將測試單元藉由MH-燈(UV-Cube 2000 )使用320 nm長通濾波器(N-WG320)及100 mW/cm²之光強度與施加24V_RMS 之方形電壓(交流電流，1 khz)照明，其引起RM聚合及傾斜角產生。照明時間於各自表中提供。於12小時之時間段後使用來自Axometrics之Mueller矩陣旋光儀「AxoScan」量測產生之傾斜。結果示於表4中。

表 4. 傾斜角產生：

混合物	UV 時間 / 分鐘	0	2
C1	傾斜/ °	90	81
P1	90	84

自表4可看出於具有根據本發明之RM-1 之LC主體H1中，傾斜角產生導致84°之所需傾斜角(偏離垂直方向6°)，而比較傾斜角為偏離垂直9°，其已稍微超出最佳範圍。

傾斜穩定性 如上所述產生傾斜角。

然後在25℃下將該等單元用10 V_RMS 之方形波在1 kHz頻率下電加壓48小時。於10至20分鐘之弛豫時間後，再次量測傾斜角。結果根據下列方程式示於下表5中：傾斜 _於應力後 –傾斜 _{於傾斜產生後} =Δ - 傾斜

此值越接近於0，則產生之傾斜就越穩定。高傾斜穩定性亦為顯示器之減少之圖像殘留的指示劑。表 5. 傾斜穩定性：

混合物	Δ傾斜/ °
P1	0.5
C1	0.5

自表5可看出利用RM-1 產生之傾斜與比較RM-C1 一樣穩定。

總之，以上結果證明根據本發明之RM使能快速UV固化與完全聚合，同時於UV處理後維持混合物之低離子含量及高VHR，且使能調整傾斜角產生與電應力後之高傾斜穩定性。

因此，根據本發明之包含RM及配向添加劑之LC介質與先前技術之LC介質相比顯示優越之整體性能。

Claims

一種液晶(LC)介質，其包含可聚合組分A)，該組分A)包括一或多種式I之可聚合化合物，液晶LC組分B)，該組分B)包括一或多種不可聚合液晶原性或液晶化合物，及一或多種式II之用於垂直配向之自配向添加劑其中式I及II經定義為： P-Sp-(A¹ -Z¹ )_a -(A² -Z² )_b -(A³ -Z³ )_c -(A⁴ -Z⁴ )_d -R I 其中該等個別基團彼此獨立地及每次出現時相同或不同地具有下列含義 P為可聚合基團， Sp為間隔基團或單鍵， A¹ 、A³ 為具有1至20個，較佳地1至12個C原子之環狀伸烷基，其中一或多個非相鄰CH₂ -基團視情況經-CR⁰ =CR⁰⁰ -、-C≡C-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-置換，置換方式為使得O原子及/或S原子彼此不直接連接，且其中一或多個H原子各視情況經F或Cl置換， A² 、A⁴ 為具有5至20個環原子之伸芳基或伸雜芳基，其視情況含有稠環，較佳地選自苯、吡啶及噻吩，其全部均視情況經一或多個基團L或P-Sp-取代， Z^1-4 為-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-OCH₂ -、-CH₂ O-、-SCH₂ -、-CH₂ S-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CF₂ S-、-SCF₂ -、-(CH₂ )_n1 -、-CF₂ CH₂ -、-CH₂ CF₂ -、-(CF₂ )_n1 -、-CH=CH-、-CF=CF-、-CH=CF-、-CF=CH-、-C≡C-、-CH=CH-CO-O-、-O-CO-CH=CH-、-CH₂ -CH₂ -CO-O-、-O-CO-CH₂ -CH₂ -、-CR⁰ R⁰⁰ -或單鍵， R⁰ 、R⁰⁰ 為H或具有1至12個C原子之烷基， R為P、P-Sp-、H、F、Cl、Br、I、-CN、-NO₂ 、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、SF₅ 或具有1至25個C原子之直鏈或分支鏈烷基，此外，其中，一或多個非相鄰CH₂ 基團可各彼此獨立地經-C(R⁰ )=C(R⁰⁰ )-、-C≡C-、-N(R⁰⁰ )-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-置換，置換方式為使得O及/或S原子彼此不直接連接，且此外，其中，一或多個H原子可經F、Cl、Br、I、CN、P或P-Sp-置換， L為F、Cl、-CN、P-Sp-或具有1至25個C原子之直鏈、分支鏈或環狀烷基，其中一或多個非相鄰CH₂ -基團視情況經-CR⁰ =CR⁰⁰ -、-C≡C-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-置換，置換方式為使得O原子及/或S原子彼此不直接連接，且其中一或多個H原子各視情況經P-Sp-、F或Cl置換， a、c為0、1、2或3，其中a+c ≥1， b、d為0或1，且 n1為1、2、3或4； MES-R^a II 其中 MES為包含兩個或更多個環之棒狀液晶原性基團，該等環彼此直接或間接連接或其彼此縮合，其視情況經取代且該液晶原性基團視情況另外經一或多個可聚合基團取代，該一或多個可聚合基團直接或經由間隔基團連接至MES，且 R^a 為位於棒狀液晶原性基團MES之末端位置中之極性錨定基團，其包含至少一個碳原子及至少一個選自-OH、-SH、-COOH、-CHO或一級或二級胺官能之基團且其視情況包含一或兩個可聚合基團P。
如請求項1之LC介質，其中式I中， -(A¹ -Z¹ )_a -(A² -Z² )_b -(A³ -Z³ )_c -(A⁴ -Z⁴ )_d -係選自下列式
其中該等苯環視情況進一步經一或多個如請求項1中所定義之基團L或P-Sp-取代。
如請求項1之LC介質，其中式I係選自下列子式：

