TW201916190A - 對目標電路基板形成預導電陣列之方法、應用前述方法於目標電路基板形成導電結構之製程、目標電路基板之預導電陣列、以及目標電路基板之導電結構陣列 - Google Patents

對目標電路基板形成預導電陣列之方法、應用前述方法於目標電路基板形成導電結構之製程、目標電路基板之預導電陣列、以及目標電路基板之導電結構陣列 Download PDF

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Abstract

一種對目標電路基板形成預導電陣列之方法，包括下列步驟：置備設有複數導電電極之一目標電路基板；以及，於全部或部分之各該導電電極上，佈置至少一導電粒子。其中，至少一導電粒子、及其相對應之導電電極，構成一預導電構造；且該等預導電構造構成一預導電陣列。

Description

對目標電路基板形成預導電陣列之方法、應用前述方法於目標電路基板形成導電結構之製程、目標電路基板之預導電陣列、以及目標電路基板之導電結構陣列
本發明係關於一種形成導電結構之方法，特別是關於一種對一目標電路基板形成預導電陣列之方法。
傳統在一目標電路基板上建立導電結構的方式包括：預熔導電墊片、錫膏印刷(Solder Paste Printing)、或進一步搭配球格陣列(Ball Grid Array,BGA)等表面黏著技術(Surface Mounting Technology,SMT)製程；然而，該等表面黏著製程之技術精度，無法應用於尺寸低於100微米的微電子器件，屬於技術精度上的不匹配。
或，於目標電路基板上塗覆異方性導電膏(Anisotropic Conductive Paste,ACP)。傳統的異方性導電膏，為了適配目標電路基板上，導電墊片與導電墊片之間的不同距離，或為了適配具有不同尺度(scale)導電墊片的目標電路基板，通常採用較高粒子填充率的異方性導電膏，導電粒子在塗覆膏(熱固膏或熱塑膏)內部呈三維分布，以對導電墊片最高機率地起到導電作用。然而，僅存在有少部分的導電粒子能在目標電路基板上對導電墊片起到導電作用，其餘佔多數的導電粒子則隨塗覆膏的固化而被一併封存於目標電路基板。鑑於導電粒子的成本遠遠高過於塗覆膏，故傳統異 方性導電膏的使用，屬於成本上的極大浪費；儘管可以選擇較低粒子填充率的異方性導電膏，仍未能免除大多數導電粒子被浪費的情況，而無法有效降低成本。此外，異方性導電膏的塗覆，在各個廠商技術精度不盡相同的情況下，塗覆膏的厚薄不一、導電粒子的分布均度亦受影響。
有鑑於此，本發明在提供一種對目標電路基板形成預導電陣列之方法、應用前述方法於目標電路基板形成導電結構之製程、目標電路基板之預導電陣列、以及目標電路基板之導電結構；不囿於欲定位至目標電路基板的電子元件之元件尺寸，而能被廣泛地應用。
有鑑於此，本發明在提供一種對目標電路基板形成預導電陣列之方法、應用前述方法於目標電路基板形成導電結構之製程、目標電路基板之預導電陣列、以及目標電路基板之導電結構；可有效形成預導電陣列。
為此，本發明提出一種對目標電路基板形成預導電陣列之方法，包括：置備設有複數組導電電極群之一目標電路基板；定義一第一間距於兩兩導電電極群之間；各該導電電極群具有複數對導電電極，定義一第二間距於相鄰兩對導電電極之間、一第三間距於各對之兩導電電極之間；以及，於全部或部分之該等導電電極群之各該導電電極上，佈置至少一導電粒子；其中，該至少一導電粒子、及其相對應之該導電電極，構成一預導電構造；且該等預導電構造構成一預導電陣列；各該預導電構造定義有單位面積的導電粒子數之一第一密度，兩兩預導電構造之間定義有單位面積的導電粒子數之一第二密度，該第一密度大於該第二密度。
為此，本發明提出一種對目標電路基板形成預導電陣列之方法，包括：為此，本發明提出一種對目標電路基板形成預導電陣列之方法，包括：置備設有複數組導電電極群之一目標電路基板；定義一第一間距於兩兩導電電極群之間；各該導電電極群具有一導電電極；以及，於全部或部分之該等導電電極群之各該導電電極上，佈置至少一導電粒子；其中，該至少一導電粒子、及其相對應之該導電電極，構成一預導電構造；且該等預導電構造構成一預導電陣列；各該預導電構造定義有單位面積的導電粒子數之一第一密度，兩兩預導電構造之間定義有單位面積的導電粒子數之一第二密度，該第一密度大於該第二密度。
為此，本發明提出一種於目標電路基板形成導電結構之製程，包括：應用對目標電路基板形成預導電陣列之方法；佈設複數個微半導體結構至該目標電路基板，以對應至定位全部或部分之該等預導電構造；以及，對該等微半導體結構與該目標電路基板施予加熱壓合。其中，各該微半導體結構具有一對電極；各該微半導體結構之該對電極對應定位至全部或部分之各對預導電構造。各該微半導體結構之各該電極、與所對應之該目標電路基板之各對預導電構造，共同形成一導電結構；其中，各該導電結構定義有單位面積的導電粒子數之一第一密度，兩兩導電結構之間定義有單位面積的導電粒子數之一第二密度，該第一密度大於該第二密度。
為此，本發明提出一種於目標電路基板形成導電結構之製程，包括：應用對目標電路基板形成預導電陣列之方法；佈設複數個微半導體結構至該目標電路基板，以對應至定位全部或部分之該等預導電構 造；以及，對該等微半導體結構與該目標電路基板施予加熱壓合。其中，各該微半導體結構具有一電極；各該微半導體結構之該電極對應定位至該等預導電構造的全部或部分。各該微半導體結構之該電極、與所對應之該目標電路基板之該預導電構造，共同形成一導電結構；其中，各該導電結構定義有單位面積的導電粒子數之一第一密度，兩兩導電結構之間定義有單位面積的導電粒子數之一第二密度，該第一密度大於該第二密度。
為此，本發明提出一種設於目標電路基板之預導電陣列，包括：設於一目標電路基板之複數組導電電極群；兩兩導電電極群之間定義一第一間距；各該導電電極群具有至少一對導電電極；以及，設於全部或部分之該等導電電極群之各該導電電極上之至少一導電粒子。其中，該至少一導電粒子、及其相對應之該導電電極，構成一預導電構造；該等預導電構造構成一預導電陣列；其中，各該預導電構造定義有單位面積的導電粒子數之一第一密度，兩兩預導電構造之間定義有單位面積的導電粒子數之一第二密度，該第一密度大於該第二密度。
為此，本發明提出一種設於目標電路基板之預導電陣列，包括：設於一目標電路基板之複數組導電電極群；兩兩導電電極群之間定義一第一間距；各該導電電極群具有一導電電極；以及，設於全部或部分之該等導電電極群之各該導電電極上之至少一導電粒子。其中，該至少一導電粒子、及其相對應之該導電電極，構成一預導電構造；該等預導電構造構成一預導電陣列；其中，各該預導電構造定義有單位面積的導電粒子數之一第一密度，兩兩預導電構造之間定義有單位面積的導電粒子數之一第二密度，該第一密度大於該第二密度。
