TW202025480A - 顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明揭露一種顯示裝置。該顯示裝置可包括薄膜電晶體、輔助電極、鈍化層、第一隔牆肋、第二隔牆肋、第一電極、連接電極、堤層、有機發射層以及第二電極。輔助電極與薄膜電晶體間隔地設置在基板。鈍化層設置在薄膜電晶體和輔助電極上。第一隔牆肋與第二隔牆肋間隔地設置在鈍化層上。第一電極設置在第一隔牆肋上並且連接薄膜電晶體。連接電極設置在第二隔牆肋上並且連接輔助電極。堤層設置在第一電極上且包含有顯露部份的第一電極的第一開口和顯露部份的連接電極的第二開口。有機發射層設置在第一電極上並被第二隔牆肋所分割。第二電極設置在有機發射層上且在第二隔牆肋之附近接觸於連接電極。

Description

顯示裝置
本發明有關於一種顯示裝置，具體而言涉及一種能夠提高開口率和透射率，並降低製造成本的顯示裝置。
隨著信息社會的發展，用於顯示圖像的顯示裝置的各種需求正在增加。 在顯示裝置領域中，薄、重量輕且可採用大尺寸形成的平板顯示裝置（FPD）已經迅速取代體積龐大的陰極射線管（CRT）。平板顯示裝置包括液晶顯示裝置（LCD），電漿顯示板（PDP），有機發光顯示裝置（OLED），電泳顯示裝置（ED）等。
在這些類型的顯示裝置中，有機發光顯示裝置是自發光裝置，並且具有快速響應時間，高發光效率，高亮度和寬視角。 值得注意的是，有機發光顯示裝置可以製造在軟性基板上，並且具有優於電漿顯示面板或無機電致發光（EL）顯示裝置的優點，因為它們可以在低電壓下操作，具有更低的功耗，且提供鮮豔的色彩再現。
最近，正在開發的透明顯示裝置，其允許用戶透過顯示裝置的前部看到顯示裝置的背面上顯示的內容。透明顯示裝置的一個例子是透明有機發光顯示裝置，其包括用於發光的子像素和外部光通過的透射部分。 子像素和透射部之間為取捨關係。當子像素變得更大，則透射部變得更小。或者當透射部變得更大，則子像素變得更小。如此一來，難以增加子像素和透射部的開口率。
本發明在於提供一種顯示裝置，其能夠透過增加第二電極和輔助電極之間的接觸面積來改善開口率、透射率以及降低製造成本。
依據本發明一實施例的顯示裝置，其包括：至少一個薄膜電晶體、輔助電極、鈍化層、第一隔牆肋、第二隔牆肋、第一電極、連接電極、堤層、有機層以及第二電極。薄膜電晶體與輔助電極間隔地設置在一基板。鈍化層設置在薄膜電晶體和輔助電極上。第一隔牆肋與第二隔牆肋間隔地設置於鈍化層上。第一電極設置在第一隔牆肋上且連接於薄膜電晶體。連接電極設置在第二隔牆肋上且連接於輔助電極。堤層設置在鈍化層上並包含有顯露部分的第一電極的第一開口和顯露部分的連接電極的第二開口。有機發射層設置在第一電極上並且被第二隔牆肋所分割。第二電極設置在有機發射層上且在第二隔牆肋之附近接觸於連接電極。
該第一隔牆肋交疊於該至少一薄膜電晶體。
該有機發射層包含一有機發光層以及多個有機共用層。
該第一隔牆肋與該第二隔牆肋中的至少一個具有倒錐形形狀。
該第一電極可覆蓋該第一隔牆肋的一側部以及該第一隔牆肋的一頂部，且該第一電極可透過呈現於該鈍化層內的一第一通孔與該至少一薄膜電晶體相連接。
所述之顯示裝置可更包括一發光部，該第一電極、該有機發射層以及該第二電極交疊於該發光部，其中該該發光部可交疊於該第一隔牆肋。
該連接電極可覆蓋該第二隔牆肋的一側部以及該第二隔牆肋的一頂部，並且該連接電極可透過呈現於該鈍化層內的一第二通孔與該輔助電極相連接。
該連接電極可透過分割該有機發射層而被顯露於該隔牆肋的該側部，且該第二電極可接觸於顯露在該第二隔牆肋的該側部上的該連接電極。
該連接電極可透過分割該有機發射層而被顯露於該鈍化層的一表面上，且該第二電極可接觸於顯露在該鈍化層的該表面上的該連接電極。
一子像素以及一透射部可被定義於該基板上，該子像素包含有一發光部，其中該至少一薄膜電晶體、該輔助電極、該第一隔牆肋、該第二隔牆肋、該第一電極及該連接電極可設置於該子像素內。
當該堤層設於該透射部內時，該堤層的第一開口以及該堤層的第二開口設於該子像素內。
該堤層可包含一第三開口，該第三開口顯露該透射部，且該堤層設於該子像素，而該透射部內沒有設置該堤層。
在該透射部內，該有機發射層直接地設置於該鈍化層內。
該發光部可交疊於該第一隔牆肋。
該顯示裝置更包括一電容，該第一隔牆肋可交疊於該電容。
該第一開口顯露位於該第一隔牆肋的頂部的該第一電極的一部份。
依據本發明的一實施例所提供的顯示裝置，其包含：多個子像素以及至少一透射部設於一基板上，該些子像素的其中一個包含一薄膜電晶體以及電性連接於薄膜電晶體的一有機發光二極體(OLED)；一鈍化層，其設於該薄膜電晶體上；一第一隔牆肋，其設於該鈍化層上且交疊於該薄膜電晶體的一部份；其中該有機發光二極體的一第一電極設置於該第一隔牆肋的一頂部且/或一側部，該有機發光二極體的一有機發射層設置於該第一電極上，該有機發光二極體的一第二電極設置於該有機發射層上；以及一堤層，其設置於該第一電極以及該鈍化層上，且該堤層包含一第一開口，該第一電極以及該第一隔牆肋設置於該第一開口內。
該顯示裝置更包括一第二隔牆肋及一連接電極，該第二隔牆肋相間隔於該第一隔牆且設置於該鈍化層上，該連接電極設置於該第二隔牆肋的一頂部且/或一側部且連接該輔助電極。
該第一隔牆肋以及該第二隔牆肋之中的至少一者具有倒錐形形狀。
該堤層包含一第二開口，該第二開口顯露該透射部，從而該透射部內沒有設置該堤層。
