TW202017244A

TW202017244A - 共用輻射器多頻帶天線系統

Info

Publication number: TW202017244A
Application number: TW108134833A
Authority: TW
Inventors: 艾倫敏崔特傳
Original assignee: 美商高通公司
Priority date: 2018-09-28
Filing date: 2019-09-26
Publication date: 2020-05-01
Also published as: US10734709B2; CN112805877A; WO2020068777A1; US20200106157A1; EP3857640A1

Abstract

一種無線通訊天線系統的實例，包括低於6 GHz的天線，其包括輻射器，該輻射器被配置為輻射或接收具有第一頻率的第一能量，該第一頻率低於6 GHz，該輻射器具有導電性；第一饋電，其被配置和設置為將第一能量電耦合到輻射器或從輻射器電耦合第一能量；及第二饋電，其被配置和設置為將第二能量電耦合到輻射器或從輻射器電耦合第二能量，該第二能量具有第二頻率，該第二頻率高於23 GHz；其中輻射器被配置為輻射或接收第二能量。

Description

共用輻射器多頻帶天線系統

本揭示係關於共用輻射器多頻帶天線系統。

無線通訊設備越來越普及且越來越複雜。例如，行動電信設備已經從簡單電話發展到具有多種通訊能力（例如，多種蜂巢通訊協定、Wi-Fi、BLUETOOTH®，以及其他短距離通訊協定）、超級計算處理器、相機等的智慧型電話。無線通訊設備具有天線，以支援一頻率範圍內的通訊。

通常，期望具有多種通訊技術，例如，以同時啟用多種通訊協定及/或提供不同的通訊能力。例如，隨著無線通訊技術從4G進化到5G或進化到不同WLAN標準，例如，行動通訊設備可以被配置為使用不同頻率進行通訊，該等不同頻率包括通常用於4G和某些WLAN通訊的低於6 GHz的頻率，以及用於5G和其他WLAN通訊的毫米波頻率（例如，高於23 GHz）。然而，可能難以使用不同頻率，尤其是使用具有小形狀因數的行動無線通訊設備進行通訊。

無線通訊天線系統的實例包括低於6 GHz的天線，其包括輻射器，該輻射器被配置為輻射或接收具有第一頻率的第一能量，該第一頻率低於6 GHz，該輻射器具有導電性；第一饋電，其被配置和設置為將第一能量電耦合到輻射器或從輻射器電耦合該第一能量。第二饋電，其被配置和設置為將第二能量電耦合到輻射器或從該輻射器電耦合第二能量，該第二能量具有第二頻率，該第二頻率高於23 GHz；其中輻射器被配置為輻射或接收第二能量。

此種系統的實施方式可以包括以下特徵中的一或多個特徵。第二饋電被配置為將第二能量的相應部分耦合到輻射器的複數個位置之每一者位置。輻射器限定複數個縫隙，其中複數個縫隙之每一者縫隙被設置在複數個位置中的相應位置處。第二饋電包括複數個微帶線，複數個微帶線之每一者微帶線皆覆蓋複數個縫隙中的相應縫隙。第二饋電在複數個位置之每一者位置處被實體地或寄生地耦合到輻射器。輻射器包括細長導電材料帶，其在複數個位置的每個位置處的寬度為第二頻率下的波長的約一半的倍數。第一饋電被配置和設置為在第一位置處將第一能量耦合到輻射器，複數個位置是複數個第二位置，並且複數個第二位置之每一者位置從第一位置被位移第二頻率下的波長的約四分之一的相應奇數倍。

此外或可替代地，此種系統的實施方式可以包括以下特徵中的一或多個特徵。輻射器包括行動無線通訊設備的殼體的一部分。輻射器被配置為沿著輻射器的長度輻射第一能量，並且沿著輻射器的寬度輻射第二能量。輻射器具有第一頻率下的波長的約一半的倍數的長度，並且輻射器具有第二頻率下的波長的約一半的倍數的寬度。第二饋電被配置和設置為在沿著輻射器的長度彼此位移的複數個位置處將第二能量電耦合至輻射器或從輻射器電耦合第二能量。輻射器在複數個位置之每一者位置處的寬度是第二頻率下的波長的約一半的倍數。第一饋電被配置和設置為在第一位置處將第一能量耦合到輻射器或從輻射器耦合第一能量，複數個位置是複數個第二位置，並且複數個第二位置之每一者位置從第一位置被位移約為第二頻率下的波長的約四分之一的相應奇數倍。

此外或可替代地，此種系統的實施方式可以包括以下特徵中的一或多個特徵。該天線系統亦可以包括第一源，其被配置為提供第一能量，第一饋電被耦合到第一源和輻射器；及第二源，其被耦合到第二饋電並且被配置為向第二饋電提供第二能量。輻射器是第一頻率下的單極輻射器。輻射器是第一頻率下的偶極輻射器。輻射器是迴路輻射器。

此外或可替代地，此種系統的實施方式可以包括以下特徵中的一或多個特徵。輻射器是單極輻射器，其限定了複數個縫隙以輻射第二能量，並且第二饋電被配置和設置為在對應於複數個縫隙的複數個位置處將第二能量電耦合到輻射器，使得第二能量將被耦合到輻射器並且在複數個縫隙處從輻射器輻射。複數個縫隙之每一者縫隙的長度基本平行於輻射器的長度。第二饋電包括複數個微帶線，複數個微帶線之每一者微帶線皆覆蓋複數個縫隙中的相應一個縫隙。複數個縫隙之每一者縫隙的長度基本上橫向於輻射器的長度。第一饋電被配置和設置為在第一位置處將第一能量耦合到輻射器，複數個位置是複數個第二位置，並且複數個第二位置之每一者位置從第一位置被位移第二頻率下的波長的約四分之一的相應奇數倍。

