TW202017068A - 基板溫度測量裝置及基板溫度測量方法 - Google Patents

Abstract

本發明揭露一種基板溫度測量裝置及基板溫度測量方法，更為詳細地，其目的在於提供一種可以實時測量基板處理工序中的基板的溫度的基板溫度測量裝置及基板溫度測量方法。用於實現上述目的的本發明的基板溫度測量裝置包括探頭，該探頭配備為將支撐基板而進行基板處理工序的基板支撐部上下貫通，且上端從該基板支撐部的上表面突出，其中，該探頭的上端構成為相接於該基板的下側面，從而測量該基板的溫度。

Description

基板溫度測量裝置及基板溫度測量方法

本發明涉及基板測量的技術領域，尤其涉及一種可以實時測量基板處理工序中的基板的溫度的基板溫度測量裝置及基板溫度測量方法。

如今，作為用於實現半導體產品的大容量化及高性能化的方法，正適用半導體封裝技術。

在此種半導體封裝工序中，形成將貼裝半導體的基板或彼此不同的半導體之間電連接的凸球（bumping ball）的工序稱為回流（Reflow）工序。

一般使用於回流工序的基板以硅膠（Si）材質構成。

回流工序構成為在基板上加熱以使基板臨時滿足高溫狀態，並且回流工序在約240℃的高溫狀態下進行。

回流工序經過基板的預熱、加熱及冷卻過程，並且根據進行各過程的時間及溫度變化速度等而決定基板的工序收率，從而正進行對此的多種研究。

然而，根據現有技術，並不能直接測量正在進行回流工序的基板的溫度，而是通過測量支撐對象基板的加熱板的溫度而計算工序中的對象基板的溫度的方式測量對象基板的溫度。

或者，準備與對象基板相同規格的溫度測量用基板，並在進行針對對象基板的回流工序之前，進行針對溫度測量用基板的回流工序，然後通過測量溫度測量用基板的溫度而推測工序中的對向基板的溫度而測量對象基板的溫度。

因此，在回流工序中實時正確地獲知對象基板的溫度，從而調整工序環境並確保收率的方面存在困難。

並且，需要經過週期性地準備溫度測量用基板而測量溫度的過程，因此可能導致不必要的時間浪費及工序收率的降低。

作為根據如上所述的現有技術的基板溫度測量裝置的一例有韓國授權專利第10-0377417號。

本發明為瞭解決上述的諸多而提出，其目的在於提供一種可以實時測量基板處理工序中的基板的溫度的基板溫度測量裝置及基板溫度測量方法。

並且，其目的在於提供一種不利用單獨的溫度測量用基板也可以實時測量進行基板處理工序的基板的溫度的基板溫度測量裝置及基板溫度測量方法。

並且，其目的在於提供一種在進行基板處理工序的過程中，在基板的位置發生變動的情況下，可以維持對於基板的接觸，從而可以穩定地進行基板的實時溫度測量的基板溫度測量裝置及基板溫度測量方法。

並且，其目的在於提供一種維持腔室內部的密封狀態的基板溫度測量裝置及基板溫度測量方法。

為達成上述目的與其他目的，本發明提供基板溫度測量裝置，其係包括：探頭罩，將支撐基板的基板支撐部上下貫通，並且形成為僅上端開放的管形態；支撐部件，朝所述探頭罩的內側突出；探頭，插入所述探頭罩的內部而上下移動，且下端插入所述支撐部件的內側，上端從所述基板支撐部的上表面突出，使得突出的所述上端相接於所述基板的下側面，從而測量所述基板的溫度；卡接部件，朝所述探頭的外側突出，並配備於所述支撐部件的上側；以及，彈性部件，下端被所述支撐部件的上端支撐，上端被所述卡接部件的下端支撐，從而彈性支撐所述探頭的上下移動。

此時，在所述探頭的下端和所述探頭罩的下端之間形成有預定間距的線纜收容空間以設置連接於所述探頭的線纜，在所述探頭罩的下部一側配備有將所述探頭罩的內部和外部連通的線纜通道，從而使所述線纜通過所述線纜通道連接於外部，所述線纜通道以使所述線纜通過的狀態被密封。

所述彈性部件可以由彈簧構成。

並且，密封所述線纜可以通道的密封件以環氧樹脂材質構成。

並且，所述探頭可以以如下方法設置：通過所述探頭罩上端的開放部插入後，以所述線纜通過所述線纜通道的狀態密封所述線纜通道而設置，並且所述探頭構成為解除所述線纜通道的密封後通過所述探頭罩上端的開放部排出而被去除。

並且，在所述基板支撐部的上側可以配備有相接於所述基板的下側面而支撐所述基板的至少一個支撐銷，所述探頭可以構成為，相比於所述至少一個支撐銷朝上側突出，並藉由從上側施加的壓力而下降至與所述至少一個支撐銷相同高度，若解除壓力，則使位置復原。

