TW201912283A

TW201912283A - 降低玻璃基板之殘留應力之方法及降低玻璃基板之殘留應力之裝置

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Publication number: TW201912283A
Application number: TW107126217A
Authority: TW
Inventors: 八幡恵輔; 小田晃一; 村上正直
Original assignee: 日商三星鑽石工業股份有限公司
Priority date: 2017-08-31
Filing date: 2018-07-27
Publication date: 2019-04-01
Also published as: CN109422453A; KR20190024649A; JP6931919B2; JP2019043801A

Abstract

本發明能降低與樹脂等耐熱性較低之材料形成為一體之玻璃基板之殘留應力。又，即便對因較高之殘留應力而通常於數十分鐘以內發生破壞之玻璃基板，亦能於破壞發生前降低殘留應力。降低玻璃基板G之殘留應力之方法包含雷射光掃描步驟，該雷射光掃描步驟係藉由對玻璃基板G之殘留應力較高之部分掃描雷射光點S而降低殘留應力。

Description

降低玻璃基板之殘留應力之方法及降低玻璃基板之殘留應力之裝置

本發明係關於一種降低玻璃基板之殘留應力之方法及降低玻璃基板之殘留應力之裝置。

為了將玻璃之基板按製品尺寸切出，而藉由刀輪於玻璃基板上形成劃線，然後將玻璃基板彎折，藉此沿著劃線將玻璃基板分斷(例如，參照專利文獻1)。但藉由刀輪刃所施加之力及分斷時所施加之應力會導致劃線上有殘留應力殘留。因此，容易於玻璃基板之表面沿著水平方向自然地發生龜裂，又，隨著時間經過，龜裂會藉由濕氣等進一步擴大。

又，已知有如下技術：對玻璃基板之端面(邊緣)照射雷射光，進行熔融倒角，藉此提高玻璃基板之端面之強度(例如，參照專利文獻2)。藉由該熔融倒角，基板邊緣之微細龜裂消失，端面強度提高。但於該方法中，熔融部附近會產生殘留應力。而且，由於殘留應力，基板斷裂之可能性增大。具體而言，發生內部缺陷之經時成長或後發之損失導致之破壞的可能性增大，根據殘留應力之大小，有時會於數十分鐘以內發生破壞。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開平6-144875號公報 [專利文獻2]日本專利第5245819號公報

[發明所欲解決之問題]

考慮到以上情況，先前便開發出了降低玻璃基板之邊緣之殘留應力之方法。例如，於降低玻璃基板之殘留應力之方法中，先升溫，然後再進行徐冷。具體而言，首先，將玻璃基板整體均勻地加熱至玻璃轉移點以上之溫度，其次，以該溫度保持固定時間，最後，將玻璃基板整體徐冷至常溫。一般而言，加熱、保持、徐冷之步驟需耗費數個小時以上之時間。於該方法中，具有能將玻璃基板之邊緣之殘留應力大致完全地去除之優點。又，具有能於爐內同時處理複數個玻璃基板之優點。

但因要將基板整體加熱至玻璃轉移點以上，故無法對與例如樹脂等耐熱性較低之材料形成為一體之玻璃製品加以應用。於圖22中，表示出了於玻璃基板G一體地形成有樹脂材料P1、P2之玻璃製品。又，因1次殘留應力降低處理需耗費數個小時以上之時間，故無法於產生殘留應力後立即降低殘留應力。因此，難以對因較高之殘留應力而於數十分鐘以內發生破壞之概率較高的玻璃基板加以應用。

本發明之第一目的在於，能降低與樹脂等耐熱性較低之材料形成為一體之玻璃基板之殘留應力。本發明之第二目的在於，即便對因較高之殘留應力而通常於數十分鐘以內發生破壞之玻璃基板，亦能於破壞發生前降低殘留應力。 [解決問題之技術手段]

