TW202010003A - 基板處理方法、基板處理裝置以及基板處理系統 - Google Patents
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Abstract
一種能以所需的時序差進行由第一噴嘴向第二噴嘴的切換的基板處理方法。基板處理方法包括第一步驟~第六步驟。保持基板(第一步驟)。開始利用相機進行拍攝,生成拍攝圖像(第二步驟)。開始自第一噴嘴向基板噴出處理液(第三步驟)。停止自第一噴嘴噴出處理液,開始自第二噴嘴噴出處理液(第四步驟)。基於針對拍攝圖像的圖像處理,求出自第二噴嘴噴出處理液的開始時序、與自第一噴嘴噴出處理液的停止時序之時序差(第五步驟)。於判定為時序差為既定範圍外時,以時序差成為既定範圍內的方式調整開始時序及停止時序的至少任一者(第六步驟)。
Description
本發明是有關於一種基板處理方法、基板處理裝置及基板處理系統。
先前以來,提出有對基板依序供給互不相同的處理液而進行處理的基板處理裝置。該基板處理裝置包括將基板保持為水平姿勢的基板保持部、使基板保持部旋轉而使基板於水平面內旋轉的旋轉機構、以及自基板的上方噴出處理液的第一噴出噴嘴及第二噴出噴嘴。俯視時,第一噴出噴嘴及第二噴出噴嘴分別自基板的中央附近噴出處理液。
當自第一噴出噴嘴向基板噴出第一處理液時,該第一處理液著落於基板的中央附近,受到伴隨基板旋轉的離心力而於基板上擴展,自基板的周緣飛散。第一處理液可使用SC1液(氨水、過氧化氫水及水的混合液)、SC2液(鹽酸、過氧化氫水及水的混合液)、DHF液(稀氫氟酸)等。藉此,可對基板進行與第一處理液相應的處理。
繼而進行利用第二處理液的處理。即,將噴出處理液的噴嘴由第一噴出噴嘴切換為第二噴出噴嘴。具體而言,一邊停止自第一噴出噴嘴噴出第一處理液,一邊開始自第二噴出噴嘴噴出第二處理液。第二處理液著落於基板的中央附近,受到伴隨基板旋轉的離心力而於基板上擴展,自基板的周緣飛散。第二處理液例如可採用純水。藉此,可自基板沖洗第一處理液。
另外,亦提出有利用相機來監視自噴出噴嘴的處理液的噴出狀態的技術(例如專利文獻1、專利文獻2)。專利文獻1、專利文獻2中,利用相機來拍攝包含噴出噴嘴的前端的拍攝區域,並基於該相機的拍攝圖像來判定是否正自噴出噴嘴噴出處理液。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2017-29883號公報
[專利文獻2]日本專利特開2015-173148號公報
[發明所欲解決之課題]
於將噴出處理液的噴嘴由第一噴出噴嘴切換為第二噴出噴嘴時,停止自第一噴出噴嘴噴出處理液的噴出停止時序、與開始自第二噴出噴嘴噴出處理液的噴出開始時序之時序差是重要的。
例如,自第二噴出噴嘴噴出處理液的開始時序較第一噴出噴嘴的噴出停止時序而越遲,則基板的表面越容易局部地乾燥(液乾涸)。若基板的表面乾燥,則可能產生不良狀況(例如顆粒的附著)。
為了避免所述基板的乾燥,只要於第一噴出噴嘴的噴出停止時序之前開始第二噴出噴嘴的噴出即可。例如於第一處理液的噴出停止中,第一處理液的噴出量隨時間經過而降低,終究成為零。藉由在該第一處理液的噴出停止中開始第二處理液的噴出,而可於基板上不間斷地供給處理液,可降低基板乾燥的可能性。
然而,若第二噴出噴嘴的噴出開始時序過早,則會於第一處理液仍以充分的噴出量噴出的狀態下開始噴出第二處理液。此時,供給於基板的處理液的總量變大,處理液於基板上回濺(濺液)。此種濺液的產生欠佳。
因此,較理想為以不產生濺液及液乾涸的方式調整時序差。
另外,所述時序差亦有時對是否良好地處理基板造成影響。此時,較理想為以處理結果變得良好的方式調整時序差。
因此,本申請案的目的在於提供一種能以所需的時序差進行由第一噴嘴向第二噴嘴的切換的基板處理方法、基板處理裝置及基板處理系統。
[解決課題之手段]
基板處理方法的第一態樣為一種基板處理方法,包括:第一步驟,保持基板;第二步驟,開始利用相機對包含第一噴嘴的前端及第二噴嘴的前端的拍攝區域進行拍攝,生成拍攝圖像;第三步驟,開始自所述第一噴嘴向所述基板噴出處理液;第四步驟,停止自所述第一噴嘴噴出處理液,開始自所述第二噴嘴噴出處理液;第五步驟,基於針對所述拍攝圖像的圖像處理,求出於所述第四步驟中開始自所述第二噴嘴噴出處理液的開始時序、與停止自所述第一噴嘴噴出處理液的停止時序之時序差;以及第六步驟,判定所述時序差是否為既定範圍外,於判定為所述時序差為所述既定範圍外時,以所述時序差成為所述既定範圍內的方式調整所述開始時序及所述停止時序的至少任一者。
基板處理方法的第二態樣為第一態樣的基板處理方法,其中調整所述停止時序而不調整所述開始時序。
基板處理方法的第三態樣為第一態樣或第二態樣的基板處理方法,其中於所述第五步驟中,基於所述拍攝圖像的各訊框(frame)中自所述第一噴嘴的前端向所述第一噴嘴的噴出方向延伸的第一噴出判定區域的畫素值,確定所述停止時序,基於各訊框中自所述第二噴嘴的前端向所述第二噴嘴的噴出方向延伸的第二噴出判定區域的畫素值,確定所述開始時序。
基板處理方法的第四態樣為第三態樣的基板處理方法,其中基於所述第一噴出判定區域的畫素值的統計量大於臨限值的訊框、及作為所述訊框的下一訊框的所述第一噴出判定區域的統計量小於所述臨限值的訊框,確定所述停止時序,基於所述第二噴出判定區域的畫素值的統計量小於所述臨限值的訊框、及作為所述訊框的下一訊框的所述第一噴出判定區域的統計量大於所述臨限值的訊框,確定所述開始時序。
基板處理方法的第五態樣為第四態樣的基板處理方法,其中於所述第六步驟中,將關於所述第一噴嘴及所述第二噴嘴的表示所述統計量的時間變化的曲線圖顯示於用戶介面,於對所述用戶介面進行針對對象時序的輸入時,根據所述輸入而調整所述對象時序,所述對象時序為所述開始時序及所述停止時序的至少任一者。
基板處理方法的第六態樣為第一態樣至第三態樣中任一態樣的基板處理方法,其中於所述第五步驟中,使用經機械學習的分類器將所述拍攝圖像所含的各訊框分類為關於所述第一噴嘴及所述第二噴嘴各自處理液的噴出/停止,並基於其分類結果而求出所述時序差。
基板處理方法的第七態樣為第六態樣的基板處理方法,其中基於關於所述第一噴嘴而分類為噴出的訊框、及作為所述訊框的下一訊框的關於所述第一噴嘴而分類為停止的訊框,確定所述停止時序,基於關於所述第二噴嘴而分類為停止的訊框、及作為所述訊框的下一訊框的關於所述第二噴嘴而分類為噴出的訊框,確定所述開始時序。
基板處理方法的第八態樣為第六態樣的基板處理方法,其中所述停止時序為所述開始時序之後,基於經分類為所述第一噴嘴及所述第二噴嘴兩者噴出處理液的訊框的個數、與所述訊框之間的時間,求出所述時序差。
基板處理方法的第九態樣為第一態樣至第八態樣中任一態樣的基板處理方法,其中於所述第六步驟中,於判定為所述時序差為既定範圍外時,將所述時序差為既定範圍外的情況告知作業者。
基板處理方法的第十態樣為第一態樣至第九態樣中任一態樣的基板處理方法,其中所述停止時序為所述開始時序之後,所述基板處理方法更包括:第七步驟,基於針對所述拍攝圖像的圖像處理而判定是否產生處理液於基板上飛濺的濺液,於判定為產生所述濺液時,以減小所述開始時序與所述停止時序之間的時序差的方式調整所述開始時序及所述停止時序的至少任一者。
基板處理方法的第十一態樣為第十態樣的基板處理方法,其中於所述第七步驟中,使用經機械學習的分類器,將所述拍攝圖像的各訊框分類為有/無所述濺液。
基板處理方法的第十二態樣為第十一態樣的基板處理方法,其中於所述第七步驟中,將所述拍攝圖像的各訊框中的、所述第一噴嘴及所述第二噴嘴的附近的濺液判定區域切出,使用所述分類器將所述濺液判定區域分類為有/無濺液。
基板處理方法的第十三態樣為第六態樣至第八態樣、第十一態樣、第十二態樣中任一態樣的基板處理方法,其中自與所述基板的種類、所述處理液的種類、所述第一噴嘴及所述第二噴嘴的位置、以及所述處理液的流量中的至少任一者相應的多個經機械學習的分類器中選擇一個,基於所選擇的分類器而將所述拍攝圖像所含的各訊框分類。
基板處理方法的第十四態樣為第十三態樣的基板處理方法,其中於將所述基板的種類、所述處理液的種類、所述第一噴嘴及所述第二噴嘴的位置、以及所述處理液的流量中的至少任一者輸入至輸入部時,根據對所述輸入部的輸入而自所述多個分類器中選擇一個。
基板處理裝置的第一態樣包括:基板保持部,保持基板;處理液供給部,具有對所述基板噴出處理液的第一噴嘴、及對所述基板噴出處理液的第二噴嘴;相機,對包含所述第一噴嘴的前端及所述第二噴嘴的前端的拍攝區域進行拍攝,生成拍攝圖像;以及控制部,所述控制部以於開始自所述第一噴嘴向所述基板噴出處理液之後,開始自所述第二噴嘴向所述基板噴出處理液,並停止自所述第一噴嘴向所述基板噴出處理液的方式,控制所述處理液供給部,基於針對所述拍攝圖像的圖像處理,求出開始自所述第二噴嘴噴出處理液的開始時序、與停止自所述第一噴嘴噴出處理液的停止時序之時序差,於判定為所述時序差為既定範圍外時,以所述時序差成為所述既定範圍內的方式調整所述開始時序及所述停止時序的至少任一者。
基板處理裝置的第二態樣為第一態樣的基板處理裝置,其中所述控制部使用經機械學習的分類器,將所述拍攝圖像所含的各訊框分類成關於所述第一噴嘴及所述第二噴嘴而表示處理液的噴出/停止的狀態的類別,並基於其分類結果而求出所述時序差。
基板處理裝置的第三態樣為第二態樣的基板處理裝置,其中所述控制部自與所述基板的種類、所述處理液的種類、所述第一噴嘴及所述第二噴嘴的位置、以及所述處理液的流量中的至少任一者相應的多個經機械學習的分類器中選擇一個,並基於所選擇的分類器而將所述拍攝圖像所含的各訊框分類。
基板處理裝置的第四態樣為第三態樣的基板處理裝置,包括:輸入部,供輸入所述基板的種類、所述處理液的種類、所述第一噴嘴及所述第二噴嘴的位置、以及所述處理液的流量中的至少任一者,所述控制部根據對所述輸入部的輸入而自所述多個分類器中選擇一個。
基板處理系統的態樣包括基板處理裝置、及與所述基板處理裝置通訊的伺服器,所述基板處理裝置包括:基板保持部,保持基板;處理液供給部,具有對所述基板噴出處理液的第一噴嘴、及對所述基板噴出處理液的第二噴嘴;相機,對包含所述第一噴嘴的前端及所述第二噴嘴的前端的拍攝區域進行拍攝,生成拍攝圖像;以及控制部,以於開始自所述第一噴嘴向所述基板噴出處理液之後,開始自所述第二噴嘴向所述基板噴出處理液,並停止自所述第一噴嘴向所述基板噴出處理液的方式,控制所述處理液供給部,所述基板處理裝置及伺服器使用經機械學習的分類器,將所述拍攝圖像所含的各訊框分類成關於所述第一噴嘴及所述第二噴嘴而表示處理液的噴出/停止的狀態的類別,並基於其分類結果而求出開始自所述第二噴嘴噴出處理液的開始時序、與停止自所述第一噴嘴噴出處理液的停止時序之時序差,所述控制部於判定為所述時序差為既定範圍外時,以所述時序差成為所述既定範圍內的方式調整所述開始時序及所述停止時序的至少任一者。
[發明的效果]
根據基板處理方法的第一態樣、基板處理裝置的第一態樣,基於針對拍攝圖像的圖像處理而求出開始時序與停止時序之時序差,故而能以高精度求出時序差。因此,能以高精度將時序差調整至既定範圍內。
藉此,例如可基本上避免產生處理液於基板上飛濺的濺液、及基板局部地乾燥的液乾涸。
根據基板處理方法的第二態樣,可於不變更自第一噴嘴供給處理液的處理期間的長度的情況下,將時序差設為既定範圍內。
根據基板處理方法的第三態樣,使用第一噴出判定區域及第二噴出判定區域的畫素值,故而與對整個拍攝圖像進行圖像處理的情形相比可減輕處理。
根據基板處理方法的第四態樣,可藉由簡易的處理來確定開始時序及停止時序。
根據基板處理方法的第五態樣,作業者可視認統計量的時間變化,並基於該時間變化來調整時序差。
根據基板處理方法的第六態樣、基板處理裝置的第二態樣及基板處理系統的態樣,可藉由機械學習以高精度求出時序差。
根據基板處理方法的第七態樣,可適當地確定時序差。
根據基板處理方法的第八態樣,可適當地確定時序差。
根據基板處理方法的第九態樣,作業者可認識到時序差為既定範圍外。
根據基板處理方法的第十態樣,能以可減少濺液產生的方式調整時序差。
根據基板處理方法的第十一態樣,能以高精度判定有無濺液。
根據基板處理方法的第十二態樣,可提高分類精度。
根據基板處理方法的第十三態樣及基板處理裝置的第三態樣,能以高精度將各訊框分類。
根據基板處理方法的第十四態樣及基板處理裝置的第四態樣,作業者可將資訊輸入至輸入部。
以下,一方面參照隨附的圖式一方面對實施形態進行說明。再者,圖式是概略性地表示,為了方便說明而適當將構成省略或將構成簡化。另外,圖式所示的構成等的大小及位置的相互關係未必準確地記載,可適當變更。
另外,以下所示的說明中,對同樣的構成要素標註相同符號而進行圖示,關於該些構成要素的名稱及功能亦設為同樣。因此,有時為了避免重複而將關於該些構成要素的詳細說明省略。
第一實施形態.
