TW201906194A - 半導體結構 - Google Patents

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Abstract

一種半導體結構包括第一型摻雜半導體層、發光層、包括多個Alx Iny Ga1-x-y N層、至少一GaN系層以及歐姆接觸層的第二型摻雜半導體層。發光層配置於第一型摻雜半導體層上，且第二型摻雜半導體層配置於發光層上。多個Alx Iny Ga1-x-y N層堆疊在發光層上，其中x及y係滿足0＜x＜1、0≤y＜1以及0＜x+y＜1之數值。GaN系層介於多個Alx Iny Ga1-x-y N層的其中兩者之間，以及歐姆接觸層配置於多個Alx Iny Ga1-x-y N層上。

Description

半導體結構
本發明是有關於一種半導體結構，且特別是有關於一種包括氮化鎵系材料的半導體結構。
近年來，發光二極體（light emitting diodes, LED）的應用面日趨廣泛，已成為日常生活中不可或缺的重要元件，且發光二極體可望取代現今的照明設備，成為未來新世代的固態照明元件，因此發展高節能、高效率及更高功率之發光二極體將會是未來趨勢。氮化物LED由於具有元件體積小、無汞汙染、發光效率高及壽命長等優點，已成為最新興光電半導體材料之一，而三族氮化物之發光波長幾乎涵蓋了可見光之範圍，更使其成為極具潛力之發光二極體材料。
一般而言，氮化鎵系半導體已經被廣泛地應用於藍色/綠色發光二極體。發光裝置的主動層通常包括井層（well layer）和阻障層（barrier layer），且發光裝置包括InGaN之井層可以應用於發射近紫外光。
由於在井層發射至外部的光會穿過阻障層和接觸層，所以多個半導體層位於光的穿透路徑上。因此，半導體層的光吸收度以及導電性需要被加以控制。
本發明提供一種半導體結構，其具有高發光效率以及高導電性。
為了達到上述實施目的，在本發明的一實施例的半導體結構包括第一型摻雜半導體層、發光層、包括多個Alx Iny Ga1-x-y N層、至少一GaN系層以及歐姆接觸層的第二型摻雜半導體層。發光層配置於第一型摻雜半導體層上，而第二型摻雜半導體層配置於發光層上。多個Alx Iny Ga1-x-y N層堆疊在發光層上，其中x及y係滿足0＜x＜1、0≤y＜1以及0＜x+y＜1之數值，而GaN系層介於多個Alx Iny Ga1-x-y N層的其中兩者之間，以及歐姆接觸層配置於多個Alx Iny Ga1-x-y N層上。
在本發明的一實施例中，上述的多個Alx Iny Ga1-x-y N層包括AlInGaN系的應力控制層，以及AlInGaN系的載子阻隔層， AlInGaN系的應力控制層配置於發光層與AlInGaN系的載子阻隔層之間。
在本發明的一實施例中，上述的AlInGaN系的應力控制層摻雜的第二型摻質濃度高於1019 cm-3 。
在本發明的一實施例中，上述的多個Alx Iny Ga1-x-y N層包括第一AlInGaN系層，配置於所述發光層上。第二AlInGaN系層，配置於第一AlInGaN系層上。第一AlInGaN系層摻雜碳。
在本發明的一實施例中，上述的第一AlInGaN系層摻雜的碳濃度大於5×1017 cm-3 。
在本發明的一實施例中，上述的第二AlInGaN系層摻雜的氫濃度大於1018 cm-3 。
在本發明的一實施例中，上述的發光層包括濃度大於1017 cm-3 的第一型摻質。
在本發明的一實施例中，上述的發光層包括多重量子井結構，多重量子井結構包括交替堆疊的多個井層以及多個阻障層，而多個Alx Iny Ga1-x-y N層的銦濃度小於多重量子井結構中每一井層的銦濃度。
在本發明的一實施例中，上述的GaN系層包括具有第一濃度的第二型摻質，多個Alx Iny Ga1-x-y N層包括具有第二濃度的第二型摻質，且第一濃度大於第二濃度。
在本發明的一實施例中，上述的半導體結構更包括基板。第一型摻雜半導體層配置於基板上，且介於發光層與基板之間。
在本發明的一實施例中，上述的半導體結構更包括超晶格層，配置於發光層與第一型摻雜半導體層之間。