以下，作為解決問題之技術手段，對複數個態樣進行說明。該等態樣可視需要而任意組合。

本發明之一觀點之降低玻璃基板之殘留應力之方法包含下述步驟。 ◎雷射光掃描步驟，其係藉由對玻璃基板之殘留應力較高之部分掃描雷射光而降低殘留應力。於該方法中，玻璃基板之殘留應力較高之部分被加熱，故而能降低與樹脂等耐熱性較低之材料形成為一體之玻璃基板之殘留應力。其理由在於，並非玻璃基板整體被加熱，故而對樹脂等難以造成熱之影響。又，於該方法中，只要殘留應力較高之區域之面積並非極端寬闊，便能於數十分鐘以內完成殘留應力降低處理，即便對因較高之殘留應力而通常於數十分鐘以內發生破壞之玻璃基板，亦能於破壞發生前降低殘留應力。所謂「殘留應力較高之部分被加熱」，表示玻璃基板存在不被加熱之部分。所謂「降低殘留應力」，表示內部缺陷之經時成長得到抑制，並將殘留應力降低至未被施加外力之玻璃基板於既定時間內不會斷裂之程度。

雷射光掃描步驟亦可為沿著玻璃基板之殘留應力較高之部分掃描複數道雷射光。於該方法中，雷射光掃描步驟所需之時間縮短。雷射光掃描步驟亦可為沿著玻璃基板之端面附近部分掃描雷射光。於該方法中，玻璃基板之端面附近部分被加熱，故而能降低與樹脂等形成為一體之玻璃基板之端面之殘留應力。其理由在於，並非玻璃基板整體被加熱，故而對樹脂等難以造成熱之影響。又，於該方法中，只要殘留應力較高之區域之面積並非極端寬闊，便能於數十分鐘以內完成殘留應力降低處理，即便對因較高之殘留應力而通常於數十分鐘以內發生破壞之玻璃基板，亦能於破壞發生前降低殘留應力。所謂「端面附近部分」，係指與端面及其附近對應之部分。所謂「端面附近部分被加熱」，表示於較端面附近部分靠中心側存在不被加熱之部分。

雷射光掃描步驟亦可為沿著玻璃基板之端面附近部分掃描複數道雷射光。於該方法中，雷射光掃描步驟所需之時間縮短。

本發明之另一觀點之降低玻璃基板之殘留應力之裝置具備雷射裝置。雷射裝置藉由對玻璃基板之殘留應力較高之部分掃描雷射光而降低殘留應力。於該裝置中，玻璃基板之殘留應力較高之部分被加熱，故而能降低與樹脂等耐熱性較低之材料形成為一體之玻璃基板之殘留應力。其理由在於，並非玻璃基板整體被加熱，故而對樹脂等難以造成熱之影響。又，於該裝置中，只要殘留應力較高之區域之面積並非極端寬闊，便能於數十分鐘以內完成殘留應力降低處理，即便對因較高之殘留應力而通常於數十分鐘以內發生破壞之玻璃基板，亦能於破壞發生前降低殘留應力。

雷射裝置亦可沿著玻璃基板之殘留應力較高之部分掃描複數道雷射光。於該裝置中，雷射光掃描步驟所需之時間縮短。雷射裝置亦可沿著玻璃基板之端面附近部分掃描雷射光。於該裝置中，玻璃基板之端面附近部分被加熱，故而能降低與樹脂等形成為一體之玻璃基板之端面之殘留應力。其理由在於，並非玻璃基板整體被加熱，故而對樹脂等難以造成熱之影響。又，於該裝置中，只要殘留應力較高之區域之面積並非極端寬闊，便能於數十分鐘以內完成殘留應力降低處理，即便對因較高之殘留應力而通常於數十分鐘以內發生破壞之玻璃基板，亦能於破壞發生前降低殘留應力。

雷射裝置亦可沿著玻璃基板之端面附近部分掃描複數道雷射光。於該裝置中，雷射光掃描所需之時間縮短。 [發明之效果]

根據本發明，能降低與樹脂等耐熱性較低之材料形成為一體之玻璃基板之殘留應力。其理由在於，並非玻璃基板整體被加熱，故而對樹脂等難以造成熱之影響。進而，根據本發明，只要殘留應力較高之區域之面積並非極端寬闊，便能於數十分鐘以內完成殘留應力降低處理，即便對因較高之殘留應力而通常於數十分鐘以內發生破壞之玻璃基板，亦能於破壞發生前降低殘留應力。

