TW201946950A

TW201946950A - 聚醯亞胺前驅物組成物、聚醯胺酸、聚醯亞胺樹脂、聚醯亞胺膜及光學裝置

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Publication number: TW201946950A
Application number: TW108110241A
Authority: TW
Inventors: 引田二郎; 西條秀樹; 塩田大; 小松伸一
Original assignee: 日商東京應化工業股份有限公司
Priority date: 2018-04-27
Filing date: 2019-03-25
Publication date: 2019-12-16
Also published as: TWI811316B; JP7150465B2; CN110408024A; CN110408024B; JP2019189832A; KR20190125211A

Abstract

本發明為提供可賦予高折射率且低延遲之聚醯亞胺膜的聚醯亞胺前驅物組成物、作為該聚醯亞胺前驅物組成物中之前驅物成分之較佳聚醯胺酸、使用前述聚醯亞胺前驅物組成物而製造的聚醯亞胺樹脂、使用前述聚醯亞胺前驅物組成物而製造的聚醯亞胺膜，與具備前述聚醯亞胺膜之光學裝置者。
本發明為，於芴骨架等多環式骨架中之相同碳原子上鍵結2個特定結構之含胺基的芳香族基的芳香族二胺化合物，作為二胺成分(B1)而含於樹脂前驅物成分(B)中，或者將含有具有來自前述特定結構的芳香族二胺化合物之結構的構成單位之聚醯胺酸(B3)作為樹脂前驅物成分(B)使用，而形成聚醯亞胺樹脂或聚醯亞胺膜。

Description

聚醯亞胺前驅物組成物、聚醯胺酸、聚醯亞胺樹脂、聚醯亞胺膜及光學裝置

本發明係關於含有聚醯亞胺樹脂的前驅物成分之聚醯亞胺前驅物組成物、作為該聚醯亞胺前驅物組成物中之前驅物成分的較佳聚醯胺酸、使用前述聚醯亞胺前驅物組成物而製造的聚醯亞胺樹脂、使用前述聚醯亞胺前驅物組成物而製造的聚醯亞胺膜，與具備前述聚醯亞胺膜之光學裝置者。

聚醯亞胺樹脂具有優良耐熱性、機械強度及絕緣性或低介電率等特性。因此，聚醯亞胺樹脂對於種種元件，或如多層配線基板等電子基板的電･電子零件，可廣泛地作為絶緣材或保護材而使用。

作為聚醯亞胺樹脂，例如由具有優良機械特性或耐熱性，對於自過去的宇宙･航空用途等先端產業，可使用全芳香族聚醯亞胺(例如商品名之「Kapton」)。如此全芳香族聚醯亞胺係由芳香族四羧酸二酐與芳香族二胺之反應而合成。對於前述Kapton，已知其為在耐熱性高分子之中顯示最高階級的耐熱性(玻璃轉移溫度(Tg)：410℃)者(參照非專利文獻1)。

又，由使聚醯亞胺樹脂之透明性提高的觀點來看，對於含有脂環式骨架之聚醯亞胺樹脂之研究正進行著(參照非專利文獻2)。
作為如此脂環式聚醯亞胺，可舉出藉由脂環式四羧酸二酐與脂環式二胺的反應而得之樹脂、藉由脂環式四羧酸二酐與芳香族二胺之反應而得之樹脂，及藉由芳香族四羧酸二酐與脂環式二胺之反應而得之3種樹脂。
[先前技術文獻]
[非專利文獻]

[非專利文獻1] 工程塑質，共立出版，1987年發行，p88
[非專利文獻2] Macromolecules，27卷，1994年發行，p1117

[發明所解決的問題]

對於使用於OLED照明裝置等膜，由光的取出效率之觀點來看，要求其高折射率。但，對於如前述之過去已知的聚醯亞胺樹脂，其高折射率化仍有改善之空間。

本發明為有鑑於上述課題而成者，以提供以下為目的：賦予高折射率之聚醯亞胺膜的聚醯亞胺前驅物組成物、作為該聚醯亞胺前驅物組成物中之前驅物成分為較佳的聚醯胺酸、使用前述聚醯亞胺前驅物組成物而製造的聚醯亞胺樹脂、使用前述聚醯亞胺前驅物組成物而製造的聚醯亞胺膜，與具備前述聚醯亞胺膜之光學裝置者。

[解決課題的手段]

本發明者們，發現於芴骨架等多環式骨架中之相同碳原子上鍵結2個特定結構之含胺基的芳香族基之芳香族二胺化合物，作為二胺成分(B1)而含於樹脂前驅物成分(B)中，或者將含有具有來自前述特定結構的芳香族二胺化合物之結構的構成單位之聚醯胺酸(B3)作為樹脂前驅物成分(B)使用，而形成聚醯亞胺樹脂或聚醯亞胺膜，藉此可解決上述課題而完成本發明。具體而言，本發明提供以下者。

本發明之第一態樣為含有樹脂前驅物成分(B)與溶劑(S)之聚醯亞胺前驅物組成物，其中樹脂前驅物成分(B)含有由二胺成分(B1)與四羧酸二酐成分(B2)所成的單體成分及/或聚醯胺酸(B3)；
二胺成分(B1)含有下述式(b1)所示芳香族二胺化合物；

(式(b1)中，R^1a 、R^1b 、R^2a 、R^2b 、R^3a 及R^3b 各獨立為1價烴基、-OR^4a 所示基、-SR^4b 所示基、醯基、烷氧基羰基、鹵素原子、氰基、-NHR^4c 所示基，或-N(R^4d )₂ 所示基；1價烴基、-OR^4a 所示基、-SR^4b 所示基、醯基、烷氧基羰基、-NHR^4c 所示基及-N(R^4d )₂ 所示基可由選自由-OR^4e 所示基、-SR^4f 所示基、醯基、烷氧基羰基、鹵素原子、氰基、-NHR^4g 所示基及-N(R^4h )₂ 所示基所成群的1以上之基所取代；
R^4a ～R^4g 各獨立為1價烴基；
X¹ 及X² 各獨立為-CO-NH-、-CO-O-、-NH-CO-NH-、
-CO-NH-CO-、-O-CO-NH-，或-CO-NH-CO-NH-；
環Y¹ 、環Y² 、環Y³ 及環Y⁴ 各獨立為芳香族烴環；
R為單鍵、可具有取代基的伸甲基、可具有取代基且於2個碳原子間可含有雜原子的伸乙基、-O-所示基、-NH-所示基，或-S-所示基；
n1及n2各獨立為0以上4以下的整數；
n3及n4各獨立為0以上5以下的整數；
n5及n6各獨立為0以上4以下的整數)；
聚醯胺酸(B3)含有：具有下述式(b3)所示構成單位的聚醯胺酸；

(式(b3)中，R^1a 、R^1b 、R^2a 、R^2b 、R^3a 、R^3b 、X¹ 、X² 、環Y¹ 、環Y² 、環Y³ 、環Y⁴ 、R、n1、n2、n3、n4、n5及n6與式(b1)相同；Z¹ 為4價有機基)。

本發明之第二態樣為具有下述式(b3)所示構成單位之聚醯胺酸；

(式(b3)中，R^1a 、R^1b 、R^2a 、R^2b 、R^3a 及R^3b 各獨立為1價烴基、-OR^4a 所示基、-SR^4b 所示基、醯基、烷氧基羰基、鹵素原子、氰基、-NHR^4c 所示基，或-N(R^4d )₂ 所示基；1價烴基、-OR^4a 所示基、-SR^4b 所示基、醯基、烷氧基羰基、-NHR^4c 所示基及-N(R^4d )₂ 所示基為可由選自由-OR^4e 所示基、-SR^4f 所示基、醯基、烷氧基羰基、鹵素原子、氰基、-NHR^4g 所示基及-N(R^4h )₂ 所示基所成群的1以上之基所取代；
R^4a ～R^4g 各獨立為1價烴基；
X¹ 及X² 各獨立為-CO-NH-、-CO-O-、-NH-CO-NH-、
-CO-NH-CO-、-O-CO-NH-，或-CO-NH-CO-NH-；
環Y¹ 、環Y² 、環Y³ 及環Y⁴ 各獨立為芳香族烴環；
R為單鍵、可具有取代基的伸甲基、可具有取代基且於2個碳原子間可含有雜原子的伸乙基、-O-所示基、-NH-所示基，或-S-所示基；
n1及n2各獨立為0以上4以下的整數；
n3及n4各獨立為0以上5以下的整數；
n5及n6各獨立為0以上4以下的整數；
Z¹ 為4價有機基)。

本發明之第三態樣為具有下述式(b4)所示構成單位的聚醯亞胺樹脂；

(式(b4)中，R^1a 、R^1b 、R^2a 、R^2b 、R^3a 及R^3b 各獨立為1價烴基、-OR^4a 所示基、-SR^4b 所示基、醯基、烷氧基羰基、鹵素原子、氰基、-NHR^4c 所示基，或-N(R^4d )₂ 所示基；1價烴基、-OR^4a 所示基、-SR^4b 所示基、醯基、烷氧基羰基、-NHR^4c 所示基及-N(R^4d )₂ 所示基為可由選自由-OR^4e 所示基、-SR^4f 所示基、醯基、烷氧基羰基、鹵素原子、氰基、-NHR^4g 所示基及-N(R^4h )₂ 所示基所成群的1以上之基所取代；
R^4a ～R^4g 各獨立為1價烴基；
X¹ 及X² 各獨立為-CO-NH-、-CO-O-、-NH-CO-NH-、
-CO-NH-CO-、-O-CO-NH-，或-CO-NH-CO-NH-；
環Y¹ 、環Y² 、環Y³ 及環Y⁴ 各獨立為芳香族烴環；
R為單鍵、可具有取代基的伸甲基、可具有取代基且於2個碳原子間可含有雜原子的伸乙基、-O-所示基、-NH-所示基，或-S-所示基；
n1及n2各獨立為0以上4以下的整數；
n3及n4各獨立為0以上5以下的整數；
n5及n6各獨立為0以上4以下的整數；
Z¹ 為4價有機基)。

本發明之第四態樣為含有：形成由第一態樣之聚醯亞胺前驅物組成物所成的塗膜，及藉由將塗膜進行加熱使來自塗膜中之樹脂前驅物成分(B)的聚醯胺酸進行閉環之聚醯亞胺膜的製造方法。

本發明之第五態樣為使由第一態樣之聚醯亞胺前驅物組成物所成的塗膜進行硬化而成之聚醯亞胺膜。

本發明之第六態樣為含有第三態樣之聚醯亞胺樹脂的聚醯亞胺膜。

本發明之第七態樣為具備第五態樣，或第六態樣之聚醯亞胺膜的光學裝置。

[發明之效果]

依據本發明，可提供賦予高折射率的聚醯亞胺膜之聚醯亞胺前驅物組成物、作為該聚醯亞胺前驅物組成物中之前驅物成分的較佳聚醯胺酸、使用前述聚醯亞胺前驅物組成物而製造的聚醯亞胺樹脂、使用前述聚醯亞胺前驅物組成物而製造的聚醯亞胺膜，與具備前述聚醯亞胺膜之光學裝置者。

[實施發明的型態]

≪聚醯亞胺前驅物組成物≫
聚醯亞胺前驅物組成物含有樹脂前驅物成分(B)與溶劑(S)。又，聚醯亞胺前驅物組成物可含有促進劑(A)。
以下依序對於含於聚醯亞胺前驅物組成物的必須或任意成分做說明。

＜促進劑(A)＞
聚醯亞胺前驅物組成物中作為促進樹脂前驅物成分(B)之醯亞胺化的成分，可含有促進劑(A)。作為如此促進劑，例如可舉出咪唑系化合物、吡啶系化合物、三乙基胺等3級胺系化合物、胺基酸系化合物等)等，以咪唑系化合物為佳。
作為咪唑系化合物(A1)，為可直接以該型態下促進樹脂前驅物成分(B)的醯亞胺化之化合物，亦可為藉由熱或光等能量作用而產生促進樹脂前驅物成分(B)之醯亞胺化的咪唑化合物之化合物。
因聚醯亞胺前驅物組成物的經時穩定性為良好，故作為咪唑系化合物(A1)，以可藉由熱或光等能量作用而產生可促進樹脂前驅物成分(B)之醯亞胺化的咪唑化合物之化合物為佳。作為如此咪唑系化合物(A1)，無特別限制下可使用公知熱咪唑發生劑，或光咪唑發生劑。

作為咪唑系化合物(A1)之較佳例子，可舉出下述式(1)所示化合物。下述式(1)所示化合物相當於藉由加熱可產生咪唑化合物之熱咪唑產生劑。

(式(1)中，R¹ 為氫原子或烷基；R² 為可具有取代基的芳香族基；R³ 為可具有取代基之伸烷基；R⁴ 為鹵素原子、羥基、巰基、硫醚基、矽基、矽烷醇基、硝基、亞硝基、磺酸根基、膦基、氧膦基、膦酸基，或有機基；n為0以上3以下的整數)。

式(1)中，R¹ 為氫原子或烷基。R¹ 為烷基時，該烷基可為直鏈烷基，亦可為支鏈烷基。該烷基之碳原子數雖無特別限定，以1以上20以下為佳，以1以上10以下為佳，以1以上5以下為較佳。

作為R¹ 的較佳烷基之具體例子，可舉出甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、sec-丁基、tert-丁基、n-戊基、異戊基、tert-戊基、n-己基、n-庚基、n-辛基、2-乙基-n-己基、n-壬基、n-癸基、n-十一烷基、n-十二烷基、n-十三烷基、n-四癸基、n-十五烷基、n-十六烷基、n-十七烷基、n-十八烷基、n-十九烷基及n-二十烷基。

式(1)中，R² 為可具有取代基的芳香族基。可具有取代基的芳香族基可為可具有取代基之芳香族烴基，亦可為可具有取代基之芳香族雜環基。

芳香族烴基之種類在不阻礙本發明的目的之範圍下並無特別限定。芳香族烴基可為單環式芳香族基，亦可為2以上的芳香族烴基經縮合而形成的基，亦可為2以上的芳香族烴基藉由單鍵進行鍵結而形成的基。作為芳香族烴基，以苯基、萘基、聯苯基、蒽基及菲蒽基為佳。

