TW202004860A - 光源裝置、投影機 - Google Patents

Abstract

[課題] 提供一種光源裝置，可使用複數半導體雷射頭，可抑制裝置規模的擴大並提高光輸出。 　　[技術內容] 光源裝置，是具備：複數半導體雷射單元，包含：設於同一或是不同的半導體雷射頭上的複數光射出領域、及使從相鄰接的複數光射出領域被射出的複數第一光線束被入射而轉換成大致平行光線束也就是複數第二光線束地射出的第一曲折光學系；及第二曲折光學系，包含：具有不同的傾斜角的複數平坦面，或是將複數平坦面各別作為基礎突出的複數凸曲面，從同一的半導體雷射單元被射出的複數第二光線束的至少一部分各被入射至不同的平坦面或是不同的凸曲面，將各主光線彼此的分離距離縮小地將複數第二光線束的進行方向轉換地射出。第二曲折光學系，是對應半導體雷射單元的數量地配置。

Description

光源裝置、投影機

本發明，是有關光源裝置，特別是利用有關於從半導體雷射頭被射出的光之光源裝置。且，本發明，是有關於具備這種光源裝置的投影機。

投影機用的光源，已利用半導體雷射頭。近年來，雖如此將半導體雷射頭作為光源使用，但市場也期待可更提高光輸出的光源裝置。

為了提高光源側的光輸出，是考慮將從複數半導體雷射頭被射出的光集光的方法。但是，半導體雷射頭是存在一定的寬度，將這些密接地配置是具有界限。即，只是配置複數半導體雷射頭的話，光源裝置會大型化。

若從這種觀點，存在例如下述專利文獻1，將半導體雷射頭群配置在第一領域，將別的半導體雷射頭群配置於與第一領域不同的第二領域，將從兩半導體雷射頭群被射出的光，使用由狹縫鏡子所構成的光合成手段合形成的技術。藉由這種方法，與只是在同一處將複數半導體雷射頭並列的情況相比較，成為可將配置面積縮小且也可將光強度提高。 [習知技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1] 日本特開2017-215570號公報

[本發明所欲解決的課題]

但是將光源側的光強度提高的方法，可考慮使用將射出雷射光的領域(光射出領域:以下也稱為「發射體」)複數設置的半導體雷射頭的方法。這種半導體雷射頭，是也被稱為「多發射體型」。本發明人等，是檢討了藉由將多發射體型的半導體雷射頭利用在光源，將光強度提高，而徹底查明如以下的課題是存在。

第1A圖，是示意具備一個發射體的半導體雷射頭的構造的立體圖。這種半導體雷射頭，是被稱為「單發射體型」。又，在第1A圖中，對於從發射體被射出的光(雷射光)的光線束，也示意地圖示。又，在本說明書中，將從單一的發射體被射出的形成束狀的光線群稱為「光線束」。

如第1A圖所示，已知的「端面發光型」的半導體雷射頭100的情況，從發射體101被射出的光線束101L，是顯示橢圓錐型。在本說明書中，與光軸(第1A圖所示的Z方向)垂直交叉的2方向(X方向及Y方向)之中，將光線束101L的發散角大的方向(第1A圖所示的Y方向)稱為「快軸方向」，將光線束101L的發散角小的方向(第1A圖所示的X方向)稱為「慢軸方向」。

第1B圖，是將光線束101L分開成：從X方向所見的情況、及從Y方向所見的情況示意地圖示者。如第1B圖所示，快軸方向是光線束101L的發散角θy大，慢軸方向是光線束101L的發散角θx小。

又，在以下的各圖中，說明的方便上，光線束的發散角是具有比實際更誇張地圖示的情況。

將半導體雷射頭100複數配置，將從各半導體雷射頭100被射出的光(光線束101L)集光地利用的情況，若從抑制光學構件的尺寸的觀點，將各光線束101L平行光化之後，一般是藉由透鏡集光。具體而言，在半導體雷射頭100的後段配置準直透鏡(也被稱為「瞄準透鏡」)，將各光線束101L的發散角縮小。

第2A圖，是將準直透鏡102配置在半導體雷射頭100的後段的情況時，將朝YZ平面方向進行的光線束示意的圖面。又，在第2A圖中，只有描畫幾何光學上的上光線及下光線。

又，在本說明書中，「上光線」，是指光線束之中，通過光學構件(例如透鏡)的光圏(入射瞳)的上緣的光線，「下光線」，是指光線束之中，通過前述光圏(入射瞳)的下緣的光線。且，以下，光線束之中，將通過前述光圏(入射瞳)的中心的光線稱為「主光線」。即，主光線，是通過光線束的上光線及下光線之間的中心的光線。

依據第2A圖的話，光線束101L，是通過準直透鏡102之後，在快軸方向(Y方向)成為實質的平行光線束(以下，稱為「大致平行光線束」)。又，在本說明書中，「實質的平行光線束」或是「大致平行光線束」，是指上光線及下光線的形成角度是未滿2°的光線束。

第2B圖，是將準直透鏡102配置在半導體雷射頭100的後段的情況時，將朝XZ平面方向進行的光線束示意的圖面。依據第2B圖的話，光線束101L，是通過準直透鏡102之後，在慢軸方向(X方向)也成為大致平行光線束。

第3A圖，是與第1A圖相異，示意具備複數發射體的半導體雷射頭的構造的立體圖。在第3A圖中，顯示半導體雷射頭110是具備2個發射體(111、112)的情況。

第3B圖，是倣照第1B圖，將從各發射體(111、112)被射出的光線束(111L、112L)，分開成：從X方向所見的情況、及從Y方向所見的情況示意地圖示者。各發射體(111、112)，因為是形成於對於Y方向同一的座標位置，所以從X方向所見時光線束(111L、112L)是完全地重疊。另一方面，各發射體(111、112)，因為是形成於X方向不同的座標位置，所以從Y方向所見時光線束(111L、112L)是使各位置偏離地顯示。

