TW202200766A

TW202200766A - 包含可聚合化合物的液晶介質

Info

Publication number: TW202200766A
Application number: TW110120904A
Authority: TW
Inventors: 莊敏慈; 陳依雯; 陳澤霖; 周光廷
Original assignee: 德商馬克專利公司
Priority date: 2020-06-10
Filing date: 2021-06-09
Publication date: 2022-01-01
Also published as: EP3926023B1; CN113293010A; EP3926023A1; CN113046096A

Abstract

本發明係關於液晶(LC)介質，其包含數種可聚合化合物及用於垂直配向之添加劑，如說明書或申請專利範圍中進一步規定。該等介質適用於LC顯示器，尤其適用於聚合物持續配向型LC顯示器中，同時省略習知配向層中之一或兩者。

Description

包含可聚合化合物的液晶介質

本發明係關於液晶(LC)介質，其包含數種可聚合化合物及用於垂直配向之添加劑，如說明書或隨附申請專利範圍中進一步規定。該等介質適用於LC顯示器中，尤其適用於聚合物持續配向型LC顯示器中，同時省略習知配向層中之一或兩者。

當前使用之液晶顯示器(LCD)模式中之一者係TN (「扭曲向列」)模式。然而，TN LCD具有對比度之強視角依賴性之缺點。

另外，已知所謂之VA (「垂直配向」)顯示器，其等具有更寬之視角。VA顯示器之LC單元含有LC介質層介於兩個透明電極之間，其中該LC介質通常具有負介電各向異性。在關閉狀態下，LC層之分子垂直於電極表面配向(垂面地)或具有傾斜之垂面配向。一經對兩個電極施加電壓，即發生LC分子平行於電極表面之重新配向。

亦已知所謂之IPS (「平面內切換」)顯示器，其等含有LC層介於兩個基板之間，其中該等兩個電極佈置於該等兩個基板中之僅一者上且較佳具有交錯、梳狀結構。一經對該等電極施加電壓，即藉此在其等之間產生具有平行於該LC層之顯著組分之電場。此引起LC分子在層平面中之重新配向。

此外，已報導所謂之FFS (「邊緣場切換」)顯示器(尤其參見S.H. Jung等人，Jpn. J. Appl. Phys.，第43卷，第3期，2004, 1028)，該等顯示器含有在相同基板上之兩個電極，該等電極中之一者以梳狀方式結構化且另一者未結構化。藉此產生強、所謂之「邊緣場」，即靠近電極邊緣之強電場，且在整個單元中，具有強垂直分量及亦強水平分量兩者之電場。FFS顯示器具有對比度之低視角依賴性。通常，FFS顯示器通常含有具有正介電各向異性之LC介質，及配向層(通常聚醯亞胺配向層)，其為該LC介質之分子提供平面配向。

FFS顯示器可以主動矩陣或被動矩陣顯示器操作。如從先前技術中已知，在主動矩陣顯示器之情況下，個別像素係通常藉由積體、非線性主動單元，諸如，例如，電晶體(例如薄膜電晶體(「TFT」))定址，而在被動矩陣顯示器之情況下，個別像素係通常藉由多路復用方法定址。

此外，已揭示FFS顯示器(參見S.H. Lee等人，Appl. Phys. Lett. 73(20), 1998, 2882-2883及S.H. Lee等人，Liquid Crystals 39(9), 2012, 1141-1148)，該等顯示器具有與FFS顯示器相似之電極設計及層厚度，但包含具有負介電各向異性之LC介質層而非具有正介電各向異性之LC介質。相較於具有正介電各向異性之LC介質，具有負介電各向異性之LC介質顯示具有更少傾斜及更多扭曲定向之更有利的指向矢定向，因此此等顯示器具有較高透射率。該等顯示器進一步包含配向層(通常聚醯亞胺配向層)，其提供在基板中之至少一者上且與該LC介質接觸並誘導該LC介質之LC分子之平面配向。此等顯示器亦稱為「超高亮度FFS (UB-FFS)」模式顯示器。此等顯示器需具有高可靠性之LC介質。

如下文中使用之術語「可靠性」意謂顯示器在一定時間內及不同應力負載(諸如輕負載、溫度、濕度、電壓)下之性能之品質，且包含顯示效應諸如影像殘留(區域及線影像殘留)、雲斑、汙漬(yogore)等，其等為熟習LC顯示器領域的技術人員知曉。通常使用電壓保持率(VHR)值作為用於分類可靠性之標準參數，VHR值係用於在測試顯示器中維持恆定電壓之量度。在其他因素中，高VHR係LC介質之高可靠性之先決條件。

在較新穎類型之VA顯示器中，LC分子之均勻配向僅限於LC單元內之複數個相對小之域。此等域之間可存在向錯，亦稱為傾斜域。相較於習知VA顯示器，具有傾斜域之VA顯示器具有更大的對比度及灰度之視角獨立性。另外，此類型顯示器製造起來更簡單，因為無需另外處理電極表面(諸如，例如，藉由摩擦)以達成分子在接通狀態下之均勻配向。相反，傾斜或預傾斜角之優先方向係藉由電極之特殊設計控制。

在所謂之MVA (「多域垂直配向」)顯示器中，此通常藉由具有引起局部預傾斜之突起之電極達成。因此，一經施加電壓，LC分子即在單元之不同指定區域中以不同方向平行於電極表面來配向。藉此達成「可控」切換，並防止形成干擾向錯線。儘管此佈置改良顯示器之視角，然而，其導致該顯示器透光度降低。MVA之進一步開發在僅一個電極側使用突起，而相對電極具有狹縫，其改良透光度。一經施加電壓，狹縫電極即在LC單元中產生不均勻電場，意謂仍達成可控切換。為進一步改良透光度，狹縫與突起之間的間隔可增加，但此進一步導致反應時間延長。在所謂之PVA (「圖案化VA」)顯示器中，顯示突起係完全多餘的，因為兩個電極藉助於相對側上之狹縫結構化，此導致對比度增加且透光度改良，但在技術上困難且使顯示器對機械影響(「輕敲」等)更敏感。然而，就許多應用(諸如，例如，監測器且尤其TV螢幕)而言，需縮短反應時間並改良該顯示器之對比度及亮度(透射率)。

進一步開發係所謂之PS (「聚合物持續」)或PSA (「聚合物持續配向」)型顯示器，其中有時亦使用術語「聚合物穩定」。在此等中，可將少量(例如0.3重量%，通常＜1重量%)之一或多種可聚合化合物(較佳可聚合單體化合物)添加至LC介質，並在將該LC介質填充至顯示器內後，使該等化合物原位聚合或交聯(通常藉由UV光聚合)，視需要同時對該顯示器之電極施加電壓。該聚合係在其中LC介質顯示液晶相之溫度下(通常在室溫下)進行。已證實將可聚合液晶原或液晶化合物(亦稱為反應性液晶原或「RM」)添加至LC混合物特別有用。

除非另有指示，否則當提及聚合物持續配向型顯示器時，下文中一般使用術語「PSA」，及當提及特定顯示器模式(諸如PS-VA、PS-TN及類似物)時，使用術語「PS」。

同樣，除非另有指示，否則當提及可聚合液晶原或液晶化合物時，下文中使用術語「RM」。

同時，PS(A)原理一直被用於各種習知LC顯示器模式中。因此，例如，已知PS-VA、PS-OCB、PS-IPS、PS-FFS、PS-UB-FFS及PS-TN顯示器。在PS-VA及PS-OCB顯示器之情況下，RM之聚合較佳在施加電壓之情況下發生，且在PS-IPS顯示器之情況下施加或不施加(較佳不施加)電壓。如可在測試單元中證實，PS(A)方法在該單元中導致預傾斜。在PS-OCB顯示器之情況下，例如，可穩定彎曲結構使得無需或可降低偏置電壓。在PS-VA顯示器之情況下，該預傾斜對反應時間具有積極影響。對於PS-VA顯示器，可使用標準MVA或PVA像素及電極佈局。另外，然而，亦可(例如)以僅一個結構化電極側且無突出控制，此顯著簡化生產並同時導致極佳對比度且導致極佳透光度。

PS-VA顯示器描述(例如)於EP 1 170 626 A2、US 6,861,107、US 7,169,449、US 2004/0191428 A1、US 2006/0066793 A1及US 2006/0103804 A1中。PS-OCB顯示器描述(例如)於T.-J- Chen等人，Jpn. J. Appl. Phys. 45, 2006, 2702-2704及S. H. Kim、L.-C. Chien，Jpn. J. Appl. Phys. 43, 2004, 7643-7647中。

在由誘導上文提及之預傾斜角之相分離且聚合之RM形成之層下方，習知PSA顯示器通常含有配向層(例如聚醯亞胺配向層)，該配向層在聚合物穩定步驟前提供LC分子之初始配向。

經摩擦之聚醯亞胺層已作為配向層使用很長時間。然而，摩擦過程引起許多問題，諸如雲斑、污染、靜電放電問題、碎屑等。一般而言，用於產生此聚醯亞胺層之工作量及成本相當大。因此，提出使用藉由光配向，或藉由將合適之添加劑添加至LC介質之自配向製備之聚醯亞胺層代替經摩擦之聚醯亞胺層。

另外，觀測到聚醯亞胺配向層與LC介質之某些化合物之不利相互作用通常導致顯示器之電阻降低。因此，合適且可用之LC化合物之數量顯著減少，代價為旨在藉由使用此等LC化合物改良顯示器參數(諸如視角依賴性、對比度及反應時間)。因此期望省略聚醯亞胺配向層。

對於一些顯示器模式，此係藉由將由自組裝機制原位誘導所需之垂面(垂直)配向之自配向劑或添加劑添加至LC介質達成。藉此可在該等基板中之一或兩者上省略配向層。此等顯示器模式亦稱為「自配向(self-aligned)」或「自配向(self-alignment)」 (SA)模式。

在SA模式顯示器中，將少量(通常0.1至2.5%)之自配向添加劑添加至LC介質。合適之自配向添加劑係(例如)具有有機核心基團(MES)及與其結合之一或多個極性錨定基團(R^a )之化合物，該等極性錨定基團可與基板表面相互作用，使得該基板表面上之添加劑配向並亦在LC分子中誘導所需配向。該有機核心基團較佳包含兩個環或環系統，該等環或環系統通常係經取代。較佳之自配向添加劑包含(例如)液晶原基團(MES)及以一或多個極性基團封端之直鏈或分支側鏈，該等極性基團(例如)選自羥基、羧基、胺基或硫醇基。該等自配向添加劑亦可含有一或多個可聚合基團，該等可聚合基團可在與PSA方法中使用之RM相似之條件下聚合。

方案：包含連接至可聚合基團P及錨定基團R^a 之液晶原核心基團MES之自配向添加劑。可採用數個P基團。作為一變化，其等中之一或多者可連接至錨定基團而非連接至液晶原核心基團。

迄今為止，已揭示SA-VA顯示器。適用於誘導垂直配向，尤其適用於SA-VA模式顯示器中之自配向添加劑揭示(例如)於US 2013/0182202 A1、US 2014/0838581 A1、US 2015/0166890 A1及US 2015/0252265 A1中。

自配向模式可與PSA模式組合使用。因此，用於此組合模式之顯示器中之LC介質含有一或多種RM及一或多種自配向添加劑。

與上文描述之習知LC顯示器一樣，PSA顯示器可以主動矩陣或被動矩陣顯示器操作。如從先前技術中已知，在主動矩陣顯示器之情況下，個別像素通常藉由積體、非線性主動單元(諸如，例如，電晶體(例如薄膜電晶體(「TFT」))定址，而在被動矩陣顯示器之情況下，個別像素通常藉由多路復用方法定址。

特別對於監測器及尤其TV應用，仍需LC顯示器之反應時間，但亦對比度及亮度(因此亦透射率)之最佳化。此處，PSA方法可提供顯著優勢。特別在PS-VA、PS-IPS、PS-FFS及PS-正-VA顯示器之情況下，可達成與測試單元中之可量測預傾斜相關之反應時間之縮短而對其他參數無顯著不利影響。

先前技術已提出，視需要經氟化之聯苯二丙烯酸酯或二甲基丙烯酸酯作為RM用於PSA顯示器中。

然而，出現的問題係，非所有由LC混合物及一或多種RM組成之組合均適用於PSA顯示器中，因為(例如)已建立不充分之傾斜或根本未建立傾斜，或因為(例如) VHR不足以用於TFT顯示器應用。另外，已發現，在用於PSA顯示器中時，從先前技術中已知的LC混合物及RM確實仍具有一些缺點。因此，非每一種可溶於LC混合物中之已知RM均適用於PSA顯示器中。另外，除在PSA顯示器中直接量測預傾斜外，通常難以找到適用於RM之選擇標準。若需藉助於UV光而無需添加光引發劑之聚合，則合適RM之選擇變得甚至更小，其對某些應用而言可為有利的。

用於垂直配向之自配向添加劑通常具有另外可聚合基團。可聚合RM及可聚合自配向添加劑之組合顯示具有其自身之一些效應，因為該RM之行為在該自配向添加劑之存在下可為不同的。

另外，LC主體混合物/RM之選定組合應具有盡可能最低之旋轉黏度且盡可能最佳之電性質。特定言之，其應具有盡可能最高之VHR。在PSA顯示器中，用UV光照射後之高VHR尤為必要，因為UV曝露係顯示器生產過程之必要部分，但在成品顯示器之操作期間亦作為正常曝露發生。

特定言之，將期望具有可用於PSA顯示器之新穎材料，該等材料產生適當之小傾斜角。此處，較佳材料係彼等相較於迄今為止已知的材料，在聚合相同曝露時間內產生更低傾斜角者，及/或通過使用該等材料可在較短曝露時間後已達成所需結果。因此，顯示器之生產時間(「節拍時間」)可縮短且生產過程之成本降低。然而，在與其他可聚合組分(諸如用於垂直配向之自配向添加劑)組合時，該傾斜角亦可變得過低。在此情況下，若需LC介質，則對傾斜產生行為進行甚至更多的調整。

生產PSA顯示器中之另一問題係殘餘量之未聚合RM之存在或移除，特定言之在用於在顯示器中產生預傾斜角之聚合步驟後。例如，此類型之未反應RM可不利影響該顯示器之性質，藉由(例如)在完成該顯示器後在操作期間以不受控制之方式聚合。

因此，從先前技術中已知的PSA顯示器通常顯示所謂之「影像殘留」或「殘像」之非所需效應，即LC顯示器中藉由臨時定址個別像素產生之影像甚至在此等像素中之電場關閉後或在其他像素已經定址後仍保持可見。

一方面，若使用具有低VHR之LC主體混合物，則可發生此「影像殘留」。日光或背光之UV組分可於其中引起LC分子之非所需分解反應，且因此引發離子或自由基雜質之產生。此等可積聚(特定言之)於電極或配向層處，其中該等雜質可降低有效施加電壓。在無聚合物組分之習知LC顯示器中亦可觀測到此效應。

另外，通常在PSA顯示器中觀測到由未聚合RM之存在引起之另外「影像殘留」效應。此處，由來自環境之UV光或由背光引發殘餘RM之不受控制聚合。在切換顯示器區域中，此在多次定址週期後改變傾斜角。因此，可發生切換區域中透射率之變化，而未切換區域中仍保持不變。

因此，在PSA顯示器之生產期間，期望盡可能完全地進行RM之聚合，且盡可能排除該顯示器中未聚合RM之存在或將其存在減少至最低。因此，需可進行或支持RM之高效且完全聚合之RM及LC混合物。另外，將期望殘餘RM量之可控反應。若相較於迄今為止已知的化合物，RM聚合更快且更有效，則此將更簡單。

使用用於垂直配向之自配向添加劑之自配向模式容許去除一或兩個習知配向層。然而，習知配向層之鈍化性質及光學性質亦經改變。為簡單起見，將期望在電極上具有相似行為(例如強鈍化性質及相似折射率(n))之自配向PSA系統。然而，當前RM在0.3%下通常不顯示與聚醯亞胺相似之性質。

然而，快速聚合通常與對UV輻射之高敏感性相關。由於UV輻射亦用於硬化面板邊緣處之面板密封材料，因此必須小心防止過早聚合之現象，尤其於接近該面板密封劑處。在此情況下，可發生不良配向或黑暗狀態下之小亮點。期望具有方法穩健之LC介質，其可自面板密封操作吸收合理程度之UV光。此外，該LC介質必須對接近面板邊緣之以雜質形式存在之痕量密封劑材料不敏感。

已在PSA顯示器之操作中觀測到之另一問題係預傾斜角之穩定性。因此，觀測到在顯示器製造期間藉由使如上文描述之RM聚合產生之預傾斜角不保持恆定但可在該顯示器在其操作期間經受電壓應力後惡化。此可負面影響顯示器性能，例如藉由增加黑態透射率並因此降低對比度。

待解決之另一問題係先前技術之RM確實通常具有高熔點，且在許多當前常見之LC混合物中確實僅顯示有限之溶解度，並因此經常趨向於從該混合物中自發結晶出來。另外，自發聚合之風險防止LC主體混合物升溫以溶解可聚合組分，意謂即使在室溫下仍需盡可能最佳之溶解度。另外，存在分離之風險，例如在將LC介質引入LC顯示器內時(層析效應)，此可極大地損害該顯示器之均質性。此藉由以下事實進一步增加：通常在低溫下引入該等LC介質以降低自發聚合之風險(參見上文)，其進一步不利影響溶解度。

先前技術中觀測到之另一問題係在LC顯示器(包括(但不限於) PSA型顯示器)中使用習知LC介質通常導致該顯示器中出現雲斑，尤其當在使用一滴注入(ODF)方法製造之顯示器單元中填充LC介質時。此現象亦稱為「ODF雲斑」。因此，期望提供幾乎不導致ODF雲斑之LC介質。

先前技術中觀測到之另一問題係用於PSA顯示器(包括(但不限於) PSA型顯示器)中之LC介質確實通常顯示高黏度，且因此，長切換時間。為降低該LC介質之黏度及切換時間，先前技術中已建議添加具有烯基之LC化合物。然而，觀測到含有烯基化合物之LC介質通常顯示可靠性及穩定性之降低，及VHR之降低(尤其在曝露於UV輻射後)。尤其用於PSA顯示器中，此係相當大之缺點，因為該PSA顯示器中RM之光聚合通常藉由曝露於UV輻射進行，其可在該LC介質中引起VHR下降。

因此，對PSA顯示器及用於此等顯示器中之LC介質及可聚合化合物仍存在較大需求，其等不顯示如上文描述之缺點，或僅在較小程度上顯示該等缺點，且具有經改良之性質。

特定言之，對PSA顯示器及用於此等PSA顯示器中之LC介質及可聚合化合物仍存在較大需求，其等在大工作溫度範圍的同時實現高比電阻，短反應時間，甚至在低溫下，及低臨限值電壓、低預傾斜角、多種灰度、高對比度及寬視角，在UV曝露後具有高可靠性及高VHR值，及在可聚合化合物之情況下，具有低熔點及在LC主體混合物中之高溶解度。在用於移動應用之PSA顯示器中，尤其期望具有顯示低臨限值電壓及高雙折射率之可用LC介質。

在先前技術中，已報導數種類型之RM用於PSA顯示器中，例如具有聯苯或三聯苯液晶原核心且與其結合之兩個或三個可聚合丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯基團之RM。顯示聯苯RM顯示有限之聚合速度但良好之可靠性參數，諸如高VHR或傾斜穩定性，而顯示三聯苯RM顯示快聚合速度但有限之可靠性參數。因此，期望具有顯示快聚合速度及良好之可靠性參數兩者之可用RM。

本發明係基於提供新穎之合適材料之目的，特定言之提供RM及包含其之LC介質，以用於PSA顯示器中，該等材料不具有上文指示之缺點或具有上文指示之缺點之程度降低。

特定言之，本發明係基於提供RM及包含其之LC介質之目的，以用於PSA顯示器中，較佳具有自配向模式，其等實現非常高之比電阻值、高VHR值、高可靠性、低臨限值電壓、短反應時間、高雙折射率，尤其在較長波長下顯示良好之UV吸收，實現該等RM之快速且完全之聚合，容許產生合適之傾斜角(較佳盡可能快)，即使在較長時間後及/或在UV曝露後仍實現預傾斜之高穩定性，在該顯示器中減少或阻止「亮點」、「影像殘留」及「ODF雲斑」之出現，及在該等RM之情況下，盡可能快速且完全地聚合，並在PSA顯示器中通常用作主體混合物之LC介質中顯示高溶解度。

本發明之另一目的係提供用於自配向模式之PSA顯示器中之RM，其等顯示快聚合速度且良好之可靠性參數(諸如高VHR或傾斜穩定性)。

本發明之另一目的係提供新穎RM，特定言之用於光學、電光及電子應用，及提供適用於製備其之方法及中間物。

此等目的已根據本發明由如本申請案中描述之材料及方法達成。特定言之，已意外發現，使用如下文中描述之式I及II之RM與式III之自配向添加劑之組合容許達成如上文提及之有利效應。