其中P、Sp及L彼此獨立地且每次出現時相同或不同地具有如請求項1中所給定之含義中之一者， r為0、1、2、3或4，且 s為0、1、2或3。
如請求項3之LC介質，其中式I係選自下列子式：

。
如請求項1至3中任一項之LC介質，其中於式I中，P表示丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯。
如請求項1至4中任一項之LC介質，其中該LC介質不含UV光引發劑。
如請求項1至4中任一項之LC介質，其中該式II之自配向添加劑之該基團MES為包含兩個或更多個環之棒狀液晶原性基團，該等環均係芳族且彼此電子共軛，其彼此直接或間接地連接或其彼此縮合，其視情況經取代，且該液晶原性基團視情況另外經一或多個可聚合基團取代，該一或多個可聚合基團直接或經由間隔基團連接至MES。
如請求項1至4中任一項之LC介質，其中該用於垂直配向之自配向添加劑為式IIa R¹ -[A² -Z² ]_m -A¹ -R^a IIa 其中 A¹ 、A² 各彼此獨立地表示芳族、雜芳族、脂環或雜環基團，其亦可含有稠環，且其亦可經基團L¹ 或-Sp-P單取代或多取代， L¹ 於各情況下彼此獨立地表示F、Cl、Br、I、-CN、-NO₂ 、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)N(R⁰ )₂ 、-C(=O)R⁰ 、視情況經取代之甲矽烷基、視情況經取代之芳基或具有3至20個C原子之環烷基、或具有至多25個C原子之直鏈或分支鏈烷基、烯基、烷氧基、烷基羰基、烷氧羰基、烷基羰基氧基或烷氧羰基氧基，此外，其中，一或多個H原子可各經F或Cl置換， P表示可聚合基團， Sp表示間隔基團或單鍵， Z² 於各情況下彼此獨立地表示單鍵、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-OCO-、-O-CO-O-、-OCH₂ -、-CH₂ O-、-SCH₂ -、-CH₂ S-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CF₂ S-、-SCF₂ -、-(CH₂ )_n1 -、-CF₂ CH₂ -、-CH₂ CF₂ -、-(CF₂ )_n1 -、-CH=CH-、-CF=CF-、-C≡C-、-CH=CH-COO-、-OCO-CH=CH-、-(CR⁰ R⁰⁰ )_n1 -、-CH(-Sp-P)-、-CH₂ CH-(-Sp-P)-或-CH(-Sp-P)CH(-Sp-P)-， n1表示1、2、3或4， m表示1、2、3、4或5， R⁰ 於各情況下彼此獨立地表示具有1至12個C原子之烷基， R⁰⁰ 於各情況下彼此獨立地表示H或具有1至12個C原子之烷基； R¹ 彼此獨立地表示H、鹵素、具有1至25個C原子之直鏈、分支鏈或環狀烷基，此外，其中，一或多個非相鄰CH₂ 基團可各經-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-置換，置換方式為使得O及/或S原子彼此不直接連接且此外，其中，一或多個H原子可各經F或Cl置換，或為基團-Sp-P，且 R^a 表示如請求項1中所定義之極性錨定基團。
如請求項1至4中任一項之液晶介質，其中該自配向添加劑具有選自下列式之錨定基團R^a ，
或
其中 p表示1或2， q表示2或3， B表示經取代或未經取代之環系或稠環系， Y彼此獨立地表示-O-、-S-、-C(O)-、-C(O)O-、-OC(O)-、-NR¹¹ -或單鍵， o表示0或1， X¹ 彼此獨立地表示H、烷基、氟烷基、OH、NH₂ 、NHR¹¹ 、NR¹¹ ₂ 、OR¹¹ 、C(O)OH或-CHO，其中至少一個基團X¹ 表示選自-OH、-NH₂ 、NHR¹¹ 、C(O)OH及-CHO之基團， R¹¹ 表示具有1至12個C原子之烷基， Sp^a 、Sp^c 、Sp^d 各彼此獨立地表示間隔基團或單鍵，且 Sp^b 表示三價或四價基團。
如請求項1至4中任一項之液晶介質，其中該用於垂直配向之自配向添加劑係選自式II-A至II-D化合物，

