TW201943147A - 天線結構以及封裝天線 - Google Patents

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Abstract

本發明提供了一種天線結構以及封裝天線。天線結構包括設置在第一導電層中的輻射天線元件；反射器接地平面，設置在第一導電層下面的第二導電層中；饋電網路，包括設置在第三導電層中的傳輸線，第三導電層位於第二導電層下面，其中饋電端子被設置為將傳輸線的一端電耦接到輻射天線元件；以及設置為鄰近饋電端子的至少一個耦合元件，其中耦合元件與饋電端子電容耦合。 根據本發明的天線結構和具有這種天線結構的封裝天線，通過在饋電端子附近提供整合式耦合元件，可以調節天線輻射方向圖和操作頻寬，並且顯著改善天線性能。

Description

天線結構以及封裝天線
本發明涉及一種天線結構，更具體地，涉及具有整合式耦合元件（integrated coupling element）的天線結構和具有這種天線結構的封裝天線（antenna-in-package，AiP）。
如本領域中已知的，柵格陣列天線（grid array antenna，GAA）結構通常由電介質基板上微帶線的矩形網格（rectangular mesh）構成，電介質基板由金屬接地平面支撐，並且柵格陣列天線結構通過接地平面上的孔（aperture）由金屬通孔（via）進行饋電。取決於網格的多個邊的電長度，柵格陣列天線可以是諧振的（resonant）或者是非諧振的。
然而，傳統的柵格陣列天線在毫米波（mm-wave）頻率（例如，77GHz~89GHz）下性能不佳。因此，希望提供一種改進的柵格陣列天線，其具有高增益輻射方向圖和易於控制（easy-controlled）的操作頻寬。
本公開的一個目的是提供一種改進的天線結構和具有這種天線結構的封裝天線，其具有高增益輻射方向圖和易於控制的操作頻寬。
根據本公開的一個方面，提供了一種天線結構。天線結構包括設置在第一導電層中的輻射天線元件；反射器接地平面，設置在第一導電層下面的第二導電層中；饋電網路，包括設置在第三導電層中的傳輸線，第三導電層位於第二導電層下面，其中饋電端子被設置為將傳輸線的一端電耦接到輻射天線元件；以及設置為鄰近饋電端子的至少一個耦合元件，其中耦合元件與饋電端子電容耦合。
根據一些實施例，耦合元件包括導電墊和將導電墊電耦接到反射器接地平面的連接器。
根據一些實施例，天線結構被配置為以具有RF頻率和相應波長λ的預定RF信號進行操作，其中導電墊與輻射天線元件之間的距離等於或小於0.4λ 。
根據一些實施例，RF頻率包括範圍在76GHz~81GHz之間的阻抗頻寬。
根據一些實施例，導電墊設置在第一導電層中並與輻射天線元件共面。
根據一些實施例，天線結構還包括具有頂表面和底表面的基板。
根據一些實施例，基板包括陶瓷基板、半導體基板、電介質基板或玻璃基板。
根據一些實施例，基板包括封裝基板或印刷電路板。
根據一些實施例，第一導電層設置在基板的頂表面上，第二導電層設置在基板的底表面上。
根據一些實施例，反射器接地平面設置在基板的底表面上。
根據一些實施例，第一導電層、第二導電層和第三導電層設置在基板的頂表面上。
根據一些實施例，天線結構還包括重佈線結構，重佈線結構設置在基板的底表面上，其中第三導電層和傳輸線設置在重新佈線結構中。
根據一些實施例，饋電端子包括基板中的連接器和重新佈線結構中的通孔。
根據一些實施例，連接器是電鍍通孔，並且電鍍通孔與通孔對準。
根據一些實施例，反射器接地平面包括用於容納饋電端子的孔，並且其中饋電端子穿過反射器接地平面的孔並且不與反射器接地平面接觸。
根據一些實施例，輻射天線元件包括柵格陣列天線。
根據一些實施例，柵格陣列天線包括單饋電柵格陣列天線或雙饋電柵格陣列天線。
根據一些實施例，輻射天線元件包括貼片陣列天線。
根據本公開的另一方面，提供了一種天線結構。天線結構包括設置在第一導電層中的輻射天線元件；反射器接地平面，設置在第一導電層下面的第二導電層中；饋電網路，包括設置在第三導電層中的傳輸線，第三導電層位於第二導電層下面，其中饋電端子被設置為將傳輸線的一端電耦接到輻射天線元件；以及將所述饋電端子夾於中間的兩個耦合元件，其中兩個耦合元件與饋電端子電容耦合。