為了達到上述實施目的，在本發明的一實施例的半導體結構包括第一型摻雜半導體層、發光層、包括第一AlInGaN系層、第二AlInGaN系層、至少一GaN系層以及歐姆接觸層的第二型摻雜半導體層。發光層配置於第一型摻雜半導體層上，且發光層包括濃度大於1017 cm-3 的矽。第二型摻雜半導體層配置於發光層上。第一AlInGaN系層配置於發光層上並摻雜碳。第二AlInGaN系層，配置於第一AlInGaN系層上，而GaN系層介於第一AlInGaN系層與第二AlInGaN系層之間。歐姆接觸層配置於第二AlInGaN系層上。
在本發明的一實施例中，上述的第一AlInGaN系層摻雜的碳濃度大於5×1017 cm-3 。
在本發明的一實施例中，上述的第二AlInGaN系層摻雜的氫濃度大於1018 cm-3 。
在本發明的一實施例中，上述的發光層包括多重量子井結構，多重量子井結構包括交替堆疊的多個井層以及多個阻障層，而第一AlInGaN系層的銦濃度小於多重量子井結構中每一井層的銦濃度。
在本發明的一實施例中，上述的發光層包括多重量子井結構，多重量子井結構包括交替堆疊的多個井層以及多個阻障層，而第二AlInGaN系層的銦濃度小於多重量子井結構中每一井層的銦濃度。
在本發明的一實施例中，上述的GaN系層包括具有第一濃度的第二型摻質，多個Alx Iny Ga1-x-y N層包括具有第二濃度的第二型摻質，且第一濃度大於第二濃度。
在本發明的一實施例中，上述的半導體結構更包括基板。第一型摻雜半導體層配置於基板上，且介於發光層與基板之間。
在本發明的一實施例中，上述的半導體結構更包括超晶格層，配置於發光層與第一型摻雜半導體層之間。
基於上述，依本發明的實施例的半導體結構至少具有以下的優點。在本發明的實施例中，GaN系層在半導體結構中的發光層上的多個Alx Iny Ga1-x-y N層的其中兩者之間，且歐姆接觸層配置於多個Alx Iny Ga1-x-y N層上。因此，當發光層發射光時，包括GaN系層與歐姆接觸層的第二型摻雜半導體層的光穿透性以及導電性可以增加，以改善半導體結構的發光效率。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
下文將會附加標號以對本發明較佳實施例進行詳細描述，並以圖式說明。在可能的情況下，相同或相似的構件在圖式中將以相同的標號顯示。
在以下實施例的描述中，應當理解當指出一層（或膜）或一結構配置在另一個基板、另一層（或膜）、或另一結構“上”或“下”時，其可“直接”位於其他基板、層（或膜）、或另一結構，亦或者兩者間具有一個以上的中間層以“間接”方式配置。
在本發明的一實施例中提供一種配置發光元件的半導體結構，且此半導體結構的發光效率以及導電性皆得到改善。換句話說，此半導體結構是發光半導體結構，且發光半導體元件在例如是藍光或近紫外光的光譜上具有良好的發光效率。
圖1為依照本發明第一實施例的半導體結構之剖面示意圖。請參照圖1，半導體結構100包括第一型摻雜半導體層110、發光層120以及第二型摻雜半導體層130。發光層120配置於第一型摻雜半導體層110上，而第二型摻雜半導體層130配置於發光層120上。第二型摻雜半導體層130包括Alx Iny Ga1-x-y N層132A、132B、GaN系層134以及歐姆接觸層136，其中x及y係滿足0＜x＜1、0≤y＜1以及0＜x+y＜1之數值。Alx Iny Ga1-x-y N層132A、132B堆疊於發光層120上，GaN系層134介於Alx Iny Ga1-x-y N層132A與Alx Iny Ga1-x-y N層132B之間，而歐姆接觸層136配置於Alx Iny Ga1-x-y N層132A、132B上。換句話說，在半導體結構100中，Alx Iny Ga1-x-y N層132A、132B位於發光層120與歐姆接觸層136之間，而GaN系層134位於Alx Iny Ga1-x-y N層132A與Alx Iny Ga1-x-y N層132B之間的介面位置中。
GaN系層134在Alx Iny Ga1-x-y N層132A與Alx Iny Ga1-x-y N層132B之間可以改善半導體結構100的電性連接。並且，歐姆接觸層136配置於Alx Iny Ga1-x-y N層132A、132B上可以改善半導體結構100的電性連接和減少半導體結構100的電阻。因此，半導體結構100可以提供高發光效率與高導電性。
詳細而言，半導體結構100更包括配置於第一型摻雜半導體層110上的第一電極150以及配置於第二型摻雜半導體層130上的第二電極160，以提供第一型摻雜半導體層110與第二型摻雜半導體層130進行電性連接。
