TW201946193A - 用於光閘碟盤組件偵測的方法及設備 - Google Patents

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Abstract

用於使用數個感測器檢測處理腔室中的光閘碟盤組件的方法與設備。在用於光閘碟盤組件的光閘殼體中的第一、第二與第三感測器，提供對光閘碟盤組件的狀態的指示。使用指示以與來自處理控制器的處理資訊一起確定光閘碟盤組件的作業狀態。隨後，在需要時使用作業狀態以改變處理腔室的處理。

Description

用於光閘碟盤組件偵測的方法及設備
本揭示內容的具體實施例大抵相關於半導體製程。
在處理腔室中形成半導體，處理腔室具有在受控處理環境中處理基板（例如半導體晶圓）的能力。為了保持處理均勻性並確保處理腔室的最佳性能，在處理腔室內週期性地完成各種調節作業。在一個此類作業中，物理氣相沉積（PVD）處理腔室使用「老化(burn-in)」處理來調節，其中設置在PVD處理腔室中的靶材被電漿離子轟擊，以在執行基板處理之前從靶材移除氧化物或其他污染物。也可以在PVD處理腔室中使用粘貼處理(pasting process)，以藉由在處理腔室表面上沉積材料來調節腔室，以在後續處理期間防止材料從處理腔室表面剝落並污染基板。通常，在將基板放入PVD腔室之前對基板進行清洗處理。清洗處理稱為「預清洗」，並在預清洗處理腔室中進行。預清洗去除了當晶圓暴露在大氣中時可能形成的任何化學殘留物或氧化物。
在調節和預清洗作業中，光閘碟盤(shutter disk)可以經由刀片或光閘臂定位在基板支座上，以防止任何材料沉積在基板支座上，基板支座設置在處理腔室中。光閘碟盤通常被存放在處理區域之外的光閘殼體或光閘庫中，並且在使用期間被光閘臂移動到期望的位置。若光閘碟盤和光閘臂沒有移動離開基板支座，則當基板支座移動到處理位置時，處理腔室可能發生災難性故障。
因此，發明人提供了用於檢測半導體處理腔室中的光閘碟盤組件的改進方法和設備。
方法與設備提供對於半導體處理腔室中的光閘碟盤組件的檢測。
在一些具體實施例中，一種檢測處理腔室中的光閘碟盤組件的方法，包含：接收位於處理腔室的光閘殼體中的第一感測器的第一感測器檢測資訊，第一感測器定位成檢測光閘臂；接收來自位於處理腔室的光閘殼體中的第二感測器的第二感測器檢測資訊，第二感測器定位成檢測光閘碟盤；接收來自位於處理腔室的光閘殼體中的第三感測器的第三感測器檢測資訊，第三感測器定位成檢測光閘碟盤；從處理控制器接收處理資訊；至少部分地基於第一感測器檢測資訊、第二感測器檢測資訊、第三感測器檢測資訊、與處理資訊中的至少一個，來確定光閘碟盤組件的作業狀態；以及若需要，則基於光閘碟盤組件的作業狀態改變處理腔室的至少一個處理。
在一些具體實施例中，方法進一步包含：藉由執行光閘碟盤組件的校準，改變處理腔室的至少一個處理；藉由重新定位光閘臂，改變處理腔室的至少一個處理；藉由停止處理並設定警報，改變處理腔室的至少一個處理；其中光閘碟盤組件的作業狀態至少包含來自光閘臂的軸的軸感測器的角度；確定在空閒週期期間內光閘碟盤組件是否超過持續時間；以及藉由停止處理並設定警報，改變處理腔室的至少一個處理；在第一感測器檢測資訊指示堵塞、第二感測器檢測資訊指示無堵塞和第三感測器檢測資訊指示堵塞，且處理資訊指示儲存了光閘碟盤組件時，確定作業狀態為無錯誤狀態；在第一感測器檢測資訊指示堵塞、第二感測器檢測資訊指示堵塞和第三感測器檢測資訊指示無堵塞，且處理資訊指示儲存了光閘碟盤組件時，確定作業狀態為錯誤狀態；在第一感測器檢測資訊指示無堵塞、該第二感測器檢測資訊指示堵塞和第三感測器檢測資訊指示無堵塞，且處理資訊指示儲存了光閘碟盤組件時，確定作業狀態為錯誤狀態；在第一感測器檢測資訊指示堵塞、第二感測器檢測資訊指示堵塞和第三感測器檢測資訊指示無堵塞，且處理資訊指示儲存了光閘碟盤組件時，確定作業狀態為無錯誤狀態；在第一感測器檢測資訊指示堵塞、該第二感測器檢測資訊指示堵塞和第三感測器檢測資訊指示無堵塞或堵塞，且處理資訊指示儲存了光閘臂時，確定作業狀態為錯誤狀態；在第一感測器檢測資訊指示堵塞、第二感測器檢測資訊指示無堵塞和第三感測器檢測資訊指示無堵塞，且處理資訊指示儲存了光閘臂時，確定作業狀態為無錯誤狀態；及/或在第一感測器檢測資訊指示無堵塞、第二感測器檢測資訊指示無堵塞和第三感測器檢測資訊指示堵塞，且處理資訊指示光閘碟盤組件空閒超時時，確定作業狀態為錯誤狀態。
在一些具體實施例中，一種檢測處理腔室中的光閘碟盤組件的方法，包含以下步驟：將光閘碟盤組件儲存在附加到處理腔室的光閘殼體中；接收位於處理腔室的光閘殼體中的第一感測器的第一感測器檢測資訊，第一感測器定位成檢測光閘臂；設定基於第一感測器檢測資訊的第一感測器檢測位準，第一感測器檢測位準指示光閘碟盤臂被正確儲存；接收來自位於處理腔室的光閘殼體中的第二感測器的第二感測器檢測資訊，第二感測器定位成檢測光閘碟盤；設定基於第二感測器檢測資訊的第二感測器檢測位準，第二感測器檢測位準指示光閘碟盤被正確儲存；接收來自位於處理腔室的光閘殼體中的第三感測器的第三感測器檢測資訊，第三感測器定位成檢測光閘碟盤；設定基於第三感測器檢測資訊的第三感測器檢測位準，第三感測器檢測位準指示光閘碟盤被正確儲存；儲存第一感測器檢測位準、第二感測器檢測位準和第三感測器檢測位準；以及在處理期間取得第一感測器檢測位準、第二感測器檢測位準或第三感測器檢測位準，以確定光閘碟盤組件的作業狀態。
