CN109148661B - 半导体结构 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种半导体结构，包括第一型掺杂半导体层、发光层、包括多个AlxInyGa1‑x‑yN层、至少一GaN系层以及欧姆接触层的第二型掺杂半导体层。发光层配置于第一型掺杂半导体层上，且第二型掺杂半导体层配置于发光层上。多个AlxInyGa1‑x‑yN层堆叠在发光层上，其中x及y是满足0<x<1、0≤y<1以及0<x+y<1的数值。GaN系层介于多个AlxInyGa1‑x‑yN层的其中两者之间，以及欧姆接触层配置于多个AlxInyGa1‑x‑yN层上。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体结构，尤其涉及一种包括氮化镓系材料的半导体结构。
背景技术
近年来，发光二极管(light emitting diodes,LED)的应用面日趋广泛，已成为日常生活中不可或缺的重要元件，且发光二极管可望取代现今的照明设备，成为未来新世代的固态照明元件，因此发展高节能、高效率及更高功率的发光二极管将会是未来趋势。氮化物LED由于具有元件体积小、无汞污染、发光效率高及寿命长等优点，已成为最新兴光电半导体材料之一，而三族氮化物之发光波长几乎涵盖了可见光的范围，更使其成为极具潜力的发光二极管材料。
一般而言，氮化镓系半导体已经被广泛地应用于蓝色/绿色发光二极管。发光装置的主动层通常包括井层(well layer)和阻障层(barrier layer)，且发光装置包括InGaN的井层可以应用于发射近紫外光。
由于在井层发射至外部的光会穿过阻障层和接触层，所以多个半导体层位于光的穿透路径上。因此，半导体层的光吸收度以及导电性需要被加以控制。
发明内容
本发明提供一种半导体结构，其具有高发光效率以及高导电性。
为了达到上述实施目的，在本发明的一实施例的半导体结构包括第一型掺杂半导体层、发光层、包括多个AlxInyGa1-x-yN层、至少一GaN系层以及欧姆接触层的第二型掺杂半导体层。发光层配置于第一型掺杂半导体层上，而第二型掺杂半导体层配置于发光层上。多个AlxInyGa1-x-yN层堆叠在发光层上，其中x及y是满足0<x<1、0≤y<1以及0<x+y<1的数值，而GaN系层介于多个AlxInyGa1-x-yN层的其中两者之间，以及欧姆接触层配置于多个AlxInyGa1-x-yN层上。
在本发明的一实施例中，上述的多个AlxInyGa1-x-yN层包括AlInGaN系的应力控制层，以及AlInGaN系的载子阻隔层，AlInGaN系的应力控制层配置于发光层与AlInGaN系的载子阻隔层之间。
在本发明的一实施例中，上述的AlInGaN系的应力控制层掺杂的第二型掺质浓度高于1019cm-3。
在本发明的一实施例中，上述的多个AlxInyGa1-x-yN层包括第一AlInGaN系层，配置于所述发光层上。第二AlInGaN系层，配置于第一AlInGaN系层上。第一AlInGaN系层掺杂碳。
在本发明的一实施例中，上述的第一AlInGaN系层掺杂的碳浓度大于5×1017cm-3。
在本发明的一实施例中，上述的第二AlInGaN系层掺杂的氢浓度大于1018cm-3。
在本发明的一实施例中，上述的发光层包括浓度大于1017cm-3的第一型掺质。
在本发明的一实施例中，上述的发光层包括多重量子井结构，多重量子井结构包括交替堆叠的多个井层以及多个阻障层，而多个AlxInyGa1-x-yN层的铟浓度小于多重量子井结构中每一井层的铟浓度。
在本发明的一实施例中，上述的GaN系层包括具有第一浓度的第二型掺质，多个AlxInyGa1-x-yN层包括具有第二浓度的第二型掺质，且第一浓度大于第二浓度。
在本发明的一实施例中，上述的半导体结构还包括基板。第一型掺杂半导体层配置于基板上，且介于发光层与基板之间。
在本发明的一实施例中，上述的半导体结构还包括超晶格层，配置于发光层与第一型掺杂半导体层之间。