射頻能量傳送方法的實例，包括：將第一能量耦合到輻射器或從輻射器耦合第一能量，該第一能量具有第一頻率，該第一頻率低於6 GHz；將第二能量耦合到輻射器或從輻射器耦合第二能量，第二能量具有第二頻率，第二頻率高於23 GHz；及，在一或多個接收電路中，從輻射器輻射第一能量和第二能量，或者從輻射器處理第一能量和第二能量。

此種方法的實施方式可以包括以下特徵中的一或多個特徵。將第一能量耦合到輻射器或從輻射器耦合第一能量包括：沿著輻射器的長度將第一能量耦合到輻射器或從輻射器耦合第一能量；並且將第二能量耦合到輻射器或從輻射器耦合第二能量包括：在沿著輻射器的複數個位置中的相應位置處，將第二能量耦合到複數個縫隙或從複數個縫隙耦合第二能量，每個縫隙由輻射器限定。將第一能量耦合到輻射器或從輻射器耦合第一能量包括：沿著輻射器的長度將第一能量耦合到輻射器或從輻射器耦合第一能量；並且將第二能量耦合到輻射器或從輻射器耦合第二能量包括：在沿著輻射器的複數個位置之每一者位置處，在輻射器的寬度上將第二能量耦合到輻射器或從輻射器耦合第二能量。耦合第一能量包括：在沿著輻射器的長度的第一位置處耦合第一能量；並且將第二能量耦合到輻射器或從輻射器耦合第二能量包括：從第一位置以第二頻率下的波長的四分之一的相應奇數倍數耦合第二能量的相應部分。

本文中對用於使用無線通訊設備中的共置天線在多個頻帶中進行通訊的技術進行論述。例如，共用導電元件可以被用於輻射兩個不同頻帶中的能量。例如，導電輻射器可以被配置為輻射較低頻帶（例如，低於6 GHz的頻帶）中的能量，並且提供被配置為輻射較高頻帶（例如，高於23 GHz）中的能量的縫隙陣列。可以向陣列饋電毫米波能量以經由陣列進行輻射。作為另一實例，導電輻射器可以被配置為沿著輻射器的長度而被諧振，以輻射較低頻帶（例如，低於6 GHz的頻帶）中的能量，並且可以跨輻射器的寬度而被諧振，以輻射較高頻帶（例如，高於23 GHz）中的能量。輻射器在每個位置處的寬度（例如，是較高頻率下的波長的一半的倍數）可以饋電有在較高頻率下諧振的較高頻率能量。共用導電元件可以是用於輻射低頻能量的單極子。然而，可以使用其他配置。

本文中所描述的項目及/或技術可以提供以下能力中的一項或多項能力以及未提及的其他能力。使用無線通訊設備的不同頻帶的通訊可以在不同頻帶的信號之間被提供以良好隔離性，並且可以從共置天線獲得良好的天線效能。導電設備可以兼用作多個頻帶（例如，低於6 GHz的頻帶和毫米波頻帶）的輻射器。相對於單頻帶通訊，通訊頻寬可以被增加。載波聚合能力可以被增強，因此，系統輸送量被增加。多頻帶天線系統可以被提供以較小形狀因數，例如，4G/5G天線系統或被配置為與低於6 GHz的WLAN標準和毫米波WLAN標準一起使用的天線系統可以佔據與僅4G或WLAN低於6 GHz的天線系統相同的形狀因數。行動通訊設備的結構完整性可以被維持或改良。其他能力可以被提供，並非根據本揭示的每個實施方式皆必須提供所論述的任何能力，更不用說全部了。進一步地，可以經由除了所指出的方式之外的方式來實施上文所指出的效果，並且所指出的項目/技術可能不必產生所指出的效果。

參照圖1，通訊系統10包括行動設備12、網路14、伺服器16，以及存取點（AP）18、20。系統10是無線通訊系統，其中系統10的各個元件可以直接或間接（例如，經由網路14及/或存取點18、20中的一或多個存取點（及/或一或多個其他未圖示的設備，諸如一或多個基地站收發機））相互通訊（至少有時使用無線連接）。對於間接通訊，通訊可以在從一個實體到另一實體的傳輸期間被更改，例如，以更改資料封包的標頭資訊、改變格式等。所示的行動設備12是行動無線通訊設備（儘管行動設備12可以無線和經由有線連接進行通訊），其包括手機（包括智慧手機）、膝上型電腦，以及平板電腦。其他行動設備皆可以被使用，無論是當前存在的還是未來開發的。進一步地，其他無線設備（無論是否為行動式）皆可以在系統10內被實施，並且可以彼此通訊及/或與行動設備12、網路14、伺服器16及/或AP 18、20通訊。例如，此種其他設備可以包括物聯網路（IoT）設備、醫療設備、家庭娛樂，及/或自動化設備等。行動設備12或其他設備可以被配置為在不同的網路中及/或出於不同的目的進行通訊（例如，5G、Wi-Fi通訊、Wi-Fi通訊的多種頻率、衛星定位、一或多個類型的蜂巢通訊（例如，GSM（全球行動系統）、CDMA（分碼多工存取）、LTE（長期進化））等）。

