TW202007789A - 聚對二甲苯薄膜開口的製作方法 - Google Patents

Abstract

本發明為一種聚對二甲苯薄膜開口的製作方法，包括：提供一硬質基板；提供一低蒸氣壓液體於該硬質基板的至少一區域上；製備一聚對二甲苯薄膜於該硬質基板上，且不將該低蒸氣壓液體給覆蓋過去；利用一溶劑將該低蒸氣壓液體去除，而形成我們所需的聚對二甲苯薄膜開口。

Description

聚對二甲苯薄膜開口的製作方法

本發明係關於一種薄膜開口的製作方法，特別是一種聚對二甲苯薄膜開口的製作方法。

聚對二甲苯薄膜擁有優良的防水性、抗酸鹼性、阻氧性、絕緣性、耐熱性、耐候性、化學穩定性以及電性能，因此近幾年來多用於電子元器件的電絕緣介質、保護性塗料、包封材料或是電子產品的防水薄膜等。

對於目前的製程來說，大都使用化學氣相沉積法來形成聚對二甲苯薄膜，華民國專利證書號I376426所揭示一種聚對二甲苯薄膜的形成方法，此方法是先提供化學氣相沈積裝置。化學氣相沈積裝置包括沈積室、裂解室、冷卻阻陷、節流閥與第一蒸發室。裂解室藉由第一管路與沈積室連接。冷卻阻陷藉由第二管路與沈積室連接。節流閥藉由第三管路與冷卻阻陷連接。第一蒸發室藉由第四管路與裂解室連接，且藉由第五管路與冷卻阻陷連接，其中第四管路具有第一閥門，且第五管路具有第二閥門。然後，將第一聚對二甲苯材料置於第一蒸發室中，且關閉第一閥門並開啟第二閥門。接著，對第一蒸發室中的第一聚對二甲苯材料進行第一蒸發步驟，以形成第一聚對二甲苯氣體，其中在第一聚對二甲苯氣體具有穩定的蒸發速度之前，第一閥門是關閉狀態且第二閥門開啟，使得第一聚對二甲苯氣體通過第五管路而傳送至冷卻阻陷。當第一聚對二甲苯氣體具有穩定的蒸發速度之後，關閉第二閥門並開啟第一閥門，以將第一聚對二甲苯氣體通過第四管路傳送至裂解室。而後，於裂解室中裂解第一聚對二甲苯氣體，以形成第一聚對二甲苯單體。之後，將第一聚對二甲苯單體通過第一管路傳送至沈積室，以於沈積室中形成第一聚對二甲苯薄膜。

然而，由於現今許多電子產品本身擁有數個插孔，或是產品本身某些位置較適合外露於環境，所以形成一完整的聚對二甲苯薄膜，對某些電子產品來說並不適用，也因此逐漸發展出聚對二甲苯薄膜開口的方法。像是藉由氧電漿(O₂ plasma)把聚對二甲苯薄膜轟擊出所需的開口，或是利用阻焊劑及聚對二甲苯薄膜不相互附著的關係，在預開口處先塗上阻焊劑，等到沉積完聚對二甲苯薄膜後再將阻焊劑去除，而形成所需的開口。而因為藉由氧電漿(O₂ plasma)把聚對二甲苯薄膜轟擊出所需的開口，會影響聚對二甲苯薄膜本身的性能與特性，且利用阻焊劑及聚對二甲苯薄膜不相互附著的關係的開口方法，也會因為在去除阻焊劑的步驟而影響到聚對二甲苯薄膜開口的品質，因此有需要提供一種聚對二甲苯薄膜開口的方法來達成上述目的。

本發明目的係以提供一種可局部性、非全面式的、不影響聚對二甲苯薄膜本身的性能與特性品質的聚對二甲苯薄膜開口的製作方法。

為達成上述方法，本發明提供的技術手段包括：提供一硬質基板；提供一低蒸氣壓液體於該硬質基板的至少一區域上；製備一聚對二甲苯薄膜於該硬質基板上，且不將該低蒸氣壓液體給覆蓋過去；利用一溶劑將該低蒸氣壓液體去除，而形成我們所需的聚對二甲苯薄膜開口。

本發明的特點在於，以低蒸氣壓液體（如：含氯油脂）設置在硬質基板的預開口區域，再於硬質基板其他區域製備聚對二甲苯薄膜後，即可應用溶劑將該低蒸氣壓液體去除，藉此可達成對硬質基板上的聚對二甲苯薄膜開口，又不影響到聚對二甲苯薄膜開口的品質的功效。

為了讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯，下文將配合所附圖示，作詳細說明如下：

請參閱圖1，圖1係根據本發明之第一實施例之聚對二甲苯薄膜開口的製作方法的流程圖。本發明聚對二甲苯（Parylene）薄膜開口的製作方法，包括：首先步驟S100，提供一硬質基板10，如圖2a，其中該硬質基板10可為安裝在印刷電路板上的電子元件，像是電阻器、電容器、電感器、電晶體、二極體等。接著步驟S110，提供一低蒸氣壓液體20於該硬質基板10的至少一區域A上，如圖2b，其中該低蒸氣壓液體20為一含氯油脂21。然而該硬質基板10也可為一般的手機，如此就必須考慮到聚對二甲苯薄膜開口的大小與間距的問題，所以較理想的開口的大小與間距為其中該至少一區域A的口徑至少為0.8毫米，且其中該至少一區域A的間距至少為1毫米。