为了达到上述实施目的，在本发明的一实施例的半导体结构包括第一型掺杂半导体层、发光层、包括第一AlInGaN系层、第二AlInGaN系层、至少一GaN系层以及欧姆接触层的第二型掺杂半导体层。发光层配置于第一型掺杂半导体层上，且发光层包括浓度大于1017cm-3的硅。第二型掺杂半导体层配置于发光层上。第一AlInGaN系层配置于发光层上并掺杂碳。第二AlInGaN系层，配置于第一AlInGaN系层上，而GaN系层介于第一AlInGaN系层与第二AlInGaN系层之间。欧姆接触层配置于第二AlInGaN系层上。
在本发明的一实施例中，上述的第一AlInGaN系层掺杂的碳浓度大于5×1017cm-3。
在本发明的一实施例中，上述的第二AlInGaN系层掺杂的氢浓度大于1018cm-3。
在本发明的一实施例中，上述的发光层包括多重量子井结构，多重量子井结构包括交替堆叠的多个井层以及多个阻障层，而第一AlInGaN系层的铟浓度小于多重量子井结构中每一井层的铟浓度。
在本发明的一实施例中，上述的发光层包括多重量子井结构，多重量子井结构包括交替堆叠的多个井层以及多个阻障层，而第二AlInGaN系层的铟浓度小于多重量子井结构中每一井层的铟浓度。
在本发明的一实施例中，上述的GaN系层包括具有第一浓度的第二型掺质，多个AlxInyGa1-x-yN层包括具有第二浓度的第二型掺质，且第一浓度大于第二浓度。
在本发明的一实施例中，上述的半导体结构更包括基板。第一型掺杂半导体层配置于基板上，且介于发光层与基板之间。
在本发明的一实施例中，上述的半导体结构更包括超晶格层，配置于发光层与第一型掺杂半导体层之间。
基于上述，依本发明的实施例的半导体结构至少具有以下的优点。在本发明的实施例中，GaN系层在半导体结构中的发光层上的多个AlxInyGa1-x-yN层的其中两者之间，且欧姆接触层配置于多个AlxInyGa1-x-yN层上。因此，当发光层发射光时，包括GaN系层与欧姆接触层的第二型掺杂半导体层的光穿透性以及导电性可以增加，以改善半导体结构的发光效率。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1为依照本发明第一实施例的半导体结构的剖面示意图。
图2为依照本发明第一实施例的半导体结构中的主动层的剖面示意图。
图3为依照本发明第二实施例的半导体结构中的主动层的剖面示意图。
附图标记说明：100、200：半导体结构
110、210：第一型掺杂半导体层
120、220：发光层
122、222：阻障层
124、224：井层
130、230：第二型掺杂半导体层
132A、132B、232A、232B：AlxInyGa1-x-yN层
134、234：GaN系层
136、236：欧姆接触层
140、240：基板
150：第一电极
160：第二电极
231：载子阻隔层
238：应力控制层
270：超晶格层
具体实施方式
下文将会附加标号以对本发明较佳实施例进行详细描述，并以附图说明。在可能的情况下，相同或相似的构件在附图中将以相同的标号显示。
在以下实施例的描述中，应当理解当指出一层(或膜)或一结构配置在另一个基板、另一层(或膜)、或另一结构“上”或“下”时，其可“直接”位于其他基板、层(或膜)、或另一结构，亦或者两者间具有一个以上的中间层以“间接”方式配置。
在本发明的一实施例中提供一种配置发光元件的半导体结构，且此半导体结构的发光效率以及导电性皆得到改善。换句话说，此半导体结构是发光半导体结构，且发光半导体元件在例如是蓝光或近紫外光的光谱上具有良好的发光效率。
