TW201842002A

TW201842002A - 用於製造偏光膜的方法和系統

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Publication number: TW201842002A
Application number: TW106116979A
Authority: TW
Inventors: 郭建生; 徐維廷; 王世豪
Original assignee: 住友化學股份有限公司
Priority date: 2017-05-23
Filing date: 2017-05-23
Publication date: 2018-12-01
Also published as: CN107144910A; CN107144910B; TWI646130B

Abstract

一種用於製造偏光膜的方法，包括對於一偏光膜前驅物進行一染色處理以及一交聯處理。該交聯處理，包括使偏光膜前驅物通過一交聯槽中的槽液、以及藉由投入一沉澱劑調整該槽液。沉澱劑包括一陰離子和一金屬陽離子的化合物。在將沉澱劑投入槽液之後，沉澱劑的金屬陽離子與槽液中之一酸鹼值調整劑的一陰離子反應形成析出化合物。沉澱劑的選擇滿足反應形成之析出化合物的溶解度小於沉澱劑之該化合物的溶解度的條件。

Description

用於製造偏光膜的方法和系統

本發明是有關用於製造偏光膜的方法和系統，且特別是有關涉及交聯槽中之槽液之調整的製造偏光膜的方法和系統。

偏光板為一種廣泛應用於液晶顯示器之光學元件。隨著液晶顯示器的發展，對於液晶顯示器連帶著其中之元件的品質要求越來越高。偏光板通常是藉由在偏光膜上貼合保護膜而形成。其中，偏光膜可藉由使可撓性之偏光膜前驅物通過多個處理槽而得。處理槽的槽液條件會對偏光膜的品質產生影響，因此，須以適當的方式將槽液的變化控制在一定範圍內。

根據一些實施方案，本發明提供一種用於製造偏光膜的方法。此種方法包括對於一偏光膜前驅物進行一染色處理及一交聯處理，以形成一偏光膜。交聯處理包括使偏光膜前驅物通過一交聯槽中的槽液、以及藉由投入一沉澱劑調整槽液。沉澱劑包括一陰離子和一金屬陽離子的化合物。在將沉澱劑投入槽液之後，沉澱劑的金屬陽離子與槽液中之一酸鹼值調整劑的一陰離子反應形成析出化合物。沉澱劑的選擇滿足反應形成之析出化合物的溶解度小於沉澱劑之化合物的溶解度的條件。

根據一些實施方案，本發明提供一種用於製造偏光膜的系統。此種系統包括一染色槽以及一交聯槽。染色槽用在對於一偏光膜前驅物進行一染色處理。交聯槽用在對於偏光膜前驅物進行一交聯處理，以形成一偏光膜。交聯槽中的槽液含有一酸鹼值調整劑的一陰離子和一沉澱劑的一陰離子和一金屬陽離子。沉澱劑的金屬陽離子與酸鹼值調整劑的陰離子反應形成析出化合物。沉澱劑的選擇滿足析出化合物的溶解度小於沉澱劑之陰離子和金屬陽離子的化合物的溶解度的條件。

根據一些實施方案，本發明提供一種用於製造偏光膜的方法。此種方法包括對於經過一染色處理之後的一偏光膜前驅物進行一交聯處理，以形成一偏光膜。交聯處理包括使偏光膜前驅物通過一交聯槽中的槽液、以及藉由投入草酸鋇調整槽液。槽液含有一包括硫酸之酸鹼值調整劑、一碘系光學調整劑、和一基於聚乙烯醇之析出物其中至少一者。草酸鋇作為該包括硫酸之酸鹼值調整劑的沉澱劑、該碘系光學調整劑的還原劑、和/或該基於聚乙烯醇之析出物的沉澱劑。

為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式詳細說明如下：

根據實施方案的一種用於製造偏光膜的方法，包括對於一偏光膜前驅物進行一染色處理及一交聯處理，以形成一偏光膜。交聯處理包括使偏光膜前驅物通過一交聯槽中的槽液、以及藉由投入一沉澱劑調整槽液。沉澱劑包括一陰離子和一金屬陽離子的化合物。在將沉澱劑投入槽液之後，沉澱劑的金屬陽離子與槽液中之一酸鹼值調整劑的一陰離子反應形成析出化合物。