意外發現，在PSA顯示器中組合使用此等RM及包含其之LC介質，促進快速且完全之UV光聚合反應，特定言之在於300至380 nm之範圍內且尤其高於320 nm之較長UV波長下，甚至無需添加光引發劑，該反應導致快速產生合適且穩定之預傾斜角，避免出現亮點，在該顯示器中減少影像殘留及ODF雲斑，在UV光聚合後導致高可靠性及高VHR值，且可達成快速反應時間、低臨限值電壓及高雙折射率。

PSA顯示器通常在第一及第二固化步驟中固化。儘管該第一步驟使可聚合組分中之大部分在約10² s內固化，但第二較長步驟達成殘餘可聚合物質之完全消耗(約10³ s)。意外地，根據本發明之LC介質可使用在UV B型範圍(365 nm)內之光而非使用習知較短UV (313 nm)，尤其針對該第二固化步驟。藉由使用不同之燈，可節省大量投資及能量。

另外，根據本發明之RM具有低熔點，在廣泛範圍之LC介質中具有良好之溶解性，尤其在用於PSA用途之市售LC主體混合物中具有良好之溶解性，及低結晶傾向性。此外，該等RM在較長UV波長，特定言之在300至380 nm之範圍內之波長下顯示良好之吸收，且可快速並完全聚合，及在單元中殘留少量未反應之RM。

同樣，意外發現，根據本發明組合之RM兼具快聚合速度(其與三聯苯RM之聚合速度相似)及與聯苯RM相似之良好之可靠性參數。相較於當前最先進技術之RM，此導致優異整體性能。

WO 2009/030322 A1揭示基於具有兩個或三個丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯基團之聯苯結構之可聚合化合物。其未提及用於垂直配向之自配向添加劑，亦未涉及由本發明解決之亮點問題。

本發明係關於一種LC介質，其包含： - 可聚合組分A)，其包含一或多種可聚合化合物，較佳由該一或多種可聚合化合物組成，該等可聚合化合物中之至少一者係式I化合物，其等中之至少第二者係式II化合物，及至少第三者係用於垂直配向之式III可聚合自配向添加劑，及 - 液晶組分B) (下文中亦稱為「LC主體混合物)，其包含一或多種液晶原或液晶化合物，較佳由一或多種液晶原或液晶化合物組成。其中將該式定義為：

I 其中個別基團彼此獨立地且在每次出現時相同或不同地具有下列含義 P 可聚合基團， Sp 間隔基團或單鍵， R^L -CH₃ 、-C₂ H₅ 或-CH₂ CH₂ CH₃ ， r 獨立地係0、1或2， s 係0或1，及 L¹ 、L² 、L³ 獨立地係F、Cl或具有1至5個C原子之直鏈、分支鏈或環形烷基，其中一或多個不相鄰CH₂ 基團係視需要經-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-以使得O及/或S原子非彼此直接連接之方式置換，且其中一或多個H原子係各視需要經F或Cl置換，

II 其中該等個別基團彼此獨立地且在每次出現時相同或不同地具有下列含義 P 可聚合基團， Sp 間隔基團或單鍵， r 獨立地係0、1或2， s 係0或1，及 L¹ 、L² 獨立地係F、Cl或具有1至5個C原子之直鏈、分支鏈或環形烷基，其中一或多個不相鄰CH₂ 基團係視需要經-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-以使得O及/或S原子非彼此直接連接之方式置換，且其中一或多個H原子係各視需要經F或Cl置換， MES-R^a III 其中 MES 係包含彼此直接或間接連接或彼此縮合之兩個或更多個環之桿狀液晶原基團，該等環係視需要經取代且視需要另外經一或多個可聚合基團取代，該等基團係直接或經由間隔子連接至MES，及 R^a 係極性錨定基團，位於該桿狀液晶原基團MES之末端位置，該基團R^a 包含至少一個碳原子及至少一個選自-OH、-SH、-COOH、-CHO或一級胺或第二胺官能基之基團，且其視需要經一或兩個可聚合基團取代，該等可聚合基團係直接或經由間隔子連接至R^a ，其中MES或R^a 中之至少一者係經至少一個可聚合基團直接或經由間隔子取代。

根據本發明之LC介質之液晶組分B)在下文中亦稱為「LC主體混合物」，且較佳包含一或多種，較佳至少兩種液晶原或選自不可聚合之低分子量化合物(即非聚合化合物)之LC化合物。

本發明另外係關於如上文描述之LC介質或LC顯示器，其中使式I、II及III化合物，或組分A)之可聚合化合物聚合。

本發明另外係關於一種用於製備如上下文中描述之LC介質之方法，該方法包括以下步驟：將一或多種液晶原或LC化合物，或如上下文中描述之LC主體混合物或LC組分B)，與一或多種各具有式I、II及III之化合物，且視需要與其他LC化合物及/或添加劑混合。

本發明另外係關於根據本發明之LC介質在PSA顯示器中之用途，特定言之在含有LC介質之PSA顯示器中之用途，用於藉由使式I至III化合物在該PSA顯示器中(較佳在電場或磁場中)原位聚合而在該LC介質中產生傾斜角。

本發明另外係關於包含根據本發明之LC介質之LC顯示器，特定言之具有垂直配向之PSA顯示器，特別佳PS-VA、PS-UB-FFS或PS-正-VA顯示器。較佳地，本發明係關於包含一或多種各具有式I、II及III之化合物之LC顯示器。

本發明另外係關於根據本發明之LC介質在聚合物穩定型SA-VA顯示器中之用途，及係關於包含根據本發明之LC介質之聚合物穩定型SA-VA顯示器。

本發明另外係關於包含可藉由根據本發明之LC介質之聚合而獲得之聚合物之LC顯示器，其係較佳PSA顯示器，極佳PS-VA、PS-UB-FFS、PS-正-VA或聚合物穩定型SA-VA顯示器。

本發明另外係關於PSA型LC顯示器，其包含兩個基板及位於該等基板之間之包含如上下文中描述之LC介質之LC介質層，兩個基板中之至少一者係透光，在各基板上提供之一電極或在該等基板中之僅一者上提供之兩個電極，其中該等可聚合化合物在該顯示器之基板之間係聚合。

本發明另外係關於一種用於製造如上下文中描述之LC顯示器之方法，該方法包括以下步驟：在該顯示器之基板之間填充或以其他方式提供根據如上下文中描述之本發明之LC介質，並使該等可聚合化合物聚合。

根據本發明之PSA顯示器具有兩個電極，較佳呈透明層之形式，該等電極係施加至基板中之一或兩者。在一些顯示器中，例如在PS-VA、PS-OCB或聚合物穩定型SA-VA顯示器中，一個電極係施加至兩個基板中之各者。在其他顯示器中，例如在PS-正-VA或PS-IPS中，兩個電極係施加至該等兩個基板中之僅一者。

在一較佳實施例中，可聚合組分在LC顯示器中聚合，同時對該顯示器之電極施加電壓。

可聚合組分之可聚合化合物係較佳藉由光聚合，極佳藉由UV光聚合而聚合。

當用於垂直自配向PSA顯示器中時，根據本發明之LC介質顯示下列有利性質： -合適之傾斜產生，其在某一製程窗口內部， -快速聚合，其在UV方法後導致RM之最小殘餘物， -亮點之出現減少，其適用於無引發劑之UV處理， -UV方法後之高電壓保持率， -良好之傾斜穩定性， -足夠之耐熱穩定性， -足夠之低溫穩定性，防止結晶。

如本文中使用，術語「主動層」及「可切換層」意謂電光顯示器(例如LC顯示器)中之層，該層包含一或多個具有結構性及光學各向異性之分子(諸如，例如LC分子)，該等分子一經外部刺激(諸如電場或磁場)即改變其等定向，導致偏振或非偏振光之層的透射率改變。

如本文中使用，應瞭解術語「傾斜」及「傾斜角」意謂LC介質之LC分子相對於LC顯示器(此處較佳PSA顯示器)中之單元之表面的傾斜配向。此處，傾斜角表示LC分子之縱向分子軸(LC指向矢)與形成LC單元之平面平行之外板之表面之間的平均角度(＜90°)。此處，傾斜角之低值(即距離90°角之大偏差)對應於大傾斜。實例中給定適用於量測傾斜角之方法。除非另有指示，否則上下文中揭示之傾斜角值係與此量測方法相關。

如本文中使用，應瞭解術語「反應性液晶原」及「RM」意謂含有液晶原或液晶骨架及一或多個與其結合之官能基之化合物，該等官能基適用於聚合且亦稱為「可聚合基團」或「P」。

除非另有規定，否則應瞭解如本文中使用之術語「可聚合化合物」意謂可聚合單體化合物。

如本文中使用，應瞭解術語「低分子量化合物」意謂係單體及/或非藉由聚合反應製備之化合物，與「聚合化合物」或「聚合物」相反。

如本文中使用，應瞭解術語「不可聚合化合物」意謂不含有適用於在通常應用於RM之聚合之條件下聚合之官能基之化合物。

如本文中使用之術語「液晶原基團」為熟習此項技術者已知並描述於參考文獻中，且意謂由於其吸引及排斥相互作用之各向異性而基本上有助於在低分子量或聚合物質中引起液晶(LC)相之基團。含有液晶原基團之化合物(液晶原化合物)本身不一定必須具有LC相。液晶原化合物亦可能僅在與其他化合物混合後及/或在聚合後顯示LC相行為。典型之液晶原基團係(例如)剛性棒狀或盤狀單元。棒狀液晶原亦稱為桿狀液晶原，因為其等通常形成桿狀相(例如向列相或層列相)。在本發明中，液晶原較佳表示桿狀液晶原。關於液晶原或LC化合物使用之術語及定義之概述給定於Pure Appl. Chem. 2001, 73(5), 888及C. Tschierske、G. Pelzl、S. Diele，Angew. Chem. 2004, 116, 6340-6368中。

如本文中使用之術語「間隔基團」 (下文中亦稱為「Sp」)為熟習此項技術者已知且描述於參考文獻(參見，例如，Pure Appl. Chem. 2001, 73(5), 888及C. Tschierske、G. Pelzl、S. Diele，Angew. Chem. 2004, 116, 6340-6368)中。如本文中使用，術語「間隔基團(spacer group)」或「間隔子(spacer)」意謂可撓性基團(例如伸烷基)，該基團在可聚合液晶原化合物中連接液晶原基團及可聚合基團。

上下文中，

表示反式1,4-伸環己基環，及

表示1,4-伸苯基環。

在基團

中，兩個環原子之間顯示之單鍵可結合至苯環之任何自由位置。

上下文中，「有機基團」表示碳基或烴基。

「碳基」表示含有至少一個碳原子之單價或多價有機基團，其中此不含有其他原子(諸如，例如，-C≡C-)或視需要含有一或多個其他原子，諸如，例如，N、O、S、B、P、Si、Se、As、Te或Ge (例如羰基等)。術語「烴基」表示另外含有一或多個H原子及視需要一或多個雜原子(諸如，例如，N、O、S、B、P、Si、Se、As、Te或Ge)之碳基。

「鹵素」表示F、Cl、Br或I，較佳F或Cl。

-CO-、-C(=O)-及-C(O)-表示羰基，即

。

碳基或烴基可為飽和或不飽和基團。不飽和基團係(例如)芳基、烯基或炔基。具有多於3個C原子之碳基或烴基可為直鏈、分支鏈及/或環形的且亦可含有螺連接或縮合環。

術語「烷基」、「芳基」、「雜芳基」等亦包含多價基團，例如伸烷基、伸芳基、伸雜芳基等。

術語「芳基」表示芳族碳基或由其衍生之基團。術語「雜芳基」表示如上文定義之「芳基」，其含有一或多個雜原子，較佳選自N、O、S、Se、Te、Si及Ge。

較佳之碳基及烴基係具有1至40，較佳1至20，極佳1至12個C原子之視需要經取代之直鏈、分支鏈或環形烷基、烯基、炔基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基及烷氧基羰氧基、具有5至30，較佳6至25個C原子之視需要經取代之芳基或芳氧基、或具有5至30，較佳6至25個C原子之視需要經取代之烷基芳基、芳基烷基、烷基芳氧基、芳基烷氧基、芳基羰基、芳氧基羰基、芳基羰氧基及芳氧基羰氧基，其中一或多個C原子亦可經雜原子置換，該等雜原子較佳選自N、O、S、Se、Te、Si及Ge。

其他較佳之碳基及烴基係C₁ -C₂₀ 烷基、C₂ -C₂₀ 烯基、C₂ -C₂₀ 炔基、C₃ -C₂₀ 烯丙基、C₄ -C₂₀ 烷基二烯基、C₄ -C₂₀ 多烯基、C₆ -C₂₀ 環烷基、C₄ -C₁₅ 環烯基、C₆ -C₃₀ 芳基、C₆ -C₃₀ 烷基芳基、C₆ -C₃₀ 芳基烷基、C₆ -C₃₀ 烷基芳氧基、C₆ -C₃₀ 芳基烷氧基、C₂ -C₃₀ 雜芳基、C₂ -C₃₀ 雜芳氧基。

特別佳係C₁ -C₁₂ 烷基、C₂ -C₁₂ 烯基、C₂ -C₁₂ 炔基、C₆ -C₂₅ 芳基及C₂ -C₂₅ 雜芳基。

其他較佳之碳基及烴基係具有1至20，較佳1至12個C原子之直鏈、分支鏈或環形烷基，該等C原子未經取代或經F、Cl、Br、I或CN單取代或多取代且其中一或多個不相鄰CH₂ 基團可各彼此獨立地經-C(R^x )=C(R^x )-、-C≡C-、-N(R^x )-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-以使得O及/或S原子非彼此直接連接之方式置換。

R^x 較佳表示H、F、Cl、CN、具有1至25個C原子之直鏈、分支鏈或環形烷基鏈，其中另外一或多個不相鄰C原子可經-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-置換且其中一或多個H原子可經F或Cl置換，或表示具有6至30個C原子之視需要經取代之芳基或芳氧基、或具有2至30個C原子之視需要經取代之雜芳基或雜芳氧基。

較佳之烷基係(例如)甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、2-甲基丁基、正戊基、第二戊基、環戊基、正己基、環己基、2-乙基己基、正庚基、環庚基、正辛基、環辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、十二烷基、三氟甲基、全氟正丁基、2,2,2-三氟乙基、全氟辛基、全氟己基等。

較佳之烯基係(例如)乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環戊烯基、己烯基、環己烯基、庚烯基、環庚烯基、辛烯基、環辛烯基等。

較佳之炔基係(例如)乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、辛炔基等。

較佳之烷氧基係(例如)甲氧基、乙氧基、2-甲氧基乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基、2-甲基丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基、正十一烷氧基、正十二烷氧基等。

較佳之胺基係(例如)二甲基胺基、甲基胺基、甲基苯基胺基、苯基胺基等。

芳基及雜芳基可為單環或多環的，即其等可含有一個環(諸如，例如，苯基)或兩個或更多個環，該等環亦可稠合(諸如，例如，萘基)或共價結合(諸如，例如，聯苯)，或含有稠環及連接環之組合，雜芳基含有一或多個雜原子，較佳選自O、N、S及Se。

特別佳係具有6至25個C原子之單環、雙環或三環芳基及具有5至25個環原子之單環、雙環或三環雜芳基，其等視需要含有稠環且視需要經取代。此外，較佳係5、6或7員芳基及雜芳基，其中另外一或多個CH基團可經N、S或O以使得O原子及/或S原子非彼此直接連接之方式置換。

較佳之芳基係(例如)苯基、聯苯、三聯苯、[1,1’:3’,1’’]三聯苯-2’-基、萘基、蒽、聯萘、菲、9,10-二氫-菲、芘、二氫芘、䓛、苝、稠四苯、稠五苯、苯并芘、茀、茚、茚并茀、螺雙茀等。

較佳之雜芳基係(例如) 5員環，諸如吡咯、吡唑、咪唑、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、四唑、呋喃、噻吩、硒吩、噁唑、異噁唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、1,2,3-噁二唑、1,2,4-噁二唑、1,2,5-噁二唑、1,3,4-噁二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑，6員環，諸如吡啶、噠嗪、嘧啶、吡嗪、1,3,5-三嗪、1,2,4-三嗪、1,2,3-三嗪、1,2,4,5-四嗪、1,2,3,4-四嗪、1,2,3,5-四嗪，或縮合基團，諸如吲哚、異吲哚、吲哚嗪、吲唑、苯并咪唑、苯并三唑、嘌呤、萘并咪唑、菲并咪唑、吡啶咪唑、吡嗪咪唑、喹喔啉咪唑、苯并噁唑、萘噁唑、蒽噁唑、菲噁唑、異噁唑、苯并噻唑、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、喹啉、異喹啉、蝶啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、苯并異喹啉、吖啶、吩噻嗪、吩噁嗪、苯并噠嗪、苯并嘧啶、喹喔啉、吩嗪、萘啶、氮雜咔唑、苯并咔啉、菲啶、菲咯啉、噻吩并[2,3b]噻吩、噻吩并[3,2b]噻吩、二噻吩并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、苯并噻吩、苯并噻二唑噻吩，或此等基團之組合。

上下文中提及之芳基及雜芳基亦可經烷基、烷氧基、硫烷基、氟、氟烷基或另外芳基或雜芳基取代。

(非芳族)脂環族及雜環基團包含飽和環，即彼等僅含有單鍵者，及亦部分不飽和環，即彼等亦可含有多鍵者。雜環含有一或多個雜原子，較佳選自Si、O、N、S及Se。

(非芳族)脂環族及雜環基團可為單環，即僅含有一個環(諸如，例如，環己烷)，或多環，即含有複數個環(諸如，例如，十氫萘或二環辛烷)。特別佳係飽和基團。此外，較佳係具有5至25個環原子之單環、雙環或三環基團，其等視需要含有稠環且視需要經取代。此外，較佳係5、6、7或8員碳環基團，其中另外一或多個C原子可經Si置換及/或一或多個CH基團可經N置換及/或一或多個不相鄰CH₂ 基團可經-O-及/或-S-置換。

較佳之脂環族及雜環基團係(例如) 5員基團，諸如環戊烷、四氫呋喃、四氫噻喃、吡咯啶，6員基團，諸如環己烷、矽烷、環己烯、四氫吡喃、四氫噻喃、1,3-二噁烷、1,3-二噻烷、哌啶，7員基團，諸如環庚烷，及稠合基團，諸如四氫萘、十氫萘、茚烷、雙環[1.1.1]戊烷-1,3-二基、雙環[2.2.2]戊烷-1,4-二基、螺[3.3]庚烷-2,6-二基、八氫-4,7-甲橋茚烷-2,5-二基。

上文提及之環形基團之較佳取代基係例如促溶基團(諸如烷基或烷氧基)、吸電子基團(諸如氟、硝基或腈)或用於增加聚合物之玻璃轉化溫度(Tg)之取代基，特定言之巨大基團(諸如，例如，第三丁基或視需要經取代之芳基)。

上文提及之環形基團之較佳取代基(下文中亦稱為「L^S 」)係(例如) F、Cl、Br、I、-CN、-NO₂ 、-NCS、-C(=O)N(R^x )₂ 、-C(=O)Y¹ 、-C(=O)R^x 、-N(R^x )₂ 、各具有1至25個C原子之直鏈或分支鏈烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基(其中一或多個H原子可視需要經F或Cl置換)、具有1至20個Si原子之視需要經取代之矽基、或具有6至25，較佳6至15個C原子之視需要經取代之芳基，其中R^x 表示H、F、Cl、CN、或具有1至25個C原子之直鏈、分支鏈或環形烷基，其中一或多個不相鄰CH₂ 基團係視需要經-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-以使得O及/或S原子非彼此直接連接之方式置換，且其中一或多個H原子係各視需要經F、Cl、P-或P-Sp-置換，及 Y¹ 表示鹵素。

「經取代之矽基或芳基」較佳意謂經鹵素、-CN、R⁰ 、-OR⁰ 、-CO-R⁰ 、-CO-O-R⁰ 、-O-CO-R⁰ 或-O-CO-O-R⁰ 取代，其中R⁰ 表示H或具有1至20個C原子之烷基。

特別佳之取代基L^S 係(例如) F、Cl、CN、NO₂ 、CH₃ 、C₂ H₅ 、OCH₃ 、OC₂ H₅ 、COCH₃ 、COC₂ H₅ 、COOCH₃ 、COOC₂ H₅ 、CF₃ 、OCF₃ 、OCHF₂ 、OC₂ F₅ 、此外苯基。

其中L具有上文指示之含義中之一者。

可聚合基團P係適用於聚合反應，諸如，例如，自由基或離子鏈聚合、加聚或縮聚，或適用於聚合物類似反應，例如加成或縮合至主要聚合物鏈上之基團。特別佳係用於鏈聚合之基團，特定言之彼等含有C=C雙鍵或-C≡C-三鍵者，及適用於開環聚合之基團，諸如，例如，氧雜環丁烷或環氧基團。

