TW202008047A - 畫素結構 - Google Patents

Abstract

一種畫素結構包括主動元件、第一電極及第二電極。第一電極包括主幹部、多個第一分支部、第一輔助部、第二輔助部。第二電極包括多個第二分支部及周圍部。主幹部在第一方向上延伸。多個第一分支部及多個第二分支部分別與主幹部交叉設置。多個第一分支部與多個第二分支部在第一方向上交替排列。每一第一分支部具有分別位於主幹部之相對兩側的第一端與第二端。第一輔助部連接多個第一分支部的多個第一端。第二輔助部連接多個第一分支部的多個第二端。第一電極的第一輔助部及第二輔助部與第二電極的周圍部重疊。

Description

畫素結構

本發明是有關於一種畫素結構，且特別是有關於一種用於顯示面板的畫素結構。

在電競市場的規模不斷地擴展下，方便攜帶的電競用筆記型電腦更是近年來各電子廠商所致力於開發的重點產品之一。如何提供消費者具有高效能、低能耗和高顯示品質的可攜式電競產品是各廠商所面臨的一個重要挑戰，其中具有低能耗、高解析度、快速反應速度及廣視角的顯示面板更是不可或缺。

共面切換（In-Planes Switching，IPS）及邊緣場切換（Fringe Field Switching，FFS）模式的顯示面板具有廣視角、快速反應速度及高對比的特性，因此，各廠商多使用共面切換或邊緣場切換模式的顯示面板製作電競產品，以滿足電競玩家對高顯示品質的需求。然而，在反應速度不斷提升下，如何維持高穿透率以減少電競產品的消耗功率是各廠商所亟面臨的課題之一。

本發明提供一種畫素結構，性能佳。

本發明之一實施例的畫素結構，包括主動元件、第一電極、第二電極。第一電極設置於主動元件上。第一電極包括主幹部、多個第一分支部、第一輔助部、第二輔助部。主幹部在第一方向上延伸。多個第一分支部與主幹部交叉設置。每一第一分支部具有分別位於主幹部之相對兩側的第一端與第二端。第一輔助部連接多個第一分支部的多個第一端。第二輔助部連接多個第一分支部的多個第二端。第一電極或第二電極電性連接至主動元件。第一絕緣層設置於第一電極與第二電極之間。第二電極包括與主幹部交叉設置的多個第二分支部及周圍部。多個第一分支部與多個第二分支部在第一方向上交替排列。每一第二分支部具有分別位於主幹部之相對兩側的第一端與第二端。周圍部連接多個第二分支部的多個第一端與多個第二分支部的多個第二端。第一電極的第一輔助部及第一電極的第二輔助部與第二電極的周圍部重疊。

在本發明之一實施例中，上述的畫素結構的第一電極更包括與主幹部交叉設置的第三輔助部，設置於相鄰的兩第一分支部之間，且與第一輔助部及第二輔助部隔開。第一電極的第三輔助部與第二電極的第二分支部重疊。

在本發明之一實施例中，上述的畫素結構的第一絕緣層覆蓋第一電極，第二電極設置於第一絕緣層上，而第一電極之第三輔助部位於第二電極之第二分支部的垂直投影面積以內。

在本發明之一實施例中，上述的畫素結構的第三輔助部具有不平行且不垂直於第一方向的邊緣，第二分支部具有不平行且不垂直於第一方向的邊緣，而第三輔助部的邊緣平行於第二分支部的邊緣。

在本發明之一實施例中，上述的畫素結構的每一第二分支部更包括第一子部及第二子部，分別位於主幹部的相對兩側，其中第一子部的寬度由周圍部向主幹部遞增，第二子部的寬度由周圍部向主幹部遞增。

在本發明之一實施例中，上述的畫素結構的每一第二分支部更包括第三子部及第四子部，位於主幹部上，其中第三子部連接於第一子部與第四子部之間。第三子部的寬度由第一子部向第四子部遞減，第四子部連接於第三子部與第二子部之間。第四子部的寬度由第二子部向第三子部遞減。第三子部與第四子部相連接，以定義凹陷方向相反的兩凹口。

在本發明之一實施例中，上述的畫素結構的每一第二分支部更包括第一子部及第二子部，分別位於主幹部的相對兩側，其中第一子部的寬度由周圍部向主幹部遞減，第二子部的寬度由周圍部向主幹部遞減。

在本發明之一實施例中，上述的畫素結構的每一第一分支部更包括第一子部及第二子部，分別位於主幹部的相對兩側，其中第一子部的寬度由主幹部向第一輔助部遞減，第二子部的寬度由主幹部向第二輔助部遞減。

在本發明之一實施例中，上述的畫素結構的每一第二分支部更包括第一子部及第二子部，分別位於主幹部的相對兩側。第一分支部的第一子部具有彼此相對且不相平行的第一邊緣和第二邊緣，第二分支部的第一子部具有彼此相對且不相平行的第一邊緣和第二邊緣，第一分支部之第一子部的第一邊緣平行於第二分支部之第一子部的第一邊緣，第一分支部之第一子部的第二邊緣平行於第二分支部之第一子部的第二邊緣。第一分支部的第二子部具有彼此相對且不相平行的第一邊緣和第二邊緣，第二分支部的第二子部具有彼此相對且不相平行的第一邊緣和第二邊緣，第一分支部之第二子部的第一邊緣平行於第二分支部之第二子部的第一邊緣，第一分支部之第二子部的第二邊緣平行於第二分支部之第二子部的第二邊緣。

在本發明之一實施例中，上述的畫素結構更包括遮光圖案層，具有畫素開口。第一電極的主幹部、第一電極的多個第一分支部以及第二電極的多個第二分支部與畫素開口重疊。第二電極的多個第二分支部與第二電極的周圍部定義多個凹槽，而遮光圖案層遮蔽多個凹槽。

在本發明之一實施例中，上述的畫素結構的每一第一分支部的第一端及每一第一分支部的第二端延伸至遮光圖案層的下方，而遮光圖案層遮蔽每一第一分支部的第一端、每一第一分支部的第二端、第一輔助部以及第二輔助部。

在本發明之一實施例中，上述的畫素結構的第二電極的周圍部具有多個弧狀邊緣，多個弧狀邊緣與多個第二分支部定義多個凹槽。

在本發明之一實施例中，上述的畫素結構的多個第一分支部包括沿第一方向排列的多個第一分支群，每一第一分支群包括至少二個第一分支部，第一輔助部包括彼此分離的多個第一輔助子部，每一第一輔助子部連接對應的第一分支群的至少二個第一分支部的多個第一端。