半導體結構100更包括基板140，而第一型摻雜半導體層110配置於基板140與發光層120之間。具體而言，半導體結構100例如是使用覆晶（flip-chip）或打線接合（wire bonding）進行連接，但本發明不以此為限。
在本實施例中，基板140用來生長GaN系的半導體結構，其包括藍寶石（sapphire）基板、矽（Si）基板、氮化鋁（AlN）基板或碳化矽（SiC）基板，但本發明不以此為限。
在第一實施例中的第一型摻雜半導體層110例如是n型摻雜半導體層。具體而言，第一型摻雜半導體層110可以是使用n型摻質摻雜的半導體層，例如是矽摻雜之GaN系的半導體，且第一型摻雜半導體層110形成的厚度約為1微米至3微米，但本發明不以此為限。
在本實施例中，半導體結構100中的發光層120包括濃度大於1017 cm-3 的第一型摻質。具體而言，發光層120可以是n型摻質摻雜的發光層，例如是矽摻雜，但本發明不以此為限。發光層120所發出的光的波長落在紫外光、紫光、藍光至綠光的範圍內。
圖2為依照本發明第一實施例的半導體結構中的主動層之剖面示意圖。詳細而言，請參照圖2，發光層120包括多重量子井結構（Multiple-Quantum Well, MQW），多重量子井結構包括交替堆疊的多個井層124以及多個阻障層122，而Alx Iny Ga1-x-y N層132A與Alx Iny Ga1-x-y N層132B兩者中的其中一者的銦濃度小於多重量子井結構中每一井層124的銦濃度，但本發明不以此為限。因此，半導體結構100的順向偏壓可以被減少。
在第一實施例中的第二型摻雜半導體層130例如是p型摻雜半導體層。具體而言，第二型摻雜半導體層130可以是使用p型摻質摻雜的半導體層，例如是鎂摻雜之GaN系的半導體，且第二型摻雜半導體層130可以形成的厚度約為10奈米至200奈米，但本發明不以此為限。
在第二型摻雜半導體層130中，Alx Iny Ga1-x-y N層132B位於Alx Iny Ga1-x-y N層132A之上。位於發光層120與Alx Iny Ga1-x-y N層132B之間的Alx Iny Ga1-x-y N層132A是摻雜碳的Alx Iny Ga1-x-y N層。
具體而言，Alx Iny Ga1-x-y N層132A摻雜的碳濃度大於5×1017 cm-3 ，且Alx Iny Ga1-x-y N層132B摻雜的氫濃度大於1018 cm-3 ，但本發明不以此為限。因此電洞的濃度可以被增加。
在本實施例的第二型摻雜半導體層130中，GaN系層134包括具有第一濃度的第二型摻質，而Alx Iny Ga1-x-y N層132A、132B包括具有第二濃度的第二型摻質，且第一濃度大於第二濃度。詳細而言，GaN系層134包括高濃度的p型摻質，而Alx Iny Ga1-x-y N層132A、132B包括低濃度的p型摻質，p型摻質例如是鎂。
而且，GaN系層134可以形成的厚度約為1奈米至50奈米，但本發明不以此為限。因此，GaN系層134不僅可以改善半導體結構100的電性連接，且可以妥善地控制第二型摻雜半導體層130的光吸收度。
在本實施例的第二型摻雜半導體層130中，歐姆接觸層136的材料可以是鎳（Ni）、銦錫氧化物（indium tin oxide ,ITO）、銦鋅氧化物（indium zinc oxide, IZO）、鎵鋅氧化物（gallium zinc oxide, GZO）等材料，以改善第二電極160與半導體結構100的其餘部分之間的電性連接，但本發明不以此為限。
圖3為依照本發明第二實施例的半導體結構中的主動層之剖面示意圖。請參照圖3，在本實施例中，半導體結構200包括基板240、第一型摻雜半導體層210、超晶格層（superlattice layer）270、發光層220以及第二型摻雜半導體層230。發光層220配置於第一型摻雜半導體層210上，第二型摻雜半導體層230配置於發光層220上。第二型摻雜半導體層230包括AlInGaN系的應力控制層238、AlInGaN系的載子阻隔層231、Alx Iny Ga1-x-y N層232A、GaN系層234、Alx Iny Ga1-x-y N層232B以及歐姆接觸層236，其中x及y係滿足0＜x＜1、0≤y＜1以及0＜x+y＜1之數值。