TW201911278A - 透明的發光裝置顯示器 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種根據本申請案之例示性實施例的透明的發光元件顯示器,包括:透明基底;至少一個發光元件,設置於透明基底上;以及第一共同電極佈線部分、第二共同電極佈線部分以及信號電極佈線部分,設置於透明基底上,其中所有第一共同電極佈線部分、第二共同電極佈線部分以及信號電極佈線部分分別包括金屬網圖案,構成第一共同電極佈線部分、第二共同電極佈線部分以及信號電極佈線部分的金屬網圖案中的每一者具有20%或小於20%的線寬標準差、10%或小於10%的間距標準差以及10%或小於10%的線高標準差,且金屬網圖案設置於具有透明基底上之總面積的80%或大於80%面積的區域中。

Description

透明的發光裝置顯示器
本申請案主張2017年7月28日於韓國智慧財產局申請的韓國專利申請案第10-2017-0096101號的優先權及權益,所述專利申請案的全部內容以引用的方式併入本文中。
本申請案是關於一種發光元件顯示器。
最近在韓國,經由對尖端ICT技術與尖端LED技術進行融合而在公園及市中心建立了各種類型的景物照明以及華麗招牌,進而為城市居民提供資訊及壯麗景觀。特定言之,由透明電極材料製成的透明LED顯示器藉由在玻璃(glass)與玻璃(glass)之間應用LED來組態,且具有因電線不可見而可形成奢華外觀的優勢。出於此原因,利用透明LED顯示器在旅館、百貨商店及類似場所中進行內部裝飾,且所述透明LED顯示器增加了實施建築物之外壁的媒體立面的重要性。
對於透明電極(其為透明的)的需求允許電力穿過其流動,且因此用於觸控式螢幕或類似者,隨智慧型元件廣泛使用而呈指數增加,且透明電極當中最廣泛使用的透明電極為氧化銦錫(indium tin oxide;ITO),所述氧化銦錫為銦與錫的氧化物。然而,作為ITO透明電極材料的主要成份的銦僅於諸如中國的一些國家中生產,銦的量在全球儲備較少,且生產銦需要大量成本。另外,銦具有高阻抗值及不一致的阻抗值,且因此具有所發射LED光不能呈現所要亮度及恆定亮度的缺點。出於此原因,存在不能將利用ITO的透明LED用作高效能且低價格的透明電極材料的限制。
實際上,ITO已用作具有最大市場份額的透明電極材料,但由於在經濟可行性、限制性效能及類似方面的限制,因而正在不斷地進行利用新型材料的研究及技術開發。存在作為透明電極材料的金屬網(metal mesh)、奈米線(Ag奈米線(Ag nanowire))、碳奈米管(carbon nanotube;CNT)、導電聚合物、石墨烯(graphene)及類似者,所述透明電極材料作為下一代材料而引人注意。在所述材料當中,金屬網為佔據取代ITO的材料的85%的新型材料,且金屬網價格低並具有高導電性,以使得就利用角度而言,擴增了與金屬網相關的市場。
利用金屬網的透明LED顯示器具有比相關技術中的透明顯示器更好的導電性,使其易於執行維護、節省資源、極大降低環境污染,且具有由製造成本的減少產生的經濟可行性。另外,金屬網可廣泛應用於各種目的,且有可能應用及利用為用於各種產品的新型透明電極材料。
[ 技術難題 ] 本申請案已作出努力以提供使用金屬網圖案的透明的發光元件顯示器。
[ 技術解決方案 ] 本申請案的例示性實施例提供一種透明的發光元件顯示器,包括:透明基底;至少一個發光元件,設置於透明基底上;以及第一共同電極佈線部分、第二共同電極佈線部分以及信號電極佈線部分,設置於透明基底上,其中所有第一共同電極佈線部分、第二共同電極佈線部分以及信號電極佈線部分分別包括金屬網圖案,構成第一共同電極佈線部分、第二共同電極佈線部分以及信號電極佈線部分的金屬網圖案中的每一者具有20%或小於20%的線寬標準差、10%或小於10%的間距標準差以及10%或小於10%的線高標準差,且金屬網圖案設置於具有透明基底上之總面積的80%或大於80%面積的區域中。