在本發明之一實施例中，上述的畫素結構更包括配向膜及多個正型液晶分子。配向膜設置於第一電極或第二電極上。多個正型液晶分子設置於配向膜上，其中配向膜的摩擦方向垂直於第一方向。

在本發明之一實施例中，上述的畫素結構更包括配向膜及多個負型液晶分子。配向膜設置於第一電極或第二電極上。多個負型液晶分子設置於配向膜上，其中配向膜的摩擦方向平行於第一方向。

在本發明之一實施例中，上述的畫素結構更包括第三電極，其中第二絕緣層設置於第一電極與第三電極之間或設置於第二電極與第三電極之間，第三電極重疊於第一電極的多個第一分支部與第二電極的多個第二分支部之間的區域。

在本發明之一實施例中，上述的畫素結構的第三電極具有固定電位。

在本發明之一實施例中，上述的畫素結構的第一電極與第二電極分別具有第一驅動訊號以及第二驅動訊號，其中第一驅動訊號的波形與第二驅動訊號的波形相同，且第一驅動訊號的極性與第二驅動訊號的極性相反。

在本發明之一實施例中，上述的畫素結構的主幹部的材質、多個第一分支部的材質、多個第二分支部的材質或上述至少二者之組合的材質包括遮光導電材料。

在本發明之一實施例中，上述的畫素結構的主幹部的材質、多個第一分支部的材質、多個第二分支部的材質或上述至少兩者之組合的材質為厚度介於300埃（Å）~1000埃（Å）的金屬。

基於上述，本發明之實施例的畫素結構，透過第一電極的第一輔助部及第二輔助部分別重疊於第二電極的周圍部，在具備足夠儲存電容的前提下提升畫素結構的開口率。此外，採用本發明之實施例的畫素結構的顯示面板操作於適當電壓時，其液晶分子的排列狀態在受外力按壓後的可恢復性較佳。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

現將詳細地參考本發明的示範性實施例，示範性實施例的實例說明於所附圖式中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。

圖1為本發明之第一實施例的畫素結構10的正視示意圖。圖2為本發明之第一實施例的畫素結構10之第一電極100的正視示意圖。圖3為本發明之第一實施例的畫素結構10之第二電極200的正視示意圖。圖4為圖1之畫素結構10的局部區域I的放大示意圖。圖5為圖2之第一電極100的局部區域I的放大示意圖。圖6為圖3之第二電極200的局部區域I的放大示意圖。需說明的是，為清楚呈現起見，圖1省略圖4之遮光圖案層400。

請參照圖1，在本實施例中，畫素結構10包括主動元件T、資料線DL及掃描線SL。主動元件T包括薄膜電晶體，具有源極S、汲極D、閘極G及半導體圖案CH。在本實施例中，閘極G可選擇性地設置於半導體圖案CH的上方，進而形成頂部閘極型薄膜電晶體（top-gate TFT）。此外，頂部閘極型薄膜電晶體之半導體圖案CH的下方可選擇性地設置遮光金屬SM。然而，本發明不以此為限，根據其他的實施例，主動元件T也可是底部閘極型薄膜電晶體（bottom-gate TFT）或其它適當型式的薄膜電晶體。舉例而言，在本實施例中，半導體圖案CH的結構可為單層或多層；半導體圖案CH的材質可包括非晶矽、多晶矽、微晶矽、單晶矽、有機半導體材料、氧化物半導體材料（例如：銦鋅氧化物、銦鎵鋅氧化物、或是其它合適的材料、或上述之組合）、或其他合適的材料、或含有摻雜物（dopant）於上述材料中、或上述之組合。

在本實施例中，閘極G與掃描線SL電性連接，源極S與資料線DL電性連接，且源極S與汲極D分別與半導體圖案CH的不同兩區電性連接。舉例而言，在本實施例中，閘極G及掃描線SL的材質可相同；也就是說，閘極G及掃描線SL可形成於同一膜層。此外，在本實施例中，源極S、汲極D及資料線DL的材質可相同；也就是說，源極S、汲極D及資料線DL可形成於同一膜層。基於導電性的考量，閘極G、源極S、汲極D、掃描線SL及資料線DL的材料一般是使用金屬材料。然而，本發明不以此為限，根據其他的實施例，閘極G、源極S、汲極D、掃描線SL及資料線DL也可使用其他導電材料，例如：合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其他合適的材料、或是金屬材料與其他導電材料的堆疊層。

請參照圖1及圖2，在本實施例中，畫素結構10更包括第一電極100。在本實施例中，第一電極100例如是電性連接至主動元件T之汲極D的畫素電極，但本發明不以此為限。請參照圖2及圖5，在本實施例中，第一電極100包括主幹部110、多個第一分支部120、第一輔助部130及第二輔助部140。主幹部110在第一方向D1上延伸。多個第一分支部120與主幹部110交叉設置，且每一第一分支部120具有分別位於主幹部110之相對兩側的第一端120a與第二端120b。第一輔助部130連接多個第一分支部120的多個第一端120a。第二輔助部140連接多個第一分支部120的多個第二端120b。

請參照圖5，在本實施例中，每一第一分支部120更包括第一子部120c及第二子部120d，分別位於主幹部110的相對兩側。第一子部120c連接於第一端120a與主幹部110之間。第二子部120d連接於第二端120b與主幹部110之間。舉例而言，在本實施例中，第一子部120c的寬度W1由主幹部110向第一輔助部130遞減，第二子部120d的寬度W2由主幹部110向第二輔助部140遞減，但本發明不以此為限。

請參照圖2及圖5，在本實施例中，第一電極100可選擇性地包括與主幹部110交叉設置的第三輔助部150。第三輔助部150設置於相鄰的兩第一分支部120之間，且與第一輔助部130及第二輔助部140隔開。多個第三輔助部150與多個第一分支部120可在第一方向D1交替排列。請參照圖5，在本實施例中，第三輔助部150包括第五子部150a及第六子部150b，分別位於主幹部110的相對兩側，其中第五子部150a位於第一輔助部130與主幹部110之間，第六子部150b位於主幹部110與第二輔助部140之間。舉例而言，在本實施例中，第五子部150a的寬度W7由主幹部110向第一輔助部130遞減，第六子部150b的寬度W8由主幹部110向第二輔助部140遞減，但本發明不以此為限。