較佳基團P係選自由以下組成之群：CH₂ =CW¹ -CO-O-、CH₂ =CW¹ -CO-、

、

、

、

、CH₂ =CW² -(O)_k3 -、CW¹ =CH-CO-(O)_k3 -、CW¹ =CH-CO-NH-、CH₂ =CW¹ -CO-NH-、CH₃ -CH=CH-O-、(CH₂ =CH)₂ CH-OCO-、(CH₂ =CH-CH₂ )₂ CH-OCO-、(CH₂ =CH)₂ CH-O-、(CH₂ =CH-CH₂ )₂ N-、(CH₂ =CH-CH₂ )₂ N-CO-、CH₂ =CW¹ -CO-NH-、CH₂ =CH-(COO)_k1 -Phe-(O)_k2 -、CH₂ =CH-(CO)_k1 -Phe-(O)_k2 -、Phe-CH=CH-、HOOC-、OCN-及W⁴ W⁵ W⁶ Si-，其中W¹ 表示H、F、Cl、CN、CF₃ 、苯基或具有1至5個C原子之烷基，特定言之H、F、Cl或CH₃ ，W² 及W³ 各彼此獨立地表示H或具有1至5個C原子之烷基，特定言之H、甲基、乙基或正丙基，W⁴ 、W⁵ 及W⁶ 各彼此獨立地表示Cl、具有1至5個C原子之氧雜烷基或氧雜羰基烷基，W⁷ 及W⁸ 各彼此獨立地表示H、Cl或具有1至5個C原子之烷基，Phe表示1,4-伸苯基，其視需要經一或多個如上文定義之基團L (除P-Sp-外)取代，k₁ 、k₂ 及k₃ 各彼此獨立地表示0或1，k₃ 較佳表示1，及k₄ 表示1至10之整數。

極佳之基團P係選自由以下組成之群：CH₂ =CW¹ -CO-O-、CH₂ =CW¹ -CO-、

、

、CH₂ =CW² -O-、CH₂ =CW² -、CW¹ =CH-CO-(O)_k3 -、CW¹ =CH-CO-NH-、CH₂ =CW¹ -CO-NH-、(CH₂ =CH)₂ CH-OCO-、(CH₂ =CH-CH₂ )₂ CH-OCO-、(CH₂ =CH)₂ CH-O-、(CH₂ =CH-CH₂ )₂ N-、(CH₂ =CH-CH₂ )₂ N-CO-、CH₂ =CW¹ -CO-NH-、CH₂ =CH-(COO)_k1 -Phe-(O)_k2 -、CH₂ =CH-(CO)_k1 -Phe-(O)_k2 -、Phe-CH=CH-及W⁴ W⁵ W⁶ Si-，其中W¹ 表示H、F、Cl、CN、CF₃ 、苯基或具有1至5個C原子之烷基，特定言之H、F、Cl或CH₃ ，W² 及W³ 各彼此獨立地表示H或具有1至5個C原子之烷基，特定言之H、甲基、乙基或正丙基，W⁴ 、W⁵ 及W⁶ 各彼此獨立地表示Cl、具有1至5個C原子之氧雜烷基或氧雜羰基烷基，W⁷ 及W⁸ 各彼此獨立地表示H、Cl或具有1至5個C原子之烷基，Phe表示1,4-伸苯基，k₁ 、k₂ 及k₃ 各彼此獨立地表示0或1，k₃ 較佳表示1，及k₄ 表示1至10之整數。

極特別佳之基團P係選自由以下組成之群：CH₂ =CW¹ -CO-O-，特定言之CH₂ =CH-CO-O-、CH₂ =C(CH₃ )-CO-O-及CH₂ =CF-CO-O-，此外CH₂ =CH-O-、(CH₂ =CH)₂ CH-O-CO-、(CH₂ =CH)₂ CH-O-、

及

。

其他較佳可聚合基團P係選自由以下組成之群：乙烯氧基、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、氟丙烯酸酯、氯丙烯酸酯、氧雜環丁烷及環氧化物，最佳甲基丙烯酸酯。

若間隔基團Sp不同於單鍵，則其較佳為式Sp"-X"，使得各別基團P-Sp-符合式P-Sp"-X"-，其中： Sp" 表示具有1至20，較佳1至12個C原子之直鏈或分支鏈伸烷基，其視需要經F、Cl、Br、I或CN單取代或多取代，且其中另外一或多個不相鄰CH₂ 基團可各彼此獨立地經-O-、-S-、-NH-、-N(R⁰ )-、-Si(R⁰ R⁰⁰ )-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-S-CO-、-CO-S-、-N(R⁰⁰ )-CO-O-、-O-CO-N(R⁰ )-、-N(R⁰ )-CO-N(R⁰⁰ )-、-CH=CH-或-C≡C-以使得O及/或S原子非彼此直接連接之方式置換， X" 表示-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-CO-N(R⁰ )-、-N(R⁰ )-CO-、-N(R⁰ )-CO-N(R⁰⁰ )-、-OCH₂ -、-CH₂ O-、-SCH₂ -、-CH₂ S-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CF₂ S-、-SCF₂ -、-CF₂ CH₂ -、-CH₂ CF₂ -、-CF₂ CF₂ -、-CH=N-、-N=CH-、-N=N-、-CH=CR⁰ -、-CY² =CY³ -、-C≡C-、-CH=CH-CO-O-、-O-CO-CH=CH-或單鍵， R⁰ 及R⁰⁰ 各彼此獨立地表示H或具有1至20個C原子之烷基，及 Y² 及Y³ 各彼此獨立地表示H、F、Cl或CN。

X"係較佳-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-COO-、-CO-NR⁰ -、-NR⁰ -CO-、-NR⁰ -CO-NR⁰⁰ -或單鍵。

典型之間隔基團Sp及-Sp"-X"-係(例如) -(CH₂ )_p1 -、-(CH₂ )_p1 -O-、-(CH₂ )_p1 -O-CO-、-(CH₂ )_p1 -CO-O-、-(CH₂ )_p1 -O-CO-O-、-(CH₂ CH₂ O)_q1 -CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH₂ -S-CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH₂ -NH-CH₂ CH₂ -或-(SiR⁰ R⁰⁰ -O)_p1 -，其中p1係1至12之整數，q1係1至3之整數，且R⁰ 及R⁰⁰ 具有上文指示之含義。

特別佳之基團Sp及-Sp"-X"-係-(CH₂ )_p1 -、-(CH₂ )_p1 -O-、-(CH₂ )_p1 -O-CO-、-(CH₂ )_p1 -CO-O-、-(CH₂ )_p1 -O-CO-O-，其中p1及q1具有上文指示之含義。

在各情況下，特別佳之基團Sp"係直鏈、伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸戊基、伸己基、伸庚基、伸辛基、伸壬基、伸癸基、伸十一烷基、伸十二烷基、伸十八烷基、伸乙基氧基伸乙基、亞甲基氧基伸丁基、伸乙基硫伸乙基、伸乙基-N-甲基亞胺基伸乙基、1-甲基伸烷基、伸乙烯基、伸丙烯基及伸丁烯基。

在本發明之一項實施例中，式I或II及其子式化合物含有經一或多個可聚合基團P取代之間隔基團Sp，使得基團Sp-P對應於Sp(P)_s ，及s係≥2 (分支鏈可聚合基團)。

根據此實施例之較佳式I化合物係彼等其中s係2者，即含有基團Sp(P)₂ 之化合物。根據此較佳實施例之極佳式I化合物含有選自下式之基團：

其中P係如式I中定義， alkyl 表示單鍵或具有1至12個C原子之直鏈或分支鏈伸烷基，其係未經取代或經F、Cl或CN單取代或多取代，且其中一或多個不相鄰CH₂ 基團可各彼此獨立地經-C(R⁰ )=C(R⁰ )-、-C≡C-、-N(R⁰ )-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-以使得O及/或S原子非彼此直接連接之方式置換，其中R⁰ 具有上文指示之含義， aa及bb 各彼此獨立地表示0、1、2、3、4、5或6， X 具有針對X"指示之含義中之一者，且係較佳O、CO、SO₂ 、O-CO-、CO-O或單鍵。

較佳之間隔基團Sp(P)₂ 係選自式S1、S2及S3。

極佳之間隔基團Sp(P)₂ 係選自下列子式：

在如上下文中描述之式I、II或III及其子式化合物中，P係較佳選自由以下組成之群：乙烯氧基、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、氟丙烯酸酯、氯丙烯酸酯、氧雜環丁烷及環氧化物，最佳選自丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯。

其他較佳係如上下文中描述之式I、II或III及其子式化合物，其中該化合物中存在之所有可聚合基團P具有相同含義，且極佳表示丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯，最佳甲基丙烯酸酯。

在如上下文中描述之式I、II或III及其子式化合物中，R較佳表示P-Sp-。

其他較佳係如上下文中描述之式I、II或III及其子式化合物，其中Sp表示單鍵或-(CH₂ )_p1 -、-O-(CH₂ )_p1 -、-O-CO-(CH₂ )_p1 或-CO-O-(CH₂ )_p1 ，其中p1係2、3、4、5或6，且若Sp係-O-(CH₂ )_p1 -、-O-CO-(CH₂ )_p1 或-CO-O-(CH₂ )_p1 ，則O原子或CO基團分別連接至苯環。

其他較佳係如上下文中描述之式I、II或III及其子式化合物，其中基團Sp中之一或多者不同於單鍵，且其中Sp不為單鍵，Sp係較佳選自-(CH₂ )_p1 -、-O-(CH₂ )_p1 -、-O-CO-(CH₂ )_p1 或-CO-O-(CH₂ )_p1 ，其中p1係2、3、4、5或6，且若Sp係-O-(CH₂ )_p1 -、-O-CO-(CH₂ )_p1 或-CO-O-(CH₂ )_p1 ，則O原子或CO基團分別連接至苯環。

較佳之式I化合物係選自下式：

其中 P 係可聚合基團，較佳甲基丙烯酸酯基團， Sp 間隔基團，及 L¹ 、L³ 獨立地係如針對上文式I定義。

極佳之式I化合物係選自下列子式：

較佳之式II化合物係選自下式：

其中P、L¹ 及L² 係如針對式II定義，及 Sp 係間隔基團。

極佳之式II化合物係選自下列子式：

較佳之式I或II及其等子式化合物係選自下列較佳實施例，包括其任何組合： - 該化合物中之所有基團P具有相同含義， - P係選自由以下組成之群：丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯及氧雜環丁烷，極佳丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯， - P係甲基丙烯酸酯， - r = 0及s = 0， - R^L 係甲基或乙基，較佳甲基， - 式I中之所有基團Sp均為單鍵， - 當不同於單鍵時，Sp係-(CH₂ )_p2 -、-(CH₂ )_p2 -O-、-(CH₂ )_p2 -CO-O-、-(CH₂ )_p2 -O-CO-，其中p2係2、3、4、5或6，且O原子或CO基團分別連接至苯環， - Sp係單鍵或表示選自-(CH₂ )_p2 -、-(CH₂ )_p2 -O-、-(CH₂ )_p2 -CO-O-及-(CH₂ )_p2 -O-CO-之間隔基團，其中p2係2、3、4、5或6，且O原子或CO基團分別連接至苯環，及 - L¹ 表示F、Cl或CH₃ 。

在本發明之一較佳實施例中，LC介質包含一或多種，較佳一或兩種，用於垂直配向之式III自配向添加劑。

自配向添加劑可在與PSA方法中應用於RM相似之條件下在LC介質中聚合。通常，其等將在PSA方法中與RM同時聚合。

適用於誘導垂面配向，尤其適用於SA-VA模式顯示器中之SA添加劑揭示(例如)於US 2013/0182202、A1、US 2014/0838581 A1、US 2015/0166890 A1及US 2015/0252265 A1中。

在式III中，基團MES較佳係選自下列結構之基團，其可經取代基L¹ 及-Sp-P中之任一者單取代或多取代：

其中 L¹ 在各情況下，彼此獨立地表示F、Cl、Br、I、-CN、-NO₂ 、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)N(R⁰ )₂ 、-C(=O)R⁰ 、視需要經取代之矽基、具有3至20個C原子之視需要經取代之芳基或環烷基、或具有多達25個C原子之直鏈或分支鏈烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基，其中另外一或多個H原子可各經F或Cl置換， P 表示可聚合基團，及 Sp 表示間隔基團或單鍵，且虛線指示極性錨定基團R^a 之結合點。

較佳地，用於垂直配向之自配向添加劑係選自式IIIa：

其中 A¹ 、A² 各彼此獨立地表示芳族、雜芳族、脂環族或雜環基團，其亦可含有稠環，且其亦可經基團L或-Sp-P單取代或多取代， L 在各情況下，彼此獨立地表示H、F、Cl、Br、I、-CN、-NO₂ 、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)N(R⁰ )₂ 、-C(=O)R⁰ 、視需要經取代之矽基、具有3至20個C原子之視需要經取代之芳基或環烷基、或具有多達25個C原子之直鏈或分支鏈烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基，其中另外一或多個H原子可各經F或Cl置換， P 表示可聚合基團， Sp 表示間隔基團或單鍵， Z² 在各情況下，彼此獨立地表示單鍵、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-OCO-、-O-CO-O-、-OCH₂ -、-CH₂ O-、-SCH₂ -、-CH₂ S-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CF₂ S-、-SCF₂ -、-(CH₂ )_n1 -、-CF₂ CH₂ -、-CH₂ CF₂ -、-(CF₂ )_n1 -、-CH=CH-、-CF=CF-、-C≡C-、-CH=CH-COO-、-OCO-CH=CH-、-(CR⁰ R⁰⁰ )_n1 -、-CH(-Sp-P)-、-CH₂ CH(-Sp-P)-或-CH(-Sp-P)CH(-Sp-P)-， n1 表示1、2、3或4， m 表示1、2、3、4、5或6， R⁰ 在各情況下，彼此獨立地表示具有1至12個C原子之烷基， R⁰⁰ 在各情況下，彼此獨立地表示H或具有1至12個C原子之烷基， R¹ 彼此獨立地表示H、鹵素、具有1至25個C原子之直鏈、分支鏈或環形烷基，其中另外一或多個不相鄰CH₂ 基團可各經-C≡C-、-CH=CH-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-以使得O及/或S原子非彼此直接連接之方式置換，且其中另外一或多個H原子可各經F或Cl、或基團-Sp-P置換，及 R^a 係如上文定義，較佳表示進一步定義為具有至少一個選自-OH、-NH₂ 、NHR¹¹ 、C(O)OH及-CHO之基團之極性錨定基團，其中R¹¹ 表示具有1至12個C原子之烷基。

在本發明之一較佳實施例中，自配向添加劑係可聚合化合物，其具有至少一個可聚合基團P，更佳其中環元素A¹ 及A² 中之至少一者係經至少一個基團-Sp-P取代。

在另一較佳實施例中，根據本發明之LC介質或聚合物穩定型SA-VA顯示器含有一或多種選自下表D之自配向添加劑。

自配向添加劑之錨定基團R^a 更佳定義為： R^a 下式錨定基團：

其中 p 表示1或2， q 表示2、3或4， B 表示經取代或未經取代之環系統或稠環系統，較佳選自苯、吡啶、環己烷、二噁烷或四氫吡喃之環系統， Y 彼此獨立地表示-O-、-S-、-C(O)-、-C(O)O-、-OC(O)-、-NR¹¹ -或單鍵， o 表示0或1， X¹ 彼此獨立地表示H、烷基、氟烷基、OH、NH₂ 、NHR¹¹ 、NR¹¹ ₂ 、-PO(OR¹¹ )₂ 、-SO₂ R¹¹ 、OR¹¹ 、C(O)OH或-CHO，其中至少一個基團X¹ 表示選自-OH、-NH₂ 、NHR¹¹ 、-PO(OR¹¹ )₂ 、-SO₂ R¹¹ 、C(O)OH及-CHO之基團， Z¹ 獨立地-(CO)-CH₂ (CO)OCH₃ 、-(CO)-CH₂ (CO)-(C=CH₂ )-OCH₃ 、-(CO)-CH₂ (CO)-(CH=CH)-OCH₃ 、-(CO)-(CO)OCH₃ 、-CH₂ -(CO)-(CO)OCH₃ 、-(CO)-CH₃ 、-(CO)-CH₂ (CO)-(CH₂ CH₂ )-OCH₃ ， P 可聚合基團， R¹¹ 表示具有1至12個C原子之烷基， R¹² H、具有1至12個C原子之烷基、P或X¹ ， Sp^a 、Sp^c 、Sp^d 各彼此獨立地表示間隔基團或單鍵，及 Sp^b 表示三價或四價基團，較佳CH、N或C。

式III及IIIa視需要包括可聚合化合物。於本發明內，「包含式III/IIIa化合物之介質」係指包含該式III/IIIa化合物之介質，及或者係指以其聚合形式包含該化合物之介質。

針對一或多種式III化合物經一或多個可聚合基團(-Sp-P)取代之情況，根據本發明之LC介質包含： - 可聚合組分A)，其包含可聚合化合物，較佳由可聚合化合物組成，該等可聚合化合物中之至少一者係式I化合物及其等中之至少一者係式II化合物且其等中之至少一者係式III化合物， - 液晶組分B) (下文中亦稱為「LC主體混合物」)，其包含一或多種液晶原或液晶化合物，較佳由一或多種液晶原或液晶化合物組成。

在式IIIa及其子式化合物中，Z¹ 及Z² 較佳表示單鍵、-C₂ H₄ -、-CF₂ O-或-CH₂ O-。在一特別佳之實施例中，Z¹ 及Z² 各獨立地表示單鍵。

在式IIIa化合物中，在各情況下獨立地，基團L較佳表示F或烷基，較佳CH₃ 、C₂ H₅ 或C₃ H₇ 。

較佳之式III化合物由下列子式III-A至III-D闡述：

其中R¹ 、R^a 、A² 、Z² 、Sp及P具有如針對上文式IIIa定義之含義， L¹ 在上文式IIIa中獨立地定義為L， m 獨立地係1、2或3，及 r1 獨立地係0、1、2、3或4，較佳0、1或2。

在式III-A至III-D化合物中，L¹ 較佳表示F或烷基，較佳CH₃ 、C₂ H₅ 或C₃ H₇ 。

在一較佳實施例中，r2表示1及/或r1表示0。

式III、IIIa、III-A至III-D之可聚合基團P較佳係甲基丙烯酸酯、丙烯酸酯或另一經取代之丙烯酸酯，最佳甲基丙烯酸酯。

在上下文中，式IIIa或III-A至III-D及其等子式Z¹ 較佳獨立地表示單鍵或-CH₂ CH₂ -，及極特別佳單鍵。

R^a 較佳表示

或

其中p = 1、2、3、4、5或6， x = 1或0，較佳1，及 R²² 係H、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、正戊基或-CH₂ CH₂ -第三丁基，特定言之，-O(CH₂ )₂ -OH、-O(CH₂ )₃ -OH、

、

、

、

、

、

、

、

、

、

或

。

在式IIIa中及在式IIIa之子式中，R¹ 較佳表示具有1至8個C原子之直鏈烷基或分支鏈烷基，較佳直鏈烷基。在式IIIa或III-A至III-D化合物中，R¹ 更佳表示CH₃ 、C₂ H₅ 、正C₃ H₇ 、正C₄ H₉ 、正C₅ H₁₁ 、正C₆ H₁₃ 或CH₂ CH(C₂ H₅ )C₄ H₉ 。此外，R¹ 可表示烯氧基，特定言之OCH₂ CH=CH₂ 、OCH₂ CH=CHCH₃ 、OCH₂ CH=CHC₂ H₅ 或烷氧基，特定言之OC₂ H₅ 、OC₃ H₇ 、OC₄ H₉ 、OC₅ H₁₁ 及OC₆ H₁₃ 。特別佳之R¹ 表示直鏈烷基，較佳C₅ H₁₁ 。

式I、II及III及其子式之化合物及中間物可類似於熟習此項技術者已知及有機化學之標準著作，諸如，例如，Houben-Weyl, Methoden der organischen Chemie [Methods of Organic Chemistry], Thieme-Verlag, Stuttgart中描述之方法製備。

例如，式I及II化合物可藉由中間物(其中兩端上之基團Sp-P表示OH)之酯化或醚化，使用含有可聚合基團P之相應酸、酸衍生物或鹵化化合物合成。

例如，丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯可藉由相應之醇與酸衍生物(諸如，例如，(甲基)丙烯醯氯或(甲基)丙烯酸酐)在鹼(諸如吡啶或三乙胺，及4-(N,N-二甲基胺基)吡啶(DMAP))之存在下酯化進行製備。或者，該等酯可藉由醇與(甲基)丙烯酸在脫水劑之存在下酯化製備，例如根據Steglich用二環己基碳二亞胺(DCC)、N-(3-二甲基胺基丙基)-N’-乙基碳二亞胺(EDC)或N-(3-二甲基胺基丙基)-N’-乙基碳二亞胺鹽酸鹽及DMAP酯化製備。

實例中顯示其他合適之方法。

為生產PSA顯示器，藉由在LC介質中於該LC顯示器之基板之間原位聚合，視需要同時對電極施加電壓，使該LC介質中所含之可聚合化合物聚合或交聯(若一種化合物含有兩個或更多個可聚合基團)。

如開頭引用之先前技術中描述，根據本發明之PSA顯示器之結構對應於PSA顯示器之通常幾何形狀。無突出之幾何形狀較佳，特定言之彼等其中另外濾色器側上之電極未結構化且僅TFT側上之電極具有狹縫者較佳。用於PS-VA顯示器之特別合適且較佳之電極結構描述(例如)於US 2006/0066793 A1中。

