TW201838049A

TW201838049A - 異向性導電膜

Info

Publication number: TW201838049A
Application number: TW106142172A
Authority: TW
Inventors: 尾怜司
Original assignee: 日商迪睿合股份有限公司
Priority date: 2016-12-01
Filing date: 2017-12-01
Publication date: 2018-10-16
Also published as: TWI763750B; JP2022176967A

Abstract

本發明之連接構造體係利用異向性導電膜將第1電子零件及第2電子零件與第3電子零件進行異向性導電連接而成，該第1電子零件具有第1端子圖案，該第2電子零件具有端子之大小及間距與第1端子圖案不同之第2端子圖案，該第3電子零件具有與第1端子圖案及第2端子圖案之各者對應之端子圖案。異向性導電膜具有下述之區域中至少一者：導電粒子規則地排列之區域、以及導電粒子之個數密度、粒徑及硬度之至少一種不同之多個區域。

Description

異向性導電膜

本發明係關於一種異向性導電膜。

於液晶顯示元件中，使用異向性導電膜將多種電子零件分別連接於1個基板，例如將IC晶片及可撓性印刷基板(FPC)兩者連接於玻璃基板端部等。於該情形時，使用適於多種電子零件之各者的異向性導電膜。

相對於此，提出有使用1片異向性導電膜將2種電子零件連接於1個基板(專利文獻1)。

先前技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利4650050號公報

若使用1片異向性導電膜將2種電子零件連接於1個基板，則可減少連接所需之步驟數或空間。

然而，先前用以將2種電子零件連接於1個基板之異向性導電膜係使導電粒子無規地分散至絕緣性樹脂層而成者，因此無法精密地規定異向性導電膜中導電粒子之分散狀態。因此，必須使異向性導電膜中之導電粒子之個數密度適合於2種電子零件中端子之大小或間距較小者，從而大量存在無用之與連接無關之導電粒子。

本發明係針對此種習知技術之問題，其課題在於，於使用1片異向性導電膜將IC晶片或FPC等多種電子零件連接於1個基板等電子零件時，使異向性導電膜更適合於各電子零件，減少與連接無關的無用之導電粒子。

本發明者發現，於使用1片異向性導電膜將端子圖案不同之第1電子零件及第2電子零件連接於第3電子零件時，若使異向性導電膜中之導電粒子規則地排列，則可控制導電粒子之間距或排列方向，因此與導電粒子無規地配置之情形相比，可降低為了將第1電子零件及第2電子零件兩者適當地連接於第3電子零件所需之導電粒子之個數密度，另外，容易提昇經異向性導電連接之連接構造體之良率，進而藉由在1片異向性導電膜設置導電粒子之個數密度、粒徑、硬度等不同之多個區域，可對第1電子零件及第2電子零件之各者進行更適合之連接，可進而減少無用之導電粒子，從而想到本發明。

即，第1本發明係一種連接構造體，係利用異向性導電膜將第1電子零件及第2電子零件與第3電子零件進行異向性導電連接而成，該第1電子零件具有第1端子圖案，該第2電子零件具有端子之大小及間距與第1端子圖案不同之第2端子圖案，該第3電子零件具有與第1端子圖案及第2端子圖案分別對應之端子圖案；並且異向性導電膜具有下述之區域中至少一者：導電粒子規則地排列之區域、以及導電粒子之個數密度、粒徑及硬度之至少一種不同之多個區域。

第2本發明係一種異向性導電膜，其具有絕緣性樹脂層及配置於該絕緣性樹脂層之導電粒子，並且具有導電粒子之個數密度、粒徑及硬度之至少一種不同之多個區域。

第3本發明係一種異向性導電膜之製造方法，其包括如下步驟：第1壓入步驟，係使導電粒子附著於絕緣性樹脂層之一表面，並將該導電粒子壓入至絕緣性樹脂層；及第2壓入步驟，係使導電粒子附著於俯視下成為第1壓入步驟中壓入導電粒子之區域中的一部分之區域、或包含第1壓入步驟中壓入導電粒子之整個區域之區域、或與第1壓入步驟中壓入導電粒子之區域局部重疊之區域，並將該導電粒子壓入至絕緣性樹脂層；並且形成至少導電粒子之個數密度、粒徑及硬度之至少一種不同之多個區域。

第4本發明係一種連接構造體之製造方法，係利用異向性導電膜將第1電子零件及第2電子零件與第3電子零件進行異向性導電連接，該第1電子零件具有第1端子圖案，該第2電子零件具有端子之大小及間距與第1端子圖案不同之第2端子圖案，該第3電子零件具有與第1端子圖案及第2端子圖案分別對應之端子圖案，並且作為異向性導電膜，使用具有下述之區域中至少一者的異向性導電膜：導電粒子規則地排列之區域、以及導電粒子之個數密度、粒徑及硬度之至少一種不同之多個區域。

本發明之連接構造體係利用1片異向性導電膜來將第1電子零件及第2電子零件與第3電子零件進行異向性導電連接，因此相較於針對與第3電子零件連接之每一電子零件變更異向性導電膜之情形，可簡化製造步驟，而可以低成本進行製造。並且，該連接構造體係藉由使用“具有導電粒子規則地排列、或導電粒子之個數密度、粒徑及硬度之至少一種不同的多個區域者”作為異向性導電膜而製造，因此儘管使用1片異向性導電膜進行製造，但該異向性導電膜適合於第1電子零件及第2電子零件各者，且減少無用之導電粒子。

另外，本發明之異向性導電膜具有導電粒子規則地排列、或導電粒子之個數密度、粒徑及硬度之至少一種不同的多個區域，因此可使該等區域成為與第1電子零件及第2電子零件各自之端子圖案對應者。因此，如上所述可減少異向性導電膜中之無用之導電粒子。

1‧‧‧導電粒子

2‧‧‧絕緣性樹脂層

2b‧‧‧凹陷(傾斜)

2c‧‧‧凹陷(起伏)

3‧‧‧導電粒子分散層

4‧‧‧第2絕緣性樹脂層

10A、10B、10C、10D、10E、10F、10G‧‧‧異向性導電膜

10p、10q、10r、10s‧‧‧異向性導電膜之區域

31‧‧‧第1電子零件

32‧‧‧第2電子零件

33‧‧‧第3電子零件

40A‧‧‧第1連接構造體

40B‧‧‧第2連接構造體

D‧‧‧導電粒子之平均粒徑

La‧‧‧絕緣性樹脂層之層厚

Lb‧‧‧鄰接之導電粒子間之中央部之切平面與導電粒子最深部之距離

Lc‧‧‧傾斜或起伏中之導電粒子之露出(正上方)部分之直徑

Ld‧‧‧導電粒子之周圍或正上方之絕緣性樹脂層之傾斜或起伏之最大直徑

Le‧‧‧導電粒子之周圍之絕緣性樹脂層之傾斜之最大深度

Lf‧‧‧導電粒子之正上方之絕緣性樹脂層之起伏之最大深度

圖1係本發明之第1連接構造體40A之示意性俯視圖。

圖2係本發明之第1連接構造體40A之示意性俯視圖。

圖3係本發明之第1連接構造體40A之示意性俯視圖。

圖4A係本發明之第2連接構造體40B之示意性俯視圖。

圖4B係本發明之第2連接構造體40B所使用之異向性導電膜10B之剖視圖。

圖4C係本發明之第2連接構造體40B所使用之異向性導電膜10B之剖視圖。

圖4D係本發明之第2連接構造體40B所使用之異向性導電膜10B之剖視圖。

圖4E係本發明之第2連接構造體40B所使用之異向性導電膜10B之剖視圖。

圖5A係本發明之第2連接構造體40B之示意性俯視圖。

圖5B係本發明之第2連接構造體40B所使用之異向性導電膜10B之剖視圖。

圖5C係本發明之第2連接構造體40B所使用之異向性導電膜10B之剖視圖。

圖6A係本發明之第2連接構造體40B之示意性俯視圖。

圖6B係本發明之第2連接構造體40B所使用之異向性導電膜10B之剖視圖。

圖7係連接構造體之製造所使用之異向性導電膜10A之剖視圖。

圖8係連接構造體之製造所使用之異向性導電膜10A之剖視圖。

圖9係連接構造體之製造所使用之異向性導電膜10A之剖視圖。

圖10係連接構造體之製造所使用之異向性導電膜10A之剖視圖。

圖11係連接構造體之製造所使用之異向性導電膜10A之剖視圖。

圖12係連接構造體之製造所使用之異向性導電膜10A之剖視圖。

圖13係連接構造體之製造所使用之異向性導電膜10A之剖視圖。

圖14係異向性導電膜10B之剖視圖。

圖15A係異向性導電膜10C之剖視圖。

圖15B係異向性導電膜10C'之剖視圖。

圖16係異向性導電膜10D之剖視圖。

圖17係異向性導電膜10E之剖視圖。

圖18係實施例之異向性導電膜10F之剖視圖。

圖19係實施例之異向性導電膜10G之剖視圖。

圖20係比較對象用異向性導電膜10X之剖視圖。

以下，一面參照圖式，一面對本發明進行詳細說明。此外，各圖中，相同符號表示相同或同等之構成要素。

[第1連接構造體]

