TW201915567A - 顯示面板及其使用之光學片 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種顯示面板及其使用之光學片。光學片包括基底層、遮光層、彩色濾光結構、散射層以及第一反射層。遮光層位於基底層之上，且遮光層具有複數個開口。彩色濾光結構設置於至少部分的開口中，且彩色濾光結構包括複數量子點。散射層設置於彩色濾光結構與基底層之間。第一反射層設置在彩色濾光結構與遮光層之間。據此，透過散射層和第一反射層可以提升量子點受激發的機率，藉以提升顯示面板的光轉換效率。

Description

顯示面板及其使用之光學片
本發明涉及一種量子點顯示技術，尤其是一種顯示面板及其使用之光學片。
量子點顯示（quantum dot display）技術，因其良好的光學性質，近來被大幅應用於各式具有顯示螢幕的電子裝置，例如智慧型手機、平板電腦、筆記型電腦及液晶電視等。對於量子點顯示技術而言，顯示面板額外設置具有多種顏色量子點的量子點強化膜在背光模組與彩色濾光片（quantum dot color filter，QDCF）之間，或者以量子點彩色濾光片取代傳統的彩色濾光片。
以量子點彩色濾光片來說，其彩色濾光結構具有量子點，並且此些量子點可受入射至彩色濾光結構中的光線激發而發射出特定顏色的光線。然而，入射至彩色濾光結構中的光線中有一部分無法有效地被轉換，導致顯示面板的光利用率不彰。
為了解決習用技術上所面臨的問題，本發明涉及一種顯示面板及其使用之光學片，藉以提升顯示面板之光轉換效率。
在一實施例中，一種光學片，其包括基底層、遮光層、散射層、彩色濾光結構以及第一反射層。遮光層位於基底層之上，且遮光層具有複數個開口。彩色濾光結構設置於至少部分的開口中，且彩色濾光結構包括複數量子點。散射層位於彩色濾光結構與基底層之間。第一反射層設置在彩色濾光結構與遮光層之間。
在一實施例中，一種顯示面板，其包括第一基板、第二基板、顯示介質層、複數條訊號線、複數個主動元件、基底層、遮光層、散射層、彩色濾光結構、第一反射層以及複數畫素電極。第二基板與第一基板相對設置。顯示介質層位於第一基板與第二基板之間。訊號線位於第一基板之上。主動元件位於第一基板之上，並與訊號線電性連接。遮光層位於基底層之上，且具有複數個開口。其中，在第一基板的一垂直投影方向上，遮光層至少與部分的訊號線重疊。散射層位於基底層之上。彩色濾光結構具有複數個光轉換圖案，光轉換圖案設置於至少部分的開口中，且各光轉換圖案包括複數量子點。第一反射層設置在彩色濾光結構與遮光層之間。畫素電極與開口對應設置，並且分別與對應的主動元件電性連接。
綜上，根據本發明的顯示面板及其使用之光學片，其透過入光面的散射層及彩色濾光結構與遮光層之間的反射層使光線在彩色濾光結構中有較長的光徑，藉以提升量子點受激發的機率，進而提升顯示面板的光轉換效率。於一些實施例中，散射層形成於基底層的表面上，藉此還可以適度地簡化製作工序。於一些實施例中，彩色濾光結構與遮光層之間的反射層未設置到鄰近出光面的部份，藉以避免造成環境光源的反射而致使顯示面板出現反光的現象。
圖1A繪示本發明之第一實施例的光學片的局部俯視示意圖。圖1B為沿圖1A中A-A剖線所繪示的光學片的剖面示意圖。
請參考圖1A至圖1B，光學片10包括基底層11、遮光層12、散射層13、彩色濾光結構14以及第一反射層15。
在本實施例中，遮光層12位於基底層11之上，且遮光層12具有複數個開口121。其中，遮光層12包含鄰近基底層11的下表面12s1、與下表面12s1相對的上表面12s2、以及連接下表面12s1與上表面12s2的側壁12s3。遮光層12可遮蔽光線，而遮光層12的開口121則可供光線通過。
彩色濾光結構14設置於至少部分的開口121中，且彩色濾光結構14包括複數量子點142。需要說明的是，於此所稱之量子點142並不限於點狀的零維結構，亦可以為多維度之結構，例如：量子線、量子錐、量子柱等，為求簡便，在此通稱為量子點142。其中，透過控制量子點142的粒徑大小可以決定出光的顏色。
第一反射層15設置在彩色濾光結構14與遮光層12之間。散射層13位於基底層11之上。其中，彩色濾光結構14鄰近基底層11的表面為入光面14s1，而彩色濾光結構14遠離基底層11的表面為出光面14s2。散射層13至少位在彩色濾光結構14與基底層11之間。在本實施例中，散射層13可設置在彩色濾光結構14的入光面14s1上。