图1为依照本发明第一实施例的半导体结构的剖面示意图。请参照图1，半导体结构100包括第一型掺杂半导体层110、发光层120以及第二型掺杂半导体层130。发光层120配置于第一型掺杂半导体层110上，而第二型掺杂半导体层130配置于发光层120上。第二型掺杂半导体层130包括AlxInyGa1-x-yN层132A、132B、GaN系层134以及欧姆接触层136，其中x及y是满足0<x<1、0≤y<1以及0<x+y<1的数值。AlxInyGa1-x-yN层132A、132B堆叠于发光层120上，GaN系层134介于AlxInyGa1-x-yN层132A与AlxInyGa1-x-yN层132B之间，而欧姆接触层136配置于AlxInyGa1-x-yN层132A、132B上。换句话说，在半导体结构100中，AlxInyGa1-x-yN层132A、132B位于发光层120与欧姆接触层136之间，而GaN系层134位于AlxInyGa1-x-yN层132A与AlxInyGa1-x- yN层132B之间的介面位置中。
GaN系层134在AlxInyGa1-x-yN层132A与AlxInyGa1-x-yN层132B之间可以改善半导体结构100的电性连接。并且，欧姆接触层136配置于AlxInyGa1-x-yN层132A、132B上可以改善半导体结构100的电性连接和减少半导体结构100的电阻。因此，半导体结构100可以提供高发光效率与高导电性。
详细而言，半导体结构100还包括配置于第一型掺杂半导体层110上的第一电极150以及配置于第二型掺杂半导体层130上的第二电极160，以提供第一型掺杂半导体层110与第二型掺杂半导体层130进行电性连接。
半导体结构100还包括基板140，而第一型掺杂半导体层110配置于基板140与发光层120之间。具体而言，半导体结构100例如是使用覆晶(flip-chip)或打线接合(wirebonding)进行连接，但本发明不以此为限。
在本实施例中，基板140用来生长GaN系的半导体结构，其包括蓝宝石(sapphire)基板、硅(Si)基板、氮化铝(AlN)基板或碳化硅(SiC)基板，但本发明不以此为限。
在第一实施例中的第一型掺杂半导体层110例如是n型掺杂半导体层。具体而言，第一型掺杂半导体层110可以是使用n型掺质掺杂的半导体层，例如是硅掺杂之GaN系的半导体，且第一型掺杂半导体层110形成的厚度约为1微米至3微米，但本发明不以此为限。
在本实施例中，半导体结构100中的发光层120包括浓度大于1017cm-3的第一型掺质。具体而言，发光层120可以是n型掺质掺杂的发光层，例如是硅掺杂，但本发明不以此为限。发光层120所发出的光的波长落在紫外光、紫光、蓝光至绿光的范围内。
图2为依照本发明第一实施例的半导体结构中的主动层的剖面示意图。详细而言，请参照图2，发光层120包括多重量子井结构(Multiple-Quantum Well,MQW)，多重量子井结构包括交替堆叠的多个井层124以及多个阻障层122，而AlxInyGa1-x-yN层132A与AlxInyGa1-x- yN层132B两者中的其中一者的铟浓度小于多重量子井结构中每一井层124的铟浓度，但本发明不以此为限。因此，半导体结构100的顺向偏压可以被减少。
在第一实施例中的第二型掺杂半导体层130例如是p型掺杂半导体层。具体而言，第二型掺杂半导体层130可以是使用p型掺质掺杂的半导体层，例如是镁掺杂的GaN系的半导体，且第二型掺杂半导体层130可以形成的厚度约为10纳米至200纳米，但本发明不以此为限。
在第二型掺杂半导体层130中，AlxInyGa1-x-yN层132B位于AlxInyGa1-x-yN层132A之上。位于发光层120与AlxInyGa1-x-yN层132B之间的AlxInyGa1-x-yN层132A是掺杂碳的AlxInyGa1-x-yN层。
具体而言，AlxInyGa1-x-yN层132A掺杂的碳浓度大于5×1017cm-3，且AlxInyGa1-x-yN层132B掺杂的氢浓度大于1018cm-3，但本发明不以此为限。因此空穴的浓度可以被增加。
在本实施例的第二型掺杂半导体层130中，GaN系层134包括具有第一浓度的第二型掺质，而AlxInyGa1-x-yN层132A、132B包括具有第二浓度的第二型掺质，且第一浓度大于第二浓度。详细而言，GaN系层134包括高浓度的p型掺质，而AlxInyGa1-x-yN层132A、132B包括低浓度的p型掺质，p型掺质例如是镁。