(整體構成)

圖1係本發明之連接構造體之態樣中之第1連接構造體40A之示意性俯視圖。於該連接構造體40A中，利用異向性導電膜10A將第1電子零件31及第2電子零件32與第3電子零件33進行異向性導電連接，該第1電子零件31具有第1端子圖案，該第2電子零件32具有端子之大小及間距與第1端子圖案不同之第2端子圖案，該第3電子零件33具有與第1端子圖案及第2端子圖案分別對應之端子圖案。於本實施例中，作為第1電子零件31，例如連接有IC晶片、IC模組等電子零件，作為第2電子零件32，連接有FPC等電子零件。另外，作為連接該等之第3電子零件33，使用玻璃基板、塑膠基板、剛性基板、陶瓷基板等。此外，於本發明中，第1電子零件、第2電子零件及第3電子零件之種類並無特別限定。作為第1電子零件及第2電子零件，亦可連接有多個IC晶片、IC模組等。

另外，圖1中，於異向性導電膜10A之短邊方向之一端側將第1電子零件31連接於第3電子零件33，於另一端側將第2電子零件32連接於第3電子零件33，但於利用1片異向性導電膜10A將第1電子零件31及第2電子零件32連接於第3電子零件33時，該等之配置並無特別限定。例如亦可如圖2所示般於異向性導電膜10A之長邊方向上排列第1電子零件31與第2電子零件32。另外，可如圖3所示般將多個第1電子零件31連接於第3電子零件33，亦可將多個第2電子零件32連接於第3電子零件33。

(第1連接構造體中之異向性導電膜)

於本發明之第1連接構造體40A之製造所使用之異向性導電膜10A中，於絕緣性樹脂層2中規則地排列有導電粒子1。因此，使用該異向性導電膜10A將第1電子零件31與第2電子零件32進行異向性導電連接後之第1連接構造體40A，其亦具有至少於未連接第1電子零件31及第2電子零件32之部分規則地排列有導電粒子之區域。

‧導電粒子之規則之排列及個數密度

關於第1連接構造體40A之製造所使用之異向性導電膜10A，作為導電粒子之規則之排列，可列舉正方格子、六角格子、斜方格子、長方格子等。另外，意圖性地去除形成此種格子排列之一部分導電粒子所獲得者亦包括在格子排列中。關於該導電粒子之去除方式，只要於膜之長邊方向上具有規則性，則無特別限制。另外，作為導電粒子整體之粒子配置，亦可使導電粒子1以特定間隔呈直線狀排列而成之粒子行以特定間隔並列。藉由將導電粒子設為規則之排列，且控制導電粒子之間距或排列方向，容易使為了將第1電子零件及第2電子零件之兩者連接於第3電子零件所需之導電粒子之個數密度最佳化。先前，於將第1 電子零件及第2電子零件兩者連接於第3電子零件之異向性導電膜中，由於導電粒子無規地配置，故而使異向性導電膜中之導電粒子之個數密度、與適於第1電子零件之連接的個數密度及適於第2電子零件之連接之個數密度中的個數密度較高者一致，因此大量使用有無用之導電粒子，但於本發明之第1連接構造體40A中，藉由如上所述般使異向性導電膜中之導電粒子呈現規則之排列，容易實現導電粒子之個數密度之最佳化，因此可減少無用之導電粒子。

例如於將第1電子零件與第3電子零件進行COG連接，將第2電子零件與第3電子零件進行FOG連接之情形時，異向性導電膜10A中之導電粒子之個數密度可設為未達35000個/mm²。

‧面積佔有率

於規定異向性導電膜10A中之導電粒子之個數密度時，根據下式由導電粒子之個數密度及1個導電粒子之俯視面積之平均所算出之面積佔有率成為用以將異向性導電膜熱壓接至電子零件之按壓治具所需之推力之指標。

面積佔有率(%)=[俯視下之導電粒子之個數密度(個/mm²)]×[1個導電粒子之俯視面積之平均(mm²/個)]×100

就將為了將異向性導電膜熱壓接至電子零件而對按壓治具所需之推力抑制為較低之方面而言，面積佔有率較佳為35%以下，更佳為0.3~30%之範圍。

‧導電粒子之粒徑

關於導電粒子之粒徑，為了能夠應對配線高度之不均，另外，抑制導通電阻之上升，且抑制短路之發生，較佳為1μm以上且30μm以下，更佳為3μm以上且9μm以下。分散於絕緣性樹脂層之前的導電粒子之粒徑可利用一般之粒度分佈測定裝置進行測定。另外，分散於絕緣性樹脂層後之導電粒子之粒徑亦可使用粒度分佈測定裝置而求出。可為圖像型，亦可為雷射型。作為圖像型測定裝置，可列舉濕式流動式粒徑/形狀分析裝置FPIA-3000(Malvern公司)作為一例。測定導電粒子之平均粒徑D之樣品數(導電粒子數)較佳為1000個以上。異向性導電膜中之導電粒子之平均粒徑D可根據SEM等電子顯微鏡進行觀察而求出。於該情形時，較理想為將測定導電粒子之平均粒徑D之樣品數(導電粒子數)設為200個以上。

此外，於使用在其表面附著有絕緣性微粒子者作為導電粒子之情形時，本發明中之導電粒子之粒徑係指不含表面之絕緣性微粒子之粒徑。

‧導電粒子非接觸地存在之個數比率

於第1連接構造體40A之製造所使用之異向性導電膜10A中，導電粒子1較佳為於膜之俯視下互不接觸地存在。因此，相對於導電粒子整體，導電粒子1彼此相互非接觸地存在之個數比率為95%以上，較佳為98%以上，更佳為99.5%以上。如下所述，若使用轉印模使導電粒子1規則地配置，則可容易地控制導電粒子1彼此相互非接觸地存在之比率，故而較佳。於導電粒子1在俯視下重合之情形時，個別地對各者進行計數。

‧導電粒子之膜厚方向之位置

於第1連接構造體40A之製造所使用之異向性導電膜10A中，於導電粒子1互不接觸地存在之情形時，較佳為其膜厚方向之位置對齊。例如如圖7所示，可使導電粒子1之膜厚方向之埋入量Lb一致。藉此，無論於第1電子零件31之端子與第3電子零件33之端子之間，亦或於第2電子零件32之端子與第3電子零件33之端子之間，導電粒子之捕捉性均容易穩定。此外，於異向性導電膜10A中，導電粒子1可自絕緣性樹脂層2露出，亦可完全埋入。

此處，埋入量Lb係指埋入有導電粒子1之絕緣性樹脂層2之表面(絕緣性樹脂層2之正、背面中露出導電粒子1之側的表面、或導電粒子1完全埋入至絕緣性樹脂層2之情形時與導電粒子1之距離較近的表面)且鄰接之導電粒子間之中央部的切平面2p與導電粒子1之最深部之距離。

‧埋入率

於將導電粒子1之埋入量Lb相對於平均粒徑D之比率設為埋入率(Lb/D)之情形時，埋入率較佳為30%以上且105%以下。若將埋入率(Lb/D)設為30%以上且未達60%，則導電粒子自保持導電粒子之相對高黏度之樹脂露出之比率變高，因此更容易進行低壓構裝。若設為60%以上，則容易利用絕緣性樹脂層2將導電粒子1維持為特定之粒子分散狀態或特定之排列。另外，藉由設為105%以下，可減少異向性導電連接時以使端子間之導電粒子不必要地流動之方式發揮作用之絕緣性樹脂層之樹脂量。此外，導電粒子1亦可貫通絕緣性樹脂層2，該情形時之埋入率(Lb/D)成為100%。

此外，埋入率(Lb/D)之數值係指異向性導電膜中所含之總導電粒子數之80%以上、較佳為90%以上、更佳為96%以上成為該埋入率(Lb/D)之數值。因此，埋入率為30%以上且105%以下係指異向性導電膜中所含之總導電粒子數之80%以上、較佳為90%以上、更佳為96%以上之埋入率為30%以上且105%以下。藉由如此使所有導電粒子之埋入率(Lb/D)一致，由於對導電粒子均勻地施加按壓負重，故而端子之導電粒子之捕捉狀態變得良好，導通穩定性提高。

(絕緣性樹脂層)

‧絕緣性樹脂層之黏度

於第1連接構造體40A之製造所使用之異向性導電膜10A中，絕緣性樹脂層2之最低熔融黏度並無特別限制，可根據異向性導電膜之使用對象或異向性導電膜之製造方法等而適當決定。例如只要可形成下述凹陷2b(圖8)、2c(圖9)，則根據異向性導電膜之製造方法，亦可設為1000Pa‧s左右。另一方面，作為異向性導電膜之製造方法，進行使導電粒子以特定之配置保持於絕緣性樹脂層之表面，並將該導電粒子壓入至絕緣性樹脂層之方法時，就絕緣性樹脂層能夠實現膜形成之方面而言，較佳為將絕緣性樹脂層之最低熔融黏度設為1100Pa‧s以上。