在一些具體實施例中，方法進一步包含：將第一感測器檢測位準、第二感測器檢測位準或第三感測器檢測位準與第一感測器、第二感測器或第三感測器的當前感測器檢測資訊比較，以確定光閘碟盤組件的狀態；從處理控制器接收處理資訊；以及基於當前感測器檢測資訊，以及至少部分地基於第一感測器檢測位準、第二感測器檢測位準、第三感測器檢測位準、與處理資訊中的至少一個，來確定光閘碟盤組件的作業狀態；在處理期間改變第一感測器檢測位準、第二感測器檢測位準或第三感測器檢測位準，以應付光閘碟盤組件的熱膨脹或收縮；在處理期間改變第一感測器檢測位準、第二感測器檢測位準或第三感測器檢測位準，以應付光閘碟盤組件上的材料沈積。
在一些具體實施例中，一種檢測用於處理腔室的光閘碟盤組件的設備，包含：附加到處理腔室的光閘殼體；第一感測器，第一感測器附接至光閘殼體，以使得第一感測器在光閘臂位於光閘殼體中時能夠檢測光閘臂；第二感測器，第二感測器附接至光閘殼體，以使得第二感測器在光閘碟盤位於光閘殼體中時能夠檢測光閘碟盤；第三感測器，第三感測器附接至光閘殼體，以使得第三感測器在光閘碟盤位於光閘殼體中時能夠檢測光閘碟盤；以及處理控制器，處理控制器與第一感測器、第二感測器和第三感測器互動，以在處理期間檢測光閘碟盤組件的故障狀態，此係藉由使用一種檢測處理腔室中的光閘碟盤組件的方法，方法包含：接收來自第一感測器的第一感測器檢測資訊，該第一感測器位於處理腔室的光閘殼體中，該第一感測器經定位以檢測光閘臂；接收來自第二感測器的第二感測器檢測資訊，該第二感測器位於處理腔室的光閘殼體中，該第二感測器經定位以檢測光閘碟盤；接收來自第三感測器的第三感測器檢測資訊，該第三感測器位於處理腔室的光閘殼體中，該第三感測器經定位以檢測光閘碟盤；從處理控制器接收處理資訊；以及至少部分地基於第一感測器檢測資訊、第二感測器檢測資訊、第三感測器檢測資訊、與處理資訊中的至少一個，來確定光閘碟盤組件的作業狀態。
在一些具體實施例中，設備進一步包含：其中處理腔室為預清洗腔室或物理氣相沈積（PVD）腔室。
以下揭示了其他和進一步的具體實施例。
方法和設備提供具有更大範圍的運動窗口的增強式光閘碟盤組件檢測。光閘殼體中的感測器定位，允許機械放置調整和處理調整，以防止不期望的誤警報。感測器配置還可以在感測器檢測位準、放置和維護方面提供更大的靈活性。較大的運動檢測窗口藉由允許補償在處理期間的變化（諸如熱膨脹/收縮及/或由於沉積積聚引起的尺寸變化），而進一步減少誤警報。感測器也更易於清潔和更換。另一個優點是可以靈活地單獨啟用個別的感測器，使故障排除和校準更容易。方法和設備還有利地為處理控制器提供了根據檢測到的故障狀況的嚴重性，而允許自動修復的能力。若自動調整可以清除故障情況，則無需操作者注意，生產可以快速繼續，無需進一步停機和手動維修，從而節省時間和金錢。例如，處理控制器可以自動執行第一次校準或重新校準。光閘臂的重新定位也可以自動完成，以清除一些故障而無需操作者的直接互動。在一些條件下，方法和設備可以藉由在損壞發生之前停止處理及/或設置警報，來使得能夠更快地向操作者通知不利條件。
圖1描繪了根據一些具體實施例的處理腔室100，其中可以採用用於檢測光閘碟盤組件的設備，或可以執行檢測光閘碟盤組件的方法。在圖1中，光閘碟盤組件可包括光閘碟盤114和光閘臂128。在一些具體實施例中，光閘碟盤組件還可包括軸120、軸感測器124及/或致動器126，軸120具有順時針和逆時針旋轉能力（箭頭122），軸感測器124用於檢測光閘碟盤組件的旋轉角度，致動器126用於提供旋轉力以旋轉軸120，以將光閘臂128及/或光閘碟盤114從光閘殼體138移動到腔室殼體106以進行處理程序。光閘碟盤114可以放置在基板支座104上，以在諸如清洗及/或粘貼等處理期間保護基板支座104。基板支座104包括支撐軸118，支撐軸118支撐基板支座104並且還提供電連接及/或冷卻液等。基板支座104可在處理期間上下移動（由箭頭116指示）。例如，當基板支座104向上移動時，若（例如）光閘臂128留在基板支座104上，則基板支座104可能與光閘碟盤組件一起被損壞。
為了確保不發生損壞，感測器定位在光閘殼體138上，以允許檢測光閘碟盤組件的位置。在一些具體實施例中，感測器可包括光學感測器，光學感測器包括與感測器接收器112配對的感測器發射器110。在一些具體實施例中，感測器可以使用雷射或其他反射技術，使得發射器和接收器實體位於光閘殼體138的單個表面上。感測器將檢測資訊提供給處理控制器190。處理控制器190可以包括記憶體192、中央處理單元194及/或支援電路196。處理控制器190監視處理腔室100內的處理。
處理腔室100可被單獨利用，或可作為整合式半導體基板處理系統或叢集工具（諸如美國加州聖塔克拉拉市的應用材料公司所提供的ENDURA®整合式半導體基板處理系統）的處理模組來使用。處理腔室100可以是預清洗腔室或PVD腔室，諸如也可從應用材料公司獲得的CHARGER™凸塊下金屬化（UBM）PVD腔室。也可適當地使用其他處理腔室及/或叢集工具。
