TW202026608A - 用於確定微影光學系統中光學元件的加熱狀態的方法和設備 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於用以確定微影光學系統中光學元件的加熱狀態的方法和設備，該方法包含以下步驟：使用一光源(303)產生穿透該光學元件(200、300)的一第一部分光束(310)，以及產生不穿透該光學元件的一第二部分光束(320)；及基於量測該第一部分光束和該第二部分光束之間的該飛行時間差以確定該光學元件的該加熱狀態，其中該第一部分光束(310)和該第二部分光束(320)在該光學元件(200、300)的不同面上被反射。

Description

用於確定微影光學系統中光學元件的加熱狀態的方法和設備
本申請案主張申請於2018/09/27的德國專利申請案DE 10 2018 216 628.5的優先權，其內容併入本文供參考。
本發明係關於用於確定微影光學系統中光學元件的加熱狀態的方法和設備。
微影製程係用以產生微結構組件，例如積體電路或LCD。微影製程在所謂的投影曝光設備中進行，其包括一照光裝置和一投影透鏡。以照光裝置照射一遮罩(=光罩(reticle))為例，光罩的影像藉由投影透鏡投射到塗有光敏層(光阻)的基板(例如矽晶圓)且佈置在該投影透鏡的像平面，以便將光罩結構轉移到基板的光敏塗層。
為EUV範圍(即在例如波長約13nm或約7nm)所設計的投影透鏡中，由於缺乏可用的透光折射材料，鏡子便用來作為成像過程的光學組件。實務上出現的一個問題為，EUV反射鏡於其他事件中吸收了EUV光源發出的輻射而使EUV反射鏡加熱，因而EUV反射鏡經歷相關的熱膨脹或變形，此等反而對光學系統的成像性質產生負面影響。
要考慮這種影響，從其他事件中已知去使用具超低熱膨脹的材料(「超低膨脹材料」)，例如由康寧(Corning)公司出售的商品名為ULETM的鈦矽酸鹽玻璃作為鏡基板材料，並在光學有效面附近的區域中設定所謂的零交叉溫度(zero-crossing temperature)。在此零交叉溫度下，例如對於ULETM，其在
Figure 108130537-A0202-12-0002-8
=30℃左右，熱膨脹係數在其溫度相依性中具有零交叉點，在該零交叉點附近沒有熱膨脹或者只有可忽略的鏡基板材料熱膨脹發生。
然而，在此產生實務問題為於操作微影投影曝光設備以改變入射電磁輻射的強度的期間，例如因使用強度隨各EUV反射鏡之光學有效面變化的照光設定，EUV反射鏡露出，具體而言同時(both)兼具局部地(locally)且暫態的(temporally)，其中關連於此的EUV反射鏡通常加熱於特別是微影曝光製程開始時，從相對低的溫度到微影製程所達到的操作溫度。
克服上述問題的一種方法，特別是用以避免因改變引入EUV反射鏡之熱所造成的表面變形以及相關的光學像差，此方法包含使用例如基於紅外輻射的預熱器。利用這種預熱器，主動的反射鏡加熱可於EUV有用輻射相對低吸收階段時發生，其中隨EUV有用輻射吸收增加，所述主動反射鏡加熱相應地減少。
為保持反射鏡溫度盡可能恆定(通常是上述的零交叉溫度)而執行此預熱器操作的閉迴路控制，係需要有相關反射鏡上各種入射情況的輻射功率知識，以便可相應地調整預熱功率。為此目的，使用溫度感測器(除因安裝空間而總是不實用的紅外攝影機以外)，例如以熱電偶或(例如NTC)基於電阻的溫度感測器的形式，其通常可以使用力合(force-fitting)或黏合(cohesive)方式安裝在相應反射鏡的不同位置處。
