TWI723845B - 基板冷卻裝置及方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種冷卻基板的基板冷卻裝置。本發明的實施例的基板冷卻裝置包括：卡盤，供放置基板；冷卻單元，用於冷卻所述卡盤，所述冷卻單元包括：散熱板，在上面放置所述卡盤，並散發所述卡盤的熱。

Description

基板冷卻裝置及方法
本發明涉及一種冷卻基板的基板冷卻裝置及方法。
半導體積體電路一般為非常小且薄的矽片，但由各種電子零件構成，包含光刻工藝、蝕刻工藝、沉積工藝等而執行各種製造工藝，直至出現一個半導體晶片。
半導體後續工藝中的一個回流焊(Reflow)工藝是指代替起到傳輸晶片(Wafer)的電訊號的作用的金屬線，而是將較小的突起的凸塊(Bump)形成於晶片上，以減少體積並高速傳輸訊號的工藝。因此，為了形成該凸塊，需進行多個工藝。在其中一個工藝中，為了冷卻晶片，而進行晶片的分階段的溫度下降，在之前工藝中，將安裝有晶片的卡盤與晶片的溫度降低至一定範圍。
因此，防止對晶片的凸塊形成環境產生重要影響的卡盤的溫度因晶片的熱而過度上升。並且，冷卻時晶片的區域的各個溫度差為晶片發生翹曲或損傷的原因。
本發明提供一種基板冷卻裝置及方法，防止卡盤的溫度因基板的熱而過度上升。
並且，本發明提供一種能夠均勻冷卻的基板冷卻裝置及方法。
而且，本發明提供一種提高冷卻效率的基板冷卻裝置及方法。
本發明要解決的技術課題並非限制於此，未言及的或其它課題通過下面的記載而使普通技術人員明確理解。
本發明的技術方案在於： 本發明提供一種冷卻基板的基板冷卻裝置。本發明的實施例的基板冷卻裝置包括：卡盤(Chuck)，供放置基板；冷卻單元，冷卻所述卡盤，所述冷卻單元包括：散熱板，供所述卡盤放置在上面，並散發所述卡盤的熱。
在所述散熱板的上面形成向下方向凹蝕的溝槽。
對於所述溝槽在俯視時呈放射狀。
所述冷卻單元還包括：內蓋，在底面壁的上面支撐所述散熱板並以上下方向移動；冷卻部件，提供於所述底面壁的下面，並冷卻所述內(Inner)蓋。
所述冷卻單元還包括：外(Outer)蓋，在內部形成容納所述內蓋的空間，其中，所述冷卻部件被提供至所述外蓋的底面壁。
所述外蓋的所述底面壁包括：第一區域及與所述第一區域不同的區域即第二區域，所述冷卻單元還包括：彈性部，在所述內蓋的所述底面壁與所述外蓋的所述底面壁分隔的狀態下，支撐所述第一區域，以使處於比所述第二區域高的位置，在所述第一區域對上下方向而施加彈力；溫度測定部，按區域測定所述卡盤的溫度；控制部，根據在所述溫度測定部測定的與所述卡盤的所述第一區域對應的區域及與所述卡盤的所述第二區域對應的區域的溫度，控制所述彈性部，以調整所述內蓋的所述底面與所述外蓋的所述底面壁分隔狀態下的所述第一區域的高度。
所述彈性部包括：氣彈簧，支撐所述第一區域；空氣調節部件，用於將空氣供應至所述氣彈簧及排出空氣，其中，所述控制部控制所述空氣調節部件而調節容納至所述氣彈簧的空氣的量，從而，控制所述第一區域的高度。
並且，本發明提供一種利用上述基板冷卻裝置而冷卻基板的基板冷卻方法。本發明的實施例的基板冷卻方法包括如下步驟：安裝基板，在以所述內蓋與所述外蓋的所述底面壁分隔的方式上升的狀態下將基板安裝至所述卡盤；測定第一溫度，之後，按區域測定所述卡盤的溫度；調節高度，之後，根據與在所述溫度測定步驟測定的與所述卡盤的所述第一區域對應的區域的溫度及與所述卡盤的所述第二區域對應的區域的溫度而調節所述第一區域的高度；執行下降，之後，將所述內蓋下降直至所述內蓋的所述底面壁與所述第一區域及所述第二區域接觸；測定第二溫度，之後，在所述內蓋的底面壁與所述第一區域及所述第二區域接觸的狀態下，測定各個所述卡盤的區域溫度；執行上升，之後，在所述第二溫度測定步驟中測定的與所述卡盤的所述第一區域對應的區域及與所述卡盤的所述第二區域對應的區域的溫度下降至一定溫度的情況下，使所述內蓋上升。
所述彈性部包括：氣彈簧，支撐所述第一區域；空氣調節部件，將空氣供應至所述氣彈簧及排出空氣，其中，在所述高度調節步驟中，所述第一區域的高度通過利用所述空氣調節部件而調節容納至所述氣彈簧的空氣的量而調節。