[ 有利效應 ] 根據本申請案的例示性實施例,將具有相同線寬、相同線高以及相同間距的金屬網圖案應用於第一共同電極佈線部分、第二共同電極佈線部分以及信號電極佈線部分,且因而有可能降低佈線識別。另外,因為金屬網圖案設置於透明基底上之除設置有發光元件的區域以外的有效螢幕部分之整個區域內,所以有可能藉由使共同電極佈線部分的面積最大化來降低阻抗。
另外,根據本申請案的例示性實施例,有可能藉由使斷開部分的寬度最小化來降低佈線識別,所述斷開部分分離第一共同電極佈線部分、第二共同電極佈線部分以及信號電極佈線部分的金屬網圖案。
在下文中,將詳細地描述本申請案。
透明LED顯示器藉由提供資訊服務及形成風景來為城市居民提供各種壯麗景觀,且各種領域增加對於透明LED顯示器的需求。實際上迄今為止,ITO已用作具有最大市場份額的透明電極材料,但由於在經濟可行性、限制性效能及類似方面的限制,因而正在不斷地進行利用新型材料的研究及技術開發。
更具體言之,藉由使用Ag奈米線或透明金屬氧化物(ITO、IZO等)來形成透明電極佈線以便實施相關技術中的透明LED顯示器。然而,因為Ag奈米線或透明金屬氧化物(ITO、IZO等)具有高阻抗,操作LED的數目受限,且因而存在對增大透明LED顯示器的面積的限制。另外,在增加Ag奈米線或透明金屬氧化物的厚度以降低阻抗的情況下,此處出現透明LED顯示器的透射性降低的問題。
因此,本申請案的特徵在於將金屬網圖案應用於透明的發光元件顯示器的透明電極佈線,以便提供具有極佳阻抗特性及可見性的透明的發光元件顯示器。
根據本申請案的例示性實施例的透明的發光元件顯示器包括:透明基底;至少一個發光元件,設置於透明基底上;以及第一共同電極佈線部分、第二共同電極佈線部分及信號電極佈線部分,設置於透明基底上,其中所有第一共同電極佈線部分、第二共同電極佈線部分以及信號電極佈線部分分別包括金屬網圖案,構成第一共同電極佈線部分、第二共同電極佈線部分以及信號電極佈線部分的金屬網圖案中的每一者具有20%或小於20%的線寬標準差、10%或小於10%的間距標準差以及10%或小於10%的線高標準差,且金屬網圖案設置於具有透明基底上之總面積的80%或大於80%面積的區域中。
在本申請案的例示性實施例中,使發光元件與第一共同電極佈線部分、第二共同電極佈線部分以及信號電極佈線部分電連接的至少四個電極襯墊部分可設置於透明基底與發光元件之間。在此情況下,如待於下文描述的圖3及圖4中所說明,在至少四個電極襯墊部分之間的區域中的至少一部分內可能並未設置金屬網圖案。
在本申請案的例示性實施例中,可於透明基底上設置兩個或大於兩個發光元件,且兩個或大於兩個發光元件可經串聯連接至信號電極佈線部分。發光元件的數目不受特定限制,且可藉由本領域的技術人員考慮到透明的發光元件顯示器的目的或類似者來適當地選擇。更具體言之,發光元件的數目與電極的阻抗有關,且若電極具有足夠低的阻抗且顯示器具有較大面積,則可增加發光元件的數目。在面積保持相同的狀態下,若發光元件的數目增加,則分辨率增大,且在間隔保持相同的狀態下,若發光元件的數目增加,則顯示器的面積增大,以使得電力供應單元的電線線路可減少,且因而發光元件的數目可藉由本領域的技術人員考慮到透明的發光元件顯示器的目的或類似者來適當地選擇。
在本申請案的例示性實施例中,兩個或大於兩個發光元件可經串聯連接至信號電極佈線部分且串聯連接至第一共同電極佈線部分及第二共同電極佈線部分。第一共同電極佈線部分及第二共同電極佈線部分提供足以操作發光元件的電流量,且因為有可能在發送發光元件的顏色信號時以僅低電流來發送信號,所以發光元件可經串聯連接至信號電極佈線部分。若不同於本申請案中的結構,各別電極並聯連接至電源單元以操作所有的發光元件且發送信號,則所有的各別電極寬度需要彼此不同以根據發光元件之間的佈置距離來調整阻抗值(連接至最遠發光元件的電極具有最大寬度),且由於對電極佈置區域的空間限制而難以實施低阻抗電極,此是因為設置有多個發光元件。
在本申請案的例示性實施例中,信號電極佈線部分可設置於第一共同電極佈線部分與第二共同電極佈線部分之間。