於一些實施例中，彩色濾光結構14可包括複數個光轉換圖案141，並且光轉換圖案141設置於至少部分的開口121中。複數個光轉換圖案141的顏色可以相同，但不以此為限；在其他實施例中，複數個光轉換圖案141的顏色可以不相同。於一實施例中，此些光轉換圖案141會一對一設置在開口121中。光轉換圖案141與第一反射層15可填滿所設置的整個開口121。遮光層12可環繞各光轉換圖案141。
於一實施例中，以光學片10將入射光線轉換成紅光和綠光為例。若光源為藍光，光轉換圖案141可包括紅光的光轉換圖案141與綠光的光轉換圖案141，並且一部分的開口121則不設置光轉換圖案141而是設置光穿透圖案。紅光的光轉換圖案141可將入射的藍光光線轉換成紅光以射出紅光。綠光的光轉換圖案141可將入射的藍光光線轉換成綠光以射出綠光。而光穿透圖案則是使藍光光源穿透而射出藍光。於另一實施例中，光學片10是將入射光線分別轉換成紅光、藍光和綠光為例，若光源為紫外光，光轉換圖案141可包括紅光的光轉換圖案141、藍光的光轉換圖案141與綠光的光轉換圖案141，並且分別設置於的對應的一開口121中，紅光的光轉換圖案141可將入射的紫外光轉換成紅光以射出紅光、綠光的光轉換圖案141可將入射的紫外光轉換成綠光以射出綠光、而藍光的光轉換圖案141可將入射的紫外光轉換成藍光以射出藍光。但本發明並不以此為限，光轉換圖案141所能轉換的光的顏色及/或配置數量可隨著實際應用需求而調整。
如圖1B所示，在本實施例中，第一反射層15完全覆蓋遮光層12鄰近彩色濾光結構14的整個側壁12s3。遮光層12、第一反射層15與彩色濾光結構14的光轉換圖案141沿著垂直於基底層11表面的方向具有一既定厚度。散射層13設置於彩色濾光結構14的入光面141s1與基底層11之間。其中，散射層13可以是直接鄰接彩色濾光結構14與基底層11，但並不以此為限；散射層13亦可以不直接鄰接彩色濾光結構14與基底層11。
圖2繪示本發明之第一實施例的光學片受光照射時的局部剖面示意圖。請參考圖2，在本實施例的光學片10中，當光線L從基底層11相對於彩色濾光結構14的另一側射向光學片10並進入光學片10時，入射的光線會由散射層13散射至彩色濾光結構14的內部，藉以增加光線在彩色濾光結構14中的光徑，進而提升量子點142受光線激發的機率，因而提升光轉換效率。並且，當彩色濾光結構14中的光線射向遮光層12時，射向遮光層12的光線會先照射到第一反射層15並且被第一反射層15反射回彩色濾光結構14的內部，藉以減少光線被遮光層12吸收掉，並進一步增加光線在彩色濾光結構14中的光徑，進而提升量子點142受光線激發的機率，因而提升光轉換效率。同樣地，量子點142受光線激發而發射出的光線若是射向遮光層12時亦可被第一反射層15反射回彩色濾光結構14的內部，並且射向彩色濾光結構14的出光面14s2或透過多次反射而射向彩色濾光結構14的出光面14s2，藉以減少光線被遮光層12吸收掉。基於上述，本實施例的光學片10可以提升量子點受激發的機率，進而提升光轉換效率。
請參考圖3A。圖3A繪示本發明之第二實施例的光學片的局部俯視示意圖。圖3B為沿圖3A中B-B剖線所繪示的光學片的剖面示意圖。圖3A與圖3B所示的第二實施例沿用第一實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的符號標注相同的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
如圖3A與圖3B所示，不同於第一實施例，在本實施例的光學片10A中， 散射層13A是設置於彩色濾光結構14與基底層11之間以及遮光層12與基底層11之間。在一示範例中，散射層13可覆蓋於基底層11鄰近彩色濾光結構14與遮光層12的整個表面，亦即全面覆蓋於基底層11的上表面11s2。因此，本實施例的光學片10A可以提升量子點受激發的機率，進而提升光轉換效率，並且可透過一次性地工藝將散射層13A製作於基底層11上，進而能適度地簡化散射層13A的製作工序。
