TW201916095A - 在半導體製造設備中的故障偵測方法 - Google Patents

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涂紀誠
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林泰翔
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Abstract

在此提供製造工具中的故障偵測方法，包括根據一製程投貨中的複數個製程事件，處理一製造工具中的一半導體晶圓，在該些製程事件中的一特定製程事件中，量測該製造工具中的一濕度，比較在該特定製程事件中該量測到的濕度與該特定製程事件關聯的一濕度期待值，並基於該比較結果，當介於該量測到的濕度及該濕度期待值的一差值超過與該特定製程事件關聯的一可接受數值範圍時，指示一警報狀態。

Description

在半導體製造設備中的故障偵測方法
本發明實施例係與故障偵測方法相關，且更特定地說，是與利用在半導體製造設備中的故障偵測方法相關。
半導體積體電路(integrated circuit，簡稱IC)產業成長迅速，材料與設計等技術不斷地進步，使得每一新一世代產品的電路愈趨微縮複雜。在IC演進過程中，功能密度(functional density，即每晶片面積中所連接的元件數量)大體是逐步增加，而幾何尺寸(即製程製作出的最小組件或線路尺寸)則是逐步下降。尺度降低可帶來增加生產效率及降低成本的好處，但也因此增加IC製程的複雜度。
製造IC通常是以一或多片晶圓作為一「批(lot)」藉一系列的製造工具(即「製程工具」)進行。通常每一製程工具供對一批晶圓進行一製造工序。例如，一特定製程工具可執行膜層層疊、圖樣化、摻雜、或熱處理。詳細地說，是將所需的材料膜層疊加到暴露出的晶圓表面上來達成膜層層疊，將一或多層膜層中選定的部分移除來達成圖樣化，將摻雜物從晶圓表面直接滲入矽材料中而製作p-n接面來達成摻雜，將晶圓加熱以產生特定效果(如，趨入摻雜物或退火)以進行熱處理。
雖然現有的製程工具大致上都符合其所需的使用目的，但卻仍無法滿足所有方面的需求。因此，目前仍需開發可有效且穩定製造IC的製程工具及方法。
依據本發明實施例內容，提供一種製造設備中的故障偵測方法，包括：處理在一製造工具中根據一製程投貨的複數個製程事件處理一半導體晶圓，量測至少一製程事件時製造工具中的濕度，將至少一製程事件中量測到的濕度與和製程事件關聯的一濕度期待值比較，並基於比較結果，當量測到的濕度及濕度期待值的一差值超過和製程事件關聯的一可接受數值範圍時，指示一警報狀態。
依據本發明實施例內容，提供一種製造設備中的故障偵測方法，包括：移動一傳送單元，在複數個選定位置上使用位於傳送單元上的一量測工具量測濕度，將量測到的一選定位置上的濕度與和該選定位置關聯的一濕度期待值比較，並基於比較結果，當量測到的濕度及濕度期待值之間的差值超過與選定位置關聯的一可接受數值範圍時，指示一警報狀態。
依據本發明實施例內容，提供一種製造設備，包括一傳送單元、一量測工具及一故障偵測及分類(fault detection classification, FDC)系統。傳送單元可在不同位置上移動，量測工具設置在傳送單元上，而FDC系統用以接收來自量測工具的與在複數個選定位置上與濕度關聯的量測值。FDC系統也可用於比較濕度量測值之一和與同樣位置關聯的一濕度期待值。
以下揭露依據本發明之各種實施例或範例，俾供實施本發明各標的之各技術特徵。為簡明扼要闡述本發明實施例，以下將以明確特定範例描述各元件及其配置。惟，此些說明理應為單純示範，並非用以限制本發明。舉例來說，以下描述在一第二技術特徵上形成一第一技術特徵，可理解其包括此等第一、第二技術特徵為直接接觸的實施例及此等第一、第二技術特徵之間尚有其他技術特徵形成，以致第一、第二技術特徵並非直接接觸的實施例。除此之外，為使本說明書內容簡單明瞭，在此亦可於不同範例中重複使用圖示元件符號及/或字元，然並非用以限定此些實施例及/或配置。
其次，空間對應關係的詞語，諸如「向其之下」、「在下方」、「較低」、「以上」、「較高」及其類似詞語，可隨意用於此以描述圖示中一元件或技術特徵之於其他元件或技術特徵之空間關係。空間對應關係的詞語包括元件在使用或操作中的各種方向及圖示中描述的方向，除此之外，與其相關的裝置可旋轉，如旋轉90度或轉向其他方向，而可對應地解釋此些空間對應關係的詞語。
圖1為依據一實施例之一製造設備1之一功能方塊圖。製造設備1實施積體電路製程來製造積體電路元件，例如，製造設備1可對半導體晶圓實施半導體製程。
