TW201837623A - 度量衡感測器、微影裝置及器件製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種度量衡感測器系統，諸如一種位置感測器。該系統包含：一光學收集系統，其經組態以自一基板上之一度量衡標記收集繞射或散射輻射，該經收集輻射包含至少一個參數敏感信號及不參數敏感之雜訊信號；一處理系統，其可操作以處理該經收集輻射；及一模組殼體。一光學導引件被提供用於將與該雜訊信號分離之該至少一個參數敏感信號自該處理系統導引至該殼體外部之一偵測系統。一偵測器偵測經分離之該至少一個參數敏感信號。用於阻擋零階輻射之一遮蔽件及/或一縮微光學系統可提供於該光學導引件與該偵測器之間。

Description

度量衡感測器、微影裝置及器件製造方法
本發明係關於可用於例如藉由微影技術製造器件之方法及裝置，且係關於使用微影技術來製造器件之方法。更特定言之，本發明係關於度量衡感測器，且更具體言之，係關於用於判定基板上之標記之位置的位置感測器及方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上，通常施加至基板之目標部分上，之機器。微影裝置可用於例如積體電路(IC)製造中。在彼情況下，被替代地稱作光罩或倍縮光罩之圖案化器件可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。此等目標部分通常被稱作「場(field)」。 在複雜器件之製造中，通常執行許多微影圖案化步驟，藉此在基板上之順次層中形成功能特徵。因此，微影裝置之效能之關鍵態樣為相對於先前層中鋪放(由同一裝置或不同微影裝置)之特徵來正確地且準確地置放經施加圖案的能力。出於此目的，基板具備一或多組對準標記。每一標記為位置可在稍後時間使用通常為光學位置感測器之位置感測器予以量測的結構。微影裝置包括一或多個對準感測器，基板上之標記之位置可由一或多個對準感測器準確地量測。不同類型之標記及不同類型之對準感測器係自不同製造商及同一製造商之不同產品所知。廣泛地用於當前微影裝置中的一種類型之感測器係基於如US 6961116 (den Boef等人)中所描述之自參考干涉計。通常，單獨地量測標記以獲得X及Y位置。然而，可使用公開專利申請案US 2009/195768 A (Bijnen等人)中所描述之技術來執行組合式X及Y量測。US2015355554A1 (Mathijssen)、WO2015051970A1 (Tinnemans等人)中描述此等感測器之修改及應用。所有此等公開案之內容係以引用之方式併入本文中。 在諸如對準感測器之當前度量衡感測器中，到達偵測器的呈「零階繞射階」之輻射(例如，自點鏡面之邊緣、自表面粗糙度、自目標邊緣等等散射之光，其不含有關於經量測參數之信號資訊)限制感測器之動態範圍。為了補償，可增加零階光闌之大小以阻擋更多的零階散射光且達成足夠的晶圓對準效能。然而，此可能會歸因於對準感測器模組內諸如避免阻擋所要一階繞射階之體積、熱、振動及/或其他約束而係不良的。
在一第一態樣中，本發明旨在提供經改良之參數敏感信號偵測。 在一第二態樣中，本發明旨在提供經縮減之暗電流偵測。 在一第一態樣中，本發明提供一種度量衡感測器系統，其包含：一光學收集系統，其經組態以自一基板上之一度量衡標記收集繞射或散射輻射，該經收集輻射包含至少一個參數敏感信號及至少一個雜訊信號；一處理系統，其可操作以處理該經收集輻射；一模組殼體，其容納該處理系統；至少一個光學導引件，其用於將與該至少一個雜訊信號分離之該至少一個參數敏感信號自該處理系統導引至該殼體外部之一偵測系統；及至少一個偵測器，其可操作以偵測經分離之該至少一個參數敏感信號。 應注意，術語「經分離」應被解譯為意謂「以任何方式分離」或「在任何座標系統中」。在該光學導引件內部，光通常不空間上分離，而是僅就傳播方向而言分離。術語「經分離」涵蓋此分離。 該度量衡感測器系統可包含位於該殼體外部之至少一個遮蔽件。在一實施例中，該遮蔽件位於該光學導引件與該偵測器之間。在一實施例中，該遮蔽件位於該光學導引件之一輸出面之一光瞳平面中。在一實施例中，該度量衡感測器系統包含界定該光瞳平面之一光學系統。在一實施例中，該光學系統可操作以在該經收集輻射由該至少一個偵測器偵測之前縮微該經收集輻射。在一實施例中，該光學系統之放大因數小於½倍。在一實施例中，該至少一個偵測器之面積對該至少一個光學導引件之橫截面的比率為至少1:2。在一實施例中，該光學系統之放大因數為大約¼倍。在一實施例中，該至少一個偵測器之面積對該至少一個光學導引件之橫截面的比率為至少1:16。在一實施例中，該度量衡感測器系統針對複數個通道中之每一者包含一偵測器、一光學導引件及一遮蔽件，每一通道用於偵測一不同參數敏感光學信號。在一實施例中，該等不同參數敏感光學信號至少包含自該經收集輻射之對應經偵測高階之一總和獲得的一總和信號及自該經收集輻射之該等對應經偵測高階之一差獲得的一差信號。 在一實施例中，該遮蔽件至少選擇性地可操作以阻擋該至少一個雜訊信號。 在一實施例中，該遮蔽件可選擇性地切換至該參數敏感信號之路徑中。 在一實施例中，該遮蔽件之大小、形狀及/或灰階強度係可調整的。在一實施例中，該遮蔽件包含大小及/或組態變化之複數個元件，該複數個元件中之每一者可選擇性地切換至該參數敏感信號之路徑中。在一實施例中，該遮蔽件包含一可組態空間光調變器件。 在一實施例中，該至少一個偵測器包含用於偵測該至少一個參數敏感信號之至少一第一偵測元件及用於偵測該至少一個雜訊信號之至少一第二偵測元件。在一實施例中，該至少一第一偵測元件及該至少一第二偵測元件包含單獨偵測器。在一實施例中，該至少一第一偵測元件及該至少一第二偵測元件包含一攝影機器件之至少第一像素及至少第二像素。在一實施例中，該度量衡感測器系統包含在該光學導引件與該至少一個偵測器之間的一光學器件，該光學器件可操作以將該至少一個參數敏感信號導引至該第一偵測元件且將該至少一個雜訊信號導引至該第二偵測元件。 在一實施例中，該至少一個參數敏感信號包含多個參數敏感信號，各自具有一不同波長，且該至少一個偵測器包含用於該等參數敏感信號中之一些或全部之單獨偵測元件。 在一實施例中，度量衡感測器系統為一位置感測器。