圖7為本發明之第一實施例的畫素結構的剖面示意圖。特別是，圖7對應於圖4的剖線A-A’，且圖7省略畫素結構10之第一電極100下方膜層的繪示。請參照圖1、圖3及圖7，在本實施例中，畫素結構10更包括第二電極200，設置在第一電極100上。詳細而言，畫素結構10更包括第一絕緣層300，設置在第一電極100與第二電極200之間。舉例而言，第一絕緣層300可覆蓋第一電極100，第二電極200設置於第一絕緣層300上。然而，本發明不以此為限，根據其他的實施例，第一電極100也可設置於第二電極200上。第一電極100與第二電極200的一者可作為畫素電極，而第一電極100與第二電極200的另一者可作為共用電極。舉例而言，在本實施例中，第一電極100可電性連接至主動元件T以作為畫素電極，第二電極200可作為共用電極。然而，本發明不以此為限，根據其他的實施例，第二電極200也可電性連接至主動元件T以作為畫素電極，而第一電極100也可作為共用電極。

請參照圖4及圖6，在本實施例中，第二電極200包括多個第二分支部220及周圍部250。多個第二分支部220與主幹部110交叉設置。每一第二分支部220具有分別位於主幹部110之相對兩側的第一端220a與第二端220b。周圍部250連接多個第二分支部220的多個第一端220a與多個第二分支部220的多個第二端220b。請參照圖3、圖4及圖6，舉例而言，在本實施例中，多個第二分支部220在第一方向D1上排成一行，周圍部250可包括環繞所述行的一個框型圖案（如圖3所示），但本發明不以此為限。

請參照圖4及圖6，在本實施例中，每一第二分支部220更包括第一子部220c及第二子部220d，分別位於主幹部110的相對兩側。第一端220a連接於第一子部220c與周圍部250之間。第二端220b連接於第二子部220d與周圍部250之間。舉例而言，在本實施例中，第一子部220c的寬度W3由周圍部250向主幹部110遞增，第二子部220d的寬度W4由周圍部250向主幹部110遞增，但本發明不以此為限。

在本實施例中，每一第二分支部220更包括第三子部220e及第四子部220f，設置於主幹部110上。第二分支部220的第三子部220e及第四子部220f重疊於主幹部110。第三子部220e連接於第一子部220c與第四子部220f之間，第四子部220f連接於第三子部220e與第二子部220d之間。舉例而言，在本實施例中，第三子部220e的寬度W5由第一子部220c向第四子部220f遞減，第四子部220f的寬度W6由第二子部220d向第三子部220e遞減，且第三子部220e與第四子部220f相連接，以定義凹陷方向相反的兩凹口224，但本發明不以此為限。

在本實施例中，第一電極100與第二電極200例如是穿透式電極，而穿透式電極的材質包括金屬氧化物，例如：銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少兩者之堆疊層。然而，本發明不以此為限，根據其他的實施例，畫素結構10之主幹部110的材質、多個第一分支部120的材質、多個第二分支部220的材質或上述至少兩者之組合的材質也可包括遮光導電材料。

請參照圖1及圖4，在本實施例中，第一電極100的多個第一分支部120與第二電極200的多個第二分支部220在第一方向D1上交替排列，且每一第一分支部120與每一第二分支部220在垂直於第一方向D1的第二方向D2上互不重疊。在本實施例中，第一電極100的第一輔助部130及第二輔助部140與第二電極200的周圍部250重疊，第一電極100的第三輔助部150與第二電極200的第二分支部220重疊，以形成儲存電容（Storage capacitance）。舉例而言，在本實施例中，第一電極100的第三輔助部150位於第二電極200的第二分支部220的垂直投影面積以內，但本發明不以此為限。

在本實施例中，第一電極100的第一分支部120、第二電極200的第二分支部220、第一電極100的主幹部110以及第二電極200的周圍部250定義出面積小的電極區（electrode domain）ED（標示於圖1），而有助於縮減採用畫素結構10之液晶顯示面板的反應時間（response time）。特別是，在本實施例中，用以形成儲存電容之第一電極100的第一輔助部130、第二輔助部140及第三輔助部150係重疊於用以定義出電極區ED之第二電極200的周圍部250及第二分支部220，而不需為了形成儲存電容使得第一輔助部130、第二輔助部140及第三輔助部150佔用其它區域。藉此，畫素結構10能在具備足夠儲存電容的前提下提升開口率。

請參照圖4、圖5及圖6，在本實施例中，第一電極100的第一輔助部130具有靠近主幹部110的邊緣130a，第一電極100的第二輔助部140具有靠近主幹部110的邊緣140a，第二電極200的周圍部250具有靠近第二分支部220的邊緣250a。舉例而言，在本實施例中，第二電極200的周圍部250的邊緣250a與第一電極100的第一輔助部130的邊緣130a可實質上切齊，第二電極200的周圍部250的邊緣250a與第一電極100的第二輔助部140的邊緣140a可實質上切齊，但本發明不以此為限。

請參照圖4，在本實施例中，第一分支部120的第一子部120c具有彼此相對且不相平行的第一邊緣122c和第二邊緣123c，第二分支部220的第一子部220c具有彼此相對且不相平行的第一邊緣222c和第二邊緣223c。舉例而言，在本實施例中，第一分支部120之第一子部120c的第一邊緣122c實質上可平行於第二分支部220之第一子部220c的第一邊緣222c，第一分支部120之第一子部120c的第二邊緣123c實質上可平行於第二分支部220之第一子部220c的第二邊緣223c，但本發明不以此為限。在本實施例中，第一分支部120的第一子部120c的第一邊緣122c及第二邊緣123c不平行且不垂直於第一方向D1，且第二分支部220的第一子部220c的第一邊緣222c及第二邊緣223c不平行且不垂直於第一方向D1，但本發明不以此為限。

在本實施例中，第一子部120c之第一邊緣122c的垂直投影與主幹部110之側邊110a的垂直投影具有第一夾角A1，第一子部120c之第二邊緣123c的垂直投影與主幹部110之側邊110a的垂直投影具有第二夾角A2，第一子部220c之第一邊緣222c的垂直投影與主幹部110之側邊110a的垂直投影具有第三夾角A3，第一子部220c之第二邊緣223c的垂直投影與主幹部110之側邊110a的垂直投影具有第四夾角A4。舉例而言，在本實施例中，第一夾角A1、第二夾角A2、第三夾角A3及第四夾角A4的角度實質上相等，且第一夾角A1、第二夾角A2、第三夾角A3及第四夾角A4例如是91度至95度的範圍，但本發明不以此為限。