在所述高度調節步驟中，所述第一區域的高度隨著與所述卡盤的所述第一區域對應的區域及與所述卡盤的所述第二區域對應的區域之間的溫度差越高而調節得越高。
所述基板冷卻方法在所述第二溫度測定步驟及所述上升步驟之間還包括如下步驟：維持高度，控制所述彈性部，以使在所述內蓋的所述底面壁與所述外蓋的所述底面壁分隔的狀態下，所述第一區域的高度與所述第二區域的高度相同。
下面，參照圖式對本發明的實施例進行更具體地說明。本發明的實施例能夠變形為各種形式，本發明的範圍並非以下面的實施例限定進行解釋。本實施例以向本領域通常技術人員更完全說明本發明進行提供。因此，在圖式的要素形狀進行了誇張，以用於強調而更明確的說明。
本發明的實施例的基板冷卻裝置被提供為在半導體後續工藝中的一個回流焊(Reflow)工藝中將之前工藝中被加熱的晶片冷卻至一定溫度的裝置。
圖1為顯示本發明的一個實施例的基板冷卻裝置10的截面圖。參照圖1，基板冷卻裝置10冷卻基板20。例如，基板20為半導體晶片。基板冷卻裝置10包括：卡盤(Chuck)1000及冷卻單元2000。
基板20被放置在卡盤1000的上面。冷卻單元2000冷卻卡盤1000。根據一個實施例，冷卻單元2000包括：散熱板2100、內(Inner)蓋2200及外(Outer)蓋2300。
圖2為顯示圖1的散熱板2100的立體圖。參照圖1及圖2，散熱板2100供在其上面放置有卡盤1000。散熱板2100由熱導率高的材質提供。例如，散熱板2100由鋁(Al)材質提供。基板20的熱被傳輸至卡盤1000，在卡盤1000的底面與散熱板2100的上面接觸的狀態下，卡盤1000的熱通過散熱板2100散發。
在散熱板2100的上面形成溝槽(Groove)2101。溝槽2101由散熱板2100的上面向下凹蝕形成。卡盤1000的熱通過溝槽2101而更順暢地散發。根據一個實施例，溝槽2101在俯視時呈放射狀提供。與此不同，對於卡盤1000的區域相應的溫度分佈，因每個各個基板冷卻裝置10不同，在安裝通過試運行而加熱的基板20的狀態下，按冷卻前的各個基板冷卻裝置10的卡盤1000的區域測定溫度，溝槽2101根據按所測定的卡盤1000的區域的溫度分佈而提供為不同的形狀。
再次參照圖1，內蓋2200在內部具有容納散熱板2100的空間。根據一個實施例，散熱板2100被支撐於內蓋2200的底面的上面。內蓋2200通過驅動器(未圖示)而以上下方向移動。根據一個實施例，內蓋2200包括相互結合而形成容納散熱板2100的空間的下部內蓋2210及上部內蓋2220。在下部內蓋2210的底面安裝散熱板2100。上部內蓋2220以能夠開閉的方式提供。在基板20冷卻時，內蓋2200的內部空間通過上部內蓋2220覆蓋下部內蓋2210的上部而密封。
外蓋2300在內部具有容納內蓋2200的空間。根據一個實施例，外蓋2300包括相互結合而形成容納內蓋2200的空間的下部外蓋2310及上部外蓋2320。上部外蓋2320覆蓋下部外蓋2310的上部，並以能夠開閉的方式提供。在基板20冷卻時，外蓋2300的內部空間通過上部外蓋2320覆蓋下部外蓋2310的上部而密封。
根據本實施例，在基板20被安裝在卡盤1000的狀態下，在提供至被密封的外蓋2300內的密封的內蓋2200內在一定時間內進行冷卻。
圖3為顯示本發明的另一實施例的基板冷卻裝置10a的截面圖。參照圖3，基板冷卻裝置10a的冷卻單元2000a與圖1的基板冷卻裝置10的冷卻單元2000不同，還包括：冷卻部件2400。冷卻部件2400用於冷卻內蓋2200。根據一個實施例，冷卻部件2400被提供至內蓋2200的底面壁的下面。例如，冷卻部件2400被提供至外蓋2300a的底面。冷卻部件2400被提供至外蓋2300a的底面的內部，作為供冷卻水等的冷卻流體流動的冷卻流路提供。與此不同，冷卻部件2400由產生冷氣的各種結構提供。
根據本實施例，在基板20被安裝在卡盤1000的狀態下，在與插入產生被密封的外蓋2300a的冷氣的冷卻部件2400的底面接觸的狀態的密封的內蓋2200內在一定時間內進行冷卻。本實施例的基板冷卻裝置10a提供冷卻部件2400，由此，更能夠提高冷卻效率。