半導體晶圓S一般可使用矽或其他半導體原料製作，且半導體晶圓S可額外包括其他基礎半導體材料，如鍺(Ge)。部分實施例中，可改以半導體化合物或半導體合金製作半導體晶圓S，前者舉例為碳化矽(SiC)、砷化鎵(GaAs)、砷化銦(InAs)或磷化銦(InP)，後者舉例為矽鍺合金(SiGe)、矽鍺碳合金(SiGeC)、砷化镓磷合金(GaAsP)或銦化鎵磷合金(GaInP)。部分實施例的半導體晶圓S包括一磊晶層(epitaxial layer)，如：半導體晶圓S的磊晶層重疊於半導體基材上。在其他實施例中，半導體晶圓S可為一絕緣層上矽(silicon-on-insulator, SOI)基板或絕緣層上鍺(germanium-on-insulator, GOI)基板。
半導體晶圓S可包括多種元件，例如金屬氧化物半導體場效電晶體(metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET)、互補金屬氧化物半導體(complementary metal oxide semiconductor, CMOS)電晶體，雙載子接面電晶體(bipolar junction transistor, BJT)、高壓電晶體(high-voltage transistor)，高壓電晶體(high-frequency transistor)、p通道場效電晶體(p-channel field-effect transistor, PFET)及/或n通道場效電晶體(n-channel field-effect transistor, NFET)等電晶體、二極體(diode)及/或其他類型的元件。施用多道製程來形成此些元件，如沉積、蝕刻、佈植、微影、退火及/或其他適合的製程。
在部分實施例中，製造設備1包括可供多個個體彼此通訊的一網路20，此些個體舉例為一製造工具30、一量測工具40、一先進製程控制技術(advanced process control, APC)系統50，一故障偵測及分類(fault detection classification, FDC)系統60、一檔案資料庫(archive database)70及其他個體80。請注意，在此為了更好理解而簡化圖1顯示的製造設備1，在其他實施例中可對製造設備1增加額外特徵或將此處的部分特徵置換或刪除，製造設備1亦可包括此處並未提及的其他個體。
在本實施例中，製造設備1的每一個體透過網路20互動來彼此服務及/或接受服務。網路20可為單一網路或各種型態的網路，如內部網(intranet)、網際網路(Internet)、其他網路或其組合。網路20包括有線通訊通道、無線通訊通道或其組合。
製造工具30執行一積體電路製程。在此舉例製造工具30是一化學氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD)系統、物理氣相沉積(physical vapor deposition, PVD)系統、蝕刻(ETC)系統、熱氧化矽統、離子佈植系統、化學機械研磨(chemical mechanical polishing, CMP)系統、快速熱退火處理(rapid thermal annealing, RTA)系統、微影(photolithography)系統、擴散系統、廠區設施(facility, FAC)系統或其他半導體製造工具。
圖2顯示一實施例之製造工具30的架構圖。在此舉例製造工具30為進行CVD製程的一爐管，將一半導體晶圓送入製造工具30中的升溫環境而形成一膜層。
例如，製造工具30可包括一反應腔室31、一絕緣蓋32、一晶舟33及一下腔室34，反應腔室31包括一管體313及一密封蓋315。管體313在其長軸Z上延伸一高度，其上端封閉、下端開放，使晶舟33可從下端置入反應腔室31及從反應腔室31移出以投貨量處理半導體晶圓S。密封蓋315可從管體313下端拆卸，並可藉一升降元件(未示)相對管體313移動。當密封蓋315連接於管體313時，如圖2所示狀態，反應腔室31為密封環境。
絕緣蓋32盡可能地減少經密封蓋32的熱散失。在部分實施例中，絕緣蓋32是固定在密封蓋315內表面上朝向反應腔室31內側。晶舟33可固持複數個垂直堆疊的半導體晶圓S，使反應氣體在半導體晶圓S表面的水平方向上流通散佈而形成欲製造出的膜層厚度。由於密封蓋315可將半導體晶圓S傳送入腔室，故也可被稱為「傳送單元」。
下腔室34在反應腔室31下方，供將半導體晶圓S從晶舟33送出及送入晶舟33。在部分實施例中，多個化學供應線設置於下腔室34提供半導體晶圓S製程中使用到的化學製品至反應腔室31，如圖2所示，一化學供應線341垂直設置在下腔室34中。化學供應線341提供的化學製品可包括液體溶液、氣體等。