而且，GaN系层134可以形成的厚度约为1纳米至50纳米，但本发明不以此为限。因此，GaN系层134不仅可以改善半导体结构100的电性连接，且可以妥善地控制第二型掺杂半导体层130的光吸收度。
在本实施例的第二型掺杂半导体层130中，欧姆接触层136的材料可以是镍(Ni)、铟锡氧化物(indium tin oxide,ITO)、铟锌氧化物(indium zinc oxide,IZO)、镓锌氧化物(gallium zinc oxide,GZO)等材料，以改善第二电极160与半导体结构100的其余部分之间的电性连接，但本发明不以此为限。
图3为依照本发明第二实施例的半导体结构中的主动层的剖面示意图。请参照图3，在本实施例中，半导体结构200包括基板240、第一型掺杂半导体层210、超晶格层(superlattice layer)270、发光层220以及第二型掺杂半导体层230。发光层220配置于第一型掺杂半导体层210上，第二型掺杂半导体层230配置于发光层220上。第二型掺杂半导体层230包括AlInGaN系的应力控制层238、AlInGaN系的载子阻隔层231、AlxInyGa1-x-yN层232A、GaN系层234、AlxInyGa1-x-yN层232B以及欧姆接触层236，其中x及y是满足0<x<1、0≤y<1以及0<x+y<1的数值。AlxInyGa1-x-yN层232B配置于AlxInyGa1-x-yN层232A上，GaN系层234介于AlxInyGa1-x-yN层232A与AlxInyGa1-x-yN层232B之间，而欧姆接触层236配置于AlxInyGa1-x-yN层232B上。换句话说，在本实施例中的半导体结构200中，AlxInyGa1-x-yN层232A、232B位于发光层220与欧姆接触层236之间，而GaN系层234位于AlxInyGa1-x-yN层232A与AlxInyGa1-x-yN层232B之间的介面位置中。
在本实施例的基板240为用来生长GaN系的半导体结构的基板。基板240包括蓝宝石基板、硅基板、氮化铝基板或碳化硅基板，但本发明不以此为限。
在第二实施例中的第一型掺杂半导体层210例如是n型掺杂半导体层。具体而言，第一型掺杂半导体层210可以是使用n型掺质掺杂的半导体层，例如是硅掺杂的GaN系的半导体，且第一型掺杂半导体层210可以形成的厚度约为1微米至3微米，但本发明不以此为限。
半导体结构200中的超晶格层270配置于发光层220与第一型掺杂半导体层210之间，且超晶格层270可以通过具有不同组成且交替堆叠约2～40个循环的InAlGaN层来形成，但本发明不以此为限。超晶格层270形成于发光层220的旁边，可以减少半导体结构200的漏电流。
在本实施例中，半导体结构200中的发光层220包括第一型掺质的浓度大于1017cm-3。具体而言，发光层220可以是n型掺质掺杂的发光层，例如是硅掺杂，但本发明不以此为限。发光层220所发出的光的波长落在紫外光、紫光、蓝光至绿光的范围内。详细而言，发光层220包括多重量子井结构，多重量子井结构包括交替堆叠的多个井层224以及多个阻障层222，而AlxInyGa1-x-yN层232A与AlxInyGa1-x-yN层232B两者中的其中一者的铟浓度小于多重量子井结构中每一井层224的铟浓度，但本发明不以此为限。因此，半导体结构200的顺向偏压可以被减少。
AlInGaN系的应力控制层238配置于发光层220与AlInGaN系的载子阻隔层231之间，且AlInGaN系的应力控制层238掺杂的第二型掺质浓度高于1019cm-3，具体而言，AlInGaN系的应力控制层238掺杂P型掺质，P型掺质例如是镁。因此，位于发光层220上的应力控制层238可以减少发光层220中的井层224与阻障层222之间的晶格失配现象。
AlInGaN系的载子阻隔层231配置于发光层220与AlxInyGa1-x-yN层232A之间，以减少发光层220与第二型掺杂半导体层230的其余部分之间晶格失配现象。
