TW202024447A - 多用途磚瓦系統、磚瓦覆蓋物和磚瓦 - Google Patents

多用途磚瓦系統、磚瓦覆蓋物和磚瓦 Download PDF

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Abstract

本發明關於一種多用途磚瓦系統，特別是一種地磚系統，其包括多個多用途磚瓦，特別是地磚、牆磚或天花板磚。本發明還關於一種磚瓦覆蓋物，特別是地板覆蓋物、天花板覆蓋物或牆壁覆蓋物，其由根據本發明的相互耦合的磚瓦所組成。本發明還關於一種磚瓦，其係用於根據本發明的多用途磚瓦系統。

Description

多用途磚瓦系統、磚瓦覆蓋物和磚瓦
本發明關於一種多用途磚瓦系統，特別是一種地磚系統，其包括多個多用途磚瓦，特別是地磚、牆磚或天花板磚。本發明還關於一種磚瓦覆蓋物，特別是地板覆蓋物、天花板覆蓋物或牆壁覆蓋物，其由根據本發明的相互耦合的磚瓦所組成。本發明還關於一種磚瓦，其係用於根據本發明的多用途磚瓦系統。此外，本發明還關於一種用於安裝根據本發明的系統以形成磚瓦覆蓋物的安裝方法。
在過去的十年中，硬地板覆蓋層板市場取得了巨大進步。習知以各種方式將地板嵌板安裝在底層地板上。例如，習知透過膠合或透過釘子將地板嵌板附接到底層地板。此一技術具有相當複雜的缺點，並且只能透過破壞地板嵌板來進行後續的改變。根據一種替代的安裝方法，將地板嵌板鬆散地安裝在下層地板上，由此地板嵌板透過舌部與凹槽耦合彼此相互匹配，由此大多數的地板，也在舌部與凹槽被黏結在一起。以這種方式獲得的地板，也稱為浮動拼接地板(floating parquet flooring)，其具有的優點是易於安裝並且整個地板表面可以移動，這對於接收可能的膨脹和收縮現象通常是很方便。上述類型的地板覆蓋物的缺點在於，首先，如果地板嵌板鬆散地安裝在底層地板上，在地板膨脹及其隨後的收縮期間，地板嵌板會漸行分離，這導致了，例如：如果膠合連接斷開，則可能形成不希望的間隙。為了解決該缺點，已經採用了各種技術，以在單個地板之間設置了由金屬製成的連接元件，而將它們保持在一起。然而，這種連接元件的製造相當昂貴，此外，其設置或安裝是一項費時的工作。在相對的板邊緣處具有互補形狀的耦合部分的地板嵌板亦為習知。這些習知的地板嵌板通常是矩形的，並且在相對的長嵌板邊緣處具有互補形狀的向下傾斜的耦合部分，並且在相對的短嵌板邊緣處具有互補形狀的向下折疊的耦合部分。這些習知的地板嵌板的安裝基於所謂的折疊技術，其中要被安裝的第一嵌板的長邊首先耦合或插入第一行中已被安裝的第二嵌板的長邊，隨後，在降低(向下折疊)第一嵌板的過程中，第一嵌板的短邊緣與第二行中已安裝的第三面板的短邊緣耦合，該安裝滿足了簡單安裝的目標要求。以這種方式，可以實現由相互平行的地板嵌板的多個平行取向的行組成的地板覆蓋物。
本發明的第一個目的是提供一種多用途磚瓦系統，其中磚瓦可以用改進的方式相互耦合。
本發明的第二個目的是提供一種多用途磚瓦系統，其中可以在磚瓦安裝期間實現增加的自由度。
本發明的第三個目的是提供一種多用途磚瓦系統，其中可以用改進的方式實現例如人字形模式的特殊安裝模式。
本發明的第四個目的是提供一種多用途磚瓦系統，其中磚瓦可以用相對節省成本的方式生產。
這些目的中的至少一個可以透過提供一種根據前言部分的多用途系統來實現，其中該等磚瓦，並且較佳地每個磚瓦包括：至少一個第一邊緣，其具有一第一耦合輪廓，該第一耦合輪廓包括：一側向舌部，其在實質上平行於該磚瓦的上側的方向上延伸，至少一個第一向下側面，其與該側向舌部相距一距離，以及一第一向下凹部，其係在該側向舌部和該第一向下側面之間形成，以及至少一個第二邊緣，其具有一第二耦合輪廓，該第二耦合輪廓包括：一向下舌部，其在實質上垂直於磚的上側的方向上延伸，至少一個第二向下側面，其與該向下舌部相距一距離，一第二向下凹部，其係在該向下舌部和該向下側面之間形成，以及，較佳地至少一個第二(垂直作用的)鎖定元件；至少一個第三邊緣，並且較佳地至少兩個第三邊緣，每個第三邊緣具有一第三耦合輪廓，該第三耦合輪廓包括：一第三凹部，其構造成用於容納另一磚瓦的第一耦合輪廓的側向舌部的至少一部分，所述第三凹部由上唇部和下唇部限定，其中所述下唇部設置有向上鎖定元件，以及較佳地至少一個第三(垂直作用的)鎖定元件，其中，該第一耦合輪廓和該第三耦合輪廓被構造成使得其中兩個這樣的磚瓦可以透過轉動運動在第一和第三邊緣處彼此耦合，其中，在耦合狀態下：一磚瓦的第一耦合輪廓的側向舌部的至少一部分插入相鄰的磚瓦的第三耦合輪廓的第三凹部中，以及該第三耦合輪廓的向上鎖定元件的至少一部分插入該第一耦合輪廓的第一向下凹部，以及其中，該第二耦合輪廓和該第三耦合輪廓被構造成可以透過向下摺疊運動和/或垂直運動在該第二邊緣和第三邊緣處將兩個這樣的磚瓦彼此耦合，其中，在耦合狀態下：該第二耦合輪廓的向下舌部的至少一部分插入該第三耦合輪廓的第三凹部中，該第三耦合輪廓的向上鎖定元件的至少一部分插入該第二耦合輪廓的第二向下凹部中，以及，如果應用的話，至少一個第二鎖定元件面向至少一個第三鎖定元件並較佳地與其共同作用，以實現垂直鎖定效果。
通常，該第三耦合輪廓的向上鎖定元件的面向第三凹部的近側的至少一部分係在遠離該上唇部的方向上向上傾斜，並且其中該第二耦合輪廓的至少一個第二鎖定元件係設置在該第二耦合輪廓的第二向下側面，並且其中該第三耦合輪廓的至少一個第三鎖定元件係設置在該下唇的背離該第三凹部的遠側和/或該向上鎖定元件的背離該第三凹部的遠側。一第二鎖定元件設置在該第二向下側面，以及將第三鎖定元件係設置在該下唇的背離該第三凹部的遠側和/或該向上鎖定元件的背離該第三凹部的遠側，且該第三耦合輪廓的向上鎖定元件的面向第三凹部的近側的至少一部分在遠離該上唇部的方向上向上傾斜，結合此等特徵存在的好處在於，相鄰嵌板的耦合相對簡單，同時可確保所述嵌板之間足夠的相互(垂直)鎖定。在所述位置處沒有鎖定元件與所謂的開放凹槽結構的結合可能導致相鄰面板的凸形和凹形耦合部分之間的不穩定鎖定情況，特別是用於第二耦合輪廓和第三耦合之間的耦合。所描述的第二鎖定元件和第三鎖定元件的設置還可以防止第二耦合輪廓的凸形耦合部分在使用過程中可能(輕微地)移位，尤其是(輕微地)傾斜，例如：朝第三凹部的開放空間傾斜。因此，可以防止在耦合狀態下相鄰嵌板之間的摩擦。
通常，根據本發明的磚瓦系統的每個磚瓦包括至少一個第一耦合輪廓、至少一個第二耦合輪廓，以及至少一個第三耦合輪廓，並且較佳地多個第三耦合輪廓，例如：二個。然而，可以想像的是，至少第一磚瓦(第一磚瓦類型)包括至少一個第一耦合輪廓和至少一個第三耦合輪廓，而沒有第二耦合輪廓，而第二磚瓦(第二磚瓦類型)包括至少一個第二耦合輪廓和至少一個第三耦合輪廓，而沒有第一耦合輪廓。或者，例如可以想像的是，至少第一磚瓦(第一磚瓦類型)包括至少一個第一耦合輪廓和至少一個第二耦合輪廓，而沒有第三耦合輪廓，而第二磚瓦(第二磚瓦類型)包括至少一個第三耦合輪廓並且不具有第一耦合輪廓和/或第二耦合輪廓。因此，根據本發明的磚瓦系統的每個磚瓦可以具有至少一個第一耦合輪廓和/或至少一個第二耦合輪廓和/或至少一個第三耦合輪廓。在根據本發明的系統的磚瓦不具有選自由第一耦合輪廓、第二耦合輪廓和第三耦合輪廓所組成之群組的耦合輪廓的情況下，那麼，所述磚瓦的這種缺少的耦合輪廓將被包括在根據本發明的系統的另一磚瓦中。因此，根據本發明的另一方面，本發明關於一種多用途磚瓦系統，特別是地磚系統，其包括多個多用途磚瓦，特別是地磚，其中至少一個第一磚瓦(類型)包括至少一個具有第一耦合輪廓的第一邊緣，該第一耦合輪廓包括：一側向舌部，其在實質上平行於該磚瓦的上側的方向上延伸，至少一個第一向下側面，其與該側向舌部相距一距離，以及一第一向下凹部，其係在該側向舌部和該第一向下側面之間形成，其中至少一個第二磚瓦(類型)包括至少一個具有第二耦合輪廓的第二邊緣，該第二耦合輪廓包括：一向下舌部，其在實質上垂直於磚的上側的方向上延伸，至少一個第二向下側面，其與該向下舌部相距一距離，一第二向下凹部，其係在該向下舌部和該向下側面之間形成，以及，較佳地至少一個第二鎖定元件，以及其中至少一個第三磚瓦(類型)包括至少一個具有第三耦合輪廓的第三邊緣，該第三耦合輪廓包括：一第三凹部，其構造成用於容納另一磚瓦的第一耦合輪廓的側向舌部的至少一部分，所述第三凹部由上唇部和下唇部限定，其中所述下唇部設置有向上鎖定元件，以及較佳地至少一個第三鎖定元件，且其中，該第一耦合輪廓和該第三耦合輪廓被構造成使得其中兩個這樣的磚瓦可以透過轉動運動在第一和第三邊緣處彼此耦合，其中，在耦合狀態下：一磚瓦的第一耦合輪廓的側向舌部的至少一部分插入相鄰的磚瓦的第三耦合輪廓的第三凹部中，以及該第三耦合輪廓的向上鎖定元件的至少一部分插入該第一耦合輪廓的第一向下凹部，以及其中，該第二耦合輪廓和該第三耦合輪廓被構造成可以透過向下摺疊運動和/或垂直運動在該第二邊緣和第三邊緣處將兩個這樣的磚瓦彼此耦合，其中，在耦合狀態下：該第二耦合輪廓的向下舌部的至少一部分插入該第三耦合輪廓的第三凹部中，且該第三耦合輪廓的向上鎖定元件的至少一部分插入該第二耦合輪廓的第二向下凹部中，以及，若應用，至少一個第二鎖定元件面向至少一個第三鎖定元件並較佳地與其共同作用，以實現垂直鎖定效果。第一磚瓦和/或第二磚瓦和/或第三磚瓦可以由相同的磚瓦形成。第一磚瓦可以包括至少一個第二耦合輪廓和/或至少一個第三耦合輪廓。第二磚瓦可以包括至少一個第一耦合輪廓和/或至少一個第三耦合輪廓。第三磚瓦可以包括至少一個第一耦合輪廓和/或至少一個第二耦合輪廓。
根據本發明的磚瓦系統具有多個明顯的優點。第一個主要優點是，第三耦合輪廓(凹輪廓)被配置為與第一耦合輪廓(第一凸輪廓)和第二耦合輪廓(第二凸輪廓)共同作用。這極大地增加了所有磚瓦在待實現的磚瓦覆蓋物中如何相互定向。磚瓦的傳統的逐行安裝仍然是可能的，但是第三耦合輪廓與第一耦合輪廓和第二耦合輪廓兩者的兼容性還允許安裝各種替代安裝模式，例如但不限於人字形模式，而僅需要使用一種磚瓦類型。在長方形(矩形)磚瓦的情況下，磚瓦的短邊緣可以例如耦合到相鄰磚的短邊緣或長邊緣。此外，由於在生產過程中將僅需要實現三個不同的耦合輪廓，而不是通常的四個不同的耦合輪廓，因此可以用相對成本有效的方式來製造磚瓦系統的每個磚瓦，這至少節省了在生產過程中所使用的機械方面的成本，尤其是在銑削刀具方面。
較佳地，每個磚瓦包括由第一邊緣和第三邊緣組成的第一對相對邊緣。每個磚瓦較佳地包括由第二邊緣和第三邊緣組成的第二對相對邊緣。透過將構造成相互共同作用的耦合輪廓佈置在相對的邊緣處，可以促進磚瓦系統的磚瓦的安裝。磚瓦系統的磚瓦通常具有正方形、矩形、三角形、六邊形、八邊形或其他多邊形形狀。然而，也可以想像其他形狀，例如平行四邊形形狀，這將在下面進一步闡明。較佳地，在具有偶數個邊緣的磚瓦的情況下，所述磚瓦的第三耦合輪廓的數量對應於第一耦合輪廓的數量和第二耦合輪廓的數量之和。通常地，磚瓦的第一耦合輪廓的數量對應於第二耦合輪廓的數量，儘管可以想像到差異，其中，例如，磚瓦可以包括比第一耦合輪廓更多的第二耦合輪廓，反之亦然。
根據本發明的磚瓦系統的至少許多磚瓦可以是剛性的或可以是可撓的(彈性的)或稍微可撓的(半剛性的)。通常，將每種磚瓦製成以下種類之一：作為層壓地板嵌板；作為所謂的「彈性地板嵌板」；「LVT」(豪華乙烯基磚瓦(luxury vinyl tile))嵌板或「VCT面板」(乙烯基組合物磚瓦(vinyl composition tile))或基於不同於乙烯基的另一種合成材料的與其相當的嵌板；一種地板嵌板，其具有基於第一合成材料(較佳為發泡)的基材層(基層)，其上較佳具有較薄的基於乙烯或其他合成材料的第二基材層(第二基層)；作為具有基於硬質合成材料基材的地板嵌板。
較佳地，磚瓦包括一件式的耦合輪廓，並且特別是具有一件式的垂直活動的耦合輪廓，例如：透過應用耦合輪廓的某些結構特徵和/或材料特徵和/或設計。耦合輪廓較佳地是每個磚瓦的整體部分，並且通常由構成磚瓦本體的一個或多個材料層製成。較佳地，第一耦合輪廓和第三耦合輪廓構造成用於將磚瓦垂直和水平地鎖定在一起。較佳地，第二耦合輪廓和第三耦合輪廓構造成用於將磚瓦垂直和水平地鎖定在一起。由於第一耦合輪廓被構造成藉助於旋轉運動(也稱為轉動運動或向下傾斜運動)耦合至第三耦合輪廓，並且由於第二耦合輪廓被構造成藉助於向下摺疊運動和/或垂直運動(也稱為剪接運動或拉扣運動)耦合至第三耦合輪廓，仍然可以透過使用對使用者友善的向下折疊安裝技術來安裝根據本發明的磚瓦系統的磚瓦。因此，透過耦合實現的優點總體在於具有改進的耦合輪廓的改進的磚瓦，其中透過使用易於製造的耦合輪廓，因此具有製造簡單的優點，也就是說因為它們不必一定要使用單獨的連接件，所以將可以根據對使用者友善的折疊原理較佳地安裝磚瓦的優點以及提供相對可靠和耐用的耦合的優點相結合。
在一較佳實施例中，第二耦合輪廓的至少一個第二鎖定元件設置在第二耦合輪廓的第二向下側面，並且其中第三耦合輪廓的至少一個第三鎖定元件設置在下唇部的背離第三凹部的遠側和/或向上鎖定元件的背離第三凹部的遠側。通常將至少一個第二鎖定元件和至少一個第三鎖定元件定位在預定位置是有利的，因為在這些位置上存在相對較大的空間，這使得鎖定元件的設計更加堅固，這將有利於垂直鎖定效果。
在一較佳的實施方式中，該第二耦合輪廓的至少一個第二鎖定元件係設置在該向下舌部的背離該第二向下凹部的遠側，並且其中該第三耦合輪廓的至少一個第三鎖定元件在面向一相鄰的磚瓦的第二耦合輪廓的向下舌部的所述遠側的耦合狀態下，係設置在上唇部的一側。鎖定元件的這種可替代的定位的優點在於，鎖定元件被定位成靠近在相鄰的磚瓦之間形成的上接縫，這有助於穩定所述接縫，並且抵消了磚瓦相對於彼此垂直移動到接近接縫。所欲指出的是，在應用多個第二鎖定元件和多個第三鎖定元件的情況下，鎖定元件的這種可替代的定位可以與上一段中描述的鎖定元件的定位相結合。更佳地，第二鎖定元件和第三鎖定元件之間的相互作用以在兩個磚瓦的耦合狀態下產生垂直鎖定效果，其定義了切線T1，該切線T1與由該磚瓦所定義的一平面構成一角度A1，該角度A1小於一角度A2，該角度A2由所述由該磚瓦所定義的平面與一切線T2所構成，該切線T2透過向上鎖定元件的面向第三凹部的近側的傾斜部分與向下舌部的面向第二向下側面的近側的傾斜部分的共同作用定義，其中，較佳地，角度A1與角度A2之間的最大差異係介於5至20度之間。較佳的是，相較於向上鎖定元件的上側，所述第二鎖定元件和所述第三鎖定元件被定位成更靠近磚瓦的上側。這將減少一個或多個耦合輪廓的最大變形，而連接過程和變形過程可以在連續的步驟中執行。較小的變形導致較小的材料張力，這有利於耦合輪廓的壽命，且因此有利於磚瓦的壽命。
所述第一耦合輪廓較佳地包括至少一個第一鎖定元件，所述至少一個第一鎖定元件被構造成面向處於耦合狀態的相鄰的磚瓦的第三耦合輪廓的第三鎖定元件，並且較佳地與所述第三鎖定元件共同作用。所述至少一個第一鎖定元件的存在以及該第一鎖定元件與第三鎖定元件在耦合狀態下的共同作用進一步提高了第一耦合輪廓和第三耦合輪廓之間的耦合的穩定性。較佳地，第一耦合輪廓的至少一個第一鎖定元件設置在第一耦合輪廓的第一向下側面，並且其中第三耦合輪廓的至少一個第三鎖定元件設置在下唇部的背離該第三凹部的遠側和/或向上鎖定元件的背離該第三凹部的遠側。然而，除了第一鎖定元件的上述定位之外，還可以想像的是選擇性地，第一耦合輪廓的至少一個第一鎖定元件係設置在第一耦合輪廓的遠側，位於側向唇部的至少一部分的上方，且在其中，第三耦合輪廓的至少一個第三鎖定元件在面對相鄰的磚瓦的第一耦合輪廓的遠側的耦合狀態下係設置在上唇部的一側。
在一個較佳的實施方式中，第三耦合輪廓的向上鎖定元件的面向第三凹部的近側的至少一部分係在背離上唇部的方向上向上傾斜，較佳地，其與垂直於由每個磚瓦所定義的平面的法線構成一角度，其中所述角度係位於0至60度之間，特別是0至45度之間。這種傾斜導致開放的第三凹部，該第三凹部便於側向舌部和向下舌部的插入。
較佳地，第二耦合輪廓的向下舌部的面向第二向下凹部的近側的至少一部分係在背離第二向下側面的方向上向下傾斜，較佳地，其與垂直於由每個磚瓦所定義的平面的法線構成一角度，其中所述角度係位於0至60度之間，特別是0至45度之間。較佳地，第一耦合輪廓的側向舌部的面向第一向下凹部的近側的至少一部分在遠離第一向下側面的方向上向下傾斜，較佳地，其與垂直於由每個磚瓦所定義的平面的法線構成一角度，其中所述角度係位於0至60度之間，特別是0至45度之間。透過應用相應的傾斜度，第一耦合輪廓和/或第二耦合輪廓被賦予更互補的形狀，這通常導致第一和第三耦合輪廓之間以及第二和第三耦合輪廓之間更穩定的耦合。
在一可替代的實施方式中，第三耦合輪廓的向上鎖定元件的面向第三凹部的近側的至少一部分朝著上唇部的方向向上傾斜，較佳地，其與垂直於由每個磚瓦所定義的平面的法線構成一角度，其中所述角度係位於0至60度之間，特別是0至45度之間。此一向內的傾斜導致(略微)閉合的第三凹部，其中，一旦插入到所述第三凹部中，向上鎖定元件可以用於鉤住或夾緊在側向舌部和/或向下舌部上。這在第二耦合輪廓的向下舌部的面向第二向下凹部的近側的至少一部分朝著第二向下側面的方向向下傾斜的情況下是特別可行的，較佳地，其與垂直於由每個磚瓦所定義的平面的法線構成一角度，其中所述角度係位於0至60度之間，特別是0至45度之間。並且例如在第一耦合輪廓的側向舌部的面向第一向下凹部的近側的至少一部分朝著第一向下側面的方向向下傾斜的情況下，也可以實現向上鎖定元件的上述夾持效果和/或夾緊效果。在朝向第一向下側面的方向上傾斜，較佳地，其與垂直於由每個磚瓦所定義的平面的法線構成一角度，其中所述角度係位於0至60度之間，特別是0至45度之間。
較佳地，在該第一耦合輪廓的側向舌部的近側與該第一耦合輪廓的側向舌部的下側之間的一第一過渡區域是彎曲的。該彎曲的第一過渡區域可以用於在相鄰的磚瓦的耦合期間將側向舌部引導到第三凹部中。還可以想像的是，第二耦合輪廓的向下舌部的近側與第二耦合輪廓的向下舌部的下側之間的第二過渡區域是彎曲的。此一彎曲的第二過渡區域可用於在相鄰的磚瓦的耦合期間將向下舌部引導到第三凹部中。在第三耦合輪廓的向上鎖定元件的近側與第三耦合輪廓的向上鎖定元件的上側之間的第三過渡區域較佳地(也是)彎曲的，以便於將向下舌部和側向舌部插入第三凹部。
