TW201914134A - 雷射打標機及其校正方法 - Google Patents
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Abstract
一種雷射打標機,包括:控制卡,用以發送參數讀取命令;振鏡模組與控制卡以串列通訊協定方式連接並接收由控制卡所發送的參數讀取命令,且振鏡模組內建儲存光學校正資訊;當雷射打標機開機之後,該控制卡讀取該振鏡模組所內建儲存之光學校正資訊以產生畸變校正表,使得雷射打標機根據該畸變校正表進行雷射打標。本發明另提供一種用於上述雷射打標機的校正方法,將光學校正資訊內建儲存於振鏡模組的記憶體內,及利用控制卡讀取光學校正資訊以產生畸變校正表,使雷射打標機根據畸變校正表進行打標。
Description
本發明提供一種雷射打標機,特別是內建有光學校正資訊的雷射打標機。
雷射打標機是以雷射方式在物體表面形成文字、圖案等標記,與傳統的機械雕刻或化學蝕刻相比,具有精度高、速度快、以及產生之標記具永久性等優點,因此在工業上,特別是積體電路工業中的高精密度及高量產的IC標記之需求,雷射打標技術與裝置的改良實屬重要。
一般雷射打標機包括雷射源、光學機構與控制卡等儀器,雷射源用於發出雷射光,光學機構則是用於調整雷射光路的物理參數,控制卡則是用於發送控制指令。雷射打標機在組裝完成後,需針對因組裝造成的光學機構誤差,或是雷射光束在被加工的樣品平面上的聚焦問題,而進行所謂的光學畸變校正。一般在光學畸變校正完畢後,會將校正時所產生的資料,即所謂的「光學校正補償表」儲存於控制卡中,而每一張控制卡需要與特定的光學機構配對使用,若單獨更換雷射打標機的光學機構或是控制卡時,則需再次進行光學畸變校正及更換其他張的控制卡,對於不熟悉光學畸變校正流程及操作的雷射打標機使用者,或是上游的組裝廠而言,在校正上相當不便。
再者,就光學畸變校正的方法本身,亦有多項先前技術被提出,其一是使用光學鏡頭來採集不同的光學畸變校正數據,並比較不同次數的光學畸變校正後形成一畸變量。再針對畸變量進行非線性補償,用以抵消畸變量,以此方式校正後,光學誤差值約在5~10μm的範圍內。但該技術主要著墨於如何補償並抵銷畸變量,並未提及畸變量如何儲存,以及訊號的傳遞方式與操作流程,故對於簡化雷射打標機校正的流程較不切實際。
另一種校正方法,光學鏡頭擷取了打樣前樣品的影像,在此影像上形成了100個的網格,並在生成100個網格的座標後,將這些網格的座標儲存於儲存器中,再用計算模組取得實際打樣後樣品的座標值,將打樣後樣品的座標值與打樣前樣品的座標值,兩者運算後以得到補償值,再將補償值儲存於儲存器中。雖然該現有技術揭示具有儲存手段的校正法,但並未揭露所得到的補償值儲存於何處,對於儲存器的種類也未多做強調或進一步說明。
有鑑於上述習知技術的缺失,本發明所提出一種內建光學校正資訊的雷射打標機,可以讓個別的振鏡模組只需在生產過程中進行一次光學校正,校正完畢之後將光學校正資訊立刻內建儲存於振鏡模組內,每次雷射打標機開機完畢後將光學校正資訊發送給控制卡,使控制卡不必與特定機台配對,對於使用者而言更為方便。 根據上述目的,本發明提供一種內建儲存光學校正資訊的雷射打標機,包括:控制卡,用以發送參數讀取命令;以及振鏡模組與控制卡以串列通訊協定方式連接並接收由控制卡所發送的參數讀取命令,且振鏡模組內建儲存光學校正資訊,控制卡讀取光學校正資訊以產生畸變校正表;藉此於雷射打標機開機之後,控制卡從振鏡模組讀取光學校正資訊以產生畸變校正表,使得雷射打標機根據畸變校正表進行雷射打標。
於本發明的較佳實施例中,振鏡模組包括光學鏡片、振鏡電機、振鏡驅動電路及記憶體。
於本發明的較佳實施例中,光學校正資訊內建儲存在振鏡模組中的記憶體。
於本發明的較佳實施例中,記憶體還可儲存馬達控制參數及行程極限。