回到圖1，在積體電路製程中，量測工具40量測及蒐集與製造工具30關聯的資料，可供判斷材料是否適於使用、狀態是否符合預期或其他需求。例如，量測工具40包括一水分計量測物質中水分含量百分比。
在部分實施例中，量測工具40設置在製造設備1中的一可移動單元。如圖2所示，量測工具40設置在傳送單元315上，結果量測工具40隨著傳送單元315移動。配合圖5A-5E會再詳述移動傳送單元315的過程。
在部分實施例中，量測工具40並未直接暴露於製程中使用的化學製品，如圖2所示，量測工具40設置在絕緣蓋32的側壁且與傳送單元315相鄰，故量測工具40不會容易遭到化學製品侵蝕及反應腔室的熱量影響。然而，各實施例無須限制於此，而可有其他更動及改良。比如，量測工具40可設置在傳送單元315外側壁且設在反應腔室31以外，量測工具40可設置在下腔室34側壁且不隨著傳送單元315移動等等。
圖3顯示依據一實施例的量測工具40的一架構圖。在部分實施例中，量測工具40包括一基板41、一下電極42、一聚合膜43、一上電極44及多個走線45。下電極42設置在基板41上。下電極42形成一開口。聚合膜43設置在下電極42上。一部分的聚合膜43陷入開口中，故在聚合膜43上表面形成一凹槽。上電極44設置在聚合膜43上，且與聚合膜43貼合。
上電極44可包括一多孔電極。聚合膜43吸收穿過上電極44從環境而來的水分，造成聚合膜43變形。此時，透過走線45施加電流於下電極42，並藉著偵測介於上電極44及下電極42之間電容值的改變，可量測到環境的濕度(水分含量)。
回到圖1，APC系統50可實施即時、針對每片晶片、針對每批晶片製造或其組合的控制行動。在此，APC系統50實施控制行動控制製造工具30的操作狀態。例如，APC系統50(基於在線量測資料)關閉製造工具30的操作，停止製造工具30中的一製程事件。在其他實施例中，APC系統50實施控制行動將傳送單元315沿著預定路線移動。例如，APC系統50將傳送單元315往管體313移動及從管體313中移出。
在其他實施例中，APC系統50實施控制行動改動製造工具30的製程配方並使製造工具30停工。例如，APC系統50(基於在線量測資料)改動預定的製程配方(特別是製造工具30實施的參數，如處理時間、氣體流率、腔室內氣壓、腔室內溫度、晶圓溫度或其他製程參數)，藉此保障每一經處理的晶圓展現所欲達成的特性。在部分實施例中，APC系統50可停止腔室內的氣體反應。
為了偵測製造設備1的故障，如製造工具30化學製品洩漏，FDC系統60可藉監控之前、製程中及之後製造工具30實施的參數來評估製造工具30的狀態。FDC系統60亦可評估製造工具30實施的參數所達成的晶圓特性來達成上述目的。
在部分實施例中，FDC系統60實施統計製程管制(statistical process control, SPC)來紀錄及分析製造工具30的狀態。例如，FDC系統60可藉隨著製程處理時間演進，將SPC資料圖表化來呈現製造工具30的歷史製程資料。SPC資料包括與製造工具30或製造設備1關聯的參數。
當SPC資料指示參數脫出可接受的目標範圍以外(當FDC系統60偵測到故障或異常時)，FDC系統60觸發警報並知會製造工具30的操作人員或工程師、停止製造工具30的製程、採取其他措施或其組合，因此可識別製造工具30故障並加以處理。
檔案資料庫70儲存與製造設備1以及與積體電路製程關聯的資料。在此，檔案資料庫70儲存從製造工具30、量測工具40、APC系統50、FDC系統60、其他個體80或其組合中蒐集到的資料。
例如，檔案資料庫70儲存與經製造工具30處理的晶圓特性關聯的資料(如之後說明的從量測工具40蒐集到的資料)、與製造工具30實施的製程參數關聯的資料、與APC系統50及FDC系統60分析晶圓特性關聯的資料及/或參數及其他與製造設備1關聯的資料。舉例來說，製造工具30、量測工具40、APC系統50、FDC系統60及其他個體80皆可具有與之關聯的資料庫。
檔案資料庫70可包括多個儲存裝置儲存包括從量測工具40取得未經處理的資料及/或來自製造工具30的資訊等資訊。例如，來自製造工具30的資訊被傳送至檔案資料庫70，並以原始格式(與從量測工具40或製造工具30處得到的格式相同)及/或可經處理過的格式(如，從類比轉換為數位訊號)儲存在此。
在本實施例中，為了以製造工具30偵測故障，FDC系統60監控與製造工具30關聯的參數。在製造工具30操作中，FDC系統60評估參數來偵測異常或故障。舉例來說，在製程過程中當製造工具30的溼度相對儲存在檔案資料庫70的一濕度期待值產生顯著變化(上升或下降)時，指示異常發生。此種異常可代表製造工具30故障，例如，製造工具30中的化學溶劑洩漏，可造成製造工具30的濕度與濕度期待值不同。
