TW201930211A - 玻璃基板的製造方法 - Google Patents

Abstract

玻璃基板的製造方法包括對玻璃基板1實施熱處理的熱處理步驟。熱處理步驟包括對以平放姿勢配置的玻璃基板1吹附氣體G的吹附步驟。吹附步驟中，以產生自玻璃基板1的內側IS向周緣部PP的氣流的方式對玻璃基板1吹附氣體G。

Description

玻璃基板的製造方法

本發明是有關於一種玻璃基板的製造方法。

近年來，伴隨智慧型手機（smart phone）或平板型（tablet）終端的出現，平板顯示器（flat panel display）（以下稱作FPD）的薄型化及輕量化、以及高精細化一併得到發展。作為FPD用的基板，廣泛應用玻璃基板，根據所述薄型化或輕量化等要求，玻璃基板的薄板化得以推進。

作為玻璃基板的成形方法，基於所成形的玻璃基板的平滑性優異等理由，而廣泛利用以溢流下拉法（overflow down draw）為代表的下拉法。該下拉法中，現狀為藉由加快玻璃的拉板速度，來應對玻璃基板的薄板化。

然而，在下拉法的情況下，因一邊使成為玻璃基板的原料的帶狀玻璃板向下方移行一邊使其通過緩冷區，故若加快拉板速度，則於緩冷區的滯留時間縮短，玻璃以急冷狀態固化。結果，若將此種玻璃基板用於FPD，則於其製造步驟中所包含的熱處理時，存在玻璃基板的熱收縮增大的問題。

詳細而言，FPD的製造步驟中，當於玻璃基板的表面形成薄膜電路時，玻璃基板以高溫受到熱處理。此時，若玻璃基板的熱收縮大，則有玻璃基板的表面所形成的電路圖案偏離設計，從而導致無法維持所需的電氣性能的重大故障之虞。

另外，伴隨FPD的高精細化，形成於玻璃基板的薄膜電路的電路圖案亦微細化。因此，由微小異物（粒子（particle））等引起的表面缺陷對薄膜電路的形成造成不良影響的可能性亦增高。

因此，專利文獻1中揭示有如下方法：於包含一體化的玻璃的玻璃腔室的內部所設置的緩冷空間中，配置具有在上下方向上設置為多級狀的收容部的玻璃架，並且於收容部中分別收容將玻璃基板層疊於支撐玻璃上而成的積層體，然後，自玻璃腔室的外部對緩冷空間進行加熱，並將玻璃基板緩冷。藉由該緩冷方法，能夠製造熱收縮小且表面缺陷少的玻璃基板，即，熱收縮率的絕對值為10 ppm以下且表面缺陷的個數為100個/m² 以下的玻璃基板。
[現有技術文獻]
[專利文獻]

專利文獻1：國際公開第2014/163130號公報

[發明所欲解決之課題]

由於對FPD的高精細化的要求提高，故亦預想使玻璃基板的表面所形成的薄膜電路的電路圖案更進一步微細化。因此，需要進一步減少玻璃基板的表面所形成的表面缺陷。

本發明是鑒於所述情況而成者，其目的在於提供一種能夠減少表面缺陷的玻璃基板的製造方法。
[解決課題之手段]

本發明是用以解決所述課題的發明，其為一種玻璃基板的製造方法，包括對玻璃基板實施熱處理的熱處理步驟，該玻璃基板的製造方法的特徵在於：所述熱處理步驟包括對以平放姿勢配置的所述玻璃基板吹附氣體的吹附步驟，所述吹附步驟中，以產生自所述玻璃基板的內側向周緣部側的氣流的方式對所述玻璃基板吹附所述氣體。

根據該構成，於熱處理步驟中，對玻璃基板吹附氣體來產生自該玻璃基板的內側向周緣部的氣流，藉此而可將懸浮在玻璃基板的上方的粒子吹向氣流的方向而不會使其到達該玻璃基板的表面。另外，即便於粒子到達玻璃基板的表面的情況下，亦可將該粒子吹向氣流的方向而不會使其附著於玻璃基板的表面。藉此，可大幅減少粒子向玻璃基板的附著，可儘可能地減少該玻璃基板的表面缺陷。

所述氣體理想為清潔乾空氣（clean dry air）。藉此，可更進一步減少附著於玻璃基板的粒子。

所述吹附步驟中，所述氣體的吹附量理想為1 L/min/m² ～100 L/min/m² 。藉此，可將落下至玻璃基板的表面的粒子效率良好地去除，並且可進一步減少粒子向玻璃基板的附著。