為此，本發明提出一種設於目標電路基板之預導電陣列，包括：設於一目標電路基板之複數個預導電構造；各該預導電構造包括：設於一目標電路基板上、且呈第一數量之複數組導電電極群，各組導電電極群包括呈第二數量之至少一對導電電極；以及，定位於全部或部分之該等導電電極群之各該導電電極上，且呈第三數量之至少一導電粒子。其中，各該預導電構造定義有單位面積的導電粒子數之一第一密度，兩兩預導電構造之間定義有單位面積的導電粒子數之一第二密度，該第一密度大於該第二密度。
為此，本發明提出一種設於目標電路基板之預導電陣列，包括：設於一目標電路基板之複數個預導電構造；各該預導電構造包括：設於一目標電路基板上、且呈第一數量之複數組導電電極群，各組導電電極群包括呈第二數量之至少一導電電極；以及，定位於全部或部分之該等導電電極群之各該導電電極上，且呈第三數量之至少一導電粒子。其中，各該預導電構造定義有單位面積的導電粒子數之一第一密度，兩兩預導電構造之間定義有單位面積的導電粒子數之一第二密度，該第一密度大於該第二密度。
為此，本發明提出一種設於目標電路基板之預導電陣列，包括：設於一目標電路基板之複數個預導電構造；各該預導電構造包括：設於一目標電路基板上、且按一第一圖形陣列散佈之複數組導電電極群，各組導電電極群包括按一第二圖形陣列散佈之至少一對導電電極；以及，定位於全部或部分之該等導電電極群之各該導電電極上，且按一第三圖形陣列散佈之至少一導電粒子。其中，各該預導電構造定義有單位面積的導電 粒子數之一第一密度，兩兩預導電構造之間定義有單位面積的導電粒子數之一第二密度，該第一密度大於該第二密度。
為此，本發明提出一種設於目標電路基板之預導電陣列，包括：設於一目標電路基板之複數個預導電構造；各該預導電構造包括：設於一目標電路基板上、且按一第一圖形陣列散佈之複數組導電電極群，各組導電電極群包括按一第二圖形陣列散佈之至少一導電電極；以及，定位於全部或部分之該等導電電極群之各該導電電極上，且按一第三圖形陣列散佈之至少一導電粒子。其中，各該預導電構造定義有單位面積的導電粒子數之一第一密度，兩兩預導電構造之間定義有單位面積的導電粒子數之一第二密度，該第一密度大於該第二密度。
為此，本發明提出一種目標電路基板之導電結構陣列，包括：應用所述的目標電路基板之預導電陣列、以及陣列式微半導體結構；陣列式微半導體結構對應目標電路基板之預導電陣列的部分或全部。其中，各該微半導體結構具有一對電極；各該微半導體結構之各該電極、與所對應之該目標電路基板之該預導電構造，共同形成一導電結構。其中，各該導電結構定義有單位面積的導電粒子數之一第一密度，兩兩導電結構之間定義有單位面積的導電粒子數之一第二密度，該第一密度大於該第二密度。
本發明提出一種目標電路基板之導電結構陣列，包括：應用所述的目標電路基板之預導電陣列、以及陣列式微半導體結構；陣列式微半導體結構對應目標電路基板之預導電陣列的部分或全部。其中，各該微半導體結構具有一電極；各該微半導體結構之該電極、與所對應之該目標 電路基板之該預導電構造，共同形成一導電結構。其中，各該導電結構定義有單位面積的導電粒子數之一第一密度，兩兩導電結構之間定義有單位面積的導電粒子數之一第二密度，該第一密度大於該第二密度。
S10、S20‧‧‧步驟
10、10a‧‧‧目標電路基板
12、12a‧‧‧板體
14、14a‧‧‧導電電極群
142‧‧‧各對導電電極
144、144a‧‧‧導電電極
X‧‧‧軸
Y‧‧‧軸
L1、L1’、L11、L11’‧‧‧第一間距
L2、L2’‧‧‧第二間距
L21、L21’‧‧‧第二主要間距
L22、L22’‧‧‧第二次要間距
L3‧‧‧第三間距
20、20a~20f‧‧‧導電粒子
30、30a‧‧‧預導電構造
40、40a、40b‧‧‧微半導體結構
42、42a、42b‧‧‧本體
44、44a、44b‧‧‧電極
PD‧‧‧預導電路徑
RD‧‧‧真正導電路徑
50、50a、50b‧‧‧導電結構
60、60a、60b、60c‧‧‧鋼板
62、62a、62b、62c‧‧‧板體
64、64a、64b、64c‧‧‧容槽單元
621‧‧‧最外表面
642、642a、642b、642c‧‧‧容槽
66c‧‧‧黏著單元
662c‧‧‧黏著件
70‧‧‧攜載裝置
80‧‧‧接觸層
82‧‧‧第一接觸層
84‧‧‧第二接觸層
100‧‧‧印刷滾輪
120‧‧‧滾輪本體
122‧‧‧最外表面
140‧‧‧容槽單元
142‧‧‧容槽
300‧‧‧擋止元件
200‧‧‧滾輪傳動機構
240‧‧‧滾輪
220‧‧‧傳動帶
242‧‧‧驅動滾輪
244‧‧‧從動滾輪
圖1為本發明之第一實施例，係對目標電路基板形成預導電陣列之方法之流程圖；圖2、2A為圖1之對目標電路基板形成預導電陣列之方法中，目標電路基板之結構示意圖；圖3、3A至3F為圖2A中，不同預導電構造之結構示意圖；圖2B為圖1之對目標電路基板形成預導電陣列之方法中，不同目標電路基板與預導電構造之另一結構示意圖；圖4為本發明之第九實施例中，係於目標電路基板形成導電結構之製程，對應圖2、2A之製程示意圖；圖5A為本發明之第九實施例中，於目標電路基板形成導電結構之結構態樣，對應圖2、2A之結構示意圖；圖5B為本發明之第九實施例中，於目標電路基板形成導電結構之另一結構態樣，對應圖2B之結構示意圖；圖5C為本發明之第九實施例，於目標電路基板形成導電結構之又一結構態樣，對應圖3C之結構示意圖；圖6A至6E、圖7A、7B、7C、8A為本發明之第二實施例，係對目標電路基板形成預導電陣列之方法之製程示意圖；圖9A至9C為本發明之第三實施例，係對目標電路基板形成 預導電陣列之方法之製程示意圖；圖10A為本發明之第四實施例，係對目標電路基板形成預導電陣列之方法之製程示意圖；圖11A至11C為本發明之第五實施例，係對目標電路基板形成預導電陣列之方法之製程示意圖；圖12A與12B為本發明之第六實施例，係對目標電路基板形成預導電陣列之方法之製程示意圖；圖13、圖14A與14B為本發明之第七實施例，係對目標電路基板形成預導電陣列之方法之製程示意圖；以及圖15為本發明之第八實施例，係對目標電路基板形成預導電陣列之方法之製程示意圖。