<基板處理裝置的概要>
圖1為表示基板處理裝置100的總體構成的圖。基板處理裝置100為對基板W供給處理液而對基板W進行處理的裝置。基板W例如為半導體基板。該基板W具有大致圓板形狀。
該基板處理裝置100可將至少兩種處理液依序供給於基板W。例如,基板處理裝置100可對基板W供給清洗用的化學液後,對基板W供給沖洗液,藉此進行清洗處理。該化學液典型而言可使用SC1液(氨水、過氧化氫水及水的混合液)、SC2液(鹽酸、過氧化氫水及水的混合液)、DHF液(稀氫氟酸)等。該沖洗液例如可使用純水等。本說明書中,將化學液與沖洗液統稱為「處理液」。再者,不僅是清洗處理,用於成膜處理的光阻液等塗佈液、用以將不需要的膜去除的化學液、用於蝕刻的化學液等亦包含於「處理液」。
基板處理裝置100具備索引器(indexer)102、多個處理單元1及主搬送機器人103。索引器102具有將自裝置外接受的未處理的基板W搬入裝置內,並且將清洗處理結束的經處理的基板W搬出至裝置外的功能。索引器102載置多個承載器(carrier)並且具備移送機器人(均省略圖示)。承載器可採用將基板W收納於密閉空間的前開式晶圓運載盒(front opening unified pod,FOUP)或標準機械介面(Standard Mechanical Inter Face,SMIF)盒、或者於收納狀態下將基板W曝露於外氣的開放式晶舟(open cassette,OC)。移送機器人於該承載器與主搬送機器人103之間移送基板W。
於基板處理裝置100配置有12個處理單元1。詳細的配置構成可謂以包圍主搬送機器人103的周圍的方式配置有4個塔(tower),該塔是將3個處理單元1積層而成。換言之,包圍主搬送機器人103而配置的4個處理單元1分三段積層,圖1表示其中的一層。再者,搭載於基板處理裝置100的處理單元1的個數不限定於12,例如亦可為8個或4個。
主搬送機器人103設置於包含經積層的處理單元1的4個塔的中央。主搬送機器人103將自索引器102接受的未處理的基板W搬入各處理單元1,並且自各處理單元1搬出經處理的基板W交給索引器102。
繼而,對處理單元1進行說明。以下,對搭載於基板處理裝置100的12個處理單元1中的一個進行說明,但對於其他處理單元1而言亦同樣。圖2為處理單元1的平面圖。另外,圖3為處理單元1的縱剖面圖。再者,圖2表示未於基板保持部20保持基板W的狀態,圖3表示於基板保持部20保持有基板W的狀態。
處理單元1於腔室10內具備下述部分作為主要的要素:基板保持部20,將基板W保持為水平姿勢(基板W的法線沿著鉛垂方向的姿勢);3個處理液供給部30、處理液供給部60、處理液供給部65,用於對由基板保持部20所保持的基板W的上表面供給處理液;處理杯40,包圍基板保持部20的周圍;以及相機70,對基板保持部20的上方空間進行拍攝。另外,於腔室10內的處理杯40的周圍,設有將腔室10的內側空間上下分隔的分隔板15。
腔室10具備沿著鉛垂方向的側壁11、將由側壁11所包圍的空間的上側閉塞的頂壁12及將下側閉塞的底壁13。由側壁11、頂壁12及底壁13所包圍的空間成為基板W的處理空間。另外,於腔室10的側壁11的一部分,設有用於主搬送機器人103對腔室10搬入搬出基板W的搬入搬出口、及開閉該搬入搬出口的閘門(均省略圖示)。
於腔室10的頂壁12安裝有風扇過濾單元(Fan Filter Unit,FFU)14,用於將設置有基板處理裝置100的潔淨室(clean room)內的空氣進一步清潔化並供給於腔室10內的處理空間。風扇過濾單元14具備用以取入潔淨室內的空氣並送出至腔室10內的風扇及過濾器(例如高效空氣微粒(High Efficiency Particulate Air,HEPA)過濾器),於腔室10內的處理空間形成清潔空氣的降流(down flow)。為了使自風扇過濾單元14供給的清潔空氣均勻地分散,亦可於頂壁12的正下方設置穿設有多數個吹出孔的衝孔板(punching plate)。
基板保持部20例如為旋轉卡盤(spin chuck)。該基板保持部20具備圓板形狀的旋轉底座(spin base)21,該旋轉底座21以水平姿勢而固定於沿鉛垂方向延伸的旋轉軸24的上端。於旋轉底座21的下方設有使旋轉軸24旋轉的旋轉馬達22。旋轉馬達22經由旋轉軸24使旋轉底座21於水平面內旋轉。另外,以包圍旋轉馬達22及旋轉軸24的周圍的方式設有筒狀的蓋構件23。
圓板形狀的旋轉底座21的外徑略大於由基板保持部20保持的圓形的基板W的直徑。因此,旋轉底座21具有與應保持的基板W的整個下表面相向的保持面21a。
於旋轉底座21的保持面21a的周緣部立設有多個(本實施形態中為4根)卡盤銷26。多個卡盤銷26沿著與圓形的基板W的外周圓對應的圓周上空開均等的間隔(若如本實施形態般為4個卡盤銷26則以90°間隔)配置。多個卡盤銷26是由收容於旋轉底座21內的省略圖示的連桿機構聯動地驅動。基板保持部20可藉由使多個卡盤銷26各自抵接於基板W的外周端來握持基板W,而將該基板W以接近保持面21a的水平姿勢保持於旋轉底座21的上方(參照圖3),並且可使多個卡盤銷26各自離開基板W的外周端而解除握持。
於藉由利用多個卡盤銷26進行握持而基板保持部20保持基板W的狀態下,旋轉馬達22使旋轉軸24旋轉,藉此可使基板W繞旋轉軸CX旋轉,該旋轉軸CX沿著通過基板W的中心的鉛垂方向。
處理液供給部30是於噴嘴臂32的前端安裝噴出噴嘴31而構成(參照圖2)。噴嘴臂32的基端側固定地連結於噴嘴基台33。藉由省略圖示的馬達,噴嘴基台33繞沿著鉛垂方向的軸而可轉動。藉由噴嘴基台33轉動,而如圖2中的箭頭AR34所示,噴出噴嘴31於基板保持部20的上方的處理位置與較處理杯40更靠外側的待機位置之間沿水平方向以圓弧狀移動。
處理液供給部30以供給多種處理液的方式構成。具體而言,處理液供給部30具有多個噴出噴嘴31。於圖2及圖3的例子中,表示2個噴出噴嘴31a、噴出噴嘴31b作為噴出噴嘴31。噴出噴嘴31a、噴出噴嘴31b經由噴嘴臂32而固定於噴嘴基台33。因此,噴出噴嘴31a、噴出噴嘴31b彼此同步地移動。噴出噴嘴31a、噴出噴嘴31b以於水平面內相鄰的方式設置。
如圖3中所例示,噴出噴嘴31a經由配管34a而連接於處理液供給源37a,噴出噴嘴31b經由配管34b而連接於處理液供給源37b。於配管34a、配管34b的中途分別設有開閉閥35a、開閉閥35b。藉由開閉閥35a打開,來自處理液供給源37a的處理液Lq1流經配管34a的內部而自噴出噴嘴31a噴出,藉由開閉閥35b打開,來自處理液供給源37b的處理液Lq2流經配管34b的內部而自噴出噴嘴31b噴出。自噴出噴嘴31a例如噴出SC1液,自噴出噴嘴31b例如噴出純水。於噴出噴嘴31a、噴出噴嘴31b在處理位置停止的狀態下噴出的處理液Lq1、處理液Lq2著落於由基板保持部20所保持的基板W的上表面。
亦可於配管34a、配管34b的中途分別設有回吸閥(suck back valve)36a、回吸閥36b。回吸閥36a於處理液Lq1的噴出停止時,吸入配管34a內的處理液Lq1,藉此自噴出噴嘴31a的前端引入處理液Lq1。藉此,於噴出停止時不易產生處理液Lq1自噴出噴嘴31a的前端以相對較大的塊(液滴)的形式落下的滴落。回吸閥36b亦同樣。
另外,於本實施形態的處理單元1,除了所述的處理液供給部30以外更設有2個處理液供給部60、處理液供給部65。本實施形態的處理液供給部60、處理液供給部65具備與所述的處理液供給部30同樣的構成。即,處理液供給部60是於噴嘴臂62的前端安裝噴出噴嘴61而構成,該噴出噴嘴61藉由連結於噴嘴臂62的基端側的噴嘴基台63,而如箭頭AR64所示,於基板保持部20的上方的處理位置與較處理杯40更靠外側的待機位置之間以圓弧狀移動。同樣地,處理液供給部65是於噴嘴臂67的前端安裝噴出噴嘴66而構成,該噴出噴嘴66藉由連結於噴嘴臂67的基端側的噴嘴基台68,而如箭頭AR69所示,於基板保持部20的上方的處理位置與較處理杯40更靠外側的待機位置之間以圓弧狀移動。處理液供給部60、處理液供給部65亦可以供給多種處理液的方式構成,或者亦可以供給單一的處理液的方式構成。
處理液供給部60、處理液供給部65於各自的噴出噴嘴61、噴出噴嘴66位於處理位置的狀態下,向由基板保持部20所保持的基板W的上表面噴出處理液。再者,處理液供給部60、處理液供給部65的至少一者亦可為將純水等清洗液與經加壓的氣體混合而生成液滴,並將該液滴與氣體的混合流體噴射至基板W的二流體噴嘴。另外,設於處理單元1的處理液供給部不限定於3個,只要為一個以上即可。然而,本實施形態中,以依序切換噴出兩種處理液為前提,因而噴出噴嘴總體設有兩個以上。處理液供給部60、處理液供給部65的各噴出噴嘴亦可與處理液供給部30同樣地經由配管而連接於處理液供給源,另外於該配管的中途設有開閉閥,進而設有回吸閥。以下,代表性地對使用處理液供給部30的處理進行描述。
處理杯40是以包圍基板保持部20的方式設置。處理杯40具備內杯41、中杯42及外杯43。內杯41、中杯42及外杯43是以可升降的方式設置。於內杯41、中杯42及外杯43上升的狀態下,自基板W的周緣飛散的處理液觸碰內杯41的內周面而落下。落下的處理液適當由第一回收機構(未圖示)回收。於內杯41下降且中杯42及外杯43上升的狀態下,自基板W的周緣飛散的處理液觸碰中杯42的內周面而落下。落下的處理液適當由第二回收機構(未圖示)回收。於內杯41及中杯42下降且外杯43上升的狀態下,自基板W的周緣飛散的處理液觸碰外杯43的內周面而落下。落下的處理液適當由第三回收機構(未圖示)回收。由此,可將不同的處理液分別適當回收。
分隔板15是以於處理杯40的周圍將腔室10的內側空間上下分隔的方式設置。分隔板15可為包圍處理杯40的一片板狀構件,亦可將多個板狀構件接合而成。另外,於分隔板15,亦可形成有沿厚度方向貫通的貫通孔或缺口,本實施形態中形成有用以供支持軸穿插的貫通孔(未圖示),所述支持軸用於支持處理液供給部30、處理液供給部60、處理液供給部65的噴嘴基台33、噴嘴基台63、噴嘴基台68。
分隔板15的外周端連結於腔室10的側壁11。另外,分隔板15的包圍處理杯40的端緣部是以成為直徑較外杯43的外徑更大的圓形形狀的方式形成。因此,分隔板15不會妨礙外杯43的升降。
另外,於腔室10的側壁11的一部分且底壁13的附近設有排氣管道18。排氣管道18連通連接於省略圖示的排氣機構。自風扇過濾單元14供給而於腔室10內流下的清潔空氣中,於處理杯40與分隔板15之間經過的空氣自排氣管道18排出至裝置外。
