TW202020943A - 離子佈植系統及調諧離子佈植設備與最終能量磁鐵的方法 - Google Patents

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Abstract

本文揭露一種調諧離子佈植設備的方法。上述方法包括下列操作：實施晶圓驗收測試(WAT)製程條件至測試樣品；計算用於直流(DC)最終能量磁鐵(FEM)的製程條件；計算直流最終能量磁鐵的真實能量；查核機台能量偏移；以及取得直流最終能量磁鐵的峰值頻譜。

Description

離子佈植系統及調諧離子佈植設備與最終能量磁鐵的方法
本揭露係有關於一種離子佈植方法，特別係關於一種調諧離子佈植設備的方法。
材料特性可藉由將額外的物質注入或佈植入材料中來改變、調整或調諧。舉例來說，藉由將離子注入矽中，可改變諸如矽之類的半導體，使其具有更高的導電性。離子佈植設備或離子佈植器被廣泛地用於以至少一種所需種類之離子來摻雜(即：將離子佈植進入)半導體晶圓。
離子佈植器在晶圓的離子佈植深度，直接取決於離子束中佈植離子的能量。因此，達成所欲獲得之佈植深度的準確度，需要精準地控制、量測及監控佈植離子的能量。直流(direct current, DC)最終能量磁鐵(final energy magnet, FEM)被用於藉由控制磁場強度以控制佈植離子的能量。具有已調諧之磁場(tuned magnetic field)強度的磁場使得所選擇的離子，以具有特定動量(momentum)的精準路徑行進。
不幸地，藉由量測能量偏移(energy shift)以校準DC FEM需要至少12小時。因此，需要一種更有效的DC FEM校準方法。
本揭露實施例提供一種調諧離子佈植設備的方法，上述方法包括下列操作。實施晶圓驗收測試(WAT)製程條件至測試樣品的操作。計算直流(DC)最終能量磁鐵(FEM)之製程條件的操作。計算直流最終能量磁鐵之真實能量的操作。查核機台能量偏移的操作。基於查核過的機台能量偏移，調諧離子佈植設備的操作。取得直流最終能量磁鐵之磁譜的操作。
本揭露實施例提供一種調諧最終能量磁鐵(FEM)方法，上述方法包括下列操作。取得直流最終能量磁鐵之校準曲線的操作。執行伺服迴路以調整直流最終能量磁鐵之參數的操作。實施晶圓驗收測試(WAT)製程條件至測試樣品的操作。計算直流(DC)最終能量磁鐵(FEM)之製程條件的操作。計算直流最終能量磁鐵之真實能量的操作。查核機台能量偏移的操作。基於查核過的機台能量偏移，調諧直流最終能量磁鐵的操作。取得直流最終能量磁鐵之峰值頻譜的操作。
本揭露實施例提供一種離子佈植系統。上述離子佈植系統包括樣品載台、離子槍、靜電線性加速器、以及直流(DC)最終能量磁鐵(FEM)。上述直流最終能量磁鐵藉由下列操作調諧：實施晶圓驗收測試(WAT)製程條件至樣品載台上的測試樣品；計算直流最終能量磁鐵的製程條件；計算直流最終能量磁鐵的真實能量；查核直流最終能量磁鐵的機台能量偏移；基於查核過的機台能量偏移，調諧直流最終能量磁鐵；以及取得直流最終能量磁鐵的峰值頻譜。
應注意的是，以下之揭露提供許多不同實施例或範例，用以實施本揭露之不同特徵。本揭露之各部件及排列方式，其特定範例敘述於下以簡化說明本揭露。理所當然的，這些範例並非用以限制本揭露。舉例來說，元件之尺寸並不限於所揭露之範圍，但可取決於製程條件及/或所欲獲得之裝置的特性。此外，若敘述中有著第一特徵成形於第二特徵之上或上方，其可能包含第一特徵與第二特徵以直接接觸成形之實施例，亦可能包含有附加特徵形成於第一特徵與第二特徵之間，而使第一特徵與第二特徵間並非直接接觸之實施例。為使說明簡化及清晰易懂，各種特徵可能會任意地以不同比例繪製。
進一步來說，本揭露可能會使用空間相對術語，例如「在…下方」、「下方」、「低於」、「在…上方」、「高於」及類似詞彙，以便於敘述圖示中一個元件或特徵與其他元件或特徵間之關係。除了圖示所描繪之方位外，空間相對術語亦欲涵蓋使用中或操作中之裝置其不同方位。設備可能會被轉向不同方位(旋轉90度或其他方位)，而此處所使用之空間相對術語則可相應地進行解讀。此外，術語「由…製成(made of)」可表示「由…構成(comprising)」或「構成(consisting of)」其中之一。在本揭露中，短語「A、B及C之一(one of A, B and C)」表示「A、B及/或C(A, B and/or C)」(A, B, C, A and B, A and C, B and C, or A, B and C)，且並非表示來自A之一元件、來自B之一元件及來自C之一元件，除非另有敘述。
離子佈植(ion implantation)設備或離子佈植器(ion implanter)被用於將至少一種物質(species)佈植入材料中，以改變材料的物理特性(physical property)。舉例來說，硼(boron)被佈植入矽中，藉由使摻雜了硼的矽更具導電性以改變矽的電性，使得p-n接面或電晶體得以被製造並用於裝置上的複雜電路。離子佈植器的校準(calibration)需要改變氣體鋼瓶(gas cylinder)以提供不同類型的離子，以獲得不同離子質量之足夠數量的資料點(data point)，並需要執行真空實驗以取得用於繪製校準曲線(calibration curve)之足夠數量的資料點。因此，離子佈植器的校準需要至少12個小時。在取得用於離子佈植器之校準的資料的期間，生產製程必須整個停頓。因此，需要一種方法或設備，用於調諧(tune)離子佈植器，特別是在有多於一個的離子佈植器需要調諧時更是如此。
