TW201925953A - 低雜訊參考訊號生成方法和電路 - Google Patents

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Abstract

本發明公開一種低雜訊參考訊號生成電路，包括：濾波器單元，包括電晶體和能量存儲部件，其中該電晶體包括第一節點，第二節點，控制節點和主體節點，該第一節點用於接收輸入訊號，該第二節點用於輸出經濾波後的濾波訊號，該控制節點配置為接收用於控制電晶體導通或截止的控制訊號，該主體節點配置為耦接到該輸入訊號或該濾波訊號，並且該能量存儲部件耦合到該電晶體的第二節點；以及功能單元，耦合到該電晶體的第二節點和該能量存儲部件，其中該功能單元具有高輸入阻抗。

Description

低雜訊參考訊號生成方法和電路
本發明涉及電學技術領域，尤其涉及一種低雜訊參考訊號生成方法和電路。
在各種各樣的電路中，均需要生成參考電壓或參考電流。例如，耳塞的電路可以包括一個或多個數位類比轉換器（DAC，Digital to Analog Converter），並且DAC的輸入可以由生成參考訊號（例如參考電流或參考電壓）的一個或複數個電路提供。在這種情況下，參考訊號的雜訊（noise）可能影響輸出音訊的品質。換句話說，如果可以降低參考訊號的雜訊，則可以提高輸出音訊的品質。因此，如何生成低雜訊（low-noise）參考訊號一直是業界的目標。
有鑑於此，本發明提供一種用於低雜訊參考訊號生成的方法和電路，可以降低參考訊號的雜訊。
根據本發明的第一方面，公開一種低雜訊參考訊號生成電路，包括： 濾波器單元，包括電晶體和能量存儲部件，其中該電晶體包括第一節點，第二節點，控制節點和主體節點，該第一節點用於接收輸入訊號，該第二節點用於輸出經濾波後的濾波訊號，該控制節點配置為接收用於控制電晶體導通或截止的控制訊號，該主體節點配置為耦接到該輸入訊號或該濾波訊號，並且該能量存儲部件耦合到該電晶體的第二節點；以及 功能單元，耦合到該電晶體的第二節點和該能量存儲部件，其中該功能單元具有高輸入阻抗。
根據本發明的第二方面，公開一種低雜訊參考訊號生成電路，包括： 濾波器單元，包括電晶體和能量存儲部件，其中該電晶體包括第一節點，第二節點，控制節點和主體節點，該第一節點用於接收輸入訊號，該第二節點用於輸出經濾波後的濾波訊號，該控制節點配置為接收用於控制電晶體導通或截止的控制訊號，該主體節點配置為耦接到該輸入訊號或該濾波訊號，並且該能量存儲部件耦合到該電晶體的第二節點； 輸入單元，耦合到該電晶體的第一節點，其中該輸入單元是電流到電壓轉換電路；以及 功能單元，耦合到該電晶體的第二節點和該能量存儲部件，其中該功能單元是具有高輸入阻抗的電壓到電流轉換電路。
根據本發明的第三方面，公開一種用於低雜訊參考訊號生成的方法，包括： 提供包括濾波器單元和功能單元的電路，其中該濾波器單元包括電晶體和能量存儲部件，該電晶體用於接收輸入訊號並輸出經濾波後的濾波訊號，該電晶體的主體節點用於耦接到該輸入訊號或該濾波訊號，該功能單元具有高輸入阻抗； 透過控制訊號控制該電晶體導通以對該能量存儲部件充電；以及 透過該控制訊號控制該電晶體截止，以使該濾波器單元配置為低通濾波器。
本發明提供的低雜訊參考訊號生成電路由於包括濾波器單元包括電晶體和能量存儲部件，並使用控制訊號控制電晶體導通或截止；以及具有高輸入阻抗的功能單元。採用這種方式，電晶體導通時對能量存儲部件充電，在電晶體截止時能量存儲部件產生濾波訊號，經由能量存儲部件提供的參考訊號（例如濾波訊號）會比較穩定，雜訊更少。此外功能單元具有高輸入阻抗，可以減少漏電流的產生，從而進一步降低參考訊號的雜訊，以提供更低雜訊的參考訊號。