根據本公開的另一方面，提供了一種封裝天線，所述封裝天線包括如上所述的天線結構，以及內置於基板中或安裝在基板上的半導體晶片，該半導體晶片電耦接到所述天線結構。
根據本發明的天線結構和具有這種天線結構的封裝天線，通過在饋電端子附近提供整合式耦合元件，可以調節天線輻射方向圖和操作頻寬，並且顯著改善天線性能。
在閱讀了在附圖和附圖中示出的優選實施例的以下詳細描述之後，本領域習知技藝者無疑能夠清楚瞭解本發明的目的。
在下面對本發明實施例的詳細描述中，參考了附圖，附圖構成本發明的一部分，並且其中通過圖示的方式示出了可以實現本發明的特定優選實施例。
充分詳細地描述了本發明的實施例以使得本領域習知技藝者能夠實施，應該理解，也可以利用其他實施例並且可以在不脫離本發明的精神和範圍的情況下進行機械上、結構上和程式上的改變。因此，以下詳細描述不應被視為具有限制意義，本發明的實施例的範圍僅由所附申請專利範圍限定。
應當理解，儘管這裡可以使用術語第一、第二、第三、主要、次要等來描述各種元件、元件、區域、層和/或部分，但是這些元件、元件、區域、層和/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、元件、區域、層或部分與另一個元件、元件、區域、層或部分區分開。因此，在不脫離本發明的思想的教導下，下面討論的第一或主要元件、元件、區域、層或部分也可以稱為第二或次要元件、元件、區域、層或部分。
為了便於描述附圖中所示的一個元件或特徵與另一個元件或特徵的關係，本文中使用了空間相對術語，諸如“之下”、“下方”、“下部”、“低於”、“之上”、“上部”、“上方”等。應當理解，除了圖中所示的方位（orientation）之外，空間相對術語旨在包括使用或操作中的器件的不同方位。例如，如果圖中的器件被翻轉，那麼被描述為位於其他元件或特徵“之下”或“下方”或“下面”的元件將被定向位於其他元件或特徵“之上”或“上方”。因此，示例性術語“下面”和“下方”可以包括上方和下方兩個方位。器件可以以其他方式定向（旋轉90度或以其他方位），並相應地解釋本文使用的空間相對描述語。另外，還應理解，當某個層被稱為在兩個層“之間”時，它可以是兩個層之間的唯一層，或者也可以存在一個或多個中間層。
本文使用的術語僅用於描述特定實施例，並不旨在限制本發明的思想。本文使用的單數形式“一”和“該”旨在也包括複數形式，除非上下文中另有明確說明。將進一步理解，當在本說明書中使用術語“包括”時，是指存在所述特徵、整數、步驟、操作、元件和/或元件，但不排除存在或者添加一個或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、元件和/或組。本文所使用的術語“和/或”包括所列相關項目中一個或多個專案的任何和所有組合，並且可以縮寫為“/”。
應當理解，當某元件或層被稱為“位於……上”、“連接到”、“耦接到”或“鄰近”另一個元件或層時，它可以直接位於該另一個元件或層其上、與該另一個元件或層直接連接、耦接或相鄰，或者可以存在中間元件或層。相反，當元件被稱為“直接位於另一元件或層上”、或“直接連接到”、“直接耦接到”或“緊鄰”另一元件或層時，則不存在中間元件或層。
應注意：（i）在整個附圖中相同特徵將由相同的參考標記表示，且該相同特徵不一定在每個附圖中都詳細描述，（ii）一系列附圖可以示出單個專案的不同方面，每個方面與各種參考標記相關聯，各種參考標記可能出現在一系列附圖中，或者可能僅出現一系列附圖的選定圖形中。
本發明涉及具有整合式耦合元件的天線結構和具有這種天線結構的封裝天線（antenna-in-package，AiP）。一些合適的封裝類型可以包括但不限於扇出型晶圓級封裝（fan-out wafer level package，FOWLP）、覆晶晶片尺寸封裝（flip-chip chip-scale package，FCCSP）或晶片內置基板封裝（semiconductor-embedded in substrate，SESUB）。此外，本公開可以適用於板載天線（antenna-on-board，AoB）應用。通過在饋電端子附近提供整合式耦合元件，可以調節天線輻射方向圖（radiation pattern）和操作頻寬，並且顯著改善天線性能。天線結構可以包括柵格陣列天線（grid array antenna，GAA），柵格陣列天線包括但不限於單饋電（single-feeding）GAA、雙饋電分離的（dual-feeding separated）GAA或雙饋電組合的（dual-feeding combined）GAA。天線結構可以是單饋電貼片（patch）陣列天線等。本發明公開的具有整合式耦合元件的天線結構適用於汽車應用的雷達感測器或5G移動通信系統，但不限於此。