在下文中，將參考附圖詳細描述本發明的示例性實施例。 在整個說明書中，相同的圖式標記表示基本相同的元件。在描述本發明時，當認為它們可不必要地模糊本發明的標的時，將省略與本發明相關的已知功能或配置的詳細描述。可選擇以下描述中使用的元件的名稱以便於撰寫說明書，並且可以與實際產品中的元件的名稱不同。
依據本發明的一個或多個實施例所提供的顯示裝置係為顯示元件形成在玻璃基板或軟性基板上的顯示裝置。 雖然顯示裝置的示例包括有一有機發光顯示裝置、一液晶顯示裝置和一電泳顯示裝置等等，但本發明的顯示裝置係有關於有機發光顯示裝置。 有機發光顯示裝置包括由位於作為陽極的第一電極和作為陰極的第二電極之間的有機材料所構成的一有機發射層。 來自第一電極的孔洞和來自第二電極的電子在有機發射層內重新結合以形成激子，意即電洞電子對(hole-electron pair)。 然後，當激子返回至基態時產生能量，從而使顯示裝置自體發光。
根據本發明的一個或多個實施例所提供的顯示裝置係為頂部發光有機發光顯示裝置。頂部發光有機發光顯示裝置以如此方式作配置，使得從發光層發射的光透過覆蓋的透明第二電極離開。
在下文中，將參考附圖描述本發明的示例性實施例。
圖1為依據本發明一實施例所繪示的有機發光顯示裝置的示意方塊圖。圖2是圖1的有機發光顯示裝置內的子像素的示意電路圖。 圖3係繪示圖2的子像素的詳細電路圖。
如圖1所示，有機發光顯示裝置包括一影像處理器110、一時序控制器120，一資料驅動器130、一掃描驅動器140以及一顯示面板150。
影像處理器110依據一外部所提供的資料訊號DATA輸出一資料致能信號DE等。 除了資料致能信號DE之外，影像處理器110可輸出垂直同步信號，水平同步信號和時脈信號的其中一個或多個訊號，但是為了便於解釋，而圖式終未顯示這些信號。
時序控制器120接收來自影像處理器110的資料信號DATA以及資料致能信號DE或多個驅動訊號，其包括垂直同步信號，水平同步信號和時脈信號。 基於該些驅動信號，時序控制器120輸出用於控制掃描驅動器140的操作時序的閘極時序控制信號GDC和用於控制資料驅動器130的操作時序的資料時序控制信號DDC。
響應於時序控制器120所提供的資料時序控制信號DDC，資料驅動器130對於時序控制器120所提供的資料信號DATA進行取樣和閂鎖，將資料信號DATA轉換為伽馬參考電壓，並輸出伽馬參考電壓。 資料驅動器130通過資料線DL1至DLn輸出資料信號DATA，其中n為數字，例如n為正整數。資料驅動器130的型態可為積體電路。
響應於從時序控制器120所提供的閘極時序控制信號GDC，掃描驅動器140輸出一掃描信號。掃描驅動器140透過閘極線GL1至GLm輸出掃描信號，其中m為數字，例如m為正整數。 掃描驅動器140的型態可為積體電路，或者透過面板內建閘極（GIP）技術形成於顯示面板150上。
顯示面板150顯示一影像，其對應於分別由資料驅動器130和掃描驅動器140所提供的資料信號DATA和掃描信號。顯示面板150包括用於顯示影像的子像素SP。
子像素SP包括多個紅色子像素、多個綠色子像素和多個藍色子像素，或者包括多個白色子像素，多個紅色子像素，多個綠色子像素和多個藍色子像素、或者其他可能的組合。子像素SP可根據其發射特性而具有一個或多個不同的發射區域。
如圖2所示，每個子像素SP可包括一開關電晶體SW、一驅動電晶體DR、一電容Cst、一補償電路CC以及一有機發光二極體OLED。
響應於透過第一閘極線GL1所提供的掃描信號，開關電晶體SW執行開關操作，使得第一資料線DL1所提供的資料信號作為資料電壓儲存在電容器Cst內。 驅動電晶體DR採以下方式運作：響應於存儲在電容器Cst中的資料電壓，一驅動電流在電源線EVDD（例如高電位電壓）和陰極電源線EVSS（例如低電位電壓）之間流動。有機發光二極體OLED透過由驅動電晶體DR所形成的驅動電流以發光。
補償電路CC係為可被添加到子像素SP中以補償驅動電晶體DR的閾值電壓等等的電路。補償電路CC包括一個或多個電晶體。補償電路CC根據外部補償方法具有各種各樣的配置，隨後將於圖3闡述一示例。
如圖3所示，補償電路CC可包括感測電晶體ST和感測線VREF（或參考線）。感測電晶體ST的源極電極或汲極電極連接在驅動電晶體DR的源極和有機發光二極體OLED的陽極（後稱感測節點）之間。感測電晶體ST於感測驅動電晶體的感測節點處或於感測線VREF處，透過感測線VREF提供重置電壓（或感測電壓）給驅動電晶體DR的感測節點或者感測驅動電晶體DR的感測節點的電壓或電流。
開關電晶體SW的源極電極或汲極電極連接到第一資料線DL1，而開關電晶體SW的另一個位於源極電極與汲極電極之間的電極接著與驅動電晶體DR的閘極電極相連接。驅動電晶體DR的源極電極或汲極電極連接電源線EVDD，且驅動電晶體DR的另一個位於源極電極和汲極電極之間的電極連接有機發光二極體OLED的陽極。電容Cst的一電極連接驅動電晶體DR的閘極電極，電容Cst的另一電極連接有機發光二極體OLED的陽極。有機發光二極體OLED的一第一電極（例如陽極）連接驅動電晶體DR的源極電極和汲極電極之間的另一個電極，而有機發光二極體OLED的一第二電極（例如陰極）連接陰極電源線EVSS。感測電晶體ST的源極電極或汲極電極連接感測線VREF，而感測電晶體ST的另一個位於源極電極或汲極電極之間的電極與有機發光二極體OLED的第一電極(意即感測節點)相連接以及與驅動電晶體DR的另一個位於源極電極和汲極電極之間的電極相連接。