相機70設置於腔室10內且較分隔板15更靠上方。相機70例如具備拍攝元件(例如電荷耦合元件(Charge Coupled Device,CCD))、電子快門、透鏡等光學系統。藉由噴嘴基台33,處理液供給部30的噴出噴嘴31於由基板保持部20所保持的基板W的上方的處理位置(圖3的實線位置)、與較處理杯40更靠外側的待機位置(圖3的點線位置)之間往返移動。處理位置為自處理液供給部30向由基板保持部20所保持的基板W的上表面噴出處理液而進行清洗處理的位置。待機位置為處理液供給部30於不進行清洗處理時停止噴出處理液而待機的位置。於待機位置,亦可設有收容處理液供給部30的噴出噴嘴31的待機盒。
相機70以於其拍攝區域至少包含處理位置的噴出噴嘴31的前端的方式設置。更具體而言,以噴出噴嘴31的前端、及自該前端噴出的處理液包含於拍攝區域的方式設置相機70。本實施形態中,如圖3所示,於對處理位置的噴出噴嘴31自前上方進行拍攝的位置設置相機70。因此,相機70可拍攝包含處理位置的噴出噴嘴31的前端的拍攝區域。同樣地,相機70亦可拍攝包含處理位置的處理液供給部60、處理液供給部65的噴出噴嘴61、噴出噴嘴66的前端的拍攝區域。再者,於將相機70設置於圖2所示的位置時,對於處理液供給部30、處理液供給部65的噴出噴嘴31、噴出噴嘴66而言,因於相機70的拍攝視場內橫向移動,故而可適當拍攝處理位置附近的活動,而對於處理液供給部60的噴出噴嘴61而言,因於相機70的拍攝視場內沿縱深方向移動,故而亦有無法適當拍攝處理位置附近的移動量之虞。此時,亦可與相機70分立地設置處理液供給部60專用的相機。
另外,如圖3所示,於腔室10內且較分隔板15更靠上方設有照明部71。通常,腔室10內為暗室,故而於相機70進行拍攝時,照明部71對處理位置附近的處理液供給部30、處理液供給部60、處理液供給部65的噴出噴嘴31、噴出噴嘴61、噴出噴嘴66照射光。相機70所生成的拍攝圖像輸出至控制部9。
控制部9控制基板處理裝置100的各種構成而進行對基板W的處理。另外,控制部9對藉由相機70所生成的拍攝圖像進行圖像處理。控制部9藉由該圖像處理而求出自各噴出噴嘴噴出處理液的開始時序與停止時序之時序差。關於該圖像處理,將於下文中詳述。
作為控制部9的硬體的構成與通常的電腦同樣。即,控制部9包括如下硬體而構成:進行各種運算處理的中央處理單元(Central Processing Unit,CPU)、作為記憶基本程式的讀出專用的記憶體的唯讀記憶體(Read Only Memory,ROM)、作為記憶各種資訊的讀寫自如的記憶體的隨機存取記憶體(Random Access Memory,RAM)、及預先記憶控制用軟體或資料等的磁碟等。藉由控制部9的CPU執行既定的處理程式,而基板處理裝置100的各動作機構由控制部9所控制,進行基板處理裝置100的處理。另外,藉由控制部9的CPU執行既定的處理程式,而進行圖像處理。再者,控制部9的功能的一部分或全部亦可由專用的硬體來實現。
用戶介面90具備顯示器及輸入部。顯示器例如為液晶顯示器或有機電致發光(ElectroLuminescence,EL)顯示器。輸入部例如為觸控面板、滑鼠或鍵盤。該用戶介面90連接於控制部9。顯示器基於來自控制部9的顯示訊號而進行顯示圖像的顯示。於該顯示圖像例如包含來自相機70的拍攝圖像。輸入部將由用戶所輸入的輸入資訊輸出至控制部9。控制部9可根據輸入資訊而控制各種構成。
<控制部的動作>
圖4為表示控制部9的動作的一例的流程圖。此處,作為一例,對使用處理液供給部30的處理進行說明。首先於步驟S1中,藉由主搬送機器人103將基板W搬送至基板保持部20上。基板保持部20保持搬送來的基板W。
繼而於步驟S2中,控制部9使噴嘴基台33轉動,使噴出噴嘴31a、噴出噴嘴31b移動至處理位置。於噴出噴嘴31a、噴出噴嘴31b在處理位置停止的狀態下,噴出噴嘴31a的前端及噴出噴嘴31b的前端包含於相機70的拍攝區域。
繼而於步驟S3中,控制部9控制相機70開始拍攝。藉此,相機70可更可靠地拍攝噴出噴嘴31a的前端及噴出噴嘴31b的前端。相機70以既定的訊框率(例如60訊框/秒)對拍攝區域進行拍攝,並將所生成的拍攝圖像的各訊框依序輸出至控制部9。再者,該相機70進行的拍攝亦可以步驟S2的噴出噴嘴31a、噴出噴嘴31b的移動開始為時機而開始。
圖5為概略性地表示藉由相機70所生成的拍攝圖像的訊框IM1的一例的圖。於圖5所例示的訊框IM1中,拍攝到噴出噴嘴31a的前端及噴出噴嘴31b的前端,另外亦拍攝到基板W的一部分。訊框IM1中,尚未自噴出噴嘴31a噴出處理液Lq1,同樣地,亦尚未自噴出噴嘴31b噴出處理液Lq2。
繼而於步驟S4中,控制部9使自噴出噴嘴31a的噴出開始。具體而言,控制部9將開訊號輸出至開閉閥35a。開閉閥35a基於該開訊號進行開動作而打開配管34a。藉此,來自處理液供給源37a的處理液自噴出噴嘴31a噴出,供給於基板W的上表面。再者,自輸出開訊號起至實際噴出處理液Lq1為止產生延遲時間。該延遲時間依存於由開閉閥35a的開動作所得的閥體的移動速度、以及配管34a的配管長及壓力損失等各種因素。
另外,控制部9自即將進行步驟S4之前起使旋轉馬達22旋轉而使基板W旋轉。
圖6為概略性地表示藉由相機70所生成的拍攝圖像的訊框IM2的一例的圖。於圖6所例示的訊框IM2中,自噴出噴嘴31a噴出處理液Lq1,未自噴出噴嘴31b噴出處理液Lq2。自噴出噴嘴31a噴出的處理液Lq1為所謂的連續流,於自噴出噴嘴31a的前端至基板W的上表面為止的區域中,具有沿鉛垂方向延伸的液柱形狀。該處理液Lq1著落於基板W的大致中央,受到伴隨基板W的旋轉的離心力而於基板W的上表面擴展。繼而,自基板W的周緣飛散。藉此,處理液Lq1作用於基板W的整個上表面,進行基於處理液Lq1的處理。
控制部9例如於自步驟S4起經過既定時間後,於步驟S5中將噴出處理液的噴嘴由噴出噴嘴31a切換為噴出噴嘴31b。即,控制部9停止自噴出噴嘴31a噴出處理液Lq1,並且開始自噴出噴嘴31b噴出處理液Lq2。即,控制部9向開閉閥35a發送閉訊號並且向開閉閥35b發送開訊號。作為具體一例,控制部9於自步驟S4起的經過時間達到第一基準時間時,將開訊號輸出至開閉閥35b,於自步驟S4起的經過時間達到第二基準時間時,將閉訊號輸出至開閉閥35a。例如第二基準時間可設定為較第一基準時間更長。
開閉閥35b基於開訊號進行開動作而打開配管34b。藉此,來自處理液供給源37b的處理液Lq2自噴出噴嘴31b噴出,著落於基板W的上表面。再者,自輸出開訊號起至實際噴出處理液Lq2為止產生延遲時間。該延遲時間依存於由開閉閥35b的開動作所得的閥體的移動速度、配管34b的配管長及壓力損失等各種因素。
開閉閥35a基於閉訊號進行閉動作而關閉配管34a。再者,於設有回吸閥36a時,控制部9向回吸閥36a發送吸入訊號。回吸閥36a基於該吸入訊號進行吸入動作,吸入配管34a內的處理液。開閉閥35a的閉動作與回吸閥36a的吸入動作彼此同時執行。藉此,將噴出噴嘴31a的前端側的處理液Lq1拉回,適當停止處理液Lq1的噴出。再者,自輸出閉訊號起至實際停止噴出處理液Lq1為止產生延遲時間。該延遲時間依存於由開閉閥35a的閉動作所得的閥體的移動速度、回吸閥36a的閥體的移動速度、配管34a的配管長及壓力損失等各種因素。
圖7及圖8概略性地表示藉由相機70所生成的拍攝圖像的訊框的一例。圖7及圖8中分別例示的訊框IM3、訊框IM4表示由噴出噴嘴31a切換為噴出噴嘴31b時的訊框。訊框IM3為開閉閥35a、開閉閥35b分別正在進行閉動作及開動作的最中的訊框。因此於訊框IM3中,自噴出噴嘴31a及噴出噴嘴31b兩者分別正噴出處理液Lq1、處理液Lq2。然而,自噴出噴嘴31a噴出的處理液Lq1的寬度窄於訊框IM2。其原因在於,由於開閉閥35a進行的閉動作而處理液Lq1的流量變小。於訊框IM3中,開閉閥35b尚未完全打開,故而自噴出噴嘴31b噴出的處理液Lq2的寬度亦窄。
訊框IM4為開閉閥35a關閉且開閉閥35b打開的狀態下的訊框。因此於訊框IM4中,未自噴出噴嘴31a噴出處理液Lq1,正自噴出噴嘴31b噴出處理液Lq2。自噴出噴嘴31b噴出的處理液Lq2亦為連續流,且於自噴出噴嘴31b的前端至基板W的上表面為止的區域中,具有沿鉛垂方向延伸的液柱形狀。該處理液Lq2著落於基板W的大致中央,受到伴隨基板W的旋轉的離心力而於基板W的上表面擴展。繼而,自基板W的周緣飛散。藉此,處理液Lq2作用於基板W的整個上表面,進行基於處理液Lq2的處理。
當自步驟S5起經過既定時間後,於步驟S6中,控制部9停止自噴出噴嘴31b噴出處理液Lq2。作為具體一例,控制部9於自向開閉閥35b輸出開訊號的時間點起的經過時間達到第三基準時間時,向開閉閥35b發送閉訊號。開閉閥35b基於該閉訊號進行閉動作而關閉配管34b。再者,於設有回吸閥36b時,向回吸閥36b發送吸入訊號。藉此,回吸閥36b與開閉閥35a的閉動作同時而進行吸入動作,吸入配管34b內的處理液Lq2。藉此,適當停止自噴出噴嘴31b噴出處理液Lq2。再者,此時亦於自訊號的輸出起至處理液Lq2的噴出實際結束為止產生延遲時間。
控制部9亦可於步驟S6之後停止旋轉馬達22的旋轉,使基板W的旋轉停止。或者,控制部9亦可使旋轉馬達22的旋轉速度增大,藉由旋轉力使基板W上的處理液Lq2自基板W的周緣飛散而使基板W乾燥後,使旋轉馬達22的旋轉停止。
繼而於步驟S7中,控制部9結束相機70進行的拍攝。繼而於步驟S8中,控制部9控制噴嘴基台33,使噴出噴嘴31a、噴出噴嘴31b移動至待機位置。
藉由以上的動作,可依序進行使用處理液Lq1、處理液Lq2的一系列處理。
另外,如圖4所例示,控制部9為了監視處理液的噴出/停止時序,與步驟S4~步驟S6同時而以步驟S10進行監視處理。該監視處理為監視步驟S5中的、開始自噴出噴嘴31b噴出處理液Lq2的開始時序tb與停止自噴出噴嘴31a噴出處理液Lq1的停止時序ta之時序差是否合適的處理。
圖9為表示監視處理的具體動作的一例的流程圖。首先,控制部9對藉由相機70所生成的拍攝圖像進行圖像處理,確定噴出噴嘴31b的開始時序tb及噴出噴嘴31a的停止時序ta(步驟S11)。
此處,首先對噴出噴嘴31b的開始時序tb進行描述。控制部9於自相機70輸入訊框時,自該訊框切出噴出判定區域Rb1。此處所謂噴出判定區域Rb1,是拍攝圖像的各訊框中自噴出噴嘴31b的前端向處理液Lq2的噴出方向延伸的區域(亦參照圖5至圖8)。此處,處理液Lq2向鉛垂下方延伸,故而噴出判定區域Rb1具有於拍攝圖像的縱向延伸的長條形狀(例如矩形狀)。噴出判定區域Rb1的橫向的寬度設定為較處理液Lq2的寬度更寬,噴出判定區域Rb1的縱向的長度設定為噴出判定區域Rb1不包含處理液Lq2的著落位置的程度的長度。