除了基板冷卻裝置10a的冷卻部件2400提供與否之外的其它結構、構造及功能等也與圖1的基板冷卻裝置10相同或相似。
圖4為顯示本發明的又一實施例的基板冷卻裝置10b的截面圖。圖5為顯示圖4的外蓋2300b的平面圖。圖6為簡要顯示圖4的彈性部2500的附圖。參照圖4至圖6，基板冷卻裝置10b的外蓋2300b的底面壁與圖3的基板冷卻裝置10a的外蓋2300a的底面壁不同，包括：第一區域2301及第二區域2302。外蓋2300b的底面壁的第一區域2301及第二區域2302為相互不同的區域。根據一個實施例，第一區域2301是指外蓋2300b的底面壁的中央區域，第二區域2302是指外蓋2300b的底面壁的邊緣區域。與此不同，第一區域2301及第二區域2302通過試運行而在安裝各個基板冷卻裝置10b的加熱的基板20的狀態下，測定各個冷卻之前的卡盤1000的區域的溫度，溝槽2101根據所測定的各個卡盤1000的區域的溫度分佈而以不同的形狀及配置提供。在本說明書中，在安裝有加熱的基板20的狀態下，假設與冷卻之前的卡盤1000的第一區域2301對應的區域的溫度高於與卡盤1000的第二區域對應的區域的溫度。第一區域2301能夠以上下方向移動的方式提供。
基板冷卻裝置10b的冷卻單元2000b與圖3的基板冷卻裝置10a的冷卻單元2000a不同，還包括：彈性部2500、溫度測定部2600及控制部2700。
彈性部2500在內蓋2200的底面壁與外蓋2300b的底面壁分隔的狀態下，支撐第一區域2301，以使處於比第二區域2302高的位置。彈性部2500在第一區域2301對上下方向施加彈力。根據一個實施例，彈性部2500包括：氣彈簧2510及空氣調節部件2520。
氣彈簧2510在第一區域2301的下面支撐第一區域2301。多個氣彈簧2510以沿著第一區域2301的形狀相互分隔排列的方式提供。根據一個實施例，對於第一區域2301提供為環狀的情況，氣彈簧2510為多個而沿著第一區域2301排列為環狀。
空氣調節部件2520將空氣供應至氣彈簧2510及排出空氣。根據空氣調節部件2520的空氣供應及空氣排出而調節氣彈簧2510的上端的高度。
溫度測定部2600按區域測定卡盤1000的溫度。根據一個實施例，溫度測定部2600按區域測定卡盤1000的上面的溫度。與此不同，溫度測定部2600根據需要而有選擇地測定卡盤1000的底面的溫度。溫度測定部2600按所測定的卡盤1000的區域將溫度傳輸至控制部2700。根據一個實施例，溫度測定部2600測定與卡盤1000的第一區域2301對應的區域的溫度及與卡盤1000的第二區域2302對應的區域的溫度而傳輸至控制部2700。
控制部2700根據與在溫度測定部2600測定的卡盤1000的第一區域2301對應的區域及與卡盤1000的第二區域2302對應的區域的溫度，而控制彈性部2500，以調節內蓋2200的底面壁與外蓋2300b的底面壁分隔的狀態下的第一區域2301的高度。根據一個實施例，控制部2700控制空氣調節部件2520，而調節容納至氣彈簧2510的空氣的量，從而，控制第一區域2301的高度。
基板冷卻裝置10b的除此之外的其它的結構、構造及功能等與圖3的基板冷卻裝置10a相同或相似。
下面，對利用圖4的基板冷卻裝置10b而冷卻基板的基板冷卻方法進行說明。圖7為顯示本發明的一個實施例的基板冷卻方法的順序圖。參照圖4及圖7，基板冷卻方法包括如下步驟：基板安裝步驟(S10)、第一溫度測定步驟(S20)、高度調節步驟(S30)、下降步驟(S40)、第二溫度測定步驟(S50)、高度維持步驟(S60)、上升步驟(S70)及基板運出步驟(S80)。依次執行基板安裝步驟(S10)、第一溫度測定步驟(S20)、高度調節步驟(S30)、下降步驟(S40)、第二溫度測定步驟(S50)、高度維持步驟(S60)、上升步驟(S70)及基板運出步驟(S80)。
在基板安裝步驟(S10)中，在以內蓋2200與外蓋2300b的底面壁分隔的方式而上升的狀態下，將基板20安裝至卡盤1000。在基板安裝步驟(S10)中，安裝至卡盤1000的基板20是指在之前工藝中所加熱的半導體晶片。