在第3A圖所圖示的半導體雷射頭110的後段，檢討與第2A圖及第2B圖同樣地配置準直透鏡102的情況時的光線束的態樣。參照第3B圖，如上述從X方向所見時光線束(111L、112L)是完全地重疊。因此，在快軸方向(Y方向)，在通過準直透鏡102之後，各光線束(111L、112L)是與第2A圖同樣地成為大致平行光線束。

第4圖，是將準直透鏡102配置在半導體雷射頭110的後段的情況時，將朝XZ平面方向進行的光線束示意的圖面。半導體雷射頭110，因為在X方向分離地具備複數發射體(111、112)，所以在準直透鏡102的中心位置中的X座標、及各發射體(111、112)的中心位置中的X座標中，不可避的偏離會發生。

此結果，從發射體111被射出的光線束111L、及從發射體112被射出的光線束112L，是各別通過準直透鏡102之後成為大致平行光線束者，光線束111L的主光線111Lm、及光線束112L的主光線112Lm，是成為非平行。即，光線束111L及光線束112L，其X方向的進行方向是各別相異。

這種構成的情況，即使之後使用集光光學系將各光線束(111L、112L)集光，在集光後的光線束群產生擴大，無法導引至目的之方向的光線會產生。此結果，光的利用效率會下降。尤其是，將多發射體型的半導體雷射頭110複數配置，利用從各半導體雷射頭110被射出的光的情況時，無法利用的光的量是成為無法忽視的程度。

在通過準直透鏡102之後，光線束111L及光線束112L的X方向的進行方向的角度，是依據對於準直透鏡102的焦點距離的發射體(111、112)間的距離的相對值而被決定。更詳細的話，將從準直透鏡102的光軸，至對於前述光軸最遠各發射體(111、112)的位置為止的距離設成d、準直透鏡102的焦點距離設成f時，光線束(111L、112L)的發散角θ，是由θ=tan^-1 (d/f)被限定。

第5圖，是使用同一的準直透鏡102，比第4圖的構成更將發射體(111、112)間的距離(X方向的距離)擴張的情況時，倣照第4圖將在XZ平面方向進行的光線束示意的圖面。換言之，第5圖，是對應比第4圖的構成更加大，對於準直透鏡102的焦點距離的發射體(111、112)間的距離的相對值的情況。

依據第5圖的話可了解，主光線111Lm及主光線112Lm所形成的角度θ_xm (此角度，是對應準直透鏡102的光軸及各主光線的形成角度的2倍)，是比第4圖的情況更大。此情況，光線束111L及光線束112L，是比第4圖的態樣更在Z方向在接近準直透鏡102的位置完全地分離。在第4圖的態樣中，在光軸方向(Z方向)，在z1的位置使光線束111L及光線束112L完全地分離。對於此，在第5圖的態樣中，在光軸方向(Z方向)，在比z1更前段的z2的位置使光線束111L及光線束112L完全地分離。

反言之，對於準直透鏡102的焦點距離，在發射體(111、112)間的距離是可以忽視的程度的大小的情況中，在X方向，光線束111L的主光線111Lm、及光線束112L的主光線112Lm所形成的角度也實質上接近0°，使各光線束(111L、112L)分離的情況不會產生。但是，因此，有必要將準直透鏡102，作成具有充分長的焦點距離的透鏡，所以光學系的尺寸會擴大。

尤其是，將多發射體型的半導體雷射頭110複數配置的情況，因為有必要對應各半導體雷射頭110將準直透鏡102配置，所以裝置規模是成為非常大。

單發射體型的半導體雷射頭100也會有上述的課題。即，上述的課題，是在：為了將半導體雷射頭100的輸出上昇，將發射體101的寬度變寬的情況時；和將單發射體型的半導體雷射頭100複數配置，將從複數半導體雷射頭100被射出的光線束對於一個準直透鏡102入射的情況時，也同樣。

本發明，是鑑於上述的課題，提供一種可使用複數半導體雷射頭，可抑制裝置規模的擴大且提高光輸出的光源裝置。且，本發明的課題，是提供一種具備這種光源裝置的投影機。 [用以解決課題的手段]

本發明的光源裝置，是具備：複數半導體雷射單元，包含：設於同一或是不同的半導體雷射頭上的複數光射出領域、及使從相鄰接的複數前述光射出領域被射出的複數第一光線束被入射且將前述複數第一光線束各別轉換成大致平行光線束也就是複數第二光線束地射出的第一曲折光學系；及第二曲折光學系，包含：具有不同的傾斜角的複數平坦面，或是將前述複數平坦面各別作為基礎突出的複數凸曲面，從同一前述半導體雷射單元被射出的複數前述第二光線束的至少一部分各被入射至不同的前述平坦面或是不同的前述凸曲面，將複數前述第二光線束的各主光線彼此的分離距離縮小地將複數前述第二光線束的進行方向轉換地射出；前述第二曲折光學系，是對應前述半導體雷射單元的數量地配置。

參照第3A圖～第5圖如上述，將準直透鏡102配置在多發射體型的半導體雷射頭110的後段的情況，在快軸方向(Y方向)，各光線束(111L、112L)雖是成為大致平行光線束，但是在慢軸方向(X方向)，各光線束(111L、112L)的進行方向是不同。在這種狀況下，如第6圖所示，為了將輝度提高而配置複數半導體雷射頭110及準直透鏡102，將從各準直透鏡102被射出的光線束由集光透鏡120集光的話，從發射體111被射出的光線束111L的主光線111Lm、及從發射體112被射出的光線束112L的主光線112Lm的進行方向是不同的結果，會在複數處(131、132)成像。

在第6圖所示的態樣中，鑑於將由集光透鏡120被集光的光由後段的光學系利用的情況時，有必要將具有包含分離的各成像位置(131、132)的寬入射面的光學系配置，而導致入射面上的輝度的下降和裝置規模的擴大。