此外,未自噴出噴嘴31b噴出處理液Lq2時的噴出判定區域Rb1內的畫素值、與自噴出噴嘴31b噴出處理液Lq2時的噴出判定區域Rb1內的畫素值不同。圖10及圖11為概略性地表示噴出判定區域Rb1內的橫向的亮度分布的一例的圖。圖10中例示未噴出處理液Lq2時的亮度分布,圖11中例示正噴出處理液Lq2時的亮度分布。
於正噴出處理液Lq2時,於噴出判定區域Rb1內拍攝到該處理液Lq2的液柱部分。於照明光自與相機70的拍攝方向相同的方向入射時,由處理液Lq2所得的液柱的表面亮而看起來發光。因此,如圖11所例示,相當於該液柱部分的亮度較周圍更高。具體而言,亮度分布於液柱部分具有向上凸出的形狀。即,亮度分布具有由處理液Lq2的液柱形狀所引起的特徵。
另一方面,於未噴出處理液Lq2時,於噴出判定區域Rb1內未拍攝到處理液Lq2的液柱形狀。因此如圖10所例示,亮度分布當然不具有由該處理液Lq2的液柱形狀所引起的特徵。該亮度雖根據基板W的上表面的圖案所致的漫反射、或腔室10內部零件的映入等而變動,但具有相對較一致的分布。
再者,相機70可為生成灰階(gray scale)的拍攝圖像的類型的相機,亦可為生成彩色的拍攝圖像的類型的相機。前者的情況下,可謂拍攝圖像的畫素值表示亮度值。以下,列舉生成灰階的拍攝圖像的類型的相機為例進行說明,但彩色的情況下只要根據畫素值算出亮度值,並使用該亮度值即可。
控制部9基於噴出判定區域Rb1內的畫素值,來判定是否正自噴出噴嘴31b噴出處理液Lq2。具體而言,控制部9算出噴出判定區域Rb1內的畫素值的統計量A2。統計量A2為反映自噴出噴嘴31b的處理液Lq2的噴出狀態的值,例如為噴出判定區域Rb1內的畫素值的總和(積分值)。其原因在於,正噴出處理液Lq2時的畫素值的總和大於未噴出處理液Lq2時的畫素值的總和。
統計量A2亦可採用畫素值的分散來代替畫素值的總和。其原因在於,如圖10及圖11所示,與未噴出處理液Lq2時的亮度分布相比,噴出處理液Lq2時的亮度分布不均一。分散例如可採用標準偏差。另外,亦可採用針對噴出判定區域Rb1內的所有畫素值的分散。
另一方面,處理液Lq2具有沿著鉛垂方向的液柱形狀,故而噴出判定區域Rb1中的縱向的亮度分布的變動小。因此,亦可將沿橫向排列成一行的畫素切出,採用該多個畫素值的分散。或者,亦可將沿縱向排列成一行的畫素值以每行進行積分而算出積分畫素值,採用所得的每行的積分畫素值的分散。
作為判定例,設定關於統計量A2的臨限值th1,於統計量A2為臨限值th1以上時,可判定為正自噴出噴嘴31b噴出處理液Lq2,於統計量A2小於臨限值th1時,可判定為未自噴出噴嘴31b噴出處理液Lq2。該臨限值th1可預先藉由實驗或模擬等而設定。
圖12為表示圖4的步驟S4~步驟S6中的統計量A2的時間變化的一例的曲線圖。圖12中,橫軸表示相機70生成的拍攝圖像的訊框編號,縱軸表示統計量。訊框編號隨著時間的經過而增大,故而亦可謂橫軸表示時間。關於噴出判定區域Rb1的統計量A2是以虛線表示,關於後述的噴出判定區域Ra1的統計量A1是以實線表示。
圖12中,統計量A2於初期小於臨限值th1。其原因在於,於處理的最初,噴出噴嘴31b未噴出處理液Lq2(參照圖4的步驟S4)。於步驟S5中切換噴出噴嘴時,統計量A2增大而超過臨限值th1。即,統計量A2自小於臨限值th1的狀態過渡至大於臨限值th1的狀態。統計量A2超過臨限值th1的時序相當於開始時序tb。因此,可基於統計量A2的變化而確定開始時序tb。以下進行詳細說明。
控制部9對每訊框算出統計量A2,並對每訊框判定所述統計量A2是否大於臨限值th1。而且,控制部9將其判定結果記憶於記憶媒體。控制部9於前一次的訊框中統計量A2小於臨限值th1,且本次的訊框中統計量A2大於臨限值th1時,判定為統計量A2超過臨限值th1。
控制部9基於前一次的訊框與本次的訊框而確定開始時序tb。即,控制部9基於統計量A2小於臨限值th1的前一次的訊框、及作為該訊框的下一訊框的統計量A2大於臨限值th1的本次的訊框,確定開始時序tb。例如,控制部9可將前一次的訊框的生成時序確定為開始時序tb,或亦可將本次的訊框的生成時序確定為開始時序tb,或者亦可將前一次與本次的訊框的生成時序的平均確定為開始時序tb。
繼而,對噴出噴嘴31a的停止時序ta加以描述。控制部9於輸入有訊框時,自該訊框切出噴出判定區域Ra1。此處所謂噴出判定區域Ra1,是拍攝圖像的各訊框中自噴出噴嘴31a的前端向處理液Lq1的噴出方向延伸的區域(亦參照圖5至圖8)。此處,處理液Lq1向鉛垂下方延伸,故而噴出判定區域Ra1具有於拍攝圖像的縱向延伸的長條形狀(例如矩形狀)。噴出判定區域Ra1的橫向的寬度設定為較處理液Lq1的寬度更寬,噴出判定區域Rb1的縱向的長度設定為噴出判定區域Rb1不包含處理液Lq1的著落位置的程度的長度。
與噴出判定區域Rb1同樣地,噴出判定區域Ra1內的亮度分布視有無噴出處理液Lq1而不同。因此,與判定有無噴出處理液Lq2同樣地,控制部9基於噴出判定區域Ra1的畫素值而判定有無噴出處理液Lq1。更具體而言,控制部9算出噴出判定區域Ra1內的畫素值的統計量A1。統計量A1與統計量A2同樣地,為反映自噴出噴嘴31a的處理液Lq1的噴出狀態的值,例如為噴出判定區域Ra1內的畫素值的總和或分散。
於統計量A1大時,可判定為正自噴出噴嘴31a噴出處理液Lq1,於統計量A1小時,可判定為未自噴出噴嘴31a噴出處理液Lq1。因此,設定供該些判定的關於統計量A1的臨限值。此處,採用關於統計量A2的臨限值th1作為關於統計量A1的臨限值。再者,亦可採用與臨限值th1不同的值作為關於統計量A1的臨限值。
如圖12所例示,統計量A1於初期大於臨限值th1。其原因在於,自處理的最初開始噴出處理液Lq1(參照圖4的步驟S4)。繼而,於步驟S5中切換噴出噴嘴時,統計量A1降低而低於臨限值th1。統計量A1低於臨限值th1的時序相當於停止時序ta。因此,可基於統計量A1的變化而確定停止時序ta。以下加以詳細說明。
控制部9對每訊框算出統計量A1,並對每訊框判定所述統計量A1是否大於臨限值th1。而且,控制部9將其判定結果記憶於記憶媒體。控制部9於前一次的訊框中統計量A1大於臨限值th1,且於本次的訊框中統計量A1小於臨限值th1時,判定為統計量A1低於臨限值th1。
而且,控制部9基於前一次的訊框及本次的訊框而確定停止時序ta。即,控制部9基於統計量A1大於臨限值th1的前一次的訊框、及作為該訊框的下一訊框的統計量A2小於臨限值th1的本次的訊框,確定停止時序ta。例如,控制部9可將前一次的訊框的生成時序確定為停止時序ta,或可將本次的訊框的生成時序確定為停止時序ta,或者亦可將前一次與本次的訊框的生成時序的平均確定為停止時序ta。
繼而於步驟S12中,控制部9算出開始時序tb與停止時序ta之時序差。具體而言,控制部9將停止時序ta減去開始時序tb而算出時序差。
繼而於步驟S13中,控制部9判定該時序差是否為既定範圍外。既定範圍例如可預先設定,並記憶於記憶媒體。既定範圍的下限值及上限值例如具有正值。
於時序差為既定範圍外時,於步驟S14中,控制部9執行錯誤的告知處理。例如,控制部9使錯誤顯示於用戶介面90的顯示器。或者於設有蜂鳴器(buzzer)或揚聲器(speaker)等聲音輸出部時,控制部9亦可使聲音輸出部輸出錯誤。用戶介面90的顯示器及聲音輸出部為告知部的一例。總而言之,控制部9使該告知部告知錯誤。藉由此種告知,作業者可認識到時序差成為既定範圍外。
繼而於步驟S15中,控制部9以時序差成為既定範圍內的方式調整開始時序tb及停止時序ta的至少任一者。
於時序差大於既定範圍的上限值時,為了減小時序差而限制於既定範圍內,控制部9例如將噴出噴嘴31b的開始時序tb更新為更遲的時序。作為更具體的一例,控制部9以時序差成為既定範圍內的方式,將規定開閉閥35b的打開時序的第二基準時間更新為更長的值,並將更新後的第二基準時間記憶於記憶媒體。由此,於下一次以後的步驟S5的切換時,向開閉閥35b輸出開訊號的時序延後,故而開始時序tb延後。因此,可減小下一次以後的步驟S5(針對下一基板的步驟S5)的時序差而設定為既定範圍內。
由此,處理液Lq1的噴出的停止時序ta並未變更,故而關於處理液Lq1的處理期間的長度並未變更。因此,可適當進行利用處理液Lq1的處理。
或者,控制部9亦可將噴出噴嘴31a的停止時序ta更新為更早的時序。作為更具體的一例,控制部9以時序差成為既定範圍內的方式,將規定開閉閥35a的關閉時序的第一基準時間更新為更短的值,並將更新後的第一基準時間記憶於記憶媒體。由此,於下一次以後的步驟S5的切換時,向開閉閥35a輸出閉訊號的時序提早,故而停止時序ta提早。因此,可減小下一次以後的步驟S5的時序差而設定為既定範圍內。
另外,亦可調整開始時序tb及停止時序ta兩者而減小時序差。
再者,於時序差大於既定範圍的上限值時,噴出處理液Lq1、處理液Lq2兩者的重疊(overlap)期間長。即,噴出至基板W的處理液的總量暫時增大。由此,例如可能產生處理液Lq2與基板W上的處理液Lq1碰撞而處理液的一部分於基板W上飛濺的濺液。第一實施形態中,於時序差大於既定範圍的上限值時,可將下一次以後的步驟S5的時序差限制於既定範圍內。因此,藉由採用不產生濺液般的值作為既定範圍的上限值,可基本上避免濺液的產生。
另一方面,於時序差小於既定範圍的下限值時,為了使時序差增大而限制於既定範圍內,控制部9例如將噴出噴嘴31b的開始時序tb更新為更早的時序。作為更具體的一例,控制部9以時序差成為既定範圍內的方式,將規定開閉閥35b的打開時序的第二基準時間更新為更短的值,並將更新後的第二基準時間記憶於記憶媒體。藉此,可使下一次以後的步驟S5的時序差增大而設定為既定範圍內。
由此,處理液Lq1的噴出的停止時序ta未變更,故而關於處理液Lq1的處理期間的長度未變更。因此,可適當進行利用處理液Lq1的處理。
或者,控制部9亦可將噴出噴嘴31a的停止時序ta更新為更遲的時序。作為更具體的一例,控制部9以時序差成為既定範圍內的方式,將規定開閉閥35a的關閉時序的第一基準時間更新為更長的值,並將更新後的第一基準時間記憶於記憶媒體。藉此,亦可使下一次以後的步驟S5的時序差增大而設定為既定範圍內。
另外,亦可調整開始時序tb及停止時序ta兩者而增大時序差。