如本文中所使用之「目標電路基板」指用於接收電子元件之非原生基板，電子元件係不受限其尺寸元件，可廣泛地包括尺寸低於100微米的微電子器件或元件。原生基板或非原生基板之材料的實施例包含聚合物、塑膠、樹脂、聚醯亞胺、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸伸乙基酯、金屬、金屬箔、玻璃、石英、可撓性玻璃、半導體、藍寶石、或薄膜電晶體(thin film transistor,TFT)等。
為便於理解與說明，本文所使用「目標電路基板」以薄膜電晶體為例。
[第一實施例]
圖1、圖2、圖2A、圖3、圖3A至3F所示者，為本發明之對目 標電路基板形成預導電陣列之方法，其主要概念之流程圖及其製程示意圖。
如圖1所示，本發明用於對目標電路基板形成預導電陣列之方法至少包括步驟S10、與步驟S20。
步驟S10：如圖2，置備一目標電路基板10。目標電路基板10具有一板體12、設於該板體12之複數組導電電極群14、各該導電電極群14具有複數對導電電極142，各對導電電極142包括二導電電極144。
板體12由沿X軸、Y軸所構成之一第一假想面延伸而成，並沿X軸定義一第一間距L1於兩兩導電電極群14之間、沿X軸定義一第二間距L2於相鄰兩對導電電極142之間、沿X軸定義一第三間距L3於各對之兩導電電極144之間，以此類推；同理，板體12沿Y軸，應亦能定義出對應的間距；例如：沿Y軸定義一第一間距L1’於兩兩導電電極群14之間、沿Y軸定義一第二間距L2’於相鄰兩對導電電極142之間。而，各對之兩導電電極144之間合理推論應維持由X定義之第三間距L3，以此類推。
同理，導電電極群14與導電電極群14之間，不論於X軸或Y軸，均可定義至少一第一間距；同理，一對導電電極142與另一對導電電極142之間，不論於X軸或Y軸，均可定義至少一第二間距。或，導電電極群14與導電電極群14之間，不論於X軸或Y軸，均可定義一第一主要間距、與至少一第一次要間距；同理，一對導電電極142與另一對導電電極142之間，不論於X軸或Y軸，均可定義一第二主要間距、與至少一第二次要間距。藉此，導電電極群14與導電電極群14之間形成一第一圖形陣列，一對導電電極142與另一對導電電極142之間形成第二圖形陣列。
此外，導電電極群14與導電電極群14，可呈比鄰、也可呈對 稱；同理，一對導電電極142與另一對導電電極142之間，可呈比鄰、也可呈對稱。第2A圖中，則同時採用比鄰與對稱的佈設方式。
此外，本實施例中，各對導電電極之定義用以配合對應具有水平式或覆晶式電極之電子元件；假若對應具有垂直式電極之電子元件，則導電電極非必要成對出現，則定義各該導電電極群具有至少一導電電極，此進一步於圖2B說明。
步驟S20：如圖2A、3A，於全部或部分之該等導電電極群14之各該導電電極144上，佈置至少一導電粒子20；其中，該至少一導電粒子20、及其相對應之導電電極144，構成一預導電構造30；此預導電構造30形成朝一Z軸方向之一預導電路徑PD。各該預導電構造30定義有單位面積的導電粒子數之一第一密度，兩兩預導電構造30之間定義有單位面積的導電粒子數之一第二密度，第一密度大於第二密度；本實施例中，則採第一密度遠遠大於第二密度的方案：兩兩預導電構造30之間，不具有導電粒子20。該等預導電構造30按前述的第一間距L1、L1’、第二間距L2、L2’、第三間距L3之規則，以此類推，構成一預導電陣列；且通常，但不受限：第三間距L3小於第二間距L2、L2’、而第二間距L2、L2’小於第一間距L1、L1’。
本實施例中，第三間距L3小於100微米(μm)，表示本實施例適用具水平式或覆晶式電極之電子元件，且其尺寸約在100微米以下。
此外，導電粒子20之粒徑，係根據現有條件實施；而對應到本實施例中小於100微米之第三間距L3，導電粒子20之粒徑可達個位數的微米級，例如：未達10微米。
其中，各該導電粒子20具有一內核、與包覆該內核之至少一 導電層；或更進一步包覆該至少一導電層之一絕緣層。
關於預導電構造：參閱圖3A至3F，係對預導電構造之導電粒子進一步為具體說明者。
如圖3A、3B、3C，佈設於所對應之導電電極144之導電粒子，呈一簇佈設之導電粒子20a，亦即，呈複數個導電粒子20a。該等導電粒子20a、20b、20c之區別，在於：圖3A之複數個分散的導電粒子20a主要沿X軸、Y軸所構成之第一假想面分布；圖3B之複數個緊密相接之導電粒子20b則進一步沿X軸、Z軸所構成之一第二假想面分布；圖3C之複數個緊密相接之導電粒子20c沿X軸、Z軸所構成之第二假想面分布。
如圖3D、3E、3F，佈設於所對應之導電電極144之導電粒子，呈複數簇佈設之導電粒子20d，亦即，各簇呈複數個導電粒子20d。該等導電粒子20d、20e、20f之區別，在於：圖3D之各簇獨立之導電粒子20d主要沿X軸、Z軸所構成之第二假想面分布；圖3E之各簇導電粒子20e沿X軸、Z軸所構成之第二假想面分布，並進一步沿X軸、Y軸、所構成之第一假想面接觸；圖3F之各簇獨立之導電粒子20f主要沿X軸、Y軸所構成之第一假想面分布。
不論所佈設之導電粒子之排列屬無序或有序，均對應導電電極，並對導電電極形成有沿Z軸的至少一預導電路徑PD；並由於導電粒子僅佈設於所對應之導電電極上，使得第一密度大於第二密度；本實施例中，則採第一密度遠遠大於第二密度的方案：兩兩預導電構造之間，不具有導電粒子。
關於導電電極：參閱圖2B，係對配合垂直式電極電子元件之導電電極進一步為具體說明者。
目標電路基板10a具有一板體12a、設於該板體12a之複數組導電電極群14a；由於導電電極144a非成對出現，則定義各該導電電極群14具有一導電電極144a。至少一導電粒子20設於各個導電電極144a上。
其中，板體12a由沿X軸、Y軸所構成之第一假想面延伸而成，並沿X軸定義一第一間距L11於兩兩導電電極群14a之間、沿X軸定義一第二主要間距L21於相鄰兩導電電極144a之間、或進一步沿X軸定義一第二次要間距L22於相鄰兩導電電極144a之間，且第二主要間距L22可相同或相異於第二次要間距L21。
同理，或更進一步沿X軸更進一步定義至少一個第二再次要間距。
同理，沿Y軸，定義出對應但不限於與X軸第一間距L11等長的一第一間距L11’、對應但不限於與X軸第二主要間距L21等長的一第二主要間距L21’、對應但不限於與X軸第二次要間距L22等長的一第二次要間距L22’。換句話說，沿Y軸可定義亦可多個次要間距。
因此，圖2、2A，該等導電電極群14、及其導電電極群導電電極144，亦能沿X、Y軸更進一步定義至少一個次要間距。
[第二實施例]