然而，透過安裝此種熱電偶，可能在反射鏡基板中引起不理想的機械應力，其中還有-特別是當需要多個溫度感測器來確定反射鏡內的隨空間變化的溫度分佈時-所產生的複雜性顯著地增加並可能損害反射鏡的機械穩定性。
有關習知技術，僅為舉例，可參考DE 36 05 737 A1、DE 10 2005 004 460 A1和WO 2012/069351 A1。
本發明之一目的為提供一種用於確定微影光學系統中的光學元件的加熱狀態的方法和裝置，其能夠盡可能準確地知道加熱狀態，同時避免上述問題。
所述目的透過根據獨立申請專利範圍第1項特徵的方法和根據相應申請專利範圍第14項特徵的設備來實現。
根據本發明，用於確定微影光學系統中光學元件的加熱狀態的方法包含以下步驟：使用一光源，產生穿透該光學元件的一第一部分光束，以及產生不穿透該光學元件的一第二部分光束；及基於量測該第一部分光束和該第二部分光束之間的該飛行時間差以確定該光學元件的該加熱狀態；其中第一部分光束和第二部分光束在光學元件的不同面上被反射。
本發明是特別基於至少兩個部分光束間的飛行時間的比較以確定光學元件加熱狀態的概念，部分光束其中之一穿透光學元件，而其他不穿透光學元件。本發明在此利用作用在已穿透部分光束的光學元件材料其折射率為溫度相依性之事實，得出相對於穿過光學元件的部分光束飛行時間也有溫度相依性而連帶地關聯至折射率的事實。
特別的是，本發明包含的概念係於加熱狀態要特徵化之光學元件的不同面上執行已被反射之部分光束間飛行時間的比較，其中所述的不同面更可能特別是光學元件相互的相反面。在反射鏡形式的光學元件中，可以確定在反射鏡(部分光束經常不穿透反射鏡)的光學有效面(也就是說「前側」)上反射的部分光束以及在所述反射鏡的「後側」反射的部分光 束(且因此穿透反射鏡材質)之間的飛行時間差。例如，當實現本發明時，其中兩個部分光束都是藉由分開從光源入射到反射鏡上的相同光束而產生的。這種配置的優點在於，對於用以測量飛行時間差的兩個部分光束，存在著在光學元件外實質上重合的光束路徑。結果沿著光束路徑發生的效應(例如在相應的大氣中以「條紋」的形式)同樣地重合，而最終可因此獲得增加的測量精準度。
根據一具體實施例，在光學元件上執行用於增加第一部分光束(穿透光學元件)及/或第二部分光束(不穿透光學元件)的反射率的表面處理。所述的表面處理可包含例如反射塗層的應用及/或執行拋光程序，並且通常可以在反射鏡的上述應用、反射鏡的後側(其與光學有效面(即前側)相反，通常還沒有充分反射)執行。在其他具體實施例中，如果需要，也可以對第二部分光束(不穿透光學元件)進行這種表面處理，以增加反射率。
根據一具體實施例，一調頻光源被用於作為光源。在此配置中，可以根據本發明使用所謂的「LIDAR原理」，其中確定藉由疊加兩個部分光束所產生之疊加信號的拍頻，並用來確定飛行時間差。
然而，本發明不限於這種基於LIDAR的飛行時間的確定，還同時包括以任何其他(例如電子)方式確定飛行時間的具體實施例。
在其他事件中，當考慮相對較小的振動時以本發明方法執行無干涉飛行時間測量(特別是以所述LIDAR原理的形式)的事實在此有對於擾動敏感的優點-例如與干涉測試法相關-如此一來，整體上可實現一特別穩健的方法。
根據一具體實施例，透過額外包含描述光學元件熱行為的模型以確定加熱狀態。在此可以考慮特別是最初藉由確定根據本發明之不穿透光學元件之部分光束及穿透光學元件之部分光束間的飛行時間差僅推導出加熱狀態「積分效應」的事實，而在此面向，尚未達成有確定不同位置 處溫度意涵的空間解析度。透過上述包含描述光學元件熱行為的模型，可以從根據本發明已確定的測量信號推導出基於典型(例如指數)的溫度曲線的光學元件內的溫度分佈。
