TW201835656A - 彩色光源結構 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種彩色光源結構，其包含至少一發光源與一半導體基板，該至少一發光源位於該半導體基板，每一該發光源包含一發光元件及一金屬層；發光元件位於半導體基板且產生一第一光線與一第二光線；及金屬層位於半導體基板且反射第二光線為一反射光線，反射光線與第一光線干涉而產生一彩色光線。

Description

彩色光源結構
本發明係有關於一種光源結構，尤其是一種彩色光源結構。
微發光二極體（Micro-led）近年來由於自發光顯示技術的盛行，逐漸在有機發光二極體（OLED）之外成為另一個可能取代液晶顯示器（LCD）的技術。然而，現有的微發光二極體一般需使用到不同的半導體製程，例如：將藍寶石基板所形成的發光二極體與互補式金屬氧化物半導體（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, CMOS）製程晶片組合，其生產成本過高。再者，目前的微發光二極體技術無法在單一半導體基板（例如晶圓）上製作出多色光源，例如：紅色、綠色與藍色光源，而是需要透過現有製程（例如螢光粉）預先製作不同顏色的發光二極體後，再將不同顏色的發光二極體進行組合構成多色光源。所以，現有微發光二極體於降低生產成本與簡化製造程序上仍有待改善。
因此，本發明提供一種彩色光源結構，以降低生產成本與簡化製程，並改善一般微發光二極體的限制。
本發明之目的，在於提供一種彩色光源結構，其可讓複數發光源設置於單一半導體基板上，而投射出多種顏色光線。
本發明之目的，在於提供一種彩色光源結構，其利用半導體製程的金屬層取代螢光粉而建構發光源，以投射出彩色光線。
本發明揭示一種彩色光源結構，其包含至少一發光源與一半導體基板，該至少一發光源位於該半導體基板，每一該發光源包含一發光元件與一金屬層；該發光元件位於該半導體基板且產生一第一光線與一第二光線；及該金屬層位於該半導體基板且反射該第二光線為一反射光線，該第一光線與該反射光線干涉而產生一彩色光線。
本發明揭示一種彩色光源結構，其包含至少一發光源與一半導體基板，該至少一發光源位於該半導體基板，每一該發光源包含一第一發光元件、一金屬層與一第二發光元件；該第一發光元件位於該半導體基板且產生一第一光線，該金屬層位於該半導體基板且反射該第一光線為一反射光線，及該第二發光元件位於該半導體基板且產生一第二光線；該第二光線與該反射光線干涉而產生一彩色光線。
本發明揭示一種彩色光源結構，其包含至少一發光源與一半導體基板，該至少一發光源位於該半導體基板，每一該發光源包含一第一發光元件、一第一金屬層、一第二發光元件與一第二金屬層；該第一發光元件位於該半導體基板且產生一第一光線，該第一金屬層位於該半導體基板且反射該第一光線為一第一反射光線，該第二發光元件位於該半導體基板且產生一第二光線，該第二金屬層位於該半導體基板且反射該第二光線為一第二反射光線；該第二反射光線與該第一反射光線干涉而產生一彩色光線。
本發明揭示一種顯示裝置之彩色光源結構，其包含複數發光源與一半導體基板，該些發光源位於該半導體基板，每一該發光源包含一發光元件與一金屬層；該發光元件位於該半導體基板且產生一第一光線與一第二光線，及該金屬層位於該半導體基板且反射該第二光線為一反射光線，該第一光線與該反射光線干涉而產生一彩色光線。
本發明揭示一種顯示裝置之彩色光源結構，其包含複數發光源與一半導體基板，該些發光源位於該半導體基板，每一該發光源包含一第一發光元件、一金屬層與一第二發光元件；該第一發光元件位於該半導體基板且產生一第一光線，該金屬層位於該半導體基板且反射該第一光線為一反射光線，及該第二發光元件位於該半導體基板且產生一第二光線，該第二光線與該反射光線干涉而產生一彩色光線。