於本發明的較佳實施例中,記憶體為非揮發性記憶體。
於本發明的較佳實施例中,記憶體為EPROM、EEPROM、Flash其中一種或是上述三者的組合。
本發明更提出一種雷射打標機之振鏡模組內建儲存光學校正資訊的校正方法,該雷射打標機包括控制卡、振鏡模組及雷射源,其中振鏡模組包括光學鏡片、記憶體、振鏡電機及振鏡驅動電路,該控制卡包括監控元件、運算元件以及儲存元件,該方法包括:利用振鏡電機帶動光學鏡片,藉由光學鏡片將雷射源的雷射光束導向樣品的加工平面,以控制卡之監控元件量測加工後樣品的距離誤差;將距離誤差輸入控制卡,控制卡根據該距離誤差運算得到振鏡模組的光學校正資訊;控制卡發送該光學校正資訊及參數儲存命令至振鏡驅動電路以將該光學校正資訊內建儲存在振鏡模組的記憶體中。
於本發明的較佳實施例中,當雷射打標機開機完成後,利用控制卡發送參數讀取命令至振鏡模組以讀取振鏡模組所內建儲存之光學校正資訊以產生畸變校正表,使得雷射打標機根據畸變校正表進行雷射打標。
於本發明的較佳實施例中,振鏡驅動電路將光學校正資訊內建儲存在記憶體內是利用串列通訊協定方式。
於本發明的較佳實施例中,控制卡將該光學校正資訊及參數儲存命令發送給振鏡驅動電路是利用串列通訊協定方式。
於本發明的較佳實施例中,控制卡與振鏡模組利用串列通訊協定方式連接。
藉由本發明所提出內建儲存光學校正資訊的雷射打標機及其校正方法,可以單獨的更換此雷射打標機的振鏡模組及控制卡,不須再次進行光學畸變校正,讓不熟悉光學畸變校正流程及操作的雷射打標機使用者輕易更換雷射打標機的內部構件,更詳細敘述了雷射打標機內部的校正流程及儲存設備,故具實用性與方便性。
為使貴審查委員對於本發明之結構目的和功效有更進一步之了解與認同,茲配合圖示詳細說明如後。以下將參照圖式來描述為達成本發明目的所使用的技術手段與功效,而以下圖式所列舉之實施例僅為輔助說明,以利貴審查委員瞭解,但本案之技術手段並不限於所列舉圖式。
請參考圖1,圖1為根據本發明所揭露的技術,表示雷射打標機L內部構件之示意圖。在圖1中,雷射打標機L包括振鏡模組1、雷射源2以及控制卡3。雷射打標機L是藉由雷射源2發出雷射光到振鏡模組1的光學鏡片11後,經由控制卡3控制振鏡電機12帶動光學鏡片11,使雷射光在樣品S的表面形成焦點後,以在樣品S的表面刻畫出操作者想要的圖案或是線條。
本發明所提供的雷射打標機L開機之後,雷射打標機L的控制卡3會從振鏡模組1讀取光學校正資訊以產生畸變校正表(未在圖1表示),使得雷射打標機L的控制卡3可以根據畸變校正表進行雷射打標命令修正。其中,振鏡模組1包括光學鏡片11、振鏡電機12、振鏡驅動電路13以及記憶體14。振鏡模組1與控制卡3以串列通訊協定方式連接並接收由控制卡3所發送的參數讀取命令,且振鏡模組1內建儲存有光學校正資訊,控制卡3讀取振鏡模組1所內建儲存之光學校正資訊以產生畸變校正表(未在圖1表示)。在本發明中,光學鏡片11是透鏡或是面鏡所構成的組合,振鏡驅動電路13會發出驅動指令給振鏡電機12,透過振鏡電機12帶動此光學鏡片11旋轉或是移動,讓雷射光在此樣品S的表面形成焦點。在本發明的一個實施例中,光學鏡片11是由一個聚焦鏡片及兩個反射面鏡所構成,其中聚焦鏡片可以是凸透鏡,反射面鏡可以是平面鏡。
在本發明的實施例中,雷射源2發出的雷射光,在光學鏡片11中的光路為:雷射光先經由光學鏡片11的兩個反射面鏡後,將雷射光導至聚焦鏡片(未在圖中表示)。振鏡驅動電路13會發出電壓命令給振鏡電機12,接著,振鏡電機12帶動兩個反射面鏡旋轉,以調整雷射光在樣品S上的聚焦點。