本發明的光學片並不以上述實施例為限。下文將依序介紹本發明的其它較佳實施例的光學片，且為了便於比較各實施例之相異處並簡化說明，在下文之各實施例中使用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，且主要針對各實施例之相異處進行說明，而不再對重覆部分進行贅述。
請參考圖4A與圖4B。圖4A繪示本發明之第三實施例的光學片的局部俯視示意圖。圖4B為沿圖4A中C-C剖線所繪示的光學片的剖面示意圖。如圖4A與圖4B所示，不同於第一實施例，在本實施例的光學片10B中，第一反射層15B設置於部分的遮光層12的側壁12s3上。詳而言之，第一反射層15B設置於鄰近下表面12s1的一部分的側壁12s3上，未設置於鄰近上表面12s2的另一部分的側壁12s3上。因此，藉由上述的第一反射層15B的配置，其設置於遠離出光面14s2部分的遮光層12的側壁12s3上，環境光源（例如室內燈光或戶外太陽光等）不會直接照射到第一反射層15B，因而可以避免反光的情況。
請參考圖5。圖5繪示本發明之第四實施例的光學片的剖面示意圖。如圖5所示，不同於第三實施例，在本實施例的光學片10C中，散射層13C是設置於彩色濾光結構14與基底層11之間以及遮光層12與基底層11之間。在一示範例中，基底層11具有位於相反側的上表面11s2與下表面11s1，散射層13C可覆蓋於基底層11鄰近彩色濾光結構14與遮光層12的整個表面，亦即全面覆蓋於基底層11的上表面11s2。藉此，可透過一次性地將散射層13C製作於基底層11上，進而能適度地簡化散射層13的製作工序。
請參考圖6。圖6繪示本發明之第五實施例的光學片的剖面示意圖。如圖6所示，不同於第一實施例，本實施例的光學片10D可更包括第二反射層16，並且第二反射層16位於遮光層12與基底層11之間。在本實施例中，第二反射層16連接第一反射層15D。
請參考圖7。圖7繪示本發明之第六實施例的光學片的剖面示意圖。如圖7所示，不同於第五實施例，在本實施例的光學片10E中， 散射層13E是設置於彩色濾光結構14與基底層11之間以及遮光層12與基底層11之間，散射層13E可透過一次性地工藝製作於基底層11上，進而能適度地簡化散射層13E的製作工序。
請參考圖8。圖8繪示本發明之第七實施例的光學片的剖面示意圖。如圖8所示，不同於第五實施例，在本實施例的光學片10F中，第一反射層15F設置於部分的遮光層12的側壁12s3上。第一反射層15F設置於鄰近下表面12s1的一部分的側壁12s3上，未設置於鄰近上表面12s2的另一部分的側壁12s3上。藉此，環境光源不會直接照射到第一反射層15F，因而可以避免反光的情況。
請參考圖9。圖9繪示本發明之第八實施例的光學片的剖面示意圖。如圖9所示，不同於第七實施例，在本實施例的光學片10G中，散射層13G是設置於彩色濾光結構14與基底層11之間以及遮光層12與基底層11之間，散射層13G可透過一次性地工藝製作於基底層11上，進而能適度地簡化散射層13G的製作工序。
請繼續參閱圖6至圖9。在此些實施例中，當光線從基底層11照射向遮光層12時，光線會從第二反射層16反射回基底層11而不會被遮光層12吸收，並且反射的光線能被位於基底層11相對遮光層12的另一側的反射面（如，背光模組中的反射表面或基底層11相對遮光層12的另一側表面）再度反射，藉以增加光線入射彩色濾光結構14的機會，並進一步提升背光源的利用率，進而增加顯示面板100的光轉換效率。
此外，當散射層13E、13G設置於遮光層12與基底層11之間時，第二反射層16可以是位於散射層13E、13G上，即位在遮光層12與散射層13E、13G之間。
請參考圖10。圖10繪示本發明之第九實施例的光學片的剖面示意圖。如圖10所示，不同於第五實施例，本實施例的光學片10H可更包括第三反射層17。在本實施例中，遮光層12的下表面12s1上設置有第二反射層16，而第三反射層17與第二反射層16分別設置於基底層11的相對兩側。並且在基底層11的垂直投影方向z上，第三反射層17與遮光層12重疊，但不與彩色濾光結構14重疊。
