TW202006892A

TW202006892A - 複合基板及其製造方法

Info

Publication number: TW202006892A
Application number: TW107124652A
Authority: TW
Inventors: 王興民; 李瑞評
Original assignee: 兆遠科技股份有限公司
Priority date: 2018-07-17
Filing date: 2018-07-17
Publication date: 2020-02-01

Abstract

一種複合基板及其製造方法，其製造方法包括有：提供一基材，該基材具有一基材表面，且於該基材表面具有複數個孔洞；提供一填補層，該填補層包括有複數個填補材料，該些填補材料分別填補於該些孔洞當中，藉以製成該複合基板。透過上述設計，可有效填平基材上的孔洞，提升磊晶品質，以及有效改善基板的散熱效果，提升耐高溫能力。

Description

複合基板及其製造方法

本發明係與複合基板有關；特別是指一種可提升磊晶品質的複合基板及其製造方法。

於磊晶用基板領域當中，不論是多晶基板或是非晶基板，其表面上時常會產生有多個孔洞缺陷，舉例而言，以多晶基板為例，其於微小單晶顆粒之間存在多個邊界區（Grain boundary），且因為每顆微小顆粒的晶向並不一致，因此於進行拋光加工後，仍會有部分的微小孔洞殘留，而影響後續磊晶品質。

是以，如何改善上述缺陷，以提升磊晶品質，是本發明人苦心研究的方向之一。

有鑑於此，本發明之目的在於提供一種複合基板及其製造方法，可有效填平基板上的孔洞，以提升磊晶品質，以及提升基板散熱效果。

緣以達成上述目的，本發明提供一種複合基板，包括有：一基材，具有一基材表面，於該基材表面具有多個孔洞；以及一填補層，設置於該基材表面，該填補層具有一主體以及自該主體一側延伸形成的多個填補材料，該主體的厚度不超過10nm，該些填補材料分別填補於該些孔洞當中。

緣以達成上述目的，本發明另提供一種複合基板，包括有：一基材，具有一基材表面，於該基材表面具有多個孔洞；複數個填補材料，分別填補於該些孔洞當中。

緣以達成上述目的，本發明另提供一種複合基板的製造方法，包括有：提供一基材，該基材具有一基材表面，且於該基材表面具有複數個孔洞；提供一填補層，該填補層包括有複數個填補材料，該些填補材料分別填補於該些孔洞當中。

本發明之效果在於，透過上述設計，可有效填平基材上的孔洞，提升磊晶品質，以及有效改善基板的散熱效果，提升耐高溫能力。

為能更清楚地說明本發明，茲舉一較佳實施例並配合圖式詳細說明如後。請參圖１至圖４所示，為本發明一實施例之複合基板100的製造方法流程圖以及該複合基板100的結構示意圖。該製造方法包括有以下步驟：

首先，係先提供一基材10。該基材10具有一基材表面10a，於該基材表面10a具有多個孔洞12。其中，於一實施例中，所述基材10厚度係選用500µm至1000µm之間，於本實施例中，係選用厚度為750µm的基材10；另外，於一實施例中，所述的基材10係選自氮化鋁、氧化鋁或碳化矽等材料製成的多晶或非晶基材，於本實施例中，係以多晶氮化鋁（Poly-AlN）製成的基材10為例，其中，選用多晶氮化鋁的好處在於，多晶氮化鋁材料具備高熱傳導性、高電器絕緣性，且與氮化鎵為例的磊晶層之間的晶格匹配性佳，尤其適合應用在高電壓、高電流甚至高頻的相關IC當中；於一實施例中，所述的該些孔洞12係由該基材10之基材表面10a經研磨拋光（例如透過化學機械拋光）加工後所殘留的微小孔洞（Pits）。

接著，係提供一填補層20，設置或形成於該基材10之基材表面10a。其中，該填補層20包括有一主體22以及多個填補材料24，較佳者，該主體22的厚度D不超過10nm，其中，所述的厚度D係指自基材10之基材表面10a起至填補層20的上表面之間的厚度；該些填補材料24係自該主體22的一側延伸形成，且該些填補材料24分別填入於該些孔洞12當中。其中，於一實施例中，所述的填補層20可以是利用旋塗式製程（Spin-on Glass; SOG）、物理氣相沈積（Physical Vapor Deposition，PVD）、化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition，CVD）等或是其他製程形成於該基材10的基材表面10a上，而於本實施例中，係以旋塗式製程為例；另外，所述填補層20的材料選用係可選擇氧化物或氮化物，舉例而言，可以選用矽酸鹽類（SixOy）、ZnOx、SiN等，但不以此為限，而於本實施例中，係選用矽酸鹽類作為填補層20的材料。另外，於一實施例中，亦可進一步薄化該填補層20，以使得該填補層20的厚度不超過10nm，以降低其對基材10之散熱效果的影響。

