JP6496808B2 - 測定方法、測定装置、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
[0001] 本願は、2014年8月25日出願の米国仮特許出願第62/041,518号に関し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
周期構造上のスポットに放射を提供するため、及び、周期構造によってリダイレクトされた放射を受信するための、光学システムであって、
周期構造からのゼロ次放射をブロックするため、及び非ゼロ次放射を通すことができるようにするための、第1のストップ、及び、
第1のストップを通るゼロ次放射をブロックするため、及び非ゼロ次放射を通すことができるようにするための、第2のストップ、
を備える、光学システムと、
光学システムのダウンストリームの、非ゼロ次放射を受信するための放射検出器と、
を備える、測定装置が提供される。
パターンを基板に転写するように構成された、パターニングサブシステムと、
パターニングサブシステムに対して基板の位置を測定するように構成された、測定サブシステムと、
を備える、リソグラフィ装置が提供され、
パターニングサブシステムは、基板上の所望の位置にパターンを適用するために、測定サブシステムによって測定される位置を使用するように配置され、測定サブシステムは、本明細書で説明する測定装置を含む。
周期構造上のスポットに放射を提供すること、
周期構造によってリダイレクトされた放射を受信することであって、リダイレクトされた放射はゼロ次及び非ゼロ次の放射を含むこと、
非ゼロ次放射が第1のストップを通ることができるようにしながら、第1のストップを使用してリダイレクトされた放射のゼロ次放射をブロックすること、
非ゼロ次放射が第2のストップを通ることができるようにしながら、第2のストップを使用して第1のストップを通るゼロ次放射をブロックすること、及び、
第1及び第2のストップのダウンストリームの放射検出器において、非ゼロ次放射を受信すること、
を含む、測定の方法が提供される。
− 放射ビームB(例えばUV放射又はEUV放射)を調節するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
− パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスMAを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造(例えばマスクテーブル)MTと、
− 基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板Wを正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTa又はWTbと、
− パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば1つ以上のダイを含む)に投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズシステム)PSと、を備える。
1.ステップモードでは、支持構造MT及び基板テーブルWTa/WTbは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに付与されたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影される(すなわち単一静的露光)。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTがX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
2.スキャンモードでは、支持構造MT及び基板テーブルWTa/WTbは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに付与されるパターンがターゲット部分Cに投影される(すなわち単一動的露光)。支持構造MTに対する基板テーブルWTa/WTbの速度及び方向は、投影システムPSの拡大(縮小)及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分Cの(非スキャン方向における)幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分Cの(スキャン方向における)高さが決まる。
3.別のモードでは、支持構造MTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTa/WTbを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWTa/WTbを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
Claims (13)
- 周期構造上のスポットに照明放射を提供するため及び前記周期構造によってリダイレクトされた放射を受信するための光学システムであって、前記周期構造からのゼロ次放射をブロックするため及び非ゼロ次放射を通すことができるようにするための第1のストップと、前記第1のストップを通るゼロ次放射をブロックするため及び前記非ゼロ次放射を通すことができるようにするための第2のストップと、を有する、光学システムと、
前記光学システムのダウンストリームの前記非ゼロ次放射を受信するための放射検出器と、を備え、
前記第1のストップは、プリズムの内部にあり、
前記第2のストップは、フレームによって解放可能に支持される支持アーム構造の1つ以上のアームの一部であるか又は前記アームの上に取り付けられており、
前記支持アーム構造は、鏡筒と、前記フレームと係合するための1つ以上の突起と、を有し、前記鏡筒の一端側に前記突起が設けられる一方、前記鏡筒の他端側に前記アームが設けられており、
前記支持アーム構造の前記アームは、前記プリズムの最も近くにあり、
前記フレームは、前記支持アーム構造が取り付けられている前記フレームの表面から前記支持アーム構造の前記鏡筒が垂れ下がるように、前記プリズムから変位される、
測定装置。 - 前記第1のストップは、ミラーを備える、請求項1に記載の測定装置。
- 前記照明放射を前記ミラーに提供するための放射入力を更に備え、
前記ミラーは、前記周期構造上の前記スポットに向けて前記照明放射を提供するように構成される、請求項2に記載の測定装置。 - 前記第2のストップは、不透明なフィーチャである、請求項1から3の何れか一項に記載の測定装置。
- 前記第2のストップは、散乱又は反射フィーチャである、請求項1から4の何れか一項に記載の測定装置。
- 前記第2のストップは、前記リダイレクトされる放射の経路内及び経路外に移動可能である、請求項1から5の何れか一項に記載の測定装置。
- 前記検出器は、前記受信された非ゼロ次放射からアライメントを決定するように構成される、請求項1から6の何れか一項に記載の測定装置。