在一實施例中，該參數敏感信號包含一位置敏感信號。 在一實施例中，該處理系統包含一干涉量測器件。 在一實施例中，該處理系統包含一自參考干涉計。 在一實施例中，該經收集輻射包含波長長於1100 nm之輻射。 在一實施例中，該處理系統包含用於處理在一第一波長範圍內之該經收集輻射之一第一處理子系統及用於處理在一第二波長範圍內之該經收集輻射之一第二處理子系統。在一實施例中，該第二波長範圍包括波長長於1100 nm之紅外線輻射。 在一第二態樣中，本發明提供一種度量衡感測器系統，其包含：一光學收集系統，其經組態以自一基板上之一度量衡標記收集繞射或散射輻射；一處理系統，其可操作以處理該經收集輻射以自該經收集輻射導出至少一個參數敏感信號；一模組殼體，其容納該處理系統；至少一個偵測器，其用於偵測該經收集輻射；至少一個光學導引件，其用於將該至少一個參數敏感信號自該處理系統導向至該至少一個偵測器；及一光學系統，其可操作以在該經收集輻射由該偵測器偵測之前縮微該經收集輻射。 在一實施例中，該光學系統之放大因數小於½倍。在一實施例中，該至少一個偵測器之面積對該至少一個光學導引件之橫截面的比率為至少1:2。在一實施例中，該光學系統之放大因數為大約¼倍。在一實施例中，該至少一個偵測器之面積對該至少一個光學導引件之橫截面的比率為至少1:4。 在一實施例中，該度量衡感測器系統針對複數個通道中之每一者包含一偵測器、一光學導引件及一光學系統，每一通道用於偵測一不同參數敏感光學信號。在一實施例中，該等不同參數敏感光學信號至少包含自該經收集輻射之對應經偵測高階之一總和獲得的一總和信號及自該經收集輻射之該等對應經偵測高階之一差獲得的一差信號。 在一實施例中，該度量衡感測器系統為一位置感測器。在一實施例中，該參數敏感信號包含一位置敏感信號。 在一實施例中，該處理系統包含一干涉量測器件。 在一實施例中，該處理系統包含一自參考干涉計。 在一實施例中，該經收集輻射包含波長長於1100 nm之輻射。 在一實施例中，該處理系統包含用於處理在一第一波長範圍內之該經收集輻射之一第一處理子系統及用於處理在一第二波長範圍內之該經收集輻射之一第二處理子系統。在一實施例中，該第二波長範圍包括波長長於1100 nm之紅外線輻射。 本發明亦提供一種製造器件之方法，其中使用一微影程序將一器件圖案施加至一基板，該方法包括參考形成於該基板上之一或多個標記之經量測位置來定位該經施加圖案，該等經量測位置係使用該第一或第二態樣之一度量衡感測器系統而獲得。 本發明亦提供製造器件之方法，其中使用一微影程序將一器件圖案施加至一基板，該方法包括參考形成於該基板上之一或多個標記之經量測位置來定位該經施加圖案，該等經量測位置係使用根據該第一態樣之一度量衡感測器系統而獲得，且其中該定位包含執行一粗略定位步驟及一精細定位步驟，其中相比於針對該精細定位步驟，針對該粗略定位步驟，該等位置被量測之該等標記之一間距較大；且其中相比於在執行該粗略定位步驟時，在執行該精細定位步驟時，該遮蔽件經組態為較大。在一實施例中，在執行該粗略定位步驟時，將該遮蔽件切換至該參數敏感信號之路徑之外。在一實施例中，將該圖案施加至一不透明層，該等經量測位置係使用波長長於1100 nm之輻射而獲得。 本發明亦提供一種用於將一圖案施加至一基板之微影裝置，該微影裝置包括該第一或第二態樣之一度量衡感測器系統。在一實施例中，該微影裝置包含一控制器，該控制器經組態以用於致使該度量衡感測器系統執行根據本發明之方法。 本發明亦提供一種感測器系統，諸如一種度量衡感測器系統，其包含：一光學收集系統，其經組態以自一基板上之一度量衡標記收集繞射及散射輻射，該經收集輻射包含至少一個參數敏感信號；一處理系統，其可操作以處理該經收集輻射；一模組殼體，其容納該處理系統；至少一個光學導引件，其用於將該至少一個參數敏感信號自該處理系統導引至該殼體外部之一偵測系統；及至少一個偵測器，其可操作以偵測該至少一個參數敏感信號，其中該光學導引件具有一輸入及一輸出，該經收集輻射自該輸入傳播至該輸出，且該至少一個參數敏感信號含於一或多個角度範圍內，每一角度範圍為該輸出處之軸向方向與該輸出處傳播之該輻射之間的一角度之一角度範圍。 在一實施例中，該系統包含一偵測器系統，該偵測器系統包含該至少一個偵測器，該偵測器系統經組態以將在該一或多個角度範圍內之該輻射導引至該至少一個偵測器。 在一實施例中，該系統包含一偵測器系統，該偵測器系統包含該至少一個偵測器，該偵測器系統經組態以將在該一或多個角度範圍之外的該輻射之至少一部分導引遠離該至少一個偵測器。 在一實施例中，該系統包含一偵測器系統，該偵測器系統包含該至少一個偵測器，該偵測器系統經組態以阻擋在該一或多個角度範圍之外的該輻射之至少一部分到達該至少一個偵測器。 將根據對下文所描述之實例之考量而理解本發明之以上及其他態樣。
在詳細地描述本發明之實施例之前，有指導性的是呈現可供實施本發明之實施例的實例環境。 圖1示意性地描繪微影裝置LA。該裝置包括：照明系統(照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，UV輻射或DUV輻射)；圖案化器件支撐件或支撐結構(例如，光罩台) MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩) MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；兩個基板台(例如，晶圓台) WTa及WTb，其各自經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W，且各自連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板之第二定位器PW；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統) PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包括一或多個晶粒)上。參考框架RF連接各個組件，且充當用於設定及量測圖案化器件及基板之位置以及圖案化器件及基板上之特徵之位置的參考。 照明系統可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。 