芳香族雜環基之種類在不阻礙本發明的目的之範圍下並無特別限定。芳香族雜環基可為單環式基，亦可為多環式基。作為芳香族雜環基，以吡啶基、呋喃基、噻吩基、咪唑基、吡唑基、噁唑基、噻唑基、異噁唑基、異噻唑基、苯並噁唑基、苯並噻唑基及苯並咪唑基為佳。

作為苯基、多環芳香族烴基，或芳香族雜環基可具有的取代基，可舉出鹵素原子、羥基、巰基、硫醚基、矽基、矽烷醇基、硝基、亞硝基、亞磺基、磺酸基、磺酸根基、膦基、氧膦基、膦醯基、膦酸基、胺基、季銨基及有機基。苯基、多環芳香族烴基，或芳香族雜環基為具有複數的取代基時，該複數的取代基可為相同或相異。

芳香族基所具有取代基為有機基時，作為該有機基，可舉出烷基、烯基、環烷基、環烯基、芳基及芳烷基等。該有機基為，該有機基中可含有雜原子等烴基以外的鍵結或取代基。又，該有機基之結構可為直鏈狀、分支鏈狀、環狀中任一種。該有機基通常為1價有機基。該有機基在形成環狀結構之情況等時，該有機基可成為2價以上的有機基。

在與芳香族基隣接的碳原子上具有取代基時，鍵結於隣接的碳原子上之2個取代基為經鍵結而可形成環狀結構。作為環狀結構，可舉出脂肪族烴環或含有雜原子之脂肪族環。

芳香族基所具有取代基為有機基時，含於該有機基的鍵結僅在不損害本發明之效果下並無特限定，有機基可含有：含有氧原子、氮原子、矽原子等雜原子之鍵結者。作為含有雜原子的鍵結之具體例子，可舉出醚鍵、硫代醚鍵、羰鍵、硫代羰鍵、酯鍵、醯胺鍵、胺基甲酸酯鍵、亞胺鍵(-N=C(-R)-、-C(=NR)-：R表示氫原子或有機基)、碳酸酯鍵、磺醯鍵及亞磺醯鍵、偶氮鍵等。

作為含有有機基可具有的雜原子之鍵結，由式(1)所示咪唑化合物之耐熱性的觀點來看，以醚鍵、硫代醚鍵、羰鍵、硫代羰鍵、酯鍵、醯胺鍵、胺基鍵(-NR-：R表示氫原子或1價有機基)胺基甲酸酯鍵、亞胺鍵(-N=C(-R)-、-C(=NR)-：R表示氫原子或1價有機基)、碳酸酯鍵、磺醯鍵及亞磺醯鍵為佳。

有機基為烴基以外的取代基時，烴基以外的取代基之種類在不損害本發明之目的的範圍下並無特別限定。作為烴基以外之取代基的具體例子，可舉出鹵素原子、羥基、巰基、硫醚基、氰基、異氰基、氰氧基、異氰酸酯基、硫代氰氧基、異硫代氰氧基、矽基、矽烷醇基、烷氧基、烷氧基羰基、胺基、單烷基胺基、二烷基鋁基、單芳基胺基、二芳基胺基、胺基甲醯基、硫代胺基甲醯基、硝基、亞硝基、羧酸酯基、醯基、醯氧基、亞磺基、磺酸基、膦基、氧膦基、膦酸基、烷基醚基、烯基醚基、烷基硫基醚基、烯基硫基醚基、芳基醚基及芳基硫基醚基等。於上述取代基所含的氫原子亦可藉由烴基而被取代。又，於上述取代基所含的烴基可為直鏈狀、分支鏈狀及環狀中任一種。

作為苯基、多環芳香族烴基，或芳香族雜環基所具有取代基，以碳原子數1以上12以下的烷基、碳原子數1以上12以下的芳基、碳原子數1以上12以下的烷氧基、碳原子數1以上12以下的芳基氧基、碳原子數1以上12以下的芳基胺基及鹵素原子為佳。

作為R² ，可便宜且容易地合成式(1)所示咪唑化合物，因咪唑化合物對於水或有機溶劑的溶解性為良好，故以可具有各取代基之苯基、呋喃基、噻吩基為佳。

式(1)中，R³ 為可具有取代基之伸烷基。伸烷基可具有的取代基在不阻礙本發明的目的之範圍下並無特別限定。作為伸烷基可具有的取代基之具體例子，可舉出羥基、烷氧基、胺基、氰基及鹵素原子等。伸烷基可為直鏈伸烷基，亦可為支鏈伸烷基，以直鏈伸烷基為佳。伸烷基之碳原子數並無特別限定，但以1以上20以下為佳，以1以上10以下為較佳，以1以上5以下為特佳。且，於伸烷基之碳原子數中，未含有鍵結於伸烷基之取代基的碳原子。

作為鍵結於伸烷基的取代基的烷氧基，可為直鏈烷氧基，亦可為支鏈烷氧基。作為取代基的烷氧基之碳原子數雖無特別限定，以1以上10以下為佳，以1以上6以下為較佳，以1以上3以下為特佳。

作為鍵結於伸烷基之取代基的胺基，可為單烷基胺基或二烷基胺基。於單烷基胺基或二烷基胺基所含的烷基，可為直鏈烷基亦可為支鏈烷基。於單烷基胺基或二烷基胺基所含的烷基之碳原子數並無特別限定，以1以上10以下為佳，以1以上6以下為較佳，以1以上3以下為特佳。

作為R³ 的較佳伸烷基之具體例子，可舉出伸甲基、乙烷-1,2-二基、n-丙烷-1,3-二基、n-丙烷-2,2-二基、n-丁烷-1,4-二基、n-戊烷-1,5-二基、n-己烷-1,6-二基、n-庚烷-1,7-二基、n-辛烷-1,8-二基、n-壬烷-1,9-二基、n-癸烷-1,10-二基、n-十一烷-1,11-二基、n-十二烷-1,12-二基、n-十三烷-1,13-二基、n-十四烷-1,14-二基、n-十五烷-1,15-二基、n-十六烷-1,16-二基、n-十七烷-1,17-二基、n-十八烷-1,18-二基、n-十九烷-1,19-二基及n-二十烷-1,20-二基。

R⁴ 為鹵素原子、羥基、巰基、硫醚基、矽基、矽烷醇基、硝基、亞硝基、磺酸根基、膦基、氧膦基、膦酸基，或有機基。n為0以上3以下的整數。n為2以上3以下的整數時，複數的R⁴ 各可為相同或相異。

R⁴ 為有機基之情況時，該有機基為與在R² 中，芳香族基中作為取代基可具有的有機基相同。

R⁴ 為有機基之情況時，作為有機基，以烷基、芳香族烴基及芳香族雜環基為佳。作為烷基，以碳原子數1以上8以下的直鏈狀或分支鏈狀烷基為佳，以甲基、乙基、n-丙基及異丙基為較佳。作為芳香族烴基，以苯基、萘基、聯苯基、蒽基及菲蒽基為佳，以苯基及萘基為較佳，以苯基為特佳。作為芳香族雜環基，以吡啶基、呋喃基、噻吩基、咪唑基、吡唑基、噁唑基、噻唑基、異噁唑基、異噻唑基、苯並噁唑基、苯並噻唑基及苯並咪唑基為佳，以呋喃基及噻吩基為較佳。

R⁴ 為烷基之情況時，在烷基之咪唑環上的鍵結位置以第2位、第4位、第5位中任一者皆佳，以第2位為較佳。R⁴ 為芳香族烴基及芳香族雜環基時，這些基在咪唑上的鍵結位置以第2位為佳。

在上述式(1)所示咪唑化合物之中，由可低價且容易地合成，且對於水或有機溶劑之溶解性為優良的觀點來看，以下述式(1-1)所示化合物為佳，以式(1-1)所示的R³ 為伸甲基之化合物為較佳。

(式(1-1)中，R¹ 、R³ 、R⁴ 及n與式(1)相同，R⁵ 、R⁶ 、R⁷ 、R⁸ 及R⁹ 各獨立為氫原子、鹵素原子、羥基、巰基、硫醚基、矽基、矽烷醇基、硝基、亞硝基、亞磺基、磺酸基、磺酸根基、膦基、氧膦基、膦醯基、膦酸基、胺基、季銨基，或有機基，但R⁵ 、R⁶ 、R⁷ 、R⁸ 及R⁹ 中至少1個為氫原子以外的基)。

R⁵ 、R⁶ 、R⁷ 、R⁸ 及R⁹ 為有機基時，該有機基與式(1)中之R² 中作為取代基而具有的有機基相同。R⁵ 、R⁶ 、R⁷ 及R⁸ 由咪唑化合物對溶劑(S)之溶解性的觀點來看以氫原子者為佳。

其中，亦以R⁵ 、R⁶ 、R⁷ 、R⁸ 及R⁹ 中至少1個為下述取代基者為佳，以R⁹ 為下述取代基者為特佳。R⁹ 為下述取代基時，R⁵ 、R⁶ 、R⁷ 及R⁸ 為氫原子者為佳。
-O-R¹⁰
(R¹⁰ 為氫原子或有機基)。

R¹⁰ 為有機基時，該有機基與式(1)中之R² 中作為取代基而具有的有機基相同。作為R¹⁰ ，以烷基為佳，以碳原子數1以上8以下的烷基為較佳，以碳原子數1以上3以下的烷基為特佳，以甲基為最佳。

在上述式(1-1)所示化合物之中，以下述式(1-1-1)所示化合物為佳。

(式(1-1-1)中，R¹ 、R⁴ 及n與式(1)相同，R¹¹ 、R¹² 、R¹³ 、R¹⁴ 及R¹⁵ 各獨立為氫原子、羥基、巰基、硫醚基、矽基、矽烷醇基、硝基、亞硝基、亞磺基、磺酸基、磺酸根基、膦基、氧膦基、膦醯基、膦酸基、胺基、季銨基，或有機基，但R¹¹ 、R¹² 、R¹³ 、R¹⁴ 及R¹⁵ 中至少1個為氫原子以外的基)

式(1-1-1)所示化合物之中，亦以R¹¹ 、R¹² 、R¹³ 、R¹⁴ 及R¹⁵ 的至少1個為前述-O-R¹⁰ 所示基者為佳，R¹⁵ 以-O-R¹⁰ 所示基者為特佳。R¹⁵ 為-O-R¹⁰ 所示基時，R¹¹ 、R¹² 、R¹³ 及R¹⁴ 以氫原子者為佳。

作為式(1)所示咪唑化合物的較佳具體例子，可舉出以下化合物。

聚醯亞胺前驅物組成物中，促進劑(A)或咪唑系化合物(A1)的含有量在不阻礙本發明的目的之範圍下並無特別限定。促進劑(A)或咪唑系化合物(A1)的含有量，對於後述樹脂前驅物成分(B)100質量份而言，例如1質量份以上，促進劑(A)或咪唑系化合物(A1)的含有量之上限並無特別限定，對於後述樹脂前驅物成分(B)100質量份而言，例如60質量份以下。促進劑(A)或咪唑系化合物(A1)的含有量對於後述樹脂前驅物成分(B)100質量份以5質量份以上50質量份以下為較佳，以10質量份以上40質量份以下為特佳。藉由使用該範圍的量之促進劑(A)或咪唑系化合物(A1)時，容易形成優良拉伸強度及斷裂伸長率，且優良耐熱性之聚醯亞胺膜。

＜樹脂前驅物成分(B)＞
樹脂前驅物成分(B)為含有由二胺成分(B1)與四羧酸二酐成分(B2)所成的單體成分及/或聚醯胺酸(B3)。以下對於單體成分與聚醯胺酸(B3)做說明。

[單體成分]
單體成分如前述，由二胺成分(B1)與四羧酸二酐成分(B2)所成。以下對於二胺成分(B1)與四羧酸二酐成分(B2)做說明。

(二胺成分(B1))
二胺成分為含有下述式(b1)所示芳香族二胺化合物；

(式(b1)中，R^1a 、R^1b 、R^2a 、R^2b 、R^3a 及R^3b 各獨立為1價烴基、-OR^4a 所示基、-SR^4b 所示基、醯基、烷氧基羰基、鹵素原子、氰基、-NHR^4c 所示基，或-N(R^4d )₂ 所示基，1價烴基、-OR^4a 所示基、-SR^4b 所示基、醯基、烷氧基羰基、-NHR^4c 所示基及-N(R^4d )₂ 所示基可由選自由-OR^4e 所示基、-SR^4f 所示基、醯基、烷氧基羰基、鹵素原子、氰基、-NHR^4g 所示基及-N(R^4h )₂ 所示基所成群的1以上之基所取代；
R^4a ～R^4g 各獨立為1價烴基；
X¹ 及X² 各獨立為-CO-NH-、-CO-O-、-NH-CO-NH-、
-CO-NH-CO-、-O-CO-NH-，或-CO-NH-CO-NH-；
環Y¹ 、環Y² 、環Y³ 及環Y⁴ 各獨立為芳香族烴環；
R為單鍵、可具有取代基的伸甲基、可具有取代基且於2個碳原子間可含有雜原子的伸乙基、-O-所示基、-NH-所示基，或-S-所示基；
n1及n2各獨立為0以上4以下的整數；
n3及n4各獨立為0以上5以下的整數；
n5及n6各獨立為0以上4以下的整數)。