圖2描繪了根據一些具體實施例的沿圖1的處理腔室100的A-A線132的橫截面圖200。儘管以左側定向描繪，但是光閘殼體238可以位於腔室殼體206的右側或後側。光閘碟盤232停置在光閘臂230上並儲存在光閘殼體238中。在各種處理中，光閘臂230可將光閘碟盤232放置在基板支座204上。因為光閘臂230前後移動，所以旋轉運動可能導致光閘臂230變為未對準或未校準。光閘碟盤232藉由光閘臂230放置在基板支座204上和從基板支座204移除，並且例如在被移除時可以在光閘臂230上變為未對準。
在一些具體實施例中，可以使用檢測方案，諸如下文的表1中所示的檢測方案 - 光閘臂和碟盤檢測。也可以使用其他檢測方案。表1中的檢測方案並不意謂以任何方式進行限制。在表1中，使用三個感測器（S1、S2、S3）檢測七種不同的條件。在一些具體實施例中，可以使用三個以上的感測器。在一些具體實施例中，可以檢測多於或少於七個條件。狀態行使用「良/劣」命名法來表示「無故障/無錯誤」（良）或「故障/錯誤」（劣）。「X」表示至少某種程度的堵塞，「O」表示沒有堵塞。在一些具體實施例中，處理控制器可以使用處理資訊以及由感測器提供的感測器檢測資訊，來確定光閘碟盤組件（光閘碟盤/光閘臂）的狀況。然後，處理控制器可以基於此確定來確定響應。響應可以包括（但不限於）繼續當前處理（無故障/無錯誤條件）、設定故障、停止處理、通知操作者/用戶、嘗試重新定位光閘碟盤組件、及/或運行校準程序等。一些條件可允許在通知操作者之前自動嘗試修正故障/錯誤，及/或通知操作者處理控制器正自動嘗試修正故障。
表1：光閘臂和碟盤檢測
參考上表，感測器的第一個狀態提供無故障狀態，並允許處理繼續。在感測器的第二狀態中，S1和S2顯示出堵塞。感測器S3可顯示堵塞或可不顯示堵塞。第二狀態表示未對準的臂，可以在無需操作者互動的情況下將未對準的臂校正。藉由處理控制器確定第二狀態，允許控制器決定是否應該通知操作者及/或經由校準或重新定位光閘臂來嘗試自動校正故障。若故障未清除，則處理控制器可以藉由設置例如警報來通知操作者。第三種狀態是無故障狀態，允許處理繼續。狀態4-6表示至少某種類型的碟盤未對準很可能無法自動校正。處理控制器可以設定警報以通知操作者並停止處理。在第七狀態中，光閘碟盤組件處於空閒狀態（碟盤/臂在處理腔室內的轉移處理中接合 - 諸如（例如）從基板支座放置或移除光閘碟盤等）。通常，光閘碟盤組件的空閒狀態還具有持續時間閾值，當超過此閾值時將觸發警報。然後，處理控制器可以通知操作者並停止處理以防止損壞。
在一些具體實施例中，處理控制器可以使用感測器提供的檢測資訊，由感測器檢測資訊導出的檢測位準及/或當前處理作業的知識，來確定故障是否實際發生，以進一步減少誤警報。例如，處理控制器可以使用光閘碟盤組件上的軸感測器，來知道軸朝向或遠離基板支座旋轉。當根據來自感測器的檢測資訊觀察時，軸的旋轉狀態可以幫助進一步確定是否已經發生故障。類似地，若處理資訊指示在處理腔室中發生加熱或冷卻，則可以考慮光閘碟盤組件的膨脹及/或收縮。
下文的圖3-6示出了可能導致表1中所示的條件的一些光閘碟盤組件位置。插圖並不意為構成限制。
圖3描繪了根據一些具體實施例的用於檢測正確儲存的光閘碟盤組件的設備300。第一感測器340定位在光閘殼體338上，以在儲存時檢測光閘臂330的正確放置。第一感測器340提供第一感測器檢測資訊，檢測資訊指示由光閘臂330引起的堵塞程度。
感測器可以提供電壓或電流信號作為感測器檢測資訊，以幫助處理控制器確定何時發生堵塞。在一些感測器中，感測器檢測資訊可以是信號位準（例如以毫伏或毫安等表示），信號位準提供堵塞程度的一些指示（弱信號與強信號）。其他感測器檢測資訊可以包括提供ON/OFF狀態。其他感測器檢測資訊可包括數位資料，或數位和類比資料的組合。然後，處理控制器可以具有確定信號是否足夠強以被認為是「堵塞」的靈活性。在一些具體實施例中，處理控制器可以將確定結果儲存在記憶體中，作為感測器檢測位準以供稍後比較。處理控制器的解釋，還允許調整系統以進一步消除個別處理腔室及/或個別處理或處理子程序的誤警報。
第二感測器342定位在光閘殼體338上，以檢測光閘碟盤332何時在光閘臂330上未對準或當光閘碟盤組件處於超限(overrun)狀態時。第二感測器342提供第二感測器檢測資訊，檢測資訊指示由光閘碟盤332引起的堵塞程度。第三感測器344位於光閘殼體338上，以檢測光閘碟盤332何時被正確儲存。第三感測器344提供第三感測器檢測資訊，檢測資訊指示由光閘碟盤332引起的堵塞程度。第一感測器檢測資訊、第二感測器檢測資訊和第三感測器檢測資訊被傳送到處理控制器，以確定光閘碟盤組件的作業狀態。處理控制器解譯第一感測器檢測資訊、第二感測器檢測資訊和第三感測器檢測資訊，以協助確定光閘碟盤組件的作業狀態。在一些具體實施例中，處理控制器還使用在校準期間確定的處理資訊及/或感測器檢測位準（參見下文）來幫助確定作業狀態。處理資訊可包括關於光閘碟盤組件是否應處於儲存位置、光閘碟盤是否應處於儲存位置、或處理腔室中的基板支座位置等的資訊。光閘殼體338可以附加到腔室殼體306的一側或腔室殼體306的後部。