圖案化器件支撐件MT以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及諸如圖案化器件是否被固持於真空環境中之其他條件的方式來固持圖案化器件。圖案化器件支撐件可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。圖案化器件支撐件MT可為例如框架或台，其可視需要而固定或可移動。圖案化器件支撐件可確保圖案化器件例如相對於投影系統處於所要位置。 本文中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則該圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生的諸如積體電路之器件中之特定功能層。 如此處所描繪，該裝置屬於透射類型(例如，使用透射圖案化器件)。替代地，該裝置可屬於反射類型(例如，使用如上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。本文中對術語「倍縮光罩」或「光罩」之任何使用可被認為與更一般之術語「圖案化器件」同義。術語「圖案化器件」亦可被解譯為係指以數位形式儲存用於控制此可程式化圖案化器件之圖案資訊的器件。 本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋如適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用的其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。本文中對術語「投影透鏡」之任何使用可被認為與更一般之術語「投影系統」同義。 微影裝置亦可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由例如水的具有相對高折射率之液體覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。 在操作中，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當源為準分子雷射時，源及微影裝置可為單獨實體。在此等狀況下，源不被認為形成微影裝置之部分，且輻射光束係憑藉包括例如合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當源為水銀燈時，源可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同在需要時的光束遞送系統BD可被稱作輻射系統。 照明器IL可例如包括用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD、積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。 輻射光束B入射於被固持於圖案化器件支撐件MT上之圖案化器件MA上，且係由該圖案化器件圖案化。在已橫穿圖案化器件(例如，光罩) MA之情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF (例如，干涉量測器件、線性編碼器、2-D編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WTa或WTb，例如以便將不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以例如在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如，光罩) MA。 可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩) MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在多於一個晶粒提供於圖案化器件(例如，光罩) MA上之情形下，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。小對準標記亦可在器件特徵當中包括於晶粒內，在此狀況下，需要使標記物儘可能地小且無需與鄰近特徵不同的任何成像或程序條件。下文進一步描述偵測對準標記物之對準系統。 可在多種模式下使用所描繪裝置。在掃描模式下，同步地掃描圖案化器件支撐件(例如，光罩台) MT及基板台WT，同時將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上(亦即，單次動態曝光)。基板台WT相對於圖案化器件支撐件(例如，光罩台) MT之速度及方向可由投影系統PS之放大率(縮微率)及影像反轉特性判定。在掃描模式下，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。如在此項技術中所熟知，其他類型之微影裝置及操作模式係可能的。舉例而言，步進模式為吾人所知。在所謂的「無光罩」微影中，使可程式化圖案化器件保持靜止，但圖案改變，且移動或掃描基板台WT。 亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。 微影裝置LA屬於所謂的雙載物台類型，其具有兩個基板台WTa、WTb以及兩個站—曝光站EXP及量測站MEA—在該兩個站之間可交換該等基板台。在曝光站處曝光一個基板台上之一個基板的同時，可在量測站處將另一基板裝載至另一基板台上且實行各種預備步驟。此情形實現裝置之產出率之相當大的增加。該等預備步驟可包括使用位階感測器LS來映射基板之表面高度輪廓，及使用對準感測器AS來量測基板上之對準標記物之位置。若位置感測器IF不能夠在基板台處於量測站以及處於曝光站時量測基板台之位置，則可提供第二位置感測器以使能夠在兩個站處追蹤基板台相對於參考框架RF之位置。代替所展示之雙載物台配置，其他配置係已知且可用的。舉例而言，提供基板台及量測台之其他微影裝置為吾人所知。此等基板台及量測台在執行預備量測時銜接在一起，且接著在基板台經歷曝光時不銜接。 