藉由來自式(b1)所示芳香族二胺化合物的結構導入於聚醯亞胺樹脂，使用樹脂前驅物成分(B)所形成的聚醯亞胺樹脂顯示高折射率與低延遲。

對於上述式(b1)，作為環Y¹ 、環Y² 、環Y³ 及環Y⁴ ，例如可舉出苯環、縮合多環式芳香族烴環[例如縮合二環式烴環(例如萘環等C_8-20 縮合二環式烴環，以C_10-16 縮合二環式烴環為佳)、縮合三環式芳香族烴環(例如蒽環、菲環等)等縮合2至4環式芳香族烴環]等。環Y¹ 、環Y² 、環Y³ 及環Y⁴ 各以苯環或萘環者為佳，以苯環者為較佳。環Y³ 及環Y⁴ 可相同或相異，以任一環皆為苯環者為特佳。環Y¹ 及環Y² 可相同或相異，以任一環皆為苯環者為特佳。

對於式(b1)，X¹ 及X² 為-CO-NH-、-CO-O-、
-NH-CO-NH-、-CO-NH-CO-、-O-CO-NH-，或-CO-NH-CO-NH-。這些鍵結的方向並無特別限定。例如X¹ 為-CO-NH-時，即使於環Y³ 側上存在羰基(-CO-)，於環Y³ 側亦可存在胺基(
-NH-)。

對於式(b1)，作為R^1a 、R^1b 、R^2a 、R^2b 、R^3a 及R^3b ，例如烷基(例如甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基等C_1-12 烷基，以C_1-8 烷基為佳，較佳為C_1-6 烷基等)、環烷基(環己基等C_5-10 環烷基，以C_5-8 環烷基為佳，較佳為C_5-6 環烷基等)、芳基(例如苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等C_6-14 芳基，以C_6-10 芳基為佳，較佳為C_6-8 芳基等)、芳烷基(苯甲基、苯乙基等C_6-10 芳基-C_1-4 烷基等)等1價烴基；
烷氧基(甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等C_1-12 烷氧基，以C_1-8 烷氧基為佳，較佳為C_1-6 烷氧基等)、環烷氧基(環己基氧基等C_5-10 環烷氧基等)、芳基氧基(苯氧基等C_6-10 芳基氧基)、芳烷基氧基(例如苯甲基氧基等C_6-10 芳基-C_1-4 烷基氧基)等-OR^4a 所示基；
烷基硫基(甲基硫基、乙基硫基、丙基硫基、丁基硫基等C_1-12 烷基硫基，以C_1-8 烷基硫基為佳，較佳為C_1-6 烷基硫基等)、環烷基硫基(環己基硫基等C_5-10 環烷基硫基等)、芳基硫基(苯基硫基等C_6-10 芳基硫基)、芳烷基硫基(例如苯甲基硫基等C_6-10 芳基-C_1-4 烷基硫基)等-SR^4b 所示基；
醯基(乙醯基等C_1-6 醯基等)；
烷氧基羰基(甲氧基羰基等C_1-4 烷氧基-羰基等)；
鹵素原子(氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等)；
氰基；
烷基胺基(甲基胺基、乙基胺基、丙基胺基、丁基胺基等C_1-12 烷基胺基，以C_1-8 烷基胺基為佳，較佳為C_1-6 烷基胺基等)、環烷基胺基(環己基胺基等C_5-10 環烷基胺基等)、芳基胺基(苯基胺基等C_6-10 芳基胺基)、芳烷基胺基(例如苯甲基胺基等C_6-10 芳基-C_1-4 烷基胺基)等-NHR^4c 所示基；
二烷基胺基(二甲基胺基、二乙基胺基、二丙基胺基、二丁基胺基等二(C_1-12 烷基)胺基，以二(C_1-8 烷基)胺基為佳，較佳為二(C_1-6 烷基)胺基等)、二環烷基胺基(二環己基胺基等二(C_5-10 環烷基)胺基等)、二芳基胺基(二苯基胺基等二(C_6-10 芳基)胺基)、二芳烷基胺基(例如二苯甲基胺基等二(C_6-10 芳基-C_1-4 烷基)胺基)等-N(R^4d )₂ 所示基等非反應性取代基為佳。

R^1a 、R^1b 、R^2a 、R^2b 、R^3a 及R^3b 為1價烴基、
-OR^4a 所示基、-SR^4b 所示基、醯基、烷氧基羰基、-NHR^4c 所示基及-N(R^4d )₂ 所示基時，這些基亦可由選自由-OR^4e 所示基、-SR^4f 所示基、醯基、烷氧基羰基、鹵素原子、氰基、-NHR^4g 所示基及-N(R^4h )₂ 所示基所成群的1以上之基所取代。

這些取代基之較佳例子與-OR^4a 所示基、
-SR^4b 所示基、醯基、烷氧基羰基、鹵素原子、氰基、
-NHR^4c 所示基及-N(R^4d )₂ 所示基的較佳例子相同。

R^1a 、R^1b 、R^2a 、R^2b 、R^3a 及R^3b 各以複數形式存在時，複數基各可相同或相異。R^1a 、R^1b 、R^2a 、R^2b 、R^3a 及R^3b 的取代位置並無特別限定。

對於式(b1)，n1及n2各獨立為0以上4以下的整數，以0或1為佳，以0為較佳。n3及n4各獨立為0以上5以下的整數，以0或1為佳，以0為較佳。n5及n6各獨立為0以上5以下的整數，以0或1為佳，以0為較佳。

對於式(b1)，R為單鍵、可具有取代基的伸甲基、可具有取代基且於2個碳原子間可含有雜原子的伸乙基、-O-所示基、-NH-所示基，或-S-所示基，一般為單鍵。作為取代基，例如可舉出氰基、鹵素原子(氟原子、氯原子、溴原子等)、1價烴基[例如有烷基(甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、tert-丁基等C_1-6 烷基)及芳基(苯基等C_6-10 芳基)等]等。作為雜原子，例如可舉出氧原子、氮原子、硫原子及矽原子等。

作為以上說明的式(b1)所示芳香族二胺化合物，以下述式(b1-1)所示芳香族二胺化合物為佳；

(式(b1-1)中，R^1a 、R^1b 、R^2a 、R^2b 、R^3a 、R^3b 、X¹ 、X² 、環Y¹ 、環Y² 、R、n1、n2、n5及n6與式(b1)相同；n7及n8各獨立為0以上4以下的整數)；
對於式(b1-1)，作為n7及n8，各以0或1為佳，以0為較佳。

作為上述式(b1-1)所示芳香族二胺化合物，以下述式(b1-2)所示芳香族二胺化合物為佳；

(式(b1-2)中，R^1a 、R^1b 、R^2a 、R^2b 、R^3a 、R^3b 、環Y¹ 、環Y² 、R、n1、n2、n5及n6與式(b1)相同；n7及n8各獨立為0以上4以下的整數)。
對於式(b1-2)，作為n7及n8各以0或1為佳，以0為較佳。

作為上述式(b1-2)所示芳香族二胺化合物，以下述式(b1-3)所示芳香族二胺化合物為佳；

(式(b1-3)中，R^1a 、R^1b 、R^2a 、R^2b 、R^3a 、R^3b 、環Y¹ 、環Y² 、R、n1、n2、n5及n6與式(b1)相同；n7及n8各獨立為0以上4以下的整數)；對於式(b1-3)，作為n7及n8，各以0或1為佳，以0為較佳。

又，作為上述式(b1-2)所示芳香族二胺化合物，以下述式(b1-4)所示芳香族二胺化合物亦佳。

(式(b1-4)中，R^1a 、R^1b 、R^2a 、R^2b 、R^3a 、R^3b 、環Y¹ 、環Y² 、R、n1、n2、n5及n6與式(b1)相同；n7及n8各獨立為0以上4以下的整數)；對於式(b1-4)，作為n7及n8，各以0或1為佳，以0為較佳。

作為上述式(b1-3)所示芳香族二胺化合物，以下述式(b1-5)所示芳香族二胺化合物為佳；

(式(b1-5)中，R^1a 、R^1b 、R^2a 、R^2b 、R^3a 、R^3b 、環Y¹ 、環Y² 、R、n1、n2、n5及n6與式(b1)相同；n7及n8各獨立為0以上4以下的整數)；對於式(b1-5)，作為n7及n8，各以0或1為佳，以0為較佳。

對於以上說明的式(b1)，與式(b1-1)～式(b1-5)，環Y¹ 及環Y² 各為苯環，R以單鍵者為佳。換言之，式(b1)所示芳香族二胺化合物以含有芴環者為佳。

作為以上說明的式(b1)所示芳香族胺化合物之較佳具體例子，可舉出下述式之於第9位具有2個相同取代基之芴化合物。

又，將於上述化合物中之醯胺鍵(-CO-NH-)以-CO-O-、-NH-CO-NH-、-CO-NH-CO-、-O-CO-NH-，或
-CO-NH-CO-NH-進行取代的化合物亦可作為式(b1)所示化合物之較佳例子而舉出。

前述式(b1)所示芳香族二胺化合物之製造方法並無特別限定。
前述式(b1)所示芳香族二胺化合物，例如可藉由將下述式(b1-I)所示芳香族二硝基化合物所具有硝基(-NO₂ )進行氫化而轉變胺基(-NH₂ )而製造。

(式(b1-I)中，R^1a 、R^1b 、R^2a 、R^2b 、R^3a 、R^3b 、X¹ 、X² 、環Y¹ 、環Y² 、環Y³ 、環Y⁴ 、R及n1～n6與式(b1)相同)。

作為上述式(b1-I)所示化合物，以下述式(b1-I-1)所示化合物為佳；

(式(b1-I-1)中，R^1a 、R^1b 、R^2a 、R^2b 、R^3a 、R^3b 、X¹ 、X² 、環Y¹ 、環Y² 、R及n1～n6與式(b1)相同)。

式(b1-I)所示化合物的製造方法並無特別限定。例如，將下述式(b1-Ia)所示芳香族化合物、下述式(b1-Ib)所示化合物與下述式(b1-Ic)所示化合物進行反應，而可製造出式(b1-I)所示化合物；

(式(b1-Ia)，式(b1-Ib)及式(b1-Ic)中，R^1a 、R^1b 、R^2a 、R^2b 、R^3a 、R^3b 、環Y¹ 、環Y² 、環Y³ 、環Y⁴ 、R及n1～n6與式(b1)相同；
基X^1a 為藉由與基X^1b 的反應而形成式(b1-I)中之基X¹ 的基；
基X^2a 為藉由與基X^2b 的反應而形成式(b1-1)中之基X² 的基)。
其中，X^1a 及X^2a 為相同之基時，式(b1-Ib)所示化合物與式(b1-Ic)所示化合物可為相同的化合物，亦可為相異的化合物，以相同化合物者為佳。
又，式(b1-Ia)所示化合物，與式(b1-Ib)所示化合物及式(b1-Ic)所示化合物的反應為，可將3種化合物同時地混合而進行，亦可對於式(bI-Ia)所示化合物，將式(b1-Ib)所示化合物及式(b1-Ic)所示化合物中任一方的化合物添加後，再添加另一方化合物而進行。

基X^1a 與基X^1b 之反應為生成基X¹ 。基X^2a 與基X^2b 之反應為生成基X² 。
基X^1a 與基X^1b 的組合及基X^2a 與基X^2b 的組合各獨立為：
羧基(-COOH)或鹵代羰基(-COHal)與胺基(-NH₂ )之組合；
羧基(-COOH)或鹵代羰基(-COHal)與羥基之組合；
胺基(-NH₂ )與異氰酸酯基之組合；
羧基(-COOH)或鹵代羰基(-COHal)與胺基甲醯基(
-CO-NH₂ )之組合；
羥基與異氰酸酯基之組合；
或胺基甲醯基(-CO-NH₂ )與異氰酸酯基之組合。
對於這些組合，例如基X^1a 與基X^1b 的組合為羧基與胺基的組合時，X^1a 可為羧基而X^1b 可為胺基；X^1a 可為胺基而X^1b 可為羧基。

羧基(-COOH)或鹵代羰基(-COHal)，與胺基(-NH₂ )之組合為生成-CO-NH-之組合。
羧基(-COOH)或鹵代羰基(-COHal)，與羥基的組合為生成-CO-O-之組合。
胺基(-NH₂ )與異氰酸酯基之組合為生成-NH-CO-NH-之組合。
羧基(-COOH)或鹵代羰基(-COHal)，與胺基甲醯基(
-CO-NH₂ )的組合為生成-CO-NH-CO-之組合。
羥基與異氰酸酯基之組合為生成-O-CO-NH-之組合。
胺基甲醯基(-CO-NH₂ )與異氰酸酯基之組合為生成
-CO-NH-CO-NH-之組合。

將上述式(b1-Ia)所示芳香族化合物、下述式(b1-Ib)所示化合物與下述式(b1-Ic)所示化合物進行反應的方法並無特別限定。反應方法可考慮到基X^1a 與基X^1b 的組合及基X^2a 與基X^2b 的組合而自公知方法做適宜選擇。

將式(b1-Ia)所示芳香族化合物、下述式(b1-Ib)所示化合物與下述式(b1-Ic)所示化合物進行反應時的這些使用量，若可生成所望量的式(b1-I)所示化合物即可，並無特別限定。式(b1-Ib)所示化合物之使用量與式(b1-Ic)所示化合物之使用量，對於各獨立為式(b1-Ia)所示化合物1莫耳而言，以0.5莫耳以上2莫耳以下為佳，以0.7莫耳以上1.5莫耳以下為較佳，以0.9莫耳以上1.1莫耳以下為特佳。

將式(b1-1)所示芳香族二硝基化合物所具有硝基(-NO₂ )經氫化後變為胺基(-NH₂ )的方法並無特別限定，可適宜地選自公知的硝基之氫化方法。一般可舉出在鈀觸媒之存在下將式(b1-I)所示芳香族二硝基化合物與氫進行接觸之方法。

芳香族二胺化合物，例如可藉由將下述式(b1-II)所示芳香族化合物所具有Z¹ -NH-，或Z² -NH-所示經保護的胺基進行脫保護後，變成胺基(-NH₂ )而製造。

(式(b1-II)中，R^1a 、R^1b 、R^2a 、R^2b 、R^3a 、R^3b 、X¹ 、X² 、環Y¹ 、環Y² 、環Y³ 、環Y⁴ 、R及n1～n6與式(b1)相同；Z¹ 及Z² 為保護各胺基，且可進行脫保護的保護基)。