如圖10所示，在本實施例中，當散射層13H設置於彩色濾光結構14與基底層11之間而未設置在遮光層12與基底層11之間時，第三反射層17面向第二反射層16的表面為粗糙表面171。換而言之，當遮光層12下方無散射層13H時，第三反射層17鄰近第二反射層16的表面經表面加工成粗糙表面171，可以使第二反射層16以180度反射的光線不再被第三反射層17以180度反射，而是提供第三反射層17反射的光線可以入射至彩色濾光結構14的機會。其中，第三反射層17可為一圖案化金屬層（如，銅或鋁）並且其表面經蝕刻處理成粗糙狀。
請參考圖11。圖11繪示本發明之第十實施例的光學片的剖面示意圖。如圖11所示，不同於第九實施例，在本實施例的光學片10I中，散射層13I設置於彩色濾光結構14與基底層11之間以及遮光層12與基底層11之間，而第三反射層17朝向第二反射層16的表面172可以是平滑的反射面。換而言之，當遮光層12下方有散射層13I時，第二反射層16反射的光線因經過散射層13I的散射而較不會直接以180度反射至第三反射層17側。因此第三反射層17朝向第二反射層16的表面172可為平滑表面。但不以此為限。於又一示範例中，當散射層13I設置於彩色濾光結構14與基底層11之間以及遮光層12與基底層11之間時，第三反射層17朝向第二反射層16的表面172亦可為粗糙的，藉以增加光線的反射角度，以增加反射的光線入射彩色濾光結構14的機會。
請參考圖12。圖12繪示本發明之第十一實施例的光學片的剖面示意圖。如圖12所示，不同於第九實施例，在本實施例的光學片10J中，第一反射層15J設置於部分的遮光層12的側壁12s3上，藉此，環境光源不會直接照射到第一反射層15J，因而可以避免反光的情況。
請參考圖13。圖13繪示本發明之第十二實施例的光學片的剖面示意圖。如圖13所示，不同於第十實施例，在本實施例的光學片10K中，第一反射層15K設置於部分的遮光層12的側壁12s3上，藉此，環境光源不會直接照射到第一反射層15K，因而可以避免反光的情況。
於一些實施例中，前述之散射層13、13A-13K可具有複數散射粒子，並且此些散射粒子可以為單一層分布或多層分布。於一些實施例中，此些散射粒子可以是利用自組裝方式組裝於基底層11上，亦可以是利用表面結構改質方式（例如沉積、蝕刻、鍍膜及/或光罩步驟等）直接對基底層11的表面（或基底層11表面的鍍膜上）加工而形成，但在此並不限制其製作方式。於一些實施例中，散射粒子的材料可為無機粒子或高分子材料。其中，無機粒子可例如二氧化鈦、氧化鋅等，但不限於此。於一些實施例中，散射粒子可為圓形、圓弧狀、錐狀、稜狀或其他幾何/非幾何構形。此外，散射粒子的粒徑可介於20 nm至200nm之間。
於一些實施例中，前述之基底層11係透光之絕緣材質。其中，光線對於基底層11的穿透率可約為60至99%，較佳為80至99%。在一些實施例中，基底層11的材質可為聚甲基丙烯酸甲酯（Poly(methyl methacrylate)，PMMA）、環氧樹脂、聚對苯二甲酸乙酯（Polyethylene terephthalate，PET）、以及聚氯乙烯（Poly Vinyl Chloride，PVC）其中至少一種，但不以此為限。
在一些實施例中，前述之遮光層12可為光阻材料，例如黑色光阻等，但不以此為限。於一些實施例中，俯視下，開口121的形狀可以是矩形，但不以此為限。於一些實施例中，開口121是以矩陣形式配置，但不以此為限。
在一些實施例中，前述之量子點142可為由硒化鋅(ZnSe)、硫化鎘(CdS)、硒化鎘(CdSe)、硫化鋅(ZnS)等化合物所組成的單層或多層奈米半導體材料。並且，當量子點142為多層結構時，每一層可為相同材料，亦可為不同材料。舉例來說，以量子點142為內外雙層之結構為例，內層可為硒化鎘(CdSe)，而外層則可為硫化鋅(ZnS)。另外，上述材料僅作為示例，不以此為限。另外，對於不同顏色的光轉換圖案141而言，其可以使用相同材料的量子點142，也可以使用不同材料的量子點142，不以此為限。
於一些實施例中，前述之第二反射層16與第一反射層15、15A-15K可為相同材質，或為不同材質。
於一些實施例中，前述之第三反射層17可與第一反射層15、15A-15K及/或第二反射層16為相同材質，或為不同材質。
於一些實施例中，前述之光學片可應用於一顯示面板中。