對準程序背景 圖2說明用以將目標部分(例如晶粒)曝光於圖1之雙載物台裝置中之基板W上的步驟。量測站MEA處所執行之步驟係在點線方框內之左側，而右側展示曝光站EXP處所執行之步驟。有時，基板台WTa、WTb中之一者將在曝光站處，而另一者係在量測站處，如上文所描述。出於此描述之目的，假定基板W已經裝載至曝光站中。在步驟200處，由未展示之機構將新基板W'裝載至裝置。並行地處理此兩個基板以便增加微影裝置之產出率。 最初參看新近裝載之基板W'，此基板可為先前未經處理之基板，其係運用新光阻而製備以供在裝置中進行第一次曝光。然而，一般而言，所描述之微影程序將僅僅為一系列曝光及處理步驟中之一個步驟，使得基板W'已經通過此裝置及/或其他微影裝置達若干次，且亦可經歷後續程序。尤其對於改良疊對效能之問題，任務係確保新圖案確切地施加於已經經受圖案化及處理之一或多個循環之基板上之正確位置中。此等處理步驟逐漸地在基板中引入失真，該等失真必須被量測及校正以達成令人滿意的疊對效能。 可在其他微影裝置中執行先前及/或後續圖案化步驟，如剛才所提及，且可甚至在不同類型之微影裝置中執行先前及/或後續圖案化步驟。舉例而言，器件製造程序中的在諸如解析度及疊對之參數上要求極高的一些層相比於要求較不高之其他層可在更進階的微影工具中執行。因此，一些層可曝光於浸潤型微影工具中，而其他層曝光於「乾式」工具中。一些層可曝光於在DUV波長下工作之工具中，而其他層係使用EUV波長輻射而曝光。 在202處，藉由使用基板標記P1等等及影像感測器(未展示)之對準量測以量測及記錄基板相對於基板台WTa/WTb之對準。另外，將使用對準感測器AS來量測橫越基板W'之若干對準標記。在一個實施例中，此等量測用以建立「晶圓柵格」，晶圓柵格極準確地映射橫越基板之標記分佈，包括相對於標稱矩形柵格之任何失真。 在步驟204處，亦使用位階感測器LS來量測晶圓高度(Z)相對於X-Y位置之映圖。習知地，高度圖僅用以達成經曝光圖案之準確聚焦。另外，其可用於其他目的。 當已裝載基板W'時，接收到配方資料206，其定義待執行之曝光，且亦定義晶圓以及先前產生於晶圓及待產生於晶圓上之圖案的屬性。向此等配方資料添加在202、204處進行的晶圓位置、晶圓柵格及高度圖之量測，使得可將全組配方及量測資料208傳遞至曝光站EXP。對準資料之量測例如包含以與為微影程序之產品之產品圖案成固定或標稱固定關係而形成的對準目標之X及Y位置。恰好在曝光之前採取之此等對準資料用以產生對準模型，對準模型具有將該模型擬合至該資料之參數。此等參數及對準模型將在曝光操作期間用以校正當前微影步驟中所施加之圖案之位置。在使用中之模型內插經量測位置之間的位置偏差。習知對準模型可能包含四個、五個或六個參數，該等參數一起在不同維度上界定「理想」柵格之平移、旋轉及按比例調整。使用更多參數之進階模型為吾人所知。 在210處，調換晶圓W'及W，使得經量測基板W'變成基板W而進入曝光站EXP。在圖1之實例裝置中，藉由交換該裝置內之支撐件WTa及WTb來執行此調換，使得基板W、W'保持準確地夾持及定位於彼等支撐件上，以保持基板台與基板自身之間的相對對準。因此，一旦已調換該等台，就為了使用用於基板W (以前為W')之量測資訊202、204以控制曝光步驟而有必要判定投影系統PS與基板台WTb (以前為WTa)之間的相對位置。在步驟212處，使用光罩對準標記M1、M2來執行倍縮光罩對準。在步驟214、216、218中，將掃描運動及輻射脈衝施加於橫越基板W之順次目標部位處，以便完成數個圖案之曝光。 藉由在執行曝光步驟時使用量測站處所獲得之對準資料及高度圖，使此等圖案相對於所要部位且尤其是相對於先前鋪放於同一基板上之特徵準確地對準。在步驟220處自裝置卸載現在被標註為W''之經曝光基板，以根據經曝光圖案而經歷蝕刻或其他程序。 熟習此項技術者將知道，以上描述為真實製造情形之一個實例中所涉及之多個極詳細步驟的簡化概觀。舉例而言，常常將存在使用相同或不同標記之粗略及精細量測之單獨階段，而非在單一遍次中量測對準。粗略及/或精細對準量測步驟可在高度量測之前或之後執行，或交錯。 目前，諸如對準感測器AS之光學位置感測器使用可見光及/或近紅外線(NIR)輻射以讀取對準標記。在一些程序中，在已形成對準標記之後處理基板上之層會導致歸因於低或無信號強度而無法由此對準感測器發現該等標記之情形。低或零信號強度可例如由阻擋可見光/NIR波長帶中之輻射且因此阻擋對準感測器之操作的標記之頂部上之不透明層造成。為了處理此問題，已知的是在後續層中產生額外標記以促進標記偵測。然而，此等額外標記之產生係昂貴的。一些程序依賴於在現有標記之頂部上產生光學窗，使得僅移除位於標記之頂部上之材料且因此可量測標記。然而，此等程序亦需要額外處理步驟及費用。 圖3說明基於藉由使用可穿透不透明層302之輻射之長得多的波長之對準感測器AS-IR的替代解決方案。不透明層302形成於基板308上之其他材料層304及對準標記306上方。本對準感測器當前在500至900 nm之間的波長下操作。雖然此波長範圍包括接近於可見光範圍之紅外線波長，但此等紅外線波長不能夠穿透常見的不透明層。通過此等不透明層之透射對於較長IR波長而言相對高。為了減輕此情形，可提供可例如使用波長長於1000 nm之輻射而操作之對準感測器AS-IR，波長例如在1500至2500 nm之間的範圍內。對準標記306可為具有習知間距之習知對準標記，或可為具有例如較長光柵間距之特殊標記，其更好地適應於運用此等較長波長之量測。 圖4中展示根據本發明之一個實例之位置感測器或對準感測器之實例的簡化示意圖。照明源420提供具有更多波長中之一者之輻射光束422，其經由點鏡面427通過接物鏡424轉向至位於基板W上的諸如對準標記402之對準標記上。由對準標記402散射之輻射由接物鏡424拾取且準直成資訊攜載光束426。光學分析器428處理光束426且經由光導(例如光纖)429將單獨光束輸出至感測器陣列430上。將來自感測器柵格430中之個別感測器之強度信號432提供至處理單元PU。藉由區塊428中之光學處理與單元PU中之計算處理的組合，輸出基板上相對於感測器之X及Y位置之值。替代地或另外，可量測其他參數，諸如疊對OV及/或臨界尺寸CD。 