在第一溫度測定步驟(S20)中，溫度測定部2600按區域測定卡盤1000的溫度。溫度測定部2600將與所測定的卡盤1000的第一區域2301對應的區域的溫度及與卡盤1000的第二區域2302對應的區域的溫度傳輸至控制部2700。
圖8為顯示圖7的高度調節步驟(S30)中的基板冷卻裝置10b的狀態的側面圖。參照圖8，在高度調節步驟(S30)中，控制部2700控制驅動器，以根據與在第一溫度測定步驟(S20)中測定的卡盤1000的第一區域2301對應的區域的溫度及與卡盤1000的第二區域2302對應的區域的溫度而調節第一區域2301的高度。根據一個實施例，在高度調節步驟中，控制部2700將第一區域2301的高度以與卡盤1000的第一區域2301對應的區域及與卡盤1000的第二區域2302對應的區域之間的溫度差越高而調節得越高。根據一個實施例，在高度調節步驟(S30)中，控制部2700控制空氣調節部件2520而調節容納至氣彈簧2510的空氣的量，從而，調節第一區域2301的高度。對於與卡盤1000的第一區域2301對應的區域及與卡盤1000的第二區域2302對應的區域之間的溫度差相應的第一區域2301的調節的高度通過試運行而設定。
圖9為顯示完成圖7的下降步驟(S40)的基板冷卻裝置10b的狀態的側面圖。參照圖9，在下降步驟(S40)中，將內蓋2200下降至內蓋2200的底面壁與第一區域2301及第二區域2302接觸時為止。此時，在高度調節步驟(S30)中調節的第一區域2301的高度被提供得高於第二區域2302的高度，第一區域2301與內蓋2200底面壁接觸的時間比第二區域2302與內蓋2200的底面壁接觸的時間長，由此，能夠使比第二區域2302的溫度高的第一區域2301比第二區域2302更快地冷卻。
在第二溫度測定步驟(S50)中，溫度測定部2600在內蓋2200的底面壁與第一區域2301及第二區域2302接觸的狀態下測定各個卡盤1000的區域的溫度。在第二溫度測定步驟(S50)中，溫度測定部2600將與所測定的卡盤1000的第一區域2301對應的區域的溫度及與卡盤1000的第二區域2302對應的區域的溫度傳輸至控制部2700。此時，卡盤1000的溫度通過冷卻部件2400及散熱板2100的熱傳輸而下降，由此，冷卻基板20。
在高度維持步驟(S60)中，控制部2700控制彈性部2500，以使在內蓋2200的底面壁與外蓋2300b的底面壁分隔的狀態下，第一區域2301的高度與第二區域2302的高度相同。根據一個實施例，控制部2700在上升步驟(S70)中對於內蓋2200上升的情況，控制空氣調節部件2520而調節氣彈簧2510的高度，以使第一區域2301的高度與第二區域2302的高度相同。因此，對於在上升步驟(S70)中第一區域2301及第二區域2302冷卻到了相同的溫度時，上升內蓋2200的情況，內蓋2200的底面的底面同時由第一區域2301及第二區域2302分隔，與第二區域2302對比，因與第一區域2301更持久或短時間地接觸，由此，在內蓋2200的上升時，能夠防止發生與卡盤1000的第一區域2301對應的區域及與卡盤1000的第二區域2302對應的區域之間的溫度差。
圖10為顯示圖7的上升步驟(S70)中的基板冷卻裝置10b的狀態的側面圖。參照圖10，在上升步驟(S70)中，在與第二溫度測定步驟(S50)中測定的卡盤的第一區域2301對應的區域及與卡盤1000的第二區域2302對應的區域的溫度下降至一定溫度的情況下，使內蓋2200上升。
在基板運出步驟(S80)中，由基板冷卻裝置10b運出基板20，以用於執行下一個步驟的工藝。
下面，對測定安裝有普通的基板冷卻裝置及本發明的實施例的基板冷卻裝置的高溫的基板的狀態下的卡盤的溫度變化的結果進行說明。
對於所述三種情況，在測定所有溫度時所使用的卡盤具有38.1mm的厚度，並具有330.2mm的直徑，且由鋁材質(AL6061-T6)提供。並且，基板由具有所述三種情況全部相同的大小的玻璃晶片提供。所述三種情況全部基於卡盤的厚度及上面而測定了卡盤的中心部的溫度。在各個圖表中，x軸是指所測定的時刻(時:分:秒)，y軸()是指所測定的溫度。