1.第1實施形態 (1)雷射照射裝置圖1表示本發明之一實施形態之雷射照射裝置1之整體構成。圖1係本發明之第1實施形態之雷射照射裝置之模式圖。雷射照射裝置1具有藉由將玻璃基板G之殘留應力較高之部分加熱而降低殘留應力之功能。

玻璃基板G包括僅由玻璃形成者、使玻璃組合樹脂等其他構件而成者。作為玻璃之種類之具有代表性之例，可列舉用於顯示器或儀錶面板等之鈉玻璃、無鹼玻璃，但種類並不限定於其等。關於玻璃之厚度，具體而言，為3 mm以下，例如為0.004~3 mm之範圍，較佳為0.2~0.4 mm之範圍。

雷射照射裝置1具備雷射裝置3。雷射裝置3具有用以對玻璃基板G照射雷射光之雷射振盪器15、雷射控制部17。雷射控制部17能控制雷射振盪器15之驅動及雷射功率。雷射裝置3具有將雷射光傳輸至下述機械驅動系統側之傳輸光學系統5。傳輸光學系統5例如具有聚光透鏡19、複數個反射鏡(未圖示)、稜鏡(未圖示)等。雷射照射裝置1具有藉由使透鏡之位置沿著光軸方向移動，而變更雷射光點之大小之驅動機構11。

雷射照射裝置1具有載置玻璃基板G之加工台7。加工台7係藉由台驅動部13而移動。台驅動部13具有使加工台7相對於加工頭(未圖示)沿著水平方向移動之移動裝置(未圖示)。移動裝置係具有導軌、馬達等之公知機構。

雷射照射裝置1具備控制部9。控制部9係具有處理器(例如，CPU(Central Processing Unit，中央處理單元))、記憶裝置(例如，ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)、RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)、HDD(Hard Disk Drive，硬碟驅動器)、SSD(Solid State Drives，固態驅動器)等)、各種介面(例如，A/D轉換器、D/A轉換器、通信介面等)之電腦系統。控制部9藉由執行記憶部(對應於記憶裝置之記憶區域之一部分或全部)中所保存之程式，而執行各種控制動作。控制部9可包含單個處理器，亦可包含用於各控制之獨立之複數個處理器。

控制部9能控制雷射控制部17。控制部9能控制驅動機構11。控制部9能控制台驅動部13。於控制部9，連接有檢測玻璃基板G之大小、形狀及位置之感測器，用以檢測各裝置之狀態之感測器及開關，以及資訊輸入裝置；但對此並未圖示。

(2)熔融倒角動作作為於玻璃基板G產生殘留應力之加工之例，使用圖2~圖4，說明對玻璃基板G之端面進行熔融倒角之動作。圖2係表示雷射光點之移動之玻璃基板之模式圖。圖3係經熔融倒角後之玻璃基板之截面照片。圖4係表示自經熔融倒角後之玻璃基板之端面朝向中央側的阻滯之變化之曲線圖。

如圖2所示，對著玻璃基板G，將雷射光照射至玻璃基板G之端面附近部分21，進而，沿著玻璃基板G之端面20掃描雷射光點S。此時，雷射光點S係以自玻璃基板G之端面20朝向基板內側(中央側)移動至相距例如10 μm~150 μm之位置之方式設置。

藉由如上之雷射光點S之照射及掃描，玻璃基板G之端面附近部分21被加熱。尤其是，藉由照射中紅外光之雷射光，雷射光一面透射至玻璃基板G之內部一面被吸收。因此，玻璃基板G之端面20不僅雷射光之照射面即正面側被相對較為均勻地加熱，甚至玻璃基板G之內部及背面側整體亦被相對較為均勻地加熱。故而，玻璃基板G之端面20會以基板厚度之中央部向外側鼓起之方式熔融，其結果，如圖3所示，端面20被倒角。

以上之結果，如圖4所示，於玻璃基板G之端面附近部分(例如，與端面20相距200 μm之區域)，阻滯(nm)增大。阻滯係透過物體後之光所產生之相位差，係與於物體內作用之應力成正比之值。所謂未被施加外力之物體之阻滯較高，表示殘留應力較高。