Alx Iny Ga1-x-y N層232B配置於Alx Iny Ga1-x-y N層232A上，GaN系層234介於Alx Iny Ga1-x-y N層232A與Alx Iny Ga1-x-y N層232B之間，而歐姆接觸層236配置於Alx Iny Ga1-x-y N層232B上。換句話說，在本實施例中的半導體結構200中，Alx Iny Ga1-x-y N層232A、232B位於發光層220與歐姆接觸層236之間，而GaN系層234位於Alx Iny Ga1-x-y N層232A與Alx Iny Ga1-x-y N層232B之間的介面位置中。
在本實施例的基板240為用來生長GaN系的半導體結構的基板。基板240包括藍寶石基板、矽基板、氮化鋁基板或碳化矽基板，但本發明不以此為限。
在第二實施例中的第一型摻雜半導體層210例如是n型摻雜半導體層。具體而言，第一型摻雜半導體層210可以是使用n型摻質摻雜的半導體層，例如是矽摻雜之GaN系的半導體，且第一型摻雜半導體層210可以形成的厚度約為1微米至3微米，但本發明不以此為限。
半導體結構200中的超晶格層270配置於發光層220與第一型摻雜半導體層210之間，且超晶格層270可以藉由具有不同組成且交替堆疊約2~40個循環的InAlGaN層來形成，但本發明不以此為限。超晶格層270形成於發光層220的旁邊，可以減少半導體結構200的漏電流。
在本實施例中，半導體結構200中的發光層220包括第一型摻質的濃度大於1017 cm-3 。具體而言，發光層220可以是n型摻質摻雜的發光層，例如是矽摻雜，但本發明不以此為限。發光層220所發出的光的波長落在紫外光、紫光、藍光至綠光的範圍內。詳細而言，發光層220包括多重量子井結構，多重量子井結構包括交替堆疊的多個井層224以及多個阻障層222，而Alx Iny Ga1-x-y N層232A與Alx Iny Ga1-x-y N層232B兩者中的其中一者的銦濃度小於多重量子井結構中每一井層224的銦濃度，但本發明不以此為限。因此，半導體結構200的順向偏壓可以被減少。
AlInGaN系的應力控制層238配置於發光層220與AlInGaN系的載子阻隔層231之間，且AlInGaN系的應力控制層238摻雜的第二型摻質濃度高於1019 cm-3 ，具體而言，AlInGaN系的應力控制層238摻雜P型摻質，P型摻質例如是鎂。因此，位於發光層220上的應力控制層238可以減少發光層220中的井層224與阻障層222之間的晶格失配現象。
AlInGaN系的載子阻隔層231配置於發光層220與Alx Iny Ga1-x-y N層232A之間，以減少發光層220與第二型摻雜半導體層230的其餘部分之間晶格失配現象。
在本實施例中，第一Alx Iny Ga1-x-y N系層232A為摻雜碳，Alx Iny Ga1-x-y N層232B為摻雜氫。具體而言，Alx Iny Ga1-x-y N層232A摻雜的碳濃度大於5×1017 cm-3 ，且Alx Iny Ga1-x-y N層232B摻雜的氫濃度大於1018 cm-3 ，但本發明不以此為限。因此，電洞的濃度可以被增加。
在本實施例的第二型摻雜半導體層230中，GaN系層234包括具有第一濃度的第二型摻質，而Alx Iny Ga1-x-y N層232A、232B包括具有第二濃度的第二型摻質，且第一濃度大於第二濃度。詳細而言，GaN系層234包括高濃度的p型摻質，而Alx Iny Ga1-x-y N層232A、232B包括低濃度的p型摻質，p型摻質例如是鎂。
並且，GaN系層234的厚度與第二型摻雜半導體層230的總厚度的比值小於或等於0.5，但本發明不以此為限。因此，GaN系層234不僅可以改善半導體結構200的電性連接，且可以妥善地控制第二型摻雜半導體層230的光吸收度。
綜上所述，依本發明的實施例的半導體結構至少具有以下的優點。在本發明的實施例中，半導體封裝結構的第二型摻雜半導體層包括Alx Iny Ga1-x-y N層以及GaN系層，GaN系層介於Alx Iny Ga1-x-y N層之間，GaN系層與Alx Iny Ga1-x-y N層堆疊在半導體結構的發光層上，且歐姆接觸層配置於Alx Iny Ga1-x-y N層與GaN系層上。因此，當發光層發射藍光或近紫外光時，Alx Iny Ga1-x-y N層可以改善光穿透性且在第二型摻雜半導體層中提供載子阻隔功能，且可以藉由GaN系層來增加第二型摻雜半導體層的導電性，以改善半導體結構的發光效率。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100、200‧‧‧半導體結構