顯示依據一實施例在一製造工具30中實行一故障偵測方法110之一簡化流程圖。為了說明方便，此流程圖是與圖1-3、5、6配合說明，但各實施例並不限於此，可以置換或刪除其中部分的操作。在此仍以CVD為製程工具之例作說明，而方法110可藉製造設備1來監控任何類型的製程工具30及其內任一類型的模組的狀態。
方法110的操作111是蒐集與製造工具30關聯的資料。在部分實施例中，量測工具40產生一或多批製程投貨(process run)中與製造工具30關聯的資料並將之送往檔案資料庫70。藉一組製程事件製造各種群集的半導體晶圓S，如每一批製程投貨量、單一半導體晶圓、一批半導體晶圓或其他群集。
例如，量測工具40量測多批製程投貨中製造工具30中的水分含量並將與濕度關聯的資料傳送到檔案資料庫70儲存，下表1.1例示每一製程投貨的資料： 表1.1
在部分實施例中，表1.1包括五個欄位，包括編號、事件名稱、事件時間、濕度及位置欄位。對每一製程事件，事件時間欄位可記錄蒐集到資料的時間，濕度欄位可記錄在該事件時間的一水分含量，位置欄位可記錄量測工具40在垂直方向上的一高度。
圖5A-5E顯示表1.1列出的各製程事件的示意圖。在製造事件(a)，如圖5A所示，以下腔室34的機器手臂342將半導體晶圓S載入晶舟33中。在製造事件(b)，如圖5B所示，密封蓋315朝管體313移動並連接管體313形成一氣密外殼(air-tight enclosure)，如圖5C所示。密封蓋315連接管體313時，晶舟33置於管體313中，準備好開始進行製程。
在製造事件(c)，如圖5C所示，透過化學供應線341將反應氣體吹入反應腔室31在半導體晶圓S上形成一膜層。在製造事件(d)，如圖5D所示，下移密封蓋315並將之從管體313移開來從管體313中將晶舟33拉出。在製造事件(e)，如圖5E所示，藉機器手臂從晶舟33中卸載半導體晶圓S。
如圖5B、5D所示，由於量測工具40隨著晶舟33移動，記錄在表1.1製程事件(b)、(d)的濕度及位置都會變化。其次，表1.1只示例五個事件，需知各實施例並不限制於此，可在製程事件(a)-(e)前後增加更多製程事件。
若未發現製造工具30故障且半導體晶圓依正常程序處理(如未受汙染或達成適當的膜厚)，可重複進行操作111多次。其後，將選定位置上測得的與製造工具30關聯的資料儲存在檔案資料庫70。
在儲存這些資料之前，亦可經過進一步地處理，例如，可計算在一特定製程事件最後五次正常製程投貨中量測到濕度的平均值或標準差等等並將之儲存在檔案資料庫70。結果，儲存在檔案資料庫70中的資料形成大數據模式。
然而，可變更及改善各實施例實施之技術手段，如在部分實施例中，可刪除操作111，可藉工程/製程知識將表1.1的濕度值應用於檔案資料庫70。比如說，若觀察到當量測到一特定濕度時製造工具30總是在正常狀態的話，此濕度可被視為正常濕度並應用於檔案資料庫70。
在部分實施例中，在部分製程事件可多次量測和紀錄的與製造工具30關聯的資料。例如，在製程事件(b)、(d)以固定的時間間隔多次量測與製造工具30關聯的資料，比如說每0.5秒量一次，而各時間間隔量測到的與濕度關聯的資料是分開記錄在檔案資料庫70。如此，由於量測工具40的位置隨著時間改變，可量測並記錄到與製造工具30中位置關聯的濕度。
方法110也包括操作112，在此時另一半導體晶圓或另一批半導體晶圓S在製造工具30中執行製程。在部分實施例中，半導體晶圓S是依據同樣的製程事件(a)-(e)如圖5A-5E所示進行處理。
方法110也包括操作113，此時在執行操作112時，藉量測工具40量測製造工具30的濕度。在部分實施例中，在製造工具30對一製程投貨進行每一製程事件時，量測製造工具30中的濕度，例如，量測到表1.1顯示的每一製程事件(a)-(e)的濕度。可依固定時間間隔多次量測每一製程事件(a)-(e)的濕度。
在部分實施例中，操作113的至少一量測方式是與操作111對應。在此舉例如下，操作113可與操作111在製程投貨中量測的同樣時間點進行量測，操作113可以在和操作111量測的同樣位置上進行量測，操作113量測的次數可與操作111相同等等。在部分實施例中，量測的次數可較操作111來得少。
方法110也包括操作114，在此時將操作113量測到的濕度與儲存在檔案資料庫70的一濕度期待值進行比較。在部分實施例中，可從檔案資料庫70提供FDC系統60與濕度關聯的資料。由於來自檔案資料庫70與濕度關聯的資料代表製造工具30可穩定操作的正常濕度，此資料也可被稱為「濕度期待值」。同時，從量測工具40將操作113獲得的濕度量測值傳送至FDC系統60。