請參考圖14與圖15。圖14繪示本發明之第一實施例的顯示面板的爆炸示意圖。圖15為圖14的顯示面板的剖面示意圖。如圖14與圖15所示，本實施例之顯示面板100包括第七實施例之光學片10F、第一基板20、第二基板30、顯示介質層40、複數條訊號線50、複數個主動元件60以及複數畫素電極70。其中，有關於光學片10F之諸等元件已於先前段落敘明，在此不再贅述，以下僅針對顯示面板100的其他元件及其與光學片10F之各元件的對應關係進行描述。另外，為了方便及清楚呈現本發明，剖面圖中並未繪示顯示面板的主動元件。
在本實施例中，第二基板30與第一基板20相對設置，而顯示介質層40是位於第一基板20與第二基板30之間。第一基板20與第二基板30可為硬質基板或可撓式基板例如玻璃基板、石英基板、藍寶石基板、塑膠基板或其它適合的基板。顯示介質層40可選用液晶層，但不以此為限，舉例而言，顯示介質層40也可包括其它非自發光顯示介質層例如電泳顯示介質層、或其它合適的非自發光顯示介質層例如有機電激發光顯示介質層。
訊號線50與主動元件60位於第一基板20之上，並且主動元件60與訊號線50電性連接。在第一基板20的垂直投影方向z上，遮光層12至少與部分的訊號線50重疊。畫素電極70與開口121對應設置，並且分別與對應的主動元件60電性連接。
訊號線50可包括間隔配置的複數條資料線與間隔配置的複數條掃描線。在第一基板20的垂直投影方向z上，資料線與掃描線交錯以定義複數個畫素區域。畫素電極70分別設置於對應的畫素區域中。
在本實施例中，光學片10F可設置在顯示面板100的第二基板30（即對向基板）上。換言之，以顯示介質層40為界，第二基板30、遮光層12、彩色濾光結構14、第一反射層15F、第二反射層16、散射層13F與基底層11位於顯示介質層40的上方(顯示面板100的上部)，而畫素電極70、訊號線50、主動元件60與第一基板20位於顯示介質層40的下方(顯示面板100的下部)。更詳而言之，基底層11設置於第二基板30與顯示介質層40之間。彩色濾光結構14設置於基底層11與第二基板30之間，並且顯示介質層40位於畫素電極70與光轉換圖案141之間。其中，散射層13F設置於彩色濾光結構14的入光面14s1，而彩色濾光結構14的出光面14s2位於第二基板30與彩色濾光結構14之間。
本發明的顯示面板並不以上述實施例為限。下文將依序介紹本發明的其它較佳實施例的顯示面板，且為了便於比較各實施例之相異處並簡化說明，在下文之各實施例中使用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，且主要針對各實施例之相異處進行說明，而不再對重覆部分進行贅述。
請參考圖16。圖16繪示本發明之第二實施例的顯示面板的剖面示意圖。如圖16所示，不同於第一實施例之顯示面板100，本實施例之顯示面板100A包括第八實施例之光學片10G。換言之，在本實施例，散射層13G是設置於彩色濾光結構14與基底層11之間以及遮光層12與基底層11之間。
請參考圖17。圖17繪示本發明之第三實施例的顯示面板的剖面示意圖。如圖17所示，不同於第一實施例之顯示面板100，本實施例之顯示面板100B包括第十一實施例之光學片10J。在本實施例中，光學片10J具有第三反射層17，第三反射層17設置在第一基板20（即陣列基板）上，而光學片10J的其他元件則設置在第二基板30（即對向基板）上。第三反射層17對應設置在訊號線50上。在第一基板20的垂直投影方向z上，第三反射層17與訊號線50重疊。此外，遮光層12的下表面12s1與基底層11之間未設置散射層13J，而第三反射層17面向遮光層12的表面為粗糙表面171。
請參考圖18。圖18繪示本發明之第四實施例的顯示面板的剖面示意圖。如圖18所示，不同於第一實施例之顯示面板100，本實施例之顯示面板100C包括第十二實施例之光學片10K。在本實施例，光學片10K具有第三反射層17，第三反射層17設置在第一基板20（即陣列基板）上，而光學片10K的其他元件則設置在第二基板30（即對向基板）上。第三反射層17對應設置在訊號線50上。在第一基板20的垂直投影方向z上，第三反射層17與訊號線50重疊。此外，遮光層12的下表面12s1與基底層11之間設置有散射層13K，而第三反射層17面向遮光層12的表面為平滑表面172（如圖18所示），但並不以此為限，其亦可為粗糙表面。