與其對應，根據實施方案的一種用於製造偏光膜的系統，包括一染色槽以及一交聯槽。染色槽用在對於一偏光膜前驅物進行一染色處理。交聯槽用在對於偏光膜前驅物進行一交聯處理，以形成一偏光膜。交聯槽中的槽液含有一酸鹼值調整劑的一陰離子和一沉澱劑的一陰離子和一金屬陽離子。沉澱劑的金屬陽離子與酸鹼值調整劑的陰離子反應形成析出化合物。

以下將配合所附圖式對此進行詳細說明。可以理解的是，圖式與其相關之說明只是作為列舉解釋之用，並非用於限制本發明。此外可以預期的是，一實施方案或實施例中的元件、條件和特徵，能夠被有利地納入於另一實施方案或實施例中，然而並未對此作進一步的列舉。

第1圖繪示一用於製造偏光膜的例式性系統。除了如前所述的染色槽以及交聯槽之外，第1圖還示出其他用於製造偏光膜的處理槽及處理設備，該些處理槽及處理設備可選擇性地增加、減少、重複配置、或進行其他調整。第1圖所示的例式性系統包括一退捲輥102、一膨潤槽104、一染色槽106、一交聯槽108、一洗淨槽110、一乾燥爐112、以及一繞捲輥114。一偏光膜前驅物200從退捲輥102上展開之後，藉由引導輥120的引導和傳送，如箭頭指示方向依序通過各個處理槽及處理設備。藉此形成之一偏光膜200’再於繞捲輥114重新捲繞，以利於運送。

偏光膜前驅物200的材料包括聚乙烯醇(Polyvinyl alcohol, PVA)或其他適合的材料。舉例來說，偏光膜前驅物200可為聚乙烯醇的薄膜。聚乙烯醇可藉由皂化聚乙酸乙烯酯而形成。根據一些實施方案，聚乙酸乙烯酯可為乙酸乙烯酯之單聚物、或乙酸乙烯酯及其它單體之共聚物，所述其它單體可為不飽和羧酸類、烯烴類、不飽和磺酸類、或乙烯基醚類等等。在一些實施方案中，聚乙烯醇經過改質，例如是經醛類改質的聚乙烯醇縮甲醛(polyvinylformal)、聚乙烯醇縮乙酸、或聚乙烯醇縮丁醛(polyvinylbutyral)等等。在一些實施方案中，偏光膜前驅物200之厚度約為20μm~100μm。

偏光膜前驅物200可先被引導輥120引導至膨潤槽104，以對於偏光膜前驅物200進行一膨潤處理。膨潤處理可去除偏光膜前驅物200表面之異物以及偏光膜前驅物200中之可塑劑，並且有助於後續之染色處理及交聯處理的進行。

根據一些實施方案，可在用於製造偏光膜的系統中對於偏光膜前驅物200進行一延伸處理。延伸處理可在通過膨潤槽104、和/或後續染色槽106、交聯槽108時進行。舉例來說，可使得設置在膨潤槽104入口的引導輥120與設置在膨潤槽104出口的引導輥120存在周速差，進行單軸延伸處理。根據一些實施方案，從膨潤處理至交聯處理，偏光膜前驅物200所累積的延伸倍率約為4.5倍~8倍。

偏光膜前驅物200接著被引導輥120引導至染色槽106，以對於偏光膜前驅物200進行一染色處理。染色槽106中的槽液含有一染色劑。染色劑可使用二色性色素、或其它適合的水溶性二色素染料。在一些實施方案中，染色劑包含碘和碘化鉀。舉例來說，染色劑可為包含0.003重量份~0.2重量份的碘及3重量份~30重量份的碘化鉀之水溶液。在一些實施方案中，染色處理之溫度為10℃~50℃，染色處理之時間則為10秒~600秒。為了使染色處理的效果更好，槽液中可包括其它添加物，例如硼酸。