根據一具體實施例，光學元件第一部分光束(不穿透光學元件)具有至少10%，特別是至少20%，特定是至少50%的穿透率。在這種情況下足夠的光學元件透明度也可能發生，當指定了具體材料(例如典型的反射鏡基底材料如ULE或Zerodur)，透過相應地選擇光源的波長(例如，在ULE或Zerodur材料的情況下，至少400nm，特別是至少500nm)，或者當指定了由根據本發明使用的光源產生的光束的波長時，可以相應地選擇光學元件的材料，例如透過具體組合物，或適用上述鏡面基板材料例如ULE或Zerodur相應地最佳化穿透行為的配方。
在本發明的具體實施例中，該方法包括產生多個沿不同的光學路徑穿透光學元件的部分光束，其中根據測量每種情況下所述的部分光束之一與不穿透光學元件的部分光束之間的飛行時間差，確定其中的加熱狀態。換句話說，在這樣的具體實施例中，提供多個測試光束路徑，使用來自不同方向(從斷層掃描的角度上)的部分光束來表徵加熱狀態，以便獲得在確定光學元件加熱狀態這方面改善的空間解析度。
根據一具體實施例，該光學元件是反射鏡。
根據一具體實施例，該光學元件為小於30nm，特別是小於15nm的工作波長所設計。
基於加熱狀態的確定，根據一具體實施例，預熱光學元件到至少部分補償操作光學系統時發生的光學元件加熱狀態的時間變化。在進一步的具體實施例中，由光學系統中的加熱狀態引起的光學像差的補償也可以藉由合適的操縱器(例如自適性反射鏡)來執行。替代性地或額外地，這裡也可以相應地補償各別光學系統中的氣體壓力、輻射強度、輻射波長及/或光源設置的變化。
根據一具體實施例，在操作光學系統(例如微影投影曝光設備)期間，確定加熱狀態。
可以從說明書和從屬申請專利範圍中得知更多本發明的其他配置。
根據描繪在以下附圖的示例性具體實施例將更詳細地解釋本發明。
100‧‧‧投影曝光設備
101‧‧‧EUV光源
102‧‧‧收集反射鏡
103‧‧‧場分面鏡
104‧‧‧光瞳分面鏡
105‧‧‧第一望遠鏡
106‧‧‧第二望遠鏡
107‧‧‧偏轉鏡
121~126‧‧‧反射鏡
130‧‧‧光罩台
131‧‧‧反射承載結構光罩
140‧‧‧晶片台
141‧‧‧基板
200‧‧‧光學元件
201‧‧‧前側
201a‧‧‧區域
202‧‧‧後側
202a‧‧‧區域
300‧‧‧光學元件
301a‧‧‧區域/界面
302‧‧‧後側
302a‧‧‧區域/界面
303‧‧‧光源
305‧‧‧光束
310‧‧‧部分光束
320‧‧‧部分光束
330‧‧‧檢測器
340‧‧‧區域
附圖中：圖1顯示設計操作在EUV範圍內的微影投影曝光設備可能的結構之示意圖；以及圖2-3顯示解釋根據本發明方法的可能具體實施例的示意圖。
圖1顯示一投影曝光設備100的示意圖，能夠以示例性方式實現之本發明，其中該投影曝光設備100被設計用於操作在EUV範圍內。
根據圖1，投影曝光設備100的照光裝置包括場分面鏡103和光瞳分面鏡104。來自光源單元的光包含在該示例中一EUV光源(電漿光源)101和收集反射鏡102被引導到場分面鏡103上。第一望遠鏡105和第二望遠鏡106佈置在光瞳分面鏡104下游的光路徑中。偏轉鏡107佈置在光路的下游，所述偏轉鏡將入射在其上的輻射引導到包含有六個反射鏡121-126的投影透鏡的物平面中的物件欄上。在物件欄的位置處，一反射承載結構光罩131佈置在光罩台130上，所述光罩借助於投影透鏡成像到圖像平面中，圖像平面中晶片台140上的基板141塗有光敏層(光阻)。