在本实施例中，第一AlxInyGa1-x-yN系层232A为掺杂碳，AlxInyGa1-x-yN层232B为掺杂氢。具体而言，AlxInyGa1-x-yN层232A掺杂的碳浓度大于5×1017cm-3，且AlxInyGa1-x-yN层232B掺杂的氢浓度大于1018cm-3，但本发明不以此为限。因此，空穴的浓度可以被增加。
在本实施例的第二型掺杂半导体层230中，GaN系层234包括具有第一浓度的第二型掺质，而AlxInyGa1-x-yN层232A、232B包括具有第二浓度的第二型掺质，且第一浓度大于第二浓度。详细而言，GaN系层234包括高浓度的p型掺质，而AlxInyGa1-x-yN层232A、232B包括低浓度的p型掺质，p型掺质例如是镁。
并且，GaN系层234的厚度与第二型掺杂半导体层230的总厚度的比值小于或等于0.5，但本发明不以此为限。因此，GaN系层234不仅可以改善半导体结构200的电性连接，且可以妥善地控制第二型掺杂半导体层230的光吸收度。
综上所述，依本发明的实施例的半导体结构至少具有以下的优点。在本发明的实施例中，半导体封装结构的第二型掺杂半导体层包括AlxInyGa1-x-yN层以及GaN系层，GaN系层介于AlxInyGa1-x-yN层之间，GaN系层与AlxInyGa1-x-yN层堆叠在半导体结构的发光层上，且欧姆接触层配置于AlxInyGa1-x-yN层与GaN系层上。因此，当发光层发射蓝光或近紫外光时，AlxInyGa1-x-yN层可以改善光穿透性且在第二型掺杂半导体层中提供载子阻隔功能，且可以通过GaN系层来增加第二型掺杂半导体层的导电性，以改善半导体结构的发光效率。
虽然本发明已以实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视所附的权利要求所界定者为准。
Claims (27)
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
第一型掺杂半导体层；
发光层，配置于所述第一型掺杂半导体层上；
第二型掺杂半导体层，配置于所述发光层上，所述第二型掺杂半导体层包括：
多个AlxInyGa1-x-yN层，堆叠在所述发光层上，其中0<x<1、0<y<1以及0<x+y<1；
至少一GaN系层，介于所述多个AlxInyGa1-x-yN层的其中两者之间；以及
欧姆接触层，配置于所述多个AlxInyGa1-x-yN层上，
其中所述多个AlxInyGa1-x-yN层包括:
AlInGaN系的应力控制层及
AlInGaN系的载子阻隔层，所述AlInGaN系的应力控制层配置于所述发光层与所述AlInGaN系的载子阻隔层之间，
其中，所述发光层包括多重量子井(MQW)结构，所述MQW结构包括交替堆叠的多个井层以及多个阻障层，而所述多个AlxInyGa1-x-yN层中的一个的铟浓度小于所述MQW结构中每一井层的铟浓度；
其中，所述多个AlxInyGa1-x-yN层还包括：
第一AlInGaN系层，配置于所述发光层上，所述第一AlInGaN系层掺杂碳；以及
第二AlInGaN系层，配置于所述第一AlInGaN系层上，
其中，所述第一AlInGaN系层掺杂的碳浓度大于5×1017 cm-3，所述第二AlInGaN系层掺杂的氢浓度大于1018 cm-3。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述发光层包括浓度大于1017 cm-3的第一型掺质。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述GaN系层包括具有第一浓度的第二型掺质，所述多个AlxInyGa1-x-yN层包括具有第二浓度的第二型掺质，且所述第一浓度大于所述第二浓度。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括基板，其中，所述第一型掺杂半导体层配置于所述基板上，且介于所述发光层与所述基板之间。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括超晶格层，所述超晶格层配置于所述发光层与所述第一型掺杂半导体层之间。