本發明揭示一種顯示裝置之彩色光源結構，其包含複數發光源與一半導體基板，該些發光源位於該半導體基板，每一該發光源包含一第一發光元件、一第一金屬層、一第二發光元件與一第二金屬層；該第一發光元件位於該半導體基板且產生一第一光線，該第一金屬層位於該半導體基板且反射該第一光線為一第一反射光線，該第二發光元件位於該半導體基板且產生一第二光線，該第二金屬層位於該半導體基板且反射該第二光線為一第二反射光線；該第二光線與該第一反射光線干涉而產生一彩色光線，或該第二反射光線與該第一反射光線干涉而產生該彩色光線。
在說明書及後續的申請專利範圍當中使用了某些詞彙指稱特定的元件，然，所屬本發明技術領域中具有通常知識者應可理解，製造商可能會用不同的名詞稱呼同一個元件，而且，本說明書及後續的申請專利範圍並不以名稱的差異作為區分元件的方式，而是以元件在整體技術上的差異作為區分的準則。在通篇說明書及後續的申請專利範圍當中所提及的「包含」為一開放式用語，故應解釋成「包含但不限定於」。再者，「耦接」一詞在此包含任何直接及間接的連接手段。因此，若文中描述一第一裝置耦接一第二裝置，則代表該第一裝置可直接連接該第二裝置，或可透過其他裝置或其他連接手段間接地連接至該第二裝置。
為使　貴審查委員對本發明之特徵及所達成之功效有更進一步之瞭解與認識，謹佐以實施例說明，說明如後：
請參閱第一圖，其為本發明之彩色光源結構的實施例的示意圖。如圖所示，顯示裝置的顯示區2由驅動電路1驅動，顯示區2具有複數像素3，且本發明之彩色光源結構可以應用於顯示區2內，並由驅動電路1控制而產生光線L，如此，每一像素3可以依據彩色光源結構的至少一發光源4所產生的光線L而顯示一影像，其中，驅動電路1可以輸出一驅動訊號至發光源4，而控制發光源4產生光線L，此外，光線L的產生是由電子電洞的複合與分離所致，所以，不同驅動訊號的電壓準位可以控制電子電洞的結合與分離的程度，進而控制光線L的產生與強度。彩色光源結構可以為單一像素3內的複數發光源4的結構，或者彩色光源結構可以為整個顯示區2的複數發光源4的結構，且彩色光源結構的每一發光源4位於同一半導體基板10，此實施例的半導體基板10可以為一晶圓基板，且可為透明基板，而其材料可以為矽基板，再者，本發明的彩色光源結構於半導體製程期間已製作完成，換言之，單一半導體基板10上的光源結構即可以投射出不同顏色的彩色光線，而無需在半導體製程後再與其他具有不同顏色光源的半導體基板整合才能投射出不同顏色的彩色光線。
此外，本發明的彩色光源結構的發光源4同樣可以應用於其他照明產品，例如手電筒、檯燈或梯間照明燈等等，而非限制應用於顯示裝置的光源。
復參閱第一圖，其繪出單一發光源4設置於半導體基板10上作為說明，而在設計每一像素3所需的發光源4數量時，可以按照本發明的技術而設計使半導體基板10設置複數顏色的發光源4，例如，單一半導體基板10上設置紅色光源與綠色光源，或紅色光源與藍色光源，或者是綠色光源與藍色光源，此為設計者可自行考量，非本發明所侷限。第一圖實施例的發光源4包含一發光元件而具有一發光區11。在本實施例中，該單一半導體基板10可應用於一互補式金屬氧化物半導體（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, CMOS）製程，故該發光源4位於半導體基板10且可包含該發光區11、一多晶矽層20、一鈍化層（Passivation）60及一金屬層70。其中，鈍化層60與金屬層70覆蓋多晶矽層20。