在微影投射曝光設備100的操作期間，入射在光學有效面上 或存在的反射鏡入射面上的電磁輻射被部分吸收，而且，如同在介紹部分中所解釋的，導致熱量的增加和相關的熱膨脹或變形，這反過來可能會導致成像性質的損害。
根據本發明用以確定光學元件之加熱狀態的方法或設備，可以特別用在例如圖1的微影投射曝光設備100之任意所需的反射鏡上。
以下，參考圖2-3的示意圖，在示例性具體實施例中描述了根據本發明方法的結構和功能。
根據本發明，基於兩個部分光束之間的飛行時間差的測量來確定例如圖1的微影投影曝光設備的反射鏡之光學元件的加熱狀態，其中只有一個穿透相關的光學元件或反射鏡。由於光學元件材料折射率的溫度相依性，所述飛行時間差對所述折射率的給定相依性導致根據本發明測量的飛行時間差可以用來量測光學元件材料的溫度。
圖2最初以示意性和高度簡化的圖示，以反射鏡形式顯示光學元件200，其光學有效面或前側被標記為「201」，其後側則被標記為「202」。「201a」和「202a」表示前側201和後側202的部分區域，其用於為上述的部分光束提供用於確定飛行時間差的反射界面。儘管對反射鏡而言，光學有效面已經充足的反射，但是也可以在區域202a中的後側202上進行適當的表面處理以提供足夠的反射率，例如透過塗覆及/或進行拋光處理，此外，如圖2a所示，後側202的相應處理還可以進一步導致區域202a基本上以相同的梯度和平行偏移延伸到位於前側201的區域201a。利用這種配置，可以確保基本上光束路徑重合的部分光束在相關區域201a，202a處反射。結果在確定飛行時間差時，沿各個光束路徑發生的效應相互抵消。
圖3a和圖3b的示意圖用於說明根據本發明的方法的功能原理，其中具有基本上相同功能的組件或與圖2類似的組件，以增加「100」為一單位，用附圖標記表示。
根據圖3a-3b，由光源303輻射的光束305，第一部分光束 310穿透光學元件300或反射鏡，並在光學元件300的前側的區域301a處反射，而同樣由光束305產生的第二部分光束320已經在後側302的區域302a處反射，因此不穿透光學元件300或反射鏡。
圖3b中的「340」示意性地顯示出了光學元件300的一區域，第一部分光束310穿過該區域，其溫度與圖3a相比偏離。穿過所述區域340導致第一部分光束310處於光程長度的變化中，且由於反射率的溫度相依性，在從根據圖3a的場景到根據圖3b的場景的轉換中，部分光束310、320之間的飛行時間差也發生變化。因此，根據本發明可以使用所述飛行時間差的測量來表徵光學元件300或反射鏡的加熱狀態。兩個部分光束310、320之間的時間差△t用以下公式計算
Figure 108130537-A0202-12-0008-1
其中c是光速，n(x)是位置相關的折射率，
Figure 108130537-A0202-12-0008-9
是平均折射率，D是相關位置處的光學元件300的幾何厚度而α是界面301a，302a上的入射角。在一個良好的近似中，根據
Figure 108130537-A0202-12-0008-2
局部折射率n取決於與參考溫度相比偏離的溫度。在從圖3a到圖3b的轉換時，因與沿光學元件300中各個橫穿區域溫度變化相關聯的折射率變化，轉而導致兩個部分光束310，320之間的飛行時間差，由以下公式計算△t 2-△t 1=2 *(n'-n)* D/(c * cosα) (3).