110、210‧‧‧第一型摻雜半導體層
120、220‧‧‧發光層
122、222‧‧‧阻障層
124、224‧‧‧井層
130、230‧‧‧第二型摻雜半導體層
132A、132B、232A、232B‧‧‧AlxInyGa1-x-yN層
134、234‧‧‧GaN系層
136、236‧‧‧歐姆接觸層
140、240‧‧‧基板
150‧‧‧第一電極
160‧‧‧第二電極
231‧‧‧載子阻隔層
238‧‧‧應力控制層
270‧‧‧超晶格層
圖1為依照本發明第一實施例的半導體結構之剖面示意圖。 圖2為依照本發明第一實施例的半導體結構中的主動層之剖面示意圖。 圖3為依照本發明第二實施例的半導體結構中的主動層之剖面示意圖。

Claims (22)

  1. 一種半導體結構，包括： 第一型摻雜半導體層； 發光層，配置於所述第一型摻雜半導體層上； 第二型摻雜半導體層，配置於所述發光層上，所述第二型摻雜半導體層包括： 多個Alx Iny Ga1-x-y N層，堆疊在所述發光層上，其中0＜x＜1、0≤y＜1以及0＜x+y＜1； 至少一GaN系層，介於所述多個Alx Iny Ga1-x-y N層的其中兩者之間；以及 歐姆接觸層，配置於所述多個Alx Iny Ga1-x-y N層上， 其中所述多個Alx Iny Ga1-x-y N層包括AlInGaN系的應力控制層以及AlInGaN系的載子阻隔層，所述AlInGaN系的應力控制層配置於所述發光層與所述AlInGaN系的載子阻隔層之間。
  2. 一種半導體結構，包括： 第一型摻雜半導體層； 發光層，配置於所述第一型摻雜半導體層上； 第二型摻雜半導體層，配置於所述發光層上，所述第二型摻雜半導體層包括： 多個Alx Iny Ga1-x-y N層，堆疊在所述發光層上，其中0＜x＜1、0≤y＜1以及0＜x+y＜1； 至少一GaN系層，介於所述多個Alx Iny Ga1-x-y N層的其中兩者之間；以及 歐姆接觸層，配置於所述多個Alx Iny Ga1-x-y N層上， 其中所述多個Alx Iny Ga1-x-y N層包括： 第一AlInGaN系層，配置於所述發光層上，所述第一AlInGaN系層摻雜碳；以及 第二AlInGaN系層，配置於所述第一AlInGaN系層上。
  3. 一種半導體結構，包括： 第一型摻雜半導體層； 發光層，配置於所述第一型摻雜半導體層上； 第二型摻雜半導體層，配置於所述發光層上，所述第二型摻雜半導體層包括： 多個Alx Iny Ga1-x-y N層，堆疊在所述發光層上，其中0＜x＜1、0≤y＜1以及0＜x+y＜1； 至少一GaN系層，介於所述多個Alx Iny Ga1-x-y N層的其中兩者之間；以及 歐姆接觸層，配置於所述多個Alx Iny Ga1-x-y N層上， 其中所述發光層包括多重量子井結構，所述多重量子井結構包括交替堆疊的多個井層以及多個阻障層，而所述多個Alx Iny Ga1-x-y N層的一者的銦濃度小於所述多重量子井結構中每一所述井層的銦濃度。
  4. 一種半導體結構，包括： 第一型摻雜半導體層； 發光層，配置於所述第一型摻雜半導體層上； 第二型摻雜半導體層，配置於所述發光層上，所述第二型摻雜半導體層包括： 多個Alx Iny Ga1-x-y N層，堆疊在所述發光層上，其中0＜x＜1、0≤y＜1以及0＜x+y＜1； 至少一GaN系層，介於所述多個Alx Iny Ga1-x-y N層的其中兩者之間；以及 歐姆接觸層，配置於所述多個Alx Iny Ga1-x-y N層上， 其中所述GaN系層包括具有第一濃度的第二型摻質，所述多個Alx Iny Ga1-x-y N層包括具有第二濃度的所述第二型摻質，且所述第一濃度大於所述第二濃度。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述的半導體結構，其中所述GaN系層包括具有第一濃度的第二型摻質，所述多個Alx Iny Ga1-x-y N層包括具有第二濃度的所述第二型摻質，且所述第一濃度大於所述第二濃度。