根據外部補償演算法（或補償電路的配置），感測電晶體ST的操作時間可相似/相同於開關電晶體SW的操作時間。 例如，開關電晶體SW的閘極電極可連接到第一閘極線GL1，且感測電晶體ST的閘極可連接到第二閘極線GL2。在此情形下，掃描信號Scan傳送到第一閘極線GL1，且感測信號Sense傳送到第二閘極線GL2。 在另一示例中，連接到開關電晶體SW的閘極電極的第一閘極線GL1和連接到感測電晶體ST的閘極電極的第二閘極線GL2可連接以共用。
感測線VREF可連接到資料驅動器。在此情況下，資料驅動器可在影像非顯示時間區間即時地感測子像素的感測節點，或者在N個幀的時間區間（N為等於或大於1的整數）感測子像素的感測節點且產生一感測結果。 同時，開關電晶體SW和感測電晶體ST可同時地被導通。在此情況下，基於資料驅動器的分時方法(time-division)，可區別透過感測線VREF的感測操作以及用於輸出資料信號的資料輸出操作。
根據感測結果，可補償數位資料信號、類比資料信號或伽馬電壓。 此外，基於感測結果，產生補償信號（或補償電壓）的補償電路可實現於資料驅動器內、時序控制器內、或者以獨立電路來實現。
此外，雖然圖3繪示一示例的每個子像素具有3個電晶體以及一個電容的結構，而該結構包括開關電晶體SW、驅動電晶體DR、電容Cst、有機發光二極體OLED以及感測電晶體ST，如果補償電路CC加入至子像素，則每個子像素可具有多種結構，例如3T2C、4T2C、5T1C、6T2C等。
圖4係依據本發明的一實施例所繪示的有機發光顯示裝置的子像素的佈局的平面圖。 圖5係繪示根據本發明的比較示例的子像素的剖視面。 圖6係根據本發明的比較範例所繪示的隔牆區域的放大剖視圖。
參照圖4，本發明的一實施例所提供的有機發光顯示裝置係為透明顯示裝置，其允許使用者透過顯示裝置的前方看到顯示裝置的背面所顯示的內容。透明有機發光顯示裝置包括多個子像素(例如用於發光的第一子像素至第四子像素SPn1～SPn4)以及一個或多個外部光可通過的透射部TA。
在本實施例中，該些第一子像素至第四子像素SPn1～SPn4排列成兩列，而每行中具有兩個子像素，意即一個像素總共由四個子像素所構成。 第一子像素至第四子像素SPn1~SPn4分別發射紅色、白色，藍色和綠色的光且形成一個像素。然而，該些子像素的排列順序可取決於發光材料、發光區域，補償電路的配置（或結構）等而有所改變。可選擇地，紅色、藍色和綠色的子像素可形成一個像素，或者其他不同顏色的子像素也可形成一個像素。
透射部TA置於第一子像素至第四子像素SPn1～SPn4中的每一個的一側。 例如，透射部TA置於第一子像素SPn1和第三子像素SPn3的左側，而另一透射部TA置於在第二子像素SPn2和第四子像素SPn4的右側。
隨後，將參考圖5來闡述子像素（例如 SPn1）與鄰近的透射部的結構剖視圖。
參照圖5，在根據本發明的比較示例的有機發光顯示裝置中，緩衝層205設置在基板200上。基板200可由玻璃、塑料或金屬來形成。第一子像素SPn1和透射部TA被定義於基板200上。緩衝層205用作保護在隨後製程中所形成的薄膜電晶體(TFTs)，以防止氣體從基板200洩漏或者從雜質(例如鹼金屬離子)洩漏。緩衝層205可為氧化矽（SiOx）、氮化矽（SiNx）或具有多層結構。
半導體層210設置在緩衝層205上。半導體層210可由矽半導體或氧化物半導體來形成。矽半導體可包括非晶矽或者結晶多晶矽。多晶矽具有高遷移率（例如，大於100
Figure 02_image001
/ Vs）、低能耗和優異的可靠度。因此，多晶矽可應用於用閘極驅動器以便驅動元件和/或多工器（MUX），或者應用於多個像素中的驅動薄膜電晶體TFT。同時，由於氧化物半導體具有低截止電流而適用於具有短導通時間以及長截止時間的開關薄膜電晶體TFT。此外，像素的電壓保持時間由於低截止電流而增加，如此將使得氧化物半導體適用於需要低速操作和/或低功耗的顯示裝置。此外，半導體層210包括汲極區和源極區，每個汲極區和源極區包含p型雜質或n型雜質，且包括一位於汲極區和源極區之間的通道。
閘極絕緣膜215可設置在半導體層210上。閘極絕緣膜215可為氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)或具有多層結構之絕緣膜。閘極電極220設置在閘極絕緣膜215上，其對應於半導體層210的特定區域(意即通道)，而雜質未被引入至通道內，而電容下電極225設置在一個與閘極電極220彼此以一指定距離相互間隔的區域內。閘極電極220與電容下電極225可由鉬（Mo）、鋁（Al）、鉻（Cr）、金（Au）、鈦（Ti）、鎳（Ni）、釹（Nd）和銅（Cu）的群組中的任一元素來形成，或者這些元素的合金來形成。再者，閘極電極220和電容下電極225可為多層結構，該多層結構可由鉬（Mo）、鋁（Al）、鉻（Cr）、金（Au）、鈦（Ti）、鎳（Ni）、釹（Nd）和銅（Cu）的群組中的多個元素來形成，或者這些元素的合金來形成。例如，閘極電極220和電容下電極225的雙層結構可由鉬/鋁 - 釹或鉬/鋁來形成。
第一層間絕緣膜230設置在閘極電極220和電容下電極225上，以便使閘極電極220電容下電極225相互絕緣。第一層間絕緣膜230可為氧化矽膜（SiOx)、矽氮化物膜（SiNx）或具多層結構之絕緣膜。 對應於電容下電極225的電容上電極235設置在第一層間絕緣膜230上。電容上電極235可由鉬（Mo)、鋁（Al）、鉻（Cr），金（Au），鈦（Ti），鎳（Ni），釹（Nd）和銅（Cu）的群組中任一元素來形成，或者這些元素的合金來形成。 因此，電容下電極225和電容上電極235構成電容Cst