並且，所述至少一個支撐銷可配備為貫通所述基板支撐部，所述探頭構成為上下貫通所述基板支撐部，並插入至上下貫通所述基板支撐部的管形態的探頭罩的內部，所述探頭罩可以構成為在所述基板支撐部的下側與所述至少一個支撐銷連接而同時進行升降移動。

並且，所述至少一個支撐銷可以配備為沿所述基板支撐部的水平方向外側迂迴而從所述基板支撐部的上側連接至下側，所述探頭可以構成為上下貫通所述基板支撐部，並插入至上下貫通所述基板支撐部的管形態的探頭罩的內部，所述探頭罩可以構成為在所述基板支撐部的下側與所述至少一個支撐銷連接而同時進行升降移動。

並且，所述探頭可以構成為，在進行所述基板處理工序的期間，測量所述基板的溫度至少一次，並傳送至外部設備。

並且，所述外部設備可以是將在所述探頭測量的所述基板的溫度可視化地示出的顯示設備。

並且，所述外部設備可以是當在所述探頭測量的所述基板的溫度具有特定值時發生警報的警報產生設備。

並且，所述外部設備可以是控制對所述基板進行加熱或冷卻的溫度調節設備的控制部。

為達成上述目的與其他目的，本發明提供基板溫度測量方法，係利用本發明的基板溫度測量裝置，基板溫度測量方法包括如下步驟a）通過所述探頭罩上端的開放部從上側朝下側方向將所述探頭插入所述探頭罩的內部，並且將一側連接於所述探頭的所述線纜的另一側端部通過所述線纜通道拉出至外部後，以所述線纜通過所述線纜通道的狀態密封所述線纜通道，從而將所述探頭設置於所述探頭罩內部；步驟b）使所述探頭的上端相接於所述基板的下側面而測量所述基板的溫度；以及，步驟c）解除所述線纜通道的密封後，將所述探頭朝上側方向拉起，來通過所述探頭罩上端的開放部將所述探頭從所述探頭罩的內部排出，從而解除所述探頭的設置。

並且，在步驟a）和步驟b）之間還可包括如下步驟：使在所述基板支撐部的上側相隔而設置的所述基板和所述基板支撐部之間的距離縮小，並且所述基板的下側面相接於所述探頭的上端；以及，以所述探頭和所述基板相接的狀態，使所述基板支撐部和所述基板之間的距離進一步縮小，並使所述基板安置於從所述基板支撐部的上表面突出的至少一個支撐銷的上端。

並且，步驟b）可以是與針對所述基板的處理工序同時進行的步驟，並且在進行所述基板處理工序的過程中進行至少一次。

並且，針對所述基板的處理工序可以是回流工序。

並且，所述探頭罩可以構成為藉由驅動部的驅動而與所述至少一個支撐銷同時進行升降移動，隨著所述探頭罩及所述至少一個支撐銷朝所述基板進行上升移動，所述基板支撐部和所述基板之間的距離縮小。

並且，在步驟b）和步驟c）之間還可包括如下步驟：在所述基板支撐部和所述基板之間的距離變大並且所述探頭和所述基板相接的狀態下，所述基板從所述至少一個支撐銷的上端分離；所述基板和所述基板支撐部之間的距離進一步變大，並且所述基板的下側面從所述探頭的上端分離。

並且，所述探頭罩可以構成為藉由驅動部的驅動與所述至少一個支撐銷同時進行升降移動，隨著所述探頭罩及所述至少一個支撐銷從所述基板進行下降移動，所述基板支撐部和所述基板之間的距離變大。

根據本發明的基板溫度測量裝置及基板溫度測量方法，可以實時測量進行基板處理工序的基板的溫度，因此可以實時地對應從而可降低不良發生率並提高收率。

並且，不利用單獨的溫度測量用基板也可以實時測量進行基板處理工序的基板的溫度，從而可以減少不必要的時間浪費。

並且，當進行基板處理工序時，在基板的位置發生變動的情況下，也可以維持對基板的接觸，從而可以穩定地進行基板的實時溫度的測量，從而可以降低不良發生率並提高收率。

並且，使基板的安置過程由兩個步驟構成，以緩解衝擊，從而可防止基板的損傷。

並且，實時地測量進行基板處理工序的基板的溫度並傳送至顯示設備，從而可以實時地掌握基板的溫度而進行對應。

並且，實時地測量進行基板處理工序的基板的溫度並傳送至警報產生設備，從而可以實時地掌握基板的狀態而進行對應。

並且，實時地測量進行基板處理工序的基板的溫度並傳送至控制部，從而在控制部可以實時地掌握基板的溫度而調整。

並且，在探頭的下端和探頭罩的下端之間確保了預定間距的線纜收容空間，從而當探頭升降移動時可以使線纜維持更穩定的狀態。

並且，探頭罩構成為只有上端開放的管形態，從而阻隔了腔室的內部和外部連通，從而可以防止外氣及外部顆粒對上述基板處理工序產生影響。

並且，提供了一種可以易於進行探頭的設置及更換的基板溫度測量裝置，從而可以提高使用者的便利性，並且構成為在維持所述基板溫度測量裝置的其他構成的同時，可以僅更換探頭，從而可以減少不必要的費用消耗。