所述吹附步驟中，用以吹附所述氣體的噴嘴與所述玻璃基板的距離理想為10 mm～100 mm。藉此而防止對玻璃基板局部地吹附氣體，可遍及玻璃基板整體地吹附氣體。因此，可進一步減少粒子向玻璃基板的附著。

所述熱處理，理想是將所述玻璃基板收容於腔室內的狀態下進行，且所述氣體的溫度為所述腔室內的環境溫度±20℃的範圍內。藉此，可適宜地進行腔室內的溫度管理，可穩定地製造為所期望的熱收縮率的玻璃基板。
[發明的效果]

根據本發明，能夠減少玻璃基板的表面缺陷。

以下，參照附圖來對本發明的實施形態進行說明。圖1～圖8表示本發明的玻璃基板的製造方法的一實施形態。

如圖1所示，玻璃基板1呈一邊為300 mm以上的矩形形狀，用作實現高精細圖像的FPD的基板。即，於玻璃基板1的表面形成薄膜電路。玻璃基板1的端部由四個邊1a～邊1d構成。以下，將該四個邊1a～邊1d總稱為周緣部PP，被該周緣部PP所包圍的區域稱為內側IS。

玻璃基板1的厚度為500 μm以下，較佳為300 μm以下，更佳為200 μm以下，最佳為100 μm以下。再者，於考慮玻璃基板1的強度的情況下，玻璃基板1的厚度較佳為5 μm以上。

玻璃基板1的熱收縮率的絕對值為10 ppm以下，較佳為8 ppm以下，更佳為6 ppm以下。藉此，於FPD的製造相關處理中，尤其是於玻璃基板1上形成薄膜電路的步驟中，玻璃基板1不會因熱收縮而大幅變形。

如圖1中將玻璃基板1的表面的一部分放大（圖中的X區域）所示，玻璃基板1的表面缺陷2的個數較佳為80個/m² 以下，更佳為50個/m² 以下，最佳為20個/m² 以下。即，因熱處理步驟中的粒子的附著減少，結果整體的表面缺陷2的個數亦減少。藉此，即便於將玻璃基板1用於FPD用的基板的情況下，亦不易因玻璃基板1的表面缺陷2，而導致薄膜電路斷線或產生短路等故障。因此，藉由與如上所述的熱收縮率的管理的協同效果，可適當地於玻璃基板1形成薄膜電路的電路圖案，從而可良好地維持FPD的電氣特性。

此處，表面缺陷2的大小較佳為1 μm以下。其原因在於，若表面缺陷2的大小超過1 μm，則有不論其個數為多少，均難以滿足作為FPD用玻璃基板的要求特性之虞。

玻璃基板1的應變點為600℃以上，較佳為650℃以上。若玻璃基板1的應變點為所述數值範圍，則可減小玻璃基板1的熱收縮率。

玻璃基板1的平均表面粗糙度Ra較佳為2.0 nm以下，更佳為1.0 nm以下，進而佳為0.5 nm以下，特佳為0.2 nm以下。此處，平均表面粗糙度Ra設為藉由依據國際半導體設備與材料產業協會（Semiconductor Equipment and Materials International，SEMI）D7-94「FPD玻璃基板的表面粗糙度的測定方法」的方法進行測定而得的值（以下相同）。

玻璃基板1可使用矽酸鹽玻璃、二氧化矽玻璃、硼矽酸玻璃等各種玻璃，本實施形態中使用無鹼玻璃。於使用無鹼玻璃的情況下，可防止因FPD的製造相關處理而損及非晶矽或多晶矽的薄膜特性。此處，無鹼玻璃是指實質上不含鹼成分（鹼金屬氧化物）的玻璃。具體而言，是指鹼成分的含量為1000 ppm以下的玻璃。鹼成分的含量較佳為500 ppm以下，更佳為300 ppm以下。

玻璃基板1中，較佳為作為玻璃組成，以質量%計含有40%～80%的SiO₂ 、10%～30%的Al₂ O₃ 、0%～20%的B₂ O₃ 、0%～20%的MgO、0%～20%的CaO、0%～20%的SrO以及0%～20%的BaO。藉此，玻璃基板1的應變點增高，而且成形時容易確保最佳的液相黏度。進而，可良好地滿足FPD用的玻璃基板所要求的各特性（例如耐化學品性、楊氏模量、熔融性等）。