參照圖2，圖1中所示的行動設備12中的一個行動設備的實例包括頂蓋52、顯示層54、印刷電路板（PCB）層56，以及底蓋58。所示的行動設備12可以是智慧型電話或平板電腦，但是論述不限於該等設備。頂蓋52包括螢幕53。底蓋58具有底部表面59，並且頂蓋52和底蓋58的側面51、57提供邊緣表面。頂蓋52和底蓋58可以包括殼體，該殼體保持顯示層54、PCB層56，以及行動設備12的其他元件，該等元件可以在或不在PCB層56上。例如，殼體可以保留（例如，保持、容納）天線系統、前端電路、中頻電路，以及下文所論述的處理器。殼體是基本上矩形的，在所圖示的實施例中具有兩組平行邊緣。在該實例中，殼體具有圓角，儘管殼體可以是基本上矩形的，其具有其他形狀的角部，例如，平角（例如，45°）角部、90°、其他非平角角部等。進一步地，PCB層56的尺寸/及/或形狀可能與頂蓋或底蓋中的任一個的尺寸及/或形狀不相稱，或與設備的周邊不相稱。例如，PCB層56可以具有切口以容納電池。因此，熟習此項技術者應當理解，除了所圖示的彼等實施例之外的PCB層56的實施例可以被實施。設備12可以具有帶有非金屬（例如，塑膠）後蓋的金屬框架，或者可以帶有金屬襯墊，其例如具有開槽的金屬襯墊殼體，該殼體具有金屬框架。

亦參考圖3，PCB層56的實例包括主部分60和兩個天線系統62、64。在所示的實例中，天線系統62、64被設置在PCB層56（因此，在該實例中，行動設備12（例如，行動設備12的殼體））的相對端63、65處。主部分60包括PCB 66，該PCB 66包括前端電路70、72（亦被稱為射頻（RF）電路）、中頻（IF）電路74，以及處理器76。前端電路70、72被配置為提供要被輻射到天線系統62、64的信號，並且接收和處理由前端電路70、72從天線系統62、64接收並且從該天線系統62、64提供給前端電路70、72的信號。前端電路70、72被配置為將從IF電路74接收到的IF信號轉換為RF信號（適當地用功率放大器放大），並且將RF信號提供給天線系統62、64以進行輻射。前端電路70、72被配置為將由天線系統62、64接收的RF信號轉換為IF信號（例如，使用低雜訊放大器和混頻器），並且將IF信號發送到IF電路74。IF電路74被配置為將從前端電路70、72接收的IF信號轉換為基頻信號，並且將基頻信號提供給處理器76。IF電路74亦被配置為將由處理器76提供的基頻信號轉換為IF信號，並且將IF信號提供給前端電路70、72。處理器76被通訊地耦合到IF電路74，該IF電路74被通訊地耦合到前端電路70、72，該等前端電路70、72分別被通訊地耦合到天線系統62、64。在一些實施例中，例如，當前端電路70及/或72不需要其他升頻轉換時，可以經由旁路前端電路70及/或72而將傳輸信號從IF電路74提供給天線系統62及/或64。經由旁路前端電路70及/或72，信號亦可以從天線系統62及/或64被接收。在其他實施例中，與IF電路74分開的收發機被配置為向天線系統62及/或64提供傳輸信號及/或從天線系統62及/或64接收信號，而無須將該等信號傳遞經由前端電路70及/或72。

在圖3中，將天線系統62、64與PCB 66分開的虛線71、73指示天線系統62、64（及其元件）與PCB層56的其他部分的功能分離。天線系統62、64的部分可以與PCB 66一體形成，從而形成為PCB 66的整合元件。天線系統62及/或天線系統64的一或多個元件可以與PCB 66一體形成，並且一或多個其他元件可以與PCB 66分開而被形成並且被安裝到PCB 66，或者以其他方式被製成PCB層56的一部分。或者，天線系統62、64之每一者天線系統可以與PCB 66分開而被形成，並且被安裝到PCB 66，並且分別地被耦合到前端電路70、72。天線系統62、64可以彼此相似地配置或彼此不同地配置。例如，天線系統62、64中的任一天線系統的一或多個元件可以被省略。作為實例，天線系統62可以包括4G輻射器和5G輻射器，而天線系統64可以不包括（可以省略）5G輻射器。在其他實例中，天線系統62、64中的整個天線系統可以被省略。

此外或可替代地，天線系統62、64的一或多個部分可以形成設備12的殼體的一部分，例如，設備12的底蓋58的一部分。例如，輻射器（如下文所進一步論述的）可以代替底蓋58的一部分，例如，底蓋58的一側的一部分，從而代替設備12的一側的一部分。例如，天線系統62的輻射器可以代替設備12的頂側的全部或一部分，以及設備12的左側和右側的各部分，及/或天線系統64的輻射器可以代替設備12的底側的全部或一部分，以及設備12的左側和右側的各部分。

顯示層54的顯示器61（見圖2）可以大致地覆蓋與PCB 66相同的區域，並且用作天線系統62、64的至少部分（例如，饋電線（以及設備12的可能的其他元件））的系統接地平面。顯示器61被設置在天線系統62下方和天線系統64上方（其中「上方」和「下方」相對於行動設備12，亦即，行動設備12的頂部位於其他元件上方，而與行動設備12相對於地球的方位無關）。