其中R¹ 、R^a 、A² 、Z² 、Sp、P及L¹ 具有如針對如請求項8之式II所定義之含義， m為1、2、3或4，且 r1為0、1、2、3或4。
如請求項1至4中任一項之LC介質，其中其包含一或多種式CY及/或PY化合物：
其中該等個別基團具有下列含義： a表示1或2， b表示0或1，
表示
或
R¹ 及R² 各彼此獨立地表示具有1至12個C原子之烷基，此外，其中，一或兩個非相鄰CH₂ 基團可經-O-、-CH=CH-、-CO-、-O-CO-或-CO-O-置換，置換方式為使得O原子彼此不直接連接， Z^x 表示-CH=CH-、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-O-、-CH₂ -、-CH₂ CH₂ -或單鍵，較佳地單鍵， L^1-4 各彼此獨立地表示F、Cl、OCF₃ 、CF₃ 、CH₃ 、CH₂ F、CHF₂ 。
如請求項1至4中任一項之LC介質，其中其包含一或多種下式化合物：
其中該等個別基團具有下列含義：
表示
、
、
、
或
，
表示
或
， R³ 及R⁴ 各彼此獨立地表示具有1至12個C原子之烷基，此外，其中，一或兩個非相鄰CH₂ 基團可經-O-、-CH=CH-、-CO-、-O-CO-或-CO-O-置換，置換方式為使得O原子彼此不直接連接， Z^y 表示單鍵、-CH₂ CH₂ -、-CH=CH-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-COO-、-OCO-、-C₂ F₄ -或-CF=CF-。
如請求項1至4中任一項之LC介質，其中該等式I可聚合化合物經聚合。
一種製備如請求項1至13中任一項之LC介質之方法，其包括將如請求項1中所定義之液晶組分B)與一或多種如請求項1至6中任一項中所定義之式I化合物，及視情況與另外液晶化合物及/或添加劑混合的步驟。
一種LC顯示器，其包括如請求項1至13中任一項中所定義之LC介質。
如請求項15之LC顯示器，其為PSA顯示器。
如請求項15之LC顯示器，其為PS-VA、PS-UB-FFS、PS-posi-VA或聚合物穩定之SA-VA顯示器。
如請求項16或17之LC顯示器，其中其包括兩個基板，其中之至少一者係透光，在各基板上提供一電極或在該等基板中之僅一者上提供兩個電極，且如請求項1至13中任一項中所定義之LC介質層位於該等基板之間，其中該等可聚合化合物在該顯示器之該等基板之間經聚合。
一種製備如請求項18之LC顯示器之方法，其包括在該顯示器之該等基板之間提供如請求項1至13中任一項中所定義之LC介質並使該等可聚合化合物聚合的步驟。