圖5更詳細地展示根據本發明之一個實例之位置感測器或對準感測器之實例。此展示可操作以量測基板504上之對準標記502之位置的對準感測器。位置感測器包含可操作以遞送、收集及處理輻射以自對準標記獲得位置信號之光學系統500。 光學系統經組態以沿著共同照明路徑(由虛線506指示)將輻射遞送至對準標記502，沿著共同收集路徑(由虛線508指示)自基板收集繞射或散射輻射，在處理路徑(由虛線510指示)中處理經收集輻射。處理路徑510中之光學系統可操作以隨著對準標記502相對於光學系統500移動而導出至少一個位置敏感信號512。被標註為512之信號在此實例中為光學信號，最終轉換為電信號514且由處理器516處理以產生一或多個位置量測518。 可在簡介中所提及之先前專利公開案中發現此對準感測器之建構及操作之細節，且此處將不重複該細節。簡要地，在照明路徑506中，提供複數個個別波長源，諸如LED或雷射源530a、530b、530c。此實例中展示三個源；然而，可存在僅單一源，或存在除了三個以外之多個源。在此處所展示之特定實例中，源530a、530b、530c經配置以供應不同波長之輻射，例如綠色及紅色可見光、近紅外線(NIR)波長及/或在1500至2500 nm範圍內之紅外線輻射中之一或多者，視情況包括波長長於2000 nm之波長。此等不同波長可不同地偏振，以改良偵測能力之分集而無需增加源數目或使用移動部件。舉例而言，在US2015355554A1中所描述之實例中，將可見光/近紅外線波帶(500至900 nm)中之四個波長標註為R、G、N及F。R及F具有第一偏振方向，而G及N具有第二偏振方向，第二偏振方向正交於第一偏振方向。根據所需效能及預期操作條件，可提供額外源。該等源可為窄頻帶源或寬頻帶源，且可為固定頻率或係可調諧的、相干的或不相干的。儘管展示單獨源，但亦有可能的是，此等波長中之一些或全部來源於單一寬頻帶源且被劃分成不同波長範圍。源可包括雷射、氣體放電源、電漿源、超連續光譜源及逆康普頓(Compton)散射源。單一源可在不同波長之間切換，使得不同波長隨著時間推移而被多工，而非由濾波器多工。 無論何種源類型，兩個波帶之輻射皆在照明子系統532中組合以形成遵循共同照明路徑506之單一光束534。該等源可能或可能不同時操作，但共同照明子系統允許位置感測器之殼體內及微影工具LA或其他裝置內之緊密建構。由點鏡面536將光束534偏轉至接物鏡538中，接物鏡538將該光束聚焦成對準目標502上之光點。照明子系統532在此實例中包括二向色鏡堆疊540以用於將每一波長之輻射轉向至光束534中。提供透鏡542、544，其與接物鏡538合作以用於調節光束且聚焦光點。亦在照明子系統中提供二分之一波片546或四分之一波片以給出適合於自參考干涉計中之處理之照明偏振特性。 由對準標記502反射及繞射之輻射由接物鏡538收集至收集路徑508中。雖然經收集輻射被說明為光軸上之單一光束，但此資訊攜載光束實際上藉由散射及繞射而散佈。表示雜訊信號之軸向分量至少部分地由點鏡面536阻擋，點鏡面536因此充當用於阻擋此雜訊信號之遮蔽件或遮蔽件。剩餘高階繞射輻射(及一些雜散雜訊信號)接著進入處理系統552。雜訊信號可包含不包括所要信號資訊及/或參數敏感資訊被「擾亂」且難以提取或不可能提取之所有散射輻射。此輻射基本上僅添加雜訊。此雜訊信號可尤其包括零階反射輻射。當然，高階參數敏感信號亦將包含一些雜訊，但此等信號在此內容背景中並非雜訊信號，此係由於其含有可易於提取的參數敏感資訊。 處理系統之性質將取決於所要效能及所提供標記之類型。處理系統可基於干涉量測或成像或技術組合。處理系統可為彼此實質上相同的類型，或其可為完全不同的類型。在本實例中，將假定處理系統係基於干涉量測，且包含參考文獻中所描述之類型之自參考干涉計。 在處理系統552內，自參考干涉計556經由遮蔽件(遮蔽件) 557接收經收集輻射。遮蔽件557之目的係控制反射及繞射輻射的被容許進入處理系統之部分，外加由點鏡面及物鏡之自然孔徑提供的任何空間濾光。 在干涉計556之入口處，二分之一波片558將輻射之偏振調節至45度。干涉計接著以參考文獻中所描述之方式處理輻射之偏振，使光束與其自身之旋轉複本干涉，使得相反繞射階相長地及相消地干涉。偏振光束分裂器560分離「總和」及「差」通道，該等通道經由光纖563或其他合適光導(其可包含空心金屬管等等)將位置敏感光學信號512提供至偵測系統562，光纖563或其他合適光導可用以將光學信號路由開以到達更方便的部位以供解多工及/或偵測。對於總和及差通道中之每一者，偵測系統562包括光偵測器以用於獲得所要電位置信號514。在波帶含有多個波長之情況下，則將波長解多工器包括於偵測系統中，且提供個別光偵測器以獲得每一波長之電信號514。 以與針對偵測系統562所描述之方式相同的方式，可使用光纖或其他合適光導在遠端定位源530a、530b、530c等等，如已經在圖5中所說明。 歸因於當通過不透明層而對準時之極低晶圓品質，信號位準將比當通過透明層而對準時之典型對準感測器信號位準低多個數量級。因此需要雜訊信號之抑制之對應改良以達成可接受的對準效能。目前，對此情形沒有良好的解決方案。使對準感測器模組內之任何遮蔽件極大係不良的，此係因為其會縮減對準感測器之間距靈活性且使例如其粗略晶圓對準(COWA)能力複雜化。歸因於對應振動及熱影響，將可移動/可調諧遮蔽件置放於對準感測器模組內部亦係不良的。事實上，本遮蔽件557已經縮減間距靈活性，且因此將需要移除此遮蔽件(僅依賴於模組內之點鏡面536)。本文中所描述之提議使此情形成為可能。 因此提議，偵測系統經配置以偵測在角度上與雜訊信號分離之所要光學信號。偵測系統可經配置以僅偵測所要光學信號且因此阻擋雜訊信號，或另外其可偵測此兩者。在阻擋雜訊信號之情況下，偵測系統可包括在光纖/光導563之輸出與偵測系統562內之各別偵測器之間的遮蔽件。因而，偵測系統562可包含每偵測器一遮蔽件。此遮蔽件相比於位於對準系統模組內之遮蔽件557 (其邊界由雙虛線581表示)可較大或可調諧為較大。此遮蔽件可替換該模組內之遮蔽件557。該遮蔽件可為選擇性地可調諧的(例如在形狀或大小上)或可切換至光學信號512之路徑中(例如視需要可移動進入及離開該路徑)。