對於此，依據本發明的光源裝置的話，將從同一的半導體雷射單元被射出的主光線彼此成為可集光在幾乎同一處，所以可達成光的利用效率及/或輝度的提高。更詳細的話，如以下。

複數第一光線束是被入射至第一曲折光學系的話，各別被轉換成大致平行光線束也就是複數第二光線束。但是，各第二光線束彼此，更詳細的話各第二光線束的主光線彼此，是具有對應第一光線束的主光線彼此的間隔的角度地進行。第一光線束的主光線彼此的間隔，是依存於射出各第一光線束的光射出領域的中心位置彼此的間隔。

上述光源裝置，是在第一曲折光學系的後段，具備第二曲折光學系，其包含：具有不同的傾斜角的複數平坦面，或是將前述複數平坦面各別作為基礎突出的複數凸曲面。在此，「傾斜角」，是指對於光軸的角度也無妨。更詳細的話，「傾斜角」，是指將第二曲折光學系，與光軸方向(例如後述的第7圖內的Z方向)及複數光射出領域相鄰接的方向(例如後述的第7圖內的X方向)的雙方垂直交叉，從規定的第一方向(例如後述的第7圖內的Y方向)所見時，對於各平坦面的光軸的角度也無妨。即，參照第7圖內的座標系的話，對於XZ平面上的Z軸的角度也無妨。

第二曲折光學系，是具備前述「具有不同的傾斜角的複數平坦面」的情況，將第二曲折光學系，從前述第一方向(例如後述的第7圖內的Y方向)所見時，具有不同的傾斜角的折線或是複數線分是被確認。更詳細的話，第二曲折光學系是在單一構件內具備複數平坦面的情況時上述折線是被確認。且，第二曲折光學系是被分割成複數構件，具備各構件具有不同的傾斜角的平坦面的情況時，上述複數線分是被確認。

且別的態樣，第二曲折光學系，是具備前述「將具有不同的傾斜角的複數平坦面各別作為基礎突出的複數凸曲面」的情況，將第二曲折光學系，從前述第一方向(例如後述的第7圖內的Y方向)所見時，上述的折線和複數線分未被目視確認，但是將具有不同的傾斜角的假想的折線或是複數線分作為基準，將各線分的各2個端點連結的曲線(例如圓弧或是橢圓弧)是被確認。

從同一的半導體雷射單元被射出的更詳細的話從同一的第一曲折光學系被射出的複數第二光線束的至少一部分，是各被入射至第二曲折光學系不同的平坦面或是不同的凸曲面。且，對應形成於平坦面(或是以凸曲面為基礎的平坦面)的傾斜角，使複數第二光線束曲折，使其進行方向變化。

在此，第二曲折光學系，是將被入射的複數第二光線束的各主光線彼此的分離距離縮小地，設定各平坦面(或是以凸曲面作為基礎的各平坦面)的傾斜角。較佳是，複數第二光線束的各主光線，是幾乎被集光在一點地設定各平坦面的傾斜角。此結果，成為可將從同一前述半導體雷射單元被射出的主光線彼此集光在幾乎同一處，可達成光的利用效率及/或輝度的提高。

上述光源裝置，是具備複數在同一的半導體雷射頭上具有複數光射出領域(「發射體」)的多發射體型的半導體雷射頭者也無妨，具備複數在同一的半導體雷射頭上具有單一的光射出領域(發射體)的單發射體型的半導體雷射頭者也無妨。

在前述光源裝置中，前述第二曲折光學系，是包含將具有不同的傾斜角的複數前述平坦面各別作為基礎朝前述第一曲折光學系相反側突出的複數凸曲面，複數前述凸曲面的焦點距離，是從前述第二曲折光學系的光射出面側的位置，至從前述第二曲折光學系被射出的複數前述第二光線束的各主光線彼此的交叉處，或是複數前述第二光線束的各主光線的假想延長線彼此的交叉處為止的距離以上也無妨。

複數前述凸曲面的焦點距離d1，是比從前述第二曲折光學系的光射出面側的位置，至從前述第二曲折光學系被射出的複數前述第二光線束的各主光線彼此的交叉處，或是複數前述第二光線束的各主光線的假想延長線彼此的交叉處為止的距離d2更實質上非常長的情況，可以將從各凸曲面被射出的第二光線束之中，通過遠離主光線的位置的光線，與前述各主光線幾乎平行地進行。

另一方面，將前述距離d1及前述距離d2實質上相等的情況，也可以將從複數凸曲面被射出的第二光線束之中，通過遠離主光線的位置的光線，導引至與從同一前述半導體雷射單元被射出的主光線彼此的集光處實質上同一處。即，被包含於複數第二光線束的全部的光線，因為是幾乎被集光在同一處，所以藉由將後段的光學系的入射面配置於該處，就可以將非常高的輝度的光導引至後段的光學系。

又，將複數凸曲面的焦點距離(各凸曲面的焦點距離是不同的情況時，焦點距離的平均值)設成d1，從第二曲折光學系的光射出面側的位置，至從第二曲折光學系被射出的複數第二光線束的各主光線彼此的交叉處，或是將複數第二光線束的各主光線的假想延長線彼此的交叉處為止的距離設成d2時，d1及d2的值是實質上同一的話，是設成｜d1-d2｜/d1≦0.1也無妨。

在前述光源裝置中，前述第一曲折光學系，是具有朝光射出面側突出的曲面，前述第二曲折光學系，是對於前述第一曲折光學系，被配置於比前述第一曲折光學系的焦點距離更遠離的位置者也無妨。

從第一曲折光學系被射出的複數第二光線束，其主光線彼此，是在第一曲折光學系的焦點的位置交叉。各第二光線束的上光線及下光線的寬度，因為是實質上共通，所以在第一曲折光學系的焦點的位置中，各第二光線束彼此是完全地疊合。假設，未被配置有第二曲折光學系的話，各第二光線束彼此，是隨著遠離第一曲折光學系的焦點的位置而相互地漸漸擴大。