以下描述為本發明實施的較佳實施例。以下實施例僅用來例舉闡釋本發明的技術特徵，並非用來限制本發明的範疇。在通篇說明書及申請專利範圍當中使用了某些詞彙來指稱特定的元件。所屬領域技術人員應可理解，製造商可能會用不同的名詞來稱呼同樣的元件。本說明書及申請專利範圍並不以名稱的差異來作為區別元件的方式，而係以元件在功能上的差異來作為區別的基準。本發明的範圍應當參考後附的申請專利範圍來確定。本發明中使用的術語“元件”、“系統”和“裝置”可以係與電腦相關的實體，其中，該電腦可以係硬體、軟體、或硬體和軟體的接合。在以下描述和申請專利範圍當中所提及的術語“包含”和“包括”為開放式用語，故應解釋成“包含，但不限定於…”的意思。此外，術語“耦接”意指間接或直接的電氣連接。因此，若文中描述一個裝置耦接至另一裝置，則代表該裝置可直接電氣連接於該另一裝置，或者透過其它裝置或連接手段間接地電氣連接至該另一裝置。
對這些實施例進行了詳細的描述係為了使本領域的技術人員能夠實施這些實施例，並且應當理解，在不脫離本發明的精神和範圍情況下，可以利用其他實施例進行機械、化學、電氣和程式上的改變。因此，以下詳細描述並非係限制性的，並且本發明的實施例的範圍僅由所附申請專利範圍限定。
下面將參考特定實施例並且參考某些附圖來描述本發明，但係本發明不限於此，並且僅由申請專利範圍限制。所描述的附圖僅係示意性的而並非限制性的。在附圖中，為了說明的目的，一些元件的尺寸可能被誇大，而不係按比例繪製。在本發明的實踐中，尺寸和相對尺寸不對應於實際尺寸。
參考第1圖，第1圖示出了根據本發明實施例的低雜訊參考訊號生成電路的框圖，此外可以參考第2A圖中所示的實施例來說明細節。電路10包括濾波器（filter）單元102和功能單元104。濾波器單元102包括電晶體M和能量存儲部件E。電晶體M可以是NMOS（Negative channel Metal-Oxide-Semiconductor）或PMOS（Positive channel Metal-Oxide-Semiconductor）。電晶體M包括第一節點n1，第二節點n2，控制節點n3和主體（body）節點n4。電晶體M的第一節點n1配置為耦合到提供輸入訊號S1的電路。輸入訊號S1可以是電壓訊號。電晶體M的第二節點n2耦合到能量存儲部件E，能量存儲部件E用於提供濾波訊號S2。電晶體M的控制節點n3配置為接收控制訊號CTL，並且電晶體M由控制訊號CTL控制以導通/截止。電晶體M的主體節點n4配置為接收追蹤訊號S3。追蹤訊號S3可以是輸入訊號S1，濾波訊號S2或類似於輸入訊號S1或濾波訊號S2的訊號，其中類似於的意思是指，可以透過一個緩衝器（或其他部件）來接收輸入訊號S1或濾波訊號S2並產生一個與輸入訊號S1或濾波訊號S2相類似的訊號。也就是說，主體節點n4可以（直接或間接的）耦接到輸入訊號S1或濾波訊號S2。追蹤訊號S3的電壓電平可以與能量存儲部件E具有的電壓電平幾乎相等。功能單元104可以是具有高輸入阻抗的電路，例如＞10GΩ（10*109 Ω），這意味著從濾波器單元102看到的阻抗足夠高，使得從功能電路104到濾波器單元102的漏電流（leakage current）等於零或接近零。採用這種方式，當負載端的阻抗很高時，對應的負載漏電流就非常小，因此可以減少因漏電流而產生的雜訊，從而降低從第二節點n2處輸出的濾波訊號S2的雜訊。採用本發明的方式可以從負載端降低生成的參考訊號的雜訊。在該實施例中，當電晶體M由控制訊號CTL控制為截止時，電晶體M相當於具有高電阻（例如＞100MΩ（100*106 Ω））的電阻器，並且濾波器單元102可以用作RC濾波器（該RC濾波器具有高電阻的電阻器）。可以參考第2A圖中所示的可行示例來說明一些細節。