請參閱圖6A至6E、圖7A、7B、7C、8A之第二實施例，並同時參閱圖1；指示上相同、功能上類似之步驟與元件，採用與第一實施例 相同之標號。
步驟S10之步驟中或前或後，更包括：如圖6A，提供一鋼板60，並投料複數個導電粒子20；鋼板60具有一板體62、以及於板體62預設有複數組容槽單元64，各組容槽單元64具有複數個容槽642。本實施例中，各個容槽642呈凹槽。
如圖6B，鋼板60攜載複數個導電粒子20；其中，全部或部分之各組容槽單元64中，全部或部分之容槽642攜載該至少一導電粒子20。鋼板60定義有一最外表面621，至少之一之導電粒子20，顯露於鋼板60之最外表面621。
如圖6C，提供一攜載裝置70，黏取鋼板60攜載之導電粒子20。本實施例中，攜載裝置70為由一高分子有機矽化合物材料所製成而具有黏性；特別是一種聚二甲基矽氧烷(Polydimethylsiloxane,PDMS)材料所製成，因此可對顯露於鋼板60之導電粒子20進行黏取。
如圖6D，由攜載裝置70移轉導電粒子20；並如圖6E，將導電粒子20定位至目標電路基板10後，移除攜載裝置70。本實施例中，攜載裝置70可由具有等效結構之裝置取代。例如：靜電吸取、負(氣)壓吸取、夾持攜載、或亦採黏取攜載之黏貼滾輪、或黏貼板搭配黏貼滾輪之組合者；所謂吸取、黏取等均為攜載的一種，且以上示例，均說明攜載裝置不侷限所採用的技術方案，而以最終能攜載導電粒子20的技術效果為目的。
同理，鋼板60亦可由具有等效結構所取代，而能使導電粒子依預定規律排列成陣列者。
關於預膠： 參閱圖7A、7B、7C、8A係對圖6D、6E進一步為具體說明者。
如圖7A，預膠係指對目標電路基板10鋪設有至少一接觸層80；本實施例中，鋪設有一第一接觸層82；使攜載裝置70近接目標電路基板10上之第一接觸層82。
如圖7B，由攜載裝置70移轉導電粒子20，將導電粒子20定位至目標電路基板10之第一接觸層82上，再移除攜載裝置70。本實施例中，第一接觸層82對該等導電粒子20提供定位的效果。
如圖7C，可再進一步於導電粒子20定位至目標電路基板10之第一接觸層82之後，於第一接觸層82上再鋪設有一第二接觸層84。本實施例中，第二接觸層84對後續步驟提供的電子元件提供定位的效果。
其中，該至少一導電粒子20位於接觸層80之中：其可位於第一接觸層82之中、或第一接觸層82之上、或第一接觸層82之上且第二接觸層84之中。如圖8A，該至少一導電粒子20位於接觸層80位於第一接觸層82之中。
值得注意的是，本發明中，至少一接觸層80(包括第一接觸層82與第二接觸層84)之鋪設，可與佈置導電粒子之步驟S20交錯實施，使達到如圖3C、圖3D、圖3E之導電粒子20c、20d、20e之佈設效果。又，欲達成如圖3C、圖3D、圖3E之導電粒子20c、20d、20e之佈設效果，亦可在目標電路基板10之導電電極144上沿Z軸實施限位結構(圖未示)，以拘束導電粒子定位在導電電極144上。然而；前述說明，僅為例示，而非侷限本發明。
[第三實施例]
請參閱圖9A至9C之第三實施例，並同時參閱圖1；指示上相同、功能上類似之步驟與元件，採用與第二實施例相同之標號。
步驟S10之步驟中或前或後，更包括：如圖9A，提供一鋼板60a，並投料複數個導電粒子20；鋼板60a具有一板體62a、以及於板體62a預設有複數組容槽單元64a，各組容槽單元64a具有複數個容槽642a。本實施例中，各個容槽642a具有複數凹槽642a。
如圖9B，鋼板60a攜載複數個導電粒子20；其中，全部或部分之各組容槽單元64a中，全部或部分之容槽642a攜載複數導電粒子20。
如圖9C，將該等導電粒子20移轉至目標電路基板10，由容槽642a攜載之多個導電粒子20定位於同一導電電極144上，藉此可構成圖3A至3F的預導電構造。
[第四實施例]
請參閱圖10A之第四實施例，並同時參閱圖1；指示上相同、功能上類似之步驟與元件，採用與第二實施例相同之標號。
步驟S10之步驟中或前或後，更包括：如圖10A，提供一鋼板60b；鋼板60b具有一板體62b、以及於板體62b預設有複數組容槽單元64b，各組容槽單元64b具有至少一穿槽642b；使目標電路基板10鄰近鋼板62b，將鋼板62b之該等穿槽642b對應至全部或部分之該等導電電極群14之各該導電電極144上，並投料複數個導電粒子20，使至少一導電粒子20通過各該穿槽642b，得定位於相對應的該等導電電極群14之各該導電電極144上。
當然，本實施例中，亦能先於目標電路基板10鋪設有至少一 接觸層80，以進一步各該導電粒子20之定位。
[第五實施例]
請參閱圖11A至圖11C之第五實施例，並同時參閱圖1；指示上相同、功能上類似之步驟與元件，採用與第二實施例相同之標號。
步驟S10之步驟中或前或後，更包括：如圖11A，提供一鋼板60c；鋼板60c具有一板體62c、於板體62c預設有複數組容槽單元64c、以及容設於全部或部分之各該容槽單元64c中之黏著單元66c；其中，各組容槽單元具有至少一容槽，且容槽可呈穿槽或凹槽；各黏著單元具有至少一黏著件，其對應各組容槽單元之該至少一容槽。本實施例中，各組容槽單元64c具有二穿槽642c；各黏著單元66c具有二黏著件662c，個別對應各組容槽單元64c之二穿槽642c。
投料複數個導電粒子20，使至少一導電粒子20受各個黏著件662c黏著；各組容槽單元64c中，全部或部分之穿槽642c攜載複數導電粒子20。換句話說，透過在全部或部分的容槽單元64c之各個穿槽642c中，填充有黏著單元66c之各個黏著件662c，可決定鋼板60c攜載導電粒子20的數量。
如圖11B，反置攜載導電粒子20之鋼板60c，令鋼板60c與目標電路基板10互相迫近，使由各個黏著件662c所黏著之導電粒子20得定位於相對應的該等導電電極群14之各該導電電極144上。
如圖11C，移除鋼板60c，藉此可構成圖3A至3F的預導電構造。
[第六實施例]
請參閱圖12A至圖12B之第六實施例，並同時參閱圖1；指示 上相同、功能上類似之步驟與元件，採用與第五實施例相同之標號。
步驟S10之步驟中或前或後，更包括：如圖12A，先於目標電路基板10鋪設有至少一接觸層80，並反置目標電路基板10。提供第五實施例之已攜載複數導電粒子20之鋼板60c；令鋼板60c與目標電路基板10互相迫近。
如圖12B，使由各個黏著件662c所黏著之導電粒子20得接觸前述接觸層80，並定位於相對應的該等導電電極群14之各該導電電極144上；移除鋼板60c，藉此可構成圖3A至3F的預導電構造。