較佳地，在該第三耦合輪廓的下唇部的下側處存在一凹部，所述凹部一直延伸到該下唇部的遠端，且其使得該下唇部以向下的方向彎曲。下唇部在向下方向上的彎曲使得第三凹部在耦合期間變寬，這將有助於將側向舌部和向下舌部插入第三凹部。根據耦合輪廓的具體設計，下唇部在相鄰的磚瓦的耦合狀態下可以保持彎曲狀態。為此，該第一耦合輪廓和該第三耦合輪廓可以被構造成在耦合狀態下存在所謂的預張力，該預張力迫使相應的磚瓦在相應的第一邊緣和第三邊緣處彼此靠近，其中較佳係透過應用重疊的外廓來執行。且為此，該第二耦合輪廓和該第三耦合輪廓可以(也)被構造成在耦合狀態下存在所謂的預張力，該預張力迫使相應的磚瓦在相應的第二邊緣和第三邊緣處彼此靠近，其中較佳係透過應用重疊的外廓來執行。該預張力通常是變形的結果，該變形是彈性彎曲或彈性壓縮或兩者的組合。預張力通常將改善共同作用的耦合輪廓的相互鎖定和耦合。
較佳係透過使用匹配的耦合輪廓的重疊外廓，特別是向下舌部和第三凹部的重疊外廓和/或向上鎖定元件以及第一和/或第二向下凹部的重疊外廓來實現預張力。重疊外廓並不意味著應該重疊完整的外廓，而僅要求第一和/或第二耦合輪廓的(外部)外廓的至少一部分與第三耦合部分的(外部)外廓的至少一部分重疊。通常透過從側視圖(或截面圖)考慮第一耦合部分和第二耦合部分的外廓來比較外廓。透過應用重疊的外廓，第一和/或第二耦合輪廓和/或第三耦合輪廓在耦合狀態下通常將保持(彈性)變形，特別是被擠壓和/或彎曲，以提供耦合所期望的穩定性。通常，在外廓重疊的狀態下，向下舌部相對於第三凹部將(略)加大，和/或向上鎖定元件將相對於第一和/或第二向下凹部而(略)加大。然而，應當理解，重疊的輪廓也可以以另一種方式來實現，例如透過應用重疊的(第一、第二和/或第三)鎖定元件。
在較佳的實施方式中，構造成圍繞第三耦合輪廓的向上鎖定元件的第一耦合輪廓部分的外廓與構造成圍繞第三耦合輪廓的向上鎖定元件的第二耦合輪廓部分的(相應)外廓實質上相同。第一耦合輪廓的其餘部分的外廓和第二耦合輪廓的其餘部分的外廓通常彼此不同。在耦合狀態下，第一耦合輪廓和第三耦合輪廓之間的接觸表面較佳地在耦合狀態下大於第二耦合輪廓和第三耦合輪廓之間的接觸表面。較佳地，第一耦合輪廓和第三耦合輪廓之間的連接(耦合)在第三凹部的縱向且平行於磚瓦的平面上的每單位邊緣長度導致比第二耦合輪廓和第三耦合輪廓之間的連接(耦合)更牢固的接合。
在磚瓦的耦合期間，向上鎖定元件可以(彈性地)變形，特別是被擠壓和/或彎曲。 彎曲將從初始位置開始(略微)向外彎曲，遠離上唇部。可以在兩個磚瓦的耦合狀態中保持向上鎖定元件的彎曲狀態。向上舌部的近側的彎曲角度通常將被限制且位於0度和2度之間。
可以想像，甚至較佳地，第二耦合輪廓和第三耦合輪廓被構造成在耦合狀態下存在所謂的預張力，而第一耦合輪廓和第三耦合輪廓被構造在耦合狀態下實質上不存在預張力。此一(混合)實施方式可以促進磚瓦的耦合。
在可替代的實施例中，第一耦合輪廓和第三耦合輪廓被構造成使得耦合狀態實質上沒有第一耦合輪廓和第三耦合輪廓之間的預張力。在第二耦合輪廓和第三耦合輪廓之間可以應用相同的構造，其中第二耦合輪廓和第三耦合輪廓可以被構造為耦合狀態實質上沒有第二耦合輪廓和第三耦合輪廓之間的預張力。這通常可以在第一耦合輪廓和/或第二耦合輪廓的外廓配合到第三耦合輪廓的外廓中或與第三耦合輪廓的外廓配合的情況下實現，較佳地，沒有間隙以抵消產生嘎吱作響的噪音的風險。
在一較佳的實施方式中，第一耦合輪廓和第三耦合輪廓被構造成在耦合狀態下存在多個，較佳至少三個遠距離的接觸區域，其中在每對相鄰的接觸區域之間保留有空間。較佳地，第二耦合輪廓和第三耦合輪廓被構造成在耦合狀態下存在多個，較佳地至少三個遠距離的接觸區域，其中在每對相鄰的接觸區域之間保留空間。透過在耦合狀態下在耦合輪廓之間應用一個或多個刻意的(空氣)間隙。這些產生的縫隙或間隙有利於吸收磚瓦的膨脹，例如：由於環境溫度變化而引起的膨脹，和/或灰塵的積聚，特別是環境灰塵或在生產磚瓦期間產生的灰塵。
通常，在耦合狀態下，該第一邊緣和該第三邊緣定義一第一閉合表面，該第一閉合表面被定義為穿過該耦合的磚瓦的上邊緣或至少在多個磚瓦於其上側聚集的位置的一第一垂直平面(接合平面)。較佳地，第一耦合輪廓和第三耦合輪廓被構造成耦合狀態下，側向舌部和第三凹部中的每個延伸穿過所述第一垂直平面(接合平面)。「延伸穿過」是指側向舌部的一部分位於第一垂直平面的一側，而側向舌部的另一部分位於第一垂直平面的相對側。第三凹部也相同地應用。限制第三凹部的下側的下唇部通常延伸超過上唇部。較佳地，上唇部定義處於耦合狀態的兩個磚瓦的所述垂直平面(接合平面)。較佳地，向上鎖定元件定位成與所述垂直平面相距一距離。在此，向上鎖定元件和上唇部通常位於接合平面的相對側。在此，在磚瓦的平面中測量的與第三凹部接界的上唇部和下唇部之間的可能的差異較佳係小於磚瓦的總厚度的一倍。這將節省磚瓦製造過程中的材料損失。然而，在另一個較佳實施方式中，在磚瓦的平面中測量的上唇部和下唇部之間的差大於磚的厚度的1.0倍，並且較佳地至少為磚瓦的厚度的1.25倍。在此一實施方式中，下唇部相對較長，其優點在於，第三凹部以及匹配的側向舌部和向下舌部的尺寸可以相對較大(相較於應用相對短的下唇部的情況)，這對於透過相鄰磚的耦合輪廓實現的耦合的堅固性、穩定性和耐用性是有利的。
通常，該第二邊緣和該第三邊緣(也)在耦合狀態下定義一第二閉合表面，該第二閉合表面定義穿過耦合的磚瓦的上邊緣或至少在磚瓦的上側的磚瓦聚集的位置的一第二垂直平面。較佳地，第二耦合輪廓和第三耦合輪廓被構造成在耦合狀態下，向下舌部位於第二垂直平面的一側，且第三凹部延伸穿過所述第二垂直平面。 這意味著，當第二耦合輪廓和第三耦合輪廓相互耦合時，第三凹部的一個外端(通常也稱為第三凹部的尖端)保持為空的。
向下舌部的背離第二向下凹部的遠側較佳地包括與磚瓦的上側相鄰的至少一垂直上壁部分，以及相鄰於所述垂直壁部分並且位於所述垂直壁部分下方的成角度的壁部分，該成角度的壁部分朝向向下舌部的所述遠側的斜切和/或彎曲的下壁部分向內傾斜。所述遠側的下壁部分較佳地連接至向下舌部的下側。較佳地，在所述成角度的壁部分和所述下壁部分之間設置有中間垂直壁部分。此一中間垂直壁部分允許向下舌部以更堅固的方式設計。此一特定形狀通常是生產過程中最佳的形狀，並且為向下舌部的所述遠側提供用於將向下舌部引導到第三凹部中的引導功能(由下壁部分定義)以及用於在相鄰面板的上邊緣（由上壁部分定義）之間創建閉合外觀的閉合功能。前述的壁部分之一，並且較佳地向下舌部的遠側的上壁部分可設置有第二鎖定元件，以實現和/或改善耦合的磚瓦之間的垂直鎖定。
在一個較佳的實施方式中，第一耦合輪廓的側向舌部的下側在兩個磚瓦的耦合狀態下由第三耦合輪廓的向上的第三凹部的下表面支撐。第三凹部的下表面由下唇部的上側定義。此一支撐觸點較佳地導致在第一耦合輪廓和第三耦合輪廓的相互位置上的固定。第二耦合輪廓和第三耦合輪廓較佳地在該支撐接觸區域或支撐接觸點處在張力下共同作用。較佳對於第二耦合輪廓和第三耦合輪廓應用相同的構造。為此，第二耦合輪廓的向下舌部的下側在兩個磚瓦的耦合狀態下由第三耦合輪廓的(向上)第三凹部的下表面支撐。此一支撐接觸較佳地導致在第二耦合輪廓和第三耦合輪廓的相互位置上的固定。第二耦合輪廓和第三耦合輪廓較佳在該支撐接觸區域或支撐接觸點處在張力下共同作用。在耦合狀態下，下唇部對側向舌部和向下舌部的穩定支撐可以進一步穩定耦合輪廓之間的耦合，並且還可以抵消產生嘎吱作響的噪音(吱吱聲)的風險。
在較佳的實施方式中，在磚瓦的耦合狀態下，第一耦合輪廓的第一向下側面與第三耦合輪廓的面向第一向下側面的下唇部和/或向上鎖定元件的遠側被定位成彼此相距一段距離。較佳地，在磚瓦的耦合狀態下，第二耦合輪廓的第二向下側面與第三耦合輪廓的面向第二向下側面的下唇部和/或向上鎖定元件的遠側被定位成彼此相距一段距離。相鄰的磚瓦之間的中間(垂直)空間為下唇部和向上鎖定元件創造了一些空間，以便在耦合期間(略微)變形，並在磚瓦的耦合狀態下選擇性地保持在(略微)變形狀態。此一技術效果通常有助於耦合並且還可以提高耦合的穩定性。
向上鎖定元件的至少一部分上側，較佳是整個上側，係在背離第三耦合輪廓的上唇的方向上向下傾斜。較佳地，第一向下凹部的至少一部分上側，並且較佳地整個上側，朝著第一向下側面向下傾斜。較佳地，兩個傾角相互構成0度和5度之間的角度(包括0度和5度)。向上鎖定元件的上側的傾斜度相對於水平面(由磚瓦定義的平面)較佳地位於15度至45度之間，更佳地位於25度至35度之間，並且最佳地約為30度。向上鎖定元件的上側的傾斜度較佳是恆定的，這意味著上側具有實質上平坦的定向。較佳地，第一向下凹部和/或第二向下凹部的上側具有較佳地同樣 (相對於向上鎖定元件的上側的傾斜度)的傾斜定向，該傾斜定向更佳地在側向舌部的方向上和/或向下舌部的方向上向上定向。將向下舌部連接到磚瓦的芯部(主體)的第一橋的第一下表面由第一向下凹部的上側定義(或反之定義)。將向下舌部連接到磚瓦的芯部(主體)的第二橋的第二下表面由第二向下凹部的上側定義(或反之定義)。從芯沿向下舌部的方向來觀察時，應用第一向下凹部的傾斜的上側將導致第一和/或第二橋的厚度變化。此一取決於位置的橋厚度，其中橋厚度較佳在靠近芯處相對較大而在靠近向下舌部附近相對較小，使橋厚度具有多個優點。第一橋和/或第二橋的較厚部分，靠近核心，為橋提供了更多且足夠的強度和堅固性，而橋的較薄部分，靠近側向舌部和/或向下舌部，形成橋的最弱點，因此對於耦合過程中的第一個變形的位置(樞軸點)產生決定性的作用。由於此一變形點位於靠近側向舌部和/或向下舌部的位置，因此能夠將要變形以使其能夠將側向舌部和/或向下舌部插入第三凹部中的材料的數量保持為最小。較小的變形導致較小的材料張力，這有利於(一個或多個)耦合輪廓的壽命，因而有利於(一個或多個)磚瓦的壽命。在相鄰的磚瓦的耦合狀態下，第一向下凹部或第二向下凹部的上側可以至少部分地，較佳地實質上完全地由向上鎖定元件的上側支撐，這為耦合本身提供了額外的強度。為此，有利的是，第一向下凹部和/或第二向下凹部的上側的傾斜度實質上對應於向上鎖定元件的上側的傾斜度。這意味著第一向下凹部和/或第二向下凹部的上側相對於水平平面的傾斜度較佳在15度至45度之間，更佳在25度至35度之間，且最佳為約30度。此一傾斜度可以是平坦的或弧形的，或者最終是鉤狀的。
在兩個磚瓦的耦合狀態下，第三耦合輪廓的向上鎖定元件的(傾斜或水平)上側較佳地定位成與第一耦合輪廓的第一向下凹部的(傾斜或水平)上側相距一距離，以便於耦合並且允許灰塵積聚在向上鎖定元件正上方形成的空間內。
在一較佳的實施方式中，向上鎖定元件的上側位於比第三耦合輪廓的上唇部低的高度處。這允許足夠的空間以相對穩健的方式確定第一耦合輪廓和第二耦合輪廓的尺寸，這有利於第一耦合輪廓和第二耦合輪廓的強度。此外，此一構造有助於將側向舌部和向下舌部插入第三凹部中。
第三鎖定元件較佳地包括至少一個向外的凸起，並且第二鎖定元件和(如果應用的話)第一鎖定元件分別包括至少一個第一鎖定凹槽或第二鎖定凹槽，該向外的凸起適於至少部分地容納在相鄰的耦合磚瓦的第一鎖定凹槽和第二鎖定凹槽中，以實現鎖定耦合，較佳為垂直鎖定耦合。第三鎖定元件和第二鎖定元件較佳地具有實質上互補的形狀。替代地，第三鎖定元件包括至少一個第三鎖定凹槽，並且第二鎖定元件以及(如果應用的話)第一鎖定元件包括至少一個向外的凸起(脊)，該向外的凸起適於至少部分地容納在相鄰的耦合磚瓦的所述鎖定凹槽中，以實現鎖定耦合的目的。還可以想像的是，第一鎖定元件(如果應用的話)、第二鎖定元件和第三鎖定元件不是由凸起-凹槽組合形成，而是由共同作用的輪廓表面和/或高摩擦接觸表面的另一種組合形成。在此一後者的實施方式中，第一、第二或第三鎖定元件中的至少一個鎖定元件可以由(另外成形的平面)接觸表面形成，該接觸表面由被配置為在接合(耦合)狀態與另一磚瓦的鎖定元件產生摩擦的、選擇性分離的塑膠材料構成。 適合產生摩擦的塑膠示例包括： -縮醛(Acetal, POM)，其剛性強，具有良好的抗蠕變性。它的摩擦係數低，在高溫下保持穩定，並對於熱水具有良好的抗性； 尼龍(Nylon, PA)，其比大多數聚合物吸收更多的水分，其中，衝擊強度和一般的能量吸收質量實際上隨著其吸收水分而提高。尼龍還具有低摩擦係數、良好的電性能和良好的耐化學性。 -聚鄰苯二甲醯胺(Polyphthalamide, PPA)。這種高性能尼龍具有改善的耐溫性和較低的吸濕性。它還具有良好的耐化學性； -聚醚醚酮(Polyetheretherketone, PEEK)，其係為一種高溫熱塑性塑膠，具有良好的耐化學性和阻燃性以及高強度。PEEK是航太工業的最愛。 -聚苯硫醚(Polyphenylene sulfide, PPS)，其在包括耐化學和高溫性能、阻燃性、流動性、尺寸穩定性和良好的電性能等特性之間取得平衡； -聚對苯二甲酸丁二醇酯(Polybutylene terephthalate, PBT)，其尺寸穩定，且具有高耐熱性和耐化學性，並具有良好的電性能； -熱塑性聚醯亞胺(Thermoplastic polyimide, TPI)，其本質上具有阻燃性，具有良好的物理、化學和耐磨性能。 -聚碳酸酯(Polycarbonate, PC)，其具有良好的衝擊強度，高耐熱性和良好的尺寸穩定性。PC還具有良好的電性能，並且在水和無機酸或有機酸中穩定；和 -聚醚醯亞胺(Polyetherimide, PEI)，其在高溫下保持強度和剛性。它還具有良好的長期耐熱性、尺寸穩定性、固有的阻燃性以及對烴、醇和鹵化溶劑的耐受性。
通常，儘管不是必須的，第三鎖定元件位於下唇部和/或上鎖定元件的遠側，並且與下唇部的下側和向上鎖定元件的上側都相距一距離。這允許第三鎖定元件與相對較大的表面積共同作用，並因此密切地與互補的第一鎖定元件和/或第二鎖定元件共同作用。
通常，向上鎖定元件相對於下唇部沿垂直方向(即，垂直於由嵌板定義的平面的方向)突出。較佳地，將向上鎖定元件的有效高度(在所述垂直方向上)定義為向上鎖定元件的最高位置與下唇部的最低位置之間的最大(垂直)距離。較佳地，向上鎖定元件的有效高度為面板厚度的至少20%，更佳地至少25%，甚至更佳地至少30%。較佳地，下唇部和向上鎖定元件的總厚度為嵌板厚度的至少50%。這些較佳特徵均旨在改善處於耦合狀態的兩個面板之間的水平鎖定效果。
每個耦合輪廓較佳地沒有鉤環緊固件和/或黏合劑連接。除了至少一個第一耦合輪廓、至少一個第二耦合輪廓以及至少一個，較佳至少兩個第三耦合輪廓之外，每個磚瓦較佳地不包括任何其他耦合輪廓。較佳地，每個耦合輪廓在磚瓦的上側處或附近具有倒角，例如斜面。倒角(例如：斜面)的存在通常會使接縫間隙不那麼明顯。倒角的存在導致當將兩個磚瓦放在一起進行附接時，會形成一個谷或V形的凹部。較佳地，漸縮或傾斜的邊緣成約15°至約55°的角度，並且更佳地成約17°的角度。而且，傾斜或漸縮邊緣的寬度為約1.0 mm至約7.0 mm。
當實現人字形圖案時，在系統包括兩種不同類型的磚瓦(分別為A和B)，並且其中一種類型的磚瓦的耦合輪廓相對於相應其他類型的磚瓦的耦合輪廓以鏡像倒置的方式排列。為此，在系統包括具有平行四邊形形狀的多個磚瓦的情況下是較佳的，其中所述磚瓦被配置為以人字形圖案連接，其中兩對相鄰的邊緣構成銳角，並且其中兩對其他相鄰的邊緣則構成鈍角。銳角通常位於30度和60度之間，並且較佳地實質上為45度。鈍角通常位於120度至150度之間，並且較佳地實質上為135度。較佳地，至少一個平行四邊形磚瓦(A)具有這樣的構造，其中，從頂視圖沿順時針方向看時，其邊緣按以下順序佈置：第一邊緣、第三邊緣、另一第三邊緣和第二邊緣，並且其中至少一個平行四邊形磚瓦(B)具有一種配置，其中，從頂視圖沿順時針方向看時，其邊緣按以下順序佈置：第一邊緣、第二邊緣、第三邊緣和另一個第三邊緣。特定的視覺標記，例如彩色標籤、符號標籤、(預先連接的)不同顏色的背襯層，和/或文字標籤，可以應用於不同的磚瓦類型，以使使用者在安裝過程中輕鬆識別不同的磚瓦類型。較佳地，視覺標記在磚的耦合狀態下(從俯視圖看)是不可見的。視覺標記可以應用在在例如向上鎖定元件的上側上和/或在第三凹部內和/或在第一或第二向下凹部內。可以想像，根據本發明的系統包括兩種以上不同類型的磚瓦。
至少一個磚瓦，並且較佳地每個磚瓦，較佳地包括直接或間接地附接到基層的上側的上基材，其中所述上基材較佳地包括裝飾層。上基材較佳地至少部分地由至少一種選自以下的材料製成：金屬、合金、大分子材料，例如乙烯基單體共聚物和/或均聚物；縮合聚合物，例如：聚酯、聚醯胺、聚醯亞胺、環氧樹脂、酚醛樹脂、脲醛樹脂；天然高分子材料或其改性衍生物，例如植物纖維、動物纖維、礦物纖維、陶瓷纖維和碳纖維。在此，乙烯基單體共聚物和/或均聚物較佳選自由聚乙烯、聚氯乙烯(polyvinyl chloride, PVC)、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯醯胺、ABS、(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯)共聚物、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚偏二氯乙烯、聚四氟乙烯、聚偏二氟乙烯、六氟丙烯和苯乙烯-馬來酸酐共聚物及其衍生物所組成之群組。上基材最佳地包括聚乙烯或聚氯乙烯(PVC)。聚乙烯可以是低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯或超高密度聚乙烯。上基材層也可以包括填充材料和其他添加劑，其改善了產品的物理性能和/或化學性能和/或可加工性。這些添加劑包括習知的增韌劑、增塑劑、增強劑、防黴(防腐)劑、阻燃劑等。上基材通常包括裝飾層和覆蓋所述裝飾層的耐磨層，其中所述耐磨層的頂面是所述磚瓦的頂面，並且其中所述耐磨層是透明材料，使得可通過透明耐磨層看到裝飾層。