第二層間絕緣膜240設置在第一層間絕緣膜230上以使電容上電極235絕緣。第二層間絕緣膜240可使用與第一層間絕緣膜230相同的材料來形成。閘極絕緣膜215、第一層間絕緣膜230和第二層間絕緣膜240設有多個顯露半導體層210的接觸孔237。
汲極電極250和源極電極255設置在第二層間絕緣膜240上。汲極電極250和源極電極255分別透過接觸孔237連接半導體層210。源極電極255和汲極電極250可包含或可由單層結構體或多層結構體所組成。當源極電極255和汲極電極250包含或由單層結構所組成時，該單層結構可為鉬（Mo）、鋁（Al）、鉻（Cr）、金（Au）、鈦（Ti）、鎳（Ni）、釹（Nd）和銅（Cu）的群組中的任一元素來形成，或者這些元素的合金來形成。另一方面，如果源極電極255和汲極電極250包含或由多層結構所組成，該多層結構可為鉬/鋁以及釹所組成之雙層結構，或者可為鈦/鋁/鈦、鉬/鋁/鉬，或者鉬/鋁-釹/鉬所組成的三層結構。如此一來，形成了包括有半導體層210，閘極電極220，汲極電極250和源極電極255的驅動電晶體DR。
資料線257和輔助電極259設置在第二層間絕緣膜240上且在與驅動電晶體DR相互間隔的一區域中。資料線257和輔助電極259採用與前述源極電極255相同的材料來形成。輔助電極259用於降低隨後將描述的第二電極的電阻且提供低電位電壓。
鈍化層260設置於驅動電晶體DR，資料線257和輔助電極259。鈍化層260係為保護下層元件的絕緣膜且可為氧化矽膜（SiOx）、 氮化矽膜（SiNx）或者為多層膜。 外塗層270設置在鈍化層260上。外塗層270可為平坦化膜以便平滑化下層結構上的多個台階差異，並且由有機材料來形成，例如聚酰亞胺(polyimide)、苯並環丁烯基樹脂(benzocyclobutene-based resin)、或聚丙烯酸酯(polyacrylate)等等。 暴露驅動電晶體DR的源極電極255的一第一通孔274以及暴露輔助電極259的一第二通孔276係形成於外塗層270內與鈍化層260內。
有機發光二極體OLED設置在外塗層270上。具體而言，有機發光二極體OLED的一第一電極280設置在外塗層270上，而第一通孔274形成於外塗層270內。 第一電極280作為一像素電極且透過第一通孔274連接驅動電晶體DR的源極電極255。第一電極280為陽極且可由透明導電材料來形成，例如 氧化銦錫(indium tin oxide)、氧化銦鋅(indium zinc oxide)或者氧化鋅(zinc oxide)。當本發明涉及頂部發射有機發光顯示裝置(top-emission organic light-emitting display)時，第一電極280為反射電極。 因此，第一電極280還可包括一反射層，而該 反射層可為鋁（Al）、銅（Cu）、銀（Ag）、鎳（Ni）或這些元素的合金來形成。較佳地，合金可為銀/鈀/銅合金。
連接電極285設置在一個與第一電極280相互間隔的區域，例如設置於具有第二通孔276的外塗層270上。連接電極285透過第二通孔276連接於輔助電極259。連接電極285採用與第一電極280相同的材料來形成。
用於定義像素的堤層290(bank layer)設置在外塗層270上，而第一電極280形成於外塗層270上。堤層290為有機材料所形成，例如聚酰亞胺(polyimide)、苯並環丁烯基樹脂(benzocyclobutene-based resin)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)等等。堤層290具有暴露第一電極280的第一開口295以及暴露連接電極285的第二開口297。
隔牆肋300設置在堤層290的第二開口297內的連接電極285上。隔牆肋300用於圖案化隨後描述的有機發射層且連接第二電極和連接電極285。隔牆肋300具有倒錐形形狀以圖案化有機發射層。 隔牆肋300為有機材料所形成，例如聚酰亞胺(polyimide)、苯並環丁烯基樹脂(benzocyclobutene-based resin)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)等等，並且可採用與堤層290相同的材料來形成。
有機發光二極體OLED的有機發射層310設置於基板200，而隔牆肋300和堤層290形成於基板200。有機發射層310形成基板200的表面上且透過堤層290的第一開口295接觸於第一電極280。此外，有機發射層310沉積於隔牆肋300的頂部上，但是被具有倒錐形形狀的隔牆肋300所分割。 有機發射層310包括透過電子和空穴的重組以發光的一有機發光層，並且可包括多個有機共用層，例如空穴注入層(hole injection layer)、空穴傳輸層(hole transport layer)、電子傳輸層(electron transport layer)和電子注入層(electron injection layer)中的一個或多個。
有機發光二極體OLED的第二電極320設置在有機發射層310上。第二電極320設置在基板200的表面上，並且可為陰極。 第二電極320可由鋁（Al）、銀（Ag）或這些元素的合金來形成。 第二電極320可透過化學氣相沉積（CVD）來形成，但不以此為限，且可一路沿著隔牆肋300來形成而不被隔牆肋300圖案化。第二電極320與被暴露於隔牆肋300的底部附近的連接電極285相接觸，藉此電性連接第二電極320和輔助電極259。因此，透過輔助電極259，第二電極320具有較低的電阻並接收低電位電壓。