在本申請案的例示性實施例中,第一共同電極佈線部分可為(+)共同電極佈線部分,且第二共同電極佈線部分可為(-)共同電極佈線部分。另外,第一共同電極佈線部分可為(-)共同電極佈線部分,且第二共同電極佈線部分可為(+)共同電極佈線部分。
在下圖1中,示意性地說明根據本申請案的例示性實施例的透明的發光元件顯示器的電極佈線。
根據本申請案的例示性實施例,通道形成為具有其中信號電極佈線部分穿經(+)共同電極佈線部分與(-)共同電極佈線部分之間的結構,以使得每一發光元件的電極佈線並不延伸且可作為共同電極連接至(+)共同電極佈線部分及(-)共同電極佈線部分。在以下圖2中,示意性地說明根據本申請案的例示性實施例的透明的發光元件顯示器中的電極之間的信號傳輸及電源流動。
在本申請案的例示性實施例中,使發光元件與第一共同電極佈線部分、第二共同電極佈線部分以及信號電極佈線部分電連接的至少四個電極襯墊部分可設置於透明基底與發光元件之間。根據本申請案的例示性實施例,使發光元件與第一共同電極佈線部分、第二共同電極佈線部分以及信號電極佈線部分連接的四個電極襯墊部分可設置於透明基底與發光元件之間。
在本申請案的例示性實施例中,四個電極襯墊部分可包括兩個信號電極襯墊部分、一個第一共同電極襯墊部分以及一個第二共同電極襯墊部分。兩個信號電極襯墊部分為發光元件的信號進-出(in-out)襯墊部分,且可分別經置於信號電極佈線部分的末端處,且第一共同電極襯墊部分及第二共同電極襯墊部分可分別設置於第一共同電極佈線部分的末端及第二共同電極佈線部分的末端處。末端意指其中發光元件設置於其上部側處的區域,且第一共同電極佈線部分、第二共同電極佈線部分以及信號電極佈線部分經電連接至發光元件。
另外,至少一個電容器襯墊部分可另外包括於透明基底上。在本申請案的例示性實施例中,電容器襯墊部分的數目可為兩個。
電容器襯墊部分為附接有電容器的襯墊,且電容器可用以穩定待供應至發光元件的電流。
下圖3及圖4為各自示意性說明根據本申請案的例示性實施例的透明的發光元件顯示器的電極襯墊部分的視圖。圖3及圖4為說明設置有四個電極襯墊部分及兩個電容器襯墊部分的情況的視圖。
更具體言之,在圖3及圖4中,部分A說明(+)共同電極佈線部分,部分B說明(-)共同電極佈線部分,且部分C說明信號電極佈線部分。另外,在圖3及圖4中,電極襯墊部分1及電極襯墊部分2為發光元件的信號進-出(in-out)襯墊部分,亦即經設置以連接至信號電極佈線部分的末端的電極襯墊部分;電極襯墊部分3為發光元件的(+)襯墊部分,亦即經設置以連接至(+)共同電極佈線部分的末端的電極襯墊部分;且電極襯墊部分4為發光元件的(-)襯墊部分,亦即經設置以連接至(-)共同電極佈線部分的末端的電極襯墊部分。另外,電容器襯墊部分5為電容器(capasitor)(+)襯墊部分,且電容器襯墊部分6為電容器(capasitor)(-)襯墊部分。
部分A、部分B以及部分C包括金屬網圖案,且金屬網圖案未設置於電極襯墊部分1至電極襯墊部分4之間。另外,電極襯墊部分1至電極襯墊部分4以及電容器襯墊部分5及電容器襯墊部分6不包括金屬網圖案,且襯墊部分中的每一者的整個區域可由金屬製成。更具體言之,因為電極襯墊部分及電容器襯墊部分為待由焊接發光元件覆蓋的部分,所以電極襯墊部分及電容器襯墊部分不包括金屬網圖案,且襯墊部分中的每一者的整個區域可由金屬製成。
電極襯墊部分與電容器襯墊部分之間的間隔可各自獨立地為0.1毫米(mm)至1毫米。藉由前述間隔,考慮到當用焊錫膏執行網版印刷以用於稍後形成發光元件時的公差,有可能防止短路。
電極襯墊部分及電容器襯墊部分中的每一者的形狀不受特定限制,且可為四邊形形狀。另外,電極襯墊部分及電容器襯墊部分中的每一者的大小可為(但不僅限於)0.1平方毫米(mm2 )至1平方毫米。
四個電極襯墊部分可接合至一個發光元件。亦即,在本申請案的例示性實施例中,在多個發光元件設置於透明基底上的情況下,各別發光元件可接合至四個電極襯墊部分。