亦參考圖4至圖6，作為例如在無線通訊中使用的天線系統62的實例的天線系統102包括低頻天線子系統104和高頻天線子系統106。因此，天線系統102是多頻帶（例如，雙頻帶）天線系統，其被配置為輻射具有高頻的高頻能量，例如，高於23 GHz（諸如約28 GHz（例如，28 GHz±1.5 GHz），或大約39 GHz，或60 GHz範圍內，或71 GHz或更高的毫米波能量），並且輻射具有低頻的低頻能量，例如，低於6 GHz的頻率（亦即，低於6 GHz的頻率）下的低於6 GHz的能量，例如，約0.859 GHz（例如，0.859 GHz±0.035 GHz）。該等頻率是實例，並且子系統82可以被配置為輻射其他頻率。在一些實施例中，不同頻帶中的該等頻率可以支援單個系統或無線電存取技術（例如，具有低於6 GHz的頻帶和毫米波頻帶的5G系統）的不同頻帶，或複數個系統或無線電存取技術（例如，4G系統、5G系統、WLAN系統和藍芽系統以及其他可能系統中的兩個或更多個）的不同頻帶。

為了輻射不同的頻率，天線系統102可以被配置有單個輻射器，該單個輻射器被配置為在不同的頻率下諧振。單個輻射器可以被配置為提供不同的諧振結構以在不同頻率下諧振。

低頻天線子系統104包括輻射器108，該輻射器108經由低頻饋電110被耦合到前端電路70，並且被配置為輻射低頻能量。低頻饋電110被配置和設置為將低頻能量電耦合（例如，導電地耦合）到輻射器108或從輻射器108耦合低頻能量，以使輻射器108諧振並且輻射低頻能量。輻射器108被配置為輻射或接收低頻能量。儘管論述集中於天線子系統104、106的能量輻射，但是天線子系統可以此外或可替代地接收相應頻率的能量。

高頻天線子系統106包括輻射器108的一部分，其經由高頻饋電112而被耦合到前端電路70，並且被配置為輻射或接收高頻能量。在該實例中，輻射器108的被包括在高頻天線子系統106中的部分限定縫隙114（本文中為四個縫隙114，在圖5中所示的輻射器108的透視圖中更清楚可見），並且高頻饋電112包括四個饋電線116，其中每個饋電線116對應於縫隙114中的相應縫隙。高頻饋電112（本文中為饋電線116）被配置和設置為將高頻能量電耦合到輻射器108的多個相應位置或從該輻射器108的多個相應位置電耦合高頻能量。本文中，饋電線116是柔性印刷電路（FPC）118的一部分，並且每個饋電線116是微帶線，其在縫隙114中的一個對應縫隙的長度上並且垂直於其延伸。如所圖示的，FPC 118和饋電線116可以被耦合到前端電路70，以便從前端電路70伸出（例如，大致地垂直於PCB 66）並且折彎或彎曲遠離PCB 66，使得FPC 118的一部分和饋電線116處於大致地垂直於PCB 66及/或平行於輻射器108。從圖4中可以看出，微帶線之每一者微帶線的一部分覆蓋縫隙114中的相應縫隙，以將高頻能量的相應部分寄生地耦合到縫隙114之每一者縫隙。更多的高頻能量可以被耦合到輻射器108，本文中為縫隙114，而非最終由輻射器108（本文中為縫隙114）輻射。饋電線110，116之每一者饋電線可以包括適當的阻抗匹配電路，該阻抗匹配電路可以被包括在前端電路70中。前端電路70可以包括用於低頻天線子系統104及/或高頻天線子系統106的調諧電路系統。

與低頻饋電110結合的輻射器108包括單極天線，在圖4中，該單極天線被圖示為折疊的單極天線。輻射器108包括導電材料，諸如細長導電材料（諸如金屬）帶。輻射器108具有是低於6 GHz的頻率下的波長（例如，0.4λ至0.6λ）的約一半的倍數的長度120。因此，輻射器108在低頻（例如，低於6 GHz的頻率）下諧振，並且沿著輻射器108的長度輻射。短路可以被連接到輻射器108，例如，靠近輻射器108的端部122，使得輻射器108與饋電110和短路一起形成倒F形天線。或者，低於6 GHz的輻射器可以被配置為偶極子而非單極子，或被配置為另一種形式的輻射器，諸如迴路。

輻射器108被形成有（限定）縫隙114，使得輻射器108在期望頻率或多個期望頻率下從縫隙114輻射。輻射器108被配置為限定縫隙114，使得縫隙114在每個期望輻射頻率下的長度為波長的一半的倍數。例如，縫隙114在高頻（例如，諸如28 GHz、39 GHz、60 GHz等的毫米波頻率）下可以長約半個波長（例如，介於0.45λ與0.55λ之間）。若介電質佔據縫隙114，則該等長度是介電質中的波長。例如，縫隙114可以由底蓋58的塑膠填充，例如，以抑制水進入設備12。縫隙114可以約為一個高頻（例如，28 GHz）下的波長的一半，以及約為一或多個其他高頻（例如，60 GHz）下的波長（例如，介於0.95λ和1.05λ之間）或一半波長的其他倍數，其例如可以被用於輻射和接收能量，以根據802.11ad/ay協定進行通訊。例如，縫隙114可以各自長約5 mm（例如，介於4.5 mm和5.5 mm之間），其中該長度在60 GHz下為約1λ並且在28 GHz下為約0.47λ。所示的縫隙114具有與輻射器108的長度基本上平行（例如，在平行的5°以內）的長度。或者，縫隙可以被設置為基本上橫向（例如，在垂直的5°以內）於輻射器的長度，其中饋電線橫向於縫隙的長度。