同時，參考圖6，介於連接電極285和第二電極320之間的一接觸區域CTP位於隔牆肋300附近，且接觸區域CTP定義為連接電極285之靠近隔牆肋300的表面。因為介於連接電極285和第二電極320之間的接觸區域CTP僅為連接電極285的表面的一部分，所以可增加連接電極285和第二電極320的接觸電阻。 因此，透過增大隔牆肋300的尺寸，可增加接觸區域CTP的面積。然而，當隔牆肋300的尺寸增加時，子像素SPn1的尺寸也增加，如此反而導致透射部TA 尺寸變小，藉此減小了透射部TA的開口率。
再者，如圖5所示，外塗層270和堤層290存在於透射部TA中。 由於形成外塗層270和堤層290的有機材料之特性，使得透射率可降低至88％或者更低，並且來自顯示裝置的光線可趨近淡黃色，因此導致色彩保真度降低。
因此依據本發明的多個實施例所提供的能改善透射部的開口率以及透射率以及可提高色彩保真度的顯示裝置，將於後續的圖7至10來闡述。
第一實施例。
圖7係繪示依據本發明的第一實施例的有機發光顯示裝置的剖視圖。 圖8係依據本發明的第一實施例的隔牆肋區域的放大剖視圖。 圖9係依據本發明的第一實施例所繪示的子像素與第一隔牆肋之間的位置關係的平面圖。 與前述顯示裝置相同的元件以相同的標號表示，且隨後將簡單地闡述。圖7至10中的任何一個或多個的配置可被使用於隨後所述或者圖7至圖10所示的任何其他構造/結構中。此外，根據本發明所有實施例的有機發光顯示裝置或任何其他顯示裝置的所有組件可被操作地耦合和配置。
參照圖7，在第一實施例的顯示裝置中，例如類似於圖4所示的配置，設置有多個子像素和一個或多個透射部TA。在圖7的顯示裝置中， 第一子像素SPn1和透射部TA定義於基板200上。緩衝層205設置在基板200上，並且半導體層210設置在緩衝層205上。閘極絕緣膜215設置在半導體層210上。閘極電極220設置在閘極絕緣膜215上，其對應於半導體層210的特定區域，意即雜質未被引入至通道，而電容下電極225設置在與閘極電極220相間隔一指定距離的區域中。
用於使閘極電極220和電容下電極225彼此絕緣的一第一層間絕緣膜230設置在閘極電極220上和電容下電極225上。對應於電容下電極225的電容上電極235設置在第一層間絕緣膜230上。因此，電容下電極225和電容上電極235構成一電容Cst。第二層間絕緣膜240設置在第一層間絕緣膜230上以使電容上電極235絕緣。閘極絕緣膜215、第一層間絕緣膜230和第二層間絕緣膜240設有暴露半導體層210的多個接觸孔237。
汲極電極250和源極電極255設置在第二層間絕緣膜240上。汲極電極250和源極電極255分別透過接觸孔237連接半導體層210。如此一來，便形成了包括半導體層210、閘極電極220、汲極電極250和源極電極255的驅動電晶體DR。
資料線257和輔助電極259設置在第二層間絕緣膜240上，且設置在與驅動電晶體DR相間隔的一區域中。資料線257和輔助電極259採用與前述源極電極255相同的材料來形成。輔助電極259用於降低隨後將闡述的第二電極的電阻，且提供低電位電壓。鈍化層260設置在包括有驅動電晶體DR、資料線257和輔助電極259的基板200上。
同時，第一隔牆肋330和第二隔牆肋340設置在鈍化層260上。第一隔牆肋330設置以交疊(overlap)於驅動電晶體DR和電容Cst，第二隔牆肋340設置在與輔助電極259相鄰的位置。第一隔牆肋330用於定義一區域，而一有機發光二極體OLED的第一電極280(後文將描述)形成於該區域。第二隔牆肋340用於圖案化一有機發射層(後文將描述)且連接第二電極以及連接電極285。第一隔牆肋330和第二隔牆肋340中的至少一個具有倒錐形形狀，但是可具有不同的形狀/架構。第一隔牆肋330和第二隔牆肋340可由有機材料來形成，例如聚酰亞胺(polyimide)、苯並環丁烯基樹脂(benzocyclobutene-based resin)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)等等。
第一電極280設置在第一隔牆肋330上，而連接電極285設置在第二隔牆肋340上。第一電極280係配置以圍繞第一隔牆肋330且透過與其相鄰的鈍化層260中的第一通孔274連接於驅動電晶體DR的源極電極255。第一電極280係配置以覆蓋第一隔牆肋330的側面和頂面。連接電極285係配置以圍繞第二隔牆肋340且透過與其相鄰的鈍化層260中的第二通孔276連接於輔助電極259。連接電極285係配置以覆蓋第二隔牆肋340的側面和頂面。
用於定義像素的堤層290設置在形成有第一電極280的鈍化層260上。堤層290具有覆蓋第一電極280且暴露第一電極280的第一開口295以及暴露連接電極285的第二開口297。有機發射層310設置在形成有堤層290的基板200。有機發光二極體OLED的有機發射層310形成於基板200的表面，且透過堤層290的第一開口295與第一電極280相接觸。此外，有機發射層310沉積於第二隔牆肋340的頂部。 但是被具有倒錐形形狀的第二隔牆肋340所分割。
有機發光二極體OLED的第二電極320設置在有機發射層310上。第二電極320設置在基板200的整個表面上，並且可為陰極。第二電極320可透過化學氣相沉積(CVD)來形成，但不以此為限，並且可一路沿著第二隔牆肋340來形成而不被第二隔牆肋340圖案化。第二電極320與暴露在第二隔牆肋340的底部附近的連接電極285相接觸，藉此電性連接第二電極320和輔助電極259。因此，透過輔助電極259，第二電極320具有較低的電阻並且接收低電位電壓。