此外,振鏡模組1更包含一個記憶體14,此記憶體14是用以儲存光學校正資訊及其他校正資訊。其中,其他校正資訊的內容包括馬達控制參數以及行程極限。振鏡模組1中的振鏡電機12包含多個伺服馬達(未在圖1中表示),伺服馬達在接受回饋的過程中會一併產生共振,若是共振的振幅太大,伺服馬達運轉時會產生極大的噪音,故需要馬達控制參數,以抑制伺服馬達在共振時產生的振動。此外,馬達控制參數亦包含迴路增益、低通濾波器參數、共振抑制濾波器參數、相位領先補償器參數等,設計此些控制參數目的在於滿足使用者對於雷射打標機L高頻響應的需求。另外,振鏡電機12包含多個線性馬達(未在圖1中表示),於線性馬達延伸時,因為所帶動的滑台(未在圖1中表示)會有允許最大延伸量,在此,允許最大延伸量又定義為行程極限,故在線性馬達移動時需要設有行程極限,避免馬達或是滑台損壞。在本發明的實施例中,記憶體14是由非揮發性記憶體元件所組成的陣列,非揮發性記憶體例如是EPROM、EEPROM或是Flash元件。在本發明中,為了確保光學校正資訊在雷射打標機L斷電後能夠儲存於記憶體14內,並且可以提供系統下次開機時予以讀取,本發明所使用的記憶體14為非揮發性記憶體。
請繼續參考圖1。雷射打標機L中的雷射源2,包括雷射二極體21及雷射控制電路22。雷射二極體21用來發出雷射光,雷射光的波長、能量及發射訊號的頻率並不在本發明的限制範圍中,僅要使用者所需即可從雷射控制電路22自行調整。雷射打標機L中的控制卡3至少包括監控元件31、運算元件32及儲存元件33。監控元件31通常是影像擷取裝置,例如攝影器、或照相機,以拍攝校正片A或是樣品S的影像。在本發明的實施例中,先利用監控元件31與儲存元件33記下校正片A上的目標點座標值,透過雷射打標機L在樣品S上打出對應試打網格後,再透過監控元件31與運算元件32估算此試打點的試打點座標值與此目標點座標值,以形成距離誤差,控制卡3利用此距離誤差計算生成光學校正資訊。
後續將說明此雷射打標機L的詳細運作,請參考圖2及圖3。此雷射打標機L具有校正模式與一般模式。在雷射打標機L上具有兩個按鈕(未在圖2與圖3中表示),一個是校正模式,另一個是一般模式。其中,校正模式僅在生產過程中使用,正常情況下的預設狀態為一般模式。
首先請參考圖2,圖2表示雷射打標機L在校正模式下,內部構件訊號傳遞之示意圖。使用者在雷射打標機L中放入校正片A後,使用者即按下校正模式的按鈕以開始進行校正模式。首先,監控元件31會個別擷取校正片A上的目標點座標值並儲存於儲存元件33,接著將樣品S放入機台並進行網格試打,監控元件31擷取樣品S網格影像並形成試打點座標值,將目標點座標值與試打點座標值送入運算元件32進行運算後,於控制卡3生成光學校正資訊,控制卡3再將參數儲存命令與光學校正資訊發送給振鏡驅動電路13,並由振鏡驅動電路13將光學校正資訊透過串列通訊方式於記憶體14儲存。
另外,雷射打標機L的校正模式是在第一時間下進行,通常校正模式是在設備供應商製造雷射打標機L時進行。完成校正模式後的雷射打標機L就可以實際賣給客戶端,例如晶圓製造工廠或是焊接工廠,以使客戶端對於樣品S進行實際雷射打標。
請繼續參考圖3,圖3是表示雷射打標機在一般模式下,內部構件訊號傳遞之示意圖。其中,在一般模式下,控制卡3會在開機後發送一個參數讀取命令,振鏡驅動電路13接收該參數讀取命令後,會向記憶體14讀取光學校正資訊,再將讀取到的光學校正資訊發送給控制卡3。控制卡3對光學校正資訊進行運算後,會形成畸變校正表,在實際打標時,此畸變校正表係用以修正因光學或機構組裝而產生的雷射光在樣品S表面的聚焦點的誤差。
在本發明的實施例中,設備供應商對雷射打標機L在進行校正模式後,對雷射打標機予以關機,再由客戶端開啟雷射打標機L以對雷射打標機L進行一般模式。另一實施例是客戶端對雷射打標機L進行校正模式後,客戶端將雷射打標機L維持在開啟狀態下,接續對雷射打標機進行一般模式的操作。在此要說明的是,對於雷射打標機的校正模式與一般模式可以由客戶端或是設備供應商來操作,在本發明中並沒有多加限制。