較佳地，至少一個磚瓦，並且較佳地，每個磚瓦，包括直接或間接地附接到至少一個基層的上側的上基材，其中，所述上基材較佳地包括飾板層。所述飾板層的莫氏硬度較佳大於3。所述飾板層的厚度較佳為2至8 mm。所述飾板層的尺寸不覆蓋支撐基層和/或所應用的至少一個或多個耦合輪廓。飾板層較佳由選自由天然石材、大理石、花崗岩、板岩、玻璃和陶瓷所組成之群組的材料組成。更佳地，飾板層是選自由莫諾庫圖拉(Monocuttura)陶瓷、莫諾波羅薩(Monorporosa)陶瓷、瓷器陶瓷或多鑄陶瓷所組成的群組中的陶瓷。較佳地，飾板層的斷裂模量大於10 N/mm2 ，更佳地大於30 N/mm2 。上基材的厚度通常為約0.1至3.5 mm，較佳為約0.5至3.2 mm，更佳為約1至3 mm，且最佳為約2至2.5 mm。基層與上基材的厚度比通常為約1至15：0.1至3.5，較佳為約1.5至10：0.5至3.2，更佳為約1.5至8：1至3，最佳為分別為約2至8：2至2.5。
每個磚瓦可以包括黏合劑層，以將上基材直接或間接地固定到基層上。黏合劑層可以是能夠將上基材和基層黏合在一起的任何習知的黏合劑或黏結劑，例如：聚胺酯、環氧樹脂、聚丙烯酸酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物等。較佳地，黏合劑層是熱熔黏合劑。
裝飾層或設計層可以是上面提到的上基材的一部分，它可以包含任何合適的習知塑膠材料，例如：PVC樹脂、穩定劑、增塑劑和本領域公知的其他添加劑的習知配方。設計層可以形成有或印刷有印刷圖案，例如：木紋、金屬或石材設計和纖維圖案或三維圖形。因此，設計層可以為磚瓦提供類似於更重的產品(例如：花崗岩，石材或金屬)的三維外觀。設計層的厚度通常為約0.01至0.1 mm，較佳為約0.015至0.08 mm，更佳為約0.2至0.7 mm，且最佳為約0.02至0.5 mm。通常形成磚瓦的上表面的耐磨層可以包括任何合適的習知耐磨材料，例如：塗覆在其下面的層上的耐磨大分子材料或習知的陶瓷珠塗層。如果耐磨層以層的形式提供，則可以將其黏結到其下面的層。耐磨層還可以包括有機聚合物層和/或無機材料層，例如：紫外線塗層或另一種有機聚合物層和紫外線塗層的組合。例如，能夠改善產品的表面抗劃傷性、光澤度、抗微生物性和其他性能的紫外線塗料。根據需要，可以包括其他有機聚合物，包括：聚氯乙烯樹脂或其他聚合物，例如：乙烯基樹脂，以及適量的增塑劑和其他加工添加劑。
在一較佳實施方式中，至少一個磚瓦包括直接或間接固定在基層上側的多個條形上基材，其中所述上基材在同一平面上並排佈置，較佳地，系以平行配置。在此，多個上基材較佳地實質上完全覆蓋基層的上表面，並且更佳地從磚瓦的第一邊緣延伸到第二邊緣。多個上基材中的每個包括裝飾層，其中至少兩個相鄰佈置的上基材的裝飾層較佳具有不同的外觀。並排佈置在同一平面上並直接或間接固定在基層上的多個條形上基材的應用將產生引人注目的美學效果，即人字形磚瓦由條形上基材本身定義，同時具有的優點是，在安裝過程中，僅磚瓦本身必須被耦合，而不是條形的上基材，這將是耗時且昂貴的。
較佳地，基層包含至少一種發泡劑。至少一種發泡劑負責基層的發泡，這將降低基層的密度。這將導致重量輕的磚瓦，相較於尺寸相似且具有非發泡基層的磚瓦其重量較輕。較佳的發泡劑取決於在基層中使用的(熱塑性)塑膠材料，以及取決於所期望的發泡比率、發泡結構，並且還較佳還取決於所期望的(或所需的)發泡溫度以實現所期望的發泡比率和/或發泡結構。為此，可能有利的是應用構造成分別在不同溫度下對基層發泡的多種發泡劑。這將允許發泡基層以更漸進和更受控制的方式實現。可以(同時)存在於基層中的兩種不同的發泡劑的實施例是疊氮二醯胺和碳酸氫鈉。在這方面，通常還有利的是應用至少一種改性劑，例如：甲基丙烯酸甲酯(methyl methacrylate, MMA)，以在整個基層中保持發泡結構相對一致。
適用於形成基層的聚合物材料可以包括聚胺酯(polyurethane, PUR)、聚醯胺共聚物、聚苯乙烯(polystyrene, PS)、聚氯乙烯(polyvinyl chloride, PVC)、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate, PET)、聚異氰脲酸酯(Polyisocyanurate, PIR)和聚乙烯(polyethylene, PE)塑膠，這些塑膠都具有良好的成型加工性。包含在基層中的至少一種聚合物可以是固體或可以是發泡的(膨脹的)。較佳地，使用氯化PVC(chlorinated PVC, CPVC)和/或氯化聚乙烯(chlorinated polyethylene, CPE)和/或另一種氯化熱塑性材料來進一步改善基層和磚瓦本身的硬度和剛度，從而降低每個磚瓦的尖角頂點的易損性，這使得磚瓦甚至更適合用來作為實現人字形圖案的平行四邊形/菱形磚瓦。聚氯乙烯(Polyvinyl chloride, PVC)材料特別適合用於形成基層，因為它們化學穩定，耐腐蝕且具有出色的阻燃性能。用來作為基層中的塑膠材料較佳不含任何增塑劑，以增加基層的所需的剛度，此外，這從環境的角度來看也是有利的。
所述基層也可以至少部分地由一種較佳不含PVC的包含熱塑性組成物所組成。此一熱塑性組合物可包含聚合物基質，該聚合物基質包含(a)至少一種離子聚合物和/或至少一種酸共聚物；和(b)至少一種苯乙烯類熱塑性聚合物，和選擇性地至少一種填料。 離子聚合物應理解為包含電中性和離子化單元的重複單元的共聚物。 離子聚合物的離子化單元尤其可以是被金屬陽離子部分中和的羧酸基團。通常以少量存在的離子基團(通常少於構成單元的15 mol %)會導致離子域與連續聚合物相發生微相分離，並充當物理交聯鍵。造成離子增強的熱塑性塑膠，其具有相較於常規塑膠下增強的物理性能。
基層可以由至少一種聚合物和至少一種非聚合物材料的複合物製成。基層的複合物較佳包含一種或多種填料，其中至少一種填料選自由滑石、白堊、木材、碳酸鈣、二氧化鈦、煅燒黏土、瓷器、(其他)礦物填料，和(其他)天然填料。填料可以由纖維形成和/或可以由塵狀顆粒形成。在此，用語「塵」理解為小的塵狀顆粒(粉末)，例如：木屑、軟木屑或非木屑，例如：礦物塵、石粉，尤其是水泥。塵的平均粒徑較佳在14至20微米之間，更佳在16至18微米之間。這種填料的主要作用是為基層和平行四邊形/菱形磚提供足夠的硬度。這將允許磚瓦(包括通常相對較脆弱的尖角頂點)以可靠和持久的方式實現人字形圖案。此外，這種填充劑通常還將同樣改善基層和磚瓦的衝擊強度。複合物中此類填料的重量含量較佳在35%至75%之間，在複合物為發泡複合物的情況下，則更佳為40%至48%，在複合物為非發泡(固體)複合物的情況下，則更佳為65%至70%。
在根據本發明的磚瓦系統的替代構造中，每個磚瓦包括實質上剛性的基層，該基層至少部分地由非發泡(固體)複合物製成，該複合物包括至少一種塑膠材料和至少一種填料。堅實的基層可導致提高的磚瓦強度，且因此減少尖角頂點的易損性，並可進一步提高使用磚瓦實現人字形圖案的適用性。在基層中應用固體複合物而不是發泡複合物的缺點是，磚瓦重量會增加(在應用相同厚度的基層的情況下)，這可能會導致更高的處理成本和更高的材料成本。
較佳地，基層的複合物包括至少一種基層的填料，所述填料選自由鹽、硬脂酸鹽、硬脂酸鈣和硬脂酸鋅所組成之群組。硬脂酸酯具有穩定劑的功能，並導致更有利的加工溫度，並在加工過程中和加工後抵消複合物組分的分解，因此提供了長期穩定性。作為硬脂酸鹽的替代或補充，例如：鈣鋅也可以用來作為穩定劑。複合物中穩定劑的重量含量將較佳在1和5%之間，更佳在1.5和4%之間。
基層的複合物較佳包含至少一種抗衝改性劑，該抗衝改性劑包括至少一種甲基丙烯酸烷基酯，其中所述甲基丙烯酸烷基酯較佳選自由甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸異丙酯、甲基丙烯酸叔丁酯和甲基丙烯酸異丁酯所組成之群組。抗衝改性劑通常改善產品性能，特別是抗衝擊性。此外，抗衝改性劑通常使基層增韌，因此也可以看作是增韌劑，這進一步降低了斷裂的風險。通常，改性劑還有助於例如如上所述的生產過程，以控制具有相對一致(恆定)的發泡結構的發泡體的形成。複合物中抗衝改性劑的重量含量將較佳在1和9%之間，更佳在3和6%之間。較佳地，實質上完整的基層由發泡複合物或非發泡(固體)複合物形成。為了增加基層的期望的剛性，用於基層的至少一種塑膠較佳地不含任何增塑劑，此外，從環境的角度來看這也是有利的。
磚瓦的基層和/或另一層可以包括木基材料，例如：MDF、HDF、木屑、預製木，更特別是所謂的工程木。此一木基材料可以是基層的複合物的一部分。
基層的密度通常為約0.1至1.5克/cm3 ，較佳為約0.2至1.4克/cm3 ，更佳為約0.3至1.3克/cm3 ，甚至更佳為約0.4至1.2克/cm3 ，甚至更佳約0.5至1.2克/cm3 ，最佳約0.6至1.2克/cm3 。
這樣用於基層中的聚合物和/或基層本身較佳具有大於700 MPa的彈性模量(在23攝氏度的溫度和50%的相對濕度下)。通常，這將使基層具有足夠的剛性，並因此使平行四邊形/菱形磚瓦本身具有足夠的剛性。
基層較佳地具有至少3 mm的厚度，較佳地至少4 mm，並且還更佳地至少5 mm。可以想像每個磚瓦包括多個基層。不同的基層可以具有相同的組成或不同的組成。
基層的密度較佳沿著基層的高度變化。這樣可以正面地影響磚瓦本身的聲學(隔音)特性。較佳地，可以在發泡基層的頂部和/或底部形成外殼層。該至少一個外殼層可以形成基層的整體部分。更佳地，基層的頂部和底部均形成包圍發泡結構的外殼層。相較於多孔性更高的發泡結構，外殼層是相對封閉的(孔隙率低，較佳地沒有氣泡(小孔))，且因此形成了相對剛性的(子)層。通常，儘管不是必需的，但是通過密封(刷塗)芯層的底部和頂部表面來形成外殼層。較佳地，每個外殼層的厚度在0.01至1 mm之間，較佳地在0.1至0.8 mm之間。外殼太厚將導致芯層的平均密度更高，這會增加成本和芯層的剛性。這樣的基層(芯層)的厚度較佳在2 mm至10 mm之間，更佳在3 mm至8 mm之間，並且通常為約4 mm或5 mm。較佳地，(複合的)基層的頂部和/或底部形成具有小於基層的閉孔發泡塑膠材料的孔隙率的孔隙率的外殼層，其中每個外殼層的厚度較佳在0.01和1 mm之間，較佳在0.1和0.8 mm之間。
較佳地，每個磚包括至少一個固定在基層的底側上的背襯層，其中所述至少一個背襯層至少部分地由可撓材料，較佳地由彈性體製成。背襯層的厚度通常在約0.1至2.5 mm之間變化。可以由其製成背襯層的材料的非限制性示例是聚乙烯、軟木、聚胺酯和乙烯-乙酸乙烯酯。聚乙烯背襯層的厚度例如通常為2 mm或更小。背襯層通常為每個磚瓦提供額外的堅固性和抗衝擊性，這增加了磚瓦的耐久性。此外，(可撓)背襯層可以增加磚瓦的聲學(隔音)特性。在一特定實施例中，基層由固定在所述至少一個背襯層上的多個分開的基層片段組成，較佳地，使得所述基層片段可相互鉸接。當將磚安裝在垂直壁表面上時，磚瓦的輕質特徵有利於獲得牢固的結合。也特別容易安裝將磚瓦安裝在垂直的角落，例如：相交牆的內角、家具件，以及在外部的角落，例如：進入通道。透過在磚瓦的基層中形成凹槽以促進磚瓦的彎曲或折疊來實現內部或外部角落安裝。
每個磚可包括至少一個增強層。至少一個增強層可以位於基層和上基材之間。至少一個增強層可以位於兩個基層之間。增強層的應用可以導致磚瓦本身的剛性的進一步提高。這也可能導致磚瓦的聲學(隔音)特性的改善。增強層可以包括編織或非編織纖維材料，例如：玻璃纖維材料。它們的厚度可為0.2-0.4 mm。還可以想像的是，每個磚瓦包括彼此疊置的多個(通常較薄的)基層，其中至少一個增強層位於兩個相鄰的基層之間。較佳地，增強層的密度較佳地位於1.000至2.000 kg/m3 之間，較佳地在1.400至1.900 kg/m3 之間，並且更佳地在1.400至1.700 kg/m3 之間。
較佳地，每個磚瓦的第一耦合輪廓的至少一部分和/或第二耦合輪廓的至少一部分和/或第三耦合輪廓的至少一部分一體地連接至基層。在這種情況下，形成一件式的磚瓦，其相對容易並且成本低廉地生產。
第一耦合輪廓和/或第二耦合輪廓和/或第三耦合輪廓較佳地允許在磚瓦的耦合和解耦合期間變形。至少一定數量的磚瓦是相同的。還可以想像，至少一定數量的磚瓦具有不同的尺寸和/或不同的形狀。除了已經討論過的用於實現人字形圖案的平行四邊形形狀的磚瓦之外，還可以想像，磚瓦系統包括不同類型的磚瓦(分別為A和B)，其中第一種類型的磚瓦(A)的尺寸不同於第二種類型的磚瓦(B)。這些A和B嵌板可以例如具有矩形和/或正方形的形狀。可以將不同的視覺標記應用於不同的磚瓦類型，較佳係出於安裝目的。為此，較佳將特定的視覺標記應用到每種磚瓦類型的第三耦合輪廓的第三凹部的上側和/或向上鎖定元件的上側。
本發明還關於一種磚瓦覆蓋物，特別是地板覆蓋物、牆壁覆蓋物、天花板覆蓋物和/或家具覆蓋物，其由根據本發明的相互耦合的磚瓦組成。本發明還關於用於根據本發明的多用途磚瓦系統中的磚瓦。
此外，本發明關於一種安裝磚瓦系統的方法，特別是安裝如請求項1-97中任一項所述的磚瓦系統的方法，其係包括以下步驟：a) 將至少一個第一磚瓦定位在一支撐表面上，特別是一地板上，b) 提供至少一個第二磚瓦以耦合到所述至少一個第一磚瓦，c) 從以下各項所組成的群組中選擇至少一個要被耦合到至少一個第一磚瓦的至少一個第三耦合輪廓的耦合輪廓：(i)第二磚瓦的第一耦合輪廓，和(ii)第二磚瓦的第二耦合輪廓；和/或從以下各項所組成的群組中選擇至少一個要被耦合到至少一個第二磚瓦的至少一個第三耦合輪廓的耦合輪廓：(i)第一磚瓦的第一耦合輪廓，和(ii)第一磚瓦的第二耦合輪廓；以及d) 將所述第二磚瓦或第一磚瓦的至少一個被選擇的耦合輪廓耦合到一第一磚瓦或第二磚瓦的至少一個第三耦合輪廓。在此，第一耦合輪廓和第三耦合輪廓被構造成使得兩個這樣的磚瓦可以透過轉動運動彼此耦合，並且其中第二耦合輪廓和第三耦合輪廓被構造成使得兩個這樣的磚瓦可以透過向下摺疊運動和/或垂直移動彼此耦合。可以將要安裝的第二磚瓦同時耦合到更多個已經定位的第一磚瓦。
本文件中使用的序數，例如「第一」、「第二」和「第三」僅用於標識目的。因此，表述「第三鎖定元件」和「第二鎖定元件」的使用因此不一定需要「第一鎖定元件」的共存。
根據本發明的磚瓦系統的磚瓦也可以稱為嵌板。基層也可以稱為核心層。耦合輪廓也可以稱為耦合部件或連接輪廓。「互補的」耦合輪廓是指這些耦合輪廓可以彼此共同作用。但是，為此目的，互補的耦合輪廓不必一定具有互補的形式。沿「垂直方向」鎖定是指沿垂直於磚瓦的平面的方向鎖定。沿「水平方向」鎖定是指沿垂直於兩個磚瓦各自的耦合邊緣並且平行於或與由磚瓦所定義的平面一起落下的方向鎖定。在本文件中提到「地板磚瓦」或「地板嵌板」的情況下，這些用語可以被諸如「磚瓦」、「牆磚」、「天花板磚」、「覆蓋磚」之類的用語代替。在本文件的上下文中，用語「發泡複合物」和「經發泡的塑膠材料」(或「發泡塑膠材料」)是可互換的，其中實際上，發泡複合物包括發泡混合物，該發泡混合物包括至少一種(熱)塑膠材料和至少一種填料(非聚合物材料)。
本發明還關於一種多用途磚瓦系統，特別是一種地磚系統，其包括多個多用途磚瓦，特別是地磚，其中地磚，並且較佳地每個地磚包括至少一個第一邊緣，其具有一第一耦合輪廓，該第一耦合輪廓包括：一側向舌部，其在實質上平行於該磚瓦的上側的方向上延伸，至少一個第一向下側面，其與該側向舌部相距一距離，以及一第一向下凹部，其係在該側向舌部和該第一向下側面之間形成，至少一個第二邊緣，其具有一第二耦合輪廓，該第二耦合輪廓包括：一向下舌部，其在實質上垂直於磚的上側的方向上延伸，至少一個第二向下側面，其與該向下舌部相距一距離，一第二向下凹部，其係在該向下舌部和該向下側面之間形成，以及較佳地至少一個第二鎖定元件；至少一個第三邊緣，並且較佳地至少兩個第三邊緣，每個第三邊緣具有一第三耦合輪廓，該第三耦合輪廓包括：一第三凹部，其構造成用於容納另一磚瓦的第一耦合輪廓的側向舌部的至少一部分和另一磚瓦的向下舌部的至少一部分，所述第三凹部由上唇部和下唇部限定，其中所述下唇部設置有向上鎖定元件，以及較佳地至少一個第三鎖定元件，其中，該第一耦合輪廓和該第三耦合輪廓被構造成使得其中兩個這樣的磚瓦可以透過轉動運動在第一和第三邊緣處彼此耦合，其中，在耦合狀態下：一磚瓦的第一耦合輪廓的側向舌部的至少一部分插入相鄰的磚瓦的第三耦合輪廓的第三凹部中，以及該第三耦合輪廓的向上鎖定元件的至少一部分插入該第一耦合輪廓的第一向下凹部，以及其中，該第二耦合輪廓和該第三耦合輪廓被構造成可以透過向下摺疊運動和/或垂直運動在該第二邊緣和第三邊緣處將兩個這樣的磚瓦彼此耦合，其中，在耦合狀態下：該第二耦合輪廓的向下舌部的至少一部分插入該第三耦合輪廓的第三凹部中，該第三耦合輪廓的向上鎖定元件的至少一部分插入該第二耦合輪廓的第二向下凹部中，以及，如果應用的話，至少一個第二鎖定元件面向至少一個第三鎖定元件並較佳地與其共同作用，以實現垂直鎖定效果，其中，該第三耦合輪廓的面向該第三凹部的向上鎖定元件的近側的至少一部分係在朝向所述上唇部的方向上向上傾斜，較佳地，以這樣的方式使其與垂直於由每個磚瓦所定義的平面的法線構成一個角度，其中所述角度係介於0度至60度之間，尤其是介於0度至45度之間。
在此一實施方式中，第三耦合輪廓的向上鎖定元件可在所述第三耦合輪廓與第一或第二耦合輪廓之間提供充分的鎖定。可以省略其他輔助鎖定元件的使用，例如：第三和第二鎖定元件。
將基於以下條款中描述的以下非限制性示例性實施方式闡明本發明。