圖4和圖5中所示的縫隙114的配置僅是實例而非限制。例如，可以使用其他數量（更多或更少）的縫隙。作為另一實例，一或多個縫隙的長度可以基本上橫向於限定縫隙的輻射器的長度（例如，參見圖7）。作為另一實例，儘管縫隙114被示為線性對準，但是縫隙可以相對於彼此以其他佈置設置，例如，類似形狀和饋電的縫隙的二維陣列（例如，參見圖8；饋電線沒有被圖示），或不同形狀及/或饋電的縫隙的二維陣列（例如，一行在一個頻率下被饋電，另一行在不同頻率下被饋電（例如，參見圖9；饋電線沒有被圖示））。作為另一實例，儘管縫隙114被示為使用相同極化而被激勵，但是縫隙可以被佈置和饋電以用於不同極化（例如，一或多個縫隙被佈置和饋電用於垂直極化，以及一或多個縫隙被佈置和饋電用於水平極化（例如，參見圖10））。作為另一實例，一或多個縫隙可以被配置和饋電用於多極化輻射，例如，饋電用於雙極化輻射（例如，縫隙（例如，圖11中的縫隙140）可以是正方形並且饋電用於類似頻率的雙極化輻射，或縫隙（例如，圖11中的縫隙142）可以是矩形並且在長度和寬度上以不同的頻率饋電，以輻射具有不同極化的不同頻率等）。亦可以使用縫隙的其他配置，例如，上文所論述的配置的組合。

縫隙114和饋電線116被設置為在抑制低頻能量與高頻能量的干擾的同時提供高頻能量的射束轉向。縫隙114的中心到中心間隔可以小於波長，以在抑制產生光柵波瓣的同時准許射束轉向。例如，縫隙114的中心到中心間隔可以約為自由空間中高頻能量的波長的一半。為了抑制低頻能量的諧波與高頻能量的輻射位置（本文中，具有縫隙114）的耦合，從而抑制低頻能量的諧波與高頻能量的干擾，縫隙114可以相對於低頻饋電110被設置在高頻能量的電流幅度低的位置（亦即，高頻能量的冷點）處或附近。例如，縫隙114的中心可以從低頻饋電110連接到輻射器108的中心以高頻下的波長的約四分之一的奇數倍（例如，四分之一波長±10％）沿著輻射器108的長度而被設置。例如，與低頻饋電110連接到輻射器108的地點的中心相距的距離124、125、126、127（圖6）分別可以是高頻下的n、n+2、n+4、n+6個四分之一波長，其中n為奇數。

在圖6中所示的實施例中，天線系統102的前端電路70包括低頻源130和高頻源132。低頻源130被耦合到饋電線110，並且被配置為將低頻能量提供給輻射器108的饋電線110。高頻源132被耦合到饋電線116，並且被配置為將高頻能量提供給輻射器108的饋電線116，本文中以激勵縫隙114。在一些實施例中，源130、132被配置為將來自IF電路74的中頻信號分別轉換為低於6 GHz的頻率和毫米波頻率的信號，並且分別將彼等信號提供給饋電110、116。若IF電路74被省略（例如，若不需要），則源130、132可以使用直接來自處理器76的信號（例如，基頻信號）來分別產生低於6 GHz的頻率和毫米波頻率的信號。在其他實施例中，源130可以在不顯著地轉換信號的頻率的情況下將信號耦合到饋電線110或從饋電線110耦合信號。又在其他實施例中，除了前端電路70之外，饋電110被耦合到被配置為發送及/或接收低頻信號的電路系統。

參照圖12，其中進一步參考圖2至圖3，例如用於無線通訊的天線系統62的另一實例的天線系統152包括低頻天線子系統154和高頻天線子系統156。因此，天線系統152是多頻帶天線系統，其被配置為輻射具有高頻的高頻能量（例如，高於23 GHz的毫米波能量），並且輻射具有低頻的低頻能量（例如，頻率低於6 GHz的低於6 GHz的能量）。為了輻射不同頻率，天線系統102可以被配置有單個輻射器，該單個輻射器被配置為在不同頻率下諧振。單個輻射器可以被配置為在不同頻率下在輻射器的不同跨度上諧振。

低頻天線子系統154包括輻射器158，該輻射器158經由低頻饋電160被耦合到前端電路70，並且被配置為輻射低頻能量。低頻饋電160被配置和設置為將低頻能量電耦合到輻射器158，以使輻射器158諧振並且輻射低頻能量。輻射器158可以是如所圖示的單極子，或者可以是經由添加短路的倒F形單極子，或者可以是偶極子，或者可以是另一種形式的輻射器，諸如迴路。進一步地，輻射器158可以提供設備12的殼體的一部分，例如，代替底蓋58的一部分。