此遮蔽件可被定位(或可定位)於光纖563輸出之傅立葉平面或光瞳平面(未展示)中，且因此偵測系統562可包含在界定傅立葉平面之光纖輸出之後的成像系統。雖然光纖563輸出之傅立葉平面可為用於遮蔽件之較佳位置，但其可置放於除了傅立葉平面以外之部位處(惟在光纖563輸出之確切影像平面處除外)。在一選用實施例中，光學系統可縮微光學信號，從而允許使用較小偵測器(其具有較小暗電流計數)。即使在沒有本文中所揭示之遮蔽件之情況下，此縮微成像系統亦可包含於偵測系統562內。應注意，此遮蔽件及/或成像系統實際上無需形成偵測系統562之部分，因而，限制條件是其位於對準系統模組外部(例如，在光纖563之輸出與偵測系統562內之各別偵測器之間)。 上文已就用於量測對準標記之位置之位置或對準感測器而言論述所揭示之概念。應理解，此位置感測器可用以量測諸如疊對或臨界尺寸(CD)之其他參數，且該等概念同樣適用於此等量測。如已經陳述，實際對準感測器/位置感測器配置可不同於圖5之實例配置。該感測器配置可屬於除了自參考干涉計類型以外之類型。該等概念同樣亦適用於量測自目標散射之高階繞射輻射且因此需要儘可能地阻擋雜訊信號的其他類型之度量衡感測器。應瞭解，增加的動態範圍及/或較小的暗電流計數(較小偵測器)在所有此等度量衡感測器中係有利的。 度量衡感測器配置可包含如所展示之僅單一處理系統552，或可包含多於一個處理系統552。在一些情況下，可存在使用於不同波帶之不同處理路徑及如本文中所揭示之度量衡感測器可如此配置的優點。舉例而言，可提供用於可見光/NIR波帶之第一處理系統、用於紅外線波帶之第二處理系統。 圖6為展示用於單一偵測器分支之所提議配置之細節的簡化示意圖。展示經由點鏡面636將自輻射源630獲得之輻射634聚焦至基板604上之對準標記602上的接物鏡638。來自對準標記602之散射輻射包含一階(或其他高階)繞射階670及雜訊信號672。展示可等效於圖5之遮蔽件557的遮蔽件674。在任何狀況下，遮蔽件674被展示為具有不足以阻擋所有雜訊信號672之大小，從而允許一些雜散雜訊信號672'傳遞至干涉計656 (其可為自參考干涉計，例如，圖5之自參考干涉計556)中。出於已經闡釋之原因，使遮蔽件674足夠大以阻擋雜散雜訊信號672'常常係不良的。因而，此雜散雜訊信號672'中之一些離開干涉計656且(連同所要光學信號670')由透鏡676聚焦至光纖663中，光纖663將光學信號及雜散雜訊信號672'輸送至偵測器678 (其可形成等效於圖5之處理系統552的處理系統之部分)。在此實例中可看出，(在沒有遮蔽件680之情況下)相比於所要光學信號670'之輻射，更多雜散雜訊信號672'將到達偵測器678。 本發明人已瞭解，對於在座標(x,y,ϕ,θ)處入射於多模光纖上之光射線，在x、y表示位置，ϕ表示方位角且θ表示相對於法線之角度的情況下，則在輸出處之θ等於在輸入處之θ (而x、y及ϕ被擾亂)，且因此出射射線散佈以填充為角度θ之兩倍之錐形環。此意謂進入光纖663的在角度上分離之雜訊信號及高階(例如，一階)在自光纖663出射時將保持在角度上分離。應注意，此對於除了多模光纖以外的一些其他類型之光導亦成立，且本文中所描述之概念同樣適用於任何此等光學導引件。 雜散雜訊信號672'通常以相比於所要光學信號(一階/高階繞射階) 670'之入射角度θ1 相對較小的角度θ2 入射於光纖663上。由光纖636保持此角度分離。因此，出射的雜散雜訊信號672''及所要光學信號670''亦分別以角度θ2 及角度θ1 出射，從而保持經分離。當然應注意，有可能消除以高於所要光學信號之入射角度θ1 之角度θ2 入射的雜散雜訊信號672'。且，例如，在存在其他高時繞射階之情況下，亦可存在多個信號角度θ1 。歸因於正使用的多波長輻射，亦可存在多個信號角度θ1 。 第二(例如，圓盤狀或ϕ不變)遮蔽件680提供於對準感測器外部之傅立葉平面(光瞳平面)中，例如在光纖663與偵測器678之間。具體言之，傅立葉平面可包含透鏡(例如，透鏡682a)之後焦平面，該透鏡之前焦平面與光纖663之出射面重合。此遮蔽件680足夠大以阻擋雜散雜訊信號672''。此在遮蔽件680位於對準感測器模組外部時不會呈現問題，且因此，此第二遮蔽件680之大小不受到該模組內之體積約束的約束。如已經陳述，遮蔽件680不必確切地在傅立葉平面處。事實上，無需為透鏡682a (或透鏡682b)。舉例而言，遮蔽件680可被定位成與光纖輸出面相隔某一距離(在無介入光學件之情況下)，且大偵測器可位於遮蔽件680後方以捕捉輻射。此平面將仍基本上等效於傅立葉平面。 在一實施例中，遮蔽件680可為可調諧及/或可移動的，其在對準感測器模組內部由於其中之振動、加熱及空間約束而難以實施。可調諧遮蔽件680使在量測具有大間距之標記(例如COWA)時能夠使用小光闌(或無光闌)，而在對具有較小間距之標記執行精細對準(FIWA)時可使用大光闌。存在此可移動/可調諧遮蔽件680之數個可能的實施方案。一個可能的實施方案包含可使用例如濾光輪而移動進出光束的具有變化大小之一組圓盤。另一可能的實施方案包含空間光調變器，諸如數位微鏡器件，其中像素可被「開啟」(光被傳輸至偵測器)或「關斷」(光被偏轉至光束截止器)。另一實施方案可為具有可變大小、形狀及/或灰階強度之遮蔽件或孔徑圓盤。 雖然以上實例揭示用以阻擋雜訊信號之遮蔽件，但概念不限於具有遮蔽件之配置。包含偵測在角度上與雜訊信號分離之所要光學信號之偵測配置的任何配置包括於本發明之範疇內。舉例而言，代替遮蔽件，可提供將信號分離成以下兩個部分之光學元件：例如，包含在第一偵測器處偵測之所要信號之第一部分，及包含至第二偵測器之雜訊信號及/或其他資訊之第二部分。在其他實施例中，不需要額外實體器件：舉例而言，小偵測器可用以偵測中心(雜訊信號)部分，且「較大」偵測器可偵測包含所要信號之周邊。或代替兩個偵測器，可使用攝影機，其中中心像素偵測中心(雜訊信號)部分且外部像素偵測所要信號。在此等實施例之變化中，額外偵測器或像素區域可用以偵測所要信號之不同部分。詳言之，在同時使用多波長輻射之情況下，每一波長之對應高階繞射信號將以不同入射角度θ1 入射於光纖上。由於保持此角度分離，故可單獨地偵測對應於不同波長之每一高階繞射信號。此意謂可能不需要波長解多工器。 使用紅外線輻射進行對準感測之另一問題為，相比於針對可見光偵測器，針對紅外線偵測器，暗電流偵測非常高。