圖11為顯示安裝普通的基板冷卻裝置的卡盤的高溫的基板之後的溫度變化的圖表。在普通的基板冷卻裝置上，未提供圖2顯示所示的散熱板2100及圖3顯示所示的冷卻部件2400。參照圖11，在145℃的卡盤上安裝有255℃的基板之後，確認發生最大約35℃的溫度上升。
圖12為顯示安裝有圖1的基板冷卻裝置10的卡盤1000的高溫的基板20之後的溫度變化的圖表。散熱板2100由具有28.7mm的厚度，並具有390mm的直徑，且由鋁材質(AL6061)提供。在散熱板2100的上面，如圖2的情況所示，提供了放射狀的溝槽2101。參照圖12，確認了在100℃的卡盤1000安裝305℃的基板20之後，發生最大約25℃的溫度上升的情況。能夠確認即使卡盤1000的最初溫度及基板20的最初溫度之間的差比圖11的情況大，與圖11的情況相比，溫度上升幅度減小。
圖13為顯示安裝圖3的基板冷卻裝置10a的卡盤1000的高溫的基板20之後的溫度變化的圖表。散熱板2100提供為了與圖12的情況相同的結構散熱板2100。如圖3顯示所示，在外蓋2300a的底面壁提供供冷卻流體流動的冷卻部件2400。在冷卻部件2400持續流入常溫的冷卻流體而循環之後流出。參照圖13，確認在100℃的卡盤1000安裝有305℃的基板之後，卡盤1000的溫度幾乎未上升。
如上所示，本發明的實施例的基板冷卻裝置10、10a、10b及方法提供散熱板2100及/或冷卻部件2400，從而，防止卡盤的溫度因基板的熱而過度上升，並提高冷卻效率。並且，本發明的實施例的基板冷卻裝置10b及方法調節第一區域的高度，從而，均勻冷卻基板。
綜上具體說明例示本發明。並且，上述內容顯示本發明的較佳的實施例而說明，本發明在各種其它組合、變更及環境中使用。即在本說明書中公開的發明的概念的範圍、上述公開內容與同等的範圍及/或本領域技術或知識的範圍內能夠變更或修正。上述實施例用於說明用於實現本發明的技術思想的最佳的狀態，能夠進行在本發明的具體適用領域及用途中所要求的各種變更。因此，綜上發明的具體說明並非通過公開的實施狀態限制本發明。並且，申請專利範圍的範圍應以也包含其它實施形式進行解釋。
本發明的有益效果在於： 本發明的實施例的基板冷卻裝置及方法具有如下效果，防止卡盤的溫度因基板的熱而過度上升。
並且，本發明的實施例的基板冷卻裝置及方法具有如下效果，能夠均勻冷卻基板。
而且，本發明的實施例的基板冷卻裝置及方法具有如下效果，能夠提高冷卻效率。
10、10a、10b               基板冷卻裝置 20                                  基板 1000                              卡盤 2000、2000a、2000b   冷卻單元 2100                              散熱板 2101                              溝槽 2200                              內蓋 2210                              下部內蓋 2220                              上部內蓋 2300、2300a、2300b   外蓋 2301                              第一區域 2302                              第二區域 2310                              下部外蓋 2320                              上部外蓋 2400                              冷卻部件 2500                              彈性部 2510                              氣彈簧 2520                              空氣調節部件 2600                              溫度測定部 2700                              控制部 S10~S80                   步驟