以下，參照附圖針對根據本發明的基板處理裝置的構成及作用進行詳細的如下說明。

在此，省略針對在現有技術中所說明的內容及重復的內容的說明，以本發明中新添加的構成要素為中心進行說明。

針對根據本發明的基板溫度測量裝置200的第一實施例進行敘述。

如圖1所示，根據本發明的基板溫度測量裝置200包括探頭220，配備為將支撐基板W而進行基板處理工序的基板支撐部110上下貫通，且基板溫度測量裝置200的上端210從所述基板支撐部110的上表面突出，其中，所述探頭220的上端構成為相接於所述基板W的下側面，從而測量所述基板W的溫度。

所述基板W可以是成為半導體基板的晶圓，並且可以是在一個集成電路中構成高集成化的單晶片系統（SoC：System On Chip）的環氧樹脂模塑料（EMC：Epoxy Molding Compound）晶片。然而，本發明並非局限於此，所述基板W可以是如液晶顯示器（LCD：liquid crystal display）、等離子顯示面板（PDP：plasma display panel）的使用為平板顯示裝置用的玻璃等的透明基板。所述基板W形狀及尺寸並非由本發明的附圖而限定，實際上可具有圓形及四角形板等多種形狀和尺寸。

所述基板處理工序在基板處理用腔室100進行，基板處理用腔室100內部形成有將所述基板W收容而處理的基板處理空間。

所述基板處理工序可以是回流（Reflow）工序，並且所述腔室100可以是回流工序用腔室。

所述腔室100提供適合於所述基板處理工序的基板處理環境，為此以具有預定厚度且較高剛性的材質構成。

作為一例，所述腔室100以用於承受溫度和壓力變化的具有較高的耐熱性及耐壓性的材質構成，且以具有耐化學性及耐蝕性的材質構成，以使不會反應於在所述基板處理工序中利用的工序流體而發生變質或腐蝕，從而並不會對所述基板W的處理工序產生影響。

滿足上述條件的材質有不鏽鋼（SUS）。不鏽鋼具有剛性較高，耐熱性、耐蝕性、耐化學性優異，並且可及性較好而且較為經濟的優點，因此是構成所述腔室時利用最多的材質中的一種。

所述基板支撐部110可配備於所述腔室100，可以由埋設有加熱所述基板W的加熱器或冷卻所述基板W的冷卻水線路的基座構成。

所述基板支撐部110配備有至少一個支撐銷111，所述支撐銷111從所述基板支撐部110的上表面突出並相接於所述基板W的下側面以支撐所述基板W。

所述基板支撐部110及所述至少一個支撐銷111可根據所述基板W的尺寸及形狀而配備為多種形態。

所述至少一個支撐銷111配備為沿上下貫通所述基板支撐部110，並且可構成為藉由驅動部（未圖示）的驅動而沿上下升降移動。

所述至少一個支撐銷111的升降移動通過以下方式實現：在當針對所述腔室100引入或引出所述基板W時，在移送所述基板W的移送單元（未圖示）和所述至少一個支撐銷111之間移交基板W。

在所述至少一個支撐銷111配備為多個的情況下，可以構成為在所述基板支撐部110的下側彼此連接，並同時升降移動而維持同一高度，從而可以構成為使所述基板W穩定地安置。

本發明的基板溫度測量裝置200還可包括管形態的探頭罩230。

所述探頭罩230可構成為在內側插入所述探頭220的形態，並配備為沿上下貫通所述基板支撐部110。

據此，若從所述基板支撐部110的上側施加壓力，則所述探頭220將在所述探頭罩230內部沿上下升降移動。

所述探頭罩230的內側可配備有沿上下方向彈性支撐所述探頭220的彈性部件240。

隨著從所述探頭220的上側施加壓力而使所述探頭220下降，所述彈性部件240被壓縮，若解除壓力，則由復原力而膨脹，從而使所述探頭220上升以使位置復原。

所述彈性部件240可以由具有預定的彈性係數的彈簧構成。

並且，所述探頭罩230構成為在所述基板支撐部110的下側與所述至少一個支撐銷111彼此連接，從而使所述至少一個支撐銷111及所述探頭罩230藉由所述驅動部的驅動而同時升降移動。

據此，所述探頭220與所述探頭罩230一同升降移動，且將隨著從所述探頭220的上側施加的壓力而獨立地升降移動。

圖1是示出所述基板W被引入至所述腔室100之後安置於所述至少一個支撐銷111及所述探頭220的情形的圖。

圖1的（a）是示出所述基板W藉由所述移送單元被引入所述腔室100而位於所述至少一個支撐銷111及所述探頭220的上側的狀態的圖，且示出對所述至少一個支撐銷111及所述探頭220未施加有意義的壓力的待機狀態。