第1圖是示出根據本發明的一個實施例的示例性封裝天線的示意性截面圖。應當理解，除非另外特別說明，否則本文描述的各種示例性實施例的特徵可以彼此組合。簡單起見，在圖中僅示出了示例性天線封裝的密切關聯的部分（germane parts）。
應理解，儘管第1圖中僅示出了三個導體跡線/層，本發明並不限於該示例性實施例。在其他實施例中，在不背離本發明的範圍的情況下，可以實現基板（substrate）或重新佈線結構（re-wiring structure）中的更多導體跡線/層，諸如四層、五層、六層、七層或八層導體。
如第1圖所示，封裝天線1a包括基板200。天線結構20設置在基板200中和基板200上。天線結構20被配置為以預定的RF信號操作，例如具有RF頻率（例如， 阻抗頻寬在76GHz~81GHz之間）和相應波長λ的mmW信號。例如，基板200可以是陶瓷基板、半導體基板、電介質基板、玻璃基板，但不限於此。根據一個實施例，基板200可以是封裝基板或印刷電路板（printed circuit board，PCB），包括例如FR4材料或高性能毫米波PCB材料，但不限於此。導電層（conductive layers）210形成在基板200的相對面（opposite surface）上（例如，第1圖所示的基板200的頂表面上的導電層210可以稱為第一導電層，基板200的底表面上的導電層210可以稱為第二導電層）。基板200包括至少一個連接器212，例如電鍍通孔，以將信號從基板200的一側路由到基板200的另一側。根據本發明的實施例，例如，封裝天線1a可以是半導體封裝，其具有安裝在其中或其上的RF矽晶片/晶片或者無線電子組件。
根據一個實施例，重新佈線結構300可以設置在基板200的一個表面上，例如，設置在基板200的底表面上（bottom surface），如第1圖所示。在非限制性示例中，重新佈線結構300可以包括層疊在基板200的底表面上的介電層（dielectric layer）320、在介電層320上圖案化的互連層（或導電層）340、以及設置互連層340上的保護層360。介電層320可以包括任何合適的絕緣層（insulating layer），例如氧化矽、氮化矽、聚醯亞胺等。互連層340可以包括銅，但不限於此。保護層360可包括任何合適的鈍化層（passivation layer）或焊接掩模。互連層340可以通過介電層320中的通孔322電連接到導電層210。
在非限制性示例中，諸如RF矽晶片/晶片或無線電子元件的半導體晶片40可以安裝在重新佈線結構300上。在其他示例中，半導體晶片40可以是片上系統（System-on-Chip，SoC）晶片，該SoC晶片配備有可以執行如RF無線信號或mmW信號的無線通訊的無線電子組件。半導體晶片40可以通過接觸元件342和導電元件412（例如導電凸塊、柱狀物或球）電連接到互連層340。諸如球柵陣列（ball grid array，BGA）的焊球（Solder ball）510可以設置在半導體晶片40周圍，並且可以電連接到重新佈線結構300的互連層340。
根據一個實施例，天線結構20包括輻射天線元件220，其可以設置在基板200的表面（例如，如第1圖所示，基板200的上表面）上的導電層210中。輻射天線元件220可以包括用於輻射和/或接收諸如RF無線信號或mmW信號的電磁信號的天線陣列或結構。儘管未在該圖中示出，但應理解，輻射天線元件220可根據設計要求而設置在基板200的底表面處。例如，輻射天線元件220可以是任何合適的類型，例如柵格陣列天線、貼片天線、堆疊貼片、偶極天線、單極天線等，並且可以具有不同的方位和/或極化方式。