作為上述式(b1-II)所示化合物，下述式(b1-II-1)所示化合物為佳；

(式(b1-II-1)中，R^1a 、R^1b 、R^2a 、R^2b 、R^3a 、R^3b 、X¹ 、X² 、環Y¹ 、環Y² 、R及n1～n6與式(b1)相同；Z¹ 及Z² 為保護各胺基，且可進行脫保護的保護基)。

所謂作為Z¹ 及Z² 的保護基表示，將胺基轉變為對於特定化學反應條件在實質上為惰性之相異化學基的官能基。保護基可在良好產率下可簡單且選擇性地除去。於保護基的例子中，含有甲醯基、乙醯基、苯甲基、tert-丁基二甲基矽基、tert-丁基二苯基矽基、tert-丁基氧羰基(Boc)、p-甲氧基苯甲基、甲氧基甲基、甲苯磺醯基、三氟乙醯基、三甲基矽基(TMS)基、芴基甲基氧羰基(Fmoc)、2-三甲基矽基乙氧基羰基、1-甲基-1-(4-聯苯基)乙氧基羰基、烯丙基氧羰基、苯甲基氧羰基(CBZ)、2-三甲基矽基-乙烷磺醯基(SES)、三苯甲基及取代三苯甲基、9-芴基甲基氧羰基(FMOC)、硝基-藜蘆基氧羰基(NVOC)等，但並未限定於此等。

式(b1-II)所示化合物的製造方法並無特別限定。例如，將下述式(b1-Ia)所示芳香族化合物、下述式(b1-IIb)所示化合物與下述式(b1-IIc)所示化合物進行反應後，可製造式(b1-II)所示化合物；

(式(b1-Ia)，式(b1-IIb)及式(b1-IIc)中，R^1a 、R^1b 、R^2a 、R^2b 、R^3a 、R^3b 、環Y¹ 、環Y² 、環Y³ 、環Y⁴ 、R及n1～n6與式(b1)相同；Z¹ 及Z² 與式(b1-II)相同；
基X^1a 為藉由與基X^1b 的反應而形成式(b1-II)中之基X¹ 的基；
基X^2a 為藉由與基X^2b 的反應而形成式(b1-II)中之基X² 的基)。

對於基X^1a 與基X^1b 的組合，及基X^2a 與基X^2b 的組合，如對於式(b1-Ia)所示芳香族化合物、式(b1-Ib)所示化合物與式(b1-Ic)所示化合物的反應之說明。

將式(b1-Ia)所示芳香族化合物、下述式(b1-IIb)所示化合物與下述式(b1-IIc)所示化合物進行反應時的這些使用量，若可生成所望量的式(b1-II)所示化合物即可，並無特別限定。式(b1-IIb)所示化合物的使用量與式(b1-IIc)所示化合物的使用量，對於各獨立為式(b1-Ia)所示化合物1莫耳而言，以0.5莫耳以上2莫耳以下為佳，以0.7莫耳以上1.5莫耳以下為較佳，以0.9莫耳以上1.1莫耳以下為特佳。

將Z¹ -NH-，或Z² -NH-所示經保護的胺基進行脫保護而轉變為胺基(-NH₂ )的方法，若為過去公知方法即可，並無特別限制。脫保護可配合保護基之種類而藉由公知手段進行。

又，式(b1)所示芳香族二胺化合物可由將下述式(b1-IIIb)所示化合物、下述式(b1-IIIc)所示化合物與下述式(b1-Ia)所示芳香族化合物進行反應而製造；

(式(b1-Ia)，式(b1-IIIb)及式(b1-IIIc)及中，R^1a 、R^1b 、R^2a 、R^2b 、R^3a 、R^3b 、環Y¹ 、環Y² 、環Y³ 、環Y⁴ 、R及n1～n6與式(b1)相同；
基X^1a 為藉由與基X^1b 的反應而形成式(b1)中之基X¹ 的基；
基X^2a 為藉由與基X^2b 的反應而形成式(b1)中之基X² 的基)。
依據該方法，有容易產生副反應的情況產生，因不需要硝基之氫化，或經保護的胺基之脫保護等步驟，故容易進行式(b1)所示芳香族胺化合物之合成。

對於基X^1a 與基X^1b 的組合，與基X^2a 與基X^2b 的組合，如對於式(b1-Ia)所示芳香族化合物、式(b1-Ib)所示化合物與式(b1-Ic)所示化合物之反應所做的說明。
但，將式(a1-Ia)所示芳香族化合物、式(a1-IIIb)所示化合物與式(a1-IIIc)所示化合物進行反應時，X^1a 與基X^1b 的組合與基X^2a 與基X^2b 的組合，限定為羧基(-COOH)或鹵代羰基(-COHal)與胺基(-NH₂ )的組合、羧基(-COOH)或鹵代羰基(-COHal)與羥基的組合，或羧基(-COOH)或鹵代羰基(-COHal)與胺基甲醯基(-CO-NH₂ )的組合。

二胺成分(B1)僅不阻礙本發明之目的下，可同時含有式(b1)所示芳香族二胺化合物，與非相當式(b1)所示芳香族二胺化合物之其他二胺化合物。
作為有關該其他二胺化合物之較佳例子，可舉出下述式(2)所示二胺化合物。其他二胺化合物可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。

H₂ N-R^b10 -NH₂ ･･･(2)

(式中，R^b10 為碳原子數6以上40以下的芳基。但，式(2)所示二胺化合物並不相當於式(b1)所示芳香族二胺化合物)。

作為式(2)中之R^b10 所選擇的芳基為碳原子數為6以上40以下，以6以上30以下為佳，較佳為12以上20以下之芳基。
芳基的碳原子數若超過40時，所得之聚醯亞胺樹脂的耐熱性有降低之傾向。若芳基之碳原子數未達6時，所得之聚醯亞胺樹脂對於溶劑之溶解性有降低之傾向。

作為式(2)中之R^b10 ，由所得之聚醯亞胺樹脂的折射率之高度、耐熱性與對於溶劑之溶解性的平衡之觀點來看，以下述式(3)～(9)所示基中至少1種者為佳。

(式(5)～(7)及式(9)中，R¹¹ 表示選自由氫原子、溴原子、氟原子、羥基、甲基、乙基及三氟甲基所成群的1種。
式(6)中，Q¹ 表示選自由-C₆ H₄ -、-CONH-C₆ H₄ -NHCO-、-NHCO-C₆ H₄ -CONH-、-O-C₆ H₄ -CO-C₆ H₄ -O-、
-OCO-C₆ H₄ -COO-、-OCO-C₆ H₄ -C₆ H₄ -COO-、-OCO-、
-O-、-S-、-CO-、-CONH-、-SO-、-SO₂ -、-C(CF₃ )₂ -、
-C(CH₃ )₂ -、-CH₂ -、-CH=CH-、-C≡C-、
-O-C₆ H₄ -C(CH₃ )₂ -C₆ H₄ -O-、-O-C₆ H₄ -C(CF₃ )₂ -C₆ H₄ -O-、
-O-C₆ H₄ -S-C₆ H₄ -O-、-O-C₆ H₄ -SO-C₆ H₄ -O-、
-O-C₆ H₄ -SO₂ -C₆ H₄ -O-、-C(CH₃ )₂ -C₆ H₄ -C(CH₃ )₂ -、
-O-C₆ H₄ -C₆ H₄ -O-、-O-C₆ H₄ -O-、-O-C₁₀ H₆ -O-及
-O-C₆ Br₂ H₂ -C(CH₃ )₂ -C₆ Br₂ H₂ -O-及下述式(10)所示基所成群之1種；

式(7)中，A表示-S-、-SO-，或-SO₂ -。
式(10)中，Q² 表示單鍵、-C(CF₃ )₂ -、-C(CH₃ )₂ -，或
-CH₂ -。
-C₆ H₄ -表示苯二基(伸苯基)，以苯-1,4-二基(p-伸苯基)為佳。
-C₁₀ H₆ -表示萘二基，以萘-1,6-二基、萘-1,5-二基及萘-1,4-二基為佳。
-C₆ Br₂ H₂ -表示二溴伸苯基，以3,5-二溴苯-1,4-二基為佳)

作為式(5)～(7)及式(9)中之R¹¹ ，由所得之聚醯亞胺樹脂的耐熱性之觀點來看，以氫原子、溴原子、氟原子、甲基或乙基為較佳，以氫原子為特佳。

作為式(6)中之Q¹ ，由所得之聚醯亞胺樹脂的耐熱性與對溶劑之溶解性的平衡之觀點來看，以
-O-C₆ H₄ -O-、-O-、-C(CH₃ )₂ -、-CH₂ -，或
-O-C₆ H₄ -C(CH₃ )₂ -C₆ H₄ -O-、-CONH-為佳，以-O-C₆ H₄ -O-，或-O-為特佳。
又，由容易得到折射率高之聚醯亞胺樹脂的觀點來看，作為式(6)中之Q¹ ，以-S-、-SO-、-SO₂ -、
-O-C₆ H₄ -S-C₆ H₄ -O-、-O-C₆ H₄ -SO-C₆ H₄ -O-，或
-O-C₆ H₄ -SO₂ -C₆ H₄ -O-為佳。

式(3)～(9)所示基之中，由容易取得所得之聚醯胺樹脂的折射率與折射率以外的其他特性之平衡的觀點來看，以式(5)～(9)所示基為較佳，以式(6)～(9)所示基為特佳。

作為式(2)所示二胺化合物之較佳具體例子，可舉出4,4’-二胺基二苯基硫化物、3,3’-二胺基二苯基硫化物、雙{4-(4-胺基苯氧基)苯基}硫化物、雙{4-(3-胺基苯氧基)苯基}硫化物、3,7-二胺基-2,8-二甲基二苯並噻吩及2,2-雙(3-胺基-4-羥基苯基)硫化物等二胺基硫化物類；
4,4’-二胺基二苯基亞碸、3,3’-二胺基二苯基亞碸、雙{4-(4-胺基苯氧基)苯基}亞碸、雙{4-(3-胺基苯氧基)苯基}亞碸、3,7-二胺基-2,8-二甲基二苯並噻吩-5-氧化物及2,2-雙(3-胺基-4-羥基苯基)亞碸等二胺基亞碸類；
4,4’-二胺基二苯基碸、3,3’-二胺基二苯基碸、雙{4-(4-胺基苯氧基)苯基}碸、雙{4-(3-胺基苯氧基)苯基}碸、2,2-雙(3-胺基-4-羥基苯基)碸及3,7-二胺基-2,8-二甲基二苯並噻吩-5,5-二氧化物等二胺基碸類；
2,2-雙{4-(4-胺基苯氧基)-3,5-二溴苯基}丙烷等溴取代二胺類；
4,4’-二胺基芪、3,3’-二胺基芪及3,4’-二胺基芪等碳-碳雙鍵含有二胺類；
4,4’-二胺基二苯基乙炔、3.3’-二胺基二苯基乙炔、3,4’-二胺基二苯基乙炔、1,3-雙(3-胺基苯氧基)-5-(2-苯基乙炔基)苯、1,3-雙(4-胺基苯氧基)-5-(2-苯基乙炔基)苯及2,4-二胺基-4’-苯基乙炔基二苯基醚等碳-碳參鍵含有二胺類；
3,3’-二苯基-4,4’-雙(4-胺基苯氧基)聯苯基、2,2-雙{3-苯基-4-(4-胺基苯氧基)苯基}丙烷、1,6-雙(4-胺基苯氧基)萘及1,5-雙(4-胺基苯氧基)萘、1,4-雙(4-胺基苯氧基)萘等多環芳香族二胺類。

二胺成分(B1)中之式(b1)所示芳香族二胺化合物的量在不阻礙本發明的目的之範圍下並無特別限定。對於二胺成分(B1)的質量，式(b1)所示芳香族二胺化合物的質量之比率，例如以50質量%以上為佳，以70質量%以上為較佳，以90質量%以上為更佳，以95質量%以上為特佳。二胺成分(B1)亦可僅含有式(b1)所示芳香族二胺化合物。

單體成分中之二胺成分(B1)的含有量在不阻礙本發明的目的之範圍下並無特別限定。
單體成分中之二胺成分(B1)的含有量，後述四羧酸二酐成分(B2)之量對於二胺成分(B1)1莫耳而言以0.2莫耳以上2莫耳以下的量為佳，以0.3莫耳以上1.2莫耳以下的量為較佳。

(四羧酸二酐成分(B2))
四羧酸二酐成分(B2)若為使用於自過去的聚醯亞胺樹脂之製造的四羧酸二酐即可，並無特別限定。四羧酸二酐成分(B2)可組合2種以上之四羧酸二酐而含有。

所得之聚醯亞胺樹脂的優良透明性與優良機械特性之兩立的觀點來看，四羧酸二酐成分(B2)以含有具有脂環式基的四羧酸二酐者為佳，以含有下述式(b2)所示降冰片烷-2-螺-α-環烷酮-α’-螺-2”-降冰片烷-5,5”,6,6”-四羧酸二酐類者為較佳。

(式(b2)中，R^b1 、R^b2 及R^b3 各獨立表示選自由氫原子、碳原子數1以上10以下的烷基及氟原子所成群的1種，m表示0以上12以下之整數)。

作為式(b2)中之R^b1 所選擇的烷基為碳原子數1以上10以下的烷基。烷基的碳原子數若超過10時，所得之聚醯亞胺樹脂的耐熱性容易降低。R^b1 為烷基時，該碳原子數由容易得到耐熱性優良的聚醯亞胺樹脂之觀點來看，以1以上6以下為佳，以1以上5以下為較佳，以1以上4以下為更佳，以1以上3以下為特佳。
R^b1 為烷基時，該烷基可為直鏈狀亦可為分支鏈狀。