發光元件的發光區11可以產生光線L並投射至金屬層70，而金屬層70與發光區11之間間隔該鈍化層60，該鈍化層60可由Si3N2或SiO2等絕緣材質構成，所以，當鈍化層60的厚度增加則金屬層70與發光元件的間距隨之增加，而當鈍化層60的厚度減少則金屬層70與發光元件的間距隨之減少，換言之，發光區11投射光線L至金屬層70的光程（optical path length）依據鈍化層60的厚度而改變。此外，第一圖實施例僅繪出一層鈍化層60與一層金屬層70，然而，在CMOS製程中可以於發光元件上方製作出複數層鈍化層60與複數層金屬層70，換言之，發光區11可以投射光線L至上方複數金屬層70中的其中一層，例如，發光區11可以投射光線L至複數金屬層70中相距發光元件最近或最遠的金屬層70，所以，依據金屬層70與發光元件的間距而也可以決定光線L的光程。
上述發光元件可為各種構造的發光二極體，舉例而言，請參閱第二圖，第二圖為本發明之彩色光源結構之其中一種發光元件相關的電路連接方式的示意圖。如圖所示，透過將一個PMOS元件的源極（p+ source）與汲極（p+ drain）分別耦接一接地端GND，並且在其N型基板施加一正電壓，即可使該PMOS元件形成具有反向偏壓（reverse-biased）的P-N接面而作為發光二極體使用；其中該PMOS元件的閘極（Gate）可以維持浮接（floated）或者被施以適當偏壓以控制其運作特性。或者，如第一圖所示，藉由在一第一金屬部30下形成一n型摻雜區n+ ，在一第二金屬部40下形成一p型摻雜區p+ ，p型摻雜區p+ 可以於一P型井（P-well）形成，同樣可以使n型摻雜區n+ 與p型摻雜區p+ 之間形成發光區11，此發光區11為一空間電荷區（space charge region），其為電子電洞複合與分離之區。此外，經由一第三金屬部50施以適當偏壓至一閘極，閘極形成於多晶矽層20並可設置於n型摻雜區n+ 與p型摻雜區p+ 之間，可以控制這種發光元件運作特性。上述不同構造的發光二極體均可利用CMOS製程製作。
請參閱第三圖，其為本發明之彩色光源結構於產生光線的第一實施例的示意圖。發光源4位於半導體基板10且產生一第一光線L1與一第二光線L2，發光源4的發光元件投射第一光線L1於一第一光路徑而至發光元件的下方及投射第二光線L2於一第二光路徑而至金屬層70，其中，第二光線L2的第二光路徑經過的鈍化層60位置可以進行薄化或者開孔處理，同理，第一光線L1的第一光路徑經過的半導體基板10位置可以進行鑽洞或磨薄的處理，而降低對第一光線L1與第二光線L2的影響，惟，若欲降低第一光線L1與第二光線L2的強度亦可以增加鈍化層60或/及半導體基板10的厚度。
再者，金屬層70反射第二光線L2為一反射光線L3於一第三光路徑，反射光線L3的第三光路徑經過鈍化層60、多晶矽層20及半導體基板10後，再與第一光線L1干涉而產生一彩色光線，第三圖實施例的彩色光線舉例為紅色光線R-light，換言之，第三圖半導體基板10上所製作的發光源4可為一紅色光源。復參閱第三圖，第一光線L1與反射光線L3原為同色光線（例如為白色或其他顏色光線），然，在第一光線L1與反射光線L3兩者所經過的光路徑相比下，反射光線L3增加一反射距離RF1，換言之，反射光線L3（亦可當作第二光線L2）的光路徑（第二光路徑加上第三光路徑）經過的距離大約是從發光元件至金屬層70的距離加上金屬層70到與第一光線L1干涉處的距離，而第一光線L1的光路徑（第一光路徑）經過的距離僅僅是從發光元件至與反射光線L3干涉處的距離，即反射光線L3所經的第三光路徑加上第二光路徑相較於第一光線L1的第一光路徑具有一光程差。換言之，本發明利用於半導體基板10上製作的金屬層70，將第二光線L2反射並形成反射光線L3並與第一光線L1干涉，使得具有不同光程的第一光線L1與反射光線L3干涉出彩色光線，且彩色光線的顏色不同於第一光線L1的顏色。上述第一光路徑、第二光路徑與第三光路徑為不同光路徑。