(3)殘留應力降低處理使用圖5~圖7，對將玻璃基板G之端面附近部分加熱之殘留應力降低處理進行說明。圖5係表示玻璃基板之殘留應力較高之部分之模式性俯視圖。圖6係表示玻璃基板之殘留應力較高之部分之模式性剖視圖。圖7係表示雷射光點之移動之玻璃基板之模式圖。

如圖7所示，對著加工台7上之玻璃基板G，將雷射光照射至玻璃基板G之端面附近部分21，進而，沿著玻璃基板G之端面附近部分21掃描雷射光點S。此處之端面附近部分21對應於因熔融倒角而產生了殘留應力之殘留應力產生區域Z(斜線區域)。此時，雷射光點S相比於玻璃基板G較小，例如，設定為4 μm~20 mm左右之大小。藉此，玻璃基板G之端面附近部分21得以藉由雷射光點S而加熱。

本發明人等獲得了如下發現，從而想到了本發明，所謂發現即，於殘留應力降低處理中，需將會成為高溫之區域抑制於沿著端面20之方向之狹窄範圍內。其依據如下所述。即，將雷射光點S之掃描速度設定得較慢，而將玻璃基板G加熱至玻璃轉移點以上之溫度。其結果，將成為高溫之區域不會於沿著端面20之方向上擴大，因此降低殘留應力之效果提高。相反，若將掃描速度設定得較快，則加熱至玻璃轉移點以上之溫度所需之輸出增加。若使較高輸出之雷射光點S以較快速度掃描，則將成為高溫之區域會於沿著端面20之方向上擴大，其結果，降低殘留應力之效果下降。掃描速度可為20 mm/s以下，較佳為10 mm/s以下，進而較佳為未達5 mm/s。

以上之結果，玻璃基板G之端面附近部分21(即，殘留應力產生區域Z)被加熱至玻璃轉移點以上，其結果，殘留應力降低。於該方法中，玻璃基板G之端面附近部分21被加熱(即，並非玻璃基板G整體被加熱)，故而能降低與樹脂等耐熱性較低之材料形成為一體的玻璃基板G之端面附近部分21之殘留應力。其理由在於，對樹脂等難以造成熱之影響。進而，只要殘留應力產生區域Z之面積並非極端寬闊，便能於數十分鐘以內完成殘留應力降低處理，即便對因較高之殘留應力而通常於數十分鐘以內發生破壞之玻璃基板，亦能於破壞發生前降低殘留應力。

雷射之種類(波長)並不特別限定。所需之雷射輸出係能將玻璃基板G加熱至玻璃轉移點以上之輸出。因此，於使用對玻璃之光吸收率較低之雷射之情形時，需要更高之雷射輸出。再者，於玻璃基板G之加熱部之溫度為玻璃轉移點左右之情形時，幾乎確認不到加熱部之變形。於加熱部之溫度更高之情形時，加熱部熔融，而形狀變化。雷射輸出越高，則加熱部之黏度越低，於越短時間內大幅變形。根據本發明，即便於雷射輸出較高，而玻璃基板G之形狀變形之情形時，殘留應力亦降低。其中，於對玻璃基板G之容許變形量上具有制約之製品應用本發明之情形時，應對雷射輸出設定上限，以免玻璃基板G之黏度下降而導致變形量超過容許值。

朝向玻璃基板G輸入熱之方向並不特別限定。可自玻璃基板G之正面輸入熱，亦可自背面輸入熱，或可自端面20輸入熱。於上述實施形態中，熔融倒角結束後才進行殘留應力降低處理，但亦可於一個玻璃基板G上並行實施熔融倒角加工與殘留應力降低處理。具體而言，藉由使用2道雷射光束，而於熔融倒角動作之中途開始殘留應力降低處理，自此以後兩個處理便同時進行。於該情形時，整體之處理時間縮短。再者，為使用複數道雷射光束，可準備複數個雷射振盪器，亦可使雷射光束自1個雷射振盪器分支。

(4)實驗例使用圖8~圖10，對雷射掃描方式之殘留應力降低處理之實驗例進行說明。圖8~圖10係用以將自經熔融倒角後之玻璃基板(厚度為200 μm之無鹼玻璃)之端面朝向中央側的阻滯之變化於殘留應力降低處理之前後進行比較之曲線圖。