在本申請案的例示性實施例中,第一共同電極佈線部分、第二共同電極佈線部分以及信號電極佈線部分可分別包括金屬網圖案,所述金屬網圖案具有相同線寬、相同線高以及相同間距。在本申請案中,其中金屬網圖案具有相同線寬的組態意謂線寬標準差為20%或小於20%,特定言之10%或小於10%,且更特定言之5%或小於5%。另外,在本申請案中,其中金屬網圖案具有相同線高的組態意謂線高標準差為10%或小於10%,特定言之5%或小於5%,且更特定言之2%或小於2%。另外,在本申請案中,其中金屬網圖案具有相同間距的組態意謂間距標準差為10%或小於10%,特定言之5%或小於5%,且更特定言之2%或小於2%。
在本申請案的例示性實施例中,金屬網圖案可設置於透明基底上之除設置有發光元件的區域以外的有效螢幕部分的整個區域內。更具體言之,金屬網圖案可設置於具有透明基底上之總面積的80%或大於80%及99.5%或小於99.5%面積的區域內。另外,基於透明基底上的總面積,金屬網圖案可設置於具有除設置於透明基底上的FPCB襯墊部分區域及發光元件襯墊部分區域以外的區域之面積的80%或大於80%及99.5%或小於99.5%面積的區域內。在本申請案中,FPCB襯墊部分區域可包括用於施加外部電力的FPCB襯墊部分,且FPCB襯墊部分區域的面積可等於或大於FPCB襯墊部分的總面積且等於或小於FPCB襯墊部分的總面積的3倍。另外,在本申請案中,發光元件襯墊部分區域包括電極襯墊部分,且發光元件襯墊部分區域的面積可等於或大於電極襯墊部分的總面積的1.5倍且等於或小於電極襯墊部分的總面積的3倍。
在本申請案的例示性實施例中,金屬網圖案可滿足以下表達式1。 [表達式1] (P - W)2 / P2 ≥ 0.8
在表達式1中,P表示金屬網圖案的間距,且W表示金屬網圖案的線寬。
在本申請案的例示性實施例中,技術領域中的圖案形狀可用作第一共同電極佈線部分、第二共同電極佈線部分以及信號電極佈線部分的金屬網圖案。更具體言之,金屬網圖案可包括具有三角形、四邊形、五邊形、六邊形以及八邊形中的一或多種形狀的多邊形圖案。
金屬網圖案可包括直線、曲線或由直線或曲線形成的閉合曲線。
因為金屬網圖案可設置於透明基底之上部表面的除設置有發光元件的區域以外的有效螢幕部分的整個區域內,所以有可能獲得最大限度可接受的佈線區域,且因此有可能改進透明的發光元件顯示器的阻抗特性。更具體言之,金屬網圖案的表面阻抗可為0.1歐姆/平方或小於0.1歐姆/平方(Ω/sq)。
金屬網圖案的間距可為100微米(µm)至1,000微米、100微米至600微米,或100微米至300微米,但金屬網圖案的間距可藉由本領域的技術人員根據所要透射率及導電性來調整。
金屬網圖案的材料不受特定限制,但可包括一或多種類型的金屬及金屬合金。金屬網圖案可包括(但不僅限於)金、銀、鋁、銅、釹、鉬、鎳或其合金。
金屬網圖案的線高不受特定限制,但就金屬網圖案的導電性及形成製程的經濟可行性而言,可為3微米或大於3微米及20微米或小於20微米,或10微米或小於10微米。更具體言之,金屬網圖案的線高可為3微米至20微米,或3微米至10微米。
金屬網圖案的線寬可為(但不僅限於)50微米或小於50微米、25微米或小於25微米,或20微米或小於20微米。金屬網圖案的較小線寬在透射率及佈線識別方面可為有利的,但可能導致阻抗的減小,且在此情況下,阻抗的減小可藉由增加金屬網圖案的線高來改進。金屬網圖案的線寬可為5微米或大於5微米。
未由圖案覆蓋的金屬網圖案的孔徑比(亦即面積比)可為70%或大於70%、85%或大於85%,或95%或大於95%。
根據本申請案的例示性實施例,將具有相同線寬、相同線高以及相同間距的金屬網圖案應用於第一共同電極佈線部分、第二共同電極佈線部分以及信號電極佈線部分,且因而有可能降低佈線識別。若第一共同電極佈線部分、第二共同電極佈線部分以及信號電極佈線部分的金屬網圖案不具有相同線寬、相同間距或相同線高,則佈線部分的識別可提高,其並非較佳的。