但是從第一曲折光學系被射出的第二光線束，是在主光線的位置中光強度最高，愈遠離主光線的話光強度愈急劇地下降地配光分布，例如高斯分布的分布。

依據上述構成的話，至少從第一曲折光學系被射出的複數第二光線束的主光線，是各別朝第二曲折光學系不同的平坦面(或是凸曲面)被入射。即，對於各第二光線束之中，放射照度非常高的光線，被入射至不同的平坦面(或是凸曲面)之後，朝與主光線實質上同方向被轉換，朝向幾乎同一處進行。此結果，被包含於複數第二光線束的放射照度高的光線，因為是被集光在幾乎同一處，所以藉由將後段的光學系的入射面配置於該處，就可以將高輝度的光導引至後段的光學系。

在前述光源裝置中，前述第二曲折光學系，是對於相鄰接的一對前述第二光線束，被配置於：一方的前述第二光線束的上光線及另一方的前述第二光線束的下光線交叉的特定位置、或是比前述特定位置更遠離前述第一曲折光學系的位置者也無妨。

在前述特定位置中，相鄰接的一對前述第二光線束彼此是完全地被分離。假設，未被配置有第二曲折光學系的話，各第二光線束彼此，是隨著遠離前述特定位置，將分離距離一邊擴張一邊分散。

即，藉由在上述特定位置，或是比該特定位置更後段配置第二曲折光學系，從第一曲折光學系被射出的複數第二光線束，是各別完全地被入射至第二曲折光學系所具備的傾斜角不同的平坦面(或是凸曲面)。此結果，可以將被包含於各第二光線束的放射照度高的光線，集光在幾乎同一處。

前述第二曲折光學系，可以成為被配置於從相鄰接的前述半導體雷射單元被射出的前述第二光線束不被入射的位置者。此是對應限定第二曲折光學系的從第一曲折光學系的分離位置的較佳上限值。

假設，將第二曲折光學系配置於從第一曲折光學系非常遠的位置的話，從相鄰接的半導體雷射單元被射出的第二光線束是被入射至此第二曲折光學系。此時，以下的問題是具有發生的可能性。

因為第二曲折光學系是被配置於從第一曲折光學系非常遠的位置，所以從同一的第一曲折光學系被射出的複數第二光線束彼此，是完全地分遠離，進一步在其分離距離大的狀態下，成為朝第二曲折光學系的各平坦面(或是各凸曲面)被入射。此結果，第二曲折光學系，是產生加大各平坦面(或是各凸曲面)，或是加大各平坦面間(或是各凸曲面間)的間隔的必要，第二曲折光學系的規模是變大。

進一步，從對應的第一曲折光學系被射出的第二光線束是被入射至第二曲折光學系之中，位於複數光射出領域相鄰接的方向(例如後述的第7圖內的X方向)的端部的平坦面(或是凸曲面)。對於此，除了來自對應的第一曲折光學系的第二光線束以外，來自相鄰接的第一曲折光學系的第二光線束是被入射至第二曲折光學系之中，位於前述端部以外的平坦面(或是凸曲面)。此情況，被包含於第二光線束的大多的光線，因為是朝向與主光線大不同的方向進行，所以光的利用效率是具有下降的可能性。

對於此，藉由上述的構成，不需要將第二曲折光學系的大小過度地擴大化，就可以提高光的利用效率。

本發明的投影機，是利用從上述光源裝置被射出的光將畫像投影。 [發明的效果]

依據本發明的話，可實現一種光源裝置，是使用複數半導體雷射頭，可抑制裝置規模的擴大，且提高光輸出。

以下，對於本發明的光源裝置、及投影機的各實施例，參照適宜圖面進行說明。又，以下的各圖面，皆只是示意地圖示者，實際的尺寸比及圖面上的尺寸比未必一致。

第7圖，是將光源裝置的一實施例的構成示意的圖面。光源裝置1，是具備：複數半導體雷射單元(2、2、…)、及對應各半導體雷射單元(2、2、…)的數量地配置的第二曲折光學系3。又，在第7圖中圖示，從使第二曲折光學系3被射出的光被導引的後段光學系40。對於第二曲折光學系3是對應各半導體雷射單元(2、2、…)的數量地配置的點，是參照第10圖如後述。

半導體雷射單元2，是具備：半導體雷射頭5、及第一曲折光學系6。第8圖，是將相鄰接的2個半導體雷射單元2、及對應此半導體雷射單元2被配置的第二曲折光學系3抽出圖示的圖面。在本實施例中，半導體雷射頭5，是具備複數光射出領域(10、20)的多發射體型的構造，參照第3A圖顯示與上述的半導體雷射頭110同樣的形狀。以下，與第3A圖同樣地說明，將光射出領域(10、20)相鄰接的方向設成X方向，將光軸方向設成Z方向，將與X及Z方向垂直交叉的方向設成Y方向。

第9圖，是將第8圖中的從1個半導體雷射頭5所具備的光射出領域(10、20)至第一曲折光學系6為止的部分擴大的圖面。

半導體雷射頭5所具備的各光射出領域(10、20)的快軸方向(Y方向)的寬度，是2μm以下，其中一例為1μm。各光射出領域(10、20)的慢軸方向(X方向)的寬度是5μm以上500μm以下，其中一例為80μm。各光射出領域(10、20)的間隔(X方向)，是50μm以上，1000μm以下，其中一例為150μm。

半導體雷射頭5，是從各光射出領域(10、20)，射出幾乎圓錐形狀的第一光線束(11、21)。此時，參照第3B圖與上述同樣地，各光射出領域(10、20)，因為是形成於在Y方向同一的座標位置，所以從X方向所見時各第一光線束(11、21)是完全地重疊。另一方面，各光射出領域(10、20)，因為是形成於在X方向不同的座標位置，所以從Y方向所見時各第一光線束(11、21)是使各位置被偏離地顯示。第8圖及第9圖，是將各第一光線束(11、21)從Y方向所見時的光線圖示意者。