在部分實施例中，濕度期待值經編譯為時間序列圖(time-series chart, T-chart)，如圖6A所示，而操作113獲得的濕度量測值經編譯為時間序列圖，如圖6B所示。
在部分實施例中，在分析圖6B的T-chart之前，先確定各個製程事件介於濕度量測值及濕度期待值之間差值得一可接受數值範圍。差值的可接受數值範圍可以是每個製程事件濕度期待值的標準差，例如，圖6A顯示的管制上限(upper control limits, UCL)是設定在濕度期待值加上一標準差處，而管制下限(lower control limits, LCL)是設定在濕度期待值減去一標準差處，介於UCL及LCL之間的差值為在可接受數值範圍。
另一方面，差值的可接受數值範圍可依各製程事件濕度期待值的一特定比例設定。例如，UCL可設定在濕度期待值加上約2%濕度處，而LCL可設定在濕度期待值減去約2%濕度處，介於UCL及LCL之間的差值為在可接受數值範圍。
在部分實施例中，兩製程事件中差值的可接受數值範圍可以不同，例如，如圖6A所示，在製造事件(c)差值的可接受數值範圍是小於差值在製造事件(a)的可接受數值範圍，因為製造事件(a)的濕度可受多樣因素改變。然而，可變更及改善各實施例實施之技術手段，如在部分實施例中，所有製程事件製程投貨的差值可接受數值範圍可以全是相同的。
確定了差值的可接受數值範圍之後，FDC系統60比較得自量測工具30的濕度量測值及來自檔案資料庫70的濕度期待值來確定差值是否落在可接受數值範圍中。
比較完後，差值若是落在可接受數值範圍中，重複進行操作112-114直到所有的半導體晶圓S都完成製程。然而，差值若超過可接受數值範圍，繼續進行操作115，在此時指示一警報狀態。例如，如圖6B所示，在製程事件(e)時，濕度量測值比UCL高，表示介於濕度量測值及濕度期待值的差值超出可接受數值範圍。
在部分實施例中，當FDC系統60處理的資料代表濕度量測值已脫離濕度期待值(當FDC系統60測得故障或異常時)，FDC系統60觸發一警報。在部分實施例中，未在此份說明書揭露的資料也可能指示製造工具30故障或異常，如製造工具30產生化學製品(液體或氣體)洩漏之情事。
觀察到化學製品(包括液態溶液、蒸氣等)洩漏會造成製造工具30濕度上升，因此為了保護製造工具30或半導體晶圓S不被損害，FDC系統60觸發警報並通知製程工具30的操作員，透過APC系統60停止製程工具30執行製程，改行其他行動或其組合，如此可辨識出製程工具30的任何問題並作應對措施，不使晶圓在製程工具30中受損。
在部分實施例中，可藉分析比較結果來確定洩漏發生的位置，例如，如圖6B所示，由於量測工具40是在製程事件(e)觸發警報狀態，FDC系統60可指示洩漏是發生在下腔室34(圖5E)。結果，製造工具30的故障可被盡快地妥善處理。
圖7顯示製造設備1的上視圖。在部分實施例中，除了製造工具30中的量測工具40之外，多個量測工具如量測工具40a可用以偵測製造設備1不同位置的故障。量測工具40a可具有前述量測工具40相同的架構，故不再贅述。
在部分實施例中，製造設備1更包括多個製造工具30a、30b、30c及一輸送裝置90。製造工具30a、30b、30c與製造工具30不同，例如是一CVD系統、PVD系統、ETC系統、熱氧化矽統、離子佈植系統、CMP系統、RTA系統、微影系統或其他半導體製造工具。
在部分實施例中，輸送裝置90包括一軌道91設置在製造設備1頂部將製造工具30、30a、30b、30c放置各處。輸送裝置90也包括可沿著軌道91移動的一懸吊式昇降車(overhead hoist vehicle) 92。
其次，輸送裝置90包括可被懸吊式昇降車92固持的一載具93。載具93，例如，符合標準機械介面(standard mechanical interface, SMIF)或前開式晶圓傳送盒(front opening unified pod, FOUP)裝載半導體晶圓S之載具。載具93可在製造工具30、30a、30b、30c之間藉著懸吊式昇降車92移動。當載具93位於製造工具30、30a、30b、30c時，載具93中的半導體晶圓S被傳送到製造工具30、30a、30b、30c進行製程。
在部分實施例中，量測工具40a是設置在懸吊式昇降車92上。結果，隨著輸送裝置90根據一製程程序的各製程事件，移動懸吊式昇降車92量測工具40a隨著懸吊式昇降車92沿軌道91移動到製造設備1不同的位置上。由於懸吊式昇降車92傳送製造設備1中的載具93，懸吊式昇降車92也可稱為「傳送單元」。
圖8顯示依據一實施例在製造設備1中實行故障偵測方法210之一簡化流程圖圖8。為了便於說明，在此沿用圖7、9-10一併說明，然而在其他實施例中可更動或刪除部分操作。