因此，本發明利用具有光程（optical path length）差的兩光線干涉後產生彩色光線，且如上所述，光程差可以利用第一圖之鈍化層60的厚度進行調整，即第三圖的反射距離RF1隨著鈍化層60的厚度改變而改變。再者，當發光元件上方具有複數鈍化層60與複數金屬層70時，可以利用不同的金屬層70（金屬層亦可以稱為反射層）反射第二光線L2，而非限定於第三圖所示最接近發光元件的金屬層70進行反射，所以，非作為反射層的金屬層70可以在佈局（Layout）時作避讓的設計，例如開設貫孔；而在作為反射層的金屬層70與發光元件間的複數鈍化層60皆可以用於調整反射距離RF1。此外，顯示裝置或者手持式燈源產品中，於結構空間夠大時，反射光線L3可以為第二光線L2的一次反射後，即與第一光線L1進行干涉而產生彩色光線，即金屬層70與發光元件間的間距（影響反射距離RF1）夠遠時，第二光線L2由金屬層70反射一次後（反射光線L3）即可用於干涉而產生彩色光線，反之，也可以利用半導體基板10上的一個或多個金屬層70進行多次反射第二光線L2後，才進行干涉而產生彩色光線。
請參閱第四圖，其為本發明之彩色光源結構於產生光線的第二實施例的示意圖。如圖所示，第四圖之金屬層70與發光元件的間距（反射距離RF2）小於第三圖之金屬層70與發光元件的間距（反射距離RF1），且第四圖實施例的反射光線L3與第一光線L1干涉後產生綠色光線G-light，換言之，在改變反射光線L3與第一光線L1的光程差後，發光源4可以投射出不同顏色的彩色光線。再者，第三圖與第四圖的彩色光源結構（即包含紅色光源與綠色光源）可以利用CMOS製程而在單一半導體基板10上直接製作完成，且無需使用螢光粉而降低生產成本與簡化製作程序，並配合發光元件與金屬層70的間距調整，而達到產生不同顏色光線的目的。
此外，由第三圖與第四圖的實施例可知本發明的彩色光源結構在單一半導體基板10上至少可以製作出白色光源、紅色光源與綠色光源，而增加微發光二極體技術的應用範圍，同理，在單一半導體基板10上還可以包含如第五圖所示的藍色光源，其實施方式如第五圖所示再縮小金屬層70與發光元件的間距（反射距離RF3）而干涉出藍色光線B-light，換言之，在單一半導體基板10上的三種發光源4中的金屬層70與發光元件的間距分別為不同間距（例如分別為第一間距、第二間距及第三間距），而使三種彩色光源（R、G、B）設置於單一半導體基板10，惟，單一半導體基板10上的光源數量與光源種類可依需求自行規劃，非本發明所限制。
在紅色光源、綠色光源與藍色光源中的反射距離RF1、RF2、RF3較佳的距離可分別為544~816nm、424~636nm及352~528nm；然而仍需視光線的投射角度以及光線在金屬層70上的反射次數而適當調整。再者，在具有光程差的兩光線皆可以干涉出彩色光線，所以，如第六圖所示，在單一半導體基板10上設置複數發光元件時，左側第一發光元件投射第一光線L11於第一光路徑而至金屬層70，金屬層70反射第一光線L11而為反射光線L13於第二光路徑，爾後，反射光線L13與右側第二發光元件所投射出於第三光路徑的第二光線L12干涉後，產生紅色光線、綠色光線或藍色光線，第一光路徑、第二光路徑與第三光路徑為不同光路徑，第二光路徑加上第一光路徑相較於第三光路徑具有光程差，其中，如上所說明，反射距離RF4可以使反射光線L13（第一光線L11）的光程不同於第二光線L12的光程而可以干涉出不同顏色光線。