根據一個實施例，互連層340（可以稱為第三導電層）包括饋電網路的傳輸線（或傳輸跡線）341，用於傳輸RF信號或mmW信號。傳輸線341的一端電連接到饋電端子31，饋電端子31包括連接器212，連接器212可以例如基板200中的電鍍通孔和重新佈線結構300中的通孔322a。傳輸線341的另一端電耦接到半導體晶片40的焊盤。根據一個實施例，連接器212與通孔322a對準。饋電端子31的上端電耦接到輻射天線元件220。來自輻射天線元件220的或者發送至輻射天線元件220的RF信號（諸如mmW信號），可以通過饋電端子31以導體層340中的傳輸線341傳輸。
根據一個實施例，基板200進一步在基板200的導電層210中包括實心接地平面（solid ground plane）211。接地平面211（也稱為反射器接地平面）用作天線結構20的地面反射器。例如，接地平面211設置在基板200的底表面上，接地平面211包括用於容納饋電端子31的孔（aperture）211a。饋電端子31的連接器212穿過接地平面211的孔211a並且不與接地平面211接觸。
根據一個實施例，基板200還包括與饋電端子31電容耦合的至少一個耦合元件。例如，如第1圖所示，兩個耦合元件230a和230b設置在饋電端子31附近或鄰近饋電端子31，例如可以將饋電端子31夾在中間。根據一個實施例，耦合元件230a可以包括導電墊（conductive pad）222a和連接器212a（例如將導電墊222a電耦接到接地平面211的電鍍通孔或通孔）。根據一個實施例，耦合元件230b可包括導電墊222b和將導電墊222b電耦接到接地平面211的連接器212b。導電墊222a與輻射天線元件220之間的距離d1 可以等於或小於0.4λ。導電墊222b和輻射天線元件220之間的距離d2 可以等於或小於0.4λ。距離d1 可以等於或不等於距離d2 。
根據示例性實施例，輻射天線元件220可以是單饋電柵格陣列天線。請參考第2圖和第3圖，並簡要參考第1圖，第2圖是根據本發明的一個實施例的具有單饋電GAA的天線結構的示意性頂視圖。第3圖是示出第2圖中單饋電GAA的放大部分的透視圖。如第2圖和第3圖所示，單饋電GAA 220a由微帶線的矩形網格221組成，其包括長邊221a和短邊221b。長邊221a和短邊221b可以具有不同的線寬和長度。根據示例性實施例，短邊221b的線寬大于長邊221a的線寬。根據示例性實施例，長邊的長度可以等於λ，短邊的長度可以等於λ/2。單饋電GAA 220a可以設置在基板200的上表面上並且由金屬接地平面211支撐。單饋電GAA 220a的特性可以通過改變網格221的長邊和短邊的電長度來調節。
接地平面211用作天線結構20a的地面反射器。接地平面211包括用於容納饋電端子31的孔211a。饋電端子31的連接器212穿過接地平面211的孔211a並且不與接地平面211接觸。兩個耦合元件230a和230b設置為鄰近饋電端子31。如第1圖和第3圖所示，耦合元件230a包括導電墊（conductive pad）222a和將導電墊222a電耦接到接地平面211的連接器212a。耦合元件230b包括導電墊222b和將導電墊222b電耦接到接地平面211的連接器212b。導電墊222a與天線元件220a的短邊221b之間的距離d1 可以等於或小於0.4λ。導電墊222b和天線元件220a的短邊221b之間的距離d2 可以等於或小於0.4λ。距離d1 可以等於或不等於距離d2 。通過在天線饋電點附近提供接地耦合元件230a和230b，可以實現高增益（13.2dB~14.1dB）輻射方向圖，並且可以很好地控制操作頻寬。
如第2圖和第3圖所示，傳輸線341的一端電耦接到饋電端子31的下端（lower end）。傳輸線341是饋電網路的一部分並且設置在接地平面211的下面。饋電端子31的上端（upper end）電耦接到輻射天線元件220。來自輻射天線元件220的或者發送到輻射天線元件220的RF信號（諸如mmW信號）可以通過饋電端子31以及導體層340中的傳輸線341傳輸。根據一個實施例，多個接地通孔324可以設置在傳輸線341的兩側，以形成GSG（ground-signal-ground，接地-信號-接地）配置。多個接地通孔324可以用作波導通孔柵欄（waveguide via fence），這減小了天線的反向輻射（backward radiation）並改善了天線和RF晶片之間的隔離。多個接地通孔324可以形成在第1圖中的重新佈線結構300中，並且可以與通孔322共平面。