其次，對如以上般構成的玻璃基板1的製造方法進行說明。

玻璃基板1的製造方法大致分為：成形步驟，利用溢流下拉法，由熔融玻璃而成形帶狀的玻璃板（玻璃帶（ribbon））；切斷步驟，將所成形的帶狀的玻璃板切斷而獲得玻璃基板1；以及緩冷步驟（熱處理步驟），將玻璃基板1再次緩冷。成形步驟及切斷步驟可採用公知的手法，因此，以下將以緩冷步驟為中心進行說明。再者，理想為在切斷步驟與緩冷步驟之間及緩冷步驟之後，設置玻璃基板1的清洗步驟。

如圖2所示，緩冷步驟中使用的緩冷裝置3包括：玻璃腔室4、配置於玻璃腔室4的內部的玻璃架5、載置有玻璃架5的升降台6、圍繞玻璃腔室4的周圍的爐壁7、自外部對玻璃腔室4進行加熱的加熱器8、以及於玻璃腔室4的內部對玻璃基板1吹附氣體G的吹附裝置9。再者，該緩冷裝置3配設於無塵室內。

玻璃腔室4呈將石英玻璃一體成形而形成的有蓋筒狀，在其內部具有緩冷空間S。即，玻璃腔室4藉由無接縫的連續的面而劃分形成緩冷空間S。

玻璃架5包含石英玻璃，具有在上下方向上呈多級狀設置的多個收容部10。各收容部10可以平放姿勢收容玻璃基板1。各收容部10中設置有可拆卸的架板11，於該架板11上收容將支撐玻璃12與玻璃基板1層疊而成的積層體。再者，該實施形態中，架板11亦由石英玻璃形成。

升降台6的載置部13包含石英玻璃，在上升位置將玻璃腔室4的下方開口部封閉。另一方面，藉由使該升降台6下降至圖外的下降位置，而對載置部13上的玻璃架5進行積層體的裝入或卸除。

爐壁7包含耐火物，於該爐壁7的側部內壁面與上部內壁面安裝有多個加熱器8。加熱器8並無特別限定，該實施形態中，使用碳加熱器、金屬系發熱體（例如鎳鉻合金（nichrome）系發熱體等）等。

再者，亦可另外設置自外部將玻璃腔室4冷卻的冷卻裝置（送風機等）。藉此，可效率良好地將經加熱器8暫時加熱的緩冷空間S的環境冷卻。

如圖3所示，於支撐玻璃12的上表面形成有無機薄膜14，介隔該無機薄膜14而將玻璃基板1層疊於支撐玻璃12。藉此，玻璃基板1的表面與支撐玻璃12的表面並不直接接觸。因此，不會因緩冷時的加熱而導致玻璃基板1黏著於支撐玻璃12，於緩冷後可容易地自支撐玻璃12剝離玻璃基板1。再者，亦可省略無機薄膜14。

支撐玻璃12與玻璃基板1同樣地使用矽酸鹽玻璃、二氧化矽玻璃、硼矽酸玻璃、無鹼玻璃等。其中，作為支撐玻璃12，較佳為使用與玻璃基板1的在30℃～380℃下的線熱膨脹係數之差為5×10^-7 /℃以內的玻璃。藉此，不易因緩冷時的加熱處理而在玻璃基板1與支撐玻璃12之間產生伴隨熱膨脹差的磨損。因此，不易於玻璃基板1上形成劃痕，從而可有助於表面缺陷2的減少。就此種觀點而言，最佳為支撐玻璃12與玻璃基板1使用具有同一組成的玻璃。

支撐玻璃12的厚度較佳為與玻璃基板1的厚度相同，或者較玻璃基板1的厚度厚。具體而言，支撐玻璃12的厚度較佳為0.2 mm以上，更佳為0.3 mm以上，進而佳為0.5 mm以上。於如後述般藉由多個突起等支撐支撐玻璃12與玻璃基板1的積層體的情況下，就防止玻璃基板1等中產生撓曲的觀點而言，支撐玻璃12的厚度較佳為1.0 mm以上。再者，藉由厚度的增加，而會導致重量的增加或加熱所需的熱容量的增加，且伴隨熱容量的增加而玻璃基板1的加熱效率亦會下降，因此支撐玻璃12的厚度較佳為2.0 mm以下。

支撐玻璃12的尺寸較佳為與玻璃基板1的尺寸相同或較玻璃基板1的尺寸大。藉此，玻璃基板1的端面不向支撐玻璃12的外側凸出，因而可減少玻璃基板1的端面與其他構件碰撞而破損的事態的發生。