高頻天線子系統156包括輻射器158的一部分162，其經由高頻饋電164耦合到前端電路70，並且被配置為輻射高頻能量。在該實例中，輻射器158的被包括在高頻天線子系統156中的部分162包括輻射器158的與高頻饋電112的饋電線166連接到輻射器158的地點相對應的段。高頻饋電112（本文中為饋電線116）被配置和設置為將高頻能量電（導電地）耦合到輻射器108的多個相應位置。輻射器158在饋電線166中的一個饋電線被實體地附接到輻射器158的位置之每一者位置處的寬度168，是在高頻下波長的約一半的倍數（例如，介於m*0.5λ±10％之間，其中m是整數）。因此，高頻能量將在寬度168上諧振，並且從輻射器158的寬度並且沿著輻射器158的寬度輻射。與最終由輻射器158輻射的高頻能量相比，饋電線166可以將更多的高頻能量耦合到輻射器158。饋電線160、166之每一者饋電線可以包括適當的阻抗匹配電路，其可以被包括在前端電路70中。

饋電線166被連接到輻射器158，以在抑制低頻能量與高頻能量的干擾的同時，提供高頻能量的射束轉向。饋電線166與輻射器158的連接的中心到中心間隔可以小於波長，以在抑制產生光柵波瓣的同時准許射束轉向。例如，饋電線166與輻射器158的連接的中心到中心間隔可以約為自由空間中高頻能量的波長的一半。如同天線系統102的縫隙114，為了抑制低頻能量的諧波與高頻能量的輻射位置的耦合，從而抑制低頻能量的諧波與高頻能量的干擾，饋電線166與輻射器158的連接可以相對於低頻饋電160被設置在高頻能量的電流幅度低的位置（亦即，高頻能量的冷點）處或附近。例如，饋電線166的中心可以從低頻饋電160連接到輻射器158的地點的中心以高頻下的波長的約四分之一的奇數倍（例如，四分之一波長±10％）沿著輻射器158的長度而被設置。例如，與低頻饋電110連接到輻射器108的地點的中心相距的距離124、125、126、127（圖6）可以是高頻的n、n+2、n+4、n+6個四分之一波長，其中n為奇數。

其他天線子系統配置可以被使用。例如，縫隙高頻輻射器（例如，圖4、圖5或圖7至圖11中所示的縫隙高頻輻射器中的任一縫隙高頻輻射器）可以與圖12中所示的天線子系統150組合，例如，使得饋電線166被耦合到縫隙之間的輻射器158。作為另一實例，儘管天線子系統配置已經被描述為結合到行動設備的邊緣中，但是根據本揭示的天線子系統不限於此種位置。例如，根據本揭示的天線子系統可以被併入行動設備中的其他位置（例如，設備的背面），及/或可以被用於其他設備及/或系統。

參照圖13，其中進一步參照圖1至圖6，傳送射頻能量的方法210包括所示的階段。然而，方法210僅是實例而非限制。方法210可以例如經由增加、移除、重新佈置、組合、同時執行及/或將單個階段分離成多個階段來被更改。

在階段212處，方法210包括以下步驟：將第一能量耦合到輻射器或從輻射器耦合第一能量，該第一能量具有第一頻率，該第一頻率低於6 GHz。例如，前端電路70可以經由天線系統102中的饋電線110將低於6 GHz的能量耦合到輻射器108及/或從輻射器108耦合低於6 GHz的能量，或者經由天線系統152中的饋電線160將低於6 GHz的能量耦合到輻射器158及/或從輻射器158耦合低於6 GHz的能量。基於從IF電路74接收的IF信號，能量可以由前端電路70被提供給輻射器108或輻射器158，該等IF信號又基於來自處理器76的信號。被提供給輻射器108或輻射器158的第一能量可以由相應輻射器輻射。此外或可替代地，能量可以經由前端電路70從輻射器108或輻射器158被接收。

在階段214處，方法210包括以下步驟：將第二能量耦合到輻射器，該第二能量具有第二頻率，該第二頻率高於23 GHz。例如，前端電路70可以經由天線系統102中的饋電線116將能量耦合到縫隙114及/或從縫隙114耦合能量，或者經由天線系統152中的饋電線166將能量耦合到輻射器158及/或從輻射器158耦合能量。縫隙114的位置或饋電線166與輻射器158的耦合的位置可以分別是第二頻率下的波長的四分之一的相應倍數，以幫助抑制經由饋電線110、160而被提供的能量與由縫隙114或輻射器158輻射及/或接收的第二能量（例如，輻射器158的諧振寬度）的干擾。耦合到縫隙114及/或輻射器158的第二能量可以由縫隙114及/或輻射器158輻射。

在階段216處，方法210包括以下步驟：在一或多個接收電路中，從輻射器輻射第一能量和第二能量，或從輻射器處理第一能量和第二能量。例如，輻射器108可以輻射經由饋電線110提供的能量，並且縫隙114可以輻射由饋電線116提供的能量。此外或可替代地，前端電路70（及/或前端電路72），以及IF電路74和處理器78可以處理經由饋電線110從輻射器108接收的能量以及經由饋電線116從縫隙114接收的能量。例如，電路70、72、74和處理器76可以對信號進行降頻轉換，將信號從類比轉換為數位，對信號進行解碼，以及對信號採取其他動作（例如，儲存來自信號的資訊、採取由信號的內容觸發的動作等）。