偏光膜前驅物200接著被引導輥120引導至交聯槽108，以對於偏光膜前驅物200進行一交聯處理。交聯槽108中的槽液含有一交聯劑。交聯劑可使用硼酸。交聯槽108中的槽液可更含有一光學調整劑，例如一碘系光學調整劑。舉例來說，光學調整劑可選自於由碘化鉀、碘化鋅、和其組合所組成的群組。改變光學調整劑的濃度可調整偏光膜色相。在一些實施方案中，為調整光學調整劑之濃度，也可選擇性的添加一還原劑於交聯槽108之中。還原劑可選自於由硫代硫酸鹽、二硫亞磺酸鹽、亞硫酸鹽、亞硫酸、亞硝酸鹽、鐵鹽、和錫鹽所組成的群組在一些實施方案中，交聯槽之槽液為水溶液，其中包含1重量份~10重量份的硼酸、及1重量份~30重量份的碘化鉀。在一些實施方案中，交聯處理之溫度可為10℃~70℃，交聯處理之時間則為1秒~600秒。根據一些實施方案，交聯處理需在酸性環境下進行，pH值例如是2~5。因此，交聯槽之槽液可更含有一酸鹼值調整劑。酸鹼值調整劑例如可選自於由過氯酸、氫碘酸、氫溴酸、鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸、氫氟酸、甲酸、抗壞血酸、和乙酸所組成的群組。在根據本發明實施方案的方法和系統中，另外投入一沉澱劑到槽液中以調整槽液。沉澱劑包括一陰離子和一金屬陽離子的化合物，沉澱劑的金屬陽離子與槽液中之一酸鹼值調整劑的一陰離子反應形成析出化合物。關於沉澱劑，將在後續段落中作更詳細的說明。在一些實施方案中，交聯槽之槽液可能含有偏光膜前驅物200的一析出物，例如是一基於聚乙烯醇之析出物。該析出物是溶解出的聚乙烯醇與硼酸作用而產生的不溶解碎屑。

現在將配合第2A~2B圖，對於根據實施方案的沉澱劑進行說明。須注意的是，為了說明上的方便，第2A~2B圖中的成分表示可能並非它們實際上存在於水溶液中的狀況。如第2A圖所示，交聯槽108中的槽液可能含有作為交聯劑的硼酸(B(OH)₃ )、源自光學調整劑的碘離子(I^- )、源自酸鹼值調整劑的陰離子(以SO₄ ^2- 為例)、源自還原劑的陰離子(以SO₃ ^2- 為例)、以及基於聚乙烯醇之析出物(以PVA表示)。在用於製造偏光膜的方法和系統中，需要管控以維持偏光膜品質的因子包括：碘離子含量、碘含量、硼酸含量、pH值、和酸鹼值調整劑的陰離子含量等等。在根據本發明實施方案的方法和系統中，如第2A圖所示，投入沉澱劑302到交聯槽108之槽液中，以降低交聯槽108之槽液中的酸鹼值調整劑的陰離子濃度。如第2B圖所示，沉澱劑302的金屬陽離子與酸鹼值調整劑的陰離子反應形成析出化合物304，析出化合物304會自槽液中析出，從而降低槽液中酸鹼值調整劑的陰離子的濃度。

沉澱劑302的選擇滿足反應形成之析出化合物304的溶解度小於沉澱劑302之陰離子和金屬陽離子的化合物的溶解度的條件，以達成陰離子置換和析出的效果。為了使得酸鹼值調整劑的陰離子能夠確實地被置換和析出，其與沉澱劑302的金屬陽離子反應形成之析出化合物304較佳地是難溶鹽，例如溶解度在20mg/100g H₂ O以下。此外，可令沉澱劑302的選擇進一步地滿足沉澱劑302之化合物的溶解度在1mg/100g H₂ O以上的條件。然而，如果沉澱劑302之化合物的溶解度過高，例如在1g/100g H₂ O以上，可能會使得反應形成之析出化合物304的結晶尺寸過小而較不易移除，例如需要採用濾孔更小的過濾裝置。

具體來說，沉澱劑302的金屬陽離子可為1A族~5A族金屬的陽離子、或過渡金屬的陽離子。舉例來說，沉澱劑302的金屬陽離子可選自於由鉛離子、鍶離子、和鋇離子所組成的群組。根據一些實施方案，沉澱劑302之金屬陽離子於槽液中的殘留量較佳地不超過65ppm，例如是介於1ppm~65ppm之間。沉澱劑302的陰離子可選自於由鹵素離子、碳酸根、碘酸根、溴酸根、氫氧根、硝酸根、亞硝酸根、醋酸根、硫酸根、磷酸根、過氯酸根、次氯酸根、和有機酸根所組成的群組，其中有機酸根例如是甲酸根和草酸根等羧酸根。根據一些實施方案，沉澱劑302的化合物可選自於由醋酸鉛、氫氧化鍶、醋酸鍶、氫氧化鋇、醋酸鋇、甲酸鋇、草酸鋇、和任何其他前述陰陽離子之化合物所組成的群組。舉例來說，沉澱劑302可為醋酸鉛、氫氧化鍶、醋酸鍶、氫氧化鋇、醋酸鋇、甲酸鋇、草酸鋇、和任何其他前述陰陽離子之化合物構成的粉末。