  6. 如申請專利範圍第1、2、4項中任一項所述的半導體結構，其中所述發光層包括多重量子井結構，所述多重量子井結構包括交替堆疊的多個井層以及多個阻障層，而所述多個Alx Iny Ga1-x-y N層中的一者的銦濃度小於所述多重量子井結構中每一所述井層的銦濃度。
  7. 如申請專利範圍第1、3、4項中任一項所述的半導體結構，其中所述多個Alx Iny Ga1-x-y N層包括： 第一AlInGaN系層，配置於所述發光層上，所述第一AlInGaN系層摻雜碳；以及 第二AlInGaN系層，配置於所述第一AlInGaN系層上。
  8. 如申請專利範圍第2、7項中任一項所述的半導體結構，其中所述第一AlInGaN系層摻雜的碳濃度大於5×1017 cm-3 。
  9. 如申請專利範圍第2、7項中任一項所述的半導體結構，其中所述第二AlInGaN系層摻雜的氫濃度大於1018 cm-3 。
  10. 如申請專利範圍第2至4項中任一項所述的半導體結構，其中所述多個Alx Iny Ga1-x-y N層包括： AlInGaN系的應力控制層；以及 AlInGaN系的載子阻隔層，所述AlInGaN系的應力控制層配置於所述發光層與所述AlInGaN系的載子阻隔層之間。
  11. 如申請專利範圍第1、10項中任一項所述的半導體結構，其中所述AlInGaN系的應力控制層摻雜的第二型摻質濃度高於1019 cm-3 。
  12. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述的半導體結構，其中所述發光層包括濃度大於1017 cm-3 的第一型摻質。
  13. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述的半導體結構，更包括基板，其中所述第一型摻雜半導體層配置於所述基板上，且介於所述發光層與所述基板之間。
  14. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述的半導體結構，更包括超晶格層，配置於所述發光層與所述第一型摻雜半導體層之間。
  15. 一種半導體結構，包括： 第一型摻雜半導體層； 發光層，配置於所述第一型摻雜半導體層上，所述發光層包括濃度大於1017 cm-3 的矽；以及 第二型摻雜半導體層，配置於所述發光層上，所述第二型摻雜半導體層包括： 第一AlInGaN系層，配置於所述發光層上，所述第一AlInGaN系層摻雜碳； 第二AlInGaN系層，配置於所述第一AlInGaN系層上； 至少一GaN系層，介於所述第一AlInGaN系層與所述第二AlInGaN系層之間；以及 歐姆接觸層，配置於所述第二AlInGaN系層上。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的半導體結構，其中所述第一AlInGaN系層摻雜的碳濃度大於5×1017 cm-3 。
  17. 如申請專利範圍第15項所述的半導體結構，其中所述第二AlInGaN系層摻雜的氫濃度大於1018 cm-3 。
  18. 如申請專利範圍第15項所述的半導體結構，其中所述發光層包括多重量子井結構，所述多重量子井結構包括交替堆疊的多個井層以及多個阻障層，而所述第一AlInGaN系層的銦濃度小於所述多重量子井結構中每一所述井層的銦濃度。
  19. 如申請專利範圍第15項所述的半導體結構，其中所述發光層包括多重量子井結構，所述多重量子井結構包括交替堆疊的多個井層以及多個阻障層，而所述第二AlInGaN系層的銦濃度小於所述多重量子井結構中每一所述井層的銦濃度。
  20. 如申請專利範圍第15項所述的半導體結構，其中所述GaN系層包括具有第一濃度的第二型摻質，所述第一或第二AlInGaN系層包括具有第二濃度的所述第二型摻質，且所述第一濃度大於所述第二濃度。
  21. 如申請專利範圍第15項所述的半導體結構，更包括基板，其中所述第一型摻雜半導體層配置於所述基板上，且介於所述發光層與所述基板之間。
  22. 如申請專利範圍第15項所述的半導體結構，更包括超晶格層，配置於所述發光層與所述第一型摻雜半導體層之間。
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