殘留應力降低處理可利用中紅外雷射(Er光纖雷射)，或可利用遠紅外雷射(CO₂ 雷射)。Er光纖雷射之規格為：波長2.8 μm，最大輸出10 W，光吸收率約30%；實質之熱輸入為最大3 W。CO₂ 雷射之規格為：波長10.6 μm，最大輸出250 W，光吸收率約80%；實質之熱輸入為最大200 W。

(4-1)第1實驗例於圖8之熔融倒角中，使用Er光纖雷射，且條件為：光點尺寸200 μm，5 W，3 mm/s。於圖8之殘留應力降低處理中，使用Er光纖雷射，且條件為：光點尺寸2 mm，4 W，0.2 mm/s。自圖8可知，殘留應力之最大值大幅度減小。

(4-2)第2實驗例於圖9之熔融倒角中，使用Er光纖雷射，且條件為：光點尺寸200 μm，5 W，3 mm/s。於圖9之殘留應力降低處理中，使用Er光纖雷射，將以上述條件進行過熔融倒角之基板，以光點尺寸1 mm，3.5 W，1 mm/s之條件加熱。自圖9可知，殘留應力之最大值減小。

於圖8、圖9之任一實驗例中，均為如下情況，即，於進行殘留應力降低處理前，經熔融倒角後之玻璃基板於數分鐘~數日以內自發地斷裂之概率較高，而相對地，於進行過殘留應力降低處理後，即便經過1個月亦未斷裂。再者，於殘留應力降低處理中，對雷射光之功率密度進行了調整，以免玻璃熔融而形狀變化。即，於不改變經熔融倒角後之玻璃基板端面之形狀之情況下，殘留應力降低，玻璃基板自發地斷裂之概率降低。

(4-3)第3實驗例於圖10之熔融倒角中，使用Er光纖雷射，且條件為：光點尺寸200 μm，5 W，3 mm/s。於圖10之殘留應力降低處理中，使用Er光纖雷射，將以上述條件進行過熔融倒角之基板，以光點尺寸0.4 mm，4 mm/s，雷射輸出4~6 W之條件加熱。於雷射輸出為4 W之情形時，因熔融倒角而產生之殘留應力未見變化。其原因在於，雷射輸出較低，玻璃基板G之溫度未超過玻璃轉移點。於雷射輸出為5.5 W之情形時，殘留應力之最大值略微減小。又，於殘留應力較低之區域之一部分，殘留應力因熔融倒角而大幅上升。於雷射輸出為6 W之情形時，雷射輸出較高之結果，玻璃基板G熔融而變形。即便將雷射輸出設定得高達玻璃基板熔融而變形之程度，因熔融倒角而產生之殘留應力亦幾乎未降低，且於殘留應力較低之區域之一部分，殘留應力因熔融倒角而大幅上升。自圖10可知，於本實驗例中，即便調整雷射輸出，殘留應力降低效果依然較低。

(4-4)考察如上文所述，關於殘留應力降低處理之掃描速度，第1實驗例為0.2 mm/s，第2實驗例為1 mm/s，均獲得了良好之結果。但自曲線圖之比較可知，掃描速度越快，則殘留應力降低效果越低。於第3實驗例中，將掃描速度設定為更快之4 mm/s之結果，殘留應力幾乎未降低。根據上文，於本實施形態之雷射掃描方式之情形時，較佳為掃描速度較慢。具體而言，掃描速度可為20 mm/s以下，較佳為10 mm/s以下，進而較佳為未達5 mm/s。

本發明人等基於實驗及玻璃基板之溫度模擬，獲得了如下發現，從而想到了本發明，所謂發現即，於殘留應力降低處理中，需將會成為高溫之區域抑制於沿著端面20之方向之狹窄範圍內。其依據例如將藉由圖11及圖12而說明。圖11及圖12係表示殘留應力降低處理中之掃描速度不同之情形時的溫度分佈之模擬結果。圖11表示如下情形，即，雷射光點S之掃描速度慢至0.2 mm/s，殘留應力降低效果較高。因掃描速度設定得較慢，故高溫部(例如，超過300℃之區域)並非沿著端面而較長。另一方面，圖12表示如下情形，即，掃描速度快達20 mm/s，殘留應力降低效果較低。其中，以被加熱至與圖11相同之程度之溫度之方式，將雷射輸出設定得較高。與圖11相比可知，高溫部沿著端面而較長。該等結果係說明於高溫部沿著端面而較長之情形時，殘留應力降低效果較低之依據之一。