第2A圖示出了根據本發明實施例的低雜訊參考訊號生成電路的可行示例。在該示例中，電晶體M是PMOS，並且能量存儲部件E可以是MIM（Metal-Insulator-Metal，金屬-絕緣體-金屬）電容器，MOM（Metal-Oxide-Metal，金屬-氧化物-金屬）電容器，MOS（Metal-Oxide-Semiconductor，金屬-氧化物-半導體）電容器，MOS變容器（被動電容器）或阻尼電路（主動電容器）。濾波訊號S2穿過運算放大器作為追蹤訊號S3耦合到電晶體M的主體節點n4。第2A圖中D1和D2是電晶體M的結型二極體（junction diode）。功能單元104包括為PMOS的電晶體M1。輸入訊號（例如輸入訊號S1）由電路C1提供，電路C1包括運算放大器OA1，複數個電阻器R1，R2，R3和複數個電晶體A1，A2。運算放大器OA1的輸出電壓作為輸入訊號S1輸入到濾波器單元102。需要說明的是，第2B圖示出了用於實現能量存儲部件E的阻尼電路。如第2B圖所示，阻尼電路20包括運算放大器201，電容器203和電阻器205。運算放大器201的輸入節點n5配置為耦合到電晶體M的第二節點n2。電容器203的一個節點耦合到運算放大器201的輸入節點（例如輸入節點n5），以及電容器203的另一個節點耦合到運算放大器201的輸出節點。電阻器205的一個節點耦合到運算放大器201的輸出節點，以及電阻器205的另一個節點n6配置為耦合到接地，電源或參考電壓。此外，阻尼電路20的運算放大器201可以以各種方式實現。第2C圖和第2D圖示出了用於實現運算放大器201的兩個電路示例。在第2C圖中，阻尼電路20c的運算放大器由NMOS 201c實現。在第2D圖中，阻尼電路20d的運算放大器由PMOS 201d實現。
在第2A圖所示的實施例中，當電晶體M透過控制訊號CTL控制為導通時，濾波器單元102配置為全通（all pass）濾波器。輸入訊號S1可以穿過電晶體M並對能量存儲部件E充電。例如充電後的能量存儲部件E可以具有與與輸入訊號S1幾乎相等的電壓。
在第2A圖所示的實施例中，當濾波器單元102的電晶體M由控制訊號CTL控制為截止時，濾波器單元102的等效電路如第3圖所示。如第3圖所示，電晶體M相當於具有高電阻的電阻器Roff。也就是說，濾波器電路102（第2A圖所示）配置為低通（low pass）濾波器。此時輸入訊號S1幾乎不能穿過電晶體M（當然可能會有很少量的穿過電晶體M，但輸入訊號S1的雜訊可以被濾除），因此此時可以由經過充電的能量存儲部件E提供參考訊號（例如濾波訊號S2）給功能單元104，由於能量存儲部件E提供的能量（例如電荷量）較穩定，因此經由能量存儲部件E提供參考訊號（例如濾波訊號S2）會比較穩定，雜訊更少。此外，由於將濾波訊號S2耦合到電晶體M的主體節點n4，使得在主體節點n4處一端是追蹤訊號S3（參考第3圖所示，追蹤訊號S3=濾波訊號S2），另一端耦合到能量存儲部件E，而濾波訊號S2是由能量存儲部件E提供的，因此主體節點n4處與第二節點n2處的電壓電平幾乎相等，能量存儲部件E內的能量幾乎不會洩漏到主體節點n4處，所以避免了能量存儲部件E在第一節點n1處的漏電流，從而因此可以減少因漏電流而產生的雜訊，從而降低從第二節點n2處輸出的濾波訊號S2的雜訊。