諸如（例如）SUNX品牌EX-10系列光電感測器等的感測器，可以用作第一、第二和第三感測器。感測器可以是發射器和接收器對。報告不同信號位準的感測器也可用於增加更大的粒度和靈活性。變化的信號位準有利地允許由過程控制器調整感測器檢測，因為可以在宣布檢測之前調整來自感測器的最小信號位準或閾值。可調閾值允許處理控制器靈活地確定何時達到堵塞狀態。例如，在一些具體實施例中，感測器的10％或更大的堵塞，可被處理控制器解釋為「受阻擋」。在一些具體實施例中，感測器的15％或更大的堵塞，可被處理控制器解釋為「受阻擋」。處理控制器對感測器信號位準的調整，允許調整檢測邏輯的靈活性，以進一步消除由光閘碟盤組件的熱膨脹/收縮及/或光閘碟盤組件上的沉積等引起的誤警報。在一些具體實施例中，還可以利用放置的機械調整，來進一步調整邏輯以防止誤警報。
檢測孔或窗口的放置及/或對準，也可以有利地基於光閘臂的運動（例如旋轉角度和旋轉範圍）、光閘碟盤的尺寸、及/或消除由於處理效應（諸如由於加熱而導致的膨脹及/或在光閘碟盤組件上沉積材料）所造成的誤警報來改變。在一些具體實施例中，感測器在檢測孔內的位置也可用於調整及/或校準光閘碟盤組件。可以安裝感測器以允許調整檢測孔內的感測器。可以藉由感測器的安裝突片內的槽等等來實現調整，以允許感測器在檢測孔內移動。例如，調整可以包括將感測器從檢測孔的中心直接朝向檢測孔的周邊等移動。
圖4描繪了根據一些具體實施例的用於檢測不正確儲存的光閘碟盤組件的設備400。光閘碟盤組件處於超限狀態。光閘臂330和光閘碟盤332定位在光閘殼體338中太遠。第一感測器340提供第一感測器檢測資訊，檢測資訊指示由光閘臂330引起的高堵塞程度。第二感測器342提供第二感測器檢測資訊，檢測資訊指示由光閘碟盤332引起的一些堵塞程度。第三感測器344提供第三感測器檢測資訊，檢測資訊指示由光閘碟盤332引起的高堵塞程度。第一感測器檢測資訊、第二感測器檢測資訊和第三感測器檢測資訊被傳送到處理控制器，以確定光閘碟盤組件的作業狀態。處理控制器使用第一感測器檢測資訊、第二感測器檢測資訊和第三感測器檢測資訊，以協助至少部分確定光閘碟盤組件的作業狀態。在一些具體實施例中，處理控制器還使用在校準期間確定的處理資訊及/或感測器檢測位準（參見下文的圖8）來幫助進行確定。
圖5描繪了根據一些具體實施例的用於檢測正確儲存的光閘臂330的裝置500。在一些處理中，光閘碟盤（圖5中未示出）可以留在基板支座上，而光閘臂330存放在光閘殼體338中。第一感測器340提供第一感測器檢測資訊，檢測資訊指示高堵塞程度。第二感測器342提供第二感測器檢測資訊，檢測資訊指示低（或無）堵塞程度。第三感測器344提供第三感測器檢測資訊，檢測資訊指示無堵塞程度。第一感測器檢測資訊、第二感測器檢測資訊和第三感測器檢測資訊被傳送到處理控制器，以確定光閘碟盤組件的作業狀態。處理控制器使用第一感測器檢測資訊、第二感測器檢測資訊和第三感測器檢測資訊，以協助至少部分確定光閘碟盤組件的作業狀態。在一些具體實施例中，處理控制器還使用在校準期間確定的處理資訊及/或感測器檢測位準（參見下文的圖8）來幫助進行確定。
圖6描繪了根據一些具體實施例的用於檢測不正確儲存的光閘臂330的裝置600。在範例中，光閘臂330處於超限狀態。第一感測器340提供第一感測器檢測資訊，檢測資訊指示高堵塞程度。第二感測器342提供第二感測器檢測資訊，檢測資訊指示高堵塞程度。第三感測器344提供第三感測器檢測資訊，檢測資訊指示無堵塞程度（未示於圖6）或低堵塞程度。第一感測器檢測資訊、第二感測器檢測資訊和第三感測器檢測資訊被傳送到處理控制器，以確定光閘碟盤組件的作業狀態。處理控制器使用第一感測器檢測資訊、第二感測器檢測資訊和第三感測器檢測資訊，以協助至少部分確定光閘碟盤組件的作業狀態。在一些具體實施例中，處理控制器還可使用在校準期間確定的處理資訊及/或感測器檢測位準（參見下文的圖8）來幫助進行確定。
光閘碟盤組件在處理期間也可處於空閒狀態（未示出，參見上面的表1）。當發生空閒狀態時，光閘碟盤組件可以旋轉到腔室中，以提升光閘碟盤或將光閘碟盤放置在基板支座上。在空閒狀態期間，第一感測器340提供無堵塞程度的第一感測器檢測資訊，第二感測器342提供無堵塞程度的第二感測器檢測資訊，第三感測器344提供無堵塞程度的第三感測器檢測資訊（光閘臂330和光閘碟盤332不在光閘殼體338中）。若空閒狀態超過處理作業的持續時間，則處理控制器可以使用超時(timed out)資訊以及第一感測器檢測資訊、第二感測器檢測資訊和第三感測器檢測資訊，來確定光閘碟盤組件的作業狀態。
圖7是根據一些具體實施例的檢測處理腔室中的光閘碟盤組件的方法700。在方框702中，方法開始於接收位於處理腔室的光閘殼體中的第一感測器的第一感測器檢測資訊，第一感測器定位成檢測光閘臂。可以放置第一感測器，使得可以檢測由光閘臂引起的部分或完全的堵塞。在方框704中，接收來自位於處理腔室的光閘殼體中的第二感測器的第二感測器檢測資訊，第二感測器定位成檢測光閘碟盤。可以放置第二感測器，使得可以檢測由光閘碟盤引起的部分或完全的堵塞。在方框706中，接收來自位於處理腔室的光閘殼體中的第三感測器的第三感測器檢測資訊，第三感測器定位成檢測光閘碟盤。可以放置第三感測器，使得可以檢測由光閘碟盤引起的部分或完全的堵塞。在方框708中，從處理控制器接收處理資訊。處理資訊可包括關於光閘碟盤組件是否應處於儲存位置、光閘碟盤是否應處於儲存位置、處理腔室中的基板支座位置、光閘碟盤組件是正被傳送或是空閒、部件狀態（諸如（例如）光閘碟盤組件軸的旋轉角度等）等的資訊。