在一些實施方案中，沉澱劑302的陰離子之選擇可更滿足對於槽液中之光學調整劑具有還原性的條件。在一些實施方案中，沉澱劑302的陰離子可以採用其他可藉由光催化或熱催化等方式提供還原性的有機酸根，例如羧酸根，包括如甲酸根和草酸根等等，其進一步地提供對於光學調整劑的還原性。舉例來說，以具有還原能力的羧酸根作為沉澱劑302的陰離子，在使用碘系光學調整劑的情況下，其可作為還原劑，因此可減少甚至完全無須其他還原劑的使用。此外，羧酸根作為還原劑是將其本身分解為二氧化碳，因此還可避免陰離子殘留的情況。

根據一些實施方案，沉澱劑302的選擇可更滿足反應形成之析出化合物304對於槽液中之偏光膜前驅物的析出物具有絮凝性的條件。舉例來說，基於聚乙烯醇之析出物的沉降過程會造成槽液的清潔度下降，反應形成之難溶鹽析出化合物304，如果具有物理吸附尚未凝聚的微小析出物的絮凝效果，可加速聚乙烯醇之析出物的沉降，因此可與該難溶鹽析出化合物304一起移除。

根據一些實施方案，沉澱劑302的選擇可更滿足在反應形成析出化合物的過程之中及之後，槽液保持在酸性環境下的條件。

根據一些實施方案，沉澱劑302之投入量的決定可使用下列算式1計算而得： (算式1) 用於反應之化合物投入量=(槽液重量´欲置換之槽液中陰離子的降低目標(wt%))´(用於反應之化合物的分子量/欲置換之槽液中陰離子的分子量) 其中，降低目標(wt%)定義為欲置換之槽液中陰離子的當前含量與期望之減少到的含量之間的差值。舉例來說，槽液中含有1.2wt%的硫酸根，期望將硫酸根減少到0.2wt%，則降低目標(wt%)為1wt%。用於反應之化合物例如是前述之醋酸鉛、氫氧化鍶、醋酸鍶、氫氧化鋇、醋酸鋇、甲酸鋇、或草酸鋇等等。欲置換之槽液中陰離子例如為前述酸鹼值調整劑的陰離子。在一些實施方案中。沉澱劑302的投入量為相對於每100公克的槽液為1公克~2公克。但可以理解，能夠配合反應的狀況進一步增加或減少投入量。

根據一些實施方案，交聯處理可更包括藉由進行過濾移除反應形成之析出化合物304。具體來說，用於製造偏光膜的系統可更包括一過濾裝置(未繪示)，用於將析出化合物304從交聯槽108裡的濾液中移除。舉例來說，可在交聯槽108中配置1μm的濾心、或者設置一連接交聯槽108的過濾裝置或設備。

請再次參照第1圖，於交聯處理之後，偏光膜前驅物200可被引導輥120引導至洗淨槽110，以對於偏光膜前驅物200進行一洗淨處理。

偏光膜前驅物200接著被引導輥120引導至乾燥爐112，以對於偏光膜前驅物200進行一乾燥處理，乾燥處理之後即為偏光膜200’。

以下提供具體實施例和比較例，以協助對於本發明能有更清楚的理解。

[樣品準備]

分別取500ml含有硫酸根之交聯槽中的槽液，並根據前述算式1，將降低目標定為1wt%，各自投入表1所列的實施例1~7及比較例1~4所列的沉澱劑，攪拌一小時以混和均勻。攪拌完成之後，靜置一小時等待硫酸鹽沉澱。接著，使用孔徑1μm的濾膜進行過濾。對於過濾後的溶液進行各種量測。比較例5係未投入沉澱劑。表1