於一些實施例中，第一基板20與訊號線50上可覆蓋一絕緣層92a。畫素電極70和第三反射層17位於絕緣層92a上。換言之，絕緣層92a位於第一基板20以及畫素電極70和第三反射層17之間。
於一些實施例中，顯示面板100、100A、100B以及100C可更包括共通電極85，並且共通電極85設置在基底層11與顯示介質層40之間。此外，共通電極85與基底層11之間可更具有一層或多層其他膜層，例如用以設置共通電極85之第三基板91等。
於一些實施例中，背光模組80可設置在第一基板20相對顯示介質層40的另一側，並且背光模組80作為顯示面板100的光源而朝第一基板20發出光線。
於一些實施例中，顯示面板100、100A、100B以及100C可更包括一個或多個偏光片90a、90b。其中，偏光片90a、90b可設置在第一基板20上及/或在第二基板30上。於偏光片90a設置在第二基板30上時，偏光片90a位在基底層11與第三基板91之間。於偏光片90b設置在第一基板20上，偏光片90b位於第一基板20相對於顯示介質層40的另一側表面上，即位於第一基板20與背光模組80之間。
請參考圖19。圖19繪示本發明之第五實施例的顯示面板的剖面示意圖。如圖19所示，不同於第一實施例之顯示面板100，本實施例之顯示面板100D包括第四實施例之光學片10C，而光學片10C可設置在顯示面板100D的第一基板20（即陣列基板）上。換言之，以顯示介質層40為界，第二基板30位於顯示面板100D之上部，而畫素電極70、遮光層12、彩色濾光結構14、第一反射層15C、散射層13C、基底層11、訊號線50、主動元件60與第一基板20位於顯示面板100D之下部。基底層11可為覆蓋在第一基板20與訊號線50上的絕緣層。彩色濾光結構14設置於基底層11相對於第一基板20的另一側，並且畫素電極70位於顯示介質層40與光轉換圖案141之間。彩色濾光結構14的入光面14s1位於鄰近第一基板20的一側，而彩色濾光結構14的出光面14s2位於遠離第一基板20（鄰近畫素電極70）的一側。散射層13C則設置在彩色濾光結構14的入光面14s1上。於一示範例中，畫素電極70與光轉換圖案141之間可以絕緣層92b間隔。換言之，絕緣層92b覆蓋在光學片10C（遮光層12與彩色濾光結構14）上。
請參考圖20。圖20繪示本發明之第六實施例的顯示面板的剖面示意圖。如圖20所示，不同於第五實施例之顯示面板100D，本實施例之顯示面板100E包括第十一實施例之光學片10J。也就是說，在本實施例，光學片10J具有第二反射層16，並且第二反射層16位於遮光層12與基底層11之間。第二反射層16連接第一反射層15J。另外，光學片10具有第三反射層17，而第三反射層17設置於第二反射層16與對應的訊號線50之間。並且，基底層11覆蓋在第一基板20與第三反射層17上。基底層11間隔第二反射層16與第三反射層17。於一示範例中，第三反射層17可直接形成在訊號線50的上表面（即訊號線50面向第二反射層16的表面）上。此外，遮光層12的下表面12s1與基底層11之間未設置散射層13J，而第三反射層17面向遮光層12的表面為粗糙表面171。
請參考圖21。圖21繪示本發明之第七實施例的顯示面板的剖面示意圖。如圖21所示，不同於第五實施例之顯示面板100D，本實施例之顯示面板100F包括第十二實施例之光學片10K。也就是說，在本實施例，光學片10K具有第二反射層16，並且第二反射層16位於遮光層12與基底層11之間。第二反射層16連接第一反射層15K。另外，光學片10K具有第三反射層17，而第三反射層17設置於第二反射層16與對應的訊號線50之間。並且，基底層11覆蓋在第一基板20與第三反射層17上。基底層11間隔第二反射層16與第三反射層17。於一示範例中，第三反射層17可直接形成在訊號線50的上表面（面向第二反射層16的表面）上。此外，遮光層12的下表面12s1與基底層11之間設置有散射層13K，而第三反射層17面向遮光層12的表面為平滑表面172（如圖21所示），但並不以此為限，其亦可為粗糙表面。
於一些實施例中，顯示面板100D、100E以及100F可更包括共通電極85，並且共通電極85設置在第二基板30與顯示介質層40之間。