圖1為顯示本發明的一個實施例的基板冷卻裝置的截面圖；
圖2為顯示圖1的散熱板的立體圖；
圖3為顯示本發明的另一實施例的基板冷卻裝置的截面圖；
圖4為顯示本發明的又一實施例的基板冷卻裝置的截面圖；
圖5為顯示圖4的外蓋的平面圖；
圖6為概略性顯示圖4的彈性部的附圖；
圖7為顯示本發明的一個實施例的基板冷卻方法的順序圖；
圖8為顯示圖7的高度調節步驟中的基板冷卻裝置的狀態的側面圖；
圖9為顯示完成圖7的下降步驟的基板冷卻裝置的狀態的側面圖；
圖10為顯示圖7的上升步驟中的基板冷卻裝置的狀態的側面圖；
圖11為顯示安裝一般的基板冷卻裝置的卡盤的高溫的基板之後的溫度變化的圖表；
圖12為顯示安裝圖1的基板冷卻裝置的卡盤的高溫的基板之後的溫度變化的圖表；
圖13為顯示安裝圖3的基板冷卻裝置的卡盤的高溫的基板之後的溫度變化的圖表。
10            基板冷卻裝置 20            基板 1000         卡盤 2000         冷卻單元 2100         散熱板 2200         內蓋 2210         下部內蓋 2220         上部內蓋 2300         外蓋 2310         下部外蓋 2320         上部外蓋

Claims (11)

  1. 一種基板冷卻裝置，涉及一種冷卻基板的裝置，其包括： 卡盤，供放置基板；以及 冷卻單元，用於冷卻所述卡盤； 所述冷卻單元包括： 散熱板，在上面放置所述卡盤，並散發所述卡盤的熱。
  2. 如請求項1所述之基板冷卻裝置，其中，在所述散熱板的上面形成有向下凹蝕的溝槽。
  3. 如請求項2所述之基板冷卻裝置，其中，對於所述溝槽，在俯視時呈放射狀。
  4. 如請求項1所述之基板冷卻裝置，其中，所述冷卻單元還包括： 內蓋，在底面壁的上面支撐所述散熱板，並以上下方向移動； 冷卻部件，提供至所述底面壁的下面，冷卻所述內蓋。
  5. 如請求項4所述之基板冷卻裝置，其中，所述冷卻單元還包括： 外蓋，在內部形成供容納所述內蓋的空間， 所述冷卻部件被提供至所述外蓋的底面壁。
  6. 如請求項5所述之基板冷卻裝置，其中，所述外蓋的所述底面壁還包括： 第一區域；及 第二區域，與所述第一區域不同的區域， 所述冷卻單元包括： 彈性部，在所述內蓋的所述底面壁與所述外蓋的所述底面壁分隔的狀態下，支撐所述第一區域，以使處於比所述第二區域高的位置，並在所述第一區域對上下方向施加彈力； 溫度測定部，按區域測定所述卡盤的溫度； 控制部，根據在所述溫度測定部中所測定的與所述卡盤的所述第一區域對應的區域及與所述卡盤的所述第二區域對應的區域的溫度，控制所述彈性部，以調節所述內蓋的所述底面壁與所述外蓋的所述底面壁分隔狀態下的所述第一區域的高度。
  7. 如請求項6所述之基板冷卻裝置，其中，所述彈性部包括： 氣彈簧，支撐所述第一區域； 空氣調節部件，將空氣供應至所述氣彈簧及排出空氣， 所述控制部通過控制所述空氣調節部件而調節容納至所述氣彈簧的空氣的量，從而，控制所述第一區域的高度。
  8. 一種基板冷卻方法，涉及一種利用請求項6所述之基板冷卻裝置而冷卻基板的方法，其包括以下步驟： 安裝基板，在以所述內蓋與所述外蓋的所述底面壁分隔的方式進行上升的狀態下，將基板安裝至所述卡盤； 測定第一溫度，之後，按區域測定所述卡盤的溫度； 調節高度，之後，根據在所述測定第一溫度步驟中測定的與所述卡盤的所述第一區域對應的區域的溫度及與所述卡盤的所述第二區域對應的區域的溫度而調節所述第一區域的高度； 執行下降，之後，使所述內蓋下降直至所述內蓋的所述底面壁與所述第一區域及所述第二區域接觸； 測定第二溫度，之後，在所述內蓋的所述底面壁與所述第一區域及所述第二區域接觸的狀態下，按所述卡盤的區域測定溫度；以及 執行上升，之後，在所述測定第二溫度步驟中測定的與所述卡盤的所述第一區域對應的區域及與所述卡盤的所述第二區域對應的區域的溫度下降至一定溫度的情況下，上升所述內蓋。