方法210包括操作211，此時蒐集與製造設備1關聯的資料。在部分實施例中，由量測工具40a產生在製造設備1中選定位置上與濕度關聯的資料，並將其傳送至檔案資料庫70。
在部分實施例中，當傳送單元92在製造設備1內各位置傳送載具93時，在多個選定位置上，尤其是在製造工具30及製造工具30a所在位置P10、P20上，蒐集與濕度關聯的資料量測與濕度關聯的資料。可在載具93載入製造工具30、30a或從其中卸載時進行量測。
另一方面，可多次在從位置P10傳送至位置P20時，以固定時間間隔，如每0.5秒(2次/秒)，量測與濕度關聯的資料，並將之分別記錄在檔案資料庫70。此時，由於量測工具40a隨時間改變位置，可量測並記錄與製造設備1位置相關的濕度關聯。下表1.2例示每一製程投貨記錄在檔案資料庫70的資料： 表1.2
表1.2包括五個欄位，包括編號、事件名稱、事件時間、濕度及位置欄位。對每一製程事件，事件時間欄位可記錄蒐集到資料的時間，濕度欄位可記錄量測工具40a所在位置的一水分含量，事件時間欄位可記錄每一製程事件蒐集資料的時間，濕度欄位可記錄在事件時間時的濕度，位置欄位可記錄量測工具40在製造設備1中的一位置。
在部分實施例中，以空的傳送單元92(即，懸吊式昇降車92沒有固持載具)量測濕度。傳送單元92固定間隔地沿著一預定路徑，如軌道91，巡查製造設備1並多次量測與濕度關聯的資料。此時，由於量測工具40a的位置隨時間改變，可量測並記錄與製造設備1中位置關聯的濕度。下表1.3例示儲存在檔案資料庫70每一製程投貨的資料： 表1.3
表1.3包括五個欄位，包括編號、事件名稱、事件時間、濕度及位置欄位。對每一製程事件，事件時間欄位可記錄蒐集到資料的時間，濕度欄位可記錄量測工具40a所在位置的一水分含量，事件時間欄位可記錄每一製程事件蒐集資料的時間，濕度欄位可記錄在事件時間時的濕度，位置欄位可記錄量測工具40在製造設備1中的一位置。
只要製造設備1中未發現故障(如化學製品洩漏)，可多次重複進行操作211。其後，將在選定位置測得的與製造設備1關聯的資料儲存在檔案資料庫70，且可在儲存之前可先經處理。例如，可計算在一特定製程事件最後五次正常製程投貨中在一特定位置上量測到濕度的平均值或標準差等等並將之儲存在檔案資料庫70。結果，儲存在檔案資料庫70中的資料形成大數據模式。
然而，可變更及改善各實施例實施之技術手段，如在部分實施例中，可刪除操作211，可藉工程/製程知識將表1.2或表1.3的濕度值應用於檔案資料庫70。比如說，若觀察到當量測到一特定濕度時製造設備1總是在正常狀態的話，此濕度可被視為正常濕度並應用於檔案資料庫70。
方法210也包括操作212，此時傳送單元92在製造設備1內移動。可藉APC系統50控制傳送單元92的移動，如在部分實施例中，傳送單元92可以使用載具93隨著製程流程中同樣的製程事件，如表1.2的製程事件(f)-(h)，移動，或者傳送單元92可以不使用載具93隨著製程流程中同樣的製程事件，如表1.3的製程事件(i)-(l)，移動。
方法210也包括操作213，此時在執行操作212過程中，量測工具40a在選定位置上量測製造設備1中的濕度。在部分實施例中，操作213的至少一量測是與操作211的量測對應，如操作213在與操作211同樣的位置上量測，操作213中的量測次數可以與操作211相同或者少於操作211。
方法210也包括操作214，此時將操作213中量測到的濕度與儲存在檔案資料庫70的一濕度期待值比較。在部分實施例中，從檔案資料庫70提供在不同位置上與濕度期待值關聯的資料給FDC系統60。由於來自檔案資料庫70與濕度關聯的資料代表製造設備1的正常濕度，此資料也可被稱為「濕度期待值」。同時，從量測工具40a將操作213獲得的濕度量測值傳送至FDC系統60。
在部分實施例中，濕度期待值經編譯為T-chart，如圖9A所示，而操作213獲得的濕度量測值經編譯為T-chart，如圖9B所示。
在部分實施例中，在分析圖9B的T-chart之前，先確定各個選定位置介於濕度量測值及濕度期待值之間差值得一可接受數值範圍。差值的可接受數值範圍可以是每個製程事件濕度期待值的標準差，例如，圖9A顯示的UCL是設定在濕度期待值加上一標準差處，而LCL是設定在濕度期待值減去一標準差處，介於UCL及LCL之間的差值為在可接受數值範圍。
另一方面，差值的可接受數值範圍可依各選定位置上的濕度期待值的一特定比例設定。例如，UCL可設定在濕度期待值加上約2%濕度處，而LCL可設定在濕度期待值減去約2%濕度處，而LCL可設定在濕度期待值減去約2%濕度處，介於UCL及LCL之間的差值為在可接受數值範圍。