本發明之一較佳PSA型LC顯示器包含： - 第一基板，其包括定義像素區域之像素電極及視需要配置於該像素電極上之第一配向層，該像素電極係連接至配置於各像素區域中之切換元件且視需要包括微狹縫圖案， - 第二基板，其包括共用電極層及視需要第二配向層，該共用電極層可配置於面向該第一基板之第二基板之整個部分上， - LC層，其配置於該第一與第二基板之間且包括根據如上下文中描述之本發明之LC介質，其中可聚合組分(A)亦可聚合。

介質中所含之自配向添加劑引發LC層之垂直配向(垂直於表面)或傾斜之垂直配向。

具有LC介質之LC層可藉由顯示器製造商習知使用之方法(例如所謂之一滴注入(ODF)方法或噴墨印刷)沈積於顯示器之基板之間。然後(例如)藉由UV光聚合使該LC介質之可聚合組分聚合。該聚合可以一個步驟或以兩個或更多個步驟進行。

PSA顯示器可包含其他元件，諸如濾色器、黑矩陣、鈍化層、光阻滯層、用於定址個別像素之電晶體元件等，其等均為熟習此項技術者熟知。

電極結構可由熟習此項技術者取決於個別顯示器類型設計。例如針對PS-VA顯示器，LC分子之多域定向可藉由提供具有狹縫及/或凸起或突起以產生二、四或更多種不同之傾斜配向方向之電極誘導。

一經聚合，可聚合化合物即形成交聯聚合物，此在LC介質中引起LC分子一定程度之預傾斜。不希望受特定理論之束縛，據信由可聚合化合物形成之交聯聚合物之至少一部分將自該LC介質相分離或沈澱並在基板或電極上形成聚合物層。顯微量測資料(諸如SEM及AFM)已證實，形成之聚合物中之至少一部分於LC/基板界面處積聚。

聚合可以一個步驟進行。亦可能在第一步驟中，首先進行聚合，視需要同時施加電壓，以產生預傾斜角，並接著在不施加電壓之第二聚合步驟中使第一步驟中未反應之化合物聚合或交聯(「末端固化」)。

合適且較佳之聚合方法係(例如)熱聚合或光聚合，較佳光聚合，特定言之UV誘導之光聚合，其可藉由使可聚合化合物曝露於UV輻射達成。

視需要將一或多種聚合引發劑添加至LC介質。適用於聚合之條件且引發劑之合適類型及量為熟習此項技術者已知且描述於參考文獻中。適用於自由基聚合的係(例如)市售光引發劑Irgacure651®、Irgacure184®、Irgacure907®、Irgacure369®或Darocure1173® (Ciba AG)。若採用聚合引發劑，則其比例係較佳0.001至5重量%，特別佳0.001至1重量%。

根據本發明之可聚合化合物亦適用於無引發劑之聚合，其伴隨相當大的優勢，諸如，例如，較低材料成本且特定言之可能殘餘量之引發劑或其降解產物對LC介質之污染較少。因此，該聚合亦可在不添加引發劑之情況下進行。在一較佳實施例中，因此，該LC介質不含有聚合引發劑。

LC介質亦可包含一或多種穩定劑以防止RM之非所需自發聚合(例如在儲存或運輸期間)。穩定劑之合適類型及量為熟習此項技術者已知且描述於參考文獻中。特別合適的係(例如)來自Irganox®系列之市售穩定劑(Ciba AG)，諸如，例如，Irganox® 1076。若採用穩定劑，則基於RM或可聚合組分(組分A)之總量，該等穩定劑之比例係較佳10至500,000 ppm，特別佳50至50,000 ppm (1000 ppm = 0.1重量%)。

即使無光引發劑，如本文中揭示之可聚合組分之組合仍有利地對UV輻射敏感。介質可在300至380 nm，或甚至340 nm或更大，且較佳400 nm或更小之波長下使用。

特定言之，式I、II及III之可聚合化合物確實顯示良好之UV吸收，且因此尤其適用於製備包括下列特徵中之一或多者之PSA顯示器之方法： -在2個步驟之方法中，在顯示器中，使可聚合介質曝露於UV光，包括第一UV曝露步驟(「UV-1步驟」)以產生傾斜角，及第二UV曝露步驟(「UV-2步驟」)以完成聚合， -在由節能螢光UV燈(亦稱為「綠色UV燈」)產生之顯示器中，使可聚合介質曝露於UV光。此等燈之特徵在於在其等300至380 nm之吸收光譜中相對低強度(習知UV1燈之1/100-1/10)，且較佳用於UV2步驟中，但當該方法必須避免高強度時，視需要亦用於UV1步驟中。 -在由具有轉移至較長波長(較佳340 nm或更大)之輻射光譜之UV燈產生之顯示器中，使可聚合介質曝露於UV光，以避免PS-VA方法中之短UV光曝露。

同時使用較低強度及轉移至較長波長之UV轉移保護有機層免受可由UV光引起之損壞。

本發明之一較佳實施例係關於一種用於製備如上下文中描述之PSA顯示器之方法，該方法包括下列特徵中之一或多者： -在2個步驟之方法中，使可聚合LC介質曝露於UV光，包括第一UV曝露步驟(「UV-1步驟」)以產生傾斜角，及第二UV曝露步驟(「UV-2步驟」)以完成聚合， -使可聚合LC介質曝露於由在300至380nm之波長範圍內具有0.5 mW/cm² 至10 mW/cm² 之強度之UV燈產生之UV光，較佳用於UV2步驟中，且視需要亦用於UV1步驟中， -使可聚合LC介質曝露於具有340 nm或更大，且較佳400 nm或更小之波長之UV光。

此較佳方法可(例如)藉由使用所需UV燈或藉由使用帶通濾光器及/或截止濾光器進行，該等濾光器對具有各別所需波長之UV光大體上透射且大體上阻斷具有各別非所需波長之光。例如，當需用波長λ為300至400 nm之UV光照射時，UV曝露可使用對波長300 nm＜λ＜400 nm大體上透射之寬帶通濾光器進行。當需用波長λ大於340 nm之UV光照射時，UV曝露可使用對波長λ＞340 nm大體上透射之截止濾光器進行。

「大體上透射」意謂濾光器透射具有所需波長之入射光之大部分，較佳其強度之至少50%。「大體上阻斷」意謂濾光器不透射具有非所需波長之入射光之大部分，較佳其強度之至少50%。例如，在帶通濾光器之情況下，「所需(非所需)波長」意謂λ之給定範圍內部(外部)之波長，及在截止濾光器之情況下，意謂高於(低於) λ之給定值之波長。

此較佳方法可藉由使用較長UV波長製造顯示器，藉此減少或甚至避免短UV光組分之有害及破壞性效應。

一般而言，取決於生產方法條件，UV輻射能係6至100 J/cm² 。

較佳地，根據本發明之LC介質基本上由可聚合組分A)，或一或多種式I、II及III之可聚合化合物，及LC組分B)或LC主體混合物組成，如上下文中描述。

然而，LC介質可另外包含一或多種其他組分或添加劑，較佳選自包括(但不限於)以下之清單：共單體、對掌性摻雜劑、聚合引發劑、抑制劑、穩定劑、表面活性劑、潤濕劑、潤滑劑、分散劑、疏水劑、黏著劑、鋪展劑、流動增進劑、消泡劑、除氧劑、稀釋劑、反應性稀釋劑、助劑、著色劑、染料、色素及奈米顆粒。

此外，較佳係其中液晶組分B)或LC主體混合物具有向列LC相，且較佳無對掌性液晶相之LC介質。

LC組分B)或LC主體混合物較佳為向列LC混合物。

此外，較佳係式I之非對掌性化合物，及較佳係其中組分A及/或B之化合物專門選自由非對掌性化合物組成之群之LC介質。

較佳地，可聚合組分A)在LC介質中之比例係＞0.3至＜5%，極佳＞0.6至＜4%，最佳0.9至3%。

較佳地，式I化合物在LC介質中之比例係＞0至＜5%，極佳＞0.3至＜3%，最佳0.1至2.5%。

較佳地，式II化合物在LC介質中之比例係＞0.1至＜5%，極佳＞0.2至＜3%，最佳0.2至1.5%。

較佳地，LC組分B)在LC介質中之比例係95至＜100%，極佳97至＜100%。

在另一較佳實施例中，除式I、II及IIII化合物外，可聚合組分B)包含一或多種其他可聚合化合物(「共單體」)，較佳選自RM。

合適且較佳之液晶原共單體係選自下式：

其中個別基團具有下列含義： P¹ 、P² 及P³ 各彼此獨立地表示丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯基團， Sp¹ 、Sp² 及Sp³ 各彼此獨立地表示具有上下文中針對Sp指示之含義中之一者之單鍵或間隔基團，且特別佳表示-(CH₂ )_p1 -、-(CH₂ )_p1 -O-、-(CH₂ )_p1 -CO-O-、-(CH₂ )_p1 -O-CO-或-(CH₂ )_p1 -O-CO-O-，其中p1係1至12之整數，其中另外基團P¹ -Sp¹ -、P¹ -Sp² -及P³ -Sp³ -中之一或多者可表示R^aa ，條件為存在之該等基團P¹ -Sp¹ -、P² -Sp² 及P³ -Sp³ -中之至少一者不同於R^aa ， R^aa 表示H、F、Cl、CN或具有1至25個C原子之直鏈或分支鏈烷基，其中另外一或多個不相鄰CH₂ 基團可各彼此獨立地經C(R⁰ )=C(R⁰⁰ )-、-C≡C-、-N(R⁰ )-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-以使得O及/或S原子非彼此直接連接之方式置換，且其中另外一或多個H原子可經F、Cl、CN或P¹ -Sp¹ -置換，特別佳具有1至12個C原子之直鏈或分支鏈、視需要單氟化或多氟化烷基、烷氧基、烯基、炔基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基(其中該等烯基及炔基具有至少兩個C原子且該等分支鏈基團具有至少三個C原子)， R⁰ 、R⁰⁰ 各彼此獨立地且在每次出現時相同或不同地表示H或具有1至12個C原子之烷基， R^y 及R^z 各彼此獨立地表示H、F、CH₃ 或CF₃ ， X¹ 、X² 及X³ 各彼此獨立地表示-CO-O-、-O-CO-或單鍵， Z¹ 表示-O-、-CO-、-C(R^y R^z )-或-CF₂ CF₂ -， Z² 及Z³ 各彼此獨立地表示-CO-O-、-O-CO-、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-CF₂ O-、-OCF₂ -或-(CH₂ )_n -，其中n係2、3或4， L 在每次出現時相同或不同地表示F、Cl、CN或具有1至12個C原子之直鏈或分支鏈、視需要單氟化或多氟化烷基、烷氧基、烯基、炔基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基，較佳F， L’及L" 各彼此獨立地表示H、F或Cl， r 表示0、1、2、3或4， s 表示0、1、2或3， t 表示0、1或2， x 表示0或1。

尤其佳係式M2、M13、M17、M22、M23、M24及M30化合物。

較佳共單體具有式M2-1：

M2-1 其中 L⁴ 、L⁵ 獨立地係F、Cl或具有1至5個C原子之直鏈、分支鏈或環形烷基，其中一或多個不相鄰CH₂ 基團係視需要經-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-以使得O及/或S原子非彼此直接連接之方式置換，且其中一或多個H原子係各視需要經F或Cl，較佳F、Cl、CH₃ 或CH₂ CH₃ 置換。

特別具有選自M2-1-1至M2-1-4之式：

在本發明之一較佳實施例中，LC介質包含式M2化合物，其中L係如上文定義，但不為甲氧基，較佳式M2-1化合物且最佳式M2-1-1化合物。

其他較佳係三反應性化合物M15至M30，特定言之M17、M18、M19、M22、M23、M24、M25、M26、M30及M31。

在式M1至M29化合物中，基團

其中L在每次出現時相同或不同地具有上下文中給定之含義中之一者，及係較佳F、Cl、CN、NO₂ 、CH₃ 、C₂ H₅ 、C(CH₃ )₃ 、CH(CH₃ )₂ 、CH₂ CH(CH₃ )C₂ H₅ 、OCH₃ 、OC₂ H₅ 、COCH₃ 、COC₂ H₅ 、COOCH₃ 、COOC₂ H₅ 、CF₃ 、OCF₃ 、OCHF₂ 、OC₂ F₅ 或P-Sp-，極佳F、Cl、CN、CH₃ 、C₂ H₅ 、OCH₃ 、COCH₃ 、OCF₃ 或P-Sp-，更佳F、Cl、CH₃ 、OCH₃ 、COCH₃ 或OCF₃ ，尤其F或CH₃ 。

除上文描述之可聚合化合物外，用於根據本發明之LC顯示器中之LC介質包含LC混合物(「主體混合物」)，該LC混合物包含一或多種，較佳兩種或更多種LC化合物，該LC化合物係選自不可聚合之低分子量化合物。選擇此等LC化合物使得其等在適用於使該等可聚合化合物聚合之條件下對聚合反應穩定及/或不反應。

原則上，適用於習知顯示器中之任何LC混合物適合作為主體混合物。合適之LC混合物為熟習此項技術者已知且描述於參考文獻中，例如EP 1 378 557 A1中VA顯示器之混合物及EP 1 306 418 A1及DE 102 24 046 A1中OCB顯示器之混合物。

除如上文描述之可聚合組分A)外，根據本發明之LC介質包含LC組分B)，或LC主體混合物，該LC主體混合物包含一或多種，較佳兩種或更多種LC化合物，該等LC化合物係選自不可聚合之低分子量化合物。選擇此等LC化合物使得其等在適用於使該等可聚合化合物聚合之條件下對聚合反應穩定及/或不反應。

在一較佳實施例中，基於具有負介電各向異性之化合物，LC介質含有LC組分B)或LC主體混合物。此等LC介質尤其適用於PS-VA及PS-UB-FFS顯示器中。此LC介質之特別佳之實施例係彼等下文章節a)至y)者： a) LC介質，其中組分B)或LC主體混合物包含一或多種選自式CY及PY之化合物：

其中 a 表示1或2， b 表示0或1，

R¹ 及R² 各彼此獨立地表示具有1至12個C原子之烷基，其中另外一或兩個不相鄰CH₂ 基團可經-O-、-CH=CH-、

、

、

、

、

、

、-C≡C-、-CO-、-OCO-或-COO-以使得O原子非彼此直接連接之方式置換，較佳具有1至6個C原子之烷基或烷氧基， Z^x 及Z^y 各彼此獨立地表示-CH₂ CH₂ -、-CH=CH-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-CO-O-、-O-CO-、-C₂ F₄ -、-CF=CF-、-CH=CH-CH₂ O-或單鍵，較佳單鍵， L^1-4 各彼此獨立地表示F、Cl、OCF₃ 、CF₃ 、CH₃ 、CH₂ F、CHF₂ 。

較佳地，L¹ 及L² 兩者均表示F或L¹ 及L² 中之一者表示F且另一者表示Cl，或L³ 及L⁴ 兩者均表示F或L³ 及L⁴ 中之一者表示F且另一者表示Cl。

式CY化合物係較佳選自由下列子式組成之群：

其中a表示1或2，alkyl及alkyl*各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基、環戊基或環丙基甲基，及alkenyl表示具有2至6個C原子之直鏈烯基，及(O)表示氧原子或單鍵。alkenyl較佳表示CH₂ =CH-、CH₂ =CHCH₂ CH₂ -、CH₃ -CH=CH-、CH₃ -CH₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₃ -CH=CH-或CH₃ -CH=CH-(CH₂ )₂ -。

式PY化合物係較佳選自由下列子式組成之群：

其中alkyl及alkyl*各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基、環戊基或環丙基甲基，及alkenyl表示具有2至6個C原子之直鏈烯基，及(O)表示氧原子或單鍵。alkenyl較佳表示CH₂ =CH-、CH₂ =CHCH₂ CH₂ -、CH₃ -CH=CH-、CH₃ -CH₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₃ -CH=CH-或CH₃ -CH=CH-(CH₂ )₂ -。

c) LC介質，其中組分B)或LC主體混合物包含一或多種下式化合物：

其中個別基團具有下列含義：

R³ 及R⁴ 各彼此獨立地表示具有1至12個C原子之烷基，其中另外一或兩個不相鄰CH₂ 基團可經-O-、-CH=CH-、

、--CO-、-O-CO-或-CO-O-以使得O原子非彼此直接連接之方式置換， Z^y 表示-CH₂ CH₂ -、-CH=CH-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-CO-O-、-O-CO-、-C₂ F₄ -、-CF=CF-、-CH=CH-CH₂ O-或單鍵，較佳單鍵。

式ZK化合物係較佳選自由下列子式組成之群：

其中alkyl及alkyl*各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，及alkenyl表示具有2至6個C原子之直鏈烯基。alkenyl較佳表示CH₂ =CH-、CH₂ =CHCH₂ CH₂ -、CH₃ -CH=CH-、CH₃ -CH₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₃ -CH=CH-或CH₃ -CH=CH-(CH₂ )₂ -。

尤其佳係式ZK1化合物。

特別佳之式ZK化合物係選自下列子式：

其中丙基、丁基及戊基係直鏈基團。

最佳係式ZK1a及ZK3b化合物。

d) LC介質，其中組分B)或LC主體混合物另外包含一或多種下式化合物：

其中個別基團在每次出現時相同或不同地具有下列含義： R⁵ 及R⁶ 各彼此獨立地表示具有1至12個C原子之烷基，其中另外一或兩個不相鄰CH₂ 基團可經-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-或-COO-以使得O原子非彼此直接連接之方式置換，較佳具有1至6個C原子之烷基或烷氧基，

e 表示1或2。

式DK化合物較佳係選自由下列子式組成之群：

e) LC介質，其中組分B)或LC主體混合物另外包含一或多種下式化合物：

其中個別基團具有下列含義：

及至少一個環F不同於伸環己基， f 表示1或2， R¹ 及R² 各彼此獨立地表示具有1至12個C原子之烷基，其中另外一或兩個不相鄰CH₂ 基團可經-O-、-CH=CH-、

、

、-C≡C-、-CO-、-OCO-或-COO-以使得O原子非彼此直接連接之方式置換， Z^x 表示-CH₂ CH₂ -、-CH=CH-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-CO-O-、-O-CO-、-C₂ F₄ -、-CF=CF-、-CH=CH-CH₂ O-或單鍵，較佳單鍵， L¹ 及L² 各彼此獨立地表示F、Cl、OCF₃ 、CF₃ 、CH₃ 、CH₂ F、CHF₂ 。

較佳地，兩個基團L¹ 及L² 兩者均表示F或基團L¹ 及L² 中之一者表示F且另一者表示Cl。

式LY化合物係較佳選自由下列子式組成之群：

其中R¹ 具有上文指示之含義，alkyl表示具有1至6個C原子之直鏈烷基、環戊基或環丙基甲基，(O)表示氧原子或單鍵，及v表示1至6之整數。R¹ 較佳表示具有1至6個C原子之直鏈烷基、環戊基、環丙基甲基、環丙基、環丁基或具有2至6個C原子之直鏈烯基，特定言之CH₃ 、C₂ H₅ 、正C₃ H₇ 、正C₄ H₉ 、正C₅ H₁₁ 、環C₅ H₁₁ 、CH₂ =CH-、CH₂ =CHCH₂ CH₂ -、CH₃ -CH=CH-、CH₃ -CH₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₃ -CH=CH-或CH₃ -CH=CH-(CH₂ )₂ -。

f) LC介質，其中組分B)或LC主體混合物另外包含選自由下式組成之群之一或多種化合物：

其中alkyl表示C_1-6 -烷基，L^x 表示H或F，及X表示F、Cl、OCF₃ 、OCHF₂ 或OCH=CF₂ 。特別佳係式G1化合物，其中X表示F。

g) LC介質，其中組分B)或LC主體混合物另外包含選自由下式組成之群之一或多種化合物：

其中R⁵ 具有上文針對R¹ 指示之含義中之一者，alkyl表示C_1-6 -烷基，d表示0或1，且z及m各彼此獨立地表示1至6之整數。此等化合物中之R⁵ 係特別佳C_1-6 -烷基或-烷氧基或C_2-6 -烯基，d係較佳1。根據本發明之LC介質較佳包含≥5重量%之量之一或多種上文提及之式之化合物。

h) LC介質，其中組分B)或LC主體混合物另外包含選自由下式組成之群之一或多種聯苯化合物：

其中alkyl及alkyl*各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，且alkenyl及alkenyl*各彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基。alkenyl及alkenyl*較佳表示CH₂ =CH-、CH₂ =CHCH₂ CH₂ -、CH₃ -CH=CH-、CH₃ -CH₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₃ -CH=CH-或CH₃ -CH=CH-(CH₂ )₂ -。

式B1至B3聯苯在LC主體混合物中之比例係較佳至少3重量%，特定言之≥5重量%。

式B2化合物特別佳。

式B1至B3化合物係較佳選自由下列子式組成之群：

其中alkyl*表示具有1至6個C原子之烷基。根據本發明之介質特別佳包含一或多種式B1a及/或B2c化合物。

i) LC介質，其中組分B)或LC主體混合物另外包含或一或多種下式三聯苯化合物：

其中R⁵ 及R⁶ 各彼此獨立地具有上文指示之含義中之一者，及

各彼此獨立地表示

其中L⁵ 表示F或Cl，較佳F，及L⁶ 表示F、Cl、OCF₃ 、CF₃ 、CH₃ 、CH₂ F或CHF₂ ，較佳F。

式T化合物係較佳選自由下列子式組成之群：

其中R表示具有1至7個C原子之直鏈烷基或烷氧基，R*表示具有2至7個C原子之直鏈烯基，(O)表示氧原子或單鍵，及m表示1至6之整數。R*較佳表示CH₂ =CH-、CH₂ =CHCH₂ CH₂ -、CH₃ -CH=CH-、CH₃ -CH₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₃ -CH=CH-或CH₃ -CH=CH-(CH₂ )₂ -。