此時，所述基板溫度測量裝置200配備為所述探頭220的上端210相比於所述至少一個支撐銷111，朝上側突出。

圖1的（b）示出了如下狀態：所述至少一個支撐銷111及所述探頭罩230朝所述基板W上升移動，以從所述移送單元接收所述基板W，從而使所述基板W藉由所述至少一個支撐銷111及所述探頭220而被支撐的支撐狀態。

所述至少一個支撐銷111的上端相接於所述基板W的下側面而支撐所述基板W為止，所述至少一個支撐銷111及所述探頭罩230將維持上升移動。

此時，所述探頭220的上端配備為相比於所述至少一個支撐銷111朝上側突出，因此所述探頭220的上端相比於所述至少一個支撐銷111將提前相接於所述基板W的下側面。

因此，直到所述至少一個支撐銷111相接於所述基板W的下側面為止，所述探頭220在維持相接於所述基板W的下側面的狀態下，相對於所述探頭罩230下降。

即，隨著從所述探頭220的上側施加藉由所述基板W的重量的壓力，所述探頭220相對於所述探頭罩230下降而使所述彈性部件240被壓縮。

直到所述至少一個支撐銷111相接於所述基板W的下側面為止，從所述探頭220的上側施加的藉由所述基板W的重量的壓力將增加，並且直到所述探頭220和所述至少一個支撐銷111位於同一高度為止，所述探頭220持續進行相對於所述探頭罩230的下降。

所述探頭220相對於所述探頭罩230的升降範圍藉由所述彈性部件240的彈性係數而決定，因此根據所述基板W的重量及所述探頭罩230和所述探頭220的長度等變數，配備具有適當的彈性係數的彈性部件，從而可以調整所述探頭220的升降範圍。

若所述基板W穩定地安置於所述至少一個支撐銷111及所述探頭220，則所述移送單元將解除對所述基板W的支撐，並引出至所述腔室100的外部。

隨後，在所述腔室100內部進行對於所述基板W的基板處理工序。

完成所述基板處理工序後，解除所述至少一個支撐銷111及所述探頭220的所述支撐狀態，且所述基板W移交至所述移送單元，從而引出至所述腔室100的外部。

所述至少一個支撐銷111及所述探頭220的支撐狀態解除過程將以在所述圖1的（a）和所述圖1的（b）中所說明的過程的倒序進行。

據此，首先被引入所述腔室100的所述移送單元支撐所述基板W，隨後所述至少一個支撐銷111及所述探頭罩230下降移動而解除對所述基板W的支撐，從而返回至上述圖1的（a）的待機狀態。

此時，所述彈性部件240隨著藉由所述基板W的重量的壓力解除，藉由復原力而膨脹，從而逐漸復原為所述待機狀態的形態，據此，所述探頭220將相對於所述探頭罩230上升，從而返回至相比於所述至少一個支撐銷111朝上側突出的所述待機狀態。

並且，如圖2所示，所述至少一個支撐銷111可以是如下的迂迴型支撐銷112：配備為不貫通所述基板支撐部110而沿所述基板支撐部110的水平方向外側迂迴的形態。

圖2的（a）示出所述至少一個迂迴型支撐銷112及所述探頭220的待機狀態，圖2的（b）示出所述基板W藉由所述至少一個迂迴型支撐銷112及所述探頭220而被支撐的支撐狀態。

所述至少一個迂迴型支撐銷112可以配備為上端從所述基板支撐部110的水平方向的周圍外側朝向內側延伸的形態。

此時，所述至少一個迂迴型支撐銷112的上端的末端112-1在所述基板支撐部110的上側相接於所述基板W的下側面而支撐所述基板W。

圖3是用於詳細說明根據本發明的第一實施例的所述基板溫度測量裝置200的構成的圖，圖3的（a）中圖示有在所述圖1的（a）及所述圖2的（a）中示出的所述待機狀態的所述基板溫度測量裝置200，圖3的（b）中圖示有在圖1的（b）及所述圖2的（b）中示出的所述支撐狀態的所述基板溫度測量裝置200。

所述基板溫度測量裝置200可配備有朝所述探頭220的外側突出的卡接部件221和朝所述探頭罩230的內側突出的支撐部件231，並且所述彈性部件240可構成為在所述卡接部件221和所述支撐部件231之間所配備。

如圖3的（a）和圖3的（b）所示，根據本發明的第一實施例的所述基板溫度測量裝置200包括從所述探頭罩230朝內側方向突出的支撐部件231和從所述探頭220朝外側方向突出的卡接部件221而構成。

所述探頭220從所述探頭罩230的上側插入所述探頭罩230的內部。

所述支撐部件231形成為圍繞所述探頭的外側周圍，從而配備為插入所述探頭罩230的所述探頭220的下端插入所述支撐部件231的內側。

所述支撐部件231可構成為朝所述探頭罩230的內側方向突出的環狀的突出部，並且可以構成為沿所述探頭罩231的內側面周圍突出的至少一個突出部。

所述卡接部件221配備為在所述探頭220插入所述支撐部件231的內側的狀態下位於所述支撐部件231的垂直方向上側。

所述卡接部件221可構成為朝所述探頭220的外側方向突出的環狀的突出部，可構成為沿所述探頭罩230的內側面周圍突出的至少一個突出部。

此時，所述支撐部件231和所述卡接部件221形成為彼此上下對應的構成，從而構成為在所述探頭220下降的情況下，使所述卡接部件221的下端卡接於所述支撐部件231的上端。