於一些實施例中，背光模組80可設置在第一基板20相對顯示介質層40的另一側，並且背光模組80作為顯示面板100、100A~100F的光源而朝第一基板20發出光線。
於一些實施例中，顯示面板100D、100E以及100F更可包含一個或多個偏光板90a、90b。其中，偏光板90a、90b設置於第一基板20之上及/或第二基板30之上。於偏光片90a設置在第二基板30上時，偏光片90a位在第二基板30相對顯示介質層40的另一側表面上。其中，偏光片90a、第二基板30與共通電極85可依序疊合，且共通電極85鄰近於顯示介質層40。於偏光片90b設置在第一基板20上，偏光片90b位於第一基板20相對於基底層11的另一側表面上，即位於第一基板20與背光模組80之間。
應注意的是，雖然圖14至圖21所示之顯示面板100、100A~100F是以前述的部分實施例的光學片10C、 10F、10G、10J、10K的示意，但本發明不限於此，其他實施例的光學片10、10A、10B、10D、10E、10H、10I的亦可應用。
綜上，根據本發明的顯示面板及其使用之光學片，其透過入光面的散射層及彩色濾光結構與遮光層之間的反射層使光線在彩色濾光結構中有較長的光徑，藉以提升量子點受激發的機率，進而提升顯示面板的光轉換效率。於一些實施例中，散射層係形成於基底層的表面上，藉此還可以適度地簡化製作工序。於一些實施例中，彩色濾光結構與遮光層之間的反射層未設置到鄰近出光面的部份，藉以避免造成環境光源的反射而致使顯示面板出現反光的現象。
100、100A-100F‧‧‧顯示面板
10、10A-10K‧‧‧光學片
11‧‧‧基底層
11s1‧‧‧下表面
11s2‧‧‧上表面
12‧‧‧遮光層
121‧‧‧開口
12s1‧‧‧下表面
12s2‧‧‧上表面
12s3‧‧‧側壁
13、13A-13K‧‧‧散射層
14‧‧‧彩色濾光結構
141‧‧‧光轉換圖案
142‧‧‧量子點
14s1‧‧‧入光面
14s2‧‧‧出光面
15、15A-15K‧‧‧第一反射層
16‧‧‧第二反射層
17‧‧‧第三反射層
171‧‧‧粗糙表面
172‧‧‧表面
20‧‧‧第一基板
30‧‧‧第二基板
40‧‧‧顯示介質層
50‧‧‧訊號線
60‧‧‧主動元件
70‧‧‧畫素電極
80‧‧‧背光模組
85‧‧‧共通電極
90a‧‧‧偏光片
90b‧‧‧偏光片
91‧‧‧第三基板
92a‧‧‧絕緣層
92b‧‧‧絕緣層
L‧‧‧光線
圖1A繪示本發明之第一實施例的光學片的局部俯視示意圖。 圖1B為沿圖1A中A-A剖線所繪示的光學片的剖面示意圖。 圖2繪示本發明之第一實施例的光學片受光照射時的局部剖面示意圖。 圖3A繪示本發明之第二實施例的光學片的局部俯視示意圖。 圖3B為沿圖3A中B-B剖線所繪示的光學片的剖面示意圖。 圖4A繪示本發明之第三實施例的光學片的局部俯視示意圖。 圖4B為沿圖4A中C-C剖線所繪示的光學片的剖面示意圖。 圖5繪示本發明之第四實施例的光學片的剖面示意圖。 圖6繪示本發明之第五實施例的光學片的剖面示意圖。 圖7繪示本發明之第六實施例的光學片的剖面示意圖。 圖8繪示本發明之第七實施例的光學片的剖面示意圖。 圖9繪示本發明之第八實施例的光學片的剖面示意圖。 圖10繪示本發明之第九實施例的光學片的剖面示意圖。 圖11繪示本發明之第十實施例的光學片的剖面示意圖。 圖12繪示本發明之第十一實施例的光學片的剖面示意圖。 圖13繪示本發明之第十二實施例的光學片的剖面示意圖。 圖14繪示本發明之第一實施例的顯示面板的爆炸示意圖。 圖15為圖14的顯示面板的剖面示意圖。 圖16繪示本發明之第二實施例的顯示面板的剖面示意圖。 圖17繪示本發明之第三實施例的顯示面板的剖面示意圖。 圖18繪示本發明之第四實施例的顯示面板的剖面示意圖。 圖19繪示本發明之第五實施例的顯示面板的剖面示意圖。 圖20繪示本發明之第六實施例的顯示面板的剖面示意圖。 圖21繪示本發明之第七實施例的顯示面板的剖面示意圖。

Claims (19)

  1. 一種光學片，包括： 一基底層； 一遮光層，位於該基底層之上，該遮光層具有複數個開口； 一彩色濾光結構，設置於至少部分的該些開口中，該彩色濾光結構包括複數量子點； 一散射層，設置於該彩色濾光結構與該基底層之間；以及 一第一反射層，設置在該彩色濾光結構與該遮光層之間。