本發明所提出的雷射打標機L,可以單獨的更換雷射打標機L的振鏡模組及控制卡3,而不需再次進行光學畸變校正,讓不熟悉光學畸變校正流程及操作的雷射打標機L使用者能夠輕易更換雷射打標機L的內部構件,故具實用性與方便性。
本發明另提出了一種校正方法,利用上述的雷射打標機L進行。校正方法應用於雷射打標機L,是在振鏡模組1內建儲存光學校正資訊的方法,雷射打標機L包括控制卡3、由光學鏡片11、記憶體14、振鏡電機12及振鏡驅動電路13所組成的振鏡模組1及雷射源2組成,其中振鏡模組1內建儲存有光學校正資訊。詳細的校正流程請參考圖4至圖6。
首先請參考圖4,圖4表示本發明提供之校正方法,在雷射打標機L處於校正模式下實施流程圖,其中有S1至S7共七個步驟。以下分別詳述各步驟執行的要點: 步驟S1:監控元件31中的攝影器擷取校正片A上的一個校正片網格影像,該校正片網格影像由複數條直線與複數條橫線所構成。為了定位方便,將每一個直線與橫線的交會點稱為目標點,以定位某一個格點的座標。每一個目標點皆具有一個座標值,且目標點座標值是定位在XY座標系下。在本具體實施方式中,光學鏡片11一開始是處於原點(預設狀態),振鏡電機12帶動光學鏡片11以接受由校正片A反射的光線,使監控元件31的攝影器(圖4未示)得以記錄校正片A上的每個目標點座標值。
步驟S2:監控元件31將每個目標點座標值傳遞給儲存元件33,以供後續與試打點座標值進行比較用。
步驟S3:雷射二極體21產生雷射光於樣品S進行加工,雷射光加工時將光學鏡片11對準目標點座標值。光學鏡片11的位置由振鏡電機12控制,雷射光則由雷射二極體21產生,如此即可對樣品S進行加工。
步驟S4:監控元件31中的攝影器量測加工後樣品S之樣品S網格影像,形成試打點座標值並儲存於儲存元件33。在本具體實施方式中,樣品S網格影像的偵測與擷取是在所有試打點形成後,亦即試打程序完成後。
步驟S5:運算元件32估算試打點座標值與目標點座標值並生成距離誤差後,控制卡3根據距離誤差生成光學校正資訊。
步驟S6:控制卡3生成參數儲存命令,並同時將參數儲存命令與光學校正資訊發送至振鏡模組1中的振鏡驅動電路13。控制卡3與振鏡模組1是利用串列通訊協定方式連接。在本實施方式中,控制卡3與振鏡模組1所在的電路板連接。本具體實施例中,為了防止傳輸路徑較長造成的訊號流失及線路複雜的干擾問題,故使用串列通訊協定方式連接控制卡3與振鏡模組1,串列通訊協定方式在處理資料時一次只處理一個位元,故減少訊號流失的發生。
步驟S7:振鏡模組1中的振鏡驅動電路13在第一時間接收參數儲存命令後,於第二時間發送標準串列I2
C或SPI通訊封包給記憶體14,以內建儲存光學校正資訊,記憶體14可以是非揮發性記憶體單元所構成的記憶體陣列,例如EPROM、EEPROM、FLASH或是其組合,以供儲存在記憶體14中的光學校正資訊在斷電時依然保持,此些資訊不會流失與「揮發」。在此不對記憶體14的種類予以限制。在本實施例中,時間的順序由先到後分別是第一時間與第二時間。第一時間與第二時間的間隔是微秒(μs)等級。參數儲存命令係用於指定光學校正資訊內建儲存在記憶體14陣列中的位址與儲存順序。在記憶體14中,行解碼器、列解碼器與緩衝器的設計並非在本發明所限制的實施例中。另外,控制卡3發送一次光學校正資訊給振鏡驅動電路13,寫入次數記錄為一次。在本實施例中使用的記憶體14,若是非揮發性記憶體中的PROM(可程式化唯讀記憶體)時,光學校正資訊僅能寫入一次光學校正資訊。在本發明的另一實施例中,若記憶體14是採用如EPROM、EEPROM或是FLASH等非揮發性記憶體時,光學校正資訊可以多次的、不同方式的寫入。步驟S7完成後,隨即結束此校正流程。