第1圖所示係根據本揭露實施例之離子佈植器的俯視平面圖。根據本揭露一些實施例，第1圖所示之離子佈植器被用於中等電流類型(medium current type)、高電流類型(high current type)、以及高能量類型(high energy type)的離子佈植。中等(能量)電流類型的離子佈植主要用於形成通道(channel)、通道塞(channel stopper)、以及阱(well)。高電流類型的離子佈植主要用於形成電晶體的源極(source)以及汲極(drain)，或是形成裝置的接觸(contact)。高能量類型的離子佈植主要用於形成深阱(deep well)以及光電二極體(photodiode)。根據本揭露一些實施例，第1圖所示之離子佈植器為批量(batch)晶圓型離子佈植器。根據本揭露一些實施例，離子佈植器包括使用者介面(user interface)100，使用者介面100用於輸入參數及察看離子佈植器所獲取的資料。根據本揭露一些實施例，使用者介面100包括有線或無線的桌上型電腦(desktop computer)、筆記型電腦、平板電腦(tablet)、智慧型手機、以及遠程控制裝置(remote control device)。根據本揭露一些實施例，使用者介面100包括顯示器，用於察看離子佈植器所獲取的資料，以及用於輸入或調整離子佈植器的參數。根據本揭露一些實施例，顯示器包括陰極射線管(cathode ray tube, CRT)顯示器、液晶顯示器(liquid crystal display, LCD)、發光二極體(light emitting diode, LED)顯示器、有機發光二極體(organic light emitting diode, OLED)顯示器、電漿顯示器(plasma display)及光學投影機(optical projector)，例如燈泡(light-bulb)投影機或雷射投影機(laser projector)。根據本揭露一些實施例，使用者介面100包括資料輸入裝置。根據本揭露一些實施例，資料輸入裝置包括鍵盤、語音命令輸入麥克風(voice command input microphone)、虹膜掃描裝置(iris scanning device)及臉部辨識裝置(facial recognition device)。根據本揭露一些實施例，資料輸入裝置亦包括游標控制裝置(cursor control device)，游標控制裝置包括滑鼠、觸控板(touch pad)、以及觸控螢幕(touch screen)。根據本揭露一些實施例，使用者介面100之資料輸入裝置藉由電線(electrical wire)連接或無線地連接至使用者介面。
根據本揭露一些實施例，離子佈植器更包括離子源載入腔體(ion source loading chamber)110，離子源載入腔體110用於為離子佈植器提供離子源材料。根據本揭露一些實施例，離子源材料藉由開啟離子源載入腔體110而被載入，並被放置於容器130上。根據本揭露一些實施例，容器130包括坩堝(crucible)。除此之外，根據本揭露一些實施例，容器130包括加熱器(heater)(未圖示)，用於離子源材料的蒸發(evaporation)。根據本揭露一些實施例，包含載入之離子源材料的容器130被移動穿過過渡通道(transition tunnel)120，其中過渡通道120介於離子佈植腔體160的外部環境與內部環境之間。接著，根據本揭露一些實施例，包含載入之離子源材料的容器130被放置(position)於電弧腔體(arc chamber)140中，在電弧腔體140中，藉由加熱容器130中的離子源材料，以及施加電壓至萃取電極(extraction electrode)150以萃取(extract)離子佈植器所需之離子，來形成用於離子佈植器的離子。
根據本揭露一些實施例，所產生之離子流(ion stream)進入由分析器磁鐵(analyzer magnet)170之磁場線(magnetic field line)所覆蓋的區域，且分析器磁鐵170藉由施加及調整磁場(且因此等同藉由勞倫茲力(Lorentz force))，基於所欲離子之質量及電荷選擇適當的離子。根據本揭露一些實施例，僅有具有所欲離子之質量及電荷的離子，方能進入四極透鏡(quadrupole lens, Q lens)區域180。根據本揭露一些實施例，離子流接著進入由掃描電極(scanning electrode)190所環繞的區域。掃描電極190使用靜電方法(electrostatic method)，以使離子流以100千赫茲(kHz)的頻率均勻地掃描每個晶圓的整個面積。掃描電極190之掃描圖形，取決於希望在經過離子佈植後的晶圓上獲得的結果。掃描電極190包括用於控制水平掃描的至少一對水平電極，以及包括用於控制垂直掃描的一對垂直電極。
接著，根據本揭露一些實施例，離子流進入由平行透鏡200所覆蓋的區域。根據本揭露一些實施例，四極透鏡區域180及平行透鏡200用於塑形(shape)離子流。根據本揭露一些實施例，掃描電極190用於掃描離子束以覆蓋晶圓W1的整個晶圓寬度。
根據本揭露一些實施例，離子流接著進入由加速/減速管柱(acceleration/deceleration column)210所圍繞的區域，加速/減速管柱210用於調整離子流的速度。接著，根據本揭露一些實施例，離子流進入由最終能量磁鐵(final energy magnet, FEM)220之磁場線所覆蓋的區域。根據本揭露一些實施例，最終能量磁鐵220用於調整將要以離子佈植的方式進入晶圓W1之中的離子的能量，其中晶圓W1位於樣品腔體(sample chamber)230中的旋轉盤(rotating disk)240上。根據本揭露一些實施例，位於旋轉盤240上的晶圓被以一定的速度旋轉，以允許包括晶圓W2在內的所有晶圓面對來自最終能量磁鐵220的離子。倘若離子束錯過晶圓及旋轉盤240，離子束可持續前進以撞擊束阻擋器(beam stopper)250。
旋轉盤240上的晶圓(例如：晶圓W1、W2)，被加載於晶圓載入腔體(wafer loading chamber)280中的容器(未圖示)上。接著，晶圓被運載穿過過渡通道270，其中過渡通道270介於離子佈植器之外部環境與離子佈植器之內部環境之間。根據本揭露一些實施例，過渡通道270包括用於防止汙染的閥門(valve)或門(door)(未圖示)。根據本揭露一些實施例，晶圓接著被運載至晶圓腔體230中，並藉由機械手臂(robotic arm)260加載至旋轉盤240上。據本揭露一些實施例，當晶圓被加載至旋轉盤240上時，旋轉盤240並不會旋轉。