作為式(b2)中之R^b1 ，由所得之聚醯亞胺樹脂具有優良耐熱性之觀點來看，各獨立以氫原子或碳原子數1以上10以下的烷基者為較佳。由容易獲得或純化式(b2)所示四羧酸二酐之觀點來看，式(b2)中之R^b1 以氫原子、甲基、乙基、n-丙基或異丙基者為較佳，以氫原子或甲基者為特佳。
式(b2)中之複數R^b1 由容易純化式(b2)所示四羧酸二酐之觀點來看，以相同基者為佳。

式(b2)中之m表示0以上12以下的整數。m之值超過12時，式(b2)所示四羧酸二酐的純化變的困難。
由式(b2)所示四羧酸二酐的純化容易度來看，m的上限以5為佳，以3較佳。
由式(b2)所示四羧酸二酐之化學穩定性的觀點來看，以m之下限為1者為佳，以2者為較佳。
式(b1)中之m以2或3為特佳。

作為式(b2)中之R^b2 及R^b3 而可選擇的碳原子數1以上10以下的烷基，與作為R^b1 而可選擇的碳原子數1以上10以下的烷基相同。
R^b2 及R^b3 由容易純化式(b2)所示四羧酸二酐的觀點來看，以氫原子，或碳原子數1以上10以下(以1以上6以下為佳，較佳為1以上5以下，更佳為1以上4以下，特佳為1以上3以下)的烷基者為佳，以氫原子或甲基者為特佳。

作為式(b2)所示四羧酸二酐，例如可舉出降冰片烷-2-螺-α-環戊酮-α’-螺-2”-降冰片烷-5,5”,6,6”-四羧酸二酐(別名「降冰片烷-2-螺-2’-環戊酮-5’-螺-2”-降冰片烷-5,5”,6,6”-四羧酸二酐」)、甲基降冰片烷-2-螺-α-環戊酮-α’-螺-2”-(甲基降冰片烷)-5,5”,6,6”-四羧酸二酐、降冰片烷-2-螺-α-環己酮-α’-螺-2”-降冰片烷-5,5”,6,6”-四羧酸二酐(別名「降冰片烷-2-螺-2’-環己酮-6’-螺-2”-降冰片烷-5,5”,6,6”-四羧酸二酐」)、甲基降冰片烷-2-螺-α-環己酮-α’-螺-2”-(甲基降冰片烷)-5,5”,6,6”-四羧酸二酐、降冰片烷-2-螺-α-環丙酮-α’-螺-2”-降冰片烷-5,5”,6,6”-四羧酸二酐、降冰片烷-2-螺-α-環丁酮-α’-螺-2”-降冰片烷-5,5”,6,6”-四羧酸二酐、降冰片烷-2-螺-α-環庚酮-α’-螺-2”-降冰片烷-5,5”,6,6”-四羧酸二酐、降冰片烷-2-螺-α-環辛酮-α’-螺-2”-降冰片烷-5,5”,6,6”-四羧酸二酐、降冰片烷-2-螺-α-環壬酮-α’-螺-2”-降冰片烷-5,5”,6,6”-四羧酸二酐、降冰片烷-2-螺-α-環癸酮-α’-螺-2”-降冰片烷-5,5”,6,6”-四羧酸二酐、降冰片烷-2-螺-α-環十一酮-α’-螺-2”-降冰片烷-5,5”,6,6”-四羧酸二酐、降冰片烷-2-螺-α-環十二酮-α’-螺-2”-降冰片烷-5,5”,6,6”-四羧酸二酐、降冰片烷-2-螺-α-環十三酮-α’-螺-2”-降冰片烷-5,5”,6,6”-四羧酸二酐、降冰片烷-2-螺-α-環四癸酮-α’-螺-2”-降冰片烷-5,5”,6,6”-四羧酸二酐、降冰片烷-2-螺-α-環十五酮-α’-螺-2”-降冰片烷-5,5”,6,6”-四羧酸二酐、降冰片烷-2-螺-α-(甲基環戊酮)-α’-螺-2”-降冰片烷-5,5”,6,6”-四羧酸二酐及降冰片烷-2-螺-α-(甲基環己酮)-α’-螺-2”-降冰片烷-5,5”,6,6”-四羧酸二酐等。

又，式(b2)所示四羧酸二酐由薄膜特性、熱物性、機械物性、光學特性、電特性的調整之觀點來看，以含有下述式(b2-1)：

(式(b2-1)中，R^b1 、R^b2 、R^b3 、m與式(b2)中之R^b1 、R^b2 、R^b3 、m同義)所示化合物(B2-1)及下述式(b2-2)：

(式(b2-2)中，R^b1 、R^b2 、R^b3 、m與式(b2)中之R^b1 、R^b2 、R^b3 、m同義)所示化合物(B2-2)中至少1種者為佳。此時，對於式(b2)所示四羧酸二酐之量，化合物(B2-1)及化合物(B2-2)的總量比率以30莫耳%以上者為佳。

式(b2-1)所示化合物(B2-1)成為以下異構物，該異構物為：2個降冰片烷基為反式構型，且對於各該2個降冰片烷基而言環烷酮之羰基為終點之立體構型的式(b2)所示四羧酸二酐之異構物。
式(b2-2)所示化合物(B2-2)成為以下異構物，該異構物為：2個降冰片烷基為順式構型，且對於各該2個降冰片烷基而言，環烷酮的羰基為終點之立體構型的式(b2)所示四羧酸二酐之異構物。
且，將如此異構物以上述比率下含有的四羧酸二酐之製造方法亦並無特別限制，可適宜地採用公知方法，例如亦可適宜地採用國際公開第2014/034760號所記載的方法等。

四羧酸二酐成分(B2)亦可含有除式(b2)所示四羧酸二酐以外的其他四羧酸二酐。

作為其他四羧酸二酐類之較佳例子，可舉出丁烷四羧酸二酐、1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐、1,2,3,4-環戊烷四羧酸二酐、2,3,5-三羧基環戊基乙酸二酐、3,5,6-三羧基降冰片烷-2-乙酸二酐、2,3,4,5-四氫呋喃四羧酸二酐、1,3,3a,4,5,9b-六氫-5-(四氫-2,5-二氧代-3-呋喃基)-萘[1,2-c]-呋喃-1,3-二酮、1,3,3a,4,5,9b-六氫-5-甲基-5-(四氫-2,5-二氧代-3-呋喃基)-萘[1,2-c]-呋喃-1,3-二酮、1,3,3a,4,5,9b-六氫-8-甲基-5-(四氫-2,5-二氧代-3-呋喃基)-萘[1,2-c]-呋喃-1,3-二酮、5-(2,5-二氧代四氫呋喃)-3-甲基-3-環己烯-1,2-二羧酸二酐、聯環[2.2.2]-辛-7-烯-2,3,5,6-四羧酸二酐、聯環[2.2.1]-庚烷-2,3,5,6-四羧酸二酐、(4H,8H)-十氫-1,4：5,8-二甲基萘-2,3,6,7-四羧酸二酐、五環[9.2.1.1^4,7 .0^2,10 .0^3,8 ]-十五烷-5,6,12,13-四羧酸二酐等脂肪族或脂環式四羧酸二酐；苯四酸二酐、3,3’,4,4’-二苯甲酮四羧酸二酐、3,3’,4,4’-聯苯基碸四羧酸二酐、1,4,5,8-萘四羧酸二酐、2,3,6,7-萘四羧酸二酐、3,3’,4,4’-聯苯基醚四羧酸二酐、3,3’,4,4’-二甲基二苯基矽烷四羧酸二酐、3,3’,4,4’-四苯基矽烷四羧酸二酐、1,2,3,4-呋喃四羧酸二酐、4,4’-雙(3,4-二羧基苯氧基)二苯基硫化物二酐、4,4’-雙(3,4-二羧基苯氧基)二苯基碸二酐、4,4’-雙(3,4-二羧基苯氧基)二苯基丙烷二酐、3,3’,4,4’-全氟異亞丙基二鄰苯二甲酸二酐、4,4’-(2,2-六氟異亞丙基)二鄰苯二甲酸二酐、3,3’,4,4’-聯苯基四羧酸二酐、2,3,3’,4’-聯苯基四羧酸二酐、雙(鄰苯二甲酸)苯基膦氧化物二酐、p-伸苯基-雙(三苯基鄰苯二甲酸)二酐、m-伸苯基-雙(三苯基鄰苯二甲酸)二酐、雙(三苯基鄰苯二甲酸)-4,4’-二苯基醚二酐、雙(三苯基鄰苯二甲酸)-4,4’-二苯基甲烷二酐等芳香族四羧酸二酐等。
且，使用芳香族四羧酸二酐時，有時所形成的膜上容易產生著色。此時，考慮所形成的膜之著色程度，適宜地變更該使用量者為佳。

對於四羧酸二酐成分(B2)之總量，式(b2)所示四羧酸二酐之量的比率，一般為50質量%以上，以70質量%以上為佳，以90質量%以上為較佳，以100質量%為特佳。
四羧酸二酐成分(B2)與二胺成分(B1)之量的關係如前述所示。

[聚醯胺酸(B3)]
樹脂前驅物成分(B)含有聚醯胺酸(B3)時，該聚醯胺酸(B3)含有：具有下述式(b3)所示構成單位之聚醯胺酸；

(式(b3)中，R^1a 、R^1b 、R^2a 、R^2b 、R^3a 、R^3b 、X¹ 、X² 、環Y¹ 、環Y² 、環Y³ 、環Y⁴ 、R、n1、n2、n3、n4、n5及n6與式(b1)相同；Z¹ 為4價有機基)。

式(b3)所示構成單位與前述式(b1)所示芳香族二胺化合物相同，藉由具有式(b3)所示構成單位之結構，使用樹脂前驅物成分(B)所形成的聚醯亞胺樹脂顯示高折射率與低延遲。

式(b3)中之Z¹ 若為4價有機基，在不阻礙本發明之目的之範圍下並無特別限定。
作為Z¹ ，一般為自對於前述四羧酸二酐成分(B2)所例示的化合物除去2個酸酐基之4價殘基。
作為Z¹ ，由容易得到著色較少的高透明之聚醯亞胺樹脂的觀點來看，含有脂環式基之4價有機基為佳，以除去式(b2)所示四羧酸二酐的2個酸酐基之4價殘基為佳。
換言之，作為Z¹ ，以下述式(b2-1)

(式(b2-1)中，R^b1 、R^b2 、R^b3 及m與式(b2)相同)所示4價有機基為佳。

作為式(b3)所示構成單位，以下述式(b3-1)：

(式(b3-1)中，R^1a 、R^1b 、R^2a 、R^2b 、R^3a 、R^3b 、X¹ 、X² 、環Y¹ 、環Y² 、R、n1、n2、n5及n6與式(b1)相同；n7及n8各獨立為0以上4以下的整數；Z¹ 為4價有機基)
所示構成單位為佳。式(b3-1)中，作為n7及n8，各以0或1為佳，以0為較佳。

作為式(b3-1)所示構成單位，以下述式(b3-2)：

(式(b3-2)中，R^1a 、R^1b 、R^2a 、R^2b 、R^3a 、R^3b 、環Y¹ 、環Y² 、R、n1、n2、n5及n6與式(b1)相同；n7及n8各獨立為0以上4以下的整數；Z¹ 為4價有機基)所示構成單位為佳。
對於式(b3-2)，作為n7及n8，各以0或1為佳，以0為較佳。

作為式(b3-2)所示構成單位，以下述式(b3-3)：

(式(b3-3)中，R^1a 、R^1b 、R^2a 、R^2b 、R^3a 、R^3b 、環Y¹ 、環Y² 、R、n1、n2、n5及n6與式(b1)相同；n7及n8各獨立為0以上4以下的整數；Z¹ 為4價有機基)所示構成單位為佳。
對於式(b3-3)，作為n7及n8，各以0或1為佳，以0為較佳。

作為式(b3-2)所示構成單位，以下述式(b3-4)：

(式(b3-4)中，R^1a 、R^1b 、R^2a 、R^2b 、R^3a 、R^3b 、環Y¹ 、環Y² 、R、n1、n2、n5及n6與式(b1)相同；n7及n8各獨立為0以上4以下的整數；Z¹ 為4價有機基)所示構成單位亦佳。
對於式(b3-4)，作為n7及n8，各以0或1為佳，以0為較佳。

作為式(b3-4)所示構成單位，以下述式(b3-5)：

(式(b3-5)中，R^1a 、R^1b 、R^2a 、R^2b 、R^3a 、R^3b 、環Y¹ 、環Y² 、R、n1、n2、n5及n6與式(b1)相同；n7及n8各獨立為0以上4以下的整數；Z¹ 為4價有機基)所示構成單位為佳。
對於式(b3-5)，作為n7及n8，各以0或1為佳，以0為較佳。

聚醯胺酸(B3)的製造方法並無特別限定。聚醯胺酸(B3)一般藉由前述二胺成分(B1)與四羧酸二酐成分(B2)之反應而製造。
聚醯胺酸以含有由前述式(b2)所示四羧酸二酐與二胺成分(B1)所衍生的構成單位者為佳，以將由前述化合物(B2-1)與二胺成分(B1)所衍生的構成單位及由前述化合物(B2-2)與二胺成分(B1)所衍生的構成單位，在與化合物(B2-1)及化合物(B2-2)的相同莫耳比率下含有者為較佳。

使聚醯胺酸進行合成時的二胺成分(B1)及四羧酸二酐成分(B2)之比率，與對於單體成分所說明的二胺成分(B1)與四羧酸二酐成分(B2)之比率相同。

二胺成分(B1)與四羧酸二酐成分(B2)之反應，通常在有機溶劑中進行。使用於二胺成分(B1)與四羧酸二酐成分(B2)之反應的有機溶劑，其可溶解二胺成分(B1)及四羧酸二酐成分(B2)，與二胺成分(B1)及四羧酸二酐成分(B2)不會進行反應的有機溶劑即可，並無特別限定。有機溶劑可單獨使用，或亦可混和2種以上後使用。