在部分實施例中，兩個位置之間差值的可接受數值範圍可以不同，例如，如圖9A所示，在位置P10上差值的可接受數值範圍是小於差值在位置P30上的可接受數值範圍，因為在位置P30上的濕度可受多樣因素改變。然而，可變更及改善各實施例實施之技術手段，如在部分實施例中，所有製程事件製程投貨的差值可接受數值範圍可以全是相同的。
確定了差值的可接受數值範圍之後，FDC系統60比較在一選定位置上的濕度量測值及對應相同位置的濕度期待值來確定差值是否落在可接受數值範圍中。
比較完後，差值若是落在可接受數值範圍中，重複進行操作212-214。然而，差值若超過可接受數值範圍，繼續進行操作215，在此時指示一警報狀態。
在部分實施例中，當FDC系統60處理的資料代表濕度量測值已脫離濕度期待值(當FDC系統60測得故障或異常時)，FDC系統60觸發一警報。在部分實施例中，未在此份說明書揭露的資料也可能指示製造工具30故障或異常，如統計分析參數資料顯示製造工具30產生化學製品(液體或氣體)洩漏之情事。
觀察到化學製品(包括液態溶液、蒸氣等)洩漏會造成製造工具30濕度上升，因此為了保護製造設備1或半導體晶圓S不被損害，FDC系統60通知操作員並指示故障發生的地方來辨識出製造設備1的任何問題並作應對措施，不使晶圓在製造設備1中受損。
另一方面，FDC系統60可選擇性地直接或透過APC系統50停止靠近故障位置的製造工具所進行的製程。例如，當FDC系統60通知在位置P10及位置P20之間製造工具30、30a所在的位置P11發生故障時，FDC系統60直接或透過APC系統50停止製造工具30a、30b的製程來避免其中的晶圓被刮傷。
製造工具中的故障偵測方法的實施例使用即時量測到的濕度偵測化學製品洩漏。量測得的濕度與一預期會在同樣位置量測到的濕度值進行比較，故可更為精準地確定是否發生異常情形。發生異常時，FDC系統會即時反應並知會維修人員來妥善處理。因此可減緩或防止製造工具損害到處理半導體晶圓s而可減少刮傷的晶圓片數。
在此揭露的一些實施例提供製造工具中的故障偵測方法，包括處理在一製造工具中根據一製程投貨的複數個製程事件處理一半導體晶圓，量測至少一製程事件時製造工具中的濕度，將至少一製程事件中量測到的濕度與和製程事件關聯的一濕度期待值比較，並基於比較結果，當量測到的濕度及濕度期待值的一差值超過和製程事件關聯的一可接受數值範圍時，指示一警報狀態。
在一些實施例的製造設備中的故障偵測方法，包括移動一傳送單元，在複數個選定位置上使用位於傳送單元上的一量測工具量測濕度，將量測到的一選定位置上的濕度與和該選定位置關聯的一濕度期待值比較，並基於比較結果，當量測到的濕度及濕度期待值之間的差值超過與選定位置關聯的一可接受數值範圍時，指示一警報狀態。
一些實施例提供一製造設備，包括一傳送單元可在不同位置上移動，一量測工具設置在傳送單元上，一FDC系統用以接收來自量測工具的與在複數個選定位置上與濕度關聯的量測值。FDC系統也可用於比較濕度量測值之一和與同樣位置關聯的一濕度期待值。
前述實施例中描述之諸特徵可使發明所屬領域中具有通常知識者便於理解本說明書之實施態樣，並可利用本說明書為實現相同目的及/或達成相同功效，設計或改進其他製造程序或裝置結構。發明所屬領域中具有通常知識者亦應理解此些均等手法並非脫逸於本說明書所含要旨與範圍之外，且其可在本說明書所含要旨與範圍之內進行變更、置換及改造。
1‧‧‧製造設備
20‧‧‧網路
30、30a、30b、30c‧‧‧製造工具
31‧‧‧反應腔室
32‧‧‧絕緣蓋
33‧‧‧晶舟
34‧‧‧下腔室
40、40a‧‧‧量測工具
41‧‧‧基板
42‧‧‧下電極
43‧‧‧聚合膜
44‧‧‧上電極
45‧‧‧走線
50‧‧‧先進製程控制技術系統
60‧‧‧故障偵測及分類系統
70‧‧‧檔案資料庫
80‧‧‧個體
90‧‧‧輸送裝置
91‧‧‧軌道
92‧‧‧懸吊式昇降車
93‧‧‧載具
110‧‧‧故障偵測方法
111、112、113、114、115、211、212、213、214、215‧‧‧操作
313‧‧‧管體
315‧‧‧密封蓋、傳送單元
341‧‧‧化學供應線
342‧‧‧機器手臂
P10、P11、P20‧‧‧位置
S‧‧‧半導體晶圓