採用本發明的方式可以從輸入端降低生成的參考訊號的雜訊。當然追蹤訊號S3也可以耦合到輸入訊號S1，因為輸入訊號S1與能量存儲部件E的電壓電平也是幾乎相等的，因此將追蹤訊號S3耦合到輸入訊號S1也可以避免或減少漏電流。透過將濾波器單元102配置為低通濾波器，可以將雜訊頻譜的3dB頻率調整為低於關心頻帶（interested band）（例如，20Hz~20kHz）。換句話說，關心頻帶內的雜訊能量減小。因此，可以認為輸入訊號S1由濾波器單元102進行了“清潔”，並且生成經濾波後的濾波訊號S2（低雜訊參考訊號）作為低雜訊訊號以提供給功能電路104。
如上所述，由於濾波後的濾波訊號S2耦合到電晶體M的主體節點n4，因此可以避免在電晶體M在截止時產生漏電流（例如避免在輸入端產生漏電流）。一般而言，漏電流會造成能量存儲部件E上有電荷的變動，該變動會造成能量存儲部件上電壓的變化，因漏電流本身帶有雜訊，所以輸出的電壓也會產生雜訊，因此低雜訊訊號的產生需要避免或降低漏電流。根據上文的描述，本發明實施例中可以減少在能量存儲部件E（或電晶體M）的負載端的漏電流（例如使功能單元104具有高阻抗輸入以及電晶體M具有高開路電阻Roff），同時可以減少在電晶體主體節點n4端的漏電流（例如使第二節點n2耦合到主體節點n4），從而使第二節點n2與主體節點n4的漏電流都得到大幅度降低，而漏電流降低後輸出的參考訊號（例如濾波訊號S2）的雜訊就會大大減少，從而生成低雜訊的參考訊號。
控制訊號可以是數位訊號或類比訊號。在一個實施例中，如第7A圖所示，控制訊號CTL可以是具有有規律的脈衝的PWM（pulse width modulation，脈衝寬度調製）。在控制訊號CTL的單個週期Tr中，控制訊號CTL在時間間隔Tc中為第一電壓電平V1，控制訊號CTL在時間間隔Tf中為第二電壓電平V2。當電晶體M是PMOS時，電晶體M可以在時間間隔Tc期間導通，並且電晶體M可以在時間間隔Tf期間截止。在控制訊號是數位訊號的情況下，第一電壓電平V1可以是零（此時電晶體可以全部導通），第二電壓電平V2可以是VDD（此時電晶體可以幾乎全部截止），但是在控制訊號是類比訊號的情況下，第一電壓電平V1可以具有高於零的電壓電平，此時可以使電晶體部分導通。上述是針對電晶體M是PMOS的情況。在電晶體部分導通時，可以對能量存儲部件E充電，當然如果能量存儲部E件的電壓電平與輸入訊號S1的電壓電平幾乎相等，也可以無需對能量存儲部件E充電。也就是說，能量存儲部件E可以在時間間隔Tc期間充電（即時間間隔（例如時間間隔Tc）也可以指“充電時間”），並且濾波器單元102可以配置為全通濾波器。另一方面，濾波器單元102可以在時間間隔Tf期間配置為低通濾波器。此外，有規律的脈衝的PWM意味著每個週期Tr的時間長短是相等的，並且在每個單個週期Tr中，時間間隔Tc的時間長短相等，時間間隔Tf的時間長短也相等。在另一個實施例中，如第7B圖所示，控制訊號是具有不規律的脈衝的PWM訊號。在該實施例中，時間間隔Tc和Tf不是固定的。例如，可以在電路10的初始運行期間使時間間隔Tc更長。隨著運行時間變長，可以減小時間間隔Tc，因此在初始運行期間時間間隔Tc（該Tc在單個週期Tr中）的時間長短大於在初始運行期間之後的運行期間中的時間間隔Tc（該Tc在另一單個週期Tr中）的時間，這樣可以電路運行穩定之後減少對能量存儲部件E充電，節省電路運行所需電量。也就是說，其中一個週期Tr中的時間間隔Tc可以與另一個週期Tr中的時間間隔Tc不相等，相應的兩個週期中的時間間隔Tf也可以不相等，當然該一個週期Tr的時間長短可以與該另一個週期Tr的時間長短相等。