類似地，在本實施例中，第一分支部120的第二子部120d具有彼此相對且不相平行的第一邊緣122d和第二邊緣123d，第二分支部220的第二子部220d具有彼此相對且不相平行的第一邊緣222d和第二邊緣223d。舉例而言，在本實施例中，第一分支部120之第二子部120d的第一邊緣122d平行於第二分支部220之第二子部220d的第一邊緣222d，第一分支部120之第二子部120d的第二邊緣123d平行於第二分支部220之第二子部220d的第二邊緣223d，但本發明不以此為限。詳細而言，在本實施例中，第一分支部120的第二子部120d的第一邊緣122d及第二邊緣123d不平行且不垂直於第一方向D1，且第二分支部220的第二子部220d的第一邊緣222d及第二邊緣223d不平行且不垂直於第一方向D1，但本發明不以此為限。

在本實施例中，第二子部120d之第一邊緣122d的垂直投影與主幹部110之側邊110b的垂直投影具有第一夾角B1，第二子部120d之第二邊緣123d的垂直投影與主幹部110之側邊110b的垂直投影具有第二夾角B2，第二子部220d之第一邊緣222d的垂直投影與主幹部110之側邊110b的垂直投影具有第三夾角B3，第二子部220d之第二邊緣223d的垂直投影與主幹部110之側邊110b的垂直投影具有第四夾角B4。舉例而言，在本實施例中，第一夾角B1、第二夾角B2、第三夾角B3及第四夾角B4的角度實質上相等，且第一夾角B1、第二夾角B2、第三夾角B3及第四夾角B4例如是91度至95度的範圍，但本發明不以此為限。

在本實施例中，第三輔助部150的第五子部150a具有彼此相對且不相平行的第一邊緣152a和第二邊緣153a，第三輔助部150的第六子部150b具有彼此相對且不相平行的第一邊緣152b和第二邊緣153b。在本實施例中，第三輔助部150的第一邊緣152a、152b與第二邊緣153a、153b不平行且不垂直於第一方向D1，但本發明不以此為限。舉例而言，在本實施例中，第三輔助部150的第五子部150a的第一邊緣152a平行於第二分支部220之第一子部220c的第一邊緣222c，第三輔助部150的第五子部150a的第二邊緣153a平行於第二分支部220之第一子部220c的第二邊緣223c，第三輔助部150的第六子部150b的第一邊緣152b平行於第二分支部220之第二子部220d的第一邊緣222d，第三輔助部150的第六子部150b的第二邊緣153b平行於第二分支部220之第二子部220d的第二邊緣223d，但本發明不以此為限。

請參照圖1及圖4，圖4之區域I內的構件可視為圖1之畫素結構10的一個重覆單元。畫素結構10可包括彼此連接的多個重覆單元。每一重覆單元具有尺寸固定且大小適當的電極區ED，以使採用的畫素結構10的顯示面板具有快速反應時間。在每一重覆單元具有適切尺寸之電極區ED的前提下，本領域具有通常知識者可根據所欲實現之顯示面板的解析度決定一個畫素結構10所包括之重覆單元的數量。舉例而言，在本實施例中，畫素結構10可包括多行重覆單元，每一行的多個重覆單元在第一方向D1上排列，相鄰兩行的多個重覆單元可選擇性地呈鏡向設置，位於同一行且相鄰之兩重覆單元之兩第一輔助部130可選擇性地彼此連接，位於同一行且相鄰之兩重覆單元之兩第二輔助部140可選擇性地彼此連接。然而，本發明不限於此，在其它實施例中，位於同一行且相鄰之兩重覆單元之兩第一輔助部130也可彼此隔開，位於同一行且相鄰之兩重覆單元之兩第二輔助部140也可彼此隔開，以下將於後續段落配合其它圖示舉例說明之。

圖8為採用本發明之第一實施例的畫素結構10的顯示面板LCD的剖面示意圖。特別是，圖8之畫素結構10的剖面對應於圖4的剖線A-A’，且圖8之畫素結構10的剖面省略第一電極100下方膜層的繪示。請參照圖8，顯示面板LCD包括第一基板50、設置於第一基板50上的畫素結構10、設置於第一基板50對向的第二基板60以及設置於第一基板50與第二基板60之間的多個液晶分子LC。在本實施例中，顯示面板LCD更包括第一配向膜AL1以及第二配向膜AL2，第一配向膜AL1設置於畫素結構10上，第二配向膜AL2設置於第二基板60上，多個液晶分子LC設置於第一配向膜AL1與第二配向膜AL2之間。

在本實施例中，多個液晶分子LC為正型液晶分子，第一配向膜AL1的摩擦方向RD1垂直於第一方向D1，而第二配向膜AL2可具有與第一配向膜AL1的摩擦方向RD1相反的摩擦方向RD2，且第一配向膜AL1的摩擦方向RD1與第二配向膜AL2的摩擦方向RD2實質上平行，但本發明不以此為限。

圖9為採用本發明之第一實施例的畫素結構10的另一顯示面板LCD’的剖面示意圖。圖9的顯示面板LCD’與圖8的顯示面板LCD類似，兩者的差異在於：圖9之多個液晶分子LC為負型液晶分子，第一配向膜AL1的摩擦方向RD1與第二配向膜AL2的摩擦方向RD2平行於第一方向D1，但本發明不以此為限。

圖10為採用本發明之第一實施例的畫素結構10的顯示面板在電壓驅動下的放大正視示意圖。圖11為採用本發明之第一比較例的畫素結構30的顯示面板在電壓驅動下的放大正視示意圖。特別是，圖10係顯示其畫素結構10設置在兩個穿透軸相互垂直的偏光片之間，且針對畫素結構10的第一電極100及第二電極200分別施以6伏特0伏特的電壓時所呈現的光穿透狀況，詳細而言，兩個相互垂直的偏光片中的一者，其穿透軸平行於第一方向D1；圖11係顯示其畫素結構30設置在兩個穿透軸相互垂直的偏光片之間，且針對畫素結構30的第一電極100-1及第二電極200-1分別施以6伏特及0伏特的電壓時所呈現的光穿透狀況，詳細而言，兩個相互垂直的偏光片中的一者，其穿透軸平行於第一方向D1。圖10所示之本實施例的畫素結構10與圖11所示之第一比較例之畫素結構30類似，兩者的差異在於：圖11所示之第一比較例之畫素結構30不具有第一實施例的畫素結構10的第一輔助部130及第二輔助部140。