  2. 如請求項1所述的光學片，其中該散射層具有複數個散射粒子。
  3. 如請求項1所述的光學片，其中該遮光層包含鄰近該基底層的一下表面、與該下表面相對的一上表面、以及連接該下表面與該上表面的一側壁，其中該第一反射層設置於鄰近該下表面的一部分的該側壁上，且未設置於鄰近該上表面的另一部分的該側壁上。
  4. 如請求項1所述的光學片，更包括一第二反射層，位於該遮光層與該基底層之間。
  5. 如請求項4所述的光學片，更包括： 一第三反射層，與該第二反射層分別設置於該基底層的相對兩側，其中該第三反射層朝向該第二反射層具有一粗糙表面，並且在該基底層的一垂直投影方向上該第三反射層與該遮光層重疊，但不與該彩色濾光結構重疊。
  6. 如請求項1所述的光學片，其中該散射層更設置於該遮光層與該基底層之間。
  7. 如請求項6所述的光學片，更包括： 一第二反射層，位於該遮光層與該散射層之間；以及 一第三反射層，其中該第三反射層與該第二反射層分別設置於該基底層的相對兩側，並且在該基底層的一垂直投影方向上該第三反射層與該遮光層重疊，但不與該彩色濾光結構重疊。
  8. 如請求項1所述的光學片，其中該彩色濾光結構具有一入光面以及一出光面，該散射層設置於該彩色濾光結構的該入光面，並且該遮光層具有一側壁，該第一反射層設置於遠離該出光面部分的該遮光層的該側壁上。
  9. 一種顯示面板，包括： 一第一基板； 一第二基板，與該第一基板相對設置； 一顯示介質層，位於該第一基板與該第二基板之間； 複數條訊號線，位於該第一基板之上； 複數個主動元件，位於該第一基板之上，並與該些訊號線電性連接； 一基底層； 一遮光層，位於該基底層之上，該遮光層具有複數個開口，其中在該第一基板的一垂直投影方向上，該遮光層至少與部分的該些訊號線重疊； 一散射層，位於該基底層之上； 一彩色濾光結構，該彩色濾光結構具有複數個光轉換圖案，該些光轉換圖案設置於至少部分的該些開口中，且各該光轉換圖案包括複數量子點； 一第一反射層，設置在該彩色濾光結構與該遮光層之間；以及 複數畫素電極，與該些開口對應設置，並且分別與對應的該主動元件電性連接。
  10. 如請求項9所述的顯示面板，其中該基底層設置於該些訊號線與該些主動元件之上，且該些畫素電極設置於該些光轉換圖案與該顯示介質層之間。
  11. 如請求項9所述的顯示面板，其中該基底層設置於該第二基板與該顯示介質層之間，該彩色濾光結構具有一入光面以及一出光面，該散射層設置於該彩色濾光結構的該入光面，該出光面位於該第二基板與該彩色濾光結構之間，並且該顯示介質層位於該些畫素電極與該些光轉換圖案之間。
  12. 如請求項9所述的顯示面板，其中該散射層具有複數散射粒子。
  13. 如請求項9所述的顯示面板，其中該遮光層包含鄰近該基底層的一下表面、與該下表面相對的一上表面、以及連接該下表面與該上表面的一側壁，其中該第一反射層設置於鄰近該下表面的一部分的該側壁上，且未設置於鄰近該上表面的另一部分的該側壁上。
  14. 如請求項9所述的顯示面板，更包括一第二反射層，位於該遮光層與該基底層之間。
  15. 如請求項14所述的顯示面板，更包括： 一第三反射層，設置於該第二反射層與對應的該訊號線之間，其中該第三反射層朝向該第二反射層具有一粗糙表面，並且在該基底層的一垂直投影方向上該第三反射層與該遮光層重疊，但不與該彩色濾光結構重疊。
  16. 如請求項9所述的顯示面板，其中該散射層設置於該彩色濾光結構與該基底層之間以及該遮光層與該基底層之間。
  17. 如請求項16所述的顯示面板，更包括： 一第二反射層，位於該遮光層與該基底層之間；以及 一第三反射層，設置於該第二反射層與對應的該訊號線之間，其中在該基底層的一垂直投影方向上該第三反射層與該遮光層重疊，但不與該彩色濾光結構重疊。
  18. 如請求項9所述的顯示面板，其中該彩色濾光結構具有一入光面以及一出光面，該散射層設置於該彩色濾光結構的該入光面。
  19. 如請求項18所述的顯示面板，其中該遮光層具有一側壁，該第一反射層設置於遠離該出光面部分的該遮光層的該側壁上。
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