[作為沉澱劑之可行性及其他效果的判定測試]

[移除率判定]

使用離子層析儀(Metrohm 883)進行樣品中硫酸根與沉澱劑之有機酸根陰離子的濃度量測。根據加入沉澱劑之前和過濾之後的結果，計算硫酸根的移除率(%)。

[金屬陽離子殘留量測]

使用感應耦合電漿原子發射光譜儀(ICP-OES，Perkin Elmer Optima 8000)進行槽液中金屬陽離子的濃度量測，以評估沉澱劑之金屬陽離子於槽液中的殘留(ppm)，此一殘留的評估是基於溶解度來換算。

[過濾結果判定]

在以孔徑1μm的濾膜過濾之後。使用1500rpm的條件以高速離心脫泡機(DKTEK CENTRIFUGE G-5005)進行懸浮物沉降。取上清液進行粒徑分析儀量測(Particle Measuring Systems，SLS-1000)，確認粒徑5µm以上之結晶顆粒的數目，其中，完全沒有結晶析出的情況為結果極佳「◎」，粒徑5µm以上之結晶的數目在100以下的情況為結果佳「○」，粒徑5µm以上之結晶析出的數目在1000以下的情況為結果可接受「△」，而粒徑5µm以上之結晶析出的數目在超過1000的情況為結果不可接受「×」。

[作為光學調整劑之還原劑的效果判定]

進行340nm/254nm的紫外光照射催化，催化時間為四小時。之後，使用紫外光/可見光光譜儀(UV-2450，Shimadzu)，量測設定在吸收波長350nm之碘的最大吸收峰，藉此測定碘濃度(mM)並加以判定沉澱劑的還原性。

[作為偏光膜前驅物之析出物的絮凝劑的效果判定]

藉用總有機碳量(TOC)評估槽液中基於聚乙烯醇之析出物含量變化。由於投入的金屬鹽沉澱劑會增加有機酸根，造成TOC值無法單純表示基於聚乙烯醇之析出物的數值，因此利用添加法建立檢量線，並搭配離子層析定量沉澱劑之有機酸根陰離子的濃度，帶入後扣除由有機酸根造成的TOC值。

[結果評估]

[作為沉澱劑之可行性的測試結果評估]

請參照表2，其中列出移除率判定、金屬陽離子殘留量測、與過濾結果判定的結果，並列出據此進行之作為沉澱劑之可行性的綜合評估結果，包括結果極佳「◎」、佳「○」、可用「△」及不適用「×」。此外，表2也列出作為沉澱劑的金屬鹽化合物在20℃的溶解度、以及反應形成之金屬硫酸鹽化合物(與沉澱劑對應具有相同金屬陽離子)在20℃的溶解度作為參考。移除率須在50%以上方可適用，由表2的比較例1、3、4可以看出，當反應形成之金屬硫酸鹽化合物的溶解度小於作為沉澱劑之金屬鹽化合物的溶解度時，無法達成50%以上的移除率，因此不適用。並且，從實施例整體來看，有著較大的溶解度可達成較高移除率的趨勢。實施例1~4所形成的硫酸鋇溶解度極低，有利於硫酸根的移除，並且金屬陽離子的殘留量也較低(＜2ppm)。同樣是關於金屬陽離子的殘留量，從比較例可以看出，當反應形成之金屬硫酸鹽化合物的溶解度太高，會有嚴重的金屬陽離子殘留情況，反而會造成槽液額外的汙染，因此不宜使用。特別是比較例1~3所形成的硫酸鈣溶解度極高，對應特別高的金屬陽離子殘留量。表2

[作為沉澱劑之其他附加效果的測試結果評估-1]

請參照表3，其中列出槽液中之碘在紫外光催化之前和之後的濃度，二相比較可看出沉澱劑還原源自光學調整劑之碘的附加效果。從表3的實施例1、2可以看出，甲酸根或草酸根具有還原能力，使用其作為沉澱劑的陰離子，可以在正常情況下抑制碘氧化達到控制槽液的功能。並且，使用甲酸根或草酸根作為沉澱劑的陰離子，可藉由光催化還原碘為碘離子，降低槽液中的碘濃度。表3

[作為沉澱劑之其他附加效果的測試結果評估-2]