接著步驟S120，其對應圖2c，製備一聚對二甲苯薄膜30於該硬質基板10上，該聚對二甲苯薄膜30相鄰接或包圍該低蒸氣壓液體20且不將該低蒸氣壓液體20給覆蓋過去。該聚對二甲苯薄膜30厚度可介於10微米至30微米之間。該聚對二甲苯薄膜30較佳的厚度為15微米。其中該聚對二甲苯薄膜30是利用真空化學氣相沉積所製備而成。

接著步驟S130，其對應圖2d，利用一溶劑50將該低蒸氣壓液體20去除，而形成我們所需的聚對二甲苯薄膜開口，其中該溶劑可為含氧溶劑。

請參閱圖3，圖3係根據本發明之第二實施例之聚對二甲苯薄膜開口的製作方法的流程圖。首先步驟S200，提供一硬質基板10，如圖4a，其中該硬質基板10可為安裝在印刷電路板上的電子元件，像是電阻器、電容器、電感器、電晶體、二極體等。接著步驟S210，提供一低蒸氣壓液體20於該硬質基板10的至少一區域A上，其中該至少一區域A可藉由一噴墨印表機的噴頭40定義出至少一圖案，此圖案為我們所需的開口圖案，比如為手機插孔圖案或是電子產品需外露於環境的圖案，如圖4b，其中該低蒸氣壓液體20為一含氯油脂21，然而該硬質基板10也可為一般的手機，如此就必須考慮到聚對二甲苯薄膜開口的大小與間距的問題，所以較理想的開口的大小與間距為其中該至少一區域A的口徑至少為0.8毫米，且其中該至少一區域A的間距至少為1毫米。

接著步驟S220，其對應圖4c，製備一聚對二甲苯薄膜30於該硬質基板10上，且不將該低蒸氣壓液體20給覆蓋過去，而該聚對二甲苯薄膜30厚度介於10微米至30微米之間，且該聚對二甲苯薄膜30較佳的厚度為15微米，其中該聚對二甲苯薄膜30是利用真空化學氣相沉積所製備而成。

接著步驟S130，其對應圖2d，利用一溶劑50將該低蒸氣壓液體20去除，而形成我們所需的聚對二甲苯薄膜開口，其中該溶劑可為含氧溶劑。

如此藉由步驟S100~步驟S130第一實施例之聚對二甲苯薄膜開口的製作方法，以及步驟S200~步驟S230 第二實施例之聚對二甲苯薄膜開口的製作方法，來形成我們所需的聚對二甲苯薄膜開口，進而應用在現今許多電子產品上。

綜上所述，乃僅記載本發明為呈現解決問題所採用的技術手段之實施方式或實施例而已，並非用來限定本發明專利實施之範圍。即凡與本發明專利申請範圍文義相符，或依本發明專利範圍所做的均等變化與修飾，皆為本發明專利範圍所涵蓋。

10‧‧‧硬質基板20‧‧‧低蒸氣壓液體21‧‧‧含氯油脂30‧‧‧聚對二甲苯薄膜40‧‧‧噴墨印表機的噴頭50‧‧‧溶劑步驟S100~步驟S130‧‧‧第一實施例之聚對二甲苯薄膜開口的製作方法步驟S200~步驟S230‧‧‧第二實施例之聚對二甲苯薄膜開口的製作方

[圖1]係根據本發明之第一實施例之聚對二甲苯薄膜開口的製作方法的流程圖； [圖2a至圖2d]係根據本發明之第一實施例之聚對二甲苯薄膜開口的製作方法； [圖3]係根據本發明之第二實施例之聚對二甲苯薄膜開口的製作方法的流程圖； [圖4a至圖4d]係根據本發明之第二實施例之聚對二甲苯薄膜開口的製作方法。

步驟S100~步驟S130‧‧‧第一實施例之聚對二甲苯薄膜開口的製作方法

Claims (10)

1. 一種聚對二甲苯薄膜開口的製作方法，包括： 提供一硬質基板； 提供一低蒸氣壓液體於該硬質基板的至少一區域上； 製備一聚對二甲苯薄膜於該硬質基板上，該聚對二甲苯薄膜相鄰接或包圍該低蒸氣壓液體且不將該低蒸氣壓液體給覆蓋過去；以及 利用一溶劑將該低蒸氣壓液體去除。
2. 如申請專利範圍第1項所述之聚對二甲苯薄膜開口的製作方法，其中該低蒸氣壓液體為一含氯油脂。
3. 如申請專利範圍第1項所述之聚對二甲苯薄膜開口的製作方法，其中該至少一區域可藉由一噴墨印表機的噴頭定義出至少一圖案。
4. 如申請專利範圍第1項所述之聚對二甲苯薄膜開口的製作方法，其中該聚對二甲苯薄膜厚度介於10微米至30微米之間。
5. 如申請專利範圍第1項所述之聚對二甲苯薄膜開口的製作方法，其中該聚對二甲苯薄膜厚度為15微米。
6. 如申請專利範圍第1項所述之聚對二甲苯薄膜開口的製作方法，其中該溶劑為含氧溶劑。
7. 如申請專利範圍第1項所述之聚對二甲苯薄膜開口的製作方法，其中該硬質基板為安裝在印刷電路板上的電子元件。
8. 如申請專利範圍第1項所述之聚對二甲苯薄膜開口的製作方法，其中該至少一區域的口徑至少為0.8毫米。
9. 如申請專利範圍第1項所述之聚對二甲苯薄膜開口的製作方法，其中該至少一區域的間距至少為1毫米。
10. 如申請專利範圍第1項所述之聚對二甲苯薄膜開口的製作方法，其中該聚對二甲苯薄膜是利用真空化學氣相沉積所製備而成。

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