本實施例中，目標電路基板10可如第二實施例鋪設第一接觸層82，再於導電粒子20接觸第一接觸層82，再進一步鋪設其他接觸層。
值得注意的是，反置目標電路基板10以進行製程操作，於其他各個實施例均可適用。
值得注意的是，接觸層80係用來更好地將導電粒子20對應定位至導電電極144；而在不實施接觸層80的製程下，可預熔導電電極144使呈熔化而微具黏性，亦能達到相同的移轉效果，且於其他各個實施例均可適用。
[第七實施例]
請參閱圖13、圖14A與14B之第七實施例，並同時參閱圖1；指示上相同、功能上類似之步驟與元件，採用與第二實施例相同之標號。
於步驟S20之中或前，更包括：如圖13，提供攜載複數個導電粒子20之一印刷滾輪100。印刷滾輪100具有一滾輪本體120、預設於滾輪本體120上之複數組容槽單元 140，各組容槽單元140具有複數個容槽142；全部或部分之各組容槽單元140中，全部或部分之容槽142攜載該至少一導電粒子20。
本實施例中，該等導電粒子20投料時，藉一擋止元件300掃除多餘的導電粒子20，恰使得落入各該容槽142內的導電粒子20，可隨印刷滾輪100的轉動而攜載。
同理，擋止元件300的設計，可推論能廣泛地適用於其他實施例。
其中，印刷滾輪100定義有一最外表面122；由各該容槽142攜載之該至少之一之導電粒子20，顯露於印刷滾輪100之最外表面122。
關於預膠：如圖14A與圖14B，係類似圖7B、圖7C。
如圖14A，於目標電路基板10鋪設有第一接觸層82；使印刷滾輪100近接目標電路基板10上之第一接觸層82時，得將所攜載的導電粒子20定位至目標電路基板10所對應的導電電極144上。
如圖14B，目標電路基板10相對印刷滾輪100移動，於導電粒子20定位至目標電路基板10之第一接觸層82之後，於第一接觸層82上再鋪設有一第二接觸層84。第二接觸層84的鋪設速率，可搭配印刷滾輪100的轉速。
[第八實施例]
請參閱圖15之第八實施例，並同時參閱圖1；指示上相同、功能上類似之步驟與元件，採用與第五實施例相同之標號。
於步驟S20之中或前，更包括： 如圖15，鋪設一第一接觸層82於一滾輪傳動機構200上，該第一接觸層82得隨滾輪傳動機構200移動；其中，滾輪傳動機構200包括複數個滾輪240與一傳動帶220。複數個滾輪240至少包括一驅動滾輪242、與一從動滾輪244；傳動帶220連動驅動滾輪242與從動滾輪244。
使印刷滾輪100近接滾輪傳動機構200之第一接觸層82，該至少一導電粒子20得移轉至第一接觸層20。第一接觸層82隨滾輪傳動機構200移動，並鋪設至目標電路基板10。因此，由第一接觸層82攜載之該至少一導電粒子20係對應定位於各該導電電極群14具有至少一導電電極144上。
目標電路基板10相對滾輪傳動機構200移動，於第一接觸層82鋪設至目標電路基板10後，於第一接觸層82上再鋪設有一第二接觸層84。第二接觸層84的鋪設速率，可相當於傳動帶220的轉速。
[第九實施例]
本實施例為本發明之於目標電路基板形成導電結構陣列之製程，係適用在第一至第八實施例後的製程，如圖4；不同結構態樣請分別參閱圖5A至圖5C。指示上相同、功能上類似之步驟與元件，採用與第一實施例相同之標號。
於步驟S20後，更包括：如圖4，佈設複數個電子元件至目標電路基板10，各該電子元件具有至少一電極，使各該電子元件之電極對應並定位全部或部分之該等預導電構造30；本實施例中，電子元件為一種微半導體結構40，各該微半導體結構40，通常以陣列排列，其具有一本體42、至少一電極44。本發明係 以「半導體結構」、「半導體器件」同義使用且廣泛地係指一半導體材料、晶粒、結構、器件、一器件之組件、或一半成品。所使用「微」半導體結構、「微」半導體器件係同義使用且泛指微尺度。半導體元件包含高品質單晶半導體及多晶半導體、經由高溫處理而製造之半導體材料、摻雜半導體材料、有機及無機半導體，以及具有一或多個額外半導體組件或非半導體組件之組合半導體材料及結構(諸如，介電層或材料，或導電層或材料)。半導體元件包含(但不限於)電晶體、包含太陽能電池之光伏打器件、二極體、發光二極體、雷射、p~n接面、光電二極體、積體電路及感測器之半導體器件及器件組件。此外，半導體元件可指形成一功能性半導體器件或產品之一部件或部分。該等微半導體結構40可為製程完整且個別獨立之微發光二極體晶粒、或製程中斷但個別獨立之微發光二極體半成品。
如圖5A(同時參閱圖2A)，接續圖4，各該微半導體結構40係為一水平式或覆晶式電極之微發光二極體晶粒。對各該微半導體結構40與目標電路基板10施予加熱壓合，使各該微半導體結構40之一對電極44、與所對應之目標電路基板10之該預導電構造30，共同形成一導電結構50；藉此，於目標電路基板形成導電結構陣列。兩兩導電結構50之間，不具有導電粒子20。由於導電結構50由導電粒子20受熱壓而略變形呈微扁，以便於穩定地在微半導體結構40之電極44與目標電路基板10之導電電極144產生一真正導電路徑RD；當然，真正導電路徑RD之數量與導電狀態不止於圖面所示，視導電粒子20與兩側電極44、144的材料是否適配、以及所受熱壓的條件是否滿足等因素決定。
如圖5B(同時參閱圖2B)，係第九實施例之另一結構態樣，各 該微半導體結構40a係為一垂直式電極之微發光二極體晶粒。對各該微半導體結構40a與目標電路基板10a施予加熱壓合，使各該微半導體結構40a之一電極44a、與所對應之目標電路基板10a之該預導電構造30a，共同形成一導電結構50a、以及其真正導電路徑RD；各該導電結構50a定義有單位面積的導電粒子數之一第一密度，兩兩導電結構50a之間定義有單位面積的導電粒子數之一第二密度，第一密度大於第二密度；本實施例中，則採第一密度遠遠大於第二密度的方案：兩兩導電結構50a之間，不具有導電粒子20。
如圖5C(同時參閱圖3B)，係第九實施例之又一結構態樣，可對應圖3A至圖3F中多個分布的導電粒子20a至導電粒子20f的態樣；各該微半導體結構40b係為一水平式或覆晶式電極之微發光二極體晶粒。對各該微半導體結構40b與目標電路基板10b施予加熱壓合，使各該微半導體結構40b之一對電極44b、與所對應之目標電路基板10b之該預導電構造30b，共同形成一導電結構50b、以及其真正導電路徑RD；類似地，第一密度大於第二密度；本實施例中，則採第一密度遠遠大於第二密度的方案：兩兩導電結構50b之間，不具有導電粒子20。
藉此，採用本發明之對目標電路基板形成預導電陣列之方法，可利用導電粒子選擇性的鋪設，而達到對目標電路基板上形成預導電陣列；再更進一步將多個微半導體結構與目標電路基板的預導電陣列施予加熱壓合，形成導電結構陣列的效果。