無機薄膜14較佳為由選自氧化銦錫（indium tin oxide，ITO）、Ti、Si、Au、Ag、Al、Cr、Cu、Mg、Ti、SiO、SiO₂ 、Al₂ O₃ 、MgO、Y₂ O₃ 、L₂ O₃ 、Pr₆ O₁₁ 、Sc₂ O₃ 、WO₃ 、HfO₂ 、In₂ O₃ 、ZrO₂ 、Nd₂ O₃ 、Ta₂ O₅ 、CeO、Nb₂ O₅ 、TiO、TiO₂ 、Ti₃ O₅ 、NiO、ZnO中的一種或兩種以上而形成。無機薄膜14尤佳為由ITO等氧化物形成。於氧化物薄膜的情況下，熱性穩定，因而緩冷步驟中可反覆使用同一支撐玻璃12。

無機薄膜14的厚度較佳為5 nm以上、500 nm以下，更佳為5 nm以上、400 nm以下，最佳為5 nm以上、300 nm以下。若無機薄膜14的厚度小於5 nm，則有玻璃基板1難以剝離之虞。

該實施形態中，玻璃架5的架板11包含格子狀的框體，於其上表面設置有多個銷狀的突起15。如圖4所示，該多個突起15自下方對支撐玻璃12、即支撐玻璃12與玻璃基板1的積層體進行支撐。該實施形態中，於突起15的前端部，將中央部設為平面部16，將其周圍設為切除了角部的倒角部17。即，積層體以與多個突起15的平面部16在小範圍內進行面接觸的狀態而得到支撐。再者，亦可由彎曲面構成突起15的前端部，並利用點接觸對積層體進行支撐。

此處，支撐玻璃12與架板11的在30℃～380℃下的線熱膨脹係數之差較佳為40×10^-7 /℃以下。藉此，於進行緩冷步驟的熱處理時，不易在支撐玻璃12與突起15之間產生磨損，因此能夠儘可能地減少導致玻璃基板1的成為表面缺陷2原因的玻璃粉的產生。

如圖5及圖6所示，對應於玻璃架5的各收容部10而配備多個吹附裝置9。各吹附裝置9包括：使氣體G流通的供給管18、及具有對供給管18的一部分所設置的多個噴嘴19的吹附頭20。供給管18及吹附頭20例如包括石英玻璃。

吹附頭20與供給管18一體地構成。吹附頭20平面觀察時構成為圓形，但並不限定於該形狀。多個噴嘴19沿吹附頭20的圓周方向隔開間隔而呈環狀配置。該噴嘴19與玻璃基板1的隔開距離D較佳為10 mm～100 mm。

各噴嘴19相對於鉛垂方向以規定的角度傾斜。即，噴嘴19以越向下方則越遠離吹附頭20的方式（越靠近玻璃基板1的周緣部PP的方式）傾斜。藉由該構成，於進行側面觀察（參照圖5）時，各噴嘴19朝向玻璃基板1傾斜地噴出氣體G。另外，於進行平面觀察（參照圖6）時，各噴嘴19自玻璃基板1的內側IS朝向周緣部PP側呈放射狀噴出氣體G。藉此，於玻璃基板1的上表面的上方，自內側IS向周緣部PP產生氣體G的氣流。

吹附頭20及供給管18固定於玻璃架5。另外，供給管18將載置部13的一部分貫通，將自緩冷空間S的外部（載置部13的下方）所供給的氣體G供給至吹附頭20的噴嘴19。

圖7及圖8表示吹附裝置9的另一例。本例的吹附裝置9中，於構成為長條狀的吹附頭20的長邊方向上隔開間隔而配置有多個噴嘴19a、噴嘴19b。多個噴嘴19a、噴嘴19b包含朝向不同的第一噴嘴19a及第二噴嘴19b。第一噴嘴19a以產生自玻璃基板1的內側IS朝向其中一邊1a（其中一端部）的氣流的方式噴出氣體G，第二噴嘴19b以使自玻璃基板1的內側IS朝向另一邊1b（另一端部）的氣流產生的方式噴出氣體G。本例中，第一噴嘴19a與第二噴嘴19b設為相同個數（三個），但並不限定於此，亦可根據玻璃基板1的形狀等而包括不同的個數。

接下來，對使用如以上般構成的緩冷裝置3的緩冷步驟（熱處理步驟）進行說明。

首先，於使升降台6下降至下降位置的狀態下，在設置於玻璃架5的收容部10中的架板11上分別以平放姿勢配置使玻璃基板1層疊於支撐玻璃12而成的積層體。然後，藉由使升降台6上升至上升位置，而將使玻璃基板1層疊於支撐玻璃12而成的積層體以平放姿勢收容於玻璃腔室4內。