請參照圖10及圖11，相較於第一實施例，由於第一比較例的第一電極100-1不具有第一輔助部130及第二輔助部140，使得暗紋（即Disclination line）的位置較偏離主幹部110的中心軸，也就是說，其暗紋所形成的十字節點較不對稱。請參照圖2至圖4，相較於第一比較例，由於本實施例的第二電極200的周圍部250的邊緣250a與第一電極100的第一輔助部130的邊緣130a切齊，第二電極200的周圍部250的邊緣250a與第一電極100的第二輔助部140的邊緣140a切齊，因此可改善多個液晶分子LC操作於大電壓時，其排列狀態在受外力按壓後的可恢復性。

圖12為採用本發明之第二比較例的畫素結構31的顯示面板在電壓驅動下的放大正視示意圖。特別是，圖12係顯示其畫素結構31設置在兩個穿透軸相互垂直的偏光片之間，且針對畫素結構31的第一電極100-2及第二電極200-2分別施以6伏特及0伏特的電壓時所呈現的光穿透狀況，詳細而言，兩個相互垂直的偏光片中的一者，其穿透軸平行於第一方向D1。圖12所示之第二比較例的畫素結構31與圖10所示之第一實施例之畫素結構10類似，兩者的差異在於：圖12所示之第二比較例的畫素結構31之第一電極100-2的第三輔助部150-2在第二電極200-2上的投影面積超出第二電極200-2的第二分支部220-2。

請參照圖10及圖12，相較圖12的第二比較例，在圖10的第一實施例中，重疊於兩個第一分支部120的兩個水平暗紋較集中於兩個第一分支部120的水平中心軸，因此，第一實施例的畫素結構10可提供較高的光穿透率及較短的液晶分子的反應速度（Response time）。

圖13為採用本發明之第三比較例的畫素結構32的顯示面板在電壓驅動下的放大正視示意圖。特別是，圖13係顯示其畫素結構32設置在兩個穿透軸相互垂直的偏光片之間，且針對畫素結構32的第一電極100-3及第二電極200-3分別施以6伏特及0伏特的電壓時所呈現的光穿透狀況，詳細而言，兩個相互垂直的偏光片中的一者，其穿透軸平行於第一方向D1。圖13所示之第三比較例之畫素結構32與圖10所示之第一實施例的畫素結構10類似，兩者的差異在於：圖13所示之第三比較例之畫素結構32的第二電極200-3在第一電極100-3的主幹部110上具有相對的一凹口224及一凸起225。

請參照圖4、圖10及圖13，相較於第三比較例，第一實施例的畫素結構10的第二電極200的每一第二分支部220在第一電極100的主幹部110上具有凹陷方向相反的兩凹口224，有助於使暗紋（即Disclination line）同時向第一電極100的主幹部110的中心軸集中及第二電極200的第二分支部220的中心軸集中，進而提升光的穿透率及縮短反應時間。

圖14為本發明之第二實施例的畫素結構10A的正視示意圖。圖15為本發明之第二實施例的畫素結構10A之局部區域II的放大示意圖。圖16為本發明之第二實施例的畫素結構10A的第二電極200-A的正視示意圖。需說明的是，為清楚呈現起見，圖14省略圖15之遮光圖案層400。

請參照圖14至圖16，本實施例的畫素結構10A與第一實施例的畫素結構10的差異在於：本實施例的第二電極200-A的周圍部250-A具有多個弧狀邊緣250b、250c，多個弧狀邊緣250b、250c與多個第二分支部220定義多個凹槽251、252。具體而言，在本實施例中，周圍部250-A的每一弧狀邊緣250b係設置於相鄰的兩個第二分支部220的兩第一端220a之間，鄰近第一分支部121的第一端121a的每一凹槽251係為弧狀邊緣250b、相鄰的兩個第二分支部220之相對的第一邊緣222c及第二邊緣223c所形成；周圍部250的每一弧狀邊緣250c係設置於相鄰的兩個第二分支部220的兩第二端220b之間，鄰近第一分支部121的第二端121b的每一凹槽252係為弧狀邊緣250c、相鄰的兩個第二分支部220之相對的第一邊緣222d及第二邊緣223d所形成。

請參照圖15，在本實施例中，畫素結構10A更包括遮光圖案層400，具有畫素開口410。第一電極100-A的主幹部110、第一電極100-A的多個第一分支部120及第二電極200-A的多個第二分支部220與畫素開口410重疊，且遮光圖案層400遮蔽多個凹槽251。特別是，在本實施例中，與主幹部111交叉設置的至少部分之第一分支部121的第一端121a以及與主幹部112交叉設置之至少部分之每一第一分支部122的第二端122b延伸至遮光圖案層400的下方；也就是說，遮光圖案層400遮蔽與主幹部111交叉設置的至少部分之第一分支部121的第一端121a、與主幹部112交叉設置之至少部分之第一分支部122的第二端122b，但本發明不以此為限。

圖17為採用本發明之第二實施例的畫素結構10A的顯示面板在電壓驅動下的放大示意圖。圖18為採用本發明之第四比較例的畫素結構33的顯示面板在電壓驅動下的放大示意圖。特別是，圖17係顯示其畫素結構10A設置在兩個穿透軸相互垂直的偏光片之間，且針對畫素結構10A的第一電極100-A及第二電極200-A分別施以6伏特及0伏特的電壓時所呈現的光穿透狀況，詳細而言，兩個相互垂直的偏光片中的一者，其穿透軸平行於第一方向D1；圖18係顯示其畫素結構33設置在兩個穿透軸相互垂直的偏光片之間，且針對畫素結構33的第一電極100-4及第二電極200-4分別施以6伏特及0伏特的電壓時所呈現的光穿透狀況，詳細而言，兩個相互垂直的偏光片中的一者，其穿透軸平行於第一方向D1。

請參照圖15、圖17及圖18，相較於第四比較例，第二實施例中的畫素結構10A的第二電極200-A因具有重疊於遮光圖案層400的多個凹槽251，使鄰近遮光圖案層400的暗紋減少，進而縮減反應時間及/或提升穿透率。

圖19為本發明之第三實施例的畫素結構10B的正視示意圖。圖20為本發明之第三實施例的畫素結構10B之局部區域III的放大示意圖。圖21為本發明之第三實施例的畫素結構10B之第二電極200-B的正視示意圖。