在又一個實施例中，如第7C圖所示，控制訊號CTL可以是PFM（pulse frequency modulation，脈衝頻率調製）訊號。也就是說，在該實施例中，控制訊號CTL的單個週期Tr的時間不固定。也就是說，其中一個週期Tr中的時間間隔Tc可以與另一個週期Tr中的時間間隔Tc不相等，相應的兩個週期中的時間間隔Tf也可以不相等，同時，該一個週期Tr的時間長短與該另一個週期Tr的時間長短也可以不相等。在一個實施例中，控制訊號CTL的第一時間間隔（例如時間間隔Tc）與單個週期Tr的比率小於1/100（即Tc/Tr＜1/100）。在另一個實施例中，單個時段與單個時段中的充電時間的比率是隨機變數。如上所述，為了使能量存儲部件E的能量（電荷量或電壓電平等）始終維持在較高的水平，在每個週期中都會對能量存儲部件E進行充電，而充電的時間可以是隨機的，例如充電時間大於等於零（例如可以由隨機變數產生器產生），當然會小於一個週期Tr。當充電時間等於零時，也就是在一個週期內，可能不需要對能量存儲部件E充電，例如在一個週期內，雖然能量存儲部件E在放電，但是能量存儲部件E的電壓電平並未下降太多，因此依然可以滿足產生穩定的參考訊號的要求。當然也可以在一個週期內對能量存儲部件E充電一段時間，這段時間可以任意取值（例如在一個週期內取值，如大於等於零並且小於等於一個週期值）。
此外，在電晶體M是NMOS的情況下，充電時間（例如時間間隔Tc）中的控制訊號CTL的第一電壓電平V1可以低於VDD，此時可以使電晶體M部分導通。這樣也可以對能量存儲部件E充電。
參考第4圖，第4圖示出了根據本發明另一實施例的低雜訊參考訊號生成電路的框圖。電路40類似於電路10（如第1圖所示），但電路40還包括輸入單元106。在該實施例中，輸入單元106是電流到電壓（I/V）轉換電路，並且功能單元104是電壓到電流（V/I）轉換電路。由於濾波器單元102的操作和功能與上述實施例相同，因此這裡不再重複。其中，第1圖示出的是低雜訊參考電壓的生成過程，而第4圖示出的是說明低雜訊參考電流的生成過程。
第5A圖示出了根據本發明另一實施例的低雜訊參考訊號生成電路的可行示例。輸入單元106包括電流源Ir和電晶體T1。電流源Ir生成雜訊參考電流（帶有雜訊的參考電流），並且電晶體T1將雜訊參考電流轉換為雜訊電壓訊號（帶有雜訊的電壓訊號）作為輸入訊號S1。濾波器單元102對輸入訊號S1的雜訊進行濾波，然後輸出濾波後的濾波訊號S2。功能單元104包括電晶體T2。電晶體T2接收濾波後的濾波訊號S2，並將濾波後的濾波訊號S2轉換為幹淨的參考電流Ic。第5B圖示出了根據本發明另一實施例的低雜訊參考訊號生成電路的可行示例。在第5B圖中的另一個可行示例中，濾波器單元102的電晶體M，輸入單元106的電晶體T1和功能單元104的電晶體T2是NMOS。注意，在某些情況下，電晶體的類型可能不同。例如，濾波器單元102的電晶體M是PMOS，輸入單元106的電晶體T1和功能單元104的電晶體T2是NMOS。
第6圖示出了根據本發明的實施例的低雜訊參考訊號生成方法的流程圖。
在步驟601中，執行提供包括濾波器單元和功能單元的電路。濾波器單元包括電晶體和能量存儲部件。電晶體配置為接收輸入訊號並輸出濾波後的濾波訊號。電晶體的主體節點用於接收追蹤訊號，追蹤訊號例如為輸入訊號，濾波後的濾波訊號或類似於輸入訊號或濾波訊號的訊號。功能單元具有高輸入阻抗。
在步驟603中，執行透過控制訊號控制電晶體導通，以對能量存儲部件充電。在該步驟中，濾波器單元配置為全通濾波器。