然後，如圖5～圖8所示，自吹附頭20的噴嘴19將氣體G吹附至玻璃基板1（吹附步驟）。於該狀態下，在藉由加熱器8而將收容於各個收容部10中的各玻璃基板1加熱至加熱溫度後，將該加熱溫度保持規定的時間。然後，一邊自噴嘴19進行氣體G向玻璃基板1的吹附（吹附步驟），一邊將各玻璃基板1緩冷。若將玻璃基板1的應變點設為T℃，則理想為將加熱溫度加熱至（T-200）℃以上、（T-50）℃以下。再者，伴隨氣體G的吹附而自玻璃腔室4所具備的排氣口（未圖示）適當排出緩冷空間S的環境氣體，將玻璃腔室4內的氣壓維持為固定。

於所述吹附步驟中，以產生自玻璃基板1的內側IS向周緣部PP（四個邊1a～邊1d）的氣流的方式對玻璃基板1吹附氣體G。就防止吹附裝置9等劣化或產生灰塵、進一步減少粒子向玻璃基板1的上表面的附著的觀點而言，氣體G較佳為氮（N₂ ）、氦（He）、氖（Ne）、氬（Ar）及其他惰性氣體，更佳為清潔乾空氣（CDA）。

另外，就進一步減少粒子向玻璃基板1的上表面的附著的觀點而言，吹附步驟中的氣體G的吹附量較佳為1 L/min/m² 以上，更佳為5 L/min/m² 以上。另一方面，就防止伴隨氣體G的吹附量的增加而製造成本增大的觀點而言，氣體G的吹附量較佳為200 L/min/m² 以下，更佳為100 L/min/m² 以下。此處，氣體G的吹附量是指玻璃基板的單位面積（1 m×1 m）、且單位時間（1分鐘）的氣體G的吹附量。另外，氣體G的溫度較佳為處於玻璃腔室4內的環境溫度±20℃的範圍內。

若緩冷步驟結束，則將玻璃基板1自緩冷裝置3取出。然後，經過清洗步驟、檢查步驟等而完成玻璃基板1。

根據以上所說明的本實施形態的玻璃基板1的製造方法，於緩冷步驟中，對玻璃基板1吹附氣體G來產生自該玻璃基板1的內側IS向周緣部PP的氣流，藉此而可將懸浮在玻璃基板1的上方的粒子吹向氣流的方向而不會使其到達玻璃基板1的上表面。另外，即便於粒子到達玻璃基板1的表面的情況下，亦可將該粒子吹向氣流的方向而不會使其附著於玻璃基板1的表面。藉此，可大幅減少附著於玻璃基板1的上表面的粒子，可儘可能地減少該玻璃基板1的表面缺陷2。

另外，於不進行氣體G的吹附的情況下，緩冷步驟中容易產生玻璃基板1的周緣部PP的溫度相對較低、內側IS的溫度相對較高的不均勻的溫度分佈。若產生不均勻的溫度分佈，則容易產生玻璃基板1的熱收縮率不均的問題。然而，本實施形態中，藉由自玻璃基板1的內側IS向周緣部PP產生氣體G的流動，而可使玻璃基板1的溫度分佈儘可能均勻化。

再者，本發明並不限定於所述實施形態的構成，亦不限定於以上所述的作用效果。本發明可於不脫離本發明的主旨的範圍內進行各種變更。

例如，所述實施形態中，已說明由石英玻璃形成玻璃腔室4、玻璃架5、吹附裝置9等的情況，但該些構件亦可由結晶化玻璃（例如，日本電氣硝子股份有限公司製造的奈奧塞拉姆（Neoceram）等）形成。

另外，所述實施形態中，已說明將玻璃基板1與支撐玻璃12的積層體藉由架板11的突起15而支撐的情況，但於玻璃基板1的尺寸小的情況下等，亦可省略架板11，而由玻璃架5僅對支撐玻璃12的兩端部進行支撐。

另外，所述實施形態中，作為於玻璃腔室4內的緩冷空間S中收容玻璃基板1的方法，已說明使載置有玻璃架5的升降台6的載置部13升降的情況，但亦可使玻璃腔室4相對於玻璃架5升降。