第一電極280、有機發射層310和第二電極320所交疊的區域定義為發光部EA。 由於第一隔牆肋330定義形成有第一電極280的一區域，因此第一隔牆肋330交疊於發光部EA。
圖8為圖7的第二隔牆肋340的放大圖。如圖8所示，介於連接電極285和第二電極320之間的一接觸區域CTP，其位於第二隔牆肋340的附近，且被形成在第二隔牆肋340的側面上的連接電極285的表面以及形成於鈍化層260上的連接電極285的表面所定義。 換句話說，第二隔牆肋340的側面和第二隔牆肋340的附近可對應於介於連接電極285和第二電極320之間的接觸區域CTP，例如圖8中以虛線表示的多個圓形。
將圖8所示的第一實施例的接觸區域與圖6所示的比較範例的接觸區域相比較，圖8的第一實施例即使在第二隔牆肋340的多個側面也可作為接觸區域CTP，如此一來圖8的第一實施例的接觸區域明顯大於圖6的比較範圍的接觸區域。因此在圖7與圖8的實施例中，透過連接電極285和第二電極320之間的接觸區域CTP的面積的增加，以達到減小接觸電阻之功效。
此外，參照圖7，在依據本發明的第一實施例的有機發光顯示裝置中，外塗層可以省略，且形成有第一電極280的一區域被第一隔牆肋330所定義。 如此一來，透過將透射部TA中的外塗層省略，可具備提高透射率之功效，以及透過減少黃色光的發射，可具備提高色彩保真度(color fidelity)之功效。
圖9繪示第一隔牆肋、該些子像素、以及該些透射部之間的位置關係。如圖9所示，第一隔牆肋330可設置於該些子像素的每一個內或者該些子像素的至少一個內，例如設置於該些子像素SPn1至sPn4的每一個內，而第二隔牆肋340可設置在該些子像素SPn1至SPn4中的至少一個內或多個內。在圖9的實施例中，第二隔牆肋340設置於第二子像素SPn2內。呈現於顯示裝置的第二隔牆肋340的數量可調整為各種數量，但不以此為限。
第二實施例。
圖10係繪示根據本發明的第二實施例的有機發光顯示裝置的剖視圖。 與前述顯示裝置相同的元件以相同的標號表示，並且隨後作簡單闡述。圖10的顯示裝置中除了透射部TA的架構及其邊界區域之外，基本上其他元件均與圖7的顯示裝置相同，後文將更詳細闡述。
參照圖10，在依據第二實施例的顯示裝置中，第一子像素SPn1和透射部TA定義於基板200上。緩衝層205設置在基板200上，且半導體層210設置在緩衝層205上。閘極絕緣膜215設置在半導體層210上。閘極電極220設置在閘極絕緣膜215上，其對應於半導體層210的一特定區域，意即雜質未被引入至通道內，以及電容下電極225設置在與閘極電極220以一指定距離相間隔的區域中。
用於使閘極電極220和電容下電極225絕緣的第一層間絕緣膜230設置在閘極電極220上和電容下電極225上。對應於電容下電極225的電容上電極235設置在第一層間絕緣膜230上。因此，電容下電極225和電容上電極235構成電容Cst。第二層間絕緣膜240設置在第一層間絕緣膜230上以使電容上電極235絕緣。閘極絕緣膜215、第一層間絕緣膜230和第二層間絕緣膜240設有暴露半導體層210的多個接觸孔237。
汲極電極250和源極電極255設置在第二層間絕緣膜240上。汲極電極250和源極電極255分別透過接觸孔237連接半導體層210。 如此一來，便形成了包括有半導體層210、閘極電極220、汲極電極250和源極電極255的驅動電晶體DR。
資料線257和輔助電極259設置在第二層間絕緣膜240上，且設於一個與驅動電晶體DR相間隔的區域中。資料線257和輔助電極259採用與前述源極電極255相同的材料來形成。輔助電極259用於降低隨後將描述的第二電極的電阻並且提供低電位電壓。鈍化層260設於包括有驅動電晶體DR、數據線257和輔助電極259的基板200。
同時，第一隔牆肋330和第二隔牆肋340設置在鈍化層260上。第一隔牆肋330設置以交疊(overlap)於驅動電晶體DR和電容Cst，而第二隔牆肋340設置在與輔助電極259相鄰的位置。第一隔牆肋330用於定義一個形成有機發光二極體OLED的第一電極280的區域。第二隔牆肋340用於圖案化一有機發射層（後文將闡述）且連接第二電極以及連接電極285。第一隔牆肋330和第二隔牆肋340中的至少一個具有倒錐形形狀。第一隔牆肋330和第二隔牆肋340可為有機材料，例如聚酰亞胺(polyimide)、苯並環丁烯基樹脂(benzocyclobutene-based resin)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)等等。
第一電極280設置在第一隔牆肋330上，而連接電極285設置在第二隔牆肋340上。第一電極280係配置以圍繞第一隔牆肋330且透過與其相鄰的鈍化層260中的第一通孔274連接於驅動電晶體DR的源極電極255。第一電極280係配置以覆蓋第一隔牆肋330的側面和頂面。連接電極285係配置以圍繞第二隔牆肋340且透過與其相鄰的鈍化層260中的第二通孔276連接於輔助電極259。連接電極285係配置以覆蓋第二隔牆肋340的側面和頂面。
用於定義像素的堤層290設置在形成有第一電極280的鈍化層260上。堤層290具有覆蓋第一電極280且顯露第一電極280的第一開口295以及顯露連接電極285的第二開口297。有機發光二極體OLED的有機發射層310設置於基板200且堤層290形成於基板200。有機發射層310形成於基板200的表面，且透過堤層290的第一開口295接觸於第一電極280。此外，有機發射層310被沉積於第二隔牆肋340的頂部。 但是被具有倒錐形形狀的第二隔牆肋340所分割。