根據另一示例性實施例，輻射天線元件可以是雙饋電GAA。第4圖示出了根據本發明另一實施例的示例性雙饋電組合GAA。如第4圖所示，天線結構20b包括兩個饋電點FP1 和FP2 。雙饋電組合GAA 220b通過兩個饋電點FP1 和FP2 連接到T形接頭網路（T-junction network）343。 T形接頭網路343可以設置在接地平面211的下方。同樣，在兩個饋電點FP1 和FP2 中的每一個處，兩個示例性耦合元件230a和230b設置在饋電端子31附近。如第1圖所示，耦合元件230a包括導電墊222a和將導電墊222a電耦接到接地平面211的連接器212a。根據一個實施例，耦合元件230b包括導電墊222b和將導電墊222b電耦接到接地平面211的連接器212b。
第5圖示出了根據本發明的又一個實施例的示例性雙饋電分離GAA。如第5圖所示，第5圖中的天線結構20c與第4圖中的天線結構20b之間的差異在於，雙饋電分離GAA 220c被分成矩形網格221的兩個組G1和G2。同樣，雙饋電分離GAA 220c的矩形網格221的兩個組G1和G2分別通過兩個饋電點FP1 和FP2 連接到T形接頭網路343。類似地，在兩個饋電點FP1 和FP2 中的每一個處，在饋電端子31附近設置兩個示例性耦合元件230a和230b。如第1圖所示，耦合元件230a包括導電墊222a和將導電墊222a電耦接到接地平面211的連接器212a。耦合元件230b包括導電墊222b和將導電墊222b電耦接到接地平面211的連接器212b。
根據又一示例性實施例，輻射天線元件可以是單饋電貼片陣列天線。第6圖示出了示例性天線結構20d，其具有由接地平面211支撐的單饋電貼片陣列天線220d。類似地，兩個示例性耦合元件230a和230b在饋電點FP處設置在饋電端子31附近。如第1圖所示，耦合元件230a包括導電墊222a和將導電墊222a電耦接到接地平面211的連接器212a。耦合元件230b包括導電墊222b和將導電墊222b電耦接到接地平面211的連接器212b。
第7圖至第9圖是示出根據本發明的各種實施例的一些示例性封裝天線的示意性截面圖。應當理解，除非另外特別說明，否則本文描述的各種示例性實施例的特徵可以彼此組合。簡單起見，在圖中僅示出了示例性天線封裝的密切關聯的部分。
如第7圖所示，類似地，封裝天線1b包括核心或基板200。天線結構20設置在基板200中和基板200上。天線結構20被配置為以預定的RF信號操作，例如具有RF頻率（例如， 阻抗頻寬在76GHz~81GHz之間）和相應波長λ的mmW信號。例如，基板200可以是陶瓷基板、半導體基板、電介質基板、玻璃基板，但不限於此。根據一個實施例，基板200可以是封裝基板或印刷電路板（PCB），包括例如FR4材料或高性能毫米波PCB材料，但不限於此。導電層210形成在基板200的相對面（opposite surface）上。
介電層520和導電跡線214、224形成在基板200的相對面上。可以設置保護層560以覆蓋導電跡線224和介電層520。介電層520可以包括任何合適的絕緣層諸如氧化矽、氮化矽、聚醯亞胺等。保護層560可包括任何合適的鈍化層或焊接掩模。基板200可以包括例如電鍍通孔的一個或多個連接器212，以將信號從基板200的一側路由到基板200的另一側。
根據本發明的實施例，例如，封裝天線1b可以是晶片內置封裝，即，內置有半導體晶片40的封裝。在非限制性示例中，半導體晶片40可以內置在基板200中。半導體晶片40可以通過接觸元件422電連接到導電跡線214。諸如球柵陣列（ball grid array，BGA）的焊球510可以設置在封裝天線1b的下表面上。
天線結構20可以製造在基板200的上表面上。根據一個實施例，天線結構20包括輻射天線元件220（在第7圖所示的實施例中，該輻射天線元件220位於第一導電層中），其可以設置在介電層540的表面上。輻射天線元件220可以包括用於輻射和/或接收諸如RF無線信號或mmW信號的電磁信號的天線陣列或結構。輻射天線元件220可以是任何合適的類型，例如柵格陣列天線、貼片天線、堆疊貼片、偶極天線、單極天線等，並且可以具有不同的方位和/或極化方式。