請參照圖19至圖21，本實施例的畫素結構10B與第一實施例的畫素結構10的差異在於：本實施例的第二電極200-B的每一第二分支部220-B的第一子部220c的寬度W3由周圍部250向主幹部110遞減，每一第二分支部220-B的第二子部220d的寬度W4由周圍部250向主幹部110遞減。舉例而言，在本實施例中，每一第二分支部220-B的第一子部220c與第二子部220d於第一電極100-B的主幹部110上直接連接，以定義凹陷方向相反的兩凹口226，但本發明不以此為限。在本實施例中，由於第二電極200-B的每一第二分支部220-B具有凹陷方向相反的兩凹口226，有助於使暗紋向第一電極100-B的主幹部110的中心軸集中，以及向第二電極200-B的第二分支部220-B的中心軸集中。

圖22為本發明之第四實施例的畫素結構10C的正視示意圖。圖23為本發明之第四實施例的畫素結構10C之局部區域IV的放大示意圖。圖24為本發明之第四實施例的畫素結構10C的剖面示意圖。圖25為本發明之第四實施例的畫素結構10C之第一電極100-C的正視示意圖。特別是，圖24對應於圖23的剖線B-B’，且圖24省略畫素結構10C之第三電極500以下膜層的繪示。

請參照圖22，在本實施例中，畫素結構10C的主動元件T包括第一薄膜電晶體T1及第二薄膜電晶體T2，畫素結構10C更包括第一資料線DL1、第二資料線DL2以及掃描線SL。第一薄膜電晶體T1包括源極S1、汲極D1、閘極G1及半導體圖案CH1。第二薄膜電晶體T2包括源極S2、汲極D2、閘極G2及半導體圖案CH2。在本實施例中，第一資料線DL1電性連接至第一薄膜電晶體T1的源極S1，第一電極100-C電性連接至第一薄膜電晶體T1的汲極D1。第二資料線DL2電性連接至第二薄膜電晶體T2的源極S2，第二電極200-C電性連接至第二薄膜電晶體T2的汲極D2。掃描線SL與第一資料線DL1及第二資料線DL2交錯設置且電性連接至第一薄膜電晶體T1的閘極G1和第二薄膜電晶體T2的閘極G2。舉例而言，在本實施例中，畫素結構10C的第一電極100-C與第二電極200-C分別具有第一驅動訊號以及第二驅動訊號，其中所述第一驅動訊號的波形與所述第二驅動訊號的波形相同，且所述第一驅動訊號的極性與所述第二驅動訊號的極性相反，但本發明不以此為限。

請參照圖23及圖24，在本實施例中，畫素結構10C更包括第三電極500及第二絕緣層350。舉例而言，在本實施例中，第一電極100-C設置於第三電極500與第二電極200-C之間，且第二絕緣層350設置於第一電極100-C與第三電極500之間，但本發明不以此為限，根據其它的實施例，第二電極200-C可設置於第三電極500與第一電極100-C之間，且第二絕緣層350可設置於第二電極200-C與第三電極500之間。請同時參照圖22，在本實施例中，第三電極500重疊於第一電極100-C的多個第一分支部120與第二電極200-C的多個第二分支部220之間的區域。特別是，在本實施例中，第一電極100-C和第二電極200-C在驅動時可提供大小相同，極性相反的電壓，第三電極500具有參考電位，其中所述參考電位可以是接地電位、固定電位、浮置（floating）電位或其它適當型式的電位。舉例而言，在本實施例中，第三電極500例如是穿透式電極，而穿透式電極的材質包括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少兩者之堆疊層。

請參照圖23及圖25，在本實施例中，第一電極100-C的多個第一分支部120包括多個第一分支群125。每一第一分支群125具有相鄰的兩個第一分支部126、127。然而，本發明不以此為限，根據其他的實施例，每一第一分支群125可具有相鄰的三個第一分支部120。在本實施例中，第一電極100-C的第一輔助部131具有彼此分離的多個第一輔助子部131a，第一電極100-C的第二輔助部141具有彼此分離的多個第二輔助子部141a。每一第一輔助子部131a連接對應的第一分支群125的兩相鄰之第一分支部126、127的兩個第一端126a、127a。每一第二輔助子部141a連接對應的第一分支群125的兩相鄰之第一分支部126、127的兩個第二端126b、127b。

圖26為採用本發明之第四實施例的畫素結構10C的顯示面板在電壓驅動下的放大正視示意圖。特別是，圖26係顯示其畫素結構10C設置在兩個穿透軸相互垂直的偏光片之間，且針對畫素結構10C的第一電極100-C、第二電極200-C及第三電極500分別施以3伏特、-3伏特及0伏特的電壓時所呈現的光穿透狀況，詳細而言，兩個相互垂直的偏光片中的一者，其穿透軸平行於第一方向D1。請參照圖23及圖26，在本實施例中，每一第一分支群125的第一分支部126與第一分支部127的間距P，例如是13微米。利用前述之第一電極100-C、第二電極200-C及第三電極500，相較於採用第一實施之畫素結構10的顯示面板，採用本畫素結構10C的顯示面板在具有相近之反應時間的前提下，更進一步地提升穿透率。

圖27為採用本發明之第五實施例的畫素結構10D的顯示面板在電壓驅動下的放大正視示意圖。特別是，圖27係顯示其畫素結構10D設置在兩個穿透軸相互垂直的偏光片之間，且針對畫素結構10D的第一電極100-D及第二電極200-D分別施以（6）伏特及（0）伏特的電壓時所呈現的光穿透狀況，詳細而言，兩個相互垂直的偏光片中的一者，其穿透軸平行於第一方向D1。

請參照圖26及圖27，本實施例的畫素結構10D與第四實施例的畫素結構10C的差異在於：本實施例的第一電極100-D的材質為遮光導電材料，例如是金屬或合金。相較於第四實施例的畫素結構10C，本實施例的畫素結構10D的第一電極100-D係由遮光材料形成，因此，第一電極100-D能遮蔽形成於其設置位置的暗紋，有助於降低採用畫素結構10D之顯示面板的暗態亮度，而提升對比。此外，本實施例的第一電極100-D的主幹部110及第一分支部120係透過金屬材料層的地形作用，使暗線更進一步向第一電極100-D的主幹部110及第一分支部120的中心軸集中。因此，相較於第四實施例的畫素結構10C，本實施例的第一電極100-D的主幹部110及第一分支部120可具有較窄的寬度，進而提升光的穿透率。然而，本發明不限於此，根據其他的實施例，至少部分的第一電極100-D（主幹部110、第一分支部120、第二分支部220或上述至少二者之組合）可採用薄金屬，厚度介於300埃(Å)~1000埃(Å)，具體而言，第一電極100-D可以是厚度介於300埃(Å)~1000埃(Å)的鉬金屬。