透過上述製程，便可製成如圖３所示的複合基板100，而藉由有效地填平該些孔洞12的設計，可有助於該複合基板100在後續磊晶製程時，提升其磊晶品質，例如如圖４所示可以在填補層20的主體22的另一側進一步設置一磊晶層30，其中，該磊晶層30可以是GaN等但不以此為限。此外，藉由該填補層20之主體22厚度不超過10nm的設計，可有助於提升該複合基板100的散熱效果，提升其整體耐高溫能力。

另外，請配合圖３及圖５所示，於一實施例中，可進一步薄化該填補層20，以使得在該基材10之基材表面10a以上的填補層20之主體22被去除，只留下填補於該些孔洞12當中的該些填補材料24，另外，較佳者，該些填補材料24自該些孔洞12中外露的表面係實質上與該基材表面10a齊平，藉以獲得較佳的平坦化效果，進而有助於複合基板後續製程的進行，例如圖６所示，可在基材10之基材表面10a上設置磊晶層30。另外，於一實施例中，除了去除該主體22之外，亦可進一步薄化部分的基材10，例如利用拋光加工方式薄化該基材10，且該基材10自該基材表面10a被薄化或稱被去除的厚度不超過6µm，較佳者，係小於3µm。

另外，請配合圖７，於另一複合基板的製造方法的實施例當中，在提供具有複數孔洞12之基材10之後，係可僅在該些孔洞12當中填入填補材料24，而不在不具有孔洞12的基材10表面上設置填補層20之主體22，且較佳者，該些填補材料24自該些孔洞12中外露的表面係實質上與該基材表面10a齊平，於後，可進一步在該基材10的基材表面設置磊晶層。

以上所述僅為本發明較佳可行實施例而已，舉凡應用本發明說明書及申請專利範圍所為之等效變化，理應包含在本發明之專利範圍內。

［本發明］100‧‧‧複合基板10‧‧‧基材10a‧‧‧基材表面12‧‧‧孔洞20‧‧‧填補層22‧‧‧主體24‧‧‧填補材料30‧‧‧磊晶層D‧‧‧厚度

圖１為本發明一實施例之複合基板的製造方法的流程圖。圖２至圖７為本發明一實施例之複合基板的結構示意圖。

100‧‧‧複合基板

10‧‧‧基材

12‧‧‧孔洞

20‧‧‧填補層

22‧‧‧主體

24‧‧‧填補材料

D‧‧‧厚度

Claims

一種複合基板，包括有：一基材，具有一基材表面，於該基材表面具有多個孔洞；以及一填補層，設置於該基材表面，該填補層具有一主體以及自該主體一側延伸形成的多個填補材料，該主體的厚度不超過10nm，該些填補材料分別填補於該些孔洞當中。
如請求項1所述之複合基板，其中該基材包括有氮化鋁、氧化鋁或碳化矽。
如請求項1所述之複合基板，其中該填補層包括有氧化物或氮化物。
如請求項1所述之複合基板，包括有一磊晶層，設置於該主體的另一側。
一種複合基板，包括有：一基材，具有一基材表面，於該基材表面具有多個孔洞；複數個填補材料，分別填補於該些孔洞當中。
如請求項5所述之複合基板，其中該些填補材料自該些孔洞中外露的表面實質上與該基材表面齊平。
如請求項5所述之複合基板，其中該基材包括有氮化鋁、氧化鋁或碳化矽。
如請求項5所述之複合基板，其中該填補材料包括有氧化物或氮化物。
如請求項5所述之複合基板，包括有一磊晶層，設置於該基材表面。
一種複合基板的製造方法，包括有：提供一基材，該基材具有一基材表面，且於該基材表面具有複數個孔洞；提供一填補層，該填補層包括有複數個填補材料，該些填補材料分別填補於該些孔洞當中。
如請求項10所述之製造方法，包括有以下步驟：薄化該填補層，使該填補層的厚度不超過10nm。
如請求項10所述之製造方法，包括有以下步驟：薄化該填補層，並使該基材的該基材表面露出，且使該些填補材料自該些孔洞中外露的表面實質上與該基材表面齊平。
如請求項10所述之製造方法，其中該填補層包括有一主體，該些填補材料係自該主體一側延伸形成，該製造方法包括有以下步驟：去除該主體以及薄化該基材，且該基材自該基材表面被薄化的厚度不超過6µm。