在本申請案的例示性實施例中,第一共同電極佈線部分、第二共同電極佈線部分以及信號電極佈線部分的金屬網圖案可藉由其中未設置金屬網圖案的斷開部分而彼此分離。斷開部分意指其中金屬網圖案的一部分斷開且電連接斷開的區域。斷開部分的寬度可意指彼此間隔開的第一共同電極佈線部分、第二共同電極佈線部分以及信號電極佈線部分的最近末端之間的距離。斷開部分的寬度可為(但不僅限於)80微米或小於80微米、60微米或小於60微米、40微米或小於40微米,或30微米或小於30微米。斷開部分的寬度可為5微米或大於5微米。
在下圖5中,示意性地說明根據本申請案的例示性實施例的金屬網圖案70,且在下圖6中,示意性地說明相關技術中的金屬網圖案70。
另外,在下圖8中,示意性地說明根據本申請案的例示性實施例的金屬網圖案的線寬(80)、線高(90)以及間距(100)。可藉由使用技術領域中所已知的方法來量測金屬網圖案的線寬、線高以及間距。舉例而言,可使用觀測及量測SEM橫截面的方法、使用非接觸式表面形狀量測器(光學測繪器(optical profiler))的量測方法、使用觸針式表面輪廓儀(Alpha-Step或Surfacer Profiler)的量測方法或類似方法。
根據本申請案的例示性實施例,有可能藉由使斷開部分的寬度最小化來降低佈線識別,所述斷開部分分離第一共同電極佈線部分、第二共同電極佈線部分以及信號電極佈線部分的金屬網圖案。
在本申請案的例示性實施例中,第一共同電極佈線部分、第二共同電極佈線部分以及信號電極佈線部分的金屬網圖案可分別藉由獨立印刷製程來形成,或可同時藉由一種印刷製程來形成。因此,第一共同電極佈線部分、第二共同電極佈線部分以及信號電極佈線部分的金屬網圖案可具有相同線寬、相同間距以及相同線高。
在本申請案的例示性實施例中,由於使用印刷方法來形成第一共同電極佈線部分、第二共同電極佈線部分以及信號電極佈線部分的金屬網圖案,因而第一共同電極佈線部分、第二共同電極佈線部分以及信號電極佈線部分的金屬網圖案(具有薄且精確的線寬)可形成於透明基底上。可將諸如平板印刷、網版印刷、凹版印刷、可撓版印刷、噴墨印刷以及奈米壓印的印刷方法用作所述印刷方法,但印刷方法不受特定限制,且亦可使用一或多種方法的組合。可將卷對卷(roll to roll)法、卷對板(roll to plate)法、板對卷(plate to roll)法或板對板(plate to plate)法用作印刷方法。
在本申請案的例示性實施例中,可應用逆向平版印刷法來實施精確金屬網圖案。為此目的,在本申請案中,可執行一種方法,其中將在執行蝕刻時可充當抗蝕劑的印墨完全塗覆至稱作毯狀層的矽酮類橡膠上,藉由使用具有雕花圖案的凹雕板(稱作印版)首先移除不必要部分,其次將殘留於毯狀層上的印刷圖案轉印至諸如其上沈積有金屬或類似者的膜或玻璃的基底上,且隨後轉印圖案經受燒製製程及蝕刻製程以形成所要圖案。在此方法中,因為使用了其上沈積有金屬的基底,所以在整個區域內確保線高的均勻度,以使得存在可均勻地維持厚度方向上的阻抗的優勢。另外,在本申請案中,印刷方法可包括藉由直接印刷形成所要圖案且隨後藉由使用前述逆向平版印刷方法來燒製導電印墨的直接印刷方法。在此情況下,藉由按壓力來使圖案的線高平坦化,且可藉由加熱燒製製程、微波燒製製程、雷射部分燒製製程或形成藉由金屬奈米粒子的相互表面融合產生的連接的類似製程來賦予導電性。
在本申請案的例示性實施例中,技術領域中已知的玻璃基底或塑膠基底可用作透明基底,但透明基底不受特定限制。
在本申請案的例示性實施例中,設置於透明基底上的發光元件可藉由使用技術領域中已知的材料及方法來形成。[ 發明模式 ]
在下文中,將經由實例來舉例說明本說明書中所描述的例示性實施例。然而,例示性實施例的範疇並不意欲受限於以下實例。 實例 實驗實例 1 實驗實例 4>