R較佳表示甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基或戊氧基。

根據本發明之LC主體混合物較佳包含0.5至30重量%，較佳1至20重量%，特定言之2至10重量%之量式T及其較佳子式三聯苯。

特別佳係式T1、T2、T3及T21，最佳T2化合物。在此等化合物中，R較佳表示烷基，此外烷氧基，各具有1至5個C原子。

若欲使混合物之Δn值≥0.1，則三聯苯較佳用於根據本發明之LC介質中。較佳之LC介質包含2至20重量%之一或多種式T三聯苯化合物，較佳選自化合物T1至T22之群。

k) LC介質，其中組分B)或LC主體混合物另外包含選自由下式組成之群之一或多種聯四苯化合物：

其中 R^Q 係具有1至9個C原子之烷基、烷氧基、氧雜烷基或烷氧基烷基或具有2至9個C原子之烯基或烯氧基，其等均視需要氟化， X^Q 係F、Cl、具有1至6個C原子之鹵化烷基或烷氧基或具有2至6個C原子之鹵化烯基或烯氧基， L^Q1 至L^Q6 彼此獨立地係H或F，其中L^Q1 至L^Q6 中之至少一者係F。

較佳之式Q化合物係彼等其中R^Q 表示具有2至6個C原子之直鏈烷基，極佳乙基、正丙基或正丁基者。

較佳之式Q化合物係彼等其中L^Q3 及L^Q4 係F者。其他較佳之式Q化合物係彼等其中L^Q3 、L^Q4 且L^Q1 及L^Q2 中之一或兩者係F者。

較佳之式Q化合物係彼等其中X^Q 表示F或OCF₃ ，極佳F者。

式Q化合物係較佳選自下列子式：

其中R^Q 具有式Q之含義中之一者或上下文中給定之其較佳含義中之一者，且係較佳乙基、正丙基或正丁基。

尤其佳係式Q1化合物，特定言之彼等其中R^Q 係正丙基者。

較佳地，式Q化合物在LC主體混合物中之比例係＞0至≤5重量%，極佳0.1至2重量%，最佳0.2至1.5重量%。

較佳地，LC主體混合物含有1至5，較佳1或2種式Q化合物。

向LC主體混合物添加式Q聯四苯化合物可減少ODF雲斑，同時持續高UV吸收、可快速並完整地進行聚合、可強勁且快速地產生傾斜角，及增加LC介質之UV穩定性。

此外，向具有負介電各向異性之LC介質添加具有正介電各向異性之式Q化合物容許更好地控制介電常數ε_∥ 及ε_⊥ 值，且特定言之可達成高介電常數ε_∥ 值，同時保持介電各向異性Δε恆定，藉此降低反沖電壓並減少影像殘留。

l) LC介質，其中組分B)或LC主體混合物另外包含一或多種式C化合物：

其中 R^C 表示具有1至9個C原子之烷基、烷氧基、氧雜烷基或烷氧基烷基或具有2至9個C原子之烯基或烯氧基，其等均視需要氟化， X^C 表示F、Cl、具有1至6個C原子之鹵化烷基或烷氧基或具有2至6個C原子之鹵化烯基或烯氧基， L^C1 、L^C2 彼此獨立地表示H或F，其中L^C1 及L^C2 中之至少一者係F。

較佳之式C化合物係彼等其中R^C 表示具有2至6個C原子之直鏈烷基，極佳乙基、正丙基或正丁基者。

較佳之式C化合物係彼等其中L^C1 及L^C2 係F者。

較佳之式C化合物係彼等其中X^C 表示F或OCF₃ ，極佳F者。

較佳之式C化合物係選自下式：

其中R^C 具有式C之含義中之一者或上下文中給定之其較佳含義中之一者，及係較佳乙基、正丙基或正丁基，極佳正丙基。

較佳地，式C化合物在LC主體混合物中之比例係＞0至≤10重量%，極佳0.1至8重量%，最佳0.2至5重量%。

較佳地，LC主體混合物含有1至5，較佳1、2或3種式C化合物。

向具有負介電各向異性之LC介質添加具有正介電各向異性之式C化合物容許更好地控制介電常數ε_∥ 及ε_⊥ 值，且特定言之可達成高介電常數ε_∥ 值，同時保持介電各向異性Δε恆定，藉此降低反沖電壓並減少影像殘留。此外，添加式C化合物可降低該LC介質之黏度及反應時間。

m) LC介質，其中組分B)或LC主體混合物另外包含選自由下式組成之群之一或多種化合物：

其中R¹ 及R² 具有上文指示之含義且較佳各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基或具有2至6個C原子之直鏈烯基。

較佳介質包含一或多種選自式O1、O3及O4之化合物。

n) LC介質，其中組分B)或LC主體混合物另外包含一或多種下式化合物：

其中

R⁹ 表示H、CH₃ 、C₂ H₅ 或正C₃ H₇ ，(F)表示可選氟取代基，及q表示1、2或3，及R⁷ 具有針對R¹ 指示之含義中之一者，較佳＞3重量%，特定言之≥5重量%及極特別佳5至30重量%之量。

特別佳之式FI化合物係選自由下列子式組成之群：

其中R⁷ 較佳表示直鏈烷基，及R⁹ 表示CH₃ 、C₂ H₅ 或正C₃ H₇ 。特別佳係式FI1、FI2及FI3化合物。

o) LC介質，其中組分B)或LC主體混合物另外包含選自由下式組成之群之一或多種化合物：

其中R⁸ 具有針對R¹ 指示之含義，及alkyl表示具有1至6個C原子之直鏈烷基。

p) LC介質，其中組分B)或LC主體混合物另外包含一或多種含有四氫萘基或萘基單元之化合物，諸如，例如，選自由下式組成之群之化合物：

其中 R¹⁰ 及R¹¹ 各彼此獨立地表示具有1至12個C原子之烷基，其中另外一或兩個不相鄰CH₂ 基團可經-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-或-COO-以使得O原子非彼此直接連接之方式置換，較佳具有1至6個C原子之烷基或烷氧基，且R¹⁰ 及R¹¹ 較佳表示具有1至6個C原子之直鏈烷基或烷氧基或具有2至6個C原子之直鏈烯基，及 Z¹ 及Z² 各彼此獨立地表示-C₂ H₄ -、-CH=CH-、-(CH₂ )₄ -、-(CH₂ )₃ O-、-O(CH₂ )₃ -、-CH=CH-CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH₂ CH=CH-、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-CO-O-、-O-CO-、-C₂ F₄ -、-CF=CF-、-CF=CH-、-CH=CF-、-CH₂ -或單鍵。

q) LC介質，其中組分B)或LC主體混合物另外包含一或多種下式之二氟二苯并𠳭烷及/或𠳭烷：

其中 R¹¹ 及R¹² 各彼此獨立地具有上文針對R¹¹ 指示之含義中之一者，環M 係反式1,4-伸環己基或1,4-伸苯基， Z^m -C₂ H₄ -、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-CO-O-或-O-CO-， c 係0、1或2，較佳3至20重量%之量，特定言之3至15重量%之量，特別佳之式BC、CR及RC化合物係選自由下列子式組成之群：

其中alkyl及alkyl*各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，(O)表示氧原子或單鍵，c係1或2，及alkenyl及alkenyl*各彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基。alkenyl及alkenyl*較佳表示CH₂ =CH-、CH₂ =CHCH₂ CH₂ -、CH₃ -CH=CH-、CH₃ -CH₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₃ -CH=CH-或CH₃ -CH=CH-(CH₂ )₂ -。

極特別佳係LC主體混合物，其等包含一、二或三種式BC-2化合物。

r) LC介質，其中組分B)或LC主體混合物另外包含一或多種下式氟化菲及/或二苯并呋喃：

其中R¹¹ 及R¹² 各彼此獨立地具有上文針對R¹¹ 指示之含義中之一者，b表示0或1，L表示F，及r表示1、2或3。

特別佳之式PH、BF及BS化合物係選自由下列子式組成之群：

其中R及R’各彼此獨立地表示具有1至7個C原子之直鏈烷基、環戊基、環戊基甲氧基、環丙基甲氧基或烷氧基。

s) LC介質，其中組分B)或LC主體混合物另外包含一或多種下式單環化合物：

其中 R¹ 及R² 各彼此獨立地表示具有1至12個C原子之烷基，其中另外一或兩個不相鄰CH₂ 基團可經-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-或-COO-以使得O原子非彼此直接連接之方式置換，較佳具有1至6個C原子之烷基或烷氧基， L¹ 及L² 各彼此獨立地表示F、Cl、OCF₃ 、CF₃ 、CH₃ 、CH₂ F、CHF₂ 。

較佳地，L¹ 及L² 兩者均表示F或L¹ 及L² 中之一者表示F且另一者表示Cl，式Y化合物較佳係選自由下列子式組成之群：

其中，Alkyl及Alkyl*各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，Alkoxy表示具有1至6個C原子之直鏈烷氧基，Alkenyl及Alkenyl*各彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基，及O表示氧原子或單鍵。Alkenyl及Alkenyl*較佳表示CH₂ =CH-、CH₂ =CHCH₂ CH₂ -、CH₃ -CH=CH-、CH₃ -CH₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₃ -CH=CH-或CH₃ -CH=CH-(CH₂ )₂ -。

特別佳之式Y化合物係選自由下列子式組成之群：

其中Alkoxy較佳表示具有3、4或5個C原子之直鏈烷氧基。

t) 除如上下文中描述之可聚合化合物外，LC介質不含有含有末端乙烯氧基(-O-CH=CH₂ )之化合物。

u) LC介質，其中組分B)或LC主體混合物包含1至8，較佳1至5種式CY1、CY2、PY1及/或PY2化合物。此等化合物在作為整體之該LC主體混合物中之比例係較佳5至60%，特別佳10至35%。在各情況下，此等個別化合物之含量係較佳2至20%。

v) LC介質，其中組分B)或LC主體混合物包含一或多種，較佳1至8，更佳1至5種式CY9、CY10、PY9及/或PY10化合物。此等化合物在作為整體之LC主體混合物中之比例係較佳5至60%，特別佳10至35%。在各情況下，此等個別化合物之含量係較佳2至20%。

w) LC介質，其中組分B)或LC主體混合物包含1至10，較佳1至8種式ZK化合物，特定言之式ZK1、ZK2及/或ZK3化合物。此等化合物在作為整體之該LC主體混合物中之比例係較佳3至25%，特別佳5至45%。在各情況下，此等個別化合物之含量係較佳2至25%。

x) LC介質，其中式CY、PY及ZK化合物在作為整體之LC主體混合物中之比例係大於70%，較佳大於80%。

y) LC介質，其中組分B)或LC主體混合物含有一或多種，較佳1至5種經選擇具有式PY1-PY8，極佳具有式PY2之化合物。此等化合物在作為整體之該LC主體混合物中之比例係較佳1至30%，特別佳2至20%。在各情況下，此等個別化合物之含量係較佳1至20%。

上文提及之較佳實施例之化合物與上文描述之聚合化合物之組合在根據本發明之LC介質中引起低臨限值電壓、低旋轉黏度及極佳低溫穩定性，同時引起恆定較高之清亮點及高HR值，並容許在PSA顯示器中快速建立特別低之預傾斜角。特定言之，該等LC介質顯示相較於來自先前技術之介質，PSA顯示器中明顯縮短之反應時間，特定言之亦灰度反應時間。

在20℃下，本發明之LC介質及LC主體混合物較佳具有至少80 K，特別佳至少100 K之向列相範圍，及旋轉黏度≤250 mPa·s，較佳≤200 mPa^. s。

在根據本發明之VA型顯示器中，關閉狀態下LC介質層中之分子垂直於電極表面配向(垂面)或具有傾斜之垂面配向。一經對電極施加電壓，即發生LC分子之重新配向，及縱向分子軸平行於電極表面。

基於根據第一較佳實施例之具有負介電各向異性之化合物之根據本發明之LC介質(特定言之用於PS-VA、PS-UB-FFS及SA-VA型顯示器中)在20℃及1 kHz下具有負介電各向異性Δε，較佳-0.5至-10，特定言之-2.5至-7.5。

用於PS-VA、PS-UB-FFS及SA-VA型顯示器中之根據本發明之LC介質之雙折射率Δn係較佳低於0.16，特別佳0.06至0.14，極特別佳0.07至0.12。

在根據本發明之OCB型顯示器中，LC介質層中之分子具有「彎曲」配向。一經施加電壓，即發生LC分子之重新配向，及縱向分子軸垂直於電極表面。

用於PS-OCB型顯示器中之根據本發明之LC介質之雙折射率Δn係較佳0.14至0.22，特別佳0.16至0.22。

根據本發明之LC介質亦可包含其他添加劑，該等添加劑為熟習此項技術者已知且描述於參考文獻中，諸如，例如，聚合引發劑、抑制劑、穩定劑、表面活性物質或對掌性摻雜劑。此等添加劑可為可聚合或不可聚合的。因此，將可聚合添加劑歸於可聚合組分或組分A)。因此，將不可聚合添加劑歸於不可聚合組分或組分B)。

在一較佳實施例中，LC介質含有較佳0.01至1%，極佳0.05至0.5%濃度之一或多種對掌性摻雜劑。該等對掌性摻雜劑係較佳選自由來自下表B之化合物組成之群，極佳由R-或S-1011、R-或S-2011、R-或S-3011、R-或S-4011及R-或S-5011組成之群。

在另一較佳實施例中，LC介質含有一或多種對掌性摻雜劑之外消旋物，其等較佳選自上一段中提及之對掌性摻雜劑。

此外，可能向LC介質添加，例如，0至15重量%之多色染料，此外奈米顆粒、導電鹽(較佳4-己氧基苯甲酸乙基二甲基十二烷基銨、四丁基四苯基硼酸銨或冠醚之錯合鹽(參考，例如，Haller等人，Mol. Cryst. Liq. Cryst. 24, 249-258 (1973))，用於改良導電性，或用於修飾向列相之介電各向異性、黏度及/或配向之物質。此類物質描述(例如)於DE-A 22 09 127、22 40 864、23 21 632、23 38 281、24 50 088、26 37 430及28 53 728中。

已知根據本發明之LC介質之較佳實施例a)至z)之個別組分或其製備方法可由熟習相關技術者自先前技術輕易推導，因為其等係基於參考文獻中描述之標準方法。相應之式CY化合物描述(例如)於EP-A-0 364 538中。相應之式ZK化合物描述(例如)於DE-A-26 36 684及DE-A-33 21 373中。

可根據本發明使用之LC介質係以本身習知的方式製備，例如藉由混合上文提及之化合物中之一或多者與一或多種如上文定義之可聚合化合物，及視需要與其他液晶化合物及/或添加劑。一般而言，有利地在高溫下，將所需量之以較少量使用之組分溶解於構成主要成分之組分中。亦可能混合該等組分於有機溶劑(例如丙酮、氯仿或甲醇)中之溶液，並例如藉由蒸餾，在徹底混合後，再次移除該溶劑。本發明另外係關於用於製備根據本發明之LC介質之方法。

對熟習此項技術者而言，不言而喻，根據本發明之LC介質亦可包含其中(例如) H、N、O、Cl、F已經相應之同位素(諸如氘等)置換之化合物。

下列實例解釋本發明而不限制本發明。然而，該等實例向熟習此項技術者顯示較佳之混合物概念及較佳欲採用之化合物及其各別濃度及其等彼此之組合。另外，該等實例闡述可達成之性質及性質組合。

較佳之混合物組分顯示於下表A1及A2中。表A1中顯示之化合物尤其適用於具有正介電各向異性之LC混合物中。表A2中顯示之化合物尤其適用於具有負介電各向異性之LC混合物中。

表 A1 在表A1中，m及n彼此獨立地係1至12之整數，較佳1、2、3、4、5或6，k係0、1、2、3、4、5或6，及(O)C_m H_2m+1 意謂C_m H_2m+1 或OC_m H_2m+1 。

表 A2 在表A2中，m及n彼此獨立地係1至12之整數，較佳1、2、3、4、5或6，k係0、1、2、3、4、5或6，及(O)C_m H_2m+1 意謂C_m H_2m+1 或OC_m H_2m+1 。

在本發明之一較佳實施例中，根據本發明之LC介質(尤其彼等具有負介電各向異性者)包含一或多種化合物選自由來自表A2之化合物組成之群。

表 B 表B顯示可添加至根據本發明之LC介質之可能之對掌性摻雜劑。

LC介質較佳包含0至10重量%，特定言之0.01至5重量%，特別佳0.1至3重量%之摻雜劑。該等LC介質較佳包含一或多種選自由來自表B之化合物組成之群之摻雜劑。

表 C 表C顯示可添加至根據本發明之LC介質之可能穩定劑。其中n表示1至12之整數，較佳1、2、3、4、5、6、7或8。

LC介質較佳包含0至10重量%，特定言之1 ppm至5重量%，特別佳1 ppm至1重量%之穩定劑。該等LC介質較佳包含一或多種選自由來自表C之化合物組成之群之穩定劑。

表 D 表D顯示用於垂直配向之自配向添加劑，其等可連同式I之可聚合化合物一起用於根據本發明之LC介質中：

在一較佳實施例中，根據本發明之LC介質SA-VA顯示器包含一或多種SA添加劑與一或多種式I之RM及一或多種式II之組合，SA添加劑選自式SA-1至SA-38，較佳式SA-14至SA-36，極佳式SA-20至SA-28，最佳式SA-20或SA-22。極佳係下文合成實例1之可聚合化合物RM-2及可聚合化合物RM-3，與式SA-20至SA-28，極佳式SA-20或SA-22之SA添加劑之組合。

實例下列實例解釋本發明而不限制本發明。然而，該等實例向熟習此項技術者顯示較佳之混合物概念及較佳欲採用之化合物及其各別濃度及其等彼此之組合。另外，該等實例闡述可達成之性質及性質組合。

另外，使用下列縮寫及符號： V₀ 在20℃下之臨限值電容電壓[V]， n_e 在20℃及589 nm下之異常折射率， n_o 在20℃及589 nm下之尋常折射率， Δn 在20℃及589 nm下之光學各向異性， ε_⊥ 在20℃及1 kHz下垂直於指向矢之介電常數， ε|| 在20℃及1 kHz下平行於指向矢之介電常數， Δε 在20℃及1 kHz下之介電各向異性， cl.p., T(N,I) 清亮點[℃]， γ₁ 在20℃下之旋轉黏度[mPa•s]， K₁ 彈性常數，在20℃下之「延展」變形[pN]， K₂ 彈性常數，在20℃下之「扭曲」變形[pN]， K₃ 彈性常數，在20℃下之「彎曲」變形[pN]。

除非另有明確說明，否則本申請案中之所有濃度均以重量百分比引證且係關於作為整體之相應混合物，該混合物包含所有固體或液晶組分，而無溶劑。

除非另有明確說明，否則本申請案中指示之所有溫度值(諸如，例如，熔點T(C,N)、層列(S)轉化為向列(N)相T(S,N)及清亮點T(N,I))均以攝氏度(℃)引證。M.p.表示熔點，cl.p. =清亮點。此外，C =結晶狀態，N =向列相，S =層列相及I =各向同性相。此等符號之間的資料表示轉化溫度。

除非在各情況下另有明確指示，否則所有物理性質係根據及已根據「Merck Liquid Crystals, Physical Properties of Liquid Crystals」, Status Nov. 1997, Merck KGaA, Germany測定，且適用於20℃之溫度，及Δn係在589 nm下測定且Δε在1 kHz下測定。

除非本文另有明確指示，否則本發明之術語「臨限值電壓」係關於電容臨限值(V₀ )，亦稱為弗裡德里克斯(Freedericks)臨限值。在實例中，如往常一樣，光學臨限值亦可引證為10%相對對比度(V₁₀ )。

除非另有規定，否則在如上下文中描述之PSA顯示器中使可聚合化合物聚合之方法係在其中LC介質顯示液晶相，較佳向列相之溫度下進行，且最佳在室溫下進行。

除非另有規定，否則製備測試單元及測量其等電光及其他性質之方法係藉由如下文中描述之方法或以與其類似之方法進行。

用於量測電容臨限值電壓之顯示器由兩個間距25 µm之平面平行之玻璃外板組成，該等玻璃外板中之各者內側具有電極層及頂部具有未摩擦之聚醯亞胺配向層，其等影響液晶分子之垂面邊緣配向。

用於量測傾斜角之PSVA顯示器或PSVA或測試單元由兩個間距4 µm之平面平行之玻璃外板組成，該等玻璃外板中之各者內側具有電極層及頂部具有聚醯亞胺配向層，其中該等兩個聚醯亞胺層相互反平行摩擦且影響液晶分子之垂面邊緣配向。