另外，如下述異向性導電膜之製造方法所說明，就如圖8所示般於壓入至絕緣性樹脂層2之導電粒子1之露出部分之周圍形成凹陷2b、或如圖9所示般於壓入至絕緣性樹脂層2之導電粒子1之正上方形成凹陷2c之方面而言，較佳為1500Pa‧s以上，更佳為2000Pa‧s以上，進而較佳為3000~15000Pa‧s，進而更佳為3000~10000Pa‧s。作為一例，該最低熔融黏度可使用旋轉式流變儀(TA instruments公司製造)，於測定壓力5g下保持固定，使用直徑8mm之測定板而求出，更具體而言，可藉由在溫度範圍30~200℃下，設為升溫速度10℃/分鐘、測定頻率10Hz、相對於上述測定板之荷重變動5g而求出。

藉由將絕緣性樹脂層2之最低熔融黏度設為1500Pa‧s以上之高黏度，可抑制異向性導電膜對物品之壓接時導電粒子之無用之移動，尤其可防止異向性導電連接時應夾持於端子間之導電粒子因樹脂流動而流動。

另外，於藉由對絕緣性樹脂層2壓入導電粒子1而形成異向性導電膜10A之導電粒子分散層3之情形時，關於壓入導電粒子1時之絕緣性樹脂層2，於以導電粒子1自絕緣性樹脂層2露出之方式將導電粒子1壓入至絕緣性樹脂層2時，成為如絕緣性樹脂層2發生塑性變形而於導電粒子1之周圍之絕緣性樹脂層2形成凹陷2b(圖8)般之高黏度黏性體，或者於以導電粒子1未自絕緣性樹脂層2露出而掩埋於絕緣性樹脂層2之方式壓入導電粒子1時，成為如於導電粒子1之正上方的絕緣性樹脂層2之表面形成凹陷2c(圖9)般之高黏度黏性體。因此，絕緣性樹脂層2於60℃下之黏度之下限較佳為3000Pa‧s以上，更佳為4000Pa‧s以上，進而較佳為4500Pa‧s以上，上限較佳為20000Pa‧s以下，更佳為15000Pa‧ s以下，進而較佳為10000Pa‧s以下。該測定係藉由與最低熔融黏度相同之測定方法而進行，可抽取溫度為60℃之值而求出。

對絕緣性樹脂層2壓入導電粒子1時之該絕緣性樹脂層2之具體黏度對應於所形成之凹陷2b、2c之形狀或深度等，下限較佳為3000Pa‧s以上，更佳為4000Pa‧s以上，進而較佳為4500Pa‧s以上，上限較佳為20000Pa‧s以下，更佳為15000Pa‧s以下，進而較佳為10000Pa‧s以下。另外，較佳為於40~80℃、更佳為於50~60℃下獲得此種黏度。

如上所述，藉由在自絕緣性樹脂層2露出之導電粒子1之周圍形成凹陷2b(圖8)，相對於異向性導電膜對物品壓接時產生之導電粒子1之扁平化而自絕緣性樹脂所受到之阻力較無凹陷2b之情形時降低。因此，於異向性導電連接時導電粒子變得容易受到端子夾持，藉此導通性能提高，且捕捉性提高。

另外，藉由在未自絕緣性樹脂層2露出而被掩埋之導電粒子1之正上方的絕緣性樹脂層2之表面形成凹陷2c(圖9)，與無凹陷2c之情形相比，異向性導電膜對物品壓接時之壓力變得容易集中於導電粒子1。因此，於異向性導電連接時導電粒子變得容易受到端子夾持，藉此捕捉性提高，導通性能提高。

<代替凹陷之「傾斜」或「起伏」>

如圖8、圖9所示之異向性導電膜之「凹陷」2b、2c亦可基於「傾斜」或「起伏」之觀點進行說明。以下，一面參照圖式(圖13~20)一面進行說明。

異向性導電膜10A係由導電粒子分散層3所構成(圖13)。於導電粒子分散層3中，導電粒子1以於絕緣性樹脂層2之單面露出之狀態規則地分散。於膜之俯視下，導電粒子1互不接觸，於膜厚方向上導電粒子1亦互不重疊地規則地分散，構成導電粒子1之膜厚方向之位置對齊的單層之導電粒子層。

於各個導電粒子1周圍之絕緣性樹脂層2之表面2a，相對於鄰接之導電粒子間之中央部之絕緣性樹脂層2的切平面2p形成有傾斜2b。此外，亦可如下所述，於本發明之異向性導電膜中，於埋入至絕緣性樹脂層2之導電粒子1的正上方之絕緣性樹脂層之表面形成有起伏2c(圖16、圖18)。

於本發明中，所謂「傾斜」係指於導電粒子1之附近，絕緣性樹脂層之表面之平坦性受損，相對於上述切平面2p，樹脂層之一部分發生缺損，樹脂量減少之狀態。換言之，於傾斜中，導電粒子周圍之絕緣性樹脂層之表面相對於切平面發生缺損。另一方面，所謂「起伏」係指藉由在導電粒子之正上方之絕緣性樹脂層之表面具有波動，存在如波動般具有高低差之部分，而使樹脂減少之狀態。換言之，導電粒子正上方之絕緣性樹脂層之樹脂量較導電粒子正上方之絕緣性樹脂層之表面位於切平面時變少。該等可將相當於導電粒子之正上方之部位與導電粒子間之平坦之表面部分(圖16、圖18之2f)進行對比而辨識。此外，亦有起伏之起始點作為傾斜而存在之情形。

如上所述，藉由在自絕緣性樹脂層2露出之導電粒子1之周圍形成有傾斜2b(圖13)，對於異向性導電連接時導電粒子1夾持於端子間時所產生之導電粒子1之扁平化而自絕緣性樹脂所受到之阻力較無傾斜2b之情形有所降低，因此端子之導電粒子之夾持變得容易，藉此導通性能提高，且捕捉性提高。該傾斜較佳為沿著導電粒子之外形。其原因在於，除了更容易表現出連接之效果以外，亦變得容易辨識導電粒子，藉此容易進行製造異向性導電膜時之檢查等。另外，該傾斜及起伏有因對絕緣性樹脂層進行熱壓等而導致其一部分消失之情形，但本發明包括該情形。於該情形時，導電粒子有於絕緣性樹脂層之表面以1點露出之情形。此外，關於異向性導電膜，在所連接之電子零件多種多樣並且根據該等進行調整之情況下，較理想為設計自由度較高以便滿足各種要件，因此無論使傾斜或起伏減少亦或局部地消失，均可使用。

另外，藉由在未自絕緣性樹脂層2露出而被掩埋之導電粒子1之正上方的絕緣性樹脂層2之表面形成起伏2c(圖16、圖18)，與傾斜之情形同樣地，於異向性導電連接時來自端子之按壓力容易施加至導電粒子。另外，藉由具有起伏，導電粒子之正上方之樹脂量較樹脂平坦地堆積之情形有所減少，因此容易產生連接時之導電粒子正上方之樹脂之排除，端子與導電粒子容易接觸，因此端子之導電粒子之捕捉性提高，導通可靠性提高。

(絕緣性樹脂層之厚度方向上之導電粒子之位置)

考慮到「傾斜」或「起伏」之觀點之情形時之絕緣性樹脂層2之厚度方向上之導電粒子1之位置係與上述同樣地，導電粒子1可自絕緣性樹脂層2露出，亦可不露出而埋入至絕緣性樹脂層2內，自鄰接之導電粒子間之中央部之切平面2p起至導電粒子之最深部為止的距離(以下稱為埋入量)Lb與導電粒子之平均粒徑D之比(Lb/D)(埋入率)較佳為30%以上且105%以下。

若將埋入率(Lb/D)設為30%以上且未達60%，則粒子自保持導電粒子之相對高黏度之樹脂露出之比率變高，因此更容易進行低壓構裝。若設為60%以上，則容易利用絕緣性樹脂層2將導電粒子1維持為特定之粒子分散狀態或特定之排列。另外，藉由設為105%以下，可減少異向性導電連接時以端子間之導電粒子不必要地流動之方式發揮作用之絕緣性樹脂層之樹脂量。

此外，埋入率(Lb/D)之數值係指異向性導電膜中所含之總導電粒子數之80%以上、較佳為90%以上、更佳為96%以上成為該埋入率(Lb/D)之數值。因此，埋入率為30%以上且105%以下係指異向性導電膜中所含之總導電粒子數之80%以上、較佳為90%以上、更佳為96%以上之埋入率為30%以上且105%以下。藉由如此使全部導電粒子之埋入率(Lb/D)一致，使按壓之負重均勻地施加至導電粒子，因此端子之導電粒子之捕捉狀態變得良好，導通穩定性提高。

埋入率(Lb/D)可藉由下述方法求出：自異向性導電膜任意抽出10處以上之面積30mm²以上之區域，利用SEM圖像對該膜剖面之一部分進行觀察，計測合計50個以上之導電粒子。為了進一步提高精度，亦可計測200個以上之導電粒子而求出。

另外，埋入率(Lb/D)之計測可藉由在面視野圖像中進行焦點調整，一次求出某程度之個數。或者亦可將雷射式判別位移感測器(KEYENCE股份有限公司製造等)用於埋入率(Lb/D)之計測。