在圖4的校正流程中,步驟S1至S5是稱為格點法。格點法係將影像以格點形成呈現並計算座標差異,以提供控制卡3運算補償量(光學校正資訊)。格點法使用於高精密度的打標,例如在晶圓上形成刻痕,但格點法進行時相當耗時。若是要快速進行低精度的打標,則可使用如圖5所揭露的校正流程。如圖5所示,其中步驟T1為輸入光學與機構參數,包含光學鏡片11的焦距以及縮放係數等參數。其中光學鏡片11的焦距為鏡片的光學參數,縮放係數則是用來補償在組裝過程中產生的組裝誤差。後續進行步驟T2。進行步驟T2時,控制卡3中的運算元件32利用光學與機構參數生成光學校正資訊。傳遞介面與通訊協定是同於圖4步驟S6與S7的說明。後續步驟T3與T4是同於圖4步驟S6至S7的順序與說明。圖5所揭露的校正流程與圖4所揭露的校正流程,最大差異是在,圖5中所揭露的「光學校正資訊產生方法」是根據振鏡模組1所包含的光學鏡片11的光學參數與用來補償振鏡模組1因組裝時產生的誤差而須調整的縮放係數所得到,但是圖4是根據試打點的位置運算所得。圖5所揭露的校正法又稱為理論校正法,因為校正內容不需要參考校正片A,校正過程快速又方便,故適用於需要快速校正且需求的精度不高的場合。
最後請參考圖6,圖6為根據本發明所揭露的技術,表示本發明提供之校正方法,在雷射打標機L處於一般模式下實施流程圖,其中圖6揭示了四個步驟,分別為W1~W4,以下分別詳述步驟的執行內容:
步驟W1:雷射打標機L處於一般模式時,在系統就緒後控制卡3以串列通訊方式發送參數讀取命令給振鏡驅動電路13,在本實施例中,控制卡3發送參數讀取命令給振鏡驅動電路13的方式與前述相同,於此不再多加贅述。使用者/客戶端在使用雷射打標機L時,預設的模式即為一般模式。
步驟W2:振鏡驅動電路13在第三時間接收參數讀取命令,在第四時間向記憶體14讀取光學校正資訊,並在第四時間將在第二時間內建儲存的光學校正資訊傳送給控制卡3。在本實施例中,時間的順序由先到後分別是第二時間、第三時間與第四時間。振鏡驅動電路13在第三時間接收參數讀取命令後,振鏡驅動電路13會依照指定的位址向記憶體14讀取該位址的資訊,並以串列的方式讀取。可以讀取全部在第二時間所內建儲存的光學校正資訊,或是部分的光學校正資訊。記憶體14發送一次光學校正資訊給振鏡驅動電路13,讀取次數記為一次。在本實施例中使用的記憶體14,若是非揮發性記憶體中的PROM(可程式化唯讀記憶體)時,光學校正資訊的全部或是部分可以被控制卡3讀取至少一千次,儲存在PROM的光學校正資訊被讀取後仍然全部保留在記憶體14中。在本發明的另一實施例中,當使用的記憶體14 如EPROM、EEPROM或是FLASH等非揮發性記憶體時,光學校正資訊的全部或是部分可以被控制卡3讀取至少一萬次。故為了提高讀取次數,在本發明較佳的實施例中,記憶體14可以採用如EPROM、EEPROM或是FLASH等非揮發性記憶體。
步驟W3:控制卡3運算第二時間內建儲存的光學校正資訊,並形成畸變校正表。振鏡模組1中的振鏡驅動電路13會向記憶體14讀取此光學校正資訊並將此光學校正資訊發送至控制卡3,以使控制卡3產生畸變校正表。
步驟W4:控制卡3根據畸變校正表修正發送至振鏡驅動電路13的打標命令,打標命令傳遞的方式係標準XY-100通訊,可藉由電線,以電訊號傳遞給振鏡模組1。控制卡3根據畸變校正表補償打標命令,使雷射源2產生的雷射光可以準確聚焦於樣品S上。打標完成後此流程即結束。
利用本發明所提出的校正方法,分成校正模式與一般模式,不僅可以在雷射打標機L斷電時保留光學校正資訊,且可重複地寫入以及讀取光學校正資訊,並且在每次雷射打標機L開機完成後且位於一般模式時,自動發送參數讀取命令,以使控制卡3讀取振鏡模組1內建儲存之光學校正資訊,控制卡3根據該光學校正資訊生成畸變校正表,雷射打標機L根據此畸變校正表進行雷射打標。且可以根據不同的精度的需求,選擇不同的校正方法,故具實用性與方便性。