如所述實施形態般，關於由石英玻璃形成玻璃腔室4的情況，一體成形亦包含藉由焊接而將接合部分無縫地一體化的情況。

另外，另一實施形態中，亦可一邊移動玻璃基板一邊對該玻璃基板實施緩冷步驟。即，亦可將本發明應用於連續式的緩冷裝置。該情況下，可使噴嘴與玻璃基板一起移動，亦可將圖7及圖8所示的吹附裝置9並排配置於玻璃基板的整條搬送路徑。另外，所述實施形態中，已說明將多片玻璃基板同時緩冷的情況，亦可為僅將一片玻璃基板緩冷的情況（所謂的單片式）。
[實施例]

以下示出玻璃基板的製造方法的實施例，但本發明並不限定於該實施例。

本發明者等人使用日本電氣硝子股份有限公司製造的無鹼玻璃（製品名：OA-11）來成形具有730 mm×920 mm的尺寸的玻璃基板，並對該玻璃基板實施熱處理（緩冷步驟）。該熱處理中，將加熱溫度設為500℃，於加熱溫度下保持1小時後，以5℃/分鐘緩冷至室溫。進行熱處理時，藉由石墨片（graphite sheet）而將玻璃基板的下表面被覆。

一邊對玻璃基板的上表面吹附氮氣（N₂ ）一邊實施熱處理，從而製作實施例的玻璃基板。另外，將不吹附氮氣來實施熱處理所得的玻璃基板作為比較例。具體而言，實施例中，使用所述圖1所示的緩冷裝置，自所述圖5及圖6所示的吹附頭20向玻璃基板1傾斜地噴出氣體G。比較例中，停止自吹附頭20氣體G的噴出，將緩冷空間S設為密閉空間。

對於實施例及比較例，測定其上表面所附著的粒子的個數，結果實施例為10.4個/m² ，與此相對，比較例為86.4個/m² 。根據以上而判明：藉由一邊對玻璃基板吹附氣體一邊實施熱處理（緩冷步驟），可大幅減少玻璃基板的表面缺陷。

1‧‧‧玻璃基板

1a～1d‧‧‧邊

2‧‧‧表面缺陷

3‧‧‧緩冷裝置

4‧‧‧玻璃腔室

5‧‧‧玻璃架

6‧‧‧升降台

7‧‧‧爐壁

8‧‧‧加熱器

9‧‧‧吹附裝置

10‧‧‧收容部

11‧‧‧架板

12‧‧‧支撐玻璃

13‧‧‧載置部

14‧‧‧無機薄膜

15‧‧‧突起

16‧‧‧平面部

17‧‧‧倒角部

18‧‧‧供給管

19‧‧‧噴嘴

19a‧‧‧第一噴嘴

19b‧‧‧第二噴嘴

20‧‧‧吹附頭

D‧‧‧噴嘴與玻璃基板的距離（隔開距離）

G‧‧‧氣體

IS‧‧‧內側

PP‧‧‧周緣部

S‧‧‧緩冷空間

X‧‧‧放大區域

圖1是表示玻璃基板的立體圖。

圖2是表示玻璃基板的製造中所使用的緩冷裝置的剖面圖。

圖3是用以說明緩冷裝置中玻璃基板的支撐形態的立體圖。

圖4是用以說明緩冷裝置中玻璃基板的支撐形態的剖面圖。

圖5是吹附裝置的側面圖。

圖6是吹附裝置的平面圖。

圖7是表示吹附裝置的另一例的側面圖。

圖8是表示吹附裝置的另一例的平面圖。

Claims (5)

1. 一種玻璃基板的製造方法，其包括對玻璃基板實施熱處理的熱處理步驟，所述玻璃基板的製造方法的特徵在於： 所述熱處理步驟包括對以平放姿勢配置的所述玻璃基板吹附氣體的吹附步驟， 所述吹附步驟中，以產生自所述玻璃基板的內側向周緣部側的氣流的方式對所述玻璃基板吹附所述氣體。
2. 如申請專利範圍第1項所述的玻璃基板的製造方法，其中所述氣體為清潔乾空氣。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的玻璃基板的製造方法，其中所述吹附步驟中，所述氣體的吹附量為1 L/min/m² ～100 L/min/m² 。
4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的玻璃基板的製造方法，其中所述吹附步驟中，用以吹附所述氣體的噴嘴與所述玻璃基板的距離為10 mm～100 mm。
5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的玻璃基板的製造方法，其中所述熱處理是於將所述玻璃基板收容於腔室內的狀態下進行，且 所述氣體的溫度為所述腔室內的環境溫度±20℃的範圍內。