1.    一種多用途磚瓦系統，特別是地磚系統，包括多個多用途磚瓦，特別是地磚，其中，該等磚瓦，且較佳地每個磚瓦包括： 至少一個第一邊緣，其具有一第一耦合輪廓，該第一耦合輪廓包括： 一側向舌部，其在實質上平行於該磚瓦的上側的方向上延伸， 至少一個第一向下側面，其與該側向舌部相距一距離，以及 一第一向下凹部，其係在該側向舌部和該第一向下側面之間形成， 至少一個第二邊緣，其具有一第二耦合輪廓，該第二耦合輪廓包括： 一向下舌部，其在實質上垂直於磚的上側的方向上延伸， 至少一個第二向下側面，其與該向下舌部相距一距離， 一第二向下凹部，其係在該向下舌部和該向下側面之間形成，以及 較佳地，至少一個第二鎖定元件； 至少一個第三邊緣，並且較佳地至少兩個第三邊緣，每個第三邊緣具有一第三耦合輪廓，該第三耦合輪廓包括： 一第三凹部，其構造成用於容納另一磚瓦的第一耦合輪廓的側向舌部的至少一部分和另一磚瓦的向下舌部的至少一部分，所述第三凹部由上唇部和下唇部限定，其中所述下唇部設置有向上鎖定元件，以及 較佳地，至少一個第三鎖定元件， 其中，該第一耦合輪廓和該第三耦合輪廓被構造成使得其中兩個這樣的磚瓦可以透過轉動運動在第一和第三邊緣處彼此耦合，其中，在耦合狀態下： 一磚瓦的第一耦合輪廓的側向舌部的至少一部分插入相鄰的磚瓦的第三耦合輪廓的第三凹部中，以及 該第三耦合輪廓的向上鎖定元件的至少一部分插入該第一耦合輪廓的第一向下凹部，以及 其中，該第二耦合輪廓和該第三耦合輪廓被構造成可以透過向下摺疊運動和/或垂直運動在該第二邊緣和第三邊緣處將兩個這樣的磚瓦彼此耦合，其中，在耦合狀態下： 該第二耦合輪廓的向下舌部的至少一部分插入該第三耦合輪廓的第三凹部中， 該第三耦合輪廓的向上鎖定元件的至少一部分插入該第二耦合輪廓的第二向下凹部中，以及 如果應用的話，至少一個第二鎖定元件面向至少一個第三鎖定元件並較佳地與其共同作用，以實現垂直鎖定效果。
2.    一種多用途磚瓦系統，特別是地磚系統，較佳如條款1所述，其包括多個多用途磚瓦，特別是地磚， 其中至少一個第一磚瓦包括至少一個具有第一耦合輪廓的第一邊緣，該第一耦合輪廓包括： 一側向舌部，其係在實質上平行於磚瓦的上側的方向上延伸， 至少一個第一向下側面，其係位於距側向舌部一距離的位置，以及 一第一向下凹部，其係在側向舌部和第一向下側面之間形成， 其中至少一個第二磚瓦包括至少一個第二邊緣，該至少一個第二邊緣具有一第二耦合輪廓，該第二耦合輪廓包括： 一向下舌部，其係在實質上垂直於磚的上側的方向上延伸， 至少一個第二向下側面，其係位於距向下舌部一距離的位置， 一第二向下凹部，其係在向下舌部和向下側面之間形成，以及 較佳地，至少一個第二鎖定元件，以及 其中至少一個第三磚瓦包括至少一個第三邊緣，該至少一個第三邊緣具有第三耦合輪廓，該第三耦合輪廓包括： 一第三凹部，其構造成用於容納另一磚瓦的第一耦合輪廓的側向舌的至少一部分，所述第三凹部係由一上唇部和一下唇部定義，其中，所述下唇部設有一向上鎖定元件，以及 較佳地，至少一第三鎖定元件，以及 其中，該第一耦合輪廓和該第三耦合輪廓被構造成使得其中兩個這樣的磚瓦可以透過轉動運動在第一和第三邊緣處彼此耦合，其中，在耦合狀態下： 一磚瓦的第一耦合輪廓的側向舌部的至少一部分係插入相鄰的磚瓦的第三耦合輪廓的第三凹部中，以及 該第三耦合輪廓的向上鎖定元件的至少一部分係插入該第一耦合輪廓的第一向下凹部，以及 其中，該第二耦合輪廓和該第三耦合輪廓被構造成可以透過向下摺疊運動和/或垂直運動在該第二邊緣和第三邊緣處將兩個這樣的磚瓦彼此耦合，其中，在耦合狀態中： 該第二耦合輪廓的向下舌部的至少一部分係插入該第三耦合輪廓的第三凹部中，以及 該第三耦合輪廓的向上鎖定元件的至少一部分係插入該第二耦合輪廓的第二向下凹部中， 如果應用的話，至少一個第二鎖定元件面向至少一個第三鎖定元件並且較佳地與其共同作用，以實現一垂直效果；以及 其中第一磚瓦和/或第二磚瓦和/或第三磚瓦可以由相同的磚瓦形成。
3.    如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，每個磚瓦包括一第一對相對邊緣，其係由該第一邊緣和該第三邊緣所組成。
4.    如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，每個磚瓦包括一第一對相對邊緣，其係由該第二邊緣和該第三邊緣所組成。
5.    如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第一耦合輪廓和該第三耦合輪廓被構造成用於垂直地和水平地將磚瓦鎖定在一起。
6.    如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第二耦合輪廓和該第三耦合輪廓被構造成用於垂直地和水平地將磚瓦鎖定在一起。
7.    如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中該第二耦合輪廓的至少一個第二鎖定元件係設置在該第二耦合輪廓的第二向下側面，並且其中該第三耦合輪廓的至少一個第三鎖定元件係設置在該下唇的背離該第三凹部的遠側和/或該向上鎖定元件的背離該第三凹部的遠側。
8.    如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第二耦合輪廓的至少一個第二鎖定元件係設置在該向下舌部的背離該第二向下凹部的遠側，並且其中該第三耦合輪廓的至少一個第三鎖定元件在面向一相鄰的磚瓦的第二耦合輪廓的向下舌部的所述遠側的耦合狀態下，係設置在上唇部的一側。
9.    如條款8所述的磚瓦系統，其中，該第二鎖定元件和該第三鎖定元件之間的共同作用在兩個磚瓦的耦合狀態下產生垂直鎖定效果，其定義了切線T1，該切線T1與由該磚瓦所定義的一平面構成一角度A1，該角度A1小於一角度A2，該角度A2由所述由該磚瓦所定義的平面與一切線T2所構成，該切線T2透過向上鎖定元件的面向第三凹部的近側的傾斜部分與向下舌部的面向第二向下側面的近側的傾斜部分的共同作用定義，其中，較佳地，角度A1與角度A2之間的最大差異係介於5至20度之間。
10.  如條款8或9所述的磚瓦系統，其中，相較於所述向上鎖定元件的上側，所述第二鎖定元件和所述第三鎖定元件被定位成更靠近該磚瓦的上側。
11.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第一耦合輪廓包括至少一個第一鎖定元件，該至少一個第一鎖定元件構造成在耦合狀態下面向一相鄰的磚瓦的第三耦合輪廓的第三鎖定元件，並且較佳地與其共同作用。
12.  如條款11所述的磚瓦系統，其中，該第一耦合輪廓的至少一個第一鎖定元件係設置在該第一耦合輪廓的第一向下側面，並且其中，該第三耦合輪廓的至少一個第三鎖定元件係設置在該下唇部的背離該第三凹部的遠側和/或該向上鎖定元件的背離該第三凹部的遠側。
13.  如條款11或12所述的磚瓦系統，其中，該第一耦合輪廓的至少一個第一鎖定元件係設置在該第一耦合輪廓的遠側，其係位於該側向舌部的至少一部分的上方，並且其中至少一個該第三耦合輪廓的第三鎖定元件在面對一相鄰的磚瓦的第一耦合輪廓的所述遠側的耦合狀態下，係設置在該上唇部的一側。
14.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第三耦合輪廓的向上鎖定元件的面向該第三凹部的近側的至少一部分係在背離該上唇部的方向上向上傾斜，較佳地，其與垂直於由每個磚瓦所定義的平面的法線構成一角度，其中所述角度係位於0至60度之間，特別是0至45度之間。
15.  根據前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第二耦合輪廓的向下舌部的面向該第二向下凹部的近側的至少一部分係在遠離該第二向下側面的方向上向下傾斜，較佳地，以這樣的方式使其與垂直於由每個磚瓦所定義的平面的法線構成一個角度，其中所述角度係介於0度至60度之間，尤其是介於0度至45度之間。
16.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第一耦合輪廓的側向舌部的面向該第一向下凹部的近側的至少一部分係在遠離所述第一向下側面的方向上向下傾斜，較佳地，以這樣的方式使其與垂直於由每個磚瓦所定義的平面的法線構成一個角度，其中所述角度係介於0度至60度之間，尤其是介於0度至45度之間。
17.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第三耦合輪廓向上鎖定元件的面向該第三凹部的近側的至少一部分係在朝向所述上唇部的方向上向上傾斜，較佳地，以這樣的方式使其與垂直於由每個磚瓦所定義的平面的法線構成一個角度，其中所述角度係介於0度至60度之間，尤其是介於0度至45度之間。
18.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第二耦合輪廓的向下舌部的面向該第二向下凹部的近側的至少一部分係在朝向所述第二向下側面的方向上向下傾斜，較佳地，以這樣的方式使其與垂直於由每個磚瓦所定義的平面的法線構成一個角度，其中所述角度係介於0度至60度之間，尤其是介於0度至45度之間。
19.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第一耦合輪廓的側向舌部的面向該第一向下凹部的近側的至少一部分係在朝向該第一向下側面的方向上向下傾斜，較佳地，以這樣的方式使其與垂直於由每個磚瓦所定義的平面的法線構成一個角度，其中所述角度係介於0度至60度之間，尤其是介於0度至45度之間。
20.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，在該第一耦合輪廓的側向舌部的近側與該第一耦合輪廓的側向舌部的下側之間的一第一過渡區域是彎曲的。
21.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，在該第二耦合輪廓的向下舌部的近側與該第二耦合輪廓的向下舌部的下側之間的一第二過渡區域是彎曲的。
22.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，在所述第三耦合輪廓的所述向上鎖定元件的近側與該第三耦合輪廓的向上鎖定元件的上側之間的一第三過渡區域是彎曲的。
23.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，在該第三耦合輪廓的下唇部的下側處存在一凹部，所述凹部一直延伸到該下唇部的遠端，且其使得該下唇部以向下的方向彎曲。
24.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第一耦合輪廓和該第三耦合輪廓被構造成在耦合狀態下存在所謂的預張力，該預張力迫使相應的磚瓦在相應的第一邊緣和第三邊緣處彼此靠近，其中較佳係透過應用重疊的外廓來執行。
25.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第二耦合輪廓和該第三耦合輪廓被構造成在耦合狀態下存在所謂的預張力，該預張力迫使相應的磚瓦在相應的第二邊緣和第三邊緣處彼此靠近，其中較佳係透過應用重疊的外廓來執行。
26.  如條款24或25所述的磚瓦系統，其中，該預張力是變形的結果，該變形是彈性彎曲或彈性壓縮或兩者的組合。
27.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第一耦合輪廓和該第三耦合輪廓被構造成在耦合狀態下實質上沒有該第一耦合輪廓和該第三耦合輪廓之間的預張力。
28.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第二耦合輪廓和該第三耦合輪廓被構造成在耦合狀態下實質上沒有該第二耦合輪廓和該第三耦合輪廓之間的預張力。
29.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第一耦合輪廓和該第三耦合輪廓被構造成在耦合狀態下存在多個遠距離的接觸區域，較佳地存在至少三個遠距離的接觸區域，其中在每對相鄰的接觸區域之間留有空間。
30.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第二耦合輪廓和該第三耦合輪廓被構造成在耦合狀態下存在多個遠距離的接觸區域，較佳至少存在三個遠距離的接觸區域，其中在每對相鄰的接觸區域之間留有空間。
31.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，在耦合狀態下，該第一邊緣和該第三邊緣定義一第一閉合表面，該第一閉合表面被定義為穿過該耦合的磚瓦的上邊緣或至少在多個磚瓦於其上側聚集的位置的一第一垂直平面。
32.  如條款31所述的磚瓦系統，其中，該第一耦合輪廓和該第三耦合輪廓被構造成在耦合狀態下，每個該側向舌部和該第三凹部延伸穿過所述第一垂直平面。
33.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第二邊緣和該第三邊緣在耦合狀態下定義一第二閉合表面，該第二閉合表面定義穿過耦合的磚瓦的上邊緣或至少在多個磚瓦於其上側聚集的位置的一第二垂直平面。
34.  如條款33所述的磚瓦系統，其中，該第二耦合輪廓和該第三耦合輪廓被構造成在耦合狀態下，該向下舌部位於該第二垂直平面的一側，且該第三凹部延伸穿過該第二垂直平面。
35.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，該向下舌部的背離該第二向下凹部的遠側包括與該磚瓦的上側相鄰的至少一垂直的上壁部分，以及與所述垂直壁部分相鄰且位於所述垂直壁部分的下方的一成角度的壁部分，其係朝向該向下舌部的所述遠側的斜切和/或彎曲的下壁部分向內傾斜，其中，選擇性地，一中間垂直壁部分係位於在所述成角度的壁部分和所述下壁部分之間。
36.  如條款35所述的磚瓦系統，其中，構造成與另一磚瓦的第三鎖定元件共同作用的一第二鎖定元件設置在該向下舌部的遠側的上壁部分處。
37.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，在兩個磚瓦的耦合狀態下，該第一耦合輪廓的側向舌部的下側係由該第三耦合輪廓的第三凹部的下表面支撐，較佳地，其係導致該第一耦合輪廓和該第三耦合輪廓的相互位置的固定，其中該第二耦合輪廓和該第三耦合輪廓較佳在張力下配合。
38.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中在兩個磚瓦的耦合狀態下，該第二耦合輪廓的向下舌部的下側係由該第三耦合輪廓的第三凹部的下表面支撐，較佳地，其係導致該第二耦合輪廓和該第三耦合輪廓的相互位置的固定，其中該第二耦合輪廓和該第三耦合輪廓較佳在張力下配合。
39.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中在磚瓦的耦合狀態下，該第一耦合輪廓的第一向下側面與該第三耦合輪廓的向上鎖定元件的遠側和/或面對該第一向下側面的下唇部彼此間隔一距離。
40.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中在磚瓦的耦合狀態下，該第二耦合輪廓的第二向下側面與該第三耦合輪廓的向上鎖定元件的遠側和/或面對該第二向下側面的下唇部彼此間隔一距離。
41.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，該向上鎖定元件的上側的至少一部分在背離該第三耦合輪廓的上唇部的方向上向下傾斜，且較佳地，該向上鎖定元件的全部的上側在背離該第三耦合輪廓的上唇部的方向上向下傾斜。
42.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第一向下凹部上側的至少一部分的在朝向該第一向下側面的方向上向下傾斜，且較佳地，該第一向下凹部的全部的上側在朝向該第一向下側面的方向上向下傾斜。
43.  如條款41和42所述的磚瓦系統，其中，兩個傾角相互圍成0度和5度之間的角度。
44.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第二向下凹部的上側的至少一部分朝向該第二向下側面向下傾斜，且較佳地，該第二向下凹部的全部的上側朝向該第二向下側面向下傾斜。
45.  如條款41和44所述的磚瓦系統，其中，兩個傾角相互圍成0度和5度之間的角度。
46.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，在兩個磚瓦的耦合狀態下，該第三耦合輪廓的向上鎖定元件的上側被定位成與該第一耦合輪廓的第一向下凹部的上側相距一距離。
47.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，在兩個磚瓦的耦合狀態下，該第三耦合輪廓的向上鎖定元件的上側被定位成與該第二耦合輪廓的第二向下凹部的上側相距一距離。
48.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，在該磚瓦的平面中測量的該上唇部和該下唇部之間的差係大於該磚瓦的厚度的1.0倍，並且較佳為至少1.25倍。
49.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，每個磚瓦包括至少兩個第三耦合輪廓。
50.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，該向上鎖定元件的上側位於比該第三耦合輪廓的上唇部低的高度處。
51.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第三鎖定元件包括至少一個向外凸起，且該第一鎖定元件包括至少一個第一鎖定凹槽，所述向外凸起係適於至少部分地容納在相鄰的耦合的磚瓦的第一鎖定凹槽中，以實現一鎖定耦合的目的，較佳係一垂直鎖定耦合。