更詳細的話，如第9圖所示，第一光線束11，是由被上光線11a、及下光線11b挾持的光線群被限定。將在上光線11a及下光線11b之間的中間進行的光線，定義為主光線11m。同樣地，第一光線束21，是由被上光線21a、及下光線21b挾持的光線群被限定，主光線21m是存在於其中間的位置。主光線(11m、21m)，為了方便由一點鎖線顯示。又，在第8圖及第9圖中，第一曲折光學系6的光軸是圖示為光軸61。

半導體雷射頭5，其中心位置5a，是位於對應的第一曲折光學系6的光軸61上地配置。此結果，各光射出領域(10、20)，是被配置於在X方向各別遠離光軸61的位置。進一步，在各光射出領域(10、20)中，因為在X方向也具有大小，所以在接近光軸61側的端部、及遠離光軸61側的端部之間，會發生各從光軸61的距離差。

半導體雷射頭5及第一曲折光學系6，是在Z方向，只有遠離第一曲折光學系6的焦點距離f6地配置。由此，從半導體雷射頭5的各光射出領域(10、20)被射出的各第一光線束(11、21)，是藉由第一曲折光學系6被曲折，各別被轉換成大致平行光線束的第二光線束(12、22)。第一曲折光學系6，是將各第一光線束(11、21)，轉換成大致平行光線束也就是第二光線束(12、22)的光學系的話，由任何的光學構件構成也無妨。

如上述，各光射出領域(10、20)，是各別被配置於在X方向遠離光軸61的位置。因此，大致平行光線束也就是第二光線束(12、22)的各主光線(12m、22m)，是朝向第一曲折光學系6的後段(光射出面側的)焦點位置進行。此結果，第二光線束(12、22)，雖是各別作為大致平行光線束進行，但是進行方向是各別不同。在第8圖中，是圖示各第二光線束(12、22)為交叉的情況。

第二光線束(12、22)，是被導引至被配置於第一曲折光學系6的後段的第二曲折光學系3。第10圖，是將第8圖中的第二曲折光學系3的附近的部分擴大的圖面。且，第11圖，為了說明的方便上，從第8圖，省略主光線(12m、22m)以外的光線的顯示地圖示的圖面。

如第11圖所示，第二曲折光學系3，是具有：設於光入射面側的平坦面31、及設於光射出面側的顯示複數不同的傾斜角(θa、θb、θc、θd、…)的複數平坦面(32a、32b、32c、32d、…)。又，在第二曲折光學系3中，依據傾斜角不同的複數平坦面，也總稱為「平坦面32」。

在本實施例中，平坦面31，是由對於第二曲折光學系3的光軸63垂直交叉的面所構成。第二曲折光學系3的光軸63，是指通過第二曲折光學系3整體的中央位置的光軸。又，在第11圖中，因為只有圖示第二曲折光學系3的一部分，所以第二曲折光學系3，是在X方向，作為包含平坦面(32a、32b、32c、32d)以外的平坦面32者也無妨。

在此，各平坦面(32a、32b、32c、32d、…)的傾斜角(θa、θb、θc、θd、…)，是指在XZ平面上，即，在複數光射出領域(10、20)相鄰接的方向(X方向)、及第二曲折光學系3的光軸63的方向(Z方向)成為平面上時，將前述光軸63的方向作為基準時的角度，此角度是對應旋轉方向附加正負的值被區別。在此，將旋轉方向是逆時針方向的情況設成正，將時鐘方向的情況設成負。此時，在第11圖內所圖示的傾斜角(θa、θb、θc、θd、…)皆是正的值。且，在第11圖中圖示被省略，第二曲折光學系3的下半部中的平坦面32的傾斜角θ，皆是成為負的值。

第二曲折光學系3，是將被入射至各平坦面(32a、32b、32c、32d、…)的第二光線束(12、22)，使各主光線(12m、22m)彼此的分離距離dm(第10圖參照)被縮小地設定各傾斜角(θa、θb、θc、θd、…)。更佳是，使各主光線(12m、22m)彼此實質上朝向同一處地設定各傾斜角(θa、θb、θc、θd、…)。

更具體而言，從同一的第一曲折光學系6被射出的複數第二光線束(12、22)被入射的平坦面群(例如32a及32b)，是設定成從第二曲折光學系3的光軸63的距離愈遠，傾斜角的絕對值愈小。即，在第11圖的例中，以使θa＜θb、θc＜θd成立的方式，設定各平坦面(32a、32b、32c、32d)的傾斜角。在第11圖中被圖示省略的平坦面32也同樣。

著眼於1個平坦面32a的話，被入射至此平坦面32a的第二光線束22，其主光線22m，是對應平坦面32a的傾斜角θa曲折，朝向集光領域70(第7圖參照)使進行方向被轉換。第二光線束22，因為是藉由第一曲折光學系6而朝大致平行光線束被轉換，所以對於被包含於第二光線束22的主光線22m以外的光線，進行方向也朝向與主光線22m實質上同方向被轉換。此結果，被成像在集光領域70內。

著眼於別的平坦面32b的話，被入射至此平坦面32b的第二光線束12，其主光線12m，是對應平坦面32b的傾斜角θb曲折，朝向前述集光領域70(第7圖參照)使進行方向被轉換。此時，對於被包含於第二光線束12的主光線12m以外的光線，進行方向也朝向與主光線12m實質上同方向被轉換。此結果，被成像在集光領域70內。

在如第11圖所示的例中，第二曲折光學系3，是對應某1個半導體雷射單元2，設有：具有顯示規定的傾斜角θa的平坦面32a的一部分3a、及具有顯示規定的傾斜角θb的平坦面32b的一部分3b。同樣地，第二曲折光學系3，是對應別的半導體雷射單元2，設有：具有顯示規定的傾斜角θc的平坦面32c的一部分3c、及具有顯示規定的傾斜角θd的平坦面32d的一部分3d。