本發明實施例之各實施態樣可藉一併參照下列實施方式段落內容及各圖示理解。請注意，為了便於說明或符合業界實務，圖中顯示的特徵可能並非以精確比例繪示，或其尺寸可能並非精準。本發明實施例所附圖示說明如下： 圖1為在此揭露之一實施例之一製造設備之一功能方塊圖； 圖2顯示一實施例之一製造工具之一架構圖； 圖3顯示一實施例之一量測工具(metrology tool)之一架構圖； 圖4顯示依據一實施例在一製造工具中實行一故障偵測方法之一簡化流程圖； 圖5A顯示依據一實施例以一製造工具處理一製程投貨(process run)的一製程事件，半導體晶圓係被裝載於一晶舟(wafer boat)而載入該製造工具； 圖5B顯示依據一實施例以一製造工具處理一製程投貨的一製程事件，一晶舟載入一反應腔室； 圖5C顯示依據一實施例以一製造工具處理一製程投貨的一製程事件，半導體晶圓係於一反應腔室進行製程； 圖5D顯示依據一實施例以一製造工具處理一製程投貨的一製程事件，晶舟從一反應腔室移除； 圖5E顯示依據一實施例以一製造工具處理一製程投貨的一製程事件，半導體晶圓從一晶舟中卸載； 圖6A顯示依據一實施例在一製造工具中的一濕度期待值相對在製造工具中進行製造的一製程投貨的處理時間的一曲線、控管上限與控管下限之示意圖； 圖6B顯示依據一實施例在一製造工具中的一濕度量測值相對在製造工具中進行製造的一製程投貨的處理時間的一曲線、控管上限與控管下限之示意圖； 圖7顯示依據一實施例之一製造設備之上視圖； 圖8顯示依據一實施例在製造設備中實行故障偵測方法之一簡化流程圖； 圖9A顯示依據一實施例的一濕度期待值相對在一製造工具中的數個位置的一曲線、控管上限與控管下限之示意圖； 圖9B顯示依據一實施例的一濕度量測值相對在一製造工具中的數個位置的一曲線、控管上限與控管下限之示意圖。

Claims (1)

  1. 一製造工具中的一故障偵測方法，包括： 根據一製程投貨中的複數個製程事件，處理一製造工具中的一半導體晶圓； 在該些製程事件中的一特定製程事件中，量測該製造工具中的一濕度； 比較在該特定製程事件中該量測到的濕度與該特定製程事件關聯的一濕度期待值；及 基於該比較結果，當介於該量測到的濕度及該濕度期待值的一差值超過與該特定製程事件關聯的一可接受數值範圍時，指示一警報狀態。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110987493A (zh) * 2019-11-14 2020-04-10 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 设备异常检测方法、装置、存储介质及电子设备
US20220351997A1 (en) * 2021-04-28 2022-11-03 Tel Manufacturing And Engineering Of America, Inc. Automated Fault Detection in Microfabrication

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8026113B2 (en) * 2006-03-24 2011-09-27 Tokyo Electron Limited Method of monitoring a semiconductor processing system using a wireless sensor network
JP6129304B2 (ja) * 2012-05-29 2017-05-17 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 湿度センサ及びセンサ素子
US9981790B1 (en) * 2014-11-29 2018-05-29 Isaac Ost Container lid with electronic sensors system
TWI780030B (zh) * 2015-10-05 2022-10-11 德商布魯克斯Ｃｃｓ有限公司 形成用於一半導體基板並具有低溼度值的一乾淨的環境的方法及系統
WO2017116686A1 (en) * 2015-12-30 2017-07-06 Mattson Technology, Inc. Fluid leakage detection for a millisecond anneal system
US10543988B2 (en) * 2016-04-29 2020-01-28 TricornTech Taiwan Real-time mobile carrier system for facility monitoring and control
US10060578B2 (en) * 2016-05-16 2018-08-28 International Business Machines Corporation Automated gas detection and reporting system

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