52.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第三鎖定元件包括至少一個向外凸起，且該第二鎖定元件包括至少一個第二鎖定凹槽，所述向外凸起適於至少部分地容納在相鄰的耦合的磚瓦的第二鎖定凹槽中，以實現一鎖定耦合目的，較佳係一垂直鎖定耦合。
53.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第三鎖定元件被定位在該下唇部和/或該向上鎖定元件的遠側，且與該下唇部的下側和該向上鎖定元件的上側相距一距離。
54.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，每個耦合輪廓沒有鉤環緊固件和/或黏合劑連接。
55.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，每個耦合輪廓在磚瓦的上側處或附近具有倒角，例如斜面。
56.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，該系統包括兩種不同類型的磚瓦(分別為A和B)，並且其中，一種類型的磚瓦的耦合輪廓相對於對應的另一類型的磚瓦的耦合輪廓以鏡像反轉的方式佈置，其中較佳地，至少一個磚瓦(A)具有一配置，其中，從頂視圖沿順時針方向看時，邊緣的排列順序為：一第一邊緣、一第三邊緣、另一第三邊緣和一第二邊緣，且其中較佳地，至少一個磚瓦(B)具有一配置，其中，從頂視圖沿順時針方向看時，邊緣的排列順序為：一第一邊緣、一第二邊緣、一第三邊緣和另一第三邊緣。
57.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，一磚瓦的相對邊緣的長度實質上相同。
58.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，除了至少一個第一耦合輪廓、至少一個第二耦合輪廓以及至少一個(較佳至少二個)第三耦合輪廓之外，每個磚瓦沒有任何其他耦合輪廓。
59.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，多個磚瓦具有正方形和/或矩形的形狀。
60.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，多個磚瓦具有平行四邊形的形狀，其中，所述磚瓦被構造成以人字形圖案連接，其中，兩對相鄰的邊緣構成一銳角，並且其中兩對其他相鄰邊緣構成一鈍角。
61.  如條款60所述的磚瓦系統，其中，該銳角介於30度和60度之間，並且較佳地實質上為45度。
62.  如條款61所述的磚瓦系統，其中，該鈍角位於120度至150度之間，並且較佳地實質上為135度。
63.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，至少一個磚瓦包括至少一個固定到一基層的上側的上基材，其中，所述上基材較佳地包括一裝飾層，較佳地是一裝飾印刷層。
64.  如條款63所述的磚瓦系統，其中，所述至少一個上基材包括： 一裝飾層；和 一耐磨層，其係覆蓋所述裝飾層，其中，所述耐磨層的頂面是所述磚瓦的頂面，並且其中，該耐磨層係一透明材料，使得可透過該透明耐磨層看到裝飾層， 以及，選擇性地，一透明飾面層，其係位於該裝飾層和該耐磨層之間。
65.  如條款63-64中的一項所述的磚瓦系統，其中，該上基材至少部分地由選自以下材料所組成群組中的至少一種材料製成：金屬、合金、天然石材、大理石、花崗岩、板岩、玻璃、陶瓷、高分子材料，例如：乙烯基單體共聚物和/或均聚物；縮合聚合物，例如：聚酯、聚醯胺、聚醯亞胺、環氧樹脂、酚醛樹脂、脲醛樹脂；天然高分子材料或其改性衍生物，例如：植物纖維、動物纖維、礦物纖維、陶瓷纖維和碳纖維。
66.  如條款65所述的磚瓦系統，其中該乙烯基單體共聚物和/或均聚物係選自由聚乙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯醯胺、ABS、(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯)共聚物、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚偏二氯乙烯、聚四氟乙烯、聚偏二氟乙烯、六氟丙烯和苯乙烯-馬來酸酐共聚物所組成之群組。
67.  如條款63-66之一所述的磚瓦系統，其中，該至少一個上基材透過黏合劑固定到該基層的上側。
68.  如條款63-67中的一項所述的磚瓦系統，其中，至少一個磚瓦包括固定在該基層的上側的多個條形上基材，其中，所述上基材在同一平面上並排佈置，較佳地，係以平行配置。
69.  如條款68所述的磚瓦系統，其中，所述多個上基材實質上完全覆蓋該基層的上表面。
70.  如條款68或69所述的磚瓦系統，其中，所述多個上基材中的每個從該磚瓦的第一邊緣延伸到第二邊緣。
71.  如條款68-70中的一項所述的磚瓦系統，其中，所述多個上基材中的每個包括一裝飾層，其中，至少兩個相鄰佈置的上基材的裝飾層具有不同的外觀。
72   如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，每個磚瓦包括至少一個基層。
73.  如條款72所述的磚瓦系統，其中該基層的至少一部分是發泡的。
74.  如條款73所述的磚瓦系統，該發泡基層至少部分地由聚氯乙烯(PVC)製成。
75.  如條款72-74中任一項所述的磚瓦系統，其中，所述基層包括至少一種聚合物，其係選自由乙烯乙酸乙烯酯(ethylene vinyl acetate, EVA)、聚胺酯(polyurethane, PU)、聚乙烯(polyethylene, PE)、聚丙烯(polypropylene, PP)、聚苯乙烯(polystyrene, PS)、聚氯乙烯(polyvinylchloride, PVC)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate, PET)、聚異氰脲酸酯(Polyisocyanurate, PIR)或其混合物所組成之群組。
76.  如條款72-75中任一項所述的磚瓦系統，其中，該基層包括至少一種木基材料。
77.  如條款72-76中任一項所述的磚瓦系統，其中，該基層包括至少一種複合物材料，其係由至少一種聚合物材料和至少一種非聚合物材料構成的。
78.  如條款77所述的磚瓦系統，其中，至少一種非聚合材料係選自由滑石、白堊、木材、碳酸鈣和礦物填料所組成之群組。
79.  如條款77或78所述的磚瓦系統，其中，至少一種非聚合材料係選自由鹽、硬脂酸鹽、硬脂酸鈣和硬脂酸鋅所組成之群組。
80.  如條款72-79中任一項所述的磚瓦系統，其中該基層包括至少一種抗衝改性劑，該抗衝改性劑包括至少一種甲基丙烯酸烷基酯，其中所述甲基丙烯酸烷基酯較佳選自由甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸異丙酯、甲基丙烯酸叔丁酯和甲基丙烯酸異丁酯所組成之群組。
81.  如條款72-80中任一項所述的磚瓦系統，其中，該基層的密度在約0.1至1.5 g/cm3 的範圍內。
82.  如條款72-81中任一項所述的磚瓦系統，其中該發泡複合物包含按重量計約3%至9%的該增韌劑。
83.  如條款72至82中任一項所述的磚瓦系統，其中該基層具有大於700 MPa的彈性模量。
84.  如條款72-83中任一項所述的磚瓦系統，其中該基層的密度沿該基層的高度變化。
85.  如條款84所述的磚瓦系統，其中該基層的頂部和/或底部形成一外殼層，其具有小於該基層的中心區域的孔隙率的孔隙率，其中每一外殼層的厚度係在0.01和1 mm之間，較佳係在0.1和0.8 mm之間。
86.  如條款72-85中任一項所述的磚瓦系統，其中該基層不含增塑劑。
87.  如條款72-86中任一項所述的磚瓦系統，其中，每個磚瓦包括至少一個背襯層，其係固定到該基層的底側，其中所述至少一個背襯層至少部分地由可撓材料製成，較佳地係由一彈性體或軟木製成。
88.  如條款87所述的磚瓦系統，其中，該背襯層的厚度至少為0.5 mm。
89.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，每個磚瓦包括至少一個增強層，其中該增強層的密度係較佳地位於1000至2000 kg/m3 之間，較佳地位於1400至1900 kg/m3 之間，且更佳係位於1400-1700 kg/m3 之間。
90.  如條款72-88和條款89中任一項所述的磚瓦系統，其中該基層係設置至少一個增強層，其係結合在所述基層中，其中該增強層較佳係為纖維增強層，例如：玻璃纖維氈。
91.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，每個磚瓦的第一耦合輪廓的至少一部分和/或第二耦合輪廓的至少一部分和/或第三耦合輪廓的至少一部分係一體地連接到該基層。
92.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第一耦合輪廓和/或該第二耦合輪廓和/或該第三耦合輪廓允許在磚瓦的耦合和解耦合期間變形。
93.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，至少一數目的磚瓦是相同的。
94.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中，至少一數目的磚瓦具有不同的尺寸和/或不同的形狀。
95.  如前述條款中任一項所述的磚瓦系統，其中該磚瓦系統包括不同類型的磚瓦(分別為A和B)，其中第一類型的磚瓦(A)的尺寸不同於第二類型的磚瓦(B)的尺寸。
96.  如條款94或95所述的磚瓦系統，其中，特定的視覺標記被應用於不同類型的磚瓦，較佳係用於安裝目的。
97.  如條款96所述的磚瓦系統，其中，特定的視覺標記被應用於每種磚瓦類型的第三耦合輪廓的向上鎖定元件的上側。
98.  一種磚瓦覆蓋物，特別是地板覆蓋物、天花板覆蓋物或牆壁覆蓋物，其係由如條款1-97中任一項的磚瓦系統的相互耦合的磚瓦所組成。
99.  一種磚瓦，其係用於如條款1-97中任一項所述的多用途磚瓦系統。
100.      一種安裝磚瓦系統的方法，特別是安裝如條款1-97中任一項所述的磚瓦系統的方法，其係包括以下步驟： a)           將至少一個第一磚瓦定位在一支撐表面上，特別是一地板上， b)          提供至少一個第二磚瓦以耦合到所述至少一個第一磚瓦， c)           從以下各項所組成的群組中選擇至少一個要被耦合到至少一個第一磚瓦的至少一個第三耦合輪廓的耦合輪廓：(i)第二磚瓦的第一耦合輪廓，和(ii)第二磚瓦的第二耦合輪廓；和/或 從以下各項所組成的群組中選擇至少一個要被耦合到至少一個第二磚瓦的至少一個第三耦合輪廓的耦合輪廓：(i)第一磚瓦的第一耦合輪廓，和(ii)第一磚瓦的第二耦合輪廓；以及 d)          將所述第二磚瓦或第一磚瓦的至少一個被選擇的耦合輪廓耦合到一第一磚瓦或第二磚瓦的至少一個第三耦合輪廓。
101.      如條款100所述的方法，其中，該第一耦合輪廓和該第三耦合輪廓被構造成使得其中兩個這樣的磚可以透過轉動運動彼此耦合，並且其中該第二耦合輪廓和該第三耦合輪廓被構造使得可以透過向下摺疊運動和/或垂直運動將兩個這樣的磚瓦彼此耦合。
圖1a示出了用於根據本發明的多用途磚瓦系統(110)中的多用途磚瓦(100)的示意圖。該圖示出了磚瓦(100)，其包括由第一邊緣(101)和相對的第三邊緣(103)組成的第一對相對邊緣，以及由第二邊緣(102)和相對的第三邊緣(103)組成的第二對相對邊緣邊緣。第一、第二和第三邊緣(101、102、103)分別設有第一、第二和第三耦合輪廓(104、105、106)。第一耦合輪廓(104)和第三耦合輪廓(106)被構造成使得兩個這樣的磚瓦(100)可以透過轉動運動而在第一和第三邊緣(101、103)處彼此耦合。此外，第二耦合輪廓(105)和第三耦合輪廓(106)被構造成使得兩個這樣的磚瓦(100)可以透過向下摺疊運動和/或垂直運動而在第二和第三邊緣(102、103)處彼此耦合。磚瓦(100)的寬度和長度之間的比例關係可以任意選擇。圖1a僅示出了許多可能性中的一種，其中磚瓦具有帶有矩形輪廓(108)的上側(107)。然而，磚瓦(100)的寬度和長度也可以相同，以使得磚瓦(100)具有帶有正方形輪廓的上側(107)。
圖1b示出了包括如圖1a所示的多個多用途磚瓦(100)的多用途磚瓦系統(110)的示意圖。儘管每個磚瓦(100)同樣具有由第一邊緣(101)和相對的第三邊緣(103)組成的第一對相對邊緣以及由第二邊緣(102)和相對的第三邊緣(103)組成的第二對相對邊緣，由於第三邊緣(103)的耦合輪廓與第一邊緣和第二邊緣(101、102)的耦合輪廓的兼容性，使得多個磚瓦(100)可以用不同的方式連接在一起，在一個多用途磚瓦系統(110)內產生差異的磚瓦圖案(111、112)。在所描繪的多用途磚瓦系統(110)中，其中各個磚瓦(110)具有帶有矩形輪廓(108)的上側(107)，磚瓦(100)分別具有長側(113)和短側(114)。藉此，透過將互連的磚瓦(100)的第一磚瓦圖案(111)耦合到互連的磚瓦(100)的第二磚瓦圖案(112)來創建不同的磚瓦圖案(111、112)，第一磚瓦圖案(111)的長邊(113)連接到相鄰的磚瓦(100)的長邊(113)，第二磚瓦圖案(112)的長邊(113)連接到相鄰的磚瓦(100)的長邊(113)，且其短邊(114)連接到另一相鄰的磚瓦(100)的短邊(114)。藉此，第一和第二磚瓦圖案(111、112)彼此旋轉，使得第一磚瓦圖案(111)的磚瓦(100)的長邊(113)相對於第二磚瓦圖案(112)的磚瓦(100)的長邊(113)呈90度角。透過將第一磚瓦圖案(111)的磚瓦(100)的短邊(114)連接到第二磚瓦圖案(112)的磚瓦(100)的長邊(113)，使得不同磚瓦圖案(111、112)之間的這種耦合成為可能。可以透過相對於已經安裝的磚瓦(100)的第三邊緣(103)使待安裝的磚瓦(100)的第一邊緣(101)向下傾斜來實現磚瓦系統(110)的安裝，這通常將在垂直和水平方向上相互鎖定磚瓦(100)。在待安裝的磚瓦(100)相對於已經安裝的磚瓦(100)的這種成角度的或轉動的運動期間，待安裝的磚瓦(100)的第二邊緣(102)將(同時)連接到另一個已安裝的磚瓦(100)的第三邊緣(103)，這通常是透過相對於另一個已安裝的磚瓦(100)降低或向下折疊要安裝的磚瓦(100)來實現的，在此期間，待安裝的磚瓦(100)的第二個邊緣(102)和另一個已安裝的磚瓦(100)的第三邊緣(103)相互剪接(拉扣)。這導致待安裝的磚瓦(100)相對於另一個已經安裝的磚瓦(100)在水平和垂直方向上都被鎖定。
圖2a示出了用於根據本發明的多用途磚瓦系統(200)的另一實施例中的兩種不同類型的多用途磚瓦(201、202)的示意圖。就像圖1a中所示的多用途磚瓦(100)一樣，這些磚瓦(201、202)中的每一個都包括由第一邊緣(101)和相對的第三邊緣(103)所組成的第一對相對邊緣，以及由第二邊緣(102)和相對的第三邊緣(103)所組成的第二對相對邊緣。同樣地，第一、第二和第三邊緣(101、102、103)分別具有第一、第二和第三耦合輪廓(104、105、106)，其中第一耦合輪廓(104)和第三耦合輪廓(106)構造成使得兩個磚瓦(201、202)可透過轉動運動而在第一和第三邊緣(101、103)處彼此耦合，且第二耦合輪廓(105)和第三耦合輪廓(106)構造成使得兩個磚瓦(201、202)可透過向下摺疊運動和/或垂直運動在第二和第三邊緣(102、103)處彼此耦合。然而，這一次，存在兩種不同類型的磚瓦(201、202)，其中，第一類型磚瓦(201)上的一對相對邊緣(102、103)的耦合輪廓(105、106)相對於第二類型的磚瓦(202)上的相應的一對相對邊緣(102、103)的耦合輪廓(105、106)以鏡像反轉的方式布置。注意，所述鏡像倒置的不同類型的磚瓦(201、202)的邊緣對由第二和第三邊緣(102、103)形成。然而，同樣可以由第一和第三邊緣(101、103)形成鏡面倒置的邊緣對。此外，用於該多用途磚瓦系統(200)的多用途磚瓦(201、202)具有帶有平行四邊形外廓(208)的上側(107)。這些磚瓦(201、202)的兩個相鄰的邊緣(101、102、103)在此圍成銳角(203)或鈍角(204)。在此一特定實施例中，第一和第二邊緣(101、102)分別與第三邊緣(103)圍成相同大小的鈍角(204)，而第一和第三邊緣(101、103)分別與第二和第三邊緣(102、103)圍成相同大小的銳角(203)。磚瓦構造和它們的上側(107)的平行四邊形外廓(208)的差異允許這些磚瓦(201、202)在接合狀態下形成人字形圖案(205)。