(埋入率30%以上且未達60%之態樣)

作為埋入率(Lb/D)30%以上且60%以下之導電粒子1的更具體之埋入態樣，首先可列舉如圖13所示之異向性導電膜10A般，導電粒子1以自絕緣性樹脂層2露出之方式以30%以上且未達60%之埋入率被埋入之態樣。該異向性導電膜10A具有傾斜2b，該傾斜2b係絕緣性樹脂層2之表面中與自該絕緣性樹脂層2露出之導電粒子1相接之部分及其附近相對於鄰接之導電粒子間之中央部之絕緣性樹脂層之表面2a的切平面2p，成為大致沿著導電粒子之外形之稜線者。

此種傾斜2b或下述之起伏2c於藉由將導電粒子1壓入至絕緣性樹脂層2而製造異向性導電膜10A之情形時，可藉由在40~80℃下以3000~20000Pa‧s、更佳為以4500~15000Pa‧s進行導電粒子1之壓入而形成。

(埋入率60%以上且未達100%之態樣)

作為埋入率(Lb/D)60%以上且105%以下之導電粒子1的更具體之埋入態樣，首先可列舉如圖13所示之異向性導電膜10A般導電粒子1以自絕緣性樹脂層2露出之方式以60%以上且未達100%之埋入率被埋入之態樣。該異向性導電膜10A具有傾斜2b，該傾斜2b係絕緣性樹脂層2之表面中與自該絕緣性樹脂層2露出之導電粒子1相接之部分及其附近相對於鄰接之導電粒子間之中央部之絕緣性樹脂層之表面2a的切平面2p，成為大致沿著導電粒子之外形之稜線者。

此種傾斜2b或下述之起伏2c於藉由將導電粒子1壓入至絕緣性樹脂層2而製造異向性導電膜10A之情形時，壓入導電粒子1時之黏度之下限較佳為 3000Pa‧s以上，更佳為4000Pa‧s以上，進而較佳為4500Pa‧s以上，上限較佳為20000Pa‧s以下，更佳為15000Pa‧s以下，進而較佳為10000Pa‧s以下。另外，較佳為於40~80℃、更佳為於50~60℃下獲得此種黏度。此外，可為傾斜2b或起伏2c之一部分因對絕緣性樹脂層進行熱壓等而消失，亦可為傾斜2b變化為起伏2c，另外，亦可埋入至具有起伏2c之絕緣性樹脂層之導電粒子以其頂部之1點露出於絕緣性樹脂層2。

(埋入率100%之態樣)

其次，作為本發明之異向性導電膜中之埋入率(Lb/D)100%之態樣，可列舉：如圖14所示之異向性導電膜10B般，於導電粒子1之周圍具有“成為大致沿著與圖13所示之異向性導電膜10A相同之導電粒子之外形之稜線的傾斜2b”，自絕緣性樹脂層2露出之導電粒子1之露出直徑Lc小於導電粒子之平均粒徑D者；如圖15A所示之異向性導電膜10C般，導電粒子1之露出部分之周圍之傾斜2b陡峭地出現於導電粒子1附近，導電粒子1之露出直徑Lc與導電粒子之平均粒徑D大致相等者；如圖16所示之異向性導電膜10D般，於絕緣性樹脂層2之表面具有較淺之起伏2c，導電粒子1以其頂部1a之1點自絕緣性樹脂層2露出者。

此外，亦可鄰接於導電粒子之露出部分周圍之絕緣性樹脂層2之傾斜2b、或導電粒子之正上方之絕緣性樹脂層之起伏2c而形成微小之突出部分2q。將該一例示於圖15B。

該等異向性導電膜10B、10C、10C'、10D由於埋入率為100%，故而導電粒子1之頂部1a與絕緣性樹脂層2之表面2a對齊為同一面。若導電粒子1之頂部1a與絕緣性樹脂層2之表面2a對齊為同一面，則具有如下效果：與如圖13所示般導電粒子1自絕緣性樹脂層2突出之情形相比，於異向性導電連接時，於各個導電粒子之周邊，膜厚方向之樹脂量不易變得不均勻，可減少因樹脂流動所引起之導電粒子之移動。此外，即便埋入率嚴格上並非100%，若埋入至絕緣性樹脂層2之導電粒子1之頂部與絕緣性樹脂層2之表面對齊至成為同一面之程度，則亦可獲得該效果。換言之，於埋入率(Lb/D)大致為80~105%、尤其90~100%之情形時，可認為埋入至絕緣性樹脂層2之導電粒子1之頂部與絕緣性樹脂層2之表面為同一面，可減少因樹脂流動所引起之導電粒子之移動。

於該等異向性導電膜10B、10C、10C'、10D中，10D由於導電粒子1之周圍之樹脂量不易變得不均勻，故而可消除因樹脂流動所引起之導電粒子之移動，另外，雖然為頂部1a之1點，但導電粒子1自絕緣性樹脂層2露出，因此可期待如下效果：端子之導電粒子1之捕捉性亦良好，亦不易產生導電粒子之略微之移動。因此，該態樣尤其於微間距或凸塊間之間隙狹小之情形時有效。

此外，傾斜2b、起伏2c之形狀或深度不同之異向性導電膜10B(圖14)、10C(圖15A)、10C'(圖15B)、10D(圖16)可藉由如下所述變更壓入導電粒子1時之絕緣性樹脂層2之黏度等而製造。

(埋入率超過100%之態樣)

於本發明之異向性導電膜中，於埋入率超過100%之情形時，可列舉：如圖17所示之異向性導電膜10E般導電粒子1露出，於該露出部分之周圍之絕緣性樹脂層2具有相對於切平面2p之傾斜2b，或者於導電粒子1之正上方之絕緣性樹脂層2之表面具有相對於切平面2p之起伏2c者(圖18)。

此外，於導電粒子1之露出部分之周圍之絕緣性樹脂層2具有傾斜2b的異向性導電膜10E(圖17)與於導電粒子1之正上方之絕緣性樹脂層2具有起伏2c的異向性導電膜10F(圖18)可藉由變更製造其等時壓入導電粒子1時之絕緣性樹脂層2之黏度等而製造。

此外，若將圖17所示之異向性導電膜10E用於異向性導電連接，由於導電粒子1被端子直接按壓，故而端子之導電粒子之捕捉性提高。另外，若將圖18所示之異向性導電膜10F用於異向性導電連接，則導電粒子1不直接按壓端子，而是隔著絕緣性樹脂層2進行按壓，但存在於按壓方向上之樹脂量與圖20之狀態(即，導電粒子1以超過100%之埋入率被埋入，導電粒子1未自絕緣性樹脂層2露出，且絕緣性樹脂層2之表面為平坦之狀態)相比變少，因此按壓力容易施加至導電粒子，且可防止異向性導電連接時端子間之導電粒子1因樹脂流動而不必要地移動。

就容易發揮上述導電粒子之露出部分之周圍之絕緣性樹脂層2之傾斜2b(圖13、圖14、圖15A、圖15B、圖17)、或導電粒子之正上方之絕緣性樹脂層之起伏2c(圖16、圖18)之效果之方面而言，傾斜2b之最大深度Le與導電粒子1之平均粒徑D之比(Le/D)較佳為未達50%，更佳為未達30%，進而較佳為20~25%，傾斜2b或起伏2c之最大直徑Ld與導電粒子1之平均粒徑D之比(Ld/D)較佳為100%以上，更佳為100~150%，起伏2c之最大深度Lf與導電粒子1之粒徑D之比(Lf/D)大於0，較佳為未達10%，更佳為5%以下。

此外，傾斜2b或起伏2c中之導電粒子1之露出(正上方)部分之直徑Lc可設為導電粒子1之平均粒徑D以下，較佳為平均粒徑D之10~90%。可以導電粒子1之頂部之1點露出，亦可將導電粒子1完全掩埋於絕緣性樹脂層2內，使直徑Lc成為零。

此外，如圖19所示，於埋入率(Lb/D)未達60%之異向性導電膜10G中，於絕緣性樹脂層2上導電粒子1容易轉動，因此就提高異向性導電連接時之捕捉率之方面而言，較佳為將埋入率(Lb/D)設為60%以上。

另外，於埋入率(Lb/D)超過100%之態樣中，於如圖20所示之比較例的異向性導電膜10X般絕緣性樹脂層2之表面平坦之情形時，介置於導電粒子1與端子之間之樹脂量變得過多。另外，由於導電粒子1不直接接觸端子地按壓端子，而是隔著絕緣性樹脂按壓端子，故而由此導電粒子亦容易因樹脂流動而流動。

於本發明中，絕緣性樹脂層2之表面存在傾斜2b、起伏2c之情況可藉由利用掃描式電子顯微鏡對異向性導電膜之剖面進行觀察而確認，亦可於面視野觀察中進行確認。亦可利用光學顯微鏡、金屬顯微鏡對傾斜2b、起伏2c進行觀察。另外，傾斜2b、起伏2c之大小亦可藉由圖像觀察時之焦點調整等進行確認。即便如上所述因熱壓而使傾斜或起伏減少後亦相同。其原因在於有時會殘留痕跡。