同樣地，用於傳輸RF信號或mmW信號的傳輸線341設置在導電層210（在第7圖所示的實施例中，設置有傳輸線341的導電層210可稱為第三導電層）中。傳輸線341的一端電耦接到饋電端子31，饋電端子31包括介電層520中的通孔432和介電層540中的通孔442。根據一個實施例，通孔442可以與通孔432對準。饋電端子31的上端電耦接到輻射天線元件220。來自輻射天線元件220的或者發送至輻射天線元件220的RF信號（諸如mmW信號），可以通過饋電端子31和傳輸線341傳輸。
接地平面211（在第7圖所示的實施例中，接地平面211所在的導電層可稱為第二導電層）設置在導電層210和輻射天線元件220之間。接地平面211用作天線結構20的地面反射器。例如，接地平面211設置在介電層520上，接地平面211包括用於容納饋電端子31的孔（aperture）211a。饋電端子31的通孔442和通孔432穿過接地平面211的孔211a並且不與接地平面211接觸。
根據一個實施例，例如，兩個耦合元件230a和230b設置在饋電端子31附近。根據一個實施例，耦合元件230a可以包括導電墊（conductive pad）222a和將導電墊222a電耦接到接地平面211的通孔442a。根據一個實施例，耦合元件230b可包括導電墊222b和將導電墊222b電耦接到接地平面211的通孔442b。導電墊222a與輻射天線元件220之間的距離d1 可以等於或小於0.4λ。導電墊222b和輻射天線元件220之間的距離d2 可以等於或小於0.4λ。距離d1 可以等於或不等於距離d2 。
如第8圖所示，封裝天線1c可以是扇出型晶片封裝，其中至少一些封裝焊盤和/或將晶片連接到封裝焊盤的至少一些導線，位於晶片輪廓的外側或至少與晶片的輪廓相交。此外，封裝天線1c可以是晶圓級晶片尺寸封裝（wafer level chip scale package，WLCSP）。在非限制性示例中，封裝天線1c可以包括由塑封料（molding compound）60封裝的半導體晶片40。塑封料60可以覆蓋半導體晶片40的非活性底表面（inactive bottom surface）和四個側壁表面，並且可以暴露半導體晶片40的活性表面（active surface）。在半導體晶片40的活性表面上，佈置有多個接合墊（ponding pad）或輸入/輸出（I/O）焊盤402。
重佈線層（re-distribution layer，RDL）結構600可以設置在半導體晶片40的活性表面上以及塑封料60的表面上，並且可以電連接到半導體晶片的I/O焊盤402。在非限制性示例中，RDL結構600可以包括介電層601、603和605，以及介電層601、603和605中的導體層602、604。至少一個導電元件710，例如焊料凸塊、焊球或金屬凸塊/柱，可以形成在介電層605上，以進一步與諸如印刷電路板或系統板的外部板連接。介電層601、603和605可包括任何合適的絕緣層，例如氧化矽、氮化矽、聚醯亞胺等。導體層602、604可以包括銅，但不限於此。
在非限制性示例中，封裝天線1c可包括塑封料60上的導電層61、塑封料60上以及導電層61上的塑封料62、塑封料62上的導電層63、塑封料62上以及導電層63上的塑封料64、以及塑封料64上的導電層65。模塑通孔（through mold via）612可以設置在塑封料60中，用於RDL結構600與導電層61（在第8圖所示的實施例中，可以稱為第三導電層）中的傳輸線641之間的信號傳輸。根據一個實施例，塑封料60、62和64的厚度可以彼此不同，但不限於此。
在導電層61、63和65以及塑封料60、62和64中製造天線結構620。輻射天線元件622可以設置在導電層65（在第8圖所示的實施例中，可以稱為第一導電層）中。輻射天線元件622可以包括天線陣列或者用於輻射和/或接收諸如RF無線信號或mmW信號的電磁信號的結構。在第2圖至第6圖中示出了這種輻射天線元件的一些示例。接地平面611設置在輻射天線元件622和導電層61之間的導電層63（在第8圖所示的實施例中，可以稱為第二導電層）中。通孔614延伸穿過塑封料62和64，將輻射天線元件622在饋電點FP處電連接到傳輸線641。至少一個耦合元件630設置在饋電點FP附近。耦合元件630可以包括導電墊634和通孔614a，通孔614a將導電墊634電耦接到接地平面611。根據一個實施例，導電墊634和輻射天線元件622之間的距離d可以等於或小於0.4λ。