圖2b示出如圖2a所示的包括多個多用途磚瓦(201、202)的多用途磚瓦系統(200)的示意圖。如先前已經討論的，形成該多用途磚瓦系統(200)的一部分的多用途磚瓦(201、202)具有兩種不同的(鏡像的)類型/構造。儘管磚瓦構造和其頂表面(107)的平行四邊形形狀的差異使這些磚瓦(201、202)在連接狀態下形成人字形圖案(205)，具有由第一邊緣(101)和相對的第三邊緣(103)組成的第一對相對邊緣和由第一邊緣(101)以及由第二邊緣(102)和相對的第三邊緣(103)組成的第二對相對邊緣，其中第三邊緣(103)的耦合輪廓(106)與第一和第二邊緣(101、102)的耦合輪廓(104、105)相容，允許磚瓦(201、202)也可以不同的方式結合，以在一個互連的多用途磚瓦系統(200)內產生差異的磚瓦圖案(206、207)。類似於圖1b中所示的多用途磚瓦系統(110)，透過將互連磚瓦(201、202)的第一磚瓦圖案(206)耦合到互連磚瓦(201、202)的第二磚瓦圖案(207)來創建不同的磚瓦圖案(206、207)。在這些各別的磚瓦圖案(206、207)中，每個磚瓦(201、202)的每對相對邊緣(101、103；102、103)均與相鄰的磚瓦(201、202)的邊緣(101、102、103)連接，相鄰的磚瓦(201、202)的邊緣(101、102、103)是所述相鄰的磚瓦(201、202)的一對對應的相對邊緣(101、103；102、103)的一部分。然而，第一和第二磚瓦圖案(206、207)的耦合透過第一磚瓦圖案(206)的磚瓦(201、202)與第二磚瓦圖案(207)的磚瓦(201、202)的連結來實現，第一磚瓦圖案(206)的磚瓦(201、202)具有形成一對相對邊緣(101、103)的一部分的邊緣(101、103)，第二磚瓦圖案(207)的磚瓦(201、202)具有形成另一對、不對應的相對邊緣(102、103)的一部分的邊緣(102、103)。其結果是互連的、多用途的磚瓦系統(200)，其包括相對於彼此旋轉90度的兩個不同的磚瓦圖案(206、207)。圖2b所示的磚瓦系統(200)的安裝通常類似於圖1b所示的磚瓦系統(110)的安裝。
圖3a示出了用於根據本發明的多用途磚瓦系統(300)的又另一個實施例中的多用途磚瓦(301)的示意圖。異於圖1a和2a中所示的多用途磚瓦(100、201、202)，這些磚瓦(301)中的每一個都包括三對相對的邊緣，並具有帶有規則六邊形外廓(302)的上側(107)。第一對相對邊緣由第一邊緣(101)和相對的第三邊緣(103)所組成。第二對和第三對相對邊緣由第二邊緣(102)和相對的第三邊緣(103)所組成。因此，第一、第二和第三邊緣(101、102、103)被定位成使得多個第三邊緣(103)彼此直接相鄰，並且第二邊緣(102)位於與第一邊緣(101)相鄰的兩個邊緣上。因此，第二邊緣(102)不彼此相鄰。然而，這些多用途磚瓦(301)與圖1a和圖2a所示的多用途磚瓦(100、201、202)之間的共同點在於分別設置了第一、第二和第三邊緣(101、102、103)，其具有第一、第二和第三耦合輪廓(104、105、106)，其中，第一耦合輪廓(104)和第三耦合輪廓(106)被構造成使得兩個磚瓦(301)可以透過旋轉運動而在第一和第三邊緣(101、103)處彼此耦合，以及第二耦合輪廓(105)和第三耦合輪廓(106)被構造成使得兩個磚瓦(301)可透過向下摺疊運動和/或垂直運動而在第二和第三邊緣(102、103)處彼此耦合。
圖3b示出如圖3a所示的包括多個多用途磚瓦(301)的多用途磚瓦系統(300)的示意圖。在所描繪的磚瓦構型中，磚瓦(301)全部相同地定向。可以以與圖1b和2b的磚瓦系統(110、200)類似的方式來實現磚瓦系統(300)的安裝。透過相對於已經安裝的磚瓦(301)的第三邊緣(103)使待安裝的磚瓦(301)的第一邊緣(101)向下傾斜，所述磚瓦(301)通常將在垂直和水平方向上相互鎖定。在待安裝的磚瓦(301)相對於已經安裝的磚瓦(301)的這種成角度或轉動運動期間，待安裝的磚瓦(300)的一個或多個第二邊緣(102)將被(同時)連接到一個或多個其他已安裝、相鄰的磚瓦(301)的第三邊緣(103)，這通常透過相對於其他已安裝的磚瓦(301)降低或向下折疊待安裝的磚瓦(301)來實現，在此期間，待安裝的磚瓦(301)的所述第二邊緣(102)和其他已安裝的磚瓦(301)的第三邊緣(103)彼此剪接(拉扣)。這導致待安裝的磚瓦(301)相對於在水平和垂直方向上的其他已經安裝的磚瓦(301)鎖定。
圖4a示出如圖1a、2a或3a所示的多用途磚瓦(100、201、202、301)的沿線A-A的橫截面。在該圖中，可見磚瓦(100、201、202、301)的第一邊緣(101)和相對的第三邊緣(103)，其分別具有第一耦合輪廓(104)和第三耦合輪廓(106)。第一耦合輪廓(104)包括在實質上平行於磚(100、201、202、301)的上側(107)的方向上延伸的側向舌部(400)、與側向舌部(400)相隔一距離的至少一個第一向下側面(401)，以及在側向舌部(400)和第一向下側面(401)之間形成的第一向下凹部(402)。第一耦合輪廓(104)的側向舌部(400)的面向第一向下凹部(402)的近側(403)於此在遠離第一向下側面(401)的方向上向下傾斜。但是，同樣可能的是，側向舌部(400)的近側(403)在朝向第一向下側面(401)的方向上向下傾斜。可以在第一耦合輪廓(104)的側向舌部(400)的近側(403)和第一耦合輪廓(104)的側向舌部(400)的下側(405)之間定義第一過渡區(404)，該第一過渡區(404)在這種狀態下是彎曲的。在所描述的磚瓦(100、201、202、301)中，第一向下凹部(402)的上側(406)朝著第一向下側面(401)向下傾斜。第一耦合輪廓(104)還可包括第一鎖定元件(407)，該第一鎖定元件可在耦合位置與相鄰的磚瓦(100、201、202、301)的第三耦合輪廓(106)的第三鎖定元件(440)共同作用。此一第一鎖定元件(407)可以設置在第一耦合輪廓(104)的第一向下側面(401)處。在當前描述的磚瓦(100、201、202、301)中，第一鎖定元件(407)包括至少一個第一鎖定凹槽(408)。
第三耦合輪廓(106)包括第三凹部(430)，第三凹部(430)構造為用於容納另一磚瓦(100、201、202、301)的第一耦合輪廓(104)的側向舌部(400)的至少一部分，所述第三凹部(430)由上唇部(431)和下唇部(432)定義，其中所述下唇部(432)設置有向上鎖定元件(433)。第三耦合輪廓(106)的向上鎖定元件(433)的面向第三凹部(430)的近側(434)在遠離上唇部(431)的方向上向上傾斜。然而，作為替代方案，向上鎖定元件(433)的近側(434)可以朝著上唇部(431)的方向向上傾斜。可以在向上鎖定元件(433)的近側(434)和向上鎖定元件(433)的上側(436)之間定義第三過渡區域(435)，其中第三過渡區域(435)在此情況也彎曲，以遵循彎曲的第一過渡區(404)。在所描述的磚瓦(100、201、202、301)中，向上鎖定元件(433)的上側(436)在背離第三耦合輪廓(106)的上唇部(431)的方向上向下傾斜。在第三耦合輪廓(106)的下唇部(432)的下側(437)上，存在凹部(438)，該凹部(438)一直延伸到下唇部(432)的遠端(439)。此一凹部(438)允許下唇部(432)在向下的方向上彎曲。如已經提到的，第三耦合輪廓(106)可以進一步包括第三鎖定元件(440)，該第三鎖定元件可以與相鄰的磚瓦(100、201、202、301)的第一耦合輪廓(104)的第一鎖定元件(407)共同作用，以在耦合的磚瓦(100、201、202、301)之間建立垂直鎖定。第三鎖定元件(440)可以設置在下唇部(432)的背離第三凹部(430)的遠側(441)和/或向上鎖定元件(433)背離第三凹部(430)的遠側(442)。如這裡所描述的，第三鎖定元件(440)可以具體地定位成與下唇部(432)的下側(437)和向上鎖定元件(433)的上側(436)兩者都間隔一距離。在當前所描述的磚瓦中，第三鎖定元件(440)包括至少一個向外凸起(443)，該向外凸起(443)適於至少部分地容納在相鄰的耦合磚瓦(100、201、202、301)的第一鎖定凹槽(408)或第二鎖定凹槽(423)中，以實現(垂直)鎖定耦合的目的。
圖4b示出如圖1a、2a或3a所示的多用途磚瓦(100、201、202、301)的沿線B-B的橫截面。在該圖中，可見磚瓦(100、201、202、301)的第二邊緣(102)和另一個相對的第三邊緣(103)，其分別具有第二耦合輪廓(105)和第三耦合輪廓(106)。當第三耦合輪廓(106)與設置在相鄰的磚瓦(100、201、202、301)的第三邊緣(103)上的第三耦合(106)輪廓相匹配時，其特徵在上文沿著多用途磚瓦(100、201、202、301)的A-A線的橫截面說明中提出，第二耦合輪廓(105)包括沿實質上垂直於磚瓦(100、201、202、301)的上側(107)的方向延伸的向下舌部(410)、與向下舌部(410)隔開一段距離的至少一個第二向下側面(411)，以及在向下舌部(410)和第二向下側面(411)之間形成的第二向下凹部(412)。於此，第二耦合輪廓(105)的向下舌部(410)的面向第二向下凹部(412)的近側(413)，在遠離第二向下側面(411)的方向上向下傾斜。然而，向下舌部(410)的近側(413)也可以在朝向第二向下側面(411)的方向上向下傾斜。可以在第二耦合輪廓(105)的向下舌部(410)的近側(413)和第二耦合輪廓(105)的向下舌部(410)的下側(415)之間定義第二過渡區(414)，其中第二過渡區(414)在這種狀態下是彎曲的。向下舌部(410)的遠離第二向下凹部(412)的遠側(416)包括與磚瓦(100、201、202、301)的上側(107)相鄰的至少一個垂直的上壁部分(417)，以及與所述垂直的上壁部分(417)相鄰且位於其下方的成角度的壁部分(418)，該成角度的壁部分(418)朝著向下舌部(410)的所述遠側(416)的斜切和/或彎曲傾斜的下壁部分(419)向內傾斜。於此，中間垂直壁部分(420)可以存在於成角度的壁部分(418)與斜切和/或彎曲的下壁部分(419)之間。此外，向下舌部(410)的遠側(416)的下壁部分(419)可以連接至向下舌部(410)的下側(415)。第二向下凹部(412)的上側(421)在所描述的磚瓦(100、201、202、301)中朝向第二向下側面(411)向下傾斜。第二耦合輪廓(105)還可以包括至少一個第二鎖定元件(422)，其可以在耦合位置中與相鄰的磚瓦(100、201、202、301)的第三耦合輪廓(106)的第三鎖定元件(440)共同作用，以在磚瓦(100、201、202、301)之間建立垂直鎖定。因此，第二鎖定元件(422)可以設置在第二耦合輪廓(105)的第二向下側面(411)處。在當前描述的磚瓦(100、201、202、301)中，第二鎖定元件(422)包括至少一個第二鎖定凹槽(423)，該至少一個第二鎖定凹部(423)適於至少部分地容納相鄰的磚瓦(100、201、202、301)的第三鎖定元件(440)的向外凸起(443)，以實現(垂直)鎖定耦合的目的。
圖4a和4b所示的每個多用途磚瓦(100、201、202、301)的耦合輪廓(104、105、106)在磚瓦(100、201、202、301)的上側(107)或靠近上側(107)均設有倒角(斜面)(450)。磚瓦(100、201、202、301)包括固定至基層(452)的上側(453)的上基材(451)，第一、第二和第三耦合輪廓(104、105、106)整體地連接至上基材(451)。基層(452)具有結合在基層(452)中的至少一個增強層(454)。上基材(451)包括裝飾層(455)、覆蓋裝飾層(455)的耐磨層(456)，以及位於裝飾層(455)和耐磨層(456)之間的透明飾面層(457)。磚瓦(100、201、202、301)還包括固定在基層(452)的底側(459)上的背襯層(458)。
圖5a-5c分別示出處於第一、第二和第三耦合狀態的如圖1a、2a或3a所示的兩個多用途磚(100、201、202、301)的橫截面。在這些圖中可以看出，在耦合狀態下，磚瓦(100、201、202、301)的第一耦合輪廓(104)的側向舌部(400)的至少一部分插入了相鄰的磚瓦(100、201、202、301)的第三耦合輪廓(106)中的第三凹部(430)，並且第三耦合輪廓(106)的向上鎖定元件(433)的至少一部分插入第一耦合輪廓(104)的向下凹部(402)。為了固定第一耦合輪廓(104)和第三耦合輪廓(106)的相互位置，於此可以透過第三耦合輪廓(106)的第三凹部(430)的下表面(500)支撐第一耦合輪廓(104)的側向舌部(400)的下側(405)。在耦合狀態下，第一邊緣(101)和第三邊緣(103)定義了第一封閉表面(501)，第一封閉表面(501)被定義為穿過耦合磚瓦(100、201、202、301)的上邊緣(503)的第一垂直平面(502)。側向舌部(400)和第三凹部(430)中的每一個於此延伸穿過所述第一垂直平面(502)。在所示的實施例中，第一和第三耦合輪廓(104、106)分別包括第一和第三鎖定元件(407、440)。藉此，該選擇性的第一和第三鎖定元件(407、440)被定位成使得第一鎖定元件(407)面向第三耦合輪廓(106)的第三鎖定元件(440)並與其共同作用，以實現垂直鎖定效果。
此外，圖5a-5c示出了在耦合狀態下，第二耦合輪廓(105)的向下舌(410)的至少一部分插入第三耦合輪廓(106)的第三凹部(430)中，並且第三耦合輪廓(106)的向上鎖定元件(433)的至少一部分插入第二耦合輪廓(105)的第二向下凹部(412)中。為了固定第二耦合輪廓(105)和第三耦合輪廓(106)的相互位置，於此可以透過第三耦合輪廓(106)的第三凹部(430)的下表面(500)支撐第二耦合輪廓(105)的向下舌部(410)的下側(415)。在耦合狀態下，第二邊緣(102)和第三邊緣(103)定義了第二閉合表面(504)，第二閉合表面(504)定義穿過耦合磚瓦(100、201、202、301)的上邊緣(503)的二垂直平面(505)。藉此，向下舌部(410)位於所述第二垂直平面(505)的一側，而第三凹部(430)延伸穿過所述第二垂直平面(505)。在所示的實施例中，第二耦合輪廓(105)還包括第二鎖定元件(422)。所述第二鎖定元件(422)面向第三耦合輪廓(106)的第三鎖定元件(440)並與其共同作用，以實現垂直鎖定效果。
圖6a-6c示出了分別在第一、第二和第三耦合狀態下具有替代耦合輪廓(601、602、603)的兩個多用途磚瓦(600)的橫截面。其中，圖5a-5c所示的磚瓦(100、201、202、301)的耦合輪廓(104、105、106)被配置為在耦合狀態下，耦合輪廓(104、105、106)之間(實質上)不存在預張力，圖6a-6c中所示的磚瓦(600)的耦合輪廓(601、602、603)被配置為在耦合狀態下存在預張力，這迫使各個磚瓦(600)在其各個邊緣(604)朝向彼此。在耦合輪廓(601、602、603)的所示實施例中，預張力是耦合輪廓(601、602、603)的(局部)變形的結果。
圖7a-7c示出了分別在第一、第二和第三耦合狀態下具有另外的替代耦合輪廓(701、702、703)的兩個多用途磚瓦(700)的橫截面。在第三耦合輪廓(703)的此一實施例中，在其下唇部(704)的下側(705)處不存在凹部。此外，在所示的多用途磚瓦(700)中，第一耦合輪廓(701)包括設置在第一耦合輪廓(701)的遠側(707)處的另一個第一鎖定元件(706)，其位於側向舌部(708)的至少一部分的上方。另外，第二耦合輪廓(702)包括另一個第二鎖定元件(709)，其設置在向下舌部(710)的背離第二向下凹部(712)的遠側(711)。第三耦合輪廓(703)還包括另一個第三鎖定元件(713)，其設置在上唇部(714)的側面(715)處。在圖7a和7b所示的耦合狀態下，另外的第三鎖定元件(713)面向相鄰的磚瓦(700)的第一耦合輪廓(701)的遠側(707)，而在圖7c所示的耦合狀態下，另一個第三鎖定元件(713)面向相鄰的磚瓦(700)的第二耦合輪廓(702)的向下舌部(710)的遠側(711)。在圖7a至圖7c中進一步描繪了另外的第一或第二鎖定元件(706、709)與另一個第三鎖定元件(713)之間的共同作用，以在兩個磚瓦(700)的耦合狀態下產生垂直鎖定效果，其定義了切線T1(716)，切線T1(716)與由磚瓦(700)所定義的平面(718)構成一個角度A1(717)，該角度A1(717)小於角度A2(719)，角度A2(719)由所述由磚瓦(700)所定義的平面(718)與切線T2(720)所構成，切線T2(720)透過向上鎖定元件(721)的面向第三凹部(723)的近側(722)的傾斜部分，與向下舌部(710)的面向第二向下側面(725)的近側(724)的傾斜部分的共同作用，或是與側向舌部(708)的近側(726)的傾斜部分面向第一向下側面(727)的共同作用來定義。
在圖7a-7c所示的耦合輪廓(701、702、703)的實施例中，第一耦合輪廓(701)和第三耦合輪廓(703)或第二耦合(702)和第三耦合輪廓(703)構造成在耦合狀態下存在多個遠距離接觸區域(728)，其中在每對相鄰接觸區域(728)之間保留空間(729)。具體地，圖7a和7b示出了第一耦合輪廓(701)的第一向下側面(727)與第三耦合輪廓(703)的面對第一向下側面(727)的下唇部(704)、向上鎖定元件(721)的遠側(730)彼此間隔一距離。另外，第三耦合輪廓(703)的向上鎖定元件(721)的上側(731)被定位成與第一耦合輪廓(701)的第一向下凹部(732)的上側(733)相距一距離。在圖7c中，可以看到彼此第二耦合輪廓(702)的第二向下側面(725)與第三耦合輪廓(703)的面向第二向下側面(725)的下唇部(704)、向上鎖定元件(721)的遠側(730)彼此間隔一距離。另外，第三耦合輪廓(703)的向上鎖定元件(721)的上側(731)與第二耦合輪廓(702)的第二向下凹部(712)的上側(734)相距一距離。