由於暗電流隨著偵測器面積而按比例調整，故小偵測器係較佳的。然而，本偵測配置使用具有特定直徑之光纖536a、536b、636，且僅僅使此等光纖較小並非不重要。光纖大小受到目標上之光點大小限制。目標上之光點大小相對大，且應捕捉所有光。由於每一偵測器678通常附接至光纖，故偵測器應具有相當的直徑(例如300 μm的直徑)。 為了處理此情形，界定傅立葉平面之成像系統682a、682b亦可經配置以縮微光纖663輸出。在一實施例中，此縮微率之因數可為4 (例如¼倍放大率)，此係由於此因數歸因於光展量之商討而接近於實體上限(但歸因於極高折射率，使用矽固態浸潤透鏡或相似者可將此因數改良了為4之另一(近似)因數)。此意謂偵測器面積及因此暗電流可被減小42 = 16倍。當晶圓品質低且暗電流具限制性(此為重要的機制)時，此情形將對準位置之再現性改良了4倍。 在本發明之原理內存在除了特定地描述及說明之實施方案以外的許多可能的實施方案。與感測器模組外部之遮蔽件相關之實施例及與縮微成像系統相關之實施例可各自被單獨地實施。本發明之原理可應用於其他類型之度量衡感測器，不僅是對準感測器，而且是具有自參考干涉計或更一般化地為干涉計之度量衡感測器。波長範圍可不同於上文所給出之實例。對於未來應用，可例如考慮將感測波長延伸為紫外線波長。本發明之原理可結合其他技術而使用，包括簡介中所提及之先前專利及專利申請案中所介紹的技術。舉例而言，WO2015051970A1揭示使已知位置感測器包括偏振解析能力之修改。偏振光束分裂器根據經收集輻射之偏振將經收集輻射劃分至兩個不同路徑中。每一路徑則具有其自己的處理子系統，其具有自參考干涉計。相似地，位置感測器可包含每波帶(例如，可見光/NIR波帶及紅外線波帶)具有自參考干涉計之不同處理子系統。此等概念可組合以提供四個(或多於四個)處理子系統，每一波帶/偏振組合一個處理子系統。 雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。 雖然上文描述為標記之實例結構為出於位置量測之目的而特定地設計及形成的光柵結構，但在其他實施例中，可對為形成於基板上之器件之功能部分的結構進行位置量測。許多器件具有規則的類光柵結構。如本文中所使用之術語「標記」及「光柵結構」無需已特定地針對正被執行之量測來提供結構。不透明層並非可妨礙藉由以習知波長觀測標記而對標記進行位置量測的唯一種類之上覆結構。舉例而言，表面粗糙度或衝突的週期性結構可干涉在一或多個波長下之量測。 與位置量測硬體以及實現於基板及圖案化器件上之合適結構相關聯地，一實施例可包括含有機器可讀指令之一或多個序列的電腦程式，該等機器可讀指令實施上文所說明之類型之量測方法以獲得關於由上覆結構覆蓋之標記之位置的資訊。此電腦程式可例如由專用於彼目的或整合於圖1之控制單元LACU中之處理器606或其類似者執行。亦可提供儲存有此電腦程式之資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)。 儘管上文可能已特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明可用於例如壓印微影之其他應用中，且在內容背景允許之情況下不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形(topography)界定產生於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。 本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365、355、248、193、157或126 nm之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在1至100 nm範圍內之波長)，以及粒子束，諸如離子束或電子束。 術語「透鏡」在內容背景允許時可指各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。反射組件很可能用於在UV及/或EUV範圍內操作之裝置中。 本發明之廣度及範疇不應受到上文所描述之例示性實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者進行界定。
200‧‧‧步驟
202‧‧‧步驟/量測資訊
204‧‧‧步驟/量測資訊
206‧‧‧配方資料
208‧‧‧量測資料
210‧‧‧步驟
212‧‧‧步驟
214‧‧‧步驟
216‧‧‧步驟
218‧‧‧步驟
220‧‧‧步驟
302‧‧‧不透明層
304‧‧‧材料層
306‧‧‧對準標記
308‧‧‧基板
402‧‧‧對準標記
420‧‧‧照明源
422‧‧‧光束
424‧‧‧接物鏡
426‧‧‧資訊攜載光束
427‧‧‧點鏡面
428‧‧‧光學分析器
429‧‧‧光導
430‧‧‧感測器陣列
432‧‧‧強度信號
500‧‧‧光學系統
502‧‧‧對準標記
504‧‧‧基板
506‧‧‧照明路徑
508‧‧‧收集路徑
510‧‧‧處理路徑
512‧‧‧位置敏感信號
514‧‧‧電信號/電位置信號
516‧‧‧處理器
518‧‧‧位置量測
530a‧‧‧雷射源
530b‧‧‧雷射源
530c‧‧‧雷射源
532‧‧‧照明子系統
534‧‧‧光束
536‧‧‧點鏡面
538‧‧‧接物鏡
540‧‧‧二向色鏡堆疊
542‧‧‧透鏡
544‧‧‧透鏡
546‧‧‧二分之一波片
552‧‧‧處理系統
556‧‧‧自參考干涉計
557‧‧‧遮蔽件
558‧‧‧二分之一波片
560‧‧‧偏振光束分裂器
562‧‧‧偵測系統
563‧‧‧光纖/光導
581‧‧‧邊界
602‧‧‧對準標記
604‧‧‧基板
630‧‧‧輻射源
634‧‧‧輻射
636‧‧‧點鏡面/光纖
638‧‧‧接物鏡
656‧‧‧干涉計
663‧‧‧光纖
670‧‧‧一階繞射階
670'‧‧‧光學信號
670''‧‧‧光學信號
672‧‧‧雜訊信號
672'‧‧‧雜散雜訊信號
672''‧‧‧雜散雜訊信號
674‧‧‧遮蔽件
676‧‧‧透鏡
678‧‧‧偵測器