如第9圖所示，封裝天線1d可以具有與第8圖中所示結構類似的堆疊結構。第9圖中所示封裝天線1d和第8圖所示封裝天線1c之間的差異在於封裝天線1d的半導體晶片40在外部安裝在RDL結構600上。半導體晶片40可以是裸晶片，但不限於此。同樣，封裝天線1d可包括塑封料60上的導電層61、塑封料60上和導電層61上的塑封料62、塑封料62上的導電層63、塑封料62上和導電層63上的塑封料64、以及塑封料64上的導電層65。模塑通孔612可以設置在塑封料60中，用於RDL結構600與導電層61中的傳輸線641之間的信號傳輸。根據一個實施例，塑封料60、62和64的厚度可以彼此不同，但不限於此。
在導電層61、63和65以及塑封料60、62和64中製造天線結構620。輻射天線元件622可以設置在導電層65中。輻射天線元件622可以包括天線陣列或者用於輻射和/或接收諸如RF無線信號或mmW信號的電磁信號的結構。在第2圖至第6圖中示出了這種輻射天線元件的一些示例。接地平面611設置在輻射天線元件622和導電層61之間的導電層63中。通孔614延伸穿過塑封料62和64，將輻射天線元件622在饋電點FP處電連接到傳輸線641。至少一個耦合元件630設置在饋電點FP附近。耦合元件630可以包括導電墊634和通孔614a，通孔614a將導電墊634電耦接到接地平面611。根據一個實施例，導電墊634和輻射天線元件622之間的距離d可以等於或小於0.4λ。
本領域習知技藝者將容易理解，可以在保留本發明的教導的同時對設備和方法進行多種修改和變更。因此，上述公開內容應被解釋為僅受所附申請專利範圍的範圍和界限的限制。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
1a、1b、1c、1d‧‧‧封裝天線
200‧‧‧基板
20、20a、20b、20c、20d‧‧‧天線結構
210‧‧‧導電層
212‧‧‧連接器
300‧‧‧重新佈線結構
320‧‧‧介電層
340‧‧‧互連層
360‧‧‧保護層
322‧‧‧通孔
40‧‧‧半導體晶片
342‧‧‧接觸元件
412‧‧‧導電元件
510‧‧‧焊球
220‧‧‧天線元件
341‧‧‧傳輸線
31‧‧‧饋電端子
212、212a、212b‧‧‧連接器
322、322a‧‧‧通孔
211‧‧‧接地平面
211a‧‧‧孔
230a、230b‧‧‧耦合元件
222a、222b‧‧‧導電墊
324‧‧‧通孔
220a‧‧‧單饋電GAA
221‧‧‧矩形網格
221a‧‧‧長邊
221b‧‧‧短邊
220b‧‧‧雙饋電組合GAA
343‧‧‧T形接頭網路
220c‧‧‧雙饋電分離GAA
220d‧‧‧單饋電貼片陣列天線
520、540‧‧‧介電層
560‧‧‧保護層
422‧‧‧接觸元件
214‧‧‧導電跡線
432、442、442a、442b‧‧‧通孔
60、62、64‧‧‧塑封料
402‧‧‧I/O焊盤
600‧‧‧RDL結構
601、603、605‧‧‧介電層
602、604‧‧‧導體層
710‧‧‧導電元件
61、63、65‧‧‧導電層
612‧‧‧模塑通孔
641‧‧‧傳輸線
620‧‧‧天線結構
622‧‧‧輻射天線元件
611‧‧‧接地平面
614、614a‧‧‧通孔
630‧‧‧耦合元件
634‧‧‧導電墊
第1圖是示出根據本發明的一個實施例的示例性封裝天線的示意性截面圖。
第2圖是根據本發明的一個實施例的具有單饋電GAA的天線結構的示意性頂視圖。
第3圖是示出第2圖中單饋電GAA的放大部分的透視圖。
第4圖示出了根據本發明另一實施例的示例性雙饋電組合GAA。
第5圖示出了根據本發明的又一個實施例的示例性雙饋電分離GAA。
第6圖示出了示例性天線結構20d，其具有由接地平面211支撐的單饋電貼片陣列天線220d。
第7圖至第9圖是示出根據本發明的各種實施例的一些示例性封裝天線的示意性截面圖。

Claims (19)