因此，透過幾個說明性實施例來說明上述發明構思。可以想像的是，在不這樣做的狀態下，各個發明構思也可以應用所描述示例的其他細節。不必詳細描述上述發明構思的所有可能組合的示例，因為本發明所屬技術領域中具有通常知識者將理解，可以(重新)組合許多發明構思以實現特定的應用。在此明確強調的是，只要分別獲得的組合不包括任何矛盾的特徵，上述提到的特徵和在申請專利範圍中引用的特徵之間的所有數學組合都是可能的。因此，以這種方式，本申請還形成了所請求的標的的可能性庫。
顯然，本發明不限於本文示出和描述的實施例，而是在所附申請專利範圍內許多對本發明所屬技術領域中具有通常知識者而言是顯而易見的變型都是可能的。
在該專利出版物中使用的動詞「包括」及其變形應理解為不僅意指「包括」，還應理解為表示用語「包含」、「實質上由……組成」、「由……形成」及其變形。
100:磚瓦 101:第一邊緣 102:第二邊緣 103:第三邊緣 104:第一耦合輪廓 105:第二耦合輪廓 106:第三耦合輪廓 107:上側 108:矩形輪廓 110:多用途磚瓦系統 111:第一磚瓦圖案 112:第二磚瓦圖案 113:長側 114:短側 200:多用途磚瓦系統 201:多用途磚瓦 202:多用途磚瓦 203:銳角 204:鈍角 205:人字形圖案 206:第一磚瓦圖案 207:第二磚瓦圖案 208:平行四邊形外廓 300:多用途磚瓦系統 301:多用途磚瓦 302:六邊形外廓 400:側向舌部 401:第一向下側面 402:第一向下凹部 403:近側 404:第一過渡區 405:下側 406:上側 407:第一鎖定元件 408:第一鎖定凹槽 410:向下舌部 411:第二向下側面 412:第二向下凹部 413:近側 414:第二過渡區 415:下側 416:遠側 417:上壁部分 418:壁部分 419:下壁部分 420:中間垂直壁部分 421:上側 422:第二鎖定元件 423:第二鎖定凹槽 430:第三凹部 431:上唇部 432:下唇部 433:向上鎖定元件 434:近側 435:第三過渡區域 436:上側 437:下側 438:凹部 439:遠端 440:第三鎖定元件 441:遠側 442:遠側 443:向外凸起 450:倒角 451:上基材 452:基層 453:上側 454:增強層 455:裝飾層 456:耐磨層 457:透明飾面層 458:背襯層 459:底側 500:下表面 501:第一封閉表面 502:第一垂直平面 503:上邊緣 504:第二閉合表面 505:第二垂直平面 600:磚瓦 601:耦合輪廓 602:耦合輪廓 603:耦合輪廓 604:邊緣 700:磚瓦 701:第一耦合輪廓 702:第二耦合輪廓 703:第三耦合輪廓 704:下唇部 705:下側 706:第一鎖定元件 707:遠側 708:側向舌部 709:第二鎖定元件 710:向下舌部 711:遠側 712:第二向下凹部 713:第三鎖定元件 715:側面 716:切線T1 717:角度A1 718:平面 719:角度A2 720:切線T2 721:向上鎖定元件 722:近側 723:第三凹部 724:近側 725:側面 726:近側 727:第一向下側面 728:遠距離接觸區域 729:空間 730:遠側 731:上側 732:第一向下凹部 733:上側 734:上側 A-A:線 B-B:線
附圖說明將基於以下附圖中所示的非限制性示例性實施例來闡明本發明，其中： ［圖1a］示出了用於根據本發明的多用途磚瓦系統中的多用途磚瓦的示意圖； ［圖1b］示出了包括多個如圖1a所示的多用途磚瓦的多用途磚瓦系統的示意圖； ［圖2a］示出了在根據本發明的多用途磚瓦系統的另一實施例中使用的兩種不同類型的多用途磚瓦的示意圖； ［圖2b］示出了包括如圖2a所示的多個多用途磚瓦的多用途磚瓦系統的示意圖； ［圖3a］示出了在根據本發明的多用途磚瓦系統的又一個實施例中使用的多用途磚瓦的示意圖； ［圖3b］示出了包括如圖3a所示的多個多用途磚瓦的多用途磚瓦系統的示意圖； ［圖4a］示出了如圖1a、2a或3a所示的多用途磚瓦的沿線A-A的橫截面； ［圖4b］示出了如圖1a、2a或3a所示的多用途磚瓦的沿線B-B的剖視圖； ［圖5a-5c］分別示出了處於第一、第二和第三耦合狀態下的如圖1a、2a或3a所示的兩個多用途磚瓦的橫截面； ［圖6a-6c］示出了分別在第一、第二和第三耦合狀態下具有可替代的耦合輪廓的兩個多用途磚瓦的橫截面；以及 ［圖7a至圖7c］示出了分別在第一、第二和第三耦合狀態下具有另外的替代耦合輪廓的兩個多用途磚瓦的橫截面。
100:磚瓦
101:第一邊緣
102:第二邊緣
103:第三邊緣
104:第一耦合輪廓
105:第二耦合輪廓
106:第三耦合輪廓
201:多用途磚瓦
202:多用途磚瓦
301:多用途磚瓦
400:側向舌部
402:第一向下凹部
405:下側
407:第一鎖定元件
410:向下舌部
415:下側
422:第二鎖定元件
430:第三凹部
433:向上鎖定元件
440:第三鎖定元件
500:下表面
503:上邊緣
504:第二閉合表面
505:第二垂直平面

Claims (101)

  1. 一種多用途磚瓦系統，特別是地磚系統，包括多個多用途磚瓦，特別是地磚，其中，該等磚瓦且較佳地每個磚瓦包括： 至少一個第一邊緣，其具有一第一耦合輪廓，該第一耦合輪廓包括： 一側向舌部，其在實質上平行於該磚瓦的上側的方向上延伸， 至少一個第一向下側面，其與該側向舌部相距一距離，以及 一第一向下凹部，其係在該側向舌部和該第一向下側面之間形成， 至少一個第二邊緣，其具有一第二耦合輪廓，該第二耦合輪廓包括： 一向下舌部，其在實質上垂直於該磚瓦的上側的方向上延伸， 至少一個第二向下側面，其與該向下舌部相距一距離， 一第二向下凹部，其係在該向下舌部和該向下側面之間形成，以及 至少一個第二鎖定元件； 至少一個第三邊緣，並且較佳地至少兩個第三邊緣，每個第三邊緣具有一第三耦合輪廓，該第三耦合輪廓包括： 一第三凹部，其構造成用於容納另一磚瓦的第一耦合輪廓的側向舌部的至少一部分和另一磚瓦的向下舌部的至少一部分，所述第三凹部由一上唇部和一下唇部限定，其中所述下唇部設置有一向上鎖定元件，以及 至少一個第三鎖定元件， 其中，該第一耦合輪廓和該第三耦合輪廓被構造成使得其中兩個這樣的磚瓦可以透過轉動運動在第一和第三邊緣處彼此耦合，其中，在耦合狀態下： 一磚瓦的第一耦合輪廓的側向舌部的至少一部分插入相鄰的磚瓦的第三耦合輪廓的第三凹部中，以及 該第三耦合輪廓的向上鎖定元件的至少一部分插入該第一耦合輪廓的第一向下凹部，以及 其中，該第二耦合輪廓和該第三耦合輪廓被構造成使得兩個這樣的磚瓦可以透過向下摺疊運動和/或垂直運動在該第二邊緣和第三邊緣處彼此耦合，其中，在耦合狀態下： 該第二耦合輪廓的向下舌部的至少一部分插入該第三耦合輪廓的第三凹部中， 該第三耦合輪廓的向上鎖定元件的至少一部分插入該第二耦合輪廓的第二向下凹部中，以及 至少一個第二鎖定元件面向至少一個第三鎖定元件並與其共同作用，以實現垂直鎖定效果， 其中，該第三耦合輪廓的向上鎖定元件的面向第三凹部的近側的至少一部分係在遠離上唇部的方向上向上傾斜，並且其中，該第二耦合輪廓的至少一個第二鎖定元件係設置在該第二耦合輪廓的第二向下側面處，並且其中該第三耦合輪廓的至少一個第三鎖定元件係設置在該下唇部的背離第三凹部的遠側和/或向上鎖定元件的背離第三凹部的遠側。
  2. 如請求項1所述的多用途磚瓦系統，特別是地磚系統，其包括多個多用途磚瓦，特別是地磚， 其中至少一個第一磚瓦包括至少一個具有第一耦合輪廓的第一邊緣，該第一耦合輪廓包括： 一側向舌部，其係在實質上平行於磚瓦的上側的方向上延伸， 至少一個第一向下側面，其係位於距該側向舌部一距離的位置，以及 一第一向下凹部，其係在該側向舌部和該第一向下側面之間形成， 其中至少一個第二磚瓦包括至少一個第二邊緣，該至少一個第二邊緣具有一第二耦合輪廓，該第二耦合輪廓包括： 一向下舌部，其係在實質上垂直於該磚瓦的上側的方向上延伸， 至少一個第二向下側面，其係位於距該向下舌部一距離的位置， 一第二向下凹部，其係在該向下舌部和向下側面之間形成，以及 至少一個第二鎖定元件，以及 其中至少一個第三磚瓦包括至少一個第三邊緣，該至少一個第三邊緣具有第三耦合輪廓，該第三耦合輪廓包括： 一第三凹部，其構造成用於容納另一磚瓦的第一耦合輪廓的側向舌部的至少一部分，所述第三凹部係由一上唇部和一下唇部定義，其中，所述下唇部設有一向上鎖定元件，以及 至少一第三鎖定元件，以及 其中，該第一耦合輪廓和該第三耦合輪廓被構造成使得兩個這樣的磚瓦可以透過轉動運動在第一和第三邊緣處彼此耦合，其中，在耦合狀態下： 一磚瓦的第一耦合輪廓的側向舌部的至少一部分係插入相鄰的磚瓦的第三耦合輪廓的第三凹部中，以及 該第三耦合輪廓的向上鎖定元件的至少一部分係插入該第一耦合輪廓的第一向下凹部，以及 其中，該第二耦合輪廓和該第三耦合輪廓被構造成使得兩個這樣的磚瓦可以透過向下摺疊運動和/或垂直運動在該第二邊緣和第三邊緣處彼此耦合，其中，在耦合狀態中： 該第二耦合輪廓的向下舌部的至少一部分係插入該第三耦合輪廓的第三凹部中，以及 該第三耦合輪廓的向上鎖定元件的至少一部分係插入該第二耦合輪廓的第二向下凹部中， 至少一個第二鎖定元件面向至少一個第三鎖定元件並且較佳地與其共同作用，以實現一垂直效果；以及 其中第一磚瓦和/或第二磚瓦和/或第三磚瓦可以由相同的磚瓦形成，其中該第三耦合輪廓的向上鎖定元件的面向第三凹部的近側的至少一部分係在遠離該上唇部的方向上向上傾斜，並且其中該第二耦合輪廓的至少一個第二鎖定元件係設置在該第二耦合輪廓的第二向下側面，並且其中該第三耦合輪廓的至少一個第三鎖定元件係設置在該下唇的背離該第三凹部的遠側和/或該向上鎖定元件的背離該第三凹部的遠側。
  3. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，每個磚瓦包括一第一對相對邊緣，其係由該第一邊緣和該第三邊緣所組成。
  4. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，每個磚瓦包括一第一對相對邊緣，其係由該第二邊緣和該第三邊緣所組成。
  5. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第一耦合輪廓和該第三耦合輪廓被構造成用於垂直地和水平地將磚瓦鎖定在一起。
  6. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第二耦合輪廓和該第三耦合輪廓被構造成用於垂直地和水平地將磚瓦鎖定在一起。
  7. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第三鎖定元件包括至少一個向外的凸起，並且該第二鎖定元件包括至少一個第二鎖定凹部，並且其中該凸起和凹部具有一實質上互補的形狀。
  8. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第二耦合輪廓的至少一個第二鎖定元件係設置在該向下舌部的背離該第二向下凹部的遠側，並且其中該第三耦合輪廓的至少一個第三鎖定元件在面向一相鄰的磚瓦的第二耦合輪廓的向下舌部的所述遠側的耦合狀態下，係設置在上唇部的一側。
  9. 如請求項8所述的磚瓦系統，其中，該第二鎖定元件和該第三鎖定元件之間的共同作用在兩個磚瓦的耦合狀態下產生垂直鎖定效果，其定義了切線T1，該切線T1與由該磚瓦所定義的一平面構成一角度A1，該角度A1小於一角度A2，該角度A2由所述由該磚瓦所定義的平面與一切線T2所構成，該切線T2透過向上鎖定元件的面向第三凹部的近側的傾斜部分與向下舌部的面向第二向下側面的近側的傾斜部分的共同作用定義，其中，較佳地，角度A1與角度A2之間的最大差異係介於5至20度之間。
  10. 如請求項8或9所述的磚瓦系統，其中，相較於所述向上鎖定元件的上側，所述第二鎖定元件和所述第三鎖定元件被定位成更靠近該磚瓦的上側。
  11. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第一耦合輪廓包括至少一個第一鎖定元件，該至少一個第一鎖定元件構造成在耦合狀態下面向一相鄰的磚瓦的第三耦合輪廓的第三鎖定元件，並且較佳地與其共同作用。
  12. 如請求項11所述的磚瓦系統，其中，該第一耦合輪廓的至少一個第一鎖定元件係設置在該第一耦合輪廓的第一向下側面，並且其中，該第三耦合輪廓的至少一個第三鎖定元件係設置在該下唇部的背離該第三凹部的遠側和/或該向上鎖定元件的背離該第三凹部的遠側。
  13. 如請求項11或12所述的磚瓦系統，其中，該第一耦合輪廓的至少一個第一鎖定元件係設置在該第一耦合輪廓的遠側，其係位於該側向舌部的至少一部分的上方，並且其中至少一個該第三耦合輪廓的第三鎖定元件在面對一相鄰的磚瓦的第一耦合輪廓的所述遠側的耦合狀態下，係設置在該上唇部的一側。
  14. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，所述向下舌部的橫截面面積係為所述側向舌部的橫截面面積的至少60%，並且其中較佳地，所述向下舌部的橫截面面積介於側面舌部橫截面積的70%到80%之間。
  15. 根據前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第二耦合輪廓的向下舌部的面向該第二向下凹部的近側的至少一部分係在遠離該第二向下側面的方向上向下傾斜，較佳地，以這樣的方式使其與垂直於由每個磚瓦所定義的平面的法線構成一個角度，其中所述角度係介於0度至60度之間，尤其是介於0度至45度之間。
  16. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第一耦合輪廓的側向舌部的面向該第一向下凹部的近側的至少一部分係在遠離所述第一向下側面的方向上向下傾斜，較佳地，以這樣的方式使其與垂直於由每個磚瓦所定義的平面的法線構成一個角度，其中所述角度係介於0度至60度之間，尤其是介於0度至45度之間。
  17. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第三耦合輪廓的向上鎖定元件的面向該第三凹部的近側的至少一部分係在朝向所述上唇部的方向上向上傾斜，較佳地，以這樣的方式使其與垂直於由每個磚瓦所定義的平面的法線構成一個角度，其中所述角度係介於0度至60度之間，尤其是介於0度至45度之間。
  18. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第二耦合輪廓的向下舌部的面向該第二向下凹部的近側的至少一部分係在朝向所述第二向下側面的方向上向下傾斜，較佳地，以這樣的方式使其與垂直於由每個磚瓦所定義的平面的法線構成一個角度，其中所述角度係介於0度至60度之間，尤其是介於0度至45度之間。
  19. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第一耦合輪廓的側向舌部的的面向該第一向下凹部近側的至少一部分係在朝向該第一向下側面的方向上向下傾斜，較佳地，以這樣的方式使其與垂直於由每個磚瓦所定義的平面的法線構成一個角度，其中所述角度係介於0度至60度之間，尤其是介於0度至45度之間。
  20. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，在該第一耦合輪廓的側向舌部的近側與該第一耦合輪廓的側向舌部的下側之間的一第一過渡區域是彎曲的。
  21. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，在該第二耦合輪廓的向下舌部的近側與該第二耦合輪廓的向下舌部的下側之間的一第二過渡區域是彎曲的。
  22. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，在所述第三耦合輪廓的所述向上鎖定元件的近側與該第三耦合輪廓的向上鎖定元件的上側之間的一第三過渡區域是彎曲的。
  23. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，在該第三耦合輪廓的下唇部的下側處存在一凹部，所述凹部一直延伸到該下唇部的遠端，且其允許該下唇部以向下的方向彎曲。
  24. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第一耦合輪廓和該第三耦合輪廓被構造成在耦合狀態下存在所謂的預張力，該預張力迫使相應的磚瓦在相應的第一邊緣和第三邊緣處彼此靠近，其中較佳係透過應用重疊的外廓來執行。
  25. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第二耦合輪廓和該第三耦合輪廓被構造成在耦合狀態下存在所謂的預張力，該預張力迫使相應的磚瓦在相應的第二邊緣和第三邊緣處彼此靠近，其中較佳係透過應用重疊的外廓來執行。
  26. 如請求項24或25所述的磚瓦系統，其中，該預張力是變形的結果，該變形是彈性彎曲或彈性壓縮或兩者的組合。
  27. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第一耦合輪廓和該第三耦合輪廓被構造成在耦合狀態下實質上沒有該第一耦合輪廓和該第三耦合輪廓之間的預張力。
  28. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第二耦合輪廓和該第三耦合輪廓被構造成在耦合狀態下實質上沒有該第二耦合輪廓和該第三耦合輪廓之間的預張力。
  29. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第一耦合輪廓和該第三耦合輪廓被構造成在耦合狀態下存在多個遠距離的接觸區域，較佳地存在至少三個遠距離的接觸區域，其中在每對相鄰的接觸區域之間留有空間。