即，光源裝置1所具備的第二曲折光學系3，是包含對應：半導體雷射單元2的數量、及在各半導體雷射單元2所具備的光射出領域(10、20)的數量，顯示不同的傾斜角的平坦面32。藉由這種構成，被入射至各平坦面32的複數第二光線束(12、22)，皆是使主光線(12m、22m)，以將主光線彼此的分離距離縮小的方式，更佳是以朝向集光領域70的方式，使進行方向被轉換。且，對於被包含於第二光線束(12、22)的主光線(12m、22m)以外的光線，進行方向也朝向與各主光線(12m、22m)實質上同方向被轉換。此結果，從各第二曲折光學系3被射出的第二光線束(12、22)，皆是朝向同一的集光領域70進行。此結果，在顯示狹窄的面積的集光領域70內，各第二光線束(12、22)因為是被導引，所以藉由將後段光學系40的入射面配置在包含集光領域70的領域，就可以將輝度高的光導引至後段光學系40。

又，如第8圖所示，第二曲折光學系3，是對於相鄰接的一對第二光線束(12、22)，被配置於比一方的第二光線束22的上光線22a、及另一方的第二光線束12的下光線12b交叉的位置(特定位置)更後段較佳。此時，在比第二曲折光學系3的各平坦面(32a、32b、32c、32d、…)被入射之前的階段中，因為相鄰接的第二光線束(12、22)彼此是被完全地分離，所以可以將被包含於各第二光線束(12、22)的幾乎全部的光線，朝與各主光線(12m、22m)相同的方向進行。

第二曲折光學系3，是具有將被入射的各第二光線束(12、22)的各主光線(12m、22m)，朝向幾乎相同的位置將進行方向轉換的功能的話，由任何的光學構件構成也無妨。其中一例，第二曲折光學系3，是由具有複數平坦面32的稜鏡所構成。

又，如第12圖及第13圖所示，第二曲折光學系3，是包含在各傾斜角不同的平坦面32(32a、32b、32c、32d、…)被分割的複數光學元件(3a、3b、3c、3d、…)的構成也無妨。此情況，第二曲折光學系3，是具備對應半導體雷射單元2的數量的數量的光學元件(3a、3b、3c、3d、…)。

且第二曲折光學系3，是可取代傾斜角不同的平坦面32，而具備將此平坦面32作為基礎的凸曲面33的構成也無妨。第14圖，是倣照第11圖，將具備凸曲面33的第二曲折光學系3的一部分示意地圖示者。

在此，將平坦面32作為基礎的凸曲面33，是指在XZ平面上，顯示將由平坦面32所構成的線分的始點及終點連結的圓弧狀或是橢圓弧狀的曲線的曲面。 　　更佳是，各主光線(12m、22m)被入射至凸曲面33的話，使各主光線(12m、22m)彼此實質上朝向同一處地，設定主光線(12m、22m)被入射處中的凸曲面33的接平面的傾斜角。

此時，凸曲面33的各焦點距離，是第二曲折光學系3及集光領域70之間的距離以上較佳，兩者是實質上同一更佳。此情況，對於被包含於各第二光線束(12、22)的主光線(12m、22m)以外的光線，因為也可以在與主光線(12m、22m)幾乎同一處被集光，所以可實現輝度非常高的光(第15圖參照)。

又，後段光學系40的入射面，是被配置於比集光領域70更前段的情況時，在主光線(12m、22m)交叉的前方的位置，使各第二光線束(12、22)成為朝後段光學系40被入射。此情況，各凸曲面33的焦點距離，是假定後段光學系40不存在地將主光線(12m、22m)假想地延長時在兩者交叉處及第二曲折光學系3之間的距離作成實質上同一較佳。此情況，對於被包含於各第二光線束(12、22)的主光線(12m、22m)以外的光線，也在被集光在主光線(12m、22m)附近的狀態下，被入射至後段光學系40。

後段光學系40，是可以對應從光源裝置1被射出的光的利用目的，採用桿積分器、透鏡等的各種的光學系。

第16圖，是將包含上述的光源裝置1的投影機的構成例示意的圖面。投影機9，是具備：包含光源裝置1的照明光學系80、及由從照明光學系80被導引的光生成影像光並投影在銀幕的影像光學系90。又，在此例中，在第7圖所圖示的後段光學系40，是對應被配置於光源裝置1的後段的照明光學系80的要素。

在第16圖所示的例中，是將光源裝置1假定成藍色用光源的情況。從光源裝置1被射出，輝度高的藍色光，是依據需要由擴散板81使干涉性被減少之後，藉由透鏡82被轉換成光束寬度的狹窄的平行光之後，被導引至分色鏡83。藍色光，是由分色鏡83被反射之後，被導引至螢光體滾輪84。此時，可以依據需要藉由透鏡被集光者。在螢光體滾輪84中，讓黃色螢光體的塗抹領域、綠色螢光體的塗抹領域、藍色光透過的缺口領域，是各被設在規定的角度，對應螢光體滾輪84的旋轉，使由螢光體滾輪84被反射的光/或是通過的光的波長變化。

通過了螢光體滾輪84的藍色光，是依據需要透過透鏡被平行光化之後，透過鏡子(85、85、85)再度返回至分色鏡83。又，依據需要在鏡子間設有透鏡。

藉由螢光體滾輪84被反射的黃色光或是綠色光，是透過分色鏡83。即，在分色鏡83中，各顏色的光是被合成，依據需要由透鏡被集光之後，透過濾波膜滾輪86被入射至桿積分器87。濾波膜滾輪86，是使：讓切斷短波長成分的濾波膜被塗抹的領域、及將光直接透過的領域，各被設在規定的角度。光是透過濾波膜領域的話，短波長成分被切斷，生成紅色光。