再者,於時序差小於既定範圍的下限值時,噴出處理液Lq1、處理液Lq2兩者的重疊期間變短。即,於處理液Lq1的噴出幾乎停止的狀態下開始噴出處理液Lq2。因基板W正旋轉,故而供給於其上表面的處理液Lq1受到離心力而移動至基板W的周緣側。因此,若於未噴出處理液Lq2的狀態下處理液Lq1的噴出量變少,則基板W的上表面的處理液Lq1減少而基板W可能局部地乾燥(液乾涸)。尤其於處理液Lq1的著落位置附近,基板W的上表面可能局部地乾燥。此種乾燥可能對基板W的上表面導致不良狀況(例如顆粒的附著等),故而欠佳。第一實施形態中,於時序差小於既定範圍的下限值時,亦可將下一次以後的步驟S5的時序差限制於既定範圍內。因此,藉由將既定範圍的下限值設定為不產生基板W的局部乾燥般的值,可基本上避免基板W的局部乾燥的產生。
如以上般,根據第一實施形態,於時序差為既定範圍外時,調整至既定範圍內。因此,可基本上避免由時序差成為既定範圍外所致的不良狀況(濺液及液乾涸)的產生。
另外,根據第一實施形態,藉由針對來自相機70的拍攝圖像的圖像處理,而確定噴出噴嘴31b的開始時序tb及噴出噴嘴31a的停止時序ta。即,可基於實際的處理液Lq1、處理液Lq2的噴出狀態來確定開始時序tb及停止時序ta,故而可提高其確定精度。而且,基於以高精度確定的時序來算出時序差,故而時序差的算出精度亦高。因此,能以更高的精度將時序差限制於既定範圍內。
另外,使用噴出判定區域Ra1、噴出判定區域Rb1的畫素值,故而與對整個拍攝圖像進行圖像處理時相比可減輕處理。
另外,可基於統計量與臨限值th1的大小的比較來求出時序差,故而處理簡易。
再者,所述例中,將既定範圍的上限值設定為不產生濺液的程度的值,將下限值設定為不產生液乾涸的程度的值。然而,根據其他因素等,亦可將上限值設定為更小的值,亦可將下限值設定為更大的值。例如,該時序差有時對針對基板W的處理結果是否良好造成影響。此時,也可以處理結果變得良好的方式,藉由實驗或模擬等而設定時序差的既定範圍的上限值及下限值。
由於多個處理單元1的製造不均一等,關於噴出控制的延遲時間對於每個處理單元1而言可能不同。然而,藉由控制部9對每個處理單元1進行所述動作,可對每個處理單元1將時序差調整至既定範圍內。以前,為了對每個處理單元1調整開始時序tb及停止時序ta,而對每個處理單元1變更基板W的配方(recipe)資訊。由此,配方資訊的管理變得煩雜。第一實施形態中,即便採用共同的配方資訊,亦可對每個處理單元1以最適的時序差進行處理,可實現穩定的處理性能。
另外,所述例中,於開始自噴出噴嘴31b噴出處理液Lq2後,停止自噴出噴嘴31a噴出處理液Lq1。圖13為表示統計量的時間變化的另一例的曲線圖。圖13的例子中,於噴出噴嘴31a的停止時序ta之後出現噴出噴嘴31b的開始時序tb,其時序差相對較大。此時,亦於噴出處理液Lq2之前基板W的上表面的處理液Lq1減少,故而基板W可能局部地乾燥。
此時,於步驟S12中由停止時序ta減去開始時序tb而得的時序差具有負值。因此,該時序差小於既定範圍的下限值,於步驟S13中,控制部9判定為時序差為既定範圍外。因此,於步驟S15中,控制部9以時序差成為既定範圍內的方式調整開始時序tb及停止時序ta的至少任一者。因此,可於下一次以後的步驟S5中將時序差設定為既定範圍內。
另外,所述說明亦可理解為針對基板W的處理時的動作,或亦可理解為設置基板處理裝置100時等進行的初始設定時的動作。即,若於初始設定時設定臨時的時序而對基板W實際進行處理,則於該臨時的時序不合適時,設定合適的時序。
<用戶介面>
所述例中,控制部9判定時序差是否為既定範圍外。然而,亦可由作業者進行判定。以下進行具體說明。
控制部9使表示統計量A1、統計量A2的時間變化的曲線圖顯示於用戶介面90的顯示器。較理想為控制部9使臨限值th1亦顯示於該曲線圖。具體而言,控制部9使圖12或圖13所示的曲線圖顯示於顯示器。藉此,作業者可視認統計量A1、統計量A2的時間變化,從而可判定時序差的大小。
用戶介面90的輸入部受理用以調整開始時序tb及停止時序ta的輸入。例如作業者在判定為時序差大於既定範圍的上限值時,對輸入部進行用以使開始時序tb延後的輸入及用以提早停止時序ta的輸入的至少任一者。輸入部將其輸入資訊輸出至控制部9。控制部9根據輸入資訊而調整開始時序tb及停止時序ta的至少任一者。於作業者判定為時序差小於既定範圍的下限值時亦同樣。
如以上般,作業者可視認統計量A1、統計量A2的時間變化,並基於該時間變化而調整時序差。
<機械學習>
所述例中,控制部9基於畫素值的統計量而求出開始時序tb與停止時序ta之時序差,但未必限於此。控制部9亦可於監視處理中藉由機械學習而求出開始時序tb與停止時序ta之時序差。
圖14為概略性地表示控制部9的內部構成的一例的圖。控制部9具備分類器91及機械學習部92。對於分類器91,依序輸入有來自相機70的拍攝圖像的各訊框。分類器91將所輸入的各訊框分類成與噴出噴嘴31a、噴出噴嘴31b的噴出/停止有關的以下四個類別C1~C4。類別亦可稱為等級(class)。
四個類別C1~C4為表示圖5至圖8中分別表示的噴出狀態的類別。更具體而言,類別C1為表示噴出噴嘴31a、噴出噴嘴31b兩者未噴出處理液的狀態(圖5)的類別,類別C2為表示僅噴出噴嘴31a正噴出處理液的狀態(圖6)的類別,類別C3為表示噴出噴嘴31a、噴出噴嘴31b兩者正噴出處理液的狀態(圖7)的類別,類別C4為表示僅噴出噴嘴31b正噴出處理液的狀態(圖8)的類別。
該分類器91是使用多個指導資料藉由機械學習部92而生成。即,該分類器91亦可謂經機械學習的分類器。機械學習部92例如使用近鄰法、支援向量機(support vector machine)、隨機森林(random forest)或神經網路(neural network)(包含深度學習)等作為機械學習的演算法。
指導資料包含學習資料、及表示將該學習資料分類至哪一類別的標籤。學習資料為藉由相機70所拍攝的拍攝圖像的訊框,預先生成。對各學習資料賦予有正確的類別作為標籤。該賦予可藉由作業者對例如用戶介面90的操作而進行。機械學習部92基於該些指導資料進行機械學習而生成分類器91。
作為一例,對藉由近鄰法將訊框分類的分類器91進行說明。分類器91具備特徵向量提取部911、判定部912、及記憶有判定資料庫913的記憶媒體。對於特徵向量提取部911,依序輸入有來自相機70的拍攝圖像的各訊框。特徵向量提取部911按照既定的演算法來提取訊框的特徵向量。該特徵向量為容易表示與噴出噴嘴31a、噴出噴嘴31b的噴出狀態相應的特徵量的向量。該演算法可採用公知的演算法。特徵向量提取部911將該特徵向量輸出至判定部912。
於判定資料庫913,記憶有藉由機械學習部92由多個指導資料生成的多個特徵向量(以下稱為基準向量),該基準向量分類成各類別C1~C4。具體而言,機械學習部92對多個指導資料應用與特徵向量提取部911相同的演算法而生成多個基準向量。另外,機械學習部92對該基準向量賦予指導資料的標籤(正確類別)。
判定部912基於自特徵向量提取部911輸入的特徵向量、及記憶於判定資料庫913的多個基準向量而將訊框分類。例如,判定部912亦可確定特徵向量最接近的基準向量,並將訊框分類至所確定的基準向量的類別(最近鄰法(nearest neighbor algorithm))。藉此,判定部912可將輸入至分類器91(特徵向量提取部911)的訊框分類至類別C1~類別C4中的一個。
控制部9藉由分類器91將各訊框分類,並基於其分類結果而求出噴出噴嘴31b的開始時序tb與噴出噴嘴31a的停止時序ta之時序差。
圖15為表示監視處理中的控制部9的動作的一例的流程圖。步驟S40中,作為圖像處理,控制部9藉由機械學習而確定開始時序tb及停止時序ta。
圖16為概略性地表示拍攝圖像的多個訊框F的一例的圖。圖16的例子中,將訊框F按時序排列配置。此處變更訊框的符號是為了方便說明,訊框F與所述的訊框IM1~訊框IM4為同種。
如圖16所例示,於基板處理裝置100的動作初期,噴出噴嘴31a、噴出噴嘴31b均未噴出處理液。因此,圖16所例示的訊框F[1]~訊框F[k]由分類器91分類至類別C1。
繼而,當自噴出噴嘴31a噴出處理液Lq1時(步驟S4),如圖16所例示,隨後的訊框F[k+1]~訊框F[m]由分類器91分類至類別C2。
然後,將噴出處理液的噴嘴由噴出噴嘴31a切換為噴出噴嘴31b(步驟S5)。即,自噴出噴嘴31b噴出處理液Lq2。因此,如圖16所例示,隨後的訊框F[m+1]~訊框F[n]由分類器91分類至類別C3。繼而,停止自噴出噴嘴31a噴出處理液Lq1。因此,如圖16所例示,作為隨後的訊框F[n+1]以後的訊框的、自噴出噴嘴31b的處理液Lq2的噴出結束為止的訊框由分類器91分類至類別C4。
如以下將詳述般,控制部9基於各訊框的分類結果而確定開始時序tb及停止時序ta。
即,控制部9基於關於噴出噴嘴31b而分類為停止(類別C2)的第m個訊框F[m]、及作為訊框F[m]之後的第(m+1)個訊框的關於噴出噴嘴31b而分類為噴出(類別C3)的訊框F[m+1],來確定噴出噴嘴31b的開始時序tb。例如,控制部9可將訊框F[m]的生成時序確定為開始時序tb,亦可將訊框F[m+1]的生成時序確定為開始時序tb,或者亦可將訊框F[m]、訊框F[m+1]的生成時序的平均確定為開始時序tb。
同樣地,控制部9基於關於噴出噴嘴31a而分類為噴出(類別C3)的第n個訊框F[n]、及作為訊框F[n]之後的第(n+1)個訊框的關於噴出噴嘴31a而分類為停止(類別C4)的訊框F[n+1],來確定噴出噴嘴31a的停止時序ta。例如,控制部9可將訊框F[n]的生成時序確定為停止時序ta,亦可將訊框F[n+1]的生成時序確定為停止時序ta,或者亦可將訊框F[n]、訊框F[n+1]的生成時序的平均確定為停止時序ta。
如以上般,根據控制部9,可藉由機械學習來判定(分類)噴出噴嘴31a、噴出噴嘴31b的噴出狀態。因此,能以高精度將各訊框分類。甚至能以高精度求出停止時序ta與開始時序tb之時序差。
確定停止時序ta及開始時序tb之後的步驟S41~步驟S44分別與第一實施形態的步驟S12~步驟S15同樣。
再者,於在停止噴出噴嘴31a的噴出之前開始噴出噴嘴31b的噴出時,噴出處理液Lq1、處理液Lq2兩者的重疊期間相當於時序差。因此,此時控制部9亦可基於分類至類別C3的訊框數來算出時序差。例如,控制部9亦可將訊框間的時間乘以訊框數而算出時序差。
<向分類器的輸入>