作為使用於二胺成分(B1)與四羧酸二酐成分(B2)的反應之有機溶劑，例如可使用後述溶劑(S)者為佳。
在該有機溶劑之中，由對所生成的聚醯胺酸(B3)之溶劑(S)的溶解性來看，以N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二乙基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二乙基甲醯胺、N-甲基己內醯胺及N,N,N’,N’-四甲基脲等含氮極性溶劑為佳。

於聚醯胺酸(B3)合成時，有機溶劑的使用量為，例如對於二胺成分(B1)之質量與四羧酸二酐成分(B2)之質量的合計，在反應液中為0.1質量%以上50質量%以下，以10質量%以上30質量%以下之使用量為佳。

於將二胺成分(B1)與四羧酸二酐成分(B2)進行反應時，由可得到反應速度提高與高聚合度之聚醯胺酸的觀點來看，於有機溶劑中可進一步添加鹼化合物。
作為如此鹼性化合物，並無特別限制，例如可舉出三乙基胺、四丁基胺、四己基胺、1,8-二氮雜雙環[5.4.0]-十一碳烯-7、吡啶、異喹啉、α-甲基吡啶等。
如此鹼化合物之使用量對於四羧酸二酐成分1當量而言，以0.001當量以上10當量以下為佳，以0.01當量以上0.1當量以下為較佳。

將二胺成分(B1)與四羧酸二酐成分(B2)進行反應時的反應溫度，僅使反應可良好地進行即可，並無特別限制。反應溫度以15℃以上30℃以下為佳。反應在惰性氣體環境下進行者為佳。反應時間亦無特別限制，例如以10小時以上48小時以下者為佳。

如以上說明，樹脂前驅物成分(B)為含有：由含有上述式(b1)所示芳香族二胺化合物的二胺成分(B1)與四羧酸二酐成分(B2)所成的單體成分，及/或具有上述式(b3)所示構成單位之聚醯胺酸(B3)。

樹脂前驅物成分(B)係以含有：由含有上述式(b1-1)所示芳香族二胺化合物之二胺成分(B1)與四羧酸二酐成分(B2)所成的單體成分，及/或具有上述式(b3-1)所示構成單位之聚醯胺酸(B3)者為佳。

樹脂前驅物成分(B)係以含有：由含有上述式(b1-2)所示芳香族二胺化合物的二胺成分(B1)與四羧酸二酐成分(B2)所成的單體成分，及/或具有上述式(b3-2)所示構成單位的聚醯胺酸(B3)者為佳。

樹脂前驅物成分(B)係以含有：由含有上述式(b1-3)所示芳香族二胺化合物的二胺成分(B1)與四羧酸二酐成分(B2)所成的單體成分，及/或具有上述式(b3-3)所示構成單位的聚醯胺酸(B3)者為佳。

樹脂前驅物成分(B)係以含有：由含有上述式(b1-4)所示芳香族二胺化合物的二胺成分(B1)與四羧酸二酐成分(B2)所成的單體成分，及/或具有上述式(b3-4)所示構成單位之聚醯胺酸(B3)者為佳。

樹脂前驅物成分(B)係以含有：由含有上述式(b1-5)所示芳香族二胺化合物的二胺成分(B1)與四羧酸二酐成分(B2)所成的單體成分，及/或具有上述式(b3-5)所示構成單位的聚醯胺酸(B3)者為佳。

＜溶劑(S)＞
聚醯亞胺前驅物組成物含有溶劑(S)。聚醯亞胺前驅物組成物只要可形成膜，可為含有固體的糊，亦可為溶液。由容易形成均質且平滑的膜之觀點來看，聚醯亞胺前驅物組成物以溶液為佳。溶劑可單獨使用或亦可混和2種以上使用。

溶劑(S)之種類以不阻礙本發明之目的的範圍下，並無特別限定。作為較佳溶劑(S)之例，可舉出N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)、N,N-二甲基乙醯胺(DMAc)、N,N-二甲基異丁基醯胺、N,N-二乙基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺(DMF)、N,N-二乙基甲醯胺、N-甲基己內醯胺、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮(DMI)、吡啶及N,N,N’,N’-四甲基脲(TMU)等含氮極性溶劑；β-丙內酯、γ-丁內酯、γ-戊內酯、δ-戊內酯、γ-己內酯及ε-己內酯等內酯系極性溶劑；二甲基亞碸；六甲基磷醯三胺；乙腈；乳酸乙酯及乳酸丁酯等脂肪酸酯類；二乙二醇二甲基醚、二乙二醇二乙基醚、二噁烷、四氫呋喃、甲基溶纖劑乙酸酯及乙基溶纖劑乙酸酯、乙二醇二甲醚(Glyme)等醚類；環戊酮、環己酮等酮類；苯、甲苯、二甲苯等的芳香族系溶劑。

溶劑又以含有下述式(S1)所示化合物者為佳。

(式(S1)中，R^S1 及R^S2 各獨立為碳原子數1以上3以下的烷基，R^S3 為下述式(S1-1)或下述式(S1-2)：

所示基。式(S1-1)中，R^S4 為氫原子或羥基，R^S5 及R^S6 各獨立為碳原子數1以上3以下的烷基。式(S1-2)中，R^S7 及R^S8 各獨立為氫原子，或碳原子數1以上3以下的烷基)。

於式(S1)所示化合物中，作為R^S3 為式(S1-1)所示基情況的具體例子，可舉出N,N,2-三甲基丙醯胺、N-乙基,N,2-二甲基丙醯胺、N,N-二乙基-2-甲基丙醯胺、N,N,2-三甲基-2-羥基丙醯胺、N-乙基-N,2-二甲基-2-羥基丙醯胺及N,N-二乙基-2-羥基-2-甲基丙醯胺等。

式(S1)所示化合物之中，作為R^S3 為式(S1-2)所示基情況的具體例子，可舉出N,N,N’,N’-四甲基脲、N,N,N’,N’-四乙基脲等。

式(S1)所示化合物之例中，作為特佳者，以N,N,2-三甲基丙醯胺及N,N,N’,N’-四甲基脲為佳。N,N,2-三甲基丙醯胺在大氣壓下的沸點為175℃，N,N,N’,N’-四甲基脲在大氣壓下的沸點為177℃。如此，N,N,2-三甲基丙醯胺及N,N,N’,N’-四甲基脲在可將單體成分及聚醯胺酸進行溶解的溶劑之中，沸點比較低。
因此，使用含有具有選自由N,N,2-三甲基丙醯胺及N,N,N’,N’-四甲基脲的至少1種之溶劑(S)的聚醯亞胺前驅物組成物時，對於聚醯亞胺膜形成時之加熱，於所生成的聚醯亞胺膜中溶劑難以殘存，不容易導致所得之聚醯亞胺膜的拉伸度之降低等。

且N,N,2-三甲基丙醯胺及N,N,N’,N’-四甲基脲在EU(歐洲連合)之REACH規則中，為了希望指定為具有有害性之顧慮的物質之SVHC(Substance of Very High Concern，高懸念物質)，由有害性較低的物質之觀點來看為有用。

溶劑(S)中之式(S1)所示化合物的含有量在不阻礙本發明的目的之範圍下並無特別限定。對於溶劑之質量的式(S1)所示化合物之比率，一般以70質量%以上為佳，以80質量%以上為較佳，以90質量%以上為特佳，以100質量%為最佳。

聚醯亞胺前驅物組成物中之溶劑(S)的含有量在不阻礙本發明的目的之範圍下並無特別限定。聚醯亞胺前驅物組成物中之溶劑(S)的含有量，可配合聚醯亞胺前驅物組成物中之固體成分含有量而做適宜地調整。聚醯亞胺前驅物組成物中之固體成分含有量，例如為1質量%以上80質量%以下，以5質量%以上70質量%以下為佳，以10質量%以上60質量%以下為較佳。

＜其他成分＞
聚醯亞胺前驅物組成物在不阻礙本發明之目的的範圍下，除上述成分以外，亦可含有其他成分。作為其他成分之例子，鹼產生劑成分、單體等聚合性成分、界面活性劑、可塑劑、黏度調整劑、消泡劑及著色劑等可舉出。
又，聚醯亞胺前驅物組成物中亦可含有選自由含矽的樹脂、含矽的樹脂前驅物及矽烷偶合劑所成群的1種以上之含矽的化合物。作為含矽的樹脂，例如可舉出矽氧烷樹脂或聚矽烷。作為含矽的樹脂前驅物，例如可舉出成為矽氧烷樹脂或聚矽烷的原料單體之矽烷化合物。
聚醯亞胺前驅物組成物為含有含矽的化合物時，使用聚醯亞胺前驅物組成物或聚醯亞胺前驅物組成物所形成的聚醯亞胺樹脂，與被塗布體之密著性為良好。該效果在被塗布體之材質為玻璃時為顯著。可密著於被塗布體，故可提高聚醯亞胺膜形成之製程幅度。又，若聚醯亞胺前驅物組成物含有含矽的化合物時，後述藉由UV雷射的剝離步驟時，欲要提高自被塗布體或支持體的聚醯亞胺膜之剝離性，即使提高UV雷射之曝光量的情況下，可容易抑制剝離時的白濁。

＜聚醯亞胺前驅物組成物之調製＞
作為調製聚醯亞胺前驅物組成物的方法，並無特別限定，例如藉由添加作為樹脂前驅物成分(B)的選自由上述各種單體成分及聚醯胺酸(B3)所成群的至少1種、溶劑(S)與配合所需的上述其他成分而可調製。

作為樹脂前驅物成分(B)，可添加單體成分與聚醯胺酸(B3)之雙方。通常僅添加單體成分或僅添加聚醯胺酸(B3)者即充分。
於聚醯亞胺前驅物組成物中，於溶劑(S)添加作為樹脂前驅物成分(B)之單體成分後，使其生成聚醯胺酸而得之組成物亦包含。
對於聚醯亞胺前驅物組成物之調製，作為添加各成分順序，並無特別限定。

≪聚醯亞胺樹脂≫
將以上說明的聚醯亞胺前驅物組成物中所含的樹脂前驅物成分(B)藉由經縮合及醯亞胺化，或醯亞胺化後得到聚醯亞胺樹脂。
聚醯亞胺樹脂為具有下述式(b4)所示構成單位之聚醯亞胺樹脂；

(式(b4)中，R^1a 、R^1b 、R^2a 、R^2b 、R^3a 及R^3b 各獨立為1價烴基、-OR^4a 所示基、-SR^4b 所示基、醯基、烷氧基羰基、鹵素原子、氰基、-NHR^4c 所示基，或-N(R^4d )₂ 所示基；1價烴基、-OR^4a 所示基、-SR^4b 所示基、醯基、烷氧基羰基、-NHR^4c 所示基及-N(R^4d )₂ 所示基可由選自由-OR^4e 所示基、-SR^4f 所示基、醯基、烷氧基羰基、鹵素原子、氰基、-NHR^4g 所示基及-N(R^4h )₂ 所示基所成群的1種以上的基所取代；
R^4a ～R^4g 各獨立為1價烴基；
X¹ 及X² 各獨立為-CO-NH-、-CO-O-、-NH-CO-NH-、
-CO-NH-CO-、-O-CO-NH-，或-CO-NH-CO-NH-；
環Y¹ 、環Y² 、環Y³ 及環Y⁴ 各獨立為芳香族烴環；
R為單鍵、可具有取代基的伸甲基、可具有取代基且於2個碳原子間可含有雜原子的伸乙基、-O-所示基、-NH-所示基，或-S-所示基；
n1及n2各獨立為0以上4以下的整數；
n3及n4各獨立為0以上5以下的整數；
n5及n6各獨立為0以上4以下的整數；
Z¹ 為4價有機基)。
上述式(4)中的各簡稱，如對於各聚醯亞胺前驅物組成物有關的樹脂前驅物成分(B)之說明。
聚醯亞胺樹脂藉由具備上述式(B4)所示構成單位而顯示較高折射率與低延遲。

≪聚醯亞胺膜之製造方法≫
聚醯亞胺膜之製造方法為含有：形成由前述聚醯亞胺前驅物組成物所成的塗膜，及將塗膜藉由加熱，使來自塗膜中之樹脂前驅物成分(B)的聚醯胺酸進行閉環。
以下對於形成塗膜者亦稱為「形成步驟」，對於使聚醯胺酸進閉環者亦稱為「閉環步驟」。以下對各步驟進行說明。

＜形成步驟＞
在形成步驟中，將上述聚醯亞胺前驅物組成物於被塗布體表面上進行塗布，形成由聚醯亞胺前驅物組成物所成的塗膜。作為塗布方法，例如可舉出浸漬法、噴霧法、棒塗布法、輥塗布法、旋轉塗布法、幕式塗布法、模具塗布等。塗膜之厚度並無特別限定。一般塗膜之厚度，例如以0.1μm以上1000μm以下，以2μm以上100μm以下為佳，以3μm以上50μm以下為較佳。塗膜之厚度可藉由塗布方法或聚醯亞胺前驅物組成物之固體成分濃度或黏度而進行調節後，可適宜地控制。

塗膜形成後，移至閉環步驟前，以除去塗膜中之溶劑(S)為目的下，亦可使塗膜進行加熱。加熱溫度或加熱時間為僅使含於聚醯亞胺前驅物組成物之成分不會產生熱劣化或熱分解者即可並無特別限定。塗膜中之溶劑(S)的沸點高時，亦可在減壓下加熱塗膜。

＜閉環步驟＞
在閉環步驟中，藉由使在上述形成步驟所形成的塗膜進行加熱，會使來自塗膜中之樹脂前驅物成分(B)的聚醯胺酸進行閉環。藉由閉環，會使聚醯胺酸轉變為聚醯亞胺樹脂。其結果形成含有聚醯亞胺樹脂之膜。

加熱上述塗膜之情況為，加熱溫度，例如設定為100℃以上500℃以下，以120℃以上350℃以下為佳，較佳為150℃以上350℃以下。藉由在如此範圍的溫度下使樹脂前驅物成分(B)進行加熱，不僅可抑制樹脂前驅物成分(B)或生成的聚醯亞胺樹脂之熱劣化或熱分解，亦可生成聚醯亞胺膜。