請參照表4，其中列出處理前和處理後的TOC值，二相比較可看出沉澱劑絮凝基於PVC之析出物的附加效果。表4中之處理後的TOC值已扣除由有機酸根造成的部分。從表4可看出，根據本發明的概念選擇適合的沉澱劑，還可提供絮凝偏光膜前驅物之析出物的額外功效。表4

請特別參照實施例1，可以看出，以草酸鋇作為沉澱劑，除了沉澱酸鹼值調整劑的陰離子之外，同時還可提供對於光學調整劑的還原性、和對於偏光膜前驅物之析出物的絮凝性。因此，即使是在不須沉澱酸鹼值調整劑之陰離子的情況，也可基於其他二種功效投入諸如草酸鋇的有機酸鹽。基於此點，另外根據實施例提供一種用於製造偏光膜的方法，其包括對於經過一染色處理之後的一偏光膜前驅物進行一交聯處理，以形成一偏光膜。交聯處理包括使偏光膜前驅物通過一交聯槽中的槽液、以及藉由投入一有機酸鹽調整該槽液。該槽液含有一包括硫酸之酸鹼值調整劑、一碘系光學調整劑、和一基於聚乙烯醇之析出物其中至少一者。該有機酸鹽作為該包括硫酸之酸鹼值調整劑的沉澱劑、該碘系光學調整劑的還原劑、和/或該基於聚乙烯醇之析出物的絮凝劑。該有機酸鹽例如係草酸鋇。

根據本發明實施方案與實施例的方法和系統，係以投入沉澱劑的方式調整交聯槽中的槽液。藉此，即使不耗時耗成本地更換槽液，也可控制其中源於酸鹼值調整劑之陰離子的濃度，避免其對於偏光膜的品質如光學性質和耐候性等等造成負面影響。此外，選擇其中陰離子可藉由光催化或熱催化等方式提供還原性的沉澱劑，例如陰離子為羧酸根(包括如甲酸根和草酸根)等具有還原性之有機酸根的沉澱劑，還可抑制光學調整劑(例如碘系光學調整劑)的氧化，進而能夠省略目前的還原劑的使用。再者，選擇適當的沉澱劑，還可作為偏光膜前驅物之析出物(例如基於聚乙烯醇之析出物)的絮凝劑，有利於將其從槽液中快速地移除。