將藉由用Cu鍍敷透明膜(SKC的聚酯膜(polyester film)V7200)所製成的原料及乾膜抗蝕劑(dry film resist,DFR)(旭化成化學工業(Asahi Chemical Industry)的SPG-152)進行層壓。其後,在圖案罩幕附接至其上的狀態下執行曝光,且隨後執行顯影,以使得形成所要DFR圖案。此後,執行Cu蝕刻及DFR分離以製造所要Cu佈線圖案(Cu佈線圖案設置於具有透明膜上的整個面積的80%或大於80%面積的區域內)。Cu佈線圖案形成為具有下圖3中所說明的結構,且Cu佈線圖案的線寬、間距、線高、斷開部分的寬度以及類似者展示於下表1中。Cu佈線圖案的線寬標準差、間距標準差、線高標準差、斷開部分的寬度標準差以及類似者為2%或小於2%。
藉由網版印刷將低溫焊錫膏(solder paste)印刷至電極襯墊部分上,且隨後將LED安裝於焊錫膏(solder paste)上。此後,在約170℃下執行焊錫膏回焊(solder paste reflow)製程,以使得焊錫膏(solder paste)中的金屬黏結且使電極襯墊部分與LED襯墊部分相接合。 [表1]
以裸眼在30公分(cm)的間隔距離下,基於對斷開及通道的識別來判定佈線識別。
基於0.5公尺 × 0.5公尺(m)的薄片中的484個LED中的所有的照明來判定LED照明,當484個LED中的所有均接通時,LED照明經評估為OK,且當存在未接通之LED時,LED照明經評估為NG。
在下圖7中,示意性地說明由根據本申請案的例示性實施例的透明的發光元件顯示器操作的影像。
藉由使用電色工業株式會社(Nippon Denshoku Industries Co. Ltd.)的COH-400來量測透射率。 比較例 1>
除在實驗實例1中電極佈線單獨地形成於各別LED中以外,以與實驗實例1相同的方式來製造比較例1。在下表2中,展示比較例1的Cu佈線圖案的線寬、間距、線高、斷開部分的寬度以及類似者。 [表2]
基於電源單元中的行中的最後一個LED的電極佈線阻抗來量測線性阻抗。
對實驗實例1中的最後一個LED維持20毫米的電極寬度(LED之間的間隔),但在其中電極佈線形成於比較例1中的各別LED中的情況下,因為電極寬度經分割且分佈以等化各別LED的阻抗,所以行中的最後一個LED的佈線寬減小至1.74毫米。
因為於單行中以20毫米的間隔安置22個LED,所以最後一個LED的電極長度在實驗實例1中為440毫米,而因為LED之間的20毫米的間隔增添至440毫米,所以在比較例1中電極長度為460毫米。
如結果中所見,根據本申請案的例示性實施例,因為將具有相同線寬、相同線高以及相同間距的金屬網圖案應用於第一共同電極佈線部分、第二共同電極佈線部分以及信號電極佈線部分,所以有可能降低佈線識別。另外,因為金屬網圖案設置於透明基底的上部表面上之除設置有發光元件的區域以外的有效螢幕部分的整個區域內,所以有可能藉由使共同電極佈線部分的面積最大化來降低阻抗。
另外,根據本申請案的例示性實施例,有可能藉由使斷開部分的寬度最小化來降低佈線識別,所述斷開部分分離第一共同電極佈線部分、第二共同電極佈線部分以及信號電極佈線部分的金屬網圖案。
1、2、3、4‧‧‧電極襯墊部分
5、6‧‧‧電容器襯墊部分
10‧‧‧第一共同電極佈線部分
20‧‧‧第二共同電極佈線部分
30‧‧‧發光元件
40‧‧‧電源單元
50‧‧‧信號電極佈線部分
60‧‧‧斷開部分
70‧‧‧金屬網圖案
80‧‧‧線寬
90‧‧‧線高
100‧‧‧間距
110‧‧‧透明基底
A、B、C‧‧‧部分
圖1為示意性說明根據本申請案的例示性實施例的透明的發光元件顯示器的電極佈線的視圖。 圖2為示意性說明根據本申請案的例示性實施例的透明的發光元件顯示器中的電極之間的信號傳輸及電源流動。 圖3及圖4為各自示意性說明根據本申請案的例示性實施例的透明的發光元件顯示器的電極襯墊部分的視圖。 圖5為示意性說明根據本申請案的例示性實施例的金屬網圖案的視圖。 圖6為示意性說明相關技術中的金屬網圖案的視圖。 圖7為示意性說明根據本申請案的例示性實施例的藉由透明的發光元件顯示器操作的影像的視圖。 圖8為示意性說明根據本申請案的例示性實施例的金屬網圖案的線寬、線高以及間距的視圖。

Claims (13)