在步驟605中，執行透過控制訊號控制電晶體截止，以使濾波器單元配置為低通濾波器。
可以在電路的運行期間重複執行步驟603和605。
在一個實施例中，控制訊號是PWM訊號或PFM訊號。當控制訊號為PWM訊號時，單個週期內的充電時間與單個週期的比例可以是固定的也可以不是固定的，其中充電時間是指控制訊號處於第一狀態的時間間隔。電壓電平使電晶體導通。在一個實施例中，可以在電路的初始運行期間使充電時間更長。隨著執行時間變長，可以減少充電時間。在一個實施例中，單個時段與單個時段中的充電時間的比率大於100（例如一個週期中的充電時間與一個週期的比率小於1/100）。在一個實施例中，單個時段與單個時段中的充電時間的比率是隨機變數。例如充電時間大於等於零。
利用本發明，可以清除參考電壓或參考電流中的雜訊，並且可以在關心頻帶（例如在聲音訊號使用中為20Hz~20kHz）內生成幹淨的參考訊號。也就是說，利用本發明，可以減少關心頻帶內的雜訊參考訊號的雜訊。
儘管已經對本發明實施例及其優點進行了詳細說明，但應當理解的係，在不脫離本發明的精神以及申請專利範圍所定義的範圍內，可以對本發明進行各種改變、替換和變更。所描述的實施例在所有方面僅用於說明的目的而並非用於限制本發明。本發明的保護範圍當視所附的申請專利範圍所界定者為准。本領域技術人員皆在不脫離本發明之精神以及範圍內做些許更動與潤飾。
10、C1、40‧‧‧電路
102‧‧‧濾波器單元
104‧‧‧功能單元
106‧‧‧輸入單元
n1‧‧‧第一節點
n2‧‧‧第二節點
n3‧‧‧控制節點
n4‧‧‧主體節點
S1‧‧‧輸入訊號
S2‧‧‧濾波訊號
S3‧‧‧追蹤訊號
CTL‧‧‧控制訊號
R1、R2、R3、205、Roff‧‧‧電阻器
M、M1、A1、A2、T1、T2‧‧‧電晶體
OA1‧‧‧運算放大器
D1、D2‧‧‧結型二極體
E‧‧‧能量存儲部件
20、20c、20d‧‧‧阻尼電路
n5‧‧‧輸入節點
n6‧‧‧節點
201‧‧‧運算放大器
203‧‧‧電容器
201c‧‧‧NMOS
201d‧‧‧PMOS
Ir‧‧‧電流源
Ic‧‧‧參考電流
601、603、605‧‧‧步驟
V1‧‧‧第一電壓電平
V2‧‧‧第二電壓電平
Tr‧‧‧週期
Tc、Tf‧‧‧時間間隔
透過閱讀後續的詳細描述和實施例可以更全面地理解本發明，本實施例參照附圖給出，其中：
第1圖示出了根據本發明的實施例的低雜訊參考訊號生成電路的框圖。
第2A圖示出了根據本發明實施例的低雜訊參考訊號生成電路的可行示例。
第2B圖示出了用於實現能量存儲部件的阻尼電路的示例。
第2C圖和第2D圖示出了用於實現第2B圖中的阻尼電路的運算放大器的兩個電路示例。
第3圖示出了當電晶體截止時濾波器單元的等效電路。
第4圖示出了根據本發明的另一實施例的低雜訊參考訊號生成電路的框圖。
第5A圖和第5B圖示出了根據本發明另一實施例的低雜訊參考訊號生成電路的可行示例。
第6圖示出了根據本發明的實施例的用於低雜訊參考訊號生成的方法的流程圖。
第7A圖至第7C圖示出了根據本發明實施例的用於控制濾波器單元的控制訊號的方案圖。

Claims (11)