所述例中,採用拍攝圖像的各訊框F的整個區域作為向分類器91的輸入資料,但未必限於此。例如,控制部9亦可將訊框F中分別表示噴出判定區域Ra1、噴出判定區域Rb1的圖像切出,將該圖像輸入分類器91。此時,輸入機械學習部92的學習資料亦採用分別表示噴出判定區域Ra1、噴出判定區域Rb1的圖像。
由此,分類器91可將與噴出狀態的關聯性低的區域的影響去除而進行分類,故而可提高其分類精度。甚至可提高開始時序tb及停止時序ta的確定精度。另外,若使用噴出判定區域Ra1、噴出判定區域Rb1,則與對整個拍攝圖像的訊框進行利用分類器91的處理時相比可減輕處理。
再者,分類器91亦可對噴出判定區域Ra1、噴出判定區域Rb2的每個圖像將噴出狀態分類。即,分類器91亦可基於噴出判定區域Ra1的圖像,將該圖像分類至以下兩個類別Ca1、Ca2。即,類別Ca1表示噴出噴嘴31a未噴出處理液Lq1的狀態,類別Ca2表示噴出噴嘴31a正噴出處理液Lq1的狀態。同樣地,分類器91亦可基於噴出判定區域Rb2的圖像,將該圖像分類至以下兩個類別Cb1、Cb2。即,類別Cb1表示噴出噴嘴31b未噴出處理液Lq2的狀態,類別Cb2表示噴出噴嘴31b正噴出處理液Lq2的狀態。
控制部9可基於包含經分類至類別Cb1的圖像的訊框、及包含作為所述圖像的下一圖像的經分類至類別Cb2的圖像的訊框,來確定噴出噴嘴31b的開始時序tb。噴出噴嘴31a的停止時序ta亦同樣。
另外,向分類器91的輸入資料例如亦可採用在噴出判定區域Ra1、噴出判定區域Rb1各自中排列成橫向一行的畫素的畫素值群。其原因在於,如圖10及圖11所示,沿橫向排列的畫素的畫素值群視有無噴出處理液而變化。或者,分類器91的輸入資料亦可採用包含每行的積分值的積分值群,所述每行的積分值為於噴出判定區域Ra1、噴出判定區域Rb1各自中沿縱向排列成一行的畫素值的總和。
<多個分類器>
圖17為概略性地表示控制部9的內部構成的一例的功能塊圖。控制部9除了具備多個分類器91的方面以外與圖14同樣。該些多個分類器91亦藉由機械學習部92而生成。
例如,機械學習部92針對處理液Lq1、處理液Lq2的每個種類而生成多個分類器91。圖17的例子中,表示3個分類器91A~分類器91C作為多個分類器91。分類器91A~分類器91C為使用不同的指導資料而生成的分類器。
例如,採用利用某種處理液Lq1、處理液Lq2進行處理時的拍攝圖像的各訊框作為學習資料。機械學習部92基於包含該學習資料的指導資料而生成分類器91A。藉此,可生成該處理液Lq1、處理液Lq2的種類的組(以下稱為第一組)用的分類器91A。同樣地,機械學習部92基於使用與第一組不同的第二組的處理液Lq1、處理液Lq2的指導資料而生成第二組用的分類器91B,並基於使用種類與第一組及第二組均不同的第三組的處理液Lq1、處理液Lq2的指導資料而生成第三組用的分類器91C。
圖17的例子中,特徵向量提取部911及判定部912於分類器91A~分類器91C中共同地設置,該分類器91A~分類器91C是藉由判定資料庫913進行區分。總而言之,機械學習部92分別生成第一組用的判定資料庫913A~第三組用的判定資料庫913C,藉此生成分類器91A~分類器91C。於判定資料庫913A,記錄有使用第一組的處理液Lq1、處理液Lq2時的基準向量,並且記錄有其正確的類別。判定資料庫913B、判定資料庫913C亦同樣。
於判定部912,連接有用戶介面90。作業者將處理液Lq1、處理液Lq2的種類輸入用戶介面90。圖18為表示顯示於用戶介面90的顯示器的輸入畫面90a的一例的圖。於輸入畫面90a,顯示有與處理液Lq1、處理液Lq2有關的表901。該表901中顯示有處理液的種類、流量、基板W的旋轉速度及處理時間。表901的各種資訊可藉由作業者對輸入部進行的輸入而變更。例如藉由點擊(或觸摸)表901的相應部分,可輸入相應部分的資訊。例如藉由該點擊而於相應部分以下拉形式顯示有多個資訊,藉由作業者選擇其中的一個而可輸入資訊。
圖18所例示的輸入畫面90a中,亦顯示有用以選擇基板W的種類的軟鍵(soft key)902。作業者藉由點擊或觸摸軟鍵902,而可選擇軟鍵902。基板W的種類例如有矽(Si)基板及碳化矽(SiC)基板等。除此以外,亦可為可根據有無於基板W的上表面形成膜、或形成於基板W的上表面的膜種(例如SiO2
、SiN、TiN等)來選擇判定資料庫。
另外,圖18所例示的輸入畫面90a中,表示了顯示藉由相機70所生成的拍攝圖像的區域903。藉此,作業者可視認相機70的拍攝圖像。
用戶介面90將由作業者所輸入的輸入資訊(處理液Lq1、處理液Lq2的種類等)輸出至判定部912。
特徵向量提取部911提取所輸入的訊框的特徵向量,並將該特徵向量輸出至判定部912。判定部912選擇與成為處理對象的處理液Lq1、處理液Lq2的種類相應的判定資料庫913。判定部912使用所輸入的特徵向量、及所選擇的判定資料庫913的基準向量而將訊框分類。
由此,使用與處理液Lq1、處理液Lq2的種類相應的分類器91將訊框分類,故而可提高訊框的分類精度。甚至可提高時序差的算出精度。
再者,所述例中,針對處理液Lq1、處理液Lq2的每個種類而生成分類器91,但例如亦可針對基板W的每個種類或處理液Lq1、處理液Lq2的每個流量而生成分類器91。另外,例如相機70的拍攝圖像中的噴出噴嘴的位置可能不同。例如於拍攝圖像中,處理液供給部30的噴出噴嘴31的位置關係、與處理液供給部65的噴出噴嘴66的位置關係可能不同。此時,亦可針對噴出噴嘴的每個位置而生成分類器91。另外,該等情況亦可組合。例如,亦可生成與處理液Lq1、處理液Lq2的組的種類及基板W的種類相應的分類器91。例如於處理液Lq1、處理液Lq2的組的種類有N種,基板W的種類有M種時,亦可生成與其組合相應的(N×M)個分類器91。
用戶介面90只要受理選擇分類器91所需要的資訊(處理液Lq1及處理液Lq2的種類、基板W的種類、處理液Lq1及處理液Lq2的流量、以及噴出噴嘴的位置中的至少任一者)的輸入,並將該輸入資訊輸出至控制部9即可。
另外,選擇分類器91所需要的資訊未必需要由作業者輸入。例如,有時自基板處理裝置100的上游側將關於基板W的基板資訊發送至控制部9,於該基板資訊包含該些選擇分類器91所需要的資訊。此時,控制部9只要基於基板資訊內的該資訊而選擇分類器91即可。
<伺服器>
所述例中,設於基板處理裝置100的控制部9藉由機械學習而生成分類器91,藉由該分類器91將訊框分類。然而,亦可將由該控制部9進行的機械學習功能的至少一部分設於伺服器。
圖19為概略性地表示基板處理系統的電氣構成的一例的功能塊圖。基板處理系統具備基板處理裝置100及伺服器200。如圖19所例示,基板處理裝置100的控制部9經由通訊部93而與伺服器200通訊。通訊部93為通訊介面,且可藉由有線或無線而與伺服器200通訊。
圖19的例子中,伺服器200具備機械學習部210、及記憶有判定資料庫220的記憶媒體。機械學習部210具有與機械學習部92同樣的功能,可基於指導資料而生成判定資料庫220。判定資料庫220與判定資料庫913同樣。
判定部912將要求判定資料庫220的要求訊號經由通訊部93發送至伺服器200。伺服器200根據該要求訊號,向通訊部93發送判定資料庫220。藉此,判定部912可利用保存於伺服器200的判定資料庫220。再者,此時未必需要機械學習部92及判定資料庫913。
另外,所述例中,判定部912設於基板處理裝置100的控制部9,但亦可將判定部912設於伺服器200。此時,特徵向量提取部911將特徵向量經由通訊部93發送至伺服器200。伺服器200基於所接收的特徵向量及判定資料庫220而將訊框分類,並將其分類結果發送至通訊部93。通訊部93將該分類結果輸出至控制部9。
另外,所述例中,特徵向量提取部911設於基板處理裝置100的控制部9,但亦可將特徵向量提取部911設於伺服器200。即,亦可將分類器91自身設於伺服器200。此時,控制部9將藉由相機70所生成的拍攝圖像的訊框經由通訊部93發送至伺服器200。伺服器200自該訊框提取特徵向量,並使用所提取的特徵向量及判定資料庫220而將該訊框分類,將其分類結果發送至通訊部93。通訊部93將該分類結果輸出至控制部9。
根據所述態樣,於伺服器200設有判定處理功能,故而可對多個基板處理單元進行共同的判定。
再者,伺服器200的機械學習部210亦可針對處理液Lq1及處理液Lq2的每個種類、基板W的每個種類、處理液Lq1及處理液Lq2的每個流量、以及噴出噴嘴31a及噴出噴嘴31b的每個位置中的至少一者,來生成判定資料庫220。此時,控制部9只要將指定需使用的判定資料庫220的資訊經由通訊部93發送至伺服器200即可。
總而言之,只要由基板處理裝置100及伺服器200整體發揮下述功能即可,即,使用經機械學習的分類器將拍攝圖像所含的各訊框分類至各類別,並基於其分類結果而求出時序差。
<深度學習>
亦可採用深度學習作為機械學習。圖20表示神經網路(包含深度學習)NN1的模型。於該模型,設有輸入層、中間層(隱藏層)及輸出層。各層具有多個節點(人工神經元(artificial neuron)),於各節點分別加權輸入有其前段的層的節點的輸出資料。即,於各節點,分別輸入有對前段的節點的輸出乘以各自的加權係數而得的相乘結果。各節點輸出例如公知的函數的結果。中間層的層數不限於1,可任意設定。
機械學習部92藉由基於指導資料進行學習,而決定用於各節點間的加權的加權係數。該加權係數作為判定資料庫而記憶。藉此,機械學習部92實質上可生成分類器91。
於輸入層,輸入有藉由相機70所生成的訊框F。分類器91使用記憶於判定資料庫的各加權係數,基於訊框F自輸入層經由中間層進行輸出層的運算處理,藉此算出訊框F相當於各類別C1~C4的概率。而且,分類器91將訊框分類至概率最高的類別。
如以上般,可藉由神經網路將訊框分類。於神經網路中,分類器91自動生成特徵量,故而設計者無需決定特徵向量。
再者,亦可於神經網路中亦生成多個分類器91。例如,機械學習部92亦可使用處理液Lq1、處理液Lq2的每個種類的指導資料進行機械學習,生成每個種類各自的判定資料庫(加權係數)。
分類器91根據來自用戶介面90的輸入資訊而確定處理液Lq1、處理液Lq2的種類,使用與該種類相應的判定資料庫將訊框F分類。藉此,可提高分類精度。
當然,不限於處理液Lq1、處理液Lq2的種類,亦可針對基板W的每個種類、處理液Lq1及處理液Lq2的每個流量、以及噴出噴嘴31a及噴出噴嘴31b的每個位置中的至少一者來生成分類器91。
第二實施形態.