第2圖所示係根據本揭露其他實施例之離子佈植器的俯視平面圖。根據本揭露一些實施例，第2圖所示之離子佈植器被用於中等電流類型、高電流類型、以及高能量類型的離子佈植。中等(能量)電流類型的離子佈植主要用於形成通道、通道塞、以及阱。高電流類型的離子佈植主要用於形成電晶體的源極以及汲極，或是形成裝置的接觸。高能量類型的離子佈植主要用於形成深阱以及光電二極體。根據本揭露一些實施例，第2圖所示之離子佈植器為批量晶圓型離子佈植器。根據本揭露一些實施例，離子佈植器包括使用者介面100，使用者介面100用於輸入參數及察看離子佈植器所獲取的資料。根據本揭露一些實施例，使用者介面100包括有線或無線的桌上型電腦、筆記型電腦、平板電腦、智慧型手機、以及遠程控制裝置。根據本揭露一些實施例，使用者介面100包括顯示器，用於察看離子佈植器所獲取的資料，以及用於輸入或調整離子佈植器的參數。根據本揭露一些實施例，顯示器包括陰極射線管(CRT)顯示器、液晶顯示器(LCD)、發光二極體(LED)顯示器、有機發光二極體(OLED)顯示器、電漿顯示器及光學投影機，例如燈泡投影機或雷射投影機。根據本揭露一些實施例，使用者介面100包括資料輸入裝置。根據本揭露一些實施例，資料輸入裝置包括鍵盤、語音命令輸入麥克風、虹膜掃描裝置及臉部辨識裝置。根據本揭露一些實施例，資料輸入裝置亦包括游標控制裝置，游標控制裝置包括滑鼠、觸控板、以及觸控螢幕。根據本揭露一些實施例，使用者介面100之資料輸入裝置藉由電線連接或無線地連接至使用者介面。
根據本揭露一些實施例，離子佈植器更包括離子源載入腔體110，離子源載入腔體110用於為離子佈植器提供離子源材料。根據本揭露一些實施例，離子源材料藉由開啟離子源載入腔體110而被載入，並被放置於容器130上。根據本揭露一些實施例，容器130包括坩堝。除此之外，根據本揭露一些實施例，容器130包括加熱器(未圖示)，用於離子源材料的蒸發。根據本揭露一些實施例，包含載入之離子源材料的容器130被移動穿過過渡通道120，其中過渡通道120介於離子佈植腔體160的外部環境與內部環境之間。接著，根據本揭露一些實施例，包含載入之離子源材料的容器130被放置於電弧腔體140中，在電弧腔體140中，藉由加熱容器130中的離子源材料，以及施加電壓至萃取電極150以萃取離子佈植器所需之離子，來形成用於離子佈植器的離子。
根據本揭露一些實施例，所產生之離子流進入由分析器磁鐵170之磁場線所覆蓋的區域，且分析器磁鐵170藉由施加及調整磁場(且因此等同藉由勞倫茲力)，基於所欲離子之質量及電荷選擇適當的離子。根據本揭露一些實施例，僅有具有所欲離子之質量及電荷的離子，方能進入四極透鏡(Q lens)區域180。根據本揭露一些實施例，離子流接著進入由掃描電極190所環繞的區域。掃描電極190使用靜電方法，以使離子流以100千赫茲(kHz)的頻率均勻地掃描每個晶圓的整個面積。掃描電極190之掃描圖形，取決於希望在經過離子佈植後的晶圓上獲得的結果。掃描電極190包括用於控制水平掃描的至少一對水平電極，以及包括用於控制垂直掃描的一對垂直電極。
接著，根據本揭露一些實施例，離子流進入由平行透鏡200所覆蓋的區域。根據本揭露一些實施例，四極透鏡區域180及平行透鏡200用於塑形離子流。根據本揭露一些實施例，掃描電極190用於掃描離子束以覆蓋晶圓W的整個晶圓寬度。
根據本揭露一些實施例，離子流接著進入由加速/減速管柱210所圍繞的區域，加速/減速管柱210用於調整離子流的速度。接著，根據本揭露一些實施例，離子流進入由最終能量磁鐵220(FEM 220)之磁場線所覆蓋的區域。根據本揭露一些實施例，最終能量磁鐵220用於調整將要以離子佈植的方式進入晶圓W之中的離子的能量，其中晶圓W位於樣品腔體230中。根據本揭露一些實施例，在離子佈植期間，晶圓W的位置維持不變。倘若離子束錯過晶圓W，離子束可持續通過以撞擊束阻擋器250。
晶圓 W位於晶圓載入腔體280中的容器(未圖示)上。接著，晶圓被運載穿過過渡通道270，其中過渡通道270介於離子佈植器之外部環境與離子佈植器之內部環境之間。根據本揭露一些實施例，過渡通道270包括用於防止汙染的閥門或門 (未圖示)。根據本揭露一些實施例，晶圓W接著藉由機械手臂260被運載至晶圓腔體230中。
第3圖係根據本揭露一些實施例所示，機台(tool, x軸)對能量E(y軸)之圖表，表示獲取自不同離子佈植器(即機台A、B、C、D、E及F)之最終能量磁鐵(FFM)的能量變化ΔE(或稱能量偏移(energy shift)ΔE)。第3圖顯示對不同離子佈植器(即機台A、B、C、D、E及F)所量測的能量資料點。對於每個機台(例如：機台A)，大量的資料點被取得，且誤差線(error bar)為資料點上的平均值，代表能量偏移ΔE小於2%。機台B、C、D、E及F具有的能量偏移ΔE大於2％。僅有機台A被量測到具有小於2％的能量偏移ΔE。為了使離子佈植器適當地作用以產生精確的產品，能量偏移ΔE以小於2％為佳。對於大於2％的能量偏移ΔE，離子佈植的深度及劑量無法被精準地控制，且離子佈植器所生產的產品將具有缺陷，或是品質偏離客戶的期望。
當使用者在最終能量磁鐵220中施加磁場時，使用者輸入參數以基於離子電磁剛性ρ( ion electromagnetic rigidityρ)的方程式達到所欲獲得的能量，離子電磁剛性ρ的方程式為： ρ=Br                            方程式(1) 其中B為所施加的磁場，而r為離子束之軌跡(trajectory)的半徑。所產生的磁場B總是與希望施加的磁場不同。因此，磁場偏移ΔB就此出現。此磁場偏移ΔB使得產生自最終能量磁鐵220的的磁場不同於希望施加的磁場，且輸出自最終能量磁鐵220的離子的能量將與希望的數值不同。因此，能量偏移ΔE就此出現。此能量偏移ΔE需要被校正，以達成佈植離子之精準的能量值。
第4圖顯示施加磁場B(x軸)對離子能量E(y軸)的圖表。於圖表中，根據本揭露一些實施例顯示了校準曲線(calibration curve)，且該校準曲線表示量測到的磁場B與離子能量E之間的關係，其中量測到的磁場B是藉由位於最終能量磁鐵220之中心區域的磁場探針所量測，而離子能量E是藉由量測離子軌跡之曲率半徑(radius of curvature)r以及佈植深度與涵蓋範圍(coverage)來取得。當使用者操作離子佈植器時，使用者輸入參數以將施加的磁場控制在點410的數值，並希望獲得所期望的佈植能量420。然而，由位於最終能量磁鐵220之中心區域的磁場探針所量測的實際施加的磁場，因為能量偏移ΔE會在點430的數值，且離子能量因此低於點440的數值。因此，根據本揭露一些實施例，控制離子的能量使其具有小於2％的能量偏移ΔE是必要的，且其中一個控制能量的方法便是藉由控制最終能量磁鐵220為之。