- パターンを基板に転写するように構成されたパターニングサブシステムと、
前記パターニングサブシステムに対して前記基板の位置を測定するように構成された測定サブシステムと、を備え、
前記パターニングサブシステムは、前記基板上の所望の位置に前記パターンを適用するために、前記測定サブシステムによって測定される前記位置を使用するように配置され、
前記測定サブシステムは、請求項1から7の何れか一項に記載の装置を備える、
リソグラフィ装置。 - 測定する方法であって、
周期構造上のスポットに放射を提供すること、
前記周期構造によってリダイレクトされた放射を受信することであって、前記リダイレクトされた放射はゼロ次及び非ゼロ次の放射を含むこと、
非ゼロ次放射が第1のストップを通ることができるようにしながら、前記第1のストップを使用して前記リダイレクトされた放射のゼロ次放射をブロックすること、
非ゼロ次放射が第2のストップを通ることができるようにしながら、前記第2のストップを使用して前記第1のストップを通るゼロ次放射をブロックすること、及び、
前記第1及び第2のストップのダウンストリームの放射検出器において、前記非ゼロ次放射を受信すること、を含み、
前記第1のストップは、プリズムの内部にあり、
前記第2のストップは、フレームによって解放可能に支持される支持アーム構造のアームの一部であるか又は前記アームの上に取り付けられており、
前記支持アーム構造は、鏡筒と、前記フレームと係合するための1つ以上の突起と、を有し、前記鏡筒の一端側に前記突起が設けられる一方、前記鏡筒の他端側に前記アームが設けられており、
前記支持アーム構造の前記アームは、前記プリズムの最も近くにあり、
前記フレームは、前記支持アーム構造が取り付けられている前記フレームの表面から前記支持アーム構造の前記鏡筒が垂れ下がるように、前記プリズムから変位される、方法。 - 前記第1のストップは、ミラーを備え、
前記ミラーに照明放射を提供することを更に備え、
前記ミラーは、前記周期構造上の前記スポットに向けて前記照明放射を提供する、請求項9に記載の方法。 - 前記リダイレクトされた放射の経路内及び経路外に前記第2のストップを移動させることを更に含む、請求項9又は10に記載の方法。
- 前記第2のストップは、散乱又は反射フィーチャである、請求項9から11の何れか一項に記載の方法。
- デバイスパターンがリソグラフィプロセスを使用して基板に適用されるデバイスを製造する方法であって、
前記基板上に形成された周期構造の測定される位置を参照することによって前記適用されたパターンを位置決めすることを含み、
前記測定される位置は、請求項9から12の何れか一項に記載の方法によって取得される、方法。
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JPH09189520A (ja) * | 1996-01-12 | 1997-07-22 | Nikon Corp | 位置検出装置 |
EP0823667A2 (en) * | 1996-08-06 | 1998-02-11 | Nikon Corporation | Alignment apparatus and exposure apparatus equipped with same |
US6469793B1 (en) * | 1999-08-10 | 2002-10-22 | Svg Lithography Systems, Inc. | Multi-channel grating interference alignment sensor |
EP1281700A1 (en) | 2001-07-31 | 2003-02-05 | Resolution Research Nederland B.V. | Manufacturing process for the preparation of alpha, alpha-branched alkane carboxylic acids providing esters with an improved softness |
SG99416A1 (en) * | 2002-03-05 | 2003-10-27 | Asml Netherlands Bv | Apparatus and system for improving phase shift mask imaging performance and associated methods |
DE60319462T2 (de) * | 2002-06-11 | 2009-03-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels |
JP2006053056A (ja) * | 2004-08-12 | 2006-02-23 | Nikon Corp | 位置計測方法、位置計測装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
US7511799B2 (en) * | 2006-01-27 | 2009-03-31 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and a device manufacturing method |
US20080135774A1 (en) * | 2006-12-08 | 2008-06-12 | Asml Netherlands B.V. | Scatterometer, a lithographic apparatus and a focus analysis method |
CN101114134B (zh) * | 2007-07-24 | 2010-05-19 | 上海微电子装备有限公司 | 用于投影扫描光刻机的对准方法及微器件制造方法 |
NL1036476A1 (nl) | 2008-02-01 | 2009-08-04 | Asml Netherlands Bv | Alignment mark and a method of aligning a substrate comprising such an alignment mark. |
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JP2012163596A (ja) * | 2011-02-03 | 2012-08-30 | Toppan Printing Co Ltd | 塗布膜の検査装置 |
NL2008111A (en) * | 2011-02-18 | 2012-08-21 | Asml Netherlands Bv | Optical apparatus, method of scanning, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
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