方法210可以包括一或多個其他特徵。例如，第一能量可以沿著輻射器（例如，輻射器108或輻射器158）的長度而被耦合。第二能量可以在相應位置處被耦合到由輻射器限定的縫隙或從該等縫隙耦合。第二能量可以在輻射器（例如，輻射器158）的整個寬度上被耦合到輻射器或從輻射器耦合。第二能量的相應部分可以從第一能量被耦合到輻射器（例如，輻射器158）的位置以第二頻率下的波長的四分之一的相應奇數倍（例如，經由饋電166）而被耦合。

其他注意事項

此外，如本文中所使用，在以「至少一個」為開頭或以「一或多個」為開頭的專案列表中使用的「或」指示反意連詞列表，使得例如，「A、B或C中的至少一個」或「A、B或C中的一或多個」的列表意指A或B或C或AB或AC或BC或ABC（亦即，A和B和C）或與多於一個特徵（例如，AA、AAB、ABBC等）的組合。

可以按照特定要求做出實質變化。例如，亦可以使用定製硬體，及/或可以以硬體、由處理器執行的軟體（包括可攜式軟體，諸如小程式等）或兩者實施特定元件。進一步地，可以採用與諸如網路輸入/輸出設備之類的其他計算設備的連接。

上文所論述的系統和設備是實例。各種配置可以被適當地省略、替代或添加各種程序或元件。例如，關於某些配置所描述的特徵可以在各種其他配置中而被組合。可以以類似方式組合配置的不同態樣和元件。此外，技術在發展，因此，許多元件是實例，並不限制本揭示或請求項的範疇。

在描述中提供了具體細節，以提供對示例性配置（包括實施方式在內）的透徹理解。然而，可以在沒有該等具體細節的情況下實踐配置。例如，已經圖示公知電路、過程、演算法、結構和技術，而沒有不必要的細節，以避免使配置混淆。該描述僅提供示例性配置，並且不限制請求項的範疇、適用性或配置。相反，配置的先前描述提供了用於實施所描述的技術的描述。在不脫離本揭示的精神或範疇的情況下，可以對元件的功能和佈置進行各種改變。

已經對幾個示例性配置進行了描述，可以在不背離本揭示的精神的情況下，使用各種修改、備選構造以及均等物。例如，上述元件可以是較大系統的元件，其中其他規則可以優先於或以其他方式修改本發明的應用。此外，可以在考慮上述元素之前、之中或之後進行若干個操作。因而，上述描述不對請求項的範疇進行約束。

進一步地，可以揭示多於一種的發明。

10:通訊系統 12:行動設備 14:網路 16:伺服器 18:存取點（AP） 20:存取點（AP） 51:側面 52:頂蓋 53:螢幕 54:顯示層 56:PCB層 57:側面 58:底蓋 59:底部表面 60:主部分 61:顯示器 62:天線系統 63:相對端 64:天線系統 65:相對端 66:PCB 70:前端電路 71:虛線 72:前端電路 73:虛線 74:IF電路 76:處理器 102:天線系統 104:低頻天線子系統 106:高頻天線子系統 108:輻射器 110:低頻饋電 112:高頻饋電 114:縫隙 116:饋電線 118:柔性印刷電路（FPC） 120:長度 122:端部 124:距離 125:距離 126:距離 127:距離 130:低頻源 132:高頻源 140:縫隙 142:縫隙 152:天線系統 154:低頻天線子系統 156:高頻天線子系統 158:輻射器 160:低頻饋電 162:部分 164:高頻饋電 166:饋電線 168:寬度 210:方法 212:階段 214:階段 216:階段

圖1是通訊系統的示意圖。

圖2是圖1中所示的行動設備的簡化元件的分解透視圖。

圖3是包括天線系統的圖2中所示的印刷電路板層的俯視圖。

圖4是圖3中所示的天線系統中的一個天線系統的示例性天線系統的透視圖。

圖5是圖4中所示的低頻輻射器和高頻輻射器的透視圖。

圖6是圖4中所示的天線系統的簡化俯視圖。

圖7至圖11是備選縫隙輻射器配置的實例。

圖12是圖3中所示的天線系統中的一個天線系統的另一示例性天線系統的透視圖。

圖13是從無線行動通訊設備輻射射頻信號的方法的方塊流程圖。

國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無

國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

70:前端電路

102:天線系統

104:低頻天線子系統

106:高頻天線子系統

108:輻射器

110:低頻饋電

112:高頻饋電

114:縫隙

116:饋電線

118:柔性印刷電路(FPC)