有機發光二極體OLED的第二電極320設置在有機發射層310上。第二電極320設置在基板200的整個表面上，並且可為陰極。第二電極320可透過化學氣相沉積(CVD)來形成，但不以此為限，並且可一路沿著第二隔牆肋340來形成而不被第二隔牆肋340圖案化。第二電極320與暴露在第二隔牆肋340的底部附近的連接電極285相接觸，藉此電性連接第二電極320和輔助電極259。因此，透過輔助電極259，第二電極320具有較低的電阻並且接收低電位電壓。
同時，依據本發明第二實施例所提供的堤層290，其包括顯露透射部TA的第三開口299。舉例來說，堤層290未形成於透射部TA內。由於堤層290的有機材料的特性，堤層290可造成透射率之降低並且使光線呈現淡黃色，因而導致色彩保真度之降低。因此，在第二實施例中，顯露透射部TA的第三開口299形成於堤層290內，以便堤層290未形成於透射部TA內。如此一來，可提升透射部TA的透光率並且防止色彩保真度之降低。
圖11係繪示根據本發明的第一實施例以及一比較範例的接觸區域的面積與隔牆肋的寬度的關係圖。圖12是根據本發明的比較範例所繪示的所製造的有機發光顯示裝置的影像圖。圖13是根據本發明第二實施例所繪示的所製造的有機發光顯示裝置的影像圖。
參照圖11，在比較範例中，有機發光顯示裝置的隔牆肋之寬度為10微米(um)。在第一實施例中，有機發光顯示裝置的隔牆肋之寬度為6微米。在此情況下，量測第二電極和連接電極之間的接觸區域的面積與隔牆肋寬度之間的關係，而量測之結果顯示出有機發光顯示裝置（圖7）的第一實施例的隔牆肋之寬度比有機發光顯示裝置（圖5）的比較範例的隔牆肋之寬度少4微米(um)。但是，上述兩個實施例的有機發光顯示裝置，其每一隔牆肋寬度的接觸區域的面積為相似。
如此一來，意即在本發明的有機發光顯示裝置的第一實施例中，隔牆肋的寬度可進一步地被降低，而如此可允許隔牆肋的尺寸降低。 因此，隔牆肋之尺寸的減小可進一步增加透射部的開口率。
此外，參照圖12，在有機發光顯示裝置的比較範例中，由於透射部內設有堤層，所以有機發光顯示裝置呈現淡黃色。然而參見圖13，在有機發光顯示裝置的第二實施例中，由於透射部內未設有堤層，所以有機發光顯示裝置不會呈現淡黃色。
如上所述，在本發明的有機發光顯示裝置的多個實施例中，形成有第一電極的區域可由第一隔牆肋所定義。 如此一來，透過省略透射部內的外塗層可提升透光率，以及透過減少淡黃光線的發射，可提高色彩保真度。
在本發明的有機發光顯示裝置的多個實施例中，還具有其他功效：即使在第二隔牆肋的側面上，因為連接電極與第二電極彼此相互接觸，透過增加連接電極和第二電極之間的接觸區域的面積，可以降低接觸電阻。
儘管已經參考其多個說明性實施例描述了實施例，但是應當理解，本領域技術人員可以設計出落入本揭露的原理的精神和範圍內的許多其他修改和實施例。具體而言，在本揭露、圖式和所附申請專利範圍的範圍內，可對標的組合配置和/或的組成部件進行各種變化和修改。 除了組成部件和/或標的組合配置的變化和修改之外，替代用途對於本領域技術人員而言也是顯而易見的。
110:影像處理器 120:時序控制器 130:資料驅動器 140:掃描驅動器 150:顯示面板 DATA:資料訊號 DE:資料致能信號 GDC:閘極時序控制信號 DDC:資料時序控制信號 DL1～DLn:資料線 GL1~GLm:閘極線 SP:子像素 SW:開關電晶體 DR:驅動電晶體 Cst:電容 CC:補償電路 OLED:有機發光二極體 GL1:第一閘極線 DL1:第一資料線 EVDD:電源線 EVSS:陰極電源線 ST:感測電晶體 VREF:感測線 DL1:第一資料線 GL2:第二閘極線 Scan:掃描信號 Sense:感測信號 SPn1~SPn4:第一子像素～第四子像素 200:基板 205:緩衝層 210:半導體層 215:閘極絕緣膜 220:閘極電極 225:電容下電極 230:第一層間絕緣膜 235:電容上電極 240:第二層間絕緣膜 237:接觸孔 250:汲極電極 255:源極電極 257:資料線 259:輔助電極 260:鈍化層 270:外塗層 274:第一通孔 276:第二通孔 280:第一電極 285:連接電極 290:堤層 295:第一開口 297:第二開口 300:隔牆肋 310:有機發射層 320:第二電極 CTP:接觸區域 TA:透射部 330:第一隔牆肋 340:第二隔牆肋 EA:發光部 299:第三開口
附圖提供對本發明的進一步理解，並且被納入且構成本說明書的一部分，附圖闡述了本發明的實施例，並且與說明書一起用於解釋本發明的原理。
圖1為有機發光顯示裝置的示意方塊圖；
圖2為圖1的有機發光顯示裝置中的子像素的示意電路圖；
圖3為圖2的子像素的詳細電路圖；
圖4係根據本發明一實施例的有機發光顯示裝置的子像素的佈局的平面圖；
圖5係本發明的一比較示例的子像素的剖視圖；
圖6係根據本發明的一比較範例的隔牆肋區域的放大剖視圖；
圖7係根據本發明的第一實施例的有機發光顯示裝置的剖視圖；
圖8係依據本發明的第一實施例所繪示的隔牆肋區域的放大剖視圖；
圖9係依據本發明的第一實施例所繪示的子像素與第一隔牆肋之間的位置關係的平面圖；
圖10係根據本發明的第二實施例所繪示的有機發光顯示裝置的剖視圖；
圖11係根據本發明的第一實施例與比較範例所繪示的接觸區域的面積與隔牆肋的寬度的關係圖；
圖12是根據本發明的比較範例所繪示的製造出的有機發光顯示裝置的影像圖；以及