再者，如第七圖所示，單一半導體基板10上設置有左側的第一發光元件與右側的第二發光元件，且第一金屬層71與左側第一發光元件相距反射距離RF5（第一間距），而第二金屬層81與右側第二發光元件相距不同於反射距離RF5的反射距離RF6（第二間距），如此，單一半導體基板10上的兩發光元件分別投射第一光線L21、第二光線L22於第一光路徑與第三光路徑而至對應的兩金屬層71、81，第一金屬層71及第二金屬層81分別反射第一光線L21及第二光線L22而為第一反射光線L23及第二反射光線L24於第二光路徑與第四光路徑，第一光路徑、第二光路徑、第三光路徑、第四光路徑為不同光路徑，第二光路徑與第一光路徑的總和相較於第四光路徑與第三光路徑的總和具有光程差，如此第一反射光線L23及第二反射光線L24經過各自的發光元件後進行干涉，而產生紅色光線、綠色光線或藍色光線，反射距離RF5與反射距離RF6的差值決定彩色光線為藍色光線、綠色光線或紅色光線，其餘技術內容如上所述，於此不再覆述。
本發明之彩色光源結構可應用於顯示裝置，如此彩色光源結構可包含三個發光源，例如紅色光源、綠色光源與藍色光源，以產生紅色光線、綠色光線與藍色光線。
綜合上述，本發明揭示一種彩色光源結構，其包含具有複數顏色的發光源與一半導體基板，該發光源位於該半導體基板，每一發光源包含一發光元件與一金屬層；該發光元件位於該半導體基板且產生複數光線；及該金屬層位於該半導體基板且反射部分光線為一反射光線，進而利用具有不同光程的該光線及/或該反射光線干涉而產生一彩色光線；而且，由上述第三圖至第七圖的實施例可知，本發明技術是利用位於半導體基板的金屬層而使兩光線具有不同光程差後，進行干涉且產生彩色光線，所以，進行干涉的兩光線未限制於第三圖發光元件的原生光（如第一光線L1）及反射光線L3，而是任何具有光程差（光路徑差）的兩光線皆可用於干涉而產生不同顏色的彩色光線，即如第六圖與第七圖的實施例。
1‧‧‧驅動電路
2‧‧‧顯示區
3‧‧‧像素
4‧‧‧發光源
10‧‧‧半導體基板
11‧‧‧發光區
12‧‧‧發光區
20‧‧‧多晶矽層
21‧‧‧多晶矽層
30‧‧‧第一金屬部
31‧‧‧第一金屬部
40‧‧‧第二金屬部
41‧‧‧第二金屬部
50‧‧‧第三金屬部
51‧‧‧第三金屬部
60‧‧‧鈍化層
70‧‧‧金屬層
71‧‧‧第一金屬層
81‧‧‧第二金屬層
B-light‧‧‧藍色光線
Gate‧‧‧閘極
G-light‧‧‧綠色光線
GND‧‧‧接地端
L‧‧‧光線
L1‧‧‧第一光線
L11‧‧‧第一光線
L12‧‧‧第二光線
L13‧‧‧反射光線
L2‧‧‧第二光線
L21‧‧‧第一光線
L22‧‧‧第二光線
L23‧‧‧第一反射光線
L24‧‧‧第二反射光線
L3‧‧‧反射光線
n+‧‧‧n型摻雜區
p+‧‧‧p型摻雜區
p+drain‧‧‧汲極
p+source‧‧‧源極
P-well‧‧‧P型井
RF1‧‧‧反射距離
RF2‧‧‧反射距離
RF3‧‧‧反射距離
RF4‧‧‧反射距離
RF5‧‧‧反射距離
RF6‧‧‧反射距離
R-light‧‧‧紅色光線
第一圖：其為本發明之彩色光源結構的實施例的示意圖； 第二圖：其為本發明之彩色光源結構之發光元件相關的電路連接方式的示意圖； 第三圖：其為本發明之彩色光源結構於產生光線的第一實施例的示意圖； 第四圖：其為本發明之彩色光源結構於產生光線的第二實施例的示意圖； 第五圖：其為本發明之彩色光源結構於產生光線的第三實施例的示意圖； 第六圖：其為本發明之彩色光源結構於產生光線的第四實施例的示意圖；及 第七圖：其為本發明之彩色光源結構於產生光線的第五實施例的示意圖。

Claims (19)