在方框710中，至少部分地基於第一感測器檢測資訊、第二感測器檢測資訊、第三感測器檢測資訊、處理資訊及/或在校準期間確定的感測器檢測位準（見下文）中的至少一個，來確定光閘碟盤組件的作業狀態。如上面的表1中所示並且在圖3-6中示出的，在一些具體實施例中可以使用資訊的組合來有利地減少誤警報。允許在確定光閘碟盤組件的作業狀態時使用額外資訊，還有利地允許在定義用於進行確定的準則時具有更大的靈活性。在方框712中，若需要，則基於光閘碟盤組件的作業狀態改變處理腔室的至少一個處理。可以改變處理，例如藉由停止處理、停止處理並設定警報、停止處理並運行子處理以嘗試自動校正故障、及/或暫時停止處理以校準或重新校準等等。在一些具體實施例中，可以由聽覺方式及/或視覺方式通知操作者。
圖8是根據一些具體實施例的校準對處理腔室中的光閘碟盤組件的檢測的方法800。在方框802中，方法開始於將光閘碟盤組件儲存在附加到處理腔室的光閘殼體中。光閘碟盤組件應處於正確的位置。在方框804中，接收位於處理腔室的光閘殼體中的第一感測器的第一感測器檢測資訊，第一感測器定位成檢測光閘臂。在一些具體實施例中，感測器可以被個別校準。藉由消除其他變量，個別校準有利地使得排除故障更為容易。在方框806中，設定基於第一感測器檢測資訊的第一感測器檢測位準，第一感測器檢測位準指示光閘碟盤臂被正確儲存。第一感測器檢測資訊可以是信號位準或可以是信號狀態（例如，高或低）。一些感測器可以僅提供兩種狀態，而其他感測器可以提供電壓或電流位準。處理控制器可以使用第一感測器檢測資訊的值或位準，來知道光閘臂何時處於正確位置。處理控制器根據第一感測器檢測資訊產生第一感測器檢測位準作為參考，以指示正確的校準位置。在一些具體實施例中，第一感測器檢測資訊可指示當光閘臂處於正確位置時的堵塞。
在方框808中，接收來自位於處理腔室的光閘殼體中的第二感測器的第二感測器檢測資訊，第二感測器定位成檢測光閘碟盤。在方框810中，設定基於第二感測器檢測資訊的第二感測器檢測位準，第二感測器檢測位準指示光閘碟盤被正確儲存。第二感測器檢測資訊可以是信號位準或可以是信號狀態（例如，高或低）。一些感測器可以僅提供兩種狀態或數位資料，而其他感測器可以提供諸如電壓或電流位準的類比資料。處理控制器可以使用第二感測器檢測資訊的值或位準，來知道光閘碟盤何時處於正確位置。處理控制器根據第二感測器檢測資訊產生第二感測器檢測位準作為參考，以指示正確的校準位置。在一些具體實施例中，第二感測器檢測資訊可指示當光閘臂處於正確位置時無堵塞。
在方框812中，接收來自位於處理腔室的光閘殼體中的第三感測器的第三感測器檢測資訊，第三感測器定位成檢測光閘碟盤。在方框814中，設定基於第三感測器檢測資訊的第三感測器檢測位準，第三感測器檢測位準指示光閘碟盤被正確儲存。第三感測器檢測資訊可以是信號位準或可以是信號狀態（例如，高或低）。一些感測器可以僅提供兩種狀態，而其他感測器可以提供電壓或電流位準。處理控制器可以使用第三感測器檢測資訊的值或位準，來知道光閘碟盤何時處於正確位置。處理控制器根據第三感測器檢測資訊產生第三感測器檢測位準作為參考，以指示正確的校準位置。在一些具體實施例中，第三感測器檢測位準可指示當光閘碟盤處於正確位置時的堵塞。
在方框816中，儲存第一感測器檢測位準、第二感測器檢測位準和第三感測器檢測位準。處理控制器可以將第一感測器檢測位準、第二感測器檢測位準和第三感測器檢測位準，儲存在諸如圖1的記憶體192的記憶體中。在一些具體實施例中，處理控制器可以逐個處理地改變第一感測器檢測位準、第二感測器檢測位準及/或第三感測器檢測位準。在儲存在記憶體中之前改變感測器檢測位準，可以允許處理控制器在特定處理期間考慮例如光閘碟盤組件的熱膨脹/收縮等。然後，處理控制器可以取得對於特定處理的儲存在記憶體中的感測器檢測位準。在一些具體實施例中，處理控制器可以改變第一感測器檢測位準、第二感測器檢測位準及/或第三感測器檢測位準，以應付在儲存位準於記憶體中之前的處理期間內在光閘碟盤組件上的材料沈積。在一些具體實施例中，處理控制器可以採用演算法來確定感測器檢測位準的改變，作為單次處理運行及/或在同一處理的多次運行中。然後，處理控制器可對光閘碟盤組件的處理相關變化（諸如隨時間及/或在多次處理運行中光閘碟盤組件上的沉積生長），即時或接近即時地調整感測器檢測位準。處理控制器還可對光閘碟盤組件的處理相關變化（諸如基於何時施加熱及/或移除熱的熱膨脹/收縮），即時或接近即時地調整感測器檢測位準。
在方塊818中，在處理期間取得第一感測器檢測位準、第二感測器檢測位準及/或第三感測器檢測位準，以確定光閘碟盤組件的作業狀態。如上所述，處理控制器還可以使用處理資訊來確定光閘碟盤組件的作業狀態。
雖然前述內容係關於本原理的具體實施例，但可發想原理的其他與進一步的具體實施例而不脫離前述內容的基本範圍。
100‧‧‧處理腔室
104‧‧‧基板支座
106‧‧‧腔室殼體
110‧‧‧感測器發送器
112‧‧‧感測器接收器
114‧‧‧光閘碟盤
116‧‧‧箭頭
118‧‧‧支撐軸
120‧‧‧軸
122‧‧‧箭頭
124‧‧‧軸感測器
126‧‧‧致動器
128‧‧‧光閘臂
132‧‧‧A-A線
138‧‧‧光閘殼體
190‧‧‧處理控制器