在進一步的具體實施例中，也可以以另一種合適的方式選擇穿透光學元件300或反射鏡的部分光束的光束路徑，特別是還平行於光學有效面或者與光學元件成一定角度，這取決於具體的應用情況(特別是在光學元件的具體幾何形狀和安裝空間的情況)，或者多個部分光束可以從不同方向穿過光學元件，以達到更大的空間解析度。
在不限制本發明於此的情況下，可以特別地使用本身已知的「LIDAR原理」來影響上述飛行時間差的確定。在此情況下，調頻光源用作產生光束305的光源303。對應於第一部分光束310和第二部分光束320的測量信號(可能透過信號耦合器)提供給檢測器330。其中，在檢測器側捕獲所述信號疊加的拍頻是部分光束310、320之間飛行時間差的特徵。在具有時間延遲△t的信號疊加的情況下，拍頻Ω和調頻率(chirp rate)ξ之間存在以下關係：Ω：=ξ-△t (4)
對於一變動在平均溫度5K，光學元件的示例性厚度為200mm，從10-5 K-1的係數
Figure 108130537-A0202-12-0009-11
的典型數量級開始，進行定量評估。根據7*10-14秒的飛行時間差，光程長度有20μm的變化。
可以根據本發明基於加熱狀態的確定，來影響光學元件300或反射鏡的預熱，其至少部分地補償加熱狀態的時間變化。此外，還可以通過合適的操縱器(例如自適應反射鏡)來執行由光學系統中的所述加熱狀態引起的光學像差的補償。結果，因此可獲得在熱影響方面是穩健的且確保一致性的高成像質量之光學系統的設計。
儘管已基於特定具體實施例來描述本發明，對本領域技術人員而言，許多變化和替代具體實施例是明顯的，例如，通過組合及/或交換各個具體實施例的特徵。因此，對本領域技術人員而言，不言而喻，這些變化和替代具體實施例同時包含在本發明中，且本發明的範圍僅限於所附申請專利範圍及與此等申請專利範圍均等的內容。
300‧‧‧光學元件
301a‧‧‧區域/界面
302‧‧‧後側
302a‧‧‧區域/界面
303‧‧‧光源
305‧‧‧光束
310‧‧‧部分光束
320‧‧‧部分光束
330‧‧‧檢測器

Claims (14)

  1. 一種用於確定一微影光學系統中一光學元件的加熱狀態的方法，其中該方法包含以下步驟：(a)使用一光源(303)產生穿透該光學元件(200、300)的一第一部分光束(310)，以及產生不穿透該光學元件(200、300)的一第二部分光束(320)；及(b)基於量測該第一部分光束(310)和該第二部分光束(320)之間的該飛行時間差以確定該光學元件(200、300)的該加熱狀態；其中該第一部分光束(310)和該第二部分光束(320)在該光學元件(200、300)的不同面上被反射。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中使用一調頻光源作為一光源(303)。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之方法，其中步驟b)包括該第一部分光束(310)和該第二部分光束(320)的一疊加，其中該光學元件(200、300)的該加熱狀態是基於所述疊加的該拍頻所確定。
  4. 如前述申請專利範圍之任一項所述之方法，其中該光學元件(200、300)對該第一部分光束(310)的一穿透率至少為10%，特別是至少為20%，特定是至少為50%。
  5. 如前述申請專利範圍之任一項所述之方法，其中該光源(303)是設計用來產生一波長至少400nm，特別是至少500nm的光。
  6. 如前述申請專利範圍之任一項所述之方法，其中在該光學元件(200、 300)上進行一表面處理，以增加該第一部分光束(310)及/或該第二部分光束(320)的該反射率。
  7. 如前述申請專利範圍之任一項所述之方法，其中透過額外包含描述該光學元件(200、320)的該熱行為的一模型來確定該加熱狀態。
  8. 如前述申請專利範圍之任一項所述之方法，其中步驟a)包含沿不同光學路徑產生穿透該光學元件的多個部分光束，其中步驟b)，更基於每個狀態中上述部分光束其中之一與不穿透該光學元件(200、300)之一部分光束之間的該飛行時間差的量測以確定該加熱狀態。
  9. 如前述申請專利範圍之任一項所述之方法，其中該光學元件(200、300)是一反射鏡。
  10. 如前述申請專利範圍之任一項所述之方法，其中該光學元件(200、300)係設計給小於30nm，特別是小於15nm的一操作波長。
  11. 如前述申請專利範圍之任一項所述之方法，其中基於該加熱狀態的該確認，預熱該光學元件(200、300)用以至少部分補償操作該光學系統時發生的該光學元件(200、300)加熱狀態的時間變化，及/或補償影響因該光學系統中的該加熱狀態所造成之光學像差。
  12. 如前述申請專利範圍之任一項所述之方法，其中在該光學系統的該操作期間確定該加熱狀態。
  13. 如前述申請專利範圍之任一項所述之方法，其中該光學系統是一微影 投影曝光設備。
  14. 一種用於確定一微影光學系統中的一光學元件的加熱狀態的設備，其特徵在於該設備被配置來實現根據前述申請專利範圍之任一項的方法。
TW108130537A 2018-09-27 2019-08-27 用於確定微影光學系統中光學元件的加熱狀態的方法和設備 TW202026608A (zh)

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