通過了桿積分器87的合成光，是依據需要透過透鏡使光束寬度被調整之後，被入射至影像光學系90。影像光學系90，是將從照明光學系80被照射的光接收而生成影像的裝置，例如具有：透鏡91、及全反射稜鏡92、及DMD(數位微反射鏡裝置，日本註冊商標)93。通過了桿積分器87的合成光，是透過透鏡91被入射至全反射稜鏡92的話，由稜鏡面被反射之後，朝DMD93被導引。DMD93，是具有複數可動式的微反射鏡，藉由無圖示的控制部，使配合入射至各色光的時間點，且對應被輸入的影像訊號被控制。藉由DMD93被變調的光，是透過全反射稜鏡92朝投射透鏡94導引，透過投射透鏡94被投射在無圖示的銀幕上。

如第16圖所示，因為投影機9是藉由將由光源裝置1所生成的光作為光源利用，可以利用輝度非常高的光，所以可以將投影機9的輸出大幅地提高。

又，第16圖所示的投影機9雖說明了，變調裝置，是由反射型的元件(DMD)所構成的情況，但是由透過型的液晶元件所構成也無妨。照明光學系80和影像光學系90，可對應變調裝置的構成適宜地變更。

[別的實施例] 　　以下，說明別的實施例。

(1)參照第7圖等，上述的半導體雷射頭5，是具有2個光射出領域(10、20)的多發射體型的構成。此半導體雷射頭5所具備的光射出領域的數量，不限定於2個，3個以上也無妨。第二曲折光學系3所具備的傾斜角不同的平坦面(3a、3b、…)的數量，是對應被包含於同一的半導體雷射單元2的光射出領域的數量被設定。

相反地，各半導體雷射頭5，參照例如第1A圖，如上述是具有單獨的光射出領域的單發射體型的構成，來自複數半導體雷射頭5的射出光，是被入射至第一曲折光學系6的構成也無妨(第17圖參照)。進一步，如第17圖，在來自複數半導體雷射頭5的射出光，被入射至第一曲折光學系6的態樣中，各半導體雷射頭5是多發射體型的構造也無妨。且，第一曲折光學系6是對應各半導體雷射頭5被設置即可，該第一曲折光學系6本身即使是個別設置，呈矩陣狀被一體形成也無妨。

(2)在上述實施例中，第二曲折光學系3，雖是在第一曲折光學系6相反側的面，即，在光射出面側，具有傾斜角不同的複數平坦面32者，但是在第一曲折光學系6側的面，即，在光入射面側具有傾斜角不同的複數平坦面32者也無妨。此的情況時，也可取代「平坦面32」而使用「凸曲面33」也無妨。

但是依據角度，被入射至平坦面32的第二光線束(12、22)的一部分的光線因為是具有全反射的可能性，所以在將光的利用效率進一步提高的觀點中，第二曲折光學系3是在光射出面側設置平坦面32較佳。

(3)在上述實施例中說明了，各半導體雷射頭5，是假定光射出領域(10、20)是形成於半導體雷射頭5的端面的「端面發光型」的構造的情況。但是，本發明，各半導體雷射頭5，是在半導體層的積層方向使光被取出的「面發光型」的構造也同樣可適用。

(4)本發明的光源裝置1，可將複數光線束集光，並照射在規定的照射對象物的應用程式的話，投影機以外也可適用。其中一例，可將光源裝置1利用作為曝光裝置用的光源。

(5)如第18圖所示，第二曲折光學系3，是包含曲折光學系51及集光透鏡52的構成也無妨。曲折光學系51，是在光入射面側具備相互地傾斜角不同的平坦面(51a、51b)。且，曲折光學系51，是在光射出面側，具備對於光軸63垂直交叉的平坦面51c，並與此平坦面51c連結地配置集光透鏡52。

平坦面(51a、51b)，是使各別從不同的光射出領域(10、20)被射出的主光線被入射，將兩者成為大致平行地設定傾斜角。此結果，被入射至曲折光學系51的第二光線束(12、22)，是成為大致平行光線束在曲折光學系51內進行。其後，被入射至被連結的集光透鏡52的話，第二光線束(12、22)，是將主光線(12m、22m)及其周圍進行的光線，集光在集光透鏡52的焦點。由此，與第15圖的構成同樣，對於主光線(12m、22m)以外的光線，因為也可以被集光在與主光線(12m、22m)幾乎同一處，所以可實現輝度非常高的光。

(6)上述的光源裝置1所具備的光學配置態樣，僅是一例，本發明，不限定於圖示的各構成。例如，將光的進行方向變化用的反射光學系是適宜地位在某光學系及別的光學系之間也無妨。

1‧‧‧光源裝置2‧‧‧半導體雷射單元3‧‧‧第二曲折光學系5‧‧‧半導體雷射頭6‧‧‧第一曲折光學系10、20‧‧‧光射出領域(發射體)11、21‧‧‧第一光線束31、32‧‧‧第二曲折光學系的平坦面33‧‧‧第二曲折光學系的凸曲面40‧‧‧後段光學系51‧‧‧形成第二曲折光學系的一部分的曲折光學系52‧‧‧形成第二曲折光學系的一部分的集光透鏡61‧‧‧第一曲折光學系的光軸63‧‧‧第二曲折光學系的光軸70‧‧‧集光領域80‧‧‧照明光學系81‧‧‧擴散板82‧‧‧透鏡83‧‧‧分色鏡84‧‧‧螢光體滾輪85‧‧‧鏡子86‧‧‧濾波膜滾輪87‧‧‧桿積分器90‧‧‧影像光學系91‧‧‧透鏡92‧‧‧全反射稜鏡93‧‧‧DMD94‧‧‧投射透鏡100、110‧‧‧半導體雷射頭101、111、112‧‧‧發射體101L、111L、112L‧‧‧從發射體被射出的光線束102‧‧‧準直透鏡120‧‧‧集光透鏡131、132‧‧‧成像位置f6‧‧‧第一曲折光學系的焦點距離