並且，所述彈性部件240配備於所述支撐部件231和所述卡接部件221之間，從而構成為使所述彈性部件240的上端被所述卡接部件221的下端所支撐，並使所述彈性部件240的下端被所述支撐部件231的上端所支撐，從而朝上下方向彈性支撐所述探頭220。

即，根據基於本發明的第一實施例的所述基板溫度測量裝置200，所述探頭220藉由所述彈性部件240的彈性力及復原力而升降移動，同時所述探頭220的垂直方向位置被限制為所述卡接部件221的下端相比於所述支撐部件231的上端位於上側的高度。

據此，在升降移動的所述探頭220的下端和所述探頭罩230的下端之間，確保了設置連接於所述探頭220的線纜270的預定間距的線纜收容空間S。所述線纜270連接於所述探頭220的下端，從而可最小化隨著所述探頭220的升降移動而使所述線纜270所受的影響。

所述線纜收容空間S是不會受到所述彈性部件240的伸縮運動及所述探頭220的升降移動的影響的空間，因此在所述線纜收容空間S收容所述線纜270的延伸部分，從而可以防止所述線纜270藉由所述彈性部件240的伸縮運動及所述探頭220的升降移動而交錯或磨損而發生損傷，並可以維持穩定的狀態。

此時，所述支撐部件231配備於從所述探頭220的下端隔開預定間距的高度，從而進一步更寬地形成所述線纜收容空間S，從而能夠更穩定地設置所述線纜270。

並且，在所述探頭罩230的下部一側形成有使內部和外部連通的線纜通道250，以使所述線纜270從所述線纜收容空間S通過所述線纜通道250連接於外部的電源（未圖示）或外部設備300。

即，所述線纜構成為一側連接於所述探頭220，並且朝所述探頭220的下側延伸而被所述探頭罩230的下端所支撐，而且通過所述線纜通道250朝與所述探頭220的升降移動方向垂直的方向延伸而與外部連接，從而可以最小化所述線纜270由於所述探頭220的升降移動而受的影響。

所述探頭220可構成為在進行所述基板處理工序的期間將所述基板W的溫度至少測量一次以上，並且可構成為將測量的溫度信息傳送至所述外部設備300。

所述外部設備300可以是將從所述探頭220測量的所述基板W的溫度可視化地顯示的顯示設備，通過此，使用者可以實時地獲知進行所述基板處理工序的所述基板W的溫度而進行對應。

並且，所述外部設備300可以是當從所述探頭220測量的所述基板W的溫度具有特定值時發出警報的警報產生設備，通過此，使用者可以實時地獲知進行所述基板處理工序的所述基板W的狀態而進行對應。

並且，所述外部設備300可以是控制對所述基板W進行加熱或冷卻的溫度調整設備（未圖示）的控制部，所述控制部可以構成為根據從所述探頭220測量的所述基板W的溫度而實時地進行對應。

即，構成為實時測量進行所述基板處理工序的所述基板W的溫度而對應，從而可以降低不良發生率並提高收率。

並且，不利用單獨的溫度測量用基板而實時測量進行所述基板處理工序的所述基板W的溫度，從而可以減少不必要的時間浪費。

並且，隨著進行所述基板處理工序，在所述腔室100內部可發生壓力變化或氣流，據此所述基板W的位置可沿上下方向變動。

此時，所述基板W的上下方向位置變動意味著從所述探頭220的上側施加的壓力的增減，並且所述探針220可構成為隨著壓力的增減而上升或下降並維持接觸於所述基板W的下側面的狀態。

即，在進行所述基板處理工序的過程中，發生所述基板W的位置變動的情況下，也可以穩定地進行所述基板W的實時溫度測量，從而可以對降低不良發生率並提高收率做出貢獻。

參照圖4，針對本發明的基板溫度測量裝置的第二實施例進行說明。

根據本發明的第二實施例的基板溫度測量裝置200-1遵循所述第一實施例的構成，並且與第一實施例的構成的差異為彈性部件240配備於探頭220和探頭罩230的下端232之間。

本第三實施例的基板溫度測量裝置200-1的構成為對所述第一實施例的所述探頭罩230和所述探頭220的結構進行簡化的構成，其優點在於能夠降低製造成本並使管理更為容易。