  1. 一種彩色光源結構，其包含至少一發光源與一半導體基板，該至少一發光源位於該半導體基板，每一該發光源包含： 一發光元件，位於該半導體基板，該發光元件產生一第一光線與一第二光線；及 一金屬層，位於該半導體基板，該金屬層反射該第二光線為一反射光線，該反射光線與該第一光線干涉而產生一彩色光線。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之彩色光源結構，其中，該發光元件分別投射該第一光線與該第二光線於一第一光路徑及一第二光路徑，該金屬層反射該第二光線為該反射光線於一第三光路徑，該第一光路徑、該第二光路徑及該第三光路徑為不同光路徑，該第三光路徑加上該第二光路徑相較於該第一光路徑具有一光程差；該彩色光線的顏色不同於該第一光線的顏色。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之彩色光源結構，其中，該金屬層與該發光元件相距一第一間距、一第二間距或一第三間距而決定該彩色光線為一藍色光線、一綠色光線或一紅色光線。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之彩色光源結構，其中，該半導體基板上設有一多晶矽層、一鈍化層及該金屬層，該鈍化層與該金屬層覆蓋該多晶矽層。
  5. 一種彩色光源結構，其包含至少一發光源與一半導體基板，該至少一發光源位於該半導體基板，每一該發光源包含： 一第一發光元件，位於該半導體基板，該第一發光元件產生一第一光線； 一金屬層，位於該半導體基板，該金屬層反射該第一光線為一反射光線；及 一第二發光元件，位於該半導體基板，該第二發光元件產生一第二光線，該第二光線與該反射光線干涉而產生一彩色光線。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之彩色光源結構，其中，該第一發光元件投射該第一光線於一第一光路徑，該金屬層反射該第一光線為該反射光線於一第二光路徑，該第二發光元件投射該第二光線於一第三光路徑，該第一光路徑、該第二光路徑與該第三光路徑為不同光路徑，該第二光路徑加上該第一光路徑相較於該第三光路徑具有一光程差；該彩色光線的顏色不同於該第一光線的顏色。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之彩色光源結構，其中，該金屬層與該第一發光元件相距一第一間距、一第二間距或一第三間距而決定該彩色光線為一藍色光線、一綠色光線或一紅色光線。
  8. 一種彩色光源結構，其包含至少一發光源與一半導體基板，該至少一發光源位於該半導體基板，每一該發光源包含： 一第一發光元件，位於該半導體基板，該第一發光元件產生一第一光線； 一第一金屬層，位於該半導體基板，該第一金屬層反射該第一光線為一第一反射光線； 一第二發光元件，位於該半導體基板，該第二發光元件產生一第二光線；及 一第二金屬層，位於該半導體基板，該第二金屬層反射該第二光線為一第二反射光線，該第二反射光線與該第一反射光線干涉而產生一彩色光線。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之彩色光源結構，其中，該第一發光元件投射該第一光線於一第一光路徑，該第一金屬層反射該第一光線為該第一反射光線於一第二光路徑，該第二發光元件投射該第二光線於一第三光路徑，該第二金屬層反射該第二光線為該第二反射光線於一第四光路徑，該第一光路徑、該第二光路徑、該第三光路徑與該第四光路徑為不同光路徑，該第二光路徑與該第一光路徑的總和相較於該第四光路徑與該第三光路徑的總和具有一光程差；該彩色光線的顏色不同於該第一光線與該第二光線的顏色。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之彩色光源結構，其中，該第一金屬層及該第二金屬層分別與該第一發光元件及該第二發光元件相距一第一間距、一第二間距，而該第一間距與該第二間距的差值決定該彩色光線為一藍色光線、一綠色光線或一紅色光線。