第5圖所示係根據本揭露實施例之連續製程，用於校準離子佈植設備。應理解的是，附加之操作可被添加於第5圖所示之製程的之前、之中、以及之後，且下文所述之一些操作可被替換或消除，以用於該方法之其他實施例。此外，操作/製程之順序是可交替互換的。
第5圖係根據本揭露實施例所示，用於校準最終能量磁鐵220之方法500的操作流程圖。於方法500中，根據本揭露一些實施例，於離子佈植的測試運轉後，操作S510被執行以實施晶圓驗收測試製程條件(wafer acceptance test (WAT) recipe)來測試樣品晶圓W1。根據本揭露一些實施例，實施晶圓驗收測試的目的，是測定離子軌跡半徑、佈植涵蓋範圍、以及實際施加的磁場Bactual 。根據本揭露一些實施例，實際施加的磁場Bactual 可被用於判斷實際的離子能量Eactual 。根據本揭露一些實施例，藉由被測定的離子軌跡半徑、佈植涵蓋範圍、以及實際施加的磁場Bactual 的數值，操作S520被執行以計算DC製程條件，意即，接受晶圓驗收測試之樣品晶圓W1在離子佈植的情況下，直流最終能量磁鐵220的標稱參數(nominal parameter)。基於計算出的DC製程條件，標稱施加磁場Bnominal 可被計算。藉此方式，標稱離子能量Enominal 亦可被計算。接著，操作S530被執行，以基於樣品晶圓W1之晶圓驗收測試的結果(例如：實際施加的磁場Bactual )，計算實際離子能量Eactual 。接著，操作S540被執行以查核(verify)機台的能量偏移ΔE(即|Eactual -Enominal |)。之後，操作S550被執行，使用機台的能量偏移ΔE以調諧離子佈植設備。然後，操作S560被執行以取得直流最終能量磁鐵的頻譜(spectrum)。
第6圖所示係根據本揭露實施例之連續製程，用於校準離子佈植設備。應理解的是，附加之操作可被添加於第6圖所示之製程的之前、之中、以及之後，且下文所述之一些操作可被替換或消除，以用於該方法之其他實施例。此外，操作/製程之順序是可交替互換的。第6圖係根據本揭露實施例所示，用於校準最終能量磁鐵220之方法600的操作流程圖。於方法600中，根據本揭露一些實施例，校準曲線(有著作為y軸的離子能量E，以及作為x軸的施加磁場B)在操作S610中被取得。藉由使用具有不同離子質量之各種氣體(例如：硼(boron)及氙(xenon))運行測試佈植，以執行此操作。根據本揭露一些實施例，實際施加的磁場B是由位於最終能量磁鐵220之中心區域的磁場探針所量測。實際的離子能量E是藉由在離子佈植的測試運行期間，檢查樣品晶圓所量測而得。接著，操作S620被執行以實施伺服迴路(servo loop)，以基於操作S610中所獲得的校準曲線調整最終能量磁鐵220。接著，根據本揭露一些實施例，測試運行的樣品晶圓W1被取得，且操作S630被執行，以在離子佈植的測試運行後，實施晶圓驗收測試(WAT)製程條件以測試樣品晶圓W1。根據本揭露一些實施例，實施晶圓驗收測試的目的，是測定離子軌跡半徑、佈植涵蓋範圍、以及實際施加的磁場Bactual 。根據本揭露一些實施例，實際施加的磁場Bactual 可被用於判斷實際的離子能量Eactual ，舉例來說，使用獲取自操作S610的校正曲線。根據本揭露一些實施例，藉由被測定的離子軌跡半徑、佈植涵蓋範圍、以及實際施加的磁場Bactual 的數值，操作S640被執行以計算DC製程條件，意即，接受晶圓驗收測試之樣品晶圓W1在離子佈植的情況下，直流最終能量磁鐵220的標稱參數。基於計算出的DC製程條件，標稱施加磁場Bnominal 可被計算。藉此方式，標稱離子能量Enominal 亦可被計算，舉例來說，使用獲取自操作S610的校正曲線。接著，操作S650被執行，以基於樣品晶圓W1之晶圓驗收測試的結果(例如：實際施加的磁場Bactual )，計算實際離子能量Eactual 。接著，操作S660被執行以查核機台的能量偏移ΔE(即|Eactual -Enominal |)。之後，操作S670被執行，使用機台的能量偏移ΔE以調諧離子佈植設備。然後，操作S680被執行以取得直流最終能量磁鐵的頻譜。
第7圖顯示經歷第5圖或第6圖之操作後，施加磁場B(x軸)對離子能量E(y軸)的圖表。於該圖表中，根據本揭露一些實施例，顯示了施加磁場B(x軸)對離子能量E(y軸)的校準曲線，且該校準曲線表示施加磁場B與離子能量E之間的關係，其中施加磁場B是由位於最終能量磁鐵220之中心區域的磁場探針所量測，而離子能量E是藉由量測離子軌跡之曲率半徑r及佈植深度與涵蓋範圍所取得。當使用者操作調諧過的離子佈植器時，使用者輸入參數以將施加的磁場控制在點710的數值，並希望得到位於點720之所期望的佈植能量。在藉由第5圖或第6圖之操作調諧的離子佈植器中，由位於最終能量磁鐵220之中心區域的磁場探針所量測的實際施加的磁場，其數值是在點710，這是因為能量偏移ΔE幾乎為零或小於2％，且離子能量因此不再低於點720，而是位於點720。因此，透過第5圖及第6圖的操作，佈植的離子被調諧以具有小於2％的能量偏移ΔE，且調諧過的離子佈植器所生產的精確產品，具有可控制的離子佈植深度及劑量。