  1. 一種天線結構，包括： 輻射天線元件，設置在第一導電層中； 反射器接地平面，設置在所述第一導電層下面的第二導電層中； 饋電網路，包括設置在第三導電層中的傳輸線，所述第三導電層位於所述第二導電層下面，其中饋電端子被設置為將所述傳輸線的一端電耦接到所述輻射天線元件；以及 至少一個耦合元件，設置為鄰近所述饋電端子，其中所述耦合元件與所述饋電端子電容耦合。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的天線結構，其中所述耦合元件包括導電墊和將所述導電墊電耦接到所述反射器接地平面的連接器。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的天線結構，其中，所述天線結構被配置為以具有RF頻率和相應波長λ的預定RF信號進行操作，其中所述導電墊與所述輻射天線元件之間的距離等於或小於0.4λ。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的天線結構，其中，所述R​​F頻率包括範圍在76GHz~81GHz之間的阻抗頻寬。
  5. 如申請專利範圍第2項所述的天線結構，其中所述導電墊設置在所述第一導電層中並與所述輻射天線元件共面。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的天線結構，還包括具有頂表面和底表面的基板。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的天線結構，其中所述基板包括陶瓷基板、半導體基板、電介質基板或玻璃基板。
  8. 如申請專利範圍第6項所述的天線結構，其中所述基板包括封裝基板或印刷電路板。
  9. 如申請專利範圍第6項所述的天線結構，其中所述第一導電層設置在所述基板的所述頂表面上，並且所述第二導電層設置在所述基板的所述底表面上。
  10. 如申請專利範圍第6項所述的天線結構，其中所述第一導電層、所述第二導電層和所述第三導電層設置在所述基板的所述頂表面上。
  11. 如申請專利範圍第6項所述的天線結構，還包括： 重新佈線結構，設置在所述基板的所述底表面上，其中所述第三導電層和所述傳輸線設置在所述重新佈線結構中。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的天線結構，其中所述饋電端子包括所述基板中的連接器以及所述重新佈線結構中的通孔。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的天線結構，其中所述連接器是電鍍通孔，所述電鍍通孔與所述通孔對準。
  14. 如申請專利範圍第1項所述的天線結構，其中所述反射器接地平面包括用於容納所述饋電端子的孔，並且其中所述饋電端子穿過所述反射器接地平面的所述孔並且不與所述反射器接地平面接觸。
  15. 如申請專利範圍第1項所述的天線結構，其中所述輻射天線元件包括柵格陣列天線。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的天線結構，其中所述柵格陣列天線包括單饋電柵格陣列天線或雙饋電柵格陣列天線。
  17. 如申請專利範圍第1項所述的天線結構，其中所述輻射天線元件包括貼片陣列天線。
  18. 一種天線結構，包括： 輻射天線元件，設置在第一導電層中； 反射器接地平面，設置在所述第一導電層下面的第二導電層中； 饋電網路，包括設置在第三導電層中的傳輸線，所述第三導電層位於所述第二導電層下面，其中饋電端子設置為將所述傳輸線的一端電耦接到所述輻射天線元件；以及 兩個耦合元件，將所述饋電端子夾於中間，其中所述兩個耦合元件與所述饋電端子電容耦合。
  19. 一種封裝天線，包括： 天線結構，所述天線結構包括： 輻射天線元件，設置在第一導電層中； 反射器接地平面，設置在所述第一導電層下面的第二導電層中； 饋電網路，包括設置在第三導電層中的傳輸線，所述第三導電層位於所述第二導電層下面，其中饋電端子設置為將所述傳輸線的一端電耦接到所述輻射天線元件；以及 至少一個耦合元件，設置為鄰近所述饋電端子，其中所述耦合元件與所述饋電端子電容耦合；以及 半導體晶片，內置於基板中或安裝在基板上，並且電耦接到所述天線結構。
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