第二實施形態的基板處理裝置100的構成的一例與第一實施形態相同,其動作的一例如圖4所示。然而,監視處理的具體例與第一實施形態不同。第二實施形態中,控制部9對藉由相機70所拍攝的拍攝圖像進行圖像處理,藉此偵測由噴出噴嘴31a切換為噴出噴嘴31b時產生的濺液。即,於監視處理中,進行是否產生濺液的監視。
圖21為表示藉由相機70所生成的拍攝圖像的訊框的一例的圖。於圖21所例示的訊框IM5中,自噴出噴嘴31a、噴出噴嘴31b分別噴出處理液Lq1、處理液Lq2,產生濺液。該濺液於噴出噴嘴31a、噴出噴嘴31b的著落位置的附近產生。
產生濺液的區域預先得知,故而為了檢測該濺液,可於拍攝圖像中設定濺液判定區域R2。具體而言,濺液判定區域R2於拍攝圖像的各訊框中設定於噴出噴嘴31a、噴出噴嘴31b的附近。濺液判定區域R2設定於拍攝到基板W的區域內且與噴出判定區域Ra1、噴出判定區域Rb1不重疊的區域。圖21的例子中,濺液判定區域R2具有判定區域R21、判定區域R22,該些判定區域設定於噴出噴嘴31a、噴出噴嘴31b的附近。更具體而言,判定區域R21、判定區域R22於拍攝圖像的橫向,相對於噴出噴嘴31a、噴出噴嘴31b的一組而彼此位於相反側。圖21的例子中,判定區域R21、判定區域R22具有矩形狀的形狀。
當於判定區域R21、判定區域R22內拍攝到濺液時,由於該濺液處的照明光的反射而判定區域R21、判定區域R22內的亮度值的平均值變高,另外其亮度分布大幅不均一。反過來說,可基於判定區域R21、判定區域R22內的畫素值的總和或分散(例如標準偏差)來判定有無濺液產生。因此,控制部9算出作為判定區域R21的畫素值的總和或分散(例如標準偏差)的統計量B1、及作為判定區域R22的畫素值的總和或分散(例如標準偏差)的統計量B2。若該判定區域R21、判定區域R22內的畫素值的統計量B1、統計量B2變大,則可判定為產生濺液。
圖22為表示統計量B1、統計量B2的時間變化的一例的曲線圖。圖22的例子表示於步驟S5中產生濺液時的統計量B1、統計量B2。如圖22所例示,於產生濺液時,統計量B1、統計量B2增大而超過臨限值th2。反過來說,於統計量B1及統計量B2的至少一者大於臨限值th2時,可判定為產生濺液。此種臨限值th2例如可藉由實驗或模擬等而預先設定。
<控制部9的動作>
控制部9的動作的一例與圖4的流程圖同樣。然而,步驟S10的監視處理的具體內容不同。第二實施形態中,該監視處理為基於藉由相機70所生成的拍攝圖像而監視是否產生濺液的處理。
圖23為表示第二實施形態的監視處理的動作的一例的流程圖。首先於步驟S30中,控制部9將值nn初始化為1。繼而於步驟S31中,控制部9基於第nn個訊框F[nn]而判定是否產生濺液。具體而言,控制部9算出訊框F[nn]的判定區域R21、判定區域R22內的畫素值的統計量B1、統計量B2。
繼而,控制部9判定統計量B1、統計量B2的至少任一者是否為臨限值th2以上。於統計量B1、統計量B2兩者小於臨限值th2時,判定為未產生濺液,於步驟S32中控制部9對值nn加上1而更新,對更新後的值nn執行步驟S31。即,於統計量B1、統計量B2兩者小於臨限值th2時,判定為未產生濺液,進行關於下一訊框的步驟S31的判定。
另一方面,於統計量B1、統計量B2的至少任一者為臨限值th2以上時,於步驟S33中,控制部9進行錯誤的告知處理。例如,控制部9使錯誤顯示於用戶介面90的顯示器。或者,於設有蜂鳴器或揚聲器等聲音輸出部時,控制部9亦可使聲音輸出部輸出錯誤。藉由此種告知,作業者可認識到產生濺液。
繼而,步驟S34中,控制部9調整開始時序tb及停止時序ta的任一者。即,於統計量B1、統計量B2的至少任一者為臨限值th2以上時,判定為偵測到濺液,控制部9調整時序差。具體而言,以時序差變小的方式調整開始時序tb及停止時序ta的至少任一者。
時序差的減小量亦可預先設定。即,於步驟S34中,控制部9亦可將時序差以預定的減小量減小。繼而,控制部9再次執行圖4的動作。此時,當於步驟S31中再次偵測到濺液時,於步驟S34中將時序差以所述減小量再次減小。藉由重複該一系列動作,而將時序差調整為不產生濺液的值。
如以上般,於第二實施形態中,於偵測到產生濺液時,以不產生濺液的方式調整時序差。藉此,可於以後的處理中避免或抑制濺液的產生。
<機械學習>
所述例中,控制部9基於畫素值的統計量B1、統計量B2而偵測濺液,但未必限於此。控制部9亦可藉由機械學習而偵測濺液。
控制部9的內部構成的一例與圖14同樣。然而,第二實施形態中,分類器91將自相機70輸入的各訊框分類至以下兩個類別C11、C12。即,類別C11為表示未產生濺液的狀態的類別,類別C12為表示產生濺液的狀態的類別。
採用藉由相機70所拍攝的拍攝圖像的訊框作為學習資料,對學習資料賦予正確的類別作為標籤,藉此生成指導資料。機械學習部92基於指導資料而生成判定資料庫913。
表示該監視處理中的控制部9的動作的一例的流程圖與圖23同樣。然而,步驟S31中,控制部9基於分類器91對訊框F[nn]的分類結果而判斷有無偵測到濺液。具體而言,控制部9於將訊框F[nn]分類至類別C11時,判斷為未偵測到濺液,於將訊框F「nn」分類至類別C12時,判斷為偵測到濺液。
如以上般,利用藉由機械學習而生成的分類器91將訊框F[nn]分類至類別C11或類別C12。因此,能以高的分類精度將訊框分類。甚至能以高的偵測精度偵測濺液。
於第二實施形態中,亦可與第一實施形態同樣地生成多個分類器91,另外,亦可將分類器91及機械學習部92的一部分或全部設於伺服器200。
變形例.
所述例中,利用設於基板W的鉛垂上方的兩個噴出噴嘴31a、噴出噴嘴31b進行處理。然而,未必限於此。圖24為表示處理單元1A的構成的一例的圖。處理單元1A除了有無處理液供給部80以外與處理單元1同樣。處理液供給部80具有噴出噴嘴81,該噴出噴嘴81設於基板W的側方且較基板W的上表面更高的位置。噴出噴嘴81以處理液著落於基板W的上表面的方式,沿大致水平方向噴出處理液Lq3。該處理液Lq3自噴出噴嘴81的前端以弧狀釋出,著落於基板W的上表面的大致中央附近。噴出噴嘴81經由配管82而連接於處理液供給源84。於配管82的中途設有開閉閥83。藉由開閉閥83打開,來自處理液供給源84的處理液Lq3流經配管82的內部而自噴出噴嘴81噴出。
此種處理單元1A中,有時使用位於基板W的上方的噴出噴嘴(例如噴出噴嘴31a)、及位於基板W的側方的噴出噴嘴81,依序將處理液供給於基板W。此處,對下述情況進行說明,即,藉由來自噴出噴嘴31a的處理液Lq1進行對基板W的處理,其後將噴出處理液的噴嘴由噴出噴嘴31a切換為噴出噴嘴81,藉由來自噴出噴嘴81的處理液Lq3進行對基板W的處理。
相機70設於噴出噴嘴31a、噴出噴嘴31b、噴出噴嘴81的前端包含於拍攝區域的位置。相機70拍攝而生成的拍攝圖像的各訊框依序輸出至控制部9。
圖25為概略性地表示藉由相機70所生成的拍攝圖像的訊框IM6的一例的圖。訊框IM6中,噴出噴嘴31a、噴出噴嘴81分別噴出處理液Lq1、處理液Lq3。即,訊框IM6為於切換噴出噴嘴31a、噴出噴嘴81時,於兩者噴出處理液的時序的訊框。
該訊框IM6中,於基板W上產生濺液。該濺液亦由噴出噴嘴31a、噴出噴嘴81兩者分別噴出處理液Lq1、處理液Lq3所引起。再者,來自噴出噴嘴81的處理液Lq3自基板W的側方朝向基板W的中央附近噴出,故而濺液容易相對於基板W的中心而於與噴出噴嘴81相反的一側產生。
於訊框IM6,設定有噴出判定區域Rc1。該噴出判定區域Rc1設於自噴出噴嘴81的前端至基板W的著落位置的、處理液Lq3的噴出路徑上,例如自噴出噴嘴81的前端向處理液Lq3延伸的方向延伸。噴出判定區域Rc1例如具有矩形狀的形狀。
與噴出噴嘴31a、噴出噴嘴31b同樣地,控制部9根據噴出判定區域Rc1內的畫素值的統計量的大小來判定有無自噴出噴嘴81的處理液Lq3的噴出,確定噴出噴嘴81的開始時序。此處所謂統計量,可採用噴出判定區域Rc1內的畫素值的總和或分散。另外,噴出噴嘴81沿橫向噴出處理液Lq3,故而該橫向的亮度分布的不均一小,由處理液Lq3所得的特徵於縱向的亮度分布中出現。因此,統計量亦可採用沿縱向排列成一行的畫素的分散。或者,亦可將沿橫向排列的畫素的畫素值以每行進行積分,採用該每行的積分值的分散。
另外,與第一實施形態同樣地,控制部9亦確定噴出噴嘴31a的停止時序。
控制部9算出噴出噴嘴81的開始時序與噴出噴嘴31a的停止時序之時序差。例如由停止時序減去開始時序而算出時序差。而且,控制部9判定該時序差是否為既定範圍外。於時序差成為既定範圍外時,控制部9以時序差成為既定範圍內的方式,調整噴出噴嘴31a的停止時序及噴出噴嘴81的停止時序的任一者。
如以上般,於處理單元1A中,亦可調整噴出噴嘴31a的停止時序與噴出噴嘴81的開始時序之時序差。
再者,有無自噴出噴嘴81的處理液Lq3的噴出亦可與第二實施形態同樣地,藉由經機械學習的分類器而判定。
另外,圖25的例子中,設有濺液判定區域R3。該濺液判定區域R3設於拍攝到基板W的區域內,且相對於基板W的中心而與噴出噴嘴81相反的一側的區域。濺液判定區域R3例如具有矩形形狀。
與濺液判定區域R2同樣地,控制部9基於濺液判定區域R3內的畫素值的統計量的大小而判定有無濺液。此處所謂統計量可採用濺液判定區域R3內的畫素值的總和或分散。而且,於產生濺液時,控制部9以不產生濺液的方式調整噴出噴嘴81的開始時序與噴出噴嘴31a的停止時序之時序差。
另外,有無濺液的判定亦可與第四實施形態同樣地,藉由經機械學習的分類器而判定。
以上,對本基板處理裝置的實施形態進行了說明,但本實施形態只要不偏離其主旨,則可除了所述實施形態以外進行各種變更。所述的各種實施形態及變形例可適當組合而實施。例如亦可進行第一實施形態及第二實施形態兩者,進行時序差的監視及濺液的監視兩者。
另外,作為基板W,採用半導體基板進行了說明,但不限於此。例如亦可採用光罩用玻璃基板、液晶顯示用玻璃基板、電漿顯示用玻璃基板、場發射顯示器(Field Emission Display,FED)用基板、光碟用基板、磁碟用基板或光磁碟用基板等基板。
進而,只要為自可移動的噴嘴向基板噴出處理液而進行既定處理的裝置,則本實施形態可應用。例如,除了所述實施形態的單片式的清洗處理裝置以外,亦可將本實施形態的技術應用於自噴嘴向旋轉的基板噴出光阻液而進行保護層塗佈的旋轉塗佈裝置(旋塗機)、自噴嘴向於表面形成有膜的基板的端緣部噴出膜的去除液的裝置、或自噴嘴向基板的表面噴出蝕刻液的裝置等。
1、1A‧‧‧處理單元
9‧‧‧控制部
10‧‧‧腔室
11‧‧‧側壁
12‧‧‧頂壁
13‧‧‧底壁
14‧‧‧風扇過濾單元
15‧‧‧分隔板
18‧‧‧排氣管道
20‧‧‧基板保持部
21‧‧‧旋轉底座
21a‧‧‧保持面