綜上所述，雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

102‧‧‧退捲輥

104‧‧‧膨潤槽

106‧‧‧染色槽

108‧‧‧交聯槽

110‧‧‧洗淨槽

112‧‧‧乾燥爐

114‧‧‧繞捲輥

120‧‧‧引導輥

200‧‧‧偏光膜前驅物

200’‧‧‧偏光膜

302‧‧‧沉澱劑

304‧‧‧析出化合物

第1圖繪示根據實施方案之一用於製造偏光膜的例式性系統。第2A~2B圖繪示在根據實施方案之一用於製造偏光膜的例式性方法中於交聯槽中可能存在的情況。

Claims

一種用於製造偏光膜的方法，包括：對於一偏光膜前驅物進行一染色處理及一交聯處理，以形成一偏光膜，其中，該交聯處理包括：使該偏光膜前驅物通過一交聯槽中的槽液；以及藉由投入一沉澱劑調整該槽液，該沉澱劑包括一陰離子和一金屬陽離子的化合物，其中，在將該沉澱劑投入該槽液之後，該沉澱劑的該金屬陽離子與該槽液中之一酸鹼值調整劑的一陰離子反應形成一析出化合物，且其中，該沉澱劑的選擇滿足下列條件：反應形成之該析出化合物的溶解度小於該沉澱劑之該化合物的溶解度。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該沉澱劑的選擇更滿足下列條件：該沉澱劑的該陰離子對於該槽液中之一光學調整劑具有還原性。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該沉澱劑的選擇更滿足下列條件：反應形成之該析出化合物對於該槽液中之該偏光膜前驅物的一析出物具有絮凝性。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該沉澱劑的選擇滿足下列條件：反應形成之該析出化合物的溶解度為20mg/100g H₂ O以下。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該光學調整劑選自於由碘化鉀、碘化鋅、和其組合所組成的群組；且/或該偏光膜前驅物的材料包括聚乙烯醇；且/或該酸鹼值調整劑選自於由過氯酸、氫碘酸、氫溴酸、鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸、氫氟酸、甲酸、抗壞血酸、和乙酸所組成的群組。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該沉澱劑的該金屬陽離子為1A族~5A族金屬的陽離子、或過渡金屬的陽離子；且/或該沉澱劑的該陰離子選自於由鹵素離子、碳酸根、碘酸根、溴酸根、氫氧根、硝酸根、亞硝酸根、醋酸根、硫酸根、磷酸根、過氯酸根、次氯酸根、和有機酸根所組成的群組；且/或該沉澱劑的該化合物選自於由醋酸鉛、氫氧化鍶、醋酸鍶、氫氧化鋇、醋酸鋇、甲酸鋇、和草酸鋇所組成的群組；且/或該沉澱劑的投入量為相對於每100公克的該槽液為1公克~2公克。
如申請專利範圍第6項所述之方法，其中，該有機酸根選自於由甲酸根和草酸根所組成的群組。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該沉澱劑之該金屬陽離子於該槽液中的殘留量介於1ppm~65ppm之間。
如申請專利範圍第1項所述之方法，更包括下列處理其中至少一者：在該染色處理之前，對於該偏光膜前驅物進行一膨潤處理；對於該偏光膜前驅物進行一延伸處理；藉由進行過濾移除反應形成之該析出化合物；在該交聯處理之後，對於該偏光膜前驅物進行一洗淨處理；以及在該交聯處理之後，對於該偏光膜前驅物進行一乾燥處理。
一種用於製造偏光膜的系統，包括：一染色槽，用在對於一偏光膜前驅物進行一染色處理；以及一交聯槽，用在對於該偏光膜前驅物進行一交聯處理，以形成一偏光膜，該交聯槽中的槽液含有一酸鹼值調整劑的一陰離子和一沉澱劑的一陰離子和一金屬陽離子，其中，該沉澱劑的該金屬陽離子與該酸鹼值調整劑的該陰離子反應形成析出化合物，且該沉澱劑的選擇滿足下列條件：該析出化合物的溶解度小於該沉澱劑之該陰離子和該金屬陽離子的化合物的溶解度。
如申請專利範圍第10項所述之系統，其中，該交聯槽中的槽液更含有一光學調整劑，且該沉澱劑的選擇更滿足下列條件：該沉澱劑的該陰離子對於該光學調整劑具有還原性。
如申請專利範圍第10項所述之系統，其中，該交聯槽中的槽液更含有一偏光膜前驅物的一析出物，且該沉澱劑的選擇更滿足下列條件：反應形成之該析出化合物對於該偏光膜前驅物的該析出物具有絮凝性。
如申請專利範圍第10項所述之系統，更包括：一過濾裝置，用於將該析出化合物從該濾液中移除。
如申請專利範圍第10項所述之系統，其中，該沉澱劑的該金屬陽離子為1A族~5A族金屬的陽離子、或過渡金屬的陽離子；且/或該沉澱劑的該陰離子選自於由鹵素離子、碳酸根、碘酸根、溴酸根、氫氧根、硝酸根、亞硝酸根、醋酸根、硫酸根、磷酸根、過氯酸根、次氯酸根、和有機酸根所組成的群組；且/或該沉澱劑的該化合物選自於由醋酸鉛、氫氧化鍶、醋酸鍶、氫氧化鋇、醋酸鋇、甲酸鋇、和草酸鋇所組成的群組；且/或該沉澱劑的投入量為相對於每100公克的該槽液為1公克~2公克。
如申請專利範圍第10項所述之系統，更包括下列設備其中至少一者：一膨潤槽；一洗淨槽；以及一乾燥爐。
一種用於製造偏光膜的方法，包括：對於經過一染色處理之後的一偏光膜前驅物進行一交聯處理，以形成一偏光膜，該交聯處理包括：使該偏光膜前驅物通過一交聯槽中的槽液，該槽液含有一包括硫酸之酸鹼值調整劑、一碘系光學調整劑、和一基於聚乙烯醇之析出物其中至少一者；以及藉由投入一有機酸鹽調整該槽液，其中該有機酸鹽作為該包括硫酸之酸鹼值調整劑的沉澱劑、該碘系光學調整劑的還原劑、和/或該基於聚乙烯醇之析出物的絮凝劑。
如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該有機酸鹽係草酸鋇。