  1. 一種低雜訊參考訊號生成電路，包括： 濾波器單元，包括電晶體和能量存儲部件，其中該電晶體包括第一節點，第二節點，控制節點和主體節點，該第一節點用於接收輸入訊號，該第二節點用於輸出經濾波後的濾波訊號，該控制節點配置為接收用於控制電晶體導通或截止的控制訊號，該主體節點配置為耦接到該輸入訊號或該濾波訊號，並且該能量存儲部件耦合到該電晶體的第二節點；以及 功能單元，耦合到該電晶體的第二節點和該能量存儲部件，其中該功能單元具有高輸入阻抗。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的低雜訊參考訊號生成電路，其中該控制訊號是具有有規律的脈衝的脈衝寬度調製訊號，具有不規律的脈衝的脈衝寬度調製訊號，或脈衝頻率調製訊號。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的低雜訊參考訊號生成電路，其中當該控制訊號處於第一電壓電平狀態時，該電晶體導通，該能量存儲部件充電，並且該濾波器單元配置為全通濾波器；當該控制訊號處於第二電壓電平狀態時，該電晶體截止，該濾波器單元配置為低通濾波器。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的低雜訊參考訊號生成電路，其中該控制訊號在控制訊號的單個週期中的第一電壓電平狀態下的控制訊號的時間大於等於零。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的低雜訊參考訊號生成電路，其中該控制訊號在控制訊號的單個週期中的第一電壓電平的狀態下的控制訊號的時間與該控制訊號的單個週期的比率小於1/100。
  6. 如申請專利範圍第4項所述的低雜訊參考訊號生成電路，其中在該低雜訊參考訊號生成電路的初始運行期間，該控制訊號在該控制訊號的單個週期中處於該第一電壓電平狀態的時間大於在該初始運行期間之後的運行期間的該控制訊號處於該第一電壓電平狀態的時間。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的低雜訊參考訊號生成電路，其中該能量存儲部件包括金屬-絕緣體-金屬電容器，金屬-氧化物-金屬電容器，MOS電容器或MOS變容器。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的低雜訊參考訊號生成電路，其中該能量存儲部件包括阻尼電路，該阻尼電路包括至少一個電晶體和至少一個電容器。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的低雜訊參考訊號生成電路，其中該能量存儲部件中的該阻尼電路的輸入節點耦合到該濾波器單元中的該電晶體的第二節點。
  10. 一種低雜訊參考訊號生成電路，包括： 濾波器單元，包括電晶體和能量存儲部件，其中該電晶體包括第一節點，第二節點，控制節點和主體節點，該第一節點用於接收輸入訊號，該第二節點用於輸出經濾波後的濾波訊號，該控制節點配置為接收用於控制電晶體導通或截止的控制訊號，該主體節點配置為耦接到該輸入訊號或該濾波訊號，並且能量存儲部件耦合到電晶體的第二節點； 輸入單元，耦合到該電晶體的第一節點，其中該輸入單元是電流到電壓轉換電路；以及 功能單元，耦合到該電晶體的第二節點和該能量存儲部件，其中該功能單元是具有高輸入阻抗的電壓到電流轉換電路。
  11. 一種用於低雜訊參考訊號生成的方法，包括： 提供包括濾波器單元和功能單元的電路，其中該濾波器單元包括電晶體和能量存儲部件，該電晶體用於接收輸入訊號並輸出經濾波後的濾波訊號，該電晶體的主體節點用於耦接到該輸入訊號或該濾波訊號，該功能單元具有高輸入阻抗； 透過控制訊號控制該電晶體導通以對該能量存儲部件充電；以及 透過該控制訊號控制該電晶體截止，以使該濾波器單元配置為低通濾波器。
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