進而，本發明人等亦進行了以下所說明之實驗，從而想到了本發明。於以下所說明之實驗中，將端面附近部分21之中之1點加熱特定時間，以此代替使雷射光點S沿著端面附近部分21掃描，藉此降低了經加熱後之區域之殘留應力。圖13、圖14及圖15係表示進行特定時間加熱時之雷射光點S之形狀之變化的模式性俯視圖。

於圖13中，表示出了圓形之雷射光點S100、於與端面20正交之方向上較長之橢圓形之雷射光點S101。於圖14中，表示出了沿著端面20而較長之橢圓形之雷射光點S102、S103。於圖15中，表示出了覆蓋端面20整體且沿著端面20而較長之形狀之雷射光點S104。於使用雷射光點S100、S101、S102、S103之情形時，若調整雷射輸出及用於加熱之特定時間，則加熱區域中之殘留應力降低。其中，殘留應力降低效果之高低順序為S100≒S101＞S102＞S103。於使用雷射光點S104之情形時，即便調整雷射輸出及用於加熱之特定時間，殘留應力亦不降低。鑒於以上所示之模擬結果及實驗結果，本發明人等獲得了如下發現，從而想到了本發明，所謂發現即，於殘留應力降低處理中，需將會成為高溫之區域抑制於沿著端面20之方向之狹窄範圍內。

(5)第1變化例於第1實施形態中，對將玻璃基板G之一邊之殘留應力降低之單光束掃描處理進行了說明，但亦可藉由對玻璃基板之端面附近部分之複數處分別照射雷射光之複數光束同時掃描，將複數邊之殘留應力同時降低。使用圖16~圖18，將如此之實施例作為第1變化例而進行說明。圖16~圖18係表示雷射光點之移動之玻璃基板之模式圖。

如圖16所示，作為玻璃基板G之四邊之端面附近部分21成為殘留應力產生區域Z。如圖17所示，4個雷射光點S分別掃描4邊。藉此，如圖18所示，玻璃基板G之殘留應力降低。於該情形時，與單光束掃描處理相比，處理時間縮短。再者，雷射光點之個數亦可為2、3、5以上。

(6)第2變化例於第1實施形態中，玻璃基板G為四角形且具有複數條直線邊，但對具有曲線等之邊之玻璃基板G，亦可應用本發明。使用圖19~圖21，將如此之實施例作為第2變化例而進行說明。圖19~圖21係表示雷射光點之移動之玻璃基板之模式圖。

如圖19所示，玻璃基板G為圓形，作為外周緣整體之端面附近部分21成為殘留應力產生區域Z。如圖20所示，4個雷射光點S分別沿著圓周方向掃描外周緣之4處。作為變化例，亦可使玻璃基板G旋轉。藉此，如圖21所示，玻璃基板G之殘留應力降低。再者，雷射光點之個數亦可為2、3、5以上。又，即便於形成有圓形孔之玻璃基板G之孔之緣的端面附近部分21成為殘留應力產生區域Z之情形時，亦可應用相同之方法。

2.其他實施形態以上，對本發明之一實施形態進行了說明，但本發明並不限定於上述實施形態，而可於不脫離發明之主旨之範圍內實施各種變更。尤其是，本說明書中所述之複數個實施形態及變化例可視需要而任意組合。本發明亦會被應用於未進行熔融倒角之情形。本發明亦會被應用於殘留應力產生區域並非為玻璃基板G之端面附近部分之情形、例如為中央部分之情形。 [產業上之可利用性]