192‧‧‧記憶體
194‧‧‧中央處理單元
196‧‧‧支援電路
200‧‧‧截面圖
204‧‧‧基板支座
206‧‧‧腔室殼體
230‧‧‧光閘臂
232‧‧‧光閘碟盤
238‧‧‧光閘殼體
300‧‧‧設備
306‧‧‧腔室殼體
330‧‧‧光閘臂
332‧‧‧光閘碟盤
338‧‧‧光閘殼體
340‧‧‧第一感測器
342‧‧‧第二感測器
344‧‧‧第三感測器
400‧‧‧設備
500‧‧‧設備
600‧‧‧設備
700‧‧‧方法
702-712‧‧‧方框
800‧‧‧方法
802-818‧‧‧方框
藉由參照繪製於附加圖式中的本原理的說明性具體實施例，可瞭解於上文簡短總結並於下文更詳細討論的原理的具體實施例。然而，附加圖式僅圖示說明原理的典型具體實施例，且因此不應被視為限制原理的範圍，因為原理可允許其他等效的具體實施例。
圖1描繪了根據本原理的一些具體實施例的處理腔室，其中可以採用用於檢測光閘碟盤組件的設備，或可以執行檢測光閘碟盤組件的方法。
圖2描繪了根據本原理的一些具體實施例的圖1的處理腔室的橫截面視圖。
圖3描繪了根據本原理的一些具體實施例的用於檢測正確儲存的光閘碟盤組件的設備。
圖4描繪了根據本原理的一些具體實施例的用於檢測錯誤儲存的光閘碟盤組件的設備。
圖5描繪了根據本原理的一些具體實施例的用於檢測正確儲存的光閘臂的裝置。
圖6描繪了根據本原理的一些具體實施例的用於檢測錯誤儲存的光閘臂的裝置。
圖7是根據本原理的一些具體實施例的檢測光閘碟盤組件的方法。
圖8是根據本原理的一些具體實施例的校準對於光閘碟盤組件的檢測的方法。
為了協助瞭解，已盡可能使用相同的元件符號標定圖式中共有的相同元件。圖式並未按照比例繪製，並可被簡化以為了清楚說明。一個具體實施例的元件與特徵，可無需進一步的敘述即可被有益地併入其他具體實施例中。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記)
無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記)
無

Claims (20)

  1. 一種檢測一處理腔室中的一光閘碟盤組件的方法，包含以下步驟： 接收位於該處理腔室的一光閘殼體中的一第一感測器的第一感測器檢測資訊，該第一感測器定位成檢測一光閘臂； 接收來自位於該處理腔室的該光閘殼體中的一第二感測器的第二感測器檢測資訊，該第二感測器定位成檢測一光閘碟盤； 接收來自位於該處理腔室的該光閘殼體中的一第三感測器的第三感測器檢測資訊，該第三感測器定位成檢測該光閘碟盤； 從一處理控制器接收處理資訊； 至少部分地基於該第一感測器檢測資訊、該第二感測器檢測資訊、該第三感測器檢測資訊、與該處理資訊中的至少一個，來確定該光閘碟盤組件的一作業狀態；以及 若需要，則基於該光閘碟盤組件的該作業狀態改變該處理腔室的至少一個處理。
  2. 如請求項1所述之方法，該方法進一步包含以下步驟： 藉由執行該光閘碟盤組件的一校準，改變該處理腔室的至少一個處理。
  3. 如請求項1所述之方法，該方法進一步包含以下步驟： 藉由重新定位該光閘臂，改變該處理腔室的至少一個處理。
  4. 如請求項1所述之方法，該方法進一步包含以下步驟： 藉由停止該處理並設定一警報，改變該處理腔室的至少一個處理。
  5. 如請求項1所述之方法，其中該光閘碟盤組件的該作業狀態至少包含來自該光閘臂的一軸的一軸感測器的一角度。
  6. 如請求項1所述之方法，該方法進一步包含以下步驟： 確定在一空閒週期期間內該光閘碟盤組件是否超過一持續時間；以及 藉由停止該處理並設定一警報，改變該處理腔室的至少一個處理。
  7. 如請求項1所述之方法，該方法進一步包含以下步驟： 在該第一感測器檢測資訊指示堵塞、該第二感測器檢測資訊指示無堵塞和第三感測器檢測資訊指示堵塞，且該處理資訊指示儲存了光閘碟盤組件時，確定該作業狀態為無錯誤狀態。
  8. 如請求項1所述之方法，該方法進一步包含以下步驟： 在該第一感測器檢測資訊指示堵塞、該第二感測器檢測資訊指示堵塞和第三感測器檢測資訊指示無堵塞，且該處理資訊指示儲存了光閘碟盤組件時，確定該作業狀態為錯誤狀態。
  9. 如請求項1所述之方法，該方法進一步包含以下步驟： 在該第一感測器檢測資訊指示無堵塞、該第二感測器檢測資訊指示堵塞和第三感測器檢測資訊指示無堵塞，且該處理資訊指示儲存了光閘碟盤組件時，確定該作業狀態為錯誤狀態。
  10. 如請求項1所述之方法，該方法進一步包含以下步驟： 在該第一感測器檢測資訊指示堵塞、該第二感測器檢測資訊指示堵塞和第三感測器檢測資訊指示無堵塞，且該處理資訊指示儲存了光閘碟盤組件時，確定該作業狀態為無錯誤狀態。
  11. 如請求項1所述之方法，該方法進一步包含以下步驟： 在該第一感測器檢測資訊指示堵塞、該第二感測器檢測資訊指示堵塞和第三感測器檢測資訊指示無堵塞或堵塞，且該處理資訊指示儲存了光閘臂時，確定該作業狀態為錯誤狀態。
  12. 如請求項1所述之方法，該方法進一步包含以下步驟： 在該第一感測器檢測資訊指示堵塞、該第二感測器檢測資訊指示無堵塞和第三感測器檢測資訊指示無堵塞，且該處理資訊指示儲存了光閘臂時，確定該作業狀態為無錯誤狀態。