680‧‧‧遮蔽件
682a‧‧‧透鏡/成像系統
682b‧‧‧透鏡/成像系統
AD‧‧‧調整器
AS‧‧‧對準感測器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
C‧‧‧目標部分
CD‧‧‧臨界尺寸
CO‧‧‧聚光器
EXP‧‧‧曝光站
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明器/照明系統
IN‧‧‧積光器
LA‧‧‧微影裝置
LACU‧‧‧控制單元
LS‧‧‧位階感測器
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MEA‧‧‧量測站
MT‧‧‧支撐結構/圖案化器件支撐件
OV‧‧‧疊對
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PU‧‧‧處理單元
PW‧‧‧第二定位器
RF‧‧‧參考框架
SO‧‧‧輻射源
W‧‧‧基板/晶圓
W'‧‧‧基板/晶圓
W''‧‧‧基板
WTa‧‧‧基板台
WTb‧‧‧基板台
現在將參考隨附圖式而僅作為實例來描述本發明之實施例，圖式中： 圖1描繪微影裝置； 圖2示意性地說明圖1之裝置中之量測及曝光程序； 圖3示意性地說明使用位置感測器以量測形成於基板上之目標結構之位置，且說明不透明上覆結構之問題； 圖4示意性地說明可根據本發明之一實施例而調適之位置感測器； 圖5示意性地說明根據本發明之第一實施例之位置感測器之光學系統；且 圖6示意性地說明根據本發明之第二實施例之位置感測器之光學系統。

Claims (18)

  1. 一種度量衡感測器系統，其包含： 一光學收集系統，其經組態以自一基板上之一度量衡標記收集繞射或散射輻射，該經收集輻射包含至少一個參數敏感信號及至少一個雜訊信號； 一處理系統，其可操作以處理該經收集輻射； 一模組殼體，其容納該處理系統； 至少一個光學導引件，其用於將與該至少一個雜訊信號分離之該至少一個參數敏感信號自該處理系統導引至該殼體外部之一偵測系統；及 至少一個偵測器，其可操作以偵測經分離之該至少一個參數敏感信號。
  2. 如請求項1之度量衡感測器系統，其包含位於該殼體外部之至少一個遮蔽件。
  3. 如請求項2之度量衡感測器系統，其中該遮蔽件位於該光學導引件與該偵測器之間。
  4. 如請求項3之度量衡感測器系統，其中該遮蔽件位於該光學導引件之一輸出面之一光瞳平面中。
  5. 如請求項4之度量衡感測器系統，其包含界定該光瞳平面之一光學系統。
  6. 如請求項5之度量衡感測器系統，其中該光學系統可操作以在該經收集輻射由該至少一個偵測器偵測之前縮微該經收集輻射。
  7. 如請求項3至6中任一項之度量衡感測器系統，其針對複數個通道中之每一者包含一偵測器、一光學導引件及一遮蔽件，每一通道用於偵測一不同參數敏感光學信號。
  8. 如請求項2至6中任一項之度量衡感測器系統，其中該遮蔽件至少選擇性地可操作以阻擋該至少一個雜訊信號。
  9. 如請求項2至6中任一項之度量衡感測器系統，其中該遮蔽件可選擇性地切換至該參數敏感信號之路徑中。
  10. 如請求項2至6中任一項之度量衡感測器系統，其中該遮蔽件之大小、形狀及/或灰階強度係可調整的。
  11. 如請求項1之度量衡感測器系統，其中該至少一個偵測器包含用於偵測該至少一個參數敏感信號之至少一第一偵測元件及用於偵測該至少一個雜訊信號之至少一第二偵測元件。
  12. 如請求項11之度量衡感測器系統，其包含在該光學導引件與該至少一個偵測器之間的一光學器件，該光學器件可操作以將該至少一個參數敏感信號導引至該第一偵測元件且將該至少一個雜訊信號導引至該第二偵測元件。
  13. 如請求項1至6中任一項之度量衡感測器系統，其中該處理系統包含用於處理在一第一波長範圍內之該經收集輻射之一第一處理子系統及用於處理在一第二波長範圍內之該經收集輻射之一第二處理子系統。
  14. 一種度量衡感測器系統，其包含： 一光學收集系統，其經組態以自一基板上之一度量衡標記收集繞射或散射輻射； 一處理系統，其可操作以處理該經收集輻射以自該經收集輻射導出至少一個參數敏感信號； 一模組殼體，其容納該處理系統； 至少一個偵測器，其用於偵測該經收集輻射； 至少一個光學導引件，其用於將該至少一個參數敏感信號自該處理系統導向至該至少一個偵測器；及 一光學系統，其可操作以在該經收集輻射由該偵測器偵測之前縮微該經收集輻射。
  15. 一種製造器件之方法，其中使用一微影程序將一器件圖案施加至一基板，該方法包括參考形成於該基板上之一或多個標記之經量測位置來定位該經施加圖案，該等經量測位置係使用一如請求項1至13中任一項或如請求項14之度量衡感測器系統而獲得。
  16. 一種製造器件之方法，其中使用一微影程序將一器件圖案施加至一基板，該方法包括參考形成於該基板上之一或多個標記之經量測位置來定位該經施加圖案，該等經量測位置係使用一如請求項2至10中任一項之度量衡感測器系統而獲得，且其中該定位包含執行一粗略定位步驟及一精細定位步驟，其中相比於針對該精細定位步驟，針對該粗略定位步驟，該等位置被量測之該等標記之一間距較大；且其中相比於在執行該粗略定位步驟時，在執行該精細定位步驟時，該遮蔽件經組態為較大。
  17. 一種用於將一圖案施加至一基板之微影裝置，該微影裝置包括一如請求項1至13中任一項或如請求項14之度量衡感測器系統。
  18. 一種感測器系統，諸如一種度量衡感測器系統，其包含： 一光學收集系統，其經組態以自一基板上之一度量衡標記收集繞射及散射輻射，該經收集輻射包含至少一個參數敏感信號； 一處理系統，其可操作以處理該經收集輻射； 一模組殼體，其容納該處理系統； 至少一個光學導引件，其用於將該至少一個參數敏感信號自該處理系統導引至該殼體外部之一偵測系統；及 至少一個偵測器，其可操作以偵測該至少一個參數敏感信號，其中該光學導引件具有一輸入及一輸出，該經收集輻射自該輸入傳播至該輸出，且該至少一個參數敏感信號含於一或多個角度範圍內，每一角度範圍為該輸出處之軸向方向與該輸出處傳播之該輻射之間的一角度之一角度範圍。
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