第8圖所示係根據本揭露一些實施例之最終能量磁鐵的校準單元。於第8圖中，晶圓驗收測試(WAT)儀器810被操作以測試樣品晶圓W1，以取得離子束之軌跡半徑、離子佈植涵蓋範圍、以及離子佈植深度。根據本揭露一些實施例，晶圓驗收測試儀器810為硬體機械，藉由使用光學(optical)或穿隧電子(tunneling electron)的方法來測試樣品晶圓W1，以量測離子佈植深度、估計之佈植深度、離子之軌跡半徑等資料。根據本揭露一些實施例，晶圓驗收測試儀器810使用基於離子束之軌跡半徑及離子電磁剛性的方程式(1)，來計算施加的磁場。接著，根據本揭露一些實施例，來自晶圓驗收測試儀器810之結果的資料，被傳輸至直流真實能量計算器(DC real energy calculator)830，以計算實際的離子能量。在一些實施例中，直流真實能量計算器830包括校準曲線。根據本揭露一些實施例，直流真實能量計算器830包括硬體組件，例如用於執行計算功能的處理器。接著，根據本揭露一些實施例，來自直流真實能量計算器830之結果的資料，被傳輸至機台能量偏移驗證器(tool energy shift verifier)840。根據本揭露一些實施例，直流製程條件計算器(DC recipe calculator)820用於基於使用者輸入到離子佈植器的參數，來執行標稱施加磁場的計算。根據本揭露一些實施例，直流製程條件計算器820包括硬體組件，例如用於執行計算功能的處理器。之後，根據本揭露一些實施例，來自直流製程條件計算器820之結果的資料，被傳輸至機台能量偏移驗證器840。根據本揭露一些實施例，機台能量偏移驗證器840接著基於自直流製程條件計算器820及直流真實能量計算器830所取得的結果，以計算能量偏移。隨後，根據本揭露一些實施例，機台能量偏移驗證器840將結果輸出至離子佈植設備調諧單元(ion implantation apparatus tuning unit)850，離子佈植設備調諧單元850用於調諧離子佈植器的參數，舉例來說，離子佈植設備調諧單元850藉由在使用者輸入參數之後，增加/減少使用者所輸入的參數，以調諧離子佈植器的參數。然後，離子佈植設備調諧單元850將結果輸出至直流最終能量磁鐵頻譜產生器(DC FEM spectrum generator)860，以產生最終能量磁鐵220的頻譜。最終能量磁鐵220的磁譜(magnetic spectrum)將離子能量精確地調整到使用者所期望的數值。
第9圖所示係根據本揭露一些實施例之最終能量磁鐵的校準單元。於第9圖中，校準曲線獲取單元(calibration curve obtaining unit)910用於取得施加磁場(x軸)對離子能量(y軸)的校準曲線。校準曲線獲取單元910用於使用具有不同離子質量之各種氣體(例如：硼及氙)以運行測試佈植。校準曲線獲取單元910包括硬體組件，例如磁場探針及處理器。根據本揭露一些實施例，實際施加的磁場B是由位於最終能量磁鐵220之中心區域的磁場探針所量測。實際離子能量E是藉由在離子佈植的測試運行期間，檢查樣品晶圓所量測而得。校準曲線獲取單元910接著將結果輸出至伺服迴路單元(servo loop unit)920。伺服迴路單元920用於使用伺服迴路以調整最終能量磁鐵 220，以基於獲取自校準曲線獲取單元910的校準曲線來調整參數。伺服迴路單元920包括諸如處理器之硬體組件，以控制最終能量磁鐵220的參數。伺服迴路單元920接著將校準曲線及獲取自伺服迴路操作的參數，輸出至晶圓驗收測試(WAT)儀器930。第9圖之單元及操作930-980與第8圖之單元及操作810-860相同或相似。晶圓驗收測試儀器930被操作以測試樣品晶圓W1，以取得離子束之軌跡半徑、離子佈植涵蓋範圍、以及離子佈植深度。根據本揭露一些實施例，晶圓驗收測試儀器930為硬體機械，藉由使用光學或穿隧電子的方法測試樣品晶圓W1，以量測離子佈植深度、估計之佈植深度、離子之軌跡半徑等資料。根據本揭露一些實施例，晶圓驗收測試儀器930使用基於離子束之軌跡半徑及離子電磁剛性的方程式(1)，來計算施加的磁場。接著，根據本揭露一些實施例，來自晶圓驗收測試儀器930之結果的資料，被傳輸至直流真實能量計算器950，以計算實際的離子能量。在一些實施例中，直流真實能量計算器950包括校準曲線。根據本揭露一些實施例，直流真實能量計算器950包括硬體組件，例如用於執行計算功能的處理器。接著，根據本揭露一些實施例，來自直流真實能量計算器950之結果的資料，被傳輸至機台能量偏移驗證器960。根據本揭露一些實施例，直流製程條件計算器940用於基於使用者輸入離子佈植器之參數，以執行標稱施加磁場的計算。根據本揭露一些實施例，直流製程條件計算器940包括硬體組件，例如用於執行計算功能的處理器。之後，根據本揭露一些實施例，來自直流製程條件計算器940之結果的資料，被傳輸至機台能量偏移驗證器960。根據本揭露一些實施例，機台能量偏移驗證器960接著基於自直流製程條件計算器940及直流真實能量計算器950所取得的結果，來計算能量偏移。隨後，根據本揭露一些實施例，機台能量偏移驗證器960將結果輸出至離子佈植設備調諧單元970，離子佈植設備調諧單元970用於調諧離子佈植器的參數，舉例來說，離子佈植設備調諧單元970藉由在使用者輸入參數之後，增加/減少使用者所輸入的參數，來調諧離子佈植器的參數。然後，離子佈植設備調諧單元970將結果輸出至直流最終能量磁鐵頻譜產生器980，以產生最終能量磁鐵220的頻譜。最終能量磁鐵220的磁譜將離子能量精確地調整到使用者所期望的數值。
第10圖係根據本揭露一些實施例所示，離子佈植設備之電腦硬體圖式。如第10圖所示意性圖示的，離子佈植器之通用電腦，例如電腦100(見於第1圖及第2圖，且在第1圖及第2圖中稱為使用者介面100)，包括並聯連接至資料通訊之匯流排1010的多項功能單元(例如PCI類型)。特別是，中央處理單元(Central Processing Unit, CPU)1020，通常包括微處理器，中央處理單元1020控制電腦100的操作；工作記憶體1030，通常為RAM(Random Access Memory, 隨機存取記憶體)，由中央處理單元1020直接利用以執行程式，並暫時儲存資料；以及唯讀記憶體(Read Only Memory, ROM)1040，儲存用於電腦100之自我啟動(bootstrap)的基本程式。電腦100包括多項週邊單元(peripheral unit)，藉由相應之介面連接到匯流排1010。特別是，提供了允許與人類使用者互動的週邊單元，例如顯示裝置1050(例如：陰極射線管(CRT)顯示器、液晶顯示器(LCD)、發光二極體(LED)顯示器、有機發光二極體(OLED)顯示器、或電漿顯示器)、鍵盤1060、以及指示裝置(pointing device)1070(例如：滑鼠或指點杆(trackpoint))。電腦100亦包括用於區域大量儲存(local mass-storage)程式(例如：作業系統及應用程式)及資料的週邊單元，例如驅動磁性硬碟的一或多個磁性硬碟驅動器(Hard-Disk Drivers, HDD)1080、記憶卡讀取器(memory card reader)1090、以及用於讀取/寫入CD-ROM/DVD的CD-ROM/DVD驅動器2000或CD-ROM/DVD自動換片機(juke-box)。其他週邊單元亦可存在，例如用於讀取/寫入軟磁碟(floppy-disk)的軟磁碟驅動器、用於讀取/寫入記憶卡的記憶卡讀取器等等。電腦100更配備網路介面配接器(Network Interface Adapter, NIA)卡2100，用於連接諸如網際網路之資料通訊網路2200；或者，電腦100可藉由數據機(MODEM)連接至資料通訊網路2200。