  13. 如請求項1所述之方法，該方法進一步包含以下步驟： 在該第一感測器檢測資訊指示無堵塞、該第二感測器檢測資訊指示無堵塞和第三感測器檢測資訊指示堵塞，且該處理資訊指示光閘碟盤組件空閒超時時，確定該作業狀態為錯誤狀態。
  14. 一種檢測一處理腔室中的一光閘碟盤組件的方法，包含以下步驟： 將該光閘碟盤組件儲存在附加到該處理腔室的一光閘殼體中； 接收位於該處理腔室的一光閘殼體中的一第一感測器的第一感測器檢測資訊，該第一感測器定位成檢測一光閘臂； 設定基於該第一感測器檢測資訊的一第一感測器檢測位準，該第一感測器檢測位準指示一光閘碟盤臂被正確儲存； 接收來自位於該處理腔室的該光閘殼體中的一第二感測器的第二感測器檢測資訊，該第二感測器定位成檢測一光閘碟盤； 設定基於該第二感測器檢測資訊的一第二感測器檢測位準，該第二感測器檢測位準指示一光閘碟盤被正確儲存； 接收來自位於該處理腔室的該光閘殼體中的一第三感測器的第三感測器檢測資訊，該第三感測器定位成檢測該光閘碟盤； 設定基於該第三感測器檢測資訊的一第三感測器檢測位準，該第三感測器檢測位準指示該光閘碟盤被正確儲存； 儲存該第一感測器檢測位準、該第二感測器檢測位準和該第三感測器檢測位準；以及 在一處理期間取得該第一感測器檢測位準、該第二感測器檢測位準或該第三感測器檢測位準，以確定該光閘碟盤組件的一作業狀態。
  15. 如請求項14所述之方法，該方法進一步包含以下步驟： 將該第一感測器檢測位準、該第二感測器檢測位準或該第三感測器檢測位準與該第一感測器、該第二感測器或該第三感測器的當前感測器檢測資訊比較，以確定該光閘碟盤組件的一狀態。
  16. 如請求項14所述之方法，該方法進一步包含以下步驟： 從一處理控制器接收處理資訊；以及 基於當前感測器檢測資訊，以及至少部分地基於該第一感測器檢測位準、該第二感測器檢測位準、該第三感測器檢測位準、與該處理資訊中的至少一個，來確定該光閘碟盤組件的一作業狀態。
  17. 如請求項14所述之方法，該方法進一步包含以下步驟： 在一處理期間改變該第一感測器檢測位準、該第二感測器檢測位準或該第三感測器檢測位準，以應付該光閘碟盤組件的熱膨脹或收縮。
  18. 如請求項14所述之方法，該方法進一步包含以下步驟： 在一處理期間改變該第一感測器檢測位準、該第二感測器檢測位準或該第三感測器檢測位準，以應付該光閘碟盤組件上的材料沈積。
  19. 一種檢測用於一處理腔室的一光閘碟盤組件的設備，包含： 附加到該處理腔室的一光閘殼體； 一第一感測器，該第一感測器附接至該光閘殼體，並被定位以在一光閘臂位於該光閘殼體中時檢測該光閘臂； 一第二感測器，該第二感測器附接至該光閘殼體，並被定位以在該光閘碟盤位於該光閘殼體中時檢測該光閘碟盤； 一第三感測器，該第三感測器附接至該光閘殼體，並被定位以在該光閘碟盤位於該光閘殼體中時檢測該光閘碟盤；以及 一處理控制器，該處理控制器與該第一感測器、第二感測器和該第三感測器互動，以在一處理期間檢測該光閘碟盤組件的故障狀態，此係藉由使用一種檢測一處理腔室中的該光閘碟盤組件的方法，該方法包含： 接收來自該第一的第一感測器檢測資訊； 接收來自該第二感測器的第二感測器檢測資訊； 接收來自該第三感測器的第三感測器檢測資訊； 從一處理控制器接收處理資訊；以及 至少部分地基於該第一感測器檢測資訊、該第二感測器檢測資訊、該第三感測器檢測資訊、與該處理資訊中的至少一個，來確定該光閘碟盤組件的一作業狀態。
  20. 如請求項19所述之設備，其中該處理腔室為一預清洗腔室或一物理氣相沈積（PVD）腔室。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI821858B (zh) * 2021-09-24 2023-11-11 大陸商北京北方華創微電子裝備有限公司 遮蔽裝置和半導體製程設備

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112786480A (zh) * 2019-11-08 2021-05-11 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 晶圆处理系统与防撞方法
TWI771083B (zh) * 2021-06-29 2022-07-11 天虹科技股份有限公司 具有對開式遮蔽構件的薄膜沉積設備
TWI815135B (zh) * 2021-06-29 2023-09-11 天虹科技股份有限公司 開合式遮蔽構件及具有開合式遮蔽構件的薄膜沉積機台
TWI788032B (zh) * 2021-09-28 2022-12-21 天虹科技股份有限公司 開合式遮蔽機構及具有開合式遮蔽機構的薄膜沉積機台
CN115874158A (zh) * 2021-09-28 2023-03-31 天虹科技股份有限公司 开合式遮蔽机构及薄膜沉积机台
TWI788035B (zh) * 2021-09-30 2022-12-21 天虹科技股份有限公司 用以感測遮蔽機構開合的薄膜沉積機台
CN114686838B (zh) * 2022-03-28 2024-06-11 尚越光电科技股份有限公司 一种cigs共蒸设备的高稳定传动系统