  11. 一種顯示裝置之彩色光源結構，其包含複數發光源與一半導體基板，該些發光源位於該半導體基板，每一該發光源包含： 一發光元件，位於該半導體基板，該發光元件產生一第一光線與一第二光線；及 一金屬層，位於該半導體基板，該金屬層反射該第二光線為一反射光線，該反射光線與該第一光線干涉而產生一彩色光線。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之顯示裝置之彩色光源結構，其中，該發光元件分別投射該第一光線與該第二光線於一第一光路徑與一第二光路徑，該金屬層反射該第二光線為該反射光線於一第三光路徑，該第一光路徑、該第二光路徑與該第三光路徑為不同光路徑，該第三光路徑加上該第二光路徑相較於該第一光路徑具有一光程差；該彩色光線的顏色不同於該第一光線的顏色。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之顯示裝置之彩色光源結構，其包含三個發光源，每一該發光源之該發光元件與該金屬層相距一間距，該三個發光源之該些間距係不相同，以產生不同顏色的該彩色光線。
  14. 一種顯示裝置之彩色光源結構，其包含複數發光源與一半導體基板，該些發光源位於該半導體基板，每一該發光源包含： 一第一發光元件，位於該半導體基板，該第一發光元件產生一第一光線； 一金屬層，位於該半導體基板，該金屬層反射該第一光線為一反射光線；及 一第二發光元件，位於該半導體基板，該第二發光元件產生一第二光線，該第二光線與該反射光線干涉而產生一彩色光線。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之顯示裝置之彩色光源結構，其中，該第一發光元件投射該第一光線於一第一光路徑，該金屬層反射該第一光線為該第一反射光線於一第二光路徑，該第二發光元件投射該第二光線於一第三光路徑，該第一光路徑、該第二光路徑與該第三光路徑為不同光路徑，該第二光路徑加上該第一光路徑相較於該第三光路徑具有一光程差；該彩色光線的顏色不同於該第一光線的顏色。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之顯示裝置之彩色光源結構，其包含三個發光源，每一該發光源之該第一發光元件與該金屬層相距一間距，該三個發光源之該些間距係不相同，以產生不同顏色的該彩色光線。
  17. 一種顯示裝置之彩色光源結構，其包含複數發光源與一半導體基板，該些發光源位於該半導體基板，每一該發光源包含： 一第一發光元件，位於該半導體基板，該第一發光元件產生一第一光線； 一第一金屬層，位於該半導體基板，該第一金屬層反射該第一光線為一第一反射光線； 一第二發光元件，位於該半導體基板，該第二發光元件產生一第二光線；及 一第二金屬層，位於該半導體基板，該第二金屬層反射該第二光線為一第二反射光線，該第二反射光線與該第一反射光線干涉而產生一彩色光線。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之顯示裝置之彩色光源結構，其中，該第一發光元件投射該第一光線於一第一光路徑，該第一金屬層反射該第一光線為該第一反射光線於一第二光路徑，該第二發光元件投射該第二光線於一第三光路徑，該第二金屬層反射該第二光線為該第二反射光線於一第四光路徑，該第一光路徑、該第二光路徑、該第三光路徑與該第四光路徑為不同光路徑，該第二光路徑與該第一光路徑的總和相較於該第四光路徑與該第三光路徑的總和具有一光程差；該彩色光線的顏色不同於該第一光線與該第二光線的顏色。
  19. 如申請專利範圍第17項所述之顯示裝置之彩色光源結構，其包含三個發光源，每一該發光源之該第一發光元件、該第二發光元件分別與該第一金屬層及該第二金屬層相距一第一間距、一第二間距，該第一間距與該第二間距的一間距差值決定該彩色光線的顏色，該三個發光源之該些間距差值係不相同，以產生不同顏色的該彩色光線。
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