本揭露所述之系統、方法、電腦程式產品及傳播訊號(propagated signal)，理所當然地可以體現於硬體中，例如在下列裝置之中或耦接至下列裝置：中央處理單元(CPU)、微處理器、微控制器、系統單晶片(System on Chip, SOC)、或其他可程式化裝置(programmable device)。此外，本揭露所述之系統、方法、電腦程式產品及傳播訊號，可以體現於被設置在被配置來儲存軟體之電腦可使用(例如：可讀取(readable))媒體中的軟體(例如：電腦可讀取編碼、程式碼、指令及/或以任何形式設置的資料，例如根源語言(source language)、目標語言(object language)或機器語言(machine language))中。這種軟體使本文所述之設備及製程的功能、製造、建模、模擬、描述及/或測試成為可能。舉例來說，這可透過下列方式實現：使用通用程式語言(例如：C、C++)、GDS Ⅱ資料庫、硬體描述語言(hardware description languages, HDL)、或其他可用程式、資料庫、奈米處理(nanoprocessing)及/或電路(即簡圖)擷取機台，其中硬體描述語言包括Verilog HDL、VHDL(Very High Speed Integrated Circuit Hardware Description Language, 超高速積體電路硬體描述語言)、以及AHDL(Altera HDL)等。這種軟體可被設置於任何已知的電腦可使用媒體中，包括半導體、磁碟、光碟(例如：CD-ROM、DVD-ROM等)，並作為電腦資料訊號體現於電腦可使用(例如：可讀取)傳輸媒體(例如：載波(carrier wave)或任何其他媒體，包括基於數位、光學或類比的媒體)中。如此一來，軟體可藉由包括網際網路及內部網路(intranet)的通訊網路來傳輸。體現於軟體中的系統、方法、電腦程式產品及傳播訊號，可被包括於半導體智慧財產權核心(intellectual property core)中(例如：體現於HDL中)，並在積體電路的生產中被轉換為硬體。此外，本文所述之系統、方法、電腦程式產品及傳播訊號，可被體現為硬體及軟體的組合。
任何合適之程式語言可被用於實施本揭露之常式(routine)，包括C、C++、Java、組合語言(assembly language)等。不同的程式設計技術可被運用，例如程序或物件導向(procedural or object oriented)。常式可在單一處理裝置或多重處理器上執行。儘管步驟、操作或計算可能被以特定的順序呈現，但在不同實施例中，此順序可被改變。在一些實施例中，在本說明書中依順序顯示的複數步驟，可在同一時間內被執行。本文所述之操作順序可被另一個程序(例如：作業系統、核心(kernel)等)中斷、暫停或以其他方式控制。常式可在作業系統環境中操作，或者作為佔據系統處理之全部或大部分的獨立常式(stand-alone routine)。
在本文的描述中，提供了許多具體細節，例如組件及/或方法的範例，以提供對本揭露實施例的通盤理解。然而，於相關技術領域具有通常知識者將會理解，本揭露之實施例可在缺少一或多個具體細節的情況下實施，或是與其他設備、系統、配件(assembly)、方法、組件、材料、部份及/或相似物一同實施。在其他例子中，習知結構、材料或操作並未具體地詳細出示及描述，以避免模糊本揭露實施例之態樣。
出於本揭露實施例之目的，「電腦可讀取媒體」可為任何媒體，這些媒體可包含、儲存、通訊、傳播、或傳輸程式，以供指令執行系統、設備、系統或裝置使用，或是與指令執行系統、設備、系統或裝置通訊。僅作為範例而非限制，電腦可讀取媒體可為電子、磁性、光學、電磁、紅外線或半導體系統、設備、系統、裝置、傳播媒體或電腦記憶體。
「處理器」或「處理」包括處理資料、訊號、或其他資訊的任何人、硬體及/或軟體系統、機械或組件。處理器可包括具有通用中央處理單元、多重處理單元、用於實施功能的專用電路或其他系統的系統。處理不必限於地理位置(geographic location)，或是具有時間限制(temporal limitation)。舉例來說，處理器可在「及時」、「離線」、「批量模式」等情況下，執行它的功能。處理的部分可由不同的(或相同的)處理系統在不同的時間及不同的位置執行。
遍及本說明書之「一個實施例」、「一實施例」、或「特定實施例」表示結合該實施例描述的特徵、結構、或特性，被包含於本揭露之至少一個實施例中，且沒有出現在所有實施例中的必要。因此，遍及本說明書出現於各處的慣用語「在一個實施例中」、「於一實施例中」、或「在特定實施例中」，並非指向同一個實施例。此外，本揭露之任何特定實施例的特定特徵、結構、或特性，可用任何合適之方式與一或多個其他實施例組合。應理解的是，本文所述或所繪之本揭露實施例的其他變化或修改，在本文之教示下是可能的，且被認為是本揭露之精神及範圍的一部分。
本揭露之實施例可藉由程式化之通用數位電腦(programmed general purpose digital computer)，或是藉由特定應用積體電路(application specific integrated circuit)來執行，此外，亦可使用可程式化邏輯裝置(programmable logic devices)、現場可程式化閘陣列(field programmable gate array)、光學、化學、生物、量子或奈米工程(nanoengineered)系統、組件及機械。一般而言，本揭露之功能可藉由本技術領域已知之方式達成。分散式(distributed)或網路式(networked)系統、組件及電路可被使用。