(絕緣性樹脂層之組成)

絕緣性樹脂層2可由硬化性樹脂組成物形成，例如可由含有熱聚合性化合物及熱聚合起始劑之熱聚合性組成物形成。熱聚合性組成物中亦可視需要含有光聚合起始劑。

於將熱聚合起始劑與光聚合起始劑併用之情形時，可使用作為熱聚合性化合物發揮功能且亦作為光聚合性化合物發揮功能者，亦可除含有熱聚合性化合物以外，亦含有光聚合性化合物。較佳為除含有熱聚合性化合物以外，亦含有光聚合性化合物。例如使用熱陽離子系聚合起始劑作為熱聚合起始劑，使用環氧化合物作為熱聚合性化合物，使用光自由基聚合起始劑作為光聚合起始劑，使用丙烯酸酯化合物作為光聚合性化合物。

作為光聚合起始劑，亦可含有對波長不同之光發生反應之多種。藉此，可將製造異向性導電膜時之構成絕緣性樹脂層之樹脂之光硬化與於異向性導電連接時用以接著電子零件彼此之樹脂之光硬化中所使用之波長分開使用。

於製造異向性導電膜時之光硬化中，可使絕緣性樹脂層中所含之光聚合性化合物之全部或一部分光硬化。藉由該光硬化，可保持絕緣性樹脂層2中之導電粒子1之配置或使之固定化，可期待短路之抑制與捕捉性之提高。另外，亦可藉由該光硬化而適當調整異向性導電膜之製造步驟中之絕緣性樹脂層之黏度。尤其是，該光硬化較佳為於絕緣性樹脂層2之層厚La與導電粒子1之平均粒徑D之比(La/D)未達0.6之情形時進行。其原因在於，於絕緣性樹脂層2之層厚相對於導電粒子之平均粒徑而較薄之情形時，亦於絕緣性樹脂層2中更確實地進行導電粒子之配置之保持或固定化，並且進行絕緣性樹脂層2之黏度調整，於使用異向性導電膜之電子零件彼此之連接中抑制良率之降低。

絕緣性樹脂層中之光聚合性化合物之摻合量較佳為30質量%以下，更佳為10質量%以下，進而較佳為未達2質量%。其原因在於，若光聚合性化合物過多，則連接時之壓入所施加之推力增加。

作為熱聚合性組成物之例，可列舉：含有(甲基)丙烯酸酯化合物及熱自由基聚合起始劑之熱自由基聚合性丙烯酸酯系組成物、含有環氧化合物及熱陽離子聚合起始劑之熱陽離子聚合性環氧系組成物等。亦可使用含有熱陰離子聚合起始劑之熱陰離子聚合性環氧系組成物代替含有熱陽離子聚合起始劑之熱陽離子聚合性環氧系組成物。另外，只要無特別阻礙，則亦可將多種聚合性化合物併用。作為併用例，可列舉陽離子聚合性化合物與自由基聚合性化合物之併用等。

此處，作為(甲基)丙烯酸酯化合物，可使用先前公知之熱聚合型(甲基)丙烯酸酯單體。例如可使用單官能(甲基)丙烯酸酯系單體、二官能以上之多官能(甲基)丙烯酸酯系單體。

作為熱自由基聚合起始劑，例如可列舉有機過氧化物、偶氮系化合物等。尤其可較佳地使用不會產生成為氣泡之原因之氮氣的有機過氧化物。

關於熱自由基聚合起始劑之使用量，若過少則變得硬化不良，若過多則導致製品壽命降低，因此相對於(甲基)丙烯酸酯化合物100質量份，較佳為2~60質量份、更佳為5~40質量份。

作為環氧化合物，可列舉：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、其等之改質環氧樹脂、脂環式環氧樹脂等，可將該等之2種以上併用。另外，亦可除環氧化合物以外併用氧環丁烷化合物。

作為熱陽離子聚合起始劑，可採用公知者作為環氧化合物之熱陽離子聚合起始劑，例如可使用藉由熱而產生酸之錪鹽、鋶鹽、鏻鹽、二茂鐵類等，尤其可較佳地使用對於溫度顯示出良好之潛伏性之芳香族鋶鹽。

關於熱陽離子聚合起始劑之使用量，若過少則有變得硬化不良之傾向，若過多則有製品壽命降低之傾向，因此相對於環氧化合物100質量份，較佳為2~60質量份，更佳為5~40質量份。

熱聚合性組成物較佳為含有膜形成樹脂或矽烷偶合劑。作為膜形成樹脂，可列舉：苯氧基樹脂、環氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、飽和聚酯樹脂、胺酯樹脂、丁二烯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚烯烴樹脂等，可將該等之2種以上併用。於該等中，就製膜性、加工性、連接可靠性之觀點而言，可較佳地使用苯氧基樹脂。重量平均分子量較佳為10000以上。另外，作為矽烷偶合劑，可列舉環氧系矽烷偶合劑、丙烯酸系矽烷偶合劑等。該等矽烷偶合劑主要為烷氧基矽烷衍生物。

於熱聚合性組成物中，為了調整熔融黏度，除含有上述導電粒子1以外，亦可含有絕緣性導電粒子。其可列舉二氧化矽粉或氧化鋁粉等。較佳為絕緣性導電粒子粒徑20~1000nm之微小之導電粒子，另外，摻合量較佳為相對於環氧化合物等熱聚合性化合物(光聚合性化合物)100質量份設為5~50質量份。

本發明之異向性導電膜中，除含有上述絕緣性導電粒子以外，亦可含有填充劑、軟化劑、促進劑、抗老化劑、著色劑(顏料、染料)、有機溶劑、離子捕捉劑等。

(絕緣性樹脂層之層厚)

於第1連接構造體40A之製造所使用之異向性導電膜10A中，絕緣性樹脂層2之層厚根據導電粒子1之平均粒徑D或第1電子零件31、第2電子零件32、及第3電子零件33之端子高度而變動，因此並無特別限定，作為一例，於平均粒徑D未達10μm之情形時，較佳為將絕緣性樹脂層2之層厚La與導電粒子1之平均粒徑D之比(La/D)設為0.3以上且10以下，更佳為設為3以下，進而較佳設為1以下。就維持絕緣性樹脂層2中之導電粒子1之配置之方面而言，更佳為將比(La/D)設為0.4以上。另外，就抑制異向性導電連接時之過度樹脂流動及實現低壓構裝之方面而言，更佳設為1以下。進而，就容易使導電粒子1自絕緣性樹脂層2露出，且更容易進行低壓構裝之方面而言，較佳為將該比(La/D)設為未達1，更佳為未達0.6，進而較佳為0.5以下。此外，於將比(La/D)設為3以下之情形時，有較佳為設置最低熔融黏度低於絕緣性樹脂層2之第2絕緣性樹脂層4之情形。

另一方面，於平均粒徑D為10μm以上之情形時，關於La/D之上限設為3.5以下，較佳為設為2.5以下，更佳為設為2以下，關於下限為0.8以上，較佳為1以上，更佳為大於1.3。

另外，不論平均粒徑D之大小如何，若絕緣性樹脂層2之層厚La過大而該比(La/D)變得過大，則異向性導電連接時導電粒子1難以壓抵於端子，並且導電粒子容易因樹脂流動而流動。因此，導電粒子容易發生位置偏移，端子之導電粒子之捕捉性降低。另外，為了將導電粒子壓抵於端子，按壓治具所需之推力亦增大，妨礙低壓構裝。反之，若絕緣性樹脂層2之層厚La過小而該比變得過小，則難以利用絕緣性樹脂層2將導電粒子1維持於特定之位置。

(第2絕緣性樹脂層)

於異向性導電膜10A中，亦可於絕緣性樹脂層2積層最低熔融黏度低於該絕緣性樹脂層2之第2絕緣性樹脂層4(圖10~圖12)。該第2絕緣性樹脂層4可於異向性導電連接時填充由電子零件之凸塊等端子所形成之空間，而提高對向之電子零件彼此之接著性。即，為了能夠實現使用異向性導電膜之電子零件之低壓構裝，且抑制異向性導電連接時之絕緣性樹脂層2之樹脂流動而提高導電粒子1之粒子捕捉性，較理想為提高絕緣性樹脂層2之黏度，並且於導電粒子1不發生位置偏移之範圍內減薄絕緣性樹脂層2之厚度，但若絕緣性樹脂層2之厚度變得過薄，則導致使對向之電子零件彼此接著之樹脂量之不足，因此有接著性降低之虞。對此，藉由在異向性導電連接時設置黏度低於絕緣性樹脂層2之第2絕緣性樹脂層4，亦可提高電子零件彼此之接著性，由於第2絕緣性樹脂層4之流動性較高，故而可不易阻礙利用端子之導電粒子之夾持或壓入。

於導電粒子分散層3上積層第2絕緣性樹脂層4之情形時，無論第2絕緣性樹脂層4是否位於凹陷2b之形成面上，均較佳為將第2絕緣性樹脂層4貼於利用工具進行加壓之電子零件(將絕緣性樹脂層2貼於載置於載台之電子零件)。藉此，可避免導電粒子之無用之移動，可提高捕捉性。