又，將樹脂前驅物成分(B)的加熱在高溫進行時，有大量的能量消費，或在高溫下的促進處理設備之經時性劣化的情況會產生，故將樹脂前驅物成分(B)的加熱在較低溫度(有時稱為「低溫燒烤」)下進行為佳。具體為將使樹脂前驅物成分(B)進行的加熱溫度之上限，例如設定在220℃以下，設定在200℃以下為佳，較佳為180℃以下，更佳為160℃以下，更佳為150℃以下。即使在如此比較低溫下進行加熱時，對於本發明，可在比較短時間之加熱下充分地生成聚醯亞胺樹脂。

加熱時間雖亦取決於塗膜之組成、厚度等，作為下限值，例如為0.5小時，以1小時為佳，較佳為1.5小時，作為上限值，例如4小時，以3小時為佳，較佳為2.5小時，該加熱時間，例如可在130℃以上150℃以下，一般為在140℃下進行加熱時亦可適用。

經由低溫燒烤，可進行聚醯胺酸之高分子量化，較佳為不要使分子量分布過度擴展下可進行高分子量化。藉由低溫燒烤之聚醯胺酸的高分子量化，特別添加作為樹脂前驅物成分(B)的單體成分時，由可進行所形成的聚醯胺酸之高分子量化的觀點來看為佳。
聚醯亞胺前驅物組成物為含有咪唑系化合物(A1)時，進行低溫燒烤時，通常咪唑系化合物(A1)殘留於塗膜中。對於聚醯胺酸，藉由咪唑系化合物(A1)的作用而進行高分子量化，可使所得的聚醯亞胺膜之拉伸強度及斷裂伸長率變的良好。

如此，聚醯亞胺前驅物組成物為含有咪唑系化合物(A1)時，藉由在比較低溫的加熱，可容易得到比過去聚醯亞胺膜更具優良拉伸強度及斷裂伸長率之聚醯亞胺膜。咪唑系化合物(A1)考慮為可作為觸媒而作用。所得之聚醯亞胺膜因具有優良的拉伸度，故考慮為機械特性亦優良。

作為塗膜的加熱，又進行低溫燒烤後，亦可進行比在低溫燒烤中之加熱溫度更高溫的加熱(有時稱為「高溫燒烤」)之段階性加熱(亦稱為「階段式燒烤」)。
高溫燒烤中作為加熱溫度之上限，例如可設定為500℃以下，以450℃以下為佳，較佳為420℃以下，更佳為400℃以下，作為加熱溫度之下限，例如可設定為220℃以上，以250℃以上為佳，較佳為300℃以上，更佳為350℃以上，更較佳為380℃以上。
高溫燒烤中之加熱時間，雖取決於塗膜之組成、厚度等，作為下限值，例如為10分鐘以上，以20分鐘程度以上為佳，視必要可設定為1小時以上，作為上限值，例如為4小時，以3小時為佳，較佳為2.5小時間，該加熱時間，例如在390℃以上410℃以下，一般為亦使用在400℃進行加熱。

進行段階性加熱時，可省略低溫燒烤。特別作為樹脂前驅物成分(B)添加單體成分時，即使不進行低溫燒烤，亦可得到充分高分子量之聚醯亞胺樹脂。

對聚醯亞胺樹脂之變換，藉由低溫燒烤，亦可進行至可充分解決本發明之課題的程度，例如可實質上沒有未閉環結構下，實質地完成閉環反應，但亦可於低溫燒烤後殘留未閉環結構之一部分。藉由進行高溫燒烤，可使閉環反應實質地完成。

＜剝離步驟＞
作為被塗布體或閉環步驟時之支持體，使用玻璃基板時，使用UV雷射等，可將使用聚醯亞胺前驅物組成物而得的聚醯亞胺膜進行剝離。

≪聚醯亞胺膜≫
如前述所示，藉由將由上述聚醯亞胺前驅物組成物所成的塗膜進行硬化後形成聚醯亞胺膜。藉此所形成的聚醯亞胺膜亦可稱為含有具有前述式(b4)所示構成單位的聚醯亞胺樹脂之聚醯亞胺膜。
該聚醯亞胺膜為顯示來自前述式(b1)所示芳香族二胺的骨架所引起的高折射率與低延遲。因此，該聚醯亞胺膜自過去已廣為人知，可適用於具備高折射率膜的光學裝置。
其中，所謂光學裝置不僅為照明裝置、顯示裝置等某程度尺寸之裝置，亦可含有以發光元件、光電變換元件、鏡片元件等作為代表的微小元件。

聚醯亞胺膜之折射率，例如作為在波長589nm之光線下的測定值，以1.61以上為佳，以1.63以上為較佳，以1.65以上為特佳。

又，除了來自式(b1)所示芳香族二胺的骨架所引起的高折射率，其延遲亦低。因此，上述聚醯亞胺膜可作為OLED照明裝置或液晶顯示器或有機EL顯示器等膜材料使用為佳。作為一例子，藉由將上述聚醯亞胺膜使用於OLED照明裝置時，不僅可提高光線取出效率，亦可製造出簡易結構、輕量且薄層化的照明裝置。

[實施例]

以下例示出實施例進一步具體說明本發明。本發明之範圍並未限定於此等實施例。

[合成例1：芳香族二胺化合物(9,9’-雙(4-(4-胺基苯甲醯基胺基)苯基)芴)之合成]
於具備溫度計、滴定漏斗及攪拌翼之四口燒瓶中，於4-胺基安息香酸(2.74g、0.02mol)之吡啶溶液中添加亞硫醯氯2mL。添加亞硫醯氯後，在室溫將燒瓶的內容物進行3小時攪拌，得到4-胺基苯甲醯氯。於所得之4-胺基苯甲醯氯中，加入溶解於N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)的9,9’-雙(4-胺基苯基)芴(3.48g、0.01mol)，進行5小時攪拌。將所得之反應液，於以一定速度進行攪拌的0～5℃之冰水中，徐徐少量地注入後，進行固液分離。欲除去未反應之4-胺基安息香酸，將經分離的濕體以濃度10質量%的碳酸氫鈉水溶液進行4次洗淨。其次，將濕體以無水甲醇進行洗淨後，以80℃進行乾燥，得到產率58%的9,9’-雙(4-(4-胺基苯甲醯基胺基)苯基)芴。
9,9’-雙(4-(4-胺基苯甲醯基胺基)苯基)芴之¹ H-NMR測定結果如以下所示。
¹ H-NMR(400MHz、DMSO-d6) δ=9.72(2H,s)，7.94(2H,d)，7.70(4H,d)，7.65(4H,d)，7.3-7.5(6H,m)

[實施例1]
＜四羧酸二酐之調製＞
依據國際公開第2011/099518號之合成例1、實施例1及實施例2所記載的方法，調製出下述式所示四羧酸二酐(降冰片烷-2-螺-α-環戊酮-α’-螺-2”-降冰片烷-5,5”,6,6”-四羧酸二酐)。

＜聚醯胺酸之調製＞
首先，將30ml的三口燒瓶以熱風槍進行加熱後充分地乾燥。其次，將三口燒瓶內的環境氣體以氮進行取代，將三口燒瓶內作為氮環境。於三口燒瓶內，添加在合成例1所得的芳香族二胺0.5280g(0.90mmol)後，添加N,N,N’,N’-四甲基脲(TMU)3.50g。將三口燒瓶之內容物進行攪拌，得到於TMU中分散芳香族二胺的液體。
其次，於三口燒瓶內添加上述式的四羧酸二酐0.3459g(0.90mmol)添加後，於氮環境下，在室溫(25℃)下進行24小時的燒瓶內容物之攪拌後得到反應液。如此於反應液中形成聚醯胺酸成為20質量%(TMU溶劑：80質量%)之反應液。

＜咪唑化合物之添加步驟＞
於如上述所得之反應液中，在氮環境下，加入咪唑化合物(0.262g，對於反應液作為100質量份時的6.0質量份)。其次，將反應液在25℃下進行24小時攪拌，得到含有咪唑化合物與聚醯胺酸之液狀聚醯亞胺前驅物組成物。

＜聚醯亞胺薄膜之調製＞
於玻璃基板(大型滑動玻璃、松浪硝子工業股份有限公司製之商品名「S9213」、縱：76mm、橫52mm、厚度1.3mm)上，將如上述所得之聚醯亞胺前驅物組成物，進行旋塗至加熱硬化後之塗膜厚度成為10μm，形成塗膜。其次，將形成有塗膜之玻璃基板載持於70℃之加熱板上，靜置0.5小時後，自塗膜蒸發溶劑而除去。
溶劑之除去後，將形成有塗膜的玻璃基板以5L/分鐘的流量，投入有氮流動的惰性氣氛爐。在惰性氣氛爐內，氮環境下，在25℃的溫度條件下靜置0.5小時後，在80℃的溫度條件下進行0.5小時加熱，進一步在300℃的溫度條件下進行30分鐘加熱，在360℃(最終加熱溫度)之溫度條件下進行30分鐘加熱後使塗膜進行硬化，得到於玻璃基板上塗布有由聚醯亞胺所成的薄膜(聚醯亞胺薄膜)的聚醯亞胺塗布層玻璃。

將所得之聚醯亞胺塗布層玻璃浸漬於90℃的水中，自玻璃基板剝離聚醯亞胺薄膜，得到聚醯亞胺薄膜(縱76mm，橫52mm，厚度10μm尺寸的薄膜)。

欲鑑定所得之聚醯亞胺薄膜的材質之樹脂的分子結構，使用IR測定機(日本分光股份有限公司製之商品名：FT/IR-4100)，測定聚醯亞胺薄膜之試料的IR光譜。
測定結果，得知在聚醯亞胺薄膜的材質之樹脂的IR光譜中，觀察到醯亞胺羰基之C=O伸縮振動為1704.4cm^-1 。由依據如此結果等所鑑定出的分子結構，確認到所得之聚醯亞胺薄膜確定係由聚醯亞胺樹脂所成。

[比較例1]
將透明聚醯亞胺薄膜(Neoprim(註冊商標)L-3430(三菱瓦斯化學股份有限公司製)厚度100μm)作為標品使用。
且，含於比較例1的聚醯亞胺薄膜之聚醯亞胺樹脂的結構並非含有前述式(b4)所示構成單位之結構。

[比較例2]
將在合成例1所得之芳香族二胺0.5280g(0.90mmol)變更為販售的4,4’-二胺基苯甲醯苯胺0.2045g(0.90mmol：DABAN)以外，與實施例1同樣地，得到聚醯亞胺前驅物組成物與聚醯亞胺薄膜。

對於實施例1及比較例1之聚醯亞胺薄膜，依據以下方法，進行熱分解溫度、玻璃轉移溫度、熱膨張率、拉伸強度、斷裂伸長率、全光線透過率、霧值(濁度)、黃色度(YI)及折射率之評估。這些評估結果如表1所示。

＜熱分解溫度(Td5%：5%重量減少溫度)＞
5%重量減少溫度係如下述求得。由在各實施例及各比較例所得之薄膜，各準備2～4mg之試料，將此放入鋁製試樣盤中，作為測定裝置使用熱重量分析裝置(II納米技術股份有限公司製之商品名「TG/DTA7200」)，氮氣環境下，將掃描溫度設定在30℃至550℃，以昇溫速度10℃/分鐘的條件下加熱，測定使用的試料之重量減少5%時的溫度而求得。

＜玻璃轉移溫度(Tg)之測定＞
將構成薄膜之樹脂的玻璃轉移溫度(Tg)之值(單位：℃)如以下所示進行測定。即，使用自各聚醯亞胺薄膜所切出的縱20mm且橫5mm尺寸的試料，且作為測定裝置使用熱機械分析裝置(Rigaku製之商品名「TMA8311」)，在氮環境下，拉伸模式(49mN)，昇溫速度5℃/分鐘的條件下進行測定而求得TMA曲線，對於因玻璃轉移所引起的TMA曲線之拐點，藉由將該前後曲線進行外插，求得構成聚醯亞胺薄膜之樹脂的玻璃轉移溫度(Tg)之值(單位：℃)。將所得之結果如表1所示。

＜熱膨張率(CTE)之測定＞
薄膜之CTE(單位：ppm/K)如以下而求得。即，首先自各樹脂薄膜，形成縱：20mm且橫：5mm尺寸的測定用薄膜。其次，將所得之測定用薄膜經真空乾燥(120℃，1小時)後，在氮環境下於200℃下進行1小時的熱處理後，調製出測定試料(乾燥薄膜)。其此，使用所得之測定試料(乾燥薄膜)，利用作為測定裝置的熱機械分析裝置(Rigaku製之商品名「TMA8311」)，在氮環境下，採用拉伸模式(49mN)、昇溫速度5℃/分鐘的條件，測定在50℃～200℃中之試料長度的變化，藉由求得在100℃～200℃之溫度範圍中之每1℃的長度變化之平均值而測定。所得之結果如表1所示。

＜拉伸強度及斷裂伸長率之測定＞
薄膜之拉伸強度(單位：MPa)及斷裂伸長率(單位：%)係如以下而測定。即，首先將各樹脂薄膜由以下調製出；SD型槓桿式試料裁斷器(Dumbbell股份有限公司製之裁斷器(型式SDL-200))上安裝有Dumbbell股份有限公司製之商品名「Super dumbbell cutter(型：SDMK-1000-D、JIS K7139(2009年發行)之A22規格為基準)」，截斷各樹脂薄膜至尺寸為全長：75mm，標籤部分間距離：57mm，平行部長度：30mm，肩部半徑：30mm，端部寬：10mm，中央平行部之寬：5mm後，將啞鈴形狀之試驗片(JIS K7139 型A22(縮尺試驗片)的規格為基準)作為測定試料而各調製出。其此，使用電機械式萬能材料試驗機(INSTRON製之型號「5943」)，將測定試料配置成抓住工具間之寬為57mm，抓住部分之寬為10mm(端部之全寬)後，在稱重傳感器(Load cell)：1.0kN、試驗速度：5mm/分鐘的條件下，將測定試料拉伸進行拉伸試驗，求得拉伸強度及斷裂伸長率之值。且如此試驗係以依據JIS K7162(1994年發行)的試驗。又，斷裂伸長率之值(%)為，將試料的標籤部分間距離(=抓住工具間之寬：57mm)作為L0，直到破裂為止的試料之標籤部分間距離(破裂時的抓住工具間之寬：57mm+α)作為L時，計算下述式而求得；
[斷裂伸長率(%)]={(L-L0)/L0}×100
所得之結果如表1所示。