資料的通訊或傳輸可藉由有線、無線或任何其他方式執行。
亦須理解的是，描繪於附圖/圖式中的一或多個組件，亦可以更加分離或更加整合的方式被執行，更甚者，在特定情況下可被移除或呈現為不可操作，但根據特定應用是有用處的。
執行可儲存於機器可讀取媒體中以允許電腦執行上述任何方法的程式或編碼亦在本揭露之精神及範圍內。
此外，除非另外特別指出，否則附圖/圖式中的任何訊號箭頭應僅被視為範例性而非限制性的。除此之外，除非另有說明，否則本文所用之術語「或」通常旨於表示「及/或」。
組件或步驟的結合將被認為如同本文已記錄在案的，其中術語被預見為使得分離或組合的能力不清楚。
如本文之敘述及隨後之申請專利範圍中所使用的，「一個」、「一」及「該」包括複數指代，除非上下文另有明確說明。此外，如本文之敘述及隨後之申請專利範圍中所使用的，「在...中」的含義包括「在...中」及「在...上」，除非上下文另有明確說明。
使用上述方法，例如第5圖及第6圖中的方法，最終能量磁鐵220的校準主要涉及電腦計算，無需改變氣體鋼瓶以進行許多費力之實驗以取得校準曲線圖。因此，校準方法減少了離子佈植設備之校準所需的時間，特別是在有許多離子佈植設備需要被校準的時候。
應理解的是，並非所有優點都必須在本文中討論，並非所有實施例或範例都需要特定的優點，且其他實施例或範例可以提供不同的優點。
根據本揭露一些實施例，揭露一種調諧離子佈植設備的方法。上述方法包括實施晶圓驗收測試(WAT)製程條件至測試樣品的操作。計算直流(DC)最終能量磁鐵(FEM)之製程條件的操作。計算直流最終能量磁鐵之真實能量的操作。查核機台能量偏移的操作。基於查核過的機台能量偏移，調諧離子佈植設備的操作。取得直流最終能量磁鐵之磁譜的操作。上述方法更包括取得直流最終能量磁鐵之校準曲線的操作。上述方法更包括執行伺服迴路以調整直流最終能量磁鐵之參數的操作。直流最終能量磁鐵的製程條件包括一施加磁場。機台能量偏移的查核，是藉由計算標稱能量與真實能量之間的差距為之。標稱能量的取得，是藉由計算標稱施加磁場為之。標稱施加磁場的計算，是基於使用者所輸入的參數為之。真實能量的取得，是藉由透過取得自實施晶圓驗收測試製程條件至測試樣品之製程的資料，計算實際施加磁場來取得。
根據本揭露一些實施例，揭露一種調諧最終能量磁鐵(FEM)方法。上述方法包括取得直流最終能量磁鐵之校準曲線的操作。執行伺服迴路以調整直流最終能量磁鐵之參數的操作。實施晶圓驗收測試(WAT)製程條件至測試樣品的操作。計算直流(DC)最終能量磁鐵(FEM)之製程條件的操作。計算直流最終能量磁鐵之真實能量的操作。查核機台能量偏移的操作。基於查核過的機台能量偏移，調諧直流最終能量磁鐵的操作。取得直流最終能量磁鐵之峰值頻譜的操作。用於直流最終能量磁鐵的製程條件包括一施加磁場。機台能量偏移的查核，是藉由計算標稱能量與真實能量之間的差距為之。標稱能量的取得，是藉由計算標稱施加磁場為之。標稱施加磁場的計算，是基於使用者所輸入的參數為之。真實能量的取得，是藉由透過取得自上述實施晶圓驗收測試製程條件至測試樣品之製程的資料，計算實際施加磁場來取得。
根據本揭露一些實施例，揭露一種離子佈植系統。上述系統包括樣品載台、離子槍、靜電線性加速器、以及直流(DC)最終能量磁鐵(FEM)。上述直流最終能量磁鐵藉由下列操作調諧：實施晶圓驗收測試(WAT)製程條件至樣品載台上的測試樣品；計算直流最終能量磁鐵的製程條件；計算直流最終能量磁鐵的真實能量；查核直流最終能量磁鐵的機台能量偏移；基於查核過的機台能量偏移，調諧直流最終能量磁鐵；以及取得直流最終能量磁鐵的峰值頻譜。上述系統更包括藉由取得直流最終能量磁鐵的校準曲線，調諧直流最終能量磁鐵。此外，上述系統更包括藉由執行伺服迴路以調整直流最終能量磁鐵的參數，以調諧直流最終能量磁鐵。用於直流最終能量磁鐵的製程條件包括一施加磁場。機台能量偏移的查核，是藉由計算標稱能量與真實能量之間的差距為之。標稱能量的取得，是藉由計算標稱施加磁場為之。
前述內文概述多項實施例或範例之特徵，如此可使於本技術領域中具有通常知識者更佳地瞭解本揭露。本技術領域中具有通常知識者應當理解他們可輕易地以本揭露為基礎設計或修改其他製程及結構，以完成相同之目的及/或達到與本文介紹之實施例或範例相同之優點。本技術領域中具有通常知識者亦需理解，這些等效結構並未脫離本揭露之精神及範圍，且在不脫離本揭露之精神及範圍之情況下，可對本揭露進行各種改變、置換以及變更。
100:使用者介面 110:離子源載入腔體 120:過渡通道 130:容器 140:電弧腔體 150:萃取電極 160:離子佈植腔體 170:分析器磁鐵 180:四極透鏡區域 190:掃描電極 200:平行透鏡 210:加速/減速管柱 220:最終能量磁鐵 230:樣品腔體 240:旋轉盤 250:束阻擋器 260:機械手臂 270:過渡通道 280:晶圓載入腔體 W、W1、W2:晶圓 ΔE:能量偏移 410-440:點 500:方法 S510-S560:操作 600:方法 S610-S680:操作 710、720:點 810:晶圓驗收測試儀器 820:直流製程條件計算器 830:直流真實能量計算器 840:機台能量偏移驗證器 850:離子佈植設備調諧單元 860:直流最終能量磁鐵頻譜產生器 910:校準曲線獲取單元 920:伺服迴路單元 930:晶圓驗收測試儀器 940:直流製程條件計算器 950:直流真實能量計算器 960:機台能量偏移驗證器 970:離子佈植設備調諧單元 980:直流最終能量磁鐵頻譜產生器 1010:匯流排 1020:中央處理單元 1030:工作記憶體 1040:唯讀記憶體 1050:顯示裝置 1060:鍵盤 1070:指示裝置 1080:磁性硬碟驅動器 1090:記憶卡讀取器 2000:CD-ROM/DVD驅動器 2100:網路介面配接器卡 2200:資料通訊網路