可聚合化合物係在顯示器或測試單元中藉由用確定強度之UV光照射預定時間，及同時向該顯示器施加電壓(通常，10 V至30 V交流電，1 kHz)聚合。在實例中，除非另有指示，否則對於聚合使用金屬鹵化物燈及100 mW/cm²之強度。該強度係使用標準儀表(具有UV感測器之高端Hoenle UV儀表)量測。

傾斜角係使用來自Axometrics之Mueller矩陣旋光儀「AxoScan」測定。此處，低值(即距90°角之大偏差)對應於大傾斜。

除非另有規定，否則術語「傾斜角」意謂LC指向矢與基板之間的角度，及「LC指向矢」意謂在具有均勻定向之LC分子層中，在桿狀、單軸正雙折射LC分子之情況下，LC分子之光學主軸之較佳定向方向對應於其等分子長軸。

用於可聚合介質中之可聚合添加劑：

RM-2係如下製備。

合成實例1 1.1 4-[4-(3-羥苯基)-5-(2-丙烯基)-苯基]苯酚1之合成

將74.3 g (537.5 mmol) K₂ CO₃ 溶解於220 ml水中並向該溶液添加38.9 g (282 mmol) 4-羥基苯硼酸及37.1 g (134 mmol) 1,3-二溴-5-(2-丙烯基)苯(CAS 874504-14-0)溶解於350 ml THF中。用氬將該混合物脫氣三次並添加203 mg (5.375 mmol) CataCXium A及246 mg (2.69 mmol) 參(二苯亞甲基丙酮)-二鈀(0)。將該反應混合物回流1 h，冷卻至室溫並用水及MTBE稀釋。過濾該混合物並分離層。水層用MTBE萃取及經組合之有機層用氯化銨溶液、鹽水洗，經Na₂ SO₄ 乾燥並在真空下蒸發以產生產物。粗產物用乙酸乙酯(EE)及庚烷(3:1至1:1)於矽膠上過濾及組合含有產物之溶離份並在真空下蒸發以產生呈微黃色固體之產物。

1.2 2-甲基丙-2-烯酸[4-[4-[3-(2-甲基丙-2-烯醯氧基)苯基]-5-(2-丙烯基)-苯基]苯基]酯2之合成

將32.6 g (113.1 mmol)二醇1溶解於720 ml二氯甲烷中。添加29.9 g (248.2 mmol)甲基丙烯酸及2.76 g (122.1 mmol) 4-(二甲基胺基)-吡啶並將該混合物冷卻至5℃。然後在最大10℃下滴加53.0 g (341 mmol) 1-(3-二甲基胺基丙基)-3-乙基碳二亞胺及然後在室溫下將該混合物攪拌16 h。在真空下蒸發該混合物，溶解於2 l二氯甲烷中並於矽膠上過濾。組合含有產物之溶離份並在真空下蒸發以產生呈非結晶固體之產物2 (分解＞125℃)。

下列化合物係類似於合成實例1並根據參考文獻程序合成：

混合物實例可聚合混合物

根據本發明之可聚合混合物係藉由將可聚合化合物及可聚合自配向添加劑添加至向列LC主體混合物製備。視需要添加其他添加劑(例如穩定劑)或已作為添加劑包含於混合物組分內。

向列LC主體混合物係經如下調配。除非另有指示，否則介電各向異性Δε係負的，且百分比為重量%。

主體混合物N1係經如下調配：

BCH-32	6.5%	cl.p.	74.7℃
CC-3-V1	8.0%	Δn	0.1039
CCH-23	17.0%	Δε	-3.0
CCH-34	6.5%	ε_∥	3.4
CCY-3-O1	3.5%	K₃ /K₁	1.07
CCY-3-O2	12.5%	γ₁	106 mPa s
CPY-2-O2	5.5%	V₀	2.43 V
CPY-3-O2	10.0%
CY-3-O2	15.5%
PCH-3O1	4.5%
PP-1-2V1	5.0%
PY-3-O2	5.5%
∑	100.0%

主體混合物N2

BCH-32	2.0%	cl.p.	74.7℃
CC-3-V	22.5%	Δn	0.1039
CC-3-V1	9.5%	Δε	-3.0
CCP-3-1	3.0%	ε_∥	3.5
CCY-3-O2	3.5%	K₃ /K₁	1.17
CCY-4-O2	4.0%	γ₁	99 mPa s
CPY-2-O2	12.0%	V₀	2.39
CPY-3-O2	12.5%
CY-3-O2	15.5%
CY-3-O4	4.0%
PCH-3O1	7.0%
PP-1-2V1	1.5%
PYP-2-3	3.0%
∑	100.0%

主體混合物N3

CC-3-V1	9.0	%	cl.p. [℃]:	74.6
CCH-301	3.5	%	Δn [589 nm, 20℃]:	0.0984
CCH-34	8.0	%	n_e [589 nm, 20℃]:	1.5804
CCH-35	8.0	%	n_o [589 nm, 20℃]:	1.4820
CCP-3-1	6.0	%	Δε [1 kHz, 20℃]:	-3.6
CCY-3-O1	6.5	%	ε_∥ [1 kHz, 20℃]:	3.6
CCY-3-O2	12.5	%	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:	7.1
CPY-3-O2	10.0	%	K₁ [pN, 20℃]:	14.1
CY-3-O2	15.5	%	K₃ [pN, 20℃]:	17.0
PCH-3O1	8.5	%	K₃ /K₁ [pN, 20℃]:	1.21
PY-3-O2	12.5	%	V₀ [V, 20℃]:	2.31
∑	100.0	%

主體混合物N4

BCH-32	10.0	%	cl.p. [℃]:	74.6
CC-3-V1	6.5	%	Δn [589 nm, 20℃]:	0.1113
CCH-34	8.0	%	n_e [589 nm, 20℃]:	1.5981
CCH-35	8.0	%	n_o [589 nm, 20℃]:	1.4868
CCY-3-O2	12.0	%	Δε [1 kHz, 20℃]:	-3.3
CPY-2-O2	6.5	%	ε_∥ [1 kHz, 20℃]:	3.5
CPY-3-O2	11.0	%	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:	6.8
CY-3-O2	15.0	%	K₁ [pN, 20℃]:	14.5
CY-5-O2	13.0	%	K₃ [pN, 20℃]:	15.3
PP-1-4	10.0	%	K₃ /K₁ [pN, 20℃]:	1.06
∑	100.0	%	V₀ [V, 20℃]:	2.28

主體混合物N5

BCH-32	7.5	%	cl.p. [℃]:	75.5
CC-3-V1	6.5	%	Δn [589 nm, 20℃]:	0.1105
CCH-34	8.0	%	n_e [589 nm, 20℃]:	1.5970
CCH-35	8.0	%	n_o [589 nm, 20℃]:	1.4865
CCY-3-O2	12.0	%	Δε [1 kHz, 20℃]:	-3.3
CPY-2-O2	9.5	%	ε_∥ [1 kHz, 20℃]:	3.5
CPY-3-O2	11.0	%	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:	6.8
CY-3-O2	12.0	%	K₁ [pN, 20℃]:	14.2
CY-5-O2	13.0	%	K₃ [pN, 20℃]:	15.4
PP-1-4	8.5	%	K₃ /K₁ [pN, 20℃]:	1.08
PCH-3O1	4.0	%	V₀ [V, 20℃]:	2.28
∑	100.0	%

主體混合物N6

B(S)-2O-O4	4.0	%	cl.p. [℃]:
B(S)-2O-O5	5.0	%	Δn [589 nm, 20℃]:
BCH-32	7.0	%	n_e [589 nm, 20℃]:
CC-3-V1	8.0	%	n_o [589 nm, 20℃]:
CC-4-V1	11.0	%	Δε [1 kHz, 20℃]:
CCH-34	8.0	%	ε_∥ [1 kHz, 20℃]:
CCH-35	6.0	%	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:
CCY-3-O2	11.0	%	K₁ [pN, 20℃]:
CPY-2-O2	3.0	%	K₃ [pN, 20℃]:
CPY-3-O2	5.0	%	K₃ /K₁ [pN, 20℃]:
CY-3-O2	15.0	%	V₀ [V, 20℃]:
PCH-3O2	5.0	%
PY-1-O2	4.0	%
PY-2-O2	7.0	%
PPGU-3-F	1.0	%
∑	100.0	%

主體混合物N7

CC-3-V1	8.5	%	cl.p. [℃]:	75.1
CC-4-V1	19.0	%	Δn [589 nm, 20℃]:	0.1123
CCY-3-O1	6.0	%	n_e [589 nm, 20℃]:	1.5969
CCY-3-O2	11.0	%	n_o [589 nm, 20℃]:	1.4846
CLY-3-O2	5.0	%	Δε [1 kHz, 20℃]:	-3.9
CPY-3-O2	11.0	%	ε_∥ [1 kHz, 20℃]:	3.7
CY-3-O2	6.0	%	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:	7.5
PCH-3O2	13.5	%	K₁ [pN, 20℃]:	15.2
PY-1-O2	6.0	%	K₃ [pN, 20℃]:	18.3
PY-2-O2	6.0	%	K₃ /K₁ [pN, 20℃]:	1.20
PY-3-O2	8.0	%	V₀ [V, 20℃]:	2.29
∑	100.0	%

主體混合物N8

CC-3-V1	9.0	%	cl.p. [℃]:	75.4
CCH-23	14.0	%	Δn [589 nm, 20℃]:	0.1055
CCH-34	6.0	%	n_e [589 nm, 20℃]:	1.5907
CCH-35	6.0	%	n_o [589 nm, 20℃]:	1.4852
CCP-3-1	7.0	%	Δε [1 kHz, 20℃]:	-2.8
CCY-3-O1	5.0	%	ε_∥ [1 kHz, 20℃]:	3.3
CCY-3-O2	10.0	%	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:	6.1
CPY-3-O2	12.0	%	K₁ [pN, 20℃]:	16.2
CY-3-O2	9.5	%	K₃ [pN, 20℃]:	17.3
PP-1-2V1	8.5	%	K₃ /K₁ [pN, 20℃]:	1.07
PY-3-O2	12.0	%	V₀ [V, 20℃]:	2.67
PY-4-O2	1.0	%
∑	100.0	%

主體混合物N9

CC-3-V1	9.0	%	cl.p. [℃]:	74.7
CCH-23	18.0	%	Δn [589 nm, 20℃]:	0.0982
CCH-34	3.0	%	n_e [589 nm, 20℃]:	1.5800
CCH-35	7.0	%	n_o [589 nm, 20℃]:	1.4818
CCP-3-1	5.5	%	Δε [1 kHz, 20℃]:	-3.4
CCY-3-O2	11.5	%	ε_∥ [1 kHz, 20℃]:	3.5
CPY-2-O2	8.0	%	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:	6.9
CPY-3-O2	11.0	%	K₁ [pN, 20℃]:	14.9
CY-3-O2	15.5	%	K₃ [pN, 20℃]:	15.9
PY-3-O2	11.5	%	K₃ /K₁ [pN, 20℃]:	1.07
∑	100.0	%	V₀ [V, 20℃]:	2.28

主體混合物N10

BCH-32	6.5	%	cl.p. [℃]:	74.7
CC-3-V1	8.0	%	Δn [589 nm, 20℃]:	0.1039
CCH-23	17.0	%	n_e [589 nm, 20℃]:	1.5900
CCH-34	6.5	%	n_o [589 nm, 20℃]:	1.4861
CCY-3-O1	3.5	%	Δε [1 kHz, 20℃]:	-3.0
CCY-3-O2	12.5	%	ε_∥ [1 kHz, 20℃]:	3.4
CPY-2-O2	5.5	%	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:	6.3
CPY-3-O2	10.0	%	K₁ [pN, 20℃]:	14.8
CY-3-O2	15.5	%	K₃ [pN, 20℃]:	15.8
PCH-3O1	4.5	%	K₃ /K₁ [pN, 20℃]:	1.07
PP-1-2V1	5.0	%	V₀ [V, 20℃]:	2.43
PY-3-O2	5.5	%
∑	100.0	%

主體混合物N11

CC-3-V1	8.0	%	cl.p. [℃]:	74.6
CCH-23	15.0	%	Δn [589 nm, 20℃]:	0.0899
CCH-34	5.0	%	n_e [589 nm, 20℃]:	1.5694
CCH-35	6.0	%	n_o [589 nm, 20℃]:	1.4795
CCP-3-1	3.0	%	Δε [1 kHz, 20℃]:	-3.3
CCY-3-O1	8.0	%	ε_∥ [1 kHz, 20℃]:	3.5
CCY-3-O2	10.0	%	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:	6.8
CCY-3-O3	6.0	%	K₁ [pN, 20℃]:	13.9
CCY-4-O2	6.0	%	K₃ [pN, 20℃]:	14.6
CY-3-O2	12.0	%	K₃ /K₁ [pN, 20℃]:	1.05
CY-3-O4	3.75	%	V₀ [V, 20℃]:	2.22
PCH-3O1	3.0	%
PY-3-O2	2.75	%
PY-4-O2	6.5	%
PYP-2-3	5.0	%
∑	100.0	%

主體混合物N12

B(S)-2O-O4	0.25	%	cl.p. [℃]:	74.6
BCH-32	4.5	%	Δn [589 nm, 20℃]:	0.1034
CC-3-V1	13.0	%	n_e [589 nm, 20℃]:	1.5883
CCH-23	15.0	%	n_o [589 nm, 20℃]:	1.4849
CCH-301	1.0	%	Δε [1 kHz, 20℃]:	-2.9
CCH-34	2.0	%	ε_∥ [1 kHz, 20℃]:	3.4
CCH-35	0.5	%	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:	6.3
CCY-3-O2	6.5	%	K₁ [pN, 20℃]:	13.0
CPY-2-O2	12.0	%	K₃ [pN, 20℃]:	15.3
CPY-3-O2	15.0	%	K₃ /K₁ [pN, 20℃]:	1.18
CY-3-O2	15.5	%	V₀ [V, 20℃]:	2.44
CY-3-O4	0.25	%
PCH-3O1	13.0	%
PP-1-2V1	0.5	%
PYP-2-3	1.0	%
∑	100.0	%

主體混合物N13

CCH-301	6.0	%	cl.p. [℃]:	109.9
CCH-303	10.0	%	Δn [589 nm, 20℃]:	0.0976
CCH-501	4.0	%	n_e [589 nm, 20℃]:	1.5806
CCP-3-1	7.0	%	n_o [589 nm, 20℃]:	1.4830
CCPC-33	3.0	%	Δε [1 kHz, 20℃]:	-3.6
CCPC-34	3.0	%	ε_∥ [1 kHz, 20℃]:	3.4
CCY-3-O1	5.5	%	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:	7.0
CCY-3-O2	9.5	%	K₁ [pN, 20℃]:	16.9
CCY-3-O3	7.0	%	K₃ [pN, 20℃]:	19.6
CCY-4-O2	8.5	%	K₃ /K₁ [pN, 20℃]:	1.16
CPY-2-O2	3.0	%	V₀ [V, 20℃]:	2.47
CPY-3-O2	12.5	%
CY-3-O4	9.5	%
PCH-3O1	11.5	%
∑	100.0	%

主體混合物N14

BCH-32	8.0	%	cl.p. [℃]:	74.6
CC-3-V1	13.0	%	Δn [589 nm, 20℃]:	0.1042
CC-4-V1	2.5	%	n_e [589 nm, 20℃]:	1.5897
CCH-301	10.0	%	n_o [589 nm, 20℃]:	1.4855
CCH-34	5.0	%	Δε [1 kHz, 20℃]:	-3.1
CCH-35	5.0	%	ε_∥ [1 kHz, 20℃]:	3.5
CLY-3-O2	12.5	%	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:	6.6
CPY-2-O2	11.5	%	K₁ [pN, 20℃]:	13.7
CPY-3-O2	4.0	%	K₃ [pN, 20℃]:	15.4
CY-3-O2	15.0	%	K₃ /K₁ [pN, 20℃]:	1.12
PCH-3O1	6.5	%	V₀ [V, 20℃]:	2.37
PY-1-O2	7.0	%
∑	100.0	%

主體混合物N15

B(S)-2O-O5	0.25	%	cl.p. [℃]:	74.5
BCH-32	5.5	%	Δn [589 nm, 20℃]:	0.1028
CC-3-V	10.0	%	n_e [589 nm, 20℃]:	1.5880
CC-3-V1	7.5	%	n_o [589 nm, 20℃]:	1.4852
CC-4-V1	16.5	%	Δε [1 kHz, 20℃]:	-3.1
CCH-35	0.25	%	ε_∥ [1 kHz, 20℃]:	3.6
CCP-3-1	7.5	%	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:	6.7
CCY-3-O2	11.0	%	K₁ [pN, 20℃]:	13.8
CCY-3-O3	1.0	%	K₃ [pN, 20℃]:	15.5
CCY-4-O2	7.0	%	K₃ /K₁ [pN, 20℃]:	1.12
CCY-5-O2	2.0	%	V₀ [V, 20℃]:	2.37
CY-3-O2	9.0	%
PY-1-O2	9.0	%
PY-2-O2	9.0	%
PY-3-O2	4.5	%
∑	100.0	%

主體混合物N16

BCH-32	4.5	%	cl.p. [℃]:	74.8
CC-3-V	15.0	%	Δn [589 nm, 20℃]:	0.1030
CC-3-V1	7.5	%	n_e [589 nm, 20℃]:	1.5889
CC-4-V1	12.5	%	n_o [589 nm, 20℃]:	1.4859
CCP-3-1	7.0	%	Δε [1 kHz, 20℃]:	-3.1
CCY-3-O1	7.0	%	ε_∥ [1 kHz, 20℃]:	3.6
CCY-3-O2	10.5	%	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:	6.8
CCY-4-O2	6.5	%	K₁ [pN, 20℃]:	13.8
CY-3-O2	4.5	%	K₃ [pN, 20℃]:	15.4
PY-1-O2	9.5	%	K₃ /K₁ [pN, 20℃]:	1.12
PY-2-O2	9.0	%	V₀ [V, 20℃]:	2.35
PY-3-O2	6.5	%
∑	100.0	%

主體混合物N17

CC-3-V	10.5	%	cl.p. [℃]:	74.5
CC-3-V1	5.5	%	Δn [589 nm, 20℃]:	0.1033
CC-4-V1	20.0	%	n_e [589 nm, 20℃]:	1.5875
CCH-34	2.0	%	n_o [589 nm, 20℃]:	1.4842
CCH-35	1.5	%	Δε [1 kHz, 20℃]:	-3.3
CCY-3-1	2.0	%	ε_∥ [1 kHz, 20℃]:	3.6
CCY-3-O1	7.5	%	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:	6.9
CCY-3-O2	11.0	%	K₁ [pN, 20℃]:	14.4
CCY-4-O2	8.5	%	K₃ [pN, 20℃]:	15.1
CLY-2-O4	1.0	%	K₃ /K₁ [pN, 20℃]:	1.05
CLY-3-O2	2.0	%	V₀ [V, 20℃]:	2.29
PP-1-2V1	3.5	%
PY-1-O2	9.5	%
PY-2-O2	9.5	%
PY-3-O2	6.0	%
∑	100.0	%

主體混合物N18

CC-3-V1	7.5	%	cl.p. [℃]:	74.5
CC-4-V1	20.0	%	Δn [589 nm, 20℃]:	0.1030
CCH-34	5.0	%	n_e [589 nm, 20℃]:	1.5861
CCH-35	7.5	%	n_o [589 nm, 20℃]:	1.4831
CCP-3-1	2.0	%	Δε [1 kHz, 20℃]:	-3.5
CCY-3-O1	8.0	%	ε_∥ [1 kHz, 20℃]:	3.6
CCY-3-O2	12.0	%	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:	7.1
CCY-4-O2	3.0	%	K₁ [pN, 20℃]:	15.1
CLY-3-O2	4.0	%	K₃ [pN, 20℃]:	15.4
CY-3-O2	1.5	%	K₃ /K₁ [pN, 20℃]:	1.02
PY-1-O2	9.5	%	V₀ [V, 20℃]:	2.23
PY-2-O2	9.5	%
PY-3-O2	10.5	%
∑	100.0	%

主體混合物N19

CC-3-V1	7.5	%	cl.p. [℃]:	75
CC-4-V1	19.5	%	Δn [589 nm, 20℃]:	0.1041
CCH-301	5.5	%	n_e [589 nm, 20℃]:	1.5884
CCH-34	5.0	%	n_o [589 nm, 20℃]:	1.4843
CCP-3-1	11.0	%	Δε [1 kHz, 20℃]:	-3.1
CLY-3-O2	5.0	%	ε_∥ [1 kHz, 20℃]:	3.6
CPY-2-O2	6.0	%	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:	6.7
CPY-3-O2	11.5	%	K₁ [pN, 20℃]:	14.0
CY-3-O2	15.0	%	K₃ [pN, 20℃]:	15.7
PY-1-O2	6.5	%	K₃ /K₁ [pN, 20℃]:	1.12
PY-2-O2	7.5	%	V₀ [V, 20℃]:	2.37
∑	100.0	%