[第1A圖] 示意單發射體型的半導體雷射頭的構造的立體圖。 　　[第1B圖] 將從第1A圖的半導體雷射頭被射出的光線束，分開成：從X方向所見的情況、及從Y方向所見的情況示意地圖示者。 　　[第2A圖] 將準直透鏡配置在半導體雷射頭的後段的情況時，將朝YZ平面方向進行的光線束示意的圖面。 　　[第2B圖] 將準直透鏡配置在半導體雷射頭的後段的情況時，將朝XZ平面方向進行的光線束示意的圖面。 　　[第3A圖] 示意多發射體型的半導體雷射頭的構造的立體圖。 　　[第3B圖] 將從第3A圖的半導體雷射頭被射出的光線束，分開成：從X方向所見的情況、及從Y方向所見的情況示意地圖示者。 　　[第4圖] 將準直透鏡配置在第3A圖的半導體雷射頭的後段的情況時，將朝XZ平面方向進行的光線束示意的圖面。 　　[第5圖] 比第4圖的構成更將發射體間的距離擴張的情況時，將朝XZ平面方向進行的光線束示意的圖面。 　　[第6圖] 將第3A圖的半導體雷射頭及準直透鏡複數組配置，將從各準直透鏡被射出的光線束由集光透鏡集光的情況時，將朝XZ平面方向進行的光線束示意的圖面。 　　[第7圖] 將光源裝置的一實施例的構成示意的圖面。 　　[第8圖] 從第7圖將相鄰接的2個半導體雷射單元、及被配置於其後段的第二曲折光學系抽出地圖示的圖面。 　　[第9圖] 將第8圖中的從在1個半導體雷射頭所具備的光射出領域至第一曲折光學系為止的部分擴大的圖面。 　　[第10圖] 將第8圖中的第二曲折光學系的附近的部分擴大的圖面。 　　[第11圖] 省略第8圖中的主光線以外的光線的顯示地圖示的示意的圖面。 　　[第12圖] 將第11圖中的第二曲折光學系的構造成為別態樣的情況示意的圖面。 　　[第13圖] 將第7圖中的第二曲折光學系的構造成為別態樣的情況示意的圖面。 　　[第14圖] 將第11圖中的第二曲折光學系的構造成為別態樣的情況示意的圖面。 　　[第15圖] 將第7圖中的第二曲折光學系的構造成為別態樣的情況示意的圖面。 　　[第16圖] 將包含光源裝置的投影機的構成例示意的圖面。 　　[第17圖] 將光源裝置的別的實施例的構成示意的圖面。 　　[第18圖] 將光源裝置的別的實施例的構成示意的圖面。

1‧‧‧光源裝置

2‧‧‧半導體雷射單元

3‧‧‧第二曲折光學系

5‧‧‧半導體雷射頭

6‧‧‧第一曲折光學系

12‧‧‧第二光線束

12m‧‧‧主光線

22‧‧‧第二光線束

22m‧‧‧主光線

40‧‧‧後段光學系

63‧‧‧第二曲折光學系的光軸

70‧‧‧集光領域

Claims (7)

1. 一種光源裝置，其特徵為，具備： 　　複數半導體雷射單元，包含：設於同一或是不同的半導體雷射頭上的複數光射出領域、及使從相鄰接的複數前述光射出領域被射出的複數第一光線束被入射且將前述複數第一光線束各別轉換成大致平行光線束也就是複數第二光線束地射出的第一曲折光學系；及 　　第二曲折光學系，包含：具有不同的傾斜角的複數平坦面，或是將前述複數平坦面各別作為基礎突出的複數凸曲面，從同一前述半導體雷射單元被射出的複數前述第二光線束的至少一部分各被入射至不同的前述平坦面或是不同的前述凸曲面，將從同一前述半導體雷射單元被射出的複數前述第二光線束的各主光線彼此的分離距離縮小地將複數前述第二光線束的進行方向轉換地射出， 　　前述第二曲折光學系，是對應前述半導體雷射單元的數量地配置。
2. 如申請專利範圍第1項的光源裝置，其中， 　　前述第二曲折光學系，是包含將具有不同的傾斜角的複數前述平坦面各別作為基礎朝前述第一曲折光學系相反側突出的複數凸曲面， 　　複數前述凸曲面的焦點距離，是從前述第二曲折光學系的光射出面側的位置，至從前述第二曲折光學系被射出的複數前述第二光線束的各主光線彼此的交叉處，或是複數前述第二光線束的各主光線的假想延長線彼此的交叉處為止的距離以上。
3. 如申請專利範圍第1或2項的光源裝置，其中， 　　從同一前述第一曲折光學系被射出的複數前述第二光線束被入射的前述複數平坦面，或是從同一前述第一曲折光學系被射出的複數前述第二光線束被入射的前述複數凸曲面是成為基礎的前述複數平坦面，是從前述第二曲折光學系的光軸的距離愈遠，傾斜角的絕對值愈小。
4. 如申請專利範圍第1或2項的光源裝置，其中， 　　前述第一曲折光學系，是具有朝光射出面側突出的曲面， 　　前述第二曲折光學系，是對於前述第一曲折光學系，被配置於比前述第一曲折光學系的焦點距離更遠離的位置。
5. 如申請專利範圍第4項的光源裝置，其中， 　　前述第二曲折光學系，是對於相鄰接的一對前述第二光線束，被配置於：一方的前述第二光線束的上光線及另一方的前述第二光線束的下光線交叉的特定位置、或是比前述特定位置更遠離前述第一曲折光學系的位置。
6. 如申請專利範圍第1或2項的光源裝置，其中， 　　前述第二曲折光學系，是被配置於使從相鄰接的前述半導體雷射單元被射出的前述第二光線束不會被入射的位置。
7. 一種投影機，其特徵為： 　　利用從如申請專利範圍第1或2項的光源裝置被射出的光將畫像投影。

Images