綜上所述，本發明之實施例的畫素結構，透過第一電極的第一輔助部及第二輔助部分別重疊於第二電極的周圍部，在具備足夠儲存電容的前提下提升畫素結構的開口率。此外，採用本發明之實施例的畫素結構的顯示面板操作於適當驅動電壓時，其液晶分子的排列狀態在受外力按壓後的可恢復性佳。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10、10A~10D、30~33‧‧‧畫素結構100、100-A、100-B、100-C、100-D、100-1、100-2、100-3、100-4‧‧‧第一電極110、111、112‧‧‧主幹部110a、110b‧‧‧側邊120、121、122、126、127‧‧‧第一分支部120a、121a、122a、126a、127a、220a‧‧‧第一端120b、121b、122b、126b、127b、220b‧‧‧第二端120c、122c、127c、220c‧‧‧第一子部120d、122d、127d、220d‧‧‧第二子部122c、122d、152a、152b、222c、222d‧‧‧第一邊緣123c、123d、153a、153b、223c、223d‧‧‧第二邊緣125‧‧‧第一分支群130、131‧‧‧第一輔助部130a、140a、250a‧‧‧邊緣131a‧‧‧第一輔助子部140、141‧‧‧第二輔助部141a‧‧‧第二輔助子部150‧‧‧第三輔助部150a‧‧‧第五子部150b‧‧‧第六子部200、200-A、200-B、200-C、200-D、200-1、200-2、200-3、200-4‧‧‧第二電極220‧‧‧第二分支部220e‧‧‧第三子部220f‧‧‧第四子部224、226‧‧‧凹口225‧‧‧凸起250、250-A‧‧‧周圍部250b、250c‧‧‧弧狀邊緣251、252‧‧‧凹槽300‧‧‧第一絕緣層350‧‧‧第二絕緣層400‧‧‧遮光圖案層410‧‧‧畫素開口500‧‧‧第三電極A1、B1‧‧‧第一夾角A2、B2‧‧‧第二夾角A3、B3‧‧‧第三夾角A4、B4‧‧‧第四夾角AL1‧‧‧第一配向膜AL2‧‧‧第二配向膜CH、CH1、CH2‧‧‧半導體圖案D、D1、D2‧‧‧汲極D1‧‧‧第一方向D2‧‧‧第二方向D3‧‧‧第三方向DL、DL1、DL2‧‧‧資料線ED‧‧‧電極區G、G1、G2‧‧‧閘極I、II、III、IV‧‧‧區域LC‧‧‧液晶分子P‧‧‧間距RD1、RD2‧‧‧摩擦方向S、S1、S2‧‧‧源極SL‧‧‧掃描線SM‧‧‧遮光金屬T、T1、T2‧‧‧主動元件W1~W8‧‧‧寬度A-A’、B-B’‧‧‧剖線

圖1為本發明之第一實施例的畫素結構的正視示意圖。 圖2為本發明之第一實施例的畫素結構之第一電極的正視示意圖。 圖3為本發明之第一實施例的畫素結構之第二電極的正視示意圖。 圖4為圖1之畫素結構的局部區域I的放大示意圖。 圖5為圖2之第一電極的局部區域I的放大示意圖。 圖6為圖3之第二電極的局部區域I的放大示意圖。 圖7為本發明之第一實施例的畫素結構的剖面示意圖。 圖8為採用本發明之第一實施例的畫素結構的顯示面板的剖面示意圖。 圖9為採用本發明之第一實施例的畫素結構的另一顯示面板的剖面示意圖。 圖10為採用本發明之第一實施例的畫素結構的顯示面板在電壓驅動下的放大正視示意圖。 圖11為採用本發明之第一比較例的畫素結構的顯示面板在電壓驅動下的放大正視示意圖。 圖12為採用本發明之第二比較例的畫素結構的顯示面板在電壓驅動下的放大正視示意圖。 圖13為採用本發明之第三比較例的畫素結構的顯示面板在電壓驅動下的放大正視示意圖。 圖14為本發明之第二實施例的畫素結構的正視示意圖。 圖15為圖14之畫素結構的局部區域II的放大示意圖。 圖16為本發明之第二實施例的畫素結構之第二電極的正視示意圖。 圖17為採用本發明之第二實施例的畫素結構的顯示面板在電壓驅動下的放大示意圖。 圖18為採用本發明之第四比較例的畫素結構的顯示面板在電壓驅動下的放大示意圖。 圖19為本發明之第三實施例的畫素結構的正視示意圖。 圖20為圖19之畫素結構的局部區域III的放大示意圖。 圖21為本發明之第三實施例的畫素結構之第二電極的正視示意圖。 圖22為本發明之第四實施例的畫素結構的正視示意圖。 圖23為圖22之畫素結構的局部區域IV的放大示意圖。 圖24為本發明之第四實施例的畫素結構的剖面示意圖。 圖25為本發明之第四實施例的畫素結構之第一電極的正視示意圖。 圖26為採用本發明之第四實施例的畫素結構的顯示面板在電壓驅動下的放大正視示意圖。 圖27為採用本發明之第五實施例的畫素結構的顯示面板在電壓驅動下的放大正視示意圖。

10‧‧‧畫素結構

100‧‧‧第一電極

110‧‧‧主幹部

120‧‧‧第一分支部

120a、220a‧‧‧第一端

120b、220b‧‧‧第二端

130‧‧‧第一輔助部

140‧‧‧第二輔助部

150‧‧‧第三輔助部

200‧‧‧第二電極

220‧‧‧第二分支部

250‧‧‧周圍部

CH‧‧‧半導體圖案

D‧‧‧汲極

D1‧‧‧第一方向

D2‧‧‧第二方向

D3‧‧‧第三方向

DL‧‧‧資料線

ED‧‧‧電極區

G‧‧‧閘極

I‧‧‧區域

S‧‧‧源極

SL‧‧‧掃描線

SM‧‧‧遮光金屬

T‧‧‧主動元件

Claims (20)