參照圖5，針對利用根據本發明的基板溫度測量裝置的基板溫度測量方法進行說明。

步驟S10是基板W被引入至腔室100的步驟。

所述基板W藉由移送單元（未圖示）而引入至所述腔室100，並位於支撐所述基板W的基板支撐部110的上側。

在所述基板支撐部110配備有從上表面突出的至少一個支撐銷111及探頭220，並且所述探頭220可配備為貫通所述基板支撐部110。

所述探頭220在本步驟S10之前插入所述探頭罩230，以設置於所述探頭罩230內部。

此時，所述探頭220以如下方式設置：將所述探頭220通過所述探頭罩230上端的開放部從上側朝下側方向插入，並且將一側連接於所述探頭的線纜270的另一側端部通過線纜通道250拿出至外部後，以所述線纜270通過所述線纜通道250的狀態密封所述線纜通道250，而且通過所述線纜270的另一側端部連接於電源等外部設備300。

所述至少一個支撐銷111及所述探頭罩230在所述基板支撐部110的下側彼此連接，從而可以藉由驅動部（未圖示）的驅動而同時上下移動。

此時，所述探頭220以相比於所述至少一個支撐銷111朝上側突出的狀態配備，可構成為與藉由所述驅動部的驅動的移動無關地，藉由從所述探頭220的上側施加的壓力在所述探頭罩230內部上下移動。

步驟S20是使所述基板支撐部110和所述基板W之間的距離縮小的步驟。

本步驟中，所述基板W可以以藉由所述移送單元而被支撐的狀態維持位置，並可以構成為所述至少一個支撐銷111及所述探頭罩230藉由所述驅動部的驅動而上升移動，從而使所述基板W和所述基板支撐部110之間的距離縮小。

步驟S30是所述基板W的下側面相接於所述探頭220的上端的步驟。

如所述步驟S10中所述，所述探頭220以相比於所述至少一個支撐銷111朝上側突出的狀態配備，因此所述基板W的下側面比所述至少一個支撐銷111先接觸於所述探頭220的上端。

所述至少一個支撐銷111及所述探頭罩230以所述探頭220與所述基板相接的狀態維持上升移動而縮小所述基板W和所述基板支撐部110之間的距離，此時藉由所述基板W的重量而朝所述探頭220的上側施加壓力，以使所述探頭220在所述探頭罩230內部相對地下降。

步驟S40是使所述基板W的下側面相接於所述至少一個支撐銷111的上端而被安置的步驟，所述至少一個支撐銷111及所述探頭罩230的上升移動中止而使所述至少一個支撐銷111的高度固定。

據此，所述基板W的垂直方向位置固定為所述至少一個支撐銷111的高度，因此所述探頭罩230內部的所述探頭220也將具有與所述至少一個支撐銷111相同的高度。

即，所述探頭220藉由從上側時間的壓力而從相比於所述至少一個支撐銷111朝上側突出的高度下降至與所述至少一個支撐銷111相同的高度。

此時，在所述探頭220和所述探頭罩230之間可配備有具有上下方向的復原力的彈性部件240。

據此，若從所述探頭220的上側施加壓力，則所述彈性部件240將被壓縮，從而使所述探頭220下降，並且若解除壓力，則所述彈性部件240藉由復原力而膨脹，從而使所述探頭220上升。

步驟S50是測量所述基板W的溫度的步驟。

本步驟S50可以在進行對所述基板W的基板處理工序的同時實現，並且在進行所述基板處理工序的過程中可進行至少一次。

即，實時測量進行所述基板處理工序的所述基板W的溫度而對應，從而可降低不良發生率並提高收率。

並且，不利用單獨的溫度測量用基板也可以實時測量進行所述基板處理工序的所述基板W的溫度，從而可以減少不必要的時間浪費。

並且，隨著進行所述基板處理工序，在所述腔室100內部可發生壓力變化或氣流，並據此所述基板W的位置可沿上下方向變動。

此時，所述基板W的上下方向的位置變動意味著從所述探頭220的上側施加的壓力的增減，並且所述探針220可構成為隨著壓力的增減而上升或下降並維持接觸於所述基板W的下側面的狀態。

即，在進行所述基板處理工序的過程中，在所述基板W的位置發生變動的情況下，也可以穩定地進行所述基板W的實時溫度測量，從而可以對降低不良發生率並提高收率做出貢獻。

所述基板處理工序可以是回流工序。

步驟S60是所述基板支撐部110和所述基板W之間的距離變遠的步驟，步驟S70是所述基板W藉由所述移送單元從所述腔室100被引出的步驟。

若所述基板處理工序結束，則所述移送單元被引入所述腔室100，並且所述至少一個支撐銷111及所述探頭罩230藉由所述驅動部的驅動而下降移動，並將所述基板W移交至所述移送單元。

隨著所述至少一個支撐銷111及所述探頭罩230下降移動，所述基板W第一次從所述至少一個支撐銷111分離，並在預定區間內以相接於所述探頭220的狀態遠離所述基板支撐部110，而且所述探頭220的位置藉由所述彈性部件240的復原力而完全復原後將第二次從所述探頭220分離。

在進行本步驟S70之後，所述探頭220從所述探頭罩230排出而解除設置。

此時，所述探頭220以如下方法解除設置：將所述線纜270的另一側端部從電源等外部設備300分離，並在解除所述線纜通道250的密封之後，將所述探頭220朝上側方向拉起，以通過所述探頭罩230上端的開放部從所述探頭罩230排出。