22‧‧‧旋轉馬達
23‧‧‧蓋構件
24‧‧‧旋轉軸
26‧‧‧卡盤銷
30、60、65、80‧‧‧處理液供給部
31、61、66、81‧‧‧噴出噴嘴
31a‧‧‧第一噴嘴(噴出噴嘴)
31b‧‧‧第二噴嘴(噴出噴嘴)
32、62、67‧‧‧噴嘴臂
33、63、68‧‧‧噴嘴基台
34a、34b、82‧‧‧配管
35a、35b、83‧‧‧開閉閥
36a、36b‧‧‧回吸閥
37a、37b、84‧‧‧處理液供給源
40‧‧‧處理杯
41‧‧‧內杯
42‧‧‧中杯
43‧‧‧外杯
70‧‧‧相機
71‧‧‧照明部
90‧‧‧用戶介面
90a‧‧‧輸入畫面
91、91A~91C‧‧‧分類器
92、210‧‧‧機械學習部
93‧‧‧通訊部
100‧‧‧基板處理裝置
102‧‧‧索引器
103‧‧‧主搬送機器人
200‧‧‧伺服器
220、913、913A、913B、913C‧‧‧判定資料庫
901‧‧‧表
902‧‧‧軟鍵
903‧‧‧區域
911‧‧‧特徵向量提取部
912‧‧‧判定部
A1、A2‧‧‧統計量
AR34、AR64、AR69‧‧‧箭頭
C1~C4‧‧‧類別
CX‧‧‧旋轉軸
F、F[1]~F[k]、F[k+1]~F[m]、F[m+1]~F[n]、F[n+1]、IM1~IM6‧‧‧訊框
Lq1、Lq2、Lq3‧‧‧處理液
NN1‧‧‧神經網路
R2、R3‧‧‧濺液判定區域
Ra1、Rb1、Rc1‧‧‧噴出判定區域
R21、R22‧‧‧判定區域
S1~S8、S10、S11~S15、S30~S34、S40~S44‧‧‧步驟
ta‧‧‧停止時序
tb‧‧‧開始時序
th1、th2‧‧‧臨限值
W‧‧‧基板
圖1為表示基板處理裝置的構成的概略一例的圖。
圖2為表示處理單元的構成的概略一例的平面圖。
圖3為表示處理單元的構成的概略一例的平面圖。
圖4為表示控制部的動作的一例的流程圖。
圖5為概略性地表示藉由相機所生成的訊框的一例的圖。
圖6為概略性地表示藉由相機所生成的訊框的一例的圖。
圖7為概略性地表示藉由相機所生成的訊框的一例的圖。
圖8為概略性地表示藉由相機所生成的訊框的一例的圖。
圖9為表示監視處理的具體一例的流程圖。
圖10為概略性地表示噴出判定區域內的亮度分布的一例的曲線圖。
圖11為概略性地表示噴出判定區域內的亮度分布的一例的曲線圖。
圖12為概略性地表示噴出判定區域內的畫素值的統計量的時間變化的一例的曲線圖。
圖13為概略性地表示噴出判定區域內的畫素值的統計量的時間變化的一例的曲線圖。
圖14為概略性地表示控制部的內部構成的一例的功能塊圖。
圖15為表示監視處理的具體一例的流程圖。
圖16為概略性地表示拍攝圖像的多個訊框的一例的圖。
圖17為概略性地表示控制部的內部構成的一例的功能塊圖。
圖18為概略性地表示輸入畫面的一例的圖。
圖19為概略性地表示基板處理裝置及伺服器的一例的功能塊圖。
圖20為概略性地表示深度學習(deep leaming)的模型的一例的圖。
圖21為概略性地表示藉由相機所生成的訊框的一例的圖。
圖22為概略性地表示濺液判定區域內的畫素值的統計量的時間變化的一例的曲線圖。
圖23為表示監視處理的具體一例的流程圖。
圖24為表示處理單元的構成的概略一例的平面圖。
圖25為概略性地表示藉由相機所生成的訊框的一例的圖。
S11~S15‧‧‧步驟
Claims (19)
- 一種基板處理方法,包括: 第一步驟,保持基板; 第二步驟,開始利用相機對包含第一噴嘴的前端及第二噴嘴的前端的拍攝區域進行拍攝,生成拍攝圖像, 第三步驟,開始從所述第一噴嘴向所述基板噴出處理液; 第四步驟,停止從所述第一噴嘴噴出處理液,開始從所述第二噴嘴噴出處理液; 第五步驟,基於針對所述拍攝圖像的圖像處理,求出於所述第四步驟中開始自所述第二噴嘴噴出處理液的開始時序、與停止自所述第一噴嘴噴出處理液的停止時序之時序差;以及 第六步驟,判定所述時序差是否為既定範圍外,於判定為所述時序差為所述既定範圍外時,以所述時序差成為所述既定範圍內的方式調整所述開始時序及所述停止時序的至少任一者。
- 如申請專利範圍第1項所述的基板處理方法,其中調整所述停止時序而不調整所述開始時序。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的基板處理方法,其中於所述第五步驟中, 基於所述拍攝圖像的各訊框中自所述第一噴嘴的前端向所述第一噴嘴的噴出方向延伸的第一噴出判定區域的畫素值,確定所述停止時序, 基於各訊框中自所述第二噴嘴的前端向所述第二噴嘴的噴出方向延伸的第二噴出判定區域的畫素值,確定所述開始時序。
- 如申請專利範圍第3項所述的基板處理方法,其中基於所述第一噴出判定區域的畫素值的統計量大於臨限值的訊框、及作為所述訊框的下一訊框的所述第一噴出判定區域的統計量小於所述臨限值的訊框,確定所述停止時序, 基於所述第二噴出判定區域的畫素值的統計量小於所述臨限值的訊框、與作為所述訊框的下一訊框的所述第一噴出判定區域的統計量大於所述臨限值的訊框,確定所述開始時序。
- 如申請專利範圍第4項所述的基板處理方法,其中於所述第六步驟中, 將關於所述第一噴嘴及所述第二噴嘴的表示所述統計量的時間變化的曲線圖顯示於用戶介面, 於對所述用戶介面進行針對對象時序的輸入時,根據所述輸入而調整所述對象時序,所述對象時序為所述開始時序及所述停止時序的至少任一者。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的基板處理方法,其中於所述第五步驟中, 使用經機械學習的分類器,將所述拍攝圖像所含的各訊框分類為關於所述第一噴嘴及所述第二噴嘴各自處理液的噴出/停止,並基於其分類結果而求出所述時序差。
- 如申請專利範圍第6項所述的基板處理方法,其中基於關於所述第一噴嘴而分類為噴出的訊框、及作為所述訊框的下一訊框的關於所述第一噴嘴而分類為停止的訊框,確定所述停止時序, 基於關於所述第二噴嘴而分類為停止的訊框、及作為所述訊框的下一訊框的關於所述第二噴嘴而分類為噴出的訊框,確定所述開始時序。
- 如申請專利範圍第6項所述的基板處理方法,其中所述停止時序為所述開始時序之後, 基於經分類為所述第一噴嘴及所述第二噴嘴兩者噴出處理液的訊框的個數、與所述訊框之間的時間,求出所述時序差。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的基板處理方法,其中於所述第六步驟中,於判定為所述時序差為既定範圍外時,將所述時序差為既定範圍外的情況告知作業者。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的基板處理方法,其中所述停止時序為所述開始時序之後, 所述基板處理方法更包括:第七步驟,基於針對所述拍攝圖像的圖像處理而判定是否產生處理液於基板上飛濺的濺液,於判定為產生所述濺液時,以減小所述開始時序與所述停止時序之間的時序差的方式調整所述開始時序及所述停止時序的至少任一者。
- 如申請專利範圍第10項所述的基板處理方法,其中於所述第七步驟中,使用經機械學習的分類器,將所述拍攝圖像的各訊框分類為有/無所述濺液。
- 如申請專利範圍第11項所述的基板處理方法,其中於所述第七步驟中,將所述拍攝圖像的各訊框中的、所述第一噴嘴及所述第二噴嘴的附近的濺液判定區域切出,使用所述分類器將所述濺液判定區域分類為有/無濺液。
- 如申請專利範圍第6項所述的基板處理方法,其中自與所述基板的種類、所述處理液的種類、所述第一噴嘴及所述第二噴嘴的位置、以及所述處理液的流量中的至少任一者相應的多個經機械學習的分類器中選擇一個, 基於所選擇的分類器而將所述拍攝圖像所含的各訊框分類。
- 如申請專利範圍第13項所述的基板處理方法,其中於將所述基板的種類、所述處理液的種類、所述第一噴嘴及所述第二噴嘴的位置、以及所述處理液的流量中的至少任一者輸入至輸入部時,根據對所述輸入部的輸入而自所述多個分類器中選擇一個。
- 一種基板處理裝置,包括: 基板保持部,保持基板; 處理液供給部,具有對所述基板噴出處理液的第一噴嘴、及對所述基板噴出處理液的第二噴嘴; 相機,對包含所述第一噴嘴的前端及所述第二噴嘴的前端的拍攝區域進行拍攝,生成拍攝圖像;以及 控制部, 所述控制部以於開始自所述第一噴嘴向所述基板噴出處理液之後,開始自所述第二噴嘴向所述基板噴出處理液,並停止自所述第一噴嘴向所述基板噴出處理液的方式,控制所述處理液供給部, 基於針對所述拍攝圖像的圖像處理,而求出開始自所述第二噴嘴噴出處理液的開始時序、與停止自所述第一噴嘴噴出處理液的停止時序之時序差,於判定為所述時序差為既定範圍外時,以所述時序差成為所述既定範圍內的方式調整所述開始時序及所述停止時序的至少任一者。
- 如申請專利範圍第15項所述的基板處理裝置,其中所述控制部使用經機械學習的分類器,將所述拍攝圖像所含的各訊框分類成關於所述第一噴嘴及所述第二噴嘴而表示處理液的噴出/停止的狀態的類別,基於其分類結果而求出所述時序差。
- 如申請專利範圍第16項所述的基板處理裝置,其中所述控制部自與所述基板的種類、所述處理液的種類、所述第一噴嘴及所述第二噴嘴的位置、以及所述處理液的流量中的至少任一者相應的多個經機械學習的分類器中選擇一個, 基於所選擇的分類器而將所述拍攝圖像所含的各訊框分類。
- 如申請專利範圍第17項所述的基板處理裝置,包括:輸入部,供輸入所述基板的種類、所述處理液的種類、所述第一噴嘴及所述第二噴嘴的位置、以及所述處理液的流量中的至少任一者, 所述控制部根據對所述輸入部的輸入而自所述多個分類器中選擇一個。
- 一種基板處理系統,包括基板處理裝置、及與所述基板處理裝置通訊的伺服器, 所述基板處理裝置包括: 基板保持部,保持基板; 處理液供給部,具有對所述基板噴出處理液的第一噴嘴、及對所述基板噴出處理液的第二噴嘴; 相機,對包含所述第一噴嘴的前端及所述第二噴嘴的前端的拍攝區域進行拍攝,生成拍攝圖像;以及 控制部,以於開始自所述第一噴嘴向所述基板噴出處理液之後,開始自所述第二噴嘴向所述基板噴出處理液,並停止自所述第一噴嘴向所述基板噴出處理液的方式,控制所述處理液供給部, 所述基板處理裝置及伺服器使用經機械學習的分類器,將所述拍攝圖像所含的各訊框分類成關於所述第一噴嘴及所述第二噴嘴而表示處理液的噴出/停止的狀態的類別,並基於其分類結果,而求出開始自所述第二噴嘴噴出處理液的開始時序、與停止自所述第一噴嘴噴出處理液的停止時序之時序差, 所述控制部於判定為所述時序差為既定範圍外時,以所述時序差成為所述既定範圍內的方式調整所述開始時序及所述停止時序的至少任一者。
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Cited By (2)
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