6.一种半导体结构，其特征在于，包括：
第一型掺杂半导体层；
发光层，配置于所述第一型掺杂半导体层上，所述发光层包括浓度大于1017 cm-3的硅；
第二型掺杂半导体层，配置于所述发光层上，所述第二型掺杂半导体层包括：
多个AlxInyGa1-x-yN层，堆叠在所述发光层上，其中0<x<1、0<y<1以及0<x+y<1；
至少一GaN系层，介于所述多个AlxInyGa1-x-yN层的其中两者之间；以及
欧姆接触层，配置于所述多个AlxInyGa1-x-yN层上，
其中，所述多个AlxInyGa1-x-yN层包括：
第一AlInGaN系层，配置于所述发光层上，所述第一AlInGaN系层掺杂碳；以及
第二AlInGaN系层，配置于所述第一AlInGaN系层上；
其中，所述第一AlInGaN系层掺杂的碳浓度大于5×1017 cm-3，所述第二AlInGaN系层掺杂的氢浓度大于1018 cm-3。
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其中，所述发光层包括多重量子井(MQW)结构，所述MQW结构包括交替堆叠的多个井层以及多个阻障层，而所述第一AlInGaN系层的铟浓度小于所述MQW结构中每一井层的铟浓度。
8.根据权利要求6所述的半导体结构，其中，所述发光层包括多重量子井(MQW)结构，所述MQW结构包括交替堆叠的多个井层以及多个阻障层，而第二AlInGaN系层的铟浓度小于所述MQW结构中每一井层的铟浓度。
9.根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述GaN系层包括具有第一浓度的第二型掺质，所述第一或第二AlInGaN系层包括具有第二浓度的所述第二型掺质，且所述第一浓度大于所述第二浓度。
10.根据权利要求6所述的半导体结构，还包括基板，其中，所述第一型掺杂半导体层配置于所述基板上，且介于所述发光层与所述基板之间。
11.根据权利要求6所述的半导体结构，还包括超晶格层，所述超晶格层配置于所述发光层与所述第一型掺杂半导体层之间。
12.一种半导体结构，其特征在于，包括：
第一型掺杂半导体层；
发光层，配置于所述第一型掺杂半导体层上；
第二型掺杂半导体层，配置于所述发光层上，所述第二型掺杂半导体层包括：
多个AlxInyGa1-x-yN层，堆叠在所述发光层上，其中0<x<1、0<y<1以及0<x+y<1；
至少一GaN系层，介于所述多个AlxInyGa1-x-yN层的其中两者之间；以及
欧姆接触层，配置于所述多个AlxInyGa1-x-yN层上，
其中，所述多个AlxInyGa1-x-yN层包括：
第一AlInGaN系层，配置于所述发光层上，所述第一AlInGaN系层掺杂碳；以及
第二AlInGaN系层，配置于所述第一AlInGaN系层上；
其中，所述第一AlInGaN系层掺杂的碳浓度大于5×1017 cm-3，所述第二AlInGaN系层掺杂的氢浓度大于1018 cm-3。
13.根据权利要求12所述的半导体结构，其中，所述多个AlxInyGa1-x-yN层还包括：
AlInGaN系的应力控制层；以及
AlInGaN系的载子阻隔层，所述AlInGaN系的应力控制层配置于所述发光层与所述AlInGaN系的载子阻隔层之间，并且所述AlInGaN系的应力控制层掺杂的第二型掺质浓度高于1019 cm-3。
14.根据权利要求12所述的半导体结构，其中，所述发光层包括浓度大于1017 cm-3的第一型掺质。
15.根据权利要求12所述的半导体结构，其中，所述GaN系层包括具有第一浓度的第二型掺质，所述多个AlxInyGa1-x-yN层包括具有第二浓度的所述第二型掺质，且所述第一浓度大于所述第二浓度。
16.根据权利要求12所述的半导体结构，还包括基板，其中，所述第一型掺杂半导体层配置于所述发光层与所述基板之间。
17.根据权利要求12所述的半导体结构，还包括超晶格层，所述超晶格层配置于所述发光层与所述第一型掺杂半导体层之间。