即，根據本發明，可以將所述探頭220簡單地設置並去除，並且密封所述線纜通道250，從而可提高所述腔室100內部的基板處理空間的氣密性，並且可以防止所述基板W在所述基板處理工序中發生不良。

密封所述線纜通道的密封件以環氧樹脂材質構成。

並且，如上所述，所述探頭220的設置及解除在所述基板處理工序的前後進行，然而無需在各個工序前後始終進行，而是當需要更換所述探頭220時進行。

如上所述，根據本發明的基板溫度測量裝置及基板溫度測量方法，可以實時測量進行基板處理工序的基板W的溫度而對應，從而可降低不良發生率並提高收率。

並且，不利用單獨的溫度測量用基板也可以實時測量進行所述基板處理工序的所述基板W的溫度，從而降低不必要的時間浪費。

並且，當進行所述基板處理工序時，在所述基板W的位置發生變動的情況下，也可以維持對所述基板W的接觸，以使所述基板W的實時溫度測量穩定地進行，從而可以降低不良發生率並提高收率。

並且，使所述基板W的安置過程由以下兩個步驟構成：首先相接於探頭220之後再接觸於至少一個支撐銷111，以緩解衝擊，從而可防止基板的損傷。

並且，實時地測量進行基板處理工序的所述基板W的溫度並傳送至顯示設備，從而可以實時地掌握所述基板W的溫度而進行對應。

並且，實時地測量進行所述基板處理工序的所述基板W的溫度並傳送至警報產生設備，從而可以實時地掌握所述基板W的狀態而對應。

並且，實時地測量進行所述基板處理工序的所述基板W的溫度並傳送至控制部，從而在控制部可以實時地掌握所述基板W的溫度而進行調整。

並且，在所述探頭220的下端和所述探頭罩230的下端232之間確保了預定間距的線纜收容空間，從而當所述探頭220升降移動時可以使線纜170維持更穩定的狀態。

並且，所述探頭罩230構成為只有上端開放的管形態，從而阻隔了所述腔室100的內部和外部連通，以使可以防止外氣及外部顆粒對所述基板處理工序產生影響。

並且，提供了一種可以易於進行所述探頭220的設置及更換的基板溫度測量裝置，從而可以提高使用者的便利性，並且構成為在維持所述基板溫度測量裝置的其他構成的同時，可以僅更換所述探頭220，從而可以減少不必要的費用消耗。

本發明並不局限於上述實施例，在申請專利範圍中請求的保護範圍和本發明的詳細的說明及附圖的範圍內，在不脫離本發明的技術思想的情況下，本發明所屬的技術領域中具備基本知識的人員可實現顯而易見的變形實施，這些變形實施屬於本發明的範圍內。

W:基板 S:線纜收容空間 100:腔室 110:基板支撐部 111、112:支撐銷 112-1:上端 200、200-1:基板溫度測量裝置 210:基板溫度測量裝置上端 220:探頭 230:探頭罩 221:卡接部件 231:支撐部件 232:探頭罩下端 240:彈性部件 250:線纜通道 270:線纜 300:外部設備 S10-S70:方法步驟

圖1是本發明的第一實施例的基板溫度測量裝置的基板支撐部安置基板示意圖。 圖2是本發明的第一實施例的基板溫度測量裝置的基板支撐部安置基板的另一實施例的示意圖。 圖3是說明本發明的第一實施例的基板溫度測量裝置的操作示意圖。 圖4是說明本發明的第二實施例的基板溫度測量裝置的操作示意圖。 圖5是本發明一實施例的基板温度测量方法的流程示意圖。

W:基板

100:腔室

110:基板支撐部

111:支撐銷

200:基板溫度測量裝置

210:基板溫度測量裝置上端

220:探頭

230:探頭罩

240:彈性部件

Claims (18)