  9. 如請求項8所述之基板冷卻方法，其中，所述彈性部包括： 氣彈簧，支撐所述第一區域； 空氣調節部件，將空氣供應至所述氣彈簧及排出空氣， 在所述調節高度步驟中，所述第一區域的高度利用所述空氣調節部件而調節容納至所述氣彈簧的空氣的量而調節。
  10. 如請求項8所述之基板冷卻方法，其中，在所述調節高度步驟中，對於所述第一區域的高度，與所述卡盤的所述第一區域對應的區域及與所述卡盤的所述第二區域對應的區域之間溫度差越高而調節得更高。
  11. 如請求項10所述之基板冷卻方法，其中，在所述測定第二溫度步驟及所述上升步驟之間還包括以下步驟： 維持高度，控制所述彈性部，以使在所述內蓋的所述底面壁與所述外蓋的所述底面壁分隔的狀態下，所述第一區域的高度與所述第二區域的高度相同。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD947802S1 (en) * 2020-05-20 2022-04-05 Applied Materials, Inc. Replaceable substrate carrier interfacing film

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW300312B (en) * 1996-02-16 1997-03-11 Novellus Systems Inc Wafer cooling device
CN101512750A (zh) * 2006-08-29 2009-08-19 朗姆研究公司 调节静电卡盘支撑件总成的导热系数的方法
CN104254913A (zh) * 2013-03-25 2014-12-31 日本碍子株式会社 冷却板、其制法以及半导体制造装置用部件
CN108475656A (zh) * 2015-12-28 2018-08-31 日本碍子株式会社 圆盘状加热器以及加热器冷却板组件
TW201834108A (zh) * 2016-11-25 2018-09-16 美商應用材料股份有限公司 具有v形密封帶的陶瓷靜電吸盤

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100343221B1 (ko) * 1999-11-09 2002-07-10 윤종용 미세구조의 냉각핀을 가지는 냉각장치
KR20020059511A (ko) * 2001-01-08 2002-07-13 윤종용 기판의 냉각장치
US7731798B2 (en) * 2004-12-01 2010-06-08 Ultratech, Inc. Heated chuck for laser thermal processing
JP4386360B2 (ja) * 2004-12-06 2009-12-16 信越化学工業株式会社 静電チャック
JP5517392B2 (ja) * 2005-08-02 2014-06-11 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 基板支持アセンブリ、プロセスチャンバ及びプロセスチャンバ内の基板の温度を維持するための方法
KR20080053768A (ko) * 2006-12-11 2008-06-16 삼성전자주식회사 웨이퍼 척, 이를 구비하는 웨이퍼의 전기적 특성을테스트하는 장치 및 테스트하는 방법
KR100949197B1 (ko) * 2007-12-28 2010-03-23 전자부품연구원 방열 기판의 제조 방법
JP2010182906A (ja) * 2009-02-06 2010-08-19 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP2012023283A (ja) * 2010-07-16 2012-02-02 Siix Corp 放熱基板およびその製造方法