絕緣性樹脂層2與第2絕緣性樹脂層4之最低熔融黏度比越具有差異，由電子零件之電極或凸塊所形成之空間越容易被第2絕緣性樹脂層4填充，越可提高電子零件彼此之接著性。另外，越具有該差異，存在於導電粒子分散層3中之絕緣性樹脂之移動量變得相對越少，端子間之導電粒子1越不易因樹脂流動而流動，藉此端子之導電粒子之捕捉性提高，故而較佳。於實際應用中，絕緣性樹脂層2與第2絕緣性樹脂層4之最低熔融黏度比較佳為2以上，更佳為5以上，進而較佳為8以上。另一方面，若該比過大，則於將長條之異向性導電膜製成捲裝體之情形時，有樹脂之溢出或黏連之虞，因此於實際應用中較佳為15以下。更具體而言，第2絕緣性樹脂層4之較佳之最低熔融黏度滿足上述比，且為3000Pa‧s以下，更佳為2000Pa‧s以下，尤佳為100~2000Pa‧s。

此外，第2絕緣性樹脂層4可藉由在與絕緣性樹脂層2相同之樹脂組成物中調整黏度而形成。

另外，第2絕緣性樹脂層4之層厚較佳為4~20μm。或者，相對於導電粒子直徑、具體而言為其平均粒徑，較佳為1~8倍。

另外，將絕緣性樹脂層2與第2絕緣性樹脂層4合併而成之異向性導電膜整體之最低熔融黏度於實際應用中為8000Pa‧s以下，較佳為200~7000Pa‧s，尤佳為200~4000Pa‧s。

作為第2絕緣性樹脂層4之具體之積層態樣，例如可如圖10所示般於導電粒子分散層3之單面積層第2絕緣性樹脂層4。於該情形時，導電粒子1之平均粒徑D與絕緣性樹脂層2之層厚La之關係可如上所述將La/D設為0.3以上且10以下。

如圖11所示，於導電粒子1自絕緣性樹脂層2之單面突出之情形時，亦可於該突出之面積層第2絕緣性樹脂層4，使導電粒子1沒入至第2絕緣性樹脂層4。於導電粒子1之埋入率為0.95以下之情形時，較佳為如此積層第2絕緣性樹脂層4，於為0.9以下之情形時更佳為如此積層。

亦可如圖12所示，於“與埋入有導電粒子1之絕緣性樹脂層2之面為相反側之面”積層第2絕緣性樹脂層4。

(第3絕緣性樹脂層)

亦可於隔著絕緣性樹脂層2而與第2絕緣性樹脂層4相反之側設置第3絕緣性樹脂層。可使第3絕緣性樹脂層作為黏性層發揮功能。亦可與第2絕緣性樹脂層4同樣地為了填充由電子零件之電極或凸塊所形成之空間而設置。

第3絕緣性樹脂層之樹脂組成、黏度及厚度可與第2絕緣性樹脂層相同，亦可不同。將絕緣性樹脂層2、第2絕緣性樹脂層4及第3絕緣性樹脂層合併所得之異向性導電膜，其最低熔融黏度並無特別限制，可設為200~4000Pa‧s。

(異向性導電膜10A之製造方法)

作為異向性導電膜10A之製造方法，例如使導電粒子1以特定之規則之排列保持於絕緣性樹脂層2之表面，利用平板或滾筒將該導電粒子1壓入至絕緣性樹脂層2。

此處，絕緣性樹脂層2中之導電粒子1之埋入量Lb可藉由壓入導電粒子1時之按壓力、溫度等進行調整，另外，凹陷2b、2c之有無、形狀及深度可藉由壓入時之絕緣性樹脂層2之黏度、壓入速度、溫度等進行調整。

另外，作為使導電粒子1保持於絕緣性樹脂層2之方法，並無特別限定，例如使用轉印模使導電粒子1保持於絕緣性樹脂層2。作為轉印模，例如可使用如下者：對於矽、各種陶瓷、玻璃、不鏽鋼等金屬等無機材料、或各種樹脂等有機材料之轉印模材料，藉由光微影法等公知之開口形成方法而形成有開口。此外，轉印模可採用板狀、輥狀等形狀。

為了使用異向性導電膜經濟地進行電子零件之連接，較佳為異向性導電膜為某程度之長條。因此，異向性導電膜之長度較佳為製造為5m以上，更佳為製造為10m以上，進而較佳為製造為25m以上。另一方面，若使異向性導電膜變得過長，則無法使用“利用異向性導電膜進行電子零件之製造之情形時所使用的習知之連接裝置”，操作性亦較差。因此，異向性導電膜之長度較佳為製造為5000m以下，更佳為製造為1000m以下，進而較佳為製造為500m以下。就操作性優異之方面而言，較佳為將異向性導電膜之此種長條體製成捲成捲芯之捲裝體。

(第1連接構造體之製造方法)

作為第1連接構造體40A之製造方法，於異向性導電膜10A由導電粒子分散層3之單層所構成之情形時，可藉由如下方式製造：針對各種基板等之第3電子零件33，自異向性導電膜之表面埋入導電粒子1之側暫時貼附並暫時壓接，於經暫時壓接之異向性導電膜之表面未埋入導電粒子1之側，將IC晶片等第1電子零件31對準並進行熱壓接，並且將FPC等之第2電子零件32對準並進行熱壓接。於該情形時，可利用加壓工具自第1電子零件31及第2電子零件32之側同時壓接第1電子零件31及第2電子零件32，亦可利用加壓工具分別對該等進行壓接。

此外，於異向性導電膜之絕緣性樹脂層中不僅含有熱聚合起始劑及熱聚合性化合物，且亦含有光聚合起始劑及光聚合性化合物(亦可與熱聚合性化合物相同)之情形時，亦可將光與熱併用而代替熱壓接之壓接方法。藉此，可將導電粒子之無用之移動抑制為最小限度。另外，亦可將未埋入導電粒子之側暫時貼附於第3電子零件33而使用。亦可將異向性導電膜暫時貼附於第1電子零件及第2電子零件而非第3電子零件。

另外，於異向性導電膜10A由導電粒子分散層3與第2絕緣性樹脂層4之積層體形成之情形時，將導電粒子分散層3暫時貼附於各種基板等之第3電子零件33並暫時壓接，將IC晶片等之第1電子零件31或FPC等之第2電子零件32對準已暫時壓接之異向性導電膜之第2絕緣性樹脂層4側而載置並進行熱壓接。亦可將異向性導電膜10A之第2絕緣性樹脂層4側暫時貼附於第1電子零件31或第2電子零件32。另外，亦可將導電粒子分散層3側暫時貼附於第1電子零件31或第2電子零件32而使用。

[第2連接構造體]

(整體構成)

圖4A係本發明之連接構造體之態樣中之第2連接構造體40B之示意性俯視圖，圖4B、圖4C、圖4D、圖4E係第2連接構造體40B之異向性導電膜部分之示意性剖視圖之例。於該第2連接構造體40B中係利用異向性導電膜10B將具有第1端子圖案之第1電子零件31及具有端子之大小及間距與第1端子圖案不同之第2端子圖案的第2電子零件32、與“具有和第1端子圖案及第2端子圖案之各者對應之端子圖案之第3電子零件33”進行異向性導電連接，該第2連接構造體40B於如下方面不同於第1連接構造體40A，即，使用具有導電粒子之個數密度、粒徑及硬度之至少一種不同之多個區域10p、10q者作為第2連接構造體40B之製造所使用之異向性導電膜10B。藉此，可對第1電子零件31及第2電子零件32分別進行較第1連接構造體40A更適合之連接，可進一步減少無用之導電粒子。

於第2連接構造體40B中，亦與關於第1連接構造體40A所圖示之圖2、圖3同樣地，連接於第3電子零件33之第1電子零件31或第2電子零件32之個數或配置並無特別限定。

於第2連接構造體40B中，異向性導電膜10B所具有之導電粒子之個數密度、粒徑及硬度之至少一種不同之區域10p、10q可如圖4A所示般相互鄰接，亦可如圖5A所示般區域10p與區域10q隔著不存在導電粒子之區域10r而配置。圖5B、圖5C係圖5A所示之第2連接構造體40B之異向性導電膜部分之示意性剖視圖之例。如圖6A所示，區域10p與區域10q亦可隔著導電粒子之個數密度高於該等之區域10s而配置。圖6B係圖6A所示之第2連接構造體40B之異向性導電膜部分之示意性剖視圖之例。另外，導電粒子之個數密度、粒徑及硬度之至少一種不同之多個區域可如上述圖4A等所示般沿膜之短邊方向排列，亦可沿長邊方向排列。於該情形時，異向性導電膜較佳為具有：絕緣性樹脂層之厚度方向上之導電粒子之位置於絕緣性樹脂層之一表面或其附近對齊之區域、與於一表面或其附近及另一表面或其附近此兩者對齊之區域。

(第2連接構造體之異向性導電膜)