1. 一種基板溫度測量裝置，係包括： 探頭罩，將支撐基板的基板支撐部上下貫通，並且形成為上端開放的管形態； 支撐部件，朝該探頭罩的內側突出； 探頭，插入該探頭罩的內部而上下移動，且下端插入該支撐部件的內側，上端從該基板支撐部的上表面突出，使得突出的該上端相接於該基板的下側面，從而測量該基板的溫度； 卡接部件，朝該探頭的外側突出，並配備於該支撐部件的上側；以及 彈性部件，下端被該支撐部件的上端支撐，上端被該卡接部件的下端支撐，從而彈性支撐該探頭的上下移動； 其中，在該探頭的下端和該探頭罩的下端之間形成有預定間距的線纜收容空間以設置連接於該探頭的線纜； 在該探頭罩的下部一側配備有將該探頭罩的內部和外部連通的線纜通道，從而使該線纜通過該線纜通道連接於外部，該線纜通道以使該線纜通過的狀態被密封。
2. 如申請專利範圍第1所述之基板溫度測量裝置，其中該彈性部件由彈簧構成。
3. 如申請專利範圍第1所述之基板溫度測量裝置，其中密封該線纜通道的密封件以環氧樹脂材質構成。
4. 如申請專利範圍第1所述之基板溫度測量裝置，其中該探頭設置方法為通過該探頭罩上端的開放部插入後，以該線纜通過該線纜通道的狀態密封該線纜通道而設置，並且該探頭構成為解除該線纜通道的密封後通過該探頭罩上端的開放部排出而被去除。
5. 如申請專利範圍第1所述之基板溫度測量裝置，其中在該基板支撐部的上側配備有相接於該基板的下側面而支撐該基板的至少一個支撐銷，該探頭構成為，相比於該至少一個支撐銷朝上側突出，並藉由從上側施加的壓力而下降至與該至少一個支撐銷相同高度，若解除壓力，則使位置復原。
6. 如申請專利範圍第5所述之基板溫度測量裝置，其中該至少一個支撐銷配備為貫通該基板支撐部，該探頭構成為上下貫通該基板支撐部，並插入至上下貫通該基板支撐部的管形態的探頭罩的內部，該探頭罩構成為在該基板支撐部的下側與該至少一個支撐銷連接而同時進行升降移動。
7. 如申請專利範圍第5所述之基板溫度測量裝置，其中該至少一個支撐銷配備為沿該基板支撐部的水準方向外側迂迴而從該基板支撐部的上側連接至下側，該探頭構成為上下貫通該基板支撐部，並插入至上下貫通該基板支撐部的管形態的探頭罩的內部，該探頭罩構成為在該基板支撐部的下側與該至少一個支撐銷連接而同時進行升降移動。
8. 如申請專利範圍第1所述之基板溫度測量裝置，其中該探頭構成為在進行該基板處理工序的期間，測量該基板的溫度至少一次，並傳送至外部設備。
9. 如申請專利範圍第8所述之基板溫度測量裝置，其中該外部設備是將在該探頭測量的該基板的溫度可視化地示出的顯示設備。
10. 如申請專利範圍第8所述之基板溫度測量裝置，其中該外部設備是當在該探頭測量的該基板的溫度具有特定值時發生警報的警報產生設備。
11. 如申請專利範圍第8所述之基板溫度測量裝置，其中該外部設備是控制對該基板進行加熱或冷卻的溫度調節設備的控制部。
12. 一種基板溫度測量方法，係應用於基板溫度測量裝置以測量基板，該基板溫度測量裝置包含探頭罩、支撐部件、探頭、卡接部件、彈性部件、線纜、線纜通道與基板支撐部，該基板溫度測量方法包括： a）通過該探頭罩上端的開放部從上側朝下側方向將該探頭插入該探頭罩的內部，並且將一側連接於該探頭的該線纜的另一側端部通過該線纜通道拉出至外部後，以該線纜通過該線纜通道的狀態密封該線纜通道，從而將該探頭設置於該探頭罩內部； b）使該探頭的上端相接於該基板的下側面而測量該基板的溫度；以及 c）解除該線纜通道的密封後，將該探頭朝上側方向拉起，來通過該探頭罩上端的開放部將該探頭從該探頭罩的內部排出，從而解除該探頭的設置。
13. 如申請專利範圍第12所述之基板溫度測量方法，其中在步驟a）和步驟b）之間還包括以下步驟： 使在該基板支撐部的上側相隔而設置的該基板和該基板支撐部之間的距離縮小，並且該基板的下側面相接於該探頭的上端；以及 以該探頭和該基板相接的狀態，使該基板支撐部和該基板之間的距離進一步縮小，並使該基板安置於從該基板支撐部的上表面突出的至少一個支撐銷的上端。
14. 如申請專利範圍第13所述之基板溫度測量方法，其中該步驟b）是與針對該基板的基板處理工序同時進行的步驟，並且在進行該基板處理工序的過程中進行至少一次。
15. 如申請專利範圍第14所述之基板溫度測量方法，其中針對該基板的處理工序是回流工序。
16. 如申請專利範圍第13所述之基板溫度測量方法，其中該探頭罩構成為藉由驅動部的驅動而與該至少一個支撐銷同時進行升降移動，隨著該探頭罩及該至少一個支撐銷朝該基板進行上升移動，該基板支撐部和該基板之間的距離縮小。
17. 如申請專利範圍第13所述之基板溫度測量方法，其中在步驟b）和步驟c）之間還包括以下步驟： 在該基板支撐部和該基板之間的距離變大並且該探頭和該基板相接的狀態下，該基板從該至少一個支撐銷的上端分離； 該基板和該基板支撐部之間的距離進一步變大，並且該基板的下側面從該探頭的上端分離。
18. 如申請專利範圍第17所述之基板溫度測量方法，其中該探頭罩構成為藉由驅動部的驅動與該至少一個支撐銷同時進行升降移動，隨著該探頭罩及該至少一個支撐銷從該基板進行下降移動，該基板支撐部和該基板之間的距離變大。

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