1. 一種畫素結構，包括： 一主動元件； 一第一電極，包括： 一主幹部，在一第一方向上延伸； 多個第一分支部，與該主幹部交叉設置，每一該些第一分支部具有分別位於該主幹部之相對兩側的一第一端與一第二端； 一第一輔助部，連接該些第一分支部的多個第一端；以及 一第二輔助部，連接該些第一分支部的多個第二端； 一第二電極，其中該第一電極或該第二電極電性連接至該主動元件，一第一絕緣層設置於該第一電極與該第二電極之間，而該第二電極包括： 多個第二分支部，與該主幹部交叉設置，其中該些第一分支部與該些第二分支部在該第一方向上交替排列，每一該些第二分支部具有分別位於該主幹部之相對兩側的一第一端與一第二端；以及 一周圍部，連接該些第二分支部的多個第一端和該些第二分支部的多個第二端，其中該第一電極的該第一輔助部及該第一電極的該第二輔助部與該第二電極的該周圍部重疊。
2. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該第一電極更包括： 一第三輔助部，設置於相鄰的兩第一分支部之間，與該主幹部交叉設置，且與該第一輔助部及該第二輔助部隔開，其中該第一電極的該第三輔助部與該第二電極的一第二分支部重疊。
3. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該第一絕緣層覆蓋該第一電極，該第二電極設置於該第一絕緣層上，而該第一電極之該第三輔助部位於該第二電極之該第二分支部的垂直投影面積以內。
4. 如申請專利範圍第2項所述的畫素結構，其中該第三輔助部具有不平行且不垂直於該第一方向的一邊緣，該第二分支部具有不平行且不垂直於該第一方向的一邊緣，而該第三輔助部的該邊緣平行於該第二分支部的該邊緣。
5. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中每一該些第二分支部更包括： 一第一子部及一第二子部，分別位於該主幹部的相對兩側，其中該第一子部的寬度由該周圍部向該主幹部遞增，而該第二子部的寬度由該周圍部向該主幹部遞增。
6. 如申請專利範圍第5項所述的畫素結構，其中每一該些第二分支部更包括： 一第三子部及一第四子部，位於該主幹部上，其中該第三子部連接於該第一子部與該第四子部之間，該第三子部的寬度由該第一子部向該第四子部遞減，該第四子部連接於該第三子部與該第二子部之間，該第四子部的寬度由該第二子部向該第三子部遞減；該第三子部與該第四子部相連接，以定義凹陷方向相反的兩凹口。
7. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中每一該些第二分支部更包括： 一第一子部及一第二子部，分別位於該主幹部的相對兩側，其中該第一子部的寬度由該周圍部向該主幹部遞減，而該第二子部的寬度由該周圍部向該主幹部遞減。
8. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中每一該些第一分支部更包括： 一第一子部及一第二子部，分別位於該主幹部的相對兩側，其中該第一子部的寬度由該主幹部向該第一輔助部遞減，而該第二子部的寬度由該主幹部向該第二輔助部遞減。
9. 如申請專利範圍第8項所述的畫素結構，其中每一該些第二分支部更包括： 一第一子部及一第二子部，分別位於該主幹部的相對兩側，其中該第一分支部的該第一子部具有彼此相對且不相平行的一第一邊緣和一第二邊緣，該第二分支部的該第一子部具有彼此相對且不相平行的一第一邊緣和一第二邊緣，該第一分支部之該第一子部的該第一邊緣平行於該第二分支部之該第一子部的該第一邊緣，該第一分支部之該第一子部的該第二邊緣平行於該第二分支部之該第一子部的該第二邊緣； 該第一分支部的該第二子部具有彼此相對且不相平行的一第一邊緣和一第二邊緣，該第二分支部的該第二子部具有彼此相對且不相平行的一第一邊緣和一第二邊緣，該第一分支部之該第二子部的該第一邊緣平行於該第二分支部之該第二子部的該第一邊緣，該第一分支部之該第二子部的該第二邊緣平行於該第二分支部之該第二子部的該第二邊緣。
10. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，更包括： 一遮光圖案層，具有一畫素開口，其中該第一電極的該主幹部、該第一電極的該些第一分支部以及該第二電極的該些第二分支部與該畫素開口重疊；該第二電極的該些第二分支部與該第二電極的該周圍部定義多個凹槽，而該遮光圖案層遮蔽該些凹槽。
11. 如申請專利範圍第10項所述的畫素結構，其中每一該些第一分支部的該第一端及每一該些第一分支部的該第二端延伸至該遮光圖案層的下方，而該遮光圖案層遮蔽每一該些第一分支部的該第一端、每一該些第一分支部的該第二端、該第一輔助部以及該第二輔助部。
12. 如申請專利範圍第10項所述的畫素結構，其中該第二電極的該周圍部具有多個弧狀邊緣，該些弧狀邊緣與該些第二分支部定義該些凹槽。
13. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該些第一分支部包括沿該第一方向排列的多個第一分支群，每一該些第一分支群包括至少二個第一分支部，該第一輔助部包括彼此分離的多個第一輔助子部，每一該些第一輔助子部連接對應之一該第一分支群的該至少二個第一分支部的多個第一端。
14. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，更包括： 一配向膜，設置於該第一電極或該第二電極上；以及 多個正型液晶分子，設置於該配向膜上，其中該配向膜的一摩擦方向垂直於該第一方向。
15. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，更包括： 一配向膜，設置於該第一電極或該第二電極上；以及 多個負型液晶分子，設置於該配向膜上，其中該配向膜的一摩擦方向平行於該第一方向。
16. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，更包括： 一第三電極，其中一第二絕緣層設置於該第一電極與該第三電極之間或設置於該第二電極與該第三電極之間，該第三電極重疊於該第一電極的該些第一分支部與該第二電極的該些第二分支部之間的一區域。
17. 如申請專利範圍第16項所述的畫素結構，其中該第三電極具有一固定電位。
18. 如申請專利範圍第16項所述的畫素結構，其中該第一電極與該第二電極分別具有一第一驅動訊號以及一第二驅動訊號，其中該第一驅動訊號的波形與該第二驅動訊號的波形相同，且該第一驅動訊號的極性與該第二驅動訊號的極性相反。
19. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該主幹部的材質、該些第一分支部的材質、該些第二分支部的材質或上述至少二者之組合的材質包括遮光導電材料。
20. 如申請專利範圍第1項所述的畫素結構，其中該主幹部的材質、該些第一分支部的材質、該些第二分支部的材質或上述至少二者之組合的材質為厚度介於300埃（Å）~1000埃（Å）的金屬。

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