雖然本創作以前述之較佳實施例揭露如上,然其並非用以限定本創作,任何熟習本領域技藝者,在不脫離本創作之精神和範圍內,當可作些許之更動與潤飾,因此本創作之專利保護範圍須視本說明書所附之申請專利範圍所界定者為準。
L‧‧‧雷射打標機
A‧‧‧校正片
S‧‧‧樣品
1‧‧‧振鏡模組
11‧‧‧光學鏡片
12‧‧‧振鏡電機
13‧‧‧振鏡驅動電路
14‧‧‧記憶體
2‧‧‧雷射源
21‧‧‧雷射二極體
22‧‧‧雷射控制電路
3‧‧‧控制卡
31‧‧‧監控元件
32‧‧‧運算元件
33‧‧‧儲存元件
S1-S7‧‧‧校正方法在雷射打標機處於校正模式下實施流程
T1-T4‧‧‧校正方法在雷射打標機處於一般模式下實施流程
W1-W4‧‧‧校正方法在雷射打標機處於一般模式下實施流程
圖1為根據本發明所揭露的技術,表示雷射打標機內部構件之示意圖; 圖2為根據本發明所揭露的技術,表示雷射打標機在校正模式下,內部構件訊號傳遞之示意圖; 圖3為根據本發明所揭露的技術,表示雷射打標機在一般模式下,內部構件訊號傳遞之示意圖; 圖4為根據本發明所揭露的技術,表示本發明提供之校正方法,在雷射打標機處於校正模式下實施流程圖; 圖5為根據本發明所揭露的技術,表示本發明提供之校正方法,在雷射打標機處於校正模式下,另一實施例的實施流程圖;以及 圖6為根據本發明所揭露的技術,表示本發明提供之校正方法,在雷射打標機處於一般模式下實施流程圖。
Claims (9)
- 一種雷射打標機,包括: 一控制卡,用以發送一參數讀取命令;以及 一振鏡模組,接收該參數讀取命令,且該振鏡模組內建儲存一光學校正資訊; 其中該控制卡讀取該光學校正資訊以產生一畸變校正表,使得該雷射打標機根據該畸變校正表進行一雷射打標。
- 如申請專利範圍第1項所述之雷射打標機,其中該振鏡模組包含一記憶體,用以內建儲存該光學校正資訊。
- 如申請專利範圍第2項所述之雷射打標機,其中該記憶體為非揮發性記憶體。
- 如申請專利範圍第2項所述的雷射打標機,其中該振鏡模組更包括一光學鏡片、一振鏡電機及一振鏡驅動電路。
- 如申請專利範圍第2項所述之雷射打標機,其中該記憶體更儲存一馬達控制參數或一行程極限,其中該馬達控制參數係由迴路增益、共振抑制濾波器參數、低通濾波器參數或相位領先補償器參數所構成。
- 如申請專利範圍第1項之雷射打標機,其中該控制卡包括一監控元件、一運算元件以及一儲存元件。
- 如申請專利範圍第1項之雷射打標機,其中該控制卡與該振鏡模組係透過串列通訊協定方式進行發送與接收。
- 一種應用於雷射打標機,在一振鏡模組內建光學校正資訊的方法,該雷射打標機包括一控制卡、該振鏡模組及一雷射源,其中該振鏡模組包括一光學鏡片、一記憶體、一振鏡電機及一振鏡驅動電路,該控制卡包括一監控元件、一運算元件以及一儲存元件,該校正方法包含: 利用該振鏡電機帶動該光學鏡片,藉由該光學鏡片將該雷射源的一雷射光束導向一物件的一加工平面,以該控制卡之該監控元件量測加工後的該物件的一距離誤差; 將該距離誤差輸入該控制卡,該控制卡根據該距離誤差運算得到該振鏡模組的該光學校正資訊;該控制卡將該光學校正資訊及一參數儲存命令發送給該振鏡驅動電路; 該振鏡驅動電路將該光學校正資訊內建儲存在該振鏡模組的該記憶體;以及 該控制卡發送一參數讀取命令至該振鏡模組,並讀取該振鏡模組所內建儲存之該光學校正資訊以產生一畸變校正表,使得該雷射打標機根據該畸變校正表進行一雷射打標。
- 如申請專利範圍第8項之所述之校正方法,其中該光學校正資訊係透過理論校正法取得,該理論校正法包含: 於該控制卡輸入一光學參數與一機構參數; 運算該光學參數與該機構參數;以及 生成該光學校正資訊; 其中該光學參數為該振鏡模組之鏡片的焦距,該機構參數為縮放參數。
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