120:長度

122:端部

Claims

一種無線通訊天線系統，包括：一低於6 GHz的天線，包括一輻射器，該輻射器被配置為輻射或接收具有一第一頻率的第一能量，該第一頻率低於6 GHz，該輻射器是導電的；一第一饋電，被配置和設置為將該第一能量電耦合到該輻射器或從該輻射器電耦合該第一能量；及一第二饋電，被配置和設置為將第二能量電耦合到該輻射器或從該輻射器電耦合該第二能量，該第二能量具有一第二頻率，該第二頻率高於23 GHz；其中該輻射器被配置為輻射或接收該第二能量。
如請求項1之天線系統，其中該第二饋電被配置為將該第二能量的一相應部分耦合到該輻射器的複數個位置之每一者位置。
如請求項2之天線系統，其中該輻射器限定複數個縫隙，其中該複數個縫隙之每一者縫隙被設置在該複數個位置中的一相應位置處。
如請求項3之天線系統，其中該第二饋電包括複數個微帶線，該複數個微帶線之每一者微帶線覆蓋該複數個縫隙中的一相應縫隙。
如請求項2之天線系統，其中該第二饋電在該複數個位置之每一者位置處被實體地或寄生地耦合到該輻射器。
如請求項5之天線系統，其中該輻射器包括一細長導電材料帶，該細長導電材料帶在該複數個位置的每個位置處的一寬度為該第二頻率處的一波長的約一半的一倍數。
如請求項2之天線系統，其中該第一饋電被配置和設置為在一第一位置處將該第一能量耦合到該輻射器，其中該複數個位置是複數個第二位置，並且其中該複數個第二位置之每一者位置從該第一位置被位移該第二頻率處的一波長的約四分之一的一相應奇數倍。
如請求項1之天線系統，其中該輻射器包括一行動無線通訊設備的一殼體的一部分。
如請求項1之天線系統，其中該輻射器被配置為沿著該輻射器的一長度輻射該第一能量並且沿著該輻射器的一寬度輻射該第二能量。
如請求項9之天線系統，其中該輻射器的一長度是該第一頻率處的一波長的約一半的一倍數，並且該輻射器的該寬度是該第二頻率處的一波長的約一半的一倍數。
如請求項10之天線系統，其中該第二饋電被配置和設置為在沿著該輻射器的該長度被彼此位移的複數個位置處將該第二能量電耦合到該輻射器或從該輻射器電耦合該第二能量。
如請求項11之天線系統，其中該複數個位置之每一者位置處的該輻射器的該寬度是該第二頻率處的該波長的約一半的一倍數。
如請求項11之天線系統，其中該第一饋電被配置和設置為在一第一位置處將該第一能量耦合到該輻射器或從該輻射器耦合該第一能量，其中該複數個位置是複數個第二位置，並且其中該複數個第二位置之每一者第二位置從該第一位置被位移該第二頻率處的該波長的約四分之一的一相應奇數倍。
如請求項1之天線系統，亦包括：一第一源，被配置為提供該第一能量，該第一饋電被耦合到該第一源和該輻射器；及一第二源，被耦合到該第二饋電並且被配置為向該第二饋電提供該第二能量。
如請求項1之天線系統，其中該輻射器是該第一頻率處的一單極輻射器。
如請求項1之天線系統，其中該輻射器是該第一頻率處的一偶極輻射器。
如請求項1之天線系統，其中該輻射器是一迴路輻射器。
如請求項1之天線系統，其中該輻射器是一單極輻射器，該單極輻射器限定了複數個縫隙以輻射該第二能量，並且其中該第二饋電被配置和設置為在對應於該複數個縫隙的複數個位置處，將該第二能量電耦合到該輻射器，使得該第二能量將被耦合到該輻射器，並且在該複數個縫隙處從該輻射器輻射。
如請求項18之天線系統，其中該複數個縫隙之每一者縫隙的一長度基本平行於該輻射器的一長度。
如請求項19之天線系統，其中該第二饋電包括複數個微帶線，該複數個微帶線之每一者微帶線覆蓋該複數個縫隙中的一相應縫隙。
如請求項18之天線系統，其中該複數個縫隙之每一者縫隙的一長度基本上橫向於該輻射器的一長度。
如請求項18之天線系統，其中該第一饋電被配置和設置為在一第一位置處將該第一能量耦合到該輻射器，其中該複數個位置是複數個第二位置，並且其中該複數個第二位置之每一者第二位置從該第一位置被位移該第二頻率處的一波長的約四分之一的一相應奇數倍。
一種射頻能量傳送方法，包括以下步驟：將第一能量耦合到一輻射器或從一輻射器耦合第一能量，該第一能量具有一第一頻率，該第一頻率低於6 GHz；將第二能量耦合到該輻射器或從該輻射器耦合第二能量，該第二能量具有一第二頻率，該第二頻率高於23 GHz；及在一或多個接收電路中，從該輻射器輻射該第一能量和該第二能量，或從該輻射器處理該第一能量和該第二能量。
如請求項23之方法，其中將該第一能量耦合到該輻射器或從該輻射器耦合該第一能量之步驟包括以下步驟：沿著該輻射器的一長度將該第一能量耦合到該輻射器或從該輻射器耦合該第一能量；並且其中將該第二能量耦合到該輻射器或從該輻射器耦合該第二能量之步驟包括以下步驟：在沿著該輻射器的複數個位置中的一相應位置處，將該第二能量耦合到複數個縫隙或從複數個縫隙耦合該第二能量，每個縫隙由該輻射器限定。
如請求項23之方法，其中將該第一能量耦合到該輻射器或從該輻射器耦合該第一能量之步驟包括以下步驟：沿著該輻射器的一長度將該第一能量耦合到該輻射器或從該輻射器耦合該第一能量；並且其中將該第二能量耦合到該輻射器或從該輻射器耦合該第二能量之步驟包括以下步驟：在沿著該輻射器的複數個位置之每一者位置處，在該輻射器的一整個寬度上將該第二能量耦合到該輻射器或從該輻射器耦合該第二能量。
如請求項25之方法，其中耦合該第一能量之步驟包括以下步驟：在沿著該輻射器的該長度的一第一位置處耦合該第一能量；並且將該第二能量耦合到該輻射器或從該輻射器耦合該第二能量之步驟包括以下步驟：從該第一位置以該第二頻率處的一波長的四分之一的相應奇數倍耦合該第二能量的相應部分。