其中，預導電陣列的形成，可透過導電電極群14、導電部144、導電粒子20的數量不同來排列組合與理解；例如：呈第一數量Q1之複數組導電電極群14，各組導電電極群14中呈第二數量Q2之至少一對導電電 極144(或至少一導電電極144)、各該導電電極144上呈第三數量Q3之導電粒子20。或，可透過導電電極群14、導電電極144、導電粒子20的圖形不同來排列組合與理解；例如：按一第一圖形陣列P1散佈之複數組導電電極群14，各組導電電極群14中按一第二圖形陣列P2散佈之至少一對導電電極144(或至少一導電電極144)；各該導電電極144上按一第三圖形陣列P3散佈之導電粒子20。
值得注意的是，導電粒子20可藉預設於導電電極144上的限位結構或預膠(至少一接觸層80)定位在導電電極144上。當導電粒子20受預膠定位時，兩兩導電結構50b之間，具有較低密度之單位面積的導電粒子數或者不具有導電粒子20，但將具有受熱硬化(固化或塑化)的接觸層80。當導電粒子20受導電電極144之限位結構拘束時，兩兩導電結構50b之間，不僅具有較低密度之單位面積的導電粒子數或者不具有導電粒子20，亦不具有受熱硬化(固化或塑化)的接觸層80。
此外，在微半導體結構與目標電路基板受熱壓合時，導電粒子20亦容易偏移，特別是發生在圖5C的實施態樣，預膠(至少一接觸層80)可在受熱固化(或塑化)的過程中進一步限制導電粒子20的偏移，使對位更為精準。當然，若導電電極144之限位結構本身即能限制多個導電粒子20的偏移，亦能不實施預膠製程。
值得注意的是，本發明各個實施例中的導電粒子，以按不同目標電路基板鋪設為需求，且以不浪費導電粒子為功效；可推論，本發明各個實施例中，兩兩預導電構造(或兩兩導電結構)之間不具有導電粒子。然而，實務上可能受限於設備精度、或有意落入本發明技術方案的迴避設計 等原因，各該預導電構造(或各該導電結構)定義有單位面積的導電粒子數之第一密度，兩兩預導電構造(或兩兩導電結構)之間定義有單位面積的導電粒子數之第二密度，其中，第一密度大於第二密度，即應視為兩兩預導電構造(或兩兩導電結構)之間不具有導電粒子，的等效結構。綜上所述，在本發明之技術方案，其功效包含，但不侷限本發明：
1、能夠與超薄、易碎及/或微小型器件之選擇及應用，在精度上互相匹配；可廣泛地被使用於各尺寸欲定位至目標電路基板的電子元件。
2、能因應不同目標電路基板的需要，形成所需的預導電陣列，一者提高導電精度，二者便於客製化。
3、可有效形成預導電陣列，避免傳統異方性導電膏中導電粒子的浪費，對業界提供一種可靈活適用、低成本高效率之製程選項。
4、在該微半導體結構與目標電路基板受熱壓合時，預膠製程可進一步防止導電粒子的偏移。
以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發明之精神與範疇，而對其進行之等效修改或變更，均應包含於後附之申請專利範圍中。

Claims (45)

  1. 一種對目標電路基板形成預導電陣列之方法，包括：置備一目標電路基板；該目標電路基板設有複數組導電電極群，且定義一第一間距於兩兩導電電極群之間；各該導電電極群具有複數對導電電極，且定義一第二間距於相鄰兩對導電電極之間、一第三間距於各對之兩導電電極之間；以及於全部或部分之該等導電電極群之各該導電電極上，佈置至少一導電粒子；其中，該至少一導電粒子、及其相對應之該導電電極，構成一預導電構造；且該等預導電構造構成一預導電陣列；各該預導電構造定義有單位面積的導電粒子數之一第一密度，兩兩預導電構造之間定義有單位面積的導電粒子數之一第二密度，該第一密度大於該第二密度。
  2. 一種對目標電路基板形成預導電陣列之方法，包括：置備一目標電路基板；該目標電路基板設有複數組導電電極群，且定義一第一間距於兩兩導電電極群之間；各該導電電極群具有至少一導電電極；以及於全部或部分之該等導電電極群之各該導電電極上，佈置至少一導電粒子；其中，該至少一導電粒子、及其相對應之該導電電極，構成一預導電構造；且該等預導電構造構成一預導電陣列；各該預導電構造定義有單位面積的導電粒子數之一第一密度，兩兩預導電構造之間定義有單位面積的導電粒子數之一第二密度，該第一密度大於該第二密度。
  3. 如申請專利範圍第1或2所述的對目標電路基板形成預導電陣列之方法，其中：於置備一目標電路基板之步驟中或前或後，更包括：提供攜載複數個導電粒子之一鋼板；其中，該鋼板上預設有複數組容槽單元，各組容槽單元具有複數個容槽；其中，全部或部分之各組容槽單元中，全部或部分之容槽攜載該至少一導電粒子。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的對目標電路基板形成預導電陣列之方法，其中：於置備一目標電路基板之步驟中或前或後，其中：該容槽具有至少一凹槽；該等複數個導電粒子個別設於該鋼板之該等凹槽；於全部或部分之該等導電電極群之各該導電電極上，佈置至少一導電粒子之步驟中，更包括：以一攜載裝置攜載該鋼板上之該等導電粒子，對應並移轉該至少一導電粒子得定位於相對應的該等導電電極群之各該導電電極上。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的對目標電路基板形成預導電陣列之方法，其中：該鋼板定義有一最外表面；於置備一目標電路基板之步驟中或前或後，其中：該至少之一之導電粒子，顯露於該鋼板之該最外表面。
  6. 如申請專利範圍第3項所述的對目標電路基板形成預導電陣列之方法，其中：該容槽呈穿槽； 於全部或部分之該等導電電極群之各該導電電極上，佈置至少一導電粒子之步驟中，更包括：將該鋼板之該等穿槽對應至全部或部分之該等導電電極群之各該導電電極上；以及散佈該等複數個導電粒子於該鋼板之該等穿槽，使該至少一導電粒子通過各該穿槽，得定位於相對應的該等導電電極群之各該導電電極上。
  7. 如申請專利範圍第3項所述的對目標電路基板形成預導電陣列之方法，其中：於置備一目標電路基板之步驟中或前或後，更包括：該鋼板具有複數組黏著單元，各組黏著單元具有複數個黏著件；其中，全部或部分之各組容槽單元中，全部或部分之容槽填充有該黏著件，各該黏著件攜載該至少一導電粒子；於全部或部分之該等導電電極群之各該導電電極上，佈置至少一導電粒子之步驟中，更包括：對應並移轉該至少一導電粒子得定位於相對應的該等導電電極群之各該導電電極上。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的對目標電路基板形成預導電陣列之方法，其中：於全部或部分之該等導電電極群之各該導電電極上，佈置至少一導電粒子之步驟中，更包括：鋪設一接觸層於該目標電路基板上； 使該至少一導電粒子接觸至該接觸層，並得定位於相對應的該等導電電極群之各該導電電極上。