作為第2連接構造體之製造所使用之異向性導電膜10B之更具體之構成，例如於將第1電子零件31與第3電子零件33進行COG連接之情形時，於異向性導電膜10B之區域10p，將導電粒子之個數密度設為7000個/mm²以上且35000個/mm²以下，或者將導電粒子之粒徑設為2μm以上且9μm以下，或者作為導電粒子之硬度，將20%壓縮彈性率(20%K值)設為4000N/mm²以上且28000N/ mm²以下，較佳為設為4000N/mm²以上且20000N/mm²以下。另一方面，於將第2電子零件32與第3電子零件33進行FOG連接之情形時，於異向性導電膜10B之區域10q，將導電粒子之個數密度設為50個/mm²以上且10000個/mm²以下，或者將導電粒子之粒徑設為2μm以上且30μm以下，或者作為導電粒子之硬度，將20%壓縮彈性率(20%K值)設為2000N/mm²以上且18000N/mm²以下。

此外，上述中，第1電子零件31與第3電子零件33之連接區域及第2電子零件32與第3電子零件33之連接區域的各種數值重複，但各自以於上述範圍內數值不重複之方式設計而使用。例如若將第1電子零件31與第3電子零件33進行COG連接之區域的導電粒子之個數密度為8000個/mm²，則將第2電子零件32與第3電子零件33進行FOG連接之區域的導電粒子之個數密度未達8000個/mm²，較佳為為了容易識別而設定20%以上之差，設為6000個/mm²以下即可。其他參數亦相同。

此處，作為20%壓縮彈性率，可測定使用微小壓縮試驗機(例如Fischer公司製造之Fischerscope H-100)對導電粒子施加壓縮荷重時之導電粒子之壓縮變量，使用藉由下述式所算出之K值：20%壓縮彈性率(K)(N/mm²)=(3/2^1/2)‧F‧S^-3/2‧R^-1/2。

式中，F：導電粒子發生20%壓縮變形時之荷重值(N)

S：導電粒子發生20%壓縮變形時之壓縮位移(mm)

R：導電粒子之半徑(mm)。

於區域10p與區域10q，根據欲連接之第1電子零件31及第2電子零件32適當決定使導電粒子之個數密度、粒徑及硬度之何種不同，但較佳為由個數密度決定。其原因在於，若使用相同之導電粒子，則可避免設計上之污染(其他種類之導電粒子非預期地混入)，因此於品質管理方面較佳。因此，存在於至少一面側之導電粒子較佳為粒徑相同，更佳為粒徑與硬度相同。

另外，例如於區域10p與區域10q中使導電粒子之個數密度不同之情形時，可如圖4B所示，藉由使絕緣性樹脂層2之單面附近之導電粒子1之個數密度不同而形成區域10p與區域10q，亦可如圖4C、圖4D、圖4E所示，將絕緣性樹脂層2之正背兩面之導電粒子1合併而形成導電粒子之個數密度不同之區域10p與區域10q。於該情形時，亦可如圖4D所示，絕緣性樹脂層2之正背之導電粒子1於俯視下重合而形成導電粒子單元1u，且該導電粒子單元規則地排列。

於第2連接構造體40B之製造所使用之異向性導電膜10B中，導電粒子自身之構成、絕緣性樹脂層2之構成、第2絕緣性樹脂層4之構成等可設為與第1連接構造體40A之製造所使用之異向性導電膜10A相同。

關於第2連接構造體40B之製造所使用之異向性導電膜10B之製造方法，亦可依據第1連接構造體40A之製造所使用之異向性導電膜10A而製造。例如使形成區域10p之導電粒子1保持於絕緣性樹脂層2之單面，並利用平板或滾筒將該導電粒子1壓入至絕緣性樹脂層2(第1壓入步驟)，其次使形成區域10p、或區域10p及區域10q之導電粒子1保持於先前壓入有導電粒子之絕緣性樹脂層2之單面或其相反面，並利用平板或滾筒將該導電粒子壓入至絕緣性樹脂層(第2壓入步驟)。於該情形時，於第2壓入步驟中所壓入之導電粒子1可於俯視下成為於第1壓入步驟中壓入導電粒子1之區域之一部分(圖4C、圖4D)，亦可包含第1壓入步驟中壓入導電粒子1之整個區域(圖4E)，亦可與於第1壓入步驟中壓入導電粒子1之區域局部地重疊(圖6B)。根據導電粒子1之粒子配置，亦可將第1壓入步驟中用於使導電粒子1附著於絕緣性樹脂層2之轉印模於第2壓入步驟中亦用於使導電粒子1附著於絕緣性樹脂層2(圖5C)。藉此，可降低異向性導電膜之製造成本，故而較佳。於該情形時，可使導電粒子1附著於絕緣性樹脂層2之一表面或另一表面。

於第1壓入步驟中所壓入之導電粒子與於第2壓入步驟中所壓入之導電粒子之粒徑或硬度視需要可相同，亦可不同。另外，可使第1壓入步驟中所壓入之導電粒子之排列與第2壓入步驟中所壓入之導電粒子之排列不同，亦可使第1壓入步驟中所壓入之導電粒子之個數密度與第2壓入步驟中所壓入之導電粒子之個數密度不同。

此外，於將異向性導電膜製造成捲裝體之情形時，一般將寬度較大之異向性導電膜切成特定寬度之長條而製成帶狀，並將其捲成捲芯，但例如對於圖4E所示之異向性導電膜10B，可預先以不同之個數密度分別均勻地形成絕緣性樹脂層2之正背兩面附近之導電粒子，將其於虛線之位置切開而製成帶狀之異向性導電膜，並於此處形成區域10p與區域10q。藉此，可簡單地形成個數密度不同之區域10p與區域10q。

就上述相同之原因而言，較佳為於與膜之長邊方向正交之方向上，一側與相反側之導電粒子之個數密度不同。另外，就製造方面之原因而言，較佳為膜之一面與相反面之導電粒子之個數密度、粒徑及硬度不同。此時，更佳為膜之一面與相反面之任一面之導電粒子之粒子間距離不同。

實施例

以下，藉由實施例具體地說明本發明。

實施例1~7、比較例1、2

(1)異向性導電膜之製造

以表1所示之組成，分別製備形成導電粒子分散層之絕緣性樹脂層形成用樹脂組成物、及第2絕緣性樹脂層形成用樹脂組成物。絕緣性樹脂層之最低熔融黏度為3000Pa‧s以上，該絕緣性樹脂層之最低熔融黏度與第2絕緣性樹脂層之最低熔融黏度之比為2以上。

利用棒式塗佈機將形成絕緣性樹脂層(高黏度樹脂層)之樹脂組成物塗佈於膜厚度50μm之PET膜上，使其於80℃之烘箱中乾燥5分鐘，而於PET膜上形成表2所示之厚度的絕緣性樹脂層。同樣地，以表2所示之厚度於PET膜上形成第2絕緣性樹脂層。

另一方面，以導電粒子(平均粒徑3μm或4μm)於俯視下成為六角格子排列且導電粒子之俯視下之個數密度(面密度)成為表2所示之數值之方式製作模具。此外，於表2中於FOG側與COG側導電粒子之面密度不同者係於一個模具形成面密度不同之2個區域。使公知之透明性樹脂之顆粒以熔融之狀態流入該模具中，冷卻並凝固，藉此形成凹部為六角格子排列圖案之樹脂模具。

藉由在該樹脂模具之凹部填充表2所示之平均粒徑之導電粒子(平均粒徑3μm：積水化學工業股份有限公司製造之AUL703、及平均粒徑4μm：積水化學工業股份有限公司製造之AUL704)，並於其上覆蓋上述絕緣性樹脂層，於60℃下以0.5MPa進行按壓而貼合。繼而，將絕緣性樹脂層自模剝離，將絕緣性樹脂層上之導電粒子於(按壓條件：60~70℃、0.5MPa)下壓入至該絕緣性樹脂層內，形成導電粒子分散層(實施例1~7)。

於比較例1、2中，於形成表1所示之絕緣性樹脂層之樹脂組成物中混合導電粒子，形成導電粒子以單層無規分散而成之導電粒子分散層。

進而，藉由在導電粒子分散層之表面積層第2絕緣性樹脂層而製作雙層型之異向性導電膜(實施例1~7、比較例1、2)

此外，使用微小壓縮試驗機(例如Fischer公司製造之Fischerscope H-100)測定所使用之導電粒子之20%壓縮彈性率(20%K值)。將該結果示於表2。

(2)評價

將(1)中所製作之實施例及比較例之異向性導電膜裁剪為對於能夠應用於以下之評價用連接物之製作而言充分之面積，將所裁剪之異向性導電膜之一部分配置於以下所示之評價用IC與玻璃基板之間，於180℃、60MPa、5秒之條件下加熱加壓而進行異向性導電連接，其次藉由使用相同之異向性導電膜的其他區域將評價用FPC，於工具寬度1.5mm、200℃、5MPa、5秒之條件下加熱加壓而連接於該玻璃基板，從而獲得利用1片異向性導電膜將評價用IC及評價用FPC異向性導電連接於玻璃基板而成之評價用連接物。