18.一种半导体结构，其特征在于，包括：
第一型掺杂半导体层；
发光层，配置于所述第一型掺杂半导体层上；
第二型掺杂半导体层，配置于所述发光层上，所述第二型掺杂半导体层包括：
多个AlxInyGa1-x-yN层，堆叠在所述发光层上，其中0<x<1、0<y<1以及0<x+y<1；
至少一GaN系层，介于所述多个AlxInyGa1-x-yN层的其中两者之间；以及
欧姆接触层，配置于所述多个AlxInyGa1-x-yN层上，
其中，所述发光层包括多重量子井(MQW)结构，所述MQW结构包括交替堆叠的多个井层以及多个阻障层，而所述AlxInyGa1-x-yN层中的一个的铟浓度小于所述MQW结构中每一井层的铟浓度；
其中，所述多个AlxInyGa1-x-yN层包括：
第一AlInGaN系层，配置于所述发光层上，所述第一AlInGaN系层掺杂碳；以及
第二AlInGaN系层，配置于所述第一AlInGaN系层上，
其中，所述第一AlInGaN系层掺杂的碳浓度大于5×1017 cm-3，所述第二AlInGaN系层掺杂的氢浓度大于1018 cm-3。
19.根据权利要求18所述的半导体结构，其中，所述多个AlxInyGa1-x-yN层还包括：
AlInGaN系的应力控制层；以及
AlInGaN系的载子阻隔层，所述AlInGaN系的应力控制层配置于所述发光层与所述AlInGaN系的载子阻隔层之间，并且
所述AlInGaN系的应力控制层掺杂的第二型掺质浓度高于1019 cm-3。
20.根据权利要求18所述的半导体结构，其中，所述发光层包括浓度大于1017 cm-3的第一型掺质。
21.根据权利要求18所述的半导体结构，其中，所述GaN系层包括具有第一浓度的第二型掺质，所述多个AlxInyGa1-x-yN层包括具有第二浓度的所述第二型掺质，且所述第一浓度大于所述第二浓度。
22.根据权利要求18所述的半导体结构，其特征在于，还包括基板，其中所述第一型掺杂半导体层配置于所述发光层与所述基板之间。
23.根据权利要求18所述的半导体结构，其特征在于，还包括超晶格层，配置于所述发光层与所述第一型掺杂半导体层之间。
24.一种半导体结构，其特征在于，包括：
第一型掺杂半导体层；
发光层，配置于所述第一型掺杂半导体层上；
第二型掺杂半导体层，配置于所述发光层上，所述第二型掺杂半导体层包括：
多个AlxInyGa1-x-yN层，堆叠于所述发光层上，其中0<x<1、0<y<1以及0<x+y<1；
至少一GaN系层，介于所述多个AlxInyGa1-x-yN层的其中两者之间；以及
欧姆接触层，配置于所述多个AlxInyGa1-x-yN层上，
其中，所述GaN系层包括具有第一浓度的第二型掺质，所述多个AlxInyGa1-x-yN层包括具有第二浓度的第二型掺质，且所述第一浓度大于所述第二浓度；
其中，所述多个AlxInyGa1-x-yN层包括：
第一AlInGaN系层，配置于所述发光层上，所述第一AlInGaN系层掺杂碳；以及
第二AlInGaN系层，配置于所述第一AlInGaN系层上，
其中，所述第一AlInGaN系层掺杂的碳浓度大于5×1017 cm-3，所述第二AlInGaN系层掺杂的氢浓度大于1018 cm-3，
其中，所述发光层包括浓度大于1017 cm-3的第一型掺质。
25.根据权利要求24所述的半导体结构，其中，所述多个AlxInyGa1-x-yN层还包括：
AlInGaN系的应力控制层；以及
AlInGaN系的载子阻隔层，所述AlInGaN系的应力控制层配置于所述发光层与所述AlInGaN系的载子阻隔层之间，并且所述AlInGaN系的应力控制层掺杂的第二型掺质浓度高于1019 cm-3。
26.根据权利要求24所述的半导体结构，还包括基板，其中，所述第一型掺杂半导体层配置于所述发光层与所述基板之间。
27.根据权利要求24所述的半导体结构，还包括超晶格层，配置于所述发光层与所述第一型掺杂半导体层之间。
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