主體混合物N20

CC-3-V1	2.5	%	cl.p. [℃]:	105.9
CC-4-V1	10.0	%	Δn [589 nm, 20℃]:
CCH-301	3.0	%	n_e [589 nm, 20℃]:
CCH-34	4.0	%	n_o [589 nm, 20℃]:
CCH-35	4.0	%	Δε [1 kHz, 20℃]:	-3.6
CCP-3-1	6.0	%	ε_∥ [1 kHz, 20℃]:	3.4
CCP-3-3	6.0	%	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:	7.0
CCY-3-O1	4.0	%	K₁ [pN, 20℃]:
CCY-3-O2	4.0	%	K₃ [pN, 20℃]:
CCY-3-O3	4.0	%	K₃ /K₁ [pN, 20℃]:
CCY-4-O2	4.0	%	V₀ [V, 20℃]:
CCY-5-O2	4.0	%
CPY-2-O2	10.0	%
CPY-3-O2	10.0	%
CY-3-O2	6.5	%
CY-3-O4	10.0	%
PYP-2-3	5.0	%
PYP-2-4	3.0	%
∑	100.0	%

主體混合物N21

BCH-52	9.0	%	cl.p. [℃]:	105
CC-3-V1	2.0	%	Δn [589 nm, 20℃]:
CC-4-V1	12.5	%	n_e [589 nm, 20℃]:
CCH-301	2.0	%	n_o [589 nm, 20℃]:
CCH-34	3.5	%	Δε [1 kHz, 20℃]:	-3.6
CCH-35	4.0	%	ε_∥ [1 kHz, 20℃]:	3.4
CCP-3-1	7.5	%	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:	7.0
CCY-3-O1	4.0	%	K₁ [pN, 20℃]:
CCY-3-O2	4.0	%	K₃ [pN, 20℃]:
CCY-3-O3	4.0	%	K₃ /K₁ [pN, 20℃]:
CCY-4-O2	4.0	%	V₀ [V, 20℃]:
CCY-5-O2	4.0	%
CPY-2-O2	10.0	%
CPY-3-O2	10.0	%
CY-3-O4	12.5	%
PY-1-O2	7.0	%
∑	100.0	%

主體混合物N22

B(S)-2O-O5	0.25	%	cl.p. [℃]:	75.1
BCH-32	1.5	%	Δn [589 nm, 20℃]:	0.1038
CC-3-V1	8.0	%	n_e [589 nm, 20℃]:	1.5864
CC-4-V1	20.0	%	n_o [589 nm, 20℃]:	1.4826
CCH-303	1.5	%	Δε [1 kHz, 20℃]:	-3.0
CCH-34	6.0	%	ε_∥ [1 kHz, 20℃]:	3.4
CCH-35	8.0	%	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:	6.5
CCY-3-O2	9.5	%	K₁ [pN, 20℃]:	15.6
CPY-2-O2	6.0	%	K₃ [pN, 20℃]:	16.0
CPY-3-O2	11.0	%	K₃ /K₁ [pN, 20℃]:	1.03
CY-3-O2	12.5	%	V₀ [V, 20℃]:	2.44
PP-1-2V1	2.75	%
PY-1-O2	5.5	%
PY-2-O2	4.5	%
PY-3-O2	3.0	%
∑	100.0	%

主體混合物N23

BCH-32	0.5	%	cl.p. [℃]:	74.8
CC-3-V1	7.0	%	Δn [589 nm, 20℃]:	0.1036
CC-4-V1	19.5	%	n_e [589 nm, 20℃]:	1.5884
CCH-301	12.0	%	n_o [589 nm, 20℃]:	1.4848
CCH-34	1.5	%	Δε [1 kHz, 20℃]:	-3.1
CCP-3-1	9.0	%	ε_∥ [1 kHz, 20℃]:	3.6
CCY-3-O1	1.5	%	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:	6.7
CCY-3-O2	9.5	%	K₁ [pN, 20℃]:	13.8
CPY-2-O2	3.0	%	K₃ [pN, 20℃]:	15.6
CPY-3-O2	11.0	%	K₃ /K₁ [pN, 20℃]:	1.13
CY-3-O2	6.5	%	V₀ [V, 20℃]:	2.39
PY-1-O2	9.0	%
PY-2-O2	9.0	%
PY-3-O2	1.0	%
∑	100.0	%

主體混合物N24

B-2O-O5	4.0	%	cl.p. [℃]:	74.2
BCH-32	8.0	%	Δn [589 nm, 20℃]:	0.1091
CC-3-V1	9.0	%	n_e [589 nm, 20℃]:	1.5953
CCH-301	2.0	%	n_o [589 nm, 20℃]:	1.4862
CCH-34	8.0	%	Δε [1 kHz, 20℃]:	-3.1
CCH-35	7.0	%	ε_∥ [1 kHz, 20℃]:	3.6
CCP-3-1	8.0	%	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:	6.7
CCP-V2-1	5.0	%	K₁ [pN, 20℃]:	14.5
CCY-3-O2	10.5	%	K₃ [pN, 20℃]:	16.5
CLY-3-O2	1.0	%	K₃ /K₁ [pN, 20℃]:	1.14
CPY-3-O2	2.5	%	V₀ [V, 20℃]:	2.41
CY-3-O2	11.5	%
PCH-3O1	5.5	%
PY-3-O2	18.0	%
∑	100.0	%

主體混合物N25

CC-3-V1	3.0	%	cl.p. [℃]:	74.8
CCH-301	9.0	%	Δn [589 nm, 20℃]:	0.0891
CCH-303	5.0	%	n_e [589 nm, 20℃]:	1.5681
CCH-34	9.0	%	n_o [589 nm, 20℃]:	1.4790
CCH-35	9.0	%	Δε [1 kHz, 20℃]:	-3.2
CCP-3-1	8.0	%	ε_∥ [1 kHz, 20℃]:	3.5
CCY-3-O2	11.5	%	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:	6.7
CCY-5-O2	9.0	%	K₁ [pN, 20℃]:	14.2
CPY-3-O2	6.0	%	K₃ [pN, 20℃]:	16.3
CY-3-O2	15.0	%	K₃ /K₁ [pN, 20℃]:	1.15
PCH-3O1	4.5	%	V₀ [V, 20℃]:	2.38
PY-3-O2	11.0	%
∑	100.0	%

主體混合物N26

BCH-32	10.5	%	cl.p. [℃]:	74.5
CCH-34	9.0	%	Δn [589 nm, 20℃]:	0.1090
CCH-35	9.0	%	n_e [589 nm, 20℃]:	1.5953
CCP-3-1	8.0	%	n_o [589 nm, 20℃]:	1.4863
CCY-3-O2	9.5	%	Δε [1 kHz, 20℃]:	-3.4
CCY-4-O2	5.5	%	ε_∥ [1 kHz, 20℃]:	3.7
CPY-3-O2	5.5	%	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:	7.0
CY-3-O2	15.0	%	K₁ [pN, 20℃]:	14.0
CY-5-O2	5.0	%	K₃ [pN, 20℃]:	15.7
PCH-3O1	7.0	%	K₃ /K₁ [pN, 20℃]:	1.12
PY-3-O2	16.0	%	V₀ [V, 20℃]:	2.25
∑	100.0	%

主體混合物N27

B(S)-2O-O5	4.0	%	cl.p. [℃]:	74.7
BCH-32	5.0	%	Δn [589 nm, 20℃]:	0.1024
CC-3-V1	6.0	%	n_e [589 nm, 20℃]:	1.5885
CCH-34	9.0	%	n_o [589 nm, 20℃]:	1.4861
CCH-35	9.0	%	Δε [1 kHz, 20℃]:	-3.2
CCP-3-1	8.0	%	ε_∥ [1 kHz, 20℃]:	3.6
CCY-3-O1	6.5	%	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:	6.7
CCY-3-O2	9.0	%	K₁ [pN, 20℃]:	13.5
CLY-3-O2	1.0	%	K₃ [pN, 20℃]:	16.5
CPY-3-O2	4.5	%	K₃ /K₁ [pN, 20℃]:	1.22
CY-3-O2	13.0	%	V₀ [V, 20℃]:	2.39
PCH-3O1	15.0	%
PY-1-O2	8.0	%
PY-2-O2	2.0	%
∑	100.0	%

主體混合物N28

CCH-301	9.0	%	cl.p. [℃]:	110.9
CCH-34	9.0	%	Δn [589 nm, 20℃]:	0.1022
CCH-35	8.0	%	n_e [589 nm, 20℃]:	1.5867
CCOC-4-3	3.0	%	n_o [589 nm, 20℃]:	1.4845
CCP-3-1	6.0	%	Δε [1 kHz, 20℃]:	-3.0
CCP-3-3	6.0	%	ε_∥ [1 kHz, 20℃]:	3.3
CCPC-33	3.0	%	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:	6.3
CCY-3-1	3.5	%	K₁ [pN, 20℃]:	18.8
CCY-3-O2	4.5	%	K₃ [pN, 20℃]:	19.6
CCY-3-O3	6.0	%	K₃ /K₁ [pN, 20℃]:	1.04
CCY-4-O2	6.0	%	V₀ [V, 20℃]:	2.69
CCY-5-O2	5.0	%
CPY-2-O2	10.5	%
CPY-3-O2	6.5	%
CY-3-O2	1.0	%
PCH-3O2	4.0	%
PY-2-O2	9.0	%
∑	100.0	%

主體混合物N29

BCH-32	3.0	%	cl.p. [℃]:	109.8
CCH-301	9.0	%	Δn [589 nm, 20℃]:	0.1020
CCH-34	9.0	%	n_e [589 nm, 20℃]:	1.5867
CCH-35	2.5	%	n_o [589 nm, 20℃]:	1.4847
CCOC-4-3	3.0	%	Δε [1 kHz, 20℃]:	-3.0
CCP-3-1	6.0	%	ε_∥ [1 kHz, 20℃]:	3.3
CCP-3-3	5.0	%	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:	6.2
CCY-3-1	3.0	%	K₁ [pN, 20℃]:	18.4
CCY-3-O2	6.0	%	K₃ [pN, 20℃]:	20.3
CCY-3-O3	6.0	%	K₃ /K₁ [pN, 20℃]:	1.10
CCY-4-O2	6.0	%	V₀ [V, 20℃]:	2.75
CCY-5-O2	6.0	%
CPY-2-O2	10.0	%
CPY-3-O2	8.5	%
CY-3-O2	6.0	%
PCH-3O2	11.0	%
∑	100.0	%

主體混合物N30

B(S)-2O-O5	2.0	%	cl.p. [℃]:	74.3
BCH-32	9.5	%	Δn [589 nm, 20℃]:	0.1080
CCP-3-1	9.5	%	n_e [589 nm, 20℃]:	1.5962
CCY-3-O1	6.5	%	n_o [589 nm, 20℃]:	1.4882
CCY-5-O2	9.5	%	Δε [1 kHz, 20℃]:	-3.3
CLY-3-O2	1.0	%	ε_∥ [1 kHz, 20℃]:	3.7
CPY-3-O2	5.5	%	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:	7.0
CC-3-V1	6.5	%	K₁ [pN, 20℃]:	12.9
CCH-301	8.5	%	K₃ [pN, 20℃]:	15.9
CCH-34	3.0	%	K₃ /K₁ [pN, 20℃]:	1.23
CY-3-O2	15.5	%	V₀ [V, 20℃]:	2.31
PCH-3O1	5.0	%
PCH-3O2	6.5	%
PY-2-O2	11.5	%
∑	100.0	%

主體混合物N31

CY-3-O4	12	%	cl.p. [℃]:	77
PY-3-O2	9	%	Δn [589 nm, 20℃]:	0.088
CPY-3-O2	12	%	n_e [589 nm, 20℃]:
CCOY-2-O2	8	%	n_o [589 nm, 20℃]:
CCY-5-O2	10	%	Δε [1 kHz, 20℃]:	-3.1
CC-3-V	20	%	ε_∥ [1 kHz, 20℃]:
CCH-32	30	%	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:
			K₁ [pN, 20℃]:
			K₃ [pN, 20℃]:
			K₃ /K₁ [pN, 20℃]:
			V₀ [V, 20℃]:
∑	100.0	%

主體混合物N32

CCH-32	10	%	cl.p. [℃]:	86
COY-3-O2	10	%	Δn [589 nm, 20℃]:	0.105
COY-3-O1	10	%	n_e [589 nm, 20℃]:
CCOY-2-O2	9	%	n_o [589 nm, 20℃]:
CCY-3-O1	7	%	Δε [1 kHz, 20℃]:	-5.9
CCY-3-O2	6	%	ε_∥ [1 kHz, 20℃]:
CCY-4-O2	6	%	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:
CPY-5-O2	8	%	K₁ [pN, 20℃]:
CPY-3-O1cpr	10	%	K₃ [pN, 20℃]:
CPY-2-O2	10	%	K₃ /K₁ [pN, 20℃]:
CY-3-O2	7	%	V₀ [V, 20℃]:
CY-3-O4	7	%
∑	100.0	%

主體混合物N33

CCH-32	11	%	cl.p. [℃]:	79
CC-3-V	10	%	Δn [589 nm, 20℃]:	0.112
PP-5-O2	5	%	n_e [589 nm, 20℃]:
COY-3-O2	8	%	n_o [589 nm, 20℃]:
COY-3-O1	7	%	Δε [1 kHz, 20℃]:	-4.3
CCOY-2-O2	13	%	ε_∥ [1 kHz, 20℃]:
CPY-cp-O2	7	%	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:
CPY-3-O2	10	%	K₁ [pN, 20℃]:
CPY-2-O2	10	%	K₃ [pN, 20℃]:
PY-3-O2	10	%	K₃ /K₁ [pN, 20℃]:
CCP-3-1	2	%	V₀ [V, 20℃]:
CCP-V-1	4	%
CCP-V2-1	4	%
∑	100.0	%

主體混合物N34

CY-5-O2	11	%	cl.p. [℃]:	60
PY-3-O2	9	%	Δn [589 nm, 20℃]:	0.097
COY-3-O2	17	%	n_e [589 nm, 20℃]:
B(S)-cp1O-O4	4	%	n_o [589 nm, 20℃]:
PP-1-5	10	%	Δε [1 kHz, 20℃]:	-2.8
CC-3-V1	26	%	ε_∥ [1 kHz, 20℃]:
CCH-32	5	%	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:
CCP-3-1	12	%	K₁ [pN, 20℃]:
BCH-32	6	%	K₃ [pN, 20℃]:
			K₃ /K₁ [pN, 20℃]:
			V₀ [V, 20℃]:
∑	100.0

主體混合物N35

CCH-23	16.5	%	cl.p. [℃]:	75
CCH-34	3.0	%	Δn [589 nm, 20℃]:	0.112
PCH-3O1	15.0	%	n_e [589 nm, 20℃]:
PP-1-3	9.0	%	n_o [589 nm, 20℃]:
BCH-32	8.0	%	Δε [1 kHz, 20℃]:	-3.0
COY-3-O1	8.5	%	ε_∥ [1 kHz, 20℃]:
CCOY-3-O2	17.0	%	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:
CPY-2-O2	6.5	%	K₁ [pN, 20℃]:
CPY-3-O2	8.0	%	K₃ [pN, 20℃]:
CPY-3-O4	8.5	%	K₃ /K₁ [pN, 20℃]:
			V₀ [V, 20℃]:
∑	100.0	%

主體混合物N36

CCH-23	12	%	cl.p. [℃]:	111
CCH-34	8	%	Δn [589 nm, 20℃]:	0.097
CCH-35	7	%	n_e [589 nm, 20℃]:
PCH-3O1	8	%	n_o [589 nm, 20℃]:
CCP-3-1	7	%	Δε [1 kHz, 20℃]:	-3.1
CCP-3-3	4	%	ε_∥ [1 kHz, 20℃]:
BCH-32	5	%	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:
CCOY-2-O2	15	%	K₁ [pN, 20℃]:
CCOY-3-O2	15	%	K₃ [pN, 20℃]:
CPY-2-O2	5	%	K₃ /K₁ [pN, 20℃]:
CPY-3-O2	5	%	V₀ [V, 20℃]:
CPY-3-O3	5	%
CPY-3-O4	4	%
∑	100.0	%

主體混合物N37

CC-3-V	32	%	cl.p. [℃]:	74
PP-1-3	11	%	Δn [589 nm, 20℃]:	0.104
CCP-3-1	8	%	n_e [589 nm, 20℃]:
CY-5-O2	2	%	n_o [589 nm, 20℃]:
COY-3-O1	11.5	%	Δε [1 kHz, 20℃]:	-2.9
CCY-3-O2	11.5	%	ε_∥ [1 kHz, 20℃]:
CPY-2-O2	7	%	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:
CPY-3-O2	8	%	K₁ [pN, 20℃]:
CPY-3-O4	9	%	K₃ [pN, 20℃]:
			K₃ /K₁ [pN, 20℃]:
			V₀ [V, 20℃]:
∑	100.0	%

主體混合物N38

CCH-23	21.5	%	cl.p. [℃]:	75
CCH-34	9.5	%	Δn [589 nm, 20℃]:	0.103
PP-1-3	13.5	%	n_e [589 nm, 20℃]:
CCP-3-1	6	%	n_o [589 nm, 20℃]:
COY-3-O1	11.5	%	Δε [1 kHz, 20℃]:	-2.8
CCOY-3-O2	14	%	ε_∥ [1 kHz, 20℃]:
CPY-2-O2	7	%	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:
CPY-3-O2	8	%	K₁ [pN, 20℃]:
CPY-3-O4	9	%	K₃ [pN, 20℃]:
			K₃ /K₁ [pN, 20℃]:
			V₀ [V, 20℃]:
∑	100.0	%

主體混合物N39

CEY-3-O2	7	%	cl.p. [℃]:	89
CCY-3-O2	8	%	Δn [589 nm, 20℃]:	0.115
CCOY-3-O2	5	%	n_e [589 nm, 20℃]:
CLY-2-O2	8	%	n_o [589 nm, 20℃]:
CAIY-3-O2	3	%	Δε [1 kHz, 20℃]:	-1.9
CAIY-5-O2	4	%	ε_∥ [1 kHz, 20℃]:
PYP-2-3	7	%	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:
PYP-2-4	7	%	K₁ [pN, 20℃]:
CC-4-V	15	%	K₃ [pN, 20℃]:
CC-3-V1	6	%	K₃ /K₁ [pN, 20℃]:
CC-1-2V1	6	%	V₀ [V, 20℃]:
CC-3-2V1	4	%
PP-1-2V	5	%
PP-1-2V1	5	%
CCP-3-1	6	%
CBC-33F	4	%
∑	100.0	%

主體混合物N40

B(S)-2O-O5	2.0	%	cl.p. [℃]:	74
BCH-32	9.5	%	Δn [589 nm, 20℃]:	0.108
CCP-3-1	9.5	%	n_e [589 nm, 20℃]:
CCY-3-O1	6.5	%	n_o [589 nm, 20℃]:
CCY-5-O2	9.5	%	Δε [1 kHz, 20℃]:	-3.6
CLY-3-O2	1.0	%	ε_∥ [1 kHz, 20℃]:
CPY-3-O2	5.5	%	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:
CC-3-V1	6.5	%	K₁ [pN, 20℃]:
CCH-301	8.5	%	K₃ [pN, 20℃]:
CCH-34	3.0	%	K₃ /K₁ [pN, 20℃]:
COY-3-O2	15.5	%
PCH-3O1	5.0	%
PCH-3O2	6.5	%
PY-2-O2	11.5	%
∑	100.0	%

主體混合物N41

B(S)-2O-O4	4.0	%	cl.p. [℃]:	75
B(S)-2O-O4	4.0	%	Δn [589 nm, 20℃]:	0.114
BCH-32	7.5	%	n_e [589 nm, 20℃]:	1.606
CC-3-V	25.75	%	n_o [589 nm, 20℃]:	1.492
CC-3-V1	10.0	%	Δε [1 kHz, 20℃]:	-2.6
CCP-3-1	13.0	%	ε_∥ [1 kHz, 20℃]:	3.6
CCP-3-3	3.25	%	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:	6.1
CLY-3-O2	2.0	%	K₁ [pN, 20℃]:	13.7
CPY-2-O2	9.5	%	K₃ [pN, 20℃]:	14.2
PY-2-O2	11.0	%	K₃ /K₁ [pN, 20℃]:
PY-2-O1	10.0	%
∑	100.0	%

主體混合物N42

BCH-32	4.0	%	cl.p. [℃]:	75.0
CC-3-V1	8.0	%	Δn [589 nm, 20℃]:	0.101
CCH-23	17.5	%	n_e [589 nm, 20℃]:
CCH-34	7.0	%	n_o [589 nm, 20℃]:
CCY-3-O2	10.0	%	Δε [1 kHz, 20℃]:	-3.4
CPY-2-O2	11.0	%	ε_∥ [1 kHz, 20℃]:
CPY-3-02	12.0	%	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:
CY-3-O2	13.5	%	K₁ [pN, 20℃]:	13.1
CY-3-O4	12.0	%	K₃ [pN, 20℃]:	13.8
PYP-2-3	5.0	%	K₃ /K₁ [pN, 20℃]:	1.05
∑	100.0	%

有利地，在添加可聚合添加劑前或在添加可聚合添加劑時穩定主體混合物。例如，將0.01重量% Irganox-1076 (R)添加至該等主體混合物。此外，視需要藉由0.015重量% STABILIX (R)穩定該可聚合混合物。其他可選穩定劑揭示於表C中。