  1. 一種透明的發光元件顯示器,包括: 透明基底; 至少一個發光元件,設置於所述透明基底上;以及 第一共同電極佈線部分、第二共同電極佈線部分以及信號電極佈線部分,設置於所述透明基底上, 其中所有所述第一共同電極佈線部分、所述第二共同電極佈線部分以及所述信號電極佈線部分分別包括金屬網圖案, 構成所述第一共同電極佈線部分、所述第二共同電極佈線部分以及所述信號電極佈線部分的所述金屬網圖案中的每一者具有20%或小於20%的線寬標準差、10%或小於10%的間距標準差以及10%或小於10%的線高標準差,以及 所述金屬網圖案設置於具有所述透明基底上之總面積的80%或大於80%面積的區域中。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的透明的發光元件顯示器,其中使所述發光元件與所述第一共同電極佈線部分、所述第二共同電極佈線部分以及所述信號電極佈線部分電連接的至少四個電極襯墊部分設置於所述透明基底與所述發光元件之間。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的透明的發光元件顯示器,其中所述至少四個電極襯墊部分包括兩個信號電極襯墊部分、一個第一共同電極襯墊部分以及一個第二共同電極襯墊部分。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的透明的發光元件顯示器,其中設置所述兩個或大於兩個發光元件,且所述兩個或大於兩個發光元件串聯連接至所述信號電極佈線部分。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的透明的發光元件顯示器,其中所述信號電極佈線部分設置於所述第一共同電極佈線部分與所述第二共同電極佈線部分之間。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的透明的發光元件顯示器,其中所述金屬網圖案滿足以下表達式1, [表達式1] (P - W)2 / P2 ≥ 0.8 其中P表示所述金屬網圖案的所述間距,且W表示所述金屬網圖案的所述線寬。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的透明的發光元件顯示器,其中所述金屬網圖案的表面阻抗為0.1歐姆/平方或小於0.1歐姆/平方。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的透明的發光元件顯示器,其中所述金屬網圖案的所述線寬為50微米或小於50微米,所述金屬網圖案的所述間距為100微米至1,000微米,且所述金屬網圖案的所述線高為3微米或大於3微米。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的透明的發光元件顯示器,其中所述第一共同電極佈線部分、所述第二共同電極佈線部分以及所述信號電極佈線部分的所述金屬網圖案分別藉由斷開部分而彼此分離,其中未設置金屬網圖案,且所述斷開部分的寬度為80微米或小於80微米。
  10. 如申請專利範圍第2項所述的透明的發光元件顯示器,其中所述電極襯墊部分的大小各自獨立地為0.1平方毫米至1平方毫米。
  11. 如申請專利範圍第2項所述的透明的發光元件顯示器,其中所述至少四個電極襯墊部分之間的間隔各自獨立地為0.1毫米至1毫米。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的透明的發光元件顯示器,其中所述金屬網圖案包括金、銀、鋁、銅、釹、鉬、鎳或其合金。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的透明的發光元件顯示器,更包括: 所述透明基底上的至少一個電容器襯墊部分。
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