  9. 如申請專利範圍第1或2所述的對目標電路基板形成預導電陣列之方法，其中：於置備一目標電路基板之步驟中或前或後，更包括：提供攜載複數個導電粒子之一攜載裝置；其中，該攜載裝置預設有複數組導電粒子單元，各組導電粒子單元具有至少一導電粒子；以及於全部或部分之該等導電電極群之各該導電電極上，佈置至少一導電粒子之步驟中，更包括：使該至少一導電粒子通過該攜載裝置進行移轉，得移轉定位於相對應的該等導電電極群之各該導電電極上。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的對目標電路基板形成預導電陣列之方法，其中：於置備一目標電路基板之步驟中或前或後，其中：該攜載裝置具有互相配合至少二黏貼件；各該黏貼件，可為黏貼平面或黏貼滾輪。
  11. 如申請專利範圍第1或2所述的對目標電路基板形成預導電陣列之方法，其中：於置備一目標電路基板之步驟中或前或後，更包括：提供攜載複數個導電粒子之一印刷滾輪；其中，該印刷滾輪上預設有複數組容槽單元，各組容槽單元具有複數個容槽；其中，全部或 部分之各組容槽單元中，全部或部分之容槽攜載該至少一導電粒子。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的對目標電路基板形成預導電陣列之方法，其中：該印刷滾輪定義有一最外表面；於置備一目標電路基板之步驟中或前或後，其中：該至少之一之導電粒子，顯露於該印刷滾輪之該最外表面。
  13. 如申請專利範圍第11項所述的對目標電路基板形成預導電陣列之方法，其中：於全部或部分之該等導電電極群之各該導電電極上，佈置至少一導電粒子之步驟中，更包括：使該印刷滾輪近接該目標電路基板上，該至少一導電粒子得定位於相對應的該等導電電極群之各該導電電極上。
  14. 如申請專利範圍第1或2所述的對目標電路基板形成預導電陣列之方法，其中：於全部或部分之該等導電電極群之各該導電電極上，佈置至少一導電粒子之步驟前或中，更包括：鋪設一第一接觸層於該目標電路基板上。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的對目標電路基板形成預導電陣列之方法，其中：於置備一目標電路基板之步驟中或前或後，更包括：提供攜載複數個導電粒子之一印刷滾輪；其中，該印刷滾輪上預設有複數組容槽單元，各組容槽單元具有複數個容槽，各該容槽攜載 該至少一導電粒子；以及於全部或部分之該等導電電極群之各該導電電極上，佈置至少一導電粒子之步驟中，更包括：使該印刷滾輪近接該目標電路基板上之該第一接觸層，該至少一導電粒子得定位於該第一接觸層。
  16. 如申請專利範圍第14項所述的對目標電路基板形成預導電陣列之方法，其中：於全部或部分之該等導電電極群之各該導電電極上，佈置至少一導電粒子之步驟前或中，其中：該至少一導電粒子係位於該第一接觸層之中、或該第一接觸層之上。
  17. 如申請專利範圍第14項所述的對目標電路基板形成預導電陣列之方法，其中：於全部或部分之該等導電電極群之各該導電電極上，佈置至少一導電粒子之步驟中或後，更包括：鋪設一第二接觸層於該第一接觸層上。
  18. 如申請專利範圍第18項所述的對目標電路基板形成預導電陣列之方法，其中：於全部或部分之該等導電電極群之各該導電電極上，佈置至少一導電粒子之步驟前或中，更包括：鋪設一第一接觸層於一滾輪傳動機構，該第一接觸層得隨該滾輪傳動機構移動；其中，該滾輪傳動機構包括至少一滾輪與一傳動帶； 以及於全部或部分之該等導電電極群之各該導電電極上，佈置至少一導電粒子之步驟中，更包括：使該印刷滾輪近接該滾輪傳動機構上之該第一接觸層，該至少一導電粒子得移轉至該第一接觸層；以及使該第一接觸層隨該滾輪傳動機構移動，鋪設至該目標電路基板；其中，由該第一接觸層攜載之該至少一導電粒子係對應定位於各該導電電極群具有至少一導電電極上。
  19. 一種於目標電路基板形成導電結構之製程，包括：應用申請專利範圍第1項所述的對目標電路基板形成預導電陣列之方法；佈設複數個微半導體結構至該目標電路基板，其中，各該微半導體結構具有一對電極；各該微半導體結構之該對電極對應定位至全部或部分之各對預導電構造；以及對該等微半導體結構與該目標電路基板施予加熱壓合，使各該微半導體結構之各該電極、與所對應之該目標電路基板之各對預導電構造，共同形成一導電結構；其中，各該導電結構定義有單位面積的導電粒子數之一第一密度，兩兩導電結構之間定義有單位面積的導電粒子數之一第二密度，該第一密度大於該第二密度。
  20. 一種於目標電路基板形成導電結構之製程，包括：應用申請專利範圍第2項所述的對目標電路基板形成預導電陣列之方 法；佈設複數個微半導體結構至該目標電路基板，其中，各該微半導體結構具有一電極；使各該微半導體結構之該電極對應並定位全部或部分之該等預導電構造；以及對該等微半導體結構與該目標電路基板施予加熱壓合，使各該微半導體結構之該電極、與所對應之該目標電路基板之該預導電構造，共同形成一導電結構；其中，各該導電結構定義有單位面積的導電粒子數之一第一密度，兩兩導電結構之間定義有單位面積的導電粒子數之一第二密度，該第一密度大於該第二密度。
  21. 如申請專利範圍第19或20項所述的於目標電路基板形成導電結構之製程，其中：鋪設一接觸層於該目標電路基板之步驟中：使該至少一導電粒子於該接觸層定位至相對應的該等導電電極群之各該導電電極上，形成該等預導電構造；以及對該等微半導體結構與該目標電路基板施予加熱壓合之步驟後，其中：兩兩導電結構之間，具有受熱硬化之該接觸層。
  22. 如申請專利範圍第21項所述的於目標電路基板形成導電結構之製程，其中：兩兩導電結構之間之該第二密度，存在於受熱硬化之該接觸層。
  23. 如申請專利範圍第22項所述的於目標電路基板形成導電結構之製程，其中： 兩兩導電結構之間不具有導電粒子。
  24. 如申請專利範圍第19項所述的於目標電路基板形成導電結構之製程，其中：佈設複數個微半導體結構至該目標電路基板之步驟中：各該微半導體結構，為水平式或覆晶式電極之微發光二極體晶粒。
  25. 如申請專利範圍第20項所述的於目標電路基板形成導電結構之製程，其中：佈設複數個微半導體結構至該目標電路基板之步驟中：各該微半導體結構，為垂直式電極之微發光二極體晶粒。