  30. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第二耦合輪廓和該第三耦合輪廓被構造成在耦合狀態下存在多個遠距離的接觸區域，較佳至少存在三個遠距離的接觸區域，其中在每對相鄰的接觸區域之間留有空間。
  31. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，在耦合狀態下，該第一邊緣和該第三邊緣定義一第一閉合表面，該第一閉合表面被定義為穿過耦合的該等磚瓦的上邊緣或至少在多個磚瓦於其上側聚集的位置的一第一垂直平面。
  32. 如請求項31所述的磚瓦系統，其中，該第一耦合輪廓和該第三耦合輪廓被構造成在耦合狀態下，每個該側向舌部和該第三凹部延伸穿過所述第一垂直平面。
  33. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第二邊緣和該第三邊緣在耦合狀態下定義一第二閉合表面，該第二閉合表面定義穿過耦合的該等磚瓦的上邊緣或至少在多個磚瓦於其上側聚集的位置的一第二垂直平面。
  34. 如請求項33所述的磚瓦系統，其中，該第二耦合輪廓和該第三耦合輪廓被構造成在耦合狀態下，該向下舌部位於該第二垂直平面的一側，且該第三凹部延伸穿過該第二垂直平面。
  35. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，該向下舌部的背離該第二向下凹部的遠側包括與該磚瓦的上側相鄰的至少一垂直的上壁部分，以及與所述垂直壁部分相鄰且位於所述垂直壁部分的下方的一成角度的壁部分，其係朝向該向下舌部的所述遠側的斜切和/或彎曲的一下壁部分向內傾斜，其中，選擇性地，一中間垂直壁部分係位於在所述成角度的壁部分和所述下壁部分之間。
  36. 如請求項35所述的磚瓦系統，其中，構造成與另一磚瓦的第三鎖定元件共同作用的一第二鎖定元件設置在該向下舌部的遠側的上壁部分處。
  37. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，在兩個磚瓦的耦合狀態下，該第一耦合輪廓的側向舌部的下側係由該第三耦合輪廓的第三凹部的下表面支撐，較佳地，其係導致該第一耦合輪廓和該第三耦合輪廓的相互位置的固定，其中該第二耦合輪廓和該第三耦合輪廓較佳在張力下配合。
  38. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中在兩個磚瓦的耦合狀態下，該第二耦合輪廓的向下舌部的下側係由該第三耦合輪廓的第三凹部的下表面支撐，較佳地，其係導致該第二耦合輪廓和該第三耦合輪廓的相互位置的固定，其中該第二耦合輪廓和該第三耦合輪廓較佳在張力下配合。
  39. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中在磚瓦的耦合狀態下，該第一耦合輪廓的第一向下側面與該第三耦合輪廓的面對該第一向下側面的下唇部和/或向上鎖定元件的遠側彼此間隔一距離。
  40. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中在磚瓦的耦合狀態下，該第二耦合輪廓的第二向下側面與該第三耦合輪廓的面對該第二向下側面的下唇部和/或向上鎖定元件的遠側彼此間隔一距離。
  41. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，該向上鎖定元件的上側的至少一部分在背離該第三耦合輪廓的上唇部的方向上向下傾斜，且較佳地，該向上鎖定元件的全部的上側在背離該第三耦合輪廓的上唇部的方向上向下傾斜。
  42. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第一向下凹部的至少一部分的上側在朝向該第一向下側面的方向上向下傾斜，且較佳地，該第一向下凹部的全部的上側在朝向該第一向下側面的方向上向下傾斜。
  43. 如請求項41和42所述的磚瓦系統，其中，兩個傾角相互圍成0度和5度之間的角度。
  44. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第二向下凹部的上側的至少一部分朝向該第二向下側面向下傾斜，且較佳地，該第二向下凹部的全部的上側朝向該第二向下側面向下傾斜。
  45. 如請求項41和44所述的磚瓦系統，其中，兩個傾角相互圍成0度和5度之間的角度。
  46. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，在兩個磚瓦的耦合狀態下，該第三耦合輪廓的向上鎖定元件的上側被定位成與該第一耦合輪廓的第一向下凹部的上側相距一距離。
  47. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，在兩個磚瓦的耦合狀態下，該第三耦合輪廓的向上鎖定元件的上側被定位成與該第二耦合輪廓的第二向下凹部的上側相距一距離。
  48. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，在該磚瓦的平面中測量的該上唇部和該下唇部之間的差係大於該磚瓦的厚度的1.0倍，並且較佳為至少1.25倍。
  49. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，每個磚瓦包括至少兩個第三耦合輪廓。
  50. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，該向上鎖定元件的上側位於比該第三耦合輪廓的上唇部低的高度處。
  51. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第三鎖定元件包括至少一個向外凸起，且該第一鎖定元件包括至少一個第一鎖定凹槽，所述向外凸起係適於至少部分地容納在相鄰的耦合的磚瓦的第一鎖定凹槽中，以實現一鎖定耦合的目的，較佳係一垂直鎖定耦合。
  52. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第三鎖定元件包括至少一個向外凸起，且該第二鎖定元件包括至少一個第二鎖定凹槽，所述向外凸起適於至少部分地容納在相鄰的耦合的磚瓦的第二鎖定凹槽中，以實現一鎖定耦合目的，較佳係一垂直鎖定耦合。
  53. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第三鎖定元件被定位在該下唇部和/或該向上鎖定元件的遠側，且與該下唇部的下側和該向上鎖定元件的上側相距一距離。
  54. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，每個耦合輪廓沒有鉤環緊固件和/或黏合劑連接。
  55. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，每個耦合輪廓在磚瓦的上側處或附近具有倒角，例如斜面。
  56. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，該系統包括兩種不同類型的磚瓦(分別為A和B)，並且其中，一種類型的磚瓦的耦合輪廓相對於對應的另一類型的磚瓦的耦合輪廓以鏡像反轉的方式佈置，其中較佳地，至少一個磚瓦(A)具有一配置，其中，從頂視圖沿順時針方向看時，邊緣的排列順序為：一第一邊緣、一第三邊緣、另一第三邊緣和一第二邊緣，且其中較佳地，至少一個磚瓦(B)具有一配置，其中，從頂視圖沿順時針方向看時，邊緣的排列順序為：一第一邊緣、一第二邊緣、一第三邊緣和另一第三邊緣。
  57. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，一磚瓦的相對邊緣的長度實質上相同。
  58. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，除了至少一個第一耦合輪廓、至少一個第二耦合輪廓以及至少一個第三耦合輪廓之外，每個磚瓦沒有任何其他耦合輪廓，較佳地除了至少一個第一耦合輪廓、至少一個第二耦合輪廓以及至少二個第三耦合輪廓之外，每個磚瓦沒有任何其他耦合輪廓。
  59. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，多個磚瓦具有正方形和/或矩形的形狀。
  60. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，多個磚瓦具有平行四邊形的形狀，其中，所述磚瓦被構造成以人字形圖案連接，其中，兩對相鄰的邊緣構成一銳角，並且其中兩對其他相鄰邊緣構成一鈍角。
  61. 如請求項60所述的磚瓦系統，其中，該銳角介於30度和60度之間，並且較佳地實質上為45度。
  62. 如請求項61所述的磚瓦系統，其中，該鈍角位於120度至150度之間，並且較佳地實質上為135度。
  63. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，至少一個磚瓦包括至少一個固定到一基層的上側的上基材，其中，所述上基材較佳地包括一裝飾層，較佳地是一裝飾印刷層。
  64. 如請求項63所述的磚瓦系統，其中，所述至少一個上基材包括： 一裝飾層；和 一耐磨層，其係覆蓋所述裝飾層，其中，所述耐磨層的頂面是所述磚瓦的頂面，並且其中，該耐磨層係一透明材料，使得可透過該透明耐磨層看到該裝飾層， 以及，選擇性地，一透明飾面層，其係位於該裝飾層和該耐磨層之間。
  65. 如請求項63-64中的一項所述的磚瓦系統，其中，該上基材至少部分地由選自以下材料所組成群組中的至少一種材料製成：金屬、合金、天然石材、大理石、花崗岩、板岩、玻璃、陶瓷、高分子材料，例如：乙烯基單體共聚物和/或均聚物；縮合聚合物，例如：聚酯、聚醯胺、聚醯亞胺、環氧樹脂、酚醛樹脂、脲醛樹脂；天然高分子材料或其改性衍生物，例如：植物纖維、動物纖維、礦物纖維、陶瓷纖維和碳纖維。
  66. 如請求項65所述的磚瓦系統，其中該乙烯基單體共聚物和/或均聚物係選自由聚乙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯醯胺、ABS、(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯)共聚物、聚丙烯，乙烯-丙烯共聚物、聚偏二氯乙烯、聚四氟乙烯、聚偏二氟乙烯、六氟丙烯和苯乙烯-馬來酸酐共聚物所組成之群組。
  67. 如請求項63-66之一所述的磚瓦系統，其中，該至少一個上基材透過黏合劑固定到該基層的上側。
  68. 如請求項63-67中的一項所述的磚瓦系統，其中，至少一個磚瓦包括固定在該基層的上側的多個條形上基材，其中，所述上基材在同一平面上並排佈置，較佳地，係以平行配置。
  69. 如請求項68所述的磚瓦系統，其中，所述多個上基材實質上完全覆蓋該基層的上表面。
  70. 如請求項68或69所述的磚瓦系統，其中，所述多個上基材中的每個從該磚瓦的第一邊緣延伸到第二邊緣。
  71. 如請求項68-70中的一項所述的磚瓦系統，其中，所述多個上基材中的每個包括一裝飾層，其中，至少兩個相鄰佈置的上基材的裝飾層具有不同的外觀。
  72. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，每個磚瓦包括至少一個基層。
  73. 如請求項72所述的磚瓦系統，其中該基層的至少一部分是發泡的。
  74. 如請求項73所述的磚瓦系統，該發泡基層至少部分地由聚氯乙烯(PVC)製成。
  75. 如請求項72-74中任一項所述的磚瓦系統，其中，所述基層包括至少一種聚合物，其係選自由乙烯乙酸乙烯酯(ethylene vinyl acetate, EVA)、聚胺酯(polyurethane, PU)、聚乙烯(polyethylene, PE)、聚丙烯(polypropylene, PP)、聚苯乙烯(polystyrene, PS)、聚氯乙烯(polyvinylchloride, PVC)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate, PET)、聚異氰脲酸酯(Polyisocyanurate, PIR)或其混合物所組成之群組。
  76. 如請求項72-75中任一項所述的磚瓦系統，其中，該基層包括至少一種木基材料。
  77. 如請求項72-76中任一項所述的磚瓦系統，其中，該基層包括至少一種複合物材料，其係由至少一種聚合物材料和至少一種非聚合物材料構成的。
  78. 如請求項77所述的磚瓦系統，其中，至少一種非聚合材料係選自由滑石、白堊、木材、碳酸鈣和礦物填料所組成之群組。
  79. 如請求項77或78所述的磚瓦系統，其中，至少一種非聚合材料係選自由鹽、硬脂酸鹽、硬脂酸鈣和硬脂酸鋅所組成之群組。
  80. 如請求項72-79中任一項所述的磚瓦系統，其中該基層包括至少一種抗衝改性劑，該抗衝改性劑包括至少一種甲基丙烯酸烷基酯，其中所述甲基丙烯酸烷基酯較佳選自由甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸異丙酯、甲基丙烯酸叔丁酯和甲基丙烯酸異丁酯所組成之群組。
  81. 如請求項72-80中任一項所述的磚瓦系統，其中，該基層的密度在約0.1至1.5 g/cm3 的範圍內。
  82. 如請求項72-81中任一項所述的磚瓦系統，其中該發泡複合物包含按重量計約3%至9%的該增韌劑。
  83. 如請求項72至82中任一項所述的磚瓦系統，其中該基層具有大於700 MPa的彈性模量。
  84. 如請求項72-83中任一項所述的磚瓦系統，其中該基層的密度沿該基層的高度變化。
  85. 如請求項84所述的磚瓦系統，其中該基層的頂部和/或底部形成一外殼層，其具有小於該基層的中心區域的孔隙率的孔隙率，其中每一外殼層的厚度係在0.01和1 mm之間，較佳係在0.1和0.8 mm之間。
  86. 如請求項72-85中任一項所述的磚瓦系統，其中該基層不含增塑劑。
  87. 如請求項72-86中任一項所述的磚瓦系統，其中，每個磚瓦包括至少一個背襯層，其係固定到該基層的底側，其中所述至少一個背襯層至少部分地由可撓材料製成，較佳地係由一彈性體或軟木製成。
  88. 如請求項87所述的磚瓦系統，其中，該背襯層的厚度至少為0.5 mm。
  89. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，每個磚瓦包括至少一個增強層，其中該增強層的密度係較佳地位於1000至2000 kg/m3 之間，較佳地位於1400至1900 kg/m3 之間，且更佳係位於1400-1700 kg/m3 之間。
  90. 如請求項72-88和請求項89中任一項所述的磚瓦系統，其中該基層係設置至少一個增強層，其係結合在所述基層中，其中該增強層較佳係為纖維增強層，例如：玻璃纖維氈。
  91. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，每個磚瓦的第一耦合輪廓的至少一部分和/或第二耦合輪廓的至少一部分和/或第三耦合輪廓的至少一部分係一體地連接到該基層。
  92. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，該第一耦合輪廓和/或該第二耦合輪廓和/或該第三耦合輪廓允許在磚瓦的耦合和解耦合期間變形。
  93. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，至少一數目的磚瓦是相同的。
  94. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中，至少一數目的磚瓦具有不同的尺寸和/或不同的形狀。
  95. 如前述請求項中任一項所述的磚瓦系統，其中該磚瓦系統包括不同類型的磚瓦(分別為A和B)，其中第一類型的磚瓦(A)的尺寸不同於第二類型的磚瓦(B)的尺寸。
  96. 如請求項94或95所述的磚瓦系統，其中，特定的視覺標記被應用於不同類型的磚瓦，較佳係用於安裝目的。
  97. 如請求項96所述的磚瓦系統，其中，特定的視覺標記被應用於每種磚瓦類型的第三耦合輪廓的向上鎖定元件的上側。
  98. 一種磚瓦覆蓋物，特別是地板覆蓋物、天花板覆蓋物或牆壁覆蓋物，其係由如請求項1-97中任一項的磚瓦系統的相互耦合的磚瓦所組成。
  99. 一種磚瓦，其係用於如請求項1-97中任一項所述的多用途磚瓦系統。
  100. 一種安裝磚瓦系統的方法，特別是安裝如請求項1-97中任一項所述的磚瓦系統的方法，其係包括以下步驟： e)           將至少一個第一磚瓦定位在一支撐表面上，特別是一地板上， f)            提供至少一個第二磚瓦以耦合到所述至少一個第一磚瓦， g)           從以下各項所組成的群組中選擇至少一個要被耦合到至少一個第一磚瓦的至少一個第三耦合輪廓的耦合輪廓：(i)第二磚瓦的第一耦合輪廓，和(ii)第二磚瓦的第二耦合輪廓；和/或 從以下各項所組成的群組中選擇至少一個要被耦合到至少一個第二磚瓦的至少一個第三耦合輪廓的耦合輪廓：(i)第一磚瓦的第一耦合輪廓，和(ii)第一磚瓦的第二耦合輪廓；以及 h)          將所述第二磚瓦或第一磚瓦的至少一個被選擇的耦合輪廓耦合到一第一磚瓦或第二磚瓦的至少一個第三耦合輪廓。
  101. 如請求項100所述的方法，其中，該第一耦合輪廓和該第三耦合輪廓被構造成使得其中兩個這樣的磚可以透過轉動運動彼此耦合，並且其中該第二耦合輪廓和該第三耦合輪廓被構造使得可以透過向下摺疊運動和/或垂直運動將兩個這樣的磚瓦彼此耦合。
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