評價用IC：

外形1.8×30mm

厚度0.5mm

凸塊規格尺寸30×85μm，凸塊間距離10μm，凸塊高度15μm，端子個數820個

評價用FPC：

端子間距20μm

端子寬度：端子間間隙=1：1

聚醯亞胺膜厚/銅箔厚(PI/Cu)=38/8，鍍錫(Sn plating)

玻璃基板：

(COG側)

玻璃材質Corning公司製造之1737F

電極ITO配線

配線厚度0.5mm

(FOG側)

電極ITO配線

配線厚度0.7mm

對於如此獲得之評價用連接物，以如下方式測定(a)導通電阻、(b)導通可靠性、(c)最低捕捉數、(d)短路率並進行評價。將結果示於表2。

(a)導通電阻

藉由四端子法測定評價用連接物之COG側連接部與FOG側連接部之導通電阻。於實際使用中較佳為2Ω以下。

(b)導通可靠性

將評價用連接物於溫度85℃、濕度85%RH之恆溫槽中放置500小時，與初期導通電阻同樣地測定其後之COG側連接部與FOG側連接部之導通電阻。於實際使用中較佳為5Ω以下。

(c)最低捕捉數

針對評價用連接物之COG側連接部與FOG側連接部各者之端子100個計測導電粒子之捕捉數，並求出最低捕捉數，依據如下基準進行評價。於實際使用中較佳為B評價以上。

最低捕捉數評價基準

A：10個以上

B：5個以上且未達10個

C：3個以上且未達5個

D：未達3個

(d)短路率

針對評價用連接物之COG側連接部與FOG側連接部各者，藉由以下之方法計測各者之短路數，求出所計測之短路數相對於端子數之比率作為短路率，根據如下基準進行評價。於實際使用中較佳為B評價以上。

COG側連接部之短路率

使用如下之短路率之評價用IC，於與上述相同之連接條件下獲得COG側之評價用連接物，計測所獲得之評價用連接物之短路數，求出所計測之短路數相對於評價用IC之端子數之比率作為短路率。

短路率之評價用IC(7.5μm間隙之梳齒TEG(test element group，測試元件組))：外形15×13mm

厚度0.5mm

凸塊規格尺寸25×140μm，凸塊間距離7.5μm，凸塊高度15μm

FOG側連接部之短路率

(a)藉由將與導通電阻試驗之評價用連接物之製作所使用之評價用FPC相同的FPC於相同之連接條件下連接於無鹼玻璃基板(厚度0.7mm)，而獲得FOG側之評價用連接物，計測所獲得之評價用連接物之短路數，根據所計測之短路數與評價用連接物之間隙數求出短路率。

短路率評價基準

A：未達50ppm

B：50ppm以上且未達100ppm

C：100ppm以上且未達200ppm

D：200ppm以上

根據表2，於實施例4、5、6、7中，於FOG側連接部與COG側連接部，導電粒子之面密度、粒徑、硬度均未變化，但導電粒子規則地排列，因此導通電阻、導通可靠性、捕捉數、短路率均成為能夠實際使用之結果。另外，於實施例1、2、3中，可知於FOG側連接部與COG側連接部，導電粒子之面密度、粒徑、硬度不同，FOG側或COG側連接部之導通可靠性較實施例4、5、6、7有所提高。相對於此，比較例1、2於FOG側連接部與COG側連接部，導電粒子之面密度、粒徑、硬度未變化，且導電粒子無規地分散，因此於導電粒子之個數密度較高之比較例1中，FOG側連接部之導通電阻與導通可靠性較差，於導電粒子之個數密度較低之比較例2中，COG側連接部之導通電阻與導通可靠性較差。

Claims

一種連接構造體，其利用異向性導電膜將第1電子零件及第2電子零件與第3電子零件進行異向性導電連接，該第1電子零件具有第1端子圖案，該第2電子零件具有端子之大小及間距與第1端子圖案不同之第2端子圖案，該第3電子零件具有與第1端子圖案及第2端子圖案分別對應之端子圖案，並且異向性導電膜具有下述之區域中至少一者：導電粒子規則地排列之區域、以及導電粒子之個數密度、粒徑及硬度之至少一種不同的多個區域。
如申請專利範圍第1項之連接構造體，其中，異向性導電膜具有導電粒子規則地排列且導電粒子之個數密度未達35000個/mm ²之區域。
如申請專利範圍第1項之連接構造體，其中，異向性導電膜具有導電粒子規則地排列且導電粒子之個數密度、粒徑及硬度之至少一種不同的多個區域。
一種異向性導電膜，其具有絕緣性樹脂層及配置於該絕緣性樹脂層之導電粒子，並且具有導電粒子之個數密度、粒徑及硬度之至少一種不同的多個區域。
如申請專利範圍第4項之異向性導電膜，其中，導電粒子規則地排列。
如申請專利範圍第4或5項之異向性導電膜，其中，於異向性導電膜之短邊方向或長邊方向上排列有導電粒子之個數密度、粒徑及硬度之至少一種不同的多個區域。
如申請專利範圍第4或5項之異向性導電膜，其具有：絕緣性樹脂層之厚度方向上之導電粒子的位置於絕緣性樹脂層之一表面或其附近對齊之區域、以及於一表面或其附近及另一表面或其附近此兩者對齊之區域。
如申請專利範圍第7項之異向性導電膜，其具有：於異向性導電膜之俯視下2個導電粒子重合之導電粒子單元規則地排列之區域、及單獨之導電粒子規則地排列之區域。
如申請專利範圍第4或5項之異向性導電膜，其中，於絕緣性樹脂層積層有最低熔融黏度低於該絕緣性樹脂層之第2絕緣性樹脂層。
如申請專利範圍第4或5項之異向性導電膜，其中，導電粒子附近之絕緣性樹脂層之表面相對於鄰接之導電粒子間之中央部之絕緣性樹脂層的切平面具有傾斜或起伏。
如申請專利範圍第10項之異向性導電膜，其中，於上述傾斜中，導電粒子附近之絕緣性樹脂層之表面相對於上述切平面發生缺損，於上述起伏中，導電粒子之正上方之絕緣性樹脂層之樹脂量較上述導電粒子之正上方的絕緣性樹脂層之表面位於該切平面時少。
一種異向性導電膜之製造方法，其包括如下步驟：第1壓入步驟，係使導電粒子附著於絕緣性樹脂層之一表面，並將該導電粒子壓入至絕緣性樹脂層；及第2壓入步驟，係使導電粒子附著於如下述之區域，即，俯視下成為第1壓入步驟中壓入導電粒子之區域的一部分之區域、或包含第1壓入步驟中壓入導電粒子之整個區域之區域、或與第1壓入步驟中壓入導電粒子之區域局部地重疊之區域；並將該導電粒子壓入至絕緣性樹脂層；並且形成至少導電粒子之個數密度、粒徑及硬度之至少一種不同的多個區域。
如申請專利範圍第12項之異向性導電膜之製造方法，其中，第1壓入步驟中壓入至絕緣性樹脂層之導電粒子與第2壓入步驟中壓入至絕緣性樹脂層之導電粒子的粒徑及硬度相同。
如申請專利範圍第12項之異向性導電膜之製造方法，其中，第1壓入步驟中壓入至絕緣性樹脂層之導電粒子與第2壓入步驟中壓入至絕緣性樹脂層之導電粒子的粒徑或硬度不同。
如申請專利範圍第12項之異向性導電膜之製造方法，其中，第1壓入步驟中壓入至絕緣性樹脂層之導電粒子的排列或個數密度與第2壓入步驟中壓入至絕緣性樹脂層之導電粒子的排列或個數密度不同。
如申請專利範圍第12項之異向性導電膜之製造方法，其中，於第1壓入步驟中，使用轉印模使導電粒子附著於絕緣性樹脂層，於第2壓入步驟中，使用該轉印模使導電粒子附著於絕緣性樹脂層。
如申請專利範圍第12項之異向性導電膜之製造方法，其中，於第2壓入步驟中，使導電粒子附著於絕緣性樹脂層之上述一表面或另一表面。
如申請專利範圍第12至17項中任一項之異向性導電膜之製造方法，其中，於第2壓入步驟後，將壓入有導電粒子之絕緣性樹脂層切開。
一種連接構造體之製造方法，係利用異向性導電膜將第1電子零件及第2電子零件與第3電子零件進行異向性導電連接，該第1電子零件具有第1端子圖案，該第2電子零件具有端子之大小及間距與第1端子圖案不同之第2端子圖案，該第3電子零件具有與第1端子圖案及第2端子圖案分別對應之端子圖案，並且，作為異向性導電膜，使用具有下述之區域中至少一者的異向性導電膜：具有導電粒子規則地排列之區域的區域、以及導電粒子之個數密度、粒徑及硬度之至少一種不同的多個區域。
如申請專利範圍第19項之連接構造體之製造方法，其中，對隔著異向性導電膜而載置於第3電子零件上之第1電子零件及第2電子零件，自該第1電子零件及第2電子零件之側利用加壓工具進行壓接。
如申請專利範圍第19項之連接構造體之製造方法，其中，對第1電子零件及第2電子零件同時進行壓接。