  26. 一種設於目標電路基板之預導電陣列，包括：設於一目標電路基板之複數組導電電極群；兩兩導電電極群之間定義一第一間距；各該導電電極群具有至少一對導電電極；以及至少一導電粒子，於全部或部分之該等導電電極群之各該導電電極上；其中，該至少一導電粒子、及其相對應之該對導電電極，構成一預導電構造；該等預導電構造構成一預導電陣列；其中，各該預導電構造定義有單位面積的導電粒子數之一第一密度，兩兩預導電構造之間定義有單位面積的導電粒子數之一第二密度，該第一密度大於該第二密度。
  27. 如申請專利範圍第26項所述的目標電路基板之預導電陣列，其中：該導電電極群具有複數對導電電極，且定義一第二間距於相鄰兩對導電電極之間，一第三間距於各該對之兩導電電極之間。
  28. 如申請專利範圍第26項所述的目標電路基板之預導電陣列，其中： 一第三間距定義於各該對之兩導電電極之間。
  29. 一種設於目標電路基板之預導電陣列，包括：設於一目標電路基板之複數組導電電極群；兩兩導電電極群之間定義一第一間距；各該導電電極群具有一導電電極；以及至少一導電粒子，於全部或部分之該等導電電極群之各該導電電極上；其中，該至少一導電粒子、及其相對應之該導電電極，構成一預導電構造；該等預導電構造構成一預導電陣列；其中，各該預導電構造定義有單位面積的導電粒子數之一第一密度，兩兩預導電構造之間定義有單位面積的導電粒子數之一第二密度，該第一密度大於該第二密度。
  30. 如申請專利範圍第26至29項任一項所述的目標電路基板之預導電陣列，其中：各該預導電構造包括複數個導電粒子；該等導電粒子形成至少一預導電路徑。
  31. 如申請專利範圍第26至29項任一項所述的目標電路基板之預導電陣列，更包括：至少一接觸層，舖設於該目標電路基板上；其中，該等導電粒子係位於該接觸層之中、或該接觸層之上。
  32. 一種目標電路基板之預導電陣列，包括：設於一目標電路基板之複數個預導電構造；各該預導電構造包括：設於一目標電路基板上、且呈第一數量之複數組導電電極群，各組導電電極群包括呈第二數量之至少一對導電電極；以及 定位於全部或部分之該等導電電極群之各該導電電極上，且呈第三數量之至少一導電粒子；其中，各該預導電構造定義有單位面積的導電粒子數之一第一密度，兩兩預導電構造之間定義有單位面積的導電粒子數之一第二密度，該第一密度大於該第二密度。
  33. 一種目標電路基板之預導電陣列，包括：設於一目標電路基板之複數個預導電構造；各該預導電構造包括：設於一目標電路基板上、且呈第一數量之複數組導電電極群，各組導電電極群包括呈第二數量之至少一導電電極；以及定位於全部或部分之該等導電電極群之各該導電電極上，且呈第三數量之至少一導電粒子；其中，各該預導電構造定義有單位面積的導電粒子數之一第一密度，兩兩預導電構造之間定義有單位面積的導電粒子數之一第二密度，該第一密度大於該第二密度。
  34. 一種目標電路基板之預導電陣列，包括：設於一目標電路基板之複數個預導電構造；各該預導電構造包括：設於一目標電路基板上、且按一第一圖形陣列散佈之複數組導電電極群，各組導電電極群包括按一第二圖形陣列散佈之至少一對導電電極；以及定位於全部或部分之該等導電電極群之各該導電電極上，且按一第三圖形陣列散佈之至少一導電粒子；其中，各該預導電構造定義有單位面積的導電粒子數之一第一密度， 兩兩預導電構造之間定義有單位面積的導電粒子數之一第二密度，該第一密度大於該第二密度。
  35. 一種目標電路基板之預導電陣列，包括：設於一目標電路基板之複數個預導電構造；各該預導電構造包括：設於一目標電路基板上、且按一第一圖形陣列散佈之複數組導電電極群，各組導電電極群包括按一第二圖形陣列散佈之至少一導電電極；以及定位於全部或部分之該等導電電極群之各該導電電極上，且按一第三圖形陣列散佈之至少一導電粒子；其中，各該預導電構造定義有單位面積的導電粒子數之一第一密度，兩兩預導電構造之間定義有單位面積的導電粒子數之一第二密度，該第一密度大於該第二密度。
  36. 一種目標電路基板之導電結構陣列，包括：如申請專利範圍第26、32、34項所述的目標電路基板之預導電陣列；以及陣列式微半導體結構，對應該目標電路基板之該預導電陣列的部分或全部；其中，各該微半導體結構具有一對電極，各該微半導體結構之各該電極、與所對應之該目標電路基板之該預導電構造，共同形成一導電結構；其中，各該導電結構定義有單位面積的導電粒子數之一第一密度，兩兩導電結構之間定義有單位面積的導電粒子數之一第二密度，該第一密度大於該第二密度。
  37. 如申請專利範圍第36項所述的目標電路基板之導電結構陣列，更包括：兩兩導電結構之間，具有受熱硬化之一接觸層。
  38. 如申請專利範圍第37項所述的目標電路基板之導電結構陣列，其中：兩兩導電結構之間之該第二密度，存在於受熱硬化之該接觸層。
  39. 如申請專利範圍第38項所述的目標電路基板之導電結構陣列，其中：兩兩導電結構之間不具有導電粒子。
  40. 如申請專利範圍第36項所述的目標電路基板之導電結構陣列，其中：佈設複數個微半導體結構至該目標電路基板之步驟中：各該微半導體結構，為水平式或覆晶式電極之微發光二極體晶粒。
  41. 一種目標電路基板之導電結構陣列，包括：如申請專利範圍第29、33、35項所述的目標電路基板之預導電陣列；以及陣列式微半導體結構，對應該目標電路基板之該預導電陣列的部分或全部；其中，各該微半導體結構具有一電極，各該微半導體結構之該電極、與所對應之該目標電路基板之該預導電構造，共同形成一導電結構；其中，各該導電結構定義有單位面積的導電粒子數之一第一密度，兩兩導電結構之間定義有單位面積的導電粒子數之一第二密度，該第一密度大於該第二密度。
  42. 如申請專利範圍第41項所述的目標電路基板之導電結構陣列，其中：兩兩導電結構之間，具有受熱硬化之一接觸層。
  43. 如申請專利範圍第42項所述的目標電路基板之導電結構陣列，其中： 兩兩導電結構之間之該第二密度，存在於受熱硬化之該接觸層。
  44. 如申請專利範圍第43項所述的目標電路基板之導電結構陣列，其中：兩兩導電結構之間不具有導電粒子。
  45. 如申請專利範圍第41項所述的目標電路基板之導電結構陣列，其中：佈設複數個微半導體結構至該目標電路基板之步驟中：各該微半導體結構，為垂直式電極之微發光二極體晶粒。
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