混合物實例P1 根據本發明之可聚合混合物P1係藉由將0.3% RM-1、0.2% RM-2、0.5% RM-3及0.9% SA-20作為可聚合化合物添加至向列LC主體混合物N1，並將該混合物均質化製備。

混合物實例P2 根據本發明之可聚合混合物P2係藉由將0.3% RM-1、0.3% RM-2、0.5% RM-3及1.5% SA-20作為可聚合化合物添加至向列LC主體混合物N1，並將該混合物均質化製備。

比較混合物實例：可聚合混合物 C1 至 C4 出於比較目的，可聚合混合物C1及C2係藉由僅將RM-1添加至向列LC主體混合物N1 (分別0.6%、0.9%)製備。

此外，比較可聚合混合物C3係藉由將0.3% RM-1、0.2% RM-2及0.9% SA-20添加至向列LC主體混合物N1製備。

更進一步，比較可聚合混合物C4係藉由將0.3% RM-1、0.2% RM-2及1.5% SA-20添加至向列LC主體混合物N1製備。

混合物實例P3 根據本發明之可聚合混合物P3係藉由將0.3% RM-1、0.2% RM-2、0.5% RM-3及0.9% SA-20作為可聚合化合物添加至向列LC主體混合物N1，並將該混合物均質化製備。

類似於上文程序製備之一些其他可聚合混合物之組成顯示於表1中。表1：其他可聚合混合物組成

混合物編號	P3	P4	P5	P6	P7	P8
LC主體	N1	N1	N2	N2	N1	N1
RM-1	0.3	0.3	0.3	0.3	0.3	0.3
RM-2	0.2	0.3	0.2	0.3	0.2	0.3
RM-3	0.5	0.5	0.5	0.5	0.5	0.5
SA-20			0.9	1.5
SA-22	0.9	1.5
SA-26					0.9	1.5

混合物編號	P9	P10	P11	P12	P13	P14
LC主體	N42	N42	N42	N42	N42	N42
RM-1
RM-2	0.03	0.03	0.03	0.05	0.03	0.02
RM-3	0.3	0.3	0.3	0.3	0.25	0.25
SA-20	0.6
SA-22		0.6		0.6	0.6	0.6
SA-26			0.6

用途實例 ( 自配向 PS-VA) 將個別可聚合混合物填充至PSA測試單元及測試面板內，RM在施加電壓之情況下聚合，並量測數個典型性能性質，諸如傾斜產生、殘餘RM含量、應力下之VHR、影像殘留及傾斜角穩定性。

藉由控制 UV1 固化時間之傾斜產生： 藉由在第一UV聚合步驟(UV1)中於測試單元內使製得的LC介質聚合來測試其等傾斜產生行為。該UV1步驟之較佳持續時間係40至150 s。在此範圍中，可足夠仔細地控制該傾斜產生，同時完成該聚合步驟之節拍時間保持較短。由下表2.a/b描述該傾斜產生行為，其中符號表示： X：無法控制(傾斜產生過快及/或過強)，△：可接受，O：充分可控。表2.a：標準UV1固化時間(40至150 s)內之傾斜產生行為：

混合物	RM-1	RM-2 (減速劑RM)	RM-3	SA-20	合適之UV1固化時間及傾斜產生之達成
C1	0.3%	-	-	0.6%	△
C2	0.3%	-	-	0.9%	X
C3	0.3%	0.2%	-	0.9%	O
C4	0.3%	0.2%	-	1.5%	O
C5	0.3%	-	0.5%	0.9%	X
P1	0.3%	0.2%	0.5%	0.9%	O
P2	0.3%	0.3%	0.5%	1.5%	O

所有樣品均顯示具有一定傾斜度之垂直配向。根據本發明之樣品P1及P2在約50 (±10)秒之UV1照射時間後達成所需傾斜產生，其完全在所需時間範圍內。比較實例C1具有沈積於電極平面上之相對較薄之聚合物層。就C2及C5而言，該傾斜產生太強且太快以至於無法達成目標值。習知混合物C1具有可接受之傾斜產生。比較實例C3及C4在UV1照射之規定時間範圍內很好地達成傾斜，但殘餘RM非常高(參見下文)。表2.b：標準UV1固化時間(40至150 s)內之傾斜產生行為：

混合物	RM-2	RM-3	SA-22	合適之UV1固化時間及傾斜產生之達成
P10	0.03	0.3	0.6	O (2.6°傾斜，100 s固化)
P12	0.05	0.3	0.6	O
P13	0.03	0.25	0.6	O
P14	0.02	0.25	0.6	O

於所需範圍內及在所需時間範圍內之照射時間後，樣品顯示具有合適傾斜度之垂直配向。

殘餘 RM 量測： 測定UV曝露後混合物中之殘餘未聚合RM之量(以重量%計)。UV程序係類似於面板製造中之方法條件進行(第一UV固化40至120 s (Fe-I金屬鹵化物燈)；第二UV末端固化120 min (UV-C螢光燈，0.5 mW/cm² )。

出於此目的，將可聚合混合物填充至由塗佈約200 nm厚之ITO層之AF玻璃製成且單元間隙為3.3 µm之電光測試單元內。

將測試單元照射末端固化典型之可變時間(1至2 h)。

在聚合後，打開測試單元，及將混合物溶解並用2 ml乙基甲基酮沖洗出該測試單元且藉由高效液相層析術(HPLC)分析。結果顯示於表3.a/b中。表3.a：1 h UV末端固化後之殘餘RM含量(UV-C)：

混合物	RM-1	RM-2	RM-3	SA-20
P1	未發現	未發現	未發現	＜60 ppm
P2	未發現	未發現	未發現	＜60 ppm
C2	503 ppm	166 ppm	未添加	429 ppm

表3.b：2 h UV末端固化後之殘餘RM含量(UV-C)：

混合物	RM-1	RM-2	RM-3	SA-20
P1	未發現	未發現	未發現	未發現
P2	未發現	未發現	未發現	未發現
C2	66 ppm	未發現	未添加	84 ppm

從表3.a/b中可見，針對除RM-1及RM-2外具有RM-3之根據本發明之可聚合混合物，有利地，1 h後，RM-1、RM-2及SA-20之殘餘RM量減小。2 h末端固化後，相比於習知RM混合物，混合物P1及P2根本無可偵測之殘餘RM含量。

其他結果係由經修飾之UV-2程序獲得(表3.c；第一UV固化40至120 s (Fe-I金屬鹵化物燈)；第二UV末端固化90 min (365 nm，4 mW/cm² ，35℃)。表3.c：2 h UV末端固化後之殘餘RM含量(365 nm)：

混合物	RM-2	RM-3	SA-20
P9	24 ppm	未發現	28 ppm

混合物及所得裝置符合PSA顯示器之規格。

傾斜穩定性量測： 混合物之傾斜穩定性係藉由比較應力條件(60 Vpp，200 Hz，72 H)前後之傾斜角測定。針對混合物P9，傾斜穩定性係在0.21°之有利水平下測定。

電壓保持率 (VHR) 量測： 使用根據本發明之介質之裝置的可靠性亦由第二UV步驟後之VHR值測定。此處，VHR係在1 V/0.6 Hz/60℃下，第一UV固化70至120 s (Fe-I金屬鹵化物燈)；第二UV末端固化90 min (365 nm，4 mW/cm² ，35℃)測定。

混合物P9顯示94.9%之VHR值。相比之下，無添加劑RM-2之混合物顯示93%之更低VHR。

在交流電及直流電及背光應力下之影像殘留： 一系列測試單元在室溫下用40 Vpp AC + DC驅動14 h，以背光作為應力測試。然後，該等測試單元之灰度在無應力測試之情況下與其等參考值進行比較。使用亮度之平均差異作為影像殘留值(ISV)。ISV值與使用混合物C2之比較測試單元進行比較。

相較於習知混合物，本發明混合物在AC/DC應力條件後具有影像殘留之趨勢顯著降低。顯示器面板之可靠性係經改良，且該等發現指示LC介質之定向及傾斜角之極佳穩定性。

總而言之，上文結果證實，根據本發明之可聚合LC介質可產生具有低殘餘RM及極佳影像殘留行為之LC面板。因此，根據本發明之LC介質顯示極佳性能。

混合物實例P15至P54 根據本發明之可聚合混合物P9至P45係藉由將0.3% RM-1、0.2% RM-2、0.5% RM-3及0.9% SA-20作為可聚合化合物分別添加至向列LC主體混合物N3至N42，並將各混合物均質製備。將0.015% STABILIX (R)添加至各主體混合物。

混合物實例P55至P94 根據本發明之可聚合混合物P55至P94係藉由將0.3% RM-1、0.2% RM-2、0.5% RM-3及0.9% SA-22作為可聚合化合物分別添加至向列LC主體混合物N3至N42，並將各混合物均質製備。

混合物實例P95至P134 根據本發明之可聚合混合物P95至P134係藉由將0.3% RM-1、0.2% RM-2、0.5% RM-3及0.9% SA-26作為可聚合化合物分別添加至向列LC主體混合物N3至N42，並將各混合物均質製備。

Claims

一種液晶(LC)介質，其包含：可聚合組分A)，其包含可聚合化合物，其等中之至少第一者係式I化合物，其等中之至少第二者係式II化合物，及至少第三者係用於垂直配向之式III可聚合自配向添加劑及液晶LC組分B)，其包含一或多種液晶原或液晶化合物，其中將該等式定義為：
I 其中該等個別基團彼此獨立地且在每次出現時相同或不同地具有下列含義， P 可聚合基團， Sp 間隔基團或單鍵， R^L -CH₃ 、-C₂ H₅ 或-CH₂ CH₂ CH₃ ， r 獨立地係0、1或2， s 係0或1，及 L¹ 、L² 、L³ 獨立地係F、Cl或具有1至5個C原子之直鏈、分支鏈或環形烷基，其中一或多個不相鄰CH₂ 基團視需要經-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-以使得O及/或S原子非彼此直接連接之方式置換，且其中一或多個H原子各自視需要經F或Cl置換，
II 其中該等個別基團彼此獨立地且在每次出現時相同或不同地具有下列含義 P 可聚合基團， Sp 間隔基團或單鍵， r 獨立地係0、1或2， s 係0或1，及 L¹ 、L² 獨立地係F、Cl或具有1至5個C原子之直鏈、分支鏈或環形烷基，其中一或多個不相鄰CH₂ 基團視需要經-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-以使得O及/或S原子非彼此直接連接之方式置換，且其中一或多個H原子各自視需要經F或Cl置換， MES-R^a III 其中 MES 係包含彼此直接或間接連接或彼此縮合之兩個或更多個環之桿狀液晶原基團，該等環視需要經取代且其視需要另外經一或多個可聚合基團取代，該等基團係直接或經由間隔子連接至MES，及 R^a 係極性錨定基團，其位於該桿狀液晶原基團MES之末端位置，該基團R^a 包含至少一個碳原子及至少一個選自-OH、-SH、-COOH、-CHO或一級胺或第二胺官能基之基團，且其視需要經一或兩個可聚合基團取代，該等可聚合基團係直接或經由間隔子連接至R^a ，其中MES或R^a 中之至少一者係直接或經由間隔子經至少一個可聚合基團取代。
如請求項1之LC介質，其中該式I化合物係選自下列式：

其中 P 係可聚合基團， Sp 間隔基團，及 L¹ 、L³ 獨立地如請求項1中針對式I定義。
如請求項1或2之LC介質，其中除式I、II及III化合物外，該LC介質亦包含一或多種選自下列式之其他可聚合化合物：

其中該等個別基團具有下列含義： P¹ 、P² 及P³ 各自彼此獨立地表示丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯基團， Sp¹ 、Sp² 及Sp³ 各自彼此獨立地表示具有上下文中針對Sp指示之含義中之一者之單鍵或間隔基團，且特別佳表示-(CH₂ )_p1 -、-(CH₂ )_p1 -O-、-(CH₂ )_p1 -CO-O-、-(CH₂ )_p1 -O-CO-或-(CH₂ )_p1 -O-CO-O-，其中p1係1至12之整數，其中另外基團P¹ -Sp¹ -、P¹ -Sp² -及P³ -Sp³ -中之一或多者可表示R^aa ，限制條件為存在之該等基團P¹ -Sp¹ -、P² -Sp² 及P³ -Sp³ -中之至少一者不同於R^aa ， R^aa 表示H、F、Cl、CN或具有1至25個C原子之直鏈或分支鏈烷基，其中另外一或多個不相鄰CH₂ 基團可各自彼此獨立地經C(R⁰ )=C(R⁰⁰ )-、-C≡C-、-N(R⁰ )-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-以使得O及/或S原子非彼此直接連接之方式置換，且其中另外一或多個H原子可經F、Cl、CN或P¹ -Sp¹ -置換，特別佳具有1至12個C原子之直鏈或分支鏈、視需要單氟化或多氟化烷基、烷氧基、烯基、炔基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基(其中該等烯基及炔基具有至少兩個C原子且該等分支鏈基團具有至少三個C原子)， R⁰ 、R⁰⁰ 各自彼此獨立地且在每次出現時相同或不同地表示H或具有1至12個C原子之烷基， R^y 及R^z 各自彼此獨立地表示H、F、CH₃ 或CF₃ ， X¹ 、X² 及X³ 各自彼此獨立地表示-CO-O-、-O-CO-或單鍵， Z¹ 表示-O-、-CO-、-C(R^y R^z )-或-CF₂ CF₂ -， Z² 及Z³ 各自彼此獨立地表示-CO-O-、-O-CO-、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-CF₂ O-、-OCF₂ -或-(CH₂ )_n -，其中n係2、3或4， L 在每次出現時相同或不同地表示F、Cl、CN或具有1至12個C原子之直鏈或分支鏈、視需要單氟化或多氟化烷基、烷氧基、烯基、炔基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基，較佳F， L'及L" 各自彼此獨立地表示H、F或Cl， r 表示0、1、2、3或4， s 表示0、1、2或3， t 表示0、1或2， x 表示0或1。
如請求項1至3中任一項之LC介質，其中在式I、II及III中，P表示丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯基團。
如請求項1至4中一或多項之LC介質，其中用於垂直配向之該自配向添加劑具有式IIIa： R¹ -[A² -Z² ]_m -A¹ -R^a IIIa 其中 A¹ 、A² 各自彼此獨立地表示芳族、雜芳族、脂環族或雜環基團，其亦可含有稠環，且其亦可經基團L或-Sp-P單取代或多取代， L 在各情況下，彼此獨立地表示H、F、Cl、Br、I、-CN、-NO₂ 、-NCS、-C(=O)N(R⁰ )₂ 、-C(=O)R⁰ 、視需要經取代之矽基、具有3至20個C原子之視需要經取代之芳基或環烷基、或具有多達25個C原子之直鏈或分支鏈烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基，其中另外一或多個H原子可各自經F或Cl置換， P 表示可聚合基團， Sp 表示間隔基團或單鍵， Z² 在各情況下，彼此獨立地表示單鍵、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-OCO-、-O-CO-O-、-OCH₂ -、-CH₂ O-、-SCH₂ -、-CH₂ S-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CF₂ S-、-SCF₂ -、-(CH₂ )_n1 -、-CF₂ CH₂ -、-CH₂ CF₂ -、-(CF₂ )_n1 -、-CH=CH-、-CF=CF-、-C≡C-、-CH=CH-COO-、-OCO-CH=CH-、-(CR⁰ R⁰⁰ )_n1 -、-CH(-Sp-P)-、-CH₂ CH-(-Sp-P)-或-CH(-Sp-P)CH(-Sp-P)-， n1 表示1、2、3或4， m 表示1、2、3、4或5， R⁰ 在各情況下，彼此獨立地表示具有1至12個C原子之烷基， R⁰⁰ 在各情況下，彼此獨立地表示H或具有1至12個C原子之烷基， R¹ 彼此獨立地表示H、鹵素、具有1至25個C原子之直鏈、分支鏈或環形烷基，其中另外一或多個不相鄰CH₂ 基團可各自經
、
、
、
、
、
、-C≡C-、CH=CH-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-以使得O及/或S原子非彼此直接連接之方式置換，且其中另外一或多個H原子可各自經F或Cl、或基團-Sp-P置換，及 R^a 表示如請求項1中定義之極性錨定基團。
如請求項1至5中一或多項之液晶介質，其中該自配向添加劑具有選自下列式之錨定基團R^a ：
其中 p 表示1或2， q 表示2、3或4，其中各基團可相同或不同， B 表示經取代或未經取代之環系統或稠環系統， Y 彼此獨立地表示-O-、-S-、-C(O)-、-C(O)O-、-OC(O)-、-NR¹¹ -或單鍵， o 表示0或1， X¹ 彼此獨立地表示H、烷基、氟烷基、OH、NH₂ 、NHR¹¹ 、NR¹¹ ₂ 、-PO(OR¹¹ )₂ 、-SO₂ R¹¹ 、-OR¹¹ 、C(O)OH、P或-CHO，其中至少一個基團X¹ 表示選自-OH、-NH₂ 、NHR¹¹ 、-PO(OR¹¹ )₂ 、-SO₂ R¹¹ 、C(O)OH及-CHO之基團， Z¹ 獨立地-(CO)-CH₂ (CO)OCH₃ 、-(CO)-CH₂ (CO)-(C=CH₂ )-OCH₃ 、-(CO)-CH₂ (CO)-(CH=CH)-OCH₃ 、-(CO)-(CO)OCH₃ 、-CH₂ -(CO)-(CO)OCH₃ 、-(CO)-CH₃ 、-(CO)-CH₂ (CO)-(CH₂ CH₂ )-OCH₃ ， P 可聚合基團， R¹¹ 表示具有1至12個C原子之烷基， R¹² H、具有1至12個C原子之烷基、P或X¹ ， Sp^a 、Sp^c 、Sp^d 各自彼此獨立地表示間隔基團或單鍵，及 Sp^b 表示三價或四價基團。
如請求項1至6中一或多項之液晶介質，其中用於垂直配向之該自配向添加劑係選自式III-A至III-D化合物：
其中R¹ 、R^a 、A² 、Z² 、Sp、P具有如請求項5中針對式IIIa定義之含義， L¹ 在請求項3中定義為L， m 1、2、3或4，及 r1 係0、1、2、3或4。
如請求項1至7中任一項之LC介質，其中該等一或多種式II化合物係選自下列式：
其中P、L¹ 及L² 係如請求項1之式II中定義，及 Sp 係間隔基團。
如請求項1至8中任一項之LC介質，其中該LC介質另外包含選自下列結構之可聚合化合物：
。
如請求項1至9中任一項之LC介質，其中該LC介質包含一或多種式CY及/或PY化合物：
其中個別基團具有下列含義： a 表示1或2， b 表示0或1，
R¹ 及R² 各自彼此獨立地表示具有1至12個C原子之烷基，其中另外一或兩個不相鄰CH₂ 基團可經-O-、-CH=CH-、
、
、
、
、
、
、-C≡C-、-CO-、-O-CO-或-CO-O-以使得O原子非彼此直接連接之方式置換， Z^x 表示-CH=CH-、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-O-、-CH₂ -、-CH₂ CH₂ -或單鍵，較佳單鍵， L^1-4 各自彼此獨立地表示F、Cl、OCF₃ 、CF₃ 、CH₃ 、CH₂ F、CHF₂ 。
如請求項1至10中任一項之LC介質，其中該LC介質包含一或多種選自式CY9、CY10、PY9及/或PY10之化合物：

其中alkyl及alkyl*各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基、環戊基或環丙基甲基。
如請求項1至11中任一項之LC介質，其中該LC介質包含一或多種下式化合物：
其中該等個別基團具有下列含義：
R³ 及R⁴ 各自彼此獨立地表示具有1至12個C原子之烷基，其中另外，一或兩個不相鄰CH₂ 基團可經-O-、-CH=CH-、-CO-、-O-CO-或-CO-O-以使得O原子非彼此直接連接之方式置換， Z^y 表示-CH₂ CH₂ -、-CH=CH-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-COO-、-OCO-、-C₂ F₄ -、-CF=CF-或單鍵。
如請求項1至12中任一項之LC介質，其中該等式I、II及III之可聚合化合物係經聚合。
一種製備如請求項1至13中任一項之LC介質之方法，其包括以下步驟：將如請求項1中定義之液晶組分B)，與一或多種如請求項1至6中一或多項中定義之各具有式I、II及III之化合物，及視需要與其他液晶化合物及/或添加劑混合。
一種LC顯示器，其包含如請求項1至13中任一項之LC介質。
如請求項15之LC顯示器，其係PS-VA或聚合物穩定型SA-VA顯示器。
如請求項15至16中任一項之LC顯示器，其中該LC顯示器包含兩個基板及位於該等基板之間之如請求項1至13中任一項之LC介質之層，兩個基板中之至少一者係透光的，在各基板上提供一電極或在該等基板中之僅一者上提供兩個電極，其中該等可聚合化合物在該顯示器之該等基板之間係經聚合的。
一種用於產生如請求項15至17中任一項之LC顯示器之方法，其包括以下步驟：在該顯示器之該等基板之間提供如請求項1至13中任一項之LC介質，並使該等可聚合化合物聚合。