本發明可廣泛應用於降低玻璃基板之殘留應力之方法及降低玻璃基板之殘留應力之裝置。

1‧‧‧雷射照射裝置

3‧‧‧雷射裝置

5‧‧‧傳輸光學系統

7‧‧‧加工台

9‧‧‧控制部

11‧‧‧驅動機構

13‧‧‧台驅動部

15‧‧‧雷射振盪器

17‧‧‧雷射控制部

19‧‧‧聚光透鏡

20‧‧‧端面

21‧‧‧端面附近部分

G‧‧‧玻璃基板

P1‧‧‧樹脂材料

P2‧‧‧樹脂材料

S‧‧‧雷射光點

S100‧‧‧雷射光點

S101‧‧‧雷射光點

S102‧‧‧雷射光點

S103‧‧‧雷射光點

S104‧‧‧雷射光點

Z‧‧‧殘留應力產生區域

圖1係本發明之第1實施形態之雷射照射裝置之模式圖。圖2係表示雷射光點之移動之玻璃基板之模式圖。圖3係經熔融倒角後之玻璃基板之截面照片。圖4係表示自經熔融倒角後之玻璃基板之端面朝向中央側的阻滯之變化之曲線圖。圖5係表示玻璃基板之殘留應力較高之部分之模式性俯視圖。圖6係表示玻璃基板之殘留應力較高之部分之模式性剖視圖。圖7係表示雷射光點之移動之玻璃基板之模式圖。圖8係用以將自經熔融倒角後之玻璃基板之端面朝向中央側的阻滯之變化於殘留應力降低處理之前後進行比較之曲線圖。圖9係用以將自經熔融倒角後之玻璃基板之端面朝向中央側的阻滯之變化於殘留應力降低處理之前後進行比較之曲線圖。圖10係用以將自經熔融倒角後之玻璃基板之端面朝向中央側的阻滯之變化於殘留應力降低處理之前後進行比較之曲線圖。圖11係表示殘留應力降低處理中之掃描速度不同之情形時的溫度分佈之模擬結果。圖12係表示殘留應力降低處理中之掃描速度不同之情形時的溫度分佈之模擬結果。圖13係表示實施參考實驗時之雷射光點S之形狀之變化的模式性俯視圖。圖14係表示實施參考實驗時之雷射光點S之形狀之變化的模式性俯視圖。圖15係表示實施參考實驗時之雷射光點S之形狀之變化的模式性俯視圖。圖16係表示雷射光點之移動之玻璃基板之模式圖。圖17係表示雷射光點之移動之玻璃基板之模式圖。圖18係表示雷射光點之移動之玻璃基板之模式圖。圖19係表示雷射光點之移動之玻璃基板之模式圖。圖20係表示雷射光點之移動之玻璃基板之模式圖。圖21係表示雷射光點之移動之玻璃基板之模式圖。圖22係與耐熱性較低之材料形成為一體的先前之玻璃製品之模式性俯視圖。

Claims

一種降低玻璃基板之殘留應力之方法，其包含雷射光掃描步驟，該雷射光掃描步驟係藉由對上述玻璃基板之殘留應力較高之部分掃描雷射光而降低殘留應力。
如請求項1之降低玻璃基板之殘留應力之方法，其中上述雷射光掃描步驟係沿著上述玻璃基板之殘留應力較高之部分掃描複數道雷射光。
如請求項1之降低玻璃基板之殘留應力之方法，其中上述雷射光掃描步驟係沿著上述玻璃基板之端面附近部分掃描雷射光。
如請求項3之降低玻璃基板之殘留應力之方法，其中上述雷射光掃描步驟係沿著上述玻璃基板之端面附近部分掃描複數道雷射光。
一種降低玻璃基板之殘留應力之裝置，其具備雷射裝置，該雷射裝置藉由對上述玻璃基板之殘留應力較高之部分掃描雷射光而降低殘留應力。
如請求項5之降低玻璃基板之殘留應力之裝置，其中上述雷射裝置沿著上述玻璃基板之殘留應力較高之部分掃描複數道雷射光。
如請求項5之降低玻璃基板之殘留應力之裝置，其中上述雷射裝置沿著上述玻璃基板之端面附近部分掃描雷射光。
如請求項7之降低玻璃基板之殘留應力之裝置，其中上述雷射裝置沿著上述玻璃基板之端面附近部分掃描複數道雷射光。