圖13是根據本發明的第二實施例所繪示的製造出的有機發光顯示裝置的影像圖。
200:基板
205:緩衝層
210:半導體層
215:閘極絕緣膜
220:閘極電極
225:電容下電極
230:第一層間絕緣膜
235:電容上電極
240:第二層間絕緣膜
237:接觸孔
250:汲極電極
255:源極電極
257:資料線
259:輔助電極
260:鈍化層
274:第一通孔
276:第二通孔
280:第一電極
285:連接電極
290:堤層
295:第一開口
297:第二開口
310:有機發射層
320:第二電極
330:第一隔牆肋
340:第二隔牆肋
EA:發光部
DR:驅動電晶體
Cst:電容
OLED:有機發光二極體
SPn1:第一子像素
TA:透射部

Claims (20)

  1. 一種顯示裝置，包括：至少一薄膜電晶體以及一輔助電極間隔地設置於一基板上；一鈍化層，設於該至少一薄膜電晶體上以及該輔助電極上；一第一隔牆肋以及一第二隔牆肋間隔地設置於該鈍化層上；一第一電極，設於該第一隔牆肋上並且連接於該至少一薄膜電晶體；一連接電極，設於該第二隔牆肋上且連接於該輔助電極；一堤層，設於該鈍化層上且包含一第一開口及一第二開口，其中該第一開口顯露部份的該第一電極，而該第二開口顯露部份的該連接電極；一有機發射層，設於該第一電極上且被該第二隔牆肋所分割；以及一第二電極，設於該有機發射層上且在該第二隔牆肋之附近接觸於該連接電極。
  2. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該第一隔牆肋交疊於該至少一薄膜電晶體。
  3. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該有機發射層包含一有機發光層以及多個有機共用層。
  4. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該第一隔牆肋與該第二隔牆肋中的至少一個具有倒錐形形狀。
  5. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該第一電極覆蓋該第一隔牆肋的一側部以及該第一隔牆肋的一頂部，且該第一電極透過呈現於該鈍化層內的一第一通孔與該至少一薄膜電晶體相連接。
  6. 如請求項1所述之顯示裝置，更包括一發光部，該第一電極、該有機發射層以及該第二電極交疊於該發光部，其中該發光部交疊於該第一隔牆肋。
  7. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該連接電極覆蓋該第二隔牆肋的一側部以及該第二隔牆肋的一頂部，並且該連接電極透過呈現於該鈍化層內的一第二通孔與該輔助電極相連接。
  8. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該連接電極透過分割該有機發射層而被顯露於該第二隔牆肋的一側部上，且該第二電極與顯露於該第二隔牆肋的該側部的該連接電極相接觸。
  9. 如請求項8所述之顯示裝置，其中該連接電極透過分割該有機發射層而被顯露於該鈍化層的一表面，且該第二電極與顯露在該鈍化層的該表面的該連接電極相接觸。
  10. 如請求項1所述之顯示裝置，其中一子像素以及鄰近該子像素的一透射部被定義於該基板上，該子像素包含有一發光部，其中該至少一薄膜電晶體、該輔助電極、該第一隔牆肋、該第二隔牆肋、該第一電極及該連接電極設於該子像素內。
  11. 如請求項10所述之顯示裝置，其中當該堤層設於該透射部內時，該堤層的該第一開口以及該第二開口設於該子像素內。
  12. 如請求項10所述之顯示裝置，其中該堤層包含一第三開口，該第三開口顯露該透射部，且該堤層設於該子像素，從而該透射部內未設置有該堤層。
  13. 如請求項10所述之顯示裝置，其中該透射部、該有機發射層直接地設置於該鈍化層上。
  14. 如請求項10所述之顯示裝置，其中該發光部交疊於該第一隔牆肋。
  15. 如請求項1所述之顯示裝置，更包括一電容，其中該第一隔牆肋交疊於該電容。
  16. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該第一開口顯露位於該第一隔牆肋的一頂部上的該第一電極的一部份。
  17. 一種顯示裝置，包括：多個子像素與至少一透射部設置於一基板上；該些子像素中的一個包含一薄膜電晶體以及一有機發光二極體，該有機發光二極體電性連接於該薄膜電晶體；一鈍化層，設置於該薄膜電晶體上；一第一隔牆肋，設置於該鈍化層上且交疊於該薄膜電晶體的一部份；其中該有機發光二極體的一第一電極設置於該第一隔牆肋的一頂部且/或一側部上，該有機發光二極體的一有機發射層設置於該第一電極上，而該有機發光二極體的一第二電極設置於該有機發射層上；以及一堤層，設置於該第一電極以及該鈍化層上，且該堤層包含有一第一開口，該第一電極與該第一隔牆肋設置該第一開口內。
  18. 如請求項17所述之顯示裝置，更包括：一第二隔牆肋，設置於該鈍化層上且相間隔於該第一隔牆肋；以及一連接電極，設置於該第二隔牆肋的一頂部且/或一側部上且連接於一輔助電極。
  19. 如請求項18所述之顯示裝置，其中該第一隔牆肋與該第二隔牆肋中的至少一個具有倒錐形形狀。
  20. 如請求項17所述之顯示裝置，其中該堤層包含一第二開口，該第二開口顯露該透射部，從而該透射部內未設置有該堤層。
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