US11981990B2 (en) * 2022-08-30 2024-05-14 Sky Tech Inc. Deposition equipment with shielding mechanism
US20240093355A1 (en) * 2022-09-21 2024-03-21 Applied Materials, Inc. Glassy Carbon Shutter Disk For Physical Vapor Deposition (PVD) Chamber

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5980194A (en) * 1996-07-15 1999-11-09 Applied Materials, Inc. Wafer position error detection and correction system
TW350115B (en) * 1996-12-02 1999-01-11 Toyota Automatic Loom Co Ltd Misregistration detection device and method thereof
US6051113A (en) 1998-04-27 2000-04-18 Cvc Products, Inc. Apparatus and method for multi-target physical-vapor deposition of a multi-layer material structure using target indexing
US6669829B2 (en) * 2002-02-20 2003-12-30 Applied Materials, Inc. Shutter disk and blade alignment sensor
TWI356100B (en) * 2003-07-24 2012-01-11 Applied Materials Inc Shutter disk and blade for physical vapor depositi
US20080276867A1 (en) 2007-05-09 2008-11-13 Jason Schaller Transfer chamber with vacuum extension for shutter disks
US20090182454A1 (en) 2008-01-14 2009-07-16 Bernardo Donoso Method and apparatus for self-calibration of a substrate handling robot
US20100089315A1 (en) 2008-09-22 2010-04-15 Applied Materials, Inc. Shutter disk for physical vapor deposition chamber
TWI431668B (zh) 2009-06-24 2014-03-21 Ulvac Inc 真空成膜裝置及真空成膜裝置之擋板位置檢測方法
JP2012072426A (ja) * 2010-09-28 2012-04-12 Murata Mfg Co Ltd 成膜装置及び成膜方法
US9147558B2 (en) 2013-01-16 2015-09-29 Applied Materials, Inc. Finned shutter disk for a substrate process chamber
US9564348B2 (en) 2013-03-15 2017-02-07 Applied Materials, Inc. Shutter blade and robot blade with CTE compensation
CN103276352B (zh) 2013-05-02 2015-08-05 上海华力微电子有限公司 挡板感应器
CN104752262B (zh) * 2013-12-31 2018-05-08 北京北方华创微电子装备有限公司 遮挡盘检测装置、检测方法、反应腔室及半导体加工设备
US9349629B2 (en) 2014-01-23 2016-05-24 Lam Research Corporation Touch auto-calibration of process modules
WO2017196540A1 (en) 2016-05-13 2017-11-16 Applied Materials, Inc. Sensor based auto-calibration wafer

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI821858B (zh) * 2021-09-24 2023-11-11 大陸商北京北方華創微電子裝備有限公司 遮蔽裝置和半導體製程設備

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Publication number Publication date
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