JP5993568B2 (ja) * 2011-11-09 2016-09-14 東京エレクトロン株式会社 基板載置システム、基板処理装置、静電チャック及び基板冷却方法
JP6168273B2 (ja) * 2012-10-16 2017-07-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6088909B2 (ja) * 2013-06-04 2017-03-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 熱処理装置
KR20150122887A (ko) * 2014-04-23 2015-11-03 주식회사 제우스 기판의 열처리 장치
US20150332942A1 (en) * 2014-05-16 2015-11-19 Eng Sheng Peh Pedestal fluid-based thermal control
KR101653335B1 (ko) * 2014-08-05 2016-09-02 피에스케이 주식회사 냉각 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법
US10249526B2 (en) * 2016-03-04 2019-04-02 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly for high temperature processes
JP7195060B2 (ja) * 2018-05-17 2022-12-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
US11961723B2 (en) * 2018-12-17 2024-04-16 Applied Materials, Inc. Process kit having tall deposition ring for PVD chamber
JP6918042B2 (ja) * 2019-03-26 2021-08-11 日本碍子株式会社 ウエハ載置装置
US11289312B2 (en) * 2019-06-12 2022-03-29 Applied Materials, Inc. Physical vapor deposition (PVD) chamber with in situ chamber cleaning capability
KR20210004845A (ko) * 2019-07-05 2021-01-13 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치
US11177146B2 (en) * 2019-10-31 2021-11-16 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for processing a substrate

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW300312B (en) * 1996-02-16 1997-03-11 Novellus Systems Inc Wafer cooling device
CN101512750A (zh) * 2006-08-29 2009-08-19 朗姆研究公司 调节静电卡盘支撑件总成的导热系数的方法
CN104254913A (zh) * 2013-03-25 2014-12-31 日本碍子株式会社 冷却板、其制法以及半导体制造装置用部件
CN108475656A (zh) * 2015-12-28 2018-08-31 日本碍子株式会社 圆盘状加热器以及加热器冷却板组件
TW201834108A (zh) * 2016-11-25 2018-09-16 美商應用材料股份有限公司 具有v形密封帶的陶瓷靜電吸盤

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