＜全光線透過率、霧值(濁度)及黃色度(YI)之測定＞
對於全光線透過率、霧值(濁度)之測定，使用作為測定裝置之日本電色工業股份有限公司製之商品名「霧度計NDH-5000」，黃色度(YI)之測定為使用作為測定裝置之日本電色工業股份有限公司製之商品名「分光色彩計SD6000」。且，全光線透過率係以JIS K7361-1(1997年發行)為基準進行測定後求得，霧值(濁度)為依據JIS K7136(2000年發行)進行測定，黃色度(YI)為依據ASTM E313-05(2005年發行)進行測定而求得。

＜折射率(589nm)之測定＞
在各實施例及各比較例所得之薄膜等折射率為，使用作為測定裝置之折射率測定裝置(Atago股份有限公司製之商品名「NAR-1T SOLID」)，在589nm之光源下，在23℃之溫度條件下測定。

又，對於實施例1的聚醯亞胺薄膜及比較例2的聚醯亞胺薄膜，進行折射率(589nm)、延遲(589nm)與全光線透過率的比較。對於延遲(589nm)以以下方法進行測定。

＜厚度方向之延遲(Rth)的測定＞
厚度方向之延遲(Rth)為，將在各實施例及各比較例所製造的聚醯亞胺薄膜(縱：76mm，寬：52mm)直接作為測定試料，作為測定裝置使用AXOMETRICS公司製之商品名「AxoScan」，輸入各聚醯亞胺薄膜之折射率(藉由上述折射率之測定所求得之薄膜對於589nm之光的折射率)之值後，在溫度：25℃，濕度：40%之條件下，使用波長589nm之光，測定厚度方向之延遲後，使用所求得的厚度方向之延遲的測定值(藉由測定裝置之自動測定所得的測定值)，藉由換算為薄膜厚度10μm單位的延遲值而求得。對於延遲其為200nm以下時判定為○，其為超過200nm時判定為×。

依據表1及表2，含有具有前述式(b4)所示構成單位的聚醯亞胺樹脂之聚醯亞胺薄膜為高折射率，且延遲低而全光透過率高，又對於機械特性或熱特性亦不遜於市售品的優良者。

Claims

一種聚醯亞胺前驅物組成物，其為含有樹脂前驅物成分(B)，與溶劑(S)之聚醯亞胺前驅物組成物，其特徵為：前述樹脂前驅物成分(B)含有：由二胺成分(B1)與四羧酸二酐成分(B2)所成的單體成分，及/或聚醯胺酸(B3)；前述二胺成分(B1)含有下述式(b1)所示芳香族二胺化合物； (式(b1)中，R^1a 、R^1b 、R^2a 、R^2b 、R^3a 及R^3b 各獨立為1價烴基、-OR^4a 所示基、-SR^4b 所示基、醯基、烷氧基羰基、鹵素原子、氰基、-NHR^4c 所示基，或-N(R^4d )₂ 所示基； 1價烴基、-OR^4a 所示基、-SR^4b 所示基、醯基、烷氧基羰基、-NHR^4c 所示基及-N(R^4d )₂ 所示基可由選自由-OR^4e 所示基、-SR^4f 所示基、醯基、烷氧基羰基、鹵素原子、氰基、-NHR^4g 所示基及-N(R^4h )₂ 所示基所成群的1以上之基所取代； R^4a ～R^4g 各獨立為1價烴基； X¹ 及X² 各獨立為-CO-NH-、-CO-O-、-NH-CO-NH-、 -CO-NH-CO-、-O-CO-NH-，或-CO-NH-CO-NH-；環Y¹ 、環Y² 、環Y³ 及環Y⁴ 各獨立為芳香族烴環； R為單鍵、可具有取代基的伸甲基、可具有取代基且於2個碳原子間可含有雜原子的伸乙基、-O-所示基、-NH-所示基，或-S-所示基； n1及n2各獨立為0以上4以下的整數； n3及n4各獨立為0以上5以下的整數； n5及n6各獨立為0以上4以下的整數)；前述聚醯胺酸(B3)含有：具有下述式(b3)所示構成單位的聚醯胺酸； (式(b3)中，R^1a 、R^1b 、R^2a 、R^2b 、R^3a 、R^3b 、X¹ 、X² 、環Y¹ 、環Y² 、環Y³ 、環Y⁴ 、R、n1、n2、n3、n4、n5及n6與前述式(b1)相同，Z¹ 為4價有機基)。
如請求項1之聚醯亞胺前驅物組成物，前述二胺成分(B1)含有下述式(b1-1)所示芳香族二胺化合物； (式(b1-1)中，R^1a 、R^1b 、R^2a 、R^2b 、R^3a 、R^3b 、X¹ 、X² 、環Y¹ 、環Y² 、R、n1、n2、n5及n6與前述式(b1)相同，n7及n8各獨立為0以上4以下的整數)；前述聚醯胺酸(B3)含有：具有下述式(b3-1)所示構成單位之聚醯胺酸； (式(b3-1)中，R^1a 、R^1b 、R^2a 、R^2b 、R^3a 、R^3b 、X¹ 、X² 、環Y¹ 、環Y² 、R、n1、n2、n5及n6與前述式(b1)相同； n7及n8各獨立為0以上4以下的整數；Z¹ 為4價有機基)。
如請求項2之聚醯亞胺前驅物組成物，其中前述二胺成分(B1)含有下述式(b1-2)所示芳香族二胺化合物； (式(b1-2)中，R^1a 、R^1b 、R^2a 、R^2b 、R^3a 、R^3b 、環Y¹ 、環Y² 、R、n1、n2、n5及n6與前述式(b1)相同；n7及n8各獨立為0以上4以下的整數)；前述聚醯胺酸(B3)含有：具有下述式(b3-2)所示構成單位的聚醯胺酸； (式(b3-2)中，R^1a 、R^1b 、R^2a 、R^2b 、R^3a 、R^3b 、環Y¹ 、環Y² 、R、n1、n2、n5及n6與前述式(b1)相同；n7及n8各獨立為0以上4以下的整數；Z¹ 為4價有機基)。
如請求項3之聚醯亞胺前驅物組成物，其中前述二胺成分(B1)含有下述式(b1-3)所示芳香族二胺化合物； (式(b1-3)中，R^1a 、R^1b 、R^2a 、R^2b 、R^3a 、R^3b 、環Y¹ 、環Y² 、R、n1、n2、n5及n6與前述式(b1)相同；n7及n8各獨立為0以上4以下的整數)；前述聚醯胺酸(B3)含有：具有下述式(b3-3)所示構成單位的聚醯胺酸； (式(b3-3)中，R^1a 、R^1b 、R^2a 、R^2b 、R^3a 、R^3b 、環Y¹ 、環Y² 、R、n1、n2、n5及n6與前述式(b1)相同；n7及n8各獨立為0以上4以下的整數；Z¹ 為4價有機基)。
如請求項3之聚醯亞胺前驅物組成物，其中前述二胺成分(B1)含有下述式(b1-4)所示芳香族二胺化合物； (式(b1-4)中，R^1a 、R^1b 、R^2a 、R^2b 、R^3a 、R^3b 、環Y¹ 、環Y² 、R、n1、n2、n5及n6與前述式(b1)相同；n7及n8各獨立為0以上4以下的整數)；前述聚醯胺酸(B3)含有：具有下述式(b3-4)所示構成單位的聚醯胺酸； (式(b3-4)中，R^1a 、R^1b 、R^2a 、R^2b 、R^3a 、R^3b 、環Y¹ 、環Y² 、R、n1、n2、n5及n6與前述式(b1)相同；n7及n8各獨立為0以上4以下的整數；Z¹ 為4價有機基)。
如請求項4之聚醯亞胺前驅物組成物，其中前述二胺成分(B1)含有下述式(b1-5)所示芳香族二胺化合物； (式(b1-5)中，R^1a 、R^1b 、R^2a 、R^2b 、R^3a 、R^3b 、環Y¹ 、環Y² 、R、n1、n2、n5及n6與前述式(b1)相同；n7及n8各獨立為0以上4以下的整數)；前述聚醯胺酸(B3)含有：具有下述式(b3-5)所示構成單位的聚醯胺酸； (式(b3-5)中，R^1a 、R^1b 、R^2a 、R^2b 、R^3a 、R^3b 、環Y¹ 、環Y² 、R、n1、n2、n5及n6與前述式(b1)相同；n7及n8各獨立為0以上4以下的整數；Z¹ 為4價有機基)。
如請求項1或2之聚醯亞胺前驅物組成物，其中前述環Y¹ 及前述環Y² 各為苯環；前述R為單鍵。
如請求項1或2之聚醯亞胺前驅物組成物，其中前述四羧酸二酐成分(B2)含有具有脂環式基之四羧酸二酐，前述Z¹ 為含有脂環式基之4價有機基。
如請求項8之聚醯亞胺前驅物組成物，其中前述四羧酸二酐成分(B2)含有如下述式(b2)所示的降冰片烷-2-螺-α-環烷酮-α’-螺-2’’-降冰片烷-5,5’’,6,6’’-四羧酸二酐類； (式(b2)中，R^b1 、R^b2 及R^b3 各獨立表示選自由氫原子、碳原子數1以上10以下的烷基及氟原子所成群的1種；m表示0以上12以下的整數)；前述Z¹ 為下述式(b2-1)所示4價有機基； (式(b2-1)中，R^b1 、R^b2 、R^b3 及m與前述式(b2)相同)。
一種聚醯胺酸，其特徵為具有下述式(b3)所示構成單位； (式(b3)中，R^1a 、R^1b 、R^2a 、R^2b 、R^3a 及R^3b 各獨立為1價烴基、-OR^4a 所示基、-SR^4b 所示基、醯基、烷氧基羰基、鹵素原子、氰基、-NHR^4c 所示基，或-N(R^4d )₂ 所示基；1價烴基、-OR^4a 所示基、-SR^4b 所示基、醯基、烷氧基羰基、-NHR^4c 所示基及-N(R^4d )₂ 所示基可由選自由-OR^4e 所示基、-SR^4f 所示基、醯基、烷氧基羰基、鹵素原子、氰基、-NHR^4g 所示基及-N(R^4h )₂ 所示基所成群的1以上之基所取代； R^4a ～R^4g 各獨立為1價烴基； X¹ 及X² 各獨立為-CO-NH-、-CO-O-、-NH-CO-NH-、 -CO-NH-CO-、-O-CO-NH-，或-CO-NH-CO-NH-；環Y¹ 、環Y² 、環Y³ 及環Y⁴ 各獨立為芳香族烴環； R為單鍵、可具有取代基的伸甲基、可具有取代基且於2個碳原子間可含有雜原子的伸乙基、-O-所示基、-NH-所示基，或-S-所示基； n1及n2各獨立為0以上4以下的整數； n3及n4各獨立為0以上5以下的整數； n5及n6各獨立為0以上4以下的整數； Z¹ 為4價有機基)。
如請求項10之聚醯胺酸，其中前述Z¹ 為含有脂環式基之4價有機基。
如請求項11之聚醯胺酸，其中前述Z¹ 為下述式(b2-1)所示4價有機基； (式(b2-1)中，R^b1 、R^b2 、R^b3 及m與前述式(b2)相同)。
一種聚醯亞胺樹脂，其特徵為具有下述式(b4)所示構成單位； (式(b4)中，R^1a 、R^1b 、R^2a 、R^2b 、R^3a 及R^3b 各獨立為1價烴基、-OR^4a 所示基、-SR^4b 所示基、醯基、烷氧基羰基、鹵素原子、氰基、-NHR^4c 所示基，或-N(R^4d )₂ 所示基；1價烴基、-OR^4a 所示基、-SR^4b 所示基、醯基、烷氧基羰基、-NHR^4c 所示基及-N(R^4d )₂ 所示基可由選自由-OR^4e 所示基、-SR^4f 所示基、醯基、烷氧基羰基、鹵素原子、氰基、-NHR^4g 所示基及-N(R^4h )₂ 所示基所成群的1以上之基所取代； R^4a ～R^4g 各獨立為1價烴基； X¹ 及X² 各獨立為-CO-NH-、-CO-O-、-NH-CO-NH-、 -CO-NH-CO-、-O-CO-NH-，或-CO-NH-CO-NH-；環Y¹ 、環Y² 、環Y³ 及環Y⁴ 各獨立為芳香族烴環； R為單鍵、可具有取代基的伸甲基、可具有取代基且於2個碳原子間可含有雜原子的伸乙基、-O-所示基、-NH-所示基，或-S-所示基； n1及n2各獨立為0以上4以下的整數； n3及n4各獨立為0以上5以下的整數； n5及n6各獨立為0以上4以下的整數； Z¹ 為4價有機基)。
一種聚醯亞胺膜之製造方法，其特徵為含有：形成由如請求項1～9中任1項之聚醯亞胺前驅物組成物所成的塗膜，及藉由使前述塗膜進行加熱而使來自前述塗膜中之樹脂前驅物成分(B)的聚醯胺酸進行閉環之閉環者。
一種聚醯亞胺膜，其特徵為將由如請求項1～9中任1項之聚醯亞胺前驅物組成物所成的塗膜進行硬化而成者。
一種聚醯亞胺膜，其特徵為含有如請求項13之聚醯亞胺樹脂者。
如請求項15或16之聚醯亞胺膜，其中折射率為1.61以上。
一種光學裝置，其特徵為具備如請求項15～17中任1項之聚醯亞胺膜。
如請求項18之光學裝置，其為OLED照明裝置。