本揭露從後續實施方式及附圖可更佳理解。須強調的是，依據產業之標準作法，各種特徵並未按比例繪製，並僅用於說明之目的。事實上，各種特徵之尺寸可能任意增加或減少以清楚論述。 第1圖所示係根據本揭露實施例之離子佈植器的俯視平面圖。 第2圖所示係根據本揭露其他實施例之離子佈植器的俯視平面圖。 第3圖係根據本揭露一些實施例所示，機台(x軸)對能量E(y軸)之圖表，表示獲取自不同離子佈植器(即機台A、B、C、D、E及F)之最終能量磁鐵(FFM)的能量變化ΔE。 第4圖所示係根據本揭露一些實施例之施加磁場B(x軸)對能量E(y軸)的圖表，表示能量變化ΔE。 第5圖係根據本揭露實施例所示，用於最終能量磁鐵校準之操作的流程圖。 第6圖係根據本揭露其他實施例所示，用於最終能量磁鐵校準之操作的流程圖。 第7圖係根據本揭露一些實施例所示，經歷第5圖或第6圖之操作後，施加磁場B(x軸)對能量E(y軸)的圖表，表示能量變化ΔE。 第8圖所示係根據本揭露實施例之最終能量磁鐵的校準單元。 第9圖所示係根據本揭露其他實施例之最終能量磁鐵的校準單元。 第10圖係根據本揭露一些實施例所示，離子佈植設備之電腦硬體圖式。
600:方法
S610-S680:操作

Claims (20)

  1. 一種調諧離子佈植設備的方法，包括： 實施一晶圓驗收測試(WAT)製程條件至一測試樣品； 計算一直流(DC)最終能量磁鐵(FEM)的一製程條件； 計算上述直流最終能量磁鐵的一真實能量； 查核一機台能量偏移； 基於查核過的上述機台能量偏移，調諧上述離子佈植設備；以及 取得上述直流最終能量磁鐵的一磁譜。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之調諧離子佈植設備的方法，更包括： 取得上述直流最終能量磁鐵的一校準曲線。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之調諧上述離子佈植設備的方法，更包括： 執行伺服迴路以調整上述直流最終能量磁鐵的複數參數。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之調諧上述離子佈植設備的方法，其中上述直流最終能量磁鐵的上述製程條件包括一施加磁場。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之調諧離子佈植設備的方法，其中 上述機台能量偏移的查核，是藉由計算一標稱能量與上述真實能量之間的差距為之。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之調諧上述離子佈植設備的方法，其中上述標稱能量的取得，是藉由計算一標稱施加磁場為之。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之調諧上述離子佈植設備的方法，其中上述標稱施加磁場的計算，是基於一使用者所輸入的參數為之。
  8. 如申請專利範圍第5項所述之調諧離子佈植設備的方法，其中上述真實能量的取得，是藉由透過取得自上述實施上述晶圓驗收測試製程條件至上述測試樣品之製程的資料，計算一實際施加磁場來取得。
  9. 一種調諧最終能量磁鐵(FEM)的方法，包括： 取得一直流最終能量磁鐵的一校準曲線； 執行伺服迴路以調整上述直流最終能量磁鐵的複數參數； 實施一晶圓驗收測試(WAT)製程條件至一測試樣品； 計算上述直流(DC)最終能量磁鐵(FEM)的一製程條件； 計算上述直流最終能量磁鐵的一真實能量； 查核一機台能量偏移； 基於查核過的上述機台能量偏移，調諧上述直流最終能量磁鐵；以及 取得上述直流最終能量磁鐵的一峰值頻譜。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之調諧上述最終能量磁鐵的方法，其中上述直流最終能量磁鐵的上述製程條件包括一施加磁場。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之調諧上述最終能量磁鐵的方法，其中 上述機台能量偏移的查核，是藉由計算一標稱能量與上述真實能量之間的差距為之。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之調諧上述最終能量磁鐵的方法，其中 上述標稱能量的取得，是藉由計算一標稱施加磁場為之。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之調諧上述最終能量磁鐵的方法，其中上述標稱施加磁場的計算，是基於一使用者所輸入的參數為之。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之調諧上述最終能量磁鐵的方法，其中上述真實能量的取得，是藉由透過取得自上述實施上述晶圓驗收測試製程條件至上述測試樣品之製程的資料，計算一實際施加磁場來取得。
  15. 一種離子佈植系統，包括： 一樣品載台； 一離子槍； 一靜電線性加速器；以及 一直流(DC)最終能量磁鐵(FEM)，藉由下列操作調諧： 實施一晶圓驗收測試(WAT)製程條件至上述樣品載台上的一測試樣品； 計算上述直流最終能量磁鐵的一製程條件； 計算上述直流最終能量磁鐵的一真實能量； 查核上述直流最終能量磁鐵的一機台能量偏移； 基於查核過的上述機台能量偏移，調諧上述直流最終能量磁鐵；以及 取得上述直流最終能量磁鐵的一峰值頻譜。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之離子佈植系統，更包括： 藉由取得上述直流最終能量磁鐵的一校準曲線，調諧上述直流最終能量磁鐵。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之離子佈植系統，更包括： 藉由執行伺服迴路以調整上述直流最終能量磁鐵的複數參數，以調諧上述直流最終能量磁鐵。
  18. 如申請專利範圍第15項所述之離子佈植系統，其中 上述直流最終能量磁鐵的上述製程條件包括一施加磁場。
  19. 如申請專利範圍第15項所述之離子佈植系統，其中上述機台能量偏移的查核，是藉由計算一標稱能量與上述真實能量之間的差距為之。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之離子